JP7553192B2 - 原料供給装置及び原料供給方法 - Google Patents
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Description
本開示は、原料供給装置及び原料供給方法に関する。
固体原料を溶媒に溶解して処理室内にスプレー噴射した後、処理室内を加熱して溶媒を除去して固体原料を残留させ、続いて、処理室内を加熱して固体原料を昇華し、対応のガスを生成する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
本開示は、固体原料の昇華量の変動を抑制できる技術を提供する。
本開示の一態様による原料供給装置は、固体原料を分散媒に分散させた分散系から反応性ガスを生成する原料供給装置であって、前記分散系を貯留する容器と、前記容器内に前記分散系を注入する注入部と、前記容器内を排気する排気ポートと、前記容器内に設けられるフィルタであり、前記容器内を前記注入部が設けられる第１の領域と前記排気ポートが設けられる第２の領域とを含む複数の領域に区画するフィルタと、を有し、前記分散系は、スラリー又はコロイド溶液である。
本開示によれば、固体原料の昇華量の変動を抑制できる。
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
（原料供給システム）
図１を参照し、実施形態の原料供給システムについて説明する。図１は、実施形態の原料供給システムの一例を示す図である。
図１を参照し、実施形態の原料供給システムについて説明する。図１は、実施形態の原料供給システムの一例を示す図である。
原料供給システム１は、第１の固体原料を溶媒に溶解した溶液（以下単に「溶液」ともいう。）から溶媒を除去することで形成される第２の固体原料を昇華させて反応性ガスを生成し、生成した反応性ガスを用いて処理装置で成膜を行うシステムである。
第１の固体原料は、特に限定されないが、例えばストロンチウム（Ｓｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属元素を含有する有機金属錯体、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属元素を含有する塩化物であってよい。溶媒は、第１の固体原料を溶解して溶液を生成できればよく、例えばヘキサンであってよい。
原料供給システム１は、原料供給源１０、原料供給装置３０，４０、処理装置５０及び制御装置９０を備える。
原料供給源１０は、溶液Ｍ１を原料供給装置３０，４０に供給する。原料供給源１０は、例えばサブファブに配置される。本実施形態において、原料供給源１０は、タンク１１及びフロートセンサ１２を含む。タンク１１には、溶液Ｍ１が充填されている。フロートセンサ１２は、タンク１１内に充填された溶液Ｍ１の量を検知する。
原料供給源１０には、タンク１１の上方から配管Ｌ１の一端が挿入されている。配管Ｌ１の他端はキャリアガスの供給源Ｇ１と接続されており、供給源Ｇ１から配管Ｌ１を介してタンク１１内にキャリアガスが供給される。キャリアガスは、例えば窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスであってよい。配管Ｌ１には、バルブＶ１が介設されている。バルブＶ１を開くと供給源Ｇ１から原料供給源１０へキャリアガスが供給され、バルブＶ１を閉じると供給源Ｇ１から原料供給源１０へのキャリアガスの供給が遮断される。また、配管Ｌ１には、配管Ｌ１を流れるキャリアガスの流量を制御する流量制御器（図示せず）や追加のバルブ等が介設されていてもよい。
原料供給源１０は、配管Ｌ２，Ｌ３を介して原料供給装置３０と接続されており、配管Ｌ２，Ｌ３を介して原料供給装置３０に溶液Ｍ１を供給する。配管Ｌ２，Ｌ３には、夫々バルブＶ２，Ｖ３が介設されている。バルブＶ２，Ｖ３を開くと原料供給源１０から原料供給装置３０へ溶液Ｍ１が供給され、バルブＶ２，Ｖ３を閉じると原料供給源１０から原料供給装置３０への溶液Ｍ１の供給が遮断される。また、配管Ｌ３には、配管Ｌ３を流れる溶液Ｍ１の流量を制御する流量制御器（図示せず）や追加のバルブ等が介設されていてもよい。
また、原料供給源１０は、配管Ｌ２，Ｌ４を介して原料供給装置４０と接続されており、配管Ｌ２，Ｌ４を介して原料供給装置４０に溶液Ｍ１を供給する。配管Ｌ４には、バルブＶ４が介設されている。バルブＶ２，Ｖ４を開くと原料供給源１０から原料供給装置４０へ溶液Ｍ１が供給され、バルブＶ２，Ｖ４を閉じると原料供給源１０から原料供給装置４０への溶液Ｍ１の供給が遮断される。また、配管Ｌ４には、配管Ｌ４を流れる溶液Ｍ１の流量を制御する流量制御器（図示せず）や追加のバルブ等が介設されていてもよい。
原料供給装置３０は、原料供給源１０から輸送される溶液Ｍ１を貯留する。本実施形態において、原料供給装置３０は、容器３１、加熱部３２、圧力計３３及びフィルタ３４を含む。容器３１は、原料供給源１０から輸送される溶液Ｍ１を貯留する。加熱部３２は、溶液Ｍ１から溶媒を除去することにより形成された固体原料（以下「第２の固体原料Ｍ２」という。）を加熱することにより、第２の固体原料Ｍ２を昇華させて反応性ガスを生成する。加熱部３２は、例えば容器３１の底部及び外周を覆うように配置されたヒータであってよい。加熱部３２は、第２の固体原料Ｍ２を昇華させて反応性ガスを生成できる温度に容器３１内を加熱できるように構成される。圧力計３３は、容器３１の内圧を検出する。検出された容器３１の内圧は制御装置９０に送信され、制御装置９０は該内圧に基づいて各種のバルブの開閉を制御する。例えば、制御装置９０は、該内圧が所定の圧力よりも高くなった場合に、バルブＶ３を閉じることにより、容器３１に過剰な溶液Ｍ１が供給されないようにする。フィルタ３４は、容器３１内に略水平に設けられ、容器３１内を第１の領域３１ａ及び第２の領域３１ｂに区画する。第１の領域３１ａには、配管Ｌ３の先端が挿入されている。これにより、配管Ｌ３内が第１の領域３１ａと連通する。第２の領域３１ｂは、第１の領域３１ａの上方に位置する領域である。フィルタ３４は、反応性ガスを透過し、第２の固体原料Ｍ２及びパーティクル等の不純物を捕捉する材料により形成されていればよく、例えば多孔性材料により形成されている。多孔性材料は、例えばステンレス鋼の焼結体等の多孔性の金属材料、多孔性のセラミック材料であってよい。
原料供給装置３０には、容器３１の上方から配管Ｌ８の一端が挿入されている。配管Ｌ８の一端は、例えば第１の領域３１ａに挿入されている。これにより、配管Ｌ８内が第１の領域３１ａと連通する。ただし、配管Ｌ８の一端は、第２の領域３１ｂに挿入されていてもよい。配管Ｌ８の他端は配管Ｌ７を介してキャリアガスの供給源Ｇ７と接続されており、供給源Ｇ７から配管Ｌ７，Ｌ８を介して容器３１内にキャリアガスが供給される。キャリアガスは、例えばＮ２、Ａｒ等の不活性ガスであってよい。配管Ｌ８には、供給源Ｇ７の側から順にバルブＶ８ａ，Ｖ８ｂが介設されている。バルブＶ８ａ，Ｖ８ｂを開くと供給源Ｇ７から原料供給装置３０へキャリアガスが供給され、バルブＶ８ａ，Ｖ８ｂを閉じると供給源Ｇ７から原料供給装置３０へのキャリアガスの供給が遮断される。配管Ｌ７には、配管Ｌ７を流れるキャリアガスの流量を制御する流量制御器Ｆ７が介設されている。本実施形態において、流量制御器Ｆ７は、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）である。
原料供給装置３０は、配管Ｌ１０，Ｌ１２を介して処理装置５０と接続されており、配管Ｌ１０，Ｌ１２を介して処理装置５０に反応性ガスを供給する。配管Ｌ１０は、先端が容器３１内の第２の領域３１ｂに挿入されている。これにより、配管Ｌ１０内が第２の領域３１ｂと連通する。配管Ｌ１０には、原料供給装置３０の側から順にバルブＶ１０ａ～Ｖ１０ｃが介設されている。バルブＶ１０ａ～Ｖ１０ｃを開くと原料供給装置３０から処理装置５０へ反応性ガスが供給され、バルブＶ１０ａ～Ｖ１０ｃを閉じると原料供給装置３０から処理装置５０への反応性ガスの供給が遮断される。
配管Ｌ１０のバルブＶ１０ａとバルブＶ１０ｂとの間には、配管Ｌ１３の一端が接続されている。配管Ｌ１３の他端は、配管Ｌ８のバルブＶ８ａとバルブＶ８ｂとの間に接続されている。配管Ｌ１３は、配管Ｌ８と配管Ｌ１０とを原料供給装置３０を介さずに接続するバイパス配管として機能する。配管Ｌ１３には、バルブＶ１３が介設されている。バルブＶ１３を開くと配管Ｌ８と配管Ｌ１０とが連通し、バルブＶ１３を閉じると配管Ｌ８と配管Ｌ１０との連通が遮断される。
配管Ｌ１０のバルブＶ１０ｂとバルブＶ１０ｃとの間には、配管Ｌ１４の一端が接続されている。配管Ｌ１４の他端は、例えば真空ポンプ等の排気装置Ｅ１に接続されている。配管Ｌ１４には、バルブＶ１４が介設されている。バルブＶ１０ａ，Ｖ１０ｂが開いた状態でバルブＶ１４を開くと、容器３１内が排気され、容器３１内に貯留された溶液Ｍ１から溶媒を除去できる。バルブＶ１４を閉じると、容器３１内に貯留された溶液Ｍ１からの溶媒の除去を停止できる。
原料供給装置４０は、原料供給源１０から輸送される溶液Ｍ１を貯留する。原料供給装置４０は、原料供給装置３０と並列に設けられている。本実施形態において、原料供給装置４０は、容器４１、加熱部４２、圧力計４３及びフィルタ４４を含む。容器４１は、原料供給源１０から輸送される溶液Ｍ１を貯留する。加熱部４２は、溶液Ｍ１から溶媒を除去することにより形成された第２の固体原料Ｍ２を加熱することにより、第２の固体原料Ｍ２を昇華させて反応性ガスを生成する。加熱部４２は、例えば容器４１の底部及び外周を覆うように配置されたヒータであってよい。加熱部４２は、第２の固体原料Ｍ２を昇華させて反応性ガスを生成できる温度に容器４１内を加熱できるように構成される。圧力計４３は、容器４１の内圧を検出する。検出された容器４１の内圧は制御装置９０に送信され、制御装置９０は該内圧に基づいて各種のバルブの開閉を制御する。例えば、制御装置９０は、該内圧が所定の圧力よりも高くなった場合に、バルブＶ４を閉じることにより、容器４１に過剰な溶液Ｍ１が供給されないようにする。フィルタ４４は、容器４１内に略水平に設けられ、容器４１内を第１の領域４１ａ及び第２の領域４１ｂに区画する。第１の領域４１ａには、配管Ｌ４の先端が挿入されている。これにより、配管Ｌ４内が第１の領域４１ａと連通する。第２の領域４１ｂは、第１の領域４１ａの上方に位置する領域である。フィルタ４４は、例えばフィルタ３４と同じ材料により形成されている。
原料供給装置４０には、容器４１の上方から配管Ｌ９の一端が挿入されている。配管Ｌ９の一端は、第１の領域４１ａに挿入されている。これにより、配管Ｌ９内が第１の領域４１ａと連通する。ただし、配管Ｌ９の一端は、第２の領域４１ｂに挿入されていてもよい。配管Ｌ９の他端は配管Ｌ７を介してキャリアガスの供給源Ｇ７と接続されており、供給源Ｇ７から配管Ｌ７，Ｌ９を介して容器４１内にキャリアガスが供給される。キャリアガスは、例えばＮ２、Ａｒ等の不活性ガスであってよい。配管Ｌ９には、供給源Ｇ７の側から順にバルブＶ９ａ，Ｖ９ｂが介設されている。バルブＶ９ａ，Ｖ９ｂを開くと供給源Ｇ７から原料供給装置４０へキャリアガスが供給され、バルブＶ９ａ，Ｖ９ｂを閉じると供給源Ｇ７から原料供給装置４０へのキャリアガスの供給が遮断される。
原料供給装置４０は、配管Ｌ１１，Ｌ１２を介して処理装置５０と接続されており、配管Ｌ１１，Ｌ１２を介して処理装置５０に反応性ガスを供給する。配管Ｌ１１は、先端が容器４１内の第２の領域４１ｂに挿入されている。これにより、配管Ｌ１１内が第２の領域４１ｂと連通する。配管Ｌ１１には、バルブＶ１１ａ～Ｖ１１ｃが介設されている。バルブＶ１１ａ～Ｖ１１ｃを開くと原料供給装置４０から処理装置５０へ反応性ガスが供給され、バルブＶ１１ａ～Ｖ１１ｃを閉じると原料供給装置４０から処理装置５０への反応性ガスの供給が遮断される。
