JP7478336B1 - 複合モジュールユニット - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、第1実施形態にかかる複合モジュールユニット10aを例示する模式的分解斜視図である。図2は、複合モジュールユニット10aの模式的断面図であり、図1において、複合モジュールユニット10aを積層方向(Y方向)に切断した断面を示す。図1および図2の複合モジュールユニット10aは、第1の配線基板1a、第1のパワー素子内蔵基板2a、第1の放熱部材3a、第2の配線基板1b、第2のパワー素子内蔵基板2b、および第2の放熱部材3bがこの順に積層されている。第1の配線基板1a、第1のパワー素子内蔵基板2aおよび第1の放熱部材3aが第1のパワーモジュールユニットを、第2の配線基板1b、第2のパワー素子内蔵基板2b、および第2の放熱部材3bが、第2のモジュールユニットを構成している。なお、図1には図示を省略しているが、前記放熱部材3aと前記パワー素子内蔵基板2aとの間、前記放熱部材3bと前記パワー素子内蔵基板2bとの間には、絶縁部材4aおよび4bがそれぞれ配置されていてもよい。本開示の複合モジュールユニットにおいては、絶縁部材4aおよび4bは必須ではなく、前記放熱部材3aと前記パワー素子内蔵基板2aの少なくとも一部、前記放熱部材3bと前記パワー素子内蔵基板2bの少なくとも一部とが、それぞれ直接接触していてもよい。
前記第1の配線基板1aおよび/または前記第2の配線基板1b(以下、まとめて単に「配線基板」ともいう。)は、誘電体基板であってもよいし、多層誘電体基板であってもよい。また、前記配線基板は、上面および/または内層に信号導体パターン(図示しない)が配線されたものである。また、図示しないが、配線基板1aは、実装基板との電気的接続をとるための実装基板側のコネクタに接続するための電極パターンや、電極ピンを有していてもよい。さらに、配線基板1aには、パワー素子以外の回路部品(例えば、コンデンサなどの受動部品)が実装されていてもよい。
前記第1のパワー素子内蔵基板2aおよび/または前記第2のパワー素子内蔵基板2b(以下、まとめて単に「パワー素子内蔵基板」ともいう。)は、例えば、電力変換回路の一部を構成するパワー素子(ダイオード、トランジスタ等)が多層配線基板内に埋め込まれているものをいう。より具体的には、例えば、図4に示されるように、パワー素子内蔵基板2aおよび/または2bは、配線層(第1の配線層)1と保持層(第2の配線層)112との間に絶縁層115を有し、該絶縁層115中にパワー素子としてのトランジスタ101aおよびダイオード102aが埋設されている構造を有する。図5のパワー素子内蔵基板2aにおいては、第1の配線層111が上部配線層を構成しており、保持層112が第2の配線層(下部層)の一部を構成している。前記第2の配線層112は基材118の両面にわたって形成された銅箔から構成されており、前記基材118の第1面側の銅箔と第2面側の銅箔とはスルーホールを介して電気的に接続されている。また、ダイオード102aおよびトランジスタ101aは、それぞれ接着層(図示せず)を介して、前記保持層(第1面側の銅箔)112上に載置されている。なお、前記保持層は第2の配線層を構成していてもよいし、その他の部材(例えば、金属基板やセラミック基板等の絶縁基板等)によって構成されていてもよい。
前記第1の放熱部材3aおよび/または前記第2の放熱部材3b(以下、まとめて単に「放熱部材」ともいう。)は、パワー素子内蔵基板で発生した熱を放熱するために配置されるものである。前記放熱部材の構成材料も本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されない。前記放熱部材の構成材料としては、例えば、金属材料、セラミック材料、カーボン系材料またはこれらの複合材料等が挙げられる。本開示においては、前記放熱部材が金属ブロックであるのが好ましい。本開示においては、パワー素子内蔵基板と対向する面側に凹部を有するものであってもよい。前記金属ブロックは、例えば平面視において矩形状または円形状の形状を有している。また、金属ブロックは、平面視において前記パワー素子内蔵基板よりも大きい形状を有している。前記金属ブロックの一例を図3に示す。前記凹部は、公知の金属加工方法(打ち抜き加工、レーザ加工、削り出し加工、金属メッキ、3Dプリンタなど)を用いて形成される。
以下、上記構造の複合モジュールユニットの製造方法について説明する。
図6に、前記複合モジュールユニット10aを実装基板11に実装する例を示す。図6(a)が模式的断面図、図6(b)が模式的上面図を示す。図6(a)および図6(b)から明らかなとおり、本実施例の複合モジュールユニットは、ねじ9によって、実装基板11
