JP6203629B2 - 重量センサ及び重量センサユニット - Google Patents

Description

本発明は重量センサ及び重量センサユニットに関し、特に抵抗値の変化に基づいて荷重の変化を検出する重量センサ及び重量センサユニットに関する。

本出願人は、特許文献１において重量センサを提案している。この重量センサを図１４に基づいて説明する．
図１４に示すように、この重量センサ１００には、第１の基板１０１の表面に電極層１０２が形成されている。また前記第１の基板１０１に相対向して、スペーサ１０３を介して第２の基板１０４が配置されている。この第２の基板１０４には、前記電極層１０２に対向する抵抗体層１０５が形成されている。
また、前記第１の基板１０１、第２の基板１０４には、例えばポリエチレンテレフタレート樹脂，ポリエチレンナフタレート樹脂，ポリイミド樹脂等の絶縁性を有する合成樹脂のシートが用いられている。

そして、前記第１の基板１０１、第２の基板１０４の少なくとも一方に荷重Ｐが作用すると、第１の基板１０１、第２の基板１０４の少なくとも一方が変形し、電極層１０２と抵抗体層１０４の接触面積が変化し、前記接触面積変化（荷重変化）に応じた抵抗値変化が検出される。この検出された抵抗値を用いて、予め測定された抵抗値と荷重との関係から、作用した荷重値が測定される。

特許４５２８８７８号公報

ところで、この重量センサの抵抗値と荷重との関係の一例を示すと、図１５に示すように、重量センサに荷重を加えていく場合（往路）と、荷重が作用している重量センサから荷重を減じていく場合（復路）とで、検出される抵抗値が異なることが判明した。
このように、重量センサの荷重を加える場合と減じていく場合とで、異なる抵抗値が検出されるため、荷重値を高精度に測定できないという技術的課題があった。

本発明者らは、この重量センサに荷重を加える場合と荷重を減じていく場合とで、異なる抵抗値が検出される原因について鋭意研究した。
その結果、重量センサにおける第１の基板、第２の基板に用いられる合成樹脂のシートが、重量センサに荷重を加える場合と減じていく場合とで異なる抵抗値が検出される、いわゆるヒステリシス特性を呈する原因であることを究明し、本発明を完成するに至った。

本発明は、上記状況に鑑みてなされたものであり、重量センサの荷重を加える場合と減じていく場合のいずれの場合においても略同一の抵抗値が検出され、この抵抗値から荷重が測定される重量センサ及び重量センサユニットを提供することを目的とするものである。

前記した課題を解決するために、本発明に係る重量センサは、荷重の変化を抵抗値の変化として検出する重量センサであって、金属製の第１の基板と、前記第１の基板に相対向して配置された金属製の第２の基板と、前記第１の基板の周縁部と第２の基板の周縁部の間に接合されたリング状の金属製の第１のスペーサと、前記第１の基板の前記第２の基板側に形成された合成樹脂層と、前記第１の基板の前記合成樹脂層上に形成された電極層と、前記第２の基板の前記第１の基板側に形成された合成樹脂層と、前記第２の基板の前記合成樹脂層上に形成された抵抗層と、を備え、前記第１の基板、第２の基板の少なくとも一方に加わる荷重の変化によって、電極層に対する抵抗体層の接触面積が変化し、前記接触面積変化に応じた抵抗値変化を検出することによって、前記基板に加えられた荷重を検出することを特徴としている。

このように、金属製の第１の基板、金属製の第２の基板が用いられているため、測定する荷重の範囲内において、荷重（応力）と変形量（ひずみ）の関係が比例関係にあり、いわゆるヒステリシス特性を呈し難い。その結果、重量センサに荷重を加える場合と減じていく場合のいずれの場合においても略同一の抵抗値が検出され、高精度に荷重を測定することができる。

ここで、前記第２の基板の上面に設けられた貫通孔と、前記貫通孔の内部に設けられた被押圧部と、前記貫通孔の内部であって、前記被押圧部の外側に前記被押圧部を囲って設けられたリング状部と、前記被押圧部とリング状部を連結する第１の連結部と、前記リング状部と第２の基板とを連結する第２の連結部とを備えていることが望ましい。
このように構成することにより、前記代１，２の連結部の幅、長さを調整することにより、基板の厚さが厚い場合であっても、小さな荷重に対しても前記被押圧部を変位させることができ、小さな荷重を測定することができる。
尚、第１の基板、第２の基板、第１のスペーサがステンレス鋼からなることが望ましい。

また、前記した課題を解決するために、本発明に係る重量センサユニットは、上記重量センサが用いられた重量センサユニットであって、前記第２の基板の上面にリング状の第２のスペーサを介して設けられた第３の基板と、前記第３の基板の上面に設けられた荷重受け部と、前記荷重受け部に形成されたねじ穴と、前記ねじ穴に螺合する共に、先端が第２の基板または第２の基板の被押圧部を押圧する押圧子と、前記押圧子が挿通する、第３の基板に形成された貫通穴と、を備え、前記押圧子を回転させることにより、前記押圧子の先端が第２の基板または第２の基板の被押圧部に接するようになされることを特徴としている。

このように、押圧子を備える荷重受け部が設けられているため、被押圧部に適切に荷重を作用させることができる。しかも、押圧子が荷重受け部のねじ穴に螺合しているため、前記押圧子を回転させることにより、押圧子の先端と第２の基板の上面、または第２の基板の被押圧部の上面との間の距離寸法を調整し、この押圧子の先端を第２の基板に高精度に接するように配置することができる。
尚、前記第３の基板、荷重受け部、第２のスペーサがステンレス鋼からなることが望ましい。

本発明によれば、重量センサの荷重を加える場合と減じていく場合のいずれの場合においても略同一の抵抗値が検出され、この抵抗値から荷重が測定される重量センサ及び重量センサユニットを得ることができる。

図１は、本発明の第１の実施形態にかかる重量センサを示す断面図である。 図２は、図１に示す重量センサの一部平面図である。 図３は、図１の部分拡大図である。 図４は、図１の電極層を示す平面図である。 図５は、図１の抵抗層を示す平面図である。 図６は、図３の部分拡大図である。 図７は、図６に示す状態から荷重が作用した状態を示す部分拡大図である。 図８は、図７に示す状態から更に荷重が作用した状態を示す部分拡大図である。 第１の実施形態における荷重と抵抗値の関係を示す図である。 図１０は、本発明の第２の実施形態にかかる重量センサを示す断面図である。 図１１は、図１０に示す重量センサの一部平面図である。 図１２は、本発明の重量センサユニットを示す断面図である。 図１３は、図１２の重量センサユニットの一部平面図である。 図１２は、従来の重量センサを示す断面図である。 従来例における荷重と抵抗値の関係を示す図である。

本発明にかかる重量センサの第１の実施形態について、図１乃至図９に基づいて説明する。図１、２に示すように、重量センサ１は、円板状の第１の基板２と、円板状の第２の基板３と、第１の基板２及び第２の基板３が所定の間隔を隔てて対向するように両基板２，３の周縁部に接合された、リング状のスペーサ４とを有している。
この第１の基板２、第２の基板３、スペーサ４はステンレス鋼によって形成され、第１の基板２とスペーサ４、及び第２の基板３とスペーサ４は、図２に示すように外周円周上の５箇所において溶接Ｗより固着されている。

尚、第１の基板２、第２の基板３、スペーサ４はステンレス鋼に限定されるものではなく、他の金属であっても良い。即ち、測定する荷重の範囲内において、荷重（応力）と変形量（ひずみ）の関係が比例関係にあり、いわゆるヒステリシス特性を呈し難い材質であれば良い。また、第１の基板２とスペーサ４、及び第２の基板３とスペーサ４は、溶接より固着する方法以外に接着により固着する方法を用いても良い。

また、前記第１の基板２、第２の基板３の厚さは、作用する荷重の大きさに応じて変更される。即ち、小さな荷重を測定する場合には、前記基板の厚さが薄い方が好ましく、大きな荷重を測定する場合には、前記基板の厚さが厚い方が好ましい。
小さな荷重を測定する場合に、前記基板の厚さが厚いと、前記基板の変形量が小さく、電極層７Ａ、７Ｂの間の抵抗値の変化を測定できない虞がある。一方、大きな荷重を測定する場合に、前記基板の厚さが薄いと、前記基板の変形量が大きく、電極層７Ａ、７Ｂの間の抵抗値の変化を測定できない虞があるためである。
一例を示せば、測定荷重が１００ｇｆ〜５００ｇｆである場合には、前記第１の基板２及び第２の基板３の厚さが０．１５ｍｍ〜０．２５ｍｍであることが望ましい。

また、スペーサ４は、前記第１の基板２と第２の基板３との間の距離を規定するものである。
前記スペーサ４の厚寸法が大きい場合には、前記第１の基板２、第２の基板３の変形量が大きくないと、電極層７Ａ、７Ｂと抵抗層１０との間で接触がなされず、抵抗値変化を測定できない。即ち、小さな荷重では抵抗値の変化を測定できない虞がある。
一方、スペーサ４の厚さ寸法が小さい場合には、前記第１の基板２、第２の基板３の小さな変形量で抵抗値変化を測定できるが、大きな荷重が加わると電極層７Ａ、７Ｂと抵抗層１０がすべて領域で接触してしまい、抵抗値変化を測定できない虞がある。

このように、前記第１の基板２の厚さ、第２の基板３の厚さ、スペーサ４の厚さは、測定する荷重の大きさによって決められる。
言い換えれば、測定許容範囲内の荷重による変形量が適正の範囲内になるように、前記第１の基板２の厚さ、第２の基板３の厚さ、スペーサ４の厚さが決められる。

また、第１の基板２上には粘着層５Ａが形成され、この粘着層５Ａ上に絶縁性を有する合成樹脂層６が形成される。
この合成樹脂層６は、前記した図１４に示された第１の基板１０１に相当するものであり、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂，ポリエチレンナフタレート樹脂，ポリイミド樹脂、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性を有する合成樹脂のシートを用いることができる。この合成樹脂層６の厚さは特に限定されないが、絶縁性及び変形性を考慮すると、合成樹脂層６の厚さは、２５μｍ〜２５０μｍ程度であることが望ましい。

尚、この合成樹脂層６は、前記した合成樹脂のシートに限定されるものではなく、例えば、第１の基板２上には塗布等の手段により、合成樹脂層を形成したものであってもよい。第１の基板２上に合成樹脂層を直接形成する場合には、前記粘着層５Ａを省略しても良い。

更に、図３、４に示すように、この合成樹脂層６の上に所定の間隔を空けて対向する一対の電極層７Ａ、７Ｂ（櫛形電極）が形成される。
この一対の電極層７Ａ、７Ｂは櫛形状になされ、電極層７Ａ、７Ｂの櫛状の部分が互い違いに位置するように形成されている（図４参照）。尚、図１では、電極層７Ａ、７Ｂ（櫛形電極）は省略して図示されている。
また、一対の電極層７Ａ、７Ｂの外周には電極層７Ｃが形成され、前記電極層７Ａ，電極層７Ｃは引出し線７Ｄに接続されている。また、前記電極層７Ｂは引出し線７Ｅに接続されている。

前記一対の電極層７Ａ，７Ｂは、銀あるいは銅により構成され、膜厚は、特に限定されないが、例えば、５μｍ〜４０μｍに形成される。
尚、一対の電極層７Ａ、７Ｂは櫛形電極として形成した場合を示したが、特に櫛形状の電極に限定されるものでなく、円形状等の他の形状であってもよい。

また、第２の基板３上には粘着層５Ｂが形成され、この粘着層５Ｂ上に絶縁性を有する合成樹脂層８が形成されている。
この合成樹脂層８は、前記した図１４に示された第２の基板１０４に相当するものであり、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂，ポリエチレンナフタレート樹脂，ポリイミド樹脂、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性を有する合成樹脂のシートが用いられる。

またこの合成樹脂層８の厚さは特に限定されないが、絶縁性及び変形性を考慮すると、合成樹脂層８の厚さは、２５μｍ〜２５０μｍ程度であることが望ましい。
尚、この合成樹脂層８は、前記した合成樹脂のシートに限定されるものではなく、例えば、第２の基板３上には塗布等の手段により、合成樹脂層を形成したものであってもよい。第２の基板３上に合成樹脂層を直接形成する場合には、前記粘着層５Ｂを省略することができる。

この合成樹脂層８の表面には、図３、図６に示すように、絶縁性を有する樹脂に非導電性粒子９ａを含有した凹凸層９が形成される。尚、図１では凹凸層９、抵抗層１０が省略して図示され、図３では非導電性粒子９ａが省略して図示されている。
ここでは、非導電性粒子９ａとして二酸化ケイ素粒子を例にとって説明する。尚、非導電性粒子としては、前記二酸化ケイ素粒子に限定されるものではなく、アルミナ粒子等のセラミックス粒子、またウレタンビーズ等の合成樹脂粒子を好適に用いることができる。

前記凹凸層９は、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の絶縁性を有する樹脂に、二酸化ケイ素の粒子９ａを、１重量％〜２０重量％含有されている。
そして、図６に示すように、二酸化ケイ素の粒子９ａ間における凹凸層９の厚さｔ１は二酸化ケイ素の粒径ｔ２よりも小さく形成され、この二酸化ケイ素粒子９ａよって凹凸層９（凹凸層９の凸部）が形成される。
尚、非導電性粒子を含有した凹凸層９を形成する際、前記非導電性粒子上に前記絶縁性を有する樹脂膜９ｂが形成されなくても良いが、好ましくは樹脂膜９ｂが形成されているのがよい。

前記非導電性粒子の外形に突起等が存在する場合がある。そのため、前記非導電性粒子上に樹脂膜が形成されていない場合には、前記突起によって、樹脂膜（凹凸層９）の上面に形成される、後述する抵抗体層１０に破損が生じ、非導電性粒子が露出する虞があるためである。即ち、前記非導電性粒子９ａ上に、抵抗体層１０を形成することができない虞が生じるためである。

そして、前記したように、この凹凸層９の表面に抵抗体層１０が形成されている。この抵抗体層１０は、シリコン樹脂１重量％〜５重量％と、カーボン粉末が１重量％〜１０重量％とを、少なくとも含有したフェノール樹脂から形成されると共に、前記抵抗体層１０の膜厚が５μｍ〜２０μｍに形成されている。
前記シリコン樹脂が１重量％未満の場合柔軟性がなく変形し難く好ましくない。また５重量％を超える場合には極めて容易に変形してしまい、広範な荷重検出範囲を得ることができないため、好ましくない。

前記抵抗体層１０にシリコン樹脂が１重量％〜５重量％含有されているため、荷重が加えられた際、二酸化ケイ素粒子間の抵抗体層が容易に変形し、第２の基板３の変形に対する追従性が良く、電極層７Ａ，７Ｂと徐々に接触させることができる。
また、カーボン粉末が１重量％未満の場合には抵抗値が大きくなり過ぎ、１０重量％を超える場合には、抵抗値が小さくなり過ぎ好ましくない。

また、前記二酸化ケイ素粒子９ａ間における凹凸層９の厚さｔ１及び抵抗体層１０の厚さｔ３の総和が、凹凸層９に含有される二酸化ケイ素の粒径ｔ２よりも小さく設定されている。
そのため、図７に示すように荷重Ｐが作用し、第２の基板３、合成樹脂層８が変形すると、二酸化ケイ素粒子９ａ部分の抵抗体層１０が、最初に電極層７Ａ，７Ｂに接触するように構成されている。

また図３、５に示すように、前記した凹凸層９及び抵抗体層１０は、電極層７Ａ，７Ｂと略同一形状の円形形状に形成されるとともに、電極層７Ａ，７Ｂに相対向して形成されている。

また、図１に示すように、第１の基板２には、合成樹脂層６上に形成された接続線７Ｄ、７Ｅを外部に導出するための開口部２ａが形成されている。この開口部２ａは、接続線７Ｄ、７Ｅを導出した後、防水のため合成樹脂材により密閉される。
前記開口部２ａから導出された合成樹脂層６の下面には、両面粘着テープ１１を介して、ポリエステルからなるエアベント部材１３が設けられている。同様に、前記合成樹脂層６（接続線７Ｄ、７Ｅ）の上面には、両面粘着テープ１２を介して、ポリエステルからなるエアベント部材１４が設けられている。

このエアベント部材１３、１４の一端部は、第１の基板２、第２の基板３、スペーサ４によって囲まれる空間内に臨み、前記空間内の気圧の変化に対応して空気を抜くようになされている。即ち、第１の基板２、第２の基板３、スペーサ４に囲まれる空間が密閉状態になると、気圧の変化の影響を受け、第１の基板２、第２の基板３が適正に変形しない虞があるためである。
尚、前記接続線７Ｄ、７Ｅを外部に導出する開口部２ａが密閉されていない場合には、前記エアベント部材１３、１４を用いる必要はない。

次に、図６乃至図９に基づいて前記重量センサ１の動作、作用について説明する。
図６に示す初期状態から、図７に示すように荷重Ｐが作用すると、前記したように、第２の基板３、合成樹脂層８が変形し、空間部Ｓが狭まり、二酸化ケイ素粒子９ａ部分の抵抗体層１０が電極層７Ａ，７Ｂに接触する。
そして、加わる荷重Ｐの増加に比例して、二酸化ケイ素粒子９ａ部分（凸部）の抵抗体層１０が電極層７Ａ，７Ｂに接触することにより、一対の電極層７Ａ，７Ｂ（櫛形電極）と抵抗体層１０との接触面積が増加する。即ち、加わる荷重Ｐの増加に比例して、一対の電極層７Ａ，７Ｂ（櫛形電極）と抵抗体層１０との間の抵抗値が変化する。

そして更に、所定の大きさ以上の荷重Ｐが加えられると、第２の基板３、合成樹脂層８が変形し、図８に示すように二酸化ケイ素粒子９ａ間の抵抗体層１０と電極層７Ａ，７Ｂとの接触領域Ｘが拡大する。
このとき、二酸化ケイ素粒子９ａ部分の抵抗体層１０が既に一対の電極層７Ａ，７Ｂと接触しているため、荷重変化に対する抵抗値の変化は小さいが、二酸化ケイ素粒子９ａ間の抵抗体層１０を電極層７に徐々に接触させることにより、大きな荷重まで検出でき、広範な荷重検出範囲を得ることができる。

また、接続線７Ｄ，７Ｅを介して検出される抵抗値を、コンピュータの抵抗値・荷重変換部（図示せず）に入力することによって、抵抗値と荷重（荷重）との相関関係を用いて荷重に変換される。

この抵抗値と荷重（荷重）との相関関係については、例えば、前記重量センサ１に特定された荷重を加え、荷重の変化に対して接続線７Ｄ，７Ｅから出力される抵抗値を測定する実験を予め行うことで求めることができる。
即ち、予め、抵抗値と荷重（荷重）との相関関係を求め、これをコンピュータの記憶手段等に記憶し、重量センサ１によって検出された抵抗値をコンピュータの抵抗値・荷重変換部（演算処理装置）を介して荷重に変換することによってなされる。

ここで、前記荷重Ｐによって第２の基板３、合成樹脂層８は変形するが、第２の基板３がステンレス鋼で形成されているため、荷重（応力）と変形量（ひずみ）の関係が比例関係にあり、いわゆるヒステリシス特性を呈し難い。
即ち、図９に一例を示すように、第２の基板３が、測定する荷重の範囲内において、いわゆるヒステリシス特性を呈し難いため、重量センサの荷重を加える場合と減じていく場合とで検出される抵抗値は、略同一の抵抗値が検出され、荷重値を高精度に測定することができる。
尚、図９において、荷重と抵抗値が比例関係（直線状）にないのは、抵抗体層１０と電極層７Ａ，７Ｂとの接触領域の変化が比例関係にないことによる。

次に、本発明にかかる重量センサの第２の実施形態について、図１０および図１１に基づいて説明する。
この第２の実施形態にあっては、第１の実施形態の第２の基板の上面に変位可能な被押圧部が形成されている点が第１の実施形態と異なる。尚、第１の実施形態と同一あるいは相当する部材は、同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。

図１０，１１に示すように、重量センサ２０の第２の基板２１には、円形状の貫通孔２１Ａが形成され、その貫通孔２１Ａの内部に円形状の被押圧部２１Ｂが設けられている。
また、前記貫通孔２１Ａの内部であって前記円形状の被押圧部２１Ｂの外側に、前記被押圧部２１Ｂを囲ってリング状部２１Ｃが設けられている。
この被押圧部２１Ｂとリング状部２１Ｃは、第１の連結部２１Ｄ、２１Ｅによって、連結されている。また、前記リング状部２１Ｃは、第２の基板２１に第２の連結部２１Ｆ、２１Ｇによって、連結されている。

前記第１の連結部２１Ｄ、２１Ｅは相対向して設けられ、第２の連結部２１Ｆ、２１Ｇも相対向して設けられている。
即ち、前記被押圧部２１Ｂの中心Ｏに対して第１の連結部２１Ｄから９０度の間隔をもって第２の連結部２１Ｆが設けられ、第２の連結部２１Ｆから９０度の間隔をもって第１の連結部２１Ｅが設けられ、第１の連結部２１Ｅから９０度の間隔をもって第２の連結部２１Ｇが設けられている。

このように、円形状の被押圧部２１Ｂは、第１の連結部２１Ｄ、２１Ｅによってリング状部２１Ｃと連結され、また前記リング状部２１Ｃは第２の連結部２１Ｆ、２１Ｇによって、第２の基板２１と連結されているため、被押圧部２１Ｂに荷重が作用すると、被押圧部２１Ｂは第２の基板２１に対して、可動し、変位する。
即ち、前記被押圧部２１Ｂが押圧されると、被押圧部２１Ｂが変位し、被押圧部２１Ｂの下面に形成された第２の基板８を下方向に変位させる。その結果、電極層７Ａ，７Ｂと抵抗体層１０との接触面積が変化し、抵抗値が変化するため、第１の実施形態と同様にして、荷重の大きさを測定することができる。
尚、被押圧部２１Ｂが、前記第１の連結部２１Ｄ、２１Ｅと第２の連結部２１Ｆ、２１Ｇを介して、第２の基板２１に連結されているため、前記連結部の幅、長さを調整することにより、第２の基板２１の厚さ寸法が大きい場合であっても、小さな荷重に対しても被押圧部２１Ｂを変位させることができ、小さな荷重を測定することができる。

この実施形態にあって、第２の基板２１には、円形の貫通孔２１Ａが形成され、第１の基板２２、第２の基板２１、スペーサ４によって形成される空間が密閉されないため、第１の実施形態のように、第１の基板２のような貫通穴２ａを必ずしも設ける必要はない。この場合、接続線７Ｄ、７Ｅはスペーサ４から導出しても良い。

次に、本発明にかかる重量センサを用いた重量センサユニットについて、図１２および図１３に基づいて説明する。
この重量センサユニット３０は、第２の実施形態の第２の基板２１の上面に荷重を受ける荷重受け部３１を備えている点が第２の実施形態と異なる。尚、第１、第２の実施形態と同一あるいは相当する部材は、同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。

この重量センサユニット３０は、第２の基板２１の上面にリング状のスペーサ３２を介して円板状の第３の基板３３が設けられ、更に第３の基板３３の上面に荷重を受ける円板状の荷重受け部３１が設けられている。このスペーサ３２、第３の基板３３、荷重受け部３１は、第１、２の基板２２，２１及びスペーサ４と同様に、ステンレス鋼で形成されている。
また、前記第２の基板２１、スペーサ３２、第３の基板３３は、図１３に示すように外周円周上の５箇所において溶接Ｗより固着されている。同様に、前記荷重受け部３１と、第３の基板３３は、図１３に示すように外周円周上の５箇所において溶接Ｗより固着されている。

尚、前記荷重受け部３１、第３の基板３３、スペーサ３２、第２の基板２１の固着は溶接Ｗに限定されるものではなく、接着剤で固着しても良い。また、前記荷重受け部３１、スペーサ３２、第３の基板３３はステンレス鋼に限定されるものではなく、他の金属であっても良い。即ち、測定する荷重の範囲内において、荷重（応力）と変形量（ひずみ）の関係がいわゆるヒステリシス特性を呈し難い材質であれば良い。

また、前記荷重受け部３１の中心部にはねじ穴３１ａが設けられ、前記ねじ穴３１ａに被押圧部２１Ｂを押圧する押圧子３４が螺合するように構成されている。また、第３の基板３３には前記押圧子３４が挿通する貫通穴３３ａが形成されている。
このように構成されているため、前記押圧子３４を回転させることにより、第３の基板３３下面からの前記押圧子３４の突出長さを調整することができる。尚、押圧子３４の後端部は荷重受け部３１の上面から突出しないのが好ましい。

前記押圧子３４の先端の突出長さが調整され、第２の基板２１に接するようになされる。
そして、荷重が荷重受け部３１に作用すると、押圧子３４の先端が第２の基板２１（被押圧部２１Ｂ）上面を押圧し、第２の基板２１を変形させる。
即ち、第２の基板２１（被押圧部２１Ｂ）が押圧子３４によって押圧されると、被押圧部２１Ｂが変位し、被押圧部２１Ｂに設けられた抵抗体層１０が下方向に変位する。
その結果、電極層７Ａ，７Ｂと抵抗体層１０との接触面積が変化し、抵抗値の変化を検出することにより、第１の実施形態と同様にして、荷重の大きさを測定することができる。

上記したように重量センサユニット３０にあっては、押圧子３４を有する荷重受け部３１が設けられているため、被押圧部２１Ｂに適切に荷重を作用させることができる。
尚、押圧子３４が荷重受け部３１のねじ穴３１ａに螺合しているため、前記押圧子３４を回転させることにより、押圧子３４の先端と第２の基板２１の上面との間の距離寸法を調整し、この押圧子３４の先端を第２の基板２１に高精度に接するように配置することができる。

１ 重量センサ
２ 第１の基板
３ 第２の基板
４ スペーサ
５Ａ，５Ｂ 粘着層
６ 合成樹脂層
７Ａ，７Ｂ 電極層
８ 合成樹脂層
９ 凹凸層
１０ 抵抗層
２０ 重量センサ
２１ 第２の基板
２１Ａ 貫通穴
２１Ｂ 被押圧部
２１Ｃ リング状部
２１Ｄ，２１Ｅ 第１の連結部
２１Ｆ，２１Ｇ 第２の連結部
３０ 重量センサユニット
３１ 荷重受け部
３１ａ ねじ穴
３２ スペーサ
３３ 第３の基板
３３ａ 貫通穴

Claims (5)

1. 荷重の変化を抵抗値の変化として検出する重量センサであって、
   金属製の第１の基板と、
   前記第１の基板に相対向して配置された金属製の第２の基板と、
   前記第１の基板の周縁部と第２の基板の周縁部の間に接合されたリング状の金属製の第１のスペーサと、
   前記第１の基板の前記第２の基板側に形成された合成樹脂層と、
   前記第１の基板の前記合成樹脂層上に形成された電極層と、
   前記第２の基板の前記第１の基板側に形成された合成樹脂層と、
   前記第２の基板の前記合成樹脂層上に形成された抵抗層と、
   を備え、
   前記第１の基板、第２の基板の少なくとも一方に加わる荷重の変化によって、電極層に対する抵抗体層の接触面積が変化し、前記接触面積変化に応じた抵抗値変化を検出することによって、前記基板に加えられた荷重を検出することを特徴とする重量センサ。
2. 前記第２の基板の上面に設けられた貫通孔と、
   前記貫通孔の内部に設けられた被押圧部と、
   前記貫通孔の内部であって、前記被押圧部の外側に前記被押圧部を囲って設けられたリング状部と、
   前記被押圧部とリング状部を連結する第１の連結部と、
   前記リング状部と第２の基板とを連結する第２の連結部とを備えていることを特徴とする請求項１に記載された重量センサ。
3. 第１の基板、第２の基板、第１のスペーサがステンレス鋼からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された重量センサ。
4. 前記請求項１乃至請求項３のいずれかに記載された重量センサが用いられた重量センサユニットであって、
   前記第２の基板の上面にリング状の第２のスペーサを介して設けられた第３の基板と、
   前記第３の基板の上面に設けられた荷重受け部と、
   前記荷重受け部に形成されたねじ穴と、
   前記ねじ穴に螺合する共に、先端が第２の基板または第２の基板の被押圧部を押圧する押圧子と、
   前記押圧子が挿通する、第３の基板に形成された貫通穴と、を備え、
   前記押圧子を回転させることにより、前記押圧子の先端が第２の基板または第２の基板の被押圧部に接するようになされることを特徴とする重量センサユニット。
5. 前記第３の基板、荷重受け部、第２のスペーサがステンレス鋼からなることを特徴とする請求項４に記載された重量センサ。

Images