配管Ｌ１１のバルブＶ１１ａとバルブＶ１１ｂとの間には、配管Ｌ１５の一端が接続されている。配管Ｌ１５の他端は、配管Ｌ９のバルブＶ９ａとバルブＶ９ｂとの間に接続されている。配管Ｌ１５は、配管Ｌ９と配管Ｌ１１とを原料供給装置４０を介さずに接続するバイパス配管として機能する。配管Ｌ１５には、バルブＶ１５が介設されている。バルブＶ１５を開くと配管Ｌ９と配管Ｌ１１とが連通し、バルブＶ１５を閉じると配管Ｌ９と配管Ｌ１１との連通が遮断される。
配管Ｌ１１のバルブＶ１１ｂとバルブＶ１１ｃとの間には、配管Ｌ１６の一端が接続されている。配管Ｌ１６の他端は、例えば真空ポンプ等の排気装置Ｅ２に接続されている。配管Ｌ１６には、バルブＶ１６が介設されている。バルブＶ１１ａ，Ｖ１１ｂが開いた状態でバルブＶ１６を開くと、容器４１内が排気され、容器４１内に貯留された溶液Ｍ１から溶媒を除去できる。バルブＶ１６を閉じると、容器４１内に貯留された溶液Ｍ１からの溶媒の除去を停止できる。
処理装置５０は、配管Ｌ１０，Ｌ１２を介して原料供給装置３０と接続されており、処理装置５０には原料供給装置３０において第２の固体原料Ｍ２を加熱して昇華させることで生成される反応性ガスが供給される。また、処理装置５０は、配管Ｌ１１，Ｌ１２を介して原料供給装置４０と接続されており、処理装置５０には原料供給装置４０において第２の固体原料Ｍ２を加熱して昇華させることで生成される反応性ガスが供給される。
処理装置５０は、原料供給装置３０，４０から供給される反応性ガスを用いて半導体ウエハ等の基板に対し、成膜処理等の各種の処理を実行する。本実施形態において、処理装置５０は、処理容器５１、流量計５２、貯留タンク５３、圧力センサ５４及びバルブＶ１２を含む。処理容器５１は、１又は複数の基板を収容する。本実施形態において、流量計５２はマスフローメータ（ＭＦＭ）である。流量計５２は、配管Ｌ１２に介設されており、配管Ｌ１２を流れる反応性ガスの流量を測定する。貯留タンク５３は、反応性ガスを一時的に貯留する。貯留タンク５３が設けられていることにより、処理容器５１内に短時間で大流量の反応性ガスを供給できる。貯留タンク５３は、バッファタンク、フィルタンクとも称される。圧力センサ５４は、貯留タンク５３内の圧力を検出する。圧力センサ５４は、例えばキャパシタンスマノメータである。バルブＶ１２は、配管Ｌ１２に介設されている。バルブＶ１２を開くと原料供給装置３０，４０から処理容器５１へ反応性ガスが供給され、バルブＶ１２を閉じると原料供給装置３０，４０から処理容器５１への反応性ガスの供給が遮断される。
制御装置９０は、原料供給システム１の各部を制御する。例えば、制御装置９０は、原料供給源１０、原料供給装置３０，４０、処理装置５０等の動作を制御する。また、制御装置９０は、各種のバルブの開閉を制御する。制御装置９０は、例えばコンピュータであってよい。
（原料供給システムの動作）
図２及び図３を参照し、原料供給システム１の動作（原料供給方法）の一例について説明する。原料供給システム１では、制御装置９０が各種のバルブの開閉を制御することで、並列に設けられた２つの原料供給装置３０，４０のうちの一方で処理装置５０への反応性ガスの供給を行い、他方で固体原料の充填を行う。以下、原料供給システム１の動作の一例について具体的に説明する。
図２及び図３を参照し、原料供給システム１の動作（原料供給方法）の一例について説明する。原料供給システム１では、制御装置９０が各種のバルブの開閉を制御することで、並列に設けられた２つの原料供給装置３０，４０のうちの一方で処理装置５０への反応性ガスの供給を行い、他方で固体原料の充填を行う。以下、原料供給システム１の動作の一例について具体的に説明する。
まず、図２を参照し、原料供給装置３０で処理装置５０への反応性ガスの供給を行い、原料供給装置４０で固体原料の充填を行う場合について説明する。図２は、図１の原料供給システム１の動作を説明するための図である。図２では、キャリアガス、溶液Ｍ１及び反応性ガスが流れている配管を太い実線で示し、キャリアガス、溶液Ｍ１及び反応性ガスが流れていない配管を細い実線で示す。また、図２では、バルブが開いた状態を白抜きの記号で示し、バルブが閉じた状態を黒塗りの記号で示す。なお、原料供給システム１は、初期状態において、図１に示されるように、全てのバルブが閉じられているものとし、原料供給装置３０には第２の固体原料Ｍ２が貯留されているものとして説明する。
制御装置９０は、原料供給装置３０の加熱部３２を制御して、容器３１内の第２の固体原料Ｍ２を加熱して昇華させることで反応性ガスを生成する（昇華工程）。また、制御装置９０は、バルブＶ８ａ，Ｖ８ｂ，Ｖ１０ａ～Ｖ１０ｃ，Ｖ１２を開く。これにより、供給源Ｇ７から配管Ｌ７，Ｌ８を介して原料供給装置３０の容器３１内にキャリアガスが注入され、キャリアガスと共に容器３１内で生成された反応性ガスが配管Ｌ１０，Ｌ１２を介して処理容器５１に供給される。
また、制御装置９０は、図２に示されるように、バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ４を開く。これにより、供給源Ｇ１から原料供給源１０にキャリアガスが供給され、原料供給源１０から配管Ｌ２，Ｌ４を介して原料供給装置４０に溶液Ｍ１が輸送される。これにより、原料供給装置４０の容器４１内に溶液Ｍ１が貯留される（充填工程）。
続いて、制御装置９０は、バルブＶ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１６を開く。これにより、原料供給装置４０の容器４１内が排気装置Ｅ２により排気されるので、容器４１内の溶液Ｍ１から溶媒が除去され、容器４１内に第２の固体原料Ｍ２が形成される（乾燥工程）。例えば、制御装置９０は、フロートセンサ１２の検出値に基づいて、容器４１内に所定量の溶液Ｍ１が貯留されたか否かを判定し、容器４１内に所定量の溶液Ｍ１が貯留されたと判定すると、バルブＶ１１ａ，Ｖ１１ｂ，Ｖ１６を開く。所定量は、例えば原料供給装置４０の容器４１内に貯留可能な量に設定される。なお、容器４１内の溶液Ｍ１から溶媒を除去する際には、制御装置９０は、加熱部４２を制御して、容器４１内の溶液Ｍ１を所定の温度に加熱することが好ましい。これにより、溶媒の除去が促進される。所定の温度は、例えば第２の固体原料Ｍ２を昇華させて反応性ガスを生成するときの温度よりも低く設定される。なお、図２には、容器４１内の溶液Ｍ１から溶媒が除去される前の状態を示している。
次に、図３を参照し、原料供給装置４０で処理装置５０への反応性ガスの供給を行い、原料供給装置３０で固体原料の充填を行う場合について説明する。図３は、図１の原料供給システム１の動作を説明するための図である。図３では、キャリアガス、溶液Ｍ１及び反応性ガスが流れている配管を太い実線で示し、キャリアガス、溶液Ｍ１及び反応性ガスが流れていない配管を細い実線で示す。また、図３では、バルブが開いた状態を白抜きの記号で示し、バルブが閉じた状態を黒塗りの記号で示す。なお、原料供給システム１は、初期状態において、図１に示されるように、全てのバルブが閉じられているものとする。また、図３に示されるように、原料供給装置４０には第２の固体原料Ｍ２が貯留されているものとして説明する。
制御装置９０は、原料供給装置４０の加熱部４２を制御して、容器４１内の第２の固体原料Ｍ２を加熱して昇華させることで反応性ガスを生成する（昇華工程）。また、制御装置９０は、バルブＶ９ａ，Ｖ９ｂ，Ｖ１１ａ～Ｖ１１ｃ，Ｖ１２を開く。これにより、供給源Ｇ７から配管Ｌ７，Ｌ９を介して原料供給装置４０の容器４１内にキャリアガスが注入され、キャリアガスと共に容器４１内で生成された反応性ガスが配管Ｌ１１，Ｌ１２を介して処理容器５１に供給される。
また、制御装置９０は、図３に示されるように、バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３を開く。これにより、供給源Ｇ１から原料供給源１０にキャリアガスが供給され、原料供給源１０から配管Ｌ２，Ｌ３を介して原料供給装置３０に溶液Ｍ１が輸送される。これにより、原料供給装置３０の容器３１内に溶液Ｍ１が貯留される（充填工程）。
続いて、制御装置９０は、バルブＶ１０ａ，Ｖ１０ｂ，Ｖ１４を開く。これにより、原料供給装置３０の容器３１内が排気装置Ｅ１により排気されるので、容器３１内の溶液Ｍ１から溶媒が除去され、容器３１内に第２の固体原料Ｍ２が形成される（乾燥工程）。例えば、制御装置９０は、フロートセンサ１２の検出値に基づいて、容器３１内に所定量の溶液Ｍ１が貯留されたか否かを判定し、容器３１内に所定量の溶液Ｍ１が貯留されたと判定すると、バルブＶ１０ａ，Ｖ１０ｂ，Ｖ１４を開く。所定量は、例えば原料供給装置３０の容器３１内に貯留可能な量に設定される。なお、容器３１内の溶液Ｍ１から溶媒を除去する際には、制御装置９０は、加熱部３２を制御して、容器３１内の溶液Ｍ１を所定の温度に加熱することが好ましい。これにより、溶媒の除去が促進される。所定の温度は、例えば第２の固体原料Ｍ２を昇華させて反応性ガスを生成するときの温度よりも低く設定される。なお、図３には、容器３１内の溶液Ｍ１から溶媒が除去される前の状態を示している。
以上に説明したように、原料供給システム１によれば、制御装置９０がバルブの開閉を制御することで、２つの原料供給装置３０，４０のうちの一方で処理装置５０への反応性ガスの供給を行い、他方で固体原料の充填を行う。これにより、原料供給装置３０，４０への原料の自動補充が可能となり、処理装置５０の連続運転能力を向上させ、処理装置５０の稼働率を向上させることができる。
（作用・効果）
図４～９を参照し、実施形態の原料供給装置３０，４０の作用・効果について、原料供給装置３０を例に挙げて説明する。なお、原料供給装置４０についても原料供給装置３０と同様である。
図４～９を参照し、実施形態の原料供給装置３０，４０の作用・効果について、原料供給装置３０を例に挙げて説明する。なお、原料供給装置４０についても原料供給装置３０と同様である。
図４及び図５は、充填工程を説明するための図である。図４に示されるように、充填工程では、配管Ｌ３の先端から容器３１内に溶液Ｍ１を充填する際に飛沫Ｐ１が発生する場合がある。例えば、例えば容器３１内の圧力が高い場合には飛沫Ｐ１が発生しやすい。これに対し、図５に示されるように、実施形態の原料供給装置３０は、容器３１内を第１の領域３１ａ及び第２の領域３１ｂに区画するフィルタ３４を有する。これにより、第１の領域３１ａに挿入された配管Ｌ３の先端から容器３１内に溶液Ｍ１を充填する際、フィルタ３４により飛沫が発生することを抑制できる。
図６及び図７は、乾燥工程を説明するための図である。図６に示されるように、乾燥工程では、溶液Ｍ１から溶媒が除去される際に溶媒が沸騰する場合がある。溶媒が沸騰すると、第２の固体原料Ｍ２が広範囲に飛散する。そのため、第２の固体原料Ｍ２がバルブＶ１０ａに噛み込んで内部リークが発生する場合がある。また、第２の固体原料Ｍ２が容器３１の内壁の広範囲に付着し、昇華工程において第２の固体原料Ｍ２を昇華させる際に第２の固体原料Ｍ２の昇華量が不安定になる場合がある。これに対し、図７に示されるように、実施形態の原料供給装置３０は、容器３１内を第１の領域３１ａ及び第２の領域３１ｂに区画するフィルタ３４を有する。これにより、溶媒が沸騰した場合であっても、第２の固体原料Ｍ２がバルブＶ１０ａに飛散することを抑制できる。そのため、バルブＶ１０ａにおいて内部リークが発生することを抑制できる。
図８及び図９は、昇華工程を説明するための図である。図８に示されるように、昇華工程の初期段階では、容器３１の内壁の広範囲に付着した第２の固体原料Ｍ２及び容器３１の底部に堆積した第２の固体原料Ｍ２が昇華する。そのため、昇華量が多くなる。そして、昇華工程の途中段階では、容器３１の内壁に付着した第２の固体原料Ｍ２がなくなり、容器３１の底部に堆積した第２の固体原料Ｍ２の昇華のみとなる。そのため、初期段階に比べて昇華量が減少する。このように、容器３１の内壁の広範囲に第２の固体原料Ｍ２が付着していると、昇華工程における昇華量の変動が大きくなる。そのため、昇華工程において反応性ガスの供給流量が不安定になる。これに対し、図９に示されるように、実施形態の原料供給装置３０は、容器３１内を第１の領域３１ａ及び第２の領域３１ｂに区画するフィルタ３４を有する。これにより、乾燥工程における第２の固体原料Ｍ２の付着範囲が狭くなるため、昇華工程の初期段階と途中段階とにおいて昇華量の差が小さくなる。すなわち、昇華工程における昇華量の変動を抑制できる。そのため、昇華工程において反応性ガスを安定供給できる。
なお、上記の実施形態において、配管Ｌ３，Ｌ４は注入部の一例であり、配管Ｌ１０，Ｌ１１は排気ポートの一例であり、制御装置９０は制御部の一例である。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
上記の実施形態では、原料供給システム１が並列に設けられた２つの原料供給装置３０，４０を有する場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、原料供給装置は、１つであってもよく、３つ以上が並列に設けられていてもよい。ただし、溶液Ｍ１の充填に伴うダウンタイムをなくすという観点から、原料供給装置は２つ以上であることが好ましい。
上記の実施形態では、溶液Ｍ１から溶媒を除去することで形成される第２の固体原料Ｍ２を昇華させて反応性ガスを生成し、生成した反応性ガスを用いて処理装置５０で成膜を行うシステムを説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、溶液Ｍ１に代えて、第１の固体原料を分散媒に分散させたスラリー（slurry）、第１の固体原料を分散媒に分散させたコロイド溶液（colloidal solution）等の分散系（dispersion）を用いることもできる。例えば、コロイド溶液を用いることにより、溶液Ｍ１やスラリーを用いるよりも高濃度なプリカーサを充填できる。分散系（dispersion）は、下位概念としてスラリー（slurry）とコロイド（colloid）を含む。スラリーは、懸濁液（suspension）とも称される。コロイド（colloid）は下位概念としてコロイド溶液（colloidal solution）を含む。コロイド溶液は、ゾル（sol）とも称される。
３０，４０ 原料供給装置
３１，４１ 容器
３１ａ，４１ａ 第１の領域
３１ｂ，４１ｂ 第２の領域
３２，４２ 加熱部
３４，４４ フィルタ
５０ 処理装置
Ｅ１，Ｅ２ 排気装置
Ｌ３，Ｌ４ 配管
Ｌ１０，Ｌ１１ 配管
３１，４１ 容器
３１ａ，４１ａ 第１の領域
３１ｂ，４１ｂ 第２の領域
３２，４２ 加熱部
３４，４４ フィルタ
５０ 処理装置
Ｅ１，Ｅ２ 排気装置
Ｌ３，Ｌ４ 配管
Ｌ１０，Ｌ１１ 配管
Claims (8)
- 固体原料を分散媒に分散させた分散系から反応性ガスを生成する原料供給装置であって、
前記分散系を貯留する容器と、
前記容器内に前記分散系を注入する注入部と、
前記容器内を排気する排気ポートと、
前記容器内に設けられるフィルタであり、前記容器内を前記注入部が設けられる第１の領域と前記排気ポートが設けられる第２の領域とを含む複数の領域に区画するフィルタと、
を有し、
前記分散系は、スラリー又はコロイド溶液である、
原料供給装置。 - 前記フィルタは、前記容器内に略水平に設けられている、
請求項１に記載の原料供給装置。 - 前記フィルタは、多孔性材料により形成されている、
請求項１又は２に記載の原料供給装置。 - 前記第２の領域は、前記第１の領域よりも上方に位置する、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の原料供給装置。 - 前記排気ポートは、処理装置に接続されている、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の原料供給装置。 - 前記排気ポートは、前記容器内を排気する排気装置に接続されている、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の原料供給装置。 - 前記容器を加熱する加熱部を更に有する、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の原料供給装置。 - 容器内でフィルタにより区画された第１の領域に、第１の固体原料を溶媒に溶解した溶液又は第１の固体原料を分散媒に分散させた分散系を注入する工程と、
