JP6264001B2 - ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, LIGHT-EMITTING THIN FILM, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 282
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 149
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 109
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 92
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 claims description 66
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 claims description 26
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 22
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 17
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 17
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 16
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 9
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 6
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 6
- -1 indoloindole compound Chemical class 0.000 description 217
- 238000000034 method Methods 0.000 description 116
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 71
- 239000010408 film Substances 0.000 description 63
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 37
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 37
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 37
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 37
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 32
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 26
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 24
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 23
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 20
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 20
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 19
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 19
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 19
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 14
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 12
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 10
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 10
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 10
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 9
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 9
- BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 9H-Pyrido[2,3-b]indole Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=N1 BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical group C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 7
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KRLLUZSLSSIQKH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-c]carbazole Chemical class C12=CC=CC=C2N=C2C1=C1N=CC=C1C=C2 KRLLUZSLSSIQKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 7
- WTGQALLALWYDJH-WYHSTMEOSA-N scopolamine hydrobromide Chemical compound Br.C1([C@@H](CO)C(=O)OC2C[C@@H]3N([C@H](C2)[C@@H]2[C@H]3O2)C)=CC=CC=C1 WTGQALLALWYDJH-WYHSTMEOSA-N 0.000 description 7
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 6
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical class C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical group N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 5
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 5
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004397 aminosulfonyl group Chemical group NS(=O)(=O)* 0.000 description 4
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 4
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical class OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical group N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BZHCVCNZIJZMRN-UHFFFAOYSA-N 9h-pyridazino[3,4-b]indole Chemical group N1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=N1 BZHCVCNZIJZMRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical group C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical group C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 125000004062 acenaphthenyl group Chemical group C1(CC2=CC=CC3=CC=CC1=C23)* 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical group C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001951 carbamoylamino group Chemical group C(N)(=O)N* 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 125000005583 coronene group Chemical group 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 3
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005581 pyrene group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002294 quinazolinyl group Chemical group N1=C(N=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 3
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 3
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 3
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 3
- 125000001935 tetracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DETFWTCLAIIJRZ-UHFFFAOYSA-N triphenyl-(4-triphenylsilylphenyl)silane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Si](C=1C=CC(=CC=1)[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DETFWTCLAIIJRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000355 1,3-benzoxazolyl group Chemical group O1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FLBAYUMRQUHISI-UHFFFAOYSA-N 1,8-naphthyridine Chemical group N1=CC=CC2=CC=CN=C21 FLBAYUMRQUHISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATTVYRDSOVWELU-UHFFFAOYSA-N 1-diphenylphosphoryl-2-(2-diphenylphosphorylphenoxy)benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C(=CC=CC=1)OC=1C(=CC=CC=1)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 ATTVYRDSOVWELU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001494 2-propynyl group Chemical group [H]C#CC([H])([H])* 0.000 description 2
- DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6,9,10-hexazatetracyclo[12.4.0.02,7.08,13]octadeca-1(18),2(7),3,5,8(13),9,11,14,16-nonaene Chemical group N1=NN=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=NN=C3C2=N1 DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004057 DFT-B3LYP calculation Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WIUZHVZUGQDRHZ-UHFFFAOYSA-N [1]benzothiolo[3,2-b]pyridine Chemical group C1=CN=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 WIUZHVZUGQDRHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SAHIZENKTPRYSN-UHFFFAOYSA-N [2-[3-(phenoxymethyl)phenoxy]-6-(trifluoromethyl)pyridin-4-yl]methanamine Chemical compound O(C1=CC=CC=C1)CC=1C=C(OC2=NC(=CC(=C2)CN)C(F)(F)F)C=CC=1 SAHIZENKTPRYSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 2
- 125000000641 acridinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 2
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004390 alkyl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 2
- 229940058303 antinematodal benzimidazole derivative Drugs 0.000 description 2
- 125000005161 aryl oxy carbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004391 aryl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 125000003828 azulenyl group Chemical group 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 125000006309 butyl amino group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004744 butyloxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000002837 carbocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004623 carbolinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- 125000005578 chrysene group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 2
- 125000000000 cycloalkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005366 cycloalkylthio group Chemical group 0.000 description 2
- 125000006639 cyclohexyl carbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 2
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 2
- 125000006312 cyclopentyl amino group Chemical group [H]N(*)C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001887 cyclopentyloxy group Chemical group C1(CCCC1)O* 0.000 description 2
- 150000004826 dibenzofurans Chemical class 0.000 description 2
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 125000006263 dimethyl aminosulfonyl group Chemical group [H]C([H])([H])N(C([H])([H])[H])S(*)(=O)=O 0.000 description 2
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000000031 ethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N([H])[*] 0.000 description 2
- 125000004672 ethylcarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 2
- 125000006125 ethylsulfonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004705 ethylthio group Chemical group C(C)S* 0.000 description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 125000004216 fluoromethyl group Chemical group [H]C([H])(F)* 0.000 description 2
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005143 heteroarylsulfonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003707 hexyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 125000003453 indazolyl group Chemical group N1N=C(C2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N indolo[3,2-c]carbazole Chemical class C1=CC=CC2=NC3=C4C5=CC=CC=C5N=C4C=CC3=C21 VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N iridium 1-phenylisoquinoline Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000904 isoindolyl group Chemical group C=1(NC=C2C=CC=CC12)* 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical group C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000006261 methyl amino sulfonyl group Chemical group [H]N(C([H])([H])[H])S(*)(=O)=O 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004458 methylaminocarbonyl group Chemical group [H]N(C(*)=O)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 2
- 125000006216 methylsulfinyl group Chemical group [H]C([H])([H])S(*)=O 0.000 description 2
- 125000004170 methylsulfonyl group Chemical group [H]C([H])([H])S(*)(=O)=O 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005184 naphthylamino group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)N* 0.000 description 2
- 125000005185 naphthylcarbonyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C(=O)* 0.000 description 2
- 125000005186 naphthyloxy group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)O* 0.000 description 2
- 125000005146 naphthylsulfonyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)S(=O)(=O)* 0.000 description 2
- 125000005029 naphthylthio group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)S* 0.000 description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000005447 octyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005582 pentacene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002958 pentadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 2
- 125000000538 pentafluorophenyl group Chemical group FC1=C(F)C(F)=C(*)C(F)=C1F 0.000 description 2
- 125000004675 pentylcarbonyl group Chemical group C(CCCC)C(=O)* 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RDOWQLZANAYVLL-UHFFFAOYSA-N phenanthridine Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=NC2=C1 RDOWQLZANAYVLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001791 phenazinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C12)* 0.000 description 2
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 125000003356 phenylsulfanyl group Chemical group [*]SC1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N phthalazine Chemical group C1=NN=CC2=CC=CC=C21 LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001388 picenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=C3C4=CC=C5C=CC=CC5=C4C=CC3=C21)* 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 2
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 2
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 2
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000004673 propylcarbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 2
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 2
- 125000005400 pyridylcarbonyl group Chemical group N1=C(C=CC=C1)C(=O)* 0.000 description 2
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 2
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 2
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000475 sulfinyl group Chemical group [*:2]S([*:1])=O 0.000 description 2
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 2
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 2
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 2
- 125000000025 triisopropylsilyl group Chemical group C(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)* 0.000 description 2
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 0 *1C([n]2nc(-c3ccc(-[n](c4ccccc44)c5c4c4ccccc4[n]5-4)[o]3)c3c2[n]-2nc3-c3ccc-4[s]3)=CC=C1[n](c1c3cccc1)c1c3c(cccc3)c3[n]1-c1ccc-2[s]1 Chemical compound *1C([n]2nc(-c3ccc(-[n](c4ccccc44)c5c4c4ccccc4[n]5-4)[o]3)c3c2[n]-2nc3-c3ccc-4[s]3)=CC=C1[n](c1c3cccc1)c1c3c(cccc3)c3[n]1-c1ccc-2[s]1 0.000 description 1
- 125000001607 1,2,3-triazol-1-yl group Chemical group [*]N1N=NC([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000003626 1,2,4-triazol-1-yl group Chemical group [*]N1N=C([H])N=C1[H] 0.000 description 1
- OIAQMFOKAXHPNH-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 OIAQMFOKAXHPNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 1,4-diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran Chemical group C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical group C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBUKAOOFKZFCGD-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3-tetrafluoropropan-1-ol Chemical compound OCC(F)(F)C(F)F NBUKAOOFKZFCGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 2,3-bis[(E)-2-phenylethenyl]pyrazine Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=NC=CN=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 0.000 description 1
- IJVRPNIWWODHHA-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoprop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C(=C)C#N IJVRPNIWWODHHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical group CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006677 Appel reaction Methods 0.000 description 1
- HKMTVMBEALTRRR-UHFFFAOYSA-N Benzo[a]fluorene Chemical group C1=CC=CC2=C3CC4=CC=CC=C4C3=CC=C21 HKMTVMBEALTRRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVVYTSIRNIHGCF-UHFFFAOYSA-N C(C1c2cc(-c(cc3)cc(c4c5)c3[o]c4ccc5-[n]3c4ccccc4c4c3cccc4)ccc22)=CC=CC1N2c(cc1)ccc1-c1ccccc1 Chemical compound C(C1c2cc(-c(cc3)cc(c4c5)c3[o]c4ccc5-[n]3c4ccccc4c4c3cccc4)ccc22)=CC=CC1N2c(cc1)ccc1-c1ccccc1 JVVYTSIRNIHGCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGJNGSVOYXCWJZ-OIIBMUKUSA-N C/C=C(\C=C/c1cc2ccccc2[n]1-c1ccc(c(cccc2)c2c2ccccc22)c2c1)/c(cc1)cc(c2c3)c1[o]c2ccc3-[n]1c2ccccc2c2c1cccc2 Chemical compound C/C=C(\C=C/c1cc2ccccc2[n]1-c1ccc(c(cccc2)c2c2ccccc22)c2c1)/c(cc1)cc(c2c3)c1[o]c2ccc3-[n]1c2ccccc2c2c1cccc2 DGJNGSVOYXCWJZ-OIIBMUKUSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTWUWZFMZFTMGQ-UHFFFAOYSA-N CC(C(C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)c(cc1)ccc1N(c1cc(C(F)(F)F)cc(C(F)(F)F)c1)c1cc(C(F)(F)F)cc(C(F)(F)F)c1)C=C1)C=C1N(c1cc(C(F)(F)F)cc(C(F)(F)F)c1)c1cc(C(F)(F)F)cc(C(F)(F)F)c1 Chemical compound CC(C(C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)c(cc1)ccc1N(c1cc(C(F)(F)F)cc(C(F)(F)F)c1)c1cc(C(F)(F)F)cc(C(F)(F)F)c1)C=C1)C=C1N(c1cc(C(F)(F)F)cc(C(F)(F)F)c1)c1cc(C(F)(F)F)cc(C(F)(F)F)c1 CTWUWZFMZFTMGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFOJPQZFPULLNH-UHFFFAOYSA-N CC(C)Cc(cc1)cc(c(c2cc(CC(C)C)ccc22)c3[n]2-c2cc(-[n]4c([n]-5c6ccc(CC(C)C)cc66)c6c6c4ccc(CC(C)C)c6)cc(CC(C4)(F)F)c2)c1[n]3-c1cc-5cc4c1 Chemical compound CC(C)Cc(cc1)cc(c(c2cc(CC(C)C)ccc22)c3[n]2-c2cc(-[n]4c([n]-5c6ccc(CC(C)C)cc66)c6c6c4ccc(CC(C)C)c6)cc(CC(C4)(F)F)c2)c1[n]3-c1cc-5cc4c1 JFOJPQZFPULLNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIZMIWYZOZHOMU-UHFFFAOYSA-N CC(CC(c1ccccc1)=C1)c(c2ccccc22)c1[n]2-c1ccc2[o]c(cccc3)c3c2c1 Chemical compound CC(CC(c1ccccc1)=C1)c(c2ccccc22)c1[n]2-c1ccc2[o]c(cccc3)c3c2c1 IIZMIWYZOZHOMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVBIFHKFAACXEB-UHFFFAOYSA-N CC1(C=CC=CC11)c2cccc3c2N1c(cccc1)c1O3 Chemical compound CC1(C=CC=CC11)c2cccc3c2N1c(cccc1)c1O3 PVBIFHKFAACXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNZMNHAKYLIMBJ-UHFFFAOYSA-N CC12Oc3ccccc3C1=CC(c1cccc(-c(cc3c4ccccc44)ccc3[n]4-c(cc3)cc(c4c5)c3[o]c4ccc5-c3ccccc3)c1)=CC2 Chemical compound CC12Oc3ccccc3C1=CC(c1cccc(-c(cc3c4ccccc44)ccc3[n]4-c(cc3)cc(c4c5)c3[o]c4ccc5-c3ccccc3)c1)=CC2 VNZMNHAKYLIMBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYPIGMLYBYFLIA-UHFFFAOYSA-N CC1C=CC(c2cc(-c3cccc(-c(cc4)cc(c5c6)c4[o]c5ccc6-[n]4c(ccc(-c5ccccc5)c5)c5c5ccccc45)c3)ccc2)=CC1 Chemical compound CC1C=CC(c2cc(-c3cccc(-c(cc4)cc(c5c6)c4[o]c5ccc6-[n]4c(ccc(-c5ccccc5)c5)c5c5ccccc45)c3)ccc2)=CC1 YYPIGMLYBYFLIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONTNXTYLWWWJDS-UHFFFAOYSA-N CC1C=CC(c2ccccc2)=CC1c1cc(-c2cccc(-c(cc3)cc(c4ccccc44)c3[n]4-c3ccc4[o]c(cccc5)c5c4c3)c2)ccc1 Chemical compound CC1C=CC(c2ccccc2)=CC1c1cc(-c2cccc(-c(cc3)cc(c4ccccc44)c3[n]4-c3ccc4[o]c(cccc5)c5c4c3)c2)ccc1 ONTNXTYLWWWJDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- FCPMWSGGYIRZFK-UHFFFAOYSA-N Cc(ccc(-[n]1c(cccc2)c2c2c1cccc2)c1)c1-c1cc(-[n]2c(cccc3)c3c3c2cccc3)ccc1C Chemical compound Cc(ccc(-[n]1c(cccc2)c2c2c1cccc2)c1)c1-c1cc(-[n]2c(cccc3)c3c3c2cccc3)ccc1C FCPMWSGGYIRZFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDFMPSFJRZXLHO-UHFFFAOYSA-N Cc1cccc(-c2nnc(-c3ccccc3)[n]2-c2ccc(C3(CCCCC3)c(cc3)ccc3-[n]3c(-c4cc(C)ccc4)nnc3-c3ccccc3)cc2)c1 Chemical compound Cc1cccc(-c2nnc(-c3ccccc3)[n]2-c2ccc(C3(CCCCC3)c(cc3)ccc3-[n]3c(-c4cc(C)ccc4)nnc3-c3ccccc3)cc2)c1 FDFMPSFJRZXLHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- 229920000623 Cellulose acetate phthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001747 Cellulose diacetate Polymers 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 1
- 238000003775 Density Functional Theory Methods 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPQZCRFHZUJXLR-UHFFFAOYSA-N FC(C(C(F)(F)F)(c(cc1)ccc1-[n]1c2ccccc2c2c1cccc2)c(cc1)ccc1-[n]1c2ccccc2c2c1cccc2)(F)F Chemical compound FC(C(C(F)(F)F)(c(cc1)ccc1-[n]1c2ccccc2c2c1cccc2)c(cc1)ccc1-[n]1c2ccccc2c2c1cccc2)(F)F ZPQZCRFHZUJXLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L Magnesium perchlorate Chemical compound [Mg+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001024304 Mino Species 0.000 description 1
- 239000004839 Moisture curing adhesive Substances 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CXOFVDLJLONNDW-UHFFFAOYSA-N Phenytoin Chemical group N1C(=O)NC(=O)C1(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 CXOFVDLJLONNDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 101100289792 Squirrel monkey polyomavirus large T gene Proteins 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920010524 Syndiotactic polystyrene Polymers 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001361 White metal Inorganic materials 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- YVRQEGLKRIHRCH-UHFFFAOYSA-N [1,4]benzothiazino[2,3-b]phenothiazine Chemical group S1C2=CC=CC=C2N=C2C1=CC1=NC3=CC=CC=C3SC1=C2 YVRQEGLKRIHRCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHWXCYJGJOLNFA-UHFFFAOYSA-N [1,4]benzoxazino[2,3-b]phenoxazine Chemical group O1C2=CC=CC=C2N=C2C1=CC1=NC3=CC=CC=C3OC1=C2 AHWXCYJGJOLNFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 125000004054 acenaphthylenyl group Chemical group C1(=CC2=CC=CC3=CC=CC1=C23)* 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004964 aerogel Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L barium iodide Chemical compound [I-].[I-].[Ba+2] SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001638 barium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075444 barium iodide Drugs 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZOIZKBKSZMVRV-UHFFFAOYSA-N benzo(a)triphenylene Chemical group C1=CC=CC2=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C(C=CC=C3)C3=C21 JZOIZKBKSZMVRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQSLOOOUQZYGEB-UHFFFAOYSA-N benzo[a]coronene Chemical group C1=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=C(C=C4)C5=C3C2=C2C3=C5C4=CC=C3C=CC2=C1 NQSLOOOUQZYGEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDPBLCQVGZLACA-UHFFFAOYSA-N benzo[a]perylene Chemical group C1=CC(C=2C3=CC=CC=C3C=C3C=2C2=CC=C3)=C3C2=CC=CC3=C1 JDPBLCQVGZLACA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFMVRILBADIIJO-UHFFFAOYSA-N benzo[e][1]benzofuran Chemical group C1=CC=C2C(C=CO3)=C3C=CC2=C1 MFMVRILBADIIJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJOLGGXHRVADAA-UHFFFAOYSA-N benzo[e][1]benzothiole Chemical group C1=CC=C2C(C=CS3)=C3C=CC2=C1 LJOLGGXHRVADAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGMRJEZNTZJDHP-UHFFFAOYSA-N benzo[e]azulene Chemical group C1=CC2=CC=CC=C2C2=CC=CC2=C1 LGMRJEZNTZJDHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXVHTIQJNYSSKO-UHFFFAOYSA-N benzo[e]pyrene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC4=CC=C1C2=C34 TXVHTIQJNYSSKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical group C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004618 benzofuryl group Chemical group O1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 125000004196 benzothienyl group Chemical group S1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 125000004541 benzoxazolyl group Chemical group O1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 150000005347 biaryls Chemical group 0.000 description 1
- HXNZTJULPKRNPR-UHFFFAOYSA-N borinine Chemical group B1=CC=CC=C1 HXNZTJULPKRNPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- PKNYQTSWASWPSW-UHFFFAOYSA-N c(cc1)cc(c(c2ccccc22)c3[n]2-c2ccnc(-c(c-4c5)cc(-c6nc(-[n]7c([n]-8c9ccccc99)c9c9c7cccc9)ccn6)c5-c5nccc-8n5)n2)c1[n]3-c1nc-4ncc1 Chemical compound c(cc1)cc(c(c2ccccc22)c3[n]2-c2ccnc(-c(c-4c5)cc(-c6nc(-[n]7c([n]-8c9ccccc99)c9c9c7cccc9)ccn6)c5-c5nccc-8n5)n2)c1[n]3-c1nc-4ncc1 PKNYQTSWASWPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPIVROPHWLIAOZ-UHFFFAOYSA-N c(cc1)cc(c2c3ccc(-c4cc(-c5ccc6[o]c(cccc7)c7c6c5)ccc4)c2)c1[n]3-c1ccc2[o]c3ccccc3c2c1 Chemical compound c(cc1)cc(c2c3ccc(-c4cc(-c5ccc6[o]c(cccc7)c7c6c5)ccc4)c2)c1[n]3-c1ccc2[o]c3ccccc3c2c1 NPIVROPHWLIAOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYLBCZCRLSWMAK-UHFFFAOYSA-N c(cc1)ccc1-[n](c1c2cccc1)c(cc1)c2c2c1c1ccccc1[n]2-c1ccc2[o]c(cccc3)c3c2c1 Chemical compound c(cc1)ccc1-[n](c1c2cccc1)c(cc1)c2c2c1c1ccccc1[n]2-c1ccc2[o]c(cccc3)c3c2c1 RYLBCZCRLSWMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGWTZZAAZBTRSY-UHFFFAOYSA-N c(cc1)ccc1-c(cc1)cc(c2c3cccc2)c1[n]3-c1ccc2[o]c(cccc3)c3c2c1 Chemical compound c(cc1)ccc1-c(cc1)cc(c2c3cccc2)c1[n]3-c1ccc2[o]c(cccc3)c3c2c1 JGWTZZAAZBTRSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLVYSZJWFSEDRZ-UHFFFAOYSA-N c(cc1)ccc1-c(cc1c2c3ccc(-c4ccccc4)c2)ccc1[n]3-c(cc1)cc2c1[o]c(cc1)c2cc1-[n]1c(cccc2)c2c2c1cccc2 Chemical compound c(cc1)ccc1-c(cc1c2c3ccc(-c4ccccc4)c2)ccc1[n]3-c(cc1)cc2c1[o]c(cc1)c2cc1-[n]1c(cccc2)c2c2c1cccc2 WLVYSZJWFSEDRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011132 calcium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 229940081734 cellulose acetate phthalate Drugs 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- MOOUSOJAOQPDEH-UHFFFAOYSA-K cerium(iii) bromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Br-].[Ce+3] MOOUSOJAOQPDEH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 125000000259 cinnolinyl group Chemical group N1=NC(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004737 colorimetric analysis Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- NXYLTUWDTBZQGX-UHFFFAOYSA-N ctk8h6630 Chemical group C1=CC=C2C=C3C(N=C4C=CC=5C(C4=N4)=CC6=CC=CC=C6C=5)=C4C=CC3=CC2=C1 NXYLTUWDTBZQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004431 deuterium atom Chemical group 0.000 description 1
- 125000004987 dibenzofuryl group Chemical group C1(=CC=CC=2OC3=C(C21)C=CC=C3)* 0.000 description 1
- 125000004988 dibenzothienyl group Chemical group C1(=CC=CC=2SC3=C(C21)C=CC=C3)* 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 229920000775 emeraldine polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthene Chemical group C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003914 fluoranthenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC=C4C1=C23)* 0.000 description 1
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003838 furazanyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORQQTIXGZILVFT-UHFFFAOYSA-N heptacyclo[13.11.1.12,6.011,27.017,26.018,23.010,28]octacosa-1(27),2,4,6(28),7,9,11,13,15,17(26),18,20,22,24-tetradecaene Chemical group C1=CC(C=2C=3C=CC=4C(C=3C=C3C=2C2=CC=C3)=CC=CC=4)=C3C2=CC=CC3=C1 ORQQTIXGZILVFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- XHJPOZDMDBETDO-UHFFFAOYSA-N hexabenzo[a,d,g,j,m,p]coronene Chemical group C1=CC=CC2=C(C3=C45)C6=CC=CC=C6C4=C(C=CC=C4)C4=C(C=4C6=CC=CC=4)C5=C4C6=C(C=CC=C5)C5=C(C=5C6=CC=CC=5)C4=C3C6=C21 XHJPOZDMDBETDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001633 hexacenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC6=CC=CC=C6C=C5C=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001786 isothiazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000842 isoxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- COLNWNFTWHPORY-UHFFFAOYSA-M lithium;8-hydroxyquinoline-2-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1 COLNWNFTWHPORY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L magnesium bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].[Br-] OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001623 magnesium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L magnesium iodide Chemical compound [Mg+2].[I-].[I-] BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001641 magnesium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004002 naphthaldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- RRYCIULTIFONEQ-UHFFFAOYSA-N naphtho[2,3-e][1]benzofuran Chemical group C1=CC=C2C=C3C(C=CO4)=C4C=CC3=CC2=C1 RRYCIULTIFONEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- UGRQECDWJZRARM-UHFFFAOYSA-N nonacyclo[22.6.2.02,11.03,8.012,29.015,28.018,27.021,26.025,30]dotriaconta-1,3,5,7,9,11,13,15(28),16,18(27),19,21(26),22,24,29,31-hexadecaene Chemical group C1=CC2=CC=C3C=CC4=CC=C5C=CC6=C7C8=CC=CC=C8C=CC7=C1C1=C2C3=C4C5=C16 UGRQECDWJZRARM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 1
- 125000003854 p-chlorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1Cl 0.000 description 1
- NRZWYNLTFLDQQX-UHFFFAOYSA-N p-tert-Amylphenol Chemical compound CCC(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 NRZWYNLTFLDQQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQQSUOJIMKJQHS-UHFFFAOYSA-N pentaphene Chemical group C1=CC=C2C=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=CC3=CC2=C1 JQQSUOJIMKJQHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004115 pentoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005327 perimidinyl group Chemical group N1C(=NC2=CC=CC3=CC=CC1=C23)* 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 150000005107 phenanthrazines Chemical group 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- GJSGGHOYGKMUPT-UHFFFAOYSA-N phenoxathiine Chemical group C1=CC=C2OC3=CC=CC=C3SC2=C1 GJSGGHOYGKMUPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003170 phenylsulfonyl group Chemical group C1(=CC=CC=C1)S(=O)(=O)* 0.000 description 1
- 125000001476 phosphono group Chemical group [H]OP(*)(=O)O[H] 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000004592 phthalazinyl group Chemical group C1(=NN=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- LNKHTYQPVMAJSF-UHFFFAOYSA-N pyranthrene Chemical group C1=C2C3=CC=CC=C3C=C(C=C3)C2=C2C3=CC3=C(C=CC=C4)C4=CC4=CC=C1C2=C34 LNKHTYQPVMAJSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004892 pyridazines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- DTPOQEUUHFQKSS-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[2,1,5-cd]indolizine Chemical group C1=CC(N23)=CC=C3C=CC2=C1 DTPOQEUUHFQKSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003380 quartz crystal microbalance Methods 0.000 description 1
- DLJHXMRDIWMMGO-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol;zinc Chemical compound [Zn].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 DLJHXMRDIWMMGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004322 quinolinols Chemical group 0.000 description 1
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I tantalum pentafluoride Chemical compound F[Ta](F)(F)(F)F YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 125000005579 tetracene group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- GVIJJXMXTUZIOD-UHFFFAOYSA-N thianthrene Chemical group C1=CC=C2SC3=CC=CC=C3SC2=C1 GVIJJXMXTUZIOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007979 thiazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000000335 thiazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- CRUIOQJBPNKOJG-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-e][1]benzothiole Chemical group C1=C2SC=CC2=C2C=CSC2=C1 CRUIOQJBPNKOJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 150000003623 transition metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004306 triazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010969 white metal Substances 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。また、当該有機エレクトロルミネッセンス素子が具備された発光性薄膜、表示装置及び照明装置に関する。より詳しくは、発光効率が改良された有機エレクトロルミネッセンス素子等に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence element. The present invention also relates to a light-emitting thin film, a display device, and a lighting device provided with the organic electroluminescence element. More specifically, the present invention relates to an organic electroluminescence element with improved luminous efficiency.
有機材料のエレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence:以下「EL」と略記する。)を利用した有機EL素子(「有機電界発光素子」ともいう。)は、平面発光を可能とする新しい発光システムとして既に実用化されている技術である。有機EL素子は、電子ディスプレイはもとより、最近では照明機器にも適用され、その発展が期待されている。 An organic EL element (also referred to as “organic electroluminescence element”) using an organic material electroluminescence (hereinafter abbreviated as “EL”) has already been put into practical use as a new light emitting system that enables planar light emission. Technology. Organic EL elements are not only applied to electronic displays but also recently applied to lighting equipment, and their development is expected.
有機ELの発光方式としては、三重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「リン光発光」と、一重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「蛍光発光」の二通りがある。
有機EL素子に電界をかけると、陽極と陰極からそれぞれ正孔と電子が注入され、発光層において再結合し励起子を生じる。このとき一重項励起子と三重項励起子とが25%:75%の割合で生成するため、三重項励起子を利用するリン光発光の方が、蛍光発光に比べ、理論的に高い内部量子効率が得られることが知られている。
しかしながら、リン光発光方式において実際に高い量子効率を得るためには、中心金属にイリジウムや白金などの希少金属を用いた錯体を用いる必要があり、将来的に希少金属の埋蔵量や金属自体の値段が産業上大きな問題となることが懸念される。
There are two types of organic EL emission methods: “phosphorescence emission” that emits light when returning from the triplet excited state to the ground state and “fluorescence emission” that emits light when returning from the singlet excited state to the ground state. There is.
When an electric field is applied to the organic EL element, holes and electrons are injected from the anode and the cathode, respectively, and recombine in the light emitting layer to generate excitons. At this time, since singlet excitons and triplet excitons are generated at a ratio of 25%: 75%, phosphorescence using triplet excitons is theoretically higher in internal quantum than fluorescence. It is known that efficiency can be obtained.
However, in order to actually obtain high quantum efficiency in the phosphorescence emission method, it is necessary to use a complex using a rare metal such as iridium or platinum as a central metal. There is concern that price will be a major industrial issue.
一方で、蛍光発光型においても発光効率を向上させるために様々な開発がなされており、近年新しい動きが出てきた。
例えば、特許文献1には、二つの三重項励起子の衝突により一重項励起子が生成する現象(以下、Triplet−Triplet Annihilation:以下、適宜「TTA」と略記する。また、Triplet−Triplet Fusion:「TTF」ともいう。)に着目し、TTAを効率的に起こして蛍光素子の高効率化を図る技術が開示されている。この技術により蛍光発光材料(以下、蛍光発光性材料、蛍光材料ともいう。)の電力効率は従来の蛍光発光材料の2〜3倍まで向上しているが、TTAにおける理論的な一重項励起子生成効率は40%程度にとどまるため、依然としてリン光発光に比べ高発光効率化の課題を有している。
さらに、近年では、安達らにより、熱活性化型遅延蛍光(「熱励起型遅延蛍光」ともいう:Thermally Activated Delayed Fluorescence:以下、適宜「TADF」と略記する。)機構を利用した蛍光発光材料と、有機EL素子への利用の可能性が報告されている(例えば、非特許文献1〜7、特許文献2参照。)。
On the other hand, various developments have been made to improve the light emission efficiency in the fluorescent light emitting type, and a new movement has recently been made.
For example,
Further, in recent years, Adachi et al. Have developed a fluorescent material using a thermally activated delayed fluorescence (also referred to as “thermally activated delayed fluorescence”: hereinafter, abbreviated as “TADF” as appropriate) mechanism. The possibility of use for organic EL elements has been reported (for example, see Non-Patent
TADF機構は、図1に示すように、通常の蛍光発光性化合物に比べ、一重項励起エネルギー準位と三重項励起エネルギー準位の差(ΔEst)が小さい化合物(図1では、ΔEst(TADF)がΔEst(F)よりも小さい。)を用いた場合に、三重項励起子から一重項励起子への逆項間交差が生じる現象を利用した発光機構である。すなわち、ΔEstが小さいことによって、電界励起により75%の確率で発生する三重項励起子が、本来なら発光に寄与できないところ、有機EL素子駆動時の熱エネルギーなどで一重項励起状態に遷移し、その状態から基底状態へ輻射失活(「輻射遷移」又は「放射失活」ともいう。)し蛍光発光を起こすものである。このTADF機構による遅延蛍光を利用すると、蛍光発光においても、理論的には100%の内部量子効率が可能となると考えられている。 As shown in FIG. 1, the TADF mechanism is a compound having a smaller difference (ΔEst) between the singlet excitation energy level and the triplet excitation energy level (ΔEst (TADF) in FIG. 1) as compared with a normal fluorescent compound. Is smaller than ΔEst (F).), A light emission mechanism utilizing a phenomenon in which a reverse intersystem crossing from a triplet exciton to a singlet exciton occurs. That is, since ΔEst is small, triplet excitons generated with a probability of 75% due to electric field excitation cannot contribute to light emission originally, but transition to a singlet excited state by thermal energy at the time of driving an organic EL element, From this state to the ground state, radiation is deactivated (also referred to as “radiation transition” or “radiation deactivation”) to cause fluorescence emission. If delayed fluorescence due to the TADF mechanism is used, it is considered that 100% internal quantum efficiency is theoretically possible even in fluorescence emission.
しかしながら、TADF機構を利用した蛍光発光性化合物には、強いドナー部位と強いアクセプター部位からなるその分子内CT性の強さから、一般的にLUMOの準位が深い傾向にある。
このような状態にある分子は、有機ELの発光層に使用した場合には、電子をトラップする傾向にあると考えられる。すなわち、発光層内で正孔輸送性と電子輸送性のバランスすなわち電荷輸送性のバランスが悪くなり、多くの場合は電子輸送層界面で発光すると考えられる。
However, a fluorescent compound using the TADF mechanism generally tends to have a deep LUMO level due to its intramolecular CT strength consisting of a strong donor site and a strong acceptor site.
Molecules in such a state are considered to tend to trap electrons when used in an organic EL light-emitting layer. That is, the balance between the hole transport property and the electron transport property, that is, the balance of the charge transport property is deteriorated in the light emitting layer, and in many cases, it is considered that light is emitted at the electron transport layer interface.
