JP6227419B2 - 磁性材スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
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Description
1)Bを10at%以上30at%以下含有し、Coを30at%以上50at%以下含有し、Feを30at%以上50at%以下含有する原料を溶解、鋳造してインゴットを作製し、これを機械加工してターゲットを作製するスパッタリングターゲットの製造方法であって、原料を溶解後、1000℃まで60〜80℃/分で冷却して、1000℃から400℃まで1〜5℃/分で冷却して、インゴットを作製することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
から構成される。本発明のターゲットは、MRAMなどにおける磁性材層を形成するために使用されるものであるが、ターゲットの成分組成は、所望する磁気特性に応じて、上記の数値範囲内で適宜選択される。
なお、1000℃までは鋳型への熱の放冷で冷却し、1000℃から400℃までは炉の温度制御プログラムにより冷却することができる。また、400℃以下になった時点でインゴットを炉から取り出し、大気中で常温まで放冷することができる。
原料として、Co、Fe、Bを使用し、これをCo:40at%、Fe:40at%、B:20at%に調合した。次に、これをセラミックス製坩堝に入れ、約1200℃で加熱溶解した後、溶湯を金属製鋳型に移し、このインゴットを1000℃までは60〜70℃/分で冷却し、その後インゴットを鋳型から取り外した後、インゴットを1000℃から400℃まで1〜5℃/分で冷却して、炉から取り出した。次に、これを直径164mm、厚さ4mmの形状へ切削加工して、スパッタリングターゲットとした。ターゲットの組織写真(倍率:300倍)を図2に示す。このターゲットの共晶組織中の視野25μm×25μm内をランダムに4箇所観察した結果、長径が2μm以下(直径2μmの円の中に収まるサイズ)のBプア粒子は平均56個と、微細なBプア粒子が多く点在する微細な組織が得られた。
なお、ターゲットのどの部分を観察しても、共晶組織に関しては、粒子径に大きな変化はなく、そのばらつきは小さいが、初晶に関しては、ターゲットの端の方が小さく、中心の方が大きいという傾向にある。
原料として、Co、Fe、Bを使用し、これをCo:40at%、Fe:40at%、B:20at%に調合した。次に、これをセラミックス製坩堝に入れ、約1200℃で加熱溶解した後、溶湯を流量10ml/秒で水冷された金属製鋳型に移し、このインゴットを1000℃までは70〜80℃/分で冷却し、その後インゴットを鋳型から取り外した後、インゴットを1000℃から400℃まで1〜5℃/分で冷却して、炉から取り出した。次に、これを直径164mm、厚み4mmの形状へ切削加工して、スパッタリングターゲットとした。このターゲットの共晶組織中の視野25μm×25μm内をランダムに4箇所に観察した結果、長径が2μm以下のBプア粒子は平均60個と、微細なBプア粒子が多く点在する微細な組織が得られた。
原料として、Co、Fe、Bを使用し、これをCo:40at%、Fe:40at%、B:20at%に調合した。次に、これをセラミックス製坩堝に入れ、約1200℃で加熱溶解した後、溶湯をカーボン製鋳型に移し、このインゴットを1000℃まで5〜30℃/分で冷却し、その後、インゴットを鋳型から取り外した後、インゴットを1000℃から400℃まで1〜5℃/分で冷却し、炉から取り出した。次に、これを直径164mm、厚み4mmの形状へ切削加工して、スパッタリングターゲットとした。ターゲットの組織写真(倍率:300倍)を図3に示す。このターゲットの共晶組織中の視野25μm×25μm内をランダムに4箇所に観察した結果、長径が2μm以下のBプア粒子は平均0個と、微細な組織は得られなかった。
Claims (1)
- Bを10at%以上30at%以下含有し、Coを30at%以上50at%以下含有し、Feを30at%以上50at%以下含有する原料を溶解、鋳造してインゴットを作製し、これを機械加工してターゲットを作製するスパッタリングターゲットの製造方法であって、原料を溶解後、1000℃まで60〜80℃/分で冷却して、1000℃から400℃まで1〜5℃/分で冷却して、インゴットを作製することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
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