JP6663380B2 - ポリイミド前駆体の重合体、ポジ型感光性樹脂組成物、ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品 - Google Patents
ポリイミド前駆体の重合体、ポジ型感光性樹脂組成物、ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6663380B2 JP6663380B2 JP2017055656A JP2017055656A JP6663380B2 JP 6663380 B2 JP6663380 B2 JP 6663380B2 JP 2017055656 A JP2017055656 A JP 2017055656A JP 2017055656 A JP2017055656 A JP 2017055656A JP 6663380 B2 JP6663380 B2 JP 6663380B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- photosensitive resin
- resin composition
- formula
- polyimide precursor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 0 CC(C)C(C(C(CC1)CC1C(C)[C@](C1CCCC1)C=*NC)C#C)=C Chemical compound CC(C)C(C(C(CC1)CC1C(C)[C@](C1CCCC1)C=*NC)C#C)=C 0.000 description 2
- TWJYXMZUQAMMKA-UHFFFAOYSA-N CN(C)CC1OC1 Chemical compound CN(C)CC1OC1 TWJYXMZUQAMMKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N O=C(N(CC1OC1)C(N1CC2OC2)=O)N(CC2OC2)C1=O Chemical compound O=C(N(CC1OC1)C(N1CC2OC2)=O)N(CC2OC2)C1=O OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1075—Partially aromatic polyimides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1003—Preparatory processes
- C08G73/1007—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines
- C08G73/1025—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines polymerised by radiations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1039—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors comprising halogen-containing substituents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1042—Copolyimides derived from at least two different tetracarboxylic compounds or two different diamino compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1057—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain
- C08G73/1064—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain containing sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
- C08G73/1071—Wholly aromatic polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/12—Unsaturated polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/14—Polyamide-imides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D179/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09D161/00 - C09D177/00
- C09D179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C09D179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0387—Polyamides or polyimides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
また、パターン形成において、アルカリ水溶液に可溶であり、解像性に優れ、微細なパターン形成が可能な、上記のポリイミド前駆体の重合体を用いたポジ型感光性樹脂組成物及びネガ型感光性樹脂組成物を提供することを別の目的とする。
(A)上述のポリイミド前駆体の重合体、
(B)光により酸を発生しアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する感光剤であって、キノンジアジド構造を有する化合物、及び
(D)溶剤、
を含むポジ型感光性樹脂組成物を提供する。
(A’)上述のポリイミド前駆体の重合体のうち、前記一般式(14)又は(15)で示される構造単位のいずれか1種もしくは両方を含むポリイミド前駆体の重合体、
(B’)光ラジカル開始剤、
(D)溶剤、
を含むネガ型感光性樹脂組成物を提供する。
(A’)上述のポリイミド前駆体の重合体のうち、前記一般式(14)又は(15)で示される構造単位のいずれか1種もしくは両方を含むポリイミド前駆体の重合体、
(B’)光ラジカル開始剤、
(C’)1分子中に2個以上の光重合性不飽和結合基を有する架橋剤、及び
(D)溶剤、
を含むネガ型感光性樹脂組成物を提供する。
(A’’)前記一般式(1)で示される構造単位を含むポリイミド前駆体の重合体、又は前記一般式(1)で示される構造単位に加え、更に、前記一般式(9)〜(13)で示される構造単位のいずれか1種以上を含むポリイミド前駆体の重合体、
(B’’)光酸発生剤、
(C)ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、多価フェノールの水酸基の水素原子をグリシジル基に置換した化合物、多価フェノールの水酸基の水素原子を下記式(C−1)で示される置換基に置換した化合物、及び下記式(C−2)で示されるグリシジル基を有した窒素原子を2つ以上含有した化合物から選ばれる1種又は2種以上の架橋剤、及び
(D)溶剤、
を含むネガ型感光性樹脂組成物を提供する。
(1)上述のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、感光材皮膜を形成する工程、
(2)次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長190〜500nmの高エネルギー線もしくは電子線で感光材皮膜を露光する工程、
(3)アルカリ水溶液の現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法を提供する。
(I)上述のネガ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、感光材皮膜を形成する工程、
(II)次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長190〜500nmの高エネルギー線もしくは電子線で感光材皮膜を露光する工程、
(III)アルカリ水溶液の現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法を提供する。
本発明のポリイミド前駆体の重合体は、下記一般式(1)で示される構造単位を含むものである。
下記一般式(1)で示される構造単位を含むポリイミド前駆体の重合体は、下記一般式(22)で示されるテトラカルボン酸ジエステル化合物と下記一般式(25)で示されるジアミンとを反応させることで得ることができる。
上述のポリイミド前駆体の重合体の好適な分子量は、好ましくは5,000〜100,000、より好ましくは7,000〜30,000である。分子量が5,000以上であれば、上記ポリイミド前駆体の重合体をベース樹脂に用いた感光性樹脂組成物を基板上に所望な膜厚に成膜することは容易になり、分子量が100,000以下であれば、該感光性樹脂組成物の粘度が著しく高いものとはならず、成膜できなくなる恐れがない。
次に、本発明のポリイミド前駆体の重合体をベース樹脂とした感光性樹脂組成物に関して説明する。本発明では、上述した本発明のポリイミド前駆体の重合体をベース樹脂として用いることにより、ポジ型感光性樹脂組成物やネガ型感光性樹脂組成物を得ることができる。
まず、本発明のポリイミド前駆体の重合体をベース樹脂とした感光性樹脂組成物において、アルカリ現像可能なポジ型感光性樹脂組成物について説明する。本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、例えば以下に説明する2つの形態とすることができるが、これらに限定されない。
(A)上述のポリイミド前駆体の重合体(構造単位(1)を含むポリイミド前駆体の重合体)、
(B)光により酸を発生しアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する感光剤であって、キノンジアジド構造を有する化合物、
(D)溶剤、
を含むものである。
即ち、現像液にアルカリ水溶液を用いた場合、未露光部は現像液に溶解することがなく、露光部は現像液に可溶であることから、ポジ型のパターンを形成することが可能となる。
上記R10としては、例えば、メチロール基、メトキシメチル基、エトキシメチル基等のアルコキシメチル基及び水素原子等が挙げられる。
上記ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド−アルコールにより変性された尿素縮合物の具体例としては、例えば、メトキシメチル化尿素縮合物、エトキシメチル化尿素縮合物、プロポキシメチル化尿素縮合物等が挙げられる。
なお、これら変性メラミン縮合物及び変性尿素縮合物の1種又は2種以上を混合して使用することもできる。
これら多価フェノールの水酸基をグリシドキシ基に置換した化合物(多価フェノールの水酸基の水素原子をグリシジル基に置換した化合物)の1種又は2種を、架橋剤として使用することができる。
次に、本発明のポリイミド前駆体の重合体をベース樹脂とした感光性樹脂組成物において、アルカリ現像可能なネガ型感光性樹脂組成物について説明する。本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、例えば以下に説明する3つの形態とすることができるが、これらに限定されない。
(A’)上述のポリイミド前駆体の重合体のうち、上記一般式(14)又は(15)で示される構造単位のいずれか1種もしくは両方を含むポリイミド前駆体の重合体、
(B’)光ラジカル開始剤、
(D)溶剤、
を含むものである。
(A’)上述のポリイミド前駆体の重合体のうち、上記一般式(14)又は(15)で示される構造単位のいずれか1種もしくは両方を含むポリイミド前駆体の重合体、
(B’)光ラジカル開始剤、
(C’)1分子中に2個以上の光重合性不飽和結合基を有する架橋剤、及び
(D)溶剤
を含むものである。
(A’’)構造単位(1)を含むポリイミド前駆体の重合体、又は、構造単位(1)に加え、更に、構造単位(9)〜(13)のいずれか1種以上を含むポリイミド前駆体の重合体、
(B’’)光酸発生剤、
(C)ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、多価フェノールの水酸基の水素原子をグリシジル基に置換した化合物、多価フェノールの水酸基の水素原子を下記式(C−1)で示される置換基に置換した化合物、及び下記式(C−2)で示されるグリシジル基を有した窒素原子を2つ以上含有した化合物から選ばれる1種又は2種以上の架橋剤、及び
(D)溶剤、
を含むものである。
(R10)jM+K− (43)
(式中、R10は置換基を有してもよい炭素数1〜12の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基又は炭素数7〜12のアラルキル基を表し、M+はヨードニウム又はスルホニウムを表し、K−は非求核性対向イオンを表し、jは2又は3を表す。)
N(α)q(β)3−q (45)
イミド誘導体としては、例えばフタルイミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。
次に、本発明のポジ型感光性樹脂組成物及びネガ型感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法に関して、説明を行う。
s−BPDA : 3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
ODA : 4,4‘−ジアミノフェニルエーテル
APB : 1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン
Rf−1 : 4,4,5,5,5−ペンタフルオロペンタノール
Rf−2 : 1H,1H,2H,2H−ノナフルオロ−1−ヘキサノール
Rf−3 : 1−トリフルオロメチル−2,2,2−トリフルオロエチル−2’−ヒドロキシエチルエーテル
Rf−4 : 3,3,3−トリフルオロプロピル−2’−ヒドロキシエチルエーテル
Rf−5 : ヒドロキシエチルトリフルオロアセテート
Rf−6 : 3−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロピルトリフルオロアセテート
Rf−7 : 4,4,5,5,6,6,7,7,7−ノナフルオロ−1,2−ヘプタンジオール
HEMA : ヒドロキシエチルメタクリレート
6FAP : 2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン
BPS : ビス(3―アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン
DC−1 : セバシン酸ジクロライド
DC−2 : ドデカン二酸ジクロライド
撹拌機、温度計を具備した3Lのフラスコ内に3,3’,4,4’−オキシジフタル酸二無水物(s−ODPA)100g(322mmol)、トリエチルアミン65.2g(644mmol)、N,N−ジメチル−4−アミノピリジン39.3g(322mmol)、γ−ブチロラクトン400gを加え、室温で撹拌しているところに4,4,5,5,5−ペンタフルオロペンタノール(Rf−1)114.7g(644mmol)を滴下後、室温下で24時間撹拌した。その後、氷冷下10%塩酸水溶液370gを滴下し反応を停止させた。反応液に、4−メチル−2−ペンタノン800gを加え有機層を分取した後、超純水600gで6回洗浄した。得られた有機層の溶媒を留去し、テトラカルボン酸ジエステル化合物(X’−1)を193g得た。得られたテトラカルボン酸ジエステル化合物にN−メチル−2−ピロリドン772gを加え、室温で撹拌し溶解した。次に氷冷下、塩化チオニル75.8g(637mmol)を反応溶液温度が10℃以下を保つように滴下し、滴下終了後氷冷下で2時間撹拌し、テトラカルボン酸ジエステルジクロライド(X−1)のN−メチル−2−ピロリドン溶液を得た。
合成例1において、3,3’,4,4’−オキシジフタル酸二無水物(s−ODPA)を3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s−BPDA)94.8g(322mmol)に代え、それ以外は同様の処方でテトラカルボン酸ジエステルジクロライド(X−2)のN−メチル−2−ピロリドン溶液を得た。
合成例1において、4,4,5,5,5−ペンタフルオロペンタノール(Rf−1)を1H,1H,2H,2H−ノナフルオロ−1−ヘキサノール(Rf−2)170.1g(644mmol)に代え、それ以外は同様の処方でテトラカルボン酸ジエステルジクロライド(X−3)のN−メチル−2−ピロリドン溶液を得た。
合成例1において、4,4,5,5,5−ペンタフルオロペンタノール(Rf−1)を1−トリフルオロメチル−2,2,2−トリフルオロエチル−2’−ヒドロキシエチルエーテル(Rf−3)136.6g(644mmol)に代え、それ以外は同様の処方でテトラカルボン酸ジエステルジクロライド(X−4)のN−メチル−2−ピロリドン溶液を得た。
合成例1において、4,4,5,5,5−ペンタフルオロペンタノール(Rf−1)を3,3,3−トリフルオロプロピル−2’−ヒドロキシエチルエーテル(Rf−4)112.2g(644mmol)に代え、それ以外は同様の処方でテトラカルボン酸ジエステルジクロライド(X−5)のN−メチル−2−ピロリドン溶液を得た。
合成例1において、4,4,5,5,5−ペンタフルオロペンタノール(Rf−1)を2−ヒドロキシエチルトリフルオロアセテート(Rf−5)101.8g(644mmol)に代え、それ以外は同様の処方でテトラカルボン酸ジエステルジクロライド(X−6)のN−メチル−2−ピロリドン溶液を得た。
合成例1において、4,4,5,5,5−ペンタフルオロペンタノール(Rf−1)を3−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロピルトリフルオロアセテート(Rf−6)101.8g(644mmol)に代え、それ以外は同様の処方でテトラカルボン酸ジエステルジクロライド(X−7)のN−メチル−2−ピロリドン溶液を得た。
合成例1において、4,4,5,5,5−ペンタフルオロペンタノール(Rf−1)を4,4,5,5,6,6,7,7,7−ノナフルオロ−1,2−ヘプタンジオール(Rf−7)189.4g(644mmol)に代え、それ以外は同様の処方でテトラカルボン酸ジエステルジクロライド(X−8)のN−メチル−2−ピロリドン溶液を得た。
合成例1において、4,4,5,5,5−ペンタフルオロペンタノール(Rf−1)をヒドロキシエチルメタクリレート(HEMA)83.8g(644mmol)に代え、それ以外は同様の処方でテトラカルボン酸ジエステルジクロライド(X−9)のN−メチル−2−ピロリドン溶液を得た。
撹拌機、温度計を具備した500mlのフラスコ内に2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(6FAP)30g(81.9mmol)、N−メチル−2−ピロリドン(以下NMP)170gを加え、室温で撹拌し溶解した。次に室温下、3,3’,4,4’−オキシジフタル酸二無水物(s−ODPA)12.7g(41.0mmol)をN−メチル−2−ピロリドン146gに溶解した溶液を滴下し、滴下終了後室温下3時間撹拌した。その後、この反応液にキシレン40gを加え、160℃で生成する水を系外へ除きながら3時間加熱還流を行った。室温まで冷却後、ピリジン1.4g(18.0mmol)を加え、合成例1において別途調製したテトラカルボン酸ジエステルジクロライドのNMP溶液(X−1)14.7g(テトラカルボン酸ジエステルジクロライドとして4.1mmol)、セバシン酸ジクロライド(DC−1)7.8g(32.8mmol)の混合液を5℃以下に保つように滴下した。滴下終了後、室温まで戻し、この反応液を超純水2Lの撹拌下に滴下し、析出物をろ別し、適宜水洗後、40℃で48時間減圧乾燥することにより、ポリイミド前駆体の重合体(A−1)を得た。この重合体の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量35,000であった。
合成例10において、下記表1に示すように合成例1において別途調製したテトラカルボン酸ジエステルジクロライドのN−メチル−2−ピロリドン溶液(X−1)とセバシン酸ジクロライド(DC−1)のジクロライドの混合液を、合成例1において別途調製したテトラカルボン酸ジエステルジクロライドのNMP溶液(X−1)を29.4g(テトラカルボン酸ジエステルジクロライドとして8.2mmol)、セバシン酸ジクロライド(DC−1)6.8g(28.7mmol)に代え、それ以外は同様の処方でポリイミド前駆体の重合体(A−2)を得た。その重合体の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量34,100であった。
同様に合成例10において、ジクロライドの混合液を下記表1中、合成例12から合成例18に示す重量のジクロライドの混合液に代え、それ以外は同様の処方でポリイミド前駆体の重合体(A−3)〜(A−9)を得た。それぞれの重合体の分子量をGPCにより測定し、ポリスチレン換算で重量平均分子量を下記表1に示す。
同様に合成例10において、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンのジアミン化合物を下記表1中、合成例19から合成例21に示す重量のジアミン化合物もしくはジアミン化合物の混合物に代え、それ以外は同様の処方でポリイミド前駆体の重合体(A−10)〜(A−12)を得た。それぞれの重合体の分子量をGPCにより測定し、ポリスチレン換算で重量平均分子量を下記表1に示す。
同様に合成例10において、ジクロライドの混合液を下記表1中、合成例22から合成例24に示す重量のジクロライドの混合液に代え、それ以外は同様の処方でポリイミド前駆体の重合体(A−13)〜(A−15)を得た。それぞれの重合体の分子量をGPCにより測定し、ポリスチレン換算で重量平均分子量を下記表1に示す。
合成例10において、3,3’,4,4’−オキシジフタル酸二無水物(s−ODPA)2.5g(8.2mmol)に代え、更にジクロライドの混合液を下記表1中、合成例25から合成例27に示す重量のジクロライドの混合液に代え、それ以外は同様の処方でポリイミド前駆体の重合体(A−16)〜(A−18)を得た。それぞれの重合体の分子量をGPCにより測定し、ポリスチレン換算で重量平均分子量を下記表1に示す。
撹拌機、温度計を具備した500mlのフラスコ内に2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン30g(81.9mmol)、ピリジン4.3g(54.1mmol)、NMP170gを加え、室温で撹拌し溶解した。氷冷下、合成例1において別途調製したテトラカルボン酸ジエステルジクロライドのNMP溶液(X−1)44.1g(テトラカルボン酸ジエステルジクロライドとして12.3mmol)、セバシン酸ジクロライド15.6g(65.6mmol)のジクロライドの混合液を5℃以下に保つように滴下した。滴下終了後、室温まで戻し、この反応液を超純水2Lの撹拌下に滴下し、析出物をろ別し、適宜水洗後、40℃で48時間減圧乾燥することにより、下記のポリイミド前駆体の重合体(A−19)を得た。この重合体の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量32,000であった。
合成例28において、ジクロライドの混合液を下記表1中、合成例29から合成例31に示す重量のジクロライドの混合液に代え、それ以外は同様の処方でポリイミド前駆体の重合体(A−20)〜(A−22)を得た。それぞれの重合体の分子量をGPCにより測定し、ポリスチレン換算で重量平均分子量を下記表1に示す。
上記合成例1〜合成例27と同様に、下記表2に示すジアミン化合物もしくはジアミン化合物の混合物、ジクロライドの混合液に代え、それ以外は同様の処方でポリイミド前駆体の重合体(A−23)〜(A−34)を得た。それぞれの重合体の分子量をGPCにより測定し、ポリスチレン換算で重量平均分子量を下記表2に示す。
上記合成例28〜合成例31と同様に、下記表2に示すジアミン化合物、ジクロライドの混合液に代え、それ以外は同様の処方でポリイミド前駆体の重合体(A−35)〜(A−37)を得た。それぞれの重合体の分子量をGPCにより測定し、ポリスチレン換算で重量平均分子量を下記表2に示す。
上記合成例10〜合成例31及び比較合成例1〜15で合成した重合体をベース樹脂として使用して、表3〜24に記載した組成と配合量で、樹脂換算40質量%の樹脂組成物を調製した。その後、撹拌、混合、溶解した後、テフロン(登録商標)製0.5μmフィルターで精密濾過を行って感光性樹脂組成物を得た。表中溶剤のGBLはγ−ブチロラクトンを示す。
上記の感光性樹脂組成物1〜49、比較感光性樹脂組成物8〜14,20、21、23〜43をシリコン基板上へ5mLディスペンスした後に基板を回転することによって、即ち、スピンコート法によって、パターン形成後施す後硬化の加熱後に膜厚が10μmとなるように塗布した。即ち、後硬化工程後、膜厚が減少することを予め検討し、後硬化後の仕上がり膜厚が10μmとなるように塗布時の回転数を調整した。
次に、ホットプレート上100℃、2分間のプリベークを施した。そして次に、ニコン社製i線ステッパーNSR−2205i11を用いてi線露光、パターン形成を行った。パターン形成においては、ポジ型パターン用、ネガ型パターン用のマスクを、適宜、使用した感光性樹脂組成物に合わせて用いた。該マスクは、縦横1:1配列の20μmのホールが形成できるパターンを有し、50μm〜20μmまでは10μm刻み、20μm〜10μmまでは5μm、10μm〜1μmまでは1μmのホールパターンが形成できるものである。
良好:ホールが矩形又は順テーパー形状(ホール上部の寸法が底部の寸法より大きい形状)が観察されたもの
不良:逆テーパー形状(ホール上部の寸法が底部の寸法より小さい形状)、オーバーハング形状(ホール上部が張り出した形状)、又はホール底部に残渣が観察されたもの
Claims (20)
- 前記一般式(2)中のY1が、炭素数1〜6の直鎖状又は分枝状の2価の有機基であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のポリイミド前駆体の重合体。
- 前記ポリイミド前駆体の重合体が、更に、下記一般式(14)又は(15)で示される構造単位のいずれか1種もしくは両方を含むものであることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のポリイミド前駆体の重合体。
- (A)請求項1から請求項7のいずれか一項に記載のポリイミド前駆体の重合体、
(B)光により酸を発生しアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する感光剤であって、キノンジアジド構造を有する化合物、及び
(D)溶剤、
を含むものであることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。 - 前記ポジ型感光性樹脂組成物が、更に、(C)ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、多価フェノールの水酸基の水素原子をグリシジル基に置換した化合物、多価フェノールの水酸基の水素原子を下記式(C−1)で示される置換基に置換した化合物、及び下記式(C−2)で示されるグリシジル基を有した窒素原子を2つ以上含有した化合物から選ばれる1種又は2種以上の架橋剤を含むものであることを特徴とする請求項8に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記ポジ型感光性樹脂組成物が、更に、(E)熱によって酸又はラジカルを発生する化合物を含むものであることを特徴とする請求項8又は請求項9に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- (A’)請求項7に記載のポリイミド前駆体の重合体、
(B’)光ラジカル開始剤、及び
(D)溶剤、
を含むものであることを特徴とするネガ型感光性樹脂組成物。 - (A’)請求項7に記載のポリイミド前駆体の重合体、
(B’)光ラジカル開始剤、
(C’)1分子中に2個以上の光重合性不飽和結合基を有する架橋剤、及び
(D)溶剤、
を含むものであることを特徴とするネガ型感光性樹脂組成物。 - (A’’)請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のポリイミド前駆体の重合体、
(B’’)光酸発生剤、
(C)ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、多価フェノールの水酸基の水素原子をグリシジル基に置換した化合物、多価フェノールの水酸基の水素原子を下記式(C−1)で示される置換基に置換した化合物、及び下記式(C−2)で示されるグリシジル基を有した窒素原子を2つ以上含有した化合物から選ばれる1種又は2種以上の架橋剤、及び
(D)溶剤、
を含むものであることを特徴とするネガ型感光性樹脂組成物。 - (1)請求項8から請求項10のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、感光材皮膜を形成する工程、
(2)次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長190〜500nmの高エネルギー線もしくは電子線で感光材皮膜を露光する工程、
(3)アルカリ水溶液の現像液を用いて現像する工程、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - (I)請求項11から請求項13のいずれか一項に記載のネガ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、感光材皮膜を形成する工程、
(II)次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長190〜500nmの高エネルギー線もしくは電子線で感光材皮膜を露光する工程、
(III)アルカリ水溶液の現像液を用いて現像する工程、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記露光工程と前記現像工程との間に、露光後加熱工程を含むことを特徴とする請求項15に記載のパターン形成方法。
- 請求項14から請求項16のいずれか一項に記載のパターン形成方法により得られたパターン形成された被膜を、温度100〜300℃において加熱、後硬化する工程を含むことを特徴とする硬化被膜形成方法。
- 請求項8から請求項10のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物、又は請求項11から請求項13のいずれか一項に記載のネガ型感光性樹脂組成物が硬化してなる硬化被膜からなるものであることを特徴とする層間絶縁膜。
- 請求項8から請求項10のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物、又は請求項11から請求項13のいずれか一項に記載のネガ型感光性樹脂組成物が硬化してなる硬化被膜からなるものであることを特徴とする表面保護膜。
- 請求項18に記載の層間絶縁膜又は請求項19に記載の表面保護膜を有するものであることを特徴とする電子部品。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017055656A JP6663380B2 (ja) | 2017-03-22 | 2017-03-22 | ポリイミド前駆体の重合体、ポジ型感光性樹脂組成物、ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品 |
US15/918,261 US11150556B2 (en) | 2017-03-22 | 2018-03-12 | Polymer of polyimide precursor, positive type photosensitive resin composition, negative type photosensitive resin composition, patterning process, method for forming cured film, interlayer insulating film, surface protective film, and electronic parts |
TW107109220A TWI664209B (zh) | 2017-03-22 | 2018-03-19 | 聚醯亞胺前驅體之聚合物、正型感光性樹脂組成物、負型感光性樹脂組成物、圖案形成方法、硬化被膜形成方法、層間絕緣膜、表面保護膜及電子零件 |
KR1020180033124A KR102066786B1 (ko) | 2017-03-22 | 2018-03-22 | 폴리이미드 전구체의 중합체, 포지티브형 감광성 수지 조성물, 네거티브형 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 경화 피막 형성 방법, 층간 절연막, 표면 보호막 및 전자 부품 |
EP18163279.5A EP3398983B1 (en) | 2017-03-22 | 2018-03-22 | Polymer of polyimide precursor, positive type photosensitive resin composition, negative type photosensitive resin composition, patterning process, method for forming cured film, interlayer insulating film, surface protective film, and electronic parts |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017055656A JP6663380B2 (ja) | 2017-03-22 | 2017-03-22 | ポリイミド前駆体の重合体、ポジ型感光性樹脂組成物、ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018158966A JP2018158966A (ja) | 2018-10-11 |
JP6663380B2 true JP6663380B2 (ja) | 2020-03-11 |
Family
ID=61750013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017055656A Active JP6663380B2 (ja) | 2017-03-22 | 2017-03-22 | ポリイミド前駆体の重合体、ポジ型感光性樹脂組成物、ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11150556B2 (ja) |
EP (1) | EP3398983B1 (ja) |
JP (1) | JP6663380B2 (ja) |
KR (1) | KR102066786B1 (ja) |
TW (1) | TWI664209B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113166294B (zh) | 2018-11-26 | 2024-01-12 | 中央硝子株式会社 | 光敏性树脂组合物、含氟树脂固化物的制备方法、含氟树脂、含氟树脂膜、隔堤及显示元件 |
JP7154184B2 (ja) * | 2019-04-15 | 2022-10-17 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品 |
CN111848954B (zh) * | 2019-04-25 | 2023-10-17 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种改性聚酰亚胺前驱体树脂、光敏树脂组合物及其用途 |
CN113892058B (zh) * | 2019-06-03 | 2024-05-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 感光性树脂组合物和其固化膜 |
JP7308300B2 (ja) * | 2020-01-30 | 2023-07-13 | 旭化成株式会社 | ネガ型感光性樹脂組成物及び硬化レリーフパターンの製造方法 |
US11333975B2 (en) * | 2020-04-14 | 2022-05-17 | International Business Machines Corporation | Polymer, photosensitive resin composition, patterning method, method of forming cured film, interlayer insulating film, surface protective film, and electronic component |
US11572442B2 (en) | 2020-04-14 | 2023-02-07 | International Business Machines Corporation | Compound, polyimide resin and method of producing the same, photosensitive resin composition, patterning method and method of forming cured film, interlayer insulating film, surface protective film, and electronic component |
JP2022029427A (ja) * | 2020-08-04 | 2022-02-17 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品 |
JP7431696B2 (ja) | 2020-08-04 | 2024-02-15 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性ドライフィルム、ポジ型感光性ドライフィルムの製造方法、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品 |
JP2023126997A (ja) * | 2020-08-05 | 2023-09-13 | セントラル硝子株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂膜、パターン樹脂膜、硬化物、パターン硬化物、電子装置の製造方法、および電子装置 |
JP7503015B2 (ja) * | 2021-03-09 | 2024-06-19 | 信越化学工業株式会社 | ポリイミドを含む重合体、ポジ型感光性樹脂組成物、ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL177718C (nl) | 1973-02-22 | 1985-11-01 | Siemens Ag | Werkwijze ter vervaardiging van reliefstructuren uit warmte-bestendige polymeren. |
JPS5951796B2 (ja) | 1977-07-08 | 1984-12-15 | 松下電器産業株式会社 | 走査速度変調回路 |
US4152391A (en) | 1977-12-16 | 1979-05-01 | Coulter Electronics, Inc. | Liquid transfer valve |
JPS5545746A (en) | 1978-09-29 | 1980-03-31 | Hitachi Ltd | Reactive polymer composition |
JPS627488A (ja) | 1985-07-02 | 1987-01-14 | Nec Kansai Ltd | 排水処理方法 |
JPS62143929A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-06-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ポリイミド前駆体薄膜 |
EP0478321B1 (en) * | 1990-09-28 | 1997-11-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosenstive resin composition for forming polyimide film pattern and method of forming polyimide film pattern |
US5206117A (en) * | 1991-08-14 | 1993-04-27 | Labadie Jeffrey W | Photosensitive polyamic alkyl ester composition and process for its use |
JP3232022B2 (ja) | 1997-03-31 | 2001-11-26 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
JP3627488B2 (ja) | 1997-12-22 | 2005-03-09 | 日立化成工業株式会社 | 感光性ポリイミド前駆体組成物、およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP3509612B2 (ja) | 1998-05-29 | 2004-03-22 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 感光性重合体組成物、レリーフパターンの製造法及び電子部品 |
KR100905682B1 (ko) * | 2001-09-26 | 2009-07-03 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물 |
US7282323B2 (en) * | 2002-07-11 | 2007-10-16 | Asahi Kasei Emd Corporation | Highly heat-resistant, negative-type photosensitive resin composition |
JP2005049504A (ja) | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | 感光性樹脂組成物及びそれを用いたパターン製造方法並びに電子部品 |
JP2006154158A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Hitachi Displays Ltd | 液晶配向膜の形成方法および液晶表示素子 |
WO2007034604A1 (ja) | 2005-09-22 | 2007-03-29 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. | ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法及び電子部品 |
JP4659678B2 (ja) | 2005-12-27 | 2011-03-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
JP4924801B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2012-04-25 | Jsr株式会社 | 液晶の配向剤、配向膜、液晶表示素子および光学部材 |
US8071273B2 (en) * | 2008-03-31 | 2011-12-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Polyimide precursor, resin composition comprising the polyimide precursor, pattern forming method using the resin composition, and articles produced by using the resin composition |
KR101115058B1 (ko) * | 2008-07-09 | 2012-02-13 | 주식회사 엘지화학 | 폴리이미드-폴리아믹산 공중합체, 이의 제조방법, 이를포함하는 감광성 조성물 및 이에 의해 제공된 보호막 |
JP5417623B2 (ja) | 2009-12-10 | 2014-02-19 | 信越化学工業株式会社 | ポリイミド系光硬化性樹脂組成物、パターン形成方法及び基板保護用皮膜 |
JP5953796B2 (ja) * | 2012-02-15 | 2016-07-20 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
WO2013168675A1 (ja) | 2012-05-07 | 2013-11-14 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ネガ型感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法、及び半導体装置 |
JP6372200B2 (ja) * | 2013-10-07 | 2018-08-15 | Jsr株式会社 | 液晶配向膜の製造方法、光配向剤及び液晶表示素子 |
JP2016199662A (ja) * | 2015-04-09 | 2016-12-01 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | ポリイミド前駆体を含む樹脂組成物、それを用いた硬化膜及びパターン硬化膜の製造方法、並びに電子部品 |
JP6487875B2 (ja) | 2016-04-19 | 2019-03-20 | 信越化学工業株式会社 | テトラカルボン酸ジエステル化合物、ポリイミド前駆体の重合体及びその製造方法、ネガ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、及び硬化被膜形成方法 |
JP6663320B2 (ja) * | 2016-07-25 | 2020-03-11 | 信越化学工業株式会社 | テトラカルボン酸ジエステル化合物、ポリイミド前駆体の重合体及びその製造方法、ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、及び硬化被膜形成方法 |
-
2017
- 2017-03-22 JP JP2017055656A patent/JP6663380B2/ja active Active
-
2018
- 2018-03-12 US US15/918,261 patent/US11150556B2/en active Active
- 2018-03-19 TW TW107109220A patent/TWI664209B/zh active
- 2018-03-22 KR KR1020180033124A patent/KR102066786B1/ko active IP Right Grant
- 2018-03-22 EP EP18163279.5A patent/EP3398983B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3398983B1 (en) | 2023-09-27 |
KR102066786B1 (ko) | 2020-01-15 |
TW201841987A (zh) | 2018-12-01 |
US20180275513A1 (en) | 2018-09-27 |
JP2018158966A (ja) | 2018-10-11 |
EP3398983A1 (en) | 2018-11-07 |
US11150556B2 (en) | 2021-10-19 |
TWI664209B (zh) | 2019-07-01 |
KR20180107756A (ko) | 2018-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6487875B2 (ja) | テトラカルボン酸ジエステル化合物、ポリイミド前駆体の重合体及びその製造方法、ネガ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、及び硬化被膜形成方法 | |
JP6663380B2 (ja) | ポリイミド前駆体の重合体、ポジ型感光性樹脂組成物、ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品 | |
JP6663320B2 (ja) | テトラカルボン酸ジエステル化合物、ポリイミド前駆体の重合体及びその製造方法、ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、及び硬化被膜形成方法 | |
CN110016136B (zh) | 新型四羧酸二酐、聚酰亚胺树脂及其制造方法、光敏树脂组合物、图案形成方法 | |
JP6637871B2 (ja) | テトラカルボン酸ジエステル化合物、ポリイミド前駆体の重合体及びその製造方法、ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、及び硬化被膜形成方法 | |
JP7503015B2 (ja) | ポリイミドを含む重合体、ポジ型感光性樹脂組成物、ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190124 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6663380 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |