JP6888668B2 - 配線基板および電子モジュール - Google Patents

Description

本発明は、絶縁体層の同一の層間に、少なくとも第１電極と第２電極とが形成された配線基板に関する。

また、本発明は、本発明の配線基板に電子部品を実装した電子モジュールに関する。

複数の絶縁体層が積層され、絶縁体層の層間に電極が形成された配線基板が、特許文献１（実開平６-６２５７０号公報）に開示されている。

図１４に、特許文献１に開示された配線基板（コンデンサ内蔵多層基板）１０００を示す。ただし、図１４は、配線基板１０００の分解斜視図である。

配線基板１０００は、積層された絶縁体層（誘電体層）１０１ａ〜１０１ｄを有する。また、積層された絶縁体層１０１ａ〜１０１ｄの上下両側に、保護層としての絶縁体層（絶縁性保護シート）１０２ａ、１０２ｂが積層されている。

絶縁体層１０１ａの上側主面に、キャパシタ電極（大面積容量電極）１０３が形成されている。絶縁体層１０１ｂの上側主面に、キャパシタ電極（小面積容量電極）１０４が形成されている。絶縁体層１０１ｃの上側主面に、キャパシタ電極（大面積容量電極）１０５が形成されている。絶縁体層１０１ｄの上側主面に、キャパシタ電極（小面積容量電極）１０６が形成されている。

配線基板１０００において、キャパシタ電極１０３とキャパシタ電極１０５とが、同一形状、かつ、同じ大きさである。また、キャパシタ電極１０４とキャパシタ電極１０６とが、同一形状、かつ、同じ大きさである。そして、キャパシタ電極１０３、１０５の大きさが、キャパシタ電極１０４、１０６の大きさよりも大きい。

絶縁体層１０１ａ〜１０１ｄの積層方向に透視したとき、キャパシタ電極１０３、１０５の外縁の内側にキャパシタ電極１０４、１０６の外縁が入っている。また、キャパシタ電極１０３〜１０６が重なっている。

配線基板１０００は、キャパシタ電極１０３、１０５と、キャパシタ電極１０４、１０６との間に形成される容量により、キャパシタが構成されている。

上記の構成からなる配線基板１０００は、絶縁体層１０１ａ〜１０１ｄの１つまたは複数に平面方向の積ずれが発生しても、キャパシタの容量が変動しない。

すなわち、配線基板１０００は、上述したとおり、キャパシタ電極１０３、１０５の大きさがキャパシタ電極１０４、１０６の大きさよりも大きく、かつ、絶縁体層１０１ａ〜１０１ｄの積層方向に透視したとき、キャパシタ電極１０３、１０５の外縁の内側にキャパシタ電極１０４、１０６の外縁が入っているため、絶縁体層１０１ａ〜１０１ｄに積ずれが発生しても、キャパシタ電極１０４、１０６の外縁がキャパシタ電極１０３、１０５の外縁からはみ出さない限り、キャパシタ電極１０３、１０５とキャパシタ電極１０４、１０６との重なり面積は変動せず、キャパシタの容量が変動しない。

配線基板１０００は、絶縁体層１０１ａ〜１０１ｄの１つまたは複数に平面方向の積ずれが発生しても、その積ずれが許容範囲内の大きさであれば、キャパシタの容量が変動しない。したがって、配線基板１０００は、キャパシタの容量が規定外であることに起因する不良品率が極めて低く、歩留まりが高く、生産性が高い。

実開平６-６２５７０号公報

配線基板１０００は、絶縁体層１０１ａ〜１０１ｄの積ずれに起因するキャパシタの容量変動を抑制することはできるが、配線基板１０００にうねりが発生した場合における、同一層間に隣接して形成された２つの電極間の浮遊容量の変動を抑制することはできなかった。

すなわち、近時の高精度に設計された配線基板においては、配線基板にうねりが発生した場合における、同一層間に隣接して形成された２つの電極間の浮遊容量の変動（低下）が問題になっている。うねりとは、配線基板の一部分が、厚さ方向に隆起したり沈降したりする現象である。たとえば、配線基板がセラミックにより作製されている場合には、焼成時の焼成むらなどにより、配線基板にうねりが発生する場合がある。

