JP6498006B2 - 塗布方法 - Google Patents
塗布方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6498006B2 JP6498006B2 JP2015062718A JP2015062718A JP6498006B2 JP 6498006 B2 JP6498006 B2 JP 6498006B2 JP 2015062718 A JP2015062718 A JP 2015062718A JP 2015062718 A JP2015062718 A JP 2015062718A JP 6498006 B2 JP6498006 B2 JP 6498006B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gas
- coating liquid
- coating
- coating method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 283
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 248
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 247
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 228
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 101
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 50
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 20
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 9
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 168
- 239000010408 film Substances 0.000 description 87
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/40—Distributing applied liquids or other fluent materials by members moving relatively to surface
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
- B05D1/005—Spin coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/04—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
すなわち、本発明に係る塗布方法は、塗布ノズルにより基板上に塗布液を吐出する工程と、保持回転部により前記基板を回転させることで、前記基板上に前記塗布液を広げる工程と、前記塗布液を広げた後に、余剰の塗布液の少なくとも一部を前記基板の回転に伴う遠心力により前記基板の周縁部に向けて押しやって前記基板の周縁部に沿って余剰の塗布液を盛り上げる工程と、前記基板の回転により前記基板上の前記塗布液の乾燥が終了する前に、ガスノズルにより前記基板の周縁部に向けてガスを吹き付けて、前記周縁部に盛り上がる余剰の塗布液を前記基板外に排出するガス吹き付け工程と、を備え、前記塗布液を盛り上げる工程における基板の回転速度は、前記塗布液を広げる工程における基板の回転速度よりも低いことを特徴とするものである。
また、上述の塗布方法の一例は、前記基板の直径が300mmであることである。
図1を参照する。塗布装置1は、略水平姿勢で基板Wを保持して回転させる保持回転部2と、基板Wに対してレジスト等の塗布液RSを吐出する塗布ノズル3と、基板Wに対してガスGSを吹き付けるガスノズル4とを備えている。また、塗布装置1は、基板Wに対して溶剤等のプリウェット液PWを吐出するプリウェットノズル5と、基板Wの周縁部Eに対して溶剤等のエッジリンス液を吐出するエッジリンスノズル6とを備えている。
次に、図2等を参照して、塗布装置1による塗布動作を説明する。図2は、塗布動作タイミングを例示する図である。なお、基板Wは、直径300mmのもので説明するが、その他の大きさのものであってもよい。
図2の時間t1から時間t2までの間において、塗布装置1は、図3(a)のように、プリウェットノズル5からプリウェット液PWを吐出する。なお、プリウェット液PWの吐出は、基板Wを回転させながら行ってもよい。プリウェット液PWの吐出後、ノズル移動機構13は、プリウェットノズル5に代えて、基板W上方の所定位置に塗布ノズル3を配置する。
図2の時間t3において、塗布装置1は、図4(a)のように、塗布ノズル3により基板W上に塗布液RSを吐出する(吐出の開始)。図2の時間t4において、保持回転部2は、回転速度を上げて、予め設定された回転速度R2で基板Wを回転させる。回転速度R1,R2の回転により、図4(b)のように、基板W上に吐出された塗布液RSは放射状に広げられる。なお、塗布液RSの一部は、基板W外に飛散される。また、基板W上には、上述のように、プリウェット液膜PWが形成されているので、塗布液RSは素早く広がる。図2の時間t5において、保持回転部2は、回転速度を下げて、予め設定された回転速度R3で基板Wを回転させる。時間t6において、塗布ノズル3による塗布液RSの吐出を終了(停止)する。
塗布液RSの塗布終了後、時間t7において、塗布装置1は、図5(a)のように、ガスノズル4により基板Wの周縁部Eに向けてガスGSを吹き付ける。このガスGSの吹き付けの説明よりも先に、塗布液膜RSの厚みを調整する基板Wの回転について説明する。
ノズル移動機構13は、エッジリンスノズル6を吐出位置に移動させておく。塗布装置1は、回転速度R4の回転より基板W上の塗布液膜RSの乾燥が終了した後に、基板Wの周縁部Eの塗布液膜RSに対してエッジリンスを行う。すなわち、図2の時間t11から時間t12までの間において、塗布装置1は、図9(a)のように、エッジリンスノズル6によりエッジリンス液を吐出して、図9(b)のように、基板Wの周縁部Eの所定幅の塗布液膜RSを取り除く。その後、図2の時間t12において、保持回転部2は、回転速度を上げて、予め設定された回転速度R6で基板Wを回転させる。これにより、エッジリンスノズル6により基板W上に吐出したエッジリンス液をスピン乾燥させる。時間t13において、保持回転部2は、基板Wの回転を停止させる。時間t14において、基板Wは停止される。
2 … 保持回転部
3 … 塗布ノズル
4 … ガスノズル
4a … 吹き付け口
6 … エッジリンスノズル
E … 周縁部
PW … プリウェット液(プリウェット液膜)
RS … 塗布液(塗布液膜)
Claims (13)
- 塗布ノズルにより基板上に塗布液を吐出する工程と、
保持回転部により前記基板を回転させることで、前記基板上に前記塗布液を広げる工程と、
前記塗布液を広げた後に、余剰の塗布液の少なくとも一部を前記基板の回転に伴う遠心力により前記基板の周縁部に向けて押しやって前記基板の周縁部に沿って余剰の塗布液を盛り上げる工程と、
前記基板の回転により前記基板上の前記塗布液の乾燥が終了する前に、ガスノズルにより前記基板の周縁部に向けてガスを吹き付けて、前記周縁部に盛り上がる余剰の塗布液を前記基板外に排出するガス吹き付け工程と、を備え、
前記塗布液を盛り上げる工程における基板の回転速度は、前記塗布液を広げる工程における基板の回転速度よりも低いことを特徴とする塗布方法。 - 請求項1に記載の塗布方法において、
前記塗布液を盛り上げる工程において、前記余剰の塗布液を盛り上げる前記基板の回転速度は、500rpm以下であることを特徴とする塗布方法。 - 請求項1または2に記載の塗布方法において、
前記ガス吹き付け工程において、前記基板の回転により前記基板上の前記塗布液の乾燥が終了する前でかつ前記塗布液の吐出終了後に、前記ガスノズルにより前記基板の周縁部に向けてガスを吹き付けることを特徴とする塗布方法。 - 請求項1から3のいずれかに記載の塗布方法において、
前記ガス吹き付け工程において、前記基板の回転により前記基板上の前記塗布液の乾燥が終了する前でかつ前記余剰の塗布液を盛り上げる回転速度に基板を回転した後に、前記ガスノズルにより前記基板の周縁部に向けてガスを吹き付けることを特徴とする塗布方法。 - 請求項1から4のいずれかに記載の塗布方法において、
前記ガス吹き付け工程において、前記ガスノズルにより、予め設定された時間でガスを吹き付けることを特徴とする塗布方法。 - 請求項1から5のいずれかに記載の塗布方法において、
前記ガス吹き付け工程において、前記ガスノズルにより、予め設定された圧力でガスを吹き付けることを特徴とする塗布方法。 - 請求項1から6のいずれかに記載の塗布方法において、
前記ガス吹き付け工程において、前記ガスノズルにより、予め設定された複数回でガスを吹き付けることを特徴とする塗布方法。 - 請求項1から7のいずれかに記載の塗布方法において、
前記ガスノズルの吹き付け口は、円形であることを特徴とする塗布方法。 - 請求項1から8のいずれかに記載の塗布方法において、
前記ガス吹き付け工程において、前記ガスノズルにより、前記基板の周縁部に、かつ前記基板の内側から外側に向けて、前記ガスを吹き付けることを特徴とする塗布方法。 - 請求項1から9のいずれかに記載の塗布方法において、
回転により前記基板上の前記塗布液の膜の乾燥が終了した後に、前記基板の周縁部の前記塗布液の膜に対してエッジリンスを行う工程を更に備えることを特徴とする塗布方法。 - 請求項1から10のいずれかに記載の塗布方法において、
前記ガス吹き付け工程において、前記ガスノズルの位置は、固定されていることを特徴とする塗布方法。 - 請求項1から10のいずれかに記載の塗布方法において、
前記ガス吹き付け工程において、前記ガスノズルは、前記基板の半径方向でかつ前記基板の周縁部の予め設定された幅で移動可能であることを特徴とする塗布方法。 - 請求項1から12のいずれかに記載の塗布方法において、
前記基板の直径は、300mmであることを特徴とする塗布方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015062718A JP6498006B2 (ja) | 2015-03-25 | 2015-03-25 | 塗布方法 |
KR1020177024213A KR102016824B1 (ko) | 2015-03-25 | 2016-02-12 | 도포 방법 |
CN201680012166.2A CN107249760B (zh) | 2015-03-25 | 2016-02-12 | 涂敷方法 |
PCT/JP2016/054173 WO2016152308A1 (ja) | 2015-03-25 | 2016-02-12 | 塗布方法 |
US15/556,174 US10569297B2 (en) | 2015-03-25 | 2016-02-12 | Coating method |
TW105107884A TWI614066B (zh) | 2015-03-25 | 2016-03-15 | 塗佈方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015062718A JP6498006B2 (ja) | 2015-03-25 | 2015-03-25 | 塗布方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016182531A JP2016182531A (ja) | 2016-10-20 |
JP6498006B2 true JP6498006B2 (ja) | 2019-04-10 |
Family
ID=56977147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015062718A Active JP6498006B2 (ja) | 2015-03-25 | 2015-03-25 | 塗布方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10569297B2 (ja) |
JP (1) | JP6498006B2 (ja) |
KR (1) | KR102016824B1 (ja) |
CN (1) | CN107249760B (ja) |
TW (1) | TWI614066B (ja) |
WO (1) | WO2016152308A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6352824B2 (ja) * | 2015-01-23 | 2018-07-04 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理装置、制御プログラムおよび制御方法 |
JP6336022B1 (ja) * | 2016-12-19 | 2018-06-06 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置、めっき方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
KR102175075B1 (ko) * | 2017-07-25 | 2020-11-06 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 장치 |
KR20200100787A (ko) * | 2018-01-15 | 2020-08-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 유체 분배 및 적용 범위 제어를 위한 시스템 및 방법 |
JP7112917B2 (ja) * | 2018-09-12 | 2022-08-04 | タツモ株式会社 | 塗布装置及び塗布方法 |
US11020766B2 (en) * | 2018-09-28 | 2021-06-01 | Service Support Specialties, Inc. | Spin coating apparatus, system, and method |
CN111359791A (zh) * | 2018-12-26 | 2020-07-03 | 中冶京诚工程技术有限公司 | 厚边消减吹扫装置及粉末静电喷涂装置 |
KR102075306B1 (ko) * | 2019-08-02 | 2020-02-07 | 정연학 | 과량 도포된 코팅액 제거 장치 |
CN110673445B (zh) * | 2019-09-24 | 2022-05-17 | 浙江集迈科微电子有限公司 | 一种超厚胶膜的平坦化处理方法 |
US20230366119A1 (en) * | 2020-10-01 | 2023-11-16 | Lam Research Corporation | Preplating edge dry |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6213029A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | レジスト塗布方法 |
JPS6447474A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-21 | Fujitsu Ltd | Method for applying high-viscosity resin |
JP2939040B2 (ja) * | 1992-03-19 | 1999-08-25 | シャープ株式会社 | 樹脂層の形成方法 |
JPH06283417A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Olympus Optical Co Ltd | 塗膜装置 |
JPH09106980A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-04-22 | Kawasaki Steel Corp | 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法 |
US6114254A (en) * | 1996-10-15 | 2000-09-05 | Micron Technology, Inc. | Method for removing contaminants from a semiconductor wafer |
JP3300624B2 (ja) * | 1997-01-24 | 2002-07-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板端面の洗浄方法 |
TW432520B (en) * | 1997-03-31 | 2001-05-01 | Tokyo Electron Ltd | Photoresist coating method and apparatus |
JP2001110712A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-04-20 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜除去装置及び塗布膜除去方法 |
JP3963732B2 (ja) * | 2001-04-19 | 2007-08-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置 |
JP2003037053A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-07 | Toshiba Corp | 塗布型成膜方法、塗布型成膜装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2003181361A (ja) | 2001-12-18 | 2003-07-02 | Hirata Corp | 処理装置及び処理方法 |
US8192555B2 (en) * | 2002-12-31 | 2012-06-05 | Micron Technology, Inc. | Non-chemical, non-optical edge bead removal process |
JP4557229B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2010-10-06 | 日東電工株式会社 | クリーニング機能付搬送部材の製造方法 |
JP2008091752A (ja) | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Sokudo:Kk | 基板の現像処理方法および基板の現像処理装置 |
JP2010099589A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 塗膜形成方法及びスピンコータ |
JP2010164871A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Casio Computer Co Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2011036847A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-24 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 塗膜形成法およびスピンコータ |
WO2011114883A1 (ja) * | 2010-03-18 | 2011-09-22 | コニカミノルタオプト株式会社 | レジストパターン形成装置およびレジストパターン形成方法ならびにウエハレンズの製造方法 |
JP2012256780A (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Fuji Electric Co Ltd | スピンコート法によるレジスト塗布方法 |
JP5838067B2 (ja) | 2011-10-05 | 2015-12-24 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 塗布方法および塗布装置 |
JP2013187497A (ja) | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Seiko Instruments Inc | エッジリンス装置およびエッジリンス方法 |
-
2015
- 2015-03-25 JP JP2015062718A patent/JP6498006B2/ja active Active
-
2016
- 2016-02-12 KR KR1020177024213A patent/KR102016824B1/ko active IP Right Grant
- 2016-02-12 WO PCT/JP2016/054173 patent/WO2016152308A1/ja active Application Filing
- 2016-02-12 US US15/556,174 patent/US10569297B2/en active Active
- 2016-02-12 CN CN201680012166.2A patent/CN107249760B/zh active Active
- 2016-03-15 TW TW105107884A patent/TWI614066B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016182531A (ja) | 2016-10-20 |
US20180036767A1 (en) | 2018-02-08 |
CN107249760A (zh) | 2017-10-13 |
TW201641168A (zh) | 2016-12-01 |
KR20170109024A (ko) | 2017-09-27 |
TWI614066B (zh) | 2018-02-11 |
US10569297B2 (en) | 2020-02-25 |
KR102016824B1 (ko) | 2019-08-30 |
CN107249760B (zh) | 2020-10-30 |
WO2016152308A1 (ja) | 2016-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6498006B2 (ja) | 塗布方法 | |
KR102647064B1 (ko) | 도포막 형성 방법, 도포막 형성 장치 및 기억 매체 | |
US6440218B1 (en) | Coating solution applying method and apparatus | |
JP6873011B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
US10684548B2 (en) | Developing method | |
JPH10146561A (ja) | 塗布液塗布方法 | |
JP2015015453A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
KR102326461B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
CN112997279B (zh) | 基板处理方法以及基板处理装置 | |
JP6481598B2 (ja) | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体 | |
JP2018001114A (ja) | 塗布方法 | |
JP2020170851A (ja) | 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法 | |
JP6880664B2 (ja) | 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法及び記憶媒体 | |
JP6814847B2 (ja) | 現像方法 | |
JP7136543B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2007048814A (ja) | 基板保持装置、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6211910B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
CN115365084A (zh) | 涂布处理方法及涂布处理装置 | |
JPH10151407A (ja) | 塗布液塗布方法 | |
JP2017103319A (ja) | 塗布装置 | |
JP2006202893A (ja) | 現像方法及び現像装置 | |
KR20010058695A (ko) | 반사방지막의 기포 제거 방법 | |
JP2007266363A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181016 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181214 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190312 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6498006 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |