JP6643824B2 - Photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern, and semiconductor device - Google Patents
Photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern, and semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP6643824B2 JP6643824B2 JP2015137061A JP2015137061A JP6643824B2 JP 6643824 B2 JP6643824 B2 JP 6643824B2 JP 2015137061 A JP2015137061 A JP 2015137061A JP 2015137061 A JP2015137061 A JP 2015137061A JP 6643824 B2 JP6643824 B2 JP 6643824B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mass
- parts
- organic solvent
- photosensitive resin
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
本発明は、例えば電子部品の絶縁材料、並びに半導体装置におけるパッシベーション膜、バッファーコート膜及び層間絶縁膜等のレリーフパターンの形成に用いられる感光性樹脂組成物、それを用いた硬化レリーフパターンの製造方法、並びに半導体装置に関するものである。 The present invention relates to, for example, an insulating material for an electronic component, a photosensitive resin composition used for forming a relief pattern such as a passivation film, a buffer coat film and an interlayer insulating film in a semiconductor device, and a method for producing a cured relief pattern using the same. , And a semiconductor device.
従来、電子部品の絶縁材料、及び半導体装置のパッシベーション膜、表面保護膜、層間絶縁膜等には、優れた耐熱性、電気特性及び機械特性を併せ持つポリイミド樹脂が用いられている。このポリイミド樹脂の中でも、感光性ポリイミド前駆体の形で供されるものは、該前駆体の塗布、露光、現像、及びキュアによる熱イミド化処理によって、耐熱性のレリーフパターン被膜を容易に形成することができる。このような感光性ポリイミド前駆体は、従来の非感光型ポリイミドに比べて、大幅な工程短縮を可能にするという特徴を有している。 2. Description of the Related Art Conventionally, a polyimide resin having excellent heat resistance, electrical properties, and mechanical properties has been used for an insulating material of an electronic component, a passivation film, a surface protection film, an interlayer insulating film, and the like of a semiconductor device. Among the polyimide resins, those provided in the form of a photosensitive polyimide precursor are easily coated with the precursor, exposed to light, developed, and thermally imidized by curing to easily form a heat-resistant relief pattern film. be able to. Such a photosensitive polyimide precursor has a feature that the process can be significantly shortened as compared with a conventional non-photosensitive polyimide.
一方、近年は、集積度及び機能の向上、並びにチップサイズの矮小化の観点から、半導体装置のプリント配線基板への実装方法も変化している。従来の金属ピンと鉛−錫共晶ハンダによる実装方法から、より高密度実装が可能なBGA(ボールグリップドアレイ)、CSP(チップサイズパッケージング)等のように、ポリイミド被膜が、直接ハンダバンプに接触する構造が用いられるようになってきている。このようなバンプ構造を形成する際、当該被膜には高い耐熱性と耐薬品性が要求される。ポリイミド前駆体又はポリベンゾオキサゾール前駆体を含む組成物に熱架橋剤を添加することによって、ポリイミド被膜又はポリベンゾオキサゾール被膜の耐熱性を向上させる方法が開示されている(例えば、特許文献1参照)。 On the other hand, in recent years, the method of mounting a semiconductor device on a printed wiring board has also changed from the viewpoint of improving the degree of integration and functions and reducing the chip size. From the conventional mounting method using metal pins and lead-tin eutectic solder, polyimide coating directly contacts solder bumps, such as BGA (ball gripped array) and CSP (chip size packaging), which allow higher density mounting. The use of such a structure has been increasing. When forming such a bump structure, the coating is required to have high heat resistance and chemical resistance. A method of improving the heat resistance of a polyimide coating or a polybenzoxazole coating by adding a thermal crosslinking agent to a composition containing a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor is disclosed (for example, see Patent Document 1). .
しかしながら、半導体チップに求められる機能の高度化に伴い、半導体パッケージに搭載される入出力端子数が増大し、小面積のCSPでは端子を全て搭載できないという不具合が発生している。この不具合に対し、ファンアウトCSPが提案されている。このファンアウトCSPは、半導体チップの周辺にエポキシ樹脂等の材料で拡張部分を設け、半導体チップ上の電極から拡張部分に再配線を施し、拡張部分にもはんだボールを搭載することで必要な端子数を確保した半導体パッケージである。 ファンアウトCSPで用いられる基板は、コストの観点から大判の角パネル基板を用いる技術が広がってきている。この基板においては従来のSiウエハと比べて基板サイズが非常に大きいため、基板を回転させて塗布するスピン塗布法は困難であった。 However, with the sophistication of functions required for semiconductor chips, the number of input / output terminals mounted on a semiconductor package has increased, and there has been a problem that all terminals cannot be mounted on a small-area CSP. To address this problem, a fan-out CSP has been proposed. This fan-out CSP has a necessary terminal by providing an extended portion around the semiconductor chip with a material such as epoxy resin, performing rewiring from the electrode on the semiconductor chip to the extended portion, and mounting a solder ball on the extended portion. This is a semiconductor package with a sufficient number. As for the substrate used in the fan-out CSP, a technique using a large-sized square panel substrate has been spread from the viewpoint of cost. Since the substrate size of this substrate is much larger than that of a conventional Si wafer, the spin coating method of rotating and applying the substrate has been difficult.
本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、ノンスピン(バーコート、スリットコートなど)塗布法に好適な感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いてポリイミドパターンを形成する硬化レリーフパターンの製造方法並びに半導体装置を提供することを目的とする。 The present invention has been devised in view of such conventional circumstances, a non-spin (bar coating, slit coating, etc.) photosensitive resin composition suitable for coating method, polyimide using the photosensitive resin composition An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a cured relief pattern for forming a pattern and a semiconductor device.
本発明者らは、特定の特性を有する有機溶媒の組み合わせおよび溶媒含有量を最適化することにより、ノンスピン塗布において膜厚が均一で膜に欠陥がなく、ゆず肌状の塗布ムラの無い硬化膜を与える感光性樹脂組成物が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は以下の通りである。
[1]
(A)下記一般式(1):
(B)光重合開始剤:該(A)ポリイミド前駆体100質量部を基準として1質量部以上20質量部以下、
(C)大気圧下における沸点が180℃以上である有機溶媒、並びに、
(D)大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下である有機溶媒:該(A)ポリイミド前駆体100質量部を基準として有機溶媒全量が300〜600質量部、を含み、
前記溶媒は、(C)成分の含有量が有機溶媒全量に対して60重量%以上90重量%以下であり、(D)成分の含有量が有機溶媒全量に対して10重量%以上40%重量以下であり、
23℃における粘度が0.5P以上40P以下であることを特徴とする、ノンスピンコート用の感光性樹脂組成物。
[2]
(A)下記一般式(1):
(B)光重合開始剤:該(A)ポリイミド前駆体100質量部を基準として1質量部以上20質量部以下、
(C)大気圧下における沸点が180℃以上である有機溶媒、並びに、
(D)大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下である有機溶媒:該(A)ポリイミド前駆体100質量部を基準として有機溶媒全量が300〜600質量部、を含み、
前記溶媒は、(C)成分の含有量が有機溶媒全量に対して60重量%以上90重量%以下であり、(D)成分の含有量が有機溶媒全量に対して10重量%以上40%重量以下であり、
23℃における粘度が0.5P以上20P未満であることを特徴とする、ノンスピンコート用の感光性樹脂組成物。
[3]
前記溶媒は、(C)成分がN−メチル−2−ピロリドンまたはγ−ブチロラクトンであり、(D)成分が乳酸エチルである、[1]または[2]に記載の感光性樹脂組成物。
[4]
(A)下記一般式(1):
(B)光重合開始剤:該(A)ポリイミド前駆体100質量部を基準として1質量部以上20質量部以下、
(C)大気圧下における沸点が180℃以上である有機溶媒、並びに、
(D)大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下である有機溶媒:該(A)ポリイミド前駆体100質量部を基準として有機溶媒全量が300〜600質量部、を含み、
前記溶媒は、(C)成分の含有量が有機溶媒全量に対して60重量%以上90重量%以下であり、(D)成分の含有量が有機溶媒全量に対して10重量%以上40%重量以下であり、
23℃における粘度が0.5P以上40P以下である、ノンスピンコート用の感光性樹脂組成物を、ノンスピン塗布を用いて基板に塗布し、塗布膜を形成する工程、および、
前記塗布膜を乾燥する工程を含むことを特徴とする、感光性樹脂膜の製造方法。
[5]
以下の:
(1)[1]〜[3]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を基板上にノンスピン塗布することによって感光性樹脂層を該基板上に形成する工程と、
(2)該感光性樹脂層を露光する工程と、
(3)該露光後の感光性樹脂層を現像してレリーフパターンを形成する工程と、
(4)該レリーフパターンを加熱処理することによって硬化レリーフパターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とする、硬化レリーフパターンの製造方法。
[6]
[5]に記載の硬化レリーフパターンの製造方法を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
The present inventors have optimized a combination of organic solvents having specific characteristics and a solvent content to form a cured film having a uniform film thickness in non-spin coating, having no defects in the film, and having no coating unevenness like citron skin. It was found that a photosensitive resin composition giving the following was obtained, and the present invention was completed. That is, the present invention is as follows.
[1]
(A) The following general formula (1):
(B) a photopolymerization initiator: 1 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the (A) polyimide precursor;
(C) an organic solvent having a boiling point of 180 ° C. or higher under atmospheric pressure, and
(D) an organic solvent having a boiling point of 130 ° C. or more and 160 ° C. or less at atmospheric pressure: (A) a total amount of 300 to 600 parts by mass of the organic solvent based on 100 parts by mass of the polyimide precursor;
In the solvent, the content of the component (C) is 60% by weight or more and 90% by weight or less based on the total amount of the organic solvent, and the content of the component (D) is 10% by weight or more and 40% by weight based on the total amount of the organic solvent. Is the following,
A photosensitive resin composition for non-spin coating, wherein the viscosity at 23 ° C. is 0.5 P or more and 40 P or less.
[2]
(A) The following general formula (1):
(B) a photopolymerization initiator: 1 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the (A) polyimide precursor;
(C) an organic solvent having a boiling point of 180 ° C. or higher under atmospheric pressure, and
(D) an organic solvent having a boiling point under atmospheric pressure of 130 ° C. or more and 160 ° C. or less: (A) a total amount of 300 to 600 parts by mass of the organic solvent based on 100 parts by mass of the polyimide precursor,
In the solvent, the content of the component (C) is 60% by weight or more and 90% by weight or less based on the total amount of the organic solvent, and the content of the component (D) is 10% by weight or more and 40% by weight based on the total amount of the organic solvent. Is the following,
A photosensitive resin composition for non-spin coating, wherein the viscosity at 23 ° C. is 0.5 P or more and less than 20 P.
[3]
The photosensitive resin composition according to [1] or [2], wherein the component (C) is N-methyl-2-pyrrolidone or γ-butyrolactone, and the component (D) is ethyl lactate.
[4]
(A) The following general formula (1):
(B) a photopolymerization initiator: 1 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the (A) polyimide precursor;
(C) an organic solvent having a boiling point of 180 ° C. or higher under atmospheric pressure, and
(D) an organic solvent having a boiling point under atmospheric pressure of 130 ° C. or more and 160 ° C. or less: (A) a total amount of 300 to 600 parts by mass of the organic solvent based on 100 parts by mass of the polyimide precursor,
In the solvent, the content of the component (C) is 60% by weight or more and 90% by weight or less based on the total amount of the organic solvent, and the content of the component (D) is 10% by weight or more and 40% by weight based on the total amount of the organic solvent. Is the following,
A step of applying a photosensitive resin composition for non-spin coating having a viscosity at 23 ° C. of 0.5 P or more and 40 P or less to a substrate using non-spin coating to form a coating film; and
A method for producing a photosensitive resin film, comprising a step of drying the coating film.
[5]
below:
(1) a step of forming the photosensitive resin layer on the substrate by applying the photosensitive resin composition according to any one of [1] to [3] on the substrate by non-spin coating;
(2) exposing the photosensitive resin layer to light;
(3) developing the photosensitive resin layer after the exposure to form a relief pattern;
(4) a step of forming a cured relief pattern by heat-treating the relief pattern;
A method for producing a cured relief pattern, comprising:
[6]
[5] and having a method for manufacturing a cured relief pattern according to method of manufacturing a semiconductor device.
本発明によれば、感光性樹脂組成物において、特定の特性を有する有機溶媒の組み合わせおよび溶媒含有量を最適化することにより、ノンスピン塗布において膜厚が均一で膜に欠陥がなく、ゆず肌状の塗布ムラの無い硬化膜を与える感光性樹脂組成物を得ることができ、さらに、該感光性樹脂組成物を用いてポリイミドパターンを形成する硬化レリーフパターンの製造方法並びに半導体装置を提供することができる。 According to the present invention, in the photosensitive resin composition, by optimizing the combination and the solvent content of an organic solvent having specific characteristics, the film thickness is uniform and non-defective in non-spin coating, and it has a yuzu texture. It is possible to obtain a photosensitive resin composition that provides a cured film without coating unevenness, and to provide a method for producing a cured relief pattern for forming a polyimide pattern using the photosensitive resin composition and a semiconductor device. it can.
本発明について、以下に具体的に説明する。なお本明細書を通じ、一般式において同一符号で表されている構造は、分子中に複数存在する場合、互いに同一でも異なっていてもよい。 The present invention will be specifically described below. Note that throughout the present specification, when a plurality of structures represented by the same symbol in a general formula are present in a molecule, they may be the same or different from each other.
<感光性樹脂組成物>
本発明は、(A)下記一般式(1):
The present invention provides (A) the following general formula (1):
(A)ポリイミド前駆体
本発明に用いられる(A)ポリイミド前駆体について説明する。(A)ポリイミド前駆体は、本発明の感光性樹脂組成物における樹脂成分であり、上記一般式(1)で表される構造を有するポリアミドである。(A)ポリイミド前駆体は、加熱(例えば200℃以上)環化処理を施すことによってポリイミドに変換される。
(A) Polyimide precursor (A) The polyimide precursor used in the present invention will be described. (A) The polyimide precursor is a resin component in the photosensitive resin composition of the present invention, and is a polyamide having a structure represented by the general formula (1). (A) The polyimide precursor is converted to polyimide by subjecting it to a cyclization treatment (for example, 200 ° C. or higher).
上記一般式(1)中、X1で表される4価の有機基は、耐熱性と感光特性とを両立するという点で、好ましくは炭素数6〜40の有機基であり、さらに好ましくは、−COOR1基及び−COOR2基と−CONH−基とが互いにオルト位置にある芳香族基、又は脂環式脂肪族基である。X1で表される4価の有機基として、さらに好ましくは、下記式(5):
上記一般式(1)中、Y1で表される2価の有機基は、耐熱性と感光特性とを両立するという点で、好ましくは炭素数6〜40の芳香族基であり、例えば、下記式(6):
で表される構造が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、Y1の構造は1種でも2種以上の組み合わせでも構わない。上記式(6)及び(7)で表される構造を有するY1基は、耐熱性と感光特性とを両立するという点で好ましい。
In the general formula (1), the divalent organic group represented by Y 1 is preferably an aromatic group having 6 to 40 carbon atoms from the viewpoint of achieving both heat resistance and photosensitive characteristics. The following equation (6):
However, the present invention is not limited thereto. The structure of Y 1 may be one type or a combination of two or more types. The Y 1 group having a structure represented by the above formulas (6) and (7) is preferable in terms of achieving both heat resistance and photosensitive characteristics.