本来、同一層間に隣接して形成された２つの電極間においては、浮遊容量が発生しないことが望ましい。しかしながら、同一層間に２つの電極が近接して形成される場合には、２つの電極間に不可避的に浮遊容量が発生する。そこで、近時の高精度に設計された配線基板においては、同一層間において隣接する２つの電極間の浮遊容量を計算に入れたうえで、配線基板の電気的特性を設計している。しかしながら、配線基板にうねりが発生すると、同一層間において隣接する２つの電極の対向面積が変動し、２つの電極間の浮遊容量が変動してしまうという問題があった。そして、２つの電極間の浮遊容量が変動してしまうことにより、配線基板の電気的特性が変動してしまうという問題があった。

配線基板１０００は、絶縁体層１０１ａ〜１０１ｄの積ずれに起因するキャパシタの容量変動を抑制することはできるが、配線基板１０００にうねりが発生した場合における、同一層間において隣接して形成された２つの電極間の浮遊容量の変動を抑制することはできなかった。

本発明の配線基板は、上述した従来の問題を解決するためになされたものであり、その手段として本発明の配線基板は、複数の絶縁体層が積層され、絶縁体層の層間に電極が形成され、同一の層間に、間隔を開けて、第１電極と第２電極とが形成され、第１電極の厚みは、第２電極の厚みよりも大きく、絶縁体層の積層方向に対して垂直な方向から透視したとき、絶縁体層の積層方向において、第１電極の下側主面は第２電極の下側主面よりも低く、第１電極の上側主面は第２電極の上側主面よりも高い位置にあり、絶縁体層がセラミックであるようにした。

第１電極を、たとえば、インダクタ電極、キャパシタ電極、配線電極、グランド電極から選ばれる１種とし、第２電極も、たとえば、インダクタ電極、キャパシタ電極、配線電極、グランド電極から選ばれる１種とすることができる。第１電極の種類と第２電極の種類とは、同じであっても良いし、異なっていても良い。なお、インダクタ電極とは、インダクタを形成するための電極である。キャパシタ電極とは、キャパシタを形成するための電極である。配線電極とは、２点間またはそれ以上の間を電気的に接続するための電極である。グランド電極とは、グランド電位を有する電極である。なお、グランド電極は、キャパシタ電極を兼用する場合がある。

絶縁体層は、セラミックにより作製する。絶縁体層をセラミックにより作製した場合には、焼成時の焼成むらなどにより、配線基板にうねりが発生する場合があるが、本発明の配線基板であれば、配線基板のうねりに起因する第１電極と第２電極との間の浮遊容量の変動を抑制することができる。

絶縁体層の積層方向に透視したとき、第１電極の面積が、第２電極の面積よりも大きいものとすることができる。たとえば、第２電極が通電に伴って熱を発生させるような場合に、この構造を採用すれば、厚みの大きい第１電極の面積を大きくし、第１電極の容積を大きくすることによって、第１電極の熱容量を大きくすることができるため、第２電極で発生した熱を第１電極で吸熱し、かつ、第１電極を介して放熱させることができ、第２電極の温度が高温なることを抑制することができる。

あるいは逆に、絶縁体層の積層方向に透視したとき、第２電極の面積が、第１電極の面積よりも大きいものとすることができる。たとえば、第１電極が配線電極やインダクタ電極であり、第２電極がキャパシタ電極であるような場合に、上記の構造を採用することが好ましい。上記の構造を採用すれば、第１電極は、厚みが大きいため、内部抵抗が小さくなり、通過する信号の損失を小さくすることができる。一方、第２電極は、面積が大きいため、第２電極を使って形成したキャパシタの容量を大きくすることができる。

絶縁体層の積層方向に対して垂直な方向から透視したとき、第１電極および第２電極の少なくとも一方を、断面が複数の角部を有する多角形とし、かつ、全ての角部を鈍角とすることも好ましい。この構造を採用した場合には、電極を通過する信号の損失を小さくすることができる。

本発明の配線基板に電子部品を実装することにより、電子モジュールを作製することができる。

本発明の配線基板によれば、配線基板にうねりが発生した際における、第１電極と第２電極との間に発生する浮遊容量の変動が抑制される。したがって、配線基板にうねりが発生した際における、電気的特性の変動が抑制される。

