JP7022626B2 - 光走査装置及び画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、複写機、プリンタ等の画像形成装置に備えられる光走査装置に関するものである。

従来、レーザビームプリンタやデジタル複写機等に用いられる光走査装置においては、画像信号に応じて光源から光変調されて出射したレーザ光を、回転多面鏡等の光偏向器により周期的に偏向走査させる。そして、ｆθ特性を有する走査光学部材により感光ドラム上の結像面にスポット状に結像させる。ここで、ｆθ特性とは、光が角度θでレンズに入ってくると、該レンズの焦点距離ｆを掛け合わせた大きさ（ｆ×θ）の像を結ぶようなレンズの特性である。

結像面上のスポットは、光偏向器により走査される主走査と、感光ドラムの回転による副走査に伴って、一様に帯電された感光ドラムの表面上に静電潜像を形成し、画像記録を行っている。この光走査装置をカラー画像形成装置に応用する場合には、例えば、イエローＹ、マゼンタＭ、シアンＣ、ブラックＫの４色の画像を重ね合わせてカラー画像をシート等の記録材上に形成している。

光走査装置のコストダウンを目的として、１つの光偏向器をイエローＹ、マゼンタＭ、シアンＣ、ブラックＫの４色の感光ドラムのうちの２色で共用する場合がある。この場合には、異なる２色の感光ドラムに対応した２つの走査光学部材を光偏向器を挟んだ両側に対称配置し、各走査光学部材の２つの光源から出射されたレーザ光を光偏向器の回転多面鏡の異なる面にそれぞれ入射し偏向走査させる構成が提案されている。

加えて、光源である半導体レーザのマルチビーム化が進み、半導体レーザ素子内部のレーザチップのサイズアップや配線の都合上、半導体レーザのパッケージサイズが大きくなってきている。また、光源から出射されたレーザ光のスポット径等の光学性能をより良くするために、光源の位置調整を行って組み立てる際の調整スペースが必要になる。このため隣接する光源と光源のクリアランスの確保が求められる。

特許文献１では、半導体レーザから回転多面鏡に向けて出射されたレーザ光と、走査レンズの長手方向に直交する方向で走査レンズの中心を通る光の光軸とのなす角度が９０°よりも小さくなるように各半導体レーザを配置している。

特開２００３－１４００７０号公報

しかしながら、特許文献１では、光走査装置の更なる小型化を図ろうとする場合に以下の参考例で示す課題がある。図１２は、参考例としての光走査装置１９０の構成を示す平面説明図である。図１３は、参考例としての光走査装置１９０の回路基板１８４Ｙ，１８４Ｍの表面側の構成を示す側面説明図である。尚、説明の簡略化のためイエローＹ、マゼンタＭ、シアンＣ、ブラックＫの４色の感光ドラム２Ｙ，２Ｍ，２Ｃ，２ＫのうちのイエローＹ、マゼンタＭ用の光走査装置１９０のみを用いて説明する。図１２は、光走査装置１９０のハウジング１８０ＹＭの開口を覆うカバー部材１８８ＹＭを省略している。

図１２に示すように、参考例の光走査装置１９０は、ハウジング１８０ＹＭの内部中央に光偏向器１７４ＹＭが設けられている。光偏向器１７４ＹＭを挟んで両側には、イエローＹ、マゼンタＭの異なる２色の感光ドラム２Ｙ，２Ｍにそれぞれ対応した走査レンズ１７６Ｙ，１７６Ｍ等の走査光学部材が対称配置されている。

光源である半導体レーザ１７０Ｙから回転多面鏡１７３ＹＭに向けて出射されたレーザ光ＬＹと、レーザ光ＬＹが回転多面鏡１７３ＹＭの反射面に反射して走査レンズ１７６Ｙを透過した光軸ＬＹｄ１とのなす角度θｄＹを考慮する。ここで、走査レンズの光軸とは、走査レンズの長手方向に直交する方向で走査レンズの中心を通る光の軸をいう。更に、半導体レーザ１７０Ｍから回転多面鏡１７３ＹＭに向けて出射されたレーザ光ＬＭと、レーザ光ＬＭが回転多面鏡１７３ＹＭの他の反射面に反射して走査レンズ１７６Ｍを透過した光軸ＬＭｄ１とのなす角度θｄＭを考慮する。図１２に示す角度θｄＹと角度θｄＭとは等しくなるように設定されている。

走査レンズ１７６Ｙ，１７６Ｍと同様に、半導体レーザ１７０Ｙ，１７０Ｍも回転多面鏡１７３ＹＭの回転軸１７３ＹＭａの回転中心を通る直線３ＹＭを中心に光偏向器１７４ＹＭを挟んだ両側に対称配置されている。各半導体レーザ１７０Ｙ，１７０Ｍから出射されるレーザ光ＬＹ，ＬＭも直線３ＹＭを中心に光偏向器１７４ＹＭを挟んだ両側に対称配置されている。半導体レーザ１７０Ｙに隣接して、感光ドラム２Ｙへの主走査方向の書き出しタイミングを決める水平同期センサ１８２Ｙが設けられている。半導体レーザ１７０Ｙから出射されたレーザ光ＬＹは、回転多面鏡１７３ＹＭに反射して水平同期センサ１８２Ｙにより検出される。

ここで、図１２に示す光走査装置１９０を感光ドラム２Ｙ，２Ｍの配列方向（図１２の左右方向）に関して小型化する場合を考慮する。この場合、走査レンズ１７６Ｙ，１７６Ｍを光偏向器１７４ＹＭに近接して配置することが考えられる。そうした場合、回転多面鏡１７３ＹＭに反射して水平同期センサ１８２Ｙに入射するレーザ光ＬＹｂは、走査レンズ１７６Ｙの端部１７６Ｙ１に当たる可能性がある。その場合は、水平同期センサ１８２Ｙに入射するレーザ光ＬＹｂが本来の光路とは異なる経路を通過する光（迷光）の影響により画像や発光制御に悪影響を及ぼす恐れがある。

ここで、半導体レーザ１７０Ｙから回転多面鏡１７３ＹＭに向けて出射されたレーザ光ＬＹと、レーザ光ＬＹが回転多面鏡１７３ＹＭに反射して水平同期センサ１８２Ｙに入射するレーザ光ＬＹｂとがなす角度θａＹを考慮する。この角度θａＹが小さくなるように、回路基板１８４Ｙ上に実装された半導体レーザ１７０Ｙと水平同期センサ１８２Ｙとを近接して配置することが考えられる。

この場合、図１３に示すように、同じ回路基板１８４Ｙ上に実装された半導体レーザ１７０Ｙと水平同期センサ１８２Ｙとの距離が近くなる。回路基板１８４Ｙへの半導体レーザ１７０Ｙと水平同期センサ１８２Ｙの実装は、回路基板１８４Ｙの裏面側からスルーホールを通して表面側で半田付けされている。このため図１３に示す回路基板１８４Ｙの表面上には、半導体レーザ１７０Ｙと水平同期センサ１８２Ｙのそれぞれのリード端子と、各リード端子を回路パターンのランド部に半田付けした半田部分が示されている。尚、半導体レーザ１７０Ｙは、１つのパッケージから４本のレーザ光を出射する４ビームレーザとして構成される。

一方、半導体レーザ１７０Ｙ，１７０Ｍを画像信号に応じて変調させるためには、レーザ駆動ＩＣ（Integrated Circuit；半導体集積回路）１８３Ｙ，１８３Ｍがそれぞれ必要となる。レーザ駆動ＩＣ１８３Ｙは、信号の劣化やノイズの観点から、半導体レーザ１７０Ｙの近くに配置することが望ましい。

