JPH04142068A - 電子部品搭載用基板及びその製造方法 - Google Patents
電子部品搭載用基板及びその製造方法Info
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- JPH04142068A JPH04142068A JP2264635A JP26463590A JPH04142068A JP H04142068 A JPH04142068 A JP H04142068A JP 2264635 A JP2264635 A JP 2264635A JP 26463590 A JP26463590 A JP 26463590A JP H04142068 A JPH04142068 A JP H04142068A
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は、半導体などの電子部品から発生する熱を効率
良く放散させることができる電子部品搭載用基板、及び
その製造法に関する。
良く放散させることができる電子部品搭載用基板、及び
その製造法に関する。
[従来技術〕
電子部品搭載用基板は2絶縁基材表面の凹所に半導体な
どの電子部品を搭載すると共に、絶縁基材の表面に導体
回路を形成している。
どの電子部品を搭載すると共に、絶縁基材の表面に導体
回路を形成している。
そして、該絶縁基材としては1合成樹脂を素材とするも
のと、セラミックスを素材とするものとがある。前者の
合成樹脂絶縁基材は、セラミックス絶縁基材に比して、
安価、軽量かつ加工容易性等の点から優れている。
のと、セラミックスを素材とするものとがある。前者の
合成樹脂絶縁基材は、セラミックス絶縁基材に比して、
安価、軽量かつ加工容易性等の点から優れている。
しかし1合成樹脂絶縁基材はセラミ・ンクス絶縁基材に
比して熱伝導率が約100分の1程度と非常に小さい。
比して熱伝導率が約100分の1程度と非常に小さい。
そのため2合成樹脂絶縁基材は、高熱を発する半導体素
子の搭載用基板としては不向きである。
子の搭載用基板としては不向きである。
そこで、放熱性向上のために放熱板を装着した電子部品
搭載用基板が提案されている(例えば特開昭60−13
6348号公報)。かかる電子部品搭載用基板は、第5
図に示すごとく、導体回路91を設けた絶縁基材90と
、該絶縁基材90に設けた電子部品搭載用凹部930及
びその下側に装着した放熱板83とよりなる。また、該
放熱板83の側面と絶縁基材90との間にはメッキ溝9
7を有し、かつ、上記メッキ溝97内には放熱板83か
ら絶縁基材90に至る金属メッキ膜94が形成されてい
る。
搭載用基板が提案されている(例えば特開昭60−13
6348号公報)。かかる電子部品搭載用基板は、第5
図に示すごとく、導体回路91を設けた絶縁基材90と
、該絶縁基材90に設けた電子部品搭載用凹部930及
びその下側に装着した放熱板83とよりなる。また、該
放熱板83の側面と絶縁基材90との間にはメッキ溝9
7を有し、かつ、上記メッキ溝97内には放熱板83か
ら絶縁基材90に至る金属メッキ膜94が形成されてい
る。
また、絶縁基材90にはスルーホール92が形成されて
いる。また、電子部品搭載用凹部930内には、上記放
熱板83の上に接着剤932を介して電子部品93が接
合、搭載されている。
いる。また、電子部品搭載用凹部930内には、上記放
熱板83の上に接着剤932を介して電子部品93が接
合、搭載されている。
また、スルーホール92には リードビン96の頭部が
挿置される。また、符号98は、ボンディングワイヤー
である。なお2図示していないが電子部品93の外周は
湿気侵入防止のために樹脂封止が行われる。
挿置される。また、符号98は、ボンディングワイヤー
である。なお2図示していないが電子部品93の外周は
湿気侵入防止のために樹脂封止が行われる。
この基板の製造においては、まず絶縁基材9゜の下方に
放熱板の外径(幅)よりも大きい放熱板装着用の装着凹
所970を設け、その中に接着剤84を介して放熱板8
3を配置して、これらをプレスして一体となす。更に、
絶縁基材9oにおける電子部品搭載部分には、上方より
切削加工を施し、放熱板83の上面を露出させ、電子部
品搭載用凹部930を形成する。そして、その後、スル
ーホール92及び放熱板83の裏面に金属メッキ膜94
を施す。そして、電子部品搭載用凹部930内に電子部
品93を接合する。
放熱板の外径(幅)よりも大きい放熱板装着用の装着凹
所970を設け、その中に接着剤84を介して放熱板8
3を配置して、これらをプレスして一体となす。更に、
絶縁基材9oにおける電子部品搭載部分には、上方より
切削加工を施し、放熱板83の上面を露出させ、電子部
品搭載用凹部930を形成する。そして、その後、スル
ーホール92及び放熱板83の裏面に金属メッキ膜94
を施す。そして、電子部品搭載用凹部930内に電子部
品93を接合する。
ところで、上記従来の電子部品搭載用基板において、前
記のメッキ溝97は、放熱183の側壁と、絶縁基材9
0にザグリ加工形成した放熱板装着用の装着凹所970
との間に形成されたものである。そして、該メッキ溝9
7は、放熱板83と絶縁基材90との間に、湿気防止用
の金属メッキ膜94を被覆する上で重要な意味を有して
いる。
記のメッキ溝97は、放熱183の側壁と、絶縁基材9
0にザグリ加工形成した放熱板装着用の装着凹所970
との間に形成されたものである。そして、該メッキ溝9
7は、放熱板83と絶縁基材90との間に、湿気防止用
の金属メッキ膜94を被覆する上で重要な意味を有して
いる。
即ち、もしも上記装着凹所970の大きさが放熱板83
の外径とほぼ同じ場合には、装着凹所970内に放熱板
83を装着したとき、装着凹所970と放熱板83の間
のクリアランスが小さい。
の外径とほぼ同じ場合には、装着凹所970内に放熱板
83を装着したとき、装着凹所970と放熱板83の間
のクリアランスが小さい。
このとき、該クリアランスが十分型さいときにはこのク
リアランス上も含めて、放熱板83と絶縁基材90の裏
面側に、連続的に金属メッキ膜94を形成できるや しかし、装着凹所970形成のためのザグリ加工、放熱
板83の寸法精度等の点から、上記クリアランスの大き
さにバラツキを生ずることがある。
リアランス上も含めて、放熱板83と絶縁基材90の裏
面側に、連続的に金属メッキ膜94を形成できるや しかし、装着凹所970形成のためのザグリ加工、放熱
板83の寸法精度等の点から、上記クリアランスの大き
さにバラツキを生ずることがある。
このときには、クリアランスが大きい部分に金属メッキ
膜94が形成されず、空孔を生ずる。そして、かかる空
孔が生ずると、この部分から絶縁基材90内に湿気が侵
入し、該湿気により電子部品が損傷を受ける。
膜94が形成されず、空孔を生ずる。そして、かかる空
孔が生ずると、この部分から絶縁基材90内に湿気が侵
入し、該湿気により電子部品が損傷を受ける。
かかる問題に対処するため、上記装着凹所970を大き
く設け、第5図に示すごとく、メッキ溝97を形成して
いる。そして、かかるメッキ溝97内に金属メッキ膜を
施すときには、それらの壁面には、上記のごときクリア
ランスを有しないため、金属メッキ膜94に上記空孔を
発生しない。
く設け、第5図に示すごとく、メッキ溝97を形成して
いる。そして、かかるメッキ溝97内に金属メッキ膜を
施すときには、それらの壁面には、上記のごときクリア
ランスを有しないため、金属メッキ膜94に上記空孔を
発生しない。
それ故、耐湿性が確保できる。
〔解決しようとする課題]
しかしながら、上記従来の電子部品搭載用基板には次の
問題点がある。
問題点がある。
即ち、耐湿性、金属メッキ膜形成性の面より上記のごと
く設けたメッキ溝97は、一方では放熱性に支承を生ず
ることがある。特に、近年においては、電子部品搭載用
凹部内に搭載する電子部品はその能力が増大化し1発熱
量が大きくなっている。そのため、上記放熱板83のみ
からの放熱では不充分な場合がある。そして、上記メッ
キ溝97は、放熱板83と絶縁基材90との間に形成さ
れた空間部であり、空気の流動が殆どない、そのため、
放熱板83の側壁面からの放熱が期待できない。
く設けたメッキ溝97は、一方では放熱性に支承を生ず
ることがある。特に、近年においては、電子部品搭載用
凹部内に搭載する電子部品はその能力が増大化し1発熱
量が大きくなっている。そのため、上記放熱板83のみ
からの放熱では不充分な場合がある。そして、上記メッ
キ溝97は、放熱板83と絶縁基材90との間に形成さ
れた空間部であり、空気の流動が殆どない、そのため、
放熱板83の側壁面からの放熱が期待できない。
本発明はかかる従来の問題点に鑑み、放熱性。
耐湿性に優れた電子部品搭載用基板を提供しようとする
ものである。
ものである。
(課題の解決手段)
本発明は、導体回路を設けた絶縁基材と、該絶縁基材に
設けた電子部品搭載用凹部及び該電子部品搭載用凹部の
下側に装着した放熱板とよりなり。
設けた電子部品搭載用凹部及び該電子部品搭載用凹部の
下側に装着した放熱板とよりなり。
また該放熱板の側面と絶縁基材との間にはメッキ溝を有
し、かつ上記電子部品搭載用凹部の内面及びメッキ溝に
は金属メッキ膜を被覆してなる電子部品搭載用基板にお
いて、上記絶縁基材の内部には金属伝熱層を配置し、該
金属伝熱層は上記電子部品搭載用凹部の金属メッキ膜に
接続されていることを特徴とする電子部品搭載用基板に
ある。
し、かつ上記電子部品搭載用凹部の内面及びメッキ溝に
は金属メッキ膜を被覆してなる電子部品搭載用基板にお
いて、上記絶縁基材の内部には金属伝熱層を配置し、該
金属伝熱層は上記電子部品搭載用凹部の金属メッキ膜に
接続されていることを特徴とする電子部品搭載用基板に
ある。
本発明において最も注目すべきことは、上記メッキ溝及
び金属メッキ膜を形成した電子部品搭載用基板において
、絶縁基材の内部にも金属伝熱層を形成し、該金属伝熱
層は電子部品搭載用凹部の金属メッキ膜に接続しである
ことにある。
び金属メッキ膜を形成した電子部品搭載用基板において
、絶縁基材の内部にも金属伝熱層を形成し、該金属伝熱
層は電子部品搭載用凹部の金属メッキ膜に接続しである
ことにある。
上記金属伝熱層は1w4箔などの金属箔層を用い。
これらを絶縁基材中に配置することにより設ける。
絶縁基材としてはガラスエポキシ樹脂、ガラストリアジ
ン樹脂、ガラスポリイミド樹脂の基板などがある。
ン樹脂、ガラスポリイミド樹脂の基板などがある。
また、上記金属伝熱層は、電子部品搭載用凹部の金属メ
ッキ膜と接続されている。また、該金属伝熱層は絶縁基
材と同じ平面形状を有し、かつ電子部品搭載用凹部の周
囲に接続されていることが好ましい。更に、金属伝熱層
は3放熱用スルーホールに接続されていることが好まし
い。なお3該放熱用スルーホールは、放熱専用であって
も電源用スルーホール、接地用スルーホールであっても
良い。
ッキ膜と接続されている。また、該金属伝熱層は絶縁基
材と同じ平面形状を有し、かつ電子部品搭載用凹部の周
囲に接続されていることが好ましい。更に、金属伝熱層
は3放熱用スルーホールに接続されていることが好まし
い。なお3該放熱用スルーホールは、放熱専用であって
も電源用スルーホール、接地用スルーホールであっても
良い。
また5金属伝熱層は絶縁基材中に2層設けることが好ま
しい。そして、第1金属伝熱層は電子部品搭載用凹部の
金属メッキ膜に、第2金属伝熱層はメッキ溝の金属メッ
キ膜に接続する。これにより、電子部品搭載用凹部内に
搭載した電子部品の発生熱は、その一部が第1金属伝熱
層より放散されると共に、放熱板を経て放熱され、更に
放熱板側面のメッキ溝から絶縁基材内の第2金属伝熱層
を経て放熱される。
しい。そして、第1金属伝熱層は電子部品搭載用凹部の
金属メッキ膜に、第2金属伝熱層はメッキ溝の金属メッ
キ膜に接続する。これにより、電子部品搭載用凹部内に
搭載した電子部品の発生熱は、その一部が第1金属伝熱
層より放散されると共に、放熱板を経て放熱され、更に
放熱板側面のメッキ溝から絶縁基材内の第2金属伝熱層
を経て放熱される。
次に、上記電子部品搭載用基板を製造する方法としては
、上下面に金属箔層を設けた金属張り絶縁基材を用い、
該金属張り絶縁基材の上下にそれぞれプリプレグ接着剤
を介して導体箔層を接着して積層体を形成し、該積層体
の裏側に放熱板装着用の装着凹所をザグリ加工により形
成すると共に該装着凹所に放熱板を接合し1次いで、積
層体の表側より上記放熱板に向けて、前記上面の導体箔
層及び金属箔層を貫通するザグリ加工を行って電子部品
搭載用凹部を形成し9次いでこれらの全表面に金属メッ
キ膜を施し、上記電子部品搭載用凹部に形成された金属
メッキ膜と前記上面の金属箔層とを接合すると共に上記
装着凹所に形成された金属メッキ膜と前記下面の金属箔
層とを接合することを特徴とする電子部品搭載用基板の
製造方法がある。
、上下面に金属箔層を設けた金属張り絶縁基材を用い、
該金属張り絶縁基材の上下にそれぞれプリプレグ接着剤
を介して導体箔層を接着して積層体を形成し、該積層体
の裏側に放熱板装着用の装着凹所をザグリ加工により形
成すると共に該装着凹所に放熱板を接合し1次いで、積
層体の表側より上記放熱板に向けて、前記上面の導体箔
層及び金属箔層を貫通するザグリ加工を行って電子部品
搭載用凹部を形成し9次いでこれらの全表面に金属メッ
キ膜を施し、上記電子部品搭載用凹部に形成された金属
メッキ膜と前記上面の金属箔層とを接合すると共に上記
装着凹所に形成された金属メッキ膜と前記下面の金属箔
層とを接合することを特徴とする電子部品搭載用基板の
製造方法がある。
本発明の電子部品搭載用基板においては、電子部品の発
生熱は、まずその多くが放熱板を経て外部へ放散される
。また1発生熱は、電子部品搭載用凹部側壁の金属メッ
キ膜に接続した金属伝熱層を伝導して、絶縁基材の外部
へ放散される。それ故、電子部品の発生熱を効率良く放
散することができる。
生熱は、まずその多くが放熱板を経て外部へ放散される
。また1発生熱は、電子部品搭載用凹部側壁の金属メッ
キ膜に接続した金属伝熱層を伝導して、絶縁基材の外部
へ放散される。それ故、電子部品の発生熱を効率良く放
散することができる。
また、上記金属伝熱層の他端をスルーホールに接続した
場合には、上記発生熱は金属伝熱層を経てスルーホール
へ伝導し効率良く放散される。
場合には、上記発生熱は金属伝熱層を経てスルーホール
へ伝導し効率良く放散される。
また、放熱板の側面と絶縁基材との間には、金属メッキ
膜を施したメッキ溝を形成しているので耐湿性にも優れ
ている。
膜を施したメッキ溝を形成しているので耐湿性にも優れ
ている。
したがって1本発明によれば放熱性、耐湿性に優れた電
子部品搭載用基板を提供することができる。
子部品搭載用基板を提供することができる。
第1実施例
本発明の実施例にかかる電子部品搭載用基板につき、第
1図〜第3F図を用いて説明する。
1図〜第3F図を用いて説明する。
本例の電子部品搭載用基板は、第1図及び第3F図に示
すごとく、導体回路91を設けた絶縁基材3と、該絶縁
基材3に設けた電子部品搭載用凹部930及び該電子部
品搭載用凹部930の下側に装着した放熱板83とより
なり、また該放熱板83の側面と絶縁基材3との間には
メッキ溝6を有し、かつ上記電子部品搭載用凹部930
の内面及び上記メッキ溝6には金属メッキ膜65を被覆
している。そして、上記絶縁基材3の内部には第1金属
伝熱層1と、第2金属伝熱層2とが配置されている。
すごとく、導体回路91を設けた絶縁基材3と、該絶縁
基材3に設けた電子部品搭載用凹部930及び該電子部
品搭載用凹部930の下側に装着した放熱板83とより
なり、また該放熱板83の側面と絶縁基材3との間には
メッキ溝6を有し、かつ上記電子部品搭載用凹部930
の内面及び上記メッキ溝6には金属メッキ膜65を被覆
している。そして、上記絶縁基材3の内部には第1金属
伝熱層1と、第2金属伝熱層2とが配置されている。
上記第1金属伝熱N1は、第2図に示すごとく。
絶縁基材3とほぼ同じ平面形状を有し、その中央部分は
上記電子部品搭載用凹部の金属メッキ膜65と接続され
ている。また、第1金属伝熱層1には、絶縁基材3と同
様に多数のスルーホール92が穿設されている。
上記電子部品搭載用凹部の金属メッキ膜65と接続され
ている。また、第1金属伝熱層1には、絶縁基材3と同
様に多数のスルーホール92が穿設されている。
また、該スルーホールのうちには、第1金属伝熱層1と
接続した放熱用スルーホール921がある。即ち、この
放熱用のスルーホール921は上記第1金属伝熱層lに
穿設された状態にあり、該スルーホール921の側面に
第1金属伝熱11が露出した状態にある(第1図、第3
図)。
接続した放熱用スルーホール921がある。即ち、この
放熱用のスルーホール921は上記第1金属伝熱層lに
穿設された状態にあり、該スルーホール921の側面に
第1金属伝熱11が露出した状態にある(第1図、第3
図)。
一方、放熱用でないスルーホール92には、第2図に示
すごとく、その周囲に、環状の非金属部分925が設け
である。この非金属部分925はスルーホール92と第
1金属伝熱層1との間の電気的絶縁部分である。
すごとく、その周囲に、環状の非金属部分925が設け
である。この非金属部分925はスルーホール92と第
1金属伝熱層1との間の電気的絶縁部分である。
一方、上記第2金属伝熱層2は7第1図に示すごとく、
絶縁基材3内において、メッキ溝6よりも外側に設けて
あり9絶縁基材3とほぼ同じ平面形状を有する。そして
、その内側に放熱板83の搭載部及びメッキ溝6を構成
する四角状開口部を有する(図示時)、そして、該第2
金属伝熱層2は、その内側が上記メッキ溝6の外側壁の
金属メッキ膜65に接続され、外側が上記放熱用スルー
ホール921に接続されている。その他は3上記第1金
属伝熱層1と同様である。また、上記第1及び第2金属
伝熱層は9w4箔により形成しである。
絶縁基材3内において、メッキ溝6よりも外側に設けて
あり9絶縁基材3とほぼ同じ平面形状を有する。そして
、その内側に放熱板83の搭載部及びメッキ溝6を構成
する四角状開口部を有する(図示時)、そして、該第2
金属伝熱層2は、その内側が上記メッキ溝6の外側壁の
金属メッキ膜65に接続され、外側が上記放熱用スルー
ホール921に接続されている。その他は3上記第1金
属伝熱層1と同様である。また、上記第1及び第2金属
伝熱層は9w4箔により形成しである。
また、上記のごとく構成した電子部品搭載用基板には、
その電子部品搭載用凹部930内に電子部品93を搭載
し、該電子部品93と導体回路91との間をボンディン
グワイヤー98により接続する。また、これらを耐湿性
の封止用樹脂95により封止する。そして、電子部品搭
載用基板の上方及び側面をシールケース39により被冠
する。
その電子部品搭載用凹部930内に電子部品93を搭載
し、該電子部品93と導体回路91との間をボンディン
グワイヤー98により接続する。また、これらを耐湿性
の封止用樹脂95により封止する。そして、電子部品搭
載用基板の上方及び側面をシールケース39により被冠
する。
次に、上記電子部品搭載用基板の製造方法につき、第3
A図〜第3F図を用いて説明する。
A図〜第3F図を用いて説明する。
即ち、まず、第3AIに示すごとく 上下に第1金[箔
層10.第2金属V3層20を設けた金属張り絶縁基材
31を準備する。該金属張り絶縁基材31は、後述する
第3F図に示すごとく9通常のスルーホール92との間
の電気絶縁性を図るために、前記非金属部分925(第
2図)ををしている。
層10.第2金属V3層20を設けた金属張り絶縁基材
31を準備する。該金属張り絶縁基材31は、後述する
第3F図に示すごとく9通常のスルーホール92との間
の電気絶縁性を図るために、前記非金属部分925(第
2図)ををしている。
次に、同図に示すごとく、上記金属張り絶縁基材31の
上下にそれぞれプレプレグ接着剤3333を介して導体
箔層44.45を重ねる。そして、第3B図に示すごと
くこれらを加熱圧着し。
上下にそれぞれプレプレグ接着剤3333を介して導体
箔層44.45を重ねる。そして、第3B図に示すごと
くこれらを加熱圧着し。
積層体を作成する。
次に、第3C図に示すごとく、該積層体の裏側に、放熱
板83の外径よりも大きい放熱板装着用の装着凹所60
をザグリ加工により形成する。そして、該装着凹所60
内に、接着剤84を介して放熱板83を接合する。上記
装着凹所60は第2金属箔層20を貫通しているが、第
1金属箔層10は貫通していない。
板83の外径よりも大きい放熱板装着用の装着凹所60
をザグリ加工により形成する。そして、該装着凹所60
内に、接着剤84を介して放熱板83を接合する。上記
装着凹所60は第2金属箔層20を貫通しているが、第
1金属箔層10は貫通していない。
次に、第3D図に示すごとく、積層体の表側より上記放
熱板83に向けて、上記導体箔1i44第1金属箔層1
0を貫通するザグリ加工を行って電子部品搭載用凹部9
30を形成する。また、スルーホール92 921を穿
設する。また、これにより、金属箔層10が第1金属伝
熱層1.金属箔層20が第2金属伝熱層2を形成する。
熱板83に向けて、上記導体箔1i44第1金属箔層1
0を貫通するザグリ加工を行って電子部品搭載用凹部9
30を形成する。また、スルーホール92 921を穿
設する。また、これにより、金属箔層10が第1金属伝
熱層1.金属箔層20が第2金属伝熱層2を形成する。
次に、第3E図に示すごとく、上記積層体の全表面にス
ルーホール(パネルメッキ)を行い、金属メッキ膜65
を形成する。これにより、1を子部品搭載用凹部930
内に金属メッキ膜65が形成されると共に該金属メッキ
膜65が上記第1金属伝熱層1と接続される。また、放
熱板83及び絶縁基材3の裏側と5両者の間のメッキ溝
6内に連続した金属メッキ膜65が形成され、また該金
属メッキW1465が第2金属伝熱層2と接続される。
ルーホール(パネルメッキ)を行い、金属メッキ膜65
を形成する。これにより、1を子部品搭載用凹部930
内に金属メッキ膜65が形成されると共に該金属メッキ
膜65が上記第1金属伝熱層1と接続される。また、放
熱板83及び絶縁基材3の裏側と5両者の間のメッキ溝
6内に連続した金属メッキ膜65が形成され、また該金
属メッキW1465が第2金属伝熱層2と接続される。
その後、エツチングを行い、第3F図に示すごとく、導
体回路91を形成する。これにより、前記第1図に示し
た電子部品搭載用基板が得られる。
体回路91を形成する。これにより、前記第1図に示し
た電子部品搭載用基板が得られる。
次に、作用効果につき説明する。
本例の電子部品搭載用基板においては、を子部品93の
発生熱は、まずその多くがその底面に接続した放熱板8
3より下方へ放散される。また。
発生熱は、まずその多くがその底面に接続した放熱板8
3より下方へ放散される。また。
発生熱は、電子部品搭載用凹部930の側壁の金属メッ
キ膜65より絶縁基材3内の第1金属伝熱層1を伝熱し
て、放熱用スルーホール921に伝熱され、リードピン
96を経て外部へ放散される。
キ膜65より絶縁基材3内の第1金属伝熱層1を伝熱し
て、放熱用スルーホール921に伝熱され、リードピン
96を経て外部へ放散される。
また、この伝熱の間には、絶縁基材3の表面からも放散
される。
される。
また、放熱板83の側壁側には、メッキ溝6があり、該
メッキ溝6内には、放熱板83の側面より放散された熱
が蓄積される。しかし、該蓄積熱は、該メッキ溝6の絶
縁基材側の金属メッキ膜65より、第2金属伝熱層2に
伝熱され、該第2金属伝熱層2より放熱用スルーホール
921に伝わり、上記のごとく放散される。
メッキ溝6内には、放熱板83の側面より放散された熱
が蓄積される。しかし、該蓄積熱は、該メッキ溝6の絶
縁基材側の金属メッキ膜65より、第2金属伝熱層2に
伝熱され、該第2金属伝熱層2より放熱用スルーホール
921に伝わり、上記のごとく放散される。
上記のごとく2本例の電子部品搭載用基板においては、
電子部品の発生熱は、放熱板83の他上記第1金属伝熱
層lからも放散され、またメッキ溝6内の蓄積熱も第2
金属伝熱層2より放散される。それ故1本例の電子部品
搭載用基板は、放熱性に優れている。
電子部品の発生熱は、放熱板83の他上記第1金属伝熱
層lからも放散され、またメッキ溝6内の蓄積熱も第2
金属伝熱層2より放散される。それ故1本例の電子部品
搭載用基板は、放熱性に優れている。
また、メッキ溝内には、金属メッキ膜65が連続形成さ
れているので、耐湿性にも優れている。
れているので、耐湿性にも優れている。
第2実施例
本例の電子部品搭載用基板は、第4図に示すごとく、第
1実施例における第2金属伝熱層2を設けなかったもの
である。その他は第1実施例と同様である。
1実施例における第2金属伝熱層2を設けなかったもの
である。その他は第1実施例と同様である。
本例によれば、第2金属伝熱層2による熱放散効果が得
られない外は、第1実施例と同様の優れた効果を得るこ
とができる。
られない外は、第1実施例と同様の優れた効果を得るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3F図は第1実施例の電子部品搭載用基板を
示し、第1図はその断面図、第2図は第3F図のA−A
矢視断面図、第3A図〜第3F図は製造工程図、第4図
は第2実施例の電子部品搭載用基板の裏面図、第5図は
従来の電子部品搭載用基板の断面図である。 101.第1金属伝熱層 10、、、第1金属箔層 201.第2金属伝熱層 20、、、第2金属箔層。 301.絶縁基材。 31、 、 、金属張り絶縁基材。 33、、、プリプレグ 44.45.、、導体箔層。 698.メッキ溝 60、、、装着凹所。 6518.金属メッキ膜。 83.1.放熱板。 93、、、電子部品。 930、、、電子部品搭載用凹部。
示し、第1図はその断面図、第2図は第3F図のA−A
矢視断面図、第3A図〜第3F図は製造工程図、第4図
は第2実施例の電子部品搭載用基板の裏面図、第5図は
従来の電子部品搭載用基板の断面図である。 101.第1金属伝熱層 10、、、第1金属箔層 201.第2金属伝熱層 20、、、第2金属箔層。 301.絶縁基材。 31、 、 、金属張り絶縁基材。 33、、、プリプレグ 44.45.、、導体箔層。 698.メッキ溝 60、、、装着凹所。 6518.金属メッキ膜。 83.1.放熱板。 93、、、電子部品。 930、、、電子部品搭載用凹部。
Claims (4)
- (1)導体回路を設けた絶縁基材と,該絶縁基材に設け
た電子部品搭載用凹部及び該電子部品搭載用凹部の下側
に装着した放熱板とよりなり,また該放熱板の側面と絶
縁基材との間にはメッキ溝を有し,かつ上記電子部品搭
載用凹部の内面及びメッキ溝には金属メッキ膜を被覆し
てなる電子部品搭載用基板において, 上記絶縁基材の内部には金属伝熱層を配置し,該金属伝
熱層は上記電子部品搭載用凹部の金属メッキ膜に接続さ
れていることを特徴とする電子部品搭載用基板。 - (2)第1請求項において,金属伝熱層は,絶縁基材と
同じ平面形状を有し,また電子部品搭載用凹部の金属メ
ッキ膜の周囲に接続されていることを特徴とする電子部
品搭載用基板。 - (3)第1請求項において,金属伝熱層は絶縁基材に設
けた放熱用スルーホールに接続されていることを特徴と
する電子部品搭載用基板。 - (4)第1請求項において,絶縁基材はその内部に第1
金属伝熱層と第2金属伝熱層とを有し,第1金属伝熱層
は電子部品搭載用凹部の金属メッキ膜に,また第2金属
伝熱層はメッキ溝の金属メッキ膜にそれぞれ接続されて
いることを特徴とする電子部品搭載用基板。(5)上下
面に金属箔層を設けた金属張り絶縁基材を用い,該金属
張り絶縁基材の上下にそれぞれプリプレグ接着剤を介し
て導体箔層を接着して積層体を形成し,該積層体の裏側
に放熱板装着用の装着凹所をザグリ加工により形成する
と共に該装着凹所に放熱板を接合し, 次いで,積層体の表側より上記放熱板に向けて前記上面
の導体箔層及び金属箔層を貫通するザグリ加工を行って
電子部品搭載用凹部を形成し,次いでこれらの全表面に
金属メッキ膜を施し,上記電子部品搭載用凹部に形成さ
れた金属メッキ膜と前記上面の金属箔層とを接合すると
共に上記装着凹所に形成された金属メッキ膜と前記下面
の金属箔層とを接合することを特徴とする電子部品搭載
用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2264635A JPH04142068A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 電子部品搭載用基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2264635A JPH04142068A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 電子部品搭載用基板及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04142068A true JPH04142068A (ja) | 1992-05-15 |
Family
ID=17406090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2264635A Pending JPH04142068A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 電子部品搭載用基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04142068A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5650593A (en) * | 1994-05-26 | 1997-07-22 | Amkor Electronics, Inc. | Thermally enhanced chip carrier package |
JP2002190540A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
JP2002261403A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Kyocera Corp | 放熱板付配線基板およびこれを用いた電子装置 |
WO2012026418A1 (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-01 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置 |
JP2014175319A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波半導体モジュール |
-
1990
- 1990-10-01 JP JP2264635A patent/JPH04142068A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP5672305B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2015-02-18 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置 |
US9030005B2 (en) | 2010-08-27 | 2015-05-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2014175319A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波半導体モジュール |
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