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JP6794938B2 - Crystal diaphragm and crystal vibration device - Google Patents

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JP6794938B2 JP2017122550A JP2017122550A JP6794938B2 JP 6794938 B2 JP6794938 B2 JP 6794938B2 JP 2017122550 A JP2017122550 A JP 2017122550A JP 2017122550 A JP2017122550 A JP 2017122550A JP 6794938 B2 JP6794938 B2 JP 6794938B2
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Description

本発明は、励振電極の形成された振動部と、振動部の周囲に配置された外枠部と、振動部を外枠部に連結して保持する保持部とが、ATカット型の水晶板で一体形成されてなる水晶振動板およびこの水晶振動板が備えられた水晶振動デバイスに関する。 In the present invention, the vibrating portion in which the exciting electrode is formed, the outer frame portion arranged around the vibrating portion, and the holding portion that connects and holds the vibrating portion to the outer frame portion are an AT-cut type crystal plate. The present invention relates to a crystal vibrating plate integrally formed with, and a crystal vibrating device provided with the crystal vibrating plate.

近年、各種電子機器の動作周波数の高周波化や、パッケージの小型化(特に低背化)が進んでいる。そのため、高周波化やパッケージの小型化にともなって、水晶振動デバイス(例えば水晶振動子、水晶発振器等)も高周波化やパッケージの小型化への対応が求められている。 In recent years, the operating frequencies of various electronic devices have been increased and the packages have been made smaller (particularly lower in height). Therefore, as the frequency increases and the package becomes smaller, the crystal vibration device (for example, a crystal oscillator, a crystal oscillator, etc.) is also required to have a higher frequency and a smaller package.

小型化および低背化に適した水晶振動デバイスとして、いわゆるサンドイッチ構造の水晶振動デバイスが知られている。サンドイッチ構造の水晶振動デバイスは、その筐体が略直方体のパッケージで構成されている。このパッケージは、例えばガラスや水晶からなる第1封止部材および第2封止部材と、両主面に励振電極が形成された水晶振動板とから構成され、第1封止部材と第2封止部材とが水晶振動板を介して積層して接合される。そして、パッケージの内部(内部空間)に配された水晶振動板の振動部が第1封止部材および第2封止部材によって気密封止されている。 A so-called sandwich-structured crystal vibration device is known as a crystal vibration device suitable for miniaturization and reduction in height. The sandwich-structured crystal vibration device has a substantially rectangular parallelepiped package. This package is composed of, for example, a first sealing member and a second sealing member made of glass or quartz, and a crystal diaphragm having excitation electrodes formed on both main surfaces, and the first sealing member and the second sealing member. The stop members are laminated and joined via a crystal diaphragm. Then, the vibrating portion of the crystal diaphragm arranged inside the package (internal space) is hermetically sealed by the first sealing member and the second sealing member.

サンドイッチ構造の水晶振動デバイスにて使用される水晶振動板は、励振電極の形成された振動部と、振動部の周囲に配置された外枠部と、振動部を外枠部に連結して保持する保持部とが、水晶板において一体形成されている。この水晶振動板には、加工が容易であり、且つ周波数温度特性が優れたATカット型の水晶板が最も広く用いられている。 The crystal diaphragm used in a crystal vibrating device having a sandwich structure holds a vibrating portion in which an exciting electrode is formed, an outer frame portion arranged around the vibrating portion, and the vibrating portion connected to the outer frame portion. The holding portion is integrally formed on the crystal plate. The AT-cut type crystal plate, which is easy to process and has excellent frequency and temperature characteristics, is most widely used as this crystal diaphragm.

振動部と外枠部と保持部とが一体形成された水晶振動板では、振動部で生じた圧電振動が保持部を介して外枠部へ漏れやすいといった振動漏れの問題が生じる。これに対し、特許文献1には、そのような振動漏れを抑制する水晶振動板が開示されている。 In a crystal diaphragm in which a vibrating portion, an outer frame portion, and a holding portion are integrally formed, there arises a problem of vibration leakage such that piezoelectric vibration generated in the vibrating portion easily leaks to the outer frame portion via the holding portion. On the other hand, Patent Document 1 discloses a crystal diaphragm that suppresses such vibration leakage.

具体的には、特許文献1には、保持部を振動部からATカットのZ´軸方向に突出させて形成する構成が開示されている。ここでは、人工水晶の結晶軸を、X軸、Y軸、Z軸とし、X軸の周りに35°15´回転させたATカット型の水晶のY軸およびZ軸をそれぞれ、Y´軸、Z´軸とする。 Specifically, Patent Document 1 discloses a configuration in which the holding portion is formed so as to protrude from the vibrating portion in the Z'axis direction of the AT cut. Here, the crystal axes of the artificial quartz are the X-axis, the Y-axis, and the Z-axis, and the Y-axis and the Z-axis of the AT-cut quartz crystal rotated by 35 ° 15'around the X-axis are the Y'axis, respectively. Let it be the Z'axis.

ATカット型の水晶振動板では、振動部において、X軸方向に沿った圧電振動の変位がZ´軸方向に沿った圧電振動の変位よりも大きくなることが知られている。特許文献1の構成では、保持部は、圧電振動の変位が小さいZ´軸方向に沿って振動部を保持している。このため、水晶振動板を圧電振動させた場合、この圧電振動は保持部を通って漏れにくくなり、振動部を効率的に圧電振動させることができる。 It is known that in the AT-cut type crystal diaphragm, the displacement of the piezoelectric vibration along the X-axis direction is larger than the displacement of the piezoelectric vibration along the Z'axis direction in the vibrating portion. In the configuration of Patent Document 1, the holding portion holds the vibrating portion along the Z'axis direction in which the displacement of the piezoelectric vibration is small. Therefore, when the crystal diaphragm is piezoelectrically vibrated, the piezoelectric vibration is less likely to leak through the holding portion, and the vibrating portion can be efficiently piezoelectrically vibrated.

国際公開第2016/121182号International Publication No. 2016/121182

上記特許文献1に開示された水晶振動板は、振動部からの振動漏れを抑制するのに適した構成である一方、励振電極の引き出し電極において断線等の不具合が生じ易いといった課題が発生する。この課題について以下に説明する。 While the crystal diaphragm disclosed in Patent Document 1 has a configuration suitable for suppressing vibration leakage from the vibrating portion, there arises a problem that problems such as disconnection are likely to occur in the lead-out electrode of the excitation electrode. This issue will be described below.

上記水晶振動板は、エッチング工程によって水晶板の外形形状を形成した後、水晶板の両主面に電極および配線を形成することで製造される。上記エッチング工程では、矩形状の水晶板に対し、少なくとも外形形成エッチングおよび周波数調整エッチングの2回のエッチング処理が行われる。また、振動部の中央にメサ構造を形成する場合には、加えてメサ形成エッチングを行ってもよい。 The quartz diaphragm is manufactured by forming the outer shape of the quartz plate by an etching process and then forming electrodes and wiring on both main surfaces of the quartz plate. In the above-mentioned etching step, at least two etching processes of outer shape forming etching and frequency adjustment etching are performed on the rectangular crystal plate. Further, when the mesa structure is formed in the center of the vibrating portion, the mesa forming etching may be additionally performed.

外形形成エッチングでは、矩形状の水晶板に切り抜き部を形成し、振動部、保持部および外枠部の外形形状を形成する。周波数調整エッチングでは、水晶振動デバイスの発振振動数を所定の値とするために、振動部および保持部の厚みを調整する。周波数調整エッチングでは、基本的に振動部および保持部の領域がエッチングされる。 In the outer shape forming etching, a cutout portion is formed on a rectangular crystal plate to form the outer shape of the vibrating portion, the holding portion, and the outer frame portion. In the frequency adjustment etching, the thickness of the vibrating portion and the holding portion is adjusted in order to set the oscillating frequency of the crystal vibrating device to a predetermined value. In the frequency adjustment etching, the regions of the vibrating portion and the holding portion are basically etched.

周波数調整エッチングを振動部および保持部の領域に施した場合、保持部と外枠部との境界には水晶板の厚み差による段差が形成される。振動部からATカットのZ´軸方向に突出させて保持部を形成する場合、保持部と外枠部との境界はX軸に平行な境界となる。したがって、上記段差もX軸に平行な線に沿って形成される。 When frequency adjustment etching is applied to the regions of the vibrating portion and the holding portion, a step is formed at the boundary between the holding portion and the outer frame portion due to the difference in thickness of the crystal plate. When the holding portion is formed by projecting from the vibrating portion in the Z'axis direction of the AT cut, the boundary between the holding portion and the outer frame portion is a boundary parallel to the X axis. Therefore, the step is also formed along a line parallel to the X-axis.

上記段差の断面形状は、水晶板の結晶異方性の影響を受けるものであり、X軸に平行な境界の場合には、少なくとも一方の主面では、主面に対して垂直な断面を有する段差となる。また、上記段差が保持部側にずれて形成された場合には、段差の一部にえぐれ形状の断面が生じる場合もある。尚、ここでのえぐれ形状とは、段差の側面が垂直からさらに傾斜し、段差の側面と主面(保持部の主面または外枠部の主面)とのなす角が鋭角となるような形状を指す。 The cross-sectional shape of the step is affected by the crystal anisotropy of the quartz plate, and in the case of a boundary parallel to the X-axis, at least one main surface has a cross section perpendicular to the main surface. It becomes a step. Further, when the step is formed so as to be displaced toward the holding portion side, a gouged cross section may be formed in a part of the step. The gouged shape here means that the side surface of the step is further inclined from the vertical, and the angle formed by the side surface of the step and the main surface (main surface of the holding portion or the main surface of the outer frame portion) is an acute angle. Refers to the shape.

水晶振動板では、振動部に形成される励振電極に接続される引出配線は、保持部を介して外枠部まで形成されるため、該引出配線は、保持部と外枠部との境界における段差部分を越える必要がある。また、引出配線は、スパッタリングによって金属膜を成膜した後、この金属膜をパターニングして形成される。 In the crystal diaphragm, the lead wiring connected to the excitation electrode formed in the vibrating portion is formed to the outer frame portion via the holding portion, so that the lead wiring is formed at the boundary between the holding portion and the outer frame portion. It is necessary to cross the step part. Further, the lead wiring is formed by forming a metal film by sputtering and then patterning the metal film.

このようにして形成される引出配線は、保持部と外枠部との境界に垂直段差が形成された場合、スパッタリングによる金属膜厚が確保されにくく、引出配線における断線が生じやすいといった問題がある。あるいは、断線とまではいかなくとも、配線の薄膜化により引出配線が高抵抗化する恐れもある。励振電極における引出配線の高抵抗化は、水晶振動デバイスの振動特性に悪影響を与える。また、上記段差にえぐれ形状の断面が生じた場合には、上記問題はより顕著となる。 The lead wiring formed in this way has a problem that when a vertical step is formed at the boundary between the holding portion and the outer frame portion, it is difficult to secure the metal film thickness by sputtering, and the lead wiring is likely to be broken. .. Alternatively, even if the wire is not broken, there is a risk that the resistance of the lead wiring will increase due to the thinning of the wiring. Increasing the resistance of the lead wire in the excitation electrode adversely affects the vibration characteristics of the crystal vibration device. Further, when a gouged cross section is formed on the step, the problem becomes more remarkable.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、振動部からの振動漏れを低減できると同時に、引出配線における断線等を抑制する水晶振動板および水晶振動デバイスを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a crystal diaphragm and a crystal vibration device that can reduce vibration leakage from a vibrating portion and at the same time suppress disconnection in the lead wiring. ..

上記の課題を解決するために、本発明の水晶振動板は、一主面に形成された第1励振電極と、他主面に形成された第2励振電極とが備えられた略矩形状の振動部と、前記振動部の角部から、ATカットのZ´軸方向に突出され、当該振動部を保持する保持部と、前記振動部の外周を取り囲むと共に、前記保持部を保持する外枠部とを有してなるATカット型の水晶振動板であって、前記保持部と前記外枠部との境界が、前記外枠部の内周辺のうち、X軸と平行な辺上にあるとした場合、前記振動部と前記保持部との少なくとも一部は、前記外枠部よりも厚みを薄くされたエッチング領域とされており、当該エッチング領域によって前記保持部と前記外枠部との境界付近には段差が形成されており、前記第1励振電極および前記第2励振電極の引出配線が、前記段差と重畳するように前記保持部から前記外枠部に渡って形成されており、前記一主面および前記他主面の少なくとも一方では、前記引出配線と重畳する部分の前記段差の少なくとも一部が、平面視でX軸と平行とならないように形成されていることを特徴としている。 In order to solve the above problems, the crystal vibrating plate of the present invention has a substantially rectangular shape provided with a first excitation electrode formed on one main surface and a second excitation electrode formed on the other main surface. An outer frame that protrudes from the vibrating portion and the corner portion of the vibrating portion in the Z'axis direction of the AT cut to hold the vibrating portion, and surrounds the outer periphery of the vibrating portion and holds the holding portion. It is an AT-cut type crystal vibrating plate having a portion, and the boundary between the holding portion and the outer frame portion is on a side of the inner periphery of the outer frame portion parallel to the X axis. In this case, at least a part of the vibrating portion and the holding portion is an etching region having a thickness thinner than that of the outer frame portion, and the etching region causes the holding portion and the outer frame portion to be separated from each other. A step is formed in the vicinity of the boundary, and the lead wires of the first excitation electrode and the second excitation electrode are formed from the holding portion to the outer frame portion so as to overlap the step. At least one of the one main surface and the other main surface is characterized in that at least a part of the step of the portion overlapping with the lead wiring is formed so as not to be parallel to the X axis in a plan view. ..

保持部の厚みを外枠部よりも薄くするためのエッチング領域では、該エッチング領域の境界に水晶板の厚み差による段差が形成される。この段差には、エッチング領域の境界がX軸と平行となる部分で一主面および他主面の少なくとも一方で垂直断面(場合によってはえぐれ形状の断面)となる。これに対し、上記の構成によれば、引出配線と重畳する部分の段差の少なくとも一部において、平面視でX軸と平行とならない部分が形成される。この部分では、緩やかな段差を形成することができるため、段差上での引出配線の断線等を抑制できる。 In the etching region for making the thickness of the holding portion thinner than that of the outer frame portion, a step is formed at the boundary of the etching region due to the difference in the thickness of the quartz plate. This step has a vertical cross section (in some cases, a gouged cross section) at least one of the one main surface and the other main surface at a portion where the boundary of the etching region is parallel to the X axis. On the other hand, according to the above configuration, a portion that is not parallel to the X-axis in a plan view is formed at least a part of the step of the portion that overlaps with the lead-out wiring. Since a gentle step can be formed in this portion, it is possible to suppress disconnection of the lead wiring on the step.

また、上記水晶振動板では、前記引出配線と重畳する部分の前記段差の少なくとも一部が、平面視でX軸と平行とならない直線部分として形成されている構成とすることができる。 Further, in the crystal diaphragm, at least a part of the step of the portion overlapping with the lead-out wiring can be formed as a straight portion not parallel to the X axis in a plan view.

上記の構成によれば、引出配線と重畳する段差の少なくとも一部を直線部分とすることで、緩やかな段差部分を長く形成することができ、段差上での引出配線の断線等をより効果的に抑制できる。 According to the above configuration, by making at least a part of the step overlapping with the lead wiring a straight portion, a gentle step portion can be formed long, and the disconnection of the lead wiring on the step is more effective. Can be suppressed.

また、上記水晶振動板では、前記直線部分は、平面視でX軸と直交する構成とすることができる。 Further, in the crystal diaphragm, the straight line portion may be configured to be orthogonal to the X axis in a plan view.

上記の構成によれば、段差は平面視でX軸と直交する角度に近くなるほど緩やかとなり、段差は平面視でX軸と直交するように形成されている箇所で最も緩やかとなるため、段差上での引出配線の断線等をより効果的に抑制できる。 According to the above configuration, the step becomes gentler as it approaches an angle orthogonal to the X axis in a plan view, and the step becomes the gentlest in a portion formed so as to be orthogonal to the X axis in a plan view. It is possible to more effectively suppress disconnection of the lead-out wiring at.

また、上記水晶振動板では、前記直線部分の長さは、前記引出配線の線幅の半分以上である構成とすることができる。あるいは、上記水晶振動板では、前記直線部分の長さは、前記引出配線の線幅以上である構成とすることができる。 Further, in the crystal diaphragm, the length of the straight line portion may be a half or more of the line width of the leader wiring. Alternatively, in the crystal diaphragm, the length of the straight line portion may be equal to or larger than the line width of the leader wiring.

上記の構成によれば、引出配線の線幅に対して直線部分のより長くすることで、引出配線の断線等をより効果的に抑制することができる。 According to the above configuration, by making the straight portion longer than the line width of the lead wiring, it is possible to more effectively suppress the disconnection of the lead wiring and the like.

また、上記水晶振動板では、前記段差は、前記保持部と前記外枠部との境界よりも外枠部側に形成されている構成とすることができる。 Further, in the crystal diaphragm, the step may be formed on the outer frame portion side of the boundary between the holding portion and the outer frame portion.

上記の構成によれば、保持部の強度を向上させることができると共に、段差においてえぐれ形状の断面が生じることも防止できる。 According to the above configuration, the strength of the holding portion can be improved, and it is possible to prevent a gouged cross section from being generated at the step.

また、上記水晶振動板では、前記一主面および前記他主面の少なくとも一方では、前記エッチング領域は前記保持部から前記外枠部の一部に入り込んで形成される入り込み部を有しており、当該入り込み部における前記エッチング領域の境界線が前記段差となるものであり、前記段差の−X側の始点は、前記保持部と前記外枠部との接続域の内側に形成されている構成とすることができる。 Further, in the crystal diaphragm, on at least one of the one main surface and the other main surface, the etching region has an intrusion portion formed by entering a part of the outer frame portion from the holding portion. The boundary line of the etching region in the entrance portion is the step, and the start point on the −X side of the step is formed inside the connection region between the holding portion and the outer frame portion. Can be.

上記の構成によれば、入り込み部の面積が抑制されることで、外枠部における封止部材との接合面積を確保できる。これにより、水晶振動デバイスにおいての接合強度および封止性の低下を抑制できる。 According to the above configuration, the area of the intruding portion is suppressed, so that the joint area of the outer frame portion with the sealing member can be secured. As a result, it is possible to suppress a decrease in bonding strength and sealing property in the crystal vibration device.

また、本発明の水晶振動デバイスは、上記の課題を解決するために、上記記載の水晶振動板と、前記水晶振動板の前記一主面を覆う第1封止部材と、前記水晶振動板の前記他主面を覆う第2封止部材とが備えられたことを特徴としている。 Further, in order to solve the above-mentioned problems, the crystal vibration device of the present invention comprises the above-mentioned crystal diaphragm, a first sealing member covering the one main surface of the crystal diaphragm, and the crystal diaphragm. It is characterized in that it is provided with a second sealing member that covers the other main surface.