R1及びR2に関し、上記一般式(2)中のR3は、水素原子又はメチル基であることが好ましく、R4及びR5は、感光特性の観点から水素原子であることが好ましい。また、mは、感光特性の観点から2以上10以下、好ましくは2以上4以下である。 Regarding R 1 and R 2 , R 3 in the above general formula (2) is preferably a hydrogen atom or a methyl group, and R 4 and R 5 are preferably hydrogen atoms from the viewpoint of photosensitive characteristics. M is 2 or more and 10 or less, preferably 2 or more and 4 or less from the viewpoint of photosensitive characteristics.
[(A)ポリイミド前駆体の調製方法]
(A)ポリイミド前駆体において、上記一般式(1)で表される構造は、例えば、まず、前述の4価の有機基X1を含むテトラカルボン酸二無水物と、光重合性の不飽和二重結合を有するアルコール類及び任意に炭素数1〜4の飽和脂肪族アルコール類とを反応させて、部分的にエステル化したテトラカルボン酸(以下、アシッド/エステル体ともいう)を調製する。その後、得られたアシッド/エステル体と、前述の2価の有機基Y1を含むジアミン類とをアミド重縮合させることにより得られる。
[(A) Preparation method of polyimide precursor]
(A) In the polyimide precursor, the structure represented by the general formula (1) may be, for example, first, a tetracarboxylic dianhydride containing the tetravalent organic group X 1 and a photopolymerizable unsaturated An alcohol having a double bond and optionally a saturated aliphatic alcohol having 1 to 4 carbon atoms are reacted to prepare a partially esterified tetracarboxylic acid (hereinafter also referred to as acid / ester). Thereafter, the obtained acid / ester compound and the diamine containing the above-mentioned divalent organic group Y 1 are subjected to amide polycondensation.
(アシッド/エステル体の調製)
本発明で、(A)ポリイミド前駆体を調製するために好適に用いられる、4価の有機基X1を含むテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、無水ピロメリット酸、ジフェニルエーテル−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノン−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸二無水物、ビフェニル−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸二無水物、ジフェニルスルホン−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸二無水物、ジフェニルメタン−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−無水フタル酸)プロパン、2,2−ビス(3,4−無水フタル酸)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。また、これらは単独で用いることができるのは勿論のこと、2種以上を混合して用いてもよい。
(Preparation of acid / ester)
In the present invention, examples of the tetracarboxylic dianhydride containing a tetravalent organic group X 1 which is preferably used for preparing the polyimide precursor (A) include, for example, pyromellitic anhydride, diphenyl ether-3,3 ', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, benzophenone-3,3', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, biphenyl-3,3 ', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride Product, diphenylsulfone-3,3 ', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, diphenylmethane-3,3', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4 -Phthalic anhydride) propane, 2,2-bis (3,4-phthalic anhydride) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, and the like, but are not limited thereto. Not something. These can be used alone, or two or more of them may be used in combination.
本発明で、(A)ポリイミド前駆体を調製するために好適に用いられる、光重合性の不飽和二重結合を有するアルコール類としては、例えば、2−アクリロイルオキシエチルアルコール、1−アクリロイルオキシ−3−プロピルアルコール、2−アクリルアミドエチルアルコール、メチロールビニルケトン、2−ヒドロキシエチルビニルケトン、2−ヒドロキシ−3−メトキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシ−3−ブトキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシ−3−ブトキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシ−3−t−ブトキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシ−3−シクロヘキシルオキシプロピルアクリレート、2−メタクリロイルオキシエチルアルコール、1−メタクリロイルオキシ−3−プロピルアルコール、2−メタクリルアミドエチルアルコール、2−ヒドロキシ−3−メトキシプロピルメタクリレート、2−ヒドロキシ−3−ブトキシプロピルメタクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルメタクリレート、2−ヒドロキシ−3−ブトキシプロピルメタクリレート、2−ヒドロキシ−3−t−ブトキシプロピルメタクリレート、2−ヒドロキシ−3−シクロヘキシルオキシプロピルメタクリレート等を挙げることができる。
上記アルコール類に、炭素数1〜4の飽和脂肪族アルコールとして、例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、tert−ブタノール等を一部混合して用いることもできる。
In the present invention, (A) alcohols having a photopolymerizable unsaturated double bond suitably used for preparing a polyimide precursor include, for example, 2-acryloyloxyethyl alcohol, 1-acryloyloxy- 3-propyl alcohol, 2-acrylamidoethyl alcohol, methylol vinyl ketone, 2-hydroxyethyl vinyl ketone, 2-hydroxy-3-methoxypropyl acrylate, 2-hydroxy-3-butoxypropyl acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl Acrylate, 2-hydroxy-3-butoxypropyl acrylate, 2-hydroxy-3-t-butoxypropyl acrylate, 2-hydroxy-3-cyclohexyloxypropyl acrylate, 2-methacryloyloxyethyl alcohol , 1-methacryloyloxy-3-propyl alcohol, 2-methacrylamidoethyl alcohol, 2-hydroxy-3-methoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-butoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl methacrylate, 2- Examples thereof include hydroxy-3-butoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-t-butoxypropyl methacrylate, and 2-hydroxy-3-cyclohexyloxypropyl methacrylate.
For example, methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, tert-butanol and the like may be partially mixed and used as the above-mentioned alcohols as a saturated aliphatic alcohol having 1 to 4 carbon atoms.
上記の本発明に好適なテトラカルボン酸二無水物と上記のアルコール類とを、ピリジン等の塩基性触媒の存在下、適当な反応溶媒中、温度20〜50℃で4〜10時間撹拌溶解、混合することにより、酸無水物のエステル化反応が進行し、所望のアシッド/エステル体を得ることができる。 The tetracarboxylic dianhydride and the alcohols suitable for the present invention are dissolved under stirring in a suitable reaction solvent at a temperature of 20 to 50 ° C. for 4 to 10 hours in the presence of a basic catalyst such as pyridine, By mixing, the esterification reaction of the acid anhydride proceeds, and a desired acid / ester compound can be obtained.
上記反応溶媒としては、アシッド/エステル体、及びこれとジアミン成分とのアミド重縮合生成物であるポリイミド前駆体を完全に溶解するものが好ましく、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ガンマブチロラクトン等が挙げられる。
反応溶媒としては、その他、ケトン類、エステル類、ラクトン類、エーテル類、ハロゲン化炭化水素類、炭化水素類として、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン、1,4−ジクロロブタン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられる。これらは必要に応じて、単独で用いても2種以上混合して用いてもよい。
As the reaction solvent, those which completely dissolve the acid / ester compound and the polyimide precursor which is an amide polycondensation product of the acid / ester compound and the diamine component are preferable. For example, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N -Dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, tetramethylurea, gamma-butyrolactone and the like.
Other reaction solvents include ketones, esters, lactones, ethers, halogenated hydrocarbons, and hydrocarbons such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methyl acetate, ethyl acetate, and butyl acetate. , Diethyl oxalate, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, dichloromethane, 1,2-dichloroethane, 1,4-dichlorobutane, chlorobenzene, o-dichlorobenzene, hexane, heptane, benzene, toluene, xylene and the like. These may be used alone or as a mixture of two or more, if necessary.
(ポリイミド前駆体の調製)
上記アシッド/エステル体(典型的には上記反応溶媒中の溶液)に、氷冷下、適当な脱水縮合剤、例えば、ジシクロヘキシルカルボジイミド、1−エトキシカルボニル−2−エトキシ−1,2−ジヒドロキノリン、1,1−カルボニルジオキシ−ジ−1,2,3−ベンゾトリアゾール、N,N’−ジスクシンイミジルカーボネート等を投入混合してアシッド/エステル体をポリ酸無水物とした後、これに、本発明で好適に用いられる2価の有機基Y1を含むジアミン類を別途溶媒に溶解又は分散させたものを滴下投入し、アミド重縮合させることにより、目的のポリイミド前駆体を得ることができる。
本発明で好適に用いられる2価の有機基Y1を含むジアミン類としては、例えば、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、4,4−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノビフェニル、3,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジアミノビフェニル、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、4,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、1,4−ビス(4−アミノフェニル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェニル)ベンゼン、9,10−ビス(4−アミノフェニル)アントラセン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,4−ビス(3−アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼン、オルト−トリジンスルホン、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン、及びこれらのベンゼン環上の水素原子の一部が、メチル基、エチル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ハロゲン等で置換されたもの、例えば3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジメチトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジクロロ−4,4’−ジアミノビフェニル、並びにその混合物等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
(Preparation of polyimide precursor)
The above acid / ester (typically a solution in the above reaction solvent) is added to a suitable dehydration condensing agent such as dicyclohexylcarbodiimide, 1-ethoxycarbonyl-2-ethoxy-1,2-dihydroquinoline under ice-cooling. 1,1-carbonyldioxy-di-1,2,3-benzotriazole, N, N′-disuccinimidyl carbonate and the like were added and mixed to convert the acid / ester into a polyanhydride. A diamine containing a divalent organic group Y 1 suitably used in the present invention is separately added to a solvent by dissolving or dispersing the diamine in a solvent, and the desired polyimide precursor can be obtained by polycondensation with amide. it can.
Examples of the diamine containing a divalent organic group Y 1 preferably used in the present invention include, for example, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4-diaminodiphenyl ether, 3,4′-diaminodiphenyl ether, 3'-diaminodiphenylether, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfone 3,3′-diaminodiphenylsulfone, 4,4′-diaminobiphenyl, 3,4′-diaminobiphenyl, 3,3′-diaminobiphenyl, 4,4′-diaminobenzophenone, 3,4′-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenyl Methane, 3,4′-diaminodiphenylmethane, 3,3′-diaminodiphenylmethane, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis ( 3-aminophenoxy) benzene, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 4,4-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 4, 4-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, 1,4-bis (4-aminophenyl) Benzene, 1,3-bis (4-aminophenyl) benzene, 9,10-bis (4-aminophenyl) anthracene, , 2-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl) hexafluoropropane, 1,4-bis (3-aminopropyldimethylsilyl) benzene, ortho-tolidine sulfone, 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene, and these In which a part of the hydrogen atoms on the benzene ring has been substituted with a methyl group, an ethyl group, a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group, a halogen or the like, for example, 3,3′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2'-di Butyl-4,4′-diaminodiphenylmethane, 3,3′-dimethoxy-4,4′-diaminobiphenyl, 3,3′-dichloro-4,4′-diaminobiphenyl, and mixtures thereof. However, the present invention is not limited to this.
また、本発明の感光性樹脂組成物を基板上に塗布することによって基板上に形成される感光性樹脂層と各種基板との密着性の向上を目的に、(A)ポリイミド前駆体の調製に際して、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラフェニルジシロキサン等のジアミノシロキサン類を共重合することもできる。 In addition, for the purpose of improving the adhesion between the photosensitive resin layer formed on the substrate and the various types of substrates by applying the photosensitive resin composition of the present invention onto the substrate, (A) the preparation of the polyimide precursor And diaminosiloxanes such as 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane and 1,3-bis (3-aminopropyl) tetraphenyldisiloxane.
アミド重縮合反応終了後、当該反応液中に共存している脱水縮合剤の吸水副生物を、必要に応じて濾別した後、水、脂肪族低級アルコール、又はその混合液等の貧溶媒を、得られた重合体成分に投入し、重合体成分を析出させ、さらに、再溶解、再沈析出操作等を繰り返すことにより、重合体を精製し、真空乾燥を行い、目的のポリイミド前駆体を単離する。精製度を向上させるために、陰イオン及び/又は陽イオン交換樹脂を適当な有機溶媒で膨潤させて充填したカラムに、この重合体の溶液を通し、イオン性不純物を除去してもよい。 After completion of the amide polycondensation reaction, the water-absorbing by-product of the dehydration condensing agent coexisting in the reaction solution is filtered off as necessary, and then a poor solvent such as water, an aliphatic lower alcohol, or a mixture thereof is removed. , Into the obtained polymer component, to precipitate the polymer component, further, by re-dissolving, repeating the re-precipitation precipitation operation, etc., to purify the polymer, vacuum-dried, the desired polyimide precursor Isolate. To improve the degree of purification, the solution of the polymer may be passed through a column packed by swelling an anion and / or cation exchange resin with a suitable organic solvent to remove ionic impurities.
(A)ポリイミド前駆体の分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算重量平均分子量で測定した場合に、8,000〜150,000であることが好ましく、9,000〜50,000であることがより好ましい。重量平均分子量が8,000以上である場合、機械物性が良好であり、150,000以下である場合、現像液への分散性が良好で、レリーフパターンの解像性能が良好である。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの展開溶媒としては、テトラヒドロフラン、及びN−メチル−2−ピロリドンが推奨される。また分子量は標準単分散ポリスチレンを用いて作成した検量線から求める。標準単分散ポリスチレンとしては、昭和電工社製 有機溶媒系標準試料 STANDARD SM−105から選ぶことが推奨される。 (A) The molecular weight of the polyimide precursor is preferably from 8,000 to 150,000, and more preferably from 9,000 to 50,000, as measured by weight average molecular weight in terms of polystyrene by gel permeation chromatography. Is more preferred. When the weight average molecular weight is 8,000 or more, mechanical properties are good, and when it is 150,000 or less, dispersibility in a developing solution is good, and the resolution performance of a relief pattern is good. Tetrahydrofuran and N-methyl-2-pyrrolidone are recommended as developing solvents for gel permeation chromatography. The molecular weight is determined from a calibration curve prepared using standard monodisperse polystyrene. It is recommended that the standard monodisperse polystyrene be selected from STANDARD SM-105, an organic solvent-based standard sample manufactured by Showa Denko KK.
(B)光重合開始剤
本発明に用いられる(B)光重合開始剤について説明する。(B)光重合開始剤としては、UV硬化用の光重合開始剤として従来用いられている化合物を任意に選択できる。(B)光重合開始剤として好適に使用できる化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、4−ベンゾイル−4’−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン等のベンゾフェノン誘導体、2,2’−ジエトキシアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオフェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のアセトフェノン誘導体、チオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン誘導体、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール等のベンジル誘導体、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル等のベンゾイン誘導体、1−フェニル−1,2−ブタンジオン−2−(o−メトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−メトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−ベンゾイル)オキシム、1,3−ジフェニルプロパントリオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−3−エトキシプロパントリオン−2−(o−ベンゾイル)オキシム等のオキシム類、N−フェニルグリシン等のN−アリールグリシン類、ベンゾイルパークロライド等の過酸化物類、芳香族ビイミダゾール類等が好ましく挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらの使用にあたっては、1種でも2種以上の混合物でもかまわない。上記の光重合開始剤の中では、特に光感度の点で、オキシム類がより好ましい。
(B) Photopolymerization initiator (B) The photopolymerization initiator used in the present invention will be described. As the photopolymerization initiator (B), a compound conventionally used as a photopolymerization initiator for UV curing can be arbitrarily selected. (B) Compounds that can be suitably used as a photopolymerization initiator include, for example, benzophenone derivatives such as benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4-benzoyl-4′-methyldiphenylketone, dibenzylketone, and fluorenone; 2′-Diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, acetophenone derivatives such as 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, thioxanthone derivatives such as diethylthioxanthone, benzyl, Benzyl derivatives such as benzyldimethyl ketal and benzyl-β-methoxyethyl acetal, benzoin derivatives such as benzoin and benzoin methyl ether, 1-phenyl-1,2-butanedione- 2- (o-methoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-methoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) Oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-benzoyl) oxime, 1,3-diphenylpropanetrione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-3-ethoxypropanetrione- Preferred examples include oximes such as 2- (o-benzoyl) oxime, N-arylglycines such as N-phenylglycine, peroxides such as benzoyl perchloride, and aromatic biimidazoles, but are not limited thereto. It is not something to be done. In using these, one kind or a mixture of two or more kinds may be used. Among the above photopolymerization initiators, oximes are more preferable, particularly from the viewpoint of photosensitivity.
(B)光重合開始剤の配合量は、(A)ポリイミド前駆体100質量部に対し、1質量部以上20質量部以下であり、光感度特性の観点から2質量部以上15質量部以下が好ましい。(B)光重合開始剤を(A)ポリイミド前駆体100質量部に対し1質量部以上配合することで、光感度に優れ、20質量部以下配合することで、厚膜硬化性に優れる。 The compounding amount of the photopolymerization initiator (B) is 1 part by mass or more and 20 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polyimide precursor (A), and 2 parts by mass or more and 15 parts by mass or less from the viewpoint of photosensitivity characteristics. preferable. By blending the photopolymerization initiator in an amount of 1 part by mass or more with respect to 100 parts by mass of the polyimide precursor (A), excellent photosensitivity is obtained.
(C)大気圧下における沸点が180℃以上の有機溶媒
本発明に用いられる(C)大気圧下における沸点が180℃以上の有機溶媒について説明する。
(C)大気圧下における沸点が180℃以上の有機溶媒を用いることにより、乾燥後の膜厚が均一で、ゆず肌状の塗布ムラの無い硬化膜を得る事ができる。大気圧下における沸点が180℃以上の有機溶媒を用いると、十分にレベリングさせ、膜を形成させてから溶媒を揮発させることができため、膜厚均一性に優れる。また、乾燥速度がゆっくりであるため、ゆず肌状の塗布ムラを抑制する事が出来る。
溶媒としては、(A)ポリイミド前駆体に対する溶解性の点から、極性の有機溶媒を用いることが好ましい。具体的には、N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリノン等が挙げられ、これらは単独又は2種以上の組合せで用いることができる。感光性樹脂組成物の保存安定性の観点から、N−メチル−2−ピロリドンもしくはγ−ブチロラクトンが好ましい。
(C) Organic solvent having a boiling point of 180 ° C. or more under atmospheric pressure The (C) organic solvent having a boiling point of 180 ° C. or more under atmospheric pressure used in the present invention will be described.
(C) By using an organic solvent having a boiling point of 180 ° C. or more under atmospheric pressure, it is possible to obtain a cured film having a uniform film thickness after drying and having no yuzu-skin-like coating unevenness. When an organic solvent having a boiling point of 180 ° C. or more at atmospheric pressure is used, the solvent can be volatilized after sufficient leveling and formation of a film, so that the film thickness is excellent in uniformity. In addition, since the drying speed is slow, it is possible to suppress coating unevenness such as citron skin.
As the solvent, it is preferable to use a polar organic solvent from the viewpoint of solubility in the polyimide precursor (A). Specific examples include N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, dimethylsulfoxide, γ-butyrolactone, 1,3-dimethyl-2-imidazolinone, and the like, alone or in combination of two or more. Can be used in combination. From the viewpoint of storage stability of the photosensitive resin composition, N-methyl-2-pyrrolidone or γ-butyrolactone is preferred.
本発明において(C)成分の含有量は、有機溶媒全量に対して60重量%以上90重量%以下である。好ましくは70重量%以上85重量%である。上記含有量が有機溶媒全量に対して60重量%以上である場合、膜厚均一性や塗布ムラの無い硬化膜を得る事ができる。一方、(C)成分の含有量が90重量%を以下である場合、後述する(D)成分の含有量が相対的に10重量%以上であるため、膜欠陥の無い硬化膜を得る事が出来る。 In the present invention, the content of the component (C) is from 60% by weight to 90% by weight based on the total amount of the organic solvent. Preferably it is 70% by weight or more and 85% by weight. When the content is 60% by weight or more with respect to the total amount of the organic solvent, a cured film having uniform film thickness and uniform coating can be obtained. On the other hand, when the content of the component (C) is 90% by weight or less, since the content of the component (D) described later is relatively 10% by weight or more, a cured film having no film defect may be obtained. I can do it.
(D)大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下の有機溶媒
本発明に用いられる(D)大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下の有機溶媒について説明する。
(C)大気圧下における沸点が180℃以上の有機溶媒に加えて、(D)大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下の有機溶媒を含有することにより、膜欠陥の無い硬化膜を得る事が出来る。大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下の有機溶媒を用いると、塗布後に溶媒が揮発しやすいため、下地のはじきを抑制する事が出来て、乾燥後に膜欠陥の無い硬化膜を得る事が出来る。一方、大気圧下における沸点が130℃以下の有機溶媒を用いた場合、(A)成分の溶解性が低下し、析出する場合がある。
(D) Organic solvent having a boiling point of 130 ° C. or more and 160 ° C. or less under atmospheric pressure The (D) organic solvent having a boiling point of 130 ° C. or more and 160 ° C. or less under atmospheric pressure used in the invention will be described.
(C) In addition to an organic solvent having a boiling point under atmospheric pressure of 180 ° C. or higher and (D) an organic solvent having a boiling point of 130 ° C. or higher and 160 ° C. or lower under atmospheric pressure, a cured film having no film defects can be obtained. You can get it. When an organic solvent having a boiling point of 130 ° C. or more and 160 ° C. or less under atmospheric pressure is used, the solvent is easily volatilized after application, so that repelling of the base can be suppressed, and a cured film having no film defects after drying can be obtained. Can be done. On the other hand, when an organic solvent having a boiling point of 130 ° C. or less under atmospheric pressure is used, the solubility of the component (A) is reduced, and the component may be precipitated.
本発明において(D)成分の含有量は、有機溶媒全量に対して10重量%以上40重量%以下である。好ましくは15重量%以上30重量%である。上記含有量が有機溶媒全量に対して10重量%以上である場合、膜欠陥の無い硬化膜を得る事ができる。一方、(D)成分の含有量が40重量%以下である場合、膜厚が均一であり、ゆず肌状の塗布ムラの無い硬化膜を得る事ができる。 In the present invention, the content of the component (D) is from 10% by weight to 40% by weight based on the total amount of the organic solvent. Preferably it is 15% by weight or more and 30% by weight. When the content is 10% by weight or more with respect to the total amount of the organic solvent, a cured film without film defects can be obtained. On the other hand, when the content of the component (D) is 40% by weight or less, it is possible to obtain a cured film having a uniform film thickness and having no yuzu-skin-like coating unevenness.
溶媒としては、感光性樹脂組成物の保存安定性を向上させる観点から、アルコール類を含む溶媒が好ましい。具体的には、乳酸エチル等の乳酸エステル類、プロピレングリコールモノエチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコール−n−プロピルエーテル等のモノアルコール類を挙げることができる。特に乳酸エチルがより好ましい。 As the solvent, a solvent containing an alcohol is preferable from the viewpoint of improving the storage stability of the photosensitive resin composition. Specific examples include lactic acid esters such as ethyl lactate, propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monoethyl ether, and monoalcohols such as ethylene glycol ethyl ether and ethylene glycol-n-propyl ether. Particularly, ethyl lactate is more preferable.
上記(C)成分および(D)成分の有機溶媒は、その総量が、(A)ポリイミド前駆体100質量部を基準として185質量部以上600質量部以下である。好ましくは300質量部以上450質量部以下である。有機溶媒が185質量部以上であり、粘度が40P以下であれば、感光性樹脂組成物を厚く塗布する事が出来るため、膜厚均一性に優れる。一方で、600質量部以下であり、粘度が0.5P以上であれば、感光性樹脂組成物を薄く塗布する事が出来るため、塗膜内部の流動が起きにくく、ゆず肌状の塗布ムラが発生しない。 The total amount of the organic solvents of the components (C) and (D) is 185 parts by mass or more and 600 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the polyimide precursor (A). Preferably it is 300 parts by mass or more and 450 parts by mass or less. When the amount of the organic solvent is 185 parts by mass or more and the viscosity is 40 P or less, the photosensitive resin composition can be applied thickly, so that the film thickness is excellent in uniformity. On the other hand, when the content is 600 parts by mass or less and the viscosity is 0.5 P or more, the photosensitive resin composition can be applied thinly, so that the flow inside the coating film hardly occurs, and the coating unevenness like citron skin is generated. Does not occur.
本発明の感光性樹脂組成物は、上述した(A)ポリイミド前駆体以外の樹脂成分をさらに含有してもよい。含有できる樹脂成分としては、ポリイミド、ポリオキサゾール、ポリオキサゾール前駆体、フェノール樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂、シロキサン樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。これらの樹脂成分の配合量は、(A)ポリイミド前駆体100質量部に対して、好ましくは0.01〜20質量部の範囲である。 The photosensitive resin composition of the present invention may further contain a resin component other than the (A) polyimide precursor described above. Examples of the resin component that can be contained include polyimide, polyoxazole, polyoxazole precursor, phenol resin, polyamide, epoxy resin, siloxane resin, and acrylic resin. The compounding amount of these resin components is preferably in the range of 0.01 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the polyimide precursor (A).
また、本発明の感光性樹脂組成物には、光感度を向上させるために増感剤を任意に配合することができる。該増感剤としては、例えば、ミヒラーズケトン、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、2,5−ビス(4’−ジエチルアミノベンザル)シクロペンタン、2,6−ビス(4’−ジエチルアミノベンザル)シクロヘキサノン、2,6−ビス(4’−ジエチルアミノベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン、4,4’−ビス(ジメチルアミノ)カルコン、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)カルコン、p−ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、p−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、2−(p−ジメチルアミノフェニルビフェニレン)−ベンゾチアゾール、2−(p−ジメチルアミノフェニルビニレン)ベンゾチアゾール、2−(p−ジメチルアミノフェニルビニレン)イソナフトチアゾール、1,3−ビス(4’−ジメチルアミノベンザル)アセトン、1,3−ビス(4’−ジエチルアミノベンザル)アセトン、3,3’−カルボニル−ビス(7−ジエチルアミノクマリン)、3−アセチル−7−ジメチルアミノクマリン、3−エトキシカルボニル−7−ジメチルアミノクマリン、3−ベンジロキシカルボニル−7−ジメチルアミノクマリン、3−メトキシカルボニル−7−ジエチルアミノクマリン、3−エトキシカルボニル−7−ジエチルアミノクマリン、N−フェニル−N’−エチルエタノールアミン、N−フェニルジエタノールアミン、N−p−トリルジエタノールアミン、N−フェニルエタノールアミン、4−モルホリノベンゾフェノン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、2−メルカプトベンズイミダゾール、1−フェニル−5−メルカプトテトラゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール、2−(p−ジメチルアミノスチリル)ベンズオキサゾール、2−(p−ジメチルアミノスチリル)ベンズチアゾール、2−(p−ジメチルアミノスチリル)ナフト(1,2−d)チアゾール、2−(p−ジメチルアミノベンゾイル)スチレン等が挙げられる。これらは単独で又は例えば2〜5種類の組合せで用いることができる。
光感度を向上させるための増感剤を感光性樹脂組成物が含有する場合の配合量は、(A)ポリイミド前駆体100質量部に対し、0.1〜25質量部であることが好ましい。
In addition, a sensitizer can be optionally added to the photosensitive resin composition of the present invention in order to improve photosensitivity. Examples of the sensitizer include Michler's ketone, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, 2,5-bis (4'-diethylaminobenzal) cyclopentane, 2,6-bis (4'-diethylaminobenzal) ) Cyclohexanone, 2,6-bis (4'-diethylaminobenzal) -4-methylcyclohexanone, 4,4'-bis (dimethylamino) chalcone, 4,4'-bis (diethylamino) chalcone, p-dimethylaminocinna Mylidene indanone, p-dimethylaminobenzylidene indanone, 2- (p-dimethylaminophenylbiphenylene) -benzothiazole, 2- (p-dimethylaminophenylvinylene) benzothiazole, 2- (p-dimethylaminophenylvinylene) Isonaphthothiazole, 1,3-bis (4′-dimethyl Aminobenzal) acetone, 1,3-bis (4'-diethylaminobenzal) acetone, 3,3'-carbonyl-bis (7-diethylaminocoumarin), 3-acetyl-7-dimethylaminocoumarin, 3-ethoxycarbonyl-7 -Dimethylaminocoumarin, 3-benzyloxycarbonyl-7-dimethylaminocoumarin, 3-methoxycarbonyl-7-diethylaminocoumarin, 3-ethoxycarbonyl-7-diethylaminocoumarin, N-phenyl-N'-ethylethanolamine, N- Phenyldiethanolamine, Np-tolyldiethanolamine, N-phenylethanolamine, 4-morpholinobenzophenone, isoamyl dimethylaminobenzoate, isoamyl diethylaminobenzoate, 2-mercaptobenzimidazole, 1-f Nyl-5-mercaptotetrazole, 2-mercaptobenzothiazole, 2- (p-dimethylaminostyryl) benzoxazole, 2- (p-dimethylaminostyryl) benzthiazole, 2- (p-dimethylaminostyryl) naphtho (1, 2-d) thiazole, 2- (p-dimethylaminobenzoyl) styrene and the like. These can be used alone or in combination of, for example, 2 to 5 types.
When the photosensitive resin composition contains a sensitizer for improving photosensitivity, the compounding amount is preferably 0.1 to 25 parts by mass based on 100 parts by mass of the polyimide precursor (A).
また、本発明の感光性樹脂組成物は、レリーフパターンの解像性を向上させるために、光重合性の不飽和結合を有するモノマーを任意に配合することができる。このようなモノマーとしては、光重合開始剤によりラジカル重合反応する(メタ)アクリル化合物が好ましく、特に以下に限定するものではないが、ジエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレートをはじめとする、エチレングリコール又はポリエチレングリコールのモノ又はジアクリレート及びメタクリレート、プロピレングリコール又はポリプロピレングリコールのモノ又はジアクリレート及びメタクリレート、グリセロールのモノ、ジ又はトリアクリレート及びメタクリレート、シクロヘキサンジアクリレート及びジメタクリレート、1,4−ブタンジオールのジアクリレート及びジメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールのジアクリレート及びジメタクリレート、ネオペンチルグリコールのジアクリレート及びジメタクリレート、ビスフェノールAのモノ又はジアクリレート及びメタクリレート、ベンゼントリメタクリレート、イソボルニルアクリレート及びメタクリレート、アクリルアミド及びその誘導体、メタクリルアミド及びその誘導体、トリメチロールプロパントリアクリレート及びメタクリレート、グリセロールのジ又はトリアクリレート及びメタクリレート、ペンタエリスリトールのジ、トリ、又はテトラアクリレート及びメタクリレート、並びにこれら化合物のエチレンオキサイド又はプロピレンオキサイド付加物等の化合物を挙げることができる。
レリーフパターンの解像性を向上させるための上記の光重合性の不飽和結合を有するモノマーを感光性樹脂組成物が含有する場合の配合量は、(A)ポリイミド前駆体100質量部に対し、1〜50質量部であることが好ましい。
Further, in the photosensitive resin composition of the present invention, a monomer having a photopolymerizable unsaturated bond can be arbitrarily compounded in order to improve the resolution of the relief pattern. As such a monomer, a (meth) acrylic compound which undergoes a radical polymerization reaction by a photopolymerization initiator is preferable, and is not particularly limited to, but ethylene glycol such as diethylene glycol dimethacrylate and tetraethylene glycol dimethacrylate may be used. Or mono or diacrylate and methacrylate of polyethylene glycol, mono or diacrylate and methacrylate of propylene glycol or polypropylene glycol, mono, di or triacrylate and methacrylate of glycerol, cyclohexane diacrylate and dimethacrylate, di of 1,4-butanediol Acrylate and dimethacrylate, diacrylate and dimethacrylate of 1,6-hexanediol, and neopentyl glycol Acrylate and dimethacrylate, bisphenol A mono or diacrylate and methacrylate, benzenetrimethacrylate, isobornyl acrylate and methacrylate, acrylamide and its derivatives, methacrylamide and its derivatives, trimethylolpropane triacrylate and methacrylate, glycerol di or tri Acrylates and methacrylates, pentaerythritol di, tri, or tetraacrylates and methacrylates, and compounds such as ethylene oxide or propylene oxide adducts of these compounds may be mentioned.
When the photosensitive resin composition contains the above-mentioned monomer having a photopolymerizable unsaturated bond for improving the resolution of the relief pattern, the compounding amount is (A) 100 parts by mass of the polyimide precursor. Preferably it is 1 to 50 parts by mass.
また、本発明の感光性樹脂組成物を用いて形成される膜と基材との接着性向上のために接着助剤を任意に配合することができる。接着助剤としては、γ−アミノプロピルジメトキシシラン、N−(β−アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル−3−ピペリジノプロピルシラン、ジエトキシ−3−グリシドキシプロピルメチルシラン、N−(3−ジエトキシメチルシリルプロピル)スクシンイミド、N−〔3−(トリエトキシシリル)プロピル〕フタルアミド酸、ベンゾフェノン−3,3’−ビス(N−〔3−トリエトキシシリル〕プロピルアミド)−4,4’−ジカルボン酸、ベンゼン−1,4−ビス(N−〔3−トリエトキシシリル〕プロピルアミド)−2,5−ジカルボン酸、3−(トリエトキシシリル)プロピルスクシニックアンハイドライド、N−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤、及びアルミニウムトリス(エチルアセトアセテート)、アルミニウムトリス(アセチルアセトネート)、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート等のアルミニウム系接着助剤等が挙げられる。
これらの接着助剤のうちでは、接着力の点からシランカップリング剤を用いることがより好ましい。感光性樹脂組成物が接着助剤を含有する場合の配合量は、(A)ポリイミド前駆体100質量部に対し、0.5〜25質量部の範囲が好ましい。
Further, an adhesion aid can be arbitrarily compounded for improving the adhesion between a film formed using the photosensitive resin composition of the present invention and a substrate. Examples of the adhesion assistant include γ-aminopropyldimethoxysilane, N- (β-aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, Methacryloxypropyldimethoxymethylsilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, dimethoxymethyl-3-piperidinopropylsilane, diethoxy-3-glycidoxypropylmethylsilane, N- (3-diethoxymethylsilylpropyl) succinimide , N- [3- (triethoxysilyl) propyl] phthalamic acid, benzophenone-3,3'-bis (N- [3-triethoxysilyl] propylamide) -4,4'-dicarboxylic acid, benzene-1, 4-bis (N- [3-triet Silicyl] propylamido) -2,5-dicarboxylic acid, 3- (triethoxysilyl) propylsuccinic anhydride, a silane coupling agent such as N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, and aluminum tris (ethylacetoacetate); Aluminum-based adhesion aids such as aluminum tris (acetylacetonate) and ethyl acetoacetate aluminum diisopropylate are exemplified.
Among these adhesion assistants, it is more preferable to use a silane coupling agent from the viewpoint of adhesive strength. When the photosensitive resin composition contains the adhesion aid, the compounding amount is preferably in the range of 0.5 to 25 parts by mass based on 100 parts by mass of the polyimide precursor (A).
また、本発明の感光性樹脂組成物は、特に溶媒を含む溶液の状態での保存時の感光性樹脂組成物の粘度及び光感度の安定性を向上させるために、熱重合禁止剤を任意に配合することができる。熱重合禁止剤としては、ヒドロキノン、N−ニトロソジフェニルアミン、p−tert−ブチルカテコール、フェノチアジン、N−フェニルナフチルアミン、エチレンジアミン四酢酸、1,2−シクロヘキサンジアミン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、2,6−ジ−tert−ブチル−p−メチルフェノール、5−ニトロソ−8−ヒドロキシキノリン、1−ニトロソ−2−ナフトール、2−ニトロソ−1−ナフトール、2−ニトロソ−5−(N−エチル−N−スルフォプロピルアミノ)フェノール、N−ニトロソ−N−フェニルヒドロキシルアミンアンモニウム塩、N−ニトロソ−N(1−ナフチル)ヒドロキシルアミンアンモニウム塩等が用いられる。
感光性樹脂組成物に配合する場合の熱重合禁止剤の配合量としては、(A)ポリイミド前駆体100質量部に対し、0.005〜12質量部の範囲が好ましい。
In addition, the photosensitive resin composition of the present invention may optionally include a thermal polymerization inhibitor to improve the stability of the viscosity and photosensitivity of the photosensitive resin composition particularly when stored in a solution containing a solvent. Can be blended. Examples of the thermal polymerization inhibitor include hydroquinone, N-nitrosodiphenylamine, p-tert-butylcatechol, phenothiazine, N-phenylnaphthylamine, ethylenediaminetetraacetic acid, 1,2-cyclohexanediaminetetraacetic acid, glycol ether diaminetetraacetic acid, 2,6 -Di-tert-butyl-p-methylphenol, 5-nitroso-8-hydroxyquinoline, 1-nitroso-2-naphthol, 2-nitroso-1-naphthol, 2-nitroso-5- (N-ethyl-N- Sulfopropylamino) phenol, N-nitroso-N-phenylhydroxylamine ammonium salt, N-nitroso-N (1-naphthyl) hydroxylamine ammonium salt and the like are used.
The blending amount of the thermal polymerization inhibitor when blended in the photosensitive resin composition is preferably in the range of 0.005 to 12 parts by mass based on 100 parts by mass of the polyimide precursor (A).
また、本発明の感光性樹脂組成物は、架橋剤を任意に配合できる。架橋剤は、本発明の感光性樹脂組成物を用いて形成されたレリーフパターンを加熱硬化する際に、(A)ポリイミド前駆体を架橋しうるか、又は架橋剤自身が架橋ネットワークを形成しうる架橋剤であることができる。架橋剤は、感光性樹脂組成物から形成された硬化膜の耐熱性及び耐薬品性を更に強化することができる。架橋剤としては、アミノ樹脂及びその誘導体が好適に用いられ、中でも、尿素樹脂、グリコール尿素樹脂、ヒドロキシエチレン尿素樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、及びこれらの誘導体が好適に用いられる。特に好ましくは、アルコキシメチル化尿素化合物及びアルコキシメチル化メラミン化合物であり、例として、MX−290(日本カーバイド社製)、UFR−65(日本サイテック社製)、及びMW−390(日本カーバイド社製)が挙げられる。 Further, the photosensitive resin composition of the present invention may optionally contain a crosslinking agent. The cross-linking agent can crosslink the polyimide precursor (A) when the relief pattern formed using the photosensitive resin composition of the present invention is heated and cured, or the cross-linking agent itself can form a cross-linked network. Can be an agent. The crosslinking agent can further enhance the heat resistance and chemical resistance of the cured film formed from the photosensitive resin composition. As the cross-linking agent, amino resins and derivatives thereof are preferably used. Among them, urea resins, glycol urea resins, hydroxyethylene urea resins, melamine resins, benzoguanamine resins, and derivatives thereof are preferably used. Particularly preferred are an alkoxymethylated urea compound and an alkoxymethylated melamine compound. ).
耐熱性及び耐薬品性以外の諸性能との兼ね合いで、感光性樹脂組成物が架橋剤を含有する場合の配合量は、(A)ポリイミド前駆体100質量部に対し、0.5〜20質量部であることが好ましく、より好ましくは2〜10質量部である。該配合量が0.5質量部以上である場合、良好な耐熱性及び耐薬品性が発現し、一方、20質量部以下である場合、保存安定性に優れる。 In consideration of various properties other than heat resistance and chemical resistance, the amount of the photosensitive resin composition when the photosensitive resin composition contains a crosslinking agent is 0.5 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the polyimide precursor (A). Parts, more preferably 2 to 10 parts by mass. When the amount is 0.5 part by mass or more, good heat resistance and chemical resistance are exhibited, and when the amount is 20 parts by mass or less, storage stability is excellent.
また、本発明の感光性樹脂組成物には、耐薬品性を向上する化合物として、有機チタン化合物を含有させてもよい。ここで使用可能な有機チタン化合物としては、チタン原子に有機化学物質が共有結合又はイオン結合を介して結合しているものであれば特に制限はない。 Further, the photosensitive resin composition of the present invention may contain an organic titanium compound as a compound for improving chemical resistance. The organic titanium compound that can be used here is not particularly limited as long as an organic chemical substance is bonded to a titanium atom through a covalent bond or an ionic bond.
有機チタン化合物の具体的例を以下のI)〜VII)に示す:
I)チタンキレート化合物:中でも、アルコキシ基を2個以上有するチタンキレートが、組成物の安定性及び良好なパターンが得られることからより好ましく、具体的には、チタニウムビス(トリエタノールアミン)ジイソプロポキサイド、チタニウムジ(n−ブトキサイド)ビス(2,4−ペンタンジオネート、チタニウムジイソプロポキサイドビス(2,4−ペンタンジオネート)、チタニウムジイソプロポキサイドビス(テトラメチルヘプタンジオネート)、チタニウムジイソプロポキサイドビス( エチルアセトアセテート)等である。
Specific examples of the organic titanium compound are shown in the following I) to VII):
I) Titanium chelate compound: Above all, a titanium chelate having two or more alkoxy groups is more preferable because the stability of the composition and a good pattern can be obtained. Specifically, titanium bis (triethanolamine) diisopro Oxide, titanium di (n-butoxide) bis (2,4-pentanedionate), titanium diisopropoxide bis (2,4-pentanedionate), titanium diisopropoxide bis (tetramethylheptane dionate), Titanium diisopropoxide bis (ethyl acetoacetate).
II)テトラアルコキシチタン化合物:例えば、チタニウムテトラ(n−ブトキサイド)、チタニウムテトラエトキサイド、チタニウムテトラ(2−エチルヘキソキサイド)、チタニウムテトライソブトキサイド、チタニウムテトライソプロポキサイド、チタニウムテトラメトキサイド、チタニウムテトラメトキシプロポキサイド、チタニウムテトラメチルフェノキサイド、チタニウムテトラ(n−ノニロキサイド)、チタニウムテトラ(n−プロポキサイド)、チタニウムテトラステアリロキサイド、チタニウムテトラキス[ビス{2,2−(アリロキシメチル)ブトキサイド}]等である。 II) Tetraalkoxytitanium compound: For example, titanium tetra (n-butoxide), titanium tetraethoxide, titanium tetra (2-ethylhexoxide), titanium tetraisobutoxide, titanium tetraisopropoxide, titanium tetramethoxide , Titanium tetramethoxypropoxide, titanium tetramethylphenoxide, titanium tetra (n-noniloxide), titanium tetra (n-propoxide), titanium tetrastearyloxide, titanium tetrakis [bis 2,2- (allyloxymethyl) Butoxide}] and the like.
III)チタノセン化合物:例えば、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリメトキサイド、ビス(η5−2,4−シクロペンタジエン−1−イル)ビス(2,6−ジフルオロフェニル)チタニウム、ビス(η5−2,4−シクロペンタジエン−1−イル)ビス(2,6−ジフルオロ−3−(1H−ピロール−1−イル)フェニル)チタニウム等である。
IV)モノアルコキシチタン化合物:例えば、チタニウムトリス(ジオクチルホスフェート)イソプロポキサイド、チタニウムトリス(ドデシルベンゼンスルフォネート)イソプロポキサイド等である。
III) Titanocene compounds: for example, pentamethylcyclopentadienyltitanium trimethoxide, bis (η 5 -2,4-cyclopentadien-1-yl) bis (2,6-difluorophenyl) titanium, bis (η 5- 2,4-cyclopentadien-1-yl) bis (2,6-difluoro-3- (1H-pyrrol-1-yl) phenyl) titanium and the like.
IV) Monoalkoxy titanium compound: For example, titanium tris (dioctyl phosphate) isopropoxide, titanium tris (dodecylbenzenesulfonate) isopropoxide and the like.
V)チタニウムオキサイド化合物:例えば、チタニウムオキサイドビス(ペンタンジオネート)、チタニウムオキサイドビス(テトラメチルヘプタンジオネート)、フタロシアニンチタニウムオキサイド等である。
VI)チタニウムテトラアセチルアセトネート化合物:例えば、チタニウムテトラアセチルアセトネート等である。
VII)チタネートカップリング剤:例えば、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルフォニルチタネート等である。
V) Titanium oxide compound: For example, titanium oxide bis (pentanedionate), titanium oxide bis (tetramethylheptanedionate), phthalocyanine titanium oxide and the like.
VI) Titanium tetraacetylacetonate compound: For example, titanium tetraacetylacetonate and the like.
VII) Titanate coupling agent: for example, isopropyl tridodecylbenzenesulfonyl titanate.
中でも、上記I)チタンキレート化合物、II)テトラアルコキシチタン化合物、及びIII)チタノセン化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物であることが、より耐薬品性を奏するという観点から好ましい。
これらの有機チタン化合物の添加量は、(A)ポリイミド前駆体100質量部に対し、0.05〜10質量部であることが好ましく、より好ましくは0.1〜 2重量部である。添加量が0.05重量部以上となると所望の耐熱性あるいは耐薬品性が発現し、一方10 重量部以下であれば保存安定性に優れる。
Among them, at least one compound selected from the group consisting of the above-mentioned I) titanium chelate compound, II) tetraalkoxytitanium compound, and III) titanocene compound is preferable from the viewpoint of exhibiting more chemical resistance.
The addition amount of these organic titanium compounds is preferably 0.05 to 10 parts by weight, more preferably 0.1 to 2 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polyimide precursor (A). If the addition amount is 0.05 parts by weight or more, desired heat resistance or chemical resistance is exhibited, while if it is 10 parts by weight or less, storage stability is excellent.
また、例えば銅又は銅合金からなる基板を用いる場合には、銅上の変色を抑制するためにアゾール化合物またはプリン誘導体を任意に配合することができる。アゾール化合物としては、1H−トリアゾール、5−メチル−1H−トリアゾール、5−エチル−1H−トリアゾール、4,5−ジメチル−1H−トリアゾール、5−フェニル−1H−トリアゾール、4−t−ブチル−5−フェニル−1H−トリアゾール、5−ヒドロキシフェニル−1H−トリアゾール、フェニルトリアゾール、p−エトキシフェニルトリアゾール、5−フェニル−1−(2−ジメチルアミノエチル)トリアゾール、5−ベンジル−1H−トリアゾール、ヒドロキシフェニルトリアゾール、1,5−ジメチルトリアゾール、4,5−ジエチル−1H−トリアゾール、1H−ベンゾトリアゾール、2−(5−メチル−2−ヒドロキシフェニル)ベンゾトリアゾール、2−[2−ヒドロキシ−3,5−ビス(α,α―ジメチルベンジル)フェニル]−ベンゾトリアゾール、2−(3,5−ジ−t−ブチル−2−ヒドロキシフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(3−t−ブチル−5−メチル−2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾトリアゾール、2−(3,5−ジ−t−アミル−2−ヒドロキシフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−5’−t−オクチルフェニル)ベンゾトリアゾール、ヒドロキシフェニルベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、5−メチル−1H−ベンゾトリアゾール、4−メチル−1H−ベンゾトリアゾール、4−カルボキシ−1H−ベンゾトリアゾール、5−カルボキシ−1H−ベンゾトリアゾール、1H−テトラゾール、5−メチル−1H−テトラゾール、5−フェニル−1H−テトラゾール、5−アミノ−1H−テトラゾール、1−メチル−1H−テトラゾール等が挙げられる。特に好ましくは、トリルトリアゾール、5−メチル−1H−ベンゾトリアゾール、及び4−メチル−1H−ベンゾトリアゾールが挙げられる。
プリン誘導体としては、プリン、アデニン、グアニン、ヒポキサンチン、キサンチン、テオブロミン、カフェイン、尿酸、イソグアニン、2,6-ジアミノプリン、9-メチルアデニン、2-ヒドロキシアデニン、2-メチルアデニン、1-メチルアデニン、N-メチルアデニン、N,N-ジメチルアデニン、2-フルオロアデニン、9-(2-ヒドロキシエチル)アデニン、グアニンオキシム、N-(2-ヒドロキシエチル)アデニン、8-アミノアデニン、6-アミノ‐8-フェニル‐9H−プリン、1-エチルアデニン、6-エチルアミノプリン、1-ベンジルアデニン、N-メチルグアニン、7-(2-ヒドロキシエチル)グアニン、N-(3-クロロフェニル)グアニン、N-(3-エチルフェニル)グアニン、2-アザアデニン、5-アザアデニン、8-アザアデニン、8-アザグアニン、8-アザプリン、8-アザキサンチン、8-アザヒポキサンチン等が挙げられる。特に好ましくは、8-アザアデニン、8-アザグアニンが挙げられる。
When a substrate made of copper or a copper alloy is used, for example, an azole compound or a purine derivative can be arbitrarily compounded in order to suppress discoloration on copper. As the azole compound, 1H-triazole, 5-methyl-1H-triazole, 5-ethyl-1H-triazole, 4,5-dimethyl-1H-triazole, 5-phenyl-1H-triazole, 4-t-butyl-5 -Phenyl-1H-triazole, 5-hydroxyphenyl-1H-triazole, phenyltriazole, p-ethoxyphenyltriazole, 5-phenyl-1- (2-dimethylaminoethyl) triazole, 5-benzyl-1H-triazole, hydroxyphenyl Triazole, 1,5-dimethyltriazole, 4,5-diethyl-1H-triazole, 1H-benzotriazole, 2- (5-methyl-2-hydroxyphenyl) benzotriazole, 2- [2-hydroxy-3,5- Bis (α, α-dimethylben (Zyl) phenyl] -benzotriazole, 2- (3,5-di-t-butyl-2-hydroxyphenyl) benzotriazole, 2- (3-t-butyl-5-methyl-2-hydroxyphenyl) -benzotriazole , 2- (3,5-di-t-amyl-2-hydroxyphenyl) benzotriazole, 2- (2'-hydroxy-5'-t-octylphenyl) benzotriazole, hydroxyphenylbenzotriazole, tolyltriazole, 5 -Methyl-1H-benzotriazole, 4-methyl-1H-benzotriazole, 4-carboxy-1H-benzotriazole, 5-carboxy-1H-benzotriazole, 1H-tetrazole, 5-methyl-1H-tetrazole, 5-phenyl -1H-tetrazole, 5-amino-1H-tetrazo Le, 1-methyl -1H- tetrazole, and the like. Particularly preferred are tolyltriazole, 5-methyl-1H-benzotriazole, and 4-methyl-1H-benzotriazole.
Purine derivatives include purine, adenine, guanine, hypoxanthine, xanthine, theobromine, caffeine, uric acid, isoguanine, 2,6-diaminopurine, 9-methyladenine, 2-hydroxyadenine, 2-methyladenine, 1-methyl Adenine, N-methyladenine, N, N-dimethyladenine, 2-fluoroadenine, 9- (2-hydroxyethyl) adenine, guanine oxime, N- (2-hydroxyethyl) adenine, 8-aminoadenine, 6-amino -8-phenyl-9H-purine, 1-ethyladenine, 6-ethylaminopurine, 1-benzyladenine, N-methylguanine, 7- (2-hydroxyethyl) guanine, N- (3-chlorophenyl) guanine, N -(3-ethylphenyl) guanine, 2-azaadenine, 5-azaadenine, 8-azaadenine, 8- Azaguanine, 8-azapurine, 8-azaxanthine, 8-azahypoxanthine and the like can be mentioned. Particularly preferred are 8-azaadenine and 8-azaguanine.
また、これらアゾール化合物またはプリン誘導体は、1種で用いても2種以上の混合物で用いても構わない。感光性樹脂組成物が上記アゾール化合物を含有する場合の配合量は、(A)ポリイミド前駆体100質量部に対し、0.1〜20質量部である事が好ましく、光感度特性の観点から0.5〜5質量部がより好ましい。アゾール化合物またはプリン誘導体の(A)ポリイミド前駆体100質量部に対する配合量が0.1質量部以上である場合、本発明の感光性樹脂組成物を銅又は銅合金の上に形成した場合に、銅又は銅合金表面の変色が抑制され、一方、10質量部以下である場合光感度に優れる。 These azole compounds or purine derivatives may be used alone or in a mixture of two or more. When the photosensitive resin composition contains the azole compound, the compounding amount is preferably 0.1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polyimide precursor (A). 0.5-5 mass parts is more preferred. When the compounding amount of the azole compound or the purine derivative with respect to 100 parts by mass of the polyimide precursor (A) is 0.1 part by mass or more, when the photosensitive resin composition of the present invention is formed on copper or a copper alloy, Discoloration of the surface of the copper or copper alloy is suppressed. On the other hand, when the amount is 10 parts by mass or less, the photosensitivity is excellent.
また、銅上の変色を抑制するためにヒンダードフェノール化合物を任意に配合することができる。ヒンダードフェノール化合物としては、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール、2,5−ジ−t−ブチル−ハイドロキノン、オクタデシル−3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネ−ト、イソオクチル−3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、4、4’−メチレンビス(2、6−ジ−t−ブチルフェノール)、4,4’−チオ−ビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−ブチリデン−ビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、トリエチレングリコール−ビス〔3−(3−t−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、1,6−ヘキサンジオール−ビス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、2,2−チオ−ジエチレンビス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、N,N’ヘキサメチレンビス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ−ヒドロシンナマミド)、2,2’−メチレン−ビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2’−メチレン−ビス(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)、ペンタエリスリチル−テトラキス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、トリス−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレイト、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、1,3,5−トリス(3−ヒドロキシ−2,6−ジメチル−4−イソプロピルベンジル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)−トリオン、1,3,5−トリス(4−t−ブチル−3−ヒドロキシ−2,6−ジメチルベンジル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)−トリオン、1,3,5−トリス(4−s−ブチル−3−ヒドロキシ−2,6−ジメチルベンジル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)−トリオン、1,3,5−トリス[4−(1−エチルプロピル)−3−ヒドロキシ−2,6−ジメチルベンジル]−1,3,5−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)−トリオン、1,3,5−トリス[4−トリエチルメチル−3−ヒドロキシ−2,6−ジメチルベンジル]−1,3,5−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)−トリオン、1,3,5−トリス(3−ヒドロキシ−2,6−ジメチル−4−フェニルベンジル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)−トリオン、1,3,5−トリス(4−t−ブチル−3−ヒドロキシ−2,5,6−トリメチルベンジル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)−トリオン、1,3,5−トリス(4−t−ブチル−5−エチル−3−ヒドロキシ−2,6−ジメチルベンジル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)−トリオン、1,3,5−トリス(4−t−ブチル−6−エチル−3−ヒドロキシ−2−メチルベンジル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)−トリオン、1,3,5−トリス(4−t−ブチル−6−エチル−3−ヒドロキシ−2,5−ジメチルベンジル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)−トリオン、1,3,5−トリス(4−t−ブチル−5,6−ジエチル−3−ヒドロキシ−2−メチルベンジル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)−トリオン、1,3,5−トリス(4−t−ブチル−3−ヒドロキシ−2−メチルベンジル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)−トリオン、1,3,5−トリス(4−t−ブチル−3−ヒドロキシ−2,5−ジメチルベンジル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)−トリオン、1,3,5−トリス(4−t−ブチル−5‐エチル−3−ヒドロキシ−2−メチルベンジル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)−トリオン等が挙げられるが、これに限定されるものではない。これらの中でも、1,3,5−トリス(4−t−ブチル−3−ヒドロキシ−2,6−ジメチルベンジル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)−トリオン等が特に好ましい。 Further, a hindered phenol compound can be arbitrarily compounded to suppress discoloration on copper. Examples of the hindered phenol compound include 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 2,5-di-t-butyl-hydroquinone, octadecyl-3- (3,5-di-t-butyl-4). -Hydroxyphenyl) propionate, isooctyl-3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, 4,4′-methylenebis (2,6-di-tert-butylphenol), 4, 4'-thio-bis (3-methyl-6-t-butylphenol), 4,4'-butylidene-bis (3-methyl-6-t-butylphenol), triethylene glycol-bis [3- (3-t -Butyl-5-methyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,6-hexanediol-bis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphene) L) propionate], 2,2-thio-diethylenebis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], N, N'hexamethylenebis (3,5-di-t -Butyl-4-hydroxy-hydrocinnamamide), 2,2'-methylene-bis (4-methyl-6-t-butylphenol), 2,2'-methylene-bis (4-ethyl-6-t- Butylphenol), pentaerythrityl-tetrakis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], tris- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanate Nurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, 1,3,5-tris (3-hydroxy 2,6-dimethyl-4-isopropylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione, 1,3,5-tris (4-t-butyl- 3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione, 1,3,5-tris (4-s-butyl- 3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione, 1,3,5-tris [4- (1-ethyl Propyl) -3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl] -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione, 1,3,5-tris [4-triethyl Methyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl] -1,3,5 -Triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione, 1,3,5-tris (3-hydroxy-2,6-dimethyl-4-phenylbenzyl) -1,3,5-triazine -2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione, 1,3,5-tris (4-t-butyl-3-hydroxy-2,5,6-trimethylbenzyl) -1,3,5 -Triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione, 1,3,5-tris (4-t-butyl-5-ethyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl) -1 , 3,5-Triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione, 1,3,5-tris (4-t-butyl-6-ethyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -tri 1,3,5-tris (4-tert-butyl-6-ethyl-3-hydroxy-2,5-dimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H , 5H) -trione, 1,3,5-tris (4-t-butyl-5,6-diethyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione, 1,3,5-tris (4-t-butyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H , 3H, 5H) -trione, 1,3,5-tris (4-tert-butyl-3-hydroxy-2,5-dimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H , 3H, 5H) -trione, 1,3,5-tris (4-t-butyl-5-ethyl-3). Hydroxy-2-methylbenzyl) -1,3,5-triazine -2,4,6- (1H, 3H, 5H) - but trione, etc., but is not limited thereto. Among these, 1,3,5-tris (4-t-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H ) -Trione and the like are particularly preferred.
ヒンダードフェノール化合物の配合量は、(A)ポリイミド前駆体100質量部に対し、0.1質量部以上20質量部以下であることが好ましく、光感度特性の観点から0.5質量部以上10質量部以下であることがより好ましい。ヒンダードフェノール化合物の(A)ポリイミド前駆体100質量部に対する配合量が0.1質量部以上である場合、例えば銅又は銅合金の上に本発明の感光性樹脂組成物を形成した場合に、銅又は銅合金の変色・腐食が防止され、一方、20質量部以下である場合光感度に優れる。 The compounding amount of the hindered phenol compound is preferably 0.1 part by mass or more and 20 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polyimide precursor (A), and is 0.5 part by mass or more and 10 parts by mass or less from the viewpoint of photosensitivity characteristics. More preferably, the amount is not more than part by mass. When the amount of the hindered phenol compound is 0.1 parts by mass or more based on 100 parts by mass of the polyimide precursor (A), for example, when the photosensitive resin composition of the present invention is formed on copper or a copper alloy, Discoloration / corrosion of copper or copper alloy is prevented. On the other hand, when the amount is 20 parts by mass or less, excellent light sensitivity is obtained.
<硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置>
本発明はまた、(1)上述した本発明の感光性樹脂組成物を基板上に塗布することによって感光性樹脂層を該基板上に形成する工程と、(2)該感光性樹脂層を露光する工程と、(3)該露光後の感光性樹脂層を現像してレリーフパターンを形成する工程と、(4)該レリーフパターンを加熱処理することによって硬化レリーフパターンを形成する工程とを含む、硬化レリーフパターンの製造方法を提供する。以下、各工程の典型的な態様について説明する。
<Method of manufacturing cured relief pattern and semiconductor device>
The present invention also provides (1) a step of forming a photosensitive resin layer on the substrate by applying the above-described photosensitive resin composition of the present invention on the substrate, and (2) exposing the photosensitive resin layer to light. And (3) developing the photosensitive resin layer after the exposure to form a relief pattern, and (4) heat-treating the relief pattern to form a cured relief pattern. Provided is a method for producing a cured relief pattern. Hereinafter, typical aspects of each step will be described.
(1)感光性樹脂組成物を基板上に塗布することによって感光性樹脂層を該基板上に形成する工程
本工程では、本発明の感光性樹脂組成物を基材上に塗布し、必要に応じてその後乾燥させて感光性樹脂層を形成する。塗布方法は、ノンスピン塗布である。本発明の感光性樹脂組成物を用いることによって、基板を回転する事なしに膜厚が均一で膜に欠陥がなく、ゆず肌状の塗布ムラの無い硬化膜を形成出来る。ノンスピン塗布方法としては、特に限定されるものではないが、例えばバーコート又はスリットコートを用いることができる。
(1) Step of Forming Photosensitive Resin Layer on Substrate by Applying Photosensitive Resin Composition on Substrate In this step, the photosensitive resin composition of the present invention is applied on a substrate, and Thereafter, drying is performed to form a photosensitive resin layer. The application method is non-spin application. By using the photosensitive resin composition of the present invention, it is possible to form a cured film having a uniform thickness, no defect in the film, and no coating irregularities like citron skin without rotating the substrate. The non-spin coating method is not particularly limited. For example, a bar coat or a slit coat can be used.
必要に応じて、感光性樹脂組成物からなる塗膜を乾燥させることができ、乾燥方法としては、風乾、オーブン又はホットプレートによる加熱乾燥、真空乾燥等の方法が用いられる。また、塗膜の乾燥は、感光性樹脂組成物中の(A)ポリイミド前駆体(ポリアミド酸エステル)のイミド化が起こらないような条件で行うことが望ましい。具体的には、風乾又は加熱乾燥を行う場合、20℃〜140℃で1分〜1時間の条件で乾燥を行うことができる。以上により基板上に感光性樹脂層を形成できる。 If necessary, the coating film made of the photosensitive resin composition can be dried. As the drying method, a method such as air drying, heat drying using an oven or a hot plate, and vacuum drying is used. The drying of the coating film is desirably performed under such conditions that the imidization of the (A) polyimide precursor (polyamic acid ester) in the photosensitive resin composition does not occur. Specifically, when air drying or heat drying is performed, drying can be performed at 20 ° C. to 140 ° C. for 1 minute to 1 hour. Thus, a photosensitive resin layer can be formed on the substrate.
(2)感光性樹脂層を露光する工程
本工程では、上記で形成した感光性樹脂層を、コンタクトアライナー、ミラープロジェクション、ステッパー等の露光装置を用いて、パターンを有するフォトマスク又はレチクルを介して又は直接に、紫外線光源等により露光する。
この後、光感度の向上等の目的で、必要に応じて、任意の温度及び時間の組合せによる露光後ベーク(PEB)及び/又は現像前ベークを施してもよい。ベーク条件の範囲は、温度は40〜120℃、時間は10秒〜240秒が好ましいが、本発明の感光性樹脂組成物の諸特性を阻害するものでない限り、この範囲に限らない。
(2) Step of exposing the photosensitive resin layer In this step, the photosensitive resin layer formed above is exposed through a photomask or reticle having a pattern using an exposure apparatus such as a contact aligner, a mirror projection, and a stepper. Or, it is directly exposed by an ultraviolet light source or the like.
Thereafter, a post-exposure bake (PEB) and / or a pre-development bake at an arbitrary combination of temperature and time may be performed, if necessary, for the purpose of improving light sensitivity. The range of the baking conditions is preferably a temperature of 40 to 120 ° C. and a time of 10 seconds to 240 seconds, but is not limited to this range as long as various characteristics of the photosensitive resin composition of the present invention are not impaired.
(3)露光後の感光性樹脂層を現像してレリーフパターンを形成する工程
本工程では、露光後の感光性樹脂層のうち未露光部を現像除去する。露光(照射)後の感光性樹脂層を現像する現像方法としては、従来知られているフォトレジストの現像方法、例えばスプレー法、パドル法、浸漬法等の中から任意の方法を選択して使用することができる。また、現像の後、レリーフパターンの形状を調整する等の目的で、必要に応じて任意の温度及び時間の組合せによる現像後ベークを施してもよい。
(3) Step of developing a photosensitive resin layer after exposure to form a relief pattern In this step, an unexposed portion of the exposed photosensitive resin layer is developed and removed. As a developing method for developing the photosensitive resin layer after the exposure (irradiation), an arbitrary method is selected from conventionally known methods for developing a photoresist, such as a spray method, a paddle method, and an immersion method. can do. Further, after the development, a post-development bake may be performed at an arbitrary combination of temperature and time, if necessary, for the purpose of adjusting the shape of the relief pattern.
現像に使用される現像液としては、感光性樹脂組成物に対する良溶媒、又は該良溶媒と貧溶媒との組合せが好ましい。良溶媒としては、N−メチル−2−ピロリドン、N−シクロヘキシル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン等が好ましく、貧溶媒としてはトルエン、キシレン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート及び水等が好ましい。良溶媒と貧溶媒とを混合して用いる場合には、感光性樹脂組成物中のポリマーの溶解性によって良溶媒に対する貧溶媒の割合を調整することが好ましい。また、各溶媒を2種以上、例えば数種類組合せて用いることもできる。 As a developer used for development, a good solvent for the photosensitive resin composition or a combination of the good solvent and a poor solvent is preferable. As the good solvent, N-methyl-2-pyrrolidone, N-cyclohexyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, cyclopentanone, cyclohexanone, γ-butyrolactone, α-acetyl-γ-butyrolactone, and the like are preferable. As the solvent, toluene, xylene, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl lactate, propylene glycol methyl ether acetate, water and the like are preferable. When a good solvent and a poor solvent are used as a mixture, it is preferable to adjust the ratio of the poor solvent to the good solvent depending on the solubility of the polymer in the photosensitive resin composition. Further, each solvent may be used in combination of two or more kinds, for example, several kinds.
(4)レリーフパターンを加熱処理することによって硬化レリーフパターンを形成する工程
本工程では、上記現像により得られたレリーフパターンを加熱して感光成分を希散させるとともに、(A)ポリイミド前駆体をイミド化させることによって、ポリイミドからなる硬化レリーフパターンに変換する。加熱硬化の方法としては、ホットプレートによるもの、オーブンを用いるもの、温度プログラムを設定できる昇温式オーブンを用いるもの等種々の方法を選ぶことができる。加熱は、例えば200℃〜400℃で30分〜5時間の条件で行うことができる。加熱硬化の際の雰囲気気体としては空気を用いてもよく、窒素、アルゴン等の不活性ガスを用いることもできる。
(4) Step of Forming a Cured Relief Pattern by Heating the Relief Pattern In this step, the relief pattern obtained by the development is heated to disperse the photosensitive component, and (A) the polyimide precursor is converted to an imide. Thus, the resin is converted into a cured relief pattern made of polyimide. Various methods can be selected for the method of heat curing, such as a method using a hot plate, a method using an oven, and a method using a heating type oven in which a temperature program can be set. Heating can be performed, for example, at 200 ° C. to 400 ° C. for 30 minutes to 5 hours. Air may be used as an atmosphere gas at the time of heat curing, and an inert gas such as nitrogen or argon may be used.
<半導体装置>
本発明はまた、上述した本発明の硬化レリーフパターンの製造方法により得られる硬化レリーフパターンを有する、半導体装置を提供する。本発明は、半導体素子である基材と、該基材上に上述した硬化レリーフパターン製造方法により形成されたポリイミドの硬化レリーフパターンとを有する半導体装置も提供する。また、本発明は、基材として半導体素子を用い、上述した硬化レリーフパターンの製造方法を工程の一部として含む半導体装置の製造方法にも適用できる。本発明の半導体装置は、上記硬化レリーフパターン製造方法で形成される硬化レリーフパターンを、表面保護膜、層間絶縁膜、再配線用絶縁膜、フリップチップ装置用保護膜、又はバンプ構造を有する半導体装置の保護膜等として形成し、公知の半導体装置の製造方法と組合せることで製造することができる。
<Semiconductor device>
The present invention also provides a semiconductor device having a cured relief pattern obtained by the above-described method for producing a cured relief pattern of the present invention. The present invention also provides a semiconductor device having a substrate which is a semiconductor element and a cured polyimide relief pattern formed on the substrate by the above-described method for producing a cured relief pattern. The present invention is also applicable to a method of manufacturing a semiconductor device using a semiconductor element as a base material and including the above-described method of manufacturing a cured relief pattern as a part of the process. The semiconductor device according to the present invention is a semiconductor device having a cured relief pattern formed by the method for producing a cured relief pattern, a surface protective film, an interlayer insulating film, an insulating film for rewiring, a protective film for a flip chip device, or a bump structure. And can be manufactured by combining with a known method for manufacturing a semiconductor device.
本発明の感光性樹脂組成物は、上記のような半導体装置への適用の他、多層回路の層間絶縁、フレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜、及び液晶配向膜等の用途にも有用である。 The photosensitive resin composition of the present invention is useful for applications such as interlayer insulation of a multilayer circuit, a cover coat of a flexible copper clad board, a solder resist film, and a liquid crystal alignment film, in addition to the application to the semiconductor device as described above. It is.
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
なお、以下の説明では具体的な化合物名や数値を挙げて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
また、実施例、比較例、及び製造例においては、感光性樹脂組成物の物性を以下の方法に従って測定及び評価した。
Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to examples.
In the following description, specific compound names and numerical values will be described, but the present invention is not limited to these.
In Examples, Comparative Examples, and Production Examples, physical properties of the photosensitive resin composition were measured and evaluated according to the following methods.
(1)重量平均分子量
各ポリイミド前駆体の重量平均分子量(Mw)をゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(標準ポリスチレン換算)で測定した。測定に用いたカラムは昭和電工社製 商標名 Shodex 805M/806M直列であり、標準単分散ポリスチレンは、昭和電工(株)製Shodex STANDARD SM−105を選び、展開溶媒はN−メチル−2−ピロリドンであり、検出器は昭和電工製 商標名 Shodex RI−930を使用した。
(1) Weight average molecular weight The weight average molecular weight (Mw) of each polyimide precursor was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene conversion). The column used for the measurement was Shodex 805M / 806M series manufactured by Showa Denko KK, Shodex STANDARD SM-105 manufactured by Showa Denko KK was selected as the standard monodisperse polystyrene, and the developing solvent was N-methyl-2-pyrrolidone. The detector used was Shodex RI-930 (trade name, manufactured by Showa Denko KK).
(2)ゆず肌状の塗布ムラの評価
感光性樹脂組成物をガラス基板上にSA−201ベーカー式アプリケーター(テスター産業株式会社製)でブレードコート塗布し、乾燥して15μm厚の塗膜を感光性樹脂層として形成した。
得られた塗膜を光学顕微鏡下で目視により観察して、ゆず肌状の塗布ムラを下記評価基準にしたがって評価した。
◎(最良): ゆず肌状の塗布ムラが確認されない。
○(良): ゆず肌状の塗布ムラがわずかに確認される。
×(不良): ゆず肌状の塗布ムラが明確に確認される。
(2) Evaluation of Yuzu skin-like coating unevenness The photosensitive resin composition was blade-coated on a glass substrate using an SA-201 Baker-type applicator (manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.), dried, and exposed to a 15 μm thick coating film. It was formed as a conductive resin layer.
The obtained coating film was visually observed under an optical microscope, and the coating unevenness in the form of yuzu skin was evaluated according to the following evaluation criteria.
◎ (best): No yuzu skin-like coating unevenness is observed.
((Good): Slight skin-like coating unevenness is observed.
X (poor): Yuzu skin-like application unevenness is clearly confirmed.
(3)塗布均一性の評価
塗布均一性の評価は、得られた塗布膜をナノスペック5100L光干渉膜厚測定器(ナノメトリクス・ジャパン株式会社製)で膜厚測定を行い、下記評価基準にしたがって評価した。
◎(最良): 膜厚均一性が良好である。
○(良): 膜厚均一性がわずかに劣る。
×(不良): 膜厚均一性が劣る。
(3) Evaluation of coating uniformity The coating uniformity was evaluated by measuring the thickness of the obtained coating film with a Nanospec 5100L light interference film thickness measuring device (manufactured by Nanometrics Japan Co., Ltd.), and according to the following evaluation criteria. Therefore, it was evaluated.
◎ (best): good uniformity of film thickness.
((Good): The film thickness uniformity is slightly inferior.
X (poor): film thickness uniformity is poor.
(4)膜欠陥の評価
膜欠陥の評価は、得られた塗布膜をNaランプ下で目視により観察して膜欠陥の評価を下記評価基準にしたがって評価した。
◎(最良): 膜欠陥が確認されない。
〇(良): 膜欠陥がわずかに確認される。
×(不良): 膜欠陥が明確に確認される。
(4) Evaluation of film defect The evaluation of the film defect was performed by visually observing the obtained coating film under a Na lamp and evaluating the film defect according to the following evaluation criteria.
◎ (best): No film defect is observed.
〇 (good): Film defects are slightly observed.
X (defective): A film defect is clearly confirmed.
<製造例1>((A)ポリイミド前駆体としての第1のポリマーA1の合成)
4,4’−オキシジフタル酸二無水物(ODPA)155.1gを2リットル容量のセパラブルフラスコに入れ、2−ヒドロキシエチルメタクリレート(HEMA)131.2gとγ―ブチロラクトン400mlを入れて室温下で攪拌し、攪拌しながらピリジン81.5gを加えて反応混合物を得た。反応による発熱の終了後に室温まで放冷し、16時間放置した。
次に、氷冷下において、ジシクロヘキシルカルボジイミド(DCC)206.3gをγ−ブチロラクトン180mlに溶解した溶液を攪拌しながら40分かけて反応混合物に加え、続いて4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(DADPE)93.0gをγ−ブチロラクトン350mlに懸濁したものを攪拌しながら60分かけて加えた。更に室温で2時間攪拌した後、エチルアルコール30mlを加えて1時間攪拌し、次に、γ−ブチロラクトン400mlを加えた。反応混合物に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応液を得た。
<Production Example 1> ((A) Synthesis of First Polymer A1 as Polyimide Precursor)
155.1 g of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA) is placed in a 2-liter separable flask, and 131.2 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) and 400 ml of γ-butyrolactone are added and stirred at room temperature. Then, with stirring, 81.5 g of pyridine was added to obtain a reaction mixture. After the end of the heat generated by the reaction, the mixture was allowed to cool to room temperature and left for 16 hours.
Next, a solution prepared by dissolving 206.3 g of dicyclohexylcarbodiimide (DCC) in 180 ml of γ-butyrolactone was added to the reaction mixture over 40 minutes with stirring under ice cooling, and subsequently, 4,4′-diaminodiphenyl ether (DADPE) A suspension of 93.0 g in γ-butyrolactone (350 ml) was added over 60 minutes while stirring. After further stirring at room temperature for 2 hours, 30 ml of ethyl alcohol was added and the mixture was stirred for 1 hour, and then 400 ml of γ-butyrolactone was added. The precipitate generated in the reaction mixture was removed by filtration to obtain a reaction solution.
得られた反応液を3リットルのエチルアルコールに加えて粗ポリマーからなる沈殿物を生成した。生成した粗ポリマーを濾別し、テトラヒドロフラン1.5リットルに溶解して粗ポリマー溶液を得た。得られた粗ポリマー溶液を28リットルの水に滴下してポリマーを沈殿させ、得られた沈殿物を濾別した後、真空乾燥して粉末状のポリマー(第1のポリマーA1)を得た。ポリマーA1の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー(標準ポリスチレン換算)で測定したところ、重量平均分子量(Mw)は20000であった。 The resulting reaction solution was added to 3 liters of ethyl alcohol to produce a precipitate composed of a crude polymer. The generated crude polymer was separated by filtration and dissolved in 1.5 liter of tetrahydrofuran to obtain a crude polymer solution. The obtained crude polymer solution was dropped into 28 liters of water to precipitate the polymer, and the obtained precipitate was separated by filtration and vacuum-dried to obtain a powdery polymer (first polymer A1). When the molecular weight of the polymer A1 was measured by gel permeation chromatography (converted to standard polystyrene), the weight average molecular weight (Mw) was 20,000.
<製造例2>((A)ポリイミド前駆体としての第2のポリマーA2の合成)
製造例1の4,4’−オキシジフタル酸二無水物155.1gに代えて、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物147.1gを用いた以外は、前述の製造例1に記載の方法と同様にして反応を行い、第2のポリマーA2を得た。ポリマーA2の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー(標準ポリスチレン換算)で測定したところ、重量平均分子量(Mw)は22,000であった。
<Production Example 2> ((A) Synthesis of second polymer A2 as polyimide precursor)
Production Example 1 except that 147.1 g of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride was used in place of 155.1 g of 4,4′-oxydiphthalic dianhydride in Production Example 1. The reaction was carried out in the same manner as described in Example 1 to obtain a second polymer A2. When the molecular weight of the polymer A2 was measured by gel permeation chromatography (converted to standard polystyrene), the weight average molecular weight (Mw) was 22,000.
<実施例1>
第1および第2のポリマーA1,A2を用いて以下の方法で感光性樹脂組成物を調製し、調製した組成物の評価を行った。ポリイミド前駆体である第1のポリマーA1を50gと第2のポリマーA2を50g((A)ポリイミド前駆体)を、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(O−エトキシカルボニル)−オキシム((B)光重合開始剤)4g、8−アザアデニン0.2g、1,3,5−トリス(4−t−ブチル−3−ヒドロキシ−2,6−ジメチルベンジル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)−トリオン1.5g、N−フェニルジエタノールアミン10g、メトキシメチル化尿素樹脂(MX−290)4g、テトラエチレングリコールジメタクリレート8g、N−[3−(トリエトキシシリル)プロピル]フタルアミド酸1.5g、及び2−ニトロソ−1−ナフト−ル0.05gと共に、(C)大気圧下における沸点が180℃以上の有機溶媒としてN−メチル−2−ピロリドン(以下ではNMPという。沸点202℃)320gと、(D)大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下の有機溶媒として乳酸エチル80g(沸点151〜155℃)からなる混合溶媒に溶解することにより、感光性樹脂組成物とした。
該組成物を、前述の方法に従って評価した結果、ゆず肌状の塗布ムラの評価が◎(最良)であり、塗布均一性の評価が◎(最良)であり、膜欠陥の評価が◎(最良)であった。
<Example 1>
A photosensitive resin composition was prepared using the first and second polymers A1 and A2 by the following method, and the prepared composition was evaluated. 50 g of the first polymer A1 and 50 g of the second polymer A2 ((A) polyimide precursor), which are polyimide precursors, were treated with 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (O-ethoxycarbonyl)- 4 g of oxime ((B) photopolymerization initiator), 0.2 g of 8-azaadenine, 1,3,5-tris (4-t-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl) -1,3,5 -Triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) -trione 1.5 g, N-phenyldiethanolamine 10 g, methoxymethylated urea resin (MX-290) 4 g, tetraethylene glycol dimethacrylate 8 g, N- [ (C) Boiling point at atmospheric pressure together with 1.5 g of 3- (triethoxysilyl) propyl] phthalamic acid and 0.05 g of 2-nitroso-1-naphthole 320 g of N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter referred to as NMP; boiling point: 202 ° C.) as an organic solvent at 180 ° C. or higher and 80 g of ethyl lactate as an organic solvent having a boiling point at atmospheric pressure of 130 ° C. to 160 ° C. (Boiling point: 151 to 155 ° C.) to obtain a photosensitive resin composition.
The composition was evaluated according to the method described above. As a result, the evaluation of the coating unevenness in the form of yuzu skin was ◎ (best), the evaluation of coating uniformity was ◎ (best), and the evaluation of film defects was ◎ (best). )Met.
<実施例2>
実施例1の、(C)大気圧下における沸点が180℃以上の有機溶媒としてのN−メチル−2−ピロリドンに代えて、γ−ブチルラクトン(沸点204℃)を表1に示す組成内容で用いて感光性樹脂組成物を調製し、実施例1と同様の評価を行った。その評価結果は、ゆず肌状の塗布ムラの評価が◎(最良)であり、塗布均一性の評価が◎(最良)であり、膜欠陥の評価が◎(最良)であった。
<Example 2>
In Example 1, instead of (C) N-methyl-2-pyrrolidone as an organic solvent having a boiling point of 180 ° C. or more under atmospheric pressure, γ-butyl lactone (boiling point: 204 ° C.) was used in the composition shown in Table 1. And a photosensitive resin composition was prepared, and evaluated in the same manner as in Example 1. The evaluation results were as follows: evaluation of coating unevenness in the form of citron skin was ◎ (best), evaluation of coating uniformity was ◎ (best), and evaluation of film defect was ◎ (best).
<実施例3>
実施例1の、(C)大気圧下における沸点が180℃以上の有機溶媒としてのN−メチル−2−ピロリドンおよび(D)大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下の有機溶媒としての乳酸エチルの配合比率を表1に示す組成内容に変更して感光性樹脂組成物を調製し、実施例1と同様の評価を行った。
評価結果は、ゆず肌状の塗布ムラの評価が◎(最良)であり、塗布均一性の評価が◎(最良)であり、膜欠陥の評価が◎(最良)であった。
<Example 3>
Example 1 wherein (C) N-methyl-2-pyrrolidone as an organic solvent having a boiling point of 180 ° C. or more under atmospheric pressure and (D) an organic solvent having a boiling point of 130 ° C. or more and 160 ° C. or less under atmospheric pressure. A photosensitive resin composition was prepared by changing the mixing ratio of ethyl lactate to the composition shown in Table 1, and the same evaluation as in Example 1 was performed.
The evaluation results were as follows: evaluation of coating unevenness in the form of yuzu skin was ◎ (best), evaluation of coating uniformity was ◎ (best), and evaluation of film defects was ◎ (best).
<実施例4>
実施例1の、(C)大気圧下における沸点が180℃以上の有機溶媒としてのN−メチル−2−ピロリドンおよび(D)大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下の有機溶媒としての乳酸エチルの配合比率を表1に示す組成内容に変更して感光性樹脂組成物を調製し、実施例1と同様の評価を行った。
評価結果は、ゆず肌状の塗布ムラの評価が◎(最良)であり、塗布均一性の評価が◎(最良)であり、膜欠陥の評価が◎(最良)であった。
<Example 4>
Example 1 wherein (C) N-methyl-2-pyrrolidone as an organic solvent having a boiling point of 180 ° C. or more under atmospheric pressure and (D) an organic solvent having a boiling point of 130 ° C. or more and 160 ° C. or less under atmospheric pressure. A photosensitive resin composition was prepared by changing the mixing ratio of ethyl lactate to the composition shown in Table 1, and the same evaluation as in Example 1 was performed.
The evaluation results were as follows: evaluation of coating unevenness in the form of yuzu skin was ◎ (best), evaluation of coating uniformity was ◎ (best), and evaluation of film defects was ◎ (best).
<実施例5>
実施例1の、(C)大気圧下における沸点が180℃以上の有機溶媒としてのN−メチル−2−ピロリドンおよび(D)大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下の有機溶媒としての乳酸エチルの配合比率を表1に示す組成内容に変更して感光性樹脂組成物を調製し、実施例1と同様の評価を行った。
塗布均一性の評価結果は〇(良)であり、その他、ゆず肌状の塗布ムラの評価が◎(最良)であり、膜欠陥の評価が◎(最良)であった。
<Example 5>
Example 1 wherein (C) N-methyl-2-pyrrolidone as an organic solvent having a boiling point of 180 ° C. or more under atmospheric pressure and (D) an organic solvent having a boiling point of 130 ° C. or more and 160 ° C. or less under atmospheric pressure. A photosensitive resin composition was prepared by changing the mixing ratio of ethyl lactate to the composition shown in Table 1, and the same evaluation as in Example 1 was performed.
The evaluation result of coating uniformity was Δ (good), and the evaluation of coating unevenness in the form of yuzu skin was ◎ (best), and the evaluation of film defects was そ の 他 (best).
<参考例6>
実施例1の、本発明における(C)大気圧下における沸点が180℃以上の有機溶媒としてのN−メチル−2−ピロリドンおよび(D)大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下の有機溶媒としての乳酸エチルの溶媒量を表1に示す組成内容に変更して感光性樹脂組成物を調製し、実施例1と同様の評価を行った。
塗布均一性の評価結果は〇(良)であり、その他、ゆず肌状の塗布ムラの評価が◎(最良)であり、膜欠陥の評価が◎(最良)であった。
< Reference Example 6>
(C) N-methyl-2-pyrrolidone as an organic solvent having a boiling point of 180 ° C. or more under atmospheric pressure and (D) an organic solvent having a boiling point of 130 to 160 ° C. under atmospheric pressure in Example 1 A photosensitive resin composition was prepared by changing the solvent content of ethyl lactate as a solvent to the composition shown in Table 1, and the same evaluation as in Example 1 was performed.
The evaluation result of coating uniformity was Δ (good), and the evaluation of coating unevenness in the form of yuzu skin was ◎ (best), and the evaluation of film defects was そ の 他 (best).
<実施例7>
実施例1の、本発明における(C)大気圧下における沸点が180℃以上の有機溶媒としてのN−メチル−2−ピロリドンおよび(D)大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下の有機溶媒としての乳酸エチルの溶媒量を表1に示す組成内容に変更して感光性樹脂組成物を調製し、実施例1と同様の評価を行った。
評価結果は、ゆず肌状の塗布ムラの評価結果が○(良)であり、塗布均一性の評価結果が○(良)であり、膜欠陥の評価結果が◎(最良)であった。
<Example 7>
(C) N-methyl-2-pyrrolidone as an organic solvent having a boiling point of 180 ° C. or more under atmospheric pressure and (D) an organic solvent having a boiling point of 130 to 160 ° C. under atmospheric pressure in Example 1 A photosensitive resin composition was prepared by changing the solvent content of ethyl lactate as a solvent to the composition shown in Table 1, and the same evaluation as in Example 1 was performed.
Regarding the evaluation results, the evaluation result of the coating unevenness in the form of yuzu skin was ((good), the evaluation result of the coating uniformity was ((good), and the evaluation result of the film defect was ◎ (best).
<参考例8>
実施例1の、本発明における(C)大気圧下における沸点が180℃以上の有機溶媒としてのN−メチル−2−ピロリドンおよび(D)大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下の有機溶媒としての乳酸エチルの配合比率を表1に示す組成内容に変更して感光性樹脂組成物を調製し、実施例1と同様の評価を行った。膜欠陥の評価結果◎(最良)であったが、ゆず肌状の塗布ムラの評価結果が×(不良)であり、塗布均一性の評価結果が×(不良)であった。
< Reference Example 8>
(C) N-methyl-2-pyrrolidone as an organic solvent having a boiling point of 180 ° C. or more under atmospheric pressure and (D) an organic solvent having a boiling point of 130 to 160 ° C. under atmospheric pressure in Example 1 A photosensitive resin composition was prepared by changing the mixing ratio of ethyl lactate as a solvent to the composition shown in Table 1, and the same evaluation as in Example 1 was performed. Although the evaluation result of the film defect was ((best), the evaluation result of the coating unevenness in the form of yuzu skin was x (poor), and the evaluation result of coating uniformity was x (poor).
<比較例1>
実施例1の、本発明における(D)大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下の有機溶媒としての乳酸エチルを抜いて、表1に示す組成内容で用いて感光性樹脂組成物を調製し、実施例1と同様の評価を行った。ゆず肌状の塗布ムラの評価結果は◎(最良)であり、塗布均一性の評価結果は◎(最良)であったが、膜欠陥の評価結果が×(不良)であった。
<Comparative Example 1>
A photosensitive resin composition was prepared by removing ethyl lactate as an organic solvent having a boiling point of 130 ° C. or more and 160 ° C. or less at atmospheric pressure (D) of the present invention in Example 1 and using the composition shown in Table 1. Then, the same evaluation as in Example 1 was performed. The evaluation result of the coating unevenness in the form of orange peel was ◎ (best) and the evaluation result of coating uniformity was ◎ (best), but the evaluation result of the film defect was x (poor).
<比較例2>
実施例1の、本発明における(C)大気圧下における沸点が180℃以上の有機溶媒としてのN−メチル−2−ピロリドンを抜いて、沸点が165℃であるN,N−ジメチルアセトアミド320gを加えた他は実施例1と同様にして感光性樹脂組成物を調製し、実施例1と同様の評価を行った。膜欠陥の評価結果は◎(最良)であったが、ゆず肌状の塗布ムラの評価結果は〇(良)であり、塗布均一性の評価結果は×(不良)であった。
<Comparative Example 2>
After removing N-methyl-2-pyrrolidone as an organic solvent having a boiling point of 180 ° C. or more under atmospheric pressure (C) in the present invention in Example 1 and extracting 320 g of N, N-dimethylacetamide having a boiling point of 165 ° C. Other than the addition, a photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, and the same evaluation as in Example 1 was performed. Although the evaluation result of the film defect was ◎ (best), the evaluation result of the coating unevenness in the form of yuzu skin was Δ (good), and the evaluation result of the coating uniformity was × (poor).
<比較例3>
実施例1の、本発明における(C)大気圧下における沸点が180℃以上の有機溶媒としてのN−メチル−2−ピロリドンおよび(D)大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下の有機溶媒としての乳酸エチルの溶媒量を、表1に示す組成内容に変更して感光性樹脂組成物を調製し、実施例1と同様の評価を行った。膜欠陥の評価結果は◎(最良)であり、ゆず肌状の塗布ムラの評価結果は◎(最良)であったが、塗布均一性の評価結果が×(不良)であった。
<Comparative Example 3>
(C) N-methyl-2-pyrrolidone as an organic solvent having a boiling point of 180 ° C. or more under atmospheric pressure and (D) an organic solvent having a boiling point of 130 to 160 ° C. under atmospheric pressure in Example 1 A photosensitive resin composition was prepared by changing the amount of ethyl lactate as a solvent to the composition shown in Table 1, and the same evaluation as in Example 1 was performed. The evaluation result of the film defect was ◎ (best), and the evaluation result of coating unevenness in the form of yuzu skin was ◎ (best), but the evaluation result of coating uniformity was x (poor).
<比較例4>
実施例1の、本発明における(C)大気圧下における沸点が180℃以上の有機溶媒としてのN−メチル−2−ピロリドンおよび(D)大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下の有機溶媒としての乳酸エチルの溶媒量を表1に示す組成内容に変更して感光性樹脂組成物を調製し、実施例1と同様の評価を行った。膜欠陥の評価結果は◎(最良)であったが、ゆず肌状の塗布ムラの評価結果は×(不良)であり、塗布均一性の評価結果は×(不良)であった。
<Comparative Example 4>
(C) N-methyl-2-pyrrolidone as an organic solvent having a boiling point of 180 ° C. or more under atmospheric pressure and (D) an organic solvent having a boiling point of 130 to 160 ° C. under atmospheric pressure in Example 1 A photosensitive resin composition was prepared by changing the solvent content of ethyl lactate as a solvent to the composition shown in Table 1, and the same evaluation as in Example 1 was performed. Although the evaluation result of the film defect was ◎ (best), the evaluation result of the application unevenness in the form of yuzu skin was x (poor), and the evaluation result of the coating uniformity was x (poor).
上述した各実施例および比較例で得られた硬化膜の評価結果について、溶媒組成及び粘度と併せて表1に示す。 Table 1 shows the evaluation results of the cured films obtained in the above Examples and Comparative Examples together with the solvent composition and the viscosity.
