JPH05152071A - Manufacture of thin film electroluminescence element - Google Patents
Manufacture of thin film electroluminescence elementInfo
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Landscapes
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、薄型で占有面積及び占
有体積が小さく、文字板照明、ディスプレイ等の発光素
子に用いて好適な薄膜エレクトロルミネッセンス（Ｅ
Ｌ）素子の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film electroluminescent (E) device which is thin and occupies a small area and volume and is suitable for use as a light emitting device such as a dial illumination and a display.
L) A method for manufacturing an element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、第１透明基板上に順次積層された
第１電極層、第１絶縁層、発光層、第２絶縁層及び第２
電極層が含まれる形成層をもつ薄膜ＥＬ素子が知られて
いる。この薄膜ＥＬ素子は、第１電極層と第２電極層と
の間に所定のしきい値以上の交流電圧を印加することに
より、発光層が発光するものである。2. Description of the Related Art Conventionally, a first electrode layer, a first insulating layer, a light emitting layer, a second insulating layer and a second layer which are sequentially laminated on a first transparent substrate.
A thin film EL device having a forming layer including an electrode layer is known. In this thin film EL element, the light emitting layer emits light when an AC voltage of a predetermined threshold value or more is applied between the first electrode layer and the second electrode layer.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】かかる薄膜ＥＬ素子
は、耐湿性が悪く、防湿手段を施さずに通電・発光させ
ると、比較的短時間で劣化し、発光輝度が減少してしま
う。このため、特公昭５７−４７５５９号公報には、形
成層上に第１透明基板と密着するＳｉ3 Ｎ4 やＡｌ 2 Ｏ
3 からなる絶縁膜をコーティングし、またこの絶縁膜上
にさらに樹脂をコーティングし、これら絶縁膜及び樹脂
により延命化を図った薄膜ＥＬ素子が開示されている。
しかし、かかる絶縁膜又はこの絶縁膜と樹脂とをコーテ
ィングした薄膜ＥＬ素子にあっては、同公報に記載され
ているように、コーティング時に、異物を混入しやすい
ことから絶縁膜及び樹脂が均一に形成されにくいこと、
厚肉の絶縁膜及び樹脂により発光時に生じる熱を放散し
にくいこと、樹脂の密着性の程度により樹脂の剥離等の
欠陥を生じやすいこと等の欠点がある。そこで、同公報
は、特開昭６０−６８５８７号公報、特開平２−１２７
９２号公報と同様、図４に示すように、第１透明基板９
１上に順次積層された第１電極層９２、第１絶縁層９
３、発光層９４、第２絶縁層９５及び第２電極層９６が
含まれる形成層９０をもつ薄膜ＥＬ素子において、この
形成層９０と所定の距離をおいて対向する第２基板９７
を設け、形成層９０と第２基板９７との間にシリコーン
オイル等の絶縁性流体９８を封入したものを提案してい
る。かかる薄膜ＥＬ素子では、第２基板９７と絶縁性流
体９８とで防水効果を期待し、これにより耐湿性の向上
を図っている。Such a thin film EL device
Has poor moisture resistance, and can be energized and lit without applying a moisture-proof means.
Then, it deteriorates in a relatively short time and the emission brightness decreases.
U For this reason, Japanese Patent Publication No. 57-47559 discloses that
Si that adheres to the first transparent substrate on the stratified layer3NFourAnd Al 2O
3Coating an insulating film consisting of
The resin is further coated on the insulating film and the resin.
Discloses a thin film EL device having a longer life.
However, such an insulating film or this insulating film and a resin is coated.
For the thin film EL device that has been mounted, see the publication.
It is easy to mix foreign substances during coating
Therefore, it is difficult to form the insulating film and resin uniformly,
The thick insulating film and resin dissipate the heat generated during light emission.
It is difficult to remove the resin due to the degree of adhesion of the resin.
There are drawbacks such as easy occurrence of defects. Therefore, the same publication
Are disclosed in JP-A-60-68587 and JP-A-2-127.
As in Japanese Patent Publication No. 92-92, as shown in FIG.
First electrode layer 92 and first insulating layer 9 sequentially laminated on
3, the light emitting layer 94, the second insulating layer 95 and the second electrode layer 96
In a thin film EL device having an included forming layer 90,
The second substrate 97 facing the formation layer 90 with a predetermined distance.
And a silicone is provided between the formation layer 90 and the second substrate 97.
We have proposed a product that contains an insulating fluid 98 such as oil.