そうした場合、図１３に示す回路基板１８４Ｙ上では、半導体レーザ１７０Ｙと水平同期センサ１８２Ｙとの間にレーザ駆動ＩＣ１８３Ｙを配置するスペースがない。このため半導体レーザ１７０Ｙに対して図１３の上下方向にずらした位置にレーザ駆動ＩＣ１８３Ｙを配置しなければならない。その結果、回路基板１８４Ｙの高さが高くなり、図１３に示す光走査装置１９０の最大厚みＨ_ＹＭが大きくなって光走査装置１９０が大型化するといった課題がある。

本発明は前記課題を解決するものであり、その目的とするところは、小型化ができる光走査装置を提供するものである。

前記目的を達成するための本発明に係る光走査装置の代表的な構成は、第１の光源と、第２の光源と、前記第１の光源を駆動させて画像信号に応じた第１のレーザ光を発生させる第１の駆動素子と、前記第２の光源を駆動させて画像信号に応じた第２のレーザ光を発生させる第２の駆動素子と、複数の反射面を有する回転多面鏡と、前記反射面で反射した前記第１のレーザ光を、第１の像担持体へ導く第１の走査光学部と、前記反射面で反射した前記第２のレーザ光を、第２の像担持体へ導く第２の走査光学部と、を有し、前記反射面で反射された前記第１のレーザ光を検出して、前記第１の像担持体への主走査方向の書き出し位置を制御するための信号を出力する検出素子と、少なくとも前記第１の光源と、前記第１の駆動素子と、前記検出素子とを実装している回路基板と、を有する光走査装置において、前記第１の光源から前記反射面に向かって出射される前記第１のレーザ光と、前記第１のレーザ光を含む同一平面上における前記第１の走査光学部の長手方向に対して直交する第１の方向と、のなす角度をθ１とし、前記第２の光源から前記反射面に向かって出射される前記第２のレーザ光と、前記第２のレーザ光を含む同一平面上における前記第２の走査光学部の長手方向に対して直交する第２の方向と、のなす角度をθ２としたとき、θ１＞θ２の関係を有することを特徴とする。

本発明によれば、光走査装置の小型化が可能になる。

本発明に係る光走査装置を搭載した画像形成装置の構成を示す断面説明図である。 本発明に係る光走査装置の構成を示す平面説明図である。 本発明に係る光走査装置のイエローとマゼンタ側の光走査装置の構成を示す平面説明図である。 本発明に係る光走査装置のシアンとブラック側の光走査装置の構成を示す平面説明図である。 図２のＡ－Ａ断面図である。 本発明に係る光走査装置の組立工程の一部を示す斜視説明図である。 本発明に係る光走査装置の回路基板の表面側の構成を示す側面説明図である。 本発明に係る光走査装置の光学特性を示す図である。 本発明に係る光走査装置の半導体レーザの周辺の構成を示す断面説明図である。 本発明に係る光走査装置の回路基板の変形例を示す斜視説明図である。 副走査方向において半導体レーザを上下に配置して１つの光偏向器で４つの感光ドラムにレーザ光を走査する他の光走査装置の回路基板の表面側の構成を示す側面説明図である。 参考例の光走査装置の構成を示す平面説明図である。 参考例の光走査装置の回路基板の表面側の構成を示す側面説明図である。

図により本発明に係る光走査装置の一実施形態を具体的に説明する。尚、以下の実施形態において例示した具体的な数値に限定されるものでは無い。

＜画像形成装置＞
図１を用いて、本発明に係る光走査装置９０を搭載した画像形成装置１００の構成について説明する。図１は、本発明に係る光走査装置９０を搭載した画像形成装置１００の構成を示す断面説明図である。図１に示す画像形成装置１００は、カラーレーザビームプリンタの一例である。図１に示す画像形成装置１００に関して、以下、イエローＹ色のプロセスカートリッジＰＹが配置されている側面を本体左側とし、ブラックＫ色のプロセスカードリッジＰＫが配置されている側面を本体右側と定義する。

図１に示す画像形成装置１００は、本体左側から本体右側にかけて、イエローＹ、マゼンタＭ、シアンＣ、ブラックＫの各色の４つのプロセスカートリッジＰＹ，ＰＭ，ＰＣ，ＰＫを略水平方向に並べて配置したインライン構成のタンデム型で構成される。

各プロセスカートリッジＰＹ，ＰＭ，ＰＣ，ＰＫは、図示しない各色の現像装置内に収容されたトナー（現像剤）の色が異なる他は、略同様に構成されるため単にプロセスカートリッジＰを用いて説明する場合もある。他の画像形成プロセス手段も同様である。各プロセスカートリッジＰは、複数の像担持体となる各感光ドラム２の表面上に担持されたトナー像（画像）を記録材Ｓに形成する画像形成部として構成される。

本実施形態の各プロセスカートリッジＰは、像担持体としての感光ドラム２Ｙ，２Ｍ，２Ｃ，２Ｋを有する。更に、各感光ドラム２に作用する画像形成プロセス手段としての現像剤担持体となる現像ローラ１２Ｙ，１２Ｍ，１２Ｃ，１２Ｋ等を有する。これらは、各プロセスカートリッジＰ内に一体的に組み付けられる。

２つのプロセスカートリッジＰＹ，ＰＭの上方には、第１光走査装置９１が設けられており、他の２つのプロセスカートリッジＰＣ，ＰＫの上方には、第２光走査装置９２が設けられている。図５に示すように、第１光走査装置９１と第２光走査装置９２とを有する光走査装置９０により走査されたレーザ光ＬＹｄ，ＬＭｄ，ＬＣｄ，ＬＫｄが複数の像担持体となる各感光ドラム２の表面上に照射される。

図１の反時計回り方向に回転する各感光ドラム２の表面は、図示しない帯電手段となる各帯電装置により、それぞれ一様に帯電される。各光走査装置９１，９２は、図示しない画像データ入力部から入力された画像データに基づいて、一様に帯電された各感光ドラム２の表面上にレーザ光Ｌを走査露光する。これにより各感光ドラム２の表面上に各色の静電潜像が順次形成される。各感光ドラム２の表面上に形成された静電潜像に対して、各現像ローラ１２から各色のトナー（現像剤）が供給されてトナー像として現像される。

各プロセスカートリッジＰの下方には、中間転写ユニット２０が配置されている。中間転写ユニット２０には、中間転写ベルト２１が駆動ローラ２２と、従動ローラ２３と、テンションローラ２４とにより図１の時計回り方向に回転可能に張架されている。各感光ドラム２Ｙ，２Ｍ，２Ｃ，２Ｋの表面は、中間転写ベルト２１の外周面に接して設けられている。中間転写ベルト２１の内周面側には、各感光ドラム２に対向させて、一次転写手段となる４つの一次転写ローラ２５Ｙ，２５Ｍ，２５Ｃ，２５Ｋが設けられている。

駆動ローラ２２には、中間転写ベルト２１を介して、二次転写手段となる二次転写ローラ２６が当接されている。本体左側の上部には、定着手段となる定着装置３０と、排出装置４０が配置されている。定着装置３０は、定着フィルムが設けられた定着ユニット３１と、加圧ローラ３２とを有して構成される。排出装置４０は、排出ローラ４１と排出コロ４２とを有して構成されている。

図示しない一次転写電源から各一次転写ローラ２５に一次転写バイアスが印加されると、各感光ドラム２の表面上に形成された各色のトナー像は、図１の時計回り方向に回転する中間転写ベルト２１の外周面上に順次、一次転写されて重畳される。一次転写後に各感光ドラム２の表面上に残留したトナーは、図示しないクリーニング手段により除去されて回収される。

一方、中間転写ユニット２０の下方には、給送ユニット６０が設けられている。給送ユニット６０に設けられた給送カセット６１内で中板６４上に収容された記録材Ｓは、中板６４が回動中心６４ａを中心に図１の時計回り方向に回動することにより持ち上げられて、最上位の記録材Ｓが給送ローラ６２に圧接される。

その後、給送ローラ６２が図１の時計回り方向に回転することにより記録材Ｓが給送ローラ６２により繰り出され、図示しない分離手段との協働により一枚ずつ分離給送される。給送ローラ６２により給送された記録材Ｓの先端部が停止したレジストローラ６３のニップ部に突き当てられて斜行が補正される。その後、中間転写ベルト２１の外周面上に担持されたトナー像の画先が中間転写ベルト２１の外周面と二次転写ローラ２６とのニップ部からなる二次転写部Ｎに到達するタイミングに同期するようにレジストローラ６３により記録材Ｓが挟持搬送される。

図示しない二次転写電源から二次転写ローラ２６に二次転写バイアスが印加されると、二次転写部Ｎにおいて、中間転写ベルト２１の外周面上に担持されたトナー像が記録材Ｓに一括して二次転写される。二次転写後に中間転写ベルト２１の外周面上に残留したトナーは、図示しないクリーニング手段により除去されて回収される。

トナー像が二次転写された記録材Ｓは、定着装置３０に設けられた定着ユニット３１の定着フィルムと、加圧ローラ３２とにより挟持搬送される間に加熱及び加圧されてトナー像が記録材Ｓに熱定着される。その後、排出装置４０に設けられた排出ローラ４１と排出コロ４２とによりトナー像が熱定着された記録材Ｓが挟持搬送されて排出トレイ５０上に排出される。

＜光走査装置＞
次に、図２～図５を用いて、光走査装置９０を構成する第１、第２光走査装置９１，９２の構成について説明する。図２は、本発明に係る光走査装置９０を構成する第１、第２光走査装置９１，９２の構成を示す平面説明図である。図３は、本発明に係る光走査装置９１の構成を示す平面説明図である。図４は、本発明に係る光走査装置９２の構成を示す平面説明図である。図５は、図２のＡ－Ａ断面図である。

図２～図５に示すように、本実施形態の光走査装置９０は、イエローＹ、マゼンタＭの各感光ドラム２Ｙ，２Ｍの表面上にイエローＹ、マゼンタＭの各画像情報に応じたレーザ光ＬＹ，ＬＭを照射する第１光走査装置９１を有する。更に、シアンＣ、ブラックＫの各感光ドラム２Ｃ，２Ｋの表面上にシアンＣ、ブラックＫの各画像情報に応じたレーザ光ＬＣ，ＬＫを照射する第２光走査装置９２とを有して構成されている。

各回路基板８４ＹＭ，８４ＣＫにより、それぞれ駆動制御される複数の光源となる各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｍ，７０Ｃ，７０Ｋから各レーザ光ＬＹ，ＬＭ，ＬＣ，ＬＫが出射される。これらの各レーザ光ＬＹ，ＬＭ，ＬＣ，ＬＫは、アナモフィックレンズ７２Ｙ，７２Ｍ，７２Ｃ，７２Ｋにより主走査方向（感光ドラム２の軸方向）には平行光化され、副走査方向（感光ドラム２の周方向）にのみ収束される。

その後、光偏向器７４ＹＭ，７４ＣＫの回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫの各反射面上に線像として結像する。回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫは、各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｍ，７０Ｃ，７０Ｋ（複数の光源）から出射された各レーザ光ＬＹ，ＬＭ，ＬＣ，ＬＫを各反射面で反射して走査する。各アナモフィックレンズ７２は、レーザ光Ｌを平行光に偏光するコリメータレンズと、レーザ光Ｌを副走査方向にのみ集光するシリンダレンズの２つの機能を有する。尚、コリメータレンズとシリンダレンズとを別々に配置しても良い。

各回路基板８４ＹＭ，８４ＣＫには、各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｍ，７０Ｃ，７０Ｋ（複数の光源）と、各レーザ駆動ＩＣ８３Ｙ，８３Ｍ，８３Ｃ，８３Ｋ（駆動素子）と、水平同期センサ８２Ｙ，８２Ｃ（検出素子）とが実装されている。レーザ駆動ＩＣ８３Ｙ，８３Ｃ（第１の駆動素子）は、半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｃ（第１の光源）を駆動させて画像信号に応じて変調されたレーザ光，ＬＹ，ＬＣ（第１のレーザ光）を発生させる。

レーザ駆動ＩＣ８３Ｍ，８３Ｋ（第２の駆動素子）は、半導体レーザ７０Ｍ，７０Ｋ（第２の光源）を駆動させて画像信号に応じて変調されたレーザ光ＬＭ，ＬＫ（第２のレーザ光）を発生させる。図２～図４に示す第１、第２光走査装置９１，９２には、それぞれ１つの回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫが設けられており、１つの回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫにつき、それぞれ１つの水平同期センサ８２Ｙ，８２Ｃ（検出素子）が設けられている。

水平同期センサ８２Ｙ，８２Ｃ（検出素子）は、各回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫの第１の反射面７３ＹＭ１，７３ＣＫ１で反射されたレーザ光ＬＹｂ，ＬＣｂ（第１のレーザ光）を検出する。これにより感光ドラム２Ｙ，２Ｃ（第１の像担持体）への主走査方向（回転軸線方向）の書き出し位置を制御するための信号を出力する。各水平同期センサ８２Ｙ，８２Ｃにレーザ光ＬＹｂ，ＬＣｂが入射されてから所定の時間が経過したタイミングで感光ドラム２Ｙ，２Ｃ（第１の像担持体）への主走査方向（感光ドラム２の軸方向）への露光走査が開始される。

図５に示すように、各回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫにより偏向された各レーザ光ＬＹｄ，ＬＭｄ，ＬＣｄ，ＬＫｄは、それぞれ第一走査レンズ７６Ｙ，７６Ｍ，７６Ｃ，７６Ｋを透過する。その後、ミラー７７Ｙ，７７Ｍ，７７Ｃ，７７Ｋに反射する。その後、第二走査レンズ７８Ｙ，７８Ｍ，７８Ｃ，７８Ｋを透過する。その後、ハウジング８０ＹＭ，８０ＣＫのそれぞれの底板８０ＹＭ１，８０ＣＫ１に設けられた開口８０ＹＭ１ａ，８０ＹＭ１ｂ，８０ＣＫ１ａ，８０ＣＫ１ｂを通過する。そして、各感光ドラム２Ｙ，２Ｍ，２Ｃ，２Ｋの表面上にそれぞれ結像する。

＜走査光学部＞
各回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫの各反射面で反射したレーザ光を各感光ドラム２（像担持体）へ導く走査光学部が設けられている。図２に示すように、第１の走査光学部Ｅ１は、各回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫの第１の反射面７３ＹＭ１，７３ＣＫ１で反射したレーザ光ＬＹ，ＬＣ（第１のレーザ光）を、対応する感光ドラム２Ｙ，２Ｃ（第１の像担持体）へ導く。第１の走査光学部Ｅ１は、第一走査レンズ７６Ｙ，７６Ｃ、ミラー７７Ｙ，７７Ｃ、第二走査レンズ７８Ｙ，７８Ｃを有して構成される。

第２の走査光学部Ｅ２は、各回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫの第２の反射面７３ＹＭ２，７３ＣＫ２で反射したレーザ光ＬＭ，ＬＫ（第２のレーザ光）を、対応する感光ドラム２Ｍ，２Ｋ（第２の像担持体）へ導く。第２の走査光学部Ｅ２は、第一走査レンズ７６Ｍ，７６Ｋ、ミラー７７Ｍ，７７Ｋ、第二走査レンズ７８Ｍ，７８Ｋを有して構成される。ただし、第１の走査光学部Ｅ１や第２の走査光学部Ｅ２は、上述の構成に限定されるものではない。例えば、第一走査レンズ７６Ｍだけで第１の走査光学部Ｅ１を構成していても良い。

各回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫの回転軸７３ＹＭａ，７３ＣＫａのそれぞれの回転中心を通る直線３ＹＭ，３ＣＫを対称軸とする。そのとき各第一走査レンズ７６Ｙ，７６Ｍ，７６Ｃ，７６Ｋ、ミラー７７Ｙ，７７Ｍ，７７Ｃ，７７Ｋ、及び第二走査レンズ７８Ｙ，７８Ｍ，７８Ｃ，７８Ｋは、直線３ＹＭ，３ＣＫを対称軸として対称に配置される。そして、各回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫで走査された各レーザ光ＬＹ，ＬＭ，ＬＣ，ＬＫを、それぞれ対応する各感光ドラム２Ｙ，２Ｍ，２Ｃ，２Ｋ（像担持体）へ導く。これらが走査光学部として構成される。

図２～図４に示すように、各第１、第２光走査装置９１，９２は、各ハウジング８０ＹＭ，８０ＣＫのそれぞれの底板８０ＹＭ１，８０ＣＫ１の略中央に各回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫが設けられている。ここで、回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫの回転軸７３ＹＭａ，７３ＣＫａの回転中心を通る直線３ＹＭ，３ＣＫを考慮する。各第一走査レンズ７６Ｙ，７６Ｍは、直線３ＹＭを対称軸として、光偏向器７４ＹＭを挟んで対称に配置される。

更に、第一走査レンズ７６Ｃ，７６Ｋも直線３ＣＫを対称軸として、光偏向器７４ＣＫを挟んで対称に配置される。更に、ミラー７７Ｙ，７７Ｍも直線３ＹＭを対称軸として、光偏向器７４ＹＭを挟んで対称に配置される。更に、ミラー７７Ｃ，７７Ｋも直線３ＣＫを対称軸として、光偏向器７４ＣＫを挟んで対称に配置される。

更に、第二走査レンズ７８Ｙ，７８Ｍも直線３ＹＭを対称軸として、光偏向器７４ＹＭを挟んで対称に配置される。更に、第二走査レンズ７８Ｃ，７８Ｋも直線３ＣＫを対称軸として、光偏向器７４ＣＫを挟んで対称に配置される。

即ち、各直線３ＹＭ，３ＣＫを対称軸として、第１の走査光学部Ｅ１と第２の走査光学部Ｅ２とが対称に配置される。更に、各直線３ＹＭ，３ＣＫ（対称軸）を境として、各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｃ（第１の光源）と、各レーザ駆動ＩＣ８３Ｙ，８３Ｃ（第１の駆動素子）と、各水平同期センサ８２Ｙ，８２Ｃ（検出素子）とが第１の走査光学部Ｅ１の側に設けられる。

更に、各直線３ＹＭ，３ＣＫ（対称軸）を境として、各半導体レーザ７０Ｍ，７０Ｋ（第２の光源）と、各レーザ駆動ＩＣ８３Ｍ，８３Ｋ（第２の駆動素子）とが第２の走査光学部Ｅ２の側に設けられる。このような状態で、各走査光学部がハウジング８０ＹＭ，８０ＣＫに内包されている。各ハウジング８０ＹＭ，８０ＣＫの上部開口は、図５に示すカバー部材８８ＹＭ，８８ＣＫにより覆われる。

図２～図４に示すように、各第１、第２光走査装置９１，９２の各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｃ（第１の光源）から出射された各レーザ光ＬＹ，ＬＣ（第１のレーザ光）が各回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫの各反射面で反射する。その反射した各レーザ光ＬＹｂ，ＬＣｂは、各ＢＤ（Beam Detect）レンズ８１Ｙ，８１Ｃを透過する。そして、各レーザ光ＬＹｂ，ＬＣｂは、それぞれ主走査方向（感光ドラム２の軸方向）に集光される。その状態で、各ハウジング８０ＹＭ，８０ＣＫのそれぞれの側板８０ＹＭ２，８０ＣＫ２を貫通して設けられた各位置決め穴８０ｃＹ，８０ｃＣを通過する。

その後、各水平同期センサ８２Ｙ，８２Ｃに入射される。第１の光源として構成される各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｃは、各回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫの第１の反射面７３ＹＭ１，７３ＣＫ１で反射したレーザ光ＬＹｂ，ＬＣｂ（第１のレーザ光）を各水平同期センサ８２Ｙ，８２Ｃ（検出素子）に照射する。

一方、第２の光源として構成される各半導体レーザ７０Ｍ，７０Ｋは、各回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫの前記第１の反射面７３ＹＭ１，７３ＣＫ１とは異なる第２の反射面７３ＹＭ２，７３ＣＫ２に反射する。その反射したレーザ光ＬＭｄ，ＬＫｄ（第２のレーザ光）は、各水平同期センサ８２Ｙ，８２Ｃ（検出素子）には照射されない。

検出素子として構成される各水平同期センサ８２Ｙ，８２Ｃは、各回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫの第１の反射面７３ＹＭ１，７３ＣＫ１で反射された各レーザ光ＬＹｂ，ＬＣｂを検出する。これにより各感光ドラム２Ｙ，２Ｍ，２Ｃ，２Ｋ（像担持体）への主走査方向（回転軸線方向）の書き出し位置を制御するための信号を出力する。

尚、図５に示す各感光ドラム２Ｍ，２Ｋへの主走査方向（感光ドラム２の軸方向）の書き出しタイミングは、感光ドラム２Ｍに関しては、水平同期センサ８２Ｙにレーザ光ＬＹｂが入ったタイミングを考慮する。一方、感光ドラム２Ｋに関しては、水平同期センサ８２Ｃにレーザ光ＬＣｂが入ったタイミングを考慮する。これらのタイミングと、各回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫの各レーザ光ＬＹ，ＬＣをそれぞれ走査する反射面とは別の反射面を使って各レーザ光ＬＭ，ＬＫを走査している影響を加味して決めている。

このような各第１、第２光走査装置９１，９２により、４つの感光ドラム２Ｙ，２Ｍ，２Ｃ，２Ｋの一様に帯電された表面上に画像情報に応じた走査光を導いて静電潜像を形成している。具体的には、回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫが回転する。これにより各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｍ，７０Ｃ，７０Ｋから出射されたレーザ光ＬＹ，ＬＭ，ＬＣ，ＬＫの偏向される角度が変化する。これにより各レーザ光ＬＹ，ＬＭ，ＬＣ，ＬＫが結像した各スポット像は、各感光ドラム２Ｙ，２Ｍ，２Ｃ，２Ｋの表面上を各感光ドラム２の軸方向に移動（主走査）する。

また、各感光ドラム２Ｙ，２Ｍ，２Ｃ，２Ｋが回転することにより、各レーザ光ＬＹ，ＬＭ，ＬＣ，ＬＫが結像した各スポット像は、各感光ドラム２Ｙ，２Ｍ，２Ｃ，２Ｋの表面上を各感光ドラム２の軸方向に直交する方向（周方向）に移動（副走査）する。これにより一様に帯電された各感光ドラム２の表面上に静電潜像を形成する。

次に、図２～図４、図６及び図７を用いて、各第１、第２光走査装置９１，９２の効果について説明する。図６は、第１光走査装置９１の組立工程の一部を示す斜視説明図である。図７は、各第１、第２光走査装置９１，９２の回路基板８４ＹＭ，８４ＣＫの表面側の構成を示す側面説明図である。図６により第１光走査装置９１の組立工程について説明するが、第２光走査装置９２も略同様に構成されるため第２光走査装置９２の組立工程は省略する。

図６に示すように、第１光走査装置９１は、ハウジング８０ＹＭの側板８０ＹＭ２に回路基板８４ＹＭを取り付けていない状態で、各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｍの位置調整を行って組み立てられる。具体的には、各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｍのスポット径等の光学特性を測定しながら各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｍを保持したレーザホルダ７１Ｙ，７１Ｍを、図６に示すＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向に調整する。その後、各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｍが最適な位置で紫外線硬化型の接着剤８５によりハウジング８０ＹＭの各壁面に固定する。

このような組立工程では、レーザホルダ７１Ｙ，７１Ｍを位置調整するために動かすスペースや、紫外線硬化型の接着剤８５に紫外線を照射して硬化させるための紫外線照射スペース等が必要になる。このため本実施形態では、各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｍの間には、所定のクリアランスを確保するように配置されている。尚、図２～図４に示すレーザホルダ７１Ｃ，７１Ｋも各半導体レーザ７０Ｃ，７０Ｋを保持する。

図２～図４に示すように、半導体レーザ７０Ｙから回転多面鏡７３ＹＭに向けて出射されたレーザ光ＬＹを考慮する。更に、レーザ光ＬＹが回転多面鏡７３ＹＭの第１の反射面７３ＹＭ１により偏向された後に第一走査レンズ７６Ｙを透過する光軸ＬＹｄ１を考慮する。水平面上において、前記レーザ光ＬＹと光軸ＬＹｄ１とのなす角度θｄＹを考慮する。

一方、半導体レーザ７０Ｍから回転多面鏡７３ＹＭに向けて出射されたレーザ光ＬＭを考慮する。更に、レーザ光ＬＭが回転多面鏡７３ＹＭの第２の反射面７３ＹＭ２により偏向された後に第一走査レンズ７６Ｍを透過する光軸ＬＭｄ１を考慮する。水平面上において、前記レーザ光ＬＭと光軸ＬＭｄ１とのなす角度θｄＭを考慮する。ここで、前記角度θｄＹと角度θｄＭとの関係は、以下の数１式の関係に設定される。

［数１］
θｄＹ＞θｄＭ≧８５°

図２～図４に示すように、半導体レーザ７０Ｙから回転多面鏡７３ＹＭに向けて出射されたレーザ光ＬＹを延長した直線４ＹＭを考慮する。更に、半導体レーザ７０Ｍから回転多面鏡７３ＹＭに向けて出射されたレーザ光ＬＭを延長した直線５ＹＭを考慮する。前記直線４ＹＭと直線５ＹＭとのなす角度θｃＹＭを考慮する。前記角度θｃＹＭは０°よりも大きくなる。

このため各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｍの回転多面鏡７３ＹＭからの距離が離れるにつれてレーザ光ＬＹ，ＬＭの間隔も広がる。これにより各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｍを回転多面鏡７３ＹＭから離すことにより半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｍの間に所定のクリアランスが確保できる。

ここで、半導体レーザ７０Ｙから回転多面鏡７３ＹＭに向けて出射されたレーザ光ＬＹと、第一走査レンズ７６Ｙの端部７６Ｙ１との最短距離Ｄ_Ｙを考慮する。更に、半導体レーザ７０Ｍから回転多面鏡７３ＹＭに向けて出射されたレーザ光ＬＭと、第一走査レンズ７６Ｍの端部７６Ｍ１との最短距離Ｄ_Ｍを考慮する。

前記数１式で示すように、イエローＹのレーザ光ＬＹと光軸ＬＹｄ１とのなす角度θｄＹが、マゼンタＭのレーザ光ＬＭと光軸ＬＭｄ１とのなす角度θｄＭよりも大きい。このため前記最短距離Ｄ_Ｙが最短距離Ｄ_Ｍよりも大きい。即ち、レーザ光ＬＹの方が第一走査レンズ７６Ｙからより離れている。

ここで半導体レーザ７０Ｙから回転多面鏡７３ＹＭに向けて出射されたレーザ光ＬＹが回転多面鏡７３ＹＭの第１の反射面７３ＹＭ１に反射して水平同期センサ８２Ｙに入射されるレーザ光ＬＹｂを考慮する。更に、半導体レーザ７０Ｙから回転多面鏡７３ＹＭに向けて出射されたレーザ光ＬＹを考慮する。そして、レーザ光ＬＹｂとレーザ光ＬＹとのなす角度θａＹを考慮する。すると、角度θａＹが大きくとれる。

これにより図７に示すように、ハウジング８０ＹＭの側板８０ＹＭ２に取り付けられた回路基板８４ＹＭ上に実装されている半導体レーザ７０Ｙと、水平同期センサ８２Ｙとの間には、図７の左右方向（水平方向）に所定のスペースを確保することができる。そして、そのスペースに半導体レーザ７０Ｙを画像信号に応じて変調させるためのレーザ駆動ＩＣ（Integrated Circuit；半導体集積回路）８３Ｙ（第１の駆動素子）を実装することができる。

回路基板８４ＹＭへの半導体レーザ７０Ｙと水平同期センサ８２Ｙとの実装は、回路基板８４ＹＭの裏面側からスルーホールを通して表面側で半田付けされている。このため図７に示す回路基板８４ＹＭの表面上では、半導体レーザ７０Ｙのリード端子と、水平同期センサ８２Ｙのリード端子と、それらのリード端子を回路パターンのランドに半田付けした半田部分を示している。

また、本実施形態の半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｍは、端面発光型で、ＣＡＮ（メタル缶）パッケージタイプを使用している。一般的なパッケージサイズは、外径が５．６ｍｍ～９ｍｍ程度である。また、本実施形態のレーザ駆動ＩＣ８３Ｙ，８３Ｍは、表面実装タイプであり、一般的なパッケージのサイズは、一辺が１０ｍｍ程度の正方形である。

前記数１式で示されるように、回路基板８４ＹＭ上に実装される半導体レーザ７０Ｙと水平同期センサ８２Ｙとの間には、所定のスペースが確保できる。このため回路基板８４ＹＭ上で、半導体レーザ７０Ｙと水平同期センサ８２Ｙとの間にレーザ駆動ＩＣ８３Ｙを実装配置することができる。これにより図７の左右方向で示す回路基板８４ＹＭの長手方向（水平方向）に効率良く部品を配列して実装することができる。これにより回路基板８４ＹＭの短手方向である図７の上下方向の高さが低くでき、第１光走査装置９１の最大厚みＨ_ＹＭも低減できる。

また、第２光走査装置９２も第１光走査装置９１と同様に構成される。図２～図４において、半導体レーザ７０Ｃから回転多面鏡７３ＣＫに向けて出射されたレーザ光ＬＣが回転多面鏡７３ＣＫの第１の反射面７３ＣＫ１に反射して水平同期センサ８２Ｃに入射されるレーザ光ＬＣｂを考慮する。更に、半導体レーザ７０Ｃから回転多面鏡７３ＣＫに向けて出射されたレーザ光ＬＣを考慮する。角度θａＣは、レーザ光ＬＣｂとレーザ光ＬＣとのなす角度である。

また、θｃＣＫは、半導体レーザ７０Ｃから回転多面鏡７３ＣＫに向けて出射されたレーザ光ＬＣを延長した直線４ＣＫと、半導体レーザ７０Ｋから回転多面鏡７３ＣＫに向けて出射されたレーザ光ＬＫを延長した直線５ＣＫとのなす角度である。また、Ｄ_Ｃは、レーザ光ＬＣと、第一走査レンズ７６Ｃの端部７６Ｃ１との最短距離を示す。Ｄ_Ｋは、レーザ光ＬＫと、第一走査レンズ７６Ｋの端部７６Ｋ１との最短距離を示す。

また、図７に示す８３Ｃ，８３Ｋは、各半導体レーザ７０Ｃ，７０Ｋをそれぞれの画像信号に応じて変調させるためのレーザ駆動ＩＣである。各レーザ駆動ＩＣ８３Ｙ，８３Ｍ，８３Ｃ，８３Ｋは、各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｍ，７０Ｃ，７０Ｋ（複数の光源）を駆動させて画像信号に応じて変調された各レーザ光ＬＹ，ＬＭ，ＬＣ，ＬＫを発生させる駆動素子として構成される。

ここで、図２～図４に示す半導体レーザ７０Ｃから回転多面鏡７３ＣＫに向けて出射されたレーザ光ＬＣを考慮する。更に、レーザ光ＬＣが回転多面鏡７３ＣＫの第１の反射面７３ＣＫ１に反射して偏向された後、第一走査レンズ７６Ｃを透過する光軸ＬＣｄ１を考慮する。そして、水平面上における前記レーザ光ＬＣと光軸ＬＣｄ１とのなす角度θｄＣを考慮する。

更に、半導体レーザ７０Ｋから回転多面鏡７３ＣＫに向けて出射されたレーザ光ＬＫを考慮する。更に、レーザ光ＬＫが回転多面鏡７３ＣＫの第２の反射面７３ＣＫ２に反射して偏向された後、第一走査レンズ７６Ｋを透過する光軸ＬＫｄ１を考慮する。そして、水平面上における前記レーザ光ＬＫと光軸ＬＫｄ１とのなす角度θｄＫを考慮する。前記角度θｄＣと角度θｄＫとの関係は、以下の数２式の関係に設定される。

［数２］
θｄＣ＞θｄＫ≧８５°

即ち、図２～図４に示すように、各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｃ（第１の光源）から各回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫの第１の反射面７３ＹＭ１，７３ＣＫ１に向かって出射されるレーザ光ＬＹ，ＬＣ（第１のレーザ光）を考慮する。更に、各レーザ光ＬＹ，ＬＣを含む平面上における、各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｃ側（第１の光源の側）に設けられた各第一走査レンズ７６Ｙ，７６Ｃ（第１の走査光学部）の長手方向に対して直交する第１の方向を考慮する。

前記第１の方向は、各第一走査レンズ７６Ｙ，７６Ｃの長手方向に直交する方向で各第一走査レンズ７６Ｙ，７６Ｃの中心を通る光の各光軸ＬＹｄ１，ＬＣｄ１方向である。そして、同一平面上における各レーザ光ＬＹ，ＬＣ（第１のレーザ光）と各光軸ＬＹｄ１，ＬＣｄ１（第１の方向）とのなす各角度θｄＹ，θｄＣを角度θ１とする。

一方、各半導体レーザ７０Ｍ，７０Ｋ（第２の光源）から各回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫの第２の反射面７３ＹＭ２，７３ＣＫ２に向かって出射される各レーザ光ＬＭ，ＬＫ（第２のレーザ光）を考慮する。更に、各レーザ光ＬＭ，ＬＫを含む平面上における、各半導体レーザ７０Ｍ，７０Ｋ側（第２の光源の側）に設けられた各第一走査レンズ７６Ｍ，７６Ｋ（第２の走査光学部）の長手方向に対して直交する第２の方向を考慮する。前記第２の方向は、各第一走査レンズ７６Ｍ，７６Ｋの長手方向に直交する方向で各第一走査レンズ７６Ｍ，７６Ｋの中心を通る光の各光軸ＬＭｄ１，ＬＫｄ１方向である。

そして、同一平面上における各レーザ光ＬＭ，ＬＫ（第２のレーザ光）と各光軸ＬＭｄ１，ＬＫｄ１（第２の方向）とのなす各角度θｄＭ，θｄＫを角度θ２とする。このとき、前記角度θ１と角度θ２とは、以下の数３式の関係を有するように設定される。

［数３］
θ１＞θ２≧８５°

前記角度θ１及び角度θ２は、８５°以上に設定されている。そして、前記数３式の関係を有するようにして、図７に示す各回路基板８４ＹＭ，８４ＣＫ上（回路基板上）に以下の部品を実装する。即ち、各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｃ（第１の光源）と、各レーザ駆動ＩＣ８３Ｙ，８３Ｃ（第１の駆動素子）と、各水平同期センサ８２Ｙ，８２Ｃ（検出素子）とを、それぞれ各回路基板８４ＹＭ，８４ＣＫの長手方向（図７の左右方向）に沿って実装する。各回路基板８４ＹＭ，８４ＣＫ上（回路基板上）には、各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｃ（第１の光源）、各レーザ駆動ＩＣ８３Ｙ，８３Ｃ（第１の駆動素子）、各水平同期センサ８２Ｙ，８２Ｃ（検出素子）の順に配列される。

図７に示すように、各回路基板８４ＹＭ，８４ＣＫ上（回路基板上）に各レーザ駆動ＩＣ８３Ｙ，８３Ｃ（第１の駆動素子）が実装される。ここで、各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｃ（第１の光源）のそれぞれの中心７０Ｙａ，７０Ｃａと、各水平同期センサ８２Ｙ，８２Ｃ（検出素子）のそれぞれの中心８２Ｙａ，８２Ｃａとを結んだ軸１ＹＭ，１ＣＫを考慮する。各レーザ駆動ＩＣ８３Ｙ，８３Ｃは、前記軸１ＹＭ，１ＣＫの軸上に実装されている。

前記数２式で示されるように、回路基板８４ＣＫ上に実装される半導体レーザ７０Ｃと水平同期センサ８２Ｃとの間には、所定のスペースが確保できる。これにより回路基板８４ＣＫ上で、半導体レーザ７０Ｃと水平同期センサ８２Ｃとの間にレーザ駆動ＩＣ８３Ｃ（第１の駆動素子）を実装配置できる。このように図７の左右方向で示す回路基板８４ＣＫの長手方向（水平方向）に効率良く部品を配列して実装する。これにより回路基板８４ＣＫの短手方向である図７の上下方向の高さが低くできる。これにより第２光走査装置９２の最大厚みＨ_ＣＫが低減できる。これにより第２光走査装置９２も第１光走査装置９１と同様の効果が得られる。

尚、本実施形態では、イエローＹとシアンＣの各感光ドラム２に対応した光学系に水平同期センサ８２Ｙ，８２Ｃをそれぞれ配置したが、これに限るものではない。本実施形態のように半導体レーザ７０Ｋから回転多面鏡７３ＣＫに向けて出射されたレーザ光ＬＫは、水平同期センサによる検知は行わない。

半導体レーザ７０Ｋから回転多面鏡７３ＣＫに向けて出射されたレーザ光ＬＫと、レーザ光ＬＫが回転多面鏡７３ＣＫの第２の反射面７３ＣＫ２に反射して偏向された後、第一走査レンズ７６Ｋを透過する光軸ＬＫｄ１とのなす角度θｄＫを考慮する。更に、半導体レーザ７０Ｃから回転多面鏡７３ＣＫに向けて出射されたレーザ光ＬＣと、レーザ光ＬＣが回転多面鏡７３ＣＫの第１の反射面７３ＣＫ１に反射して偏向された後、第一走査レンズ７６Ｃを透過する光軸ＬＣｄ１とのなす角度θｄＣを考慮する。

そして、前記数２式に示すように、前記角度θｄＫを、水平同期センサ８２Ｃで検知する側の前記角度θｄＣよりも小さくした方が望ましい。その理由を図８を用いて説明する。図８は、本実施形態の光走査装置９０の光学特性を示す図である。図８は、回転多面鏡７３の反射面の倒れ（面倒れ）が発生したときの感光ドラム２の表面上における副走査方向（感光ドラム２の周方向）のレーザ光Ｌのビーム間隔ムラ（ピッチムラ）を示すグラフである。図８の縦軸が面倒れピッチムラを示し、図８の横軸が感光ドラム２の軸方向に沿った走査位置を示す。

半導体レーザ７０から回転多面鏡７３に向けて出射されたレーザ光Ｌと、レーザ光Ｌが回転多面鏡７３の反射面に反射して偏向された後、第一走査レンズ７６を透過する光軸Ｌｄ１とのなす角度θｄが大きい場合をグラフａの破線で示す。また、角度θｄが小さい場合をグラフｂの実線で示す。

レーザ光Ｌと光軸Ｌｄ１とのなす角度θｄが大きくなるにつれて、回転多面鏡７３の反射面に対して、レーザ光Ｌが鋭角（浅い角度）で当たる。このため回転多面鏡７３の反射面で反射する前のレーザ光Ｌの光束幅が同じでも、回転多面鏡７３の反射面上でのレーザ光Ｌの光束幅が大きくなる。その場合、回転多面鏡７３の反射面の有効領域からレーザ光Ｌがはみ出ないようにする必要がある。このため回転多面鏡７３の反射面での反射ポイントをずらさなければならず、その結果、図８の破線で示すグラフａのように、レーザ光Ｌのビーム間隔ムラ（面倒れピッチムラ）が大きくなってしまう。

レーザ光Ｌのビーム間隔ムラ（面倒れピッチムラ）の測定方法は複数ある。例えば、感光ドラム２の表面に相当する位置で、副走査方向(主走査方向と直交する方向)に複数画素を配置したラインセンサにより光偏向器７４で走査されたレーザ光Ｌの副走査方向の位置の振れを測定することができる。

図８の実線で示すグラフｂのように、レーザ光Ｌと光軸Ｌｄ１とのなす角度θｄが小さい場合は、感光ドラム２の表面上における主走査方向（感光ドラム２の軸方向）の左右端でのレーザ光Ｌのビーム間隔ムラ（面倒れピッチムラ）の差が小さくできる。一方、図８の破線で示すグラフａのように、レーザ光Ｌと光軸Ｌｄ１とのなす角度θｄが大きくなると、感光ドラム２の表面上における主走査方向（感光ドラム２の軸方向）の左右端でのレーザ光Ｌのビーム間隔ムラ（面倒れピッチムラ）の差が大きくなる。

このため結果的にレーザ光Ｌのビーム間隔ムラ（面倒れピッチムラ）の絶対値も大きくなってしまう。これによりモアレ（moire；干渉縞）等の画像問題が起こりやすくなる。ここで、モアレ（moire；干渉縞）とは、画像上に本来存在していない縞模様が印刷した際に意図せず出てしまう現象である。

一般的にカラー画像形成装置においては、使用頻度の高いモノクロ画像形成用のブラックＫ色において最も高い印刷品位が求められる。ここで図２～図４に示すブラックＫ側の半導体レーザ７０Ｋから回転多面鏡７３ＣＫに向けて出射されたレーザ光ＬＫを考慮する。更に、レーザ光ＬＫが回転多面鏡７３ＣＫの第２の反射面７３ＣＫ２に反射して偏向された後、第一走査レンズ７６Ｋを透過する光軸ＬＫｄ１を考慮する。そして、レーザ光ＬＫと光軸ＬＫｄ１とのなす角度θｄＫを考慮する。

更に、シアンＣ側の半導体レーザ７０Ｃから回転多面鏡７３ＣＫに向けて出射されたレーザ光ＬＣを考慮する。更に、レーザ光ＬＣが回転多面鏡７３ＣＫの第１の反射面７３ＣＫ１に反射して偏向された後、第一走査レンズ７６Ｃを透過する光軸ＬＣｄ１を考慮する。そして、レーザ光ＬＣと光軸ＬＣｄ１とのなす角度θｄＣを考慮する。前記角度θｄＫを角度θｄＣよりも小さく設定することでレーザ光ＬＫのビーム間隔ムラ（面倒れピッチムラ）を小さくすることができる。

これにより図４に示す半導体レーザ７０Ｋ（第２の光源）を使用頻度の高いモノクロ画像形成用に使用することで、高い印刷品位を維持することができる。また、回路基板８４ＹＭ，８４ＣＫは、水平同期センサ８２Ｙ，８２Ｃで検知する側の半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｃから出射されるレーザ光ＬＹ，ＬＣと直交する方向に配置した方が望ましい。

本実施形態では、各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｃ（第１の光源）から各回転多面鏡７３ＹＭ，７３ＣＫの各第１の反射面７３ＹＭ１，７３ＣＫ１に向かって出射される各レーザ光ＬＹ，ＬＣ（第１のレーザ光）を考慮する。更に、各回路基板８４ＹＭ，８４ＣＫの実装面８４ＹＭａ，８４ＣＫａを考慮する。そして、各レーザ光ＬＹ，ＬＣ（第１のレーザ光）と各実装面８４ＹＭａ，８４ＣＫａとが直交するように配置されている。その理由を図９を用いて説明する。図９は、本実施形態の光走査装置９１の半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｍの周辺の構成を示す断面説明図である。

図９に示す光走査装置９１には、各半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｍから回転多面鏡７３ＹＭに向けて出射された各レーザ光ＬＹ，ＬＭにそれぞれスポットを成形するための絞り８０ａＹ，８０ａＭが設けられている。各絞り８０ａＹ，８０ａＭは、ハウジング８０ＹＭの側板８０ＹＭ２を貫通して設けられている。

側板８０ＹＭ２を貫通して位置決め穴８０ｃＹが設けられている。この位置決め穴８０ｃＹ内に水平同期センサ８２Ｙの外形を嵌合する。位置決め穴８０ｃＹ内に水平同期センサ８２Ｙの外形を嵌合することで水平同期センサ８２Ｙの位置精度を出すことができる。

絞り８０ａＹ，８０ａＭ及び位置決め穴８０ｃＹは、ハウジング８０ＹＭの側板８０ＹＭ２を貫通して設けられる。このためハウジング８０ＹＭを成型品で作ろうとした場合、スライドコアで成形されることになる。ここで、スライドコアとは、ハウジング８０ＹＭの側板８０ＹＭ２に貫通穴からなる絞り８０ａＹ，８０ａＭ及び位置決め穴８０ｃＹの有る部分のコア（金型）をスライドさせて成形品を取り出すものである。

絞り８０ａＹ，８０ａＭには、それぞれレーザホルダ７１Ｙ，７１Ｍが嵌入される凹部８０ｂＹ，８０ｂＭが連通されている。スライドコアは、凹部８０ｂＹ，８０ｂＭ及び絞り８０ａＹ，８０ａＭ内と、位置決め穴８０ｃＹ内にそれぞれ挿入された状態でハウジング８０ＹＭが成形される。

図９には、絞り８０ａＹ，８０ａＭ及び位置決め穴８０ｃＹを成形した後のスライドコアの抜き方向を示す。絞り８０ａＹと、位置決め穴８０ｃＹ及び凹部８０ｂＹを成形した後のスライドコアの抜き方向ＳＢ，ＳＹを平行にすることができる。このため金型構造を簡単にできる。スライドコアの抜き方向ＳＢ，ＳＹが平行でない場合、スライドコアの抜き方向ＳＢ，ＳＹ，ＳＭが３方向となり、金型構造が複雑になる。このためスライドコアが設けられない場合も考えられる。

＜変形例＞
尚、図２～図４及び図７では、１枚の回路基板８４ＹＭ（８４ＣＫ）上に、それぞれ２つの半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｍ（７０Ｃ，７０Ｋ）を実装した一例である。他に、図１０に示すように、１枚の回路基板８６Ｙ（８６Ｍ）上に、それぞれ１つの半導体レーザ７０Ｙ（７０Ｍ）を実装しても良い。

図１０に示す回路基板８６Ｙには、半導体レーザ７０Ｙと、水平同期センサ８２Ｙと、レーザ駆動ＩＣ８３Ｙとが図１０の左右方向で示す回路基板８６Ｙの長手方向（水平方向）に配列して実装される。これにより前述したと同様の効果を得ることができる。図１０に示す回路基板８６Ｍには、半導体レーザ７０Ｍと、レーザ駆動ＩＣ８３Ｍとが図１０の左右方向で示す回路基板８６Ｍの長手方向（水平方向）に配列して実装される。

図１１は、他の光走査装置９０の回路基板８６の表面側の構成を示す側面説明図である。図１１は、副走査方向において半導体レーザ７０Ｋ，７０Ｍ、半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｃを上下に配置した一例である。そして、１つの光偏向器７４で４つの感光ドラム２Ｙ，２Ｍ，２Ｃ，２Ｋに各レーザ光ＬＹ，ＬＭ，ＬＣ，ＬＫを走査する。

前記実施形態では、図２～図５に示すように、４つの感光ドラム２Ｙ，２Ｍ，２Ｃ，２Ｋに対して、２つの光偏向器７４ＹＭ，７４ＣＫを使用する構成とした。他に、図１１に示すように、副走査方向（感光ドラム２の周方向）において、図１１に示す半導体レーザ７０Ｙ，７０Ｃを回路基板８６上の短手方向の上下に配置し、半導体レーザ７０Ｍ，，７０Ｋを回路基板８６上の短手方向の上下に配置する。

そして、１つの光偏向器７４で、４つの感光ドラム２Ｙ，２Ｍ，２Ｃ，２Ｋに各レーザ光ＬＹ，ＬＭ，ＬＣ，ＬＫを走査する構成を考慮する。その場合においても回路基板８６上に、半導体レーザ７０Ｙ、レーザ駆動ＩＣ８３Ｙ、水平同期センサ８２Ｙの順序で回路基板８６の長手方向（水平方向）に配列して実装する。これにより前述したと同様の効果を得ることができる。

以上の構成によれば、半導体レーザ７０Ｙと、水平同期センサ８２Ｙと、レーザ駆動ＩＣ８３Ｙとを回路基板８６の長手方向（水平方向）に配列して実装することで、回路基板８４の高さを低減することができる。その結果、光走査装置９０の最大厚みＨを低減することができる。これにより光走査装置９０を搭載している画像形成装置１００の高さの低減が実現でき、画像形成装置１００の小型化が実現できる。

ＬＹ，ＬＣ…レーザ光（第１のレーザ光）
ＬＭ，ＬＫ…レーザ光（第２のレーザ光）
７０Ｙ，７０Ｃ…半導体レーザ（第１の光源）
７０Ｍ，７０Ｋ…半導体レーザ（第２の光源）
７３ＹＭ１，７３ＣＫ１…第１の反射面
７３ＹＭ２，７３ＣＫ２…第２の反射面
７６Ｙ，７６Ｃ…第一走査レンズ（第１の走査光学部）
７６Ｍ，７６Ｋ…第一走査レンズ（第２の走査光学部）

Claims (10)

1. 第１の光源と、
   第２の光源と、
   前記第１の光源を駆動させて画像信号に応じた第１のレーザ光を発生させる第１の駆動素子と、
   前記第２の光源を駆動させて画像信号に応じた第２のレーザ光を発生させる第２の駆動素子と、
   複数の反射面を有する回転多面鏡と、
   前記反射面で反射した前記第１のレーザ光を、第１の像担持体へ導く第１の走査光学部と、
   前記反射面で反射した前記第２のレーザ光を、第２の像担持体へ導く第２の走査光学部と、
   を有し、
   前記反射面で反射された前記第１のレーザ光を検出して、前記第１の像担持体への主走査方向の書き出し位置を制御するための信号を出力する検出素子と、
   少なくとも前記第１の光源と、前記第１の駆動素子と、前記検出素子とを実装している回路基板と、
   を有する光走査装置において、
   前記第１の光源から前記反射面に向かって出射される前記第１のレーザ光と、前記第１のレーザ光を含む同一平面上における前記第１の走査光学部の長手方向に対して直交する第１の方向と、のなす角度をθ１とし、
   前記第２の光源から前記反射面に向かって出射される前記第２のレーザ光と、前記第２のレーザ光を含む同一平面上における前記第２の走査光学部の長手方向に対して直交する第２の方向と、のなす角度をθ２としたとき、
   θ１＞θ２
   の関係を有することを特徴とする光走査装置。
2. 前記回路基板上に、前記第１の光源と、前記第１の駆動素子と、前記検出素子とを前記回路基板の長手方向に沿って実装したことを特徴とする請求項１に記載の光走査装置。
3. 前記回路基板上に、前記第１の光源、前記第１の駆動素子、前記検出素子の順に配列したことを特徴とする請求項２に記載の光走査装置。
4. 前記回路基板上に実装される前記第１の駆動素子は、前記第１の光源の中心と前記検出素子の中心を結んだ軸上に実装されていることを特徴とする請求項３に記載の光走査装置。
5. 前記θ１及びθ２は、８５°以上に設定されていることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の光走査装置。
6. 前記第１の光源から前記反射面に向かって出射される前記第１のレーザ光と、前記回路基板の実装面とが直交するように配置されていることを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載の光走査装置。
7. 前記第２の光源をモノクロ画像形成用に使用することを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の光走査装置。
8. 前記第１の走査光学部と、前記第２の走査光学部とは、前記回転多面鏡に対して対称に配置されることを特徴とする請求項１～７のいずれか１項に記載の光走査装置。
9. 前記回転多面鏡の回転中心を通る直線を対称軸として、前記第１の走査光学部と、前記第２の走査光学部とが対称に配置され、
   前記対称軸を境として、前記第１の光源と、前記第１の駆動素子と、前記検出素子とが前記第１の走査光学部の側に設けられ、
   前記第２の光源と、前記第２の駆動素子とが前記第２の走査光学部の側に設けられたことを特徴とする請求項８に記載の光走査装置。
10. 請求項１～９のいずれか１項に記載の光走査装置と、
    前記光走査装置により走査されたレーザ光が照射される複数の像担持体を有し、前記像担持体に担持された画像を記録材に形成する画像形成部と、
    を有することを特徴とする画像形成装置。

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