表1から明らかなように、(A)ポリイミド前駆体:100質量部に対し、(B)光重合開始剤:1質量部以上20質量部以下、(C)大気圧下における沸点が180℃以上である有機溶媒、並びに(D)大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下である有機溶媒:300〜600質量部、を含み、(C)成分の含有量が有機溶媒全量に対して60重量%以上90重量%以下であり、(D)成分の含有量が有機溶媒全量に対して10重量%以上40%重量以下であり、23℃における粘度が0.5P以上40P以下である感光性樹脂組成物を用いて得られた各実施例の塗膜では、塗布ムラ、塗布均一性及び膜欠陥のいずれの評価においても「良」以上の優れた結果が得られている。しかし、有機溶媒の量を185質量部とした参考例1、(C)成分の溶媒及び(D)成分の溶媒の含有量をそれぞれ50重量%ずつとした参考例2では、塗布均一性、ゆず肌状の塗布ムラが十分ではなかった。したがって、溶媒は(C)成分の含有量を有機溶媒全量に対して60重量%以上90重量%以下とし、(D)成分の含有量を10重量%以上40%重量以下とすることにより、特に良好な結果が得られることがわかる。
As is clear from Table 1, (A) polyimide precursor: 100 parts by mass, (B) photopolymerization initiator: 1 to 20 parts by mass, (C) boiling point at atmospheric pressure of 180 ° C. or more And (D) an organic solvent having a boiling point under atmospheric pressure of from 130 ° C. to 160 ° C .: 300 to 600 parts by mass, and the content of the component (C) is 60 with respect to the total amount of the organic solvent. A photosensitive content of not less than 10% by weight and not more than 40% by weight based on the total amount of the organic solvent, and a viscosity at 23 ° C. of not less than 0.5P and not more than 40P. In the coating films of the examples obtained using the resin composition, excellent results of “good” or more were obtained in any evaluation of coating unevenness, coating uniformity, and film defects. However, reference example and the amount of organic solvent and 185 parts by weight 1, in Reference Example 2 was one by 50 wt% each content of the solvent of the solvent and the component (D) of the component (C), coating uniformity, yuzu Skin-like coating unevenness was not sufficient. Therefore, the content of the component (C) is 60% by weight or more and 90% by weight or less based on the total amount of the organic solvent, and the content of the component (D) is 10% by weight or more and 40% by weight or less. It can be seen that good results are obtained.
これに対し、(D)成分である沸点が130〜160℃の溶媒を含まない比較例1では、膜欠陥が生じてしまった。(C)成分である沸点が180℃以上の溶媒を含まない比較例2(沸点165℃)では、塗布均一性が低下してしまった。ポリイミド前駆体100重量部に対する有機溶媒量が185重量部より小さい比較例3(150重量部)では、塗布均一性が低下した。一方、600重量部より大きい比較例4(900重量部)では、塗布均一性が悪く、ゆず肌状の塗布ムラができてしまった。粘度が0.5Pより小さい比較例4(0.1P)では、塗布均一性が悪く、ゆず肌状の塗布ムラができてしまった。一方、粘度が40Pより大きい比較例3(100P)では塗布均一性が低下した。 On the other hand, in Comparative Example 1 containing no solvent having a boiling point of 130 to 160 ° C., which is the component (D), a film defect occurred. In Comparative Example 2 (boiling point: 165 ° C.) containing no solvent having a boiling point of 180 ° C. or higher, which is the component (C), the coating uniformity was reduced. In Comparative Example 3 (150 parts by weight) in which the amount of the organic solvent was less than 185 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyimide precursor, the coating uniformity was reduced. On the other hand, in Comparative Example 4 (900 parts by weight), which was larger than 600 parts by weight, the coating uniformity was poor, and it was possible to form a yuzu skin-like coating unevenness. In Comparative Example 4 (0.1 P) having a viscosity of less than 0.5 P, the coating uniformity was poor, resulting in a yuzu skin-like coating unevenness. On the other hand, in Comparative Example 3 (100P) having a viscosity larger than 40P, the coating uniformity was reduced.
以上の結果より、感光性樹脂組成物において、特定の特性を有する有機溶媒の組み合わせおよび溶媒含有量を最適化することにより、ノンスピン塗布において膜厚が均一で膜に欠陥がなく、ゆず肌状の塗布ムラの無い硬化膜を得ることができることが確認された。 From the above results, in the photosensitive resin composition, by optimizing the combination and the solvent content of the organic solvent having specific characteristics, the film thickness is uniform in non-spin coating, there is no defect in the film, and it has a citron texture. It was confirmed that a cured film without coating unevenness could be obtained.
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments, and can be appropriately changed without departing from the spirit of the invention.
本発明の感光性樹脂組成物は、ノンスピン塗布において膜厚が均一で膜に欠陥がなく、ゆず肌状の塗布ムラの無い硬化膜を与えるものとなり、例えば半導体装置、多層配線基板等の電気・電子材料の製造に有用な感光性材料の分野で好適に利用できる。 The photosensitive resin composition of the present invention has a uniform film thickness in non-spin coating and has no defects in the film, and gives a cured film without coating unevenness like citron skin. It can be suitably used in the field of photosensitive materials useful for producing electronic materials.
Claims (6)
(B)光重合開始剤:該(A)ポリイミド前駆体100質量部を基準として1質量部以上20質量部以下、
(C)大気圧下における沸点が180℃以上である有機溶媒、並びに、
(D)大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下である有機溶媒:該(A)ポリイミド前駆体100質量部を基準として有機溶媒全量が300〜600質量部、を含み、
前記溶媒は、(C)成分の含有量が有機溶媒全量に対して60重量%以上90重量%以下であり、(D)成分の含有量が有機溶媒全量に対して10重量%以上40%重量以下であり、
23℃における粘度が0.5P以上40P以下であることを特徴とする、ノンスピンコート用の感光性樹脂組成物。 (A) The following general formula (1):
(B) a photopolymerization initiator: 1 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the (A) polyimide precursor;
(C) an organic solvent having a boiling point of 180 ° C. or higher under atmospheric pressure, and
(D) an organic solvent having a boiling point of 130 ° C. or more and 160 ° C. or less at atmospheric pressure: (A) a total amount of 300 to 600 parts by mass of the organic solvent based on 100 parts by mass of the polyimide precursor;
In the solvent, the content of the component (C) is 60% by weight or more and 90% by weight or less based on the total amount of the organic solvent, and the content of the component (D) is 10% by weight or more and 40% by weight based on the total amount of the organic solvent. Is the following,
A photosensitive resin composition for non-spin coating, wherein the viscosity at 23 ° C. is 0.5 P or more and 40 P or less.
(B)光重合開始剤:該(A)ポリイミド前駆体100質量部を基準として1質量部以上20質量部以下、
(C)大気圧下における沸点が180℃以上である有機溶媒、並びに、
(D)大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下である有機溶媒:該(A)ポリイミド前駆体100質量部を基準として有機溶媒全量が300〜600質量部、を含み、
前記溶媒は、(C)成分の含有量が有機溶媒全量に対して60重量%以上90重量%以下であり、(D)成分の含有量が有機溶媒全量に対して10重量%以上40%重量以下であり、
23℃における粘度が0.5P以上20P未満であることを特徴とする、ノンスピンコート用の感光性樹脂組成物。 (A) The following general formula (1):
(B) a photopolymerization initiator: 1 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the (A) polyimide precursor;
(C) an organic solvent having a boiling point of 180 ° C. or higher under atmospheric pressure, and
(D) an organic solvent having a boiling point under atmospheric pressure of 130 ° C. or more and 160 ° C. or less: (A) a total amount of 300 to 600 parts by mass of the organic solvent based on 100 parts by mass of the polyimide precursor,
In the solvent, the content of the component (C) is 60% by weight or more and 90% by weight or less based on the total amount of the organic solvent, and the content of the component (D) is 10% by weight or more and 40% by weight based on the total amount of the organic solvent. Is the following,
A photosensitive resin composition for non-spin coating, wherein the viscosity at 23 ° C. is 0.5 P or more and less than 20 P.
(B)光重合開始剤:該(A)ポリイミド前駆体100質量部を基準として1質量部以上20質量部以下、
(C)大気圧下における沸点が180℃以上である有機溶媒、並びに、
(D)大気圧下における沸点が130℃以上160℃以下である有機溶媒:該(A)ポリイミド前駆体100質量部を基準として有機溶媒全量が300〜600質量部、を含み、
前記溶媒は、(C)成分の含有量が有機溶媒全量に対して60重量%以上90重量%以下であり、(D)成分の含有量が有機溶媒全量に対して10重量%以上40%重量以下であり、
23℃における粘度が0.5P以上40P以下である、ノンスピンコート用の感光性樹脂組成物を、ノンスピン塗布を用いて基板に塗布し、塗布膜を形成する工程、および、
前記塗布膜を乾燥する工程を含むことを特徴とする、感光性樹脂膜の製造方法。 (A) The following general formula (1):
(B) a photopolymerization initiator: 1 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the (A) polyimide precursor;
(C) an organic solvent having a boiling point of 180 ° C. or higher under atmospheric pressure, and
(D) an organic solvent having a boiling point under atmospheric pressure of 130 ° C. or more and 160 ° C. or less: (A) a total amount of 300 to 600 parts by mass of the organic solvent based on 100 parts by mass of the polyimide precursor;
In the solvent, the content of the component (C) is 60% by weight or more and 90% by weight or less based on the total amount of the organic solvent, and the content of the component (D) is 10% by weight or more and 40% by weight based on the total amount of the organic solvent. Is the following,
A step of applying a photosensitive resin composition for non-spin coating having a viscosity at 23 ° C. of 0.5 P or more and 40 P or less to a substrate using non-spin coating to form a coating film; and
A method for producing a photosensitive resin film, comprising a step of drying the coating film.
(1)請求項1〜3のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を基板上にノンスピン塗布することによって感光性樹脂層を該基板上に形成する工程と、
(2)該感光性樹脂層を露光する工程と、
(3)該露光後の感光性樹脂層を現像してレリーフパターンを形成する工程と、
(4)該レリーフパターンを加熱処理することによって硬化レリーフパターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とする、硬化レリーフパターンの製造方法。 below:
(1) a step of forming a photosensitive resin layer on a substrate by applying the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 3 to the substrate by non-spin coating;
(2) exposing the photosensitive resin layer to light;
(3) developing the photosensitive resin layer after the exposure to form a relief pattern;
(4) a step of forming a cured relief pattern by heat-treating the relief pattern;
A method for producing a cured relief pattern, comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015137061A JP6643824B2 (en) | 2015-07-08 | 2015-07-08 | Photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern, and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015137061A JP6643824B2 (en) | 2015-07-08 | 2015-07-08 | Photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern, and semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017021113A JP2017021113A (en) | 2017-01-26 |
JP6643824B2 true JP6643824B2 (en) | 2020-02-12 |
Family
ID=57890092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015137061A Active JP6643824B2 (en) | 2015-07-08 | 2015-07-08 | Photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern, and semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6643824B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7156786B2 (en) * | 2017-10-04 | 2022-10-19 | 旭化成株式会社 | Negative photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern, and semiconductor device |
JP7035632B2 (en) * | 2018-03-05 | 2022-03-15 | Hdマイクロシステムズ株式会社 | Photosensitive resin composition, manufacturing method of pattern cured film, cured film, interlayer insulating film, cover coat layer, surface protective film and electronic components |
JP7405088B2 (en) * | 2018-10-03 | 2023-12-26 | Hdマイクロシステムズ株式会社 | Photosensitive resin composition, method for producing patterned cured product, cured product, interlayer insulating film, cover coat layer, surface protective film, and electronic components |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06186744A (en) * | 1992-12-22 | 1994-07-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Photosensitive resin composition |
JP2001139806A (en) * | 1999-11-16 | 2001-05-22 | Toray Ind Inc | Heat-resistant photosensitive resin composition |
US6511789B2 (en) * | 2000-06-26 | 2003-01-28 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Photosensitive polyimide precursor compositions |
JP4399748B2 (en) * | 2007-10-29 | 2010-01-20 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | Photosensitive polyimide precursor composition and pattern production method using the same |
JP2011123219A (en) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Asahi Kasei E-Materials Corp | Photosensitive polyamide resin composition, method for forming cured relief pattern and semiconductor device |
TWI413860B (en) * | 2010-02-16 | 2013-11-01 | Asahi Kasei E Materials Corp | A negative photosensitive resin composition, a method for manufacturing a hardened embossed pattern, and a semiconductor device |
TWI430024B (en) * | 2010-08-05 | 2014-03-11 | Asahi Kasei E Materials Corp | A photosensitive resin composition, a method for manufacturing a hardened bump pattern, and a semiconductor device |
-
2015
- 2015-07-08 JP JP2015137061A patent/JP6643824B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017021113A (en) | 2017-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6644113B2 (en) | Method for producing photosensitive resin composition and cured relief pattern | |
JP6419383B1 (en) | Photosensitive resin composition, method for producing polyimide, and semiconductor device | |
JP5657414B2 (en) | Negative photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern, and semiconductor device | |
JP6190805B2 (en) | Negative photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern, and semiconductor device | |
JP5571990B2 (en) | Negative photosensitive resin composition, cured relief pattern forming / manufacturing method, and semiconductor device | |
WO2020026840A1 (en) | Negative-type photosensitive resin composition and method for producing polyimide and cured relief pattern using same | |
JP7308300B2 (en) | Negative photosensitive resin composition and method for producing cured relief pattern | |
JP7542102B2 (en) | Negative-type photosensitive resin composition and method for producing cured relief pattern | |
JP6427383B2 (en) | Resin composition, method of producing cured relief pattern, and semiconductor device | |
JP2021120703A (en) | Photosensitive resin composition, cured relief pattern and method for producing the same | |
JP6643824B2 (en) | Photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern, and semiconductor device | |
KR102456730B1 (en) | Negative photosensitive resin composition, method of producing polyimide and method of producing cured relief pattern | |
JP2023002603A (en) | Negative type photosensitive resin composition, method of producing cured relief pattern, and semiconductor device | |
JP2023023169A (en) | Photosensitive resin composition, method for producing polyimide, method for producing cured relief pattern, and semiconductor device | |
JP7445443B2 (en) | Negative photosensitive resin composition and method for producing the same, and method for producing a cured relief pattern | |
JP7230161B2 (en) | Resin composition, method for producing cured relief pattern, and semiconductor device | |
JP7488659B2 (en) | Negative-type photosensitive resin composition, and method for producing polyimide and cured relief pattern using the same | |
JP2023158657A (en) | Negative type photosensitive resin composition and method for producing the same, and method for manufacturing cured relief pattern | |
TW202348728A (en) | Photosensitive resin composition and method for manufacturing cured relief pattern capable of obtaining high copper adhesion and suppressing generation of pores at an interface between a copper layer and a resin layer after a high-temperature storage test | |
JP2023086702A (en) | Negative photosensitive resin composition, method for manufacturing cured relief pattern, and semiconductor device | |
JP2023023196A (en) | Photosensitive resin composition, method for producing polyimide, method for producing cured relief pattern, and semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20160405 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180522 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190412 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190704 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191217 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200107 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6643824 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |