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JP6498006B2 - 塗布方法 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体基板、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板に対して、塗布液を塗布する塗布方法に関する。
塗布装置は、基板を保持して回転させる保持回転部と、保持回転部に保持された基板上に、フォトレジスト(以下、「レジスト」と呼ぶ)等の塗布液を吐出する塗布ノズルとを備えている。塗布装置は、塗布ノズルで基板上に塗布液を吐出し、回転保持部で基板を回転させる。基板の回転により、基板上の塗布液が広げられて、基板上に塗布液の液膜(塗布液膜)が形成される(例えば、特許文献1,2参照)。
このような塗布装置による塗布動作において、ガス(気体)の吹き付けが行われる。例えば、特許文献1には、基板の周縁部のレジスト膜に対して溶剤を吐出してレジスト膜を溶解させ、溶解したレジスト膜を送風手段により基板外に飛散させるエッジリンスの手法が記載されている。特許文献2には、薄膜が形成されたウエハの周縁部をエッジリンスした後、エッジリンスによる薄膜の周縁部の盛上り部分を、ウエハの周縁部にNガスを吹き付けて平坦化させることが記載されている。
また、特許文献3には、未乾燥の塗膜が形成された基板の端縁部分に対して、気体を吹き付けて、乾燥を促進させるエッジリンスの手法が記載されている。なお、この手法は、塗膜形成後に行われる気体の吹き付けで有り、気体の吹き付け後であっても、基板の端縁部分以外は、未乾燥のままである。特許文献4には、基板上に溶剤を供給し、溶剤の被膜上にインクジェット方式で塗布液を吐出し、最後に、塗布液の凹凸表面に気体を噴射して塗布液の表面を平坦化する手法が記載されている。
特開2013−187497号公報 特開平09−106980号公報 特開2003−181361号公報 特開2013−078748号公報
近年の半導体デバイスの3次元化に伴い、高い耐エッチング性能が求められており、レジスト等の厚めの塗布液膜(厚膜)を塗布することが求められている。
従来は、厚膜を得るために、塗布液の粘度を高くすることで対応し、微調整を、基板の回転速度(回転数:rpm)を変更することで対応していた。粘度を高くする場合は、ポンプの高出力化、供給配管径の大型化、ドレイン配管径の大型化、カップの洗浄、および膜中の微小泡の混入など多数の問題が生じる。そのため、塗布液の粘度を高くせずに粘度を低いままで、回転速度を調整することにより、厚膜を得ることが求められている。
塗布液膜は、回転速度が低いほど、厚く形成される。塗布液膜厚みを調整する工程は、レジスト液の吐出終了後から乾燥が終了するまでのメインスピンと呼ばれる工程である。300mmウエハ(基板)の場合、メインスピンの回転速度の使用可能範囲は、例えば800〜2000rpmである。この範囲より小さい場合は、ウエハの面内の塗布液膜厚みの均一性が大きく悪化することが問題となっている。すなわち、メインスピンが使用可能範囲内であれば、均一な厚みの塗布液膜が形成されるが、十分な厚みの液膜を得ることができない。そこで、液膜を更に厚くするために、メインスピンを使用可能範囲外の低速回転に設定すると、基板上の塗布液に作用する遠心力が著しく低下するので、基板周縁から塗布液が飛散し難くなる。その結果、基板の周縁部に塗布液が溜まった状態で基板が回転されるので、塗布液が基板の周縁に溜まった状態で乾燥する。そのため、基板の周縁部において、塗布液膜が山のように厚くなり、塗布液膜の厚みの均一性が悪化する。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、回転により、塗布膜の液膜を厚く形成しつつ、その液膜の厚みを均一にできる塗布方法を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明に係る塗布方法は、塗布ノズルにより基板上に塗布液を吐出する工程と、保持回転部により前記基板を回転させることで、前記基板上に前記塗布液を広げる工程と、前記塗布液を広げた後に、余剰の塗布液の少なくとも一部を前記基板の回転に伴う遠心力により前記基板の周縁部に向けて押しやって前記基板の周縁部に沿って余剰の塗布液を盛り上げる工程と、前記基板の回転により前記基板上の前記塗布液の乾燥が終了する前に、ガスノズルにより前記基板の周縁部に向けてガスを吹き付けて、前記周縁部に盛り上がる余剰の塗布液を前記基板外に排出するガス吹き付け工程と、を備え、前記塗布液を盛り上げる工程における基板の回転速度は、前記塗布液を広げる工程における基板の回転速度よりも低いことを特徴とするものである。
本発明に係る塗布方法によれば、保持回転部により基板を回転させることで、基板上に塗布液を広げる。その後、塗布液を広げるための回転速度よりも低い回転速度で基板を回転させて、余剰の塗布液の少なくとも一部を基板の回転に伴う遠心力により基板の周縁部に向けて押しやって基板の周縁部に沿って余剰の塗布液を盛り上げる。更に、ガスノズルにより基板の周縁部に向けてガスを吹き付けて、周縁部に盛り上がる余剰の塗布液を基板外に排出する。ガスノズルにより基板の周縁部に向けてガスを吹き付けることで、表面張力によって基板外に排出されずに留まって盛り上がる塗布液の均衡状態を崩すことができる。そのため、回転により、塗布液の液膜を厚く形成しつつ、その液膜の厚みを均一にできる。
また、上述の塗布方法の好ましい一例は、前記塗布液を盛り上げる工程において、前記余剰の塗布液を盛り上げる前記基板の回転速度は、500rpm以下であることである。500rpm以下の回転により、塗布液の液膜を厚く形成しつつ、その液膜の厚みを均一にできる。
また、上述の塗布方法の一例は、前記ガス吹き付け工程において、前記基板の回転により前記基板上の前記塗布液の乾燥が終了する前でかつ、前記塗布液の吐出終了後に、前記ガスノズルにより前記基板の周縁部に向けてガスを吹き付けることである。基板上に塗布液を吐出している途中でガスを吹き付けると、塗布液吐出とガス吹き付けの両方を制御しなければならない。しかしながら、塗布液の吐出終了後にガスを吹き付けるので、塗布液吐出とガス吹き付けの一方を制御すればよいので、制御を簡単にすることができる。
また、上述の塗布方法の一例は、前記ガス吹き付け工程において、前記基板の回転により前記基板上の前記塗布液の乾燥が終了する前でかつ、前記余剰の塗布液を盛り上げる回転速度に基板を回転した後、前記ガスノズルにより前記基板の周縁部に向けてガスを吹き付けることである。余剰の塗布液を盛り上げる回転速度に基板を回転した後の一定の安定した状態において、ガスを吹き付けるので、ガス吹き付けの制御を簡単にできる。
また、上述の塗布方法の一例は、前記ガス吹き付け工程において、前記ガスノズルにより、予め設定された時間でガスを吹き付けることである。ガスを吹き付けた時間に対応して、基板の周縁部に盛り上がる余剰の塗布液を基板外に排出することができる。
また、上述の塗布方法の一例は、前記ガス吹き付け工程において、前記ガスノズルにより、予め設定された圧力でガスを吹き付けることである。吹き付けるガスの圧力に対応して、基板の周縁部に盛り上がる余剰の塗布液を基板外に排出することができる。
また、上述の塗布方法の一例は、前記ガス吹き付け工程において、前記ガス吹き付け工程において、前記ガスノズルにより、予め設定された複数回でガスを吹き付けることである。例えば、予め設定された時間でガス吹き付けの回数を制御することで、基板外に排出する余剰の塗布液の量を制御することができる。また、間欠的にガスを吹き付けることで、ガスの吹き付けに変化を与えることができる。
また、上述の塗布方法の一例は、前記ガスノズルの開口部は、円形であることである。点でガスを吹き付けることができるので、基板から余剰な塗布液を排出しやすくなる。
また、上述の塗布方法の一例は、前記ガス吹き付け工程において、前記ガスノズルにより、前記基板の周縁部に、かつ前記基板の内側から外側に向けて、前記ガスを吹き付けることである。これにより、基板の周縁部に溜まる塗布液を基板外へ効果的に排出させることができる。
また、上述の塗布方法の一例は、回転により前記基板上の前記塗布液の膜の乾燥が終了した後に、前記基板の周縁部の前記塗布液の膜に対してエッジリンスを行う工程を更に備えることである。比較的厚みが付きやすい基板の周縁部の塗布液膜をエッジリンスで取り除くことで、より平坦な塗布液膜を形成させることができる。また、上述のように、ガスを吹き付けて基板の周縁部に盛り上がる余剰の塗布液を排出することで、均一な厚膜を形成できる。これにより、エッジリンスを実行する幅を抑えることができるので、基板の周縁部の近くまでパターン形成することができる。
また、上述の塗布方法の一例は、前記ガス吹き付け工程において、前記ガスノズルの位置は、固定されていることである。これにより、ガスノズルの制御を簡単にすることができる。
また、上述の塗布方法の一例は、前記ガス吹き付け工程において、前記ガスノズルは、前記基板の半径方向でかつ前記基板の周縁部の予め設定された幅で移動可能であることである。これにより、基板の周縁部に向けたガスの吹き付け位置を変化させることができ、基板の周縁部に溜まった塗布液の排出を促進させることができる。
また、上述の塗布方法の一例は、前記基板の直径が300mmであることである。
本発明に係る塗布方法によれば、保持回転部により基板を回転させて基板上に塗布液の液膜を形成するとともに、余剰の塗布液の少なくとも一部を基板の回転に伴う遠心力により基板の周縁部に向けて押しやって基板の周縁部に沿って余剰の塗布液を盛り上げる。更に、ガスノズルにより基板の周縁部に向けてガスを吹き付けて、周縁部に盛り上がる余剰の塗布液を基板外に排出する。ガスノズルにより基板の周縁部に向けてガスを吹き付けることで、表面張力によって基板外に排出されずに留まって盛り上がる塗布液の均衡状態を崩すことができる。そのため、回転により、塗布液の液膜を厚く形成しつつ、その液膜の厚みを均一にできる。
実施例に係る塗布装置のブロック図である。 塗布動作タイミングを例示する図である。 (a)、(b)は、プリウェット工程を説明するための側面図である。 (a)、(b)は、塗布液吐出工程を説明するための側面図である。 (a)は、ガス吹き付けを説明するための側面図であり、(b)は、(a)の部分拡大図であり、(c)は、(a)の平面図であり、(d)は、(b)のV−V方向に見たガスノズルの吹き付け口を示す図であり、(e)は、ガス吹き付けにより、基板の周縁部に溜まる塗布液膜が平坦になる様子を示す図である。 回転速度に対する塗布液膜厚みとその均一性を示す図である。 (a)は、ガス吹き付け無しの場合の基板内の塗布液膜厚みを示す図であり、(b)は、(a)の基板内の測定位置を示す図である。 ガス吹き付け有りの場合の基板内の塗布液膜厚みを示す図である。 (a)、(b)は、エッジリンス工程を説明するための図である。 変形例に係るガス吹き付けを説明するための斜視図である。
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。図1は、実施例に係る塗布装置のブロック図である。
<塗布装置の構成>
図1を参照する。塗布装置1は、略水平姿勢で基板Wを保持して回転させる保持回転部2と、基板Wに対してレジスト等の塗布液RSを吐出する塗布ノズル3と、基板Wに対してガスGSを吹き付けるガスノズル4とを備えている。また、塗布装置1は、基板Wに対して溶剤等のプリウェット液PWを吐出するプリウェットノズル5と、基板Wの周縁部Eに対して溶剤等のエッジリンス液を吐出するエッジリンスノズル6とを備えている。
なお、図1において、保持回転部2、塗布ノズル3、ガスノズル4、プリウェットノズル5、エッジリンスノズル6等は側面図で示される。
保持回転部2は、例えば真空吸着により基板Wの裏面を保持するスピンチャック9と、スピンチャック9を略垂直方向の回転軸AX周りに回転させ、モータ等で構成される回転駆動部10とを備えている。保持回転部2の周りには、基板Wの側方を囲うように、上下移動可能なカップ11が設けられている。
塗布ノズル3、ガスノズル4、プリウェットノズル5およびエッジリンスノズル6は各々、ノズル移動機構13により、水平および上下方向の所定位置に移動されるように構成される。ノズル移動機構13は、例えば、複数個の塗布ノズル3のいずれか1つの塗布ノズル3を選択的に把持して、基板Wの外側の待機位置と基板W上方の所定位置との間で、把持した塗布ノズル3を移動させる。ノズル移動機構13は、モータ等で構成される。
塗布ノズル3には、塗布液供給源15から塗布液配管17を通じて塗布液RSが供給される。塗布液配管17には、サックバック弁SVと開閉弁V1とポンプP1が介在している。開閉弁V1は塗布液RSの供給とその停止を行い、サックバック弁SVは開閉弁V1の動作と組み合わせて、塗布ノズル3内の塗布液RS等を吸引し、また、吸引した塗布液RS等を押し出す。ポンプP1は塗布液RSを塗布ノズル3に送り出す。なお、塗布ノズル3が複数の場合は、各々の塗布ノズル3は、塗布液供給源15、塗布液配管17、サックバック弁SV、開閉弁V1およびポンプP1等の供給系統を備えている。
ガスノズル4には、ガス供給源19からガス配管21を通じてガスGSが供給される。ガス配管21には、開閉弁V2が介在している。開閉弁V2はガスGSの供給とその停止を行う。ガスノズル4から吹き付けるガスGSは、窒素などの不活性ガス、空気、およびその他気体が用いられる。また、ガスGSは、例えば塗布液RSの溶剤の蒸気(気化した溶剤)を含むガスであってもよい。ガスは、図示しない温調機構により温度が調整されていてもよい。
ガスノズル4の吹き付け口4aは、スリットのような長細い開口部でなく、後述する図5(d)のように、略円形である。略円形には、楕円形および、正多角形等の多角形が含まれる。点でガスGSを吹き付けることができるので、基板Wから余剰な塗布液RSを排出しやすくなる。また、ガスノズル4の配管の内径、すなわち、ガスGSの吹き出し口4aの内径は、5mm以下であることが好ましい。これにより、ピンポイントで基板Wの周縁部EにガスGSを吹き付けることで、基板Wから余剰な塗布液RSを排出しやすくなる。
プリウェットノズル5には、プリウェット液供給源23からプリウェット液配管25を通じてプリウェット液PWが供給される。プリウェット液配管25には、開閉弁V3とポンプP3が介在している。開閉弁V3はプリウェット液PWの供給とその停止を行い、ポンプP3はプリウェット液PWをプリウェットノズル5に送り出す。
エッジリンスノズル6には、エッジリンス液供給源27からエッジリンス液配管29を通じてエッジリンス液が供給される。エッジリンス液配管29には、開閉弁V4とポンプP4が介在している。開閉弁V4はエッジリンス液の供給とその停止を行い、ポンプP4はエッジリンス液をエッジリンスノズル6に送り出す。
塗布装置1は、中央演算処理装置(CPU)などで構成された制御部31と、塗布装置1を操作するための操作部33とを備えている。制御部31は、塗布装置1の各構成を制御する。操作部33は、液晶モニタなどの表示部と、ROM(Read-only Memory)、RAM(Random-Access Memory)、およびハードディスク等の記憶部と、キーボード、マウス、および各種ボタン等の入力部とを備えている。記憶部には、塗布処理の各種条件等が記憶されている。
<塗布装置の塗布動作>
次に、図2等を参照して、塗布装置1による塗布動作を説明する。図2は、塗布動作タイミングを例示する図である。なお、基板Wは、直径300mmのもので説明するが、その他の大きさのものであってもよい。
本発明の特徴部分の概要を説明する。上述のように、粘度を高くせずに低い粘度のままで、回転速度を調整して塗布液RSの厚膜を得たいという要望がある。しかしながら、塗布液膜RSの厚みを調整するためのメインスピンにおいて、基板Wを低速回転させると、基板Wの周縁部Eに塗布液RSが溜まり、この溜まった部分で塗布液膜RSが、例えば基板Wの中心部よりも厚くなる。そこで、メインスピンにおいて、回転により基板W上の塗布液RSが流動しなくなる乾燥が終了する前に、ガスノズル4により、基板Wの周縁部Eに向けてガスGSを吹き付ける。これにより、表面張力によって基板W外に排出されずに留まって盛り上がる塗布液RSの均衡状態を崩すことができる。そのため、低速回転で厚膜を形成する際に、基板Wの中心部から周縁部Eにかけて、その厚膜を均一にできる。
塗布動作は、図2の時間t0〜時間t14で行われ、プリウェット工程、塗布液吐出工程、塗布液膜RSの厚み調整工程(メインスピン)、ガス吹き付け工程およびエッジリンス工程を備えている。まず、図示しない搬送機構は、保持回転部2に基板Wを搬送する。保持回転部2は、図1のように、基板Wの裏面を保持する。ノズル移動機構13は、プリウェットノズル5を基板W上方の所定位置に移動させる。
〔プリウェット工程〕
図2の時間t1から時間t2までの間において、塗布装置1は、図3(a)のように、プリウェットノズル5からプリウェット液PWを吐出する。なお、プリウェット液PWの吐出は、基板Wを回転させながら行ってもよい。プリウェット液PWの吐出後、ノズル移動機構13は、プリウェットノズル5に代えて、基板W上方の所定位置に塗布ノズル3を配置する。
図2の時間t2において、保持回転部2は、予め設定された回転速度R1(rpm)で、保持した基板Wを回転させる。この回転により、図3(b)のように、基板W上に吐出されたプリウェット液PWは放射状に広げられて、プリウェット液膜PWが形成される。プリウェット液PWの吐出後、ノズル移動機構13は、プリウェットノズル5に代えて、基板W上方の所定位置に塗布ノズル3を配置する。
〔塗布液吐出工程〕
図2の時間t3において、塗布装置1は、図4(a)のように、塗布ノズル3により基板W上に塗布液RSを吐出する(吐出の開始)。図2の時間t4において、保持回転部2は、回転速度を上げて、予め設定された回転速度R2で基板Wを回転させる。回転速度R1,R2の回転により、図4(b)のように、基板W上に吐出された塗布液RSは放射状に広げられる。なお、塗布液RSの一部は、基板W外に飛散される。また、基板W上には、上述のように、プリウェット液膜PWが形成されているので、塗布液RSは素早く広がる。図2の時間t5において、保持回転部2は、回転速度を下げて、予め設定された回転速度R3で基板Wを回転させる。時間t6において、塗布ノズル3による塗布液RSの吐出を終了(停止)する。
〔塗布液膜の厚み調整工程とガス吹き付け工程〕
塗布液RSの塗布終了後、時間t7において、塗布装置1は、図5(a)のように、ガスノズル4により基板Wの周縁部Eに向けてガスGSを吹き付ける。このガスGSの吹き付けの説明よりも先に、塗布液膜RSの厚みを調整する基板Wの回転について説明する。
時間t8において、保持回転部2は、回転速度を上げて、予め設定された回転速度R4で基板Wを回転させて、基板W上に吐出された塗布液膜RSの厚みを調整する。上述のように、塗布液RSの吐出終了後から塗布液RSの乾燥終了までの工程は、メインスピンと呼ばれる工程である。すなわち、メインスピンは、おおよそ、回転速度R4で基板Wを回転させている間の期間をいう。回転速度R4の大きさにより、その回転速度R4に応じた塗布液膜RS厚みが得られる。
従来では、基板Wを回転させることにより、回転基板Wの周縁部Eに沿って余剰の塗布液RSを盛り上げないようにして、基板W上に塗布液膜RSを形成していた。この点、本発明は、基板Wの回転速度を調整することで、塗布液膜RSを厚く形成することが望まれている。そこで、まず、本発明は、保持回転部2より、基板Wを回転させて基板W上に塗布液膜RSを形成するとともに、余剰の塗布液RSの少なくとも一部を基板Wの回転に伴う遠心力により基板Wの周縁部Eに押しやって基板Wの周縁部Eに沿って余剰の塗布液RSを盛り上げる。このときの基板Wの回転は、回転速度R4で行われる。なお、上述の余剰の塗布液RSを盛り上げる動作は、ガスGSの吹き付けを考慮しない場合の動作である。
基板Wの周縁部Eに余剰の塗布液RSが盛り上がった状態で塗布液RSが乾燥すると、厚みの均一性が悪化した塗布液膜RSが得られることとなる。そのため、塗布装置1は、図5(a)のように、ガスノズル4により基板Wの周縁部Eに向けてガスGSを吹き付ける。
図5(b)は、図5(a)のガス吹き付け部分を拡大した図である。本実施例では、基板Wの上方に設けられたガスノズル4により、基板Wの周縁部Eに、かつ、図5(c)のように、基板Wの内側から外側に向けて、ガスGSを吹き付ける。ガスGSは、回転速度R4の回転により基板W上の塗布液膜RSの乾燥が終了する前に、すなわち、塗布液RSが流動する間に、吹き付ける必要がある。ガスGSは、図5(d)のように、点で吹き付ける。なお、ノズル移動機構13は、ガスGSを吹き付ける前までに、ガスノズル4を所定の吹き付け位置に移動させる。
基板W外に排出されず、基板Wの周縁部Eに塗布液RSが留まって盛り上がる主な原因は、表面張力である。ガスGSを吹き付けることで、表面張力によって基板外に排出されずに留まって盛り上がる塗布液RSの均衡状態を崩すことができる。そのため、図5(e)のように、周縁部Eに盛り上がる余剰の塗布液RSを基板W外に排出するので、回転により、塗布液膜RSを厚く形成しつつ、その塗布液膜RSの厚みを均一にできる。
余剰の塗布液RSを盛り上げる基板Wの回転速度R4は、例えば0rpmより大きく500rpm以下(または未満)が好ましい。500rpm以下の回転速度R4で基板Wを回転させると、基板Wの中心部から120mmより外側に向かって、急激に塗布液膜RSが厚くなる。この点について詳しく説明する。
スピン塗布は、基板Wの回転の遠心力により、未乾燥の流動性を持った塗布液RSを基板Wの中心部から周縁部Eに向かって押し出すことで行われる。500rpm(好ましくは800rpm)より大きい高速回転であれば、基板Wの周縁部Eから余剰な塗布液RSが排出される。しかしながら、500rpm以下の低速回転では、塗布液と基板Wによる表面張力のため、余剰な塗布液RSが基板Wの周縁部Eから留まる。そのため、基板Wの周縁部Eに塗布液RSが溜まった状態で乾燥し始める。これにより、周縁部Eに溜まった塗布液RSが乾燥した部分では、山のように塗布液膜RSが厚くなる。なお、図5(c)において、塗布液膜RSが盛り上がった部分を斜線のハッチングで示す。
なお、図6は、300mmウエハの場合における、回転速度R4に対する塗布液膜RSの厚み(平均値)と塗布液膜RSの均一性(3σ)を示す図である。回転速度R4が500rpm以下では、塗布液膜RSの厚みとその均一性(3σ)が大きくなっている様子が示される。
そこで、周縁部Eで塗布液膜RSが厚くなり塗布液膜RSの厚みが不均一になることを回避するため、塗布装置1は、回転により基板W上の塗布液RSの乾燥が終了する前に、ガスノズル4により基板Wの周縁部Eに向けてガスGSを吹き付けて、周縁部Eに溜まる塗布液RSの全部ではなくその一部を基板W外に排出する補助を行う。すなわち、塗布液膜RSが未乾燥で流動性があるうちに、周縁部Eに溜まった余剰な塗布液RSを基板W外に排出するため、ガスGSを吹き付ける。これにより、「表面張力<遠心力+ガスによる圧力」の関係となり、周縁部Eに溜まった余剰な塗布液RSを基板W外に排出できる。基板Wの周縁部Eに溜まった塗布液RSにより盛り上がって不均一になることを抑制し、低速回転で厚膜を得る際に、基板Wの中心部から周縁部Eにかけて、均一な厚膜を得ることできる。
ここで、ガス吹き付けの効果を図7(a)、図7(b)、図8を参照して説明する。図7(a)は、ガス吹き付け無しの場合の基板内の塗布液膜RSの厚みを示す図である。一方、図8は、ガス吹き付け有りの場合の基板内の塗布液膜RSの厚みを示す図である。図7(a)、図8において、塗布液膜RSの厚みを調整するための回転速度R4は、100rpmである。図7(a)では、基板Wの中心部(X方向位置の”0”に相当)から離れた位置において、急激に塗布液膜RSの厚みが大きくなっている。一方、図8では、その厚みが急激に大きくなることが抑えられている。したがって、低速回転で厚膜を形成する際にその厚みを均一にできることがわかる。なお、図8の基板W内の測定位置は、図7(a)と同様であり、図7(b)で示される。
図2の時間t9において、回転速度R4の回転により基板W上の塗布液RSが流動しなくなる。これにより、塗布液RSの乾燥が終了する。時間t10において、保持回転部2は、回転速度を下げて、予め設定された回転速度R5で基板Wを回転させる。なお、時間t10において、ガスGSの吹き付けを終了(停止)している。この点、ガスGSの吹き付けは、乾燥終了時(時間t9)で終了してもよいし、また、後述するエッジリンス液を吐出する時間t11までに終了するようにしてもよい。
〔エッジリンス処理〕
ノズル移動機構13は、エッジリンスノズル6を吐出位置に移動させておく。塗布装置1は、回転速度R4の回転より基板W上の塗布液膜RSの乾燥が終了した後に、基板Wの周縁部Eの塗布液膜RSに対してエッジリンスを行う。すなわち、図2の時間t11から時間t12までの間において、塗布装置1は、図9(a)のように、エッジリンスノズル6によりエッジリンス液を吐出して、図9(b)のように、基板Wの周縁部Eの所定幅の塗布液膜RSを取り除く。その後、図2の時間t12において、保持回転部2は、回転速度を上げて、予め設定された回転速度R6で基板Wを回転させる。これにより、エッジリンスノズル6により基板W上に吐出したエッジリンス液をスピン乾燥させる。時間t13において、保持回転部2は、基板Wの回転を停止させる。時間t14において、基板Wは停止される。
以上により、塗布動作は終了する。この後、保持回転部2は、基板Wの保持を解除する。保持回転部2上の基板Wは、図示しない基板搬送機構により、次の処理ユニットに搬送される。
本実施例によれば、保持回転部2により、例えば500rpm以下の回転速度で、基板Wを回転させて基板W上に塗布液RSの液膜を形成するとともに、余剰の塗布液RSの少なくとも一部を基板Wの回転に伴う遠心力により基板Wの周縁部Eに向けて押しやって基板Wの周縁部Eに沿って余剰の塗布液RSを盛り上げる。更に、ガスノズル4により基板Wの周縁部Eに向けてガスGSを吹き付けて、周縁部Eに盛り上がる余剰の塗布液RSを基板W外に排出する。ガスノズル4により基板Wの周縁部Eに向けてガスGSを吹き付けることで、表面張力によって基板W外に排出されずに留まって盛り上がる塗布液RSの均衡状態を崩すことができる。そのため、回転により、塗布液RSの液膜を厚く形成しつつ、その液膜の厚みを均一にできる。
また、ガスGSの吹き付けの際に、基板Wの回転により基板W上の塗布液RSの乾燥が終了する前でかつ、塗布液RSの吐出終了後に、ガスノズル4により基板Wの周縁部Eに向けてガスGSを吹き付ける。基板W上に塗布液RSを吐出している途中でガスGSを吹き付けると、塗布液RS吐出とガス吹き付けの両方を制御しなければならない。しかしながら、塗布液RSの吐出終了後にガスGSを吹き付けるので、塗布液RS吐出とガス吹き付けの一方を制御すればよいので、制御を簡単にすることができる。
また、塗布装置1は、ガス吹き付け工程において、ガスノズル4により、基板Wの周縁部Eに、かつ基板Wの内側から外側に向けて、ガスGSを吹き付けることである。これにより、基板Wの周縁部Eに溜まる塗布液RSを基板W外へ効果的に排出させることができる。
また、塗布装置1は、回転により基板W上の塗布液膜RSが乾燥した後に、基板Wの周縁部Eの塗布液膜RSに対してエッジリンスを行う。比較的厚みが付きやすい基板Wの周縁部Eの塗布液膜RSをエッジリンスで取り除くことで、より平坦な塗布液膜RSを形成させることができる。また、上述のように、ガスGSを吹き付けて基板Wの周縁部Eに盛り上がる余剰の塗布液RSを排出することで、均一な厚膜を形成できる。これにより、エッジリンスを実行する幅を抑えることができるので、基板Wの周縁部Eの近くまでパターン形成することができる。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
(1)上述した実施例では、ガス吹き付けの際に、ガスノズル4の位置は、固定されている。これにより、ガスノズル4の制御を簡単にすることができる。しかしながら、ガス吹き付けの際に、ガスノズル4は、図10のように、基板Wの半径方向RDでかつ基板Wの周縁部Eの予め設定された幅WDで移動可能であってもよい。すなわち、ガスを吹き付けながらガスノズル4をスキャン(往復または片道移動)させる。
これにより、基板Wの周縁部Eに向けたガスGSの吹き付け位置を変化させることができ、基板Wの周縁部Eに溜まった塗布液RSの排出を促進させることができる。幅WDは、図10のように、例えば、周縁部Eに溜まる塗布液RSのリング状の盛上り部分(斜線のハッチングで示す)の内側と外側との間の長さであってもよい。また、それよりも狭い範囲であってもよい。また、移動は、1回だけでなく複数回行ってもよい。
(2)上述した実施例および変形例(1)において、ガス吹き付けの際に、ガスノズル4により、予め設定された時間でガスGSを吹き付けてもよい。これにより、ガスGSを吹き付けた時間に対応して、基板Wの周縁部Eに盛り上がる余剰の塗布液RSを基板W外に排出することができる。予め設定された時間として、例えば、図2の時間t7から時間t10までの時間が挙げられる。
(3)上述した実施例および各変形例において、ガス吹き付けの際に、ガスノズル4により、予め設定された圧力でガスGSを吹き付けてもよい。吹き付けるガスGSの圧力に対応して、基板Wの周縁部Eに盛り上がる余剰の塗布液RSを基板W外に排出することができる。例えば、圧力は、吹き付けた部分の基板W上の塗布液RSをほぼ全て吹き飛ばす程度の圧力ではなく、表面張力によって周縁部Eで留まって盛り上がった塗布液RSの均衡状態が崩せる程度の圧力であればよい。
(4)上述した実施例および各変形例において、図2のように、ガスノズル4により、周縁部Eに向けてガスGSを1回吹き付けていた。この点、ガス吹き付けの際に、ガスノズル4により、予め設定された複数回でガスGSを吹き付けてもよい。例えば、予め設定された単位時間でガス吹き付けの回数を制御することで、基板W外に排出する余剰の塗布液RSの量を制御することができる。また、間欠的にガスGSを吹き付けることで、ガスGSの吹き付けに変化を与えることができる。
(5)上述した実施例および各変形例では、図5(b)のように、ガスノズル4により、周縁部EにガスGSを吹き付けていた。この点、周縁部E近傍であってもよい。例えば、図5(b)の矢印ARのように、周縁部Eに溜まる塗布液RSの内側部分(山すそ)であってもよい。
(6)上述した実施例および各変形例では、基板Wの上方に設けられたガスノズル4により、ガスGSを吹き付けている。この点、周縁部Eに溜まる塗布液RSの表面張力の均衡を崩せるのであれば、上方以外の例えば基板Wの下方に設けられたガスノズル4からガスを吹き付けてもよい。
(7)上述した実施例および各変形例では、ガスノズル4により、基板Wの内側から外側に向けて、ガスGSを吹き付けている。この点、周縁部Eに溜まる塗布液RSの表面張力の均衡状態を崩せるのであれば、基板Wの内側から外側に向けた方向以外の例えば鉛直下方向でガスGSを吹き付けてもよい。
(8)上述した実施例および各変形例では、図2の時間t7において、ガスの吹き付けを開始していた。これにより、周縁部Eに押しやられる塗布液RSを順次、基板W外に排出することができる。これに対し、ガス吹き付けは、例えば、図2の時間t8aのように、余剰の塗布液RSを盛り上げる回転速度R4に回転した後の一定の安定した状態であってもよい。すなわち、ガス吹き付けの際に、基板Wの回転により基板W上の塗布液RSの乾燥が終了する前でかつ、余剰の塗布液RSを盛り上げる回転速度R4に基板Wを回転した後、ガスノズル4により基板Wの周縁部Eに向けてガスGSを吹き付ける。余剰の塗布液RSを盛り上げる回転速度R4に基板Wを回転した後の一定の安定した状態において、ガスGSを吹き付けるので、ガス吹き付けの制御を簡単にできる。
(9)上述した実施例および各変形例では、図2の時間t7において、ガスGSの吹き付けを開始していた。この点、例えば、塗布液RSの吐出開始時(時間t3)であってもよく、塗布液RSの吐出終了時(時間t6)であってもよい。また、回転速度R3から回転速度R4に上げる時間t8であってもよい。また、時間t3後に、回転により塗布液RSが周縁部Eの一部または全部に到達した時であってもよい。すなわち、塗布液RSの乾燥が終了する前の塗布液RSが流動する間に吹き付けを開始する。
(10)上述した実施例および各変形例では、図2に塗布動作の一例を示した。しかしながら、図2の塗布動作に限定されない。例えば、回転速度R2〜R4は、互いに大小関係が入れ替わってもよく、同じ大きさであってもよい。
1 … 塗布装置
2 … 保持回転部
3 … 塗布ノズル
4 … ガスノズル
4a … 吹き付け口
6 … エッジリンスノズル
E … 周縁部
PW … プリウェット液(プリウェット液膜)
RS … 塗布液(塗布液膜)

Claims (13)

  1. 塗布ノズルにより基板上に塗布液を吐出する工程と、
    保持回転部により前記基板を回転させることで、前記基板上に前記塗布液を広げる工程と、
    前記塗布液を広げた後に、余剰の塗布液の少なくとも一部を前記基板の回転に伴う遠心力により前記基板の周縁部に向けて押しやって前記基板の周縁部に沿って余剰の塗布液を盛り上げる工程と、
    前記基板の回転により前記基板上の前記塗布液の乾燥が終了する前に、ガスノズルにより前記基板の周縁部に向けてガスを吹き付けて、前記周縁部に盛り上がる余剰の塗布液を前記基板外に排出するガス吹き付け工程と、を備え、
    前記塗布液を盛り上げる工程における基板の回転速度は、前記塗布液を広げる工程における基板の回転速度よりも低いことを特徴とする塗布方法。
  2. 請求項1に記載の塗布方法において、
    前記塗布液を盛り上げる工程において、前記余剰の塗布液を盛り上げる前記基板の回転速度は、500rpm以下であることを特徴とする塗布方法。
  3. 請求項1または2に記載の塗布方法において、
    前記ガス吹き付け工程において、前記基板の回転により前記基板上の前記塗布液の乾燥が終了する前でかつ前記塗布液の吐出終了後に、前記ガスノズルにより前記基板の周縁部に向けてガスを吹き付けることを特徴とする塗布方法。
  4. 請求項1から3のいずれかに記載の塗布方法において、
    前記ガス吹き付け工程において、前記基板の回転により前記基板上の前記塗布液の乾燥が終了する前でかつ前記余剰の塗布液を盛り上げる回転速度に基板を回転した後に、前記ガスノズルにより前記基板の周縁部に向けてガスを吹き付けることを特徴とする塗布方法。
  5. 請求項1から4のいずれかに記載の塗布方法において、
    前記ガス吹き付け工程において、前記ガスノズルにより、予め設定された時間でガスを吹き付けることを特徴とする塗布方法。
  6. 請求項1から5のいずれかに記載の塗布方法において、
    前記ガス吹き付け工程において、前記ガスノズルにより、予め設定された圧力でガスを吹き付けることを特徴とする塗布方法。
  7. 請求項1から6のいずれかに記載の塗布方法において、
    前記ガス吹き付け工程において、前記ガスノズルにより、予め設定された複数回でガスを吹き付けることを特徴とする塗布方法。
  8. 請求項1から7のいずれかに記載の塗布方法において、
    前記ガスノズルの吹き付け口は、円形であることを特徴とする塗布方法。
  9. 請求項1から8のいずれかに記載の塗布方法において、
    前記ガス吹き付け工程において、前記ガスノズルにより、前記基板の周縁部に、かつ前記基板の内側から外側に向けて、前記ガスを吹き付けることを特徴とする塗布方法。
  10. 請求項1から9のいずれかに記載の塗布方法において、
    回転により前記基板上の前記塗布液の膜の乾燥が終了した後に、前記基板の周縁部の前記塗布液の膜に対してエッジリンスを行う工程を更に備えることを特徴とする塗布方法。
  11. 請求項1から10のいずれかに記載の塗布方法において、
    前記ガス吹き付け工程において、前記ガスノズルの位置は、固定されていることを特徴とする塗布方法。
  12. 請求項1から10のいずれかに記載の塗布方法において、
    前記ガス吹き付け工程において、前記ガスノズルは、前記基板の半径方向でかつ前記基板の周縁部の予め設定された幅で移動可能であることを特徴とする塗布方法。
  13. 請求項1から12のいずれかに記載の塗布方法において、
    前記基板の直径は、300mmであることを特徴とする塗布方法。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6352824B2 (ja) * 2015-01-23 2018-07-04 東芝メモリ株式会社 基板処理装置、制御プログラムおよび制御方法
JP6336022B1 (ja) * 2016-12-19 2018-06-06 株式会社荏原製作所 めっき装置、めっき方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR102175075B1 (ko) * 2017-07-25 2020-11-06 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
KR20200100787A (ko) * 2018-01-15 2020-08-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유체 분배 및 적용 범위 제어를 위한 시스템 및 방법
JP7112917B2 (ja) * 2018-09-12 2022-08-04 タツモ株式会社 塗布装置及び塗布方法
US11020766B2 (en) * 2018-09-28 2021-06-01 Service Support Specialties, Inc. Spin coating apparatus, system, and method
CN111359791A (zh) * 2018-12-26 2020-07-03 中冶京诚工程技术有限公司 厚边消减吹扫装置及粉末静电喷涂装置
KR102075306B1 (ko) * 2019-08-02 2020-02-07 정연학 과량 도포된 코팅액 제거 장치
CN110673445B (zh) * 2019-09-24 2022-05-17 浙江集迈科微电子有限公司 一种超厚胶膜的平坦化处理方法
US20230366119A1 (en) * 2020-10-01 2023-11-16 Lam Research Corporation Preplating edge dry

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6213029A (ja) * 1985-07-10 1987-01-21 Mitsubishi Electric Corp レジスト塗布方法
JPS6447474A (en) * 1987-08-19 1989-02-21 Fujitsu Ltd Method for applying high-viscosity resin
JP2939040B2 (ja) * 1992-03-19 1999-08-25 シャープ株式会社 樹脂層の形成方法
JPH06283417A (ja) * 1993-03-26 1994-10-07 Olympus Optical Co Ltd 塗膜装置
JPH09106980A (ja) * 1995-10-11 1997-04-22 Kawasaki Steel Corp 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法
US6114254A (en) * 1996-10-15 2000-09-05 Micron Technology, Inc. Method for removing contaminants from a semiconductor wafer
JP3300624B2 (ja) * 1997-01-24 2002-07-08 東京エレクトロン株式会社 基板端面の洗浄方法
TW432520B (en) * 1997-03-31 2001-05-01 Tokyo Electron Ltd Photoresist coating method and apparatus
JP2001110712A (ja) * 1999-10-12 2001-04-20 Tokyo Electron Ltd 塗布膜除去装置及び塗布膜除去方法
JP3963732B2 (ja) * 2001-04-19 2007-08-22 大日本スクリーン製造株式会社 塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置
JP2003037053A (ja) * 2001-07-26 2003-02-07 Toshiba Corp 塗布型成膜方法、塗布型成膜装置及び半導体装置の製造方法
JP2003181361A (ja) 2001-12-18 2003-07-02 Hirata Corp 処理装置及び処理方法
US8192555B2 (en) * 2002-12-31 2012-06-05 Micron Technology, Inc. Non-chemical, non-optical edge bead removal process
JP4557229B2 (ja) * 2006-05-30 2010-10-06 日東電工株式会社 クリーニング機能付搬送部材の製造方法
JP2008091752A (ja) 2006-10-04 2008-04-17 Sokudo:Kk 基板の現像処理方法および基板の現像処理装置
JP2010099589A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Mitsubishi Rayon Co Ltd 塗膜形成方法及びスピンコータ
JP2010164871A (ja) * 2009-01-19 2010-07-29 Casio Computer Co Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP2011036847A (ja) * 2009-07-13 2011-02-24 Mitsubishi Rayon Co Ltd 塗膜形成法およびスピンコータ
WO2011114883A1 (ja) * 2010-03-18 2011-09-22 コニカミノルタオプト株式会社 レジストパターン形成装置およびレジストパターン形成方法ならびにウエハレンズの製造方法
JP2012256780A (ja) * 2011-06-10 2012-12-27 Fuji Electric Co Ltd スピンコート法によるレジスト塗布方法
JP5838067B2 (ja) 2011-10-05 2015-12-24 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ 塗布方法および塗布装置
JP2013187497A (ja) 2012-03-09 2013-09-19 Seiko Instruments Inc エッジリンス装置およびエッジリンス方法

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