Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP7264969B2 - 搬送ハンド及び基板処理装置 - Google Patents

搬送ハンド及び基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7264969B2
JP7264969B2 JP2021170851A JP2021170851A JP7264969B2 JP 7264969 B2 JP7264969 B2 JP 7264969B2 JP 2021170851 A JP2021170851 A JP 2021170851A JP 2021170851 A JP2021170851 A JP 2021170851A JP 7264969 B2 JP7264969 B2 JP 7264969B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
suction pad
base
suction
hand
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021170851A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022074028A (ja
Inventor
イ，テフン
キム，ジュウォン
サン，ジンスン
イ，ボヒ
Original Assignee
セメス カンパニー，リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by セメス カンパニー，リミテッド filed Critical セメス カンパニー，リミテッド
Publication of JP2022074028A publication Critical patent/JP2022074028A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7264969B2 publication Critical patent/JP7264969B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
    • B25J15/06—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means
    • B25J15/0616—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means with vacuum
    • B25J15/0683—Details of suction cup structure, e.g. grooves or ridges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05F—STATIC ELECTRICITY; NATURALLY-OCCURRING ELECTRICITY
    • H05F3/00—Carrying-off electrostatic charges
    • H05F3/02—Carrying-off electrostatic charges by means of earthing connections

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は搬送ハンド及び基板処理装置に係る。
半導体素子又は平板表示パネルを製造するためにフォトリソグラフィー工程、エッチング工程、アッシング工程、薄膜蒸着工程、そして洗浄工程等の様々な工程が遂行される。このような工程の中でフォトリソグラフィー工程は半導体基板にフォトレジストを供給して基板表面に塗布膜を形成し、マスクを使用して形成された塗布膜に対して露光処理を遂行した後、現像液を供給して基板上に望むパターンを得る工程である。このような工程は工程チャンバーで遂行される。そして、一般的な基板処理装置は工程チャンバーで遂行された基板を搬出するか、又は工程チャンバーに基板を搬入するために多数の搬送ロボットを有する。
また、基板処理装置で搬送されるウエハ等の基板は、基板に供給される処理液との摩擦、基板を支持するか、又は基板と接触される基材（例えば、スピンチャック、加熱プレート等）との摩擦によって帯電された状態になることができる。このように帯電された基板が搬送ロボットが有する搬送ハンドと接触されれば、基板と搬送ハンドとの間にアーキング現象が発生されることができ、これは基板を損傷させる。
国際特許公開第ＷＯ２０１３０２１６４５Ａ１号公報
本発明の一目的は基板を効率的に搬送することができる搬送ハンド及び基板処理装置を提供することにある。
また、本発明の一目的は搬送ハンドが基板を搬送の時、基板上でアーキング現象が発生されることを最小化することができる搬送ハンド及び基板処理装置を提供することにある。
また、本発明の一目的は基板に歪み（Ｗａｒｐａｇｅ）が発生されても、基板を適切に吸着及び支持することができる搬送ハンド及び基板処理装置を提供することにある。
また、本発明の一目的は基板に帯電された静電気を適切に除電することができる搬送ハンド及び基板処理装置を提供することにある。
また、本発明の一目的は基板に帯電された静電気を除電する時、急激な除電によって基板が破損されることを最小化することができる搬送ハンド及び基板処理装置を提供することにある。
本発明が解決しようとする課題が上述した課題に限定されることはなく、言及されなかった課題は本明細書及び添付された図面から本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されるべきである。
本発明は基板を搬送する搬送ハンドを提供する。搬送ハンドは、ボディーと、前記ボディーに設置され、基板の下面に減圧を提供して基板を前記ボディーの上部で支持する吸着アセンブリと、を含み、前記吸着アセンブリは、基板と接触し、導電性を有する吸着パッドと、前記吸着パッドと前記ボディーとの間に提供され、前記吸着パッドと電気的に連結されるシーリング部材と、を含み、前記シーリング部材は接地されることができる。
一実施形態によれば、前記吸着パッドは、前記ボディーに対してチルト可能に提供されることができる。
一実施形態によれば、前記ボディーは接地され、前記シーリング部材は前記ボディーと電気的に連結されて接地されることができる。
一実施形態によれば、前記シーリング部材は、前記吸着パッドが有する抵抗のサイズより小さい抵抗のサイズを有する素材で提供されることができる。
一実施形態によれば、前記ボディーは、前記シーリング部材が有する抵抗のサイズより小さい抵抗のサイズを有する素材で提供されることができる。
一実施形態によれば、前記吸着パッドは、基板の下面と接触するヘッド部と、前記ボディーに挿入される挿入部と、前記ヘッド部、そして前記挿入部の間に形成され、前記シーリング部材と接触される接触部と、を含み、前記接触部は屈曲された形状を有することができる。
一実施形態によれば、前記シーリング部材と前記接触部の断面を見る時、前記シーリング部材の曲率半径と前記接触部の曲率半径は互いに同一なサイズを有することができる。
一実施形態によれば、前記吸着パッドには、前記ボディーに提供され、基板の下面に減圧を提供する吸着ラインと流体連通するホールと、前記吸着パッドの上面縁領域にリング突起が形成されることができる。
一実施形態によれば、前記吸着パッドには、前記吸着パッドの上面、そして前記リング突起より内側に少なくとも１つ以上の支持突起が形成されることができる。
一実施形態によれば、前記支持突起の上端高さは、前記リング突起の上端高さより低いことができる。
また、本発明は基板を搬送する搬送ハンドを提供する。搬送ハンドは、ボディーと、前記ボディーに設置され、基板を支持し、基板に帯電された静電気を除電する除電経路の中で少なくとも一部を形成する吸着アセンブリと、を含み、前記吸着アセンブリは、基板と接触し、前記ボディーに対してチルト可能に提供され、導電性を有する吸着パッドと、前記吸着パッドの下部に提供され、前記吸着パッドと電気的に連結される伝導性リングと、を含むことができる。
一実施形態によれば、前記伝導性リングは、前記吸着パッドが有する抵抗のサイズより小さい抵抗のサイズを有する素材で提供されることができる。
一実施形態によれば、前記吸着パッドは、抵抗のサイズが１０６オーム以上、そして１０９オーム以下である素材で提供され、前記伝導性リングは、抵抗のサイズが１０３オーム以上、そして１０４オーム以下である素材で提供されることができる。
一実施形態によれば、前記吸着パッドには、前記ボディーに提供され、基板の下面に減圧を提供する吸着ラインと流体連通するホールと、前記吸着パッドの上面縁領域に形成されるリング突起と、前記吸着パッドの上面、そして前記リング突起より内側に複数の支持突起が形成され、前記支持突起の上端高さは、前記リング突起の上端高さより低いことができる。
一実施形態によれば、前記支持突起は、前記吸着パッドの上面に円周方向に沿って互いに離隔されて配列されることができる。
一実施形態によれば、前記ボディーは、前記伝導性リングが安着される安着部が形成されたベースをさらに含み、前記ベースと前記伝導性リングの断面から見る時、前記安着部は屈曲された形状を有し、前記伝導性リングの曲率半径は前記安着部の曲率半径より小さいサイズを有することができる。
一実施形態によれば、前記吸着アセンブリは、前記吸着パッドが前記ベースから離脱されることを防止する固定部材を含み、前記固定部材は、前記吸着パッドに形成される貫通ホールに挿入される本体部と、前記ベースと重畳されるように前記本体部から側方向に延長される係止部と、を含むことができる。
また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、基板が収納された容器が置かれるロードポートを有するインデックスモジュールと、基板に対する処理工程を遂行する処理モジュールと、を含み、前記インデックスモジュール、前記処理モジュールの中で少なくともいずれか一つには、基板を搬送する搬送ハンドを有するロボットが提供され、前記搬送ハンドは、フィンガー、本体、そして前記本体又は前記フィンガーに設置されるベースを有するボディーと、前記ボディーに設置され、基板の下面を真空吸着して基板を前記ボディーの上部で支持する吸着アセンブリと、を含み、前記吸着アセンブリは、基板と接触し、前記ボディーにチルト可能に提供され、導電性を有する吸着パッドと、前記吸着パッド、そして前記ベースの間に提供され、前記吸着パッド、そして前記ベースと接触されて電気的に連結される伝導性リングと、を含み、前記ベースは、接地された前記本体又は前記フィンガーと電気的に連結されることができる。
一実施形態によれば、前記ベースは、アルミニウム素材で提供され、その表面がニッケルを含む素材でコーティングされ、前記伝導性リングは、弗素系樹脂を含む素材で提供され、前記吸着パッドは、導電性プラスチックを含む素材で提供されることができる。
一実施形態によれば、前記装置は、前記処理モジュールと異なる処理工程を遂行する外部の処理装置を互いに連結させるインターフェイスモジュールをさらに含み、前記インデックスモジュール、前記処理モジュール、そして前記インターフェイスモジュールの中で少なくともいずれか一つには、前記搬送ハンドを有するロボットが提供されることができる。
本発明の一実施形態によれば、基板を効率的に搬送することができる。
また、本発明の一実施形態によれば、搬送ハンドが基板を搬送の時、基板上でアーキング現象が発生されることを最小化することができる。
また、本発明の一実施形態によれば、基板に歪み（Ｗａｒｐａｇｅ）が発生されても、搬送ハンドは基板を適切に吸着及び支持することができる。
また、本発明の一実施形態によれば、基板に帯電された静電気を適切に除電することができる。
また、本発明の一実施形態によれば、基板に帯電された静電気を除電する時、急激な除電によって基板が破損されることを最小化することができる。
本発明の効果が上述した効果によって限定されることはなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。
本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す斜視図である。 図１の塗布ブロック又は現像ブロックを示す基板処理装置の断面図である。 図１の基板処理装置の平面図である。 図３の熱処理チャンバーの一例を概略的に示す平面図である。 図４の熱処理チャンバーの正面図である。 図４の液処理チャンバーに提供される基板処理装置の一例を概略的に示す図面である。 図６の液処理チャンバーの平面図である。 本発明の一実施形態による搬送ハンドの形状を示す斜視図である。 図８の吸着アセンブリ、そしてボディーが含むベースを示す分解斜視図である。 図８の搬送ハンドの一部を示す断面図である。 図８の搬送ハンドに基板が置かれる形状を示す図面である。 吸着アセンブリの他の例を示す図面である。 吸着アセンブリの他の例を示す図面である。 吸着アセンブリの他の例を示す図面である。 本発明の他の実施形態による搬送ハンドの形状を示す平面図である。 図１５の吸着アセンブリ、そしてボディーが含むベースを示す分解斜視図である。 図１５の搬送ハンドの一部を示す断面図である。 図１５の搬送ハンドに基板が置かれる形状を示す図面である。
以下では添付した図面を参考として本発明の実施形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は様々な異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されない。また、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明することにおいて、関連された公知機能又は構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすることができていると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。また、類似な機能及び作用をする部分に対しては図面の全体に亘って同一な符号を使用する。
ある構成要素を‘含む’ということは、特別に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除外することではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。具体的に、“含む”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることがであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないことと理解されなければならない。
単数の表現は文脈の上に明確に異なりに表現しない限り、複数の表現を含む。また、図面で要素の形状及びサイズ等はより明確な説明のために誇張されることができる。
第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するために使用されることができるが、前記構成要素は前記用語によって限定されてはならない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的として使用されることができる。例えば、本発明の権利範囲から離脱されないまま、第１構成要素は第２構成要素と称されることができ、類似に第２構成要素とも第１構成要素と称されることができる。
ある構成要素が他の構成要素に“連結されて”あるか、或いは“接続されて”いると言及された時には、その他の構成要素に直接的に連結されているか、又は接続されているが、中間に他の構成要素が存在することもあると理解されるべきである。反面に、ある構成要素が他の構成要素に“直接連結されて”いるか、或いは“直接接続されて”いると言及された時には、中間に他の構成要素が存在しないことと理解されるべきである。構成要素間の関係を説明する他の表現、即ち“～間に”と“すぐ～間に”又は“～に隣接する”と“～に直接隣接する“等も同様に解析されなければならない。
異なりに定義されない限り、技術的であるか、或いは科学的な用語を含んで、ここで使用されるすべての用語は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって一般的に理解されることと同一な意味である。一般的に使用される事前に定義されていることと同一の用語は関連技術の文脈の上に有する意味と一致する意味であることと解析されるべきであり、本出願で明確に定義しない限り、理想的であるか、或いは過度に形式的な意味として解釈されない。
以下では、図１乃至図１８を参照して本発明の実施形態に対して説明する。
図１は本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す斜視図であり、図２は図１の塗布ブロック又は現像ブロックを示す基板処理装置の断面図であり、図３は図１の基板処理装置の平面図である。
図１乃至図３を参照すれば、本発明の一実施形態による基板処理装置１０はインデックスモジュール１００（ｉｎｄｅｘ ｍｏｄｕｌｅ）、処理モジュール３００（ｔｒｅａｔｉｎｇ ｍｏｄｕｌｅ）、そしてインターフェイスモジュール５００（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ｍｏｄｕｌｅ）を含む。一実施形態によれば、インデックスモジュール１００、処理モジュール３００、そしてインターフェイスモジュール５００は順次的に一列に配置される。以下で、インデックスモジュール１００、処理モジュール３００、そしてインターフェイスモジュール５００が配列された方向を第１方向１２とし、上部から見る時、第１方向１２と垂直になる方向を第２方向１４とし、第１方向１２及び第２方向１４と全て垂直になる方向を第３方向１６と定義する。
インデックスモジュール１００は基板Ｗが収納された容器Ｆから基板Ｗを処理モジュール３００に搬送し、処理が完了された基板Ｗを容器Ｆに収納する。インデックスモジュール１００の長さ方向は第２方向１４に提供される。インデックスモジュール１００はロードポート１１０とインデックスフレーム１３０を有する。インデックスフレーム１３０を基準にロードポート１１０は処理モジュール３００の反対側に位置される。基板Ｗが収納された容器Ｆはロードポート１１０に置かれる。ロードポート１１０は複数に提供されることができ、複数のロードポート１１０は第２方向１４に沿って配置されることができる。
容器Ｆとしては前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）のような密閉用容器Ｆが使用されることができる。容器Ｆはオーバーヘッドトランスファー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）、オーバーヘッドコンベア（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｃｏｎｖｅｙｏｒ）、又は自動案内車両（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇｕｉｄｅｄ Ｖｅｈｉｃｌｅ）のような移送手段（図示せず）や作業者によってロードポート１１０に置かれることができる。
インデックスフレーム１３０の内部にはインデックスロボット１３２が提供される。インデックスフレーム１３０内には長さ方向が第２方向１４に提供されたガイドレール１３６が提供され、インデックスロボット１３２はガイドレール１３６上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット１３２は基板Ｗが置かれるハンドを含み、ハンドは前進及び後進移動、第３方向１６を軸とする回転、そして第３方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。
処理モジュール３００は基板Ｗに対して塗布工程及び現像工程を遂行する。処理モジュール３００は容器Ｆに収納された基板Ｗが伝達されて基板処理工程を遂行することができる。処理モジュール３００は塗布ブロック３００ａ及び現像ブロック３００ｂを有する。塗布ブロック３００ａは基板Ｗに対して塗布工程を遂行し、現像ブロック３００ｂは基板Ｗに対して現像工程を遂行する。塗布ブロック３００ａは複数が提供され、これらは互いに積層されるように提供される。現像ブロック３００ｂは複数が提供され、現像ブロック３００ｂは互いに積層されるように提供される。図１の実施形態によれば、塗布ブロック３００ａは２つが提供され、現像ブロック３００ｂは２つが提供される。塗布ブロック３００ａは現像ブロック３００ｂの下に配置されることができる。一例によれば、２つの塗布ブロック３００ａは互いに同一な工程を実行し、互いに同一な構造で提供されることができる。また、２つの現像ブロック３００ｂは互いに同一な工程を実行し、互いに同一な構造に提供されることができる。
図３を参照すれば、塗布ブロック３００ａは熱処理チャンバー３２０、搬送チャンバー３５０、液処理チャンバー３６０、そしてバッファチャンバー３１２、３１６を有する。熱処理チャンバー３２０は基板Ｗに対して熱処理工程を遂行する。熱処理工程は冷却工程及び加熱工程を含むことができる。液処理チャンバー３６０は基板Ｗ上に液を供給して液膜を形成する。液膜はフォトレジスト膜又は反射防止膜であり得る。搬送チャンバー３５０は塗布ブロック３００ａ内で熱処理チャンバー３２０と液処理チャンバー３６０との間に基板Ｗを搬送する。
搬送チャンバー３５０はその長さ方向が第１方向１２と平行に提供される。搬送チャンバー３５０には搬送ロボット３５２が提供される。搬送ロボットは３５２は熱処理チャンバー３２０、液処理チャンバー３６０、そしてバッファチャンバー３１２、３１６の間に基板を搬送する。一例によれば、搬送ロボット３５２は基板Ｗが置かれるハンドを有し、ハンドは前進及び後進移動、第３方向１６を軸とする回転、そして第３方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。搬送チャンバー３５０内にはその長さ方向が第１方向１２と平行に提供されるガイドレール３５６が提供され、搬送ロボット３５２はガイドレール３５６上で移動可能に提供されることができる。
熱処理チャンバー３２０は複数に提供される。熱処理チャンバー３２０は第１の方向１２に沿って並んで配置される。熱処理チャンバー３２０は搬送チャンバー３５０の一側に位置される。
図４は図３の熱処理チャンバーの一例を概略的に示す平面図であり、図５は図４の熱処理チャンバーの正面図である。
図４、そして図５を参照すれば、熱処理チャンバー３２０はハウジング３２１０、冷却ユニット３２２０、加熱ユニット３２３０、そして搬送プレート３２４０を有する。
ハウジング３２１０は大体に直方体の形状に提供される。ハウジング３２１０の側壁には、基板Ｗが出入される搬入口（図示せず）が形成される。搬入口は開放された状態に維持されることができる。選択的に搬入口を開閉するようにドア（図示せず）が提供されることができる。冷却ユニット３２２０、加熱ユニット３２３０、そして搬送プレート３２４０はハウジング３２１０内に提供される。冷却ユニット３２２０及び加熱ユニット３２３０は第２方向１４に沿って並んで提供される。一例によれば、冷却ユニット３２２０は加熱ユニット３２３０に比べて搬送チャンバー３５０にさらに近く位置されることができる。
冷却ユニット３２２０は冷却板３２２２を有する。冷却板３２２２は上部から見る時、大体に円形の形状を有することができる。冷却板３２２２には冷却部材３２２４が提供される。一実施形態によれば、冷却部材３２２４は冷却板３２２２の内部に形成され、冷却流体が流れる流路として提供されることができる。
加熱ユニット３２３０は加熱板３２３２、カバー３２３４、そしてヒーター３２３３を有する。加熱板３２３２は上部から見る時、大体に円形の形状を有する。加熱板３２３２は基板Ｗより大きい直径を有する。加熱板３２３２にはヒーター３２３３が設置される。ヒーター３２３３は電流が印加される発熱抵抗体で提供されることができる。加熱板３２３２には第３方向１６に沿って上下方向に駆動可能なリフトピン３２３８が提供される。リフトピン３２３８は加熱ユニット３２３０外部の搬送手段から基板Ｗを引き受けて加熱板３２３２上に置くか、或いは加熱板３２３２から基板Ｗを持ち上げて加熱ユニット３２３０の外部の搬送手段に引き渡す。一実施形態によれば、リフトピン３２３８は３つが提供されることができる。カバー３２３４は内部に下部が開放された空間を有する。カバー３２３４は加熱板３２３２の上部に位置され、駆動器３２３６によって上下方向に移動される。カバー３２３４が移動されてカバー３２３４と加熱板３２３２が形成する空間は基板Ｗを加熱する加熱空間に提供される。
搬送プレート３２４０は大体に円板形状を提供され、基板Ｗと対応される直径を有する。搬送プレート３２４０の縁にはノッチ３２４４が形成される。ノッチ３２４４は上述した搬送ロボット３５２のハンドに形成された突起と対応される形状を有することができる。また、ノッチ３２４４はハンドに形成された突起と対応される数に提供され、突起と対応される位置に形成される。ハンドと搬送プレート３２４０が上下方向に整列された位置でハンドと搬送プレート３２４０の上下位置が変更すれば、ハンドと搬送プレート３２４０との間に基板Ｗの伝達が行われる。搬送プレート３２４０はガイドレール３２４９上に装着され、駆動器３２４６によってガイドレール３２４９に沿って第１領域と第２領域との間に移動されることができる。搬送プレート３２４０にはスリット形状のガイド溝３２４２が複数が提供される。ガイド溝３２４２は搬送プレート３２４０の終端で搬送プレート３２４０の内部まで延長される。ガイド溝３２４２はその長さ方向が第２方向１４に沿って提供され、ガイド溝３２４２は第１方向１２に沿って互いに離隔されるように位置される。ガイド溝３２４２は搬送プレート３２４０と加熱ユニット３２３０との間に基板Ｗの引受引渡が行われる時、搬送プレート３２４０とリフトピン３２３８が互いに干渉されることを防止する。
基板Ｗの冷却は基板Ｗが置かれる搬送プレート３２４０が冷却板３２２２に接触された状態で行われる。冷却板３２２２と基板Ｗとの間に熱伝達が良く行われるように搬送プレート３２４０は熱導電性が高い材質で提供される。一例によれば、搬送プレート３２４０は金属材質で提供されることができる。
熱処理チャンバー３２０の中で一部の熱処理チャンバー３２０に提供された加熱ユニット３２３０は基板Ｗ加熱中にガスを供給してフォトレジストの基板Ｗ付着率を向上させることができる。一例によれば、ガスはヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ、ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｎｅ）ガスであり得る。
液処理チャンバー３６０は複数に提供される。液処理チャンバー３６０の中で一部は互いに積層されるように提供されることができる。液処理チャンバー３６０は搬送チャンバー３５０の一側に配置される。液処理チャンバー３６０は第１の方向１２に沿って平行に配列される。液処理チャンバー３６０の中でいずれかの一部はインデックスモジュール１００と隣接する位置に提供される。以下、これらの液処理チャンバーを前段液処理チャンバー３６２（ｆｒｏｎｔ ｌｉｑｕｉｄ ｔｒｅａｔｉｎｇ ｃｈａｍｂｅｒ）と称する。液処理チャンバー３６０の中で他の一部はインターフェイスモジュール５００と隣接する位置に提供される。以下、これらの液処理チャンバーを後段液処理チャンバー３６４（ｒｅａｒ ｈｅａｔ ｔｒｅａｔｉｎｇ ｃｈａｍｂｅｒ）と称する。
前段液処理チャンバー３６２は基板Ｗ上に第１液を塗布し、後段液処理チャンバー３６４は基板Ｗ上に第２液を塗布する。第１液と第２液は互いに異なる種類の液であり得る。一実施形態によれば、第１液は反射防止膜であり、第２液はフォトレジストである。フォトレジストは反射防止膜が塗布された基板Ｗ上に塗布されることができる。選択的に、第１液はフォトレジストであり、第２液は反射防止膜であり得る。この場合、反射防止膜はフォトレジストが塗布された基板Ｗ上に塗布されることができる。選択的に、第１液と第２液は同一な種類の液であり、これらは全てフォトレジストであり得る。
図６は図４の液処理チャンバーに提供される基板処理装置の一例を概略的に示す図面であり、図７は図６の液処理チャンバーの平面図である。
図６、そして図７を参照すれば、液処理チャンバー３６０には基板Ｗを処理する基板処理装置１０００が提供されることができる。液処理チャンバー３６０には基板Ｗに対して液処理を遂行する基板処理装置１０００が提供されることができる。
液処理チャンバー３６０に提供される基板処理装置１０００はハウジング１１００、処理容器１２００、支持ユニット１３００、気流供給ユニット１４００、液供給ユニット１５００、そして制御器１９００を含むことができる。
ハウジング１１００は内部空間１１０２を有することができる。ハウジング１１００は内部空間１１０２を有する方形の筒形状に提供されることができる。ハウジング１１００の一側には開口（図示せず）が形成されることができる。開口は基板Ｗが内部空間１１０２に搬入されるか、或いは内部空間１１０２から基板Ｗが搬出される入口として機能することができる。また、開口を選択的に密閉させるために、開口と隣接する領域にはドア（図示せず）が設置されることができる。ドアは内部空間１１０２に搬入された基板Ｗに対する処理工程が遂行される間に、開口を遮断して内部空間１１０２を密閉させることができる。
処理容器１２００は内部空間１１０２に配置されることができる。処理容器１２００は処理空間１２０２を有することができる。即ち、処理容器１２００は処理空間１２０２を有するボウルであり得る。したがって、内部空間１１０２は処理空間１２０２を囲むように提供されることができる。処理容器１２００は上部が開放されたカップ形状を有することができる。処理容器１２００が有する処理空間１２０２は後述する支持ユニット１３００が基板Ｗを支持、そして回転させる空間であり得る。処理空間１２０２は液供給ユニット１５００、そして湿潤ユニット１６００が各々処理媒体を供給して基板Ｗが処理される空間であり得る。
処理容器１２００は内側カップ１２１０、そして外側カップ１２３０を含むことができる。外側カップ１２３０は支持ユニット１３００の周辺を囲むように提供され、内側カップ１２１０は外側カップ１２３０の内側に位置されることができる。内側カップ１２１０、そして外側カップ１２３０の各々は環状のリング形状を有することができる。内側カップ１２１０、そして外側カップ１２３０の間の空間は処理空間１２０２に流入された処理媒体が回収される回収経路として機能することができる。
内側カップ１２３０は、後述する支持ユニット１３００の回転軸１３３０を囲む形状に提供されることができる。例えば、内側カップ１２３０は上部から見る時、回転軸１３３０を囲む円形の板形状に提供されることができる。上部から見る時、内側カップ１２３０はハウジング１１００に結合される排気口１１２０と重畳されるように位置されることができる。内側カップ１２３０は内側部及び外側部を有することができる。内側部と外側部各々の上面は仮想の水平線を基準に互いに異なる角度を有するように提供されることができる。例えば、内側部は上部から見る時、後述する支持ユニット１３００の支持板１３１０と重畳されるように位置されることができる。内側部は回転軸１３３０と対向するように位置されることができる。内側部は回転軸１３３０から遠くなるほど、その上面が上向傾いた方向に向かい、外側部は内側部から外側方向に延長されることができる。外側部はその上面が回転軸１３３０から遠くなるほど、下方傾いた方向に向かうことができる。内側部の上端は基板Ｗの側端部と上下方向に一致されることができる。一例によれば、外側部と内側部が出会う地点は内側部の上端より低い位置であり得る。内側部と外側部が互いに出会う地点はラウンドになるように提供されることができる。外側部は外側カップ１２３０と互いに組み合わせて処理液、湿潤媒体のような処理媒体が回収される回収経路を形成することができる。
外側カップ１２３０は支持ユニット１３００及び内側カップ１２１０を囲むカップ形状に提供されることができる。外側カップ１２３０は底部１２３２、側部１２３４、傾斜部１２３６を有することができる。底部１２３２は中空を有する円形の板形状を有することができる。底部１２３２には回収ライン１２３８が連結されることができる。回収ライン１２３８は基板Ｗ上に供給された処理媒体を回収することができる。回収ライン１２３８によって回収された処理媒体は外部の再生システムによって再使用されることができる。側部１２３４は支持ユニット１３００を囲む環状のリング形状を有することができる。側部１２３４は底部１２３２の側端から垂直になる方向に延長されることができる。側部１２３４は底部１２３２から上に延長されることができる。
傾斜部１２３６は側部１２３４の上端から外側カップ１２３０の中心軸に向かう方向に延長されることができる。傾斜部１２３６の内側面は支持ユニット１３００に近くなるように上向傾くように提供されることができる。傾斜部１２３６はリング形状を有するように提供されることができる。基板Ｗに対する処理工程中には傾斜部１２３６の上端が支持ユニット１３００に支持された基板Ｗより高く位置されることができる。
内側昇降部材１２４２、そして外側昇降部材１２４４は各々内側カップ１２１０、そして外側カップ１２３０を昇降移動させることができる。内側昇降部材１２４２は内側カップ１２１０と結合され、外側昇降部材１２４４は外側カップ１２３０と結合されて各々内側カップ１２１０、そして外側カップ１２３０を昇降移動させることができる。
支持ユニット１３００は基板Ｗを支持し、そして回転させることができる。支持ユニット１３００は基板Ｗを支持し、そして回転させるチャックであり得る。支持ユニット１３００は支持板１３１０、回転軸１３３０、そして回転駆動器１３５０を含むことができる。支持板１３１０は基板Ｗが安着される案着面を有することができる。支持板１３１０は上部から見る時、円形状を有することができる。支持板１３１０は、その直径が基板Ｗより小さい直径を有することができる。支持板１３１０には吸着ホール（図示せず）が形成されて、真空吸着方式に基板Ｗをチャッキングすることができる。選択的に、支持板１３１０には静電板（図示せず）が提供されて静電気を利用した静電吸着方式に基板Ｗをチャッキングすることができる。選択的に、支持板１３１０には基板Ｗを支持する支持ピンが提供されて支持ピンと基板Ｗが互いに物理的に接触されて基板Ｗをチャッキングしてもよい。
回転軸１３３０は支持板１３１０と結合されることができる。回転軸１３３０は支持板１３１０の下面と結合されることができる。回転軸１３３０はその長さ方向が上下方向に向かうように提供されることができる。回転軸１３３０は回転駆動器１３５０から動力が伝達されて回転されることができる。したがって、回転軸１３３０は支持板１３１０を回転させることができる。回転駆動器１３５０は回転軸１３３０の回転速度を可変することができる。回転駆動器１３５０は駆動力を提供するモーターであり得る。しかし、これに限定されることではなく、回転駆動器１３５０は駆動力を提供する公知された装置に多様に変形されることができる。
気流供給ユニット１４００は内部空間１１０２に気流を供給することができる。気流供給ユニット１４００は内部空間１１０２に下降気流を供給することができる。気流供給ユニット１４００は内部空間１１０２に温度及び／又は湿度が調節された気流を供給することができる。気流供給ユニット１４００はハウジング１１００に設置されることができる。気流供給ユニット１４００は処理容器１２００、そして支持ユニット１３００より上部に設置されることができる。気流供給ユニット１４００はファン１４１０、気流供給ライン１４３０、そしてフィルター１４５０を含むことができる。気流供給ライン１４３０は温度及び／又は湿度が調節された外部の気流を内部空間１１０２に供給することができる。気流供給ライン１４３０にはフィルター１４５０が設置されて、気流供給ライン１４３０に流れる外部の気流が有する不純物を除去することができる。また、ファン１４１０が駆動されれば気流供給ライン１４３０が供給する外部の気流を内部空間１１０２に均一に伝達することができる。
液供給ユニット１５００は支持ユニット１３００に支持された基板Ｗに処理液を供給することができる。液供給ユニット１５００が基板Ｗに供給する処理液ＰＲは塗布液であり得る。例えば、塗布液はフォトレジストのような感光液であり得る。また、液供給ユニット１５００は支持ユニット１３００に支持された基板Ｗにプリウェット液を供給することができる。液供給ユニット１５００が基板Ｗに供給するプリウェット液ＴＨは基板Ｗの表面性質を変化させることができる液であり得る。例えば、プリウェット液ＴＨは基板Ｗの表面性質を疎水性性質を有するように変化させることができるシンナー（Ｔｈｉｎｎｅｒ）であり得る。
液供給ユニット１５００はプリウェットノズル１５１０、処理液ノズル１５３０、アーム１５４０、ガイドレール１５５０、そして駆動器１５６０を含むことができる。
プリウェットノズル１５１０は上述したプリウェット液ＴＨを基板Ｗに供給することができる。プリウェットノズル１５１０はストリーム方式にプリウェット液ＴＨを基板Ｗに供給することができる。処理液ノズル１５３０は上述した処理液ＰＲを基板Ｗに供給することができる。処理液ノズル１５３０は上述したフォトレジストのような塗布液を供給する塗布液ノズルであり得る。処理液ノズル１５３０はストリーム方式に処理液ＰＲを基板Ｗに供給することができる。
アーム１５４０はプリウェットノズル１５１０、そして処理液ノズル１５３０を支持することができる。アーム１５４０の一端にはプリウェットノズル１５１０、そして処理液ノズル１５３０が設置されることができる。アーム１５４０の一端の下面にはプリウェットノズル１５１０、そして処理液ノズル１５３０が各々設置されることができる。上部から見る時、プリウェットノズル１５１０及び処理液ノズル１５３０は後述するガイドレール１５５０の長さ方向と平行である方向に配列されることができる。アーム１５４０の他端は駆動器１５６０と結合されることができる。アーム１５４０はアーム１５４０を移動させる駆動器１５６０によって移動されることができる。したがって、アーム１５４０に設置されたプリウェットノズル１５１０、そして処理液ノズル１５３０の位置は変更されることができる。アーム１５４０は駆動器１５６０が設置されるガイドレール１５５０に沿ってその移動方向がガイドされることができる。ガイドレール１５５０はその長さ方向が水平方向に向かうように提供されることができる。例えば、ガイドレール１５５０はその長さ方向が第１の方向１２と平行である方向に向かうように提供されることができる。選択的に、アーム１５４０は長さ方向が第３方向１６に向かう回転軸に結合されて回転されることができる。回転軸は駆動器によって回転されることができる。したがって、アーム１５４０に設置されるプリウェットノズル１５１０、そして処理液ノズル１５３０の位置は変更されることができる。
制御器１９００は基板処理装置１０を制御することができる。例えば、制御器１９００は液処理チャンバー３６０に提供される基板処理装置１０００を制御することができる。制御器１９００は液処理チャンバー３６０で基板Ｗに対する液処理工程を遂行できるように基板処理装置１０００を制御することができる。制御器１９００は液処理チャンバー３６０で基板Ｗ上に液膜を形成する塗布工程を遂行できるように基板処理装置１０００を制御することができる。
再び図２及び図３を参照すれば、バッファチャンバー３１２、３１６は複数に提供される。バッファチャンバー３１２、３１６の中で一部はインデックスモジュール１００と搬送チャンバー３５０との間に配置される。以下、これらのバッファチャンバーを前段バッファ３１２（ｆｒｏｎｔ ｂｕｆｆｅｒ）と称する。前段バッファ３１２は複数に提供され、上下方向に沿って互いに積層されるように位置される。バッファチャンバー３１２、３１６の中で他の一部は搬送チャンバー３５０とインターフェイスモジュール５００との間に配置される。以下、これらのバッファチャンバーを後段バッファ３１６（ｒｅａｒ ｂｕｆｆｅｒ）と称する。後段バッファ３１６は複数に提供され、上下方向に沿って互いに積層されるように位置される。前段バッファ３１２及び後段バッファ３１６の各々は複数の基板Ｗを一時的に保管する。前段バッファ３１２に保管された基板Ｗはインデックスロボット１３２及び搬送ロボット３５２によって搬入又は搬出される。後段バッファ３１６に保管された基板Ｗは搬送ロボット３５２及び第１ロボット５５２によって搬入又は搬出される。
また、前段バッファ３１２の一側及び他側には前段バッファ３１２との間に基板Ｗを搬送する第１前段バッファロボット３１４、そして第２前段バッファロボット３１５が提供されることができる。第１前段バッファロボット３１４、そして第２前段バッファロボット３１５は前段バッファ３１２を介して互いに対称されるように位置されることができる。また、第１前段バッファロボット３１４、そして第２前段バッファロボット３１５は各々搬送ハンドを有することができる。また、第１前段バッファロボット３１４、そして第２前段バッファロボット３１５は互いに異なる高さに提供されることができる。
また、後段バッファ３１６の一側及び他側には後段バッファ３１６の間に基板Ｗを搬送する第１後段バッファロボット３１８、そして第２後段バッファロボット３１９が提供されることができる。第１後段バッファロボット３１８、そして第２後段バッファロボット３１９は後段バッファ３１６を介して互いに対称されるように位置されることができる。また、第１後段バッファロボット３１８、そして第２後段バッファロボット３１９は各々搬送ハンドを有することができる。また、第１後段バッファロボット３１８、そして第２後段バッファロボット３１９は互いに異なる高さに提供されることができる。
現像ブロック３００ｂは熱処理チャンバー３２０、搬送チャンバー３５０、そして液処理チャンバー３６０を有する。現像ブロック３００ｂの熱処理チャンバー３２０、そして搬送チャンバー３５０は塗布ブロック３００ａの熱処理チャンバー３２０、そして搬送チャンバー３５０と大体に類似な構造及び配置に提供されるので、これに対する説明は省略する。現像ブロック３００ｂで液処理チャンバー３６０は全て同様に現像液を供給して基板を現像処理する現像チャンバー３６０として提供される。
インターフェイスモジュール５００は処理モジュール３００を外部の露光装置７００と連結する。インターフェイスモジュール５００はインターフェイスフレーム５１０、付加工程チャンバー５２０、インターフェイスバッファ５３０、そしてインターフェイスロボット５５０を有する。
インターフェイスフレーム５１０の上端には内部に下降気流を形成するファンフィルターユニットが提供されることができる。付加工程チャンバー５２０、インターフェイスバッファ５３０、そしてインターフェイスロボット５５０はインターフェイスフレーム５１０の内部に配置される。付加工程チャンバー５２０は塗布ブロック３００ａで工程が完了された基板Ｗが露光装置７００に搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。選択的に、付加工程チャンバー５２０は露光装置７００で工程が完了された基板Ｗが現像ブロック３００ｂに搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。一実施形態によれば、付加工程は基板Ｗのエッジ領域を露光するエッジ露光工程、又は基板Ｗの上面を洗浄する上面洗浄工程、又は基板Ｗの下面を洗浄する下面洗浄工程であり得る。付加工程チャンバー５２０は複数が提供され、これらは互いに積層されるように提供されることができる。付加工程チャンバー５２０は全て同一な工程を遂行するように提供されることができる。選択的に、付加工程チャンバー５２０の中で一部は互いに異なる工程を遂行するように提供されることができる。
インターフェイスバッファ５３０は塗布ブロック３００ａ、付加工程チャンバー５２０、露光装置７００、そして現像ブロック３００ｂの間に搬送される基板Ｗが搬送途中に一時的に留まる空間を提供する。インターフェイスバッファ５３０は複数が提供され、複数のインターフェイスバッファ５３０は互いに積層されるように提供されることができる。
一例によれば、搬送チャンバー３５０の長さ方向の延長線を基準に一側面には付加工程チャンバー５２０が配置され、他の側面にはインターフェイスバッファ５３０が配置されることができる。
インターフェイスロボット５５０は塗布ブロック３００ａ、付加工程チャンバー５２０、露光装置７００、そして現像ブロック３００ｂの間に基板Ｗを搬送する。インターフェイスロボット５５０は基板Ｗを搬送する搬送ハンドを有することができる。インターフェイスロボット５５０は１つ又は複数のロボット提供されることができる。一例によれば、インターフェイスロボット５５０は第１ロボット５５２及び第２ロボット５５４を有する。第１ロボット５５２は塗布ブロック３００ａ、付加工程チャンバー５２０、そしてインターフェイスバッファ５３０の間に基板Ｗを搬送し、第２ロボット５５４はインターフェイスバッファ５３０と露光装置７００との間に基板Ｗを搬送し、第２ロボット４６０４はインターフェイスバッファ５３０と現像ブロック３００ｂとの間に基板Ｗを搬送するように提供されることができる。
第１ロボット５５２及び第２ロボット５５４は各々基板Ｗが置かれる搬送ハンドを含み、ハンドは前進及び後進移動、第３方向１６と平行である軸を基準とした回転、そして第３方向１６にそって移動可能に提供されることができる。
以下では、本発明の一実施形態による搬送ハンドに対して説明する。
以下では説明する本発明の一実施形態による第１搬送ハンド２０００はインターフェイスロボット５５０が有する搬送ハンドであり得る。しかし、これに限定されることではなく、以下では説明する本発明の一実施形態による第１搬送ハンド２０００はインデックスロボット１３２、第１前段バッファロボット３１４、第２前段バッファロボット３１５、第１後段バッファロボット３１８、第２後段バッファロボット３１９、搬送ロボット３５２が有する搬送ハンドであり得る。
図８は本発明の一実施形態による搬送ハンドの形状を示す斜視図である。具体的に、図８では本発明の一実施形態による第１搬送ハンド２０００の形状を図示する。図８を参照すれば、本発明の一実施形態による第１搬送ハンド２０００は第１ボディー２１００、第１吸着ライン２４００、そして第１吸着アセンブリ２５００を含むことができる。
第１ボディー２１００はインターフェイスロボット５５０が有する駆動器に位置が変更可能に結合されることができる。また、第１ボディー２１００は伝導性素材で提供されることができる。例えば、第１ボディー２１００は金属を含む素材で提供されることができる。また、第１ボディー２１００は接地されることができる。第１ボディー２１００は接地されて、帯電された基板Ｗが第１搬送ハンド２０００に安着される場合、基板Ｗに帯電された静電気を除電する除電経路の中で少なくとも一部を提供することができる。
また、第１ボディー２１００は第１本体２１０２、第１フィンガー２１１０、第１ベース２１３０、そして第１支持ピン２１５０を含むことができる。
第１本体２１０２は接地されることができる。また、第１本体２１０２には後述する第１伝導性リング２５５０が置かれる第１フレーム２１３０が設置されることができる。第１フレーム２１３０の具体的な構造は後述する。
また、第１ボディー２１００は少なくとも１つ以上の第１フィンガー２１１０を有することができる。例えば、第１フィンガー２１１０は第１本体２１０２から延長される、一体の形状を有することができる。また、第１ボディー２１００は第１－１フィンガー２１１１、そして第１－２フィンガー２１１２を有することができる。第１－１フィンガー２１１１、そして第１－２フィンガー２１１２は互いに異なる長さを有することができる。例えば、第１－１フィンガー２１１１は第１－２フィンガー２１１２より長い長さを有することができる。
第１本体２１０２又は第１フィンガー２１１０には支持ピン２１５０が設置されることができる。支持ピン２１５０は基板Ｗの下面を支持することができる。また、支持ピン２１５０は後述する第１吸着アセンブリ２５００が基板Ｗを吸着支持する時、基板Ｗをより安定的に支持できるように基板Ｗの下面を支持することができる。また、支持ピン２１５０は少なくとも１つ以上が第１本体２１０２又は第１フィンガー２１１０の上面に設置されることができる。例えば、支持ピン２１５０は複数が第１本体２１０２又は第１フィンガー２１１０の上面に設置されることができる。また、支持ピン２１５０は複数が第１本体２１０２又は第１フィンガー２１１０の上面に設置され、その中で少なくとも一部は第１フィンガー２１１０の中で少なくともいずれか１つに設置されることができる。例えば、支持ピン２１５０の中で少なくとも一部は第１－１フィンガー２１１１の上面に設置されることができる。図８では支持ピン２１５０の数が４つであることを例として図示したが、これに限定されることではなく、支持ピン２１５０の数は基板Ｗを安定的に支持することができる数に多様に変形されることができる。また、図８では支持ピン２１５０の中で少なくとも一部が第１－１フィンガー２１１１の上面に設置されることを例として図示したが、これに限定されることではなく、支持ピン２１５０が設置される位置は基板Ｗを安定的に支持することができる位置に多様に変形されることができる。
また、第１ボディー２１００には第１吸着アセンブリ２５００が設置されることができる。また、第１吸着アセンブリ２５００は基板Ｗを吸着支持することができる。第１吸着アセンブリ２５００は基板Ｗの下面を真空吸着して基板Ｗを第１ボディー２１００の上部で支持することができる。また、第１吸着アセンブリ２５００は接地された第１ボディー２１００と電気的に連結されることができる。したがって、第１吸着アセンブリ２５００は基板Ｗに帯電された静電気を除電する除電経路の中で少なくとも一部を形成することができる。
図９は図８の吸着アセンブリ、そしてボディーが含むベースを示す分解斜視図であり、図１０は図８の搬送ハンドの一部を示す断面図である。具体的に、図９、そして図１０では本発明の一実施形態による第１搬送ハンド２０００が有する第１吸着アセンブリ２５００、そして第１ボディー２１００が含む第１ベース２１３０を示す図面である。
まず、第１ベース２１３０は第１本体２１０２又は第１フィンガー２１１０と結合されることができる。第１ベース２１３０は接地された第１本体２１０２又は第１フィンガー２１１０と結合されることができる。また、第１ベース２１３０は接地された第１本体２１０２又は接地された第１フィンガー２１１０と電気的に連結されることができる。第１ベース２１３０には後述する第１吸着アセンブリ２５００の第１吸着パッド２５１０と第１伝導性リング２５５０が置かれることがきる。例えば、第１吸着パッド２５１０と第１ベース２１３０との間には後述する第１伝導性リング２５５０が置かれることがきる。第１伝導性リング２５５０は第１吸着パッド２５１０、そして第１ベース２１３０と接触されて電気的に連結されることができる。
上部から見る時、第１ベース２１３０は大体に方形状を有することができ、第１ベース２１３０の角部分には各々第１結合ホール２１３４が形成されることができる。第１結合ホール２１３４にはネジ、又はボルトのような固定手段（図示せず）が挿入されることができ、このような固定手段は第１ベース２１３０を第１本体２１０２又は第１フィンガー２１１０に固定結合させることができる。
また、第１ベース２１３０の中央領域には第１挿入ホール２１３３が形成されることができる。第１挿入ホール２１３３には後述する第１吸着パッド２５１０の第１挿入部２５１６、そして後述する第１固定部材２５７０の第１本体部２５７１が挿入されることができる。
また、第１ベース２１３０の中央領域には、第１ベース２１３０から下方向に湾入される第１湾入部２１３１が形成されることができる。また、第１ベース２１３０には第１湾入部２１３１から下方向に折れ曲がるように（凹に）延長され、後述する第１伝導性リング２５５０が安着される第１安着部２１３２が形成されることができる。
また、第１ベース２１３０は導電性を有する材質で提供されることができる。例えば、第１ベース２１３０は金属を含む素材で提供されることができる。例えば、第１ベース２１３０はアルミニウムを含む素材で提供され、その表面がニッケル（Ｎｉ）を含む素材でコーティング処理されて提供されることができる。また、第１ベース２１３０は後述する第１吸着パッド２５１０、そして後述する第１伝導性リング２５５０より小さい抵抗のサイズを有する素材で提供されることができる。また、第１ベース２１３０は上述した第１本体２１０２又は第１フィンガー２１１０と電気的に連結され、第１安着部２１３２に置かれる第１伝導性リング２５５０と電気的に連結されることができる。
第１吸着アセンブリ２５００は第１吸着パッド２５１０、第１伝導性リング２５５０、そして第１固定部材２５７０を有することができる。
第１吸着パッド２５１０は基板Ｗと接触することができる。例えば、第１吸着パッド２５１０は基板Ｗの下面と接触することができる。第１吸着パッド２５１０は第１ヘッド部２５１１、第１挿入部２５１６、そして第１接触部２５１７を含むことができる。
第１ヘッド部２５１１は基板Ｗの下面と接触される部分であり得る。第１挿入部２５１６は第１ベース２１３０の第１挿入ホール２１３３に挿入される部分であり得る。また、第１接触部２５１７は後述する第１伝導性リング２５５０と接触される部分であり得る。
また、第１接触部２５１７は屈曲された形状を有することができる。例えば、第１接触部２５１７と第１伝導性リング２５５０の断面から見る時、第１伝導性リング２５５０が有する曲率半径Ｒのサイズと第１接触部２５１７が有する曲率半径Ｒのサイズは互いに同一なサイズを有することができる。このように第１伝導性リング２５５０が有する曲率半径Ｒのサイズと第１接触部２５１７が有する曲率半径Ｒのサイズは互いに同一なサイズを有することによって、第１伝導性リング２５５０と第１接触部２５１７の接触面積を最大に大きくすることができ、第１吸着パッド２５１０から第１伝導性リング２５５０に繋がる除電経路はより大きくなることができる。したがって、基板Ｗ上に帯電された静電気をより効果的に除去することができるようになる。
また、第１吸着パッド２５１０には第１貫通ホール２５１５が形成されることができる。第１貫通ホール２５１５は基板Ｗの下面に伝達される減圧経路の中で少なくとも一部を形成することができる。第１吸着パッド２５１０第１貫通ホール２５１５は、第１吸着パッド２５１０の中心領域に形成されることができる。例えば、第１貫通ホール２５１５は第１吸着パッド２５１０の上面で第１吸着パッド２５１０の下面まで延長されることができる。第１貫通ホール２５１０には後述する第１固定部材２５７０の第１本体部２５７１が挿入されることができる。また、第１貫通ホール２５１０は第１ボディー２１００に提供され、基板Ｗの下面に減圧を提供する第１吸着ライン２４００と流体連通することができる。したがって、第１吸着ライン２４００が提供する減圧は第１貫通ホール２５１０を通じて基板Ｗの下面に伝達されることができ、これに基板Ｗは第１搬送ハンド２０００上に吸着支持されることができる。
また、第１吸着パッド２５１０の上面には第１リング突起２５１２が形成されることができる。第１リング突起２５１２は、第１吸着パッド２５１０の上面縁領域に形成されることができる。例えば、第１リング突起２５１２は、第１吸着パッド２５１０の上面外周に沿って形成されることができる。第１リング突起２５１２は基板Ｗの下面に第１吸着ライン２４００が提供する減圧が適切に伝達されるように、基板Ｗの下面と第１吸着パッド２５１０との間の空間に真空領域を形成することができる。
また、第１吸着パッド２５１０の上面には第１支持突起２５１３が形成されることができる。第１支持突起２５１３は複数が第１吸着パッド２５１０の上面に形成されることができる。第１支持突起２５１３は、第１リング突起２５１２より内側及び第１吸着パッド２５１０の上面に形成されることができる。また、第１支持突起２５１３は、第１吸着パッド２５１０の上面に円周方向に沿って互いに同一な間隔に離隔されて配列されることができる。また、第１支持突起２５１３の上端高さは第１リング突起２５１２の上端高さより低いことができる。したがって、第１吸着ライン２４００が減圧を提供すれば、第１リング突起２５１２、第１吸着パッド２５１０の上面、そして基板Ｗの下面は真空領域を形成することができ、その真空領域は第１吸着ライン２４００が提供する減圧によって陰圧に維持されることができる。したがって、基板Ｗは第１搬送ハンド２５００に適切に支持及びチャッキングされることができる。また、第１支持突起２５１３が提供されることによって、第１支持突起２５１３の間及び／又は第１支持突起２５１２と第１リング突起２５１２との間の空間には溝が形成されることができる。したがって、第１吸着ライン２４００が減圧提供を中断すれば、その溝にエアが容易に進入される。したがって、基板Ｗは第１吸着パッド２５１０から容易に分離されることができる。また、第１吸着パッド２５１０が僅かの弾性を有する素材で提供されれば、第１支持突起２５１３は基板Ｗを上方向に押す出す僅かの力を基板Ｗに伝達して、基板Ｗは第１吸着パッド２５１０から容易に分離されることができる。
また、第１吸着パッド２５１０は第１ボディー２１００の上面に対して水平である軸を基準にチルト（Ｔｉｌｔ）可能に提供されることができる。即ち、第１吸着パッド２５１０は第１ボディー２１００の上面に垂直である軸に対して一定角度チルト可能に提供されることができる。例えば、第１吸着パッド２５１０は後述する第１ベース２１３０に第１固定部材２５７０によって固定され、第１吸着パッド２５１０と第１ベース２１３０との間には後述する僅かの弾性を有するＯリング（Ｏ－Ｒｉｎｇ）である第１伝導性リング２５５０が提供されて、第１吸着パッド２５１０は第１ボディー２１００の上面に対して水平である軸を基準にチルト（Ｔｉｌｔ）可能に提供されることができる。例えば、第１吸着パッド２５１０は第１ボディー２１００の上面に垂直である軸に対して一定角度チルト可能に提供されることができる。
また、第１吸着パッド２５１０は導電性を有する材質で提供されることができる。第１吸着パッド２５１０は導電性プラスチックを含む素材で提供されることができる。例えば、第１吸着パッド２５１０は導電性ＰＢＩ、又は導電性ＰＩの中でいずれか１つを含む素材で提供されることができる。また、第１吸着パッド２５１０はその抵抗のサイズが１０６オーム（ｏｈｍｓ）以上、そして１０９オーム以下である素材で提供されることができる。第１吸着パッド２５１０はその抵抗のサイズが１０６オーム（ｏｈｍｓ）以上、そして１０９オーム以下である素材で提供されれば、第１吸着パッド２５１０には僅かの電気が流れることができるようになって、基板Ｗと第１吸着パッド２５１０との間の摩擦等による静電気が概ね発生されないことができる。
第１ベース２１３０と第１吸着パッド２５１０との間には第１伝導性リング２５５０が提供されることができる。第１伝導性リング２５５０は第１ボディー２１００の第１ベース２１３０と第１吸着パッド２５１０との間に提供されることができる。例えば、第１伝導性リング２５５０は第１ベース２１３０より上部に、そして第１吸着パッド２５１０の第１ヘッド部２５１１の下部に提供されることができる。また、第１伝導性リング２５００は第１吸着パッド２５１０と電気的に連結されるシーリング部材であり得る。第１伝導性リング２５５０は弾性を有する素材で提供されることができる。したがって、第１伝導性リング２５５０は第１吸着アセンブリ２５００、そして第１ボディー２１００が形成する減圧経路の気密性を向上させることができる。例えば、第１伝導性リング２５５０は第１吸着アセンブリ２５００が形成する減圧経路（例えば、第１貫通ホール２５１４又は第１吸着ホール２５７２、そして第１吸着ライン２４００に繋がる減圧経路）の気密性を向上させることができる。
また、第１伝導性リング２５５０は第１吸着パッド２５１０、そして第１ベース２１３０と互いに電気的に連結されることができる。第１伝導性リング２５５０はその断面が大体に円形状を有するＯリング（Ｏ－Ｒｉｎｇ）であり得る。また、第１伝導性リング２５５０は導電性を有する素材で提供されることができる。また、第１伝導性リング２５５０、そして第１ベース２１３０の断面から見る時、第１、第１伝導性リング２５５０の曲率半径Ｒは屈曲された形状に提供される第１安着部２１３２の曲率半径より小さいサイズを有することができる。したがって、第１伝導性リング２５５０に第１吸着パッド２５１０が置かれれば、第１吸着パッド２５１０は一定の自由度（例えば、緩み０．５ｍｍ以上の自由度）を有してチルトされることができる。
また、第１伝導性リング２５５０は電気が流れることができる素材で提供されることができる。また、第１伝導性リング２５５０は第１吸着パッド２５１０が有する抵抗のサイズより小さい抵抗のサイズを有する素材で提供されることができる。例えば、第１伝導性リング２５５０は抵抗のサイズが１０３オーム以上、そして１０４オーム以下である素材で提供されることができる。また、第１伝導性リング２５５０は僅かの弾性を有する素材で提供されることができる。例えば、第１伝導性リング２５５０は弗素系樹脂を含む素材で提供されることができる。
また、第１固定部材２５７０は第１ベース２１３０に置かれる第１吸着パッド２５１０、そして第１伝導性リング２５５０が第１ベース２１３０から離脱されることを防止することができる。第１固定部材２５７０は第１吸着パッド２５１０に形成される第１貫通ホール２５１４に挿入される第１本体部２５７１、そして第１本体部２５７１から側方向に延長される第１係止部２５７６を含むことができる。第１係止部２５７６は、上部から見る時、第１ベース２１３０と重畳されるように提供されることができる。例えば、第１係止部２５７６は第１ベース２１３０に形成された段差付けた部分と重畳されるように構成されることができる。したがって、第１固定部材２５７０は第１ベース２１３０に置かれる第１伝導性リング２５５０、そして第１吸着パッド２５１０が第１ベース２１３０から離脱されることを防止することができる。
また、第１固定部材２５７０には第１吸着ホール２５７２が形成されることができる。第１吸着ホール２５７２は上述した第１吸着ライン２４００と流体連通されることができる。また、第１固定部材２５７０は上述した第１吸着パッド２５１０と同一又は類似な素材で提供されることができる。
図１１は図８の搬送ハンドに基板が置かれる形状を示す図面である。図１１を参照すれば、第１搬送ハンド２０００に基板Ｗが置かれれば、第１吸着ライン２４００は基板Ｗの下面に減圧を提供する。第１吸着ライン２４００が提供する減圧は、第１吸着ライン２４００と連通する第１固定部材２５７０の第１吸着ホール２５７２（又は、第１吸着パッド２５１０の第１貫通ホール２５１４）を通じて基板Ｗの下面に伝達されることができる。したがって、基板Ｗは第１搬送ハンド２０００上に真空吸着方式に支持されることができる。また、場合によって第１搬送ハンド２０００には歪み（Ｗａｒｐａｇｅ）が発生された基板Ｗが置かれることがきるが、上述した第１吸着パッド２５１０は第１ボディー２１００にチルト可能に提供されるので、歪みが若干発生された基板Ｗが置かれても、第１吸着パッド２５１０はティルティングされて基板Ｗの下部領域に適切に減圧を提供して基板Ｗを吸着／支持することができるようになる。また、上述した第１吸着パッド２５１０の上面に複数の第１支持突起２５１３が形成されて、第１吸着ライン２４００が減圧の提供を中断する場合、基板Ｗと第１吸着パッド２５１０はより容易に分離されることができる。
また、本発明の第１吸着アセンブリ２５００で第１吸着パッド２５１０と第１ベース２１３０との間に提供されるＯリングである第１伝導性リング２５５０は静電気が除電される経路の中で一部を形成できるように導電性を有する素材で提供される。上述した第１吸着パッド２５１０を第１ボディー２１００の上面に垂直である軸に対してチルト可能に提供するためには、第１ベース２１３０と第１吸着パッド２５１０との間にＯリングを設置しなければならない。しかし、このようなＯリングが絶縁体で提供される場合、帯電された基板Ｗの静電気を除電する除電経路が場合によって適切に形成されないこともあり得る。例えば、Ｏリングが絶縁体で提供される場合、除電経路は第１吸着パッド２５１０、第１固定部材２５７０、及び第１ベース２１３０と第１本体２１０２の中でいずれか１つが除電経路を形成する。仮に、第１吸着パッド２５１０上に歪みが発生された基板Ｗが置かれるか、或いは基板Ｗの下面に減圧が正しに提供されないことによって、第１吸着パッド２５１０が適切に下げ置かない場合、第１固定部材２５７０と第１本体２１０２は電気的に連結されないこともあり得る。これと類似に、第１吸着パッド２５１０と第１ベース２１３０は常に接触される構成ではないので、帯電された基板Ｗの静電気を除電する除電経路が場合によって適切に形成されないこともあり得る。したがって、本発明の一実施形態によれば、本発明の第１吸着アセンブリ２５００で第１吸着パッド２５１０と第１ベース２１３０との間に提供されるＯリングである第１伝導性リング２５５０は静電気が除電される経路の中で一部を形成できるように導電性を有する素材で提供されて、上述した除電経路が適切に形成されない問題点を最小化することができる。
また、本発明の一実施形態によれば、第１吸着パッド２５１０は第１伝導性リング２５５０と電気的に互いに連結されることができる。また、第１伝導性リング２５５０は第１ベース２１３０と電気的に互いに連結されることができる。また、第１ベース２１３０は第１本体２１０２と電気的に互いに連結されることができる。また、第１本体２１０２は接地されることができる。即ち、帯電された基板Ｗが第１吸着パッド２５１０と互いに接触されれば、基板Ｗの静電気は第１吸着パッド２５１０、第１伝導性リング２５５０、第１ベース２１３０、そして第１本体２１０２と第１フィンガー２１１０の中でいずれか１つを経て除電されることができる。
また、上述した第１吸着パッド２５１０及び第１固定部材２５７０は互いに同一／類似な素材で提供されることができる。また、第１伝導性リング２５５０は第１吸着パッド２５１０が有する抵抗のサイズより小さい抵抗のサイズを有する素材で提供されることができる。第１ベース２１３０は第１伝導性リング２５５０が有する抵抗のサイズより小さい抵抗のサイズを有する素材で提供されることができる。また、第１本体２１０２は第１ベース２１３０が有する抵抗のサイズより小さい抵抗のサイズを有する素材で提供されることができる。即ち、基板Ｗから接地された第１本体２１０２に近くなるほど、基材が有する抵抗のサイズはだんだん小さくなることができる。言い換えれば、基板Ｗと近くなるほど、基材が有する抵抗のサイズはより大きいことができる。したがって、基板Ｗと直接的に接触される第１吸着パッド２５１０の抵抗のサイズは相対的に大きいので、基板Ｗの静電気が急激に除電されてアーキングが発生されることができる問題を最小化することができる。また、電気は抵抗のサイズが小さい方に流れようとする性質を有するので、静電気の除電経路は抵抗のサイズが大きい第１吸着パッド２５１０から順次的に、第１伝導性リング２５５０、第１ベース２１３０、そして第１本体２１０２と第１フィンガー２１１０の中でいずれか１つに沿って流れるようになる。
また、図１２、そして図１３に図示されたように、第１吸着アセンブリ２５００が有する第１伝導性リング２５５０のリング直径は第１搬送ハンド２０００に置かれる基板Ｗのサイズに応じて多様に変形されることができる。また、図１４に図示されたように、第１伝導性リング２５５０が設置される位置はより第１安着部２１３２より下に位置されてもよい。
以下では、本発明の他の実施形態による搬送ハンドに対して説明する。
以下では説明する本発明の他の実施形態による第２搬送ハンド３０００は搬送ロボット３５２が有する搬送ハンドであり得る。また、本発明の他の実施形態による第１搬送ハンド３０００は第１前段バッファロボット３１４、第２前段バッファロボット３１５、第１後段バッファロボット３１８、第２後段バッファロボット３１９の中で少なくともいずれか１つが有する搬送ハンドであり得る。しかし、これに限定されることではなく、以下では説明する本発明の一実施形態による第２搬送ハンド３０００はインデックスロボット１３２、インターフェイスロボット５５０が有する搬送ハンドであり得る。
図１５は本発明の他の実施形態による搬送ハンドの形状を示す平面図である。具体的に、図１５では本発明の他の実施形態による第２搬送ハンド３０００の形状を図示する。図１５を参照すれば、本発明の一実施形態による第２搬送ハンド３０００は第２ボディー３１００、第２吸着ライン３４００、そして第２吸着アセンブリ３５００を含むことができる。
第２ボディー３１００は搬送ロボット３５２、第１前段バッファロボット３１４、第２前段バッファロボット３１５、第１後段バッファロボット３１８、又は第２後段バッファロボット３１９が有する駆動器に位置が変更可能に結合されることができる。
また、第２ボディー３１００は第２本体３１０２、第２フィンガー３１１０、第２ベース３１３０、そしてカバープレート３１４０を含むことができる。
第２本体３１０２は伝導性素材で提供されることができる。例えば、第２本体３１０２は金属を含む素材で提供されることができる。また、第２本体３１０２は接地されることができる。第２本体３１０２は接地されて、帯電された基板Ｗが第２搬送ハンド３０００に安着される場合、基板Ｗに帯電された静電気を除電する除電経路の中で少なくとも一部を提供することができる。また、第２ボディー３１００は少なくとも１つ以上の第２フィンガー２１１０を有することができる。例えば、第２ボディー３１００は第２－１フィンガー３１１１、そして第２－２フィンガー３１１２を有することができる。第２－１フィンガー３１１１、そして第２－２フィンガー３１１２は互いに同一の長さを有することができる。例えば、第２－１フィンガー３１１１、そして第２－２フィンガー３１１２は互いに対称される形状を有することができる。
また、第２ベース３１３０は第２本体３１０２又は第２フィンガー３１１０の下面に設置されることができる。第２ベース３１３０は上述した第１ベース２１３０と大体に同一／類似な機能を遂行することができる。第２ベース３１３０の具体的な構造は後述する。
また、第２ボディー３１００には第２吸着アセンブリ３５００が設置されることができる。また、第２吸着アセンブリ３５００は基板Ｗを吸着支持することができる。第２吸着アセンブリ３５００は基板Ｗの下面を真空吸着して基板Ｗを第２ボディー３１００の上部で支持することができる。また、第２吸着アセンブリ３５００は接地された第２ボディー２１００と電気的に連結されることができる。したがって、第２吸着アセンブリ３５００は基板Ｗに帯電された静電気を除電する除電経路の中で少なくとも一部を形成することができる。
図１６は図１５の吸着アセンブリ、そしてボディーのベースを示す分解斜視図であり、図１７は図１５の搬送ハンドの一部を示す断面図である。
第２ベース３１３０は第２本体３１０２と結合される結合部３１３１と第２吸着パッド３５１０、第２伝導性リング３５５０が置かれる支持部３１３６を含むことができる。結合部３１３１には上述した第１吸着ライン２４００と同一又は類似な機能を実行し、第２ボディー３１００に提供される第２吸着ライン３４００と流体連通するバキュームホール３１３５が形成されることができる。また、結合部３１３１には第２本体３１０２と第２ベース３１３０を互いに結合させる結合手段が挿入される第２結合ホール３１３４が形成されることができる。
また、カバープレート３１４０は第２ベース３１３０と互いに組み合わせてバキューム空間Ａを形成することができる。バキューム空間Ａは第２吸着パッド３５１０の貫通ホール又は第２固定部材３５７０の吸着ホールと互いに流体連通されることができる。また、カバープレート３１４０は導電性を有する素材で提供されることができる。カバープレート３１４０は金属を含む素材で提供されることができる。カバープレート３１４０はステンレスを含む素材で提供されることができる。
第２吸着アセンブリ３５００は第２吸着パッド３５１０、第２伝導性リング３５５０、そして第２固定部材３５７０を含むことができる。第２吸着アセンブリ３５００の第２吸着パッド３５１０、第２伝導性リング３５５０、そして第２固定部材３５７０の構造及び機能は上述した第１吸着アセンブリ２５００の第１吸着パッド２５１０、第１伝導性リング２５５０、そして第１固定部材２５７０と大体に同一又は類似であるので、繰り返される説明は省略する。
図１８は図１５の搬送ハンドに基板が置かれる形状を示す図面である。図１８を参照すれば、本発明の他の実施形態による搬送ハンドである、第２搬送ハンド３０００に帯電された基板Ｗが置かれれば、基板Ｗの静電気は第２吸着アセンブリ３５００の第２吸着パッド３５１０、第２伝導性リング３５５０、第２ベース３１３０、そして接地された第２本体３１０２を順次的に経て通じて除電されることができる。また、第２吸着ライン３４００が提供する減圧は、バキューム空間Ａと第２吸着パッド３５１０の貫通ホール又は第２固定部材３５７０の吸着ホールを順次的に経て基板Ｗの下面に伝達されて、基板Ｗを真空吸着及び支持することができるようになる。
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲、及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される様々な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むことと解析されなければならない。
２０００ 第１搬送ハンド
２１００ 第１ボディー
２１０２ 第１本体
２１１０ 第１フィンガー
２１１１ 第１－１フィンガー
２１１２ 第１－２フィンガー
２１３０ 第１ベース
２１３１ 第１湾入部
２１３２ 第１安着部
２１３３ 第１挿入ホール
２１３４ 第１結合ホール
２１５０ 支持ピン
２４００ 第１吸着ライン
２５００ 第１吸着アセンブリ
２５１０ 第１吸着パッド
２５１１ 第１ヘッド部
２５１２ 第１リング突起
２５１３ 第１支持突起
２５１４ 第１貫通ホール
２５１６ 第１挿入部
２５１７ 第１接触部
２５５０ 第１伝導性リング
２５７０ 第１固定部材
２５７１ 第１本体部
２５７２ 第１吸着ホール
２５７６ 第１係止部
３０００ 第２搬送ハンド
３１１０ 第２ボディー
３１１０ 第２フィンガー
３１１１ 第２－１フィンガー
３１１２ 第２－２フィンガー
３１３０ 第２ベース
３１３１ 結合部
３１３４ 第２結合ホール
３１３５ バキュームホール
３１３６ 支持部
３１３７ 第２安着部
３１４０ カバープレート
３４００ 第２吸着ライン
３５００ 第２吸着アセンブリ
３５１０ 第２吸着パッド
３５５０ 第２伝導性リング
３５７０ 第２固定部材

Claims (16)

  1. 基板を搬送する搬送ハンドであって、
    ボディーと、
    前記ボディーに設置され、基板の下面に減圧を提供して基板を前記ボディーの上部で支持し、基板に帯電された静電気を除電する除電経路の中で少なくとも一部を形成する吸着アセンブリと、を含み、
    前記吸着アセンブリは、
    基板と接触し、導電性を有する吸着パッドと、
    前記吸着パッドと前記ボディーとの間に提供され、前記吸着パッドと電気的に連結されるシーリング部材と、を含み、
    前記ボディーは、接地され、
    前記シーリング部材は、前記ボディーと電気的に連結されて接地され、
    前記シーリング部材は、
    前記吸着パッドが有する抵抗より小さい抵抗を有する素材で提供され、
    前記ボディーは、
    前記シーリング部材が有する抵抗より小さい抵抗を有する素材で提供される搬送ハンド。
  2. 前記吸着パッドは、
    前記ボディーに対してチルト可能に提供される請求項１に記載の搬送ハンド。
  3. 前記吸着パッドは、
    基板の下面と接触するヘッド部と、
    前記ボディーに挿入される挿入部と、
    前記ヘッド部、そして前記挿入部の間に形成され、前記シーリング部材と接触される接触部と、を含み、前記接触部は、屈曲された形状を有する請求項１又は請求項２に記載の搬送ハンド。
  4. 前記シーリング部材と前記接触部の断面を見る時、
    前記シーリング部材の曲率半径と前記接触部の曲率半径は、互いに同一なサイズを有する請求項３に記載の搬送ハンド。
  5. 前記吸着パッドには、
    前記ボディーに提供され、基板の下面に減圧を提供する吸着ラインと流体連通するホールと、
    前記吸着パッドの上面縁領域にリング突起が形成される請求項１又は請求項２に記載の搬送ハンド。
  6. 前記吸着パッドには、
    前記吸着パッドの上面、そして前記リング突起より内側に少なくとも１つ以上の支持突起が形成される請求項５に記載の搬送ハンド。
  7. 前記支持突起の上端高さは、
    前記リング突起の上端高さより低い請求項６に記載の搬送ハンド。
  8. 基板を搬送する搬送ハンドであって、
    ボディーと、
    前記ボディーに設置され、基板を支持し、基板に帯電された静電気を除電する除電経路の中で少なくとも一部を形成する吸着アセンブリと、を含み、
    前記吸着アセンブリは、
    基板と接触し、前記ボディーに対してチルト可能に提供され、導電性を有する吸着パッドと、
    前記吸着パッドの下部に提供され、前記吸着パッドと電気的に連結される伝導性リングと、を含み、
    前記ボディーは、接地され、
    前記伝導性リングは、前記ボディーと電気的に連結されて接地され、
    前記伝導性リングは、
    前記吸着パッドが有する抵抗より小さい抵抗を有する素材で提供され、
    前記ボディーは、
    前記伝導性リングが有する抵抗より小さい抵抗を有する素材で提供される搬送ハンド。
  9. 前記吸着パッドは、
    抵抗が１０６オーム以上、そして１０９オーム以下である素材で提供され、
    前記伝導性リングは、
    抵抗が１０３オーム以上、そして１０４オーム以下である素材で提供される請求項８に記載の搬送ハンド。
  10. 前記吸着パッドには、
    前記ボディーに提供され、基板の下面に減圧を提供する吸着ラインと流体連通するホールと、
    前記吸着パッドの上面縁領域に形成されるリング突起と、
    前記吸着パッドの上面、そして前記リング突起より内側に複数の支持突起が形成され、
    前記支持突起の上端高さは、
    前記リング突起の上端高さより低い請求項８又は請求項９に記載の搬送ハンド。
  11. 前記支持突起は、
    上部から見る時、前記吸着パッドの上面に円周方向に沿って互いに離隔されて配列される請求項１０に記載の搬送ハンド。
  12. 前記ボディーは、
    前記伝導性リングが安着される安着部が形成されたベースをさらに含み、
    前記ベースと前記伝導性リングの断面から見る時、
    前記安着部は、屈曲された形状を有し、
    前記伝導性リングの曲率半径は、前記安着部の曲率半径より小さいサイズを有する請求項８又は請求項９に記載の搬送ハンド。
  13. 前記吸着アセンブリは、
    前記吸着パッドが前記ベースから離脱されることを防止する固定部材を含み、
    前記固定部材は、
    前記吸着パッドに形成される貫通ホールに挿入される本体部と、
    上部から見る時、前記ベースと重畳されるように前記本体部から側方向に延長される係止部と、を含む請求項１２に記載の搬送ハンド。
  14. 基板を処理する装置（基板処理装置）であって、
    基板が収納された容器が置かれるロードポートを有するインデックスモジュールと、
    基板に対する処理工程を遂行する処理モジュールと、を含み、
    前記インデックスモジュール、前記処理モジュールの中で少なくともいずれか一つには、
    基板を搬送する搬送ハンドを有するロボットが提供され、
    前記搬送ハンドは、
    フィンガー、本体、そして前記本体又は前記フィンガーに設置されるベースを有するボディーと、
    前記ボディーに設置され、基板の下面を真空吸着して基板を前記ボディーの上部で支持し、基板に帯電された静電気を除電する除電経路の中で少なくとも一部を形成する吸着アセンブリと、を含み、
    前記吸着アセンブリは、
    基板と接触し、前記ボディーにチルト可能に提供され、導電性を有する吸着パッドと、
    前記吸着パッド、そして前記ベースの間に提供され、前記吸着パッド、そして前記ベースと接触されて電気的に連結される伝導性リングと、を含み、
    前記ベースは、
    接地された前記本体又は前記フィンガーと電気的に連結され、
    前記伝導性リングは、
    前記吸着パッドが有する抵抗より小さい抵抗を有する素材で提供され、
    前記ベースは、
    前記伝導性リングが有する抵抗より小さい抵抗を有する素材で提供され、
    前記本体又は前記フィンガーは、
    前記ベースが有する抵抗より小さい抵抗を有する素材で提供される基板処理装置。
  15. 前記ベースは、
    アルミニウム素材で提供され、その表面がニッケルを含む素材でコーティングされ、
    前記伝導性リングは、
    弗素系樹脂を含む素材で提供され、
    前記吸着パッドは、
    導電性プラスチックを含む素材で提供される請求項１４に記載の基板処理装置。
  16. 前記装置は、
    前記処理モジュールと異なる処理工程を遂行する外部の処理装置を互いに連結させるインターフェイスモジュールをさらに含み、
    前記インデックスモジュール、前記処理モジュール、そして前記インターフェイスモジュールの中で少なくともいずれか一つには、
    前記搬送ハンドを有するロボットが提供される請求項１４又は請求項１５に記載の基板処理装置。
JP2021170851A 2020-10-30 2021-10-19 搬送ハンド及び基板処理装置 Active JP7264969B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0143571 2020-10-30
KR1020200143571A KR102556368B1 (ko) 2020-10-30 2020-10-30 반송 핸드 및 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022074028A JP2022074028A (ja) 2022-05-17
JP7264969B2 true JP7264969B2 (ja) 2023-04-25

Family

ID=81362337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021170851A Active JP7264969B2 (ja) 2020-10-30 2021-10-19 搬送ハンド及び基板処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11935779B2 (ja)
JP (1) JP7264969B2 (ja)
KR (1) KR102556368B1 (ja)
CN (1) CN114446857A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116872245B (zh) * 2023-09-06 2023-11-21 吉林省鼎恒建材有限公司 一种用于铝板搬运的防掉落真空吸盘机械手

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001341090A (ja) 2000-06-05 2001-12-11 Shinano Electronics:Kk 真空把持装置及びｉｃテストハンドラ
JP2012199282A (ja) 2011-03-18 2012-10-18 Tokyo Electron Ltd 基板保持装置
JP2014072262A (ja) 2012-09-28 2014-04-21 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置及び搬送装置
JP2016157822A (ja) 2015-02-25 2016-09-01 キヤノン株式会社 搬送ハンドおよびリソグラフィ装置
JP2016225410A (ja) 2015-05-28 2016-12-28 Tdk株式会社 ガスパージユニット、ロードポート装置およびパージ対象容器の設置台
JP2018206814A (ja) 2017-05-30 2018-12-27 キヤノン株式会社 搬送ハンド、搬送装置、リソグラフィ装置、物品の製造方法及び保持機構

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5255538U (ja) * 1975-10-21 1977-04-21
JPS5255538A (en) * 1975-10-31 1977-05-07 Sumitomo Electric Ind Ltd Charging device
JPS5744957A (en) * 1980-08-29 1982-03-13 Matsushita Electric Works Ltd Low pressure discharge lamp
JPS5919310A (ja) * 1982-07-24 1984-01-31 株式会社指月電機製作所 コンデンサの製造方法
JPS5919310U (ja) * 1982-07-30 1984-02-06 山川工業株式会社 熱軟化樹脂シ−ト吸着盤
US4712674A (en) * 1985-03-25 1987-12-15 Hy-Con Products, Inc. Container for static-sensitive articles
EP0273660B1 (en) * 1986-12-26 1993-07-28 Takeda Chemical Industries, Ltd. Dna encoding an inactivated imp dehydrogenase
JPH0738305Y2 (ja) * 1988-05-31 1995-08-30 京セラ株式会社 真空吸着プレート
JP2524586Y2 (ja) * 1990-09-06 1997-02-05 エスエムシー株式会社 吸着用パッド
JPH05318368A (ja) * 1992-05-18 1993-12-03 Tokyo Electron Yamanashi Kk 吸着搬送装置
JP3200285B2 (ja) * 1994-06-29 2001-08-20 キヤノン株式会社 基板搬送装置
JPH08229865A (ja) * 1995-03-01 1996-09-10 Sanden Corp 吸着ハンド
TWI310974B (en) * 2005-07-15 2009-06-11 Fabworx Solutions Inc An end effecter
KR20070083333A (ko) 2006-02-21 2007-08-24 삼성전자주식회사 전도성 오링을 포함하는 플라즈마 처리 장치
KR100810637B1 (ko) 2006-08-08 2008-03-06 삼성에스디아이 주식회사 반도체 기판 이송 로봇
KR100916532B1 (ko) 2007-01-19 2009-09-11 피에스케이 주식회사 기판 반송 장치
US20100178137A1 (en) * 2009-01-11 2010-07-15 Applied Materials, Inc. Systems, apparatus and methods for moving substrates
TWI538789B (zh) 2011-08-10 2016-06-21 Kawasaki Heavy Ind Ltd A end effector device, and a substrate transport robot including the end effector device
JP6186124B2 (ja) * 2012-12-14 2017-08-23 東京応化工業株式会社 搬送アーム、搬送装置および搬送方法
JP5692302B2 (ja) 2013-08-08 2015-04-01 株式会社富士通ゼネラル 空気調和装置
JP6349343B2 (ja) * 2016-05-02 2018-06-27 Ｔｏｗａ株式会社 吸着ユニット、板状部材搬送ユニット、樹脂封止装置、板状部材搬送方法および樹脂封止方法
KR101882397B1 (ko) * 2016-08-25 2018-07-27 피에스케이 주식회사 반송 로봇 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102225957B1 (ko) * 2018-09-12 2021-03-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US11600580B2 (en) * 2019-02-27 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Replaceable end effector contact pads, end effectors, and maintenance methods
JP7415782B2 (ja) * 2020-05-11 2024-01-17 東京エレクトロン株式会社 基板搬送機構及び基板搬送方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001341090A (ja) 2000-06-05 2001-12-11 Shinano Electronics:Kk 真空把持装置及びｉｃテストハンドラ
JP2012199282A (ja) 2011-03-18 2012-10-18 Tokyo Electron Ltd 基板保持装置
JP2014072262A (ja) 2012-09-28 2014-04-21 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置及び搬送装置
JP2016157822A (ja) 2015-02-25 2016-09-01 キヤノン株式会社 搬送ハンドおよびリソグラフィ装置
JP2016225410A (ja) 2015-05-28 2016-12-28 Tdk株式会社 ガスパージユニット、ロードポート装置およびパージ対象容器の設置台
JP2018206814A (ja) 2017-05-30 2018-12-27 キヤノン株式会社 搬送ハンド、搬送装置、リソグラフィ装置、物品の製造方法及び保持機構

Also Published As

Publication number Publication date
KR102556368B1 (ko) 2023-07-18
CN114446857A (zh) 2022-05-06
US20220139756A1 (en) 2022-05-05
JP2022074028A (ja) 2022-05-17
US11935779B2 (en) 2024-03-19
KR20220058146A (ko) 2022-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101798320B1 (ko) 기판 처리 장치
US7722267B2 (en) Substrate processing apparatus
CN110896043A (zh) 用于处理基板的装置
US11829070B2 (en) Apparatus for treating a substrate
US7690853B2 (en) Substrate processing apparatus
CN114171430A (zh) 清洁夹具、包括清洁夹具的基板处理设备、基板处理设备的清洁方法
JP7264969B2 (ja) 搬送ハンド及び基板処理装置
KR101972226B1 (ko) 기판 세정 장치 및 그것을 구비하는 기판 처리 장치
US20230014205A1 (en) Support unit and substrate treating apparatus including the same
KR20210011197A (ko) 기판 처리 장치
CN114530395A (zh) 用于处理基板的装置
JP7149118B2 (ja) 基板処理装置
KR20220094020A (ko) 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20220010647A (ko) 반송 핸드 및 기판 처리 장치
JP7515541B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR102277544B1 (ko) 반송 유닛
KR102403199B1 (ko) 기판 처리 장치
US11651979B2 (en) Transfer unit and apparatus for treating substrate
US20220390859A1 (en) Substrate treating apparatus
KR102243066B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2010219435A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20230033190A (ko) 액 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20220094018A (ko) 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20220094023A (ko) 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20220095352A (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211019

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221108

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230203

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230404

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230413

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7264969

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150