JP7485972B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7485972B2 JP7485972B2 JP2022072565A JP2022072565A JP7485972B2 JP 7485972 B2 JP7485972 B2 JP 7485972B2 JP 2022072565 A JP2022072565 A JP 2022072565A JP 2022072565 A JP2022072565 A JP 2022072565A JP 7485972 B2 JP7485972 B2 JP 7485972B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support
- support medium
- light
- semiconductor
- assembly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 225
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 63
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 17
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 7
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 6
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003373 AgInS2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 description 1
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
まず、複数の半導体構造体および第1支持体を含む第1集合体を準備する(図1のステップS1)。図2に示す第1集合体100は、第1支持体110と、第1支持体110の上面110aに配置された複数の半導体構造体120とを含む。なお、図2には、説明の便宜のために、互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印をあわせて図示している。本開示の他の図面においてもこれらの方向を示す矢印を図示することがある。
次に、第1集合体100の半導体構造体120を液体の支持媒体に浸漬させる(図1のステップS2)。例えば、図3に示すように、上面300aを有する支持部材300を準備し、支持部材300の上面300a上に液体の支持媒体140を配置する。
第1支持体110中の複数の半導体構造体120を液体の支持媒体140に浸漬させた後、半導体構造体120を液体の支持媒体140に浸漬させた状態で、冷却によって支持媒体140を固化させる(図1のステップS3)。上述したように、複数の半導体構造体120のそれぞれは、少なくとも電極20の下面20bが第1支持体110に固定された状態にある。そのため、支持媒体140の固化によって支持媒体140の体積が変化しても、第1支持体110上の複数の半導体構造体120のX方向およびY方向における配置が大きく変わることを抑制できる。
支持媒体140の固化後、第1集合体100から第1支持体110を分離する。第1集合体100からの第1支持体110の分離により、固化された支持媒体140と、複数の半導体構造体120とを含む第2集合体200が得られる(図1のステップS4)。
次に、図6に示すように、複数の半導体構造体120を実装するための配線基板400を準備する。配線基板400は、少なくともその上面400aに所定の配線410を有する。配線基板400は、片面基板および両面基板のいずれであってもよい。配線基板400の典型例は、フレキシブルプリント基板(FPC基板)またはガラスエポキシ基板である。配線基板400は、購入によって準備されてもよい。
その後、接合部材40により複数の半導体構造体120を配線基板400に接合する(図1のステップS6)。この接合の工程は、第2集合体200からの支持媒体140の除去の工程を含み得る。ここでは、図9に模式的に示すように、第2集合体200の上面200a側に圧盤(押さえ板)600を配置している。
透光性部材34は、発光素子32の上面32a上と、側面32cの少なくとも一部上とに位置する。発光素子32が複数の側面32cを有する場合、透光性部材34は、各側面32c(例えば4つの側面32cのそれぞれ)の一部または全部を覆う。
それぞれが下面を有する複数の半導体構造体、および、前記複数の半導体構造体を前記下面側から支持する第1支持体を含む第1集合体であって、各半導体構造体は、前記下面に設けられた電極を有する第1集合体を準備する工程(A)と、
前記第1集合体の前記複数の半導体構造体を液体の支持媒体に浸漬させる工程(B)と、
前記第1集合体の前記複数の半導体構造体を液体の前記支持媒体に浸漬させた状態で、冷却により前記支持媒体を固化させる工程(C)と、
前記第1集合体から前記第1支持体を分離することにより、固化された前記支持媒体から前記電極の下面を露出させ、前記支持媒体および前記複数の半導体構造体を含む第2集合体を得る工程(D)と、
前記第2集合体の前記複数の半導体構造体の前記電極の前記下面を、配線基板上の接合部材に接触させる工程(E)と、
前記接合部材により前記複数の半導体構造体を前記配線基板に接合する工程(F)と
を含む、半導体装置の製造方法。
前記工程(E)と前記工程(F)との間に、前記第2集合体から前記支持媒体を除去する工程(G)をさらに備える、項1に記載の半導体装置の製造方法。
前記工程(F)の後に、前記第2集合体から前記支持媒体を除去する工程(G)をさらに備える、項1に記載の半導体装置の製造方法。
前記工程(G)は、1気圧よりも低い気圧下で実行される、項2または3に記載の半導体装置の製造方法。
前記工程(E)および前記工程(F)は、1気圧よりも低い気圧下で実行される、項4に記載の半導体装置の製造方法。
前記工程(G)は、昇華により前記支持媒体を除去する工程を含む、項2から5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
前記工程(D)と前記工程(E)との間に、前記電極の前記下面から酸化膜を除去する工程(E1)をさらに備える、項1から6のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
前記工程(E)の前に、
前記配線基板の所定の箇所に前記接合部材を配置する工程(E2)と、
前記接合部材の配置後に前記接合部材の表面から酸化膜を除去する工程(E3)と
をさらに備える、項1から7のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
前記工程(B)は、上面を有する支持部材上に配置された液体の前記支持媒体に、前記第1集合体の前記複数の半導体構造体を浸漬させる工程を含み、
前記工程(C)は、前記支持部材の前記上面上の前記支持媒体を冷却し、前記支持媒体を固化させる工程を含み、
前記工程(D)は、前記支持部材上に固定された固化された前記支持媒体から前記電極の前記下面を露出させる工程を含む、項1から8のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
前記工程(B)において、液体の前記支持媒体と前記支持部材との間にシートが介在されており、
前記工程(C)と前記工程(E)との間に、前記シートから前記第2集合体を分離する工程(H)をさらに備える、項9に記載の半導体装置の製造方法。
前記複数の前記半導体構造体のそれぞれは、少なくとも発光素子を含んでいる、項1から10のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
Claims (13)
- それぞれが下面を有する複数の半導体構造体、および、前記複数の半導体構造体を前記下面側から支持する第1支持体を含む第1集合体であって、各半導体構造体は、前記下面に設けられた電極を有する第1集合体を準備する工程(A)と、
前記第1集合体の前記複数の半導体構造体を液体の支持媒体に浸漬させる工程(B)と、
前記第1集合体の前記複数の半導体構造体を液体の前記支持媒体に浸漬させた状態で、冷却により前記支持媒体を固化させる工程(C)と、
前記第1集合体から前記第1支持体を分離することにより、固化された前記支持媒体から前記電極の下面を露出させ、前記支持媒体および前記複数の半導体構造体を含む第2集合体を得る工程(D)と、
前記第2集合体の前記複数の半導体構造体の前記電極の前記下面を、配線基板上の接合部材に接触させる工程(E)と、
前記接合部材により前記複数の半導体構造体を前記配線基板に接合する工程(F)と
を含む、半導体装置の製造方法。 - 前記工程(E)と前記工程(F)との間に、前記第2集合体から前記支持媒体を除去する工程(G)をさらに備える、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(F)の後に、前記第2集合体から前記支持媒体を除去する工程(G)をさらに備える、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(G)は、1気圧よりも低い気圧下で実行される、請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(G)は、1気圧よりも低い気圧下で実行される、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(E)および前記工程(F)は、1気圧よりも低い気圧下で実行される、請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(E)および前記工程(F)は、1気圧よりも低い気圧下で実行される、請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(G)は、昇華により前記支持媒体を除去する工程を含む、請求項2から7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(D)と前記工程(E)との間に、前記電極の前記下面から酸化膜を除去する工程(E1)をさらに備える、請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(E)の前に、
前記配線基板の所定の箇所に前記接合部材を配置する工程(E2)と、
前記接合部材の配置後に前記接合部材の表面から酸化膜を除去する工程(E3)と
をさらに備える、請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(B)は、上面を有する支持部材上に配置された液体の前記支持媒体に、前記第1集合体の前記複数の半導体構造体を浸漬させる工程を含み、
前記工程(C)は、前記支持部材の前記上面上の前記支持媒体を冷却し、前記支持媒体を固化させる工程を含み、
前記工程(D)は、前記支持部材上に固定された固化された前記支持媒体から前記電極の前記下面を露出させる工程を含む、請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(B)において、液体の前記支持媒体と前記支持部材との間にシートが介在されており、
前記工程(C)と前記工程(E)との間に、前記シートから前記第2集合体を分離する工程(H)をさらに備える、請求項11に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記複数の前記半導体構造体のそれぞれは、少なくとも発光素子を含んでいる、請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022072565A JP7485972B2 (ja) | 2022-04-26 | 2022-04-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022072565A JP7485972B2 (ja) | 2022-04-26 | 2022-04-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023161917A JP2023161917A (ja) | 2023-11-08 |
JP7485972B2 true JP7485972B2 (ja) | 2024-05-17 |
Family
ID=88650552
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022072565A Active JP7485972B2 (ja) | 2022-04-26 | 2022-04-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7485972B2 (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009070880A (ja) | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2011096929A (ja) | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP2012204768A (ja) | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Panasonic Corp | 発光素子搭載基板の製造方法 |
JP2013247194A (ja) | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Ps4 Luxco S A R L | 半導体装置の製造方法 |
JP5559739B2 (ja) | 2010-05-13 | 2014-07-23 | コーニング インコーポレイテッド | ガラスシート製造方法 |
JP2019536264A (ja) | 2016-10-28 | 2019-12-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 半導体チップの転写方法および転写ツール |