It In such a thin-film EL device, the second substrate 97 and the insulating film
Expects a waterproof effect with the body 98, which improves moisture resistance
I am trying.
【０００４】しかしながら、第２基板９７と絶縁性流体
９８とをもつ上記薄膜ＥＬ素子では、第１透明基板９１
と第２基板９７との間に液体状の絶縁性流体９８を注入
する必要があるため、製造工程が複雑化してしまう。ま
た、かかる薄膜ＥＬ素子では、第１透明基板９１と第２
基板９７とで２枚の基板を採用していることから厚肉化
され、重量も大きくなってしまう。However, in the above-mentioned thin film EL device having the second substrate 97 and the insulating fluid 98, the first transparent substrate 91
Since it is necessary to inject the liquid insulating fluid 98 between the second substrate 97 and the second substrate 97, the manufacturing process becomes complicated. Further, in such a thin film EL element, the first transparent substrate 91 and the second transparent substrate 91
Since two substrates are used for the substrate 97, the thickness is increased and the weight is increased.
【０００５】特に、第１透明基板とともに、形成層を透
明なものとし、かつ第２基板として透明ガラス基板を採
用した透過型の薄膜ＥＬ素子にあっては、通電による発
光層の光が第１絶縁層及び第１電極層を透過して第１透
明基板から放射されるとともに、第２絶縁層及び第２電
極層を透過して第２透明ガラス基板からも放射され、か
つ非発光時に透明体とされるが、かかる透過型の薄膜Ｅ
Ｌ素子として、形成層９０と第２透明ガラス基板９７と
の間に絶縁性流体９８を封入した場合には、第２透明ガ
ラス基板９７と例えばシリコーンオイルとが僅かな屈折
率の差を有するにすぎないにもかかわらず、第２透明ガ
ラス基板９７が厚肉化されるとともに液体状の絶縁性流
体９８の厚さも通常１ｍｍ程度と厚くされてしまうた
め、透過状態で像を歪ませてしまうという欠点もある。In particular, in a transmissive thin-film EL element in which the formation layer is made transparent together with the first transparent substrate and the transparent glass substrate is adopted as the second substrate, the light of the light emitting layer is first lighted by energization. It is transmitted through the insulating layer and the first electrode layer and is emitted from the first transparent substrate, is transmitted through the second insulating layer and the second electrode layer and is also emitted from the second transparent glass substrate, and is transparent when not emitting light. However, such a transmission type thin film E
As the L element, when the insulating fluid 98 is sealed between the formation layer 90 and the second transparent glass substrate 97, the second transparent glass substrate 97 and, for example, silicone oil have a slight difference in refractive index. Although not too much, the second transparent glass substrate 97 is thickened and the thickness of the liquid insulating fluid 98 is also normally thickened to about 1 mm, so that the image is distorted in the transmission state. There are also drawbacks.
【０００６】そこで、本発明者は、形成層上にシリコー
ンオイルを塗布し、このシリコーンオイルを焼成して撥
水層を形成する手段を検討した。かかる薄膜ＥＬ素子で
は、シリコーンオイルを焼成してなる撥水層が表面の疏
水基であるＣＨ3 基により優れた撥水性を有するため、
防水効果による延命化が期待できる。ところが、形成層
上に直接撥水層を形成せんとすると、形成層と撥水層と
の密着性が悪く、撥水層による防水効果を充分に確保で
きないことが明らかとなった。Therefore, the present inventor has studied means for forming a water repellent layer by coating silicone oil on the forming layer and firing the silicone oil. In such a thin film EL device, the water repellent layer formed by baking silicone oil has excellent water repellency due to the CH 3 group which is a hydrophobic group on the surface.
Life expectancy can be expected due to the waterproof effect. However, it has been clarified that if the water repellent layer is not formed directly on the forming layer, the adhesion between the forming layer and the water repellent layer is poor, and the waterproof effect of the water repellent layer cannot be sufficiently secured.
【０００７】本発明は、上記従来の不具合に鑑みてなさ
れたものであって、シリコーンオイルを焼成してなる撥
水層による防水効果を充分に発揮でき、特に、この製造
方法により透過型のものを製造する場合でも透過状態で
像を歪ませない軽量の薄膜ＥＬ素子を容易に製造するこ
とを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and a water-repellent layer formed by baking silicone oil can sufficiently exert a waterproofing effect. It is an object of the present invention to easily manufacture a light-weight thin film EL element which does not distort an image in a transmission state even in the case of manufacturing.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜ＥＬ素子の
製造方法は、第１透明ガラス基板上に順次積層された第
１電極層、第１絶縁層、発光層、第２絶縁層及び第２電
極層が含まれる形成層を形成し、該形成層上にＳｉＯ2
からなる被覆層を被覆する第１工程と、該被覆層上にシ
リコーンオイルを塗布し、該シリコーンオイルを焼成し
て撥水層を形成する第２工程と、からなることを特徴と
するものである。 （１）第１工程では、第１透明ガラス基板上に形成層を
形成し、この形成層上にＳｉＯ2 からなる被覆層を被覆
する。A method of manufacturing a thin film EL device according to the present invention comprises a first electrode layer, a first insulating layer, a light emitting layer, a second insulating layer and a second insulating layer which are sequentially laminated on a first transparent glass substrate. A forming layer including two electrode layers is formed, and SiO 2 is formed on the forming layer.
And a second step of coating the coating layer with silicone oil and baking the silicone oil to form a water repellent layer. is there. (1) In the first step, a forming layer is formed on the first transparent glass substrate, and the forming layer is covered with a coating layer made of SiO 2 .
【０００９】第１透明ガラス基板としては、例えばバリ
ウムホウ素珪酸系ガラスを採用することができる。形成
層には、第１透明ガラス基板上に順次積層された第１電
極層、第１絶縁層、発光層、第２絶縁層及び第２電極層
が含まれる。第１電極層としては、Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ
2 （ＩＴＯ）、ＺｎＯ：Ａｌ（ＺｎＯ中に数％Ａｌを添
加したもの。以下同様。）等の透明導電性材質からなる
ものを採用することができる。第１絶縁層としては、Ｙ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＺｎＯ、
Ｓｍ 2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 等の透明高誘電体材質からなる
ものを採用することができる。発光層としては、Ｚｎ
Ｓ：Ｍｎ、ＳｒＳ：Ｅｕ、ＣａＳ：Ｅｕ、ＺｎＳ：Ｓ
ｍ、ＺｎＳ：Ｔｂ、ＳｒＳ：Ｃｅ、ＺｎＳ：Ｔｍ、Ｚｎ
Ｓ：ＴｂＦ3 等を採用することができる。第２絶縁層と
しては、透過型の薄膜ＥＬ素子を製造するのであれば、
前記第１絶縁層と同様に透明高誘電体材質のものを採用
することができ、反射型の薄膜ＥＬ素子を製造するので
あれば、ＺｒＯ2 等の不透明高誘電体材質からなるもの
を採用することができる。第２電極層としては、透過型
の薄膜ＥＬ素子を製造するのであれば、前記第１電極層
と同様に透明導電性材質のものを採用することができ、
反射型の薄膜ＥＬ素子を製造するのであれば、Ａｌ等の
金属からなる導電性材質からなるものを採用することが
できる。The first transparent glass substrate is, for example, a burr.
Umborosilicate glass can be used. Formation
The layer includes a first electrode sequentially stacked on the first transparent glass substrate.
Polar layer, first insulating layer, light emitting layer, second insulating layer and second electrode layer
Is included. As the first electrode layer, In2O3-SnO
2(ITO), ZnO: Al (ZnO with a few% Al added
Added. The same applies below. ) And other transparent conductive materials
Things can be adopted. As the first insulating layer, Y
2O3, SiO2, Si3NFour, Ta2OFive, ZnO,
Sm 2O3, Al2O3Made of transparent high dielectric material such as
Things can be adopted. Zn as the light emitting layer
S: Mn, SrS: Eu, CaS: Eu, ZnS: S
m, ZnS: Tb, SrS: Ce, ZnS: Tm, Zn
S: TbF3Etc. can be adopted. With a second insulating layer
Then, if a transmissive thin film EL element is manufactured,
Same as the first insulating layer, made of transparent high dielectric material
Since it is possible to manufacture a reflective thin film EL device,
If there is, ZrO2Made of opaque high dielectric material such as
Can be adopted. As the second electrode layer, a transmission type
If the thin film EL device of
It is possible to use a transparent conductive material as in
If a reflective thin film EL element is to be manufactured, Al
It is possible to adopt a material made of a conductive material made of metal.
it can.
【００１０】被覆層はＳｉＯ2 からなる。なお、被覆層
の形成前に第１電極層と第２電極層とに外部電源と接続
される配線をはんだ付け、圧着、コネクタ、導電性接着
剤等により施す。また、形成層中に混入した水分を除去
するため、形成層が形成された第１透明ガラス基板を被
覆層の形成前に乾燥することが望ましい。形成層及び被
覆層をイオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法、ス
パッタリング法等のＰＶＤ法により形成することが各層
の密着性向上の点で好ましい。特に、形成層及び被覆層
を全て同一のＰＶＤ法により形成することが作業性向上
の点で望ましい。蒸発源等の共通化が可能であり、雰囲
気ガスの変更作業で各層の形成が可能となるため、さら
に作業性が向上するからである。 （２）第２工程では、被覆層上にシリコーンオイルを塗
布し、このシリコーンオイルを焼成して撥水層を形成す
る。The coating layer is made of SiO 2 . Before forming the coating layer, wiring for connecting to an external power source is soldered to the first electrode layer and the second electrode layer by soldering, pressure bonding, a connector, a conductive adhesive or the like. Further, in order to remove water mixed in the forming layer, it is desirable to dry the first transparent glass substrate on which the forming layer is formed before forming the coating layer. It is preferable to form the forming layer and the coating layer by a PVD method such as an ion plating method, an electron beam evaporation method, or a sputtering method from the viewpoint of improving the adhesion of each layer. In particular, it is desirable to form the forming layer and the coating layer by the same PVD method from the viewpoint of improving workability. This is because the evaporation source and the like can be made common and each layer can be formed by changing the atmosphere gas, so that workability is further improved. (2) In the second step, silicone oil is applied on the coating layer and the silicone oil is baked to form a water repellent layer.
【００１１】シリコーンオイルとしては、ポリジメチル
シロキサン〔（ＣＨ3 ）2 ＳｉＯ〕 n を採用することが
できる。焼成は２００〜３５０℃で実行することができ
る。２０〜１００ｃｓ程度の粘度のシリコーンオイルを
採用することにより、５０〜１００ｎｍ程度の厚さの撥
水層を形成することができる。As the silicone oil, polydimethyl
Siloxane [(CH3)2SiO] nCan be adopted
it can. Baking can be performed at 200-350 ° C
It Silicone oil with a viscosity of about 20 to 100 cs
By adopting it, the repellency of about 50 to 100 nm can be achieved.
An aqueous layer can be formed.
【００１２】[0012]
【作用】本発明の薄膜ＥＬ素子の製造方法では、形成層
をＳｉＯ2 からなる被覆層で被覆し、この被覆層上にシ
リコーンオイルを塗布・焼成して撥水層を形成する。こ
れにより、撥水層が被覆層と好適に密着し、撥水層によ
る防水効果を好適に発揮する。すなわち、シリコーンオ
イルは、ＳｉＯ2 からなる被覆層上に付着した水酸基と
水素結合又は脱水縮合して被覆層と結合するとともに、
シリコーン分子同士も反応により架橋硬化される。こう
して充分に強固にかつ硬化されて形成された撥水層は、
ＣＨ3 基が表面を向いた状態にされて撥水性を有し、優
れた防水効果を発揮する。また、被覆層は表面の撥水層
で防水されるため、内部の形成層を充分に防湿する。こ
うして、薄膜ＥＬ素子はこれら被覆層及び撥水層により
耐湿性の向上が図られる。In the method of manufacturing a thin film EL device of the present invention, the formation layer is covered with a coating layer made of SiO 2 , and silicone oil is applied and baked on the coating layer to form a water repellent layer. As a result, the water-repellent layer suitably adheres to the coating layer, and the waterproof effect of the water-repellent layer is suitably exerted. That is, the silicone oil is bonded to the coating layer by hydrogen bonding or dehydration condensation with the hydroxyl group attached to the coating layer made of SiO 2 , and
The silicone molecules are also cross-linked and cured by the reaction. In this way, the water-repellent layer formed by being sufficiently strong and cured is
The CH 3 group is made to face the surface, has water repellency, and exhibits an excellent waterproof effect. Further, since the coating layer is waterproof by the water-repellent layer on the surface, the coating layer inside is sufficiently moisture-proof. Thus, in the thin film EL element, the moisture resistance is improved by the coating layer and the water repellent layer.
【００１３】また、この製造方法では、従来のような第
２基板が不要であるとともに従来のように液体状の絶縁
性流体を注入する必要がないため、容易に薄膜ＥＬ素子
を製造可能である。さらに、この製造方法により得られ
る薄膜ＥＬ素子では、従来のような第２基板が不要であ
ることから薄肉化され、軽量化が図られている。Further, in this manufacturing method, the second substrate as in the conventional case is not necessary and it is not necessary to inject the liquid insulating fluid as in the conventional case, so that the thin film EL element can be easily manufactured. .. Further, in the thin film EL element obtained by this manufacturing method, the second substrate as in the conventional case is not required, so that the thickness is reduced and the weight is reduced.
【００１４】特に、この製造方法により透過型のものを
製造する場合、被覆層がＳｉＯ2 からなるとともに撥水
層が主としてＳｉＯ2 を含むためやはり僅かな屈折率の
差を有するにすぎず、同時に被覆層は形成層と好適に密
着して薄肉で被覆され、撥水層は被覆層と好適に密着す
るためやはり薄肉で形成されるため、透過状態で像を歪
ませない。In particular, when a transmission type is manufactured by this manufacturing method, since the coating layer is made of SiO 2 and the water repellent layer mainly contains SiO 2 , there is still only a slight difference in refractive index, and at the same time, at the same time. The coating layer is preferably in close contact with the forming layer to be thinly coated, and the water-repellent layer is also in close contact with the coating layer to be thin so that the image is not distorted in the transmissive state.
【００１５】なお、前記特公昭５７−４７５５９号公報
記載の絶縁層と樹脂とをもつ薄膜ＥＬ素子では、シリコ
ーンオイルを焼成してなる撥水層の撥水性については何
ら意識しておらず、専ら絶縁層と樹脂との二重の被覆の
みで空気中の水分が内部に進入するのを防止していた
が、本発明の製造方法による薄膜ＥＬ素子では、ＳｉＯ
2 からなる被覆層を介することにより撥水層を好適に密
着させ、撥水層により防水効果を確保し、この防水効果
の下で被覆層の防湿効果を確保している。しかも、同公
報記載のＳｉ3 Ｎ4 やＡｌ2 Ｏ3 上に例えシリコーンオ
イルを塗布・焼成しても、構成元素の相違から充分な密
着性の下で撥水層を形成することはできない。The above Japanese Patent Publication No. 57-47559
In the thin film EL element having the insulating layer and the resin described,
What about the water repellency of the water repellent layer formed by baking
Without being aware of it, and exclusively of the double coating of the insulating layer and the resin
Only prevented the moisture in the air from entering the inside.
However, in the thin film EL device manufactured by the manufacturing method of the present invention,
2The water-repellent layer is preferably made dense by interposing a coating layer made of
Wear it and secure the waterproof effect by the water repellent layer, this waterproof effect
The moisture-proof effect of the coating layer is secured under. Moreover, the same official
Si described in the report3NFourAnd Al2O3Similar to the above
Even if the film is applied and baked, it will not be
It is not possible to form a water repellent layer under adhesiveness.
【００１６】[0016]
【実施例】以下、本発明を具体化した実施例を比較例１
〜３とともに図面を参照しつつ説明する。 （実施例） ｛第１工程｝図１に示すように、第１透明ガラス基板１
上に第１電極層１１として、厚さ２００ｎｍのＩＴＯを
酸素雰囲気中（２〜４×１０-2Ｐａ）でイオンプレーテ
ィング法により積層する。次に、第１電極層１１上に第
１絶縁層１２として、厚さ４００ｎｍのＹ2 Ｏ3 を酸素
雰囲気中（２〜４×１０-2Ｐａ）で電子ビーム蒸着法に
より積層する。また、この第１絶縁層１２上に発光層１
３として、厚さ６００ｎｍのＺｎＳ：Ｍｎを電子ビーム
蒸着法により積層する。この後、発光層１３上に第２絶
縁層１４として、厚さ４００ｎｍのＹ2 Ｏ3 を酸素雰囲
気中（２〜４×１０-2Ｐａ）で電子ビーム蒸着法により
積層する。そして、この第２絶縁層１４上に第２電極層
１５として、厚さ２００ｎｍのＩＴＯを酸素雰囲気中
（２〜４×１０-2Ｐａ）でイオンプレーティング法によ
り積層する。なお、これらの間、第１透明ガラス基板１
を１８０〜２５０℃に加熱している。こうして、第１透
明ガラス基板１上に第１電極層１１と第１絶縁層１２と
発光層１３と第２絶縁層１４と第２電極層１５とからな
る形成層１０を形成する。EXAMPLE An example embodying the present invention will be described below as Comparative Example 1.
3 to 3 will be described with reference to the drawings. (Example) {First step} As shown in FIG. 1, a first transparent glass substrate 1
As the first electrode layer 11, ITO having a thickness of 200 nm is laminated thereon by an ion plating method in an oxygen atmosphere (2 to 4 × 10 −2 Pa). Next, Y 2 O 3 having a thickness of 400 nm is laminated as a first insulating layer 12 on the first electrode layer 11 in an oxygen atmosphere (2 to 4 × 10 −2 Pa) by an electron beam evaporation method. In addition, the light emitting layer 1 is formed on the first insulating layer 12.
As No. 3, ZnS: Mn having a thickness of 600 nm is laminated by the electron beam evaporation method. After that, Y 2 O 3 having a thickness of 400 nm is laminated on the light emitting layer 13 as the second insulating layer 14 in the oxygen atmosphere (2 to 4 × 10 −2 Pa) by the electron beam evaporation method. Then, as the second electrode layer 15, ITO having a thickness of 200 nm is laminated on the second insulating layer 14 in an oxygen atmosphere (2 to 4 × 10 −2 Pa) by an ion plating method. In addition, between these, the 1st transparent glass substrate 1
Is heated to 180 to 250 ° C. Thus, the forming layer 10 including the first electrode layer 11, the first insulating layer 12, the light emitting layer 13, the second insulating layer 14, and the second electrode layer 15 is formed on the first transparent glass substrate 1.
【００１７】この形成層１０に電極取り出し用のマスキ
ングを施す。そして、形成層１０中に混入した水分を除
去するため、形成層１０が形成された第１透明ガラス基
板１を真空中（１０-2Ｐａ以下）で２００〜２５０℃で
２時間乾燥する。次いで、形成層１０上に厚さ４００ｎ
ｍのＳｉＯ2 からなる被覆層１６を酸素雰囲気中（２〜
４×１０-2Ｐａ）で電子ビーム蒸着法により被覆する。Masking for taking out electrodes is applied to the forming layer 10. Then, in order to remove the water mixed in the forming layer 10, the first transparent glass substrate 1 on which the forming layer 10 is formed is dried in vacuum (10 −2 Pa or less) at 200 to 250 ° C. for 2 hours. Next, a thickness of 400 n is formed on the forming layer 10.
m of SiO 2 in the oxygen atmosphere (2 to
4 × 10 −2 Pa) is coated by the electron beam evaporation method.
【００１８】｛第２工程｝シリコーンオイルとして、粘
度２０〜１００ｃｓのポリジメチルシロキサンを用意
し、このポリジメチルシロキサンに被覆層１６を浸漬
し、被覆層１６上にポリジメチルシロキサンを薄く塗布
する。そして、３００℃で１時間、ポリジメチルシロキ
サンを焼成・硬化させ、厚さ５０〜１００ｎｍの撥水層
１７を形成する。{Second Step} As the silicone oil, a polydimethylsiloxane having a viscosity of 20 to 100 cs is prepared, the coating layer 16 is dipped in the polydimethylsiloxane, and the polydimethylsiloxane is thinly applied on the coating layer 16. Then, the polydimethylsiloxane is baked and cured at 300 ° C. for 1 hour to form the water repellent layer 17 having a thickness of 50 to 100 nm.
【００１９】こうして、従来のような第２基板が不要で
あるとともに従来のように液体状の絶縁性流体を注入す
る必要がないため、容易に透過型の薄膜ＥＬ素子を製造
した。この薄膜ＥＬ素子では、従来のような第２基板が
不要であることから薄肉化され、軽量化されていた。ま
た、この薄膜ＥＬ素子の非印加時の状態を目視で判断し
たところ、像は歪んでいなかった。 （比較例１）図２に示すように、実施例と同様（同一の
構成については実施例と同一符号を付す。）に、第１透
明ガラス基板１上に第１電極層１１と第１絶縁層１２と
発光層１３と第２絶縁層１４と第２電極層１５とからな
る形成層１０を形成し、この形成層１０にマスキングを
施した後、乾燥する。次いで、形成層１０上に厚さ４０
０ｎｍのＳｉＯ2 からなる被覆層１６を被覆する。Thus, since the second substrate as in the prior art is not required and it is not necessary to inject the liquid insulating fluid as in the prior art, the transmissive thin film EL element was easily manufactured. This thin film EL element has been made thin and lightweight because it does not require a second substrate as in the prior art. In addition, when the state of this thin film EL element when not applied was visually judged, the image was not distorted. (Comparative Example 1) As shown in FIG. 2, the first electrode layer 11 and the first insulating layer 11 are formed on the first transparent glass substrate 1 in the same manner as the embodiment (the same configurations are denoted by the same reference numerals as the embodiment). A forming layer 10 including the layer 12, the light emitting layer 13, the second insulating layer 14, and the second electrode layer 15 is formed, and the forming layer 10 is masked and then dried. Then, a thickness of 40 is formed on the forming layer 10.
A coating layer 16 of 0 nm SiO 2 is coated.
【００２０】こうして、透過型の薄膜ＥＬ素子を製造し
た。すなわち、この薄膜ＥＬ素子は、実施例のものと撥
水層１７がない点で異なる。 （比較例２）図３に示すように、実施例と同様（同一の
構成については実施例と同一符号を付す。）に、第１透
明ガラス基板１上に第１電極層１１と第１絶縁層１２と
発光層１３と第２絶縁層１４と第２電極層１５とからな
る形成層１０を形成し、この形成層１０にマスキングを
施した後、乾燥する。次いで、形成層１０上にポリジメ
チルシロキサンを薄く塗布し、この後焼成して厚さ５０
〜１００ｎｍの撥水層１７を形成する。Thus, a transmissive thin film EL element was manufactured. That is, this thin film EL element is different from that of the example in that the water repellent layer 17 is not provided. (Comparative Example 2) As shown in FIG. 3, the first electrode layer 11 and the first insulating layer 11 are formed on the first transparent glass substrate 1 in the same manner as the embodiment (the same configurations are denoted by the same reference numerals as the embodiment). A forming layer 10 including the layer 12, the light emitting layer 13, the second insulating layer 14, and the second electrode layer 15 is formed, and the forming layer 10 is masked and then dried. Then, a thin layer of polydimethylsiloxane is applied on the forming layer 10 and then fired to a thickness of 50.
A water repellent layer 17 having a thickness of 100 nm is formed.
【００２１】こうして、透過型の薄膜ＥＬ素子を製造し
た。すなわち、この薄膜ＥＬ素子は、実施例のものと被
覆層１６がない点で異なる。 （比較例３）実施例と同様の形成層１０の真空中の加熱
乾燥、被覆層１６の形成及び撥水層１７の形成を行わ
ず、透過型の薄膜ＥＬ素子を製造した。すなわち、この
薄膜ＥＬ素子は、実施例のものと何ら防湿手段を施して
いない点で異なる。 （評価）実施例及び比較例１〜３により得られた薄膜Ｅ
Ｌ素子について、５ｋＨＺの交流電流を印加し、発光さ
せた状態で空気中に放置し、初期発光輝度に対して輝度
が半分に減少するまでの時間（半減期）を測定した。Thus, a transmissive thin film EL element was manufactured. That is, this thin film EL element is different from that of the example in that the coating layer 16 is not provided. (Comparative Example 3) A transmissive thin film EL element was manufactured without heating and drying the forming layer 10 in a vacuum, forming the coating layer 16 and forming the water repellent layer 17 as in the example. That is, this thin film EL element is different from that of the embodiment in that no moistureproof means is applied. (Evaluation) Thin film E obtained in Examples and Comparative Examples 1 to 3
An AC current of 5 kHz was applied to the L element, and the element was left in the air in a light emitting state, and the time until the luminance decreased to half the initial luminance (half-life) was measured.
【００２２】この結果、初期発光輝度が３００ｃｄ／ｍ
2 の場合、実施例による薄膜ＥＬ素子の半減期が約１５
００時間であるのに対し、比較例１のものの半減期が約
７００時間、比較例２のものの半減期が約２００時間、
比較例３のものの半減期が約１００時間程度であった。
したがって、実施例による薄膜ＥＬ素子は、比較例１〜
３のものと比較して、より耐湿性の向上が図られている
ことがわかる。これは、実施例による薄膜ＥＬ素子で
は、撥水層１７が被覆層１６と好適に密着しているた
め、撥水層１７による防水効果が好適に発揮されてお
り、被覆層１６がこの撥水層１７で好適に防水されるた
め、内部の形成層１０を充分に防湿しているからであ
る。As a result, the initial emission luminance is 300 cd / m.
In the case of 2 , the half-life of the thin film EL device according to the example is about 15
While the half-life of Comparative Example 1 is about 700 hours, the half-life of Comparative Example 2 is about 200 hours,
The half-life of Comparative Example 3 was about 100 hours.
Therefore, the thin film EL elements according to the examples are comparative examples 1 to 1.
It can be seen that the moisture resistance is further improved in comparison with that of No. 3. This is because in the thin film EL device according to the example, the water-repellent layer 17 is preferably in close contact with the coating layer 16, so that the waterproof effect of the water-repellent layer 17 is suitably exhibited. This is because the layer 17 is preferably waterproofed, so that the inner forming layer 10 is sufficiently moisture-proofed.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の薄膜ＥＬ
素子の製造方法は、形成層上に被覆層を被覆し、かかる
被覆層上にシリコーンオイルを塗布・焼成して撥水層を
形成するため、以下のような優れた効果を発揮すること
ができる。 （１）この製造方法により薄膜ＥＬ素子を製造すれば、
シリコーンオイルを焼成してなる撥水層がＳｉＯ2 から
なる被覆層と好適に密着して充分に防水効果を発揮し、
またこれにより被覆層が好適に防湿効果を発揮するた
め、薄膜ＥＬ素子の耐湿性の向上が図られる。 （２）この製造方法では、従来のような第２基板が不要
であるとともに従来のように液体状の絶縁性流体を注入
する必要がないため、容易に薄膜ＥＬ素子を製造でき
る。 （３）この製造方法では、従来のような２枚の基板が不
要であるため、軽量化された薄膜ＥＬ素子を製造でき
る。As described above in detail, the thin film EL of the present invention
In the element manufacturing method, the coating layer is coated on the forming layer, and the water-repellent layer is formed by coating and baking silicone oil on the coating layer, so that the following excellent effects can be exhibited. .. (1) If a thin film EL element is manufactured by this manufacturing method,
The water-repellent layer formed by baking silicone oil suitably adheres to the coating layer made of SiO 2 to exert a sufficient waterproof effect,
Further, as a result, the coating layer preferably exhibits a moisture-proof effect, so that the moisture resistance of the thin film EL element can be improved. (2) In this manufacturing method, the second substrate as in the related art is not necessary and it is not necessary to inject the liquid insulating fluid as in the related art, so that the thin film EL element can be easily manufactured. (3) Since this manufacturing method does not require the conventional two substrates, a lightweight thin film EL element can be manufactured.
【図１】実施例の薄膜ＥＬ素子の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a thin film EL element of an example.
【図２】比較例１の薄膜ＥＬ素子の断面図である。2 is a cross-sectional view of a thin film EL element of Comparative Example 1. FIG.
【図３】比較例２の薄膜ＥＬ素子の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a thin film EL element of Comparative Example 2.
【図４】従来の薄膜ＥＬ素子の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of a conventional thin film EL element.
１…第１透明ガラス基板 １１…第１電極層 １
２…第１絶縁層 １３…発光層 １４…第２絶縁層 ２
１…第２電極層 １０…形成層 １６…被覆層 １
７…撥水層1 ... 1st transparent glass substrate 11 ... 1st electrode layer 1
2 ... 1st insulating layer 13 ... light emitting layer 14 ... 2nd insulating layer 2
1 ... 2nd electrode layer 10 ... formation layer 16 ... coating layer 1
7 ... Water repellent layer
Claims (1)
１電極層、第１絶縁層、発光層、第２絶縁層及び第２電
極層が含まれる形成層を形成し、該形成層上にＳｉＯ2
からなる被覆層を被覆する第１工程と、 該被覆層上にシリコーンオイルを塗布し、該シリコーン
オイルを焼成して撥水層を形成する第２工程と、からな
ることを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素子
の製造方法。1. A forming layer including a first electrode layer, a first insulating layer, a light emitting layer, a second insulating layer and a second electrode layer, which are sequentially laminated on a first transparent glass substrate, and the forming layer is formed. SiO 2 on top
And a second step of coating a silicone oil on the coating layer and baking the silicone oil to form a water-repellent layer. Manufacturing method of luminescence element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3317005A JPH05152071A (en) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | Manufacture of thin film electroluminescence element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3317005A JPH05152071A (en) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | Manufacture of thin film electroluminescence element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152071A true JPH05152071A (en) | 1993-06-18 |
Family
ID=18083352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3317005A Pending JPH05152071A (en) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | Manufacture of thin film electroluminescence element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152071A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011134733A (en) * | 2003-09-12 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
| US9203042B2 (en) | 2009-05-29 | 2015-12-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electronic component and method for producing an electronic component |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP3317005A patent/JPH05152071A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011134733A (en) * | 2003-09-12 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
| US9203042B2 (en) | 2009-05-29 | 2015-12-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electronic component and method for producing an electronic component |
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