JP7450475B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents

Description

本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理装置に関するものである。

プラズマ処理装置がデバイス製造において用いられている。特開２０１１－２４３６３５号公報（以下、「特許文献１」という）は、プラズマ処理装置の一種として、平行平板型のプラズマ処理装置を開示している。

特許文献１のプラズマ処理装置は、チャンバ及び上部電極を備える。上部電極は、シャワーヘッドを構成している。シャワーヘッドは、成膜ガスをチャンバ内に導入する。上部電極は、高周波電源に接続されている。高周波電源は、上部電極に高周波電力を供給する。上部電極に供給される高周波電力は、チャンバ内で高周波電界を生成する。生成された高周波電界は、チャンバ内で成膜ガスを励起させて、プラズマを生成する。基板に対する成膜処理では、プラズマからの化学種が基板上に堆積して、基板上に膜を形成する。

また、特許文献１のプラズマ処理装置は、チャンバをクリーニングする機能を備えている。具体的に、特許文献１のプラズマ処理装置は、クリーニングガスのリモートプラズマからのラジカルといった化学種をチャンバの側壁からチャンバ内に導入するように構成されている。

特開２０１１－２４３６３５号公報

本開示は、ガス供給管がシャワーヘッドを構成する上部電極の中央から上方に延在するプラズマ処理装置において、電磁波によりチャンバ内で生成されるプラズマの密度の分布の均一性を高める技術を提供する。

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ、基板支持部、シャワーヘッド、ガス供給管、導入部、及び電磁波の供給路を備える。基板支持部は、チャンバ内に設けられている。シャワーヘッドは、金属から形成されている。シャワーヘッドは、チャンバ内の空間に向けて開口した複数のガス孔を提供し、基板支持部の上方に設けられている。ガス供給管は、金属から形成されている。ガス供給管は、チャンバの上方で鉛直方向に延在して、シャワーヘッドの上部中央に接続されている。導入部は、誘電体から形成されており、ＶＨＦ波又はＵＨＦ波である電磁波をそこからチャンバ内に導入するようにシャワーヘッドの外周に沿って設けられている。供給路は、ガス供給管に接続されている。ガス供給管は、環状の鍔部を含む。供給路は、鍔部に接続された導体を含む。

一つの例示的実施形態に係るによれば、ガス供給管がシャワーヘッドを構成する上部電極の中央から上方に延在するプラズマ処理装置において、電磁波によりチャンバ内で生成されるプラズマの密度の分布の均一性を高めることが可能となる。

一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す断面図である。 図１のＩＩ－ＩＩ線に沿ってとった断面図である。 シミュレーションの結果を示す図である。 シミュレーションの結果を示す図である。 シミュレーションの結果を示す図である。 シミュレーションの結果を示す図である。

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ、基板支持部、シャワーヘッド、ガス供給管、導入部、及び電磁波の供給路を備える。基板支持部は、チャンバ内に設けられている。シャワーヘッドは、金属から形成されている。シャワーヘッドは、チャンバ内の空間に向けて開口した複数のガス孔を提供し、基板支持部の上方に設けられている。ガス供給管は、金属から形成されている。ガス供給管は、チャンバの上方で鉛直方向に延在して、シャワーヘッドの上部中央に接続されている。導入部は、誘電体から形成されており、ＶＨＦ波又はＵＨＦ波である電磁波をそこからチャンバ内に導入するようにシャワーヘッドの外周に沿って設けられている。供給路は、ガス供給管に接続されている。ガス供給管は、環状の鍔部を含む。供給路は、鍔部に接続された導体を含む。

上記実施形態のプラズマ処理装置では、ガス供給管がシャワーヘッドの上部中央に接続されており、電磁波の供給路は、このガス供給管の鍔部に接続されている。したがって、ガス供給管の周りで均一に電磁波が伝播する。電磁波は、ガス供給管及びシャワーヘッドを介して、シャワーヘッドの外周に沿って設けられた導入部から、チャンバ内に導入される。故に、この実施形態のプラズマ処理装置によれば、チャンバ内でのプラズマの密度の分布の均一性を高めることが可能となる。

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、カバー導体及び誘電体部を更に備えていてもよい。カバー導体は、円筒形状を有し、ガス供給管を囲んでいる。カバー導体の上端は、ガス供給管に接続されている。誘電体部は、ガス供給管の長手方向における一部分とカバー導体との間に設けられている。この実施形態によれば、カバー導体の鉛直方向における長さが短く、カバー導体の直径が小さくても、高次モードの発生が抑制され得る。

一つの例示的実施形態において、誘電体部は、鍔部の下面から上方に設けられていてもよい。

一つの例示的実施形態において、ガス供給管とカバー導体との間の空間のうち鍔部の下面と上端との間の領域が、誘電体で埋められていてもよい。

一つの例示的実施形態において、鍔部の半径Ｒ、鍔部の厚さｄ１、及び、鍔部の下面とカバー導体の上端との間の距離ｄ２は、
λ_ｇ／（４×π）－λ_ｇ／（３０×π）≦Ｒ≦λ_ｇ／（４×π）
１８（ｍｍ）≦ｄ１≦４０（ｍｍ）
λ_ｇ／６≦ｄ２≦λ_ｇ／５
を満たしていてもよい。ここで、λ_ｇは電磁波の実効波長である。

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、電磁波を発生するように構成された電源を更に備えていてもよい。

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、第１のガス源、第２のガス源、及びリモートプラズマ源を更に備えていてもよい。第１のガス源は、成膜ガスのガス源であり、ガス供給管に接続されている。第２のガス源は、クリーニングガスのガス源である。リモートプラズマ源は、第２のガス源とガス供給管との間で接続されている。成膜ガスは、シリコン含有ガスを含んでいてもよい。クリーニングガスは、ハロゲン含有ガスを含んでいてもよい。

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

図１は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す断面図である。図１に示すプラズマ処理装置１は、平行平板型のプラズマ処理装置である。プラズマ処理装置１は、電磁波によりプラズマを生成するように構成されている。電磁波は、ＶＨＦ波又はＵＨＦ波である。ＶＨＦ波の帯域は３０ＭＨｚ～３００ＭＨｚであり、ＵＨＦ波の帯域は３００ＭＨｚ～３ＧＨｚである。

プラズマ処理装置１は、チャンバ１０を備えている。チャンバ１０は、内部空間を画成している。基板Ｗはチャンバ１０の内部空間の中で処理される。チャンバ１０は、その中心軸線として軸線ＡＸを有している。軸線ＡＸは、鉛直方向に延びる軸線である。

一実施形態においては、チャンバ１０は、チャンバ本体１２を含んでいてもよい。チャンバ本体１２は、略円筒形状を有しており、その上部において開口されている。チャンバ本体１２は、チャンバ１０の側壁及び底部を提供している。チャンバ本体１２は、アルミニウムのような金属から形成されている。チャンバ本体１２は、接地されている。

チャンバ本体１２の側壁は、通路１２ｐを提供している。基板Ｗは、チャンバ１０の内部と外部との間で搬送されるときに、通路１２ｐを通過する。通路１２ｐは、ゲートバルブ１２ｖによって開閉可能である。ゲートバルブ１２ｖは、チャンバ本体１２の側壁に沿って設けられている。

チャンバ１０は、上壁１４を更に含んでいてもよい。上壁１４は、アルミニウムのような金属から形成されている。上壁１４は、後述するカバー導体と共にチャンバ本体１２の上部の開口を閉じている。上壁１４は、チャンバ本体１２と共に接地されている。

チャンバ１０の底部は、排気口を提供している。排気口は、排気装置１６に接続されている。排気装置１６は、自動圧力制御弁のような圧力制御器及びターボ分子ポンプのような真空ポンプを含んでいる。

プラズマ処理装置１は、基板支持部１８を更に備える。基板支持部１８は、チャンバ１０内に設けられている。基板支持部１８は、その上に載置される基板Ｗを支持するように構成されている。基板Ｗは、略水平な状態で基板支持部１８上に載置される。基板支持部１８は、支持部材１９によって支持されていてもよい。支持部材１９は、チャンバ１０の底部から上方に延びている。基板支持部１８及び支持部材１９は、酸化アルミニウム等の誘電体から形成され得る。

プラズマ処理装置１は、シャワーヘッド２０を更に備える。シャワーヘッド２０は、アルミニウムのような金属から形成されている。シャワーヘッド２０は、略円盤形状を有しており、中空構造を有し得る。シャワーヘッド２０は、その中心軸線として軸線ＡＸを共有している。シャワーヘッド２０は、基板支持部１８の上方、且つ、上壁１４の下方に設けられている。シャワーヘッド２０は、チャンバ１０の内部空間を画成する天部を構成している。

シャワーヘッド２０は、複数のガス孔２０ｈを提供している。複数のガス孔２０ｈは、チャンバ１０の内部空間に向けて開口している。シャワーヘッド２０は、その中にガス拡散室２０ｃを更に提供している。複数のガス孔２０ｈは、ガス拡散室２０ｃに接続しており、ガス拡散室２０ｃから下方に延びている。

プラズマ処理装置１は、ガス供給管２２を更に備える。ガス供給管２２は、円筒形状の管である。ガス供給管２２は、アルミニウムのような金属から形成されている。ガス供給管２２は、シャワーヘッド２０の上方において、鉛直方向に延在している。ガス供給管２２は、その中心軸線として軸線ＡＸを共有している。ガス供給管２２の下端は、シャワーヘッド２０の上部中央に接続している。シャワーヘッド２０の上部中央は、ガスの入口を提供している。入口は、ガス拡散室２０ｃに接続している。ガス供給管２２は、ガスをシャワーヘッド２０に供給する。ガス供給管２２からのガスは、シャワーヘッド２０の入口及びガス拡散室２０ｃを介して、複数のガス孔２０ｈからチャンバ１０内に導入される。

一実施形態において、プラズマ処理装置１は、第１のガス源２４、第２のガス源２６、及びリモートプラズマ源２８を更に備えていてもよい。第１のガス源２４は、ガス供給管２２に接続されている。第１のガス源２４は、成膜ガスのガス源であり得る。成膜ガスは、シリコン含有ガスを含んでいてもよい。シリコン含有ガスは、例えばＳｉＨ_４を含む。成膜ガスは、他のガスを更に含んでいてもよい。例えば、成膜ガスは、ＮＨ_３ガス、Ｎ_２ガス、Ａｒのような希ガス等を更に含んでいてもよい。第１のガス源２４からのガス（例えば成膜ガス）は、ガス供給管２２を介してシャワーヘッド２０からチャンバ１０内に導入される。

第２のガス源２６は、リモートプラズマ源２８を介して、ガス供給管２２に接続されている。第２のガス源２６は、クリーニングガスのガス源であり得る。クリーニングガスは、ハロゲン含有ガスを含んでいてもよい。ハロゲン含有ガスは、例えばＮＦ_３及び／又はＣｌ_２を含む。クリーニングガスは、他のガスを更に含んでいてもよい。クリーニングガスは、Ａｒのような希ガスを更に含んでいてもよい。

リモートプラズマ源２８は、チャンバ１０から離れた場所で第２のガス源２６からのガスを励起させてプラズマを生成する。一実施形態では、リモートプラズマ源２８は、クリーニングガスからプラズマを生成する。リモートプラズマ源２８は、如何なるタイプのプラズマ源であってもよい。リモートプラズマ源２８としては、容量結合型のプラズマ源、誘導結合型のプラズマ源、又はマイクロ波によってプラズマを生成する型のプラズマ源が例示される。リモートプラズマ源２８において生成されたプラズマ中のラジカルは、ガス供給管２２を介してシャワーヘッド２０からチャンバ１０内に導入される。ラジカルの失活を抑制するために、ガス供給管２２は、比較的太い直径を有し得る。ガス供給管２２の外径（直径）は、例えば４０ｍｍ以上である。一例において、ガス供給管２２の外径（直径）は８０ｍｍである。なお、ガス供給管２２の外径（直径）は、鍔部２２ｆの他の部分２２ａでのガス供給管２２の外径である。鍔部２２ｆについては、後述する。

シャワーヘッド２０は、上壁１４から下方に離れている。シャワーヘッド２０と上壁１４との間の空間は、導波路３０の一部を構成している。この導波路３０は、ガス供給管２２が、ガス供給管２２と上壁１４との間に提供している空間も含む。

プラズマ処理装置１は、導入部３２を更に備える。導入部３２は、酸化アルミニウムのような誘電体から形成されている。導入部３２は、そこからチャンバ１０内に電磁波を導入するようにシャワーヘッド２０の外周に沿って設けられている。導入部３２は、環形状を有する。導入部３２は、シャワーヘッド２０とチャンバ本体１２との間の間隙を閉じており、導波路３０に繋がっている。

以下、図１と共に、図２を参照する。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿ってとった断面図である。上述したガス供給管２２は、その長手方向の一部において、環状の鍔部２２ｆを含んでいる。鍔部２２ｆは、ガス供給管２２の他の部分２２ａから径方向に突き出している。

プラズマ処理装置１は、電磁波の供給路３６を更に備える。供給路３６は、導体３６ｃを含んでいる。供給路３６の導体３６ｃは、ガス供給管２２に接続されている。具体的に、導体３６ｃの一端は、鍔部２２ｆに接続されている。

プラズマ処理装置１は、整合器４０及び電源５０を更に備えていてもよい。導体３６ｃの他端は、整合器４０を介して、電源５０に接続されていてもよい。電源５０は、電磁波の発生器である。整合器４０は、インピーダンス整合回路を有する。インピーダンス整合回路は、電源５０の負荷のインピーダンスを、電源５０の出力インピーダンスに整合させるように構成される。インピーダンス整合回路は、可変インピーダンスを有する。インピーダンス整合回路は、例えばπ型の回路で有り得る。

プラズマ処理装置１において、電源５０からの電磁波は、整合器４０、供給路３６（導体３６ｃ）、ガス供給管２２、及びシャワーヘッド２０の周りの導波路３０を介して、導入部３２からチャンバ１０内に導入される。この電磁波は、第１のガス源２４からのガス（例えば成膜ガス）をチャンバ１０内で励起させて、プラズマを生成させる。

一実施形態において、プラズマ処理装置１は、カバー導体４４及び誘電体部４６を更に備えていてもよい。カバー導体４４は、略円筒形状を有している。カバー導体４４は、チャンバ１０の上方で、ガス供給管２２を囲んでいる。カバー導体４４は、その上端４４ｔにおいてガス供給管２２に接続されている。即ち、カバー導体４４の上端４４ｔは、カバー導体４４とガス供給管２２との間の空間を閉じている。カバー導体４４の下端は、チャンバ１０に接続されている。一実施形態では、カバー導体４４の下端は、上壁１４に接続されていてもよい。カバー導体４４は、導体３６ｃを囲んでいてもよい。カバー導体４４と導体３６ｃとの間の空間は、誘電体部で埋められていてもよい。この誘電体部は、誘電体部４６と一体化されていてもよい。

誘電体部４６は、誘電体から形成されている。誘電体部４６は、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）から形成されている。誘電体部４６は、ガス供給管２２の長手方向における一部分とカバー導体４４との間に設けられている。誘電体部４６は、ガス供給管２２の長手方向における一部分からカバー導体４４の内面まで径方向に沿って延在し、ガス供給管２２の長手方向における当該一部分を囲むように周方向に沿って延在していてもよい。一実施形態において、誘電体部４６は、鍔部２２ｆの下面２２ｂから上方に設けられていてもよい。即ち、誘電体部４６の下端の鉛直方向における位置は、鍔部２２ｆの下面２２ｂの鉛直方向における位置と同一であってもよい。一実施形態においては、図１に示すように、ガス供給管２２とカバー導体４４との間の空間のうち鍔部２２ｆの下面２２ｂとカバー導体４４の上端４４ｔとの間の領域が、誘電体部４６で埋められていてもよい。

一実施形態において、鍔部２２ｆの半径Ｒ、鍔部２２ｆの厚さｄ１、及び、鍔部２２ｆの下面２２ｂとカバー導体４４の上端４４ｔとの間の距離ｄ２は、以下の式（１）～式（３）を満たしていてもよい。なお、λ_ｇは電磁波の実効波長である。
λ_ｇ／（４×π）－λ_ｇ／（３０×π）≦Ｒ≦λ_ｇ／（４×π） …（１）
１８（ｍｍ）≦ｄ１≦４０（ｍｍ） …（２）
λ_ｇ／６≦ｄ２≦λ_ｇ／５ …（３）

なお、電磁波の周波数が２２０ＭＨｚであり、ガス供給管２２とカバー導体４４との間の空間のうち下面２２ｂと上端４４ｔとの間の領域がＰＴＦＥの誘電体部４６で埋められている場合には、式（１）及び式（３）は以下の式（１ａ）及び式（３ａ）で表される。
６７（ｍｍ）≦Ｒ≦７３（ｍｍ） …（１ａ）
１５８（ｍｍ）≦ｄ２≦１８３（ｍｍ） …（３ａ）

以上説明したプラズマ処理装置１では、ガス供給管２２がシャワーヘッド２０の上部中央に接続されており、電磁波の供給路３６の導体３６ｃは、このガス供給管２２の鍔部２２ｆに接続されている。したがって、ガス供給管２２の周りで均一に電磁波が伝播する。電磁波は、ガス供給管２２及びシャワーヘッド２０を介して、シャワーヘッド２０の外周に沿って設けられた導入部３２から、チャンバ１０内に導入される。故に、プラズマ処理装置１によれば、チャンバ１０内でのプラズマの密度の分布の均一性を高めることが可能となる。

また、プラズマ処理装置１によれば、成膜処理によりチャンバ１０内に形成された堆積物を、クリーニングガスのプラズマからのラジカルにより除去することができる。クリーニングガスのプラズマからのラジカルはガス供給管２２及びシャワーヘッド２０を介して供給されるので、その失活が抑制され、且つ、チャンバ１０内に均一に供給される。したがって、プラズマ処理装置１によれば、チャンバ１０のクリーニングが均一且つ効率的に行われ得る。電磁波としてＶＨＦ波又はＵＨＦ波を用いるプラズマ処理装置では、チャンバ内でのプラズマの密度の分布を均一に保つためには、シャワーヘッドの中心部を介してチャンバ内に電磁波を供給する必要がある。また、チャンバ内のクリーニングを効率的に且つ均一に行うためには、リモートプラズマ源からのクリーニング用のラジカルを、シャワーヘッドの中心部に接続された比較的太いガス供給管を介してチャンバ内に導入する必要がある。しかしながら、従来のプラズマ処理装置の構造では、プラズマの密度の分布の均一性とクリーニングの均一性を両立させることが難しかった。その理由は、シャワーヘッドの中心部を介するチャンバ内への電磁波の導入と、シャワーヘッドの中心部に接続されたガス供給管を介するチャンバ内へのラジカルの導入とを両立させることが困難であったからである。一方、プラズマ処理装置１によれば、チャンバ１０内でのプラズマの密度の分布の均一性向上と、チャンバ１０内のクリーニングの均一性向上とを両立することが可能となっている。

また、誘電体部４６が設けられている場合には、カバー導体４４の鉛直方向における長さが短く、カバー導体４４の直径が小さくても、高次モードの発生が抑制され得る。

以下、プラズマ処理装置１の評価のために行った幾つかのシミュレーションの結果について説明する。

まず、プラズマ処理装置１に関するシミュレーションとして行った第１のシミュレーション及び比較のための第２のシミュレーションについて説明する。第１のシミュレーションでは、プラズマ処理装置１において２２０ＭＨｚの電磁波をチャンバ１０内に導入した場合のチャンバ１０内での電界強度の分布を求めた。求めた電界強度の分布は、シャワーヘッド２０の下面から２ｍｍ離れた領域での分布である。第１のシミュレーションでは、ガス供給管２２とカバー導体４４との間の空間のうち鍔部２２ｆの下面２２ｂとカバー導体４４の上端４４ｔとの間の領域が、ＰＴＦＥ製の誘電体部４６で埋められている構成をシミュレートした。第１のシミュレーションにおけるその他の条件は、以下の通りである。
＜第１のシミュレーションの条件＞
ガス供給管２２の外径（直径）：８０ｍｍ
鍔部２２ｆの半径Ｒ：６９ｍｍ
鍔部２２ｆの厚さｄ１：２０ｍｍ
鍔部２２ｆの下面とカバー導体４４の上端４４ｔとの間の距離ｄ２：１６３ｍｍ

第２のシミュレーションの条件は、ガス供給管２２から鍔部２２ｆを取り除いた点においてのみ第１のシミュレーションの条件と異なっていた。

図３に、第１のシミュレーション及び第２のシミュレーションにおいて得られた電界強度の分布を示す。図３において、横軸はチャンバ１０内での上記領域における位置を示している。図３には、軸線ＡＸの位置が一点鎖線で示されている。図３における横軸の位置は、チャンバ１０内の上記領域における軸線ＡＸに直交する直線上での位置である。図３において縦軸は、電界強度を示している。図３において、「ＳＰ」は第１のシミュレーションで求めた電界強度の分布を示しており、「ＳＣ」は第２のシミュレーションで求めた電界強度の分布を示している。

図３に示すように、第２のシミュレーションでは、軸線ＡＸに対して一方側の電界強度の分布と他方側の電界強度の分布の対称性が低かった。即ち、鍔部２２ｆを取り除いた場合には、チャンバ１０内で生成されるプラズマの密度の分布が不均一になることが確認された。一方、第１のシミュレーションでは、軸線ＡＸに対して一方側の電界強度の分布と他方側の電界強度の分布の対称性が高かった。即ち、鍔部２２ｆを介して電磁波を供給するプラズマ処理装置１によれば、チャンバ１０内で生成されるプラズマの密度の分布の均一性が高くなることが確認された。

次に、プラズマ処理装置１に関するシミュレーションとして行った第３のシミュレーションについて説明する。第３のシミュレーションでは、半径Ｒ、厚さｄ１、距離ｄ２のそれぞれについての種々の条件の下で、プラズマ処理装置１において２２０ＭＨｚの電磁波をチャンバ１０内に導入した場合の反射係数（Ｓ１１パラメータ）の大きさを求めた。

図４～図６に第３のシミュレーションにおいて求めた反射係数の大きさを示す。図４において横軸のΔＲは、シミュレーションにおける半径Ｒの値と基準値である６９ｍｍとの間の差分である。図５において横軸のΔｄ１は、シミュレーションにおける厚さｄ１の値と基準値である２０ｍｍとの間の差分である。また、図６において横軸は、シミュレーションにおける距離ｄ２の値と基準値である１６３ｍｍとの間の差分である。図４～図６において、縦軸のｍａｇ（ｓ（１，１））は、反射係数の大きさを示している。

図４に示すように、実用上好ましい反射係数の大きさである０．１０以下を満たすΔＲは、－２ｍｍ以上、４ｍｍ以下であった。ΔＲが－２ｍｍ以上、４ｍｍ以下である場合には、半径Ｒの範囲は、上述の式（１ａ）で表される。式（１ａ）を電磁波の実効波長を用いて表現すれば、上述の式（１）が得られる。したがって、式（１）が満たされる場合には、電磁波がプラズマの生成において効率的に利用されることが確認された。

また、図５に示すように、反射係数の大きさが０．１０以下であることを満たすΔｄ１は、－２ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であった。Δｄ１が－２ｍｍ以上、２０ｍｍ以下である場合には、厚さｄ１の範囲は、上述の式（２）で表される。したがって、式（２）が満たされる場合には、電磁波がプラズマの生成において効率的に利用されることが確認された。

また、図６に示すように、反射係数の大きさが０．１０以下であることを満たすΔｄ２は、－５ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であった。Δｄ２が－５ｍｍ以上、２０ｍｍ以下である場合には、距離ｄ２の範囲は、上述の式（３ａ）で表される。式（３ａ）を電磁波の実効波長を用いて表現すれば、上述の式（３）が得られる。したがって、式（３）が満たされる場合には、電磁波がプラズマの生成において効率的に利用されることが確認された。

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。

１…プラズマ処理装置、１０…チャンバ、１８…基板支持部、２０…シャワーヘッド、２２…ガス供給管、２２ｆ…鍔部、３２…導入部、３６…供給路、３６ｃ…導体。

Claims (8)

1. チャンバと、
   前記チャンバ内に設けられた基板支持部と、
   金属から形成されており、前記チャンバ内の空間に向けて開口した複数のガス孔を提供し、前記基板支持部の上方に設けられたシャワーヘッドと、
   金属から形成されており、前記チャンバの上方で鉛直方向に延在して、前記シャワーヘッドの上部中央に接続されたガス供給管と、
   誘電体から形成されており、ＶＨＦ波又はＵＨＦ波である電磁波をそこから前記チャンバ内に導入するように前記シャワーヘッドの外周に沿って設けられた導入部と、
   前記ガス供給管に接続された電磁波の供給路と、
   を備え、
   前記ガス供給管は、該ガス供給管の他の部分から径方向に突き出した環状の鍔部を含み、
   前記供給路は、前記鍔部に接続された導体を含む、
   プラズマ処理装置。
2. 円筒形状を有し、前記ガス供給管を囲むカバー導体であって、その上端において前記ガス供給管に接続された、該カバー導体と、
   前記ガス供給管の長手方向における一部分と前記カバー導体との間に設けられた誘電体部と、
   を更に備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記誘電体部は、前記鍔部の下面から上方に設けられている、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記ガス供給管と前記カバー導体との間の空間のうち前記鍔部の下面と前記上端との間の領域が、前記誘電体部で埋められている、請求項３に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記電磁波を発生するように構成された電源を更に備える、請求項１～４の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
6. 前記ガス供給管に接続された成膜ガスの第１のガス源と、
   クリーニングガスの第２のガス源と、
   前記第２のガス源と前記ガス供給管との間で接続されたリモートプラズマ源と、
   を更に備える、請求項１～５の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
7. 前記成膜ガスは、シリコン含有ガスを含む、請求項６に記載のプラズマ処理装置。
8. 前記クリーニングガスは、ハロゲン含有ガスを含む、請求項６又は７に記載のプラズマ処理装置。

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