条に固定されている。なお、図6において、配線基板、パワー素子内蔵基板、実装基板それぞれの電気的接続については図示を省略するが、公知の方法を用いて達成される。また、図7に、前記複合モジュールユニット10aが実装基板11上に立設して実装されている例を示す。図7に示すように、複合モジュールユニット10aの第1の配線基板1aおよび第2の配線基板1bに電極ピン8aがそれぞれ設けられており、実装基板11側のホール(図示せず)に電極ピン8aを差し込むことにより、第1および第2の配線基板1a、1bがそれぞれ実装基板11に電気的に接続されるとともに、立設される。なお、実装基板11への接続方法、固定方法は、図6および7に示した例に限定されない。
以上説明したように、本実施形態の複合モジュールユニット10aは、第1のパワー素子内蔵基板が実装された第1の配線基板1aを含む第1のモジュールユニット、および第2のパワー素子内蔵基板が実装された第2の配線基板1bを含む第2のモジュールユニットが、第1の放熱部材3aを介して熱的に接続されている。そのため、放熱性に優れており、さらに、熱膨張係数差による反り等を抑制することができる。また、本実施形態のモジュールユニット10aは、配線基板、パワー素子内蔵基板および放熱部材(金属ブロック)が一体となっているため、ハンドリング性に優れており、さらに、複数のモジュールユニットを組合わせることで放熱性・ノイズ特性の厳密な設計を行うことなく、例えば電力変換回路全体の実装設計の自由度を向上させることも可能である。
図8は、第2実施形態にかかる複合モジュールユニット10bを模式的に例示する分解斜視図である。図9は複合モジュールユニット10bの模式的断面図であり、図8において複合モジュールユニット10bを積層方向(Y方向)に切断した断面を示す。図8のモジュールユニット10bは、第1の配線基板1a、第1のパワー素子内蔵基板2a、第1の放熱部材3a、第2の配線基板1b、第2のパワー素子内蔵基板2b、および第2の放熱部材3bがこの順に積層されている。第1の配線基板1a、第1のパワー素子内蔵基板2aおよび第1の放熱部材3aが第1のモジュールユニットを、第2の配線基板1b、第2のパワー素子内蔵基板2bおよび第2の放熱部材3bが第2のモジュールユニットを構成している。
図8および図9の複合モジュールユニット10bは、第1のパワー素子内蔵基板が実装された第1の配線基板1aを含む第1のモジュールユニット、および第2のパワー素子内蔵基板が実装された第2の配線基板1bを含む第2のモジュールユニットが、この順に積層されており、さらに、第1のモジュールユニット上に配置された第1の放熱部材3aと第1のモジュールユニットおよび第2のモジュールユニットの側面に沿って配置された第3の放熱部材3cとが熱的に接続されている。そのため、放熱性に優れており、さらに、熱膨張係数差による反り等を抑制することができる。また、本実施形態のモジュールユニット10aは、配線基板、パワー素子内蔵基板および放熱部材(金属ブロック)が一体となっているため、ハンドリング性に優れており、さらに、複数のモジュールユニットを組合わせることで放熱性・ノイズ特性の厳密な設計を行うことなく、例えば電力変換回路全体の実装設計の自由度を向上させることも可能である。さらに、本実施形態においては、各配線基板が積層されているため、インダクタンスをより良好に低減することができる。
図10は、第3実施形態にかかる複合モジュールユニット10cを模式的に例示する分解斜視図であり、図11は模式的断面図である。図10および図11の複合モジュールユニットは、第1の配線基板1a上に第1のパワー素子内蔵基板2aおよび前記第1のパワー素子内蔵基板中のパワー素子のスイッチング動作を制御するゲートドライバ7aが配置されている点、および第2の配線基板1b上に第2のパワー素子内蔵基板2bおよび前記第2のパワー素子内蔵基板中にパワー素子のスイッチング動作を制御するゲートドライバ7bが配置されている点で、第2実施形態にかかるモジュールユニット10bと異なる。前記ゲートドライバ7aおよび/または7bは、パワー素子内蔵基板中に配置されているパワー素子のゲート電極のスイッチング動作を制御するための駆動回路を内蔵したICで構成される。
図10および図11の複合モジュールユニット10cによれば、第2実施形態と比較して、同一の配線基板上にパワー素子内蔵基板およびゲートドライバが実装されているため、第1および第2の実施形態の効果に加えて、さらに、より良好にノイズを抑制することができる。また、パワー素子内蔵基板とゲートドライバとを含めた一体型のモジュールユニットを構成することができるため、システム全体の設計の自由度をより向上することができる。
変形例1として、図12に、本開示にかかる複合モジュールユニットの構成要素同士の固定方法および電気的接続の一態様を示す。図12の複合モジュールユニット10dは、第1の配線基板1a上に第1のパワー素子内蔵基板2aおよび第1のゲートドライバ7aが実装された第1のモジュールユニットと、第2の配線基板1b上に第2のパワー素子内蔵基板2bおよび第2のゲートドライバ7bが実装された第2のモジュールユニットとがパワー素子内蔵基板の積層方向(Y方向)に積層されている。さらに、第1のモジュールユニット上には第1の放熱部材3aが、第2のモジュールユニット上には第2の放熱部材3bがそれぞれ配置されている。また、第1の放熱部材3aの少なくとも一部および第2の放熱部材3bの少なくともは、第3の放熱部材3cに嵌合されている。また、本変形例においては、第1の配線基板1aと第2の配線基板1bとが、第1のパワー素子内蔵基板2a、第2のパワー素子内蔵基板2b、第1のゲートドライバ7a、第2のゲートドライバ7bをそれぞれ貫通するピン13aおよび/または13bによって、電気的に接続されている。また、第3の放熱部材3c、第3の放熱部材13に嵌合している第1および第2の放熱部材3a、3bを貫通するネジ9によって第1、第2および第3の放熱部材が固定されている。
変形例2として、図13に、本開示にかかる複合モジュールユニットの構成要素同士の固定および電気的接続の一態様を示す。図13の複合モジュールユニット10eは、第1の配線基板1a上に第1のパワー素子内蔵基板2aおよび第1のゲートドライバ7aが実装された第1のモジュールユニットと、第2の配線基板1b上に第2のパワー素子内蔵基板2bおよび第2のゲートドライバ7bが実装された第2のモジュールユニットとがパワー素子内蔵基板の積層方向(Y方向)に積層されている。さらに、第1のモジュールユニット上には第1の放熱部材3aが、第2のモジュールユニット上には第2の放熱部材3bがそれぞれ配置されている。また、第1の放熱部材3aの少なくとも一部および第2の放熱部材3bの少なくともは、第3の放熱部材3cに嵌合されている。また、本変形例においては、第1の配線基板1aと第2の配線基板1bとがピン13によって、電気的に接続されている。また、第3の放熱部材3c、第3の放熱部材13に嵌合している第1および第2の放熱部材3a、3bを貫通するネジ9によって第1、第2および第3の放熱部材が固定されている。
変形例3として、図14に、本開示にかかる複合モジュールユニットの構成要素同士の固定および電気的接続の一態様を示す。図14の複合モジュールユニット10fは、図13の複合モジュールユニット10eに加えて、さらに、第3の放熱部材3cに放熱フィン(冷却フィン)が接続されている。また、変形例4として、図15に、本開示にかかる複合モジュールユニットの構成要素同士の固定方法および電気的接続の一態様を示す。図15の複合モジュールユニット10hは、第2の放熱部材3b上に放熱フィン3dが接続されている。このような構成とすることにより、パワー素子内蔵基板やゲートドライバで発生した熱を好適に冷却することができる。なお、本変形例においては放熱部材3cまたは第2の放熱部材3bに放熱フィンが接続されている構成を例示したが、本開示はこのような構成に限定されない。本開示においては、前記放熱部材3cまたは第2の放熱部材3bが放熱フィン3d以外の冷却器に接続されていてもよく、例えば、複合モジュールユニットが実装される筐体に接続されていてもよい。
変形例5として、図20~22を用いて、複合モジュールユニットの構成要素同士の固定方法および電気的接続の一態様を説明する。図20および図21は、変形例5にかかるモジュールユニット10iを模式的に示す上面図および断面図である。図21(a)、(b)、(c)、(d)はそれぞれ図20におけるA-A断面、B-B断面、C-C断面、D-D断面を示す。図20および図21に示すように、モジュールユニット10aのパワー素子内蔵基板と電源、他の部品、配線基板および/または実装基板とを接続するための入力ピン32a、出力ピン32b、およびGNDピン32cと、配線基板上の他の部品や配線基板とその他部品等とを接続するための電源ピン31aおよび信号ピン31bとが、配線基板1aを貫通する形で配置されている。本開示においては、入力ピン32a、出力ピン32bおよびGNDピン32cは、図示しない配線パターン等を用いて、パワー素子内蔵基板2a上の対応する電極パッド(信号パッド、電源パッド等)と電気的に接続されている。本開示においては、入力ピン32a、出力ピン32bおよびGNDピン32cが、平面視(上面視)でパワー素子内蔵基板の外周よりも外側で且つ外周近傍に位置しているのが好ましい。
変形例6として、図23および図24を用いて、本開示の複合モジュールユニットの構成要素同士の固定方法および電気的接続の一態様を説明する。図23および図24は、変形例5にかかるモジュールユニット10iを模式的に示す上面図および断面図である。図24(a)、(b)、(c)、(d)はそれぞれ図23におけるA-A断面、B-B断面、C-C断面、D-D断面を示す。図23および図24に示す複合モジュールユニット10jは、第1の放熱部材3aおよび第2の放熱部材3bの両側にそれぞれ第3の放熱部材3cを有する点で、変形例5にかかる複合モジュールユニット10iと異なる。なお、第3の放熱部材3cは、ねじ(ビス)9を用いて第1および第2の放熱部材3a、3bと接続されている。
変形例7として、図27に、本開示にかかる複合モジュールユニットの他の一態様を示す。図27の複合モジュールユニット10kは、さらに第3の配線基板1cを備えており、該第3の配線基板1cが、第2のパワー素子内蔵基板2b(第2の放熱部材3b)上に積層されている点、および該第3の配線基板1c上にゲートドライバ7aが実装されている点で変形例1にかかる図12の複合モジュールユニット10dと異なる。本変形例7において、ゲートドライバ7aは、第1のパワー素子内蔵基板2aおよび第2のパワー素子内蔵基板2bの両方の制御を行うものであってよい。ゲートドライバ7a、パワー素子内蔵基板2aおよび2bは、電極ピン13bによって電気的に接続されている。このような構成とすることにより、パワー素子内蔵基板2aおよび2bの設計を簡易にすることができ、また、ゲートドライバ7aとパワー素子内蔵基板2aおよび2bとのインダクタンスをより低減することができる。なお、図27に示す各構成要素の固定方法および電気的接続は、一例であって、本開示はこれらの構成に限定されない。
以上のように、本実施形態は以下のような開示を含む。
(付記1)
第1の配線基板と、該第1の配線基板上に実装されている第1のパワー素子内蔵基板とを有する第1のモジュールユニットと、
第2の配線基板と、該第2の配線基板上に実装されている第2のパワー素子内蔵基板とを有する第2のモジュールユニットとを備え、
前記第1のモジュールユニットと前記第2のモジュールユニットとは、前記第1の配線基板および前記第2の配線基板の厚み方向に積層されており、且つ、放熱部材を介して熱的に接続されている、
複合モジュールユニット。
(付記2)
第1の配線基板と、該第1の配線基板上に実装されている第1のパワー素子内蔵基板を有する第1のモジュールユニットと、
第2の配線基板と、該第2の配線基板上に実装されている第2のパワー素子内蔵基板を有する第2のモジュールユニットとを備え、
前記第1のモジュールユニットと前記第2のモジュールユニットとは、前記第1の配線基板および前記第2の配線基板の厚み方向に積層されており、さらに、
前記第1のモジュールユニット上に配置された第1の放熱部材と、前記第1のモジュールユニットおよび前記第2のモジュールユニットの側面に沿って配置されている第2の放熱部材とを有し、
前記第1の放熱部材と前記第2の放熱部材とは熱的に接続されている、
複合モジュールユニット。
(付記3)
前記パワー素子内蔵基板は、第1の配線層と、保持層と、前記第1の配線層と前記保持層との間に位置する絶縁層と、パワー素子とを備え、前記パワー素子が前記絶縁層に埋め込まれている付記1または2に記載の複合モジュールユニット。
(付記4)
前記パワー素子は、電力変換回路の一部を構成するものである付記3記載の複合モジュールユニット。
(付記5)
さらにゲートドライバを備えており、前記ゲートドライバが、前記第1の配線基板および前記第2の配線基板の少なくとも一方に実装されている付記1~4のいずれかに記載の複合モジュールユニット。
(付記6)
さらに、第3の配線基板と該第3の配線基板上に実装されているゲートドライバを備える付記1~5のいずれかに記載の複合モジュールユニット。
(付記7)
前記ゲートドライバが、前記第1のパワー素子内蔵基板および前記第2のパワー素子内蔵基板に含まれるパワー素子を制御する請求項1~6のいずれかに記載の複合モジュールユニット。
(付記8)
前記第1の放熱部材は、前記第1の配線基板と熱的に接続されている付記1~7のいずれかに記載の複合モジュールユニット。
(付記9)
前記第2のパワー素子内蔵基板上に第2の放熱部材が配置されている付記1~8のいずれかに記載の複合モジュールユニット。
(付記10)
前記第2の放熱部材が、冷却フィンに接続されている付記1~9のいずれかに記載の複合モジュールユニット。
(付記11)
前記第2のパワー素子内蔵基板上に第3の放熱部材が配置されており、該第3の放熱部材は、第2の放熱部材と熱的に接続されている付記1~10のいずれかに記載の複合モジュールユニット。
(付記12)
モジュールユニットと実装基板とを備え、前記実装基板上に前記モジュールユニットが接続されているシステム基板であって、前記モジュールユニットが請求項1または2に記載の複合モジュールユニットであり、前記モジュールユニットが前記実装基板上に立設されているシステム基板。
(付記13)
モジュールユニットと実装基板とを備え、前記実装基板上に前記モジュールユニットが接続されているシステム基板であって、前記モジュールユニットが請求項1または2に記載の複合モジュールユニットであり、前記モジュールユニットが実装基板上に積層されるように接続されているシステム基板。
1b 第2の配線基板
1c 第3の配線基板
2a 第1のパワー素子内蔵基板
2b 第2のパワー素子内蔵基板
3a 第1の放熱部材
3b 第2の放熱部材
3c 第3の放熱部材
3d 第4の放熱部材(冷却器・冷却フィン)
4a、4b 絶縁部材
4c、4d 絶縁部材
5a、5b 凹部
6 グランド電極
7a 第1のゲートドライバ
7b 第2のゲートドライバ
8a 電極ピン
8b ホール
10a、10b、10c 複合モジュールユニット
10d、10e、10f 複合モジュールユニット
10g、10h、10i 複合モジュールユニット
10j、10k、10l 複合モジュールユニット
11 実装基板
12 受動部品
13a 電極ピン
13b 電極ピン
14a 樹脂部
14b ピン部
14c ピン部
31a 電源ピン
31b 信号ピン
32a 入力ピン
32b 出力ピン
32c GNDピン
101a、101b トランジスタ
102a、102b ダイオード
111 第1の配線層(上部配線層)
112 保持層(第2の配線層/下部配線層)
115 絶縁体
117 導電ビア
118 基材
119a 絶縁保護層
119b 絶縁保護層
120 スルーホール
111a 接着層(導電性接着層)
111b 接着層(導電性接着層)
500 制御システム
501 バッテリー(電源)
502 昇圧コンバータ
503 降圧コンバータ
504 インバータ
505 モータ(駆動対象)
506 駆動制御部
507 演算部
508 記憶部
600 制御システム
601 三相交流電源(電源)
602 AC/DCコンバータ
604 インバータ
605 モータ(駆動対象)
606 駆動制御部
607 演算部
608 記憶部
Claims (13)
- 第1の配線基板と、該第1の配線基板上に実装されている第1のパワー素子内蔵基板とを有する第1のモジュールユニットと、
第2の配線基板と、該第2の配線基板上に実装されている第2のパワー素子内蔵基板とを有する第2のモジュールユニットとを備え、
前記第1のモジュールユニットと前記第2のモジュールユニットとは、前記第1の配線基板および前記第2の配線基板の厚み方向に積層されており、且つ、放熱部材を介して熱的に接続されている、
複合モジュールユニット。 - 第1の配線基板と、該第1の配線基板上に実装されている第1のパワー素子内蔵基板を有する第1のモジュールユニットと、
第2の配線基板と、該第2の配線基板上に実装されている第2のパワー素子内蔵基板を有する第2のモジュールユニットとを備え、
前記第1のモジュールユニットと前記第2のモジュールユニットとは、前記第1の配線基板および前記第2の配線基板の厚み方向に積層されており、さらに、
前記第1のモジュールユニット上に配置された第1の放熱部材と、前記第1のモジュールユニットおよび前記第2のモジュールユニットの側面に沿って配置されている第2の放熱部材とを有し、
前記第1の放熱部材と前記第2の放熱部材とは熱的に接続されている、
複合モジュールユニット。 - 前記パワー素子内蔵基板は、第1の配線層と、保持層と、前記第1の配線層と前記保持層との間に位置する絶縁層と、パワー素子とを備え、前記パワー素子が前記絶縁層に埋め込まれている請求項1記載の複合モジュールユニット。
- 前記パワー素子は、電力変換回路の一部を構成するものである請求項3記載の複合モジュールユニット。
- さらにゲートドライバを備えており、前記ゲートドライバが、前記第1の配線基板および前記第2の配線基板の少なくとも一方に実装されている請求項1または2に記載の複合モジュールユニット。
- さらに、第3の配線基板と該第3の配線基板上に実装されているゲートドライバを備える請求項1または2に記載の複合モジュールユニット。
- 前記ゲートドライバが、前記第1のパワー素子内蔵基板および前記第2のパワー素子内蔵基板に含まれるパワー素子を制御する請求項6記載の複合モジュールユニット。
- 前記第1の放熱部材は、前記第1の配線基板と熱的に接続されている請求項2に記載の複合モジュールユニット。
- 前記第2のパワー素子内蔵基板上に第2の放熱部材が配置されている請求項1記載の複合モジュールユニット。
- 前記第2の放熱部材が、冷却フィンに接続されている請求項9記載の複合モジュールユニット。
- 前記第2のパワー素子内蔵基板上に第3の放熱部材が配置されており、該第3の放熱部材は、第2の放熱部材と熱的に接続されている請求項2記載の複合モジュールユニット。
- モジュールユニットと実装基板とを備え、前記実装基板上に前記モジュールユニットが接続されているシステム基板であって、前記モジュールユニットが請求項1または2に記載の複合モジュールユニットであり、前記モジュールユニットが前記実装基板上に立設されているシステム基板。
- モジュールユニットと実装基板とを備え、前記実装基板上に前記モジュールユニットが接続されているシステム基板であって、前記モジュールユニットが請求項1または2に記載の複合モジュールユニットであり、前記モジュールユニットが実装基板上に積層されるように接続されているシステム基板。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001177051A (ja) | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Toshiba Corp | 半導体装置及びシステム装置 |
WO2007126090A1 (ja) | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Nec Corporation | 回路基板、電子デバイス装置及び回路基板の製造方法 |
JP2008091879A (ja) | 2006-08-15 | 2008-04-17 | Qimonda Ag | 放熱装置を備えた集積回路パッケージおよびその製造方法 |
JP2010080683A (ja) | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Kyocera Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2011187823A (ja) | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2019062585A (ja) | 2017-09-22 | 2019-04-18 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | 半導体装置 |
JP2019075908A (ja) | 2017-10-17 | 2019-05-16 | 株式会社デンソー | 制御装置 |
JP2020010002A (ja) | 2018-07-12 | 2020-01-16 | アオイ電子株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2023006386A (ja) | 2021-06-30 | 2023-01-18 | 株式会社Flosfia | 電子部品装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62293749A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の3次元的実装構造およびその製造方法 |
-
2023
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-
2024
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001177051A (ja) | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Toshiba Corp | 半導体装置及びシステム装置 |
WO2007126090A1 (ja) | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Nec Corporation | 回路基板、電子デバイス装置及び回路基板の製造方法 |
JP2008091879A (ja) | 2006-08-15 | 2008-04-17 | Qimonda Ag | 放熱装置を備えた集積回路パッケージおよびその製造方法 |
JP2010080683A (ja) | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Kyocera Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2011187823A (ja) | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2019062585A (ja) | 2017-09-22 | 2019-04-18 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | 半導体装置 |
JP2019075908A (ja) | 2017-10-17 | 2019-05-16 | 株式会社デンソー | 制御装置 |
JP2020010002A (ja) | 2018-07-12 | 2020-01-16 | アオイ電子株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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