電荷輸送性が悪い場合、発光層内では再結合の起こる範囲が狭かったり、経時での再結合の位置がずれるなどして、発光効率の低下や、経時での輝度の低下、すなわち素子寿命の劣化を招く原因となる。
蛍光発光性化合物の中で、インドロインドール化合物は、その正孔輸送性の高さから近年、発光層内での電荷バランスの調整を担うパーツとして注目され、リン光化合物用のホスト化合物として使用されている(特許文献3〜6参照。)。
これらの先行文献では、インドロインドール化合物はホスト化合物として使用されている例はあるものの、発光材料として使用されている例は今までなかった。
When the charge transport property is poor, the range where recombination occurs in the light emitting layer is narrow or the recombination position shifts over time, resulting in a decrease in luminous efficiency and a decrease in luminance over time, that is, the device lifetime. It causes deterioration.
Among the fluorescent compounds, indoloindole compounds have recently attracted attention as parts responsible for adjusting the charge balance in the light-emitting layer due to their high hole transport properties, and are used as host compounds for phosphorescent compounds. (See
In these prior documents, indoloindole compounds have been used as host compounds, but no examples have been used as luminescent materials.
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、発光効率を向上させることが可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。また、当該有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる発光材料を含有する発光性薄膜並びに当該有機エレクトロルミネッセンス素子又は前記発光性薄膜が具備された表示装置及び照明装置を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems and situations, and a problem to be solved is to provide an organic electroluminescence element capable of improving the light emission efficiency. Another object of the present invention is to provide a light-emitting thin film containing a light-emitting material used for the organic electroluminescent element, and a display device and a lighting device including the organic electroluminescent element or the light-emitting thin film.
本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討した結果、特定構造を有するインドロインドール化合物が、有効な発光材料として、有機エレクトロルミネッセンス素子に適用できることを見いだし本発明に至った。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
As a result of studying the cause of the above problems in order to solve the above problems, the present inventor has found that an indoloindole compound having a specific structure can be applied to an organic electroluminescence device as an effective light emitting material. It came.
That is, the said subject which concerns on this invention is solved by the following means.
1.陽極と陰極の間に少なくとも1層の発光層を含む有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該発光層の少なくとも1層が、発光材料として下記一般式(1−a)で表される構造を有する蛍光発光性化合物のうち少なくとも1種を含有し、
前記蛍光発光性化合物が、下記一般式(3)で表される構造を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
The organic electroluminescent device, wherein the fluorescent compound has a structure represented by the following general formula (3).
2.陽極と陰極の間に少なくとも1層の発光層を含む有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該発光層の少なくとも1層が、発光材料として下記一般式(1−a)又は(1−b)で表される構造を有する蛍光発光性化合物のうち少なくとも1種を含有し、
前記有機層のうち少なくとも1層が、前記蛍光発光性化合物に加えて、下記一般式(I)で表される構造を有するホスト化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
Wherein at least one layer of the organic layer, in addition to said fluorescent compound, organic electroluminescent device characterized by containing a host compound having a structure represented by the following general formula (I).
(一般式(I)中、X101は、NR101、酸素原子、硫黄原子、CR102R103又はSiR102R103を表す。y1〜y8は、各々CR104又は窒素原子を表す。R101〜R104は、各々水素原子又は置換基を表し、また互いに結合して環を形成してもよい。Ar101及びAr102は、各々芳香環を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。n101及びn102は、各々0〜4の整数を表すが、R101が水素原子の場合は、n101は1〜4の整数を表す。) (In the general formula (I), X 101 represents NR 101 , an oxygen atom, a sulfur atom, CR 102 R 103 or SiR 102 R 103. y 1 to y 8 each represent CR 104 or a nitrogen atom. 101 to R 104 each represent a hydrogen atom or a substituent, and may combine with each other to form a ring, and Ar 101 and Ar 102 each represent an aromatic ring, and may be the same or different. n101 and n102 is each an integer of 0 to 4, when R 101 is a hydrogen atom, n101 represents an integer of 1-4.)
3.前記一般式(I)で表される構造を有するホスト化合物が、下記一般式(II)で表される構造を有することを特徴とする第2項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 3 . 3. The organic electroluminescence device according to item 2 , wherein the host compound having a structure represented by the general formula (I) has a structure represented by the following general formula (II).
(一般式(II)中、X101は、NR101、酸素原子、硫黄原子、CR102R103又はSiR102R103を表す。R101〜R103は、各々水素原子又は置換基を表し、また互いに結合して環を形成してもよい。Ar101及びAr102は、各々芳香環を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。n102は0〜4の整数を表す。) (In the general formula (II), X 101 represents NR 101 , an oxygen atom, a sulfur atom, CR 102 R 103 or SiR 102 R 103. R 101 to R 103 each represents a hydrogen atom or a substituent, (Ar 101 and Ar 102 may each represent an aromatic ring and may be the same or different, and n102 represents an integer of 0 to 4).
4.前記蛍光発光性化合物の電子求引性基が、芳香族複素環基であることを特徴とする第1項から第3項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5.第1項に記載の蛍光発光性化合物を含有することを特徴とする発光性薄膜。
4). 4. The organic electroluminescence device according to any one of
5 . A luminescent thin film comprising the fluorescent luminescent compound according to
6.第1項に記載の蛍光発光性化合物と第2項に記載の一般式(I)又は第3項に記載の一般式(II)で表されるホスト化合物を含有することを特徴とする第5項に記載の発光性薄膜。
6 . The characterized in that it contains a fluorescing compound and the host compound represented by the general formula (II) according to the general formula (I) or the third term according to paragraph 2 of
7.第1項から第4項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子が、具備されていることを特徴とする表示装置。
7 . A display device comprising the organic electroluminescence element according to any one of
8.第5項又は第6項に記載の発光性薄膜が、用いられていることを特徴とする表示装置。
8 . A display device, wherein the light-emitting thin film according to
9.第1項から第4項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子が、具備されていることを特徴とする照明装置。
9 . The organic electroluminescent element as described in any one of
10.第5項又は第6項に記載の発光性薄膜が、用いられていることを特徴とする照明装置。
1 0 . An illuminating device using the light-emitting thin film according to
本発明の上記手段により、発光効率、発光寿命及び安定性を向上させることが可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。また、当該有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる発光材料を含有する発光性薄膜並びに有機エレクトロルミネッセンス素子又は前記発光性薄膜が具備された表示装置及び照明装置を提供することができる。 By the above means of the present invention, an organic electroluminescence device capable of improving the light emission efficiency, the light emission lifetime and the stability can be provided. Moreover, the luminescent thin film containing the luminescent material used for the said organic electroluminescent element, the display apparatus provided with the organic electroluminescent element or the said luminescent thin film, and an illuminating device can be provided.
本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。 The expression mechanism or action mechanism of the effect of the present invention is not clear, but is presumed as follows.
有機分子の中には、HOMOとLUMOがある一定の重なりを持ち、それが発光の強度(振動子強度)と相関することは古くから知られている。しかしながら、有機分子の中には、HOMOとLUMOが分離しているものも多く見られている。
例えば、分子内にドナー部位とアクセプター部位を両方備える分子である。このような場合、HOMOはドナー部位、LUMOはアクセプター部位に局在化することが多く、特に、巨大分子の両末端にドナー、アクセプター部位を有する場合には、HOMOとLUMOは、分子の両末端に存在することになる。
このような場合、有機分子は、自身の持つ電荷をHOMO−LUMO遷移の間で行うことと同義となり、すなわち分子内電荷移動(CT)性が強いといえる。
It has long been known that some organic molecules have a certain overlap between HOMO and LUMO, which correlates with the intensity of light emission (oscillator strength). However, there are many organic molecules in which HOMO and LUMO are separated.
For example, a molecule having both a donor site and an acceptor site in the molecule. In such a case, HOMO is often localized at the donor site, and LUMO is often localized at the acceptor site. In particular, when the macromolecule has a donor and acceptor site at both ends, HOMO and LUMO are located at both ends of the molecule. Will exist.
In such a case, the organic molecule is synonymous with performing its own charge during the HOMO-LUMO transition, that is, it can be said that the intramolecular charge transfer (CT) property is strong.
このような現象は、ドナー部位のドナー性が強く、アクセプター部位のアクセプター性が強い時に顕著に見られる。
アクセプター性の強さはその部位の電子求引性の強さを表しているため、電子求引性基を有していない通常のホスト化合物と比べてLUMO準位がより深くなる。
一方、電子供与性基として一般的に知られているアリールアミン、カルバゾールは、ホストの部分骨格として知られている。すなわち、HOMO準位は通常のホスト化合物に比べ大きくは変化しない。
Such a phenomenon is noticeable when the donor property of the donor site is strong and the acceptor property of the acceptor site is strong.
Since the acceptor strength represents the electron withdrawing strength of the site, the LUMO level becomes deeper than that of a normal host compound having no electron withdrawing group.
On the other hand, arylamines and carbazoles generally known as electron donating groups are known as partial skeletons of hosts. That is, the HOMO level does not change greatly compared to a normal host compound.
このような場合、発光性化合物を有機EL素子のような電子デバイスに使用すると、正孔は分子のHOMO準位を経由し(ホッピングし)円滑に移動できるが、LUMO準位が深く、トラップ性が強いために、正孔と比較すると電子のホッピングが妨げられ、結果として電荷輸送性に偏りが生じると考えられる。
インドロインドールは、正孔輸送性の強さは以前から知られているが、カルバゾールやジフェニルアミンと比べ、HOMO準位が比較的浅いことは知られていない。
In such a case, when the light-emitting compound is used in an electronic device such as an organic EL element, holes can move smoothly (hopped) via the HOMO level of the molecule, but the LUMO level is deep and trapping property is increased. Therefore, it is considered that electron hopping is prevented as compared with holes, and as a result, the charge transport property is biased.
Although indoloindole has been known for its hole transporting strength for a long time, it is not known that the HOMO level is relatively shallow compared to carbazole and diphenylamine.
以下の表は、ドナー部位として、インドロインドール、ジフェニルアミン、カルバゾールについて、半経験的分子軌道計算法を用いて構造最適化計算を行った結果を示している。
蛍光発光性化合物の分子軌道計算による構造最適化及び電子密度分布の算出は、計算手法として、汎関数としてM06−2X、基底関数として6−31G(d)を用いた分子軌道計算用ソフトウェアGaussian09を用いた。
The following table shows the results of structure optimization calculations using semi-empirical molecular orbital calculation methods for indoloindole, diphenylamine, and carbazole as donor sites.
The structure optimization and the calculation of electron density distribution by molecular orbital calculation of a fluorescent compound are carried out by using molecular orbital calculation software Gaussian09 using M06-2X as a functional and 6-31G (d) as a basis function. Using.
この表1から、インドロインドールは、その他の一般的な電子供与性基よりもHOMOの準位が浅いことが分かる。よって、カルバゾールやジフェニルアミンのような電子供与性基を用いた場合よりも、正孔の注入バランスが合わせやすいといえる。したがって、発光層における再結合領域の拡大に伴う発光効率の向上や、寿命向上につながるものである。 From Table 1, it can be seen that indoloindole has a shallower HOMO level than other general electron donating groups. Therefore, it can be said that the hole injection balance is easier to match than when an electron donating group such as carbazole or diphenylamine is used. Therefore, the light emission efficiency is improved and the lifetime is increased due to the expansion of the recombination region in the light emitting layer.
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と陰極の間に少なくとも1層の発光層を含む有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該発光層の少なくとも1層が、発光材料として前記一般式(1−a)で表される構造を有する蛍光発光性化合物のうち少なくとも1種を含有し、前記蛍光発光性化合物が、前記一般式(3)で表される構造を有することを特徴とする。 The organic electroluminescent device of the present invention is an organic electroluminescent device having an organic layer including at least one light emitting layer between an anode and a cathode, wherein at least one of the light emitting layers is the above general formula as a light emitting material. contains at least one of (1-a) fluorescent compound having a structure represented by, the fluorescent compound is a feature that have a structure represented by the general formula (3) To do .
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記有機層のうち少なくとも1層が、前記一般式(1−a)又は(1−b)で表される構造を有する蛍光発光性化合物に加えて、前記一般式(I)で表される構造を有するホスト化合物を含有することを特徴とする。また、前記一般式(I)で表される構造を有するホスト化合物が、前記一般式(II)で表される構造を有することが好ましい。
また、本発明においては、前記蛍光発光性化合物の電子求引性基が、芳香族複素環基であることが好ましい。
In addition, in the organic electroluminescence element of the present invention, at least one layer of the organic layers has a structure represented by the general formula (1-a) or (1-b) , characterized in that it contains a host compound having a structure represented by the general formula (I). Moreover, it is preferable that the host compound which has a structure represented by the said general formula (I) has a structure represented by the said general formula (II).
In the present invention, the electron withdrawing group of the fluorescent compound is preferably an aromatic heterocyclic group.
本発明に係る前記蛍光発光性化合物又は、前記蛍光発光性化合物及び一般式(I)又は(II)で表されるホスト化合物は、発光性薄膜にも好ましく適用できる。
さらに、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子及び発光性薄膜は、表示装置や照明装置に好ましく適用できる。
The fluorescent compound according to the present invention, or the fluorescent compound and the host compound represented by the general formula (I) or (II) can be preferably applied to a light-emitting thin film.
Furthermore, the organic electroluminescence element and the light-emitting thin film of the present invention can be preferably applied to a display device or a lighting device.
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
本論に入る前に、本発明の技術思想と関連する、有機ELの発光方式及び発光材料について述べる。
Hereinafter, the present invention, its components, and modes and modes for carrying out the present invention will be described in detail. In addition, in this application, "-" is used in the meaning which includes the numerical value described before and behind that as a lower limit and an upper limit.
Before going into this discussion, an organic EL light emitting system and a light emitting material related to the technical idea of the present invention will be described.
<有機ELの発光方式>
有機ELの発光方式としては三重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「リン光発光」と、一重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「蛍光発光」の二通りがある。
有機ELのような電界で励起する場合には、三重項励起子が75%の確率で、一重項励起子が25%の確率で生成するため、リン光発光の方が蛍光発光に比べ発光効率を高くすることが可能で、低消費電力化を実現するには優れた方式である。
一方、蛍光発光においても、75%の確率で生成してしまう、通常では、励起子のエネルギーが、無輻射失活により、熱にしかならない三重項励起子を、高密度で存在させることによって、二つの三重項励起子から一つの一重項励起子を発生させて発光効率を向上させるTTA(Triplet−Triplet Annihilation、また、Triplet−Triplet Fusion:「TTF」と略記する。)機構を利用した方式が見つかっている。
<Light emitting method of organic EL>
There are two types of organic EL emission methods: “phosphorescence emission” that emits light when returning from the triplet excited state to the ground state, and “fluorescence emission” that emits light when returning from the singlet excited state to the ground state. is there.
When excited by an electric field such as an organic EL, triplet excitons are generated with a probability of 75% and singlet excitons are generated with a probability of 25%. Therefore, phosphorescence is more efficient than fluorescence. This is an excellent method for realizing low power consumption.
On the other hand, in the fluorescence emission, the triplet excitons that are generated with a probability of 75% ordinarily, and the exciton energy becomes only heat due to non-radiation deactivation, are present at high density. There is a system using a TTA (triplet-triplet annealing: abbreviated as “TTF”) mechanism that generates singlet excitons from two triplet excitons to improve luminous efficiency. Has been found.
さらに、近年では、安達らの発見により一重項励起状態と三重項励起状態のエネルギーギャップを小さくすることで、発光中のジュール熱及び/又は発光素子が置かれる環境温度によりエネルギー準位の低い三重項励起状態から一重項励起状態に逆項間交差がおこり、結果としてほぼ100%に近い蛍光発光を可能とする現象(熱励起型遅延蛍光、又は熱励起型遅延蛍光ともいう:「TADF」)とそれを可能にする蛍光物質が見いだされている(例えば、非特許文献1等参照。)。 Furthermore, in recent years, the discovery of Adachi et al. Has reduced the energy gap between the singlet excited state and the triplet excited state. Reverse intersystem crossing from the singlet excited state to the singlet excited state, and as a result, a phenomenon that enables nearly 100% fluorescence emission (also referred to as thermally excited delayed fluorescence or thermally excited delayed fluorescence: “TADF”) And a fluorescent substance that makes this possible have been found (for example, see Non-Patent Document 1).
<リン光発光性化合物>
前述のとおり、リン光発光は発光効率的には蛍光発光よりも理論的には3倍有利であるが、三重項励起状態から一重項基底状態へのエネルギー失活(=リン光発光)は禁制遷移であり、また同様に一重項励起状態から三重項励起状態への項間交差も禁制遷移であるため、通常その速度定数は小さい。すなわち、遷移が起こりにくいため、励起子寿命はミリ秒から秒オーダーと長くなり、所望の発光を得ることが困難である。
ただし、イリジウムや白金などの重金属を用いた錯体が発光する場合には、中心金属の重原子効果によって、前記の禁制遷移の速度定数が三桁以上増大し、配位子の選択によっては、100%のリン光量子収率を得ることも可能となる。
しかしながら、このような理想的な発光を得るためには、希少金属であるイリジウムやパラジウム、白金などのいわゆる白金属と呼ばれる貴金属を用いる必要があり、大量に使用されることになるとその埋蔵量や金属自体の値段が産業上大きな問題となってくる。
<Phosphorescent compound>
As described above, phosphorescence is theoretically 3 times more advantageous than fluorescence in terms of light emission efficiency, but energy deactivation (= phosphorescence) from triplet excited state to singlet ground state is forbidden. Similarly, since the intersystem crossing from the singlet excited state to the triplet excited state is also a forbidden transition, the rate constant is usually small. That is, since the transition is difficult to occur, the exciton lifetime is increased from millisecond to second order, and it is difficult to obtain desired light emission.
However, when a complex using a heavy metal such as iridium or platinum emits light, the rate constant of the forbidden transition increases by three orders of magnitude or more due to the heavy atom effect of the central metal. % Phosphorescence quantum yield can be obtained.
However, in order to obtain such ideal light emission, it is necessary to use a rare metal called a white metal such as iridium, palladium, or platinum, which is a rare metal. The price of the metal itself is a major industrial issue.
<蛍光発光性化合物>
一般的な蛍光発光性化合物は、リン光発光性化合物のような重金属錯体である必要性は特になく、炭素、酸素、窒素及び水素などの一般的な元素の組み合わせから構成される、いわゆる有機化合物が適用でき、さらに、リンや硫黄、ケイ素などその他の非金属元素を用いることも可能で、また、アルミニウムや亜鉛などの典型金属の錯体も活用できるなど、その多様性はほぼ無限と言える。
ただし、従来の蛍光化合物では前記のように励起子の25%しか発光に適用できないために、リン光発光のような高効率発光は望めない。
<Fluorescent compound>
A general fluorescent compound is not necessarily a heavy metal complex like a phosphorescent compound, and is a so-called organic compound composed of a combination of general elements such as carbon, oxygen, nitrogen and hydrogen. In addition, other non-metallic elements such as phosphorus, sulfur, and silicon can be used, and complexes of typical metals such as aluminum and zinc can be used.
However, since only 25% of excitons can be applied to light emission as described above with conventional fluorescent compounds, high efficiency light emission such as phosphorescence emission cannot be expected.
<遅延蛍光化合物>
[励起三重項−三重項消滅(TTA)遅延蛍光化合物]
蛍光発光性化合物の問題点を解決すべく登場したのが遅延蛍光を利用した発光方式である。三重項励起子同士の衝突を起源とするTTA方式は、下記のような一般式で記述できる。すなわち、従来、励起子のエネルギーが、無輻射失活により、熱にしか変換されなかった三重項励起子の一部が、発光に寄与しうる一重項励起子に逆項間交差できるメリットがあり、実際の有機EL素子においても従来の蛍光発光素子の約2倍の外部取り出し量子効率を得ることができている。
一般式: T* + T* → S* + S
(式中、T*は三重項励起子、S*は一重項励起子、Sは基底状態分子を表す。)
しかしながら、上式からも分かるように、二つの三重項励起子から発光に利用できる一重項励起子は一つしか生成しないため、この方式で100%の内部量子効率を得ることは原理上できない。
<Delayed fluorescent compound>
[Excited triplet-triplet annihilation (TTA) delayed fluorescent compound]
In order to solve the problems of fluorescent compounds, a light emission method using delayed fluorescence has appeared. The TTA method that originates from collisions between triplet excitons can be described by the following general formula. That is, there is a merit that a part of triplet excitons, in which the energy of excitons has been converted only to heat due to non-radiation deactivation, can cross back to singlet excitons that can contribute to light emission. Even in an actual organic EL device, it is possible to obtain an external extraction quantum efficiency approximately twice that of a conventional fluorescent light emitting device.
General formula: T * + T * → S * + S
(In the formula, T * represents a triplet exciton, S * represents a singlet exciton, and S represents a ground state molecule.)
However, as can be seen from the above equation, since only one singlet exciton that can be used for light emission is generated from two triplet excitons, it is theoretically impossible to obtain 100% internal quantum efficiency by this method.
[熱活性型遅延蛍光(TADF)化合物]
もう一つの高効率蛍光発光であるTADF方式は、TTAの問題点を解決できる方式である。
蛍光発光性化合物は前記のごとく無限に分子設計できる利点を持っている。すなわち、分子設計された化合物の中で、特異的に三重項励起状態と一重項励起状態のエネルギー準位差(以降、ΔEstと記載する。)が極めて近接する化合物が存在する(図1参照)。
このような化合物は、分子内に重原子を持っていないにもかかわらず、ΔEstが小さいために通常では起こりえない三重項励起状態から一重項励起状態への逆項間交差が起こる。さらに、一重項励起状態から基底状態への失活(=蛍光発光)の速度定数が極めて大きいことから、三重項励起子はそれ自体が基底状態に熱的に失活(無輻射失活)するよりも、一重項励起状態経由で蛍光を発しながら基底状態に戻る方が速度論的に有利である。そのため、TADFでは理想的には100%の蛍光発光が可能となる。
[Thermal activated delayed fluorescence (TADF) compound]
The TADF method, which is another highly efficient fluorescent emission, is a method that can solve the problems of TTA.
As described above, the fluorescent compound has the advantage that the molecule can be designed infinitely. That is, among the molecularly designed compounds, there is a compound in which the energy level difference between the triplet excited state and the singlet excited state (hereinafter referred to as ΔEst) is extremely close (see FIG. 1). .
Although such a compound does not have a heavy atom in the molecule, a reverse intersystem crossing from a triplet excited state to a singlet excited state, which cannot normally occur due to a small ΔEst, occurs. Furthermore, since the rate constant of deactivation from singlet excited state to ground state (= fluorescence emission) is extremely large, triplet excitons themselves are thermally deactivated to ground state (non-radiative deactivation). It is more kinetically advantageous to return to the ground state while emitting fluorescence via the singlet excited state. Therefore, TADF can ideally emit 100% fluorescence.
<ΔEstに関する分子設計思想>
上記ΔEstを小さくするための分子設計について説明する。
ΔEstを小さくするためには、原理上分子内の最高被占軌道(Highest Occupied Molecular Orbital:HOMO)と最低空軌道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital:LUMO)の空間的な重なりを小さくすることが最も効果的である。
一般に分子の電子軌道において、HOMOは電子供与性部位に、LUMOは電子吸引性部位に分布することが知られており、分子内に電子供与性と電子吸引性の骨格を導入することによって、HOMOとLUMOが存在する位置を遠ざけることが可能である。
<Molecular design concept for ΔEst>
The molecular design for reducing the ΔEst will be described.
In order to reduce ΔEst, in principle, it is most effective to reduce the spatial overlap between the highest occupied orbital (HOMO) and the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) in the molecule. It is.
In general, it is known that HOMO is distributed in electron donating sites and LUMO is distributed in electron withdrawing sites in the electron orbit of the molecule. By introducing an electron donating and electron withdrawing skeleton into the molecule, HOMO is distributed. It is possible to move away the position where LUMO exists.
例えば、前述の非特許文献1においては、シアノ基やスルホニル基、トリアジンなどの電子吸引性の骨格と、カルバゾールやジフェニルアミノ基等の電子供与性の骨格とを導入することで、LUMOとHOMOとをそれぞれ局在化させている。
また、化合物の基底状態と三重項励起状態との分子構造変化を小さくすることも効果的である。構造変化を小さくするための方法としては、例えば、化合物を剛直にすることなどが効果的である。ここで述べる剛直とは、例えば、分子内の環と環との結合における自由回転を抑制したり、またπ共役面の大きい縮合環を導入するなど、分子内において自由に動ける部位が少ないことを意味する。特に、発光に関与する部位を剛直にすることによって、励起状態における構造変化を小さくすることが可能である。
For example, in
It is also effective to reduce the change in molecular structure between the ground state and triplet excited state of the compound. As a method for reducing the structural change, for example, making the compound rigid is effective. Rigidity described here means that there are few sites that can move freely in the molecule, for example, by suppressing free rotation in the bond between rings in the molecule or by introducing a condensed ring with a large π conjugate plane. means. In particular, it is possible to reduce the structural change in the excited state by making the portion involved in light emission rigid.
<TADF化合物が抱える一般的な問題>
TADF化合物は、その発光機構及び分子構造の面から種々の問題を抱えている。
以下に、一般的にTADF化合物が抱える問題の一部について記載する。
TADF化合物においては、ΔEstを小さくするためにHOMOとLUMOの存在する部位をできるだけ離すことが必要であるが、このため、分子の電子状態はHOMO部位とLUMO部位が分離したドナー/アクセプター型の分子内CT(分子内電荷移動状態)に近い状態となってしまう。
<General problems with TADF compounds>
TADF compounds have various problems in terms of their light emission mechanism and molecular structure.
The following describes some of the problems generally associated with TADF compounds.
In the TADF compound, it is necessary to separate the HOMO and LUMO sites as much as possible in order to reduce ΔEst. Therefore, the electronic state of the molecule is a donor / acceptor type molecule in which the HOMO and LUMO sites are separated. It becomes a state close to the inner CT (intramolecular charge transfer state).
このような分子は、複数存在すると一方の分子のドナー部分と他方の分子のアクセプター部分とを近接させると安定化が図られる。そのような安定化状態は2分子間での形成に限らず、3分子間若しくは5分子間であったりと、複数の分子間でも形成が可能であり、結果、広い分布を持った種々の安定化状態が存在することになり、吸収スペクトル及び発光スペクトルの形状はブロードとなる。また、2分子を超える多分子集合体を形成しない場合であっても、二つの分子の相互作用する方向や角度などの違いによって様々な存在状態を取り得るため、基本的にはやはり吸収スペクトル及び発光スペクトルの形状はブロードになる。 When a plurality of such molecules are present, stabilization is achieved by bringing the donor part of one molecule and the acceptor part of the other molecule close to each other. Such a stabilization state is not limited to the formation between two molecules, but can also be formed between a plurality of molecules, such as between three or five molecules, resulting in various stable distributions with a wide distribution. Therefore, the shape of the absorption spectrum and the emission spectrum is broad. In addition, even when a multimolecular assembly exceeding two molecules is not formed, various existence states can be taken depending on the direction and angle of interaction between the two molecules. The shape of the emission spectrum becomes broad.
発光スペクトルがブロードになることは二つの大きな問題を発生する。
一つは、発光色の色純度が低くなってしまう問題である。照明用途に適用する場合にはそれほど大きな問題にはならないが、電子ディスプレイ用途に用いる場合には色再現域が小さくなり、また、純色の色再現性が低くなることから、実際に商品として適用するのは困難になる。
The broad emission spectrum creates two major problems.
One problem is that the color purity of the emitted color is lowered. This is not a big problem when applied to lighting applications, but when used for electronic displays, the color gamut is small and the color reproducibility of pure colors is low. It becomes difficult.
もう一つの問題は、発光スペクトルの短波長側の立ち上がり波長(「蛍光ゼロ−ゼロバンド」と呼ぶ。)が短波長化、すなわち高S1化(最低励起一重項エネルギーの高エネルギー化)してしまうことである。
当然、蛍光ゼロ−ゼロバンドが短波長化すると、S1よりもエネルギーの低いT1に由来するリン光ゼロ−ゼロバンドも短波長化(高T1化)してしまう。そのため、ホスト化合物に用いる化合物はドーパントからの逆エネルギー移動を起こさないようにするために、高S1化かつ高T1化する必要が生じてくる。
これは非常に大きな問題である。基本的に有機化合物からなるホスト化合物は、有機EL素子中で、カチオンラジカル状態、アニオンラジカル状態及び励起状態という、複数の活性かつ不安定な化学種の状態を取るが、それら化学種は分子内のπ共役系を拡大することで比較的安定に存在させることができる。
Another problem is the rising wavelength on the short wavelength side of the emission spectrum ( "fluorescence Zero - Zero Band". Referred to as) of shorter wavelength, that is, high S 1 (higher energy of the lowest excited singlet energy) It is to end.
Naturally, when the fluorescence zero-zero band is shortened, the phosphorescence zero-zero band derived from T 1 having lower energy than S 1 is also shortened (higher T 1 ). Therefore, the compound used in the host compound in order not to cause reverse energy transfer from the dopant, arises the need to 1 reduction and high T 1 of high S.
This is a very big problem. A host compound consisting essentially of an organic compound takes a plurality of active and unstable chemical species such as a cation radical state, an anion radical state, and an excited state in an organic EL device. By expanding the π-conjugated system, it can exist relatively stably.
しかしながら、高S1化かつ高T1化を達成するには、分子内のπ共役系を縮小するか若しくは断ち切ることが必要となり、安定性と両立させることが困難になって、結果的には発光素子の寿命を短くしてしまうことになる。
また、重金属を含まないTADF化合物においては、三重項励起状態から基底状態に失活する遷移は禁制遷移であるため、三重項励起状態での存在時間(励起子寿命)は数百μ秒からミリ秒オーダーと極めて長い。そのため、仮にホスト化合物のT1エネルギーが蛍光発光性化合物のそれよりも高いエネルギーレベルであったとしても、その存在時間の長さから蛍光発光性化合物の三重項励起状態からホスト化合物へと逆エネルギー移動を起こす確率が増大してしまう。その結果、本来意図するTADF化合物の三重項励起状態から一重項励起状態への逆項間交差が十分に起こらずに、ホスト化合物への好ましくない逆エネルギー移動が主流となって、十分な発光効率が得られないという不具合が生じてしまう。
However, in order to achieve high S 1 and high T 1 , it is necessary to reduce or cut off the π-conjugated system in the molecule, which makes it difficult to achieve both stability and as a result. The life of the light emitting element is shortened.
In addition, in a TADF compound that does not contain a heavy metal, a transition that is deactivated from a triplet excited state to a ground state is a forbidden transition, and therefore the existence time (exciton lifetime) in the triplet excited state is from several hundred microseconds to millisecond. It is very long with second order. Therefore, even if the T 1 energy of the host compound is higher than that of the fluorescent compound, the reverse energy from the triplet excited state of the fluorescent compound to the host compound is determined from the length of the existence time. The probability of causing movement increases. As a result, the reverse reverse energy transfer from the triplet excited state to the singlet excited state of the originally intended TADF compound does not occur sufficiently, and unfavorable reverse energy transfer to the host compound becomes the mainstream, resulting in sufficient luminous efficiency. Inconvenience that cannot be obtained.
上記のような問題を解決するためには、TADF化合物の発光スペクトル形状をシャープ化し、発光極大波長と発光スペクトルの立ち上がり波長の差を小さくすることが必要となる。そのためには、基本的には一重項励起状態及び三重項励起状態の分子構造の変化を小さくすることにより達成することが可能である。
また、ホスト化合物への逆エネルギー移動を抑制するためには、TADF化合物の三重項励起状態の存在時間(励起子寿命)を短くすることが効果的である。それを実現するには、基底状態と三重項励起状態との分子構造変化を小さくすること及び禁制遷移をほどくのに好適な置換基や元素を導入することなどの対策を講じることで、問題点を解決することが可能である。
In order to solve the above problems, it is necessary to sharpen the emission spectrum shape of the TADF compound and reduce the difference between the emission maximum wavelength and the rising wavelength of the emission spectrum. This can be basically achieved by reducing the change in the molecular structure of the singlet excited state and the triplet excited state.
In order to suppress reverse energy transfer to the host compound, it is effective to shorten the existence time (exciton lifetime) of the triplet excited state of the TADF compound. To achieve this, it is necessary to take measures such as reducing the molecular structure change between the ground state and the triplet excited state and introducing suitable substituents and elements to undo the forbidden transition. Can be solved.
本発明は、上記のように励起状態の構造変化を抑えた蛍光発光性化合物及び三重項励起状態の存在時間が短い蛍光発光性化合物も設計思想として含むものである。
以下に、本発明に係る蛍光発光性化合物に関する種々の測定方法について記載する。
The present invention includes, as a design concept, a fluorescent compound that suppresses the structural change of the excited state as described above and a fluorescent compound that has a short triplet excited state.
Hereinafter, various measurement methods relating to the fluorescent compound according to the present invention will be described.
[電子密度分布]
本発明に係る蛍光発光性化合物は、ΔEstを小さくするという観点から、分子内においてHOMOとLUMOが実質的に分離していることが好ましい。これらHOMO及びLUMOの分布状態については、半経験的分子軌道計算により得られる構造最適化した際の電子密度分布から求めることができる。
本発明における蛍光発光性化合物の半経験的分子軌道計算による構造最適化及び電子密度分布の算出は、計算手法として、汎関数としてB3LYP、基底関数として6−31G(d)を用いた分子軌道計算用ソフトウェアを用いて算出することができ、ソフトウェアに特に限定はなく、いずれを用いても同様に求めることができる。
本発明においては、分子軌道計算用ソフトウェアとして、米国Gaussian社製のGaussian09(Revision C.01,M.J.Frisch,et al,Gaussian,Inc.,2010.)を用いた。
[Electron density distribution]
In the fluorescent compound according to the present invention, it is preferable that HOMO and LUMO are substantially separated in the molecule from the viewpoint of reducing ΔEst. The distribution states of these HOMO and LUMO can be obtained from the electron density distribution when the structure is optimized obtained by semi-empirical molecular orbital calculation.
