JP6287717B2 - Terminal connection structure, heating device, and electrostatic chuck device - Google Patents
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Description
本発明は、端子接続構造、加熱装置、並びに静電チャック装置に関するものである。 The present invention relates to a terminal connection structure, a heating device, and an electrostatic chuck device.
プラズマエッチング装置、プラズマCVD装置等のプラズマを用いた半導体製造装置においては、従来から、試料台に簡単にウエハを取付け、固定するとともに、このウエハを所望の温度に維持する装置として静電チャック装置が使用されている。 2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing apparatus using plasma such as a plasma etching apparatus and a plasma CVD apparatus, an electrostatic chuck apparatus is used as an apparatus for simply mounting and fixing a wafer on a sample stage and maintaining the wafer at a desired temperature. Is used.
このような静電チャック装置としては、例えば、内部に静電吸着用の板状電極を埋設したセラミック基体と、内部に冷媒循環用の冷媒流路が形成されたベース部と、を接着層にて接合一体化したものが知られている。
近年の半導体の大口径化やパターンの微細化に伴い、静電チャック装置に求められる特性も高まっている。
As such an electrostatic chuck device, for example, a ceramic base in which a plate electrode for electrostatic adsorption is embedded inside, and a base portion in which a refrigerant flow path for refrigerant circulation is formed inside are used as an adhesive layer. Are known to be joined together.
With the recent increase in semiconductor diameter and pattern miniaturization, characteristics required for electrostatic chuck devices are also increasing.
特許文献1には、ウエハを載置する面の温度分布を均一にするために、セラミック基体とベース部との間に加熱部材を取り付けたヒータ機能付き静電チャック装置が提案されている。加熱部材は、金属箔、又はシート状導電性部材からなる帯状の配線であり、接着材によりセラミック基体の裏面に貼り付けられている。
このヒータ機能付き静電チャック装置は、ウエハ内に局所的に温度分布を作ることができるので、ウエハの面内温度分布を膜堆積速度やプラズマエッチング速度に合わせて設定することにより、ウエハ上へのパターン形成などの局所的な膜形成や局所的なプラズマエッチングを効率よく行なうことができる。
Since this electrostatic chuck device with a heater function can create a temperature distribution locally within the wafer, the wafer surface temperature distribution can be set on the wafer by setting it according to the film deposition rate and plasma etching rate. Thus, local film formation such as pattern formation and local plasma etching can be performed efficiently.
セラミック基体の裏面に接着固定された配線状の加熱部材には、加熱部材に電力を供給するための接続端子が接続される。加熱部材と接続端子との接続には、溶接、導電性接着剤による接着、ロウ付け等の接続方法が用いられる。
加熱部材と接続端子との接続部分には、電力供給に伴う発熱による熱応力、及びセラミック基体等の構成部材の熱膨張係数差に起因する応力が生じる。加熱部材と接続端子との接続構造には、上記の応力による破損を抑制することが求められる。
本発明は、配線と電力供給用の接続端子との接続構造であって、使用時に破損しにくい端子接続構造を提供することを目的の一つとする。
A connection terminal for supplying electric power to the heating member is connected to the wiring-like heating member bonded and fixed to the back surface of the ceramic substrate. For connection between the heating member and the connection terminal, a connection method such as welding, bonding with a conductive adhesive, or brazing is used.
In the connection portion between the heating member and the connection terminal, thermal stress due to heat generation due to power supply and stress due to a difference in thermal expansion coefficient between components such as a ceramic substrate are generated. The connection structure between the heating member and the connection terminal is required to suppress damage due to the stress.
It is an object of the present invention to provide a terminal connection structure that is a connection structure between wiring and a connection terminal for supplying power and that is not easily damaged during use.
本発明の端子接続構造は、帯状の配線と、前記配線の端部に配置された接続端子と、を備え、前記接続端子は、前記端部に対向する対向面が円形状であり前記端部に3か所以上の溶接部により溶接されており、前記溶接部は、前記対向面の中心を通過し前記配線の延びる方向に沿った対称軸に対して線対称に配置され、且つ前記対向面の中心を通過し前記対称軸と直交する基準軸に対して、前記配線の延びる側に2か所以上配置され反対側に1か所以上配置されている。
The terminal connection structure of the present invention includes a strip-shaped wiring and a connection terminal disposed at an end of the wiring, and the connection terminal has a circular opposing surface facing the end, and the end Are welded by three or more welds, and the welds are arranged symmetrically with respect to an axis of symmetry passing through the center of the opposing surface and extending in the direction of the wiring, and the
この構成によれば、接続端子の対向面に3か所以上の溶接部が設けられ、各溶接部が対向面の中心より配線の延びる側に2か所以上設けられる。接続端子から帯状の配線に供給される電流は、配線の延びる方向に沿って流れる。溶接部が対向面の中心より配線の延びる側に2か所以上設けられていることで、電流が分散して、各溶接部に流れる電流が1か所に集中することがない。これにより、電流の集中により局所的に温度が高まることを抑制できる。
さらに、溶接部が対称軸に対し線対称に位置していることで、溶接部の数が少ない場合(例えば3か所)であっても、配線の延びる側に配線から等距離の溶接部が2つ配置される。これにより、特定の溶接部に電流が集中することを確実に防ぐことができる。
加えて、溶接部が、前記配線の延びる側と反対側に1か所以上配置されているため、接続端子の対向面において、溶接部がバランスよく配置される。これによって、任意の方向から接続端子に外力が加わった場合において、対向面を配線から引き剥がそうとする力を、各溶接部にバランスよく分散させ溶接部の破損を抑制することができる。
According to this configuration, three or more welded portions are provided on the facing surface of the connection terminal, and each welded portion is provided on the side where the wiring extends from the center of the facing surface. The current supplied from the connection terminal to the strip-shaped wiring flows along the direction in which the wiring extends. By providing two or more welded portions on the side where the wiring extends from the center of the opposing surface, the current is not dispersed and the current flowing through each welded portion is not concentrated in one location. Thereby, it can suppress that temperature rises locally by concentration of an electric current.
Furthermore, since the welded portion is positioned in line symmetry with respect to the axis of symmetry, even when the number of welded portions is small (for example, three locations), the welded portion equidistant from the wire is located on the side where the wire extends. Two are arranged. Thereby, it can prevent reliably that an electric current concentrates on a specific welding part.
In addition, since one or more welded portions are disposed on the side opposite to the side where the wiring extends, the welded portions are disposed in a balanced manner on the facing surface of the connection terminal. Accordingly, when an external force is applied to the connection terminal from an arbitrary direction, the force for peeling off the facing surface from the wiring can be distributed in a balanced manner to each welded portion, and damage to the welded portion can be suppressed.
また、上記の端子接続構造は、前記溶接部が、前記対向面の周縁より内側に位置するものであっても良い。 Moreover, said terminal connection structure WHEREIN: The said welding part may be located inside the periphery of the said opposing surface.
この構成によれば、接続端子に外力が加わり、対向面の周縁部を支点として接続端子を配線の溶接面に対して傾かせようとする力が生じた場合に、溶接部が、対向面の周縁より内側に設けられていることで、溶接部に破損の起点が生じにくくなる。 According to this configuration, when an external force is applied to the connection terminal and a force is generated to tilt the connection terminal with respect to the welding surface of the wiring with the peripheral edge of the facing surface as a fulcrum, the welded portion is By being provided inside the periphery, the starting point of breakage is less likely to occur in the welded portion.
また、上記の端子接続構造は、前記溶接部が、前記対向面の中心に対して回転対称に配置されていても良い。 In the terminal connection structure, the welded portion may be arranged rotationally symmetrically with respect to the center of the facing surface.
この構成によれば、対向面の中心に対して溶接部が回転対称とされているため、溶接部が周方向に均等に配置されることとなる。これによって、任意の方向から接続端子に外力が加わった場合において、対向面を配線から引き剥がそうとする力を、各溶接部にバランスよく分散させ溶接部の破損を抑制することができる。 According to this configuration, since the welded portion is rotationally symmetric with respect to the center of the opposing surface, the welded portion is evenly arranged in the circumferential direction. Accordingly, when an external force is applied to the connection terminal from an arbitrary direction, the force for peeling off the facing surface from the wiring can be distributed in a balanced manner to each welded portion, and damage to the welded portion can be suppressed.
また、上記の端子接続構造は、前記溶接部が、前記対向面と同心の仮想円上に配列され、前記仮想円の円周長さに対し、前記溶接部の比率が50%以下であっても良い。 Further, in the terminal connection structure, the welded portion is arranged on a virtual circle concentric with the facing surface, and a ratio of the welded portion is 50% or less with respect to a circumferential length of the virtual circle. Also good.
この構成によれば、隣り合う溶接部同士の間に溶接部の大きさ以上の距離の溶接されていない部分が設けられることとなる。配線と接続端子とが、熱膨張、熱収縮、又は吸湿によって相対的に変位する場合に、溶接部が変形し、配線と接続端子との相対的な変位を許容でき、溶接部に加わる応力を分散できる。 According to this structure, the part which is not welded of the distance more than the magnitude | size of a welding part will be provided between adjacent welding parts. When the wiring and the connection terminal are relatively displaced due to thermal expansion, thermal contraction, or moisture absorption, the welded part is deformed, and the relative displacement between the wiring and the connection terminal can be allowed, and the stress applied to the welded part is increased. Can be distributed.
また、上記の端子接続構造は、前記溶接部が、電子ビーム溶接により形成されていても良い。 In the terminal connection structure described above, the weld portion may be formed by electron beam welding.
この構成によれば、電子ビームによる点溶接により溶接部を形成できる。したがって、溶接工程の工程時間を短縮できる。また、接続端子の対向面と反対側の面に電子ビームを照射することで、対向面と配線との溶接が可能であり、溶接工程を簡素化できる。加えて、電子ビーム溶接は、溶接部に加えられる入熱量が少ない為、溶接後の歪み等を抑制できる。 According to this configuration, the welded portion can be formed by spot welding with an electron beam. Therefore, the process time of the welding process can be shortened. Further, by irradiating the surface opposite to the facing surface of the connection terminal with the electron beam, the facing surface and the wiring can be welded, and the welding process can be simplified. In addition, since electron beam welding has a small amount of heat input applied to the welded portion, distortion after welding can be suppressed.
また、上記の端子接続構造は、前記接続端子には、前記対向面に達する複数の貫通孔が設けられ、前記溶接部が、前記貫通孔の対向面側開口と前記端部との界面の一部もしくは全周に亘りレーザ溶接により形成されていても良い。 In the above terminal connection structure, the connection terminal is provided with a plurality of through holes reaching the facing surface, and the welded portion is an interface between the opening on the facing surface side of the through hole and the end portion. It may be formed by laser welding over a part or the entire circumference.
この構成によれば、溶接部に直接的にレーザを照射して効率よく溶接工程を行うことができる。したがって、配線、接続端子、並びにこれらの周囲に配置された部材に熱の影響を少なくして溶接を行うことができる。 According to this structure, a welding process can be efficiently performed by irradiating a laser directly on a welding part. Therefore, it is possible to perform welding while reducing the influence of heat on the wiring, the connection terminals, and the members disposed around them.
また、上記の端子接続構造の実施形態に係る加熱装置は、セラミックス焼結体からなるセラミック板状体と、前記セラミック板状体に接着固定された前記配線としてのヒータパターンと、前記ヒータパターンの端部に設けられた前記端子接続構造と、を有する。 The heating device according to the embodiment of the terminal connection structure includes a ceramic plate-like body made of a ceramic sintered body, a heater pattern as the wiring bonded and fixed to the ceramic plate-like body, and the heater pattern. And the terminal connection structure provided at the end.
また、実施形態に係る静電チャック装置は、前記加熱装置を有する。 Moreover, the electrostatic chuck apparatus which concerns on embodiment has the said heating apparatus.
本発明の端子接続構造によれば、加熱部材への電力供給に伴う発熱による熱応力、及びセラミック基体等の構成部材の熱膨張係数差に起因する応力が生じた場合であっても、接続部で破損が生じることを抑制できる。 According to the terminal connection structure of the present invention, even when a thermal stress due to heat generation due to the power supply to the heating member and a stress due to a difference in thermal expansion coefficient between components such as a ceramic substrate occur, the connection portion It is possible to suppress the occurrence of damage.
以下に静電チャック装置の各実施形態について、図面に基づき説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴部分を強調する目的で、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、同様の目的で、特徴とならない部分を省略して図示している場合がある。 Embodiments of the electrostatic chuck device will be described below with reference to the drawings. In the drawings used in the following description, for the purpose of emphasizing the feature portion, the feature portion may be shown in an enlarged manner for convenience, and the dimensional ratios of the respective constituent elements are not always the same as in practice. Absent. In addition, for the same purpose, portions that are not characteristic may be omitted from illustration.
<<第1実施形態>>
図1は、第1実施形態の第1の端子接続構造1、及び第2の端子接続構造2が設けられた静電チャック装置100を示す断面図である。
静電チャック装置100は、板状試料Wを設置する円板状の静電チャック部(セラミック板状体)20と、静電チャック部20を冷却する円板状の冷却ベース部50と、これらを接着一体化する樹脂層80と、を有している。換言すると、静電チャック装置100は、冷却ベース部50、樹脂層80、静電チャック部20がこの順に図1の+Z方向(高さ方向)に積層された構造を有する。
<< First Embodiment >>
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an
The
静電チャック部20は、板状試料Wを載置する第1の面20aと、その反対側の第2の面20bとを有している。第2の面20bには接着材6により接着固定された加熱部材(配線、ヒータパターン)7が設けられている。
また、静電チャック部20は、静電吸着用内部電極23と、静電吸着用内部電極23から静電チャック部20の厚さ方向に貫通し、静電吸着用内部電極23に電圧を印加する内部電極端子24と、を有している。
The
The
冷却ベース部50は、静電チャック部20と対向する第1の面50aと、その反対側であり静電チャック装置100の取付面となる第2の面50bとを有する。
冷却ベース部50には、厚さ方向に貫通する貫通孔51が設けられている。貫通孔51には、絶縁管(碍子)15が埋設されている。絶縁管15には、給電端子32、固定板16、接続線33、並びに接続端子40が内挿されている。接続端子40は、加熱部材7に溶接により接合され第1の端子接続構造1又は第2の端子接続構造2を構成している。
また、静電チャック部20と加熱部材7と第1、第2の端子接続構造1、2とは、加熱装置5を構成している。
The
The
The
以下、図1を基に、各部の構成について詳細に説明する。
<静電チャック部(セラミック板状体)>
静電チャック部20は、半導体ウエハ、金属ウエハ、ガラス基板等の板状試料Wを設置する載置板21と、載置板21に対向配置された支持板22と、載置板21と支持板22の間に挟まれた静電吸着用内部電極23と、支持板22に埋設された内部電極端子24と、を有している。
Hereinafter, the configuration of each unit will be described in detail with reference to FIG.
<Electrostatic chuck (ceramic plate)>
The
これら載置板21及び支持板22は、重ね合わせた面の形状を同じくする円板状のもので、酸化アルミニウム−炭化ケイ素(Al2O3−SiC)複合焼結体、酸化アルミニウム(Al2O3)焼結体、窒化アルミニウム(AlN)焼結体、酸化イットリウム(Y2O3)焼結体等の、機械的な強度と腐食性ガス及びそのプラズマに対する耐久性を有する絶縁性のセラミックス焼結体からなるものとすることが好ましい。
また、載置板21を上記のセラミックス焼結体とし、支持板22をポリイミドなどの絶縁性の樹脂とすることで、安価な構造としても良い。
The mounting
Moreover, it is good also as a cheap structure by making the mounting
載置板21の一面であり板状試料Wを設置する第1の面20aには、直径が板状試料Wの厚さより小さい突起部26が複数個形成されており、突起部26が板状試料Wを支える構成となっている。
支持板22には、厚さ方向に貫通する孔22aが設けられている。孔22aには、内部電極端子24が挿通する。
A plurality of
The
静電吸着用内部電極23は、電荷を発生させて静電吸着力で板状試料Wを固定するための静電チャック用電極として用いられるもので、その用途によって、その形状や、大きさが適宜調整される。
静電吸着用内部電極23の材料は、載置板21及び支持板22に使用する材料との熱膨張差や耐熱性などを考慮して選定される。例えば、静電吸着用内部電極23は、酸化アルミニウム−炭化タンタル(Al2O3−Ta4C5)導電性複合焼結体、酸化アルミニウム−タングステン(Al2O3−W)導電性複合焼結体、酸化アルミニウム−炭化ケイ素(Al2O3−SiC)導電性複合焼結体、窒化アルミニウム−タングステン(AlN−W)導電性複合焼結体、窒化アルミニウム−タンタル(AlN−Ta)導電性複合焼結体、酸化イットリウム−モリブデン(Y2O3−Mo)導電性複合焼結体等の導電性セラミックス、あるいは、タングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)等の高融点金属や、銀(Ag)、炭素(C)等を使用することができる。
静電吸着用内部電極23は、スパッタ法や蒸着法等の成膜法、あるいはスクリーン印刷法等の塗工法により容易に形成することができる。
The
The material of the
The electrostatic adsorption
内部電極端子24は、静電吸着用内部電極23に直流電圧を印加するために設けられている。内部電極端子24は、静電吸着用内部電極23から孔22aを挿通して厚さ方向に延び、静電チャック部20の第2の面20bに露出している。内部電極端子24には、図示略の直流電源回路が接続され、静電吸着用内部電極23に電圧を印加する構成となっている。
内部電極端子24の材料は、耐熱性に優れた導電性材料であれば特に制限されるものではないが、熱膨張係数が静電吸着用内部電極23及び支持板22の熱膨張係数に近似したものが好ましい。例えば、静電吸着用内部電極23を構成している導電性セラミックス、あるいは、タングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、コバール合金等の金属材料が好適に用いられる。
The
The material of the
<樹脂層>
図1に示すように、樹脂層80は、静電チャック部20の第2の面20bと冷却ベース部50の第1の面50aの間に介在する。樹脂層80は、加熱部材7が接着された静電チャック部20と冷却ベース部50とを接着一体化するとともに、熱応力の緩和作用を有する。
樹脂層80は、その内部や、静電チャック部20の第2の面20b、加熱部材7の下面(−Z側の面)、並びに冷却ベース部50の第1の面50aとの界面に空隙や欠陥が少ないことが望まれる。空隙や欠陥が形成されていると、熱伝達性が低下して板状試料Wの均熱性が阻害される虞がある。
<Resin layer>
As shown in FIG. 1, the
The
樹脂層80は、例えば、シリコーン系樹脂組成物を加熱硬化した硬化体またはアクリル樹脂で形成されている。樹脂層80は、流動性ある樹脂組成物を静電チャック部20と冷却ベース部50の間に充填した後に加熱硬化させることで形成することが好ましい。冷却ベース部50の第1の面50aには加熱部材7が設けられており、これにより凹凸が形成されている。また、冷却ベース部50の第1の面50a及び静電チャック部20の第2の面20bは必ずしも平坦ではない。流動性の樹脂組成物を冷却ベース部50と静電チャック部20の間に充填させた後に硬化させて樹脂層80を形成することで、静電チャック部20と冷却ベース部50の凹凸に起因して樹脂層80に空隙が生じることを抑制できる。これにより、樹脂層80の熱伝導特性を面内に均一にすることが出来、静電チャック部20の均熱性を高めることが出来る。
なお、加熱部材7の端部8A、8Bには、加熱部材7に給電するための接続端子40が溶接固定される。樹脂層80を形成する工程では、端部8A、8Bに樹脂層80が回り込まないようにマスクしておくことが好ましい。
The
A
<冷却ベース部>
冷却ベース部50は、静電チャック部20を所望の温度に調整するためのもので、厚さのある円板形状を有する。
冷却ベース部50としては、例えば、内部に冷媒を循環させる流路(図示略)が形成された液冷ベース等が好適である。
冷却ベース部50を構成する材料としては、熱伝導性、導電性、加工性に優れた金属、またはこれらの金属を含む複合材であれば特に制限はなく、例えば、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金、銅(Cu)、銅合金、ステンレス鋼(SUS) 等が好適に用いられる。冷却ベース部50の少なくともプラズマに曝される面は、アルマイト処理が施されているか、あるいはアルミナ等の絶縁膜が成膜されていることが好ましい。
また、冷却ベース部50の静電チャック部20と対向する第1の面50aに、ポリイミドなどの絶縁性樹脂シートを貼り付け、耐電圧特性を向上させても良い。
<Cooling base part>
The
As the
The material constituting the
In addition, an insulating resin sheet such as polyimide may be attached to the
冷却ベース部50には、貫通孔51が設けられている。貫通孔51には、絶縁管15、給電端子32、接続線33、接続端子40、並びに固定板16が内挿されている。
またその他に、冷却ベース部50には、内部電極端子24に電圧を印加するための給電部が配置される貫通孔、板状試料Wの処理工程でウエハを押し上げるリフトピンを挿通させるための貫通孔、並びに板状試料Wと静電チャック部20との間に供給する冷却ガスを供給するための貫通孔、等の目的に応じて複数の貫通孔が設けられている。
The
In addition, in the
<加熱部材(配線、ヒータパターン)>
加熱部材7は、帯状の配線であり、静電チャック部20の第2の面20bに接着材6を介して固着されている。
図2に第2の面20bに形成された加熱部材7の平面パターンの一例を示す。加熱部材7は、相互に独立した2つのヒータ(内ヒータ7a、外ヒータ7b)とから構成されている。内ヒータ7aは、第2の面20bの中心部に形成され、外ヒータ7bは、第2の面20bの周縁部であって、内ヒータ7aの外側に、環状の外形に形成されている。
<Heating member (wiring, heater pattern)>
The
FIG. 2 shows an example of a planar pattern of the
内ヒータ7a及び外ヒータ7bは、それぞれが、帯状に蛇行させた金属材料のヒータパターン、即ち配線であり、第2の面20b全体に固着されている。
内ヒータ7aの端部8B及び外ヒータ7bの端部8Aには接続端子40が接続される。接続端子40から供給される電流によって、内ヒータ7a及び外ヒータ7bは発熱する。
加熱部材7の平面パターンは、上記のように相互に独立した2つ以上のヒータパターンにより構成してもよいが、1つのヒータパターンにより構成することもできる。しかしながら、本実施形態のように、複数の相互に独立したヒータ(内ヒータ7a、外ヒータ7b)により構成することで、内ヒータ7a及び外ヒータ7bを個々に制御して、載置板21の載置面に静電吸着により固定されている板状試料Wの面内温度分布を自由にかつ精度良く制御できる。
Each of the
A
The planar pattern of the
加熱部材7は、厚さが0.2mm以下、好ましくは0.1mm以下の一定の厚さを有する。
加熱部材7の厚さが0.2mmを超えると、加熱部材7のパターン形状が板状試料Wの温度分布として反映され、板状試料Wの面内温度を所望の温度パターンに維持することが困難になる。
また、加熱部材7を一定の厚さとすることで、加熱部材7の発熱量も加熱面全域で一定とすることができる。これにより、静電チャック部20の第1の面20aにおける温度分布を均一化できる。
The
When the thickness of the
In addition, by setting the
加熱部材7は、非磁性の金属薄板からなることが好ましく、例えば、チタン(Ti)薄板、タングステン(W)薄板、モリブデン(Mo)薄板等をフォトリソグラフィー法により、所望のヒータパターンにエッチング加工することで形成できる。
加熱部材7を非磁性金属で形成することで、静電チャック装置100を高周波雰囲気中で用いても加熱部材7が高周波により自己発熱しない。したがって、高周波雰囲気中であっても、板状試料Wの面内温度を所望の一定温度または一定の温度パターンに維持することが容易となる。
The
By forming the
接着材6は、加熱部材7を静電チャック部20の第2の面20bに接着するために設けられており、加熱部材7と同一の平面形状を有する。
接着材6は、シート状またはフィルム状の接着性樹脂であり、耐熱性及び絶縁性を有するものであることが好ましく、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等を採用できる。
接着材6の厚さは5μm以上100μm以下が好ましく、より好ましくは10μm以上50μm以下である。接着材6の面内の厚さのバラツキは10μm以内が好ましい。接着材6の面内の厚さのバラツキが10μmを超えると、静電チャック部20と加熱部材7との面内間隔に10μmを超えるバラツキが生じる。その結果、加熱部材7から静電チャック部20に伝達される熱の面内均一性が低下し、静電チャック部20の載置面における面内温度が不均一となる虞がある。
The adhesive 6 is provided to adhere the
The adhesive 6 is a sheet-like or film-like adhesive resin, and preferably has heat resistance and insulation, and a polyimide resin, a silicone resin, an epoxy resin, or the like can be employed.
The thickness of the adhesive 6 is preferably 5 μm or more and 100 μm or less, and more preferably 10 μm or more and 50 μm or less. The in-plane thickness variation of the adhesive 6 is preferably within 10 μm. If the in-plane thickness variation of the adhesive 6 exceeds 10 μm, the in-plane spacing between the
<絶縁管>
絶縁管15は、貫通孔51に埋設されている。絶縁管15には、給電端子32、固定板16、接続線33、並びに接続端子40が内挿されている。
なお、絶縁管15は、図2に示す内ヒータ7aの端部8B、8B及び外ヒータ7bの端部8A、8Aに対応して4つ設けられており、各々の絶縁管15に、給電端子32、固定板16、接続線33、並びに接続端子40がそれぞれ内挿され、加熱部材7に電流を供給する。
絶縁管15の材料は樹脂製であってもセラミックス製であっても良いが、熱伝導、耐熱性、耐電圧、寸法精度、コストなどの面からセラミックス製とすることが好ましく、酸化アルミニウムなどを好適に採用できる。
<Insulation tube>
The insulating
Note that four insulating
The material of the insulating
<給電端子>
給電端子32は、雌型コネクタである。給電端子32には、外部の電源から静電チャック装置100に電気を供給するための雄型コネクタ(図示略)を接続することができる。給電端子32は導電性のものであればその材料は限定されない。給電端子32は、固定板16を介して、冷却ベース部50の貫通孔51に固定されている。給電端子32には、接続線33が接続されている。
<Power supply terminal>
The
<固定板>
固定板16は、貫通孔51の下面(−Z側)の開口部に取り付けられている。給電端子32と固定板16の固定、並びに固定板16と冷却ベース部50との固定は、例えばネジ止めによって行うことができる。また、固定板16は、絶縁管15と固定する構造となっていてもよい。固定板16の材料にはセラミックスや絶縁性樹脂などが適宜選定される。
<Fixed plate>
The fixing
<接続線>
接続線33は、接続端子40と給電端子32を電気的に接続するために設けられている。接続線33としては、可撓性を有する電気ケーブルを使用し、弛緩した状態で接続端子40と給電端子32との間のスペースに収納されることが好ましい。
接続線33として可撓性を有する電気ケーブルを用い、弛緩させた状態で収納することで、冷却ベース部50が熱膨張及び熱収縮して、接続端子40と給電端子32との距離が変わる場合であっても、距離の変化を吸収できる。したがって、接続端子40、給電端子32、並びにこれらの接続部に負荷が加わることを防止できる。また、接続線33は、給電端子32に外力や衝撃が加わった場合であっても接続端子40に伝わることを防ぎ、接続端子40及びその接続部に破損が生じることを防止できる。
<Connection line>
The
When a flexible electric cable is used as the
<接続端子>
接続端子40は、加熱部材7に接合される対向面41a側(+Z側)に設けられた円形の鍔部41と、鍔部41から立設された円柱部42とを有している。
接続端子40の材料は金属又は金属とセラミックスの複合体であり、加熱部材7の材料と同じ材料、若しくは加熱部材7の材料と同じ材料と他の材料の複合材料とすることが好ましい。
<Connection terminal>
The
The material of the
円柱部42の端面42aには、接続線33が接続される。接続端子40と接続線33とは、溶接又は半田付け等の接続方法で接続する。また、接続端子40の円柱部42を雄ネジ部と雌ネジ部の分割構造とする等して、雄ネジ部と雌ネジ部の間に接続線33を機械的に挟み込んで電気的な接続を行っても良い。
A
接続端子40と加熱部材7の端部8A(図2参照)との接続は、溶接によって行われ、第1の端子接続構造1を形成する。同様に接続端子40と加熱部材7の端部8Bとは、溶接による接合により第2の端子接続構造2を形成している。第1、第2の端子接続構造1、2について、以下に説明を行う。
The connection between the
<<端子接続構造>>
第1の端子接続構造1は、加熱部材7の外ヒータ7bの端部8Aと接続端子40とが溶接により接続されて構成される。
図3、図4に、第1の端子接続構造1を示す。図3は第1の端子接続構造1の斜視図であり、図4(a)は対称軸L1に沿った第1の端子接続構造1の断面図であり、図4(b)は第1の端子接続構造1の平面図である。なお、図4(a)、(b)では、接続線33の図示を省略する。
第1の端子接続構造1は、帯状の配線である加熱部材7と、加熱部材7の端部8Aに配置された接続端子40と、を有している。また、第1の端子接続構造1は、加熱部材7の端部8Aと接続端子40の対向面41aとの界面に6か所の溶接部61を有している。
<< Terminal connection structure >>
The first
3 and 4 show the first
The first
端部8Aは、加熱部材7の終端に位置しており、加熱部材7の線幅より大径の円形に形成されている。帯状に形成された加熱部材7の幅方向中心軸を端部8A側に延長した直線上に、円形に形成された端部8Aの中心O1が配置されている。
The end 8 </ b> A is located at the end of the
接続端子40の鍔部41は、加熱部材7の端部8Aと対向する対向面41aと、対向面41aと反対側に位置する背面41bとを有している。
接続端子40は、対向面41aが端部8Aに向かい合って接触するように配置される。接続端子40は、対向面41aの中心O2が端部8Aの中心O1と一致するように配置される。
The
The
溶接部61は、接続端子40の対向面41aと加熱部材7の端部8Aとの界面に形成されている。溶接部61は、電子ビーム溶接により形成された点溶接部である。溶接部61の平面形状は、電子ビームの照射形状(スポット形状)である円形状となる。
The
図4(a)に示すように、溶接部61は、電子ビームEBのスポット62を鍔部41の背面41bに照射することで形成される。電子ビームEBは、スポット62において鍔部41を厚さ方向に亘って加熱する。これにより、鍔部41の内部には、被加熱部62aが形成される。また、電子ビームEBによる加熱は、対向面41aに達して端部8Aと接続端子40とを加熱する。これにより端部8Aと対向面41aとが溶接接合され、溶接部61が形成される。このような、電子ビーム溶接は、真空中で行われる。
なお、図4(a)において、電子ビームEB及び被加熱部62aは、溶接工程を示すために便宜的に図示したものである。
As shown in FIG. 4A, the welded
In FIG. 4A, the electron beam EB and the heated portion 62a are shown for convenience in order to show the welding process.
図4(b)に示すように、第1の端子接続構造1の溶接部61は、対向面41aに6か所配置されている。各溶接部61は、円形の対向面41aと同心の仮想円P上に配列されている。また、各溶接部61は、対向面41aの中心O2に対して回転対称(6回対称)に配置されている。
As shown in FIG.4 (b), the six
背面41bは、円柱部42の周面から、鍔部41の周縁までの領域である。
スポット62は、背面41bの半径方向中央に位置している。したがって、溶接部61は、対向面41aの周縁より内側に位置している。
The
The
図4(a)に示すように、接続端子40の円柱部42に、外力Fが加わった場合を想定する。外力Fが加わると、対向面41aの周縁部において外力Fと反対側の点を支点Bとして接続端子40を傾かせ、対向面41aを端部8Aから引き剥がそうとする回転モーメントが生じる。
第1の端子接続構造1は、6か所の溶接部61が対向面41aの中心O2に対し回転対称とされていることで、溶接部61が周方向に均等に配置されることとなる。したがって、いかなる方向から外力Fが加わった場合でも、対向面41aを端部8Aから引き剥がそうとする力に対抗して、溶接部61の破損を抑制することができる。
また、第1の端子接続構造1は、溶接部61が、対向面41aの周縁より内側に設けられていることで、外力Fが加わった時に、溶接部61に破損の起点が生じにくくなる。
As shown in FIG. 4A, it is assumed that an external force F is applied to the
In the first
Moreover, the 1st
また、第1の端子接続構造1は、仮想円Pの円周長さに対し、仮想円Pと重なる溶接部61の長さの比率が50%以下となっている。したがって、隣り合う溶接部61同士の間に溶接部61の直径以上の距離の溶接されていない部分が設けられている。第1の端子接続構造1の端部8A及び接続端子40は、それぞれ固定される部材や、端部8A及び接続端子40自身の熱膨張、熱収縮、又は吸湿によって相対的に位置が変位することがある。隣り合う溶接部61同士の間に溶接部61の大きさ以上の距離が設けられていることで、溶接部61は柔軟性を得ることができる。したがって、端部8A及び接続端子40の相対的な変位を許容するように、溶接部61が変形することができ、溶接部61に加わる応力を分散できる。
第1の端子接続構造1は、同様の理由から仮想円Pの円周長さに対し、仮想円Pと重なる溶接部61の長さの比率が30%以下となっていることがより好ましい。
In the first
In the first
図4(b)に示すように、対向面41aの中心O2を通過し、加熱部材7の延びる方向に沿って対称軸L1を設定する。また、対向面41aの面内において、対向面41aの中心O2を通過し対称軸L1と直交する基準軸L2を設定する。
6か所の溶接部61のうち2か所は、その中心が対称軸L1上に配置される。6か所の溶接部61は対向面41aの中心に対し回転対称に配置されているために、各溶接部61は、対称軸L1に対し線対称となる。
接続端子40から加熱部材7に流れる電流は、各溶接部61から加熱部材7の延びる方向に向かって流れる。
溶接部61の電位勾配(電場)は、端部8Aにおいて加熱部材7が延び出る延出端9に近づくほど小さくなる。したがって、6か所の溶接部61のうち、延出端9からの距離が近い溶接部61ほど電流が流れやすい。なお、対称軸L1は、延出端9の中点Cを通過している。
本実施形態において、6か所の溶接部61のうち、3か所は、対向面41aの基準軸L2よりも加熱部材7に近い位置に設けられている。これによって、溶接部61の総面積のうちの約半分を延出端9に近い領域に配置する。延出端9から近いほど電流は流れやすいため、電流の流れやすい領域に溶接部61の総面積の半分を確保することで、特定の溶接部61に電流が集中することを防ぐことができる。
As shown in FIG. 4B, the axis of symmetry L1 is set along the direction in which the
Two of the six
The current that flows from the
The potential gradient (electric field) of the welded
In the present embodiment, three of the six
また、第1の端子接続構造1は、電子ビーム溶接による接続構造であるため、導電性接着材やろう付け等で接着する場合と比較して、接続抵抗が低く、接続工程で大きな熱が発生しにくい。
接続抵抗が高い接続方法を採用すると、接続端子40を介して加熱部材7に電流を流した際に接続部の発熱が大きくなり静電チャック部20の温度を精密に制御できなくなる虞がある。また、接続工程で大きな熱が発生する接続方法を採用すると、過剰な温度上昇により接着材6が劣化する虞がある。電子ビーム溶接を静電チャック装置100に採用することで、静電チャック部20の温度の精密な制御が可能となり、また接続工程における接着材6の劣化を抑制できる。
In addition, since the first
When a connection method having a high connection resistance is employed, when a current is passed through the
次に、第2の端子接続構造2について説明する。
図5は、第2の端子接続構造2の平面図である。第2の端子接続構造2は、加熱部材7の外ヒータ7bの端部8Bと接続端子40とが溶接により接続されて構成される。
第2の端子接続構造2は、上述した第1の端子接続構造1と比較して端部8Bの形状が異なる。上述した第1の端子接続構造1と同一態様の構成要素については、同一符号を付し、その説明を省略する。
第2の端子接続構造2は、帯状の配線である加熱部材7と、加熱部材7の端部8Bに配置された接続端子40と、を有している。接続端子40は、対向面41aの中心O2が端部8Bの中心O1と一致するように配置される。
Next, the second
FIG. 5 is a plan view of the second
The second
The 2nd
溶接部63は、対向面41aに6か所配置されている。各溶接部63は、円形の対向面41aと同心の仮想円P上に配列されている。また、各溶接部63は、対向面41aの中心O2に対して回転対称(6回対称)に配置されている。また、溶接部63は、対向面41aの周縁より内側に位置している。
The
端部8Bは、加熱部材7の端末に位置しており、加熱部材7の線幅より直径の大きい円形に形成されている。帯状に形成された加熱部材7の幅方向中心軸と、円形に形成された端部8Bの中心O1とは一致しておらず、加熱部材7の一方の幅方向端部が端部8Bの円周接線として連続している。即ち、端部8Bは、加熱部材の終端で、幅方向一方側に膨出したように形成されている。
The end 8 </ b> B is located at the end of the
図5に示すように、対向面41aの中心O2と、加熱部材7が延びる方向である延出端10の中点Cと、を通過する対称軸L3を設定する。また、対向面41aにおいて、対向面41aの中心O2を通過し対称軸L3と直交する基準軸L4を設定する。
第2の端子接続構造2は、6か所の溶接部63のうち、3か所は、対向面41aの基準軸L4より加熱部材7の延びる方向に近い位置に設けられている。これによって、延出端10に近い領域に溶接部63の面積を十分に確保することができ、電流が特定の溶接部63に集中して流れることを防ぐことができる。
As shown in FIG. 5, a symmetry axis L3 passing through the center O2 of the facing
In the second
その他に、第2の端子接続構造2は、6か所の溶接部63が回転対称に配置され、溶接部63が対向面41aの周縁より内側に配置されていることで、第1の端子接続構造1と同様に溶接部63の破損を抑制するという効果を奏する。
In addition, the second
<<第1実施形態の変形例>>
第1実施形態の第1の端子接続構造1及び第2の端子接続構造2において溶接部61及び溶接部63は、対向面41aに6か所配置されているが、溶接部は、3か所以上であれば良い。
以下に、第1実施形態の変形例1〜3として、端子接続構造1A、端子接続構造1B、端子接続構造1Cについて説明を行う。
<< Modification of First Embodiment >>
In the first
Below, the
図6〜図8は第1実施形態の変形例1〜変形例3の端子接続構造1A、1B、1Cをそれぞれ表す平面図である。端子接続構造1A、1B、1Cは、加熱部材7の外ヒータ7bの端部8Aと接続端子40とが溶接により接続されて構成される点で、第1実施形態の第1の端子接続構造1と同様である。第1の端子接続構造1と比較して、端子接続構造1Aは、溶接部64が3か所設けられている点が異なり、端子接続構造1Bは、溶接部64が4か所設けられている点が異なり、端子接続構造1Cは、溶接部64が5か所設けられている点が異なる。
以下、各変形例について、具体的に説明を行う。なお、上述の第1実施形態と同一態様の構成要素については、同一符号を付し、その説明を省略する。
6 to 8 are plan views illustrating the
Hereinafter, each modification will be specifically described. In addition, about the component of the same aspect as the above-mentioned 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted.
図6に示すように、変形例1の端子接続構造1Aは、3か所の溶接部64が対称軸L1に対し線対称に配置されている。また、3か所の溶接部64のうち2か所は、基準軸L2より加熱部材7が延びる側に配置されている。
これにより、端部8Aにおいて加熱部材7が延び出る延出端9から等距離に、溶接部64のうち、基準軸L2より加熱部材7側に配置された2か所の溶接部64が配置されている。各溶接部64の電位勾配(電場)は、延出端9からの距離に応じて決まるため、延出端9側に配置された2か所の溶接部64に流れる電流値は、略同じとなり、各溶接部64に流れる電流を電流全体の半分以下とすることができる。即ち、電流が1つの溶接部64に集中することがなく、電流の集中による局所的に温度が高まることを抑制できる。
As shown in FIG. 6, in the
As a result, the two welded
3か所の溶接部64は、対向面41aの中心O2に対し回転対称(3回対称)に設けられていることが好ましい。これにより、接続端子40を傾けさせ、対向面41aを端部8Aから引き剥がすような外力が加わった場合に、各溶接部64に力が分散し、溶接部64の損傷を抑制できる。
The three
図7に示すように、変形例2の端子接続構造1Bは、4か所の溶接部65が対称軸L1に対し線対称に配置されている。また、4か所の溶接部65のうち2か所は、基準軸L2より加熱部材7が延びる側に配置されている。したがって、変形例1と同様に、各溶接部65に流れる電流を電流全体の半分以下とすることができる。即ち、電流が1つの溶接部65に集中することがなく、電流の集中による局所的に温度が高まることを抑制できる。
また、4か所の溶接部65を対向面41aの中心O2に対し回転対称(4回対称)に配置した場合には、外力に起因して溶接部65に加わる応力を分散して、溶接部65の破損を抑制できる。
As shown in FIG. 7, in the
Further, when the four welded
図8に示すように、変形例3の端子接続構造1Cは、5か所の溶接部66が対称軸L1に対し線対称に配置されている。また、5か所の溶接部66のうち3か所は、基準軸L2より加熱部材7が延びる側に配置されている。したがって、電流が1つの溶接部66に集中することがなく、電流の集中による局所的に温度が高まることを抑制できる。
また、5か所の溶接部66を対向面41aの中心O2に対し回転対称(5回対称)に配置した場合には、外力に起因して溶接部66に加わる応力を分散して、溶接部66の破損を抑制できる。
As shown in FIG. 8, in the
Further, when the five welded
<<第2実施形態>>
次に第2実施形態の端子接続構造3について説明する。
図9(a)は対称軸L1に沿った端子接続構造3の断面図であり、図9(b)は端子接続構造3の平面図である。端子接続構造3は、上述した静電チャック装置100(図1参照)における第1の端子接続構造1に代えて適用される。
第2実施形態の端子接続構造3は、第1の端子接続構造1と比較して溶接の方法としてレーザービーム溶接を採用している点が主に異なる。
なお、上述の第1実施形態と同一態様の構成要素については、同一符号を付し、その説明を省略する。
<< Second Embodiment >>
Next, the
9A is a cross-sectional view of the
The
In addition, about the component of the same aspect as the above-mentioned 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted.
端子接続構造3は、帯状の配線である加熱部材7と、加熱部材7の端部8Aに配置された接続端子70と、を有している。また、端子接続構造3は、加熱部材7の端部8Aと接続端子70との界面に6か所の溶接部67を有している。
The
接続端子70は、加熱部材7に接合される対向面71a側(+Z側)に設けられた円形の鍔部71と、鍔部71から立設された円柱部72とを有している。円柱部72には、図示略の接続線(図1の接続線33に対応)が接続される。
接続端子70は、対向面71aが端部8Aに向かい合って接触するように配置される。接続端子70は対向面71aの中心O2が、円形状である端部8Aの中心O1と一致するように配置される。
The
The
接続端子70の鍔部71は、加熱部材7の端部8Aと対向する対向面71aと、対向面71aと反対側に位置する背面71bとを有している。また、鍔部71には、背面71bから対向面71aに達する6つの貫通孔73が設けられている。
図9(b)に示すように、6つの貫通孔73は、それぞれ矩形状を有している。各貫通孔73は、矩形状の長手方向が対向面71aの半径方向に一致するように形成されている。各貫通孔73は、円形の対向面71aと同心の仮想円P上に配列されている。また、各貫通孔73は、対向面71aの中心O2に対して回転対称(6回対称)に配置されている。
The
As shown in FIG. 9B, each of the six through
図9(b)に示すように、対向面71aの中心O2を通過し、加熱部材7の延びる方向に沿って対称軸L1を設定する。また、対向面71aの面内において、対向面71aの中心O2を通過し対称軸L1と直交する基準軸L2を設定する。
6か所の溶接部67のうち2か所は、その中心が対称軸L1を通過する。6か所の溶接部67は対向面71aの中心O2に対し回転対称に配置されているため、各溶接部67は、対称軸L1に対し線対称となる。
As shown in FIG. 9B, a symmetry axis L1 is set along the direction in which the
Two of the six
溶接部67は、対向面71a側の貫通孔73の開口と端部8Aとの界面に形成されている。溶接部67は、レーザ溶接により形成された線溶接である。なお、溶接部67は、対向面71a側の貫通孔73の開口である四辺のうち一部に形成されていても良く、また4辺の全周に亘って形成されていても良い。
The welded
図9(a)に示すように、溶接部67は、レーザLZを貫通孔73の内壁を覆う範囲で照射して、貫通孔73の形状に沿って走査することで形成される。レーザLZは、貫通孔73の内壁近傍、並びに対向面71a側の貫通孔73の開口近傍に位置する加熱部材7を加熱する。これにより、鍔部71の内壁近傍には、被加熱部68aが形成され、対向面71a側の貫通孔73の開口近傍に位置する加熱部材7には、被加熱部68bが形成される。これにより端部8Aと対向面71aとが溶接接合され、溶接部67が形成される。
なお、図9(a)において、レーザLZ及び被加熱部68a、68bは、溶接工程を示すために便宜的に図示したものである。
As shown in FIG. 9A, the welded
In FIG. 9A, the laser LZ and the
背面71bは、円柱部72の周面から、鍔部71の周縁までの領域である。
溶接部67は、貫通孔73に沿って形成されているために、対向面71aの周縁溶離内側に位置している。これにより、外力が加わった時に、溶接部67に破損の起点が生じにくくなる。
The
Since the welded
端子接続構造3は、仮想円Pの円周長さに対し、仮想円Pと重なる溶接部67の長さの比率が50%以下となっている。したがって、隣り合う溶接部67同士の間に溶接部67の大きさ以上の距離の溶接されていない部分が設けられている。これにより溶接部67に柔軟性を与え、端部8A及び接続端子70の相対的な変位を許容するように、溶接部67が変形することができ、溶接部67に加わる応力を分散できる。
In the
貫通孔73は、矩形状に限定されるものではなく、例えば円形状や楕円形上など、任意の形状とすることができる。また、鍔部71の周縁から半径方向内側に形成された切り欠きであっても良い。
貫通孔73は、対向面71aの半径方向内側を長手方向とする矩形状又は楕円形状とすることが好ましい。これにより、貫通孔73同士の距離を十分に確保すると共に、貫通孔73の開口の周縁を長くとり、線溶接である溶接部67の全長を大きくすることができる。したがって、溶接部67の柔軟性を保ちつつ、強度の高い端子接続構造3を構成できる。
The through-
The through-
加えて、端子接続構造3は、溶接部67が、貫通孔の対向面側開口と前記端部との界面にレーザ光を直接的に照射することで形成されているために、効率よく溶接工程を行い、溶接に要する作業時間を短縮できる。また、直接的なレーザ照射によって溶接工程を行うために、端子接続構造3を構成する部材、及び周囲に配置された部材に熱の影響を与えにくい。したがって、溶接工程に起因する歪や、接着材6の劣化を抑制できる。
加えて、端子接続構造3は、レーザ溶接であるため、導電性接着材やろう付け等で接着する場合と比較して、接続抵抗が低い。したがって、静電チャック装置100に採用することで、静電チャック部20の温度の精密な制御が可能となる。
In addition, since the
In addition, since the
<<第2実施形態の変形例>>
第2実施形態の端子接続構造3において貫通孔73及び溶接部67は、対向面71aに6か所設けられているが、溶接部は、3か所以上であれば良い。
第2実施形態の変形例1、2として、端子接続構造3A、端子接続構造3Bについて説明する。
<< Modification of Second Embodiment >>
In the
As
図10、図11は第2実施形態の変形例1、2の端子接続構造3A、3Bをそれぞれ表す平面図である。端子接続構造3Aは、端子接続構造3と比較して、貫通孔73A及び溶接部67Aが3か所設けられた接続端子74を有している点が異なる。端子接続構造3Bは、端子接続構造3と比較して、貫通孔73B及び溶接部67Bが4か所設けられた接続端子75を有している点が異なる。
第2実施形態の変形例1、2の端子接続構造3A、3Bは、第1実施形態の変形例1〜3として説明した端子接続構造1A、1B、1C(図6〜図8参照)と同様に、特定の溶接部に電流が集中することがなく、電流の集中による局所加熱を抑制する。また、外力により溶接部67A、67Bを剥離させようとする応力をバランスよく分散させ溶接部67A、67Bの破損を抑制できる。
FIGS. 10 and 11 are plan views showing the
The
以上に、本発明の様々な実施形態を説明したが、各実施形態における各構成及びそれらの組み合わせ等は一例であり、本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で、構成の付加、省略、置換、及びその他の変更が可能である。また、本発明は実施形態によって限定されることはない。 Although various embodiments of the present invention have been described above, each configuration in each embodiment and combinations thereof are examples, and addition, omission, replacement, and configuration of configurations are within the scope not departing from the spirit of the present invention. And other changes are possible. Further, the present invention is not limited by the embodiment.
1、1A、1B、1C、2、3、3A、3B…端子接続構造、5…加熱装置、6…接着材、7…加熱部材(配線、ヒータパターン)、7a…内ヒータ、7b…外ヒータ、8A、8B…端部、9、10…延出端、20…静電チャック部(セラミック板状体)、23…静電吸着用内部電極、32…給電端子、33…接続線、40、70、74、75…接続端子、41、71…鍔部、41a、71a…対向面、41b、71b…背面、42、72…円柱部、42a…端面、50…冷却ベース部、51…貫通孔、61、63、64、65、66、67、67A、67B…溶接部、62…スポット、62a、68a、68b…被加熱部、73、73A、73B…貫通孔、80…樹脂層、100…静電チャック装置、B…支点、C…中点、EB…電子ビーム、F…外力、L1、L3…対称軸、L2、L4…基準軸、LZ…レーザ、O1、O2…中心、P…仮想円、W…板状試料
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記配線の端部に配置された接続端子と、を備え、
前記接続端子は、前記端部に対向する対向面が円形状であり前記端部に3か所以上の溶接部により溶接されており、
前記溶接部は、前記対向面の中心を通過し前記配線の延びる方向に沿った対称軸に対して線対称に配置され、且つ前記対向面の中心を通過し前記対称軸と直交する基準軸に対して、前記配線の延びる側に2か所以上配置され反対側に1か所以上配置されている端子接続構造。 Strip-shaped wiring,
A connection terminal disposed at an end of the wiring,
The connection terminal has a circular opposing surface facing the end, and is welded to the end by three or more welds.
The welded portion is disposed in line symmetry with respect to an axis of symmetry that passes through the center of the opposing surface and extends in the direction of the wiring, and passes through the center of the opposing surface and is perpendicular to the axis of symmetry. On the other hand, a terminal connection structure in which two or more locations are arranged on the side where the wiring extends and one or more locations are arranged on the opposite side.
前記仮想円の円周長さに対し、前記溶接部の比率が50%以下である請求項1〜3の何れか一項に記載の端子接続構造。 The welds are arranged on a virtual circle concentric with the facing surface;
The terminal connection structure according to claim 1, wherein a ratio of the welded portion is 50% or less with respect to a circumferential length of the virtual circle.
前記溶接部が、前記貫通孔の対向面側開口と前記端部との界面の一部もしくは全周に亘りレーザ溶接により形成されている請求項1〜4の何れか一項に記載の端子接続構造。 The connection terminal is provided with a plurality of through holes reaching the facing surface,
The terminal connection as described in any one of Claims 1-4 in which the said welding part is formed by laser welding over a part of interface or the perimeter of the opposing surface side opening of the said through-hole, and the said edge part. Construction.
前記セラミック板状体に接着固定された前記配線としてのヒータパターンと、
前記ヒータパターンの端部に設けられた請求項1〜6の何れか一項に記載の端子接続構造と、を有する加熱装置。 A ceramic plate-like body made of a ceramic sintered body;
A heater pattern as the wiring adhered and fixed to the ceramic plate,
A terminal connecting structure according to any one of claims 1 to 6, provided at an end of the heater pattern.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014188258A JP6287717B2 (en) | 2014-09-16 | 2014-09-16 | Terminal connection structure, heating device, and electrostatic chuck device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014188258A JP6287717B2 (en) | 2014-09-16 | 2014-09-16 | Terminal connection structure, heating device, and electrostatic chuck device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016062999A JP2016062999A (en) | 2016-04-25 |
JP6287717B2 true JP6287717B2 (en) | 2018-03-07 |
Family
ID=55798215
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014188258A Active JP6287717B2 (en) | 2014-09-16 | 2014-09-16 | Terminal connection structure, heating device, and electrostatic chuck device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6287717B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102276102B1 (en) * | 2017-03-02 | 2021-07-13 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | Wafer heating device |
WO2024224548A1 (en) * | 2023-04-27 | 2024-10-31 | 日本碍子株式会社 | Power supply member and wafer mounting table |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004311447A (en) * | 2004-05-10 | 2004-11-04 | Ibiden Co Ltd | Ceramic heater |
JP2006236896A (en) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Fenwall Controls Of Japan Ltd | Connection terminal and electric heater equipped with it |
JP2007265962A (en) * | 2006-02-28 | 2007-10-11 | Hitachi Ltd | Method of laser welding, manufacturing method of control unit, and vehicular control unit |
JP5591627B2 (en) * | 2010-08-24 | 2014-09-17 | 太平洋セメント株式会社 | Ceramic member and manufacturing method thereof |
JP5637181B2 (en) * | 2012-06-29 | 2014-12-10 | トヨタ自動車株式会社 | Battery, battery manufacturing method, and battery manufacturing mask member |
JP5522220B2 (en) * | 2012-09-12 | 2014-06-18 | 住友大阪セメント株式会社 | Electrostatic chuck device |
-
2014
- 2014-09-16 JP JP2014188258A patent/JP6287717B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016062999A (en) | 2016-04-25 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
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