本発明の水晶振動板および水晶振動デバイスは、外枠部と保持部との接続部付近でのエッチング領域の境界に緩やかな段差部分を形成し、その緩やかな段差部分を越えるように励振電極の引出配線を形成することで、エッチング領域の境界に生じる段差上での配線の断線や高抵抗化を防止することができるといった効果を奏する。 In the crystal diaphragm and the crystal vibration device of the present invention, a gentle step portion is formed at the boundary of the etching region near the connection portion between the outer frame portion and the holding portion, and the excitation electrode is formed so as to cross the gentle step portion. By forming the lead-out wiring, it is possible to prevent the wiring from being broken or the resistance to be increased on the step generated at the boundary of the etching region.

本実施の形態にかかる水晶発振器の各構成を模式的に示した概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows typically each structure of the crystal oscillator which concerns on this embodiment. 図2は、水晶発振器の第1封止部材の第1主面側の概略平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view of the first sealing member of the crystal oscillator on the first main surface side. 図3は、水晶発振器の第1封止部材の第2主面側の概略平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view of the first sealing member of the crystal oscillator on the second main surface side. 図4は、水晶発振器の水晶振動板の第1主面側の概略平面図である。FIG. 4 is a schematic plan view of the crystal diaphragm of the crystal oscillator on the first main surface side. 図5は、水晶発振器の水晶振動板の第2主面側の概略平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view of the crystal diaphragm of the crystal oscillator on the second main surface side. 図6は、水晶発振器の第2封止部材の第1主面側の概略平面図である。FIG. 6 is a schematic plan view of the second sealing member of the crystal oscillator on the first main surface side. 図7は、水晶発振器の第2封止部材の第2主面側の概略平面図である。FIG. 7 is a schematic plan view of the second sealing member of the crystal oscillator on the second main surface side. 水晶振動板において水晶板へのエッチング工程が施された直後の状態を示す図であり、(a)は第1主面側の概略平面図、(b)は第2主面側の概略平面図である。It is a figure which shows the state immediately after etching process to a crystal plate in a crystal diaphragm, (a) is the schematic plan view of the 1st main surface side, (b) is the schematic plan view of the 2nd main surface side. Is. 水晶振動板における保持部と外枠部との接続箇所付近を示す拡大図であり、(a)は第1主面側の概略平面図、(b),(c)は第1主面側の概略断面図、(d)は第2主面側の概略断面図である。It is an enlarged view which shows the vicinity of the connection part of the holding part and the outer frame part in a crystal diaphragm, (a) is the schematic plan view of the 1st main surface side, (b), (c) are the 1st main surface side. Schematic cross-sectional view, (d) is a schematic cross-sectional view on the second main surface side. 水晶振動板における保持部と外枠部との接続箇所付近を示す拡大図であり、エッチング領域および引出配線の形状を示す概略平面図である。It is an enlarged view which shows the vicinity of the connection part of the holding part and the outer frame part in a crystal diaphragm, and is the schematic plan view which shows the shape of the etching region and the lead-out wiring. 水晶振動板における保持部と外枠部との接続箇所付近を示す拡大図であり、(a),(b)はエッチング領域および引出配線の形状の変形例を示す概略平面図である。It is an enlarged view which shows the vicinity of the connection part of the holding part and the outer frame part in a crystal diaphragm, and (a) and (b) are schematic plan views which show the deformation example of the shape of the etching region and the lead-out wiring. 水晶振動板における保持部と外枠部との接続箇所付近を示す拡大図であり、(a),(b)はエッチング領域および引出配線の形状の変形例を示す概略平面図である。It is an enlarged view which shows the vicinity of the connection part of the holding part and the outer frame part in a crystal diaphragm, and (a) and (b) are schematic plan views which show the deformation example of the shape of the etching region and the lead-out wiring. 水晶振動板における保持部と外枠部との接続箇所付近を示す拡大図であり、エッチング領域および引出配線の形状の変形例を示す概略平面図である。It is an enlarged view which shows the vicinity of the connection part of the holding part and the outer frame part in a crystal diaphragm, and is the schematic plan view which shows the modification of the shape of the etching region and the lead-out wiring.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の実施の形態では、本発明を適用する水晶振動デバイスが水晶発振器である場合について説明する。但し、本発明が適用可能な水晶振動デバイスは水晶発振器に限定されるものではなく、水晶振動子に本発明を適用してもよい。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following embodiments, a case where the crystal vibration device to which the present invention is applied is a crystal oscillator will be described. However, the crystal vibration device to which the present invention can be applied is not limited to the crystal oscillator, and the present invention may be applied to the crystal oscillator.

−水晶発振器−
本実施の形態にかかる水晶発振器101は、図1に示すように、水晶振動板2、第1封止部材3、第2封止部材4、およびICチップ5を備えて構成されている。この水晶発振器101では、水晶振動板2と第1封止部材3とが接合され、水晶振動板2と第2封止部材4とが接合されることによって、略直方体のサンドイッチ構造のパッケージ12が構成される。また、第1封止部材3における水晶振動板2との接合面と反対側の主面に、ICチップ5が搭載される。電子部品素子としてのICチップ5は、水晶振動板2とともに発振回路を構成する1チップ集積回路素子である。
-Crystal oscillator-
As shown in FIG. 1, the crystal oscillator 101 according to the present embodiment includes a crystal diaphragm 2, a first sealing member 3, a second sealing member 4, and an IC chip 5. In the crystal oscillator 101, the crystal diaphragm 2 and the first sealing member 3 are joined, and the crystal diaphragm 2 and the second sealing member 4 are joined to form a package 12 having a substantially rectangular sandwich structure. It is composed. Further, the IC chip 5 is mounted on the main surface of the first sealing member 3 on the side opposite to the joint surface with the crystal diaphragm 2. The IC chip 5 as an electronic component element is a one-chip integrated circuit element that constitutes an oscillation circuit together with a crystal vibration plate 2.

水晶振動板2では、一方の主面である第1主面211に第1励振電極221が形成され、他方の主面である第2主面212に第2励振電極222が形成されている。そして、水晶発振器101においては、水晶振動板2の両主面(第1主面211、第2主面212)のそれぞれに第1封止部材3および第2封止部材4が接合されることで、パッケージ12の内部空間が形成され、内部空間に第1励振電極221および第2励振電極222を含む振動部22(図4,5参照)が気密封止されている。 In the crystal diaphragm 2, the first excitation electrode 221 is formed on the first main surface 211 which is one main surface, and the second excitation electrode 222 is formed on the second main surface 212 which is the other main surface. Then, in the crystal oscillator 101, the first sealing member 3 and the second sealing member 4 are joined to both main surfaces (first main surface 211 and second main surface 212) of the crystal diaphragm 2. The internal space of the package 12 is formed, and the vibrating portion 22 (see FIGS. 4 and 5) including the first excitation electrode 221 and the second excitation electrode 222 is hermetically sealed in the internal space.

本実施の形態にかかる水晶発振器101は、例えば、1.0×0.8mmのパッケージサイズであり、小型化と低背化とを図ったものである。また、小型化に伴い、パッケージ12では、キャスタレーションを形成せずに、後述する貫通孔を用いて電極の導通を図っている。 The crystal oscillator 101 according to the present embodiment has, for example, a package size of 1.0 × 0.8 mm, and is designed to be compact and low in height. Further, with the miniaturization, in the package 12, the electrodes are made conductive by using the through holes described later without forming the casters.

次に、上記した水晶発振器101における水晶振動板2、第1封止部材3および第2封止部材4の各部材について、図1〜7を用いて説明する。なお、ここでは、接合されていないそれぞれ単体として構成されている各部材について説明を行う。 Next, each member of the crystal diaphragm 2, the first sealing member 3, and the second sealing member 4 in the crystal oscillator 101 described above will be described with reference to FIGS. 1 to 7. In addition, here, each member which is configured as a single unit which is not joined will be described.

水晶振動板2は、図4,5に示すように、水晶からなる圧電基板であって、その両主面(第1主面211,第2主面212)が平坦平滑面(鏡面加工)として形成されている。本実施の形態では、水晶振動板2として、厚みすべり振動を行うATカット水晶板が用いられている。図4,5に示す水晶振動板2では、水晶振動板2の両主面211,212が、XZ´平面とされている。このXZ´平面において、水晶振動板2の短手方向(短辺方向)に平行な方向がX軸方向とされ、水晶振動板2の長手方向(長辺方向)に平行な方向がZ´軸方向とされている。なお、ATカットは、人工水晶の3つの結晶軸である電気軸(X軸)、機械軸(Y軸)、および光学軸(Z軸)のうち、Z軸に対してX軸周りに35°15′だけ傾いた角度で切り出す加工手法である。ATカット水晶板では、X軸は水晶の結晶軸に一致する。Y´軸およびZ´軸は、水晶の結晶軸のY軸およびZ軸からそれぞれ35°15′傾いた軸に一致する。Y´軸方向およびZ´軸方向は、ATカット水晶板を切り出すときの切り出し方向に相当する。 As shown in FIGS. 4 and 5, the crystal diaphragm 2 is a piezoelectric substrate made of quartz, and both main surfaces (first main surface 211 and second main surface 212) are flat smooth surfaces (mirror surface processing). It is formed. In the present embodiment, as the crystal diaphragm 2, an AT-cut quartz plate that performs thickness sliding vibration is used. In the crystal diaphragm 2 shown in FIGS. 4 and 5, both main surfaces 211 and 212 of the crystal diaphragm 2 are XZ'planes. In this XZ'plane, the direction parallel to the lateral direction (short side direction) of the crystal vibrating plate 2 is the X-axis direction, and the direction parallel to the longitudinal direction (long side direction) of the crystal vibrating plate 2 is the Z'axis. It is said to be the direction. The AT cut is 35 ° around the X axis with respect to the Z axis among the three crystal axes of the artificial quartz, the electric axis (X axis), the mechanical axis (Y axis), and the optical axis (Z axis). This is a processing method that cuts out at an angle tilted by 15'. In the AT-cut quartz plate, the X-axis coincides with the crystal axis of the quartz. The Y'axis and Z'axis correspond to axes tilted 35 ° 15'from the Y and Z axes of the quartz crystal axis, respectively. The Y'axis direction and the Z'axis direction correspond to the cutting direction when cutting out the AT-cut quartz plate.

水晶振動板2の両主面211,212には、一対の励振電極(第1励振電極221,第2励振電極222)が形成されている。水晶振動板2は、略矩形に形成された振動部22と、この振動部22の外周を取り囲む外枠部23と、振動部22と外枠部23とを連結することで振動部22を保持する保持部24とを有している。すなわち、水晶振動板2は、振動部22、外枠部23および保持部24が一体的に設けられた構成となっている。 A pair of excitation electrodes (first excitation electrode 221 and second excitation electrode 222) are formed on both main surfaces 211 and 212 of the crystal diaphragm 2. The crystal diaphragm 2 holds the vibrating portion 22 by connecting the vibrating portion 22 formed in a substantially rectangular shape, the outer frame portion 23 surrounding the outer circumference of the vibrating portion 22, and the vibrating portion 22 and the outer frame portion 23. It has a holding portion 24 and a holding portion 24. That is, the crystal diaphragm 2 has a configuration in which the vibrating portion 22, the outer frame portion 23, and the holding portion 24 are integrally provided.

本実施の形態では、保持部24は、振動部22と外枠部23との間の1箇所のみに設けられている。また、詳しくは後述するが、振動部22および保持部24は、基本的には外枠部23よりも薄く形成されている。このような外枠部23と保持部24との厚みの違いにより、外枠部23と保持部24の圧電振動の固有振動数が異なることになり、保持部24の圧電振動に外枠部23が共鳴しにくくなる。尚、保持部24の形成箇所は1か所に限定されるものではなく、保持部24は、振動部22と外枠部23との間の2箇所(例えば、−Z´軸方向の両側)に設けられていてもよい。 In the present embodiment, the holding portion 24 is provided only at one location between the vibrating portion 22 and the outer frame portion 23. Further, as will be described in detail later, the vibrating portion 22 and the holding portion 24 are basically formed thinner than the outer frame portion 23. Due to such a difference in thickness between the outer frame portion 23 and the holding portion 24, the natural frequencies of the piezoelectric vibrations of the outer frame portion 23 and the holding portion 24 differ, and the piezoelectric vibration of the holding portion 24 causes the outer frame portion 23 to differ. Is less likely to resonate. The formation location of the holding portion 24 is not limited to one, and the holding portion 24 is formed at two locations between the vibrating portion 22 and the outer frame portion 23 (for example, both sides in the −Z ′ axial direction). It may be provided in.

保持部24は、振動部22の+X方向かつ−Z´方向に位置する1つの角部のみから、−Z´方向に向けて外枠部23まで延びている(突出している)。このように、振動部22の外周端部のうち、圧電振動の変位が比較的小さい角部に保持部24が設けられているので、保持部24を角部以外の部分(辺の中央部)に設けた場合に比べて、保持部24を介して圧電振動が外枠部23に漏れることを抑制することができ、より効率的に振動部22を圧電振動させることができる。また、保持部24を2つ以上設けた場合に比べて、振動部22に作用する応力を低減することができ、そのような応力に起因する圧電振動の周波数シフトを低減して圧電振動の安定性を向上させることができる。 The holding portion 24 extends (projects) from only one corner portion of the vibrating portion 22 located in the + X direction and the −Z ′ direction to the outer frame portion 23 in the −Z ′ direction. As described above, since the holding portion 24 is provided at the corner portion of the outer peripheral end portion of the vibrating portion 22 in which the displacement of the piezoelectric vibration is relatively small, the holding portion 24 is provided at a portion other than the corner portion (center portion of the side). It is possible to suppress the leakage of the piezoelectric vibration to the outer frame portion 23 via the holding portion 24, and it is possible to vibrate the vibrating portion 22 more efficiently as compared with the case where the vibration portion 22 is provided. Further, as compared with the case where two or more holding portions 24 are provided, the stress acting on the vibrating portion 22 can be reduced, and the frequency shift of the piezoelectric vibration caused by such stress is reduced to stabilize the piezoelectric vibration. The sex can be improved.

第1励振電極221は振動部22の第1主面211側に設けられ、第2励振電極222は振動部22の第2主面212側に設けられている。第1励振電極221,第2励振電極222には、これらの励振電極を外部電極端子に接続するための引出配線(第1引出配線223,第2引出配線224)が接続されている。第1引出配線223は、第1励振電極221から引き出され、保持部24を経由して、外枠部23に形成された接続用接合パターン27に繋がっている。第2引出配線224は、第2励振電極222から引き出され、保持部24を経由して、外枠部23に形成された接続用接合パターン28に繋がっている。このように、保持部24の第1主面211側に第1引出配線223が形成され、保持部24の第2主面212側に第2引出配線224が形成されている。 The first excitation electrode 221 is provided on the first main surface 211 side of the vibrating portion 22, and the second excitation electrode 222 is provided on the second main surface 212 side of the vibrating portion 22. Lead-out wirings (first lead-out wiring 223 and second lead-out wiring 224) for connecting these excitation electrodes to external electrode terminals are connected to the first excitation electrode 221 and the second excitation electrode 222. The first lead-out wiring 223 is drawn out from the first excitation electrode 221 and is connected to the connection joint pattern 27 formed on the outer frame portion 23 via the holding portion 24. The second lead-out wiring 224 is drawn out from the second excitation electrode 222 and is connected to the connection joint pattern 28 formed on the outer frame portion 23 via the holding portion 24. As described above, the first lead-out wiring 223 is formed on the first main surface 211 side of the holding portion 24, and the second lead-out wiring 224 is formed on the second main surface 212 side of the holding portion 24.

水晶振動板2の両主面(第1主面211,第2主面212)には、水晶振動板2を第1封止部材3および第2封止部材4に接合するための振動側封止部がそれぞれ設けられている。第1主面211の振動側封止部としては、第1封止部材3に接合するための振動側第1接合パターン251が形成されている。また、第2主面212の振動側封止部としては、第2封止部材4に接合するための振動側第2接合パターン252が形成されている。振動側第1接合パターン251および振動側第2接合パターン252は、外枠部23に設けられており、平面視で環状に形成されている。第1励振電極221,第2励振電極222は、振動側第1接合パターン251および振動側第2接合パターン252とは電気的に接続されていない。 On both main surfaces (first main surface 211, second main surface 212) of the crystal diaphragm 2, a vibrating side seal for joining the crystal diaphragm 2 to the first sealing member 3 and the second sealing member 4 is provided. Each stop is provided. As the vibration-side sealing portion of the first main surface 211, a vibration-side first joining pattern 251 for joining to the first sealing member 3 is formed. Further, as the vibration side sealing portion of the second main surface 212, a vibration side second joining pattern 252 for joining to the second sealing member 4 is formed. The vibration side first joint pattern 251 and the vibration side second joint pattern 252 are provided on the outer frame portion 23, and are formed in an annular shape in a plan view. The first excitation electrode 221 and the second excitation electrode 222 are not electrically connected to the vibration side first junction pattern 251 and the vibration side second junction pattern 252.

また、水晶振動板2には、図4,5に示すように、第1主面211と第2主面212との間を貫通する5つの貫通孔が形成されている。具体的には、4つの第1貫通孔261は、外枠部23の4隅(角部)の領域にそれぞれ設けられている。第2貫通孔262は、外枠部23であって、振動部22のZ´軸方向の一方側(図4,5では、+Z´方向側)に設けられている。第1貫通孔261の周囲には、それぞれ接続用接合パターン253が形成されている。また、第2貫通孔262の周囲には、第1主面211側では接続用接合パターン254が、第2主面212側では接続用接合パターン28が形成されている。 Further, as shown in FIGS. 4 and 5, the crystal diaphragm 2 is formed with five through holes penetrating between the first main surface 211 and the second main surface 212. Specifically, the four first through holes 261 are provided in the regions of the four corners (corners) of the outer frame portion 23, respectively. The second through hole 262 is an outer frame portion 23, and is provided on one side of the vibrating portion 22 in the Z'axis direction (in FIGS. 4 and 5, the + Z'direction side). A connection pattern 253 is formed around the first through hole 261. Further, around the second through hole 262, a connection joint pattern 254 is formed on the first main surface 211 side, and a connection joint pattern 28 is formed on the second main surface 212 side.

第1貫通孔261および第2貫通孔262には、第1主面211と第2主面212とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、貫通孔それぞれの内壁面に沿って形成されている。また、第1貫通孔261および第2貫通孔262それぞれの中央部分は、第1主面211と第2主面212との間を貫通した中空状態の貫通部分となる。 In the first through hole 261 and the second through hole 262, through electrodes for conducting the electrodes formed on the first main surface 211 and the second main surface 212 are provided along the inner wall surface of each of the through holes. It is formed. Further, the central portion of each of the first through hole 261 and the second through hole 262 is a hollow through portion that penetrates between the first main surface 211 and the second main surface 212.

水晶振動板2において、第1励振電極221、第2励振電極222、第1引出配線223,第2引出配線224、第1接合パターン251、振動側第2接合パターン252、および接続用接合パターン253,254,27,28は、同一のプロセスで形成することができる。具体的には、これらは、水晶振動板2の両主面211,212上に物理的気相成長させて形成された下地膜と、当該下地膜上に物理的気相成長させて積層形成された接合膜とから形成することができる。なお、本実施の形態では、下地膜には、Ti(もしくはCr)が用いられ、接合膜にはAuが用いられている。 In the crystal diaphragm 2, the first excitation electrode 221 and the second excitation electrode 222, the first lead-out wiring 223, the second lead-out wiring 224, the first joint pattern 251 and the vibration side second joint pattern 252, and the connection joint pattern 253 , 254, 27, 28 can be formed by the same process. Specifically, these are formed by laminating a base film formed by physical vapor deposition on both main surfaces 211 and 212 of the crystal diaphragm 2 and a physical vapor phase growth on the base film. It can be formed from a bonded film. In this embodiment, Ti (or Cr) is used as the base film, and Au is used as the bonding film.

第1封止部材3は、図2,3に示すように、1枚のガラスウエハから形成された直方体の基板であり、この第1封止部材3の第2主面312(水晶振動板2に接合する面)は平坦平滑面(鏡面加工)として形成されている。 As shown in FIGS. 2 and 3, the first sealing member 3 is a rectangular parallelepiped substrate formed from one glass wafer, and the second main surface 312 (crystal diaphragm 2) of the first sealing member 3 is The surface to be joined to) is formed as a flat smooth surface (mirror surface processing).

第1封止部材3の第1主面311(ICチップ5を搭載する面)には、図2に示すように、発振回路素子であるICチップ5を搭載する搭載パッドを含む6つの電極パターン37が形成されている。ICチップ5は、金属バンプ(例えばAuバンプ等)38(図1参照)を用いて電極パターン37に、FCB(Flip Chip Bonding)法により接合される。 As shown in FIG. 2, six electrode patterns including a mounting pad on which the IC chip 5 which is an oscillation circuit element is mounted are formed on the first main surface 311 (the surface on which the IC chip 5 is mounted) of the first sealing member 3. 37 is formed. The IC chip 5 is bonded to the electrode pattern 37 by a FCB (Flip Chip Bonding) method using a metal bump (for example, Au bump or the like) 38 (see FIG. 1).

第1封止部材3には、図2,3に示すように、6つの電極パターン37のそれぞれと接続され、第1主面311と第2主面312との間を貫通する6つの貫通孔が形成されている。具体的には、4つの第3貫通孔322が、第1封止部材3の4隅(角部)の領域に設けられている。第4,第5貫通孔323,324は、図2,3のA2方向およびA1方向にそれぞれ設けられている。なお、図2,3,6,7のA1およびA2方向は、図4,5の−Z´方向および+Z´方向にそれぞれ一致し、図2,3,6,7のB1およびB2方向は、図4,5の−X方向および+X方向にそれぞれ一致する。 As shown in FIGS. 2 and 3, the first sealing member 3 has six through holes connected to each of the six electrode patterns 37 and penetrating between the first main surface 311 and the second main surface 312. Is formed. Specifically, four third through holes 322 are provided in the regions of the four corners (corners) of the first sealing member 3. The fourth and fifth through holes 323 and 324 are provided in the A2 direction and the A1 direction of FIGS. 2 and 3, respectively. The A1 and A2 directions in FIGS. 2, 3, 6 and 7 correspond to the −Z ′ direction and the + Z ′ direction in FIGS. 4 and 5, respectively, and the B1 and B2 directions in FIGS. It corresponds to the −X direction and the + X direction in FIGS. 4 and 5, respectively.

第3貫通孔322および第4,第5貫通孔323,324には、第1主面311と第2主面312とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、貫通孔それぞれの内壁面に沿って形成されている。また、第3貫通孔322および第4,第5貫通孔323,324それぞれの中央部分は、第1主面311と第2主面312との間を貫通した中空状態の貫通部分となる。 In the third through hole 322 and the fourth and fifth through holes 323 and 324, through electrodes for conducting the electrodes formed on the first main surface 311 and the second main surface 312 are provided in each of the through holes. It is formed along the inner wall surface. Further, the central portion of each of the third through hole 322 and the fourth and fifth through holes 323 and 324 is a hollow through portion penetrating between the first main surface 311 and the second main surface 312.

第1封止部材3の第2主面312には、水晶振動板2に接合するための封止側第1封止部としての封止側第1接合パターン321が形成されている。封止側第1接合パターン321は、平面視で環状に形成されている。 On the second main surface 312 of the first sealing member 3, a sealing-side first joining pattern 321 is formed as a sealing-side first sealing portion for joining to the crystal diaphragm 2. The first bonding pattern 321 on the sealing side is formed in an annular shape in a plan view.

また、第1封止部材3の第2主面312では、第3貫通孔322の周囲には、それぞれ接続用接合パターン34が形成されている。第4貫通孔323の周囲には接続用接合パターン351が、第5貫通孔324の周囲には接続用接合パターン352が形成されている。さらに、接続用接合パターン351に対して第1封止部材3の長軸方向の反対側(A2方向側)には接続用接合パターン353が形成されており、接続用接合パターン351と接続用接合パターン353とは配線パターン33によって接続されている。尚、接続用接合パターン353は、接続用接合パターン352とは接続されていない。 Further, on the second main surface 312 of the first sealing member 3, a connection pattern 34 is formed around the third through hole 322, respectively. A connection pattern 351 is formed around the fourth through hole 323, and a connection joint pattern 352 is formed around the fifth through hole 324. Further, a connection joint pattern 353 is formed on the opposite side (A2 direction side) of the first sealing member 3 in the major axis direction with respect to the connection joint pattern 351, and the connection joint pattern 351 and the connection joint are joined. It is connected to the pattern 353 by a wiring pattern 33. The connection pattern 353 is not connected to the connection pattern 352.

第1封止部材3において、封止側第1接合パターン321、接続用接合パターン34,351〜353、および配線パターン33は、同一のプロセスで形成することができる。具体的には、これらは、第1封止部材3の第2主面312上に物理的気相成長させて形成された下地膜と、当該下地膜上に物理的気相成長させて積層形成された接合膜とから形成することができる。なお、本実施の形態では、下地膜には、Ti(もしくはCr)が用いられ、接合膜にはAuが用いられている。 In the first sealing member 3, the sealing-side first joining pattern 321 and the connecting joining patterns 34, 3513 to 353, and the wiring pattern 33 can be formed by the same process. Specifically, these are formed by laminating a base film formed by physical vapor deposition on the second main surface 312 of the first sealing member 3 and a physical vapor phase growth on the base film. It can be formed from the bonded film. In this embodiment, Ti (or Cr) is used as the base film, and Au is used as the bonding film.

第2封止部材4は、図6,7に示すように、1枚のガラスウエハから形成された直方体の基板であり、この第2封止部材4の第1主面411(水晶振動板2に接合する面)は平坦平滑面(鏡面加工)として形成されている。 As shown in FIGS. 6 and 7, the second sealing member 4 is a rectangular parallelepiped substrate formed from one glass wafer, and the first main surface 411 (crystal diaphragm 2) of the second sealing member 4 is The surface to be joined to) is formed as a flat smooth surface (mirror surface processing).

この第2封止部材4の第1主面411には、水晶振動板2に接合するための封止側第2封止部としての封止側第2接合パターン421が形成されている。封止側第2接合パターン421は、平面視で環状に形成されている。 On the first main surface 411 of the second sealing member 4, a sealing side second joining pattern 421 is formed as a sealing side second sealing portion for joining to the crystal diaphragm 2. The second bonding pattern 421 on the sealing side is formed in an annular shape in a plan view.

第2封止部材4の第2主面412(水晶振動板2に面しない外方の主面)には、外部に電気的に接続する4つの外部電極端子43が設けられている。外部電極端子43は、第2封止部材4の4隅(角部)にそれぞれ位置する。 The second main surface 412 (outer main surface not facing the crystal diaphragm 2) of the second sealing member 4 is provided with four external electrode terminals 43 that are electrically connected to the outside. The external electrode terminals 43 are located at the four corners (corners) of the second sealing member 4.

第2封止部材4には、図6,7に示すように、第1主面411と第2主面412との間を貫通する4つの貫通孔が形成されている。具体的には、4つの第6貫通孔44は、第2封止部材4の4隅(角部)の領域に設けられている。第6貫通孔44には、第1主面411と第2主面412とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、貫通孔それぞれの内壁面に沿って形成されている。また、第6貫通孔44それぞれの中央部分は、第1主面411と第2主面412との間を貫通した中空状態の貫通部分となる。また、第2封止部材4の第1主面411では、第6貫通孔44の周囲には、それぞれ接続用接合パターン45が形成されている。 As shown in FIGS. 6 and 7, the second sealing member 4 is formed with four through holes penetrating between the first main surface 411 and the second main surface 412. Specifically, the four sixth through holes 44 are provided in the regions of the four corners (corners) of the second sealing member 4. In the sixth through hole 44, through electrodes for conducting conduction of the electrodes formed on the first main surface 411 and the second main surface 412 are formed along the inner wall surface of each of the through holes. Further, the central portion of each of the sixth through holes 44 is a hollow through portion that penetrates between the first main surface 411 and the second main surface 412. Further, on the first main surface 411 of the second sealing member 4, a connection pattern 45 is formed around the sixth through hole 44, respectively.

第2封止部材4において、封止側第2接合パターン421、および接続用接合パターン45は、同一のプロセスで形成することができる。具体的には、これらは、第2封止部材4の第1主面411上に物理的気相成長させて形成された下地膜と、当該下地膜上に物理的気相成長させて積層形成された接合膜とから形成することができる。なお、本実施の形態では、下地膜には、Ti(もしくはCr)が用いられ、接合膜にはAuが用いられている。 In the second sealing member 4, the sealing-side second joining pattern 421 and the connecting joining pattern 45 can be formed by the same process. Specifically, these are laminated with a base film formed by physical vapor deposition on the first main surface 411 of the second sealing member 4 and physically vapor-deposited on the base film. It can be formed from the bonded film. In this embodiment, Ti (or Cr) is used as the base film, and Au is used as the bonding film.

上記の水晶振動板2、第1封止部材3、および第2封止部材4を含む水晶発振器101では、水晶振動板2と第1封止部材3とが振動側第1接合パターン251および封止側第1接合パターン321を重ね合わせた状態で拡散接合され、水晶振動板2と第2封止部材4とが振動側第2接合パターン252および封止側第2接合パターン421を重ね合わせた状態で拡散接合されて、図1に示すサンドイッチ構造のパッケージ12が製造される。これにより、パッケージ12の内部空間、つまり、振動部22の収容空間が気密封止される。 In the crystal oscillator 101 including the crystal diaphragm 2, the first sealing member 3, and the second sealing member 4, the crystal diaphragm 2 and the first sealing member 3 are sealed with the vibration side first bonding pattern 251. The first bonding pattern 321 on the stop side was overlapped and diffusion-bonded, and the crystal diaphragm 2 and the second sealing member 4 overlapped the second bonding pattern 252 on the vibrating side and the second bonding pattern 421 on the sealing side. The package 12 having the sandwich structure shown in FIG. 1 is manufactured by diffusion bonding in the state. As a result, the internal space of the package 12, that is, the accommodation space of the vibrating portion 22 is hermetically sealed.

この際、上述した接続用接合パターン同士も重ね合わせられた状態で拡散接合される。そして、接続用接合パターン同士の接合により、水晶発振器101では、第1励振電極221、第2励振電極222、ICチップ5および外部電極端子43の電気的導通が得られるようになっている。 At this time, the connection patterns described above are also diffusion-bonded in a superposed state. Then, by joining the connection patterns to each other, the crystal oscillator 101 can obtain electrical conduction between the first excitation electrode 221 and the second excitation electrode 222, the IC chip 5, and the external electrode terminal 43.

具体的には、第1励振電極221は、第1引出配線223、接続用接合パターン27と接続用接合パターン353との接合部、配線パターン33、接続用接合パターン351、第4貫通孔323内の貫通電極、および電極パターン37を順に経由して、ICチップ5に接続される。第2励振電極222は、第2引出配線224、接続用接合パターン28、第2貫通孔262内の貫通電極、接続用接合パターン254と接続用接合パターン352との接合部、第5貫通孔324内の貫通電極、および電極パターン37を順に経由して、ICチップ5に接続される。また、ICチップ5は、電極パターン37、第3貫通孔322内の貫通電極、接続用接合パターン34と接続用接合パターン253との接合部、第1貫通孔261内の貫通電極、接続用接合パターン253と接続用接合パターン45との接合部、および第6貫通孔44内の貫通電極を順に経由して、外部電極端子43に接続される。 Specifically, the first excitation electrode 221 is provided in the first lead-out wiring 223, the joint portion between the connection joint pattern 27 and the connection joint pattern 353, the wiring pattern 33, the connection joint pattern 351 and the fourth through hole 323. It is connected to the IC chip 5 via the through electrode and the electrode pattern 37 in this order. The second excitation electrode 222 includes a second lead-out wiring 224, a connection pattern 28, a through electrode in the second through hole 262, a joint portion between the connection connection pattern 254 and the connection connection pattern 352, and a fifth through hole 324. It is connected to the IC chip 5 via a through electrode and an electrode pattern 37 in this order. Further, the IC chip 5 includes an electrode pattern 37, a through electrode in the third through hole 322, a joint portion between the connection joint pattern 34 and the connection joint pattern 253, a through electrode in the first through hole 261 and a connection joint. It is connected to the external electrode terminal 43 via the joint portion between the pattern 253 and the connection pattern 45 and the through electrode in the sixth through hole 44 in this order.

以上が本実施の形態にかかる水晶発振器101の基本構造であるが、本発明における特徴点は、水晶振動板2において、外枠部23と保持部24との厚みの違いにより生じる段差部の形状と、該段差部に形成される引出配線の位置関係とにある。これより、この特徴点について詳細に説明する。 The above is the basic structure of the crystal oscillator 101 according to the present embodiment, but the feature in the present invention is the shape of the stepped portion caused by the difference in thickness between the outer frame portion 23 and the holding portion 24 in the crystal diaphragm 2. And the positional relationship of the lead-out wiring formed in the stepped portion. From this, this feature point will be described in detail.

図8は、水晶振動板2において、水晶板へのエッチング工程が施された直後(電極や配線が形成される前)の状態を示す図であり、(a)は第1主面211側の平面図、(b)は第2主面212側の平面図である。尚、図8に示す例では、振動部の中央にメサ構造を形成しない場合を例示しており、矩形状の水晶板に対し、外形形成エッチングおよび周波数調整エッチングの2回のエッチング処理が行われるものとする。 FIG. 8 is a diagram showing a state of the crystal diaphragm 2 immediately after the etching step on the crystal plate is performed (before the electrodes and wiring are formed), and FIG. 8A is a view on the first main surface 211 side. The plan view, (b) is a plan view on the second main surface 212 side. In the example shown in FIG. 8, a case where the mesa structure is not formed in the center of the vibrating portion is illustrated, and the rectangular crystal plate is subjected to two etching processes of outer shape forming etching and frequency adjustment etching. It shall be.

外形形成エッチングでは、矩形状の水晶板に切り抜き部を形成し、振動部22、外枠部23および保持部24の外形形状を形成する。また、水晶振動板2における貫通孔も外形形成エッチングにおいて形成される。 In the outer shape forming etching, a cutout portion is formed in a rectangular crystal plate to form the outer shape of the vibrating portion 22, the outer frame portion 23, and the holding portion 24. Further, a through hole in the crystal diaphragm 2 is also formed by the outer shape forming etching.

周波数調整エッチングは、水晶振動デバイスの発振振動数を所定の値とするために、振動部22および保持部24の厚みを調整するエッチング工程である。図8では、周波数調整エッチングによるエッチング領域Egを斜線ハッチングにて示している。エッチング領域Egは、振動部22と保持部24の少なくとも一部とを含み、外枠部23よりも厚みが薄くなっている。 The frequency adjustment etching is an etching step of adjusting the thickness of the vibrating portion 22 and the holding portion 24 in order to set the oscillating frequency of the crystal vibrating device to a predetermined value. In FIG. 8, the etching region Eg by frequency adjustment etching is shown by diagonal hatching. The etching region Eg includes at least a part of the vibrating portion 22 and the holding portion 24, and is thinner than the outer frame portion 23.

エッチング領域Egの境界には、水晶板の厚み差による段差が形成される。この時、段差となる境界線がX軸に平行であれば、この段差が水晶板の主面に対して垂直な断面を有する段差となったり、場合によっては、段差の側面が垂直からさらに傾斜し、段差の側面と主面(保持部の主面または外枠部の主面)とのなす角が鋭角となるようなえぐれ形状となることは上述した通りである。また、このような垂直断面の段差やえぐれ形状を有する段差を越えるようにして励振電極からの引出配線を形成すると、この引出配線において断線が生じやすくなることも上述した通りである。 A step is formed at the boundary of the etching region Eg due to the difference in thickness of the quartz plate. At this time, if the boundary line to be a step is parallel to the X-axis, this step becomes a step having a cross section perpendicular to the main surface of the crystal plate, or in some cases, the side surface of the step is further inclined from the vertical. However, as described above, the shape is such that the angle formed by the side surface of the step and the main surface (the main surface of the holding portion or the main surface of the outer frame portion) is an acute angle. Further, as described above, if the lead-out wiring from the excitation electrode is formed so as to exceed such a step in a vertical cross section or a step having a gouged shape, disconnection is likely to occur in this lead-out wiring.

そして、本実施の形態では、保持部24は、振動部22の+X方向かつ−Z´方向に位置する1つの角部のみから、−Z´方向に向けて外枠部23まで延びている(突出している)。この場合、保持部24と外枠部23との境界は、外枠部の内周辺のうちX軸と平行な辺上に存在する。したがって、エッチング領域Egの境界を保持部24と外枠部23との境界に合わせると(図9(a)参照)、上述したように、エッチング領域Egの境界に垂直断面の段差が生じたり(図9(b)参照)、えぐれ形状を有する段差が生じたりする(図9(c)参照)。但し、このような垂直断面の段差は、水晶板の結晶異方性により、両主面に生じるのではなく、基本的には一方の主面にしか生じない。すなわち、第1主面211側におけるエッチング領域Egの境界が垂直断面の段差になるとすれば、第2主面212側におけるエッチング領域Egの境界は緩やかな段差になる(図9(d)参照)。尚、ここでの緩やかな段差とは、段差の側面が傾斜し、段差の側面と主面(保持部の主面または外枠部の主面)とのなす角が鈍角となるような形状を指す。 Then, in the present embodiment, the holding portion 24 extends from only one corner portion of the vibrating portion 22 located in the + X direction and the −Z ′ direction to the outer frame portion 23 in the −Z ′ direction (). (Protruding). In this case, the boundary between the holding portion 24 and the outer frame portion 23 exists on a side of the inner periphery of the outer frame portion that is parallel to the X axis. Therefore, when the boundary of the etching region Eg is aligned with the boundary between the holding portion 24 and the outer frame portion 23 (see FIG. 9A), as described above, a step in the vertical cross section occurs at the boundary of the etching region Eg (see FIG. 9A). (See FIG. 9 (b)), a step having a hollow shape may occur (see FIG. 9 (c)). However, such a step in the vertical cross section does not occur on both main surfaces due to the crystal anisotropy of the quartz plate, but basically occurs only on one main surface. That is, if the boundary of the etching region Eg on the first main surface 211 side is a step in the vertical cross section, the boundary of the etching region Eg on the second main surface 212 side is a gentle step (see FIG. 9D). .. The gentle step here means a shape in which the side surface of the step is inclined and the angle formed by the side surface of the step and the main surface (main surface of the holding portion or the main surface of the outer frame portion) is obtuse. Point.

本実施の形態に係る水晶振動板2では、励振電極からの引出配線における断線等を抑制するため、エッチング領域Egの境界形状を工夫した点に特徴がある。しかしながら、このような工夫が必要となるのは、水晶板の一方の主面(ここでは第1主面211)のみであるため、他方の主面(ここでは第2主面212)は、従来のように、エッチング領域Egの境界を保持部24と外枠部23との境界に合わせてもよい(図8(b)参照)。 The crystal diaphragm 2 according to the present embodiment is characterized in that the boundary shape of the etching region Eg is devised in order to suppress disconnection in the lead wiring from the excitation electrode. However, since it is only one main surface of the quartz plate (here, the first main surface 211) that requires such a device, the other main surface (here, the second main surface 212) is conventionally used. As described above, the boundary of the etching region Eg may be aligned with the boundary between the holding portion 24 and the outer frame portion 23 (see FIG. 8B).

本発明の特徴である断線抑制対策が施される水晶振動板2の第1主面211では、図10に示すように、エッチング領域Egの境界を保持部24と外枠部23との境界に合わせることはせず、エッチング領域Egの境界の少なくとも一部を、X軸に平行とならない境界線L1とする。この場合、境界線L1において生じる段差は、垂直断面やえぐれ形状を有する段差とはならず、緩やかな段差になる。そして、第1主面211に形成される第1引出配線223は、境界線L1の少なくとも一部を越えるようにして形成される。 In the first main surface 211 of the crystal diaphragm 2 to which the disconnection suppressing measure, which is a feature of the present invention, is taken, as shown in FIG. 10, the boundary of the etching region Eg is defined as the boundary between the holding portion 24 and the outer frame portion 23. At least a part of the boundary of the etching region Eg is defined as a boundary line L1 that is not parallel to the X axis without being aligned. In this case, the step generated at the boundary line L1 does not become a step having a vertical cross section or a gouged shape, but becomes a gentle step. The first lead-out wiring 223 formed on the first main surface 211 is formed so as to cross at least a part of the boundary line L1.

これにより、第1引出配線223と重畳する部分の段差の少なくとも一部が、平面視でX軸と平行とならないように形成される。第1引出配線223と重畳する段差のうち、X軸と平行とならない部分では、緩やかな段差の上に第1引出配線223が形成されることになるため、この部分では配線膜厚を十分に確保することができ、第1引出配線223の断線や高抵抗化を抑制することができる。 As a result, at least a part of the step of the portion overlapping with the first lead-out wiring 223 is formed so as not to be parallel to the X axis in a plan view. Of the steps that overlap with the first lead-out wiring 223, the first lead-out wiring 223 is formed on the gentle steps in the portion that is not parallel to the X-axis, so that the wiring film thickness is sufficient in this portion. It can be secured, and disconnection of the first lead-out wiring 223 and high resistance can be suppressed.

尚、エッチング領域Egの境界の形状は、図10に示す例に限定されるものではなく、他に様々な形状例が考えられる。エッチング領域Egの境界形状のいくつかの変形例を図11(a),(b)、図12(a),(b)および図13に示す。 The shape of the boundary of the etching region Eg is not limited to the example shown in FIG. 10, and various other shape examples can be considered. Some modifications of the boundary shape of the etching region Eg are shown in FIGS. 11 (a), 11 (b), 12 (a), 12 (b) and 13.

図10に示す例では、エッチング領域Egの境界は、その全てがX軸に平行とならない境界線L1ではなく、一部にX軸に平行となる境界線L2を含んでいる。しかしながら、図11(a),(b)および図13に示すように、エッチング領域Egの境界の全てがX軸に平行とならない境界線L1であってもよい。 In the example shown in FIG. 10, the boundary of the etching region Eg includes not all the boundary line L1 that is not parallel to the X-axis, but a boundary line L2 that is partially parallel to the X-axis. However, as shown in FIGS. 11 (a), 11 (b) and 13, all the boundaries of the etching region Eg may be boundary lines L1 that are not parallel to the X-axis.

また、X軸に平行とならない境界線L1は、図11(a)に示すように平面視で曲線(例えば円弧)であってもよく、図11(b)、図12(a),(b)および図13に示すように平面視で直線であってもよい。但し、境界線L1は直線とした方が、緩やかな段差部分を長く形成することができるため、第1引出配線223と重畳する段差の少なくとも一部は、段差上での第1引出配線223の断線等をより効果的に抑制するために直線部分として形成されていることが好ましい。 Further, the boundary line L1 that is not parallel to the X-axis may be a curved line (for example, an arc) in a plan view as shown in FIG. 11 (a), and FIGS. 11 (b), 12 (a), and (b). ) And as shown in FIG. 13, it may be a straight line in a plan view. However, if the boundary line L1 is a straight line, a gentle step portion can be formed longer. Therefore, at least a part of the step overlapping with the first leader wiring 223 is the first leader wiring 223 on the step. It is preferably formed as a straight portion in order to more effectively suppress disconnection and the like.

また、直線として形成される境界線L1は、図12(a),(b)に示すように、平面視でX軸と直交するように形成されていることが好ましい。これは、上記段差は平面視でX軸と直交する角度に近くなるほど段差が緩やかとなり、X軸と直交するように形成されている箇所で最も緩やかとなるためである。すなわち、第1引出配線223と重畳する段差の少なくとも一部をX軸と直交する直線とすることで、第1引出配線223の断線等をより効果的に抑制することができる。 Further, as shown in FIGS. 12A and 12B, the boundary line L1 formed as a straight line is preferably formed so as to be orthogonal to the X axis in a plan view. This is because the step becomes gentler as it approaches an angle orthogonal to the X-axis in a plan view, and becomes the gentlest at a portion formed so as to be orthogonal to the X-axis. That is, by making at least a part of the step overlapping with the first lead-out wiring 223 a straight line orthogonal to the X-axis, it is possible to more effectively suppress the disconnection of the first lead-out wiring 223.

尚、第1引出配線223と重畳する段差に直線部分を設ける場合、この直線部分の長さW1は第1引出配線223の線幅W2の半分以上とすることが好ましい(図12(b)参照)。さらには、第1引出配線223と重畳する段差に直線部分を設ける場合、この直線部分の長さは第1引出配線223の線幅以上とすることが好ましい(図11(b)、図12(a)参照)。すなわち、第1引出配線223の線幅に対して、上記直線部分の長さを長くするほど、第1引出配線223の断線等をより効果的に抑制することができる。 When a straight line portion is provided on the step overlapping with the first lead-out wiring 223, the length W1 of the straight line portion is preferably half or more of the line width W2 of the first lead-out wiring 223 (see FIG. 12B). ). Further, when a straight line portion is provided on the step overlapping with the first lead-out wiring 223, the length of the straight line portion is preferably equal to or longer than the line width of the first lead-out wiring 223 (FIGS. 11B and 12). a) See). That is, the longer the length of the straight line portion with respect to the line width of the first leader wiring 223, the more effectively the disconnection of the first leader wiring 223 and the like can be suppressed.

また、図10、図11(a),(b)および図12(a),(b)の例では、エッチング領域Egの境界(すなわち段差)は、保持部24と外枠部23との境界よりも外枠部23側に形成されている。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、図13に示すように、エッチング領域Egの境界は、保持部24と外枠部23との境界よりも保持部24側に形成されていてもよい。但し、段差が保持部24側に形成される場合には、該段差において+X側の境界に上述したえぐれ形状の断面が生じやすくなるため、これを防止するためには、エッチング領域Egの境界は外枠部23側に形成されることが好ましい。 Further, in the examples of FIGS. 10, 11 (a) and 11 (b) and FIGS. 12 (a) and 12 (b), the boundary (that is, the step) of the etching region Eg is the boundary between the holding portion 24 and the outer frame portion 23. It is formed on the outer frame portion 23 side. However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. 13, the boundary of the etching region Eg is formed on the holding portion 24 side of the boundary between the holding portion 24 and the outer frame portion 23. May be good. However, when a step is formed on the holding portion 24 side, the above-mentioned hollow-shaped cross section is likely to occur at the boundary on the + X side at the step. Therefore, in order to prevent this, the boundary of the etching region Eg is set. It is preferably formed on the outer frame portion 23 side.

また、エッチング領域Egの境界(すなわち段差)を、保持部24と外枠部23との境界よりも外枠部23側に形成する場合、エッチング領域Egは外枠部23の一部に入り込んで形成される入り込み部を有する。そして、この入り込み部における−X側の始点Pは、図10に示すように、保持部24と外枠部23との接続域Rの内側に形成される構成とすることができる。この構成では、入り込み部の面積が抑制されることで、外枠部23における封止部材(第1封止部材3、第2封止部材4)との接合面積を確保できる。これにより、水晶振動デバイス(例えば、水晶発振器101)においての接合強度および封止性の低下を抑制できる。 Further, when the boundary (that is, the step) of the etching region Eg is formed on the outer frame portion 23 side of the boundary between the holding portion 24 and the outer frame portion 23, the etching region Eg enters a part of the outer frame portion 23. It has an etching portion to be formed. Then, as shown in FIG. 10, the start point P on the −X side in this entry portion can be formed inside the connection area R between the holding portion 24 and the outer frame portion 23. In this configuration, the area of the intruding portion is suppressed, so that the joint area of the outer frame portion 23 with the sealing member (first sealing member 3, second sealing member 4) can be secured. As a result, it is possible to suppress a decrease in bonding strength and sealing property in the crystal vibration device (for example, the crystal oscillator 101).

また、外枠部23に上記入り込み部が形成される場合、始点Pが、保持部24の−X側の辺の延長線上に形成されていると、周波数調整エッチングの際に保持部24と外枠部23との接続部に窪みが発生することが本願発明者によって見出された。このような窪みが発生すると、保持部24と外枠部23との接続部において該窪みが応力集中点となり、水晶振動デバイスの耐衝撃性が低下する。図10に示すように、始点Pを保持部24と外枠部23との接続域Rの内側に形成する構成では、上記窪みの発生が回避でき、その結果、水晶振動デバイスにおける耐衝撃性の低下を防止できる。 Further, when the intrusion portion is formed in the outer frame portion 23, if the starting point P is formed on the extension line of the −X side side of the holding portion 24, the holding portion 24 and the outside are formed during frequency adjustment etching. It has been found by the inventor of the present application that a dent is generated at the connection portion with the frame portion 23. When such a dent is generated, the dent becomes a stress concentration point at the connecting portion between the holding portion 24 and the outer frame portion 23, and the impact resistance of the crystal vibration device is lowered. As shown in FIG. 10, in the configuration in which the start point P is formed inside the connection area R between the holding portion 24 and the outer frame portion 23, the occurrence of the dent can be avoided, and as a result, the impact resistance of the crystal vibration device is improved. It can prevent the decrease.

今回開示した実施形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。従って、本発明の技術的範囲は、上記した実施形態のみによって解釈されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。 The embodiments disclosed this time are exemplary in all respects and do not provide a basis for limited interpretation. Therefore, the technical scope of the present invention is not construed solely by the above-described embodiments, but is defined based on the description of the claims. It also includes all changes within the meaning and scope of the claims.

2 水晶振動板
3 第1封止部材
4 第2封止部材
5 ICチップ
12 パッケージ
22 振動部
23 外枠部
24 保持部
101 水晶発振器(水晶発振デバイス)
211 第1主面
212 第2主面
221 第1励振電極
222 第2励振電極
223 第1引出配線
224 第2引出配線
Eg エッチング領域
L1 X軸に平行とならない境界線
2 Crystal diaphragm 3 1st sealing member 4 2nd sealing member 5 IC chip 12 Package 22 Vibrating part 23 Outer frame part 24 Holding part 101 Crystal oscillator (crystal oscillator)
211 1st main surface 212 2nd main surface 221 1st excitation electrode 222 2nd excitation electrode 223 1st lead-out wiring 224 2nd lead-out wiring Eg Etching region L1 Boundary line not parallel to X-axis

Claims (6)

一主面に形成された第1励振電極と、他主面に形成された第2励振電極とが備えられた略矩形状の振動部と、
前記振動部の角部から、ATカットのZ´軸方向に突出され、当該振動部を保持する保持部と、
前記振動部の外周を取り囲むと共に、前記保持部を保持する外枠部とを有してなるATカット型の水晶振動板であって、
前記保持部と前記外枠部との境界が、前記外枠部の内周辺のうち、X軸と平行な辺上にあるとした場合、
前記振動部と前記保持部との少なくとも一部は、前記外枠部よりも厚みを薄くされたエッチング領域とされており、当該エッチング領域によって前記保持部と前記外枠部との境界付近には段差が形成されており、
前記第1励振電極および前記第2励振電極の引出配線が、前記段差と重畳するように前記保持部から前記外枠部に渡って形成されており、
前記一主面および前記他主面の少なくとも一方では、前記引出配線と重畳する部分の前記段差の少なくとも一部が、平面視でX軸と平行とならないように形成されており、
前記引出配線と重畳する部分の前記段差の少なくとも一部が、平面視でX軸と平行とならない直線部分として形成されており、
前記直線部分の長さは、前記引出配線の線幅以上であることを特徴とする水晶振動板。
A substantially rectangular vibrating portion provided with a first excitation electrode formed on one main surface and a second excitation electrode formed on the other main surface.
A holding portion that protrudes from the corner portion of the vibrating portion in the Z'axis direction of the AT cut and holds the vibrating portion, and a holding portion.
An AT-cut type crystal diaphragm having an outer frame portion that surrounds the outer circumference of the vibrating portion and holds the holding portion.
When the boundary between the holding portion and the outer frame portion is on a side of the inner periphery of the outer frame portion parallel to the X axis.
At least a part of the vibrating portion and the holding portion is an etching region having a thickness thinner than that of the outer frame portion, and the etching region brings an etching region near the boundary between the holding portion and the outer frame portion. A step is formed,
The lead wiring of the first excitation electrode and the second excitation electrode is formed from the holding portion to the outer frame portion so as to overlap the step.
At least one of the one main surface and the other main surface is formed so that at least a part of the step of the portion overlapping with the lead wiring is not parallel to the X axis in a plan view .
At least a part of the step of the portion that overlaps with the lead wiring is formed as a straight portion that is not parallel to the X axis in a plan view.
A crystal diaphragm characterized in that the length of the straight portion is equal to or larger than the line width of the lead-out wiring .
請求項に記載の水晶振動板であって、
前記直線部分は、平面視でX軸と直交することを特徴とする水晶振動板。
The crystal diaphragm according to claim 1 .
The straight line portion is a crystal diaphragm characterized in that it is orthogonal to the X axis in a plan view.
請求項1または2に記載の水晶振動板であって、
前記段差は、前記保持部と前記外枠部との境界よりも外枠部側に形成されていることを特徴とする水晶振動板。
The crystal diaphragm according to claim 1 or 2 .
A crystal diaphragm characterized in that the step is formed on the outer frame portion side of the boundary between the holding portion and the outer frame portion.
請求項1からの何れか1項に記載の水晶振動板であって、
前記一主面および前記他主面の少なくとも一方では、前記エッチング領域は前記保持部から前記外枠部の一部に入り込んで形成される入り込み部を有しており、当該入り込み部における前記エッチング領域の境界線が前記段差となるものであり、
前記段差の−X側の始点は、前記保持部と前記外枠部との接続域の内側に形成されていることを特徴とする水晶振動板。
The crystal diaphragm according to any one of claims 1 to 3 .
On at least one of the one main surface and the other main surface, the etching region has a penetration portion formed by entering a part of the outer frame portion from the holding portion, and the etching region in the penetration portion. The boundary line of is the step.
A crystal diaphragm characterized in that a starting point on the −X side of the step is formed inside a connection area between the holding portion and the outer frame portion.
一主面に形成された第1励振電極と、他主面に形成された第2励振電極とが備えられた略矩形状の振動部と、A substantially rectangular vibrating portion provided with a first excitation electrode formed on one main surface and a second excitation electrode formed on the other main surface.
前記振動部の角部から、ATカットのZ´軸方向に突出され、当該振動部を保持する保持部と、A holding portion that protrudes from the corner portion of the vibrating portion in the Z'axis direction of the AT cut and holds the vibrating portion, and a holding portion.
前記振動部の外周を取り囲むと共に、前記保持部を保持する外枠部とを有してなるATカット型の水晶振動板であって、An AT-cut type crystal diaphragm having an outer frame portion that surrounds the outer circumference of the vibrating portion and holds the holding portion.
前記保持部と前記外枠部との境界が、前記外枠部の内周辺のうち、X軸と平行な辺上にあるとした場合、When the boundary between the holding portion and the outer frame portion is on a side of the inner periphery of the outer frame portion parallel to the X axis.
前記振動部と前記保持部との少なくとも一部は、前記外枠部よりも厚みを薄くされたエッチング領域とされており、当該エッチング領域によって前記保持部と前記外枠部との境界付近には段差が形成されており、At least a part of the vibrating portion and the holding portion is an etching region having a thickness thinner than that of the outer frame portion, and the etching region brings an etching region near the boundary between the holding portion and the outer frame portion. A step is formed,
前記第1励振電極および前記第2励振電極の引出配線が、前記段差と重畳するように前記保持部から前記外枠部に渡って形成されており、The lead wiring of the first excitation electrode and the second excitation electrode is formed from the holding portion to the outer frame portion so as to overlap the step.
前記一主面および前記他主面の少なくとも一方では、前記引出配線と重畳する部分の前記段差の少なくとも一部が、平面視でX軸と平行とならないように形成されており、At least one of the one main surface and the other main surface is formed so that at least a part of the step of the portion overlapping with the lead wiring is not parallel to the X axis in a plan view.
前記引出配線と重畳する部分の前記段差の少なくとも一部が、平面視でX軸と平行とならない直線部分として形成されており、At least a part of the step of the portion that overlaps with the lead wiring is formed as a straight portion that is not parallel to the X axis in a plan view.
前記引出配線が、複数の前記直線部分に跨って形成されていることを特徴とする水晶振動板。A crystal diaphragm characterized in that the lead-out wiring is formed so as to straddle the plurality of straight portions.
請求項1からの何れか1項に記載された水晶振動板と、
前記水晶振動板の前記一主面を覆う第1封止部材と、
前記水晶振動板の前記他主面を覆う第2封止部材とが備えられたことを特徴とする水晶振動デバイス。
The crystal diaphragm according to any one of claims 1 to 5 .
A first sealing member that covers the one main surface of the crystal diaphragm,
A crystal vibration device including a second sealing member that covers the other main surface of the crystal diaphragm.
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