JPH05281533A - 反射型液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 良好な反射特性を有する反射型液晶表示装置
を再現性よく得る。 【構成】 反射板上の液晶層側に断面形状が微細なドー
ナツ形または円形とドーナツ形の混ざった凸部面を有す
る絶縁膜を設け、その上に反射電極を形成した反射型液
晶表示装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、入射光を反射すること
によって表示を行う反射型液晶表示装置およびその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ワードプロセッサ、ラップトップ
パソコン、ポケットテレビなどへの液晶表示装置の応用
が急速に進展している。特に、液晶表示装置の中でも外
部から入射した光を反射させて表示を行う反射型液晶表
示装置は、光源であるバックライトが不要であるため消
費電力が低く、薄型であり軽量化が可能であるため注目
されている。

【０００３】従来から、反射型液晶表示装置にはＴＮ
（ツイステッドネマティック）方式、並びにＳＴＮ（ス
ーパーツイステッドネマティック）方式が用いられてい
るけれども、これらの方式では偏光板によって必然的に
自然光の光強度の１／２が表示に利用されないことにな
り、表示が暗くなるという問題がある。

【０００４】このような問題に対して、偏光板を用い
ず、自然光のすべての光線を有効に利用しようとする表
示モードが提案されている。このようなモードの例とし
て、相転移型ゲスト・ホスト方式が挙げられる（Ｄ．
Ｌ．Ｗｈｉｔｅ ａｎｄ Ｇ．Ｎ．Ｔａｙｌｏｒ：Ｊ．
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４５ ４７１８ １９７４）。こ
の表示モードでは、電界によるコレステリック・ネマテ
ィック相転移現象が利用されている。この相転移型ゲス
ト・ホスト方式に、さらにマイクロカラーフィルタを組
合わせた反射型マルチカラーディスプレイも提案されて
いる（ＴｏｈｒｕＫｏｉｚｕｍｉ ａｎｄ Ｔａｔｓｕ
ｏ Ｕｃｈｉｄａ，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔ
ｈｅ ＳＩＤ，Ｖｏｌ．２９，１５７，１９８８）。

【０００５】このような偏光板を必要としないモードで
さらに明るい表示を得るためには、あらゆる角度からの
入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散乱する光の強
度を増加させる必要がある。そのためには、最適な反射
特性を有する反射板を作成することが必要となる。上述
の文献には、ガラスなどからなる基板の表面を研磨剤で
粗面化し、フッ化水素酸でエッチングする時間を変える
ことによって表面の凹凸を制御し、その凹凸上に銀の薄
膜を形成した反射板について記載されている。

【０００６】図１０は、アクティブマトリクス方式に用
いられるスイッチング素子である薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴと記す）１を有する基板２の平面図であり、
図１１は図１０に示す切断面線ＸＩ−ＸＩから見た断面
図である。ガラスなどの絶縁性の基板２上に、クロム、
タンタルなどから成る複数のゲートバス配線３が互いに
平行に設けられ、ゲートバス配線３からはゲート電極４
が分岐して設けられている。ゲートバス配線３は、走査
線として機能している。

【０００７】ゲートバス電極４を覆って基板２上の全面
に窒化シリコン（ＳｉＮ_x）、酸化シリコン（ＳｉＯ_x）
などから成るゲート絶縁膜５が形成されている。ゲート
電極４の上方のゲート絶縁膜５上には、非晶質シリコン
（以下、ａ−Ｓｉと記す）、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ
などから成る半導体層６が形成されている。半導体層６
の一方の端部には、チタン、モリブデン、アルミニウム
などから成るソース電極７が重畳形成されている。ま
た、半導体層６の他方の端部には、ソース電極７と同様
にチタン、モリブデン、アルミニウムなどから成るドレ
イン電極８が重畳形成されている。ドレイン電極８の半
導体層６と反対側の端部には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxi
de）から成る絵素電極９が重畳形成されている。

【０００８】図１０に示すように、ソース電極７にはゲ
ートバス配線３に前述のゲート絶縁膜５を挟んで交差す
るソースバス配線１０が接続されている。ソースバス配
線１０は、信号線として機能している。ソースバス配線
１０も、ソース電極７と同様な金属で形成されている。
ゲート電極４、ゲート絶縁膜５、半導体層６、ソース電
極７およびドレイン電極８は、ＴＦＴ１を構成し、該Ｔ
ＦＴ１は、スイッチング素子の機能を有している。

【０００９】図１０および図１１に示すＴＦＴ１を有す
る基板２を反射型液晶表示装置に適応しようとすれば、
絵素電極９をアルミニウム、銀などの光反射性を有する
金属で形成するばかりでなく、ゲート絶縁膜５の上に凹
凸を形成する必要がある。一般に、無機物から成る絶縁
膜５にテーパの付いた凹凸を均一に形成することは困難
である。

【００１０】図１２は、アクティブマトリスク方式に用
いられるＴＦＴ１１を有する基板１２の平面図であり、
図１３は図１２に示される切断面線ＸＩＩ−ＸＩＩから
見た断面図である。ガラスなどの絶縁性の基板１２上に
クロム、タンタルなどから成る複数のゲートバス配線１
３が互いに平行に設けられ、ゲートバス配線１３からは
ゲート電極１４が分岐して設けられている。ゲートバス
配線１３は、走査線として機能している。

【００１１】ゲート電極１４を覆って基板１２上の全面
に窒化シリコン、酸化シリコンなどから成るゲート絶縁
膜１５が形成されている。ゲート電極１４の上方のゲー
ト絶縁膜１５上には、ａ−Ｓｉなどから成る半導体層１
６が形成されている。半導体層１６の両端部には、ａ−
Ｓｉなどから成るコンタクト層１７が形成されている。
一方のコンタクト層１７上にはソース電極１８が重畳形
成され、他方のコンタクト層１７上にはドレイン電極１
９が重畳形成されている。ソース電極１８にはゲートバ
ス配線１３に前述のゲート絶縁膜１５を挟んで交差する
信号線として機能するソースバス配線１０が接続されて
いる。ゲート電極１４、ゲート絶縁膜１５、半導体層１
６、コンタクト層１７、ソース電極１８およびドレイン
電極１９は、ＴＦＴ１１を構成する。

【００１２】さらにその上に複数の凸部２０ａを有し、
ドレイン電極１９上にコンタクトホール２１を有する有
機絶縁膜２０が形成される。有機絶縁膜２０上には、反
射電極２２が形成され、反射電極２２はコンタクトホー
ル２１を介してドレイン電極１９と接続されている。

【００１３】以上のようにＴＦＴ１１を形成した基板１
２上に有機絶縁膜２０を形成すれば、エッチング法を用
いて有機絶縁膜２０の表面に凸部２０ａを容易に形成す
ることができ、凸部２０ａを有する有機絶縁膜２０上に
反射電極２２を形成することによって、容易に凹凸を有
する反射電極２２を形成することができる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上記文献に記載の反射
板では、ガラス基板に研磨剤によって傷を付けることに
よって凹凸部が形成されるので、均一な形状の凹凸部を
形成することができない。また、凹凸部の形状の再現性
が悪いという問題点と、凹凸部の形状がパターン化でき
ないという問題点とがあるため、このようなガラス基板
を用いると再現性良く良好な反射特性を要する反射型液
晶表示装置を提供することはできない。さらに、この方
法はＴＦＴなどのスイッチング素子を有した基板に対し
ては装置にダメージを与える危険があるために適用でき
ない。

【００１５】また前述の図１０および図１１に示される
ように、反射電極９とソースバス配線１０とをゲート絶
縁膜５上に形成する際には、反射電極９とソースバス配
線１０とが導通しないように間隙９ａが形成される。し
かしながら、前述の図１２および図１３に示されるよう
に、ソースバス配線２３をゲート絶縁膜１５上に反射電
極２２を有機絶縁膜２０上に形成すれば、前述のような
間隙９ａは不要である。

【００１６】表示の輝度を向上するためには、反射電極
２２は大きいほど好ましい。したがって、図１２および
図１３では反射電極２２端部は有機絶縁膜２０を介して
ソースバス配線２３上にも形成され、図１０および図１
１で示される反射電極９より大きい。

【００１７】しかし、有機絶縁膜２０は凹凸を有してい
るため、凹部が深くなり、凹部の底２０ｂがソースバス
配線２３上に接触するエッチング不良が生じた場合、有
機絶縁膜２０による絶縁が行われず、有機絶縁膜２０上
に形成される反射電極２２とソースバス配線２３との絶
縁不良が生じるという問題がある。

【００１８】また、基板１２上の全面に凸部２０ａを有
する有機絶縁膜２０を形成するため、反射電極２２をパ
ターニングする際、凸部２０ａによって反射電極２２の
端部に凹凸が生じ、反射電極２２のパターニング不良が
生じるという問題がある。

【００１９】さらに、凸部２０ａの平面形状が円形のみ
となるので、凸部２０ａの占める割合が多くなり、この
ため正反射が多くなり、散乱光による明るい反射特性を
有する反射型液晶表示装置を実現できないという問題が
ある。

【００２０】本発明の目的は、上述の問題を解決し、良
好な反射特性を有する反射電極を備えた反射型液晶表示
装置およびその製造方法を提供することである。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明は、液晶層を介在
して対向配置される一対の透明基板のうち、一方の基板
上の液晶層側に凹凸を有する絶縁膜を塗布し、その上に
他方の基板側からの入射光を反射する表示絵素である複
数の反射電極を形成し、他方の基板上の液晶層側にはほ
ぼ全面にわたって透光性を有する共通電極を形成して構
成される反射型液晶装置において、前記凸部の断面形状
が微細なドーナツ形または円形とドーナツ形との混ざっ
たものであり、その配置が不規則であることを特徴とす
る反射型液晶表示装置である。

【００２２】また本発明は、液晶層を介在して対向配置
される一対の透明基板のうち、一方の基板上の液晶層側
に凹凸を有する絶縁膜を塗布し、その上に他方の基板側
からの入射光を反射する表示絵素である複数の反射電極
を形成し、他方の基板上の液晶層側にはほぼ全面にわた
って透光性を有する共通電極を形成して構成される反射
型液晶表示装置の製造方法において、前記反射電極側の
透明基板上に有機絶縁膜を一様に塗布し、その上にホト
レジスト層を塗布し、さらに微細なドーナツ形または円
形とドーナツ形との混ざった透孔が不規則に形成された
マスクをホトレジスト層にあてて光を照射することによ
ってホトレジストに孔をあけた後、エッチングを行って
有機絶縁膜に凹凸部を作り、その上に金属薄膜を形成す
ることを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法であ
る。

【００２３】

【作用】本発明に従えば、前記反射型液晶表示装置にお
いて、反射電極は、断面形状が微細なドーナツ形または
円形とドーナツ形との混ざった凸部によって形成され、
その配置は不規則である。また、マスクを用いて凹凸部
を形成するので、その形状、特に凹部の深さは一定とな
り、これによって絶縁不良によるダメージを素子に与え
ることなく、また入射光を散乱し、明るい反射特性を有
する。

【００２４】さらに反射板の反射機能を有する薄膜を形
成した面が、特に視差が問題になる場合には液晶層側、
すなわち液晶層とほぼ隣接する位置に配置されている構
成とすることができる。

【００２５】また、前記反射機能を有する薄膜が、誘電
体ミラーやコレステリック液晶を用いたノッチ形フィル
タの絶縁性薄膜であってもよいが、金属薄膜としても差
し支えがない。さらに、この場合には前記透光性基板に
形成された電極とは前記液晶層を挟んで対向する電極と
しても機能を付与することができる。

【００２６】

【実施例】以下、実施例でもって本発明をより具体的に
説明する。

【００２７】図１は、本発明の一実施例である反射型液
晶表示装置３０の断面図であり、図２は図１に示される
基板３１の平面図である。ガラスなどから成る絶縁性の
基板３１上に、クロム、タンタルなどから成る複数のゲ
ートバス配線３２が互いに平行に設けられ、ゲートバス
配線３２からはゲート電極３３が分岐している。ゲート
バス配線３２は、走査線として機能している。

【００２８】ゲート電極３３を覆って基板３１上の全面
に、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ_x）などから成るゲート絶縁膜３４が形成されてい
る。ゲート電極３３の上方のゲート絶縁膜３４上には、
非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉと記す）、多結晶シリ
コン、ＣｄＳｅなどから成る半導体層３５が形成されて
いる。半導体層３５の両端部には、ａ−Ｓｉなどから成
るコンタクト電極４１が形成されている。一方のコンタ
クト電極４１上にはチタン、モリブデン、アルミニウム
等から成るソース電極３６が重畳形成され、他方のコン
タクト電極４１上にはソース電極３６と同様にチタン、
モリブデン、アルミニウムなどから成るドレイン電極３
７が重畳形成されている。

【００２９】図２に示すようにソース電極３６には、ゲ
ートバス配線３２に前述のゲート絶縁膜３４を挟んで交
差するソースバス配線３９が接続されている。ソースバ
ス配線３９は、信号線として機能している。ソースバス
配線３９も、ソース電極３６と同様の金属で形成されて
いる。ゲート電極３３、ゲート絶縁膜３４、半導体層３
５、ソース電極３６およびドレイン電極３７は、ＴＦＴ
４０を構成し、該ＴＦＴ４０は、スイッチング素子の機
能を有する。

【００３０】ゲートバス配線３２、ソースバス配線３９
およびＴＦＴ４０を覆って、基板３１上全面に有機絶縁
膜４２が形成されている。有機絶縁膜４２の反射電極３
８が形成される領域には先細状で先端部の断面形状がド
ーナツ形または円形の凸部４２ａ，４２ｂが高さＨで形
成されており、ドレイン電極３７部分にはコンタクトホ
ール４３が形成されている。有機絶縁膜４２の形成方法
やこれにコンタクトホール４３を形成する工程上の問
題、および液晶表示装置３０を作成する際のセル厚のば
らつきを小さくするため、ドーナツ形または円形の凸部
４２ａ，４２ｂの高さＨは１０μｍ以下が好ましい（一
般にセルの厚さは１０μｍ以下である）。有機絶縁膜４
２のドーナツ形または円形の凸部４２ａ，４２ｂの形成
領域上にアルミニウム、銀などから成る反射電極３８が
形成され、反射電極３８はコンタクトホール４３におい
てドレイン電極３７と接続される。さらにその上には配
向膜４４が形成される。

【００３１】他方の基板４５上には、カラーフィルタ４
６が形成される。カラーフィルタ４６の基板３１の反射
電極３８に対向する位置にはマゼンタまたは緑のフィル
タ４６ａが形成され、反射電極３８に対向しない位置に
はブラックのフィルタ４６ｂが形成される。カラーフィ
ルタ４６上の全面にはＩＴＯなどから成る透明な電極４
７、さらにその上には配向膜４８が形成される。

【００３２】両基板３１，４５は、反射電極３８とフィ
ルタ４６ａとが一致するように対向して貼り合わせら
れ、間に液晶４９が注入されて反射型液晶表示装置３０
が完成する。

【００３３】図３は、図１および図２に示されるドーナ
ツ形または円形の凹凸を有する反射電極３８を基板３１
上に形成する形成方法を説明する工程図であり、図４は
図３に示す形成方法を説明する断面図であり、図５は図
３の工程ｓ７で用いられるマスク５１の平面図である。
図４（１）は図３の工程ｓ４を示し、図４（２）は図３
の工程ｓ７を示し、図４（３）は図３の工程ｓ８を示
し、図４（４）は図３の工程ｓ９を示している。

【００３４】工程ｓ１では、ガラスなどから成る絶縁性
の基板３１上にスパッタリング法によって３０００Åの
厚さのタンタル金属層を形成し、この金属層をホトリソ
グラフ法およびエッチングによってパターニングを行
い、ゲートバス配線３２およびゲート電極３３を形成す
る。工程ｓ２では、プラズマＣＶＤ法によって４０００
Åの厚さの窒化シリコンから成るゲート絶縁膜３４を形
成する。

【００３５】工程ｓ３では、半導体層３５となる厚さ１
０００Åのａ−Ｓｉ層と、コンタクト層４１となる厚さ
４００Åのｎ⁺ 型ａ−Ｓｉ層とをこの順で連続的に形成
する。形成されたｎ⁺ 型ａ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層の
パターニングを行い、半導体３５およびコンタクト層４
１を形成する。工程ｓ４では、基板３１の全面に厚さ２
０００Åのモリブデン金属をスパッタ法によって形成
し、このモリブデン金属層のパターニングを行って、ソ
ース電極３６、ドレイン電極３７およびソースバス配線
３９を形成し、ＴＦＴ４０が完成する。図４（１）は、
工程ｓ４までの処理終了後のＴＦＴ４０が形成された基
板３１の断面図である。

【００３６】工程ｓ５では、ＴＦＴ４０を形成した基板
３１上全面にポリイミド樹脂（商品名：ＪＳＳ−７４
２；日本合成ゴム株式会社製）を、１２００ｒｐｍで２
０秒間スピンコートし、２μｍの厚さに形成し、有機絶
縁膜４２を形成する。工程ｓ６では、ホトリソグラフ法
およびドライエッチング法を用いて有機絶縁膜４２にコ
ンタクトホール４３を形成する。工程ｓ７では、有機絶
縁膜４２上にホトレジスト５０を塗布し、図５に示され
るマスク５１を用いて反射電極３８形成領域のホトレジ
スト５０にドーナツ形の凸部５０ａと円形の凸部５０ｂ
とをパターニングする。さらに、ドーナツ形および円形
の凸部５０ａ，５０ｂの角を取るために、１２０℃〜２
５０℃の範囲で熱処理を行う。本実施例では、２００
℃、３０分の熱処理を行った。図４（２）に、工程ｓ７
までの処理終了後の基板３１の断面図を示す。マスク５
１には、反射電極３８形成領域に図５の斜線で示すドー
ナツ形および円形の遮光領域５１ａが不規則に形成され
ている。

【００３７】工程ｓ８では、図４（３）に示されるよう
に、ホトレジスト５０のない部分の有機絶縁膜４２をエ
ッチングして高さＨが１．０μｍのドーナツ形の凸部４
２ａと円形の凸部４２ｂとを形成する。このとき、ホト
レジスト５０に熱処理を行い、ドーナツ形および円形の
凸部の角を取ってあるため、ドーナツ形の凸部４２ａと
円形の凸部４２ｂもまた角が取れた形に形成される。ま
た、コンタクトホール４３およびＴＦＴ４０上の有機絶
縁膜４２はホトレジスト５０によって保護されており、
エッチングが行われない。エッチングが終われば、薬品
で洗浄するか、光照射でホトレジスト５０を取りさる。

【００３８】工程ｓ９では有機絶縁膜４２上全面にアル
ミニウム層を形成し、図４（４）に示されるように、ド
ーナツ形の凸部４２ａと円形の凸部４２ｂとの上に反射
電極３８を形成する。この状態の基板３１を、反射電極
３８を有する基板５２とする。反射電極３８は、有機絶
縁膜４２に形成されたコンタクトホール４３を介してＴ
ＦＴ４０のドレイン電極３７と接続されている。

【００３９】有機絶縁膜４２上の凸部の形状は、マスク
５１の形状、ホトレジスト５０の厚さ、ドライエッチン
グの時間によって制御することができるが、さらに他の
有機絶縁膜を塗布してもよい。ドーナツ形の凸部４２ａ
および円形の凸部４２ｂの形状の一例を図６に示す。

【００４０】以上の工程によって、反射電極３８を有す
る基板５２を得た。また上述の製造工程において、有機
絶縁膜４２のドライエッチング時間を長くして、ドーナ
ツ形の凸部４２ａと円形の凸部４２ｂとのそれぞれの高
さＨを１μｍとした基板３１を得ることができ、高さＨ
が１μｍである反射電極３８を有する基板３１を基板５
９とする。

【００４１】図１に示される他方の基板４５に形成され
る電極４７は、たとえばＩＴＯから成り、厚さは１００
０Åである。配向膜４４，４８は、ポリイミドなどを塗
布後、焼成することによって形成されている。基板３
１，４５間には、たとえば７μｍのスペーサを混入した
図示しない接着性シール剤をスクリーン印刷することに
よって液晶４９を封入する空間が形成され、前記空間を
真空脱気することによって液晶４９が注入される。液晶
４９としては、たとえば黒色色素を混入したゲストホス
ト液晶（メルク社製、商品名 ＺＬＩ２３２７）に、光
学活性物質（メルク社製、商品名 Ｓ８１１）を４．５
％混入したものを用いる。

【００４２】図７は、反射電極６７を有する反射板７０
の反射特性の測定方法を示す断面図である。反射板７０
を実際に液晶表示装置に用いる場合を想定し、液晶層と
ガラス基板の屈折率はいずれも約１．５とほぼ等しいの
で、反射電極６７を有する反射板７０上に屈折率１．５
の紫外線硬化接着樹脂６３を用いてガラス基板６２を密
着し、測定装置６１を形成する。ガラス基板６２の上部
には、光の強度を測定するフォトマルチメータ６４が配
置されている。フォトマルチメータ６４は、反射板６７
に対して入射角θで入射する入射光６５のうち、反射電
極７０によってガラス基板６９の法線方向に反射する散
乱光６６を検出するように、反射板７０の法線方向に固
定されている。

【００４３】測定装置６１に入射される入射光６５の入
射角θを変化させて反射電極６７による法線方向の散乱
光６６を測定することによって、反射電極６７の反射特
性が得られる。

【００４４】図８は、図１に示すドーナツ形と円形との
凸部をもった反射電極３８の反射特性を示すグラフであ
る。図８において入射角θをもって入射する光の反射強
度はθ＝０°の線に対する角度θの方向に原点０からの
距離として表されている。反射電極３８の反射特性を黒
三角で示す。白丸で示す反射特性曲線は、標準白色板
（酸化マグネシウム）について測定したものである。

【００４５】図９は、前述の図１３に示す従来の凸部の
形状が円形のみの反射電極２２による反射特性を示すグ
ラフである。円形とドーナツ形との混ざった凸部を有す
る反射電極３８の反射特性と、円形のみの凸部を有する
反射電極とを比較すると、前者の方が反射特性がよく、
明るい表示が得られることがわかる。

【００４６】ポリイミド樹脂の種類や膜厚、レジストの
熱処理温度を適当に選択すると凹凸の傾斜角度を自由に
制御することができ、これによって反射強度の入射角θ
の依存性を制御できる。その上に塗布する有機絶縁膜の
種類や膜厚を変えることによっても反射強度を制御でき
る。

【００４７】また、マスク５１の打ち抜きの部分の占め
る割合を変えることによって、正反射成分の大きさも制
御することができる。

【００４８】さらに、本実施例では、円形とドーナツ形
との形状を組合わせたが、ドーナツ形のみの形状でも同
様の効果がある。

【００４９】反射率の測定は、前述の図７の反射板の位
置に、上記の反射型液晶表示装置を置いて測定した。反
射率は、入射角θ＝３０°をもって入射する入射光につ
いて説明され、標準白色板における法線方向への拡散光
に対する、表示装置における法線方向への拡散光の強度
の比率を求めることによって得られる。

【００５０】本実施例の反射型液晶表示装置では、反射
型アクティブマトリスク基板３３の反射電極３２を形成
した面が、液晶層側に配置されているので視差がなくな
り、良好な表示画面が得られる。また、本実施例では反
射型アクティブマトリスク基板３３の反射薄膜が液晶層
側、すなわち液晶層にほぼ隣接する位置に配置されてい
る構成となるので、凸部の高さＨはセル厚よりも小さ
く、凸部の傾斜角度は液晶の配向を乱さない程度に緩や
かにするのが望ましい。

【００５１】さらに、本実施例では有機絶縁膜のパター
ニングをドライエッチング法によって行ったが、有機絶
縁膜がポリイミド樹脂の場合にはアルカリ溶液によるウ
エットエッチング法によって行ってもよい。また、有機
絶縁膜としてポリイミド樹脂を用いたが、アクリル樹脂
などの他の有機材料を用いることができる。さらに、基
板としては、本実施例ではガラス基板を用いたが、Ｓｉ
基板のような不透明基板でも同様な効果が発揮され、こ
の場合には回路を基板上に集積できるメリットがある。

【００５２】なお、本実施例では表示モードとして相転
移型ゲスト・ホストモードを取り上げたが、これに限定
することなく、たとえば２層式ゲスト・ホストモードの
ような他の光吸収モード、高分子分散型ＬＣＤ（液晶表
示装置）のような光散乱型表示モード、強誘電性ＬＣＤ
で使用される複屈折表示モードなど、本発明にかかわる
反射型アクティブマトリクス基板およびその製造方法の
適用は可能である。スイッチング素子としてＴＦＴを用
いた場合について説明したが、他のたとえばＭＩＭ(Met
al Insulator Metal）素子、ダイオード、バリスタなど
を用いたアクティブマトリクス基板にも適用することが
できる。

【００５３】有機絶縁膜に用いる樹脂にレジスト（ＯＦ
ＰＲ−８００）を用いたものは、さらに干渉光を少なく
できる効果がある。

【００５４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ドーナツ
形と円形との混ざったマスクを用いることによって、凸
部がドーナツ形と円形との混ざった一定パターンの絶縁
膜を得、その上に反射電極を形成し、良好な反射特性を
有する反射型液晶表示装置を再現性よく製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である反射型液晶表示装置３
０の断面図である。

【図２】図１に示される基板３１の平面図である。

【図３】図１および図２に示される基板３１上にドーナ
ツ形および円形の凸部を有する反射電極３８を形成する
方法を説明する工程図である。

【図４】図３に示す形成方法を説明するための基板３１
の断面図である。

【図５】図３の工程ｓ７で用いるマスク５１の平面図で
ある。

【図６】図３の工程で形成された反射電極３８の凸部の
形状の一例を示す平面図および断面図である。

【図７】反射電極６７の反射特性を測定する装置の原理
を説明する断面図である。

【図８】本発明のドーナツ形および円形の凸部を有する
反射電極の反射特性を示すグラフである。

【図９】従来技術による円形のみの凸部を有する反射電
極２２の反射特性を示すグラフである。

【図１０】従来技術に用いられる反射型液晶表示装置の
基板２の平面図である。

【図１１】図１０に示される切断面線ＸＩ−ＸＩから見
た断面図である。

【図１２】従来技術に用いられるその他の反射型液晶表
示装置の基板１２の平面図である。

【図１３】図１２に示される切断面線ＸＩＩ−ＸＩＩか
ら見た断面図である。

【符号の説明】

３０ 反射型液晶表示装置 ３８ 反射電極 ４２ 有機絶縁膜 ４２ａ ドーナツ形の凸部 ４２ｂ 円形の凸部 ５１ マスク

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶層を介在して対向配置される一対の
   透明基板のうち、一方の基板上の液晶層側に凹凸を有す
   る絶縁膜を塗布し、その上に他方の基板側からの入射光
   を反射する表示絵素である複数の反射電極を形成し、他
   方の基板上の液晶層側にはほぼ全面にわたって透光性を
   有する共通電極を形成して構成される反射型液晶装置に
   おいて、 前記凸部の断面形状が微細なドーナツ形または円形とド
   ーナツ形との混ざったものであり、その配置が不規則で
   あることを特徴とする反射型液晶表示装置。
2. 【請求項２】 液晶層を介在して対向配置される一対の
   透明基板のうち、一方の基板上の液晶層側に凹凸を有す
   る絶縁膜を塗布し、その上に他方の基板側からの入射光
   を反射する表示絵素である複数の反射電極を形成し、他
   方の基板上の液晶層側にはほぼ全面にわたって透光性を
   有する共通電極を形成して構成される反射型液晶表示装
   置の製造方法において、 前記反射電極側の透明基板上に有機絶縁膜を一様に塗布
   し、その上にホトレジスト層を塗布し、さらに微細なド
   ーナツ形または円形とドーナツ形との混ざった透孔が不
   規則に形成されたマスクをホトレジスト層にあてて光を
   照射することによってホトレジストに孔をあけた後、エ
   ッチングを行って有機絶縁膜に凹凸部を作り、その上に
   金属薄膜を形成することを特徴とする反射型液晶表示装
   置の製造方法。