JP2020150202A (ja) | 2019-03-15 | 2020-09-17 | キオクシア株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2021110875A (ja) | 2020-01-14 | 2021-08-02 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co., Ltd. | ディスプレイ装置の製造方法、ディスプレイ装置、およびディスプレイ装置製造用中間体 |
-
2022
- 2022-04-26 JP JP2022072565A patent/JP7485972B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009070880A (ja) | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2011096929A (ja) | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP5559739B2 (ja) | 2010-05-13 | 2014-07-23 | コーニング インコーポレイテッド | ガラスシート製造方法 |
JP2012204768A (ja) | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Panasonic Corp | 発光素子搭載基板の製造方法 |
JP2013247194A (ja) | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Ps4 Luxco S A R L | 半導体装置の製造方法 |
JP2019536264A (ja) | 2016-10-28 | 2019-12-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 半導体チップの転写方法および転写ツール |
JP2020150202A (ja) | 2019-03-15 | 2020-09-17 | キオクシア株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2021110875A (ja) | 2020-01-14 | 2021-08-02 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co., Ltd. | ディスプレイ装置の製造方法、ディスプレイ装置、およびディスプレイ装置製造用中間体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023161917A (ja) | 2023-11-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10283670B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
TWI706579B (zh) | 發光裝置及其製作方法 | |
JP4279388B2 (ja) | 光半導体装置及びその形成方法 | |
JP5537446B2 (ja) | 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法 | |
KR101158242B1 (ko) | 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법 | |
EP1769541B1 (en) | Semiconductor light-emitting device, lighting module, lighting device and method for manufacturing semiconductor light-emitting device | |
JP5657591B2 (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
US9660161B2 (en) | Light emitting diode (LED) components including contact expansion frame | |
JP2019110338A (ja) | 光学エレメントとリフレクタを用いた発光デバイス | |
US20150303355A1 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same | |
WO2013137356A1 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
KR101092063B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 | |
JP2011501428A (ja) | 基板リフトオフに関する強固なled構造 | |
JP6550768B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
TW201442301A (zh) | 無基台之發光二極體(led)元件及其製造方法 | |
JP6107060B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2016127052A (ja) | 発光装置及びその実装方法、並びに光源装置の製造方法 | |
KR20120057656A (ko) | 발광 다이오드용 금속 기판, 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
JP5347681B2 (ja) | 発光装置 | |
TWI237407B (en) | Light emitting diode having an adhesive layer and manufacturing method thereof | |
JP7485972B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4529599B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
KR100856233B1 (ko) | 고출력 발광장치 및 그 제조방법 | |
US11227983B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device | |
US20230420284A1 (en) | Method for manufacturing light-emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230522 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240402 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240415 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7485972 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |