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JP7478336B1 - 複合モジュールユニット - Google Patents

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Abstract

【課題】 反り抑制および放熱性が向上したモジュールユニットの提供を目的とする。【解決手段】 第1の配線基板と、該第1の配線基板上に実装されている第1のパワー素子内蔵基板とを有する第1のモジュールユニットと、第2の配線基板と、該第2の配線基板上に実装されている第2のパワー素子内蔵基板とを有する第2のモジュールユニットとを備え、前記第1のモジュールユニットと前記第2のモジュールユニットとは、前記第1の配線基板および前記第2の配線基板の厚み方向に積層されており、且つ、放熱部材を介して熱的に接続されている、複合モジュールユニット【選択図】図1

Description

本開示は、配線基板とパワー素子内蔵基板とを備える複合モジュールユニットに関する。
特許文献1には、第1基板と、第1基板に立設された第2基板と、第2基板の板厚方向の一方側の面に配置された電子部品と、該一方側に第2基板に沿って配置されたヒートシンクとを備える電力変換装置が開示されている。
なお、背景技術のセクションは、当業者が本発明の範囲および有用性を理解することを支援するために、本発明の実施態様を技術的または動作的な文脈で提供されるものである。明示的に特定されたものでない限り、単に背景技術のセクションに含まれていることによって本明細書の記述が先行技術であると認められるものではない。
特許第6057138号公報
以下は、当業者に基本的理解を提供するために本開示の簡略化された概要を提示する。この概要は、本開示の実施形態の重要な要素を特定することまたは本発明の範囲を定めることを意図していない。この発明の概要の目的は、後に提示されるより詳細な説明の前置きとして、簡略化された形態で、本明細書で開示されるいくつかの概念を提示することである。
本開示は、反り抑制および放熱性が向上したモジュールユニットを提供することを課題の一つとする。
上記課題を解決するために、本開示の一態様における複合モジュールユニットは、第1の配線基板と、該第1の配線基板上に実装されている第1のパワー素子内蔵基板とを有する第1のモジュールユニットと、第2の配線基板と、該第2の配線基板上に実装されている第2のパワー素子内蔵基板とを有する第2のモジュールユニットとを備え、前記第1のモジュールユニットと前記第2のモジュールユニットとは、前記第1の配線基板および前記第2の配線基板の厚み方向に積層されており、且つ、放熱部材を介して熱的に接続されている。
上記課題を解決するために、本開示の一態様における複合モジュールユニットは、第1の配線基板と、該第1の配線基板上に実装されている第1のパワー素子内蔵基板を有する第1のモジュールユニットと、第2の配線基板と、該第2の配線基板上に実装されている第2のパワー素子内蔵基板を有する第2のモジュールユニットとを備え、前記第1のモジュールユニットと前記第2のモジュールユニットとは、前記第1の配線基板および前記第2の配線基板の厚み方向に積層されており、さらに、前記第1のモジュールユニット上に配置された第1の放熱部材と、前記第1のモジュールユニットおよび前記第2のモジュールユニットの側面に沿って配置されている第2の放熱部材とを有し、前記第1の放熱部材と前記第2の放熱部材とは熱的に接続されている。
本開示の実施形態にかかる複合モジュールユニットは、反り抑制および放熱性が向上され得る。
第1実施形態にかかる複合モジュールユニットを模式的に例示する分解斜視図である。 第1実施形態にかかる複合モジュールユニットを模式的に例示する断面図である。 第1実施形態にかかるパワー素子を含む半導体回路の等価回路図である。 第1実施形態にかかるパワー素子内蔵基板の一例を模式的に示す断面図である。 第1実施形態にかかる複合モジュールユニットの固定方法を模式的に例示する断面図である。 第1実施形態にかかる複合モジュールユニットが実装されたシステム基板を模式的に例示する断面図および上面図である。 第1実施形態にかかる複合モジュールユニットが実装されたシステム基板を模式的に例示する断面図である。 第2実施形態にかかる複合モジュールユニットを模式的に例示する分解斜視図である。 第2実施形態にかかる複合モジュールユニットを模式的に例示する断面図である。 第3実施形態にかかる複合モジュールユニットを模式的に例示する分解斜視図である。 第3実施形態にかかる複合モジュールユニットを模式的に例示する断面図である。 変形例1にかかる複合モジュールユニットを模式的に例示する斜視図である。 変形例2にかかる複合モジュールユニットを模式的に例示する斜視図である。 変形例3にかかる複合モジュールユニットを模式的に例示する斜視図である。 変形例4にかかる複合モジュールユニットを模式的に例示する斜視図である。 本開示の実施形態に係る複合モジュールユニットを採用した制御システムの一例を示すブロック構成図である。 本開示の実施形態に係る複合モジュールユニットを採用した制御システムの一例を示す回路図である。 本開示の実施形態に係る複合モジュールユニットを採用した制御システムの他の例を示すブロック構成図である。 本開示の実施形態に係る複合モジュールユニットを採用した制御システムの他の例を示す回路図である。 変形例5にかかる複合モジュールユニットを模式的に例示する上面図である。 変形例5にかかる複合モジュールユニットを模式的に例示する断面図である。 変形例5にかかる複合モジュールユニットを模式的に例示する分解斜視図である。 変形例6にかかる複合モジュールユニットを模式的に例示する上面図である。 変形例6にかかる複合モジュールユニットを模式的に例示する断面図である。 モジュールユニットが実装基板に実装された電子装置を模式的に例示する断面図である。 モジュールユニットが実装基板に実装された電子装置を模式的に例示する分解斜視図である。 変形例7にかかる複合モジュールユニットを模式的に例示する断面図である。 変形例8にかかる複合モジュールユニットを模式的に例示する上面図である。 変形例8にかかる複合モジュールユニットを模式的に例示する断面図である。
本開示の態様と、その様々な特徴および優位な詳細は、図面を用いて説明および/または示され、また、以下の本明細書において述べられる非限定的な態様および例を参照してより具体的に説明される。当業者にとって明らかなように、本明細書において述べられていなくとも、図面中において示される特徴は必ずしも一定の縮尺で描かれているわけではない。また、1つの態様における1つの特徴は別の態様においても単独または他の特徴と組み合わせて用いられ得ることに留意されたい。周知の要素および加工技術についての記載は、本開示の態様を必要に不明確にすることのないように省略され得る。本明細書において用いられる例は、単に本開示の理解を助けること、またさらに当業者が本開示の態様を実施できるようにすることを目的としている。したがって、本明細書における態様および例は本開示の範囲に限定されて解釈されるものではなく、特許請求の範囲および適用可能な法律によってのみ定められる。さらに、本開示の図面において、同様の参照番号は同様の部分を表す。
「第1の」、「第2の」等の用語は、本明細において用いられる様々な要素を記述するために用いられるが、要素は、これらの用語によって限定されるものではない。第1の、第2の等の用語は、1つの要素を別の要素から区別するためにのみ用いられる。例えば、本開示の範囲から逸脱することなく、第1の要素は第2の要素と称することができ、また、第2の要素は第1の要素と称することができる。本明細書において用いられるように、用語「および/または」は、挙げられた項目のうち1つまたは複数のいくつかまたは全ての組み合わせを包含する。
層、領域、または基板等の要素が別の要素の「上に」存在するまたは「上へ」延びるという表現が用いられる場合には、別の要素の上に直接存在するか、または上へ直接延びることができ、または介在する要素が存在してもよいことを理解されたい。一方、要素が「上に直接」存在する、または「上に直接」延びるという表現が用いられる場合には、介在する要素は存在しない。同様に、層、領域、または基板等の要素が「わたって」いる、または「わたって」延びるという表現が用いられる場合には、別の要素に直接わたっているか、または直接わたって延びることができ、介在する要素が存在してもよいことを理解されたい。一方、「直接わたって」いるか、または「直接わたって」延びるという表現が用いられる場合には、介在する要素は存在しない。要素が別の要素に「接続される」または「結合される」という表現が用いられる場合には、別の要素に直接接続または結合されることができ、または介在する要素が存在してもよいことを理解されたい。一方で、要素が別の要素に「直接接続される」または「直接結合される」との表現が用いられる場合には、介在する要素は存在しない。さらに、要素が別の要素に「積層される」という表現が用いられる場合には、別の要素に直接積層されることができ、または介在する要素が存在してもよいことを理解されたい。一方で、要素が別の要素に「直接積層される」との表現が用いられる場合には、介在する要素は存在しない。
本明細書において用いられる用語は、特定の態様のみを記述することを目的としており、本開示を限定することを意図していない。本明細書において用いられる「備える」「含む」は、記載された要素の存在を表すものであり、1つまたは複数の他の要素の存在を排除するものではない。
別途定義されない限り、本明細書において用いられる全ての用語(技術用語および科学用語を含む)は、本開示が属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるものと同じ意味を持つ。本明細書において用いられる用語は本明細書の文脈および関連技術におけるいみと矛盾しない意味を有するように解釈される。また、本明細書において定義されない限り、本明細書において用いられる用語は、理想化された、または過度に形式的な意味で解釈されるべきでないことを理解されたい。
本開示においては、特に別途定義されない限り、配線基板の積層方向(配線基板表面と垂直な方向)をY方向、実装基板の積層方向(実装基板表面と垂直な方向)をZ方向として説明する。また、配線基板の第1面側にパワー素子内蔵基板が実装されているモジュールユニットにおいては、配線基板からみてパワー素子内蔵基板側を上方、パワー素子内蔵基板からみて配線基板側を下方として「上」と「下」が定義される。配線基板の両側にパワー素子内蔵基板が実装されている構造の場合には、別途定義される。また、電子装置においては、実装基板からみてモジュールユニット側を上方、モジュールユニット側からみて実装基板側を下方として「上」と「下」が定義される。なお、本明細書にて、上面視は、平面視と言い換えられてもよい。
本開示の一態様における複合モジュールユニットは、第1の配線基板と、該第1の配線基板上に実装されている第1のパワー素子内蔵基板とを有する第1のモジュールユニットと、 第2の配線基板と、該第2の配線基板上に実装されている第2のパワー素子内蔵基板とを有する第2のモジュールユニットとを備え、前記第1のモジュールユニットと前記第2のモジュールユニットとは、前記第1の配線基板および前記第2の配線基板の厚み方向に積層されており、且つ、放熱部材を介して熱的に接続されていることを特長とする。また、本開示の他の態様における複合モジュールユニットは、第1の配線基板と、該第1の配線基板上に実装されている第1のパワー素子内蔵基板を有する第1のモジュールユニットと、第2の配線基板と、該第2の配線基板上に実装されている第2のパワー素子内蔵基板とを備え、前記第1のモジュールユニットと前記第2のモジュールユニットとは、前記第1の裴瀬基板および前記第2の配線基板の厚み方向に積層されており、さらに、前記第1のモジュールユニット上に配置された第1の放熱部材と、前記第1のモジュールユニットおよび前記第2のモジュールユニットの側面に沿って配置されている第2の放熱部材とを有し、前記第1の放熱部材と前記第2の放熱部材とは熱的に接続されていることを特長とする。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態にかかる複合モジュールユニット10aを例示する模式的分解斜視図である。図2は、複合モジュールユニット10aの模式的断面図であり、図1において、複合モジュールユニット10aを積層方向(Y方向)に切断した断面を示す。図1および図2の複合モジュールユニット10aは、第1の配線基板1a、第1のパワー素子内蔵基板2a、第1の放熱部材3a、第2の配線基板1b、第2のパワー素子内蔵基板2b、および第2の放熱部材3bがこの順に積層されている。第1の配線基板1a、第1のパワー素子内蔵基板2aおよび第1の放熱部材3aが第1のパワーモジュールユニットを、第2の配線基板1b、第2のパワー素子内蔵基板2b、および第2の放熱部材3bが、第2のモジュールユニットを構成している。なお、図1には図示を省略しているが、前記放熱部材3aと前記パワー素子内蔵基板2aとの間、前記放熱部材3bと前記パワー素子内蔵基板2bとの間には、絶縁部材4aおよび4bがそれぞれ配置されていてもよい。本開示の複合モジュールユニットにおいては、絶縁部材4aおよび4bは必須ではなく、前記放熱部材3aと前記パワー素子内蔵基板2aの少なくとも一部、前記放熱部材3bと前記パワー素子内蔵基板2bの少なくとも一部とが、それぞれ直接接触していてもよい。
また、本実施形態においては、第1のモジュールユニットおよび第2のモジュールユニットを含む2つのモジュールユニットが積層されているが、本開示においては、積層されるモジュールユニットの数はこれに限定されない。本開示においては、さらに、1または2以上のモジュールユニットが第2のモジュールユニット上に積層されていてよい。なお、図1および/または図2において、配線基板、パワー素子内蔵基板それぞれの電気的接続については図示を省略するが、それぞれ公知の方法を用いて達成され得る。また、第1の配線基板1a、第1のパワー素子内蔵基板2a、第1の放熱部材3a、第2の配線基板1b、第2のパワー素子内蔵基板2b、および放熱部材3bは、公知の方法を用いて固定されていてよく、固定方法の詳細については後述される。
(配線基板)
前記第1の配線基板1aおよび/または前記第2の配線基板1b(以下、まとめて単に「配線基板」ともいう。)は、誘電体基板であってもよいし、多層誘電体基板であってもよい。また、前記配線基板は、上面および/または内層に信号導体パターン(図示しない)が配線されたものである。また、図示しないが、配線基板1aは、実装基板との電気的接続をとるための実装基板側のコネクタに接続するための電極パターンや、電極ピンを有していてもよい。さらに、配線基板1aには、パワー素子以外の回路部品(例えば、コンデンサなどの受動部品)が実装されていてもよい。
(パワー素子内蔵基板)
前記第1のパワー素子内蔵基板2aおよび/または前記第2のパワー素子内蔵基板2b(以下、まとめて単に「パワー素子内蔵基板」ともいう。)は、例えば、電力変換回路の一部を構成するパワー素子(ダイオード、トランジスタ等)が多層配線基板内に埋め込まれているものをいう。より具体的には、例えば、図4に示されるように、パワー素子内蔵基板2aおよび/または2bは、配線層(第1の配線層)1と保持層(第2の配線層)112との間に絶縁層115を有し、該絶縁層115中にパワー素子としてのトランジスタ101aおよびダイオード102aが埋設されている構造を有する。図5のパワー素子内蔵基板2aにおいては、第1の配線層111が上部配線層を構成しており、保持層112が第2の配線層(下部層)の一部を構成している。前記第2の配線層112は基材118の両面にわたって形成された銅箔から構成されており、前記基材118の第1面側の銅箔と第2面側の銅箔とはスルーホールを介して電気的に接続されている。また、ダイオード102aおよびトランジスタ101aは、それぞれ接着層(図示せず)を介して、前記保持層(第1面側の銅箔)112上に載置されている。なお、前記保持層は第2の配線層を構成していてもよいし、その他の部材(例えば、金属基板やセラミック基板等の絶縁基板等)によって構成されていてもよい。
前記ダイオード102aは、例えば、ショットキーバリアダイオード(SBD)、FRD(ファストリカバリーダイオード)またはPiNダイオードである。また、前記トランジスタ101aは、例えば、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)または絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)である。なお、パワー素子としてのダイオード102aおよびトランジスタ101aを構成する半導体材料は、特に限定されない。前記半導体材料としては、例えば、シリコン、窒化ガリウム、炭化珪素、酸化ガリウム、ダイヤモンド等が挙げられる。前記パワー素子内蔵基板は、公知の部品内蔵基板の製造方法を用いて作製される。前記パワー素子内蔵基板の積層方向(Y方向)の厚みは、例えば、3mm以下であり、好ましくは、1mm以下である。前記パワー素子内蔵基板の上面視の面積は、例えば、2000mm以下であり、好ましくは、1000mm以下である。
図4は、前記パワー素子内蔵基板10aに内蔵されるパワー素子の回路中における位置づけを説明するための等価回路図である。図4の回路構成においては、トランジスタ101aとダイオード1021との逆並列回路と、トランジスタ101bとダイオード102bとの逆並列回路とが、直列に接続されており、さらにコンデンサ103がトランジスタ101aおよび101bに並列に接続されている。前記半導体回路は、例えば、インバータ回路またはコンバータ回路等を含む電力変換回路に適用される。
本実施形態において、前記第1のパワー素子内蔵基板2aは、図4の等価回路におけるトランジスタ101aおよびダイオード102aを内蔵している。また、前記第2のパワー素子内蔵基板2bは、図4の等価回路におけるトランジスタ101bおよびダイオード102bを内蔵している。本開示においては、前記パワー素子内蔵基板2aが複数のトランジスタ(例えば、トランジスタ101aおよび101b)および/または複数のダイオード(例えば、ダイオード102aおよび102b)を内蔵するものであってもよい。前記パワー素子内蔵基板が複数のトランジスタを内蔵する場合、当該複数のトランジスタは、互いに電気的に直列に接続されたものであってもよいし、並列に接続されたものであってもよい。また、本開示においては、後述するように、前記モジュールユニットが、複数のパワー素子内蔵基板を備えていてもよい。なお、上記で説明した回路構成は、あくまで一例であり、上記以外の回路構成であってもよい。本開示においては、複数の前記パワー素子内蔵基板を組合わせることにより、その他受動部品と合わせて電力変換回路を構成することができる。
(放熱部材)
前記第1の放熱部材3aおよび/または前記第2の放熱部材3b(以下、まとめて単に「放熱部材」ともいう。)は、パワー素子内蔵基板で発生した熱を放熱するために配置されるものである。前記放熱部材の構成材料も本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されない。前記放熱部材の構成材料としては、例えば、金属材料、セラミック材料、カーボン系材料またはこれらの複合材料等が挙げられる。本開示においては、前記放熱部材が金属ブロックであるのが好ましい。本開示においては、パワー素子内蔵基板と対向する面側に凹部を有するものであってもよい。前記金属ブロックは、例えば平面視において矩形状または円形状の形状を有している。また、金属ブロックは、平面視において前記パワー素子内蔵基板よりも大きい形状を有している。前記金属ブロックの一例を図3に示す。前記凹部は、公知の金属加工方法(打ち抜き加工、レーザ加工、削り出し加工、金属メッキ、3Dプリンタなど)を用いて形成される。
また、前記金属ブロックの構成材料は、本開示の目的を阻害しない限り、特に限定されない。前記金属ブロックの構成材料としては、例えば、Cu、Au、Al、Ag、Fe、Ti、Ni、Pt、Pdまたはこれらの合金(他の金属または炭素等を含んでいてもよい)が挙げられる。本開示においては、前記金属ブロックの構成材料が、銅(Cu)またはアルミニウム(Al)を含むのが好ましく、アルミニウム(Al)を含むのがより好ましい。本開示においては、前記金属ブロックが、の凹部によって、前記パワー素子内蔵基板の周囲が覆われているのが好ましい。また、前記凹部の深さは、特に限定されない。前記凹部の深さは、例えば、5mm以下であり、好ましくは3mm以下であり、さらに好ましくは、1mm以下である。
本開示においては、例えば、図2に示されるように、前記第1の放熱部材3aと前記パワー素子内蔵基板2aとの間および/または前記第2の放熱部材3bと前記第2のパワー素子内蔵基板2bとの間に、第1の絶縁部材4aおよび/または第2の絶縁部材4bがそれぞれ配置されていてもよい。前記第1の絶縁部材4aおよび/または前記第2の絶縁部材4b(以下、まとめて単に「絶縁部材」ともいう。)は、高熱伝導性を有するものであるのが好ましく、より具体的には、例えばエポキシ樹脂等の樹脂に、窒化ホウ素(BN)、窒化アルミニウム(AlN)、アルミナ(Al)等のフィラーを含有させた層等の、公知のTIM(Thermal Interface Material)材が用いられる。なお、絶縁部材と前記パワー素子内蔵基板との接合は、公知の導電性接着材等を用いて行われてよい。
(製造方法の例)
以下、上記構造の複合モジュールユニットの製造方法について説明する。
モジュールユニットの組立工程では、第1のパワー素子内蔵基板2aを、第1の配線基板1aに公知の方法を用いて接続(実装)する。その後、前記第1のパワー素子内蔵基板2a上に、所望により熱伝導性に優れた絶縁部材4aを介して、放熱部材3aを接合する。ついで、第2の配線基板1b、第2のパワー素子内蔵基板2bおよび放熱部材3bを、上記と同様にして積層する。図6に示すように、各構成要素の貫通孔を通してねじ9によってねじ止めすることにより、構成要素同士を固定する。貫通孔は、上記した積層工程よりも前に形成してもよいし、積層工程後に形成してもよい。このようにねじ止めすることにより、パワー素子内蔵基板と放熱部材との密着性が向上するため、より放熱性に優れた構成とすることができる。本実施形態においては、パワー素子内蔵基板を貫通させてねじ止めする例を示したが、本開示はこれに限定されない。例えば、第1の配線基板1a、第1の放熱部材3a、第2の配線基板1b、第2の放熱部材3bをねじ止めする構成であってもよい。また、複合モジュールユニットの各構成要素の固定方法はねじ止めに限定されず、公知の方法を用いてよい。例えば、バスバーを用いて固定する方法、クリップを用いて固定する方法が用いられる。なお、上記で説明した複合モジュールユニットの製造方法の内容は、あくまで一例であり、上記以外の内容であってもよい。例えば、前記モジュールユニットの組立工程は、上記で説明した手順に限定されるものではなく、趣旨および技術的思想を逸脱しない範囲で手順の追加・削除または順番の変更等をしてもよい。
(実装基板への実装の例)
図6に、前記複合モジュールユニット10aを実装基板11に実装する例を示す。図6(a)が模式的断面図、図6(b)が模式的上面図を示す。図6(a)および図6(b)から明らかなとおり、本実施例の複合モジュールユニットは、ねじ9によって、実装基板11
条に固定されている。なお、図6において、配線基板、パワー素子内蔵基板、実装基板それぞれの電気的接続については図示を省略するが、公知の方法を用いて達成される。また、図7に、前記複合モジュールユニット10aが実装基板11上に立設して実装されている例を示す。図7に示すように、複合モジュールユニット10aの第1の配線基板1aおよび第2の配線基板1bに電極ピン8aがそれぞれ設けられており、実装基板11側のホール(図示せず)に電極ピン8aを差し込むことにより、第1および第2の配線基板1a、1bがそれぞれ実装基板11に電気的に接続されるとともに、立設される。なお、実装基板11への接続方法、固定方法は、図6および7に示した例に限定されない。
図25に、前記複合モジュールユニット10aが実装基板11に立設された電子装置の他の例を示す。図25は複合モジュールユニット10aが実装基板11に立設された状態を模式的に示す断面図、図26が分解斜視図を示す。なお、図26の分解斜視図では、接続部分の説明のために、第2のモジュールユニット(第2の配線基板1b、第2のパワー素子内蔵基板2b、第2の放熱部材3b)や第1のパワー素子内蔵基板2a、第1の放熱部材3a等は図示を省略している。図25および図26に示すように、前記複合モジュールユニット10aの配線基板1aが、樹脂部14aとピン部14bとを備える接続部材を用いて実装基板11に接続されている。図25に示されるように、樹脂部14aには、Z方向に伸びて、配線基板1aと接続するピン部14bと、Y方向に伸びて実装基板11と接続するピン部14bとがそれぞれ挿入される形で接続されている。
(第1実施形態の効果)
以上説明したように、本実施形態の複合モジュールユニット10aは、第1のパワー素子内蔵基板が実装された第1の配線基板1aを含む第1のモジュールユニット、および第2のパワー素子内蔵基板が実装された第2の配線基板1bを含む第2のモジュールユニットが、第1の放熱部材3aを介して熱的に接続されている。そのため、放熱性に優れており、さらに、熱膨張係数差による反り等を抑制することができる。また、本実施形態のモジュールユニット10aは、配線基板、パワー素子内蔵基板および放熱部材(金属ブロック)が一体となっているため、ハンドリング性に優れており、さらに、複数のモジュールユニットを組合わせることで放熱性・ノイズ特性の厳密な設計を行うことなく、例えば電力変換回路全体の実装設計の自由度を向上させることも可能である。
(第2実施形態)
図8は、第2実施形態にかかる複合モジュールユニット10bを模式的に例示する分解斜視図である。図9は複合モジュールユニット10bの模式的断面図であり、図8において複合モジュールユニット10bを積層方向(Y方向)に切断した断面を示す。図8のモジュールユニット10bは、第1の配線基板1a、第1のパワー素子内蔵基板2a、第1の放熱部材3a、第2の配線基板1b、第2のパワー素子内蔵基板2b、および第2の放熱部材3bがこの順に積層されている。第1の配線基板1a、第1のパワー素子内蔵基板2aおよび第1の放熱部材3aが第1のモジュールユニットを、第2の配線基板1b、第2のパワー素子内蔵基板2bおよび第2の放熱部材3bが第2のモジュールユニットを構成している。
また、本開示の複合モジュールユニット10bは、第3の放熱部材3cを有する。第3の放熱部材3cは、前記第1のモジュールユニットおよび前記第2のモジュールユニットの側面に沿って配置されており、さらに、前記第1の放熱部材3aおよび3bは、前記第3の放熱部材3cと熱的に接続されている。前記第3の放熱部材3cは、それぞれ前記第1の放熱部材3aおよび前記第2の放熱部材3bに対応する凹部を備えており、前記凹部に前記第1の放熱部材3aおよび3bの一端の少なくとも一部が嵌合することにより、前記第3の放熱部材3cと前記第1および第2の放熱部材3a、3bとが接続している。前記第3の放熱部材3cの構成材料は、前記第1および第2の放熱部材3a、3bと同様であってよい。なお、第3の放熱部材3cと前記第1および第2の放熱部材3a、3bとの接続方法は、本実施形態に示される方法に限定されない。前記第3の放熱部材3cと前記第1および第2の放熱部材3a、3bとの接続方法は、後述するネジ(ビス)を用いた方法を含めた公知の方法であってよい。
(第2実施形態の効果)
図8および図9の複合モジュールユニット10bは、第1のパワー素子内蔵基板が実装された第1の配線基板1aを含む第1のモジュールユニット、および第2のパワー素子内蔵基板が実装された第2の配線基板1bを含む第2のモジュールユニットが、この順に積層されており、さらに、第1のモジュールユニット上に配置された第1の放熱部材3aと第1のモジュールユニットおよび第2のモジュールユニットの側面に沿って配置された第3の放熱部材3cとが熱的に接続されている。そのため、放熱性に優れており、さらに、熱膨張係数差による反り等を抑制することができる。また、本実施形態のモジュールユニット10aは、配線基板、パワー素子内蔵基板および放熱部材(金属ブロック)が一体となっているため、ハンドリング性に優れており、さらに、複数のモジュールユニットを組合わせることで放熱性・ノイズ特性の厳密な設計を行うことなく、例えば電力変換回路全体の実装設計の自由度を向上させることも可能である。さらに、本実施形態においては、各配線基板が積層されているため、インダクタンスをより良好に低減することができる。
(第3実施形態)
図10は、第3実施形態にかかる複合モジュールユニット10cを模式的に例示する分解斜視図であり、図11は模式的断面図である。図10および図11の複合モジュールユニットは、第1の配線基板1a上に第1のパワー素子内蔵基板2aおよび前記第1のパワー素子内蔵基板中のパワー素子のスイッチング動作を制御するゲートドライバ7aが配置されている点、および第2の配線基板1b上に第2のパワー素子内蔵基板2bおよび前記第2のパワー素子内蔵基板中にパワー素子のスイッチング動作を制御するゲートドライバ7bが配置されている点で、第2実施形態にかかるモジュールユニット10bと異なる。前記ゲートドライバ7aおよび/または7bは、パワー素子内蔵基板中に配置されているパワー素子のゲート電極のスイッチング動作を制御するための駆動回路を内蔵したICで構成される。
図10には図示しないが、図11に示されるように、前記第1のパワー素子内蔵基板2aおよび前記第1のゲートドライバ7aと第1の放熱部材3aとの間には、絶縁部材4aおよび4cがそれぞれ介在していてもよい。また、前記第2のパワー素子内蔵基板2bおよび前記第2のゲートドライバ7bと第2の放熱部材3bとの間には、絶縁部材4bおよび4dがそれぞれ介在していてもよい。本実施形態においては、例えば、前記第1のパワー素子内蔵基板2aの積層方向(Y方向)の厚みは、前記ゲートドライバ7aの積層方向の厚みよりも小さいため、全体の厚みを整合させるために、前記絶縁部材4aの厚みは前記絶縁部材4cの厚みよりも小さい。なお、本実施形態においては、絶縁部材4a(4b)および4c(4d)の厚みによって、パワー素子内蔵基板およびゲートドライバの厚みの差を吸収しているが、本開示はこれに限定されない。本開示においては、例えば、放熱部材3aを任意の形状とすることにより、パワー素子内蔵基板およびゲートドライバの厚みの差を吸収してもよい。
(第3実施形態の効果)
図10および図11の複合モジュールユニット10cによれば、第2実施形態と比較して、同一の配線基板上にパワー素子内蔵基板およびゲートドライバが実装されているため、第1および第2の実施形態の効果に加えて、さらに、より良好にノイズを抑制することができる。また、パワー素子内蔵基板とゲートドライバとを含めた一体型のモジュールユニットを構成することができるため、システム全体の設計の自由度をより向上することができる。
(変形例1)
変形例1として、図12に、本開示にかかる複合モジュールユニットの構成要素同士の固定方法および電気的接続の一態様を示す。図12の複合モジュールユニット10dは、第1の配線基板1a上に第1のパワー素子内蔵基板2aおよび第1のゲートドライバ7aが実装された第1のモジュールユニットと、第2の配線基板1b上に第2のパワー素子内蔵基板2bおよび第2のゲートドライバ7bが実装された第2のモジュールユニットとがパワー素子内蔵基板の積層方向(Y方向)に積層されている。さらに、第1のモジュールユニット上には第1の放熱部材3aが、第2のモジュールユニット上には第2の放熱部材3bがそれぞれ配置されている。また、第1の放熱部材3aの少なくとも一部および第2の放熱部材3bの少なくともは、第3の放熱部材3cに嵌合されている。また、本変形例においては、第1の配線基板1aと第2の配線基板1bとが、第1のパワー素子内蔵基板2a、第2のパワー素子内蔵基板2b、第1のゲートドライバ7a、第2のゲートドライバ7bをそれぞれ貫通するピン13aおよび/または13bによって、電気的に接続されている。また、第3の放熱部材3c、第3の放熱部材13に嵌合している第1および第2の放熱部材3a、3bを貫通するネジ9によって第1、第2および第3の放熱部材が固定されている。
(変形例2)
変形例2として、図13に、本開示にかかる複合モジュールユニットの構成要素同士の固定および電気的接続の一態様を示す。図13の複合モジュールユニット10eは、第1の配線基板1a上に第1のパワー素子内蔵基板2aおよび第1のゲートドライバ7aが実装された第1のモジュールユニットと、第2の配線基板1b上に第2のパワー素子内蔵基板2bおよび第2のゲートドライバ7bが実装された第2のモジュールユニットとがパワー素子内蔵基板の積層方向(Y方向)に積層されている。さらに、第1のモジュールユニット上には第1の放熱部材3aが、第2のモジュールユニット上には第2の放熱部材3bがそれぞれ配置されている。また、第1の放熱部材3aの少なくとも一部および第2の放熱部材3bの少なくともは、第3の放熱部材3cに嵌合されている。また、本変形例においては、第1の配線基板1aと第2の配線基板1bとがピン13によって、電気的に接続されている。また、第3の放熱部材3c、第3の放熱部材13に嵌合している第1および第2の放熱部材3a、3bを貫通するネジ9によって第1、第2および第3の放熱部材が固定されている。
(変形例3および4)
変形例3として、図14に、本開示にかかる複合モジュールユニットの構成要素同士の固定および電気的接続の一態様を示す。図14の複合モジュールユニット10fは、図13の複合モジュールユニット10eに加えて、さらに、第3の放熱部材3cに放熱フィン(冷却フィン)が接続されている。また、変形例4として、図15に、本開示にかかる複合モジュールユニットの構成要素同士の固定方法および電気的接続の一態様を示す。図15の複合モジュールユニット10hは、第2の放熱部材3b上に放熱フィン3dが接続されている。このような構成とすることにより、パワー素子内蔵基板やゲートドライバで発生した熱を好適に冷却することができる。なお、本変形例においては放熱部材3cまたは第2の放熱部材3bに放熱フィンが接続されている構成を例示したが、本開示はこのような構成に限定されない。本開示においては、前記放熱部材3cまたは第2の放熱部材3bが放熱フィン3d以外の冷却器に接続されていてもよく、例えば、複合モジュールユニットが実装される筐体に接続されていてもよい。
(変形例5)
変形例5として、図20~22を用いて、複合モジュールユニットの構成要素同士の固定方法および電気的接続の一態様を説明する。図20および図21は、変形例5にかかるモジュールユニット10iを模式的に示す上面図および断面図である。図21(a)、(b)、(c)、(d)はそれぞれ図20におけるA-A断面、B-B断面、C-C断面、D-D断面を示す。図20および図21に示すように、モジュールユニット10aのパワー素子内蔵基板と電源、他の部品、配線基板および/または実装基板とを接続するための入力ピン32a、出力ピン32b、およびGNDピン32cと、配線基板上の他の部品や配線基板とその他部品等とを接続するための電源ピン31aおよび信号ピン31bとが、配線基板1aを貫通する形で配置されている。本開示においては、入力ピン32a、出力ピン32bおよびGNDピン32cは、図示しない配線パターン等を用いて、パワー素子内蔵基板2a上の対応する電極パッド(信号パッド、電源パッド等)と電気的に接続されている。本開示においては、入力ピン32a、出力ピン32bおよびGNDピン32cが、平面視(上面視)でパワー素子内蔵基板の外周よりも外側で且つ外周近傍に位置しているのが好ましい。
図22は、図20および図21のモジュールユニット10iが実装基板11上に積層する形で実装された例を模式的に示す分解斜視図である。図22に示されるように、モジュールユニット10iは、各電極ピン(入力ピン32a、出力ピン32b、GNDピン32c、信号ピン32a、電源ピン32b)が実装基板に挿入される形で実装されてよい。この場合、実装基板11上には、(図示しないが)各ピンに対応した孔が形成されている。複合モジュールユニット10iの実装基板への実装方法は、上述した構成に限定されない。
(変形例6)
変形例6として、図23および図24を用いて、本開示の複合モジュールユニットの構成要素同士の固定方法および電気的接続の一態様を説明する。図23および図24は、変形例5にかかるモジュールユニット10iを模式的に示す上面図および断面図である。図24(a)、(b)、(c)、(d)はそれぞれ図23におけるA-A断面、B-B断面、C-C断面、D-D断面を示す。図23および図24に示す複合モジュールユニット10jは、第1の放熱部材3aおよび第2の放熱部材3bの両側にそれぞれ第3の放熱部材3cを有する点で、変形例5にかかる複合モジュールユニット10iと異なる。なお、第3の放熱部材3cは、ねじ(ビス)9を用いて第1および第2の放熱部材3a、3bと接続されている。
(変形例7)
変形例7として、図27に、本開示にかかる複合モジュールユニットの他の一態様を示す。図27の複合モジュールユニット10kは、さらに第3の配線基板1cを備えており、該第3の配線基板1cが、第2のパワー素子内蔵基板2b(第2の放熱部材3b)上に積層されている点、および該第3の配線基板1c上にゲートドライバ7aが実装されている点で変形例1にかかる図12の複合モジュールユニット10dと異なる。本変形例7において、ゲートドライバ7aは、第1のパワー素子内蔵基板2aおよび第2のパワー素子内蔵基板2bの両方の制御を行うものであってよい。ゲートドライバ7a、パワー素子内蔵基板2aおよび2bは、電極ピン13bによって電気的に接続されている。このような構成とすることにより、パワー素子内蔵基板2aおよび2bの設計を簡易にすることができ、また、ゲートドライバ7aとパワー素子内蔵基板2aおよび2bとのインダクタンスをより低減することができる。なお、図27に示す各構成要素の固定方法および電気的接続は、一例であって、本開示はこれらの構成に限定されない。
図28および図29は、変形例8にかかるモジュールユニット10lを模式的に示す上面図および断面図である。図24(a)、(b)、(c)、(d)はそれぞれ図23におけるA-A断面、B-B断面、C-C断面、D-D断面を示す。図28のモジュールユニット10lでは、配線基板のパワー素子内蔵基板2a(2b)と反対側の面に、放熱部材3a(3c)およびパワー素子内蔵基板2a内のパワー素子を制御するためのゲートドライバ7a(7b)が配置されている。図28のモジュールユニット10jによれば、モジュールユニット10jの両面側に放熱部材(金属ブロック)が配置されているため、より放熱性に優れた構成とすることができる。また、裏面側にも放熱部材が配置されているため、それぞれの放熱部材(金属ブロック)をより小型化することができる。さらに、図27のモジュールユニット10lによれば、裏面側にゲートドライバ7a(7b)が配置されているため、基板の面積を最小化しつつインダクタンスをより低減することができる。また、本開示においては、図28のモジュールユニットのように、パワー素子内蔵基板2aとゲートドライバ7aとが平面視で(Y方向からみて)重ならない位置に配置されていてもよい。このように配置することにより、パワー素子内蔵基板2aから発生する熱によるゲートドライバ7aへの影響をより良好に低減することができる。なお、本開示においては、パワー素子内蔵基板2aおよびゲートドライバ7a(7b)が、平面視で(Y方向からみて)一部重なっていてもよい。平面視で重なる割合が少なければ(例えば、平面視でパワー素子内蔵基板の面積の50%以下、好ましくは30%以下)、熱の影響を低減することができる。
上述した本発明の実施形態に係るモジュールユニットは、上記した機能を発揮させるべく、インバータやコンバータなどの電力変換装置に適用することができる。図16は、本発明の実施形態に係る半導体装置を用いた制御システムの一例を示すブロック構成図、図18は同制御システムの回路図であり、特に電気自動車(Electric Vehicle)への搭載に適した制御システムである。
図16に示すように、制御システム500はバッテリー(電源)501、昇圧コンバータ502、降圧コンバータ503、インバータ504、モータ(駆動対象)505、駆動制御部506を有し、これらは電気自動車に搭載されてなる。バッテリー501は例えばニッケル水素電池やリチウムイオン電池などの蓄電池からなり、給電ステーションでの充電あるいは減速時の回生エネルギーなどにより電力を貯蔵するとともに、電気自動車の走行系や電装系の動作に必要となる直流電圧を出力することができる。昇圧コンバータ502は例えばチョッパ回路を搭載した電圧変換装置であり、バッテリー501から供給される例えば200Vの直流電圧を、チョッパ回路のスイッチング動作により例えば650Vに昇圧して、モータなどの走行系に出力することができる。降圧コンバータ503も同様にチョッパ回路を搭載した電圧変換装置であるが、バッテリー501から供給される例えば200Vの直流電圧を、例えば12V程度に降圧することで、パワーウインドーやパワーステアリング、あるいは車載の電気機器などを含む電装系に出力することができる。
インバータ504は、昇圧コンバータ502から供給される直流電圧をスイッチング動作により三相の交流電圧に変換してモータ505に出力する。モータ505は電気自動車の走行系を構成する三相交流モータであり、インバータ504から出力される三相の交流電圧によって回転駆動され、その回転駆動力を図示しないトランスミッション等を介して電気自動車の車輪に伝達する。
一方、図示しない各種センサを用いて、走行中の電気自動車から車輪の回転数やトルク、アクセルペダルの踏み込み量(アクセル量)などの実測値が計測され、これらの計測信号が駆動制御部506に入力される。また同時に、インバータ504の出力電圧値も駆動制御部506に入力される。駆動制御部506はCPU(Central Processing Unit)などの演算部やメモリなどのデータ保存部を備えたコントローラの機能を有するもので、入力された計測信号を用いて制御信号を生成してインバータ504にフィードバック信号として出力することで、スイッチング素子によるスイッチング動作を制御する。これによって、インバータ504がモータ505に与える交流電圧が瞬時に補正されることで、電気自動車の運転制御を正確に実行させることができ、電気自動車の安全・快適な動作が実現する。なお、駆動制御部506からのフィードバック信号を昇圧コンバータ502に与えることで、インバータ504への出力電圧を制御することも可能である。
図17は、図16における降圧コンバータ503を除いた回路構成、すなわちモータ505を駆動するための構成のみを示した回路構成である。同図に示されるように、本発明の実施形態に係るモジュールユニットは、例えばショットキーバリアダイオードとして昇圧コンバータ502およびインバータ504に採用されることでスイッチング制御に供される。昇圧コンバータ502においてはチョッパ回路に組み込まれてチョッパ制御を行い、またインバータ504においてはIGBTを含むスイッチング回路に組み込まれてスイッチング制御を行う。なお、バッテリー501の出力にインダクタ(コイルなど)を介在させることで電流の安定化を図り、またバッテリー501、昇圧コンバータ502、インバータ504のそれぞれの間にキャパシタ(電解コンデンサなど)を介在させることで電圧の安定化を図っている。
また、図17中に点線で示すように、駆動制御部506内にはCPU(Central Processing Unit)からなる演算部507と不揮発性メモリからなる記憶部508が設けられている。駆動制御部506に入力された信号は演算部507に与えられ、プログラムされた演算を必要に応じて行うことで各半導体素子に対するフィードバック信号を生成する。また記憶部508は、演算部507による演算結果を一時的に保持したり、駆動制御に必要な物理定数や関数などをテーブルの形で蓄積して演算部507に適宜出力する。演算部507や記憶部508は公知の構成を採用することができ、その処理能力等も任意に選定できる。
図16や図17に示されるように、制御システム500においては、昇圧コンバータ502、降圧コンバータ503、インバータ504のスイッチング動作にはダイオードやスイッチング素子であるサイリスタ、パワートランジスタ、IGBT、MOSFET等が用いられる。これらの半導体素子に酸化ガリウム(Ga)、特にコランダム型酸化ガリウム(α-Ga)をその材料として用いることでスイッチング特性が大幅に向上する。さらに、本発明の実施形態に係るモジュールユニットを適用することで、極めて良好なスイッチング特性が期待できるとともに、制御システム500の一層の小型化やコスト低減が実現可能となる。すなわち、昇圧コンバータ502、降圧コンバータ503、インバータ504のそれぞれが本発明による効果を期待できるものとなり、これらのいずれか一つ、もしくは任意の二つ以上の組合せ、あるいは駆動制御部506も含めた形態のいずれにおいても本発明の効果を期待することができる。
なお、上述の制御システム500は本発明の実施形態に係るモジュールユニットを電気自動車の制御システムに適用できるだけではなく、直流電源からの電力を昇圧・降圧したり、直流から交流へ電力変換するといったあらゆる用途の制御システムに適用することが可能である。また、バッテリーとして太陽電池などの電源を用いることも可能である。
図18、本発明の実施形態に係るモジュールユニットを採用した制御システムの他の例を示すブロック構成図、図19は同制御システムの回路図であり、交流電源からの電力で動作するインフラ機器や家電機器等への搭載に適した制御システムである。
図18に示すように、制御システム600は、外部の例えば三相交流電源(電源)601から供給される電力を入力するもので、AC/DCコンバータ602、インバータ604、モータ(駆動対)605、駆動制御部606を有し、これらは様々な機器(後述する)に搭載することができる。三相交流電源601は、例えば電力会社の発電施設(火力発電所、水力発電所、地熱発電所、原子力発電所など)であり、その出力は変電所を介して降圧されながら交流電圧として供給される。また、例えば自家発電機等の形態でビル内や近隣施設内に設置されて電力ケーブルで供給される。AC/DCコンバータ602は交流電圧を直流電圧に変換する電圧変換装置であり、三相交流電源601から供給される100Vや200Vの交流電圧を所定の直流電圧に変換する。具体的には、電圧変換により3.3Vや5V、あるいは12Vといった、一般的に用いられる所望の直流電圧に変換される。駆動対象がモータである場合には12Vへの変換が行われる。なお、三相交流電源に代えて単相交流電源を採用することも可能であり、その場合にはAC/DCコンバータを単相入力のものとすれば同様のシステム構成とすることができる。
インバータ604は、AC/DCコンバータ602から供給される直流電圧をスイッチング動作により三相の交流電圧に変換してモータ605に出力する。モータ604は、制御対象によりその形態が異なるが、制御対象が電車の場合には車輪を、工場設備の場合にはポンプや各種動力源を、家電機器の場合にはコンプレッサなどを駆動するための三相交流モータであり、インバータ604から出力される三相の交流電圧によって回転駆動され、その回転駆動力を図示しない駆動対象に伝達する。
なお、例えば家電機器においてはAC/DCコンバータ602から出力される直流電圧をそのまま供給することが可能な駆動対象も多く(例えばパソコン、LED照明機器、映像機器、音響機器など)、その場合には制御システム600にインバータ604は不要となり、図20中に示すように、AC/DCコンバータ602から駆動対象に直流電圧を供給する。この場合、例えばパソコンなどには3.3Vの直流電圧が、LED照明機器などには5Vの直流電圧が供給される。
一方、図示しない各種センサを用いて、駆動対象の回転数やトルク、あるいは駆動対象の周辺環境の温度や流量などといった実測値が計測され、これらの計測信号が駆動制御部606に入力される。また同時に、インバータ604の出力電圧値も駆動制御部606に入力される。これらの計測信号をもとに、駆動制御部606はインバータ604にフィードバック信号を与え、スイッチング素子によるスイッチング動作を制御する。これによって、インバータ604がモータ605に与える交流電圧が瞬時に補正されることで、駆動対象の運転制御を正確に実行させることができ、駆動対象の安定した動作が実現する。また、上述のように、駆動対象が直流電圧で駆動可能な場合には、インバータへのフィードバックに代えてAC/DCコンバータ602をフィードバック制御することも可能である。
図19は、図18の回路構成を示したものである。同図に示されるように、本発明の実施形態に係る半導体装置は、例えばショットキーバリアダイオードとしてAC/DCコンバータ602およびインバータ604に採用されることでスイッチング制御に供される。AC/DCコンバータ602は、例えばショットキーバリアダイオードをブリッジ状に回路構成したものが用いられ、入力電圧の負電圧分を正電圧に変換整流することで直流変換を行う。またインバータ604においてはIGBTにおけるスイッチング回路に組み込まれてスイッチング制御を行う。なお、AC/DCコンバータ602とインバータ604の間にキャパシタ(電解コンデンサなど)を介在させることで電圧の安定化を図っている。
また、図19中に点線で示すように、駆動制御部606内にはCPUからなる演算部607と不揮発性メモリからなる記憶部608が設けられている。駆動制御部606に入力された信号は演算部607に与えられ、プログラムされた演算を必要に応じて行うことで各半導体素子に対するフィードバック信号を生成する。また記憶部608は、演算部607による演算結果を一時的に保持したり、駆動制御に必要な物理定数や関数などをテーブルの形で蓄積して演算部607に適宜出力する。演算部607や記憶部608は公知の構成を採用することができ、その処理能力等も任意に選定できる。
このような制御システム600においても、図16や図17に示した制御システム500と同様に、AC/DCコンバータ602やインバータ604の整流動作やスイッチング動作にはダイオードやスイッチング素子であるサイリスタ、パワートランジスタ、IGBT、MOSFET等が用いられる。これら半導体素子に酸化ガリウム(Ga)、特にコランダム型酸化ガリウム(α-Ga)をその材料として用いることでスイッチング特性が向上する。さらに、本発明の実施形態に係る半導体装置を適用することで、極めて良好なスイッチング特性が期待できるとともに、制御システム600の一層の小型化やコスト低減が実現可能となる。すなわち、AC/DCコンバータ602、インバータ604のそれぞれが本発明による効果を期待できるものとなり、これらのいずれか一つ、もしくは組合せ、あるいは駆動制御部606も含めた形態のいずれにおいても本発明の効果を期待することができる。
なお、図18および図19では駆動対象としてモータ605を例示したが、駆動対象は必ずしも機械的に動作するものに限られず、交流電圧を必要とする多くの機器を対象とすることができる。制御システム600においては、交流電源から電力を入力して駆動対象を駆動する限りにおいては適用が可能であり、インフラ機器(例えばビルや工場等の電力設備、通信設備、交通管制機器、上下水処理設備、システム機器、省力機器、電車など)や家電機器(例えば、冷蔵庫、洗濯機、パソコン、LED照明機器、映像機器、音響機器など)といった機器を対象とした駆動制御のために搭載することができる。
[付記]
以上のように、本実施形態は以下のような開示を含む。
(付記1)
第1の配線基板と、該第1の配線基板上に実装されている第1のパワー素子内蔵基板とを有する第1のモジュールユニットと、
第2の配線基板と、該第2の配線基板上に実装されている第2のパワー素子内蔵基板とを有する第2のモジュールユニットとを備え、
前記第1のモジュールユニットと前記第2のモジュールユニットとは、前記第1の配線基板および前記第2の配線基板の厚み方向に積層されており、且つ、放熱部材を介して熱的に接続されている、
複合モジュールユニット。
(付記2)
第1の配線基板と、該第1の配線基板上に実装されている第1のパワー素子内蔵基板を有する第1のモジュールユニットと、
第2の配線基板と、該第2の配線基板上に実装されている第2のパワー素子内蔵基板を有する第2のモジュールユニットとを備え、
前記第1のモジュールユニットと前記第2のモジュールユニットとは、前記第1の配線基板および前記第2の配線基板の厚み方向に積層されており、さらに、
前記第1のモジュールユニット上に配置された第1の放熱部材と、前記第1のモジュールユニットおよび前記第2のモジュールユニットの側面に沿って配置されている第2の放熱部材とを有し、
前記第1の放熱部材と前記第2の放熱部材とは熱的に接続されている、
複合モジュールユニット。
(付記3)
前記パワー素子内蔵基板は、第1の配線層と、保持層と、前記第1の配線層と前記保持層との間に位置する絶縁層と、パワー素子とを備え、前記パワー素子が前記絶縁層に埋め込まれている付記1または2に記載の複合モジュールユニット。
(付記4)
前記パワー素子は、電力変換回路の一部を構成するものである付記3記載の複合モジュールユニット。
(付記5)
さらにゲートドライバを備えており、前記ゲートドライバが、前記第1の配線基板および前記第2の配線基板の少なくとも一方に実装されている付記1~4のいずれかに記載の複合モジュールユニット。
(付記6)
さらに、第3の配線基板と該第3の配線基板上に実装されているゲートドライバを備える付記1~5のいずれかに記載の複合モジュールユニット。
(付記7)
前記ゲートドライバが、前記第1のパワー素子内蔵基板および前記第2のパワー素子内蔵基板に含まれるパワー素子を制御する請求項1~6のいずれかに記載の複合モジュールユニット。
(付記8)
前記第1の放熱部材は、前記第1の配線基板と熱的に接続されている付記1~7のいずれかに記載の複合モジュールユニット。
(付記9)
前記第2のパワー素子内蔵基板上に第2の放熱部材が配置されている付記1~8のいずれかに記載の複合モジュールユニット。
(付記10)
前記第2の放熱部材が、冷却フィンに接続されている付記1~9のいずれかに記載の複合モジュールユニット。
(付記11)
前記第2のパワー素子内蔵基板上に第3の放熱部材が配置されており、該第3の放熱部材は、第2の放熱部材と熱的に接続されている付記1~10のいずれかに記載の複合モジュールユニット。
(付記12)
モジュールユニットと実装基板とを備え、前記実装基板上に前記モジュールユニットが接続されているシステム基板であって、前記モジュールユニットが請求項1または2に記載の複合モジュールユニットであり、前記モジュールユニットが前記実装基板上に立設されているシステム基板。
(付記13)
モジュールユニットと実装基板とを備え、前記実装基板上に前記モジュールユニットが接続されているシステム基板であって、前記モジュールユニットが請求項1または2に記載の複合モジュールユニットであり、前記モジュールユニットが実装基板上に積層されるように接続されているシステム基板。
なお、上述した本発明に係る複数の実施形態の一部または全部を組合わせたり、一部の構成要素を他の実施形態に適用することももちろん可能であり、そのようなものも本発明の実施形態に属する。
1a 第1の配線基板
1b 第2の配線基板
1c 第3の配線基板
2a 第1のパワー素子内蔵基板
2b 第2のパワー素子内蔵基板
3a 第1の放熱部材
3b 第2の放熱部材
3c 第3の放熱部材
3d 第4の放熱部材(冷却器・冷却フィン)
4a、4b 絶縁部材
4c、4d 絶縁部材
5a、5b 凹部
6 グランド電極
7a 第1のゲートドライバ
7b 第2のゲートドライバ
8a 電極ピン
8b ホール
10a、10b、10c 複合モジュールユニット
10d、10e、10f 複合モジュールユニット
10g、10h、10i 複合モジュールユニット
10j、10k、10l 複合モジュールユニット
11 実装基板
12 受動部品
13a 電極ピン
13b 電極ピン
14a 樹脂部
14b ピン部
14c ピン部
31a 電源ピン
31b 信号ピン
32a 入力ピン
32b 出力ピン
32c GNDピン
101a、101b トランジスタ
102a、102b ダイオード
111 第1の配線層(上部配線層)
112 保持層(第2の配線層/下部配線層)
115 絶縁体
117 導電ビア
118 基材
119a 絶縁保護層
119b 絶縁保護層
120 スルーホール
111a 接着層(導電性接着層)
111b 接着層(導電性接着層)
500 制御システム
501 バッテリー(電源)
502 昇圧コンバータ
503 降圧コンバータ
504 インバータ
505 モータ(駆動対象)
506 駆動制御部
507 演算部
508 記憶部
600 制御システム
601 三相交流電源(電源)
602 AC/DCコンバータ
604 インバータ
605 モータ(駆動対象)
606 駆動制御部
607 演算部
608 記憶部

Claims (13)

  1. 第1の配線基板と、該第1の配線基板上に実装されている第1のパワー素子内蔵基板とを有する第1のモジュールユニットと、
    第2の配線基板と、該第2の配線基板上に実装されている第2のパワー素子内蔵基板とを有する第2のモジュールユニットとを備え、
    前記第1のモジュールユニットと前記第2のモジュールユニットとは、前記第1の配線基板および前記第2の配線基板の厚み方向に積層されており、且つ、放熱部材を介して熱的に接続されている、
    複合モジュールユニット。
  2. 第1の配線基板と、該第1の配線基板上に実装されている第1のパワー素子内蔵基板を有する第1のモジュールユニットと、
    第2の配線基板と、該第2の配線基板上に実装されている第2のパワー素子内蔵基板を有する第2のモジュールユニットとを備え、
    前記第1のモジュールユニットと前記第2のモジュールユニットとは、前記第1の配線基板および前記第2の配線基板の厚み方向に積層されており、さらに、
    前記第1のモジュールユニット上に配置された第1の放熱部材と、前記第1のモジュールユニットおよび前記第2のモジュールユニットの側面に沿って配置されている第2の放熱部材とを有し、
    前記第1の放熱部材と前記第2の放熱部材とは熱的に接続されている、
    複合モジュールユニット。
  3. 前記パワー素子内蔵基板は、第1の配線層と、保持層と、前記第1の配線層と前記保持層との間に位置する絶縁層と、パワー素子とを備え、前記パワー素子が前記絶縁層に埋め込まれている請求項1記載の複合モジュールユニット。
  4. 前記パワー素子は、電力変換回路の一部を構成するものである請求項3記載の複合モジュールユニット。
  5. さらにゲートドライバを備えており、前記ゲートドライバが、前記第1の配線基板および前記第2の配線基板の少なくとも一方に実装されている請求項1または2に記載の複合モジュールユニット。
  6. さらに、第3の配線基板と該第3の配線基板上に実装されているゲートドライバを備える請求項1または2に記載の複合モジュールユニット。
  7. 前記ゲートドライバが、前記第1のパワー素子内蔵基板および前記第2のパワー素子内蔵基板に含まれるパワー素子を制御する請求項6記載の複合モジュールユニット。
  8. 前記第1の放熱部材は、前記第1の配線基板と熱的に接続されている請求項に記載の複合モジュールユニット。
  9. 前記第2のパワー素子内蔵基板上に第2の放熱部材が配置されている請求項1記載の複合モジュールユニット。
  10. 前記第2の放熱部材が、冷却フィンに接続されている請求項9記載の複合モジュールユニット。
  11. 前記第2のパワー素子内蔵基板上に第3の放熱部材が配置されており、該第3の放熱部材は、第2の放熱部材と熱的に接続されている請求項2記載の複合モジュールユニット。
  12. モジュールユニットと実装基板とを備え、前記実装基板上に前記モジュールユニットが接続されているシステム基板であって、前記モジュールユニットが請求項1または2に記載の複合モジュールユニットであり、前記モジュールユニットが前記実装基板上に立設されているシステム基板。
  13. モジュールユニットと実装基板とを備え、前記実装基板上に前記モジュールユニットが接続されているシステム基板であって、前記モジュールユニットが請求項1または2に記載の複合モジュールユニットであり、前記モジュールユニットが実装基板上に積層されるように接続されているシステム基板。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001177051A (ja) 1999-12-20 2001-06-29 Toshiba Corp 半導体装置及びシステム装置
WO2007126090A1 (ja) 2006-04-27 2007-11-08 Nec Corporation 回路基板、電子デバイス装置及び回路基板の製造方法
JP2008091879A (ja) 2006-08-15 2008-04-17 Qimonda Ag 放熱装置を備えた集積回路パッケージおよびその製造方法
JP2010080683A (ja) 2008-09-26 2010-04-08 Kyocera Corp 半導体装置の製造方法
JP2011187823A (ja) 2010-03-10 2011-09-22 Denso Corp 半導体装置
JP2019062585A (ja) 2017-09-22 2019-04-18 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 半導体装置
JP2019075908A (ja) 2017-10-17 2019-05-16 株式会社デンソー 制御装置
JP2020010002A (ja) 2018-07-12 2020-01-16 アオイ電子株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2023006386A (ja) 2021-06-30 2023-01-18 株式会社Flosfia 電子部品装置の製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62293749A (ja) * 1986-06-13 1987-12-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体装置の3次元的実装構造およびその製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001177051A (ja) 1999-12-20 2001-06-29 Toshiba Corp 半導体装置及びシステム装置
WO2007126090A1 (ja) 2006-04-27 2007-11-08 Nec Corporation 回路基板、電子デバイス装置及び回路基板の製造方法
JP2008091879A (ja) 2006-08-15 2008-04-17 Qimonda Ag 放熱装置を備えた集積回路パッケージおよびその製造方法
JP2010080683A (ja) 2008-09-26 2010-04-08 Kyocera Corp 半導体装置の製造方法
JP2011187823A (ja) 2010-03-10 2011-09-22 Denso Corp 半導体装置
JP2019062585A (ja) 2017-09-22 2019-04-18 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 半導体装置
JP2019075908A (ja) 2017-10-17 2019-05-16 株式会社デンソー 制御装置
JP2020010002A (ja) 2018-07-12 2020-01-16 アオイ電子株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2023006386A (ja) 2021-06-30 2023-01-18 株式会社Flosfia 電子部品装置の製造方法

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