前記第１の領域に注入された前記溶液又は前記分散系から前記溶媒又は前記分散媒を除去することにより第２の固体原料を形成する工程と、
前記第２の固体原料を加熱して昇華させることにより反応性ガスを生成し、該反応性ガスを前記容器内で前記フィルタにより区画された第２の領域から処理装置に供給する工程と、
を有する、原料供給方法。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005256107A (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Nara Institute Of Science & Technology | 有機金属化学気相堆積装置用原料気化器 |
| JP2007162139A (ja) | 2002-07-10 | 2007-06-28 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及びこれに使用する原料供給装置 |
| JP2012136743A (ja) | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2015190035A (ja) | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給機構およびガス供給方法、ならびにそれを用いた成膜装置および成膜方法 |
| JP2016084526A (ja) | 2014-10-28 | 2016-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び成膜装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01318229A (ja) * | 1988-06-20 | 1989-12-22 | Toshiba Corp | 半導体気相成長装置 |
| JPH0726364Y2 (ja) * | 1989-06-23 | 1995-06-14 | 日本酸素株式会社 | 気相成長装置用の固形原料供給装置 |
| JPH05335243A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | 液体バブリング装置 |
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| JP4911555B2 (ja) * | 2005-04-07 | 2012-04-04 | 国立大学法人東北大学 | 成膜装置および成膜方法 |
| CN101268210A (zh) * | 2005-09-20 | 2008-09-17 | 国立大学法人东北大学 | 成膜装置、蒸发夹具及测定方法 |
| JP4972657B2 (ja) * | 2009-02-02 | 2012-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化器及び成膜装置 |
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| JP2005256107A (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Nara Institute Of Science & Technology | 有機金属化学気相堆積装置用原料気化器 |
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