JP6745859B2 - チタン銅箔、伸銅品、電子機器部品及びオートフォーカスカメラモジュール - Google Patents
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Description
本発明に係るチタン銅箔の一実施形態は、Tiを1.5〜5.0質量%で含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、圧延方向に平行な断面をSTEM−EDXで厚み方向に沿って分析して得られるTi濃度曲線において、Ti濃度がTi濃度曲線におけるTi濃度の平均値未満である低濃度Ti層と、Ti濃度がTi濃度曲線におけるTi濃度の平均値以上である高濃度Ti層とが交互に存在し、下記に定義されるHH及びHLについて、1.0質量%≦HH≦30質量%かつHH/HL≧1.1を満たす。なお、本発明において、STEM−EDXとは、走査型透過電子顕微鏡(STEM)を用いたエネルギー分散型X線分光法(EDX)による分析をいう。
本発明に係るチタン銅箔の一実施形態では、Ti濃度を1.5〜5.0質量%とする。チタン銅箔は、溶体化処理によりCuマトリックス中へTiを固溶させ、時効処理により微細な析出物を合金中に分散させることにより、強度及び導電率を上昇させる。
本発明に係るチタン銅箔は、一実施形態において、Ag、B、Co、Fe、Mg、Mn、Mo、Ni、P、Si、Cr及びZrのうち一種以上を総量で1.0質量%以下含有させることにより、強度を更に向上させることができる。但し、これらの元素の合計含有量は0、つまり、これら元素を含まなくてもよい。これらの元素の合計含有量の上限を1.0質量%とする理由については、1.0質量%を超えると、加工性が劣化し、圧延の際に材料が割れやすくなるからである。強度及び加工性のバランスを考慮すると、上記元素の一種以上を総量で0.005〜0.5質量%含有させることが好ましい。なお、本発明においては、上記添加元素を含有しなくても、所望の効果を有する。
本発明に係るチタン銅箔の一実施形態では、圧延方向に平行な方向の引張強さが、たとえば1100MPa以上、さらには1200MPa以上を達成することができる。圧延方向に平行な方向での引張強さが1200MPa以上であることは、オートフォーカスカメラモジュールの導電性ばね材として利用する上で望ましい特性である。好ましい実施形態では、圧延方向に平行な方向及び垂直な方向の引張強さはともに1300MPa以上であり、さらに好ましい実施形態ではともに1400MPa以上である。
一方、引張強さの上限値について、本発明が目的とする強度の点では特に制限はないが、手間及びコストを考慮すると、圧延方向に平行な方向及び直角な方向の引張強さは一般には2000MPa以下であり、典型的には1800MPa以下である。
本発明においては、チタン銅箔の圧延方向に平行な方向での引張強さは、JIS Z2241:2011(金属材料引張試験方法)に準拠して測定する。
低サイクル疲労特性は屈曲試験による破断までの繰り返し回数(屈曲回数)で評価する。本発明に係るチタン銅箔の一実施形態では、屈曲試験での破断までの繰り返し回数が例えば500回、さらに1000回以上を達成することができる。屈曲試験での破断までの繰り返し回数が1000回以上であることはオートフォーカスモジュールの導電性ばね材として利用する上で好ましい特性である。屈曲回数は高ければ高いほど低サイクル疲労特性が良好であり、500回以上であることが好ましく、800回以上であることがより好ましく、1000回以上であることが更に好ましい。なお、低サイクル疲労特性は材料にたわみ(屈曲)を与えた際に破断しない性質を指すことから、必ずしも強度(引張強さや0.2%耐力)が高い材料が低サイクル疲労特性も良好とは限らない。
また、本発明において、屈曲回数の測定は、JIS P8115:2001に従うMIT試験で行う。
へたりは、当該チタン銅箔を所定の大きさとなるように短冊試料を採取し、試料の長手方向の一方の端部を固定し、その固定端から距離Lの位置に、他方の端部の先端をナイフエッジに加工したポンチを押し当て、試料に距離dのたわみを与えた後、ポンチを初期の位置に戻すため除荷する(図7参照。)。上記ポンチを除荷した後、へたり量δを求める。へたり量は、低ければ低いほど耐へたり性が良好であり、0.3以下が好ましく、0.1以下がより好ましく、0.05以下が更に好ましく、0.01未満がより更に好ましい。なお、試験条件は試料の厚みに応じて、上記Lとdは調整してもよい。
エッチング性は、所定のエッチング溶液を用いて、当該チタン銅箔に対してエッチングを行い、所定の大きさの直線回路を形成し、この回路をSTEMで観察する。ここで、最大回路幅と最小回路幅の差が、小さければ小さいほどエッチング性が良好であり、10μm未満が好ましい。
本発明に係るチタン銅箔の一実施形態は、図1、2に例示するように、圧延方向に平行な断面に対して走査型透過電子顕微鏡(STEM)を用いたエネルギー分散型X線分光法(EDX)による分析(STEM−EDX分析)を行った場合、圧延方向に平行な断面に、Ti濃度が平均濃度未満である低濃度Ti層と、Ti濃度が平均濃度以上である高濃度Ti層とが、厚み方向(図1では上下方向)に交互に存在する。換言すれば、本発明に係るチタン銅箔は一実施形態において、厚み方向にTi濃度が変化する。すなわち、本発明において、Cu及び高濃度Tiからなる層と、Cu及び低濃度Tiからなる層とが交互に存在する層状組織を有する。
このような層状組織が圧延方向に平行な断面に連続的に安定して存在することにより、たわみに対する抵抗が強化されて永久変形が生じ難くなり、仮に厚みが0.1mm以下の薄い銅箔であっても、へたりを有効に抑制することができると考えられるが、本発明はこのような理論に限定されるものではない。
この「層状組織」とは、低濃度Ti層と高濃度Ti層とが厚み方向に交互に存在する組織であり、それぞれの層が圧延方向に50nm以上連なるものとして定義される。すなわち、圧延方向においては、Ti濃度の変化が小さいといえる。一方、それぞれの層が圧延方向に対する層の長さが50nm未満であるものは斑点組織と定義される。すなわち、圧延方向においては、層状組織と比べTi濃度の変化が大きいといえる。
層状組織を調査する方法として下記に説明する。例えば、上記STEM−EDX分析をする場合、1視野(倍率1,000,000倍、観察視野:140nm×140nm)において、まず厚み方向にライン分析を行い、Ti濃度曲線を得る。続いて当該Ti濃度曲線のTi濃度の内の任意の1点において、厚み方向に垂直な方向(圧延方向)にライン分析を行い、そのTi濃度のばらつきが選択した測定値に対して±5%の範囲内となる、圧延方向の長さを求める。上記の長さ測定を異なる視野で3回行い、長さの平均値が50nm以上である場合には層状組織が存在すると言える。
この分析は、STEM−EDX分析により行う。STEM−EDXで圧延方向に平行な断面を厚み方向に線分析すると、Ti濃度の大小により、測定点毎のTi濃度が変化する。本発明においては、1視野(倍率1,000,000倍、観察視野:140nm×140nm)におけるTi濃度を測定し、図2に示すような厚み方向の距離に対するTi濃度曲線を得る。Ti濃度曲線における高濃度Ti層と低濃度Ti層は、JIS B0601に規定される表面性状についての輪郭曲線をTi濃度曲線に置き換えて準用する。すなわち、高濃度Ti層はTi濃度曲線をB(Ti濃度曲線における平均値)によって分断したときにX軸方向に隣り合う二つの交点に挟まれた曲線部分のうち、Ti濃度曲線の平均値又は当該平均値よりTi濃度が大きくなる上側の部分として定義する。また、低濃度Ti層はTi濃度曲線をB(Ti濃度曲線における平均値)によって分断したときにX軸方向に隣り合う二つの交点に挟まれた曲線部分のうち、Ti濃度曲線の平均値よりTi濃度が小さくなる下側の部分として定義する。
先述したチタン銅箔を得るためには、前記Ti濃度曲線における高濃度Ti層の高さHHを一定以上にすることが重要である。上記の高さHHは、優れた低サイクル疲労特性が発現するという観点から、1.0質量%以上であり、2.0質量%以上とすることが好ましく、3.0質量%以上とすることがより好ましく、4.5質量%以上とすることが更に好ましい。上記の高さHHは、エッチング性を良好にするという観点から、30質量%以下とし、20質量%以下とすることが好ましく、15質量%以下とすることがより好ましく、10質量%以下とすることが更に好ましい。
以下に高濃度Ti層の高さHHと低濃度Ti層の高さHLを求める方法について明記する。図2に示す通り、厚み方向140nmにおいて、前記Ti濃度曲線におけるピークの濃度を高い方から順に5つ選択したA1、A2、A3、A4、A5とし、Ti濃度曲線のそれぞれの谷部における最小濃度を濃度の低い方から順に5つ選択したC1、C2、C3、C4、C5とし、前記Ti濃度曲線の平均Ti濃度をBとした時、高濃度Ti層の高さHHは以下の式(1)で定義され、低濃度Ti層の高さHLは以下の式(2)で定義される。
式(1) HH={(A1−B)+(A2−B)+(A3−B)+(A4−B)+(A5−B)}/5
式(2) HL={(B−C1)+(B−C2)+(B−C3)+(B−C4)+(B−C5)}/5
このようにして、各視野のHHとHLを求め、3つの異なる視野におけるHHとHLの平均値をHHとHLの測定値とする。
なお、CuとTiの層状組織は圧延方向と平行に発現されることから、上記の線分析は必ず、チタン銅箔の厚み方向に対して行う。
低濃度Ti層に対する高濃度Ti層の高さの比は前記のHH、HLを用いることでHH/HLと定義される。
先述したチタン銅箔を得るためには、上記Ti濃度曲線において、HH/HLを適切に調整する必要がある。
HH/HLが小さいと、良好な低サイクル疲労特性が得られ難くなる。上述の低サイクル疲労特性を得るためには、HH/HLを1.1以上にすることが好ましく、1.2以上にすることがより好ましく、1.3以上にすることが更に好ましい。但し、HH/HLが高すぎることによるデメリットは無いものの、手間やコストを考慮すると一般的には10以下に調整することが好ましく、8以下に調整することがより好ましく、5以下に調整することが更に好ましい。
本発明に係るチタン銅箔は一実施形態においては、たとえば厚みが0.1mm以下であり、典型的な実施形態では厚みが0.018mm〜0.08mmであり、より典型的な実施形態では厚みが0.02mm〜0.06mmである。
上述したようなチタン銅箔を製造するには、まず溶解炉で電気銅、Ti等の原料を溶解し、所望の組成の溶湯を得る。そして、この溶湯を鋳型の鋳造空間に供給し、ここでインゴットに鋳造する。チタンの酸化磨耗を防止するため、溶解及び鋳造は真空中又は不活性ガス雰囲気中で行うことが好ましい。
鋳型の厚みは特に指定しないが、インゴットの厚みと同程度に調整することが望ましい。鋳型の周壁部分の厚みは、インゴットの厚みと平行な方向に沿って測るものとする。
また、温間圧延時の圧下率は低濃度Ti層に対する高濃度Ti層の高さの比を調整するために重要であるが、圧下率を高くしすぎると材料が脆くなり、その後の圧延で割れが発生しやすくなる。そのため、本発明においては温間圧延の圧下率は50%未満であり、45%以下であることが好ましく、40%以下とすることがより好ましい。また、圧下率が低すぎるとへたりが発生しやすくなる。そのため、温間圧延の圧下率は5%以上とし、10%以上とすることが好ましく、20%以上とすることがより好ましい。なお、圧下率R(%)は下記式(3)で定義する。
式(3) R={(t0−t)/t0}×100(t0:圧延前の板厚、t:圧延後の板厚)
本発明に係るチタン銅箔は、限定的ではないが、スイッチ、コネクタ、ジャック、端子、リレー等の電子機器用部品の材料或いは、伸銅品として好適に使用することができ、とりわけオートフォーカスカメラモジュール等の電子機器部品に使用される導電性ばね材として好適に使用することができる。
まず、真空溶解炉にて電気銅2.5kgを溶解し、表1及び2に記載の合金組成が得られるよう合金元素を添加した。この溶湯を以下に示す鋳型に鋳込み、厚さ30mm、幅60mm、長さ120mmのインゴットを製造した。このインゴットを、次の工程順で加工し、表1及び2に記載の所定の厚みをもつ製品試料を作製した。
(1)溶解鋳造:鋳造温度は1300℃とし、鋳型は耐火レンガ、鋳鉄から選択し、鋳造時の平均冷却速度を変化させた。冷却速度は速い順に鋳鉄、耐火レンガである。鋳型の厚みは30mmとした。
(2)熱間圧延:上記のインゴットをさらに950℃で3時間加熱保持した後、10mmまで圧延した。
(3)温間圧延:上記の熱間圧延材を300〜450℃で2時間加熱保持した後、圧下率に応じて所定の厚みまで圧延した。終了温度はいずれも300℃以上とした。
(4)研削:熱間圧延で生成した酸化スケールをグラインダーで除去した。研削後の厚みは9mmであった。
(5)冷間圧延1:冷間圧延2の圧下率と製品試料の厚みを考慮して、所定の厚みまで圧延した。
(6)溶体化処理:800℃に昇温した電気炉1に試料を装入し、5分間保持した後、試料を水槽に入れて急冷却した。
(7)冷間圧延2:表1及び2に示す圧下率でそれぞれ製品厚みまで圧延した。
(8)時効処理:温度と時間はそれぞれ300℃、2時間とし、Ar雰囲気中で加熱した。
<1.組織分析>
先述したように、圧延方向に平行な断面に対してSTEM−EDX(走査型透過電子顕微鏡)により観察を行い、それによる画像から層状又は斑点のいずれの組織であるかを判断した。ここで用いたSTEM−EDXは、JEOL社製のJEM−2100Fであり、測定条件は試料傾斜角度0°、加速電圧200kVとした。
また、STEM−EDXで圧延方向に平行な断面を厚み方向に線分析し、厚み方向の距離に対するTi濃度曲線を得た。なお、3つの異なる視野におけるTi濃度を測定し、各視野における、下記式(1)及び(2)に示されるHHとHLを測定し、異なる視野における平均値を測定値とした。
式(1) HH={(A1−B)+(A2−B)+(A3−B)+(A4−B)+(A5−B)}/5
式(2) HL={(B−C1)+(B−C2)+(B−C3)+(B−C4)+(B−C5)}/5
JIS Z2241:2011に基づき、引張試験機を用いて圧延方向と平行な方向の引張強さを測定した。
低サイクル疲労特性は東洋精機製MIT試験機(D型)を用いて評価した。幅3.2mm、長さ110mmの短冊試料を長手方向が圧延平行方向となるように採取し、荷重は250g、曲げ部曲率半径は2mm、左右の曲げ角度は135°、折り曲げ速度は175cpm(回/min)とし、上記以外の条件はJIS P8115:2001に準じて行った。また、それぞれのサンプルについて、破断までの繰り返し回数が1000回以上であったものを「◎」、800回以上1000回未満であったものを「○」、800回未満であったものを「×」として評価した。
幅15mm、長さ25mmの短冊試料を長手方向が圧延平行方向となるように採取し、図7のように、試料の片端を固定し、この固定端から距離Lの位置に、先端をナイフエッジに加工したポンチを1mm/分の移動速度で押し当て、試料に距離dのたわみを与えた後、ポンチを初期の位置に戻し除荷した。除荷後、へたり量δを求めた。
試験条件は試料の箔厚が0.05mm以下の場合、L=3mm、d=2mmとし、箔厚が0.05mmより厚い場合、L=5mm、d=4mmとした。また、へたり量は0.01mmの分解能で測定し、へたりが検出されなかった場合は、表1及び2に「<0.01mm」と表記している。
37質量%、ボーメ度40°の塩化第二鉄水溶液を用いて、各サンプル箔に対してエッチングを行い、線幅100μm、長さ150mmの直線回路を形成した。走査型電子顕微鏡(日立製、S−4700)を用いて回路を観察し(観察長さ200μm)、最大回路幅と最小回路幅の差が10μm未満であるものを○、10μm以上であるものを×で評価した。
2 ヨーク
3 レンズ
4 マグネット
5 キャリア
6 コイル
7 ベース
8 フレーム
9a 上側のばね部材
9b 下側のばね部材
10a、10b キャップ
Claims (8)
- Tiを1.5〜5.0質量%で含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、圧延方向に平行な断面をSTEM−EDXで厚み方向に沿って分析して得られるTi濃度曲線において、Ti濃度がTi濃度曲線におけるTi濃度の平均値未満である低濃度Ti層と、Ti濃度がTi濃度曲線におけるTi濃度の平均値以上である高濃度Ti層とが、厚み方向に交互に存在し、
厚み方向140nmにおいて、前記Ti濃度曲線におけるピークの濃度を高い方から順に5つ選択したA 1 、A 2 、A 3 、A 4 、A 5 とし、前記Ti濃度曲線のそれぞれの谷部における最小濃度を濃度の低い方から順に5つ選択したC 1 、C 2 、C 3 、C 4 、C 5 とし、前記Ti濃度曲線の平均Ti濃度をBとした時、前記高濃度Ti層の高さH H を下記式(1)で求め、前記低濃度Ti層の高さH L を下記式(2)で求め、3つの異なる視野におけるH H とH L の平均値を更に求めて、該HH及びHL の平均値について、1.0質量%≦HH≦30質量%かつHH/HL≧1.1を満たすチタン銅箔。
式(1) H H ={(A 1 −B)+(A 2 −B)+(A 3 −B)+(A 4 −B)+(A 5 −B)}/5
式(2) H L ={(B−C 1 )+(B−C 2 )+(B−C 3 )+(B−C 4 )+(B−C 5 )}/5 - 圧延方向に平行な方向についてJIS P8115:2001に従うMIT試験を行った時の屈曲回数が800回以上である請求項1に記載のチタン銅箔。
- 圧延方向に平行な方向の引張強さが1100MPa以上である請求項1又は2に記載のチタン銅箔。
- Ag、B、Co、Fe、Mg、Mn、Mo、Ni、P、Si、Cr及びZrから選択される一種以上の元素を、総量1.0質量%以下でさらに含有する請求項1〜3の何れか一項に記載のチタン銅箔。
- 請求項1〜4の何れか一項に記載のチタン銅箔を備えた伸銅品。
- 請求項1〜4の何れか一項に記載のチタン銅箔を備えた電子機器部品。
- オートフォーカスカメラモジュールである請求項6に記載の電子機器部品。
- レンズと、このレンズを光軸方向の初期位置に弾性付勢するばね部材と、このばね部材の付勢力に抗する電磁力を生起して前記レンズを光軸方向へ駆動可能な電磁駆動手段を備え、前記ばね部材が請求項1〜4の何れか一項に記載のチタン銅箔であるオートフォーカスカメラモジュール。
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