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JPH0453896Y2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0453896Y2
JPH0453896Y2 JP1986103927U JP10392786U JPH0453896Y2 JP H0453896 Y2 JPH0453896 Y2 JP H0453896Y2 JP 1986103927 U JP1986103927 U JP 1986103927U JP 10392786 U JP10392786 U JP 10392786U JP H0453896 Y2 JPH0453896 Y2 JP H0453896Y2
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JP
Japan
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workpiece
polishing
wafer
mat
fixing
Prior art date
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Application number
JP1986103927U
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Japanese (ja)
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JPS6310057U (en
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Publication date
Application filed filed Critical
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Publication of JPS6310057U publication Critical patent/JPS6310057U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0453896Y2 publication Critical patent/JPH0453896Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

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Description

【考案の詳細な説明】 (a) 産業上の利用分野 本考案は、例えば半導体ウエハ、ガラス、金属
等(以下、ワークという)のラツピングやポリツ
シングに使用される研磨治具であつて、ワークの
着脱作業性を高めるとともに、研磨精度が高めら
れた半導体ウエハ等の研磨治具に関するものであ
る。
[Detailed description of the invention] (a) Industrial application field The present invention is a polishing jig used for wrapping and polishing, for example, semiconductor wafers, glass, metals, etc. (hereinafter referred to as workpieces). The present invention relates to a polishing jig for semiconductor wafers, etc., which has improved workability for attaching and detaching and has improved polishing accuracy.

(b) 従来の技術 半導体ウエハは、例えば、シリコンインゴツト
を外径研削して正確な円柱状に形成し、更に、い
わゆるオリ・フラ研削を済ませた後、スライシン
グし、ラツピングにより寸法精度を高めたうえ、
エツジを丸めるベベリングを行つてから、ポリツ
シング、又は、エツチングにより仕上げられる。
(b) Conventional technology Semiconductor wafers are made by, for example, forming a silicon ingot into an accurate cylindrical shape by grinding the outside diameter, and then performing so-called ori-flat grinding, slicing, and wrapping to improve dimensional accuracy. Taue,
After beveling the edges, it is finished by polishing or etching.

スライシングされた半製品ウエハの寸法精度は
厚さが±25μm、平行度が直径100mm当たり最大
25〜35μm程度であり、この半製品ウエハを半導
体デバイスに使用できるようにするために、ラツ
ピングにより厚さが±5μm、平行度が直径100mm
当たり最大5〜6μm程度の寸法精度に研磨され、
更に、ポリツシングにより厚さが±2μm、平行
度が直径100mm当たり2μm程度の高い寸法精度に
仕上げられる。
Dimensional accuracy of sliced semi-finished wafers is ±25μm in thickness and maximum parallelism per 100mm diameter
In order to make this semi-finished wafer usable for semiconductor devices, it is wrapped to a thickness of ±5 μm and a parallelism of 100 mm in diameter.
Polished to a maximum dimensional accuracy of about 5 to 6 μm per piece,
Furthermore, by polishing, it is finished to a high dimensional accuracy with a thickness of ±2 μm and parallelism of approximately 2 μm per 100 mm diameter.

ところで、通常、ラツピングマシーンやポリツ
シングマシーンはテーブルの中心から所定の距離
を隔てた複数箇所に配置されたワーク、即ち、ウ
エハ等を同時に研磨するように構成され、一つで
もワークが破損すると、同時に研磨されている他
のワークも損傷ないしは破損を免れない。このよ
うなワークの破損が生じる主な原因の一つは、テ
ーブルに対するワークの取付け高さの誤りであ
る。このテーブルに対するワークの取付け高さの
誤りは、ワークの損傷や破損が発生しない場合で
も、寸法精度に大きな影響を与える。
Incidentally, lapping machines and polishing machines are usually configured to simultaneously polish workpieces, such as wafers, placed at multiple locations at a predetermined distance from the center of the table, and even one workpiece may be damaged. Then, other workpieces being polished at the same time are also inevitably damaged or broken. One of the main causes of such workpiece damage is incorrect installation height of the workpiece with respect to the table. An error in the installation height of the workpiece relative to the table has a large effect on dimensional accuracy even if the workpiece is not damaged or broken.

従つて、不良品発生率を低くするために、ウエ
ハをいかに正確な位置、特に、テーブルからの高
さに固定するかということが非常に重要な問題と
してこれまで検討されてきたのである。
Therefore, in order to reduce the incidence of defective products, the question of how to fix the wafer in an accurate position, particularly at the height above the table, has been considered as a very important problem.

従来、半製品ウエハをラツピングマシーン等の
テーブル上に固定する方法としては、テーブル上
に固定された治具の上面にワツクス等の粘着物で
半製品ウエハを固定する方法が一般的である。
Conventionally, a common method for fixing a semi-finished wafer on a table of a wrapping machine or the like is to fix the semi-finished wafer on the top surface of a jig fixed on the table using an adhesive such as wax.

しかし、このような従来方法では、ワツクスの
厚さ、ウエハとワツクスの間、あるいは、ワツク
スと治具との間に挟入された気泡等が寸法精度に
影響を与えるうえ、ウエハのテーブル中心からの
位置が不正確になりがちで、研磨が不均一になり
易いという問題がある。
However, in such conventional methods, the thickness of the wax, air bubbles trapped between the wafer and the wax, or between the wax and the jig affect the dimensional accuracy, and the distance from the center of the wafer table The problem is that the position tends to be inaccurate and polishing tends to be uneven.

そこで、最近では、以下に述べるものが提案さ
れている。
Therefore, recently, the following methods have been proposed.

即ち、半導体ウエハをキヤリアに挿着し、そ
れを上定盤と下定盤により挟圧した状態で回転さ
せて研磨する方法において、該半導体ウエハとキ
ヤリア間に緩衝物を介在させて研磨を行うこと、
つまりキヤリア穴の内周面にリング状の緩衝物を
介在させたものが提案されている(特開昭60−
249568号公報)。
That is, in a method of polishing by inserting a semiconductor wafer into a carrier and rotating the semiconductor wafer while being compressed by an upper surface plate and a lower surface plate, polishing is performed with a buffer interposed between the semiconductor wafer and the carrier. ,
In other words, it has been proposed that a ring-shaped buffer is interposed on the inner circumferential surface of the carrier hole (Japanese Patent Laid-Open No. 1983-1999-
249568).

即ち、半導体ウエハの割れや欠けの原因は、研
磨中に繰り返し生じるウエハ周辺部とキヤリア穴
明部との衝撃にあるため、これらの間〓に適度の
弾力性を有する平板リングを緩衝物として挿入す
ることによつてその衝撃を緩和しようとするもの
であり、この緩衝物としては軟質塩化ビニル、木
材(コルク)、フエルト、ゴム、テフロン、マイ
カ等の材料を半導体ウエハの外周形状に対応させ
て形成したものである。
In other words, the cause of cracks and chips in semiconductor wafers is the repeated impact between the wafer periphery and the carrier hole area during polishing, so a flat ring with appropriate elasticity is inserted between them as a buffer. This cushioning material is made of materials such as soft vinyl chloride, wood (cork), felt, rubber, Teflon, mica, etc. that corresponds to the outer peripheral shape of the semiconductor wafer. It was formed.

又、脆性材料より成る加工物を上定盤と下定
盤を有する両面ラツプ盤によつて片面のみラツプ
加工する際、上記両面ラツプ盤の一方の定盤のラ
ツプ作用面にテフロン樹脂層を形成したものが提
案されている(特開昭59−219153号公報)。
Furthermore, when a workpiece made of brittle material is lapped on only one side by a double-sided lapping machine having an upper surface plate and a lower surface plate, a Teflon resin layer is formed on the lapping surface of one surface plate of the double-sided lapping machine. A method has been proposed (Japanese Unexamined Patent Publication No. 59-219153).

(c) 考案が解決しようとする問題点 上記のものは割れ、欠けの少ない両面研磨方
法を提供することを目的とするものであるが、こ
の目的を達成するために、半導体ウエハの研磨
時、当該ウエハの周辺とキヤリア穴部との衝突力
を緩和するために軟質塩化ビニルやテフロン等か
らなる平板リングを緩衝物とし、この平板リング
からなる緩衝物をキヤリア穴の周面に沿つて設け
たものであり、本願考案とはテフロン(フツ素樹
脂)を用いる目的、構成(構造)が全く異なるの
である。
(c) Problems that the invention aims to solve The purpose of the above method is to provide a double-sided polishing method with fewer cracks and chips. In order to reduce the collision force between the periphery of the wafer and the carrier hole, a flat ring made of soft vinyl chloride, Teflon, etc. was used as a buffer, and the buffer made of this flat ring was provided along the circumference of the carrier hole. The purpose of using Teflon (fluororesin) and the structure (structure) are completely different from the invention of the present application.

又、このものはキヤリア穴の周面に沿つて軟質
塩化ビニルやテフロン等の平板リングからなる緩
衝物を設けるのであるが、この取り付けには相当
の精度が要求される上、構造が複雑になり、しか
も半導体ウエハの滑動が円滑に行なわれなくなる
などの問題が生じる。
In addition, this device installs a buffer consisting of a flat ring made of soft vinyl chloride, Teflon, etc. along the circumference of the carrier hole, but this installation requires considerable precision and the structure is complicated. Moreover, problems arise, such as the semiconductor wafer not being able to slide smoothly.

更に、このものは半導体ウエハが滑動している
からラツピングあるいはポリツシングによつて研
磨する際に、半導体ウエハと下定盤との間に半導
体ウエハの削り屑や砥粒が入り込み易いのであ
り、このため半導体ウエハの傾きや変形が生じ易
いので所要の研磨精度が得難いのである。
Furthermore, since the semiconductor wafer is sliding, it is easy for semiconductor wafer shavings and abrasive grains to get between the semiconductor wafer and the lower surface plate during polishing by lapping or polishing. Since the wafer is likely to be tilted or deformed, it is difficult to obtain the required polishing accuracy.

一方、上記のものは、両面ラツプ盤を使用し
て片面ラツプ加工を行うものであり、高精度且つ
高能率のラツプ加工法を提供することを目的とす
るものであり、上定盤のテフロン樹脂層は表面が
平面とされており、上・下定盤間にキヤリアを介
してワークを遊星運動させ易くしている。
On the other hand, the above method performs single-sided lapping using a double-sided lapping machine, and its purpose is to provide a high-precision and highly efficient lapping method. The layer has a flat surface, which facilitates planetary movement of the workpiece via a carrier between the upper and lower surface plates.

即ち、上定盤にテフロン盤を用いるのはテフロ
ンがスベリ摩擦が小さく、ワークがスムーズに遊
星運動をするのであり、ラツプ中にワークがおど
ることから発生するワークのチツピングやクラツ
クの発生を抑制するものである。つまり、このも
のはテフロン樹脂のスベリ摩擦が小さく、テフロ
ン盤表面に凸起がないためスリツプ現象が働く結
果、上・下定盤間にキヤリアを介してワークを遊
星運動させてのワークのラツプ量を非常に少なく
するものであり、本願考案のようにワークとの動
摩擦係数が0.08以上のワーク固定用マツトを用い
ることにより、このマツト上に載置されるワーク
を固定してラツピングあるいはポリツシングによ
つて研磨する思想とはテフロン(フツ素樹脂)を
用いる目的、構成(構造)が全く異なるのであ
る。
In other words, the reason why a Teflon plate is used for the upper surface plate is that Teflon has low sliding friction and allows the workpiece to move smoothly in planetary motion, which suppresses chipping and cracking of the workpiece that occurs when the workpiece slides during lapping. It is something. In other words, with this product, the sliding friction of the Teflon resin is small, and the slip phenomenon occurs because there are no protrusions on the surface of the Teflon plate.As a result, the amount of lap of the workpiece is reduced by making the workpiece move planetarily between the upper and lower surface plates via a carrier. By using a workpiece fixing mat with a dynamic friction coefficient of 0.08 or more as in the invention of the present invention, the workpiece placed on the mat is fixed and can be wrapped or polished. The idea of polishing is completely different from the purpose and composition (structure) of using Teflon (fluorocarbon resin).

又、上記のものはワークが滑動しているから
ラツピングあるいはポリツシングによつて研磨す
る際に、ワークと下定盤との間にワークに削り屑
や砥粒が入り込み易いのであり、このためワーク
の傾きや変形が生じ易いので所要の研磨精度が得
難いのである。
In addition, since the workpiece is sliding in the above case, when polishing by lapping or polishing, it is easy for shavings and abrasive grains to get into the workpiece between the workpiece and the lower surface plate, and this causes the workpiece to tilt. This makes it difficult to obtain the required polishing accuracy because the polishing tends to cause deformation and deformation.

(d) 問題点を解決するための手段 本考案者らは上述の問題点を解決すべく、マツ
ト素材の開発およびその耐久性、更にマツト素材
と研磨精度等について、鋭意検討を重ねた結果、
ワーク固定用マツトとしてフツ素樹脂製の多孔質
シートを用いるのが最も好ましいことを見い出
し、本考案を完成するに至つたものである。
(d) Means for solving the problem In order to solve the above problems, the inventors of the present invention have conducted intensive studies on the development of pine material, its durability, as well as the pine material and polishing accuracy, etc.
It was discovered that it is most preferable to use a porous sheet made of fluororesin as a mat for fixing the workpiece, and this led to the completion of the present invention.

即ち、本考案に係る半導体ウエハ等の研磨治具
は、底板と、ワーク固定用マツトと、ワークのテ
ーブル中心に対する位置決めをするテンプレート
とを積層し、これらを互いに固着させた研磨治具
であつて、上記テンプレートにはこれの中心から
所定の距離を隔てた複数箇所にワークを個別的に
着脱可能に嵌合する嵌合穴が形成され、上記ワー
ク固定用マツトを、上記ワークとの動摩擦係数が
0.08以上を有するフツ素樹脂製の多孔質シートで
形成されていることを特徴とするものである。
That is, the polishing jig for semiconductor wafers, etc. according to the present invention is a polishing jig in which a bottom plate, a mat for fixing the workpiece, and a template for positioning the workpiece with respect to the center of the table are laminated and fixed to each other. , fitting holes are formed in the template at a plurality of locations separated by a predetermined distance from the center of the template, into which workpieces can be individually and detachably fitted, and the mat for fixing the workpiece is connected to the workpiece in such a way that the coefficient of kinetic friction between the workpiece and the workpiece is
It is characterized in that it is formed of a porous sheet made of fluororesin having a molecular weight of 0.08 or more.

以下、本考案を詳細に説明する。 The present invention will be explained in detail below.

本考案に用いられる底板及びテンプレートは、
鉄板、ステンレス等の金属板で形成することも可
能であるが、イオン性不純物等の汚染が発生しな
いようにするために、合成樹脂で形成することが
好ましく、特に所要の剛性等の機械的性質を得る
ために、繊維強化合成樹脂(FRP)で形成する
ことが最も好ましい。
The bottom plate and template used in this invention are:
Although it is possible to form it from a metal plate such as an iron plate or stainless steel, it is preferable to form it from a synthetic resin in order to prevent contamination such as ionic impurities. In order to obtain this, it is most preferable to use fiber-reinforced synthetic resin (FRP).

底板及びテンプレートに使用される合成樹脂の
種類は特に限定されるものではないが、耐薬品性
及び耐久性の良好なものが好ましい。例えば、ガ
ラスクロス、ガラスマツト、フエルト等にエポキ
シ樹脂を含浸させたガラス強化エポキシ樹脂、ガ
ラス強化ポリエチレンテレフタレート(以下、
PETという)、ガラス強化ポリプロピレン、ガラ
ス強化ポリエステルあるいはガラス強化ポリアミ
ド等のガラス強化合成樹脂が最も好ましい。
The type of synthetic resin used for the bottom plate and template is not particularly limited, but one with good chemical resistance and durability is preferred. For example, glass reinforced epoxy resin, glass reinforced polyethylene terephthalate (hereinafter referred to as
Most preferred are glass-reinforced synthetic resins such as PET), glass-reinforced polypropylene, glass-reinforced polyester, or glass-reinforced polyamide.

上記テンプレートに形成される嵌合穴の形状
は、円形であつても、例えば、四角形等の多角形
であつてもよい。
The shape of the fitting hole formed in the template may be circular or polygonal, such as a quadrilateral.

尚、ラツピングあるいはポリツシングの間中、
ワークを後述するマツトに吸気や真空吸着等によ
つて一層確実に固定するために、少なくともテン
プレートの嵌合穴に対応する底板の各部分には通
気孔を形成することが好ましい。
Furthermore, during wrapping or polishing,
In order to more securely fix the workpiece to the mat described later by suction, vacuum suction, etc., it is preferable to form ventilation holes in at least the portions of the bottom plate corresponding to the fitting holes of the template.

そして、本考案の最も大きな特徴は、ワーク固
定用マツトを、ワークとの動摩擦係数が0.08以上
を有するフツ素樹脂製の多孔質シートで形成した
点にある。
The most significant feature of the present invention is that the mat for fixing the workpiece is formed of a porous sheet made of fluororesin having a coefficient of dynamic friction with the workpiece of 0.08 or more.

即ち、ワーク固定用マツトとワークとの動摩擦
係数が0.08未満になると、研磨の際に、ワークが
滑動する結果、ワークとワーク固定用マツトとの
間にワークの削り屑や砥粒が入り込み、このた
め、ワークが傾いたり、変形して優れた研磨精度
が得られないのである。
In other words, if the coefficient of dynamic friction between the workpiece fixing mat and the workpiece is less than 0.08, the workpiece will slide during polishing, resulting in workpiece shavings and abrasive grains entering between the workpiece and the workpiece fixing mat. As a result, the workpiece is tilted or deformed, making it impossible to obtain excellent polishing accuracy.

フツ素樹脂は、研磨液等の浸透や研磨液等によ
る侵食等の発生がなく、しかも、撥水性が高いう
え、耐薬品性が良好である。
Fluororesin does not penetrate or suffer from erosion by polishing liquids, etc., and has high water repellency and good chemical resistance.

かかるフツ素樹脂としては、ポリテトラフルオ
ロエチレン(以下、PTFEという)、テトラフル
オロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合
体、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合
体、ポリフツ化ビニリデン等のフツ素樹脂が好ま
しく、その中でも特に撥水性及び耐薬品性に優れ
たPTFEが最も好ましい。
Such fluororesins are preferably fluororesins such as polytetrafluoroethylene (hereinafter referred to as PTFE), tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer, tetrafluoroethylene-ethylene copolymer, polyvinylidene fluoride, etc. Among them, PTFE is most preferred because it has particularly excellent water repellency and chemical resistance.

本考案に用いられるワーク固定用マツトは、上
述のフツ素樹脂からなる繊維を使用した織布、不
織布、編織布、フエルト等のシート、延伸シー
ト、発泡シート等のフツ素樹脂製の多孔質シート
で形成される。
The mat for fixing the workpiece used in the present invention is a porous sheet made of fluorocarbon resin such as a sheet of woven fabric, nonwoven fabric, knitted fabric, felt, etc. using fibers made of the above-mentioned fluorocarbon resin, a stretched sheet, a foamed sheet, etc. is formed.

このワーク固定用マツトは厚さが5〜200μm、
好ましくは8〜150μm、特に好ましくは10〜
100μmとするのが望ましい。厚さが5μmを下回
るとマツトの強度が小さ過ぎて耐久性に問題が生
じると共に均一なマツトを製造するのが困難にな
るのであり、逆に、200μmを上回ると固定用マ
ツトの弾性変形量が大きくなり過ぎ、かえつて加
工精度が損なわれる恐れがあるから好ましくな
い。
This workpiece fixing mat has a thickness of 5 to 200 μm.
Preferably 8 to 150 μm, particularly preferably 10 to 150 μm
It is desirable that the thickness be 100 μm. If the thickness is less than 5 μm, the strength of the pine is too low, causing problems in durability and making it difficult to manufacture a uniform pine. Conversely, if the thickness exceeds 200 μm, the amount of elastic deformation of the fixing pine will decrease. This is not preferable since it may become too large and may even impair machining accuracy.

ワーク固定用マツトは、これの上に載置される
半製品ウエハ等のワークをラツピングあるいはポ
リツシングの間中吸気や真空吸着等によつて一層
確実に固定するために、通気性を有するように構
成される。この場合、気孔率は25〜90%とするこ
とが好ましい。気孔率が、25%を下回ると吸気力
や真空吸着力、即ち、ワーク固定用マツトの上下
の差圧が大きくなり過ぎ、半製品ウエハ等のワー
クが局部的に変形される恐れが生じるので好まし
くなく、また90%を上回るとワーク固定用マツト
の強度が不足して摩耗や損傷が生じ易くなるので
好ましくない。
The workpiece fixing mat is configured to have air permeability in order to more securely fix the workpiece, such as a semi-finished wafer, placed on it by suction or vacuum suction during wrapping or polishing. be done. In this case, the porosity is preferably 25 to 90%. If the porosity is less than 25%, the suction force and vacuum suction force, that is, the differential pressure between the top and bottom of the mat for fixing the workpiece, will become too large, and there is a risk that the workpiece, such as a semi-finished wafer, will be locally deformed, so this is preferable. Moreover, if it exceeds 90%, the strength of the mat for fixing the workpiece will be insufficient and wear and damage will easily occur, which is not preferable.

尚、ワーク固定用マツトの通気度は半製品ウエ
ハ等のワークの真空吸着に対する抵抗を少なくす
るために0.01c.c./cm2・sec(JIS L 1096に準じて
測定)以上とすることが好ましい。
The air permeability of the mat for fixing the workpiece is preferably 0.01 cc/cm 2 ·sec (measured according to JIS L 1096) or more in order to reduce the resistance to vacuum suction of the workpiece such as a semi-finished wafer.

又、このフツ素樹脂に充填剤を添加して成形す
ることもできる。
It is also possible to add a filler to this fluororesin for molding.

ワーク固定用マツトの動摩擦係数は、ラツピン
グマシーンやポリツシングマシーンの研磨力にも
よるが、通常、0.08以上あればよく、特に0.15以
上であることが更に好ましい。動摩擦係数が0.08
を下回るときには、ワークが滑動し易くなるので
好ましくない。
The dynamic friction coefficient of the mat for fixing the workpiece depends on the polishing power of the wrapping machine or polishing machine, but it is usually sufficient to have a coefficient of 0.08 or more, and more preferably 0.15 or more. Dynamic friction coefficient is 0.08
When the value is less than 20%, the workpiece tends to slide easily, which is undesirable.

ワーク固定マツトは平滑であつてもよいが、研
磨終了後にワークを嵌合穴から押し出す水等がワ
ークの下面とワーク固定用マツトとの間に流入し
易いように、凹凸を設けることも可能である。
The workpiece fixing mat may be smooth, but it is also possible to provide unevenness so that water, etc. that pushes the workpiece out of the fitting hole after polishing is finished, can easily flow between the lower surface of the workpiece and the workpiece fixing mat. be.

ワーク固定用マツトに凹凸を設ける方法として
は、ワーク固定用マツトと他のシートとを金型を
使用してラミネートする方法や、ワーク固定用マ
ツトと収縮性シートとを点状、筋状、格子状に部
分接着した後に当該収縮性シートを収縮させる方
法等が考えられる。
Methods for providing unevenness on the workpiece fixing mat include laminating the workpiece fixing mat and another sheet using a mold, or laminating the workpiece fixing mat and a shrinkable sheet in dotted, striped, or lattice shapes. Possible methods include shrinking the shrinkable sheet after partially adhering it in a shape.

尚、ここで凹凸を設けるとは、格子状の凹凸の
場合には1cm2当たり25〜250個程度の凹部又は凸
部を設けることであり、筋状の凹凸の場合は1cm
当たり5〜15本の筋状凹部又は凸部を設けること
である。
Note that providing unevenness here means providing approximately 25 to 250 depressions or protrusions per 1 cm in the case of grid-like unevenness, and 1 cm in the case of streak-like unevenness.
5 to 15 striped recesses or protrusions are provided per portion.

そして、上記ワーク固定用マツトに好適に用い
られるフツ素樹脂製の多孔質シートとしては、日
東電気工業(株)社製の多孔質フツ素樹脂製シー
ト(商品名、NTF5200)が挙げられる。
Examples of the porous fluororesin sheet suitably used for the work fixing mat include a porous fluororesin sheet (trade name: NTF5200) manufactured by Nitto Electric Industry Co., Ltd.

なお、上記の底板、ワーク固定用マツトおよび
テンプレートは、例えば、それらの間に介装され
た熱接着性フイルム等の接着材によつて互いに接
着、固定される。
The bottom plate, the workpiece fixing mat, and the template are bonded and fixed to each other by, for example, an adhesive such as a heat-adhesive film interposed therebetween.

(e) 作用 上記の構成において、底板は例えば粘着テープ
等によりラツピングマシーンのテーブルに固定さ
れる。この場合、ワーク固定用マツトがフツ素樹
脂製の多孔質シートで形成されており、この多孔
質シートは、発泡ポリウレタンシートより、強度
が著しく高く、優れた耐久性を有し、しかも孔径
が発泡ポリウレタンより小さく、単位面積当たり
の孔数も多く、従つて、研磨時において、水密性
が向上してマツトとワーク(被研磨物)の間に空
隙が生じないのであり、しかも上記多孔質シー
ト、つまりワーク固定用マツトはワークとの動摩
擦係数が0.08以上になつているのでワークが滑動
しないのであり、これらによつて、ワークとワー
ク固定用マツトとの間に砥粒等の異物の混入がな
く、研磨歩溜まり及び精度が著しく向上する作用
を有するのである。
(e) Effect In the above configuration, the bottom plate is fixed to the table of the wrapping machine using, for example, adhesive tape. In this case, the mat for fixing the workpiece is made of a porous sheet made of fluorine resin, and this porous sheet has significantly higher strength and excellent durability than a foamed polyurethane sheet, and the pore size is It is smaller than polyurethane and has a large number of holes per unit area. Therefore, during polishing, watertightness is improved and no voids are created between the mat and the workpiece (object to be polished). In other words, the workpiece does not slide because the workpiece fixing mat has a dynamic friction coefficient of 0.08 or more with respect to the workpiece, and this prevents foreign substances such as abrasive particles from entering between the workpiece and the workpiece fixing mat. This has the effect of significantly improving polishing yield and precision.

(f) 実施例 以下、本考案の実施例を第1図及び第2図に基
づいて詳細に説明するが、本考案はこれに限定さ
れるものではない。
(f) Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail based on FIGS. 1 and 2, but the present invention is not limited thereto.

第1図は本考案の一実施例に係る半導体ウエハ
の研磨治具の分解斜視図、第2図はその要部縦断
面図である。
FIG. 1 is an exploded perspective view of a semiconductor wafer polishing jig according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a longitudinal cross-sectional view of a main part thereof.

この研磨治具は、図示しないラツピングマシー
ンあるいはポリツシングマシーンのテーブル上面
に固着される底板1と、ウエハ固定用マツト2
と、半導体ウエハ7のテーブル中心に対する位置
決めをするテンプレート3とを積層し、これらの
間に挿入した、例えば、熱接着フイルム等の接着
材4,5によつてこれら底板1、ウエハ固定用マ
ツト2及びテンプレート3がそれぞれ互いに固着
されて成る。
This polishing jig consists of a bottom plate 1 fixed to the top surface of a table of a wrapping machine or polishing machine (not shown), and a wafer fixing mat 2.
and a template 3 for positioning the semiconductor wafer 7 with respect to the center of the table are laminated, and the bottom plate 1 and the wafer fixing mat 2 are bonded by an adhesive material 4, 5 such as a thermal adhesive film inserted between them. and template 3 are fixed to each other.

上記底板1は、例えば、粘着テープ6によつて
ラツピングマシーンあるいはポリツシングマシー
ンのテーブルに固着される。
The bottom plate 1 is fixed to a table of a wrapping machine or a polishing machine, for example, with an adhesive tape 6.

底板1は、鉄等の金属板で形成することも可能
であるが、ここではワークである半製品ウエハ7
の半導体としての特性を損なうイオン性不純物を
発生しないように、耐薬品性及び耐久性が良好な
強化繊維を埋入したPETで形成される。もちろ
ん、このように、底板1を、PET、つまりガラ
ス強化ポリエチレンテレフタレートで形成するの
に代えて、その他の耐薬品性及び耐久性が良好な
ガラス等の繊維基材で強化した、エポキシ樹脂、
ポリプロピレン、ポリエステル、ポリアミド等の
繊維強化合成樹脂(FRP)で形成しても良いの
である。
The bottom plate 1 can also be formed of a metal plate such as iron, but here it is made of a semi-finished wafer 7 which is a workpiece.
It is made of PET embedded with reinforcing fibers that have good chemical resistance and durability to prevent the generation of ionic impurities that would impair its properties as a semiconductor. Of course, instead of forming the bottom plate 1 with PET, that is, glass-reinforced polyethylene terephthalate, the bottom plate 1 can be made of epoxy resin reinforced with other fiber base materials such as glass that have good chemical resistance and durability.
It may also be made of fiber-reinforced synthetic resin (FRP) such as polypropylene, polyester, or polyamide.

上記テンプレート3は、例えば、熱接着性フイ
ルム4によりウエハ固定用マツト2に固着され、
その中心から所定の距離を置いた複数箇所(ここ
では5箇所)に嵌合穴8を有している。
The template 3 is fixed to the wafer fixing mat 2 by, for example, a thermal adhesive film 4,
Fitting holes 8 are provided at a plurality of locations (five locations in this case) at a predetermined distance from the center.

各嵌合穴8は半製品ウエハ7と等径の円形に形
成されているが、第3図に示すように、半製品ウ
エハ7に外接する四角形に形成してもよい。
Each fitting hole 8 is formed in a circular shape having the same diameter as the semi-finished wafer 7, but may be formed in a rectangular shape circumscribing the semi-finished wafer 7, as shown in FIG.

テンプレート3は、底板1と同様に、鉄、ステ
ンレス等の金属板で形成することも可能である
が、ここではワークである半製品ウエハ7の半導
体としての特性を損なうイオン性不純物を発生し
ないように、耐薬品性及び耐久性が良好な強化繊
維を埋入したPETで形成されている。もちろん、
このように、テンプレート3を、PET、つまり
ガラス強化ポリエチレンテレフタレートで形成す
るのに代えて、その他の耐薬品性及び耐久性が良
好なガラス等の繊維基材で強化した、エポキシ樹
脂、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリアミド
等の繊維強化合成樹脂(FRP)で形成しても良
いのである。
Similar to the bottom plate 1, the template 3 can also be formed of a metal plate such as iron or stainless steel, but in this case, the template 3 is made of a metal plate such as iron or stainless steel so as not to generate ionic impurities that will impair the semiconductor characteristics of the semi-finished wafer 7, which is the workpiece. It is made of PET with embedded reinforcing fibers that have good chemical resistance and durability. of course,
In this way, instead of forming the template 3 with PET, that is, glass-reinforced polyethylene terephthalate, the template 3 can be made of epoxy resin, polypropylene, or polyester reinforced with other fiber base materials such as glass that have good chemical resistance and durability. It may also be made of fiber-reinforced synthetic resin (FRP) such as polyamide.

上記ウエハ固定用マツト2は、例えば粘着テー
プ等の接着材5を介して底板1に積層、固着され
ている。
The wafer fixing mat 2 is laminated and fixed to the bottom plate 1 via an adhesive 5 such as adhesive tape.

そして、本考案の最も大きな特徴は、ウエハ固
定用マツト2が0.08以上の動摩擦係数を有するフ
ツ素樹脂製の多孔質シートで形成されている点に
ある。
The most significant feature of the present invention is that the wafer fixing mat 2 is formed of a porous sheet made of fluororesin having a coefficient of dynamic friction of 0.08 or more.

この実施例では、ウエハ固定用マツト2が特に
撥水性が高く、耐薬品性が優良である、日東電気
工業(株)社製のフツ素樹脂製多孔質シート(商
品名、NTF5200、動摩擦係数0.23)で構成され
ているが、その他のフツ素樹脂、例えばテトラフ
ルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重
合体、テトラフルオロエチレン−エチレンポリフ
ツ化ビニリデン等を素材として形成された多孔質
シートを用いることができる。
In this example, the wafer fixing mat 2 is a porous sheet made of fluororesin manufactured by Nitto Electric Industry Co., Ltd. (trade name: NTF5200, coefficient of dynamic friction 0.23), which has particularly high water repellency and excellent chemical resistance. ), but porous sheets formed from other fluororesins such as tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer, tetrafluoroethylene-ethylene polyvinylidene fluoride, etc. can also be used. .

本考案においてはこれらの素材からなる織布、
不織布、フエルト、編織布、延伸シート、発泡シ
ート等でウエハ固定用マツト2を構成してもよ
い。
In this invention, woven fabrics made of these materials,
The wafer fixing mat 2 may be made of nonwoven fabric, felt, knitted fabric, stretched sheet, foamed sheet, or the like.

ウエハ固定用マツト2は、適当な弾力を持たせ
るために、厚さ80μmのものが使用されている。
The wafer fixing mat 2 has a thickness of 80 μm in order to have appropriate elasticity.

後述するように、半製品ウエハ7を底板1側か
ら吸気や真空吸着するために、テンプレート3の
嵌合穴8に対応する底板1の部分には図示しない
通気孔が形成される。
As will be described later, a vent hole (not shown) is formed in a portion of the bottom plate 1 corresponding to the fitting hole 8 of the template 3 in order to suck air or vacuum suction the semi-finished wafer 7 from the bottom plate 1 side.

ウエハ固定用マツト2は平均孔径0.6μmの多数
の通気孔(図示せず)を有し、その気孔率は80で
ある。
The wafer fixing mat 2 has a large number of ventilation holes (not shown) with an average pore diameter of 0.6 μm, and its porosity is 80.

尚、ウエハ固定用マツト2の表面の動摩擦係数
は0.23である。
Incidentally, the coefficient of dynamic friction of the surface of the wafer fixing mat 2 is 0.23.

ウエハ固定用マツト2は、例えば、凹凸面を有
する金型を使用して他のシート9とラミネートし
たり、収縮性シート9をウエハ固定用マツト2に
架橋型接着剤等により点状、筋状、格子状に部分
接着した後、収縮性シート9を収縮させたりし
て、第4図ないし第6図に示すように、ウエハ固
定用マツト2の表面に凹凸を形成することが可能
である。この凹凸は、格子状の凹凸の場合には1
cm2当たり25〜250個程度の凸部又は凹部が形成さ
れ、筋状の凹凸の場合には1cm当たり5〜15筋程
度の凸部又は凹部が形成される。
For example, the wafer fixing mat 2 may be laminated with another sheet 9 using a mold having an uneven surface, or the shrinkable sheet 9 may be bonded to the wafer fixing mat 2 in dots or stripes using a cross-linking adhesive or the like. After partially adhering in a grid pattern, it is possible to shrink the shrinkable sheet 9 to form irregularities on the surface of the wafer fixing mat 2, as shown in FIGS. 4 to 6. This unevenness is 1 in the case of grid-like unevenness.
Approximately 25 to 250 convex portions or concave portions are formed per cm 2 , and in the case of streak-like unevenness, approximately 5 to 15 convex portions or concave portions are formed per 1 cm 2 .

上記の構成において、ラツピングマシーンのテ
ーブル上に上記研磨治具における底板1を固着
し、そのテンプレート3の嵌合穴8に半製品ウエ
ハ(シリコンウエハ)7を嵌合してからラツピン
グを行なう。
In the above structure, the bottom plate 1 of the polishing jig is fixed on the table of the wrapping machine, and the semi-finished wafer (silicon wafer) 7 is fitted into the fitting hole 8 of the template 3 before wrapping.

ラツピング中は、半製品ウエハ(シリコンウエ
ハ)7がウエハ固定用マツト2との摩擦力によつ
てウエハ固定用マツト2に固定されるが、この半
製品ウエハ(シリコンウエハ)7の固定は吸気や
真空吸着を併用することにより一層確実に固定さ
れることになる。
During wrapping, the semi-finished wafer (silicon wafer) 7 is fixed to the wafer fixing mat 2 by the frictional force with the wafer fixing mat 2. By using vacuum suction together, the fixation will be more secure.

半製品ウエハ(シリコンウエハ)7のテーブル
中心に対する位置はテンプレート3により位置決
めされ、テーブルに対する高さはテンプレート3
の厚さによつて決定される。この場合、ウエハ固
定用マツト2がフツ素樹脂製の多孔質シートで形
成されており、この多孔質シートは、発泡ポリウ
レタンシートより強度が著しく高く、優れた耐久
性を有し、しかも孔径が発泡ポリウレタンより小
さく、単位面積当たりの孔数も多く、従つて、研
磨時において、水密性が向上してウエハ固定用マ
ツト2と半製品ウエハ(シリコンウエハ)7の間
に空隙が生じず、このため、その空隙に砥粒等の
異物の混入がなく、研磨歩留りおよび粒度が著し
く向上し、研磨精度を、厚さが±0.27μm、平行
度が直径100mm当たり0.26μmというように、極め
て高くすることができた。
The position of the semi-finished wafer (silicon wafer) 7 with respect to the center of the table is determined by the template 3, and the height with respect to the table is determined by the template 3.
determined by the thickness of In this case, the wafer fixing mat 2 is made of a porous sheet made of fluororesin, and this porous sheet has significantly higher strength and excellent durability than a foamed polyurethane sheet. It is smaller than polyurethane and has a large number of holes per unit area. Therefore, during polishing, watertightness is improved and no air gap is created between the wafer fixing mat 2 and the semi-finished wafer (silicon wafer) 7. , there is no foreign matter such as abrasive grains mixed into the voids, the polishing yield and grain size are significantly improved, and the polishing accuracy is extremely high, with a thickness of ±0.27 μm and parallelism of 0.26 μm per 100 mm diameter. was completed.

研磨が終了すれば、嵌合穴8に水を流入させる
と半製品ウエハ7がいわば嵌合穴8から洗い出さ
れるようにして離脱するのである。
When polishing is completed, water is allowed to flow into the fitting hole 8, and the semi-finished wafer 7 is removed from the fitting hole 8, as if it were washed out.

研磨治具に水を流すことに代えて、真空チヤツ
クを使用して半製品ウエハ7を研磨治具から取り
出すことも可能であり、この場合には半製品ウエ
ハ7の次工程への移送を自動化することが可能で
ある。
Instead of flowing water through the polishing jig, it is also possible to use a vacuum chuck to take out the semi-finished wafer 7 from the polishing jig, and in this case, the transfer of the semi-finished wafer 7 to the next process can be automated. It is possible to do so.

上記実施例は半製品ウエハ(シリコンウエハ)
について説明したが、本考案は、半導体ウエハの
研磨だけではなく、ガラス、金属等のラツピング
やポリツシングにも使用されるのはいうまでもな
い。
The above example is a semi-finished wafer (silicon wafer)
However, it goes without saying that the present invention can be used not only for polishing semiconductor wafers, but also for wrapping and polishing glass, metal, etc.

(g) 考案の効果 以上のように、本考案の半導体ウエハ等の研磨
治具によれば、テンプレートの嵌合穴の位置によ
つてテーブル中心に対するワークの位置が決定さ
れる。
(g) Effects of the invention As described above, according to the jig for polishing semiconductor wafers, etc. of the invention, the position of the workpiece relative to the center of the table is determined by the position of the fitting hole of the template.

そして、本考案の半導体ウエハ等の研磨治具に
はウエハ固定用マツトが動摩擦係数0.08以上のフ
ツ素樹脂製の多孔質シートで形成されているか
ら、強度が著しく高く、優れた耐久性を有し、し
かも孔径が小さく、単位面積当たりの孔数も多
く、従つて、研磨時において、水密性が向上して
ワーク固定用マツトとワークの間に空隙が生じな
いのであり、しかも上記多孔質シートはワークと
の動摩擦係数が0.08以上になつているのでワーク
が滑動しないのであり、これらによつて、ワーク
とワーク固定用マツトとの間に砥粒等の異物の混
入がなく、研磨歩留りおよび研磨精度が極度に向
上する効果を有するのである。
In addition, the polishing jig for semiconductor wafers, etc. of the present invention has a wafer fixing mat made of a porous sheet made of fluororesin with a coefficient of dynamic friction of 0.08 or more, so it has extremely high strength and excellent durability. However, the pore diameter is small and the number of holes per unit area is large. Therefore, during polishing, watertightness is improved and no voids are created between the workpiece fixing mat and the workpiece. Since the coefficient of dynamic friction with the workpiece is 0.08 or more, the workpiece does not slide.This prevents foreign matter such as abrasive grains from entering between the workpiece and the workpiece fixing mat, improving polishing yield and polishing. This has the effect of greatly improving accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本考案の一実施例の分解斜視図、第2
図はその要部縦断面図、第3図はテンプレートの
変形例を示す斜視図、第4図ないし第6図はそれ
ぞれ異なるワーク固定用マツトの拡大縦断面図で
ある。 1……底板、2……ウエハ固定用マツト、3…
…テンプレート、7……ワーク(半製品ウエハ)、
8……嵌合穴。
Fig. 1 is an exploded perspective view of one embodiment of the present invention;
3 is a perspective view showing a modified example of the template, and FIGS. 4 to 6 are enlarged longitudinal sectional views of different workpiece fixing mats. 1... Bottom plate, 2... Wafer fixing mat, 3...
...template, 7...work (semi-finished wafer),
8...Mating hole.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 (1) 底板と、ワーク固定用マツトと、ワークのテ
ーブル中心に対する位置決めをするテンプレー
トとを積層し、これらを互いに固着させた研磨
治具であつて、上記テンプレートにはこれの中
心から所定の距離を隔てた複数箇所にワークを
個別的に着脱可能に嵌合する嵌合穴が形成さ
れ、上記ワーク固定用マツトを、上記ワークと
の動摩擦係数が0.08以上を有するフツ素樹脂製
の多孔質シートで形成されていることを特徴と
する半導体ウエハ等の研磨治具。 (2) 底板及びテンプレートが合成樹脂で形成され
た実用新案登録請求の範囲第1項に記載の半導
体ウエハ等の研磨治具。 (3) 上記嵌合穴が円形穴である実用新案登録請求
の範囲第1項又は第2項に記載の半導体ウエハ
等の研磨治具。 (4) 上記嵌合穴が多角形穴である実用新案登録請
求の範囲第1項又は第2項に記載の半導体ウエ
ハ等の研磨治具。
[Claims for Utility Model Registration] (1) A polishing jig in which a bottom plate, a mat for fixing a workpiece, and a template for positioning the workpiece with respect to the center of the table are laminated and fixed to each other, and is formed with fitting holes for individually removably fitting the workpieces at a plurality of locations separated from the center by a predetermined distance, and has a coefficient of dynamic friction between the workpiece fixing mat and the workpiece of 0.08 or more. A polishing jig for semiconductor wafers, etc., characterized in that it is formed of a porous sheet made of fluororesin. (2) A polishing jig for semiconductor wafers, etc., as set forth in claim 1 of the utility model registration claim, in which the bottom plate and template are made of synthetic resin. (3) The polishing jig for semiconductor wafers, etc., according to claim 1 or 2, wherein the fitting hole is a circular hole. (4) The polishing jig for semiconductor wafers, etc., according to claim 1 or 2, wherein the fitting hole is a polygonal hole.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2632738B2 (en) * 1990-04-27 1997-07-23 信越半導体 株式会社 Packing pad and method for polishing semiconductor wafer
JP2540674Y2 (en) * 1992-12-10 1997-07-09 ロデール・ニッタ株式会社 Workpiece holder
US6251215B1 (en) * 1998-06-03 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Carrier head with a multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing
JP5004429B2 (en) * 2005-03-17 2012-08-22 富士紡ホールディングス株式会社 Retainer
JP2007069295A (en) * 2005-09-06 2007-03-22 Nitta Haas Inc Holder for polishing object
JP5008922B2 (en) * 2006-07-31 2012-08-22 セツ子 近藤 Lower chuck pad
JP2019058955A (en) * 2017-09-22 2019-04-18 信越半導体株式会社 Polishing head and manufacturing method of the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59219153A (en) * 1983-05-27 1984-12-10 Citizen Watch Co Ltd Precision finishing method of magnetic head
JPS60249568A (en) * 1984-05-21 1985-12-10 Sumitomo Electric Ind Ltd Polishing of semiconductor wafer

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59219153A (en) * 1983-05-27 1984-12-10 Citizen Watch Co Ltd Precision finishing method of magnetic head
JPS60249568A (en) * 1984-05-21 1985-12-10 Sumitomo Electric Ind Ltd Polishing of semiconductor wafer

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