また、本発明の電子モジュールは、本発明の配線基板を使用しているため、配線基板にうねりが発生した際における、電気的特性の変動が抑制されている。

第１実施形態にかかる配線基板１００を示す斜視図である。 図２（Ａ）は、うねりの発生していない配線基板１００を示す断面図である。図２（Ｂ）は、うねりＲが発生した配線基板１００を示す断面図である。 図３（Ａ）は、うねりの発生していない比較例にかかる配線基板１１００を示す断面図である。図３（Ｂ）は、うねりＲが発生した配線基板１１００を示す断面図である。 図４（Ａ）は、うねりが発生しなかった場合と、うねりＲが発生した場合の、配線基板１００の第１電極３と第２電極４との相対的な位置関係を示す説明図である。図４（Ｂ）は、うねりが発生しなかった場合と、うねりＲが発生した場合の、配線基板１１００の第１電極２０３と第２電極２０４との相対的な位置関係を示す説明図である。 図５（Ａ）〜（Ｆ）は、それぞれ、配線基板１００の製造方法の一例において実施される工程を示す断面図である。 第２実施形態にかかる配線基板２００を示す要部分解斜視図である。 第３実施形態にかかる配線基板３００を示す要部分解斜視図である。 第４実施形態にかかる配線基板４００を示す要部分解斜視図である。 第５実施形態にかかる配線基板５００を示す要部分解斜視図である。 第６実施形態にかかる配線基板６００を示す要部分解斜視図である。 第７実施形態にかかる配線基板７００を示す断面図である。 図１２（Ａ）〜（Ｅ）は、それぞれ、配線基板７００の製造方法の一例において実施される工程を示す断面図である。 第８実施形態にかかる電子モジュール８００を示す斜視図である。 特許文献１に開示された配線基板１０００を示す分解斜視図である。

以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。

なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、明細書の理解を助けるためのものであって、模式的に描画されている場合があり、描画された構成要素または構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。

［第１実施形態］
図１、図２（Ａ）、（Ｂ）に、第１実施形態にかかる配線基板１００を示す。ただし、図１は、配線基板１００の斜視図である。図２（Ａ）は、配線基板１００の断面図であり、図１の一点鎖線Ａ-Ａ部分を示している。図２（Ｂ）は、うねりＲが発生した場合における配線基板１００の断面図であり、図１の一点鎖線Ａ-Ａ部分を示している。

配線基板１００は、積層され、かつ、一体化された絶縁体層１ａ〜１ｆを備えている。絶縁体層１ａ〜１ｆは、たとえば、電極を形成する導体材料と同時焼成が可能なセラミックによって作製されている。

絶縁体層１ａの上側主面に、電子部品を実装するための、複数のランド電極２が形成されている。ランド電極２は、たとえば、ＣｕあるいはＡｇなどを主成分とする導体材料によって形成され、表面に、Ｎｉ、Ａｕ、Ｓｎなどからなるめっき層が、単層または複数層形成されている。

図示を省略するが、絶縁体層１ｆの下側主面に、配線基板１００を電子機器の基板などに実装するための、複数の実装用電極が形成されている。実装用電極も、たとえば、ＣｕあるいはＡｇなどを主成分とする導体材料によって形成され、表面に、Ｎｉ、Ａｕ、Ｓｎなどからなるめっき層が、単層または複数層形成されている。

図２（Ａ）に示すように、絶縁体層１ｃと絶縁体層１ｄとの層間に、層の平面方向に間隔を空けて、第１電極３と第２電極４とが形成されている。

第１電極３の厚みは、第２電極４の厚みよりも大きい。本実施形態においては、第１電極３の厚みを３０μｍ、第２電極４の厚みを１０μｍとした。

絶縁体層１ａ〜１ｆの積層方向に対して垂直な方向から透視したとき、絶縁体層１ａ〜１ｆの積層方向において、第１電極３の下側主面は第２電極４の下側主面よりも低く、第１電極３の上側主面は第２電極４の上側主面よりも高くなっている。すなわち、厚み方向において、第２電極４は第１電極３に内包されるようになっている。

第１電極３は、たとえば、インダクタ電極、キャパシタ電極、配線電極、グランド電極から選ばれる１種である。第２電極４も、たとえば、インダクタ電極、キャパシタ電極、配線電極、グランド電極から選ばれる１種である。なお、第１電極３の種類と第２電極４の種類とは、同じであっても良いし、異なっていても良い。

第１電極３、第２電極４は、たとえば、ＣｕあるいはＡｇなどを主成分とする導体材料によって形成されている。

配線基板１００は、図示を省略するが、絶縁体層１ａ〜１ｆの層間に、第１電極３、第２電極４以外の、別の層間電極が形成されている場合がある。別の層間電極は、それぞれ、たとえば、インダクタ電極、キャパシタ電極、配線電極、グランド電極などから選ばれる１種である。別の層間電極は、たとえば、ＣｕあるいはＡｇなどを主成分とする導体材料によって形成されている。

また、配線基板１００は、同じく図示を省略するが、絶縁体層１ａ〜１ｆに、それぞれ、１つまたは複数の、上側主面と下側主面とを貫通するビア電極が形成されている。ビア電極は、たとえば、ＣｕあるいはＡｇなどを主成分とする導体材料によって形成されている。

配線基板１００は、第１電極３、第２電極４を含む層間電極と、ビア電極とで、内部配線回路が構成されている。内部配線回路は、ランド電極２および実装用電極と、それぞれ、電気的に接続されている。

配線基板１００は、上述したとおり、第１電極３の厚みが第２電極４の厚みよりも大きく、かつ、絶縁体層１ａ〜１ｆの積層方向に対して垂直な方向から透視したとき、絶縁体層１ａ〜１ｆの積層方向において、第１電極３の下側主面は第２電極４の下側主面よりも低く、第１電極３の上側主面は第２電極４の上側主面よりも高くなっている。また、配線基板１００は、うねりが発生しても、前述の状態が維持される。したがって、配線基板１００は、うねりが発生しても、第１電極３と第２電極４とが対向している面積の大きさが変動せず、第１電極３と第２電極４との間の浮遊容量の大きさの変動が抑制されている。

比較のために、図３（Ａ）に示す、比較例にかかる配線基板１１００を作製した。配線基板１１００は、第１電極２０３の厚みと、第２電極２０４の厚みとが同一である。より具体的には、配線基板１１００は、第１電極２０３の厚みおよび第２電極２０４の厚みを、それぞれ、２０μｍとした。配線基板１１００の他の構成については、配線基板１００と同一にした。

第１実施形態にかかる配線基板１００に、うねりＲが発生した状態を図２（Ｂ）に示す。また、比較例にかかる配線基板１１００に、うねりＲが発生した状態を図３（Ｂ）に示す。なお、ここに示したうねりＲは、配線基板の一部分が厚さ方向に沈降したものからなる。

図４（Ａ）に、うねりが発生しなかった場合と、うねりＲが発生した場合の、それぞれの、配線基板１００の第１電極３と第２電極４との相対的な位置関係を示す。また、図４（Ｂ）に、うねりが発生しなかった場合と、うねりＲが発生した場合の、それぞれの、配線基板１１００の第１電極２０３と第２電極２０４との相対的な位置関係を示す。

配線基板１００は、図４（Ａ）から分かるように、うねりＲが発生しなかった場合も、うねりＲが発生した場合も、第１電極３と第２電極４とが対向する厚みの大きさＸは同一であり変動しない。すなわち、配線基板１００は、うねりＲの有無にかかわらず、第１電極３と第２電極４とが対向している面積の大きさが同一であり変動しない。

これに対し、配線基板１１００は、図４（Ｂ）から分かるように、うねりＲが発生しなかった場合の第１電極２０３と第２電極２０４とが対向する厚みの大きさＸが、うねりＲが発生することによって、Ｘ-αに変動（減少）している。すなわち、配線基板１１００は、うねりＲが発生することによって、第１電極２０３と第２電極２０４とが対向している面積の大きさが変動（減少）している。

配線基板１００は、うねりＲが発生しても、第１電極３と第２電極４とが対向する面積の大きさが変動しないため、第１電極３と第２電極４との間の浮遊容量の大きさの変動が抑制されている。これに対し、配線基板１１００は、うねりＲが発生することによって、第１電極２０３と第２電極２０４とが対向する面積の大きさが変動（減少）するため、第１電極２０３と第２電極２０４との間の浮遊容量の大きさが大きく変動（減少）する。

以上のように、第１実施形態にかかる配線基板１００は、うねりが発生しても、第１電極３と第２電極４との間に発生する浮遊容量の変動が抑制されている。

また、第１実施形態にかかる配線基板１００は、浮遊容量の変動が抑制されているため、第１電極３と第２電極４とを、同一の層間に近接して形成することが可能となる。このため、平面方向の大型化を回避することが可能である。

次に、配線基板１００の製造方法の一例について説明する。

まず、絶縁体層１ａ〜１ｆを作製するための、セラミックグリーンシートを作製する。なお、セラミックグリーンシートは、多数の配線基板１００を一括して製造するために、多数個分のセラミックグリーンシートがマトリックス状に配置されたマザーセラミックグリーンシートとして作製する。

具体的には、まず、それぞれ所定量のセラミック原料と樹脂材料と有機溶剤とを混合し、混練して、セラミックスラリーを作製する。

次に、セラミックスラリーを樹脂フィルム上に塗工し、乾燥させてマザーセラミックグリーンシートを作製する。

次に、マザーセラミックグリーンシートに、ビア導体を形成するための貫通孔を形成する。貫通孔は、たとえば、レーザー光を照射するなどの方法によって形成する。

次に、マザーセラミックグリーンシートに形成した貫通孔の内部に、導電性ペーストを充填する。

次に、マザーセラミックグリーンシートの主面に、必要に応じて、スクリーン印刷やインクジェット印刷などの方法によって、導電性ペーストを塗布し、第１電極３および第２電極４を含む層間電極と、ランド電極２と、実装用電極とを形成するための導電性ペーストパターンを形成する。

ただし、上側主面に第１電極３および第２電極４を形成する絶縁体層１ｄを形成するためのマザーセラミックグリーンシートについては、別途、特別な工程を施行する。

まず、図５（Ａ）に示すように、絶縁体層１ｄを形成するためのマザーセラミックグリーンシート１ｄ’を用意する。

次に、図５（Ｂ）に示すように、マザーセラミックグリーンシート１ｄ’の上側主面に、厚みの大きい第１電極３を形成するための深さの大きい溝８３と、厚みの小さい第２電極４を形成するための深さの小さい溝８４とを形成する。溝８３、８４は、たとえば、レーザー光の照射、ルーターによる切削、金型によるプレスなどの方法によって形成する。

次に、図５（Ｃ）に示すように、溝８３の内部に、第１電極３を形成するための、第１回目の導電性ペースト３’の塗布をおこなう。

次に、図５（Ｄ）に示すように、第１回目に塗布された導電性ペースト３’上に、第２回目の導電性ペースト３’の塗布をおこなう。

次に、図５（Ｅ）に示すように、第２回目に塗布された導電性ペースト３’上に、第３回目の導電性ペースト３’の塗布をおこなうとともに、溝８４の内部に、第２電極４を形成するための導電性ペースト４’の塗布をおこなう。

次に、図５（Ｆ）に示すように、上記工程を経たマザーセラミックグリーンシート１ｄ’を含む、絶縁体層１ａ〜１ｆを作製するためのマザーセラミックグリーンシート１ａ’〜１ｆ’を積層し、加熱しながら上下方向から加圧することによって一体化させ、未焼成マザー積層体１００’を作製する。なお、このとき、３回に分けて塗布された導電性ペースト３’も一体化する。

次に、未焼成マザー積層体１００’を分割して、個々の未焼成積層体を作製する。

次に、未焼成積層体を所定のプロファイルで焼成して、絶縁体層１ａ〜１ｆが積層された積層体を作製する。

最後に、たとえば電解めっきによって、絶縁体層１ａの上側主面に形成されたランド電極２の表面、および、絶縁体層１ｆの下側主面に形成された実装用電極の表面に、それぞれめっき層を形成し、配線基板１００を完成させる。

なお、上述した配線基板１００の製造方法においては、第１電極３を形成するための導電性ペースト３’を３回に分けて塗布し、第２電極４を形成するための導電性ペースト４’の塗布を１回でおこなったが、各塗布回数は、所望する第１電極３の厚み、所望する第２電極４の厚みに応じて、それぞれ、増減させることができる。

また、上述した配線基板１００の製造方法においては、マザーセラミックグリーンシート１ｄ’の上側主面に、第１電極３を形成するための溝８３と、第２電極４を形成するための溝８４とを形成したが、第１電極３を形成するための溝８３のみを形成し、第２電極４を形成するための溝８４を省略し、第２電極４を形成するための導電性ペースト４’は、マザーセラミックグリーンシート１ｄ’の溝の形成されていない平坦な上側主面に塗布するようにしても良い。あるいは、マザーセラミックグリーンシート１ｄ’の上側主面に溝は形成せずに、導電性ペースト３’の塗布回数を導電性ペースト４’の塗布回数よりも多くするだけであっても良い。なお、この場合は、マザーセラミックグリーンシート１ａ’〜１ｆ’を積層して上下方向から加圧した際に、導電性ペースト３’が導電性ペースト４’よりも大きく沈み込むことによって、導電性ペースト３’と導電性ペースト４’とが所定の位置関係になる。

完成した配線基板１００は、絶縁体層１ｃと絶縁体層１ｄとの層間に、間隔を開けて、厚みの大きな第１電極３と、厚みの小さな第２電極４とが形成されている。

［第２実施形態］
図６に、第２実施形態にかかる配線基板２００を示す。ただし、図６は、は、第１電極１３および第２電極１４のみを示した配線基板２００の要部分解斜視図である。

第２実施形態にかかる配線基板２００は、第１実施形態にかかる配線基板１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、配線基板１００においては、絶縁体層１ａ〜１ｆの積層方向に透視したとき、第１電極３の面積と、第２電極４の面積とが同一であった。これに対し、配線基板２００では、絶縁体層１ａ〜１ｆの積層方向に透視したとき、厚みの大きい第１電極１３の面積が、厚みの小さい第２電極１４の面積よりも大きくなるようにした。配線基板２００の他の構成については、配線基板１００と同じにした。

たとえば、第２電極１４が、通電に伴って熱を発生させるような場合に、この構造を採用することが好ましい。すなわち、厚みの大きい第１電極１３の面積を大きくし、第１電極１３の容積を大きくすることによって、第１電極１３の熱容量を大きくすることができるため、第２電極１４で発生した熱を第１電極１３で吸熱し、かつ、第１電極１３を介して放熱させることができ、第２電極１４の温度が高温になることを抑制することができる。

配線基板２００は、配線基板１００と同様に、うねりが発生しても第１電極１３と第２電極１４とが対向する面積の大きさは変動せず、第１電極１３と第２電極１４との間の浮遊容量の大きさの変動が抑制されている。

［第３実施形態］
図７に、第３実施形態にかかる配線基板３００を示す。ただし、図７は、は、第１電極２３および第２電極２４のみを示した配線基板３００の要部分解斜視図である。

第３実施形態にかかる配線基板３００も、第１実施形態にかかる配線基板１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、配線基板１００においては、絶縁体層１ａ〜１ｆの積層方向に透視したとき、第１電極３の面積と、第２電極４の面積とが同一であった。これに対し、配線基板３００では、絶縁体層１ａ〜１ｆの積層方向に透視したとき、厚みの小さい第２電極２４の面積が、厚みの大きい第１電極２３の面積よりも大きくなるようにした。配線基板３００の他の構成については、配線基板１００と同じにした。

たとえば、第１電極２３が配線電極やインダクタ電極であり、第２電極２４がキャパシタ電極であるような場合に、配線基板３００の構造を採用することが好ましい。配線基板３００の構造を採用すれば、第１電極２３は厚みが大きいため、内部抵抗が小さくなり、通過する信号の損失を小さくすることができる。一方、第２電極２４は面積が大きいため、第２電極２４を使ったキャパシタの容量を大きくすることができる。

配線基板３００は、うねりが発生しても第１電極２３と第２電極２４とが対向する面積の大きさは変動せず、第１電極２３と第２電極２４との間の浮遊容量の大きさの変動が抑制されている。

［第４実施形態］
図８に、第４実施形態にかかる配線基板４００を示す。ただし、図８は、は、第１電極３３および第２電極３４のみを示した配線基板４００の要部分解斜視図である。

第４実施形態にかかる配線基板４００も、第１実施形態にかかる配線基板１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、配線基板１００においては、第１電極３と第２電極４とが、並行に延びるように形成されていた。これに対し、配線基板４００では、厚みの大きい第１電極３３が、厚みの小さい第２電極３４を囲むように、第１電極３３と第２電極３４とを形成した。配線基板４００の他の構成については、配線基板１００と同じにした。

第１電極３３は、たとえば、インダクタ電極や配線電極である。第２電極３４は、たとえば、キャパシタ電極やグランド電極である。

配線基板４００は、うねりが発生しても第１電極３３と第２電極３４とが対向する面積の大きさは変動せず、第１電極３３と第２電極３４との間の浮遊容量の大きさの変動が抑制されている。

［第５実施形態］
図９に、第５実施形態にかかる配線基板５００を示す。ただし、図９は、は、第１電極４３および第２電極４４のみを示した配線基板５００の要部分解斜視図である。

配線基板５００は、厚みの大きい第１電極４３と、厚みの小さい第２電極４４とを備えている。第１電極４３および第２電極４４は、いずれもインダクタ電極であり、通電されると第１電極４３と第２電極４４とは電磁界結合する。

配線基板５００にうねりが発生した場合においても、第１電極４３と第２電極４４とが対向する面積の大きさは変動せず、第１電極４３と第２電極４４との間の浮遊容量の大きさの変動が抑制されている。したがって、配線基板５００は、第１電極４３と第２電極４４とを極めて近接して形成することが可能であり、通電により第１電極４３と第２電極４４とを強く電磁界結合させることができる。

［第６実施形態］
図１０に、第６実施形態にかかる配線基板６００を示す。ただし、図１０は、第１電極５３および第２電極５４のみを示した配線基板６００の要部分解斜視図である。

第６実施形態にかかる配線基板６００は、第５実施形態にかかる配線基板５００に変更を加えた。具体的には、配線基板５００においては、インダクタ電極である厚みの大きい第１電極４３と、同じくインダクタ電極である厚みの小さい第２電極４４とを、対向させるように形成していた。これに対し、配線基板６００では、インダクタ電極である厚みの大きい第１電極５３と、同じくインダクタ電極である厚みの小さい第２電極５４とを、並行に、かつ、スパイラルを構成するように形成した。

配線基板６００は、第１電極５３、第２電極５４に通電されたとき、第１電極５３と第２電極５４とが、第５実施形態にかかる配線基板５００の第１電極４３と第２電極４４との電磁界結合よりも、さらに強く電磁界結合する。

［第７実施形態］
図１１に、第７実施形態にかかる配線基板７００を示す。ただし、図１１は、配線基板７００の断面図である。

第７実施形態にかかる配線基板７００も、第１実施形態にかかる配線基板１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、配線基板１００は、絶縁体層１ａ〜１ｆの積層方向に対して垂直な方向から透視したとき、第１電極３の断面および第２電極４の断面が、いずれも長方形をなしていた。そして、長方形の各角部は、直角であった。これに対し、配線基板７００は、絶縁体層１ａ〜１ｆの積層方向に対して垂直な方向から透視したとき、厚みの大きい第１電極６３の断面、および、厚みの小さい第２電極６４の断面が、いずれも六角形をなしている。そして、第１電極６３の断面の角部、および、第２電極６４の断面の角部が、全て鈍角をなしている。配線基板７００の他の構成については、配線基板１００と同じにした。

電極に高周波の信号を通す場合、表皮効果を原因とする、鋭角部への電流集中が発生し回路抵抗値が増大するため、電極の断面に直角部がある場合よりも、電極の断面が五角形、六角形、七角形と、より多角形になるほど信号の損失が小さくなり、電極の断面が円形である場合が最も信号の損失が小さくなる。また、電極の断面の角部の角度が大きいほど、信号の損失が小さくなる。

そこで、配線基板７００は、第１電極６３の断面および第２電極６４の断面をいずれも六角形とし、かつ、第１電極６３の断面の角部および第２電極６４の断面の角部を全て鈍角とすることによって、第１電極６３、第２電極６４電極に高周波の信号を通した場合の、信号の損失を小さくしている。

配線基板７００の第１電極６３、第２電極６４電極は、上述した第１実施形態にかかる配線基板１００の製造方法の一部に変更を加えることにより、形成することができる。以下、簡単に説明する。

まず、図１２（Ａ）に示すように、マザーセラミックグリーンシート１ｄ’の上側主面に、厚みの大きい第１電極６３を形成するための深さの大きい溝９３と、厚みの小さい第２電極６４を形成するための深さの小さい溝９４とを形成する。このとき、溝９３、９４の側壁に、それぞれ、傾斜をもたせてテーパーＴを形成しておく。

次に、図１２（Ｂ）に示すように、溝９３に第１電極６３を形成するための導電性ペースト６３’を塗布し、溝９４に第２電極６４を形成するための導電性ペースト６４’を塗布する。なお、このとき、導電性ペースト６３’の厚みと導電性ペースト６４’の厚みとが、それぞれ所望の大きさとなるように、それぞれ導電性ペーストの塗布を繰り返す。

次に、図１２（Ｃ）に示すように、導電性ペースト６３’上、および導電性ペースト６４’上に、それぞれ、両肩部を除いて、レジスト９５を形成する。

次に、図１２（Ｄ）に示すように、乾式ブラスト、湿式ブラスト、乾式エッチング、湿式エッチングなどの方法により、導電性ペースト６３’、６４’の両肩部分を、それぞれ削り取る。

次に、レジスト９５を除去することにより、図１２（Ｅ）に示すように、マザーセラミックグリーンシート１ｄ’の上側主面に、断面が六角形をなし、断面の全ての角部が鈍角からなる導電性ペースト６３’、６４’を形成することができる。

次に、第１実施形態に示した製造方法と同様に、導電性ペースト６３’、６４’が形成されたマザーセラミックグリーンシート１ｄ’含む、マザーセラミックグリーンシート１ａ’〜１ｆ’を積層し、加熱しながら上下方向から加圧することによって一体化させ、未焼成マザー積層体７００’を作製する。

この後は、第１実施形態に示した製造方法と同様の方法によって、配線基板７００を完成させる。

［第８実施形態］
図１３に、第８実施形態にかかる電子モジュール８００を示す。ただし、図１３は、電子モジュール８００の斜視図である。

電子モジュール８００は、第１実施形態にかかる配線基板１００のランド電極２に、半導体装置７６や、キャパシタ、インダクタ、抵抗などの受動部品７７を実装することによって作製されている。

電子モジュール８００は、第１実施形態にかかる配線基板１００を使用しているため、配線基板１００にうねりが発生しても、電気的特性の変動が抑制されている。

以上、第１実施形態〜第７実施形態にかかる配線基板１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００と、第８実施形態にかかる電子モジュール８００とについて説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。

たとえば、配線基板１００等では、絶縁体層が６層の絶縁体層１ａ〜１ｆで構成されていたが、絶縁体層の層数は任意であり、６層から増減することができる。

また、配線基板１００等では、絶縁体層１ａ〜１ｆをセラミックにより作製したが、絶縁体層１ａ〜１ｆの材質は任意であり、樹脂、ガラスセラミックなどにより作製されても良い。

また、配線基板１００等では、内部にインダクタやキャパシタが内蔵され得ることを示唆したが、内蔵される機能はインダクタやキャパシタには限定されず、抵抗などであっても良い。

１ａ〜１ｆ・・・絶縁体層
２・・・ランド電極
３、１３、２３、３３、４３、５３、６３・・・第１電極
４、１４、２４、３４、４４、５４、６４・・・第２電極
７６・・・半導体装置
７７・・・受動部品（キャパシタ、インダクタ、抵抗など）
１００、２００、３００、４００、５００、６００・・・配線基板
８００・・・電子モジュール

Claims (6)

1. 複数の絶縁体層が積層され、前記絶縁体層の層間に電極が形成された配線基板であって、
   同一の前記層間に、間隔を開けて、第１電極と第２電極とが形成され、
   前記第１電極の厚みは、前記第２電極の厚みよりも大きく、
   前記絶縁体層の積層方向に対して垂直な方向から透視したとき、前記絶縁体層の積層方向において、前記第１電極の下側主面は前記第２電極の下側主面よりも低く、前記第１電極の上側主面は前記第２電極の上側主面よりも高い位置にあり、
   前記絶縁体層がセラミックである、配線基板。
2. 前記第１電極が、インダクタ電極、キャパシタ電極、配線電極、グランド電極から選ばれる１種であり、
   前記第２電極も、インダクタ電極、キャパシタ電極、配線電極、グランド電極から選ばれる１種である、請求項１に記載された配線基板。
3. 前記絶縁体層の積層方向に透視したとき、
   前記第１電極の面積が、前記第２電極の面積よりも大きい、請求項１または２に記載された配線基板。
4. 前記絶縁体層の積層方向に透視したとき、
   前記第２電極の面積が、前記第１電極の面積よりも大きい、請求項１または２に記載された配線基板。
5. 前記絶縁体層の積層方向に対して垂直な方向から透視したとき、
   前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方は、断面が複数の角部を有する多角形であり、
   全ての前記角部が鈍角である、請求項１ないし４のいずれか１項に記載された配線基板。
6. 請求項１ないし５のいずれか１項に記載された配線基板に、電子部品が実装された電子モジュール。

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