JP6205156B2 - レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法等に関する。

特許文献１には、樹脂として、式（ｕ−Ａ）で表される構造単位及び式（ｕ−Ｂ）で表される構造単位からなる樹脂と、式（ｕ−Ｃ）で表される構造単位、式（ｕ−Ｄ）で表される構造単位及び式（ｕ−Ｂ）で表される構造単位からなる樹脂とを含み、かつ酸発生剤として式（ｘ）で表される塩を含有するレジスト組成物が記載されている。

特開２０１０−１９７４１３号公報

従来レジスト組成物は、レジストパターン製造時のＣＤ均一性（ＣＤＵ）が必ずしも満足できない場合、又は欠陥が発生する場合があった。

本発明は、以下の発明を含む。
［１］（Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、
（Ａ２）酸不安定基を有する樹脂、
（Ｂ１）式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
［式（Ｉ）中、
Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ¹は、−（ＣＨ_２）_ｍ１−、−（ＣＨ_２）_ｍ２−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｍ３−又は−（ＣＨ_２）_ｍ４−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｍ５−を表す。
ｍ１〜ｍ５は、それぞれ独立に、１〜６の整数を表す。
Ｒ²は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］
［式（ＩＩ）中、
Ｒ^II1及びＲ^II２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^II１は、単結合、炭素数１〜６のアルカンジイル基、炭素数４〜８の２価の脂環式炭化水素基、−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−＊又は−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−（ＣＨ_２）_ｕ−＊を表し、アルカンジイル基及び−（ＣＨ_２）_ｕ−に含まれるメチレン基は、酸素原子で置き換わっていてもよい。ｔは、１〜１２の整数を表す。ｕは、０〜１２の整数を表す。＊は、Ｙとの結合手を表す。
Ｙ^II１は、置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、前記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
Ｒ^II３、Ｒ^II４、Ｒ^II５、Ｒ^II６及びＲ^II７は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニルオキシ基又は炭素数２〜１２のアシルオキシ基を表す。
カチオンのＳを含む環に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
ｎは、１〜３の整数を表す。
ｓは、０〜３の整数を表す。
Ｒ^II８は、炭素数１〜６のアルキル基を表す。ｓが２以上のとき、複数存在するＲ^II８は、同一又は相異なる。］
［２］さらに式（ＩＩＩ）で表される酸発生剤を含有する［１］記載のレジスト組成物。
［式（ＩＩＩ）中、
Ｒ^III1及びＲ^III２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^III1は、単結合又は２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、前記２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置き換わっていてもよく、前記２価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
Ｙ^III1は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、前記アルキル基及び前記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］
［３］Ｒ²が、炭素数１〜６のフッ化アルキル基である［１］又は［２］記載のレジスト組成物。
［４］Ａ¹が、メチレン基である［１］〜［３］記載のレジスト組成物。
［５］Ｌ^II1が、単結合またはメチレン基である［１］〜［４］のいずれか記載のレジスト組成物。
［６］Ｚ^＋が、トリアリールスルホニウムカチオンである［１］〜［５］のいずれか記載のレジスト組成物。
［７］さらに溶剤を含有する［１］〜［６］のいずれか記載のレジスト組成物。
［８］（１）上記［１］〜［７］のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層を露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。

本発明のレジスト組成物によれば、優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）で、かつ欠陥が少ないレジストパターンを得ることができる。

本明細書では、「（メタ）アクリル系モノマー」とは、「ＣＨ₂＝ＣＨ−ＣＯ−」又は「ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）−ＣＯ−」の構造を有するモノマーの少なくとも１種を意味する。同様に「（メタ）アクリレート」及び「（メタ）アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも１種」及び「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも１種」を意味する。

〈レジスト組成物〉
本発明のレジスト組成物は、
（Ａ）樹脂（以下「樹脂（Ａ）」という場合がある）及び、
（Ｂ１）式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有する。
ここで、樹脂（Ａ）は以下の樹脂を含む。
（Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂（以下「樹脂（Ａ１）」という場合がある）及び
（Ａ２）酸不安定基を有する樹脂（以下「樹脂（Ａ２）」という場合がある）。
本発明のレジスト組成物は、さらに、酸発生剤（ＩＩＩ）を含有していることが好ましい。
また、本発明のレジスト組成物は、さらに、溶剤（Ｅ）（以下「溶剤（Ｅ）」という場合がある）及び／又は塩基性化合物（以下「塩基性化合物（Ｃ）」という場合がある）を含有していることが好ましい。

〈樹脂（Ａ）〉
本発明のレジスト組成物に含有されている樹脂（Ａ）は、上述した樹脂（Ａ１）及び（Ａ２）を含み、後述するような、樹脂（Ａ１）及び（Ａ２）以外の樹脂が含まれていてもよい。

〈樹脂（Ａ１）〉
樹脂（Ａ１）は、上述した式（Ｉ）で表される構造単位（以下「構造単位（Ｉ）」という場合がある）を有する。
［式（Ｉ）中、
Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ¹は、−（ＣＨ_２）_ｍ１−、−（ＣＨ_２）_ｍ２−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｍ３−又は−（ＣＨ_２）_ｍ４−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｍ５−を表す。
ｍ１〜ｍ５は、それぞれ独立に、１〜６の整数を表す。
Ｒ²は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］

Ｒ²の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含し、脂肪族炭化水素基は、鎖式、環式及びこれらの組み合わせを含む。脂肪族炭化水素基としては、アルキル基又は脂環式炭化水素基が好ましい。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、１−（アダマンタン−１−イル）アルカン−１−イル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及びイソボルニル基が挙げられる。

フッ素原子を有する炭化水素基としては、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有する脂環式炭化水素基等が挙げられる。
フッ素原子を有するアルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、１，１，１−トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、１，１−ジフルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロプロピル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、１，１，１，２，２−ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，１，２，２，３，３−ペプタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、１，１，１，２，２，３，３,４，４−ノナフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基及びペルフルオロオクチル基等のフッ化アルキル基が挙げられる。
フッ素原子を有する脂環式炭化水素基としては、ペルフルオロシクロヘキシル基、ペルフルオロアダマンチル基等のフッ化シクロアルキル基が挙げられる。

式（Ｉ）では、Ａ¹としては、−（ＣＨ_２）_ｍ１−が好ましく、エチレン基又はメチレン基がより好ましく、メチレン基がさらにが好ましい。
Ｒ²は、フッ化アルキル基が好ましく、炭素数１〜６のフッ化アルキル基がより好ましい。

構造単位（Ｉ）としては、以下のものが挙げられる。

上記の構造単位において、Ｒ^１に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、構造単位（Ｉ）の具体例として挙げることができる。

構造単位（Ｉ）は、式（Ｉ’）で表される化合物（以下「化合物（Ｉ’）」という場合がある）から誘導される。
［式（Ｉ’）中、Ｒ¹、Ａ¹及びＲ²は、上記と同じ意味を表す。］

化合物（Ｉ’）は、例えば以下の反応により製造することができる。
［式中、Ｒ¹、Ａ¹及びＲ²は、上記と同じ意味を表す。］
式（Ｉ’−１）で表される化合物と式（Ｉ’−２）で表される化合物とを、溶媒中、触媒の存在下で反応させることが好ましい。溶媒としては、ジメチルホルムアミドなどが用いられる。触媒としては、炭酸カリウム及びヨウ化カリウムなどが用いられる。

式（Ｉ’−１）で表される化合物は、市場から容易に入手できるもの（市販品）が好ましい。このような市販品は、メタクリル酸などがある。
式（Ｉ’−２）で表される化合物は、例えば、式（Ｉ’−３）で表される化合物と式（Ｉ’−４）で表される化合物とを反応させることにより製造することができる。この反応は、溶媒中、塩基触媒の存在下で行なわれる。この反応で用いる溶媒としては、テトラヒドロフランなどが用いられる。塩基触媒としては、ピリジンなどが用いられる。
式（Ｉ’−３）で表される化合物は、Ａ¹の種類に応じて適当なものを用いることができる。
Ａ¹がメチレン基である場合の式（Ｉ’−２）で表される化合物は、式（Ｉ’−３）で表される化合物として、例えば、クロロアセチルクロリドなどを用いることにより製造することができる。このクロロアセチルクロリドは市場から容易に入手できる。
式（Ｉ’−４）で表される化合物は、Ｒ²の種類に応じて適当なアルコールを用いることができる。
Ｒ²がフッ素原子で置換された脂肪族炭化水素基である式（Ｉ’−２）で表される化合物は、式（Ｉ’−４）で表される化合物として、例えば、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロ−１−ブタノールなどを用いることにより製造することができる。この２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロ−１−ブタノールは市場から容易に入手できる。

樹脂（Ａ１）は、構造単位（Ｉ）とは異なる構造単位を有していてもよい。
構造単位（Ｉ）とは異なる構造単位としては、後述する酸不安定モノマー（ａ１）に由来する構造単位、酸安定モノマー（ａ４）に由来する構造単位、式（ＩＩＩＡ）で表される構造単位、当該分野で用いられる公知のモノマーに由来する構造単位などが挙げられる。好ましくは式（ＩＩＩＡ）で表される構造単位である。
［式（ＩＩＩＡ）中、
Ｒ^１１は、水素原子又はメチル基を表す。
環Ｗ^２は、炭素数６〜１０の炭化水素環を表す。
Ａ^１２は、−Ｏ−、^＊−ＣＯ−Ｏ−又は^＊−Ｏ−ＣＯ−（^＊は環Ｗ^１との結合手を表す。）を表す。
Ｒ^１２は、フッ素原子を有する炭素数１〜６のアルキル基を表す。］

環Ｗ^２の炭化水素環としては、例えば、脂環式炭化水素環が挙げられ、好ましくは、飽和の脂環式炭化水素環である。
飽和の脂環式炭化水素環としては、例えば、以下の環が挙げられる。

環Ｗ^２としては、好ましくはアダマンタン環又はシクロヘキサン環であり、より好ましくはアダマンタン環である。
Ｒ^１２のフッ素原子を有する炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、下記の基が挙げられる。

式（ＩＩＩＡ）で表される構造単位としては、以下で表される構造単位が好ましい。
上記の構造単位において、Ｒ^１１に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、構造単位（ＩＩＩＡ）の具体例として挙げることができる。
中でも、式（ＩＩＩＡ−１）で表される構造単位又は当該構造単位におけるＲ^１１に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が特に好ましい。

樹脂（Ａ１）中の構造単位（Ｉ）の含有割合は、樹脂（Ａ１）の全構造単位に対して、５〜１００モル％の範囲がより好ましく、１０〜１００モル％の範囲がさらに好ましく、５０〜１００モル％の範囲がさらに好ましく、８０〜１００モル％の範囲がとりわけ好ましい。
樹脂（Ａ１）が構造単位（ＩＩＩＡ）を有する場合、樹脂（Ａ１）中の構造単位（ＩＩＩＡ）の含有割合は、樹脂（Ａ１）の全構造単位に対して、１〜９５モル％の範囲が好ましく、２〜８０モル％の範囲がより好ましく、５〜７０モル％の範囲がさらに好ましく、５〜５０モル％の範囲がとりわけ好ましく、５〜３０モル％の範囲が特に好ましい。構造単位（ＩＩＩＡ）を有し、その含有割合が前記の範囲内であると、優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有し、欠陥の発生が少ないレジストパターンを製造できる。
このような含有割合で構造単位（Ｉ）及び／又は（ＩＩＩＡ）を有する樹脂（Ａ１）は、樹脂（Ａ１）製造時に用いる全モノマーの総モル量に対する化合物（Ｉ’）、構造単位（ＩＩＩＡ）を誘導するモノマーの使用モル量を調節することにより製造することができる。
樹脂（Ａ１）を構成する各構造単位（Ｉ）及び／又は（ＩＩＩＡ）は、１種のみ又は２種以上を組み合わせて、さらに、任意に、後述する酸安定モノマー（ａ１）、酸安定モノマー（ａ２）、酸安定モノマー（ａ３）、当該分野で公知のモノマーの１種以上を組み合わせて、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造することができる。
樹脂（Ａ１）の重量平均分子量は、好ましくは、５，０００以上（より好ましくは７，０００以上、さらに好ましくは１０，０００以上）、８０，０００以下（より好ましくは５０，０００以下、さらに好ましくは３０，０００以下）である。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。

〈樹脂（Ａ２）〉
樹脂（Ａ２）は、酸不安定基を有する樹脂である。酸不安定基を有する樹脂は、酸不安定基を有するモノマー（以下「酸不安定モノマー（ａ１）」という場合がある）の１種又は２種以上から導かれる。
また、樹脂（Ａ２）は、上述した酸不安定基を備える限り、後述する酸不安定基を有さないモノマー（以下「酸安定モノマー」という場合がある）に由来する構造単位、当該分野で公知のモノマーに由来する構造単位、上述した構造単位（Ｉ）及び式（ＩＩＩＡ）で表される構造単位を含んでいてもよい。
なお、樹脂（Ａ２）は、樹脂（Ａ１）と互いに異なる別個の樹脂であってもよいし、式（Ｉ）で表される構造単位及び式（ＩＩＩＡ）で表される構造単位を有し、かつ酸不安定基を有する樹脂であってもよい。

〈酸不安定モノマー（ａ１）〉
酸不安定モノマー（ａ１）は、少なくとも酸不安定基を有するモノマーである。酸不安定基としては、例えば、式（１）で表される基、式（２）で表される基などが挙げられる。

［式（１）中、Ｒ^a1〜Ｒ^a3は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表すか、Ｒ^a1及びＲ^a2は互いに結合して炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成する。＊は結合手を表す。］
［式（２）中、Ｒ^a1’及びＲ^a2’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^a3’は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、Ｒ^a2’及びＲ^a3’は互いに結合して炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成し、前記炭化水素基及び前記２価の炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ―又は―Ｓ−で置き換わってもよい。＊は結合手を表す。］

Ｒ^a1〜Ｒ^a3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、アルキル基で置換されていてもよい。この場合、該脂環式炭化水素基の炭素数は、アルキル基の炭素数も含めて２０以下である。
単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、下記の基（＊は結合手を表す。）等が挙げられる。
アルキル基で置換された脂環式炭化水素基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基等が挙げられる。
式（１）においては、Ｒ^a1〜Ｒ^a3の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１６である。

Ｒ^a1及びＲ^a2が互いに結合して２価の炭化水素基を形成する場合の−Ｃ（Ｒ^a1）（Ｒ^a2）（Ｒ^a3）としては、下記の基が挙げられる。２価の炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１２である。＊は−Ｏ−との結合手を表す。

式（１）で表される酸不安定基としては、例えば、１，１−ジアルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1〜Ｒ^a3がアルキル基である基、好ましくはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基）、２−アルキルアダマンタン−２−イルオキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1、Ｒ^a2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ｒ^a3がアルキル基である基）及び１−（アダマンタン−１−イル）−１−アルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1及びＲ^a2がアルキル基であり、Ｒ^a3がアダマンチル基である基）などが挙げられる。

Ｒ^ａ１’〜Ｒ^ａ３’の炭化水素基としては、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。
アルキル基及び脂環式炭化水素基は、上記と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
Ｒ^a2'及びＲ^a3'が互いに結合して形成する２価の炭化水素基としては、例えば、２価の脂肪族炭化水素基が挙げられる。
式（２）においては、Ｒ^ａ1’及びＲ^ａ２’のうち、少なくとも１つは水素原子であることが好ましい。
式（２）で表される基の具体例としては、例えば、以下の基が挙げられる。＊は結合手を表す。

酸不安定モノマー（ａ１）は、好ましくは、酸不安定基とエチレン性不飽和結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーである。

酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数５〜２０の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有する酸不安定モノマー（ａ１）を重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストパターンの解像度を向上させることができる。

酸不安定基と脂環式炭化水素基とを有する（メタ）アクリル系モノマーとして、好ましくは式（ａ１−１）で表される構造単位を誘導するモノマー又は式（ａ１−２）で表される構造単位を誘導するモノマーが挙げられる。これらは単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。本明細書では、式（ａ１−１）で表される構造単位及び式（ａ１−２）で表される構造単位を、それぞれ構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）と、構造単位（ａ１−１）を誘導するモノマー及び構造単位（ａ１−２）を誘導するモノマーを、それぞれモノマー（ａ１−１）及びモノマー（ａ１−２）という場合がある。

［式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
Ｌ^a1及びＬ^a2は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^a4及びＲ^a5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a6及びＲ^a7は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数３〜１０の脂環式炭化水素基を表す。
ｍ１’は０〜１４の整数を表す。
ｎ１は０〜１０の整数を表す。
ｎ１’は０〜３の整数を表す。］

Ｌ^a1及びＬ^a2は、好ましくは、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_ｋ1−ＣＯ−Ｏ−であり、より好ましくは−Ｏ−である。ｋ１は、好ましくは１〜４の整数、より好ましくは１である。
Ｒ^a4及びＲ^a5は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a6及びＲ^a7のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。Ｒ^a6及びＲ^a7のアルキル基は、好ましくは炭素数６以下である。
Ｒ^a6及びＲ^a7の脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、アルキル基で置換されていてもよい。この場合、該脂環式炭化水素基の炭素数は、アルキル基の炭素数も含めて１０以下である。具体的には、式（１）のＲ^a1〜Ｒ^a3の脂環式炭化水素基と同様の基が挙げられる。
ｍ１’は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１’は好ましくは０又は１である。

モノマー（ａ１−１）としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−８）でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−４）でそれぞれ表されるモノマーがより好ましい。

モノマー（ａ１−２）としては、例えば、１−エチルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロヘキサン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロヘプタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−メチルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−イソプロピルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート等が挙げられる。式（ａ１−２−１）〜式（ａ１−２−１２）でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−２−３）、式（ａ１−２−４）、式（ａ１−２−９）、及び式（ａ１−２−１０）でそれぞれ表されるモノマーがより好ましく、式（ａ１−２−３）及び式（ａ１−２−９）で表されるモノマーがさらに好ましい。

樹脂（Ａ２）が構造単位（ａ１−１）及び／又は構造単位（ａ１−２）を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂（Ａ２）の全構造単位に対して、通常１０〜９５モル％であり、好ましくは１５〜９０モル％であり、より好ましくは２０〜８５モル％である。

他の酸不安定モノマー（ａ１）としては、例えば、酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーである式（ａ１−５）で表されるモノマー（以下「モノマー（ａ１−５）」という場合がある）を用いてもよい。
式（ａ１−５）中、
Ｒ^３１は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｌ^１〜Ｌ^３は、酸素原子、硫黄原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−で表される基を表す。ここで、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊はカルボニル基（−ＣＯ−）との結合手である。
Ｚ^１は、単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基中に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
ｓ１及びｓ１’は、それぞれ独立して、０〜４の整数を表す。

式（ａ１−５）においては、Ｒ^３１は、水素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基が好ましい。
Ｌ^１は、酸素原子が好ましい。
Ｌ^２及びＬ^３は、一方が酸素原子、他方が硫黄原子が好ましい。
ｓ１は、１が好ましい。
ｓ１’は、０〜２の整数が好ましい。
Ｚ^１は、単結合又は−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−が好ましい。

モノマー（ａ１−５）としては、以下のモノマーが挙げられる。

樹脂（Ａ２）が、モノマー（ａ１−５）に由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ２）の全構造単位に対して、１〜５０モル％の範囲が好ましく、３〜４５モル％の範囲がより好ましく、５〜４０モル％の範囲がさらに好ましい。

〈酸安定モノマー〉
酸安定モノマーとしては、好ましくは、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するモノマーが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（以下「ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）」という場合がある）又はラクトン環を含有する酸安定モノマー（以下「ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）」という場合がある）に由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストパターンの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。

〈ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）〉
レジスト組成物をＫｒＦエキシマレーザ露光（２４８ｎｍ）、電子線又はＥＵＶ光などの高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）として、好ましくは、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーを使用する。短波長のＡｒＦエキシマレーザ露光（１９３ｎｍ）などを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）として、好ましくは、式（ａ２−１）で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用する。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式（ａ２−１）で表されるモノマーが挙げられる。
式（ａ２−１）中、
Ｌ^a3は、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k2−ＣＯ−Ｏ−を表し、
ｋ２は１〜７の整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^a14は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a15及びＲ^a16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
ｏ１は、０〜１０の整数を表す。

式（ａ２−１）では、Ｌ^a3は、好ましくは、−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ₂）_f1−ＣＯ−Ｏ−であり（前記ｆ１は、１〜４の整数である）、より好ましくは−Ｏ−である。
Ｒ^a14は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a15は、好ましくは水素原子である。
Ｒ^a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
ｏ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー（ａ２−１）としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−６）でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−４）でそれぞれ表されるモノマーがより好ましく、式（ａ２−１−１）又は式（ａ２−１−３）で表されるモノマーがさらに好ましい。

樹脂（Ａ２）が式（ａ２−１）で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ２）の全構造単位に対して、通常１〜４５モル％であり、好ましくは１〜４０モル％であり、より好ましくは２〜３５モル％である。

〈ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）〉
酸安定モノマー（ａ３）が有するラクトン環は、例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、好ましくは、γ−ブチロラクトン環、又は、γ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が挙げられる。

ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）は、好ましくは、式（ａ３−１）、式（ａ３−２）又は式（ａ３−３）で表される。これらの１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）中、
Ｌ^a4〜Ｌ^a6は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−を表す。
ｋ３は１〜７の整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^a18〜Ｒ^a20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a21は、炭素数１〜４のアルキル基を表す。
ｐ１は０〜５の整数を表す。
Ｒ^a22及びＲ^a23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｐ１が２以上のとき、複数のＲ^a21は同一又は相異なり、ｑ１が２以上のとき、複数のＲ^a22は同一又は相異なり、ｒ１が２以上のとき、複数のＲ^a23は、同一又は相異なる。

Ｒ^a21〜Ｒ^a23のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基等が挙げられる。

式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）では、Ｌ^a4〜Ｌ^a6は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−であることが好ましく、より好ましくは−Ｏ−である。ｋ３は、好ましくは１〜４の整数であり、より好ましくは１である。
Ｒ^a18〜Ｒ^a21は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a22及びＲ^a23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
ｐ１〜ｒ１は、それぞれ独立に、好ましくは０〜２、より好ましくは０又は１である。

ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）としては、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式（ａ３−１−１）〜式（ａ３−１−４）、式（ａ３−２−１）〜式（ａ３−２−４）、式（ａ３−３−１）〜式（ａ３−３−４）でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式（ａ３−１−１）、式（ａ３−１−２）、式（ａ３−２−３）又は式（ａ３−２−４）でそれぞれ表されるモノマーがより好ましく、式（ａ３−１−１）又は式（ａ３−２−３）で表されるモノマーがさらに好ましい。

樹脂（Ａ２）がラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）に由来する構造単位を含む場合、その合計含有率は、樹脂（Ａ２）の全構造単位に対して、通常５〜７０モル％であり、好ましくは１０〜６５モル％であり、より好ましくは１０〜６０モル％である。

樹脂（Ａ２）が、酸不安定モノマー（ａ１）と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸不安定モノマー（ａ１）に由来する構造単位は、全構造単位１００モル％に対して、好ましくは１０〜８０モル％、より好ましくは２０〜６０モル％である。
アダマンチル基を有するモノマーに由来する構造単位（特に、構造単位（ａ１−１））の含有率は、好ましくは酸不安定モノマー（ａ１）に由来する構造単位の合計に対して１５モル％以上である。アダマンチル基を有するモノマーに由来する構造単位の比率が増えると、レジストパターンのドライエッチング耐性が向上する。

樹脂（Ａ２）は、好ましくは、酸不安定モノマー（ａ１）と、酸安定モノマーとの共重合体である。この共重合体において、酸不安定モノマー（ａ１）は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマー（ａ１−１）及びモノマー（ａ１−２）（好ましくはシクロヘキシル基又はシクロペンチル基を有する該モノマー）の少なくとも１種、さらに好ましくはモノマー（ａ１−１）である。また、酸安定モノマーは、好ましくは、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）及び／又はラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）である。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー（ａ２−１）であり、ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）は、より好ましくはγ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３−１）及びγ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー（ａ３−２）の少なくとも１種である。

樹脂（Ａ２）を構成する各構造単位は、１種のみ又は２種以上を組み合わせて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造することができる。
樹脂（Ａ２）の重量平均分子量は、好ましくは、２，５００以上（より好ましくは３，０００以上、さらに好ましくは４，０００以上）、５０，０００以下（より好ましくは３０，０００以下、さらに好ましくは１５，０００以下）である。
樹脂（Ａ１）及び樹脂（Ａ２）は、樹脂（Ａ）において、例えば、０．０１：１０〜５：１０、好ましくは０．０５：１０〜３：１０、より好ましくは０．１：１０〜２：１０、特に好ましくは０．２：１０〜１：１０（質量比）で含有されていることが好ましい。

〈樹脂（Ａ１）及び（Ａ２）以外の樹脂〉
本発明のレジスト組成物の樹脂（Ａ）としては、上述した樹脂（Ａ１）及び（Ａ２）以外の樹脂、例えば、上述した酸不安定モノマー（ａ１）に由来する構造単位、酸安定モノマーに由来する構造単位の他、当該分野で用いられる公知のモノマーに由来する構造単位からなる樹脂等が含有されていてもよい。
本発明のレジスト組成物が、樹脂（Ａ１）及び（Ａ２）以外の樹脂を含む場合、これらの含有率は、本発明のレジスト組成物に含まれる樹脂（Ａ）の合計量に対して、通常０．１〜５０質量％であり、好ましくは０．５〜３０質量％であり、より好ましくは１〜２０質量％である。

本発明のレジスト組成物においては、樹脂（Ａ）の含有率は、好ましくは、レジスト組成物の固形分中８０質量％以上９９質量％以下である。本明細書において「組成物中の固形分」とは、後述する溶剤（Ｅ）を除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂（Ａ）の含有率は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。

〈酸発生剤（ＩＩ）〉
本発明のレジスト組成物に含まれる酸発生剤（ＩＩ）は、式（ＩＩ）で表される塩を含む。
［式（ＩＩ）中、
Ｒ^II1及びＲ^II２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^II１は、単結合、炭素数１〜６のアルカンジイル基、炭素数４〜８の２価の脂環式炭化水素基、−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−＊又は−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−（ＣＨ_２）_ｕ−＊を表し、アルカンジイル基及び−（ＣＨ_２）_ｕ−に含まれるメチレン基は、酸素原子で置き換わっていてもよい。ｔは、１〜１２の整数を表す。ｕは、０〜１２の整数を表す。＊は、Ｙとの結合手を表す。
Ｙ^II１は、置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、前記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
Ｒ^II３、Ｒ^II４、Ｒ^II５、Ｒ^II６及びＲ^II７は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニルオキシ基又は炭素数２〜１２のアシルオキシ基を表す。
カチオンのＳを含む環に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
ｒは、１〜３の整数を表す。
Ｒ^II８は、炭素数１〜６のアルキル基を表す。
ｓは、０〜３の整数を表し、ｓが２以上のとき、複数存在するＲ^II８は、同一又は相異なる。］
式（ＩＩ）において、正電荷を有する側を「有機カチオン」と、負電荷を有する側を「スルホン酸アニオン」と、それぞれ称することがある。

Ｒ^II1及びＲ^II2のペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
式（ＩＩ）においては、Ｒ^II1及びＲ^II2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子が好ましく、ともにフッ素原子がより好ましい。

Ｌ^II1のアルカンジイル基としては、直鎖状アルカンジイル基又は分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
直鎖状アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基等が挙げられる。
分岐状アルカンジイル基としては、直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基（特に、炭素数１〜４のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等）の側鎖を有した分岐状アルカンジイル基、例えば、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等が挙げられる。
アルカンジイル基に含まれるメチレン基が酸素原子に置き換わった基としては、−ＣＨ_２−Ｏ−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２−などが挙げられ、中でも、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−が好ましい。

Ｌ^II1の２価の脂環式炭化水素基としては、シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，２−ジイル基、１−メチルシクロヘキサン−１，２−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，２−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロアルカンジイル基等が挙げられる。

Ｌ^II1の−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−＊としては、−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−＊、−（ＣＨ_２）_２−ＣＯ−Ｏ−＊、−（ＣＨ_２）_３−ＣＯ−Ｏ−＊、−（ＣＨ_２）_４−ＣＯ−Ｏ−＊、−（ＣＨ_２）_６−ＣＯ−Ｏ−＊及び−（ＣＨ_２）_８−ＣＯ−Ｏ−＊などが挙げられ、中でも、−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−＊、−（ＣＨ_２）_２−ＣＯ−Ｏ−＊が好ましい。

Ｌ^II1の−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−（ＣＨ_２）_ｕ−＊としては、−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−＊、−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−＊、−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−（ＣＨ_２）_２−＊、−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−＊、−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２−＊などが挙げられる。
なかでも、Ｌ^II1は単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基が好ましく、単結合またはメチレン基がより好ましい。

Ｙ^II1の脂環式炭化水素基としては、例えば、以下の式（Ｙ１）〜式（Ｙ１１）で表される単環式又は多環式のシクロアルキル基が挙げられる。また、環原子としてのみ炭素原子を有するシクロアルキル基に留まらず、環原子の炭素原子に炭素数１〜１２のアルキル基が結合してなる基、例えば、以下の式（Ｙ２７）〜式（Ｙ２９）で表される基もシクロアルキル基とする。脂環式炭化水素基としては、好ましく、炭素数３〜１２のシクロアルキル基である。
この脂環式炭化水素基に置換されていてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子（但し、フッ素原子を除く）、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、炭素数７〜２１のアラルキル基、炭素数２〜４のアシル基、グリシジルオキシ基又は−（ＣＨ₂）_j2−Ｏ−ＣＯ−Ｒⁱ¹で表される基（式中、Ｒⁱ¹は、炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基もしくは炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。ｊ２は、０〜４の整数を表す。）等が挙げられる。
また、Ｙ^II1の脂環式炭化水素基が有する置換基である炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基及び炭素数７〜２１のアラルキル基は、さらに、例えば、炭素数１〜８のアルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。

ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキトキシ基、ヘプトキシ基、オクトキシ基、２−エチルヘキトキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−エチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−シクロへキシルフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。

Ｒⁱ¹の脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基などのアルキル基が挙げられる。
Ｒⁱ¹の脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及びメチルノルボルニル基、並びに下記に示す基などが挙げられる。
Ｒⁱ¹の芳香族炭化水素基としては、上記と同様のものが挙げられる。

Ｙ^II1の脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子、スルホニル基（−ＳＯ_２−）又はカルボニル基で置き換わった基としては、例えば、環状エーテル基（脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の１つ又は２つが酸素原子に置き換わった基）、環状ケトン基（脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の１つ又は２つがカルボニル基に置き換わった基）、スルトン環基（脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う２つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びスルホニル基に置き換わった基）及びラクトン環基（脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う２つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びカルボニル基に置き換わった基）等、例えば、以下の式（Ｙ１２）〜式（Ｙ２６）で表される基が挙げられる。

上記式中、＊はＬ¹との結合手を表す。
Ｙ^II1としては、なかでも、式（Ｙ１）〜式（Ｙ１９）、式（Ｙ２７）〜式（Ｙ２９）のいずれかで表される基が好ましく、式（Ｙ１１）、式（Ｙ１４）、式（Ｙ１５）、式（Ｙ１９）、式（Ｙ２７）、式（Ｙ２８）又は式（Ｙ２９）で表される基がより好ましく、式（Ｙ１１）又は式（Ｙ１４）で表される基がさらに好ましい。

ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。

炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。

−（ＣＨ₂）_j2−Ｏ−ＣＯ−Ｒⁱ¹で表される基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Ｙ^II1としては、置換基を有していてもよいアダマンチル基がさらにより好ましく、アダマンチル基又はヒドロキシアダマンチル基がさらに好ましい。

スルホン酸アニオンとしては、以下の式（ｂ１−１−１）〜式（ｂ１−１−９）のいずれかで表されるスルホン酸アニオンが挙げられる。また、Ｒ^i２は、Ｙ^II1で表される脂環式炭化水素基の環原子の炭素原子に結合してなる基であり、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。Ｒ^i３は、Ｙ^II1で表される脂環式炭化水素基が有する置換基である芳香族炭化水素基の置換基であり、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。

スルホン酸アニオンとしては、Ｌ^II1が単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基であり、Ｙ^II1が無置換の飽和環状炭化水素基であるものが好ましい。このようなスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Ｌ^II1が単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基であり、Ｙ^II1が−（ＣＨ₂）_j2−Ｏ−ＣＯ−Ｒⁱ¹で表される基を有する脂環基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Ｌ^II1が単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基であり、Ｙ^II1がヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Ｌ^II1が単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基であり、Ｙ^II1が芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基又はアラルキル基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Ｌ^II1が単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基であり、Ｙ^II1が前記環状エーテル基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Ｌ^II1が単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基であり、Ｙ^II1が前記ラクトン環基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Ｌ^II1が単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基であり、Ｙ^II1が前記環状ケトン基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Ｌ^II1が単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基であり、Ｙ^II1が前記スルトン環基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Ｌ^II1が−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−＊又は−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−（ＣＨ_２）_ｕ−＊であり、Ｙ^II1が無置換の脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Ｌ^II1が−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−＊又は−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−（ＣＨ_２）_ｕ−＊であり、Ｙ^II1が−（ＣＨ₂）_j2−Ｏ−ＣＯ−Ｒⁱ¹で表される基を有する脂環基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Ｌ^II1が−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−＊又は−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−（ＣＨ_２）_ｕ−＊であり、Ｙ^II1がヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Ｌ^II1が−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−＊又は−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−（ＣＨ_２）_ｕ−＊であり、Ｙ^II1が芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Ｌ^II1が−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−＊又は−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−（ＣＨ_２）_ｕ−＊であり、Ｙ^II1が前記環状エーテル基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Ｌ^II1が−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−＊又は−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−（ＣＨ_２）_ｕ−＊であり、Ｙ^II1が前記ラクトン環基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Ｌ^II1が−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−＊又は−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−（ＣＨ_２）_ｕ−＊であり、Ｙ^II1が前記環状ケトン基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Ｌ^II1が−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−＊又は−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−（ＣＨ_２）_ｕ−＊であり、Ｙ^II1が前記スルトン環基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

Ｌ^II1が−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−＊又は−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−（ＣＨ_２）_ｕ−＊であり、Ｙ^II1が、無置換の脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。

スルホン酸アニオンのなかでも、以下に示すスルホン酸アニオンが好ましい。

Ｒ^II３〜Ｒ^II７のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。
アルコキシカルボニルオキシ基としては、メトキシカルボニルオキシ基、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基等が挙げられる。
アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、ベンジルオキシ基等が挙げられる。
Ｒ^II８のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。

カチオンのＳを含む環に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基で置き換わったものとしては以下のものが挙げられる。

式（ＩＩ）における有機カチオンとしては、例えば、以下のカチオン等が挙げられる。

式（ＩＩ）で表される塩としては、例えば、下記表に記載のスルホン酸アニオンと有機カチオンとの組み合わせからなる塩が挙げられる。

なかでも以下に示す塩が好ましい。

式（ＩＩ）で表される塩は、例えば、式（ＩＩ−ａ）で表される塩と式（ＩＩ−ｂ）で表される塩とを溶剤中で反応させることにより製造することができる。
（式中、Ｒ^II１、Ｒ^II２、Ｒ^II３、Ｒ^II４、Ｒ^II５、Ｒ^II６、Ｒ^II７、Ｒ^II８、Ｌ^II１、ｓ、ｒ及びＹ^II１は、それぞれ前記と同義である。）
溶剤としては、クロロホルム等が挙げられる。
式（ＩＩ−ｂ）で表される塩は、例えば特開２００８−２０９９１７号公報に記載された方法によって製造することができる。

式（ＩＩ−ａ）で表される塩は、式（ＩＩ−ｃ）で表される塩と式（ＩＩ−ｄ）で表される化合物とを触媒存在下、溶剤中で反応させることにより製造することができる。
（式中、Ｒ^II３、Ｒ^II４、Ｒ^II５、Ｒ^II６、Ｒ^II７、Ｒ^II８、ｓ及びｒは、それぞれ前記と同義である。）
触媒としては、安息香酸銅（ＩＩ）等が挙げられる。
溶剤としては、モノクロロベンゼン等が挙げられる。
式（ＩＩ−ｃ）で表される塩としては、ジフェニルヨードニウム ベンゼンスルホネート等が挙げられる。
式（ＩＩ−ｄ）で表される化合物としては、ペンタメチレンスルフィド、１，４−チオキサン、テトラヒドロチオフェン等が挙げられる。

また、別法として、式（ＩＩ）で表される塩は、例えば、式（ＩＩ−ａ’）で表される塩と式（ＩＩ−ｂ’）で表される化合物とを触媒存在下、溶剤中で反応させることにより製造することができる。
（式中、Ｒ^II１、Ｒ^II２、Ｒ^II３、Ｒ^II４、Ｒ^II５、Ｒ^II６、Ｒ^II７、Ｒ^II８、Ｌ^II１、ｓ、ｒ及びＹ^II１は、それぞれ前記と同義である。）
触媒としては、二安息香酸銅（ＩＩ）等が挙げられる。
溶剤としては、モノクロロベンゼン等が挙げられる。
式（ＩＩ−ｂ’）で表される化合物としては、ペンタメチレンスルフィド、１，４−チオキサン、テトラヒドロチオフェン等が挙げられる。

式（ＩＩ−ａ’）で表される塩としては、例えば、式（ＩＩ−c’）で表される塩と式（ＩＩ−d’）で表される塩とを、溶剤中で反応させることにより製造することができる。
（式中、Ｒ^II１、Ｒ^II２、Ｒ^II３、Ｒ^II４、Ｒ^II５、Ｒ^II６、Ｒ^II７、Ｌ^II１及びＹ^II１は、それぞれ前記と同義である。）
溶剤としては、クロロホルム、水等が挙げられる。
式（ＩＩ−ｃ’）で表される塩としては、ジフェニルヨードニウムクロライド等が挙げられる。
式（ＩＩ−ｄ’）で表される塩は、例えば特開２００８−２０９９１７号公報に記載された方法によって製造することができる。

〈酸発生剤（ＩＩＩ）〉
本発明のレジスト組成物は、酸発生剤（ＩＩ）に加えて、酸発生剤（ＩＩＩ）をさらに含有していてもよい。
本発明のレジスト組成物に含まれる酸発生剤（ＩＩＩ）は、式（ＩＩＩ）で表される塩を含む。
［式（ＩＩＩ）中、
Ｒ^III1及びＲ^III２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^III1は、単結合又は２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、前記２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置き換わっていてもよく、前記２価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
Ｙ^III1は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、前記アルキル基及び前記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］

Ｒ^III1及びＲ^III２のペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
式（ＩＩＩ）では、Ｒ^III1及びＲ^III２は、それぞれ独立に、好ましくはペルフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。

Ｌ^III1の２価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち２種以上を組み合わせたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基、トリデカン−１，１３−ジイル基、テトラデカン−１，１４−ジイル基、ペンタデカン−１，１５−ジイル基、ヘキサデカン−１，１６−ジイル基、ヘプタデカン−１，１７−ジイル基、エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基、プロパン−２，２−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；
直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基（特に、炭素数１〜４のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等）の側鎖を有したもの、例えば、１−メチルブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；
シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，２−ジイル基、１−メチルシクロヘキサン−１，２−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，２−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の２価の脂環式飽和炭化水素基；
ノルボルナン−２，３−ジイル基、ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタン−１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。

Ｌ^III1の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基で置き換わった基としては、例えば、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−７）が挙げられる。なお、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−７）は、その左右を式（ＩＩＩ）に合わせて記載しており、それぞれ＊で表される２つの結合手のうち、左側でＣ（Ｑ¹）（Ｑ²）−と結合し、右側で−Ｙ^III1と結合する。以下の式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−７）の具体例も同様である。

式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−７）中、
Ｌ^b2は、単結合又は炭素数１〜１５の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b3は、単結合又は炭素数１〜１２の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b4は、炭素数１〜１３の２価の飽和炭化水素基を表す。但しＬ^b3及びＬ^b4の炭素数上限は１３である。
Ｌ^b5は、単結合又は炭素数１〜１４の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b6は、炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しＬ^b5及びＬ^b6の合計炭素数の上限は１５である。
Ｌ^b7は、単結合又は炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b8は、炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しＬ^b7及びＬ^b8の合計炭素数の上限は１６である。
Ｌ^b9は、単結合又は炭素数１〜１３の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b10は、炭素数１〜１４の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しＬ^b9及びＬ^b10の合計炭素数の上限は１４である。
Ｌ^b11及びＬ^b12は、単結合又は炭素数１〜１１の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b13は、炭素数１〜１２の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しＬ^b11、Ｌ^b12及びＬ^b13の合計炭素数の上限は１２である。
Ｌ^b14及びＬ^b15は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数１〜１３の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b16は、炭素数１〜１４の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しＬ^b14、Ｌ^b15及びＬ^b16の合計炭素数の上限は１４である。
中でも、Ｌ^III1は、好ましくは式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−４）のいずれか、より好ましくは式（ｂ１−１）又は式（ｂ１−２）、さらに好ましくは式（ｂ１−１）で表される２価の基であり、特に好ましくは、Ｌ^b2が単結合又は−ＣＨ_２−である式（ｂ１−１）で表される２価の基である。

式（ｂ１−１）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−２）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−３）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−４）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−５）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−６）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−７）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Ｌ^III1の脂肪族飽和炭化水素基に含まれる水素原子が、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換された場合の具体例は例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙ^III1のアルキル基としては、好ましくは、炭素数１〜６のアルキル基が挙げられる。
Ｙ^III1の脂環式炭化水素基としては、上述した式（Ｙ１）〜式（Ｙ１１）で表される基及び式（Ｙ２７）〜式（Ｙ２９）で表される基が挙げられる。
これらアルキル基及び脂環式炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基、炭素数１〜１２のアルキル基、ヒドロキシ基含有炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、炭素数７〜２１のアラルキル基、炭素数２〜４のアシル基、グリシジルオキシ基又は−（ＣＨ₂）_j2−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^b1基（式中、Ｒ^b1は、炭素数１〜１６のアルキル基、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。ｊ２は、０〜４の整数を表す）などが挙げられる。
Ｙ^III1の置換基であるアルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基等は、さらに置換基を有していてもよい。ここでの置換基は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基等が挙げられる。

ヒドロキシ基含有アルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基などが挙げられる。

Ｙ^III1の脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わった基としては、例えば、環状エーテル構造（−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換わった基）、オキソ基を有する脂環式炭化水素基（−ＣＨ_２−が−ＣＯ−で置き換わった基）、スルトン環基（隣り合う２つの−ＣＨ_２−が、それぞれ、−Ｏ−又は−ＳＯ_２−で置き換わった基）又はラクトン環基（隣り合う２つの−ＣＨ_２−が、それぞれ、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった基）等が挙げられる。

特に、Ｙ^III1の脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わった基としては、上述した式（Ｙ１２）〜式（Ｙ２６）で表される基が挙げられる。
なかでも、好ましくは式（Ｙ１）〜式（Ｙ１９）のいずれかで表される基であり、より好ましくは式（Ｙ１１）、式（Ｙ１４）、式（Ｙ１５）又は式（Ｙ１９）で表される基であり、さらに好ましくは式（Ｙ１１）又は式（Ｙ１４）で表される基である。

Ｙ^III1としては、例えば以下のものが挙げられる。

Ｙ^III1は、好ましくは置換基（例えば、ヒドロキシ基、オキソ基等）を有していてもよいアダマンチル基であり、より好ましくはアダマンチル基、オキソアダマンチル基又はヒドロキシアダマンチル基である。

式（ＩＩＩ）で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、好ましくは、式（ＩＩＩ１−１−１）〜式（ＩＩＩ１−１−９）で表されるアニオンが挙げられる。以下の式においては、置換基の定義は上記と同じ意味であり、置換基Ｒ^ｂ２及びＲ^ｂ３は、それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基（好ましくは、メチル基）を表す。
式（ＩＩＩ）で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、具体的には、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたアニオンが挙げられる。

酸発生剤（ＩＩＩ）に含まれるカチオンＺ⁺は、有機オニウムカチオン、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、有機ホスホニウムカチオン等が挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。

さらに好ましくは、例えば、式（Ｚ１）〜式（Ｚ４）で表されるカチオン等が挙げられる。

式（Ｚ１）〜式（Ｚ４）中、
Ｐ^ａ〜Ｐ^ｃは、それぞれ独立に、炭素数１〜３０の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基を表すか、Ｐ^ａとＰ^ｂとは、一緒になって硫黄原子を含む環を形成してもよい。該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数２〜４のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換されていてもよい。

Ｐ^４及びＰ^５は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
Ｐ^６及びＰ^７は、それぞれ独立に、炭素数１〜３６の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基を表すか、Ｐ^６及びＰ^７が一緒になってそれらが結合する硫黄原子を含む環を形成する。
Ｐ^８は、水素原子、炭素数１〜３６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｐ^９は、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、芳香族炭化水素基は、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数１〜１２のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
Ｐ^８及びＰ^９が一緒になってそれらが結合する−ＣＨ−ＣＯ−を含む環を形成してもよい

Ｐ^１０〜Ｐ^１５は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
Ｅは、−Ｓ−又は−Ｏ−を表す。
ｉ、ｊ、ｐ、ｒ、ｘ及びｙは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表す。
ｑは０又は１を表す。
ｖ及びｗは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
ｉが２以上のとき、複数のＰ^４は互いに同一又は相異なり、ｊが２以上のとき、複数のＰ^５は互いに同一又は相異なり、ｐが２以上のとき、複数のＰ^１０は互いに同一又は相異なり、ｒが２以上のとき、複数のＰ^１１は互いに同一又は相異なり、ｖが２以上のとき、複数のＰ^１２は互いに同一又は相異なり、ｗが２以上のとき、複数のＰ^１３は互いに同一又は相異なり、ｘが２以上のとき、複数のＰ^１４は互いに同一又は相異なり、ｙが２以上のとき、複数のＰ^１５は互いに同一又は相異なる。

脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基が挙げられる。
水素原子が脂環式炭化水素基で置換された脂肪族炭化水素基としては、例えば、１−（アダマンタン−１−イル）アルカン−１−イル基等が挙げられる。
水素原子が芳香族炭化水素基で置換された脂肪族炭化水素基としては、アラルキル基が挙げられ、具体的には、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、下記のような基等が挙げられる。＊は、アダマンタン環又はシクロヘキサン環との結合手を表す。
水素原子が脂肪族炭化水素基で置換された脂環式炭化水素基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、メチルノルボルニル基、イソボルニル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
なお、芳香族炭化水素基に、脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基が含まれる場合は、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基及び炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基が好ましい。

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキトキシ基、ヘプトキシ基、オクトキシ基、２−エチルヘキトキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基等が挙げられる。
水素原子がアルコキシ基で置換された芳香族炭化水素基としては、例えば、４−メトキシフェニル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び２−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。

Ｐ^ａとＰ^ｂとが一緒になって形成する環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、硫黄原子を１以上含むものであれば、さらに、１以上の硫黄原子及び／又は１以上の酸素原子、つまり、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−を含んでいてもよい。この環は、３員環〜１８員環が挙げられ、好ましくは３員環〜１２員環又は４〜１８員環である。
Ｐ^６及びＰ^７が一緒になって形成する環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、硫黄原子を１以上含むものであれば、さらに、１以上の硫黄原子及び／又は１以上の酸素原子、つまり、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−を含んでいてもよい。この環は、３員環〜１２員環が挙げられ、好ましくは３員環〜７員環である。
Ｐ^８及びＰ^９が一緒になって形成する環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、−ＣＨ−ＣＯ−を含むものであれば、さらに、１以上の硫黄原子及び／又は１以上の酸素原子、つまり、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−を含んでいてもよい。この環は、３員環〜１２員環が挙げられ、好ましくは３員環〜７員環である。

Ｐ^６及びＰ^７が結合する硫黄原子とともに形成する環としては、例えば、チオラン−１−イウム環（テトラヒドロチオフェニウム環）、チアン−１−イウム環及び１，４−オキサチアン−４−イウム環などが挙げられる。
Ｐ^８及びＰ^９が結合する−ＣＨ−ＣＯ−とともに形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。

式（Ｚ１）〜式（Ｚ４）で表されるカチオンの中でも、式（Ｚ１）が好ましく、式（Ｚ５）で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン（式（Ｚ５）中、ｚ１＝ｚ２＝ｚ３＝０）、ジフェニルトリルスルホニウムカチオン（式（Ｚ５）中、ｚ１＝ｚ２＝０、ｚ３＝１であり、Ｐ^３がメチル基である。）又はトリトリルスルホニウムカチオン（式（Ｚ５）中、ｚ１＝ｚ２＝ｚ３＝１であり、Ｐ^１、Ｐ^２及びＰ^３がいずれもメチル基である。）がさらに好ましい。

式（Ｚ５）中、
Ｐ^１〜Ｐ^３は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表すか、Ｐ^１〜Ｐ^３から選ばれる２つが一緒になってヘテロ原子を有してもよい環を形成してもよい。
ｚ１、ｚ２及びｚ３は、それぞれ独立に、０〜５の整数を表す。ｚ１が２以上のとき、複数のＰ^１は、互いに同一又は相異なり、ｚ２が２以上のとき、複数のＰ^２は、互いに同一又は相異なり、ｚ３が２以上のとき、複数のＰ^３は、互いに同一又は相異なる。

Ｐ^１〜Ｐ^３から選ばれる２つが一緒になって形成する環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性のいずれの環であってもよく、硫黄原子を１以上含むものであれば、さらに、１以上の硫黄原子及び／又は１以上の酸素原子を含んでいてもよい。
Ｐ^１〜Ｐ^３の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜１２であり、脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数４〜１９である。
なかでも、Ｐ^１〜Ｐ^３は、それぞれ独立に、ハロゲン原子（より好ましくはフッ素原子）、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表すか、Ｐ^１〜Ｐ^３から選ばれる２つが一緒になって−Ｏ−を表し、硫黄原子を含む環を形成することが好ましい。ｚ１〜ｚ３は、それぞれ独立に、好ましくは０又は１である。

式（Ｚ１）又は式（Ｚ５）で表されるカチオンとしては、以下のものが挙げられる。

式（Ｚ５）で表されるカチオンのうち、硫黄原子を含む環が形成されたカチオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。

式（Ｚ１）で表されるカチオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。

式（Ｚ２）で表されるカチオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。

式（Ｚ３）で表されるカチオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。

式（Ｚ４）で表されるカチオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。

酸発生剤（ＩＩＩ）は、上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができ、好ましくは、アニオン（ＩＩＩ１−１−１）〜アニオン（ＩＩＩ１−１−９）のいずれかとカチオン（ｂ２−１−１）との組合せ、並びにアニオン（ＩＩＩ１−１−３）〜（ＩＩＩ１−１−５）のいずれかとカチオン（ｂ２−３）との組合せが挙げられる。

酸発生剤（ＩＩＩ）としては、好ましくは、式（ＩＩＩ−１）〜式（ＩＩＩ−１８）で表される塩が挙げられ、より好ましくは、トリフェニルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤である式（ＩＩＩ−１）、式（ＩＩＩ−２）、式（ＩＩＩ−３）、式（ＩＩＩ−６）、式（ＩＩＩ−７）、式（ＩＩＩ−１１）、式（ＩＩＩ−１２）、式（ＩＩＩ−１３）、式（ＩＩＩ−１４）及び式（ＩＩＩ−１８）で表される塩が挙げられる。

式（ＩＩＩ）で表される酸発生剤は、当該分野で公知の方法によって製造することができる。

＜酸発生剤（ＩＩ）及び酸発生剤（ＩＩＩ）以外の酸発生剤＞
本発明のレジスト組成物は、単独種又は複数種の式（ＩＩ）で表される酸発生剤及び酸発生剤（ＩＩＩ）として含有することを特徴とするが、酸発生剤として、式（ＩＩ）及び酸発生剤（ＩＩＩ）で表される酸発生剤以外の公知の酸発生剤（以下場合により、「酸発生剤（Ｂ）」という）をさらに含有していてもよい。
酸発生剤（Ｂ）としては、イオン性酸発生剤でも、非イオン性発生剤でもよいが、イオン性酸発生剤が好ましい。イオン性酸発生剤は、それを構成するカチオン及びアニオンがともに、式（ＩＩ）の酸発生剤及び酸発生剤（ＩＩＩ）とは異なるもの、式（ＩＩ）の酸発生剤又は及び酸発生剤（ＩＩＩ）を構成する有機カチオンと同じカチオンと、式（ＩＩ）の酸発生剤又は及び酸発生剤（ＩＩＩ）を構成するスルホン酸アニオン以外の公知のアニオンとの組み合わせからなるもの、式（ＩＩ）の酸発生剤又は及び酸発生剤（ＩＩＩ）を構成するスルホン酸アニオンと同じアニオンと、式（ＩＩ）の酸発生剤又は及び酸発生剤（ＩＩＩ）を構成する有機カチオン以外の公知のカチオンとの組み合わせからなるもののいずれでもよい。

本発明のレジスト組成物においては、酸発生剤（ＩＩ）、酸発生剤（ＩＩＩ）及び酸発生剤（Ｂ）の合計含有量は、本レジスト組成物に含まれる樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１質量部以上であり、より好ましくは３質量部以上である。また、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは４０質量部以下であり、より好ましくは３５質量部以下である。

特に、酸発生剤（ＩＩ）の含有量は、レジスト組成物に含まれる樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１質量部以上であり、より好ましくは３質量部以上である。また、好ましくは３０質量部以下であり、より好ましくは２５質量部以下である。
酸発生剤（ＩＩＩ）を含有する場合には、その含有量は、レジスト組成物に含まれる樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１質量部以上であり、より好ましくは３質量部以上である。また、好ましくは３０質量部以下であり、より好ましくは２５質量部以下である。この場合、酸発生剤（ＩＩ）：酸発生剤（ＩＩＩ）は、例えば、５：９５〜９５：５（質量比）が挙げられ、１０：９０〜９０：１０が好ましい。

〈溶剤（Ｅ）〉
本発明のレジスト組成物に含有される溶剤（Ｅ）の含有率は、例えばレジスト組成物中９０質量％以上、好ましくは９２質量％以上、より好ましくは９４質量％以上であり、例えば９９．９質量％以下、好ましくは９９質量％以下である。溶剤（Ｅ）の含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。

溶剤（Ｅ）としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類；乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類；アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類；γ−ブチロラクトンのような環状エステル類；等を挙げることができる。溶剤（Ｅ）は、１種を単独で含有してもよく、２種以上を含有してもよい。

〈塩基性化合物（以下「塩基性化合物（Ｃ）」という場合がある）〉
塩基性化合物（Ｃ）はクエンチャーとして作用する化合物である。
塩基性化合物（Ｃ）は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物（Ｃ）として、好ましくは、式（Ｃ１）で表される化合物〜式（Ｃ８）で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式（Ｃ１−１）で表される化合物が挙げられる。

［式（Ｃ１）中、Ｒ^c1、Ｒ^c2及びＲ^c3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。］

［式（Ｃ１−１）中、Ｒ^c2及びＲ^c3は、上記と同じ意味を表す。
Ｒ^c4は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基を表す。
ｍ３は０〜３の整数を表し、ｍ３が２以上のとき、複数のＲ^c4は同一又は相異なる。］

［式（Ｃ２）、式（Ｃ３）及び式（Ｃ４）中、Ｒ^c5、Ｒ^c6、Ｒ^c7及びＲ^c8は、それぞれ独立に、Ｒ^c1と同じ意味を表す。
Ｒ^c9は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６の脂環式炭化水素基又は炭素数２〜６のアルカノイル基を表す。
ｎ３は０〜８の整数を表し、ｎ３が２以上のとき、複数のＲ^c9は同一又は相異なる。］

［式（Ｃ５）及び式（Ｃ６）中、Ｒ^c10、Ｒ^c11、Ｒ^c12、Ｒ^c13及びＲ^c16は、それぞれ独立に、Ｒ^c1と同じ意味を表す。
Ｒ^c14、Ｒ^c15及びＲ^c17は、それぞれ独立に、Ｒ^c4と同じ意味を表す。
ｏ３及びｐ３は、それぞれ独立に、０〜３の整数を表し、ｏ３が２以上であるとき、複数のＲ^c1４は同一又は相異なり、ｐ３が２以上であるとき、複数のＲ^c15は、同一又は相異なる。
Ｌ^c1は、炭素数１〜６のアルカンジイル基、−ＣＯ−、−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｓ−又はこれらを組合せた２価の基を表す。］

［式（Ｃ７）及び式（Ｃ８）中、Ｒ^c18、Ｒ^c19及びＲ^c20は、それぞれ独立に、Ｒ^c4と同じ意味を表す。
ｑ３、ｒ３及びｓ３は、それぞれ独立に、０〜３の整数を表し、ｑ３が２以上であるとき、複数のＲ^c18は同一又は相異なり、ｒ３が２以上であるとき、複数のＲ^c19は同一又は相異なり、及びｓ３が２以上であるとき、複数のＲ^c20は同一又は相異なる。
Ｌ^c2は、単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基、−ＣＯ−、−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｓ−又はこれらを組合せた２価の基を表す。］

式（Ｃ１）〜式（Ｃ８）においては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基、アルカンジイル基は、上述したものと同様のものが挙げられる。
アルカノイル基としては、アセチル基、２−メチルアセチル基、２，２−ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、２，２−ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。

式（Ｃ１）で表される化合物としては、１−ナフチルアミン、２−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは２，６−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。

式（Ｃ２）で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。
式（Ｃ３）で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。
式（Ｃ４）で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平１１−５２５７５号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。
式（Ｃ５）で表される化合物としては、２，２’−メチレンビスアニリン等が挙げられる。
式（Ｃ６）で表される化合物としては、イミダゾール、４−メチルイミダゾール等が挙げられる。
式（Ｃ７）で表される化合物としては、ピリジン、４−メチルピリジン等が挙げられる。
式（Ｃ８）で表される化合物としては、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，２−ジ（２−ピリジル）エテン、１，２−ジ（４−ピリジル）エテン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（４−ピリジルオキシ）エタン、ジ（２−ピリジル）ケトン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、２，２’−ジピリジルアミン、２，２’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられる。

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。

塩基性化合物（Ｃ）の含有率は、レジスト組成物の固形分量を基準に、好ましくは、０．０１〜５質量％程度であり、より好ましく０．０１〜３質量％程度であり、特に好ましく０．０１〜１質量％程度である。

〈その他の成分（以下「その他の成分（Ｆ）」という場合がある）〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分（Ｆ）を含有していてもよい。その他の成分（Ｆ）に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。

＜レジスト組成物の調製＞
本発明のレジスト組成物は、樹脂（Ａ１）及び樹脂（Ａ２）を含む樹脂（Ａ）、酸発生剤、並びに必要に応じて用いられる溶剤（Ｅ）、塩基性化合物（Ｃ）及びその他の成分（Ｆ）を混合することにより調製することができる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、１０〜４０℃の範囲から、樹脂などの種類や樹脂等の溶剤（Ｅ）に対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、０．５〜２４時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。
各成分を混合した後は、孔径０．００３〜０．２μｍ程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。

〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層を露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含む。

レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。

塗布後の組成物を乾燥することにより、溶剤を除去し、組成物層を形成する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること（いわゆるプリベーク）により行うか、あるいは減圧装置を用いて行い、溶剤が除去された組成物層を形成する。この場合の温度は、例えば、５０〜２００℃程度が好ましい。また、圧力は、１〜１．０×１０^５Ｐａ程度が好ましい。

得られた組成物層は、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ₂エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、電子線や、超紫外光（ＥＵＶ）を照射するもの等、種々のものを用いることができる。

露光後の組成物層を、脱保護基反応を促進するために加熱処理（いわゆるポストエキスポジャーベーク）する。加熱温度としては、通常５０〜２００℃程度、好ましくは７０〜１５０℃程度である。
加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、現像液を利用して現像する。現像方法としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。現像温度は、例えば、５〜６０℃が好ましく、現像時間は、例えば、５〜３００秒間が好ましい。
加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、酢酸ブチル又は２−ヘプタノンを含む現像液を利用して現像する。

本発明のレジスト組成物からポジ型レジストパターンを製造する場合は、現像液としてアルカリ現像液を用いる。アルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液等が挙げられる。アルカリ現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。
現像後レジストパターンを超純水で洗浄し、次いで、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。

本発明のレジスト組成物からネガ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として有機溶剤を含む現像液（以下「有機系現像液」という場合がある）を用いる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、２−ヘキサノン、２−ヘプタノンなどのケトン溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル溶剤；酢酸ブチル等のエステル溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル溶剤；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤；アニソールなどの芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、９０質量％以上１００質量％以下が好ましく、９５質量％以上１００質量％以下がより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさらに好ましい。
中でも、有機系現像液としては、酢酸ブチル及び／又は２−ヘプタノンを含む現像液が好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び２−ヘプタノンの合計含有率は、５０質量％以上１００質量％以下が好ましく、９０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、実質的に酢酸ブチル及び／又は２−ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量の水分が含まれていてもよい。
現像の際、有機系現像液とは異なる種類の溶剤に置換することにより、現像を停止してもよい。

現像後のレジストパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。リンス液としては、レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができ、好ましくはアルコール溶剤又はエステル溶剤である。
洗浄後は、基板及びパターン上に残ったリンス液を除去することが好ましい。

〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線（ＥＢ）露光用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物、特に液浸露光用のレジスト組成物として好適であり、半導体の微細加工に有用である。

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す「％」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。
化合物の構造は、ＭＡＳＳ（ＬＣ：Ａｇｉｌｅｎｔ製１１００型、ＭＡＳＳ：Ａｇｉｌｅｎｔ製ＬＣ／ＭＳＤ型又はＬＣ／ＭＳＤ ＴＯＦ型）で確認した。
樹脂（Ａ）の組成比（樹脂（Ａ）製造に用いた各モノマーに由来する構造単位の、樹脂（Ａ）に対する共重合比）は、重合終了後の反応液における未反応モノマー量を、液体クロマトグラフィーを用いて測定し、得られた結果から重合に用いられたモノマー量を求めることにより算出した。また重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。なお、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。
装置：ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ型（東ソー社製）
カラム：TSKgel Multipore HXL-M x 3+guardcolumn（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：1.0mL／min
検出器：RI検出器
カラム温度：40℃
注入量：100μl
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）

合成例１：式（Ｈ）で表される化合物の合成
式（Ｈ−１）で表される化合物２５部、テトラヒドロフラン１７５部及びピリジン１１．８６部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、５℃に冷却し、式（Ｈ−２）で表される化合物１４．８２部を３０分かけて添加した。５℃で１時間攪拌した後、酢酸エチル３４０部、５％塩酸６６部及びイオン交換水８５部を添加し、攪拌後、分液を行った。回収された有機層に、１０％炭酸カリウム水溶液５５部を添加し、攪拌後、分液を行った。回収された有機層に、イオン交換水８５部を添加し、攪拌後、分液を行った。この水洗の操作を５回行った。回収された有機層を濃縮することにより、式（Ｈ−３）で表される化合物２８．６２部を得た。
式（Ｈ−４）で表される化合物１０．６９部、ジメチルホルムアミド５３．４７部、炭酸カリウム８．５８部及びヨウ化カリウム１．０３部を仕込み、４０℃で１時間攪拌した後、式（Ｈ−３）で表される化合物２８．６２部及びジメチルホルムアミド５７．２４部の混合溶液を３０分かけて添加した。４０℃で６時間攪拌した後、２３℃まで冷却した。得られた反応マスに、クロロホルム６７０部及び５％シュウ酸水溶液１６６部を添加し、攪拌後、分液を行った。回収された有機層に、イオン交換水２６５部を添加し、攪拌後、分液を行った。この水洗の操作を６回行った。回収された有機層を濃縮した後、得られた濃縮マスに、アセトニトリル７．５８部及び酢酸エチル２６．５３部を添加、３時間攪拌した後、ろ過することにより、式（Ｈ）で表される化合物３２．１３部を得た。

合成例２：式（ＩＩ−３）で表される塩の合成

特開２００８−２０９９１７号公報に記載された方法によって得られた式（ＩＩ−３−ｂ）で表される化合物３０．００部、式（ＩＩ−３−ａ）で表される塩３５．５０部、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を仕込み、２３℃で１５時間攪拌した。得られた反応液が２層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、さらに、このクロロホルム層にイオン交換水３０部を添加し、水洗した。この操作を５回繰り返した。クロロホルム層を濃縮し、得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１００部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、ろ過することにより、式（ＩＩ−３−ｃ）で表される塩４８．５７部を得た。

式（ＩＩ−３−ｃ）で表される塩２０．００部、式（ＩＩ−３−ｄ）で表される化合物２．８４部及びモノクロロベンゼン２５０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、二安息香酸銅（ＩＩ）０．２１部を添加し、さらに、１００℃で１時間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した。得られた残渣に、クロロホルム２００部及びイオン交換水５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮した。得られた残渣に、アセトニトリル５３．５１部に溶解し、濃縮した。その後、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１１３．０５部を加えて攪拌し、ろ過することにより、式（ＩＩ−３）で表される塩１０．４７部を得た。

ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２３７．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３３９．１

合成例３：式（ＩＩ−７）で表される塩の合成

式（ＩＩ−７−ａ）で表される塩１１．２６部、式（ＩＩ−７−ｂ）で表される化合物１０．００部、クロロホルム５０部及びイオン交換水２５部を仕込み、２３℃で１５時間攪拌した。得られた反応液が２層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、該クロロホルム層にイオン交換水１５部を添加し、水洗した。この操作を５回繰り返した。クロロホルム層を濃縮し、得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過することにより、式（ＩＩ−７−ｃ）で表される塩１１．７５部を得た。

式（ＩＩ−７−ｃ）で表される塩１１．７１部、式（ＩＩ−７−ｄ）で表される化合物１．７０部及びモノクロロベンゼン４６．８４部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、二安息香酸銅（ＩＩ）０．１２部を添加した後、更に、１００℃で３０分間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した後、得られた残渣に、クロロホルム５０部及びイオン交換水１２．５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水１２．５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を８回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル５０部を加えて攪拌した後、ろ過することにより、式（ＩＩ−７）で表される塩６．８４部を得た。

ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２３７．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３２３．０

合成例４：式（ＩＩ−８）で表される塩の合成

式（ＩＩ−８−ａ）で表される塩１．９７部及びクロロホルム３０部を仕込んだ後、ジエチル硫酸０．９４部を滴下し、２３℃で１時間攪拌した。得られた式（ＩＩ−８−ｂ）で表される塩を含む溶液に、特開２００８−９４８３５号公報に記載された方法で合成した式（ＩＩ−８−ｃ）で表される塩３．２３部及びイオン交換水１５部を仕込み、２３℃で１５時間攪拌した。得られた反応液が２層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、該クロロホルム層にイオン交換水１０部を添加し、水洗した。この操作を５回繰り返した。クロロホルム層を濃縮し、得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２５．４０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過することにより、式（ＩＩ−８−ｄ）で表される塩２．７９部を得た。

式（ＩＩ−８−ｄ）で表される塩２．７０部、式（ＩＩ−８−ｅ）で表される化合物０．６７部及びモノクロロベンゼン２１．６０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、二安息香酸銅（ＩＩ）０．０３部を添加した後、更に、１００℃で３０分間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した後、得られた残渣に、クロロホルム４０．５０部、イオン交換水１３．５０部及び２８％アンモニア水０．１５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水１３．５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を３回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３６．５５部を加えて攪拌した後、ろ過することにより、式（ＩＩ−８）で表される塩１．１６部を得た。

ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ １９５．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３２３．０

合成例５：式（ＩＩ−９）で表される塩の合成

式（ＩＩ−９−ａ）で表される塩１．９７部及びクロロホルム３０部を仕込んだ後、ジエチル硫酸０．８７部を滴下し、２３℃で１時間攪拌した。得られた式（ＩＩ−９−ｂ）で表される塩を含む溶液に、式（ＩＩ−９−ｃ）で表される塩３．０１部及びイオン交換水１５部を仕込み、２３℃で１５時間攪拌した。得られた反応液が２層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、該クロロホルム層にイオン交換水１０部を添加し、水洗した。この操作を６回繰り返した。クロロホルム層を濃縮し、得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２１．２０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過することにより、式（ＩＩ−９−ｄ）で表される塩２．５７部を得た。

式（ＩＩ−９−ｄ）で表される塩２．４９部、式（ＩＩ−９−ｅ）で表される化合物０．５９部及びモノクロロベンゼン２０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、二安息香酸銅（ＩＩ）０．０３部を添加した後、更に、１００℃で３０分間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した後、得られた残渣に、クロロホルム３７．５０部、イオン交換水１２．５０部及び28％アンモニア水０．１５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水１２．５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を３回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１８．４５部を加えて攪拌した後、ろ過することにより、式（ＩＩ−９）で表される塩１．３０部を得た。

ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２０９．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３２３．０

合成例６：式（ＩＩ−１０）で表される塩の合成

式（ＩＩ−１０−ａ）で表される塩４．４４部及びメタノール９０部を仕込んだ後、ジエチル硫酸２．１１部を滴下し、２３℃で１時間攪拌した。得られた式（ＩＩ−１０−ｂ）で表される塩を含む溶液に、式（ＩＩ−１０−ｃ）で表される塩７．５５部を仕込み、２３℃で１２時間攪拌した。得られた反応液を濃縮し、得られた残渣に、イオン交換水５５．２８部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、上澄み液を除去した。得られた残渣に、アセトニトリル１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、濃縮することにより、式（ＩＩ−１０−ｄ）で表される塩３．５７部を得た。

式（ＩＩ−１０−ｄ）で表される塩３．５７部、式（ＩＩ−１０−ｅ）で表される化合物０．８６部及びモノクロロベンゼン３５．６８部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、二安息香酸銅（ＩＩ）０．０４部を添加した後、更に、１００℃で３０分間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した後、得られた残渣に、クロロホルム４４．６０部、イオン交換水１４．８７部及び28％アンモニア水０．１５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水１４．８７部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を３回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１８．６５部を加えて攪拌した後、上澄み液を除去した。得られた残渣に、アセトニトリル１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、濃縮することにより、式（ＩＩ−１０）で表される塩０．８５部を得た。

ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ １９５．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３３９．１

合成例７：式（ＩＩ−１１）で表される塩の合成

式（ＩＩ−１１−ａ）で表される塩１．９７部及びメタノール４０部を仕込んだ後、ジエチル硫酸０．８７部を滴下し、２３℃で１時間攪拌した。得られた式（ＩＩ−１１−ｂ）で表される塩を含む溶液に、式（ＩＩ−１１−ｃ）で表される塩３．１３部を仕込み、２３℃で１２時間攪拌した。得られた反応液を濃縮し、得られた残渣に、イオン交換水３０．５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過することにより、式（ＩＩ−１１−ｄ）で表される塩２．１０部を得た。

式（ＩＩ−１１−ｄ）で表される塩２．０１部、式（ＩＩ−１１−ｅ）で表される化合物０．４６部及びモノクロロベンゼン１８．４０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、二安息香酸銅（ＩＩ）０．０２部を添加した後、更に、１００℃で３０分間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した後、得られた残渣に、クロロホルム３４．５０部、イオン交換水１１．５０部及び28％アンモニア水０．１５部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水１１．５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を３回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１３．４５部を加えて攪拌した後、ろ過することにより、式（ＩＩ−１１）で表される塩０．７７部を得た。

ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２０９．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３３９．１

合成例８：式（ＩＩＩ−５）で表される塩の合成
式（ＩＩＩ−５−ａ）で表される塩５０．４９部及びクロロホルム２５２．４４部を反応器に仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、式（ＩＩＩ−５−ｂ）で表される化合物１６．２７部を滴下し、２３℃で１時間攪拌することにより、式（ＩＩＩ−５−ｃ）で表される塩を含む溶液を得た。得られた式（ＩＩＩ−５−ｃ）で表される塩を含む溶液に、式（ＩＩＩ−５−ｄ）で表される塩４８．８０部及びイオン交換水８４．１５部を添加し、２３℃で１２時間攪拌した。得られた反応液が２層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、該クロロホルム層にイオン交換水８４．１５部を添加し、水洗した。この操作を５回繰り返した。得られたクロロホルム層に、活性炭３．８８部を添加攪拌し、ろ過した。回収されたろ液を濃縮し、得られた残渣に、アセトニトリル１２５．８７部を添加攪拌し、濃縮した。得られた残渣に、アセトニトリル２０．６２部及びｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０９．３０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、上澄み液を除去し、濃縮した。得られた残渣に、ｎ−ヘプタン２００部を添加、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過することにより、式（ＩＩＩ−５）で表される塩６１．５４部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３７５．２
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３３９．１

樹脂の合成
樹脂の合成において使用した化合物（モノマー）を下記に示す。

〔樹脂Ａ１−１の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｈ）及びモノマー（Ｉ）を用い、そのモル比（モノマー（Ｈ）：モノマー（Ｉ））が９０：１０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７２℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のｎ−ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量１．４×１０^４の樹脂Ａ１−１（共重合体）を収率７５％で得た。この樹脂Ａ１−１は、以下の構造単位を有するものである。

〔樹脂Ａ１−２の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｈ）を用い、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、０．７ｍｏｌ％及び２．１ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のｎ−ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量１．８×１０^４の樹脂Ａ１−２を収率７５％で得た。この樹脂Ａ１−２は、以下の構造単位を有するものである。

〔樹脂Ａ２−１の合成〕
モノマー（Ｄ）、モノマー（Ｅ）、モノマー（Ｂ）、モノマー（Ｆ）及びモノマー（Ｃ）を、そのモル比〔モノマー（Ｄ）：モノマー（Ｅ）：モノマー（Ｂ）：モノマー（Ｆ）：モノマー（Ｃ）〕が、３０：１４：６：２０：３０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量７．０×１０^３の樹脂Ａ２−１を収率６０％で得た。この樹脂Ａ２−１は、以下の構造単位を有するものである。

〔樹脂Ａ２−２の合成〕
モノマー（Ａ）、モノマー（Ｅ）、モノマー（Ｂ）、モノマー（Ｆ）及びモノマー（Ｃ）を、そのモル比〔モノマー（Ａ）：モノマー（Ｅ）：モノマー（Ｂ）：モノマー（Ｆ）：モノマー（Ｃ）〕が、３０：１４：６：２０：３０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量７．２×１０^３の樹脂Ａ２−２を収率７８％で得た。この樹脂Ａ２−２は、以下の構造単位を有するものである。

〔樹脂Ａ２−３の合成〕
モノマー（Ａ）、モノマー（Ｂ）及びモノマー（Ｃ）を、そのモル比〔モノマー（Ａ）：モノマー（Ｂ）：モノマー（Ｃ）〕が、５０：２５：２５となるように混合し、さらに、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、１ｍｏｌ％と３ｍｏｌ％との割合で添加し、これを８０℃で約８時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒（質量比メタノール：水＝４：１）に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過・回収し、再度、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過・回収するという操作を３回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約９．２×１０^３である樹脂Ａ２−３を収率６０％で得た。この樹脂Ａ２−３は、以下の構造単位を有するものである。

〔樹脂Ａ２−４の合成〕
モノマー（Ｄ）、モノマー（Ｌ）、モノマー（Ｂ）、モノマー（Ｃ）及びモノマー（Ｆ）を、そのモル比〔モノマー（Ｄ）：モノマー（Ｌ）：モノマー（Ｂ）：モノマー（Ｃ）：モノマー（Ｆ）〕が、３０：１４：６：２０：３０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量８．２×１０^３の樹脂Ａ２−４を収率６８％で得た。この樹脂Ａ２−４は、以下の構造単位を有するものである。

〔樹脂Ａ２−５の合成〕
モノマー（Ｄ）、モノマー（Ｌ）、モノマー（Ｋ）、モノマー（Ｃ）及びモノマー（Ｆ）を、そのモル比〔モノマー（Ｄ）：モノマー（Ｌ）：モノマー（Ｋ）：モノマー（Ｃ）：モノマー（Ｆ）〕が、３５：１５：３：２７：２０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量７．９×１０^３の樹脂Ａ２−５を収率７３％で得た。この樹脂Ａ２−５は、以下の構造単位を有するものである。

〔樹脂Ａ２−６の合成〕
モノマー（Ｄ）、モノマー（Ｍ）、モノマー（Ｂ）、モノマー（Ｆ）及びモノマー（Ｃ）を、そのモル比〔モノマー（Ｄ）：モノマー（Ｍ）：モノマー（Ｂ）：モノマー（Ｆ）：モノマー（Ｃ）〕が、３０：１４：６：２０：３０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量７．４×１０^３の共重合体を収率６２％で得た。この共重合体は、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ２−６とする。

〔樹脂Ａ２−７の合成〕
モノマー（Ｄ）、モノマー（Ｌ）、モノマー（Ｋ）、モノマー（Ｆ）及びモノマー（Ｃ）を、そのモル比〔モノマー（Ｄ）：モノマー（Ｌ）：モノマー（Ｋ）：モノマー（Ｆ）：モノマー（Ｃ）〕が、４５：１４：２．５：２２：１６．５となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、０．９５ｍｏｌ％及び２．８５ｍｏｌ％添加し、これらを７３℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／イオン交換水＝４／１の混合用液に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量７．８×１０^３の共重合体を収率７３％で得た。この共重合体は、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ２−７とする。

〔樹脂Ｘ１の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｇ）、モノマー（Ｃ）及びモノマー（Ｂ）を用い、そのモル比（モノマー（Ｇ）：モノマー（Ｃ）：モノマー（Ｂ））が３５：４５：２０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１．０ｍｏｌ％及び３．０ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量７．０×１０^３の樹脂Ｘ１（共重合体）を収率７５％で得た。この樹脂Ｘ１は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位のモル比は、構造単位（Ｇ）：構造単位（Ｃ）：構造単位（Ｂ）＝３４．７：４５．４：１９．９。

〔樹脂Ｘ２の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｊ）及びモノマー（Ｇ）を用い、そのモル比（モノマー（Ｊ）：モノマー（Ｇ））が８０：２０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、０．５ｍｏｌ％及び１．５ｍｏｌ％添加し、これらを７０℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量２．８×１０^４の樹脂Ｘ２（共重合体）を収率７０％で得た。この樹脂Ｘ２は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位のモル比は、構造単位（Ｊ）：構造単位（Ｇ）＝８０．２：１９．８であった。

＜レジスト組成物の調製＞
表２に示す各成分を混合して溶解することにより得られた混合物を孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、レジスト組成物を調製した。

＜樹脂＞
樹脂の合成で合成したＡ１−１、Ａ１−２、Ａ２−１〜Ａ２−７、Ｘ１、Ｘ２
＜酸発生剤＞
ＩＩ−３：
ＩＩ−７：
ＩＩ−８：
ＩＩ−９：
ＩＩ−１０：
ＩＩ−１１：
ＩＩＩ−３：特開２０１０−１５２３４１号公報の実施例に従って合成
ＩＩＩ−５：
Ｂ２：ＷＯ２００８／９９８６９号の実施例及び特開２０１０−２６４７８の実施例に従って合成
Ｂ３：特開２００５−２２１７２１の実施例に従って合成

＜塩基性化合物：クエンチャー＞
Ｃ１：２，６−ジイソプロピルアニリン（東京化成工業（株）製）

＜溶剤＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ２６５．０部
プロピレングリコールモノメチルエーテル ２０．０部
２−ヘプタノン ２０．０部
γ−ブチロラクトン ３．５部

＜レジストパターンの製造＞
シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物（ＡＲＣ−２９；日産化学（株）製）を塗布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、厚さ７８ｎｍの有機反射防止膜を形成した。次いで、この有機反射防止膜の上に、上記表５の各レジスト組成物を、乾燥後の膜厚が８５ｎｍとなるようにスピンコートした。レジスト組成物が塗布されたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表２の「ＰＢ」欄に記載された温度で６０秒間プリベークし、組成物層を形成した。組成物層が形成されたシリコンウェハに、液浸露光用ＡｒＦエキシマステッパー（ＸＴ：１９００Ｇｉ；ＡＳＭＬ社製、ＮＡ＝１．３５、３／４Ａｎｎｕｌａｒ Ｘ−Ｙ偏光）で、コンタクトホールパターン（ホールピッチ１００ｎｍ／ホール径７０ｎｍ）を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、前記シリコンウェハを、ホットプレート上にて、表２の「ＰＥＢ」欄に記載された温度で６０秒間ポストエキスポジャーベーク処理した。次いでこのシリコンウェハを、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。

得られたレジストパターンにおいて、ホール径が５５ｎｍとなる露光量を実効感度とした。

＜ＣＤ均一性（ＣＤＵ）評価＞
実効感度において、パターンのホール径を、一つのホールにつき２４回測定し、その平均値を一つのホールの平均ホール径とした。同一ウェハ上に形成された４００個のホールについて平均ホール径を測定し、これらを母集団として標準偏差を求め、
標準偏差が１．５５ｎｍ未満の場合を「◎」、
標準偏差が１．５５ｎｍ以上２．００ｎｍ未満の場合を「○」、
標準偏差が２．００ｎｍ以上の場合を「×」、
として、それぞれ判断した。その結果を表３に示す。表３においては、括弧内の数字は、標準偏差値（ｎｍ）を示す。

＜欠陥評価＞
１２インチのシリコン製ウェハ（基板）に、レジスト組成物を、乾燥後の膜厚が０．１５μｍとなるように塗布（スピンコート）した。塗布後、ダイレクトホットプレート上にて、表２のＰＢ欄に示す温度で６０秒間プリベーク（ＰＢ）し、ウェハ上に組成物層を形成した。
このようにして組成物層が形成されたウェハに、現像機［ＡＣＴ−１２；東京エレクトロン（株）製］を用いて、６０秒間、水リンスを行った。
その後、欠陥検査装置［ＫＬＡ−２３６０；ＫＬＡテンコール製］を用いて、ウェハ上の欠陥数を測定した。結果を表３に示す。

＜レジスト組成物の調製＞
以下に示す成分の各々を表４に示す質量部で、下記の溶剤に溶解し、さらに孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。

＜ネガ型レジストパターンの製造＞
シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物（ＡＲＣ−２９；日産化学（株）製）を塗布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、ウェハ上に膜厚７８ｎｍの有機反射防止膜を形成した。次いで、この有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が８５ｎｍとなるように塗布（スピンコート）した。塗布後、シリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表４の「ＰＢ」欄に記載された温度で６０秒間プリベークし、組成物層を形成した。組成物層が形成されたシリコンウェハに、液浸露光用ＡｒＦエキシマステッパー（ＸＴ：１９００Ｇｉ；ＡＳＭＬ社製、ＮＡ＝１．３５、３／４Ａｎｎｕｌａｒ Ｘ−Ｙ偏光）で、コンタクトホールパターン（ホールピッチ９０ｎｍ／ホール径５５ｎｍ）を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、ホットプレート上にて、表４の「ＰＥＢ」欄に記載された温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行った。次いで、このシリコンウェハ上の組成物層を、現像液として酢酸ブチル（東京化成工業（株）製）を用いて、２３℃で２０秒間ダイナミックディスペンス法によって現像を行うことにより、ネガ型レジストパターンを製造した。

現像後に得られたレジストパターンにおいて、前記マスクを用いて形成したホール径が４５ｎｍとなる露光量を実効感度とした。

＜ＣＤ均一性（ＣＤＵ）評価＞
実効感度において、レジストパターンのホール径を、一つのホールにつき２４回測定し、その平均値を一つのホールの平均ホール径とした。同一ウェハ上に形成された４００個のホールについて平均ホール径を測定し、これらを母集団として標準偏差を求めた。
標準偏差が２．００ｎｍ未満の場合を「○」、
標準偏差が２．００ｎｍ以上の場合を「×」、
として、それぞれ判断した。その結果を表５に示す。表５においては、括弧内の数字は、標準偏差値（ｎｍ）を示す。

本発明のレジスト組成物によれば、レジストパターン製造時のＣＤ均一性（ＣＤＵ）が良好であり、かつ欠陥の発生が少ないレジストパターン製造できる。

Claims (7)

1. （Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、
   （Ａ２）酸不安定基を有する樹脂、
   （Ｂ１）式（ＩＩ）で表される酸発生剤、及び
   式（ＩＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
   ［式（Ｉ）中、
   Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ａ¹は、−（ＣＨ_２）_ｍ１−、−（ＣＨ_２）_ｍ２−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｍ３−又は−（ＣＨ_２）_ｍ４−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｍ５−を表す。
   ｍ１〜ｍ５は、それぞれ独立に、１〜６の整数を表す。
   Ｒ²は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］
   ［式（ＩＩ）中、
   Ｒ^II1及びＲ^II２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
   Ｌ^II１は、単結合、炭素数１〜６のアルカンジイル基、炭素数４〜８の２価の脂環式炭化水素基、−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−＊又は−（ＣＨ_２）_ｔ−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−（ＣＨ_２）_ｕ−＊を表し、アルカンジイル基及び−（ＣＨ_２）_ｕ−に含まれるメチレン基は、酸素原子で置き換わっていてもよい。ｔは、１〜１２の整数を表す。ｕは、０〜１２の整数を表す。＊は、Ｙ^II１との結合手を表す。
   Ｙ^II１は、置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、前記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
   Ｒ^II３、Ｒ^II４、Ｒ^II５、Ｒ^II６及びＲ^II７は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニルオキシ基又は炭素数２〜１２のアシルオキシ基を表す。
   スルホニルカチオンを含む環に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
   ｒは、１〜３の整数を表す。
   Ｒ^II８は、炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   ｓは、０〜３の整数を表し、ｓが２以上のとき、複数のＲ^II８は、同一又は相異なる。］
   ［式（ＩＩＩ）中、
   Ｒ^III1及びＲ^III２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
   Ｌ^III1は、単結合又は２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、前記２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置き換わっていてもよく、前記２価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
   Ｙ^III1は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、前記アルキル基及び前記脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
   Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］
2. Ｒ²が、炭素数１〜６のフッ化アルキル基である請求項１記載のレジスト組成物。
3. Ａ¹が、メチレン基である請求項１記載のレジスト組成物。
4. Ｌ^II1が、単結合またはメチレン基である請求項１記載のレジスト組成物。
5. Ｚ^＋が、トリアリールスルホニウムカチオンである請求項１又は４記載のレジスト組成物。
6. さらに溶剤を含有する請求項１〜５のいずれか記載のレジスト組成物。
7. （１）請求項１〜６のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
   （２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
   （３）組成物層を露光する工程、
   （４）露光後の組成物層を加熱する工程及び
   （５）加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。