JP6845089B2 - 半導体装置の冷却装置 - Google Patents
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Description
10 電力変換装置
11 ケース
13 パワーモジュール(半導体装置)
13u〜13w IGBT(スイッチング素子)
15 DC/DCコンバータ(他の電力変換機器)
16 充電装置(他の電力変換機器)
50 冷却装置
51 第1の冷却部
52 第2の冷却部
53 接続部
56 ベースプレート
56a 水冷ヒートシンク(内部ヒートシンク)
57 冷却流路
57a 底面
58 冷却器本体
58a 空冷ヒートシンク(外部ヒートシンク)
58b 凹部
Claims (5)
- 半導体装置の冷却装置であって、
前記半導体装置が載置されるベースプレートと、
前記ベースプレートとの間に冷却媒体が流れる冷却流路を形成する冷却器本体と、を備え、
前記ベースプレートは、前記冷却流路の底面との間にクリアランスを設けた状態で前記冷却流路内に突出する内部ヒートシンクを有し、
前記冷却器本体は、前記冷却流路の外面に前記冷却流路内の冷却媒体の流れに沿って形成される外部ヒートシンクを有する、
ことを特徴とする半導体装置の冷却装置。 - 請求項1に記載の半導体装置の冷却装置であって、
前記半導体装置は、三相のスイッチング素子を有し三相交流電流を出力するパワーモジュールであり、
前記冷却流路内を流通する冷却媒体は、前記三相のスイッチング素子を順に冷却し、
前記外部ヒートシンクは、冷却媒体が流れる方向に沿って前記冷却流路の下流に向かうほど高くなるように形成される、
ことを特徴とする半導体装置の冷却装置。 - 請求項2に記載の半導体装置の冷却装置であって、
前記冷却流路は、供給された冷却水が前記冷却器本体の内部を上昇して導かれるように形成され、
前記冷却器本体は、前記冷却流路が形成される部分に底面から凹んで形成される凹部を有し、
前記外部ヒートシンクは、前記凹部内に収容されるように形成される、
ことを特徴とする半導体装置の冷却装置。 - 請求項2又は3に記載の半導体装置の冷却装置であって、
前記冷却器本体は、
前記冷却流路内を流通する冷却媒体によって前記三相のスイッチング素子を順に冷却する第1の冷却部と、
前記第1の冷却部の下流側にて、他の電力変換装置を冷却する第2の冷却部と、
前記第1の冷却部と前記第2の冷却部を接続する接続部と、を有し、
前記外部ヒートシンクは、前記第1の冷却部から前記接続部にわたって形成される、
ことを特徴とする半導体装置の冷却装置。 - 請求項1から4のいずれか一つに記載の半導体装置の冷却装置であって、
前記外部ヒートシンクは、車両の進行方向に沿って形成され外気との間で熱交換を行うフィンである、
ことを特徴とする半導体装置の冷却装置。
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