In the present invention, structure optimization and electron density distribution calculation by semi-empirical molecular orbital calculation of a fluorescent compound in the present invention are performed using molecular orbital calculation using B3LYP as a functional and 6-31G (d) as a basis function. There is no particular limitation on the software, and any of them can be similarly calculated.
In the present invention, Gaussian 09 (Revision C.01, MJ Frisch, et al, Gaussian, Inc., 2010.) manufactured by Gaussian, USA was used as molecular orbital calculation software.
また、「HOMOとLUMOが実質的に分離している」とは、上記分子計算により算出されたHOMO軌道分布及びLUMO軌道分布の中心部位が離れており、より好ましくはHOMO軌道の分布とLUMO軌道の分布がほぼ重なっていないことを意味する。
また、HOMOとLUMOの分離状態については、前述の汎関数としてB3LYP、基底関数として6−31G(d)を用いた構造最適化計算から、さらに時間依存密度汎関数法(Time−Dependent DFT)による励起状態計算を実施してS1、T1のエネルギー(それぞれE(S1)、E(T1))を求めてΔEst=E(S1)−E(T1)として算出することも可能である。算出されたΔEstが小さいほど、HOMOとLUMOがより分離していることを示す。本発明においては、前述と同様の計算手法を用いて算出されたΔEstが0.5eV以下であることが好ましく、より好ましくは0.2eV以下であり、さらに好ましくは0.1eV以下である。
Further, “HOMO and LUMO are substantially separated” means that the HOMO orbital distribution calculated by the above molecular calculation and the central part of the LUMO orbital distribution are separated, more preferably the HOMO orbital distribution and the LUMO orbital. This means that the distributions of do not overlap.
As for the separation state of HOMO and LUMO, from the above-described structure optimization calculation using B3LYP as the functional and 6-31G (d) as the basis function, the time-dependent density functional method (Time-Dependent DFT) is used. It is also possible to calculate the energy of S 1 and T 1 (respectively E (S 1 ) and E (T 1 )) by calculating the excited state and calculate ΔEst = E (S 1 ) −E (T 1 ). It is. As the calculated ΔEst is smaller, HOMO and LUMO are more separated. In the present invention, ΔEst calculated using the same calculation method as described above is preferably 0.5 eV or less, more preferably 0.2 eV or less, and further preferably 0.1 eV or less.
[最低励起一重項エネルギーS1]
本発明における蛍光発光性化合物の最低励起一重項エネルギーS1については、本発明においても通常の手法と同様にして算出されるもので定義される。すなわち、測定対象となる化合物を石英基板上に蒸着して試料を作製し、常温(300K)でこの試料の吸収スペクトル(縦軸:吸光度、横軸:波長とする。)を測定する。この吸収スペクトルの長波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値に基づいて、所定の換算式から算出される。
ただし、本発明において使用する蛍光発光性化合物の分子自体の凝集性が比較的高い場合、薄膜の測定においては凝集による誤差を生じる可能性がある。本発明における蛍光発光性化合物はストークスシフトが比較的小さいこと、さらに励起状態と基底状態の構造変化が小さいことを考慮し、本発明における最低励起一重項エネルギーS1は、室温(25℃)における蛍光発光性化合物の溶液状態の最大発光波長のピーク値を近似値として用いた。
ここで、使用する溶媒は、蛍光発光性化合物の凝集状態に影響を与えない、すなわち溶媒効果の影響が小さい溶媒、例えばシクロヘキサンやトルエン等の非極性溶媒等を用いることができる。
[Minimum excitation singlet energy S 1 ]
The lowest excited singlet energy S 1 of the fluorescent compound in the present invention is defined in the present invention as calculated in the same manner as in a normal method. That is, a sample to be measured is deposited on a quartz substrate to prepare a sample, and the absorption spectrum (vertical axis: absorbance, horizontal axis: wavelength) of this sample is measured at room temperature (300 K). A tangent line is drawn with respect to the rising edge of the absorption spectrum on the long wavelength side, and is calculated from a predetermined conversion formula based on the wavelength value at the intersection of the tangent line and the horizontal axis.
However, when the aggregation property of the molecule of the fluorescent compound used in the present invention is relatively high, an error due to aggregation may occur in the measurement of the thin film. In consideration of the fact that the fluorescent compound in the present invention has a relatively small Stokes shift and that the structural change between the excited state and the ground state is small, the lowest excited singlet energy S 1 in the present invention is at room temperature (25 ° C.). The peak value of the maximum emission wavelength in the solution state of the fluorescent compound was used as an approximate value.
Here, as the solvent to be used, a solvent that does not affect the aggregation state of the fluorescent compound, that is, a solvent having a small influence of the solvent effect, for example, a nonpolar solvent such as cyclohexane or toluene can be used.
[最低励起三重項エネルギーT1]
本発明における蛍光発光性化合物の最低励起三重項エネルギー(T1)については、溶液若しくは薄膜のフォトルミネッセンス(PL)特性により算出した。例えば、薄膜における算出方法としては、希薄状態の蛍光発光性化合物の分散物を薄膜にした後に、ストリークカメラを用い、過渡PL特性を測定することで、蛍光成分とリン光成分の分離を行い、そのエネルギー差をΔEstとして最低励起一重項エネルギーから最低励起三重項エネルギーを求めることができる。
測定・評価にあたって、絶対PL量子収率の測定については、絶対PL量子収率測定装置C9920−02(浜松ホトニクス社製)を用いた。発光寿命は、ストリークカメラC4334(浜松ホトニクス社製)を用いて、サンプルをレーザー光で励起させながら測定した。
[Minimum excitation triplet energy T 1 ]
The lowest excited triplet energy (T 1 ) of the fluorescent compound in the present invention was calculated from the photoluminescence (PL) characteristics of the solution or thin film. For example, as a calculation method in a thin film, after making a dispersion of a fluorescent fluorescent compound in a dilute state into a thin film, by using a streak camera and measuring transient PL characteristics, the fluorescent component and the phosphorescent component are separated, The lowest excited triplet energy can be obtained from the lowest excited singlet energy with the energy difference as ΔEst.
In measurement / evaluation, an absolute PL quantum yield measurement apparatus C9920-02 (manufactured by Hamamatsu Photonics) was used for measurement of the absolute PL quantum yield. The light emission lifetime was measured using a streak camera C4334 (manufactured by Hamamatsu Photonics) while exciting the sample with laser light.
《有機EL素子の構成層》
本発明の有機EL素子における代表的な素子構成としては、以下の構成を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
(1)陽極/発光層//陰極
(2)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(3)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
(4)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(5)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(6)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(7)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/(電子阻止層/)発光層/(正孔阻止層/)電子輸送層/電子注入層/陰極
上記の中で(7)の構成が好ましく用いられるが、これに限定されるものではない。
本発明に用いられる発光層は、単層又は複数層で構成されており、発光層が複数の場合は各発光層の間に非発光性の中間層を設けてもよい。
<< Constituent layers of organic EL elements >>
As typical element structures in the organic EL element of the present invention, the following structures can be exemplified, but the invention is not limited thereto.
(1) Anode / light emitting layer // cathode (2) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode (3) Anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode (4) Anode / hole transport layer / light emitting layer / Electron transport layer / cathode (5) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode (6) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (7) Anode / hole injection layer / hole transport layer / (electron blocking layer /) light emitting layer / (hole blocking layer /) electron transport layer / electron injection layer / cathode Among the above, the configuration of (7) is Although used preferably, it is not limited to this.
The light emitting layer used in the present invention is composed of a single layer or a plurality of layers. When there are a plurality of light emitting layers, a non-light emitting intermediate layer may be provided between the light emitting layers.
必要に応じて、発光層と陰極との間に正孔阻止層(正孔障壁層ともいう)や電子注入層(陰極バッファー層ともいう)を設けてもよく、また、発光層と陽極との間に電子阻止層(電子障壁層ともいう)や正孔注入層(陽極バッファー層ともいう)を設けてもよい。
本発明に用いられる電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層であり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。また、複数層で構成されていてもよい。
本発明に用いられる正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。また、複数層で構成されていてもよい。
上記の代表的な素子構成において、陽極と陰極を除いた層を「有機層」ともいう。
If necessary, a hole blocking layer (also referred to as a hole blocking layer) or an electron injection layer (also referred to as a cathode buffer layer) may be provided between the light emitting layer and the cathode. An electron blocking layer (also referred to as an electron barrier layer) or a hole injection layer (also referred to as an anode buffer layer) may be provided therebetween.
The electron transport layer used in the present invention is a layer having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer. Moreover, you may be comprised by multiple layers.
The hole transport layer used in the present invention is a layer having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. Moreover, you may be comprised by multiple layers.
In the above-described typical element configuration, the layer excluding the anode and the cathode is also referred to as “organic layer”.
(タンデム構造)
また、本発明の有機EL素子は、少なくとも1層の発光層を含む発光ユニットを複数積層した、いわゆるタンデム構造の素子であってもよい。
タンデム構造の代表的な素子構成としては、例えば以下の構成を挙げることができる。
陽極/第1発光ユニット/中間層/第2発光ユニット/中間層/第3発光ユニット/陰極
ここで、上記第1発光ユニット、第2発光ユニット及び第3発光ユニットは全て同じであっても、異なっていてもよい。また二つの発光ユニットが同じであり、残る一つが異なっていてもよい。
複数の発光ユニットは直接積層されていても、中間層を介して積層されていてもよく、中間層は、一般的に中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、陽極側の隣接層に電子を、陰極側の隣接層に正孔を供給する機能を持った層であれば、公知の材料構成を用いることができる。
(Tandem structure)
The organic EL element of the present invention may be a so-called tandem element in which a plurality of light emitting units including at least one light emitting layer are stacked.
As typical element configurations of the tandem structure, for example, the following configurations can be given.
Anode / first light emitting unit / intermediate layer / second light emitting unit / intermediate layer / third light emitting unit / cathode Here, the first light emitting unit, the second light emitting unit and the third light emitting unit are all the same, May be different. Two light emitting units may be the same, and the remaining one may be different.
A plurality of light emitting units may be laminated directly or via an intermediate layer, and the intermediate layer is generally an intermediate electrode, an intermediate conductive layer, a charge generation layer, an electron extraction layer, a connection layer, an intermediate layer. A known material structure can be used as long as it is also called an insulating layer and has a function of supplying electrons to the anode-side adjacent layer and holes to the cathode-side adjacent layer.
中間層に用いられる材料としては、例えば、ITO(インジウム・スズ酸化物)、IZO(インジウム・亜鉛酸化物)、ZnO2、TiN、ZrN、HfN、TiOx、VOx、CuI、InN、GaN、CuAlO2、CuGaO2、SrCu2O2、LaB6、RuO2、Al等の導電性無機化合物層や、Au/Bi2O3等の2層膜や、SnO2/Ag/SnO2、ZnO/Ag/ZnO、Bi2O3/Au/Bi2O3、TiO2/TiN/TiO2、TiO2/ZrN/TiO2等の多層膜、またC60等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物層、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等の導電性有機化合物層等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
発光ユニット内の好ましい構成としては、例えば、上記の代表的な素子構成で挙げた(1)〜(7)の構成から、陽極と陰極を除いたもの等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
Examples of materials used for the intermediate layer include ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), ZnO 2 , TiN, ZrN, HfN, TiO x , VO x , CuI, InN, GaN, Conductive inorganic compound layers such as CuAlO 2 , CuGaO 2 , SrCu 2 O 2 , LaB 6 , RuO 2 and Al, two-layer films such as Au / Bi 2 O 3 , SnO 2 / Ag / SnO 2 , ZnO / Multi-layer film such as Ag / ZnO, Bi 2 O 3 / Au / Bi 2 O 3 , TiO 2 / TiN / TiO 2 , TiO 2 / ZrN / TiO 2 , fullerenes such as C 60 , conductivity such as oligothiophene Examples include organic material layers, conductive organic compound layers such as metal phthalocyanines, metal-free phthalocyanines, metal porphyrins, and metal-free porphyrins. The present invention is not limited thereto.
As a preferable configuration in the light emitting unit, for example, a configuration in which the anode and the cathode are excluded from the configurations (1) to (7) described in the above-described typical element configurations, and the like is described. It is not limited.
タンデム型有機EL素子の具体例としては、例えば、米国特許第6337492号、米国特許第7420203号、米国特許第7473923号、米国特許第6872472号、米国特許第6107734号、米国特許第6337492号、国際公開第2005/009087号、特開2006−228712号公報、特開2006−24791号公報、特開2006−49393号公報、特開2006−49394号公報、特開2006−49396号公報、特開2011−96679号公報、特開2005−340187号公報、特許第4711424号、特許第3496681号、特許第3884564号、特許第4213169号、特開2010−192719号公報、特開2009−076929号公報、特開2008−078414号公報、特開2007−059848号公報、特開2003−272860号公報、特開2003−045676号公報、国際公開第2005/094130号等に記載の素子構成や構成材料等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。 Specific examples of the tandem organic EL element include, for example, US Pat. No. 6,337,492, US Pat. No. 7,420,203, US Pat. No. 7,473,923, US Pat. No. 6,872,472, US Pat. No. 6,107,734, US Pat. No. 6,337,492, International JP 2005/009087, JP 2006-228712, JP 2006-24791, JP 2006-49393, JP 2006-49394, JP 2006-49396, JP 2011. No. -96679, JP 2005-340187, JP 47114424, JP 34096681, JP 3884564, JP 431169, JP 2010-192719, JP 2009-076929, JP Open 2008-0784 No. 4, JP 2007-059848 A, JP 2003-272860 A, JP 2003-045676 A, International Publication No. 2005/094130, and the like. The present invention is not limited to these.
以下、本発明の有機EL素子を構成する各層について説明する。 Hereinafter, each layer which comprises the organic EL element of this invention is demonstrated.
《発光層》
本発明に用いられる発光層は、電極又は隣接層から注入されてくる電子及び正孔が再結合し、励起子を経由して発光する場を提供する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても、発光層と隣接層との界面であってもよい。本発明に用いられる発光層は、本発明で規定する要件を満たしていれば、その構成に特に制限はない。
発光層の層厚の総和は、特に制限はないが、形成する膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2nm〜5μmの範囲に調整することが好ましく、より好ましくは2〜500nmの範囲に調整され、更に好ましくは5〜200nmの範囲に調整される。
また、本発明に用いられる個々の発光層の層厚としては、2nm〜1μmの範囲に調整することが好ましく、より好ましくは2〜200nmの範囲に調整され、更に好ましくは3〜150nmの範囲に調整される。
本発明に用いられる発光層には、発光ドーパント(発光性化合物、発光性ドーパント化合物、ドーパント化合物、単にドーパントともいう。)を含有し、さらに前述のホスト化合物(マトリックス材料、発光ホスト化合物、単にホストともいう。)を含有することが好ましい。
<Light emitting layer>
The light-emitting layer used in the present invention is a layer that provides a field in which electrons and holes injected from an electrode or an adjacent layer are recombined to emit light via excitons, and the light-emitting portion is the light-emitting layer. Even in the layer, it may be the interface between the light emitting layer and the adjacent layer. If the light emitting layer used for this invention satisfy | fills the requirements prescribed | regulated by this invention, there will be no restriction | limiting in particular in the structure.
The total thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but it prevents the uniformity of the film to be formed, the application of unnecessary high voltage during light emission, and the improvement of the stability of the emission color against the drive current. From a viewpoint, it is preferable to adjust to the range of 2 nm-5 micrometers, More preferably, it adjusts to the range of 2-500 nm, More preferably, it adjusts to the range of 5-200 nm.
Further, the thickness of each light emitting layer used in the present invention is preferably adjusted to a range of 2 nm to 1 μm, more preferably adjusted to a range of 2 to 200 nm, and further preferably in a range of 3 to 150 nm. Adjusted.
The light-emitting layer used in the present invention contains a light-emitting dopant (a light-emitting compound, a light-emitting dopant compound, a dopant compound, also simply referred to as a dopant), and further, the above-described host compound (matrix material, light-emitting host compound, simply host). It is also preferable to contain.
(1)発光ドーパント
発光ドーパントとしては、蛍光発光性ドーパント(蛍光発光性化合物、蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう。)と、リン光発光性ドーパント(リン光発光性化合物、リン光ドーパント、リン光性化合物ともいう。)が好ましく用いられる。本発明においては、少なくとも1層の発光層が、前述の蛍光発光性化合物を含有することを特徴とする。
本発明においては、発光層が蛍光発光性化合物を5〜40質量%の範囲内で含有し、特に、10〜30質量%の範囲内で含有することが好ましい。
発光層中の蛍光発光性化合物の濃度については、使用される特定の蛍光発光性化合物及びデバイスの必要条件に基づいて、任意に決定することができ、発光層の層厚方向に対し、均一な濃度で含有されていてもよく、また任意の濃度分布を有していてもよい。
また、本発明に係る蛍光発光性化合物は、複数種を併用して用いてもよく、構造の異なる蛍光発光性化合物同士の組み合わせや、蛍光発光性化合物とリン光発光性化合物とを組み合わせて用いてもよい。これにより、任意の発光色を得ることができる。
(1) Luminescent dopant As the luminescent dopant, a fluorescent luminescent dopant (also referred to as a fluorescent luminescent compound, a fluorescent dopant, or a fluorescent compound) and a phosphorescent dopant (phosphorescent compound, phosphorescent dopant, phosphorescence). It is also referred to as a functional compound). In the present invention, at least one light emitting layer contains the above-described fluorescent compound.
In this invention, it is preferable that a light emitting layer contains a fluorescent compound in the range of 5-40 mass%, and contains in the range of 10-30 mass% especially.
The concentration of the fluorescent compound in the light emitting layer can be arbitrarily determined based on the specific fluorescent compound used and the requirements of the device, and is uniform in the thickness direction of the light emitting layer. It may be contained in a concentration and may have any concentration distribution.
In addition, the fluorescent compound according to the present invention may be used in combination of two or more kinds, a combination of fluorescent compounds having different structures, or a combination of a fluorescent compound and a phosphorescent compound. May be. Thereby, arbitrary luminescent colors can be obtained.
本発明の有機EL素子や本発明に用いられる化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」(日本色彩学会編、東京大学出版会、1985)の108頁の図3.16において、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタ(株)製)で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。
本発明においては、1層又は複数層の発光層が、発光色の異なる複数の発光ドーパントを含有し、白色発光を示すことも好ましい。
白色を示す発光ドーパントの組み合わせについては特に限定はないが、例えば青と橙や、青と緑と赤の組み合わせ等が挙げられる。
本発明の有機EL素子における白色とは、2度視野角正面輝度を前述の方法により測定した際に、1000cd/m2でのCIE1931表色系における色度がx=0.39±0.09、y=0.38±0.08の領域内にあることが好ましい。
The light emission color of the organic EL device of the present invention and the compound used in the present invention is shown in FIG. It is determined by the color when the result measured with the luminance meter CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.) is applied to the CIE chromaticity coordinates.
In the present invention, it is also preferable that the light emitting layer of one layer or a plurality of layers contains a plurality of light emitting dopants having different emission colors and emits white light.
There are no particular limitations on the combination of the light-emitting dopants that exhibit white, and examples include blue and orange, and a combination of blue, green, and red.
The white color in the organic EL device of the present invention means that the chromaticity in the CIE 1931 color system at 1000 cd / m 2 is x = 0.39 ± 0.09 when the 2 ° viewing angle front luminance is measured by the method described above. Y = 0.38 ± 0.08.
(1.1)蛍光発光性化合物
本発明に係る発光材料として、下記一般式(1−a)又は(1−b)で表される構造を有する蛍光発光性化合物のうち少なくとも1種を含有することを特徴とする。
(1.1) Fluorescent compound As a luminescent material according to the present invention, at least one of fluorescent compounds having a structure represented by the following general formula (1-a) or (1-b) is contained. It is characterized by that.
式中、R1及びR2は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。Ra及びRbは、各々独立に、置換基を表す。p及びqは、各々、0から4の整数を表す。Ra及びRbが置換基を表し、複数存在するとき、各々の置換基は同一でも異なっていてもよく、また各々の置換基同士が結合して環を形成していてもよい。また、R1、R2、Ra及びRbのうち少なくとも一つは電子求引性基又は電子求引性基で置換された基を表す。 In the formula, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. Ra and Rb each independently represent a substituent. p and q each represents an integer of 0 to 4. When Ra and Rb represent a substituent and a plurality thereof are present, each substituent may be the same or different, and each substituent may be bonded to form a ring. Further, at least one of R 1 , R 2 , Ra and Rb represents an electron withdrawing group or a group substituted with an electron withdrawing group.
R1、R2、Ra及びRbが置換基を表す場合、その置換基としては、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、芳香族炭化水素基(芳香族炭化水素環基、芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等)、芳香族複素環基(例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4−トリアゾール−1−イル基、1,2,3−トリアゾール−1−イル基等)、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)、ホスホノ基等が挙げられる。好ましくは、アルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基が挙げられる。 When R 1 , R 2 , Ra and Rb represent a substituent, examples of the substituent include an alkyl group (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, Octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, etc.), cycloalkyl group (eg, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), alkenyl group (eg, vinyl group, allyl group, etc.), alkynyl group (eg, ethynyl) Group, propargyl group, etc.), aromatic hydrocarbon group (aromatic hydrocarbon ring group, aromatic carbocyclic group, aryl group, etc.), for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group , Naphthyl, anthryl, azulenyl, acenaphthenyl, fluorenyl, phenanthryl, in Denyl group, pyrenyl group, biphenylyl group, etc.), aromatic heterocyclic group (for example, pyridyl group, pyrimidinyl group, furyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, benzoimidazolyl group, pyrazolyl group, pyrazinyl group, triazolyl group (for example, 1, 2,4-triazol-1-yl group, 1,2,3-triazol-1-yl group, etc.), oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, isoxazolyl group, isothiazolyl group, furazanyl group, thienyl group, A quinolyl group, a benzofuryl group, a dibenzofuryl group, a benzothienyl group, a dibenzothienyl group, an indolyl group, a carbazolyl group, a carbolinyl group, a diazacarbazolyl group (one of the carbon atoms constituting the carboline ring of the carbolinyl group is a nitrogen atom ), Quinoxalinyl group, Ridazinyl group, triazinyl group, quinazolinyl group, phthalazinyl group, etc.), heterocyclic group (eg, pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.), alkoxy group (eg, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyl) Oxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy group (eg, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryloxy group (eg, phenoxy group, naphthyloxy group, etc.), alkylthio group (Eg, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio group (eg, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.), arylthio group ( For example, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), alkoxycarbonyl group (eg, methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryloxycarbonyl group (eg, Phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (for example, aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group) , Dodecylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.), acyl group (for example, aceto Til group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc.), acyloxy group ( For example, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.), amide group (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonyl) Amino group, propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcal Nylamino group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), carbamoyl group (for example, aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexyl) Aminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), ureido group (for example, methylureido group, ethylureido) Group, pentylureido group, cyclohexylureido group, octylureido group, dodecylureido group, phenylureido group, naphthylureido group, 2-pyri Sulfinyl group (eg, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group) Group), alkylsulfonyl group (for example, methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, etc.), arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (for example, phenyl) Sulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.), amino group (for example, amino group, ethylamino group, dimethylamino group, diphenylamine) Mino group, butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group, etc.), halogen atom (for example, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, etc.) , Fluorinated hydrocarbon group (for example, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, pentafluorophenyl group, etc.), cyano group, nitro group, hydroxy group, mercapto group, silyl group (for example, trimethylsilyl group, Triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group, phenyldiethylsilyl group, etc.), phosphono group and the like. Preferably, an alkyl group, an aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic group, an alkoxy group, an amino group, and a cyano group are exemplified.
更に、インドール環、インダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイミダゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、イソインドール環、ナフチリジン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環(前記カルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、アクリジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環等の置換基も好適に用いることができる。これらの置換基は、電子吸引性基としても好適に用いることができる。 Furthermore, indole ring, indazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, benzimidazole ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinazoline ring, quinoxaline ring, isoindole ring, naphthyridine ring, phthalazine ring, carbazole ring, carboline ring, diaza Substituents such as a carbazole ring (in which one of the carbon atoms constituting the carboline ring is replaced by a nitrogen atom), acridine ring, phenanthridine ring, phenanthroline ring, phenazine ring, azadibenzofuran ring, azadibenzothiophene ring Can also be suitably used. These substituents can also be suitably used as electron withdrawing groups.
また、これらの置換基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は、複数が互いに結合して環を形成していてもよい。 Moreover, these substituents may be further substituted with the above substituents. Further, these substituents may be bonded together to form a ring.
また、本発明に係る蛍光発光性化合物が、下記一般式(2−a)又は(2−b)で表される構造を有することが好ましい。 Moreover, it is preferable that the fluorescent compound according to the present invention has a structure represented by the following general formula (2-a) or (2-b).
式中、R3及びR4は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。k及びmは、各々、1から5の整数を表す。R3及びR4が置換基を表し、複数存在するとき、各々の置換基は同一でも異なっていてもよく、また各々の置換基同士が結合して環を形成していてもよい。L1及びL2は、各々、2〜6価の連結基又は単結合を表す。Ra及びRbは、各々、置換基を表す。p及びqは、各々、0から4の整数を表す。Ra及びRbが置換基を表し、複数存在するとき、各々の置換基は同一でもよく、異なっていてもよく、また各々の置換基同士が結合して環を形成していてもよい。また、R3、R4、Ra及びRbのうち少なくとも一つは電子求引性基又は電子求引性基で置換された基を表す。 In the formula, R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. k and m each represents an integer of 1 to 5. When R 3 and R 4 represent a substituent and a plurality thereof are present, each substituent may be the same or different, and each substituent may be bonded to form a ring. L 1 and L 2 each represent a divalent to hexavalent linking group or a single bond. Ra and Rb each represents a substituent. p and q each represents an integer of 0 to 4. When Ra and Rb represent a substituent and a plurality thereof are present, each substituent may be the same or different, and each substituent may be bonded to form a ring. Further, at least one of R 3 , R 4 , Ra and Rb represents an electron withdrawing group or a group substituted with an electron withdrawing group.
R3、R4、Ra及びRbが置換基を表す場合、その置換基としては、一般式(1−a)及び(1−b)で示した置換基を同様に用いることができる。
L1及びL2が連結基を表す場合、炭化水素基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基等を好ましく用いることができる。これらの連結基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。
また、これらの置換基及び連結基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は、複数が互いに結合して環を形成していてもよい。
When R 3 , R 4 , Ra and Rb represent a substituent, the substituents represented by the general formulas (1-a) and (1-b) can be similarly used as the substituent.
When L 1 and L 2 represent a linking group, a hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic group, or the like can be preferably used. These linking groups may be further substituted with the above substituents.
In addition, these substituents and linking groups may be further substituted with the above substituents. Further, these substituents may be bonded together to form a ring.
また、一般式(2−a)又は(2−b)で表される構造を有する蛍光発光性化合物は、下記一般式(2−a′)又は(2−b′)で表される構造を有することも好ましい。 Further, the fluorescent compound having the structure represented by the general formula (2-a) or (2-b) has a structure represented by the following general formula (2-a ′) or (2-b ′). It is also preferable to have it.
式中、R3′は、2又は3価の基を表す。R4は、水素原子又は置換基を表す。mは、1から5の整数を表す。R4が置換基を表し、複数存在するとき、各々の置換基は同一でも異なっていてもよく、また各々の置換基同士が結合して環を形成していてもよい。L1は2価の連結基又は単結合を表す。L2は、2〜6価の連結基又は単結合を表す。Ra及びRbは、各々、置換基を表す。p及びqは、各々、0から4の整数を表す。Ra及びRbが置換基を表し、複数存在するとき、各々の置換基は同一でもよく、異なっていてもよく、また各々の置換基同士が結合して環を形成していてもよい。tは2又は3の整数を表す。また、R3′、R4、Ra及びRbのうち少なくとも一つは電子求引性基又は電子求引性基で置換された基を表す。 In the formula, R 3 ′ represents a divalent or trivalent group. R 4 represents a hydrogen atom or a substituent. m represents an integer of 1 to 5. When R 4 represents a substituent and a plurality of substituents are present, each substituent may be the same or different, and each substituent may be bonded to form a ring. L 1 represents a divalent linking group or a single bond. L 2 represents a divalent to hexavalent linking group or a single bond. Ra and Rb each represents a substituent. p and q each represents an integer of 0 to 4. When Ra and Rb represent a substituent and a plurality thereof are present, each substituent may be the same or different, and each substituent may be bonded to form a ring. t represents an integer of 2 or 3. At least one of R 3 ′, R 4 , Ra and Rb represents an electron withdrawing group or a group substituted with an electron withdrawing group.
一般式(2−a′)又は(2−b′)で表される蛍光発光性化合物は、一般式(2−a)又は(2−b)で表される構造を有する蛍光発光性化合物のうち、R3が繰り返し構造を表す場合を表している。
また、一般式(2−a′)又は(2−b′)中、R4、Ra及びRbが置換基を表す場合、一般式(1−a)及び(1−b)で示した置換基を同様に用いることができる。
R3′が、2又は3価の基を表す場合、炭化水素基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基等を好ましく用いることができる。これらの基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。
なお、R3′が2又は3価の基を表す場合は、一般式(2−a)及び(2−b)で表される構造を有する蛍光発光性化合物の一例である。一般式(2−a)及び(2−b)について、Ra又はRbが、2又は3価の基を表すRa′又はRb′となる構造を有する蛍光発光性化合物も含まれる。Ra′及びRb′が表す置換基は、R3′が表す置換基と同様のものを用いることができる。
The fluorescent compound represented by the general formula (2-a ′) or (2-b ′) is a fluorescent compound having a structure represented by the general formula (2-a) or (2-b). Of these, R 3 represents a repeating structure.
In the general formula (2-a ′) or (2-b ′), when R 4 , Ra and Rb represent a substituent, the substituents represented by the general formulas (1-a) and (1-b) Can be used as well.
When R 3 ′ represents a divalent or trivalent group, a hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic group, or the like can be preferably used. These groups may be further substituted with the above substituents.
In the
また、本発明に係る蛍光発光性化合物が、下記一般式(3)で表される構造を有することも好ましい。 Moreover, it is also preferable that the fluorescent compound according to the present invention has a structure represented by the following general formula (3).
式中、R5は、置換基を表す。L1及びL2は、各々、2価の連結基又は単結合を表す。Ra及びRbは、各々、置換基を表す。p及びqは、各々、0から4の整数を表す。Ra及びRbが置換基を表し、複数存在するとき、各々の置換基は同一でも異なっていてもよく、また各々の置換基同士が結合して環を形成していてもよい。nは、1から3の整数を表す。また、R5、L1、L2、Ra及びRbのうち少なくとも一つは電子求引性基又は電子求引性基で置換された基を表す。 In the formula, R 5 represents a substituent. L 1 and L 2 each represent a divalent linking group or a single bond. Ra and Rb each represents a substituent. p and q each represents an integer of 0 to 4. When Ra and Rb represent a substituent and a plurality thereof are present, each substituent may be the same or different, and each substituent may be bonded to form a ring. n represents an integer of 1 to 3. In addition, at least one of R 5 , L 1 , L 2 , Ra and Rb represents an electron withdrawing group or a group substituted with an electron withdrawing group.
一般式(3)中、R5、Ra及びRbが置換基を表す場合、その置換基としては、一般式(1−a)及び(1−b)で示した置換基を同様に用いることができる。
また、これらの置換基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は、複数が互いに結合して環を形成していてもよい。
In the general formula (3), when R 5 , Ra and Rb represent a substituent, the substituents represented by the general formulas (1-a) and (1-b) may be used in the same manner. it can.
Moreover, these substituents may be further substituted with the above substituents. Further, these substituents may be bonded together to form a ring.
以下に本発明で好ましく用いられる一般式(1−a)、(1−b)、(2−a)、(2−b)、(2−a′)、(2−b′)及び(3)で表される蛍光発光性化合物を例に挙げるが、本発明はこれに限定されない。 The general formulas (1-a), (1-b), (2-a), (2-b), (2-a ′), (2-b ′) and (3) preferably used in the present invention are as follows. ) Is taken as an example, but the present invention is not limited to this.
これらの化合物を用いることで、上述のとおり、インドロインドールが、カルバゾールやジフェニルアミンと比べ、HOMO準位が比較的浅いため、分子内電荷移動が起こりやすいと考えられる。さらに、通常用いられるカルバゾール誘導体よりも電子供与性が高いため、分子内電荷移動を促進するものと考えられる。 By using these compounds, as described above, indoloindole has a relatively shallow HOMO level as compared with carbazole and diphenylamine, so that it is considered that intramolecular charge transfer is likely to occur. Furthermore, since it has higher electron donating property than a commonly used carbazole derivative, it is considered to promote intramolecular charge transfer.
<合成方法>
上記蛍光発光性化合物は、例えば、国際公開第2011/055933号、国際公開第2011/132866号及び国際公開第2012/035853号に記載の方法、又は、これらの文献に記載の参照文献に記載の方法を参照することにより合成することができる。
<Synthesis method>
The fluorescent compound is, for example, a method described in International Publication No. 2011/055933, International Publication No. 2011/132866 and International Publication No. 2012/035853, or a reference described in these references. It can be synthesized by referring to the method.
(1.2)リン光発光性ドーパント
本発明に用いられるリン光発光性ドーパントについて説明する。
本発明に用いられるリン光発光性ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。
上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いられるリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率(0.01以上)が達成されればよい。
(1.2) Phosphorescent dopant The phosphorescent dopant used in the present invention will be described.
The phosphorescent dopant used in the present invention is a compound in which light emission from an excited triplet is observed, specifically, a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.), and a phosphorescence quantum yield. Is defined as a compound of 0.01 or more at 25 ° C., but a preferable phosphorescence quantum yield is 0.1 or more.
The phosphorescence quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of Experimental Chemistry Course 4 of the 4th edition. Although the phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, the phosphorescence dopant used in the present invention achieves the phosphorescence quantum yield (0.01 or more) in any solvent. Just do it.
リン光ドーパントは、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。本発明に使用できる公知のリン光ドーパントの具体例としては、以下の文献に記載されている化合物等が挙げられる。
Nature 395,151 (1998)、Appl. Phys. Lett. 78, 1622 (2001)、Adv. Mater. 19, 739 (2007)、Chem. Mater. 17, 3532 (2005)、Adv. Mater. 17, 1059 (2005)、国際公開第2009/100991号、国際公開第2008/101842号、国際公開第2003/040257号、米国特許出願公開第2006/835469号明細書、米国特許出願公開第2006/0202194号明細書、米国特許出願公開第2007/0087321号明細書、米国特許出願公開第2005/0244673号明細書、Inorg. Chem. 40, 1704 (2001)、Chem. Mater. 16, 2480 (2004)、Adv. Mater. 16, 2003 (2004)、Angew. Chem. lnt. Ed. 2006, 45, 7800、Appl. Phys. Lett. 86, 153505 (2005)、Chem. Lett. 34, 592 (2005)、Chem. Commun. 2906 (2005)、Inorg. Chem. 42, 1248 (2003)、国際公開第2009/050290号、国際公開第2002/015645号、国際公開第2009/000673号、米国特許出願公開第2002/0034656号明細書、米国特許第7332232号、米国特許出願公開第2009/0108737号明細書、米国特許出願公開第2009/0039776号明細書、米国特許第6921915号、米国特許第6687266号、米国特許出願公開第2007/0190359号明細書、米国特許出願公開第2006/0008670号明細書、米国特許出願公開第2009/0165846号明細書、米国特許出願公開第2008/0015355号明細書、米国特許第7250226号、米国特許第7396598号、米国特許出願公開第2006/0263635号明細書、米国特許出願公開第2003/0138657号明細書、米国特許出願公開第2003/0152802号明細書、米国特許第7090928号、Angew. Chem. lnt. Ed. 47, 1 (2008)、Chem. Mater. 18, 5119 (2006)、Inorg. Chem. 46, 4308 (2007)、Organometallics 23, 3745 (2004)、Appl. Phys. Lett. 74, 1361 (1999)、国際公開第2002/002714号、国際公開第2006/009024号、国際公開第2006/056418号、国際公開第2005/019373号、国際公開第2005/123873号、国際公開第2005/123873号、国際公開第2007/004380号、国際公開第2006/082742号、米国特許出願公開第2006/0251923号明細書、米国特許出願公開第2005/0260441号明細書、米国特許第7393599号、米国特許第7534505号、米国特許第7445855号、米国特許出願公開第2007/0190359号明細書、米国特許出願公開第2008/0297033号明細書、米国特許第7338722号、米国特許出願公開第2002/0134984号明細書、米国特許第7279704号、米国特許出願公開第2006/098120号明細書、米国特許出願公開第2006/103874号明細書、国際公開第2005/076380号、国際公開第2010/032663号、国際公開第2008140115号、国際公開第2007/052431号、国際公開第2011/134013号、国際公開第2011/157339号、国際公開第2010/086089号、国際公開第2009/113646号、国際公開第2012/020327号、国際公開第2011/051404号、国際公開第2011/004639号、国際公開第2011/073149号、米国特許出願公開第2012/228583号明細書、米国特許出願公開第2012/212126号明細書、特開2012−069737号公報、特願2011−181303号公報、特開2009−114086号公報、特開2003−81988号公報、特開2002−302671号公報、特開2002−363552号公報等である。
中でも、好ましいリン光ドーパントとしてはIrを中心金属に有する有機金属錯体が挙げられる。さらに好ましくは、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含む錯体が好ましい。
The phosphorescent dopant can be appropriately selected from known materials used for the light emitting layer of the organic EL device. Specific examples of known phosphorescent dopants that can be used in the present invention include compounds described in the following documents.
Nature 395, 151 (1998), Appl. Phys. Lett. 78, 1622 (2001), Adv. Mater. 19, 739 (2007), Chem. Mater. 17, 3532 (2005), Adv. Mater. 17, 1059 (2005), International Publication No. 2009/100991, International Publication No. 2008/101842, International Publication No. 2003/040257, US Patent Application Publication No. 2006/835469, US Patent Application Publication No. 2006 /. No. 0202194, U.S. Patent Application Publication No. 2007/0087321, U.S. Patent Application Publication No. 2005/0244673, Inorg. Chem. 40, 1704 (2001), Chem. Mater. 16, 2480 (2004), Adv. Mater. 16, 2003 (2004), Angew. Chem. lnt. Ed. 2006, 45, 7800, Appl. Phys. Lett. 86, 153505 (2005), Chem. Lett. 34, 592 (2005), Chem. Commun. 2906 (2005), Inorg. Chem. 42, 1248 (2003), International Publication No. 2009/050290, International Publication No. 2002/015645, International Publication No. 2009/000673, US Patent Application Publication No. 2002/0034656, US Pat. No. 7,332,232, US Patent Application Publication No. 2009/0108737, United States Patent Application Publication No. 2009/0039776, United States Patent No. 6921915, United States Patent No. 6,687,266, United States Patent Application Publication No. 2007/0190359, United States Patent Application Publication No. 2006/0008670, United States Patent Application Publication No. 2009/0165846, United States Patent Application Publication No. 2008/0015355, United States Patent No. 7250226, United States Patent No. 7396598, United States Patent Application Publication No. 200 / 0263635 Pat, U.S. Patent Application Publication No. 2003/0138657, U.S. Patent Application Publication No. 2003/0152802, U.S. Patent No. 7090928, Angew. Chem. lnt. Ed. 47, 1 (2008), Chem. Mater. 18, 5119 (2006), Inorg. Chem. 46, 4308 (2007), Organometallics 23, 3745 (2004), Appl. Phys. Lett. 74, 1361 (1999), International Publication No. 2002/002714, International Publication No. 2006/009024, International Publication No. 2006/056418, International Publication No. 2005/019373, International Publication No. 2005/123873, International Publication No. 2005/123873, International Publication No. 2007/004380, International Publication No. 2006/082742, US Patent Application Publication No. 2006/0251923, US Patent Application Publication No. 2005/0260441, US Pat. No. 7,393,599. , US Pat. No. 7,534,505, US Pat. No. 7,445,855, US Patent Application Publication No. 2007/0190359, US Patent Application Publication No. 2008/0297033, US Pat. No. 7,338,722, US Patent Application Publication No. 2002 / No. 134984, U.S. Pat. No. 7,279,704, U.S. Patent Application Publication No. 2006/098120, U.S. Patent Application Publication No. 2006/103874, International Publication No. 2005/076380, International Publication No. 2010/032663 International Publication No. 2008140115, International Publication No. 2007/052431, International Publication No. 2011/134013, International Publication No. 2011/157339, International Publication No. 2010/086089, International Publication No. 2009/113646, International Publication No. 2012/020327, International Publication No. 2011/051404, International Publication No. 2011/004639, International Publication No. 2011/073149, US Patent Application Publication No. 2012/228583, US Patent Application Publication No. 2012/21211. No. 26, JP 2012-069737 A, Japanese Patent Application No. 2011-181303, JP 2009-114086, JP 2003-81988, JP 2002-302671, JP 2002-363552. No. gazette.
Among these, a preferable phosphorescent dopant includes an organometallic complex having Ir as a central metal. More preferably, a complex containing at least one coordination mode of a metal-carbon bond, a metal-nitrogen bond, a metal-oxygen bond, or a metal-sulfur bond is preferable.
(2)ホスト化合物
本発明に用いられるホスト化合物は、発光層において主に電荷の注入及び輸送を担う化合物であり、有機EL素子においてそれ自体の発光は実質的に観測されない。
ホスト化合物は、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が20%以上であることが好ましい。
ホスト化合物は、単独で用いてもよく、又は複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。
以下に、本発明において好ましく用いられるホスト化合物について述べる。
(2) Host compound The host compound used in the present invention is a compound mainly responsible for charge injection and transport in the light emitting layer, and its own light emission is not substantially observed in the organic EL device.
The host compound preferably has a mass ratio in the layer of 20% or more among the compounds contained in the light emitting layer.
A host compound may be used independently or may be used in combination of multiple types. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of charges, and the organic EL element can be made highly efficient.
The host compound that is preferably used in the present invention will be described below.
本発明における蛍光発光性化合物とともに用いられるホスト化合物としては特に制限はないが、逆エネルギー移動の観点から、本発明に係る蛍光発光性化合物の励起一重項エネルギーより大きな励起エネルギーを持つものが好ましく、さらに本発明に係る蛍光発光性化合物の励起三重項エネルギーより大きな励起三重項エネルギーを持つものがより好ましい。
ホスト化合物は、発光層内においてキャリアの輸送及び励起子の生成を担う。そのため、カチオンラジカル状態、アニオンラジカル状態、及び励起状態の全ての活性種の状態において安定に存在でき、分解や付加反応などの化学変化を起こさないこと、さらに、層中において通電経時でホスト分子がオングストロームレベルで移動しないことが好ましい。
The host compound used together with the fluorescent compound in the present invention is not particularly limited, but from the viewpoint of reverse energy transfer, those having an excitation energy larger than the excitation singlet energy of the fluorescent compound according to the present invention are preferable. Further, those having an excitation triplet energy larger than the excitation triplet energy of the fluorescent compound according to the present invention are more preferable.
The host compound is responsible for carrier transport and exciton generation in the light emitting layer. Therefore, it can exist stably in all active species states such as cation radical state, anion radical state, and excited state, and does not cause chemical changes such as decomposition and addition reaction. It is preferable not to move at the angstrom level.
また、特に併用する発光ドーパントがTADF発光を示す場合には、TADF化合物の三重項励起状態の存在時間が長いことから、ホスト化合物自体のT1エネルギーが高いこと、さらにホスト化合物同士が会合した状態で低T1状態を作らないこと、TADF化合物とホスト化合物とがエキサイプレックスを形成しないこと、ホスト化合物が電界によりエレクトロマーを形成しないことなど、ホスト化合物が低T1化しないような分子構造の適切な設計が必要となる。
このような要件を満たすためには、ホスト化合物自体が電子のホッピング移動性が高いこと、かつ、正孔のホッピング移動が高いこと、三重項励起状態となったときの構造変化が小さいことが必要である。このような要件を満たすホスト化合物の代表格としてカルバゾール骨格、アザカルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格又はアザジベンゾフラン骨格などの、高T1エネルギーを有し、かつ14π電子系の拡張π共役骨格を部分構造として有するものが好ましく挙げられる。特に、発光層が、カルバゾール誘導体を含有することにより、発光層内における適度なキャリアホッピングや発光材料の分散を促すことができ、素子の発光性能や薄膜の安定性を向上させる効果が得られることから、好ましい。
In particular, when the light-emitting dopant used in combination exhibits TADF light emission, since the existence time of the triplet excited state of the TADF compound is long, the T 1 energy of the host compound itself is high, and the host compounds are associated with each other. in prevention of generation of a low T 1 state, that the TADF compound and the host compound does not form a exciplex, such that the host compound does not form a electro-mer by the electric field, the host compound is a molecular structure such as not to lower T 1 of Appropriate design is required.
In order to satisfy these requirements, the host compound itself must have high electron hopping mobility, high hole hopping movement, and small structural change when it is in a triplet excited state. It is. Representative examples of host compounds that satisfy these requirements include high π-energy conjugated skeletons having high T 1 energy such as carbazole skeleton, azacarbazole skeleton, dibenzofuran skeleton, dibenzothiophene skeleton, or azadibenzofuran skeleton. What has as a partial structure is mentioned preferably. In particular, when the light-emitting layer contains a carbazole derivative, it is possible to promote appropriate carrier hopping and dispersion of the light-emitting material in the light-emitting layer, and the effect of improving the light-emitting performance of the device and the stability of the thin film can be obtained. Therefore, it is preferable.
さらに、これらの環がビアリール及び/又はマルチアリール構造を取った化合物などが代表例として挙げられる。ここでいう「アリール」とは、芳香族炭化水素環だけでなく芳香族複素環も含む。
より好ましくは、カルバゾール骨格と、カルバゾール骨格とは異なる分子構造を持つ14π電子系の芳香族複素環化合物とが直接結合した化合物であり、さらに14π電子系の芳香族複素環化合物を分子内に二つ以上持つカルバゾール誘導体が好ましい。特に、前記カルバゾール誘導体が、14π電子以上の共役系構造部分を二つ以上有する化合物であることが、本発明の効果を一層高めるために好ましい。
Further, representative examples include compounds in which these rings have a biaryl and / or multiaryl structure. As used herein, “aryl” includes not only an aromatic hydrocarbon ring but also an aromatic heterocyclic ring.
More preferably, it is a compound in which a carbazole skeleton and a 14π-electron aromatic heterocyclic compound having a molecular structure different from that of the carbazole skeleton are directly bonded, and further a 14π-electron aromatic heterocyclic compound is incorporated in the molecule. A carbazole derivative having at least one is preferred. In particular, the carbazole derivative is preferably a compound having two or more conjugated structures having 14π electrons or more in order to further enhance the effects of the present invention.
また、本発明に用いられるホスト化合物としては、下記一般式(I)で表される化合物も好ましい。これは、下記一般式(I)で表される化合物は、縮環構造を有するためにπ電子雲が広がっておりキャリア輸送性が高く、高いガラス転移温度(Tg)を有するためである。さらに、一般に縮合芳香族環は三重項エネルギー(T1)が小さい傾向があるが、一般式(I)で表される化合物は高いT1を有しており、発光波長の短い(すなわちT1及びS1の大きい)発光材料に対しても好適に用いることができる。 Moreover, as a host compound used for this invention, the compound represented by the following general formula (I) is also preferable. This is because the compound represented by the following general formula (I) has a condensed ring structure, and therefore a π electron cloud spreads, the carrier transportability is high, and the glass transition temperature (Tg) is high. Further, generally, the condensed aromatic ring tends to have a small triplet energy (T 1 ), but the compound represented by the general formula (I) has a high T 1 and has a short emission wavelength (that is, T 1). and larger S 1) it can be suitably used also for the light emitting material.
上記一般式(I)において、X101は、NR101、酸素原子、硫黄原子、CR102R103又はSiR102R103を表す。y1〜y8は、各々CR104又は窒素原子を表す。
R101〜R104は、各々水素原子又は置換基を表し、また互いに結合して環を形成してもよい。
Ar101及びAr102は、各々芳香族環を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
n101及びn102は各々0〜4の整数を表すが、R101が水素原子の場合は、n101は1〜4の整数を表す。
一般式(I)におけるR101〜R104は水素又は置換基を表し、ここにいう置換基は本発明に用いられるホスト化合物の機能を阻害しない範囲で有してもよいものを指し、例えば、合成スキーム上置換基が導入されてしまう場合で、本発明の効果を奏する化合物は本発明に包含される旨を規定するものである。
In the general formula (I), X 101 represents NR 101 , an oxygen atom, a sulfur atom, CR 102 R 103 or SiR 102 R 103 . y 1 to y 8 each represents CR 104 or a nitrogen atom.
R 101 to R 104 each represent a hydrogen atom or a substituent, and may be bonded to each other to form a ring.
Ar 101 and Ar 102 each represent an aromatic ring and may be the same or different.
n101 and n102 are each an integer of 0 to 4, when R 101 is a hydrogen atom, n101 represents an integer of 1-4.
R 101 to R 104 in the general formula (I) represent hydrogen or a substituent, and the substituent referred to here refers to what may be contained within a range not inhibiting the function of the host compound used in the present invention, for example, In the case where a substituent is introduced in the synthetic scheme, the compound having the effect of the present invention is defined as being included in the present invention.
R101〜R104で各々表される置換基としては、例えば、直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、芳香族炭化水素環基(芳香族炭素環基、アリール基等ともいう。例えば、ベンゼン環、ビフェニル、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o−ターフェニル環、m−ターフェニル環、p−ターフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、インデン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環、テトラリン等から導出される基)、芳香族複素環基(例えば、フラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ジベンゾチオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環(カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環等から導出される基。また、カルボリン環とジアザカルバゾール環を合わせて「アザカルバゾール環」と呼ぶ場合もある。)、非芳香族炭化水素環基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、非芳香族複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、チオール基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)、重水素原子等が挙げられる。 Examples of the substituent represented by each of R 101 to R 104 include a linear or branched alkyl group (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group). Group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, etc.), alkenyl group (eg, vinyl group, allyl group, etc.), alkynyl group (eg, ethynyl group, propargyl group, etc.), aromatic hydrocarbon ring group (aromatic Also called carbocyclic group, aryl group, etc. For example, benzene ring, biphenyl, naphthalene ring, azulene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, pyrene ring, chrysene ring, naphthacene ring, triphenylene ring, o-terphenyl ring, m- Terphenyl ring, p-terphenyl ring, acenaphthene ring, coronene ring, indene ring, fluorene ring A group derived from a fluoranthrene ring, a naphthacene ring, a pentacene ring, a perylene ring, a pentaphen ring, a picene ring, a pyrene ring, a pyrantolen ring, an anthraanthrene ring, tetralin, etc.), an aromatic heterocyclic group (for example, a furan ring) , Dibenzofuran ring, thiophene ring, dibenzothiophene ring, oxazole ring, pyrrole ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, benzimidazole ring, oxadiazole ring, triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, Thiazole ring, indole ring, indazole ring, benzimidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, cinnoline ring, quinoline ring, isoquinoline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, carbazole ring, Borin ring, diazacarbazole ring (group derived from a ring in which one of the carbon atoms of the hydrocarbon ring constituting the carboline ring is further substituted with a nitrogen atom, etc. In addition, combining the carboline ring and the diazacarbazole ring Sometimes referred to as “azacarbazole ring”), non-aromatic hydrocarbon ring group (eg, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), non-aromatic heterocyclic group (eg, pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl) Group), alkoxy group (for example, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy group (for example, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group) Etc.), aryloxy group (for example, phenoxy group, naphthyloxy group) Etc.), alkylthio groups (eg, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio groups (eg, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.), arylthio groups ( For example, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), alkoxycarbonyl group (eg, methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryloxycarbonyl group (eg, Phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (for example, aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group) Group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group, dodecylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.), acyl group (for example, acetyl group, ethylcarbonyl group) Group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc.), acyloxy group (for example, acetyloxy group) Ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.), Mido group (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonylamino group, propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbonylamino group, dodecylcarbonylamino group) Group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), carbamoyl group (for example, aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexylaminocarbonyl group, octylamino) Carbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl Rubonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), ureido group (for example, methylureido group, ethylureido group, pentylureido group, cyclohexylureido group, octylureido group, dodecylureido group, phenylureido group, naphthylureido group, 2-pyridylamino group) Ureido group, etc.), sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group, etc. ), Alkylsulfonyl group (for example, methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl) , Dodecylsulfonyl group, etc.), arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (eg, phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.), amino group (eg, amino group, ethylamino group, dimethylamino group, Butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group, etc.), halogen atom (eg, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom), fluoride Hydrocarbon group (eg, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, pentafluorophenyl group, etc.), cyano group, nitro group, hydroxy group, thiol group, silyl group (eg, trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group) Group, trifeni Silyl group, a phenyl diethyl silyl group and the like), or the like deuterium atom.
これらの置換基は、上記の置換基によって更に置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。
一般式(I)におけるy1〜y8としては、好ましくは、y1〜y4の内の少なくとも三つ、又はy5〜y8の内の少なくとも三つがCR102で表され、より好ましくはy1〜y8が全てCR102である。このような骨格は、正孔輸送性又は電子輸送性に優れ、陽極・陰極から注入された正孔・電子を効率よく発光層内で再結合・発光させることができる。
中でも、LUMOのエネルギー準位が浅く、電子輸送性に優れる構造として、一般式(I)中でX101が、NR′、酸素原子又は硫黄原子である化合物が好ましい。より好ましくは、X101及びy1〜y8とともに形成される縮合環が、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジベンゾフラン環又はアザジベンゾフラン環である。
These substituents may be further substituted with the above substituents. In addition, a plurality of these substituents may be bonded to each other to form a ring.
As y 1 to y 8 in the general formula (I), preferably at least three of y 1 to y 4 or at least three of y 5 to y 8 are represented by CR 102 , more preferably y 1 to y 8 are all CR 102 . Such a skeleton is excellent in hole transport property or electron transport property, and can efficiently recombine and emit holes / electrons injected from the anode / cathode in the light emitting layer.
Among them, a compound in which X 101 is NR ′, an oxygen atom, or a sulfur atom in general formula (I) is preferable as a structure having a low LUMO energy level and excellent electron transport properties. More preferably, the condensed ring formed with X 101 and y 1 to y 8 is a carbazole ring, an azacarbazole ring, a dibenzofuran ring or an azadibenzofuran ring.
さらに、ホスト化合物を剛直にすることが好ましいという目的から考え、X101がNR101の場合においては、R101は前述で挙げられた置換基の内、π共役系骨格である芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基であることが好ましい。また、これらのR101は更に前述のR101〜R104で表される置換基で置換されていてもよい。
一般式(I)において、Ar101及びAr102により表される芳香族環としては、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環が挙げられる。該芳香族環は単環でも縮合環でもよく、更に未置換でも、前述のR101〜R104で表される置換基と同様の置換基を有してもよい。
一般式(I)において、Ar101及びAr102により表される芳香族炭化水素環としては、例えば、前述のR101〜R104で表される置換基の例として挙げられた芳香族炭化水素環基と同様の環が挙げられる。
Further, considering that it is preferable to make the host compound rigid, when X 101 is NR 101 , R 101 is an aromatic hydrocarbon ring which is a π-conjugated skeleton among the substituents mentioned above. It is preferably a group or an aromatic heterocyclic group. Further, these R 101 may be further substituted with a substituent represented by the aforementioned R 101 to R 104 .
In the general formula (I), examples of the aromatic ring represented by Ar 101 and Ar 102 include an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocyclic ring. The aromatic ring may be a single ring or a condensed ring, and may be unsubstituted or may have a substituent similar to the substituents represented by R 101 to R 104 described above.
In the general formula (I), examples of the aromatic hydrocarbon ring represented by Ar 101 and Ar 102 include the aromatic hydrocarbon rings exemplified as the substituents represented by the aforementioned R 101 to R 104. Examples include the same ring as the group.
一般式(I)で表される部分構造において、Ar101及びAr102により表される芳香族複素環としては、例えば、前述のR101〜R104で表される置換基の例として挙げられた芳香族複素環基と同様の環が挙げられる。
一般式(I)で表されるホスト化合物が大きなT1を有するという目的を考えた場合には、Ar101及びAr102で表される芳香族環自身のT1が高いことが好ましく、ベンゼン環(ベンゼン環が複数連結したポリフェニレン骨格(ビフェニル、テルフェニル、クォーターフェニル等)も含む)、フルオレン環、トリフェニレン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジベンゾフラン環、アザジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、ピラジン環、インドロインドール環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イミダゾール環又はトリアジン環等が好ましい。より好ましくはベンゼン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジベンゾフラン環である。
Ar101及びAr102がカルバゾール環又はアザカルバゾール環の場合は、N位(又は9位ともいう)又は3位で結合していることがより好ましい。
Ar101及びAr102がジベンゾフラン環の場合は、2位又は4位で結合していることがより好ましい。
また、上記の目的とは別に、有機EL素子を車内に積載して使用する用途などを考えた場合においては、車内の環境温度が高くなることが想定されるため、ホスト化合物のTgが高いことも好ましい。そこで、一般式(I)で表されるホスト化合物を高Tg化するという目的から、Ar1及びAr2により表される芳香族環としては、各々3環以上の縮合環が好ましい一態様である。
In the partial structure represented by the general formula (I), examples of the aromatic heterocycle represented by Ar 101 and Ar 102 include the substituents represented by R 101 to R 104 described above. The same ring as an aromatic heterocyclic group is mentioned.
In view of the purpose that the host compound represented by the general formula (I) has a large T 1 , the aromatic ring itself represented by Ar 101 and Ar 102 preferably has a high T 1 , and the benzene ring (Including polyphenylene skeletons (biphenyl, terphenyl, quarterphenyl, etc.) with multiple benzene rings), fluorene ring, triphenylene ring, carbazole ring, azacarbazole ring, dibenzofuran ring, azadibenzofuran ring, dibenzothiophene ring, dibenzothiophene ring A pyridine ring, a pyrazine ring, an indoloindole ring, an indole ring, a benzofuran ring, a benzothiophene ring, an imidazole ring or a triazine ring is preferable. More preferred are a benzene ring, a carbazole ring, an azacarbazole ring and a dibenzofuran ring.
When Ar 101 and Ar 102 are a carbazole ring or an azacarbazole ring, it is more preferable that they are bonded at the N-position (or 9-position) or the 3-position.
When Ar 101 and Ar 102 are dibenzofuran rings, they are more preferably bonded at the 2-position or 4-position.
In addition to the above purpose, when considering the use of an organic EL element mounted in a vehicle, the environment temperature in the vehicle is assumed to be high, so the Tg of the host compound is high. Is also preferable. Therefore, for the purpose of increasing the Tg of the host compound represented by the general formula (I), each of the aromatic rings represented by Ar 1 and Ar 2 is preferably a condensed ring of 3 or more rings. .
3環以上が縮合した芳香族炭化水素縮合環としては、具体的には、ナフタセン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ヘキサセン環、フェナントレン環、ピレン環、ベンゾピレン環、ベンゾアズレン環、クリセン環、ベンゾクリセン環、アセナフテン環、アセナフチレン環、トリフェニレン環、コロネン環、ベンゾコロネン環、ヘキサベンゾコロネン環、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、フルオランテン環、ペリレン環、ナフトペリレン環、ペンタベンゾペリレン環、ベンゾペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピラントレン環、コロネン環、ナフトコロネン環、オバレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。なお、これらの環は、更に上記の置換基を有していてもよい。
また、3環以上が縮合した芳香族複素環としては、具体的には、アクリジン環、ベンゾキノリン環、カルバゾール環、カルボリン環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、カルボリン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ジアザカルバゾール環(カルボリン環を構成する炭素原子の任意の一つが窒素原子で置き換わったものを表す)、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ベンゾジフラン環、ベンゾジチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、チオファントレン環(ナフトチオフェン環)等が挙げられる。なお、これらの環は更に置換基を有していてもよい。
Specific examples of the aromatic hydrocarbon condensed ring in which three or more rings are condensed include naphthacene ring, anthracene ring, tetracene ring, pentacene ring, hexacene ring, phenanthrene ring, pyrene ring, benzopyrene ring, benzoazulene ring, chrysene ring , Benzochrysene ring, acenaphthene ring, acenaphthylene ring, triphenylene ring, coronene ring, benzocoronene ring, hexabenzocoronene ring, fluorene ring, benzofluorene ring, fluoranthene ring, perylene ring, naphthoperylene ring, pentabenzoperylene ring, benzoperylene ring, pentaphen A ring, a picene ring, a pyranthrene ring, a coronene ring, a naphtho- coronene ring, an ovalen ring, an anthraanthrene ring, and the like. In addition, these rings may further have the above substituent.
Specific examples of the aromatic heterocycle condensed with three or more rings include an acridine ring, a benzoquinoline ring, a carbazole ring, a carboline ring, a phenazine ring, a phenanthridine ring, a phenanthroline ring, a carboline ring, a cyclazine ring, Kindin ring, tepenidine ring, quinindrin ring, triphenodithiazine ring, triphenodioxazine ring, phenanthrazine ring, anthrazine ring, perimidine ring, diazacarbazole ring (any one of the carbon atoms constituting the carboline ring is a nitrogen atom Phenanthroline ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene ring, naphthofuran ring, naphthothiophene ring, benzodifuran ring, benzodithiophene ring, naphthodifuran ring, naphthodithiophene ring, anthrafuran ring, anthradifuran ring, A Tiger thiophene ring, anthradithiophene ring, thianthrene ring, phenoxathiin ring, such as thio fan Tren ring (naphthaldehyde thiophene ring), and the like. In addition, these rings may further have a substituent.
一般式(I)において、n101及びn102は各々0〜2の整数であることが好ましく、より好ましくはn101+n102が1〜3の整数である。また、R101が水素原子の場合にn101及びn102が同時に0であると、一般式(I)で表されるホスト化合物の分子量が小さく低いTgしか達成できないため、R101が水素原子の場合にはn101は1〜4の整数を表す。 In general formula (I), n101 and n102 are each preferably an integer of 0 to 2, and more preferably n101 + n102 is an integer of 1 to 3. Furthermore, since the R 101 is the n101 and n102 when the hydrogen atom is 0 at the same time, the general formula (I) only a low Tg small molecular weight of the host compounds represented by not achievable, when R 101 is a hydrogen atom N101 represents an integer of 1 to 4.
本発明で用いられるホスト化合物として、前記一般式(I)で表される構造を有するホスト化合物が、一般式(II)で表される構造を有する化合物であることが好ましい。このような化合物は、特にキャリア輸送性に優れる傾向があるためである。 As the host compound used in the present invention, the host compound having a structure represented by the general formula (I) is preferably a compound having a structure represented by the general formula (II). This is because such a compound tends to have particularly excellent carrier transportability.
一般式(II)において、X101、Ar101、Ar102、n102は、前記一般式(I)におけるX101、Ar101、Ar102、n102と同義である。
n102は好ましくは0〜2の整数であり、より好ましくは0又は1である。
一般式(II)において、X101を含んで形成される縮合環は、Ar101及びAr102以外にも本発明に用いられるホスト化合物の機能を阻害しない範囲でさらに置換基を有してもよい。
さらに、一般式(II)で表される化合物が下記一般式(III−1)、(III−2)又は(III−3)で表されることが好ましい。
In
n102 is preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1.
In the general formula (II), the condensed ring formed containing X 101 may further have a substituent other than Ar 101 and Ar 102 as long as the function of the host compound used in the present invention is not inhibited. .
Furthermore, it is preferable that the compound represented by general formula (II) is represented by the following general formula (III-1), (III-2), or (III-3).
一般式(III−1)〜(III−3)において、X101、Ar102、n102は、前記一般式(II)におけるX101、Ar102、n102と同義である。また、一般式(III−2)において、R104は、前記一般式(I)におけるR104と同義である。
一般式(III−1)〜(III−3)において、X101を含んで形成される縮合環、カルバゾール環及びベンゼン環は、本発明に用いられるホスト化合物の機能を阻害しない範囲でさらに置換基を有してもよい。
以下に、本発明に用いられるホスト化合物として、一般式(I)、(II)、(III−1)〜(III−3)で表される化合物及びその他の構造からなる化合物例を示すが、これらに限定されるものではない。
In the general formula (III-1) ~ (III -3),
In the general formulas (III-1) to (III-3), the condensed ring, carbazole ring and benzene ring formed containing X 101 are further substituted within a range not inhibiting the function of the host compound used in the present invention. You may have.
Examples of the host compound used in the present invention include compounds represented by the general formulas (I), (II), (III-1) to (III-3) and other structures. It is not limited to these.
本発明に用いられる好ましいホスト化合物は、昇華精製が可能な程度の分子量をもった低分子化合物であっても、繰り返し単位を有するポリマーであってもよい。
低分子化合物の場合、昇華精製が可能であるため精製が容易で、高純度の材料を得やすいという利点がある。分子量としては、昇華精製が可能な程度であれば特に制限はないが、好ましい分子量としては3000以下、より好ましくは2000以下である。
繰り返し単位を有するポリマー又はオリゴマーの場合は、ウェットプロセスで成膜しやすいという利点があり、また一般にポリマーはTgが高いため耐熱性の点でも好ましい。
本発明に用いられるホスト化合物として用いられるポリマーは、所望の素子性能が達成可能であれば特に制限はないが、好ましくは一般式(I)、(II)、(III−1)〜(III−3)の構造を主鎖若しくは側鎖に有するものが好ましい。分子量としては特に制限はないが、分子量5000以上が好ましく、若しくは繰り返し単位数が10以上のものが好ましい。
The preferred host compound used in the present invention may be a low molecular compound having a molecular weight that can be purified by sublimation or a polymer having a repeating unit.
In the case of a low molecular weight compound, sublimation purification is possible, so that there is an advantage that purification is easy and a high-purity material is easily obtained. The molecular weight is not particularly limited as long as sublimation purification is possible, but the preferred molecular weight is 3000 or less, more preferably 2000 or less.
In the case of a polymer or oligomer having a repeating unit, there is an advantage that it is easy to form a film by a wet process, and since a polymer generally has a high Tg, it is preferable from the viewpoint of heat resistance.
The polymer used as the host compound used in the present invention is not particularly limited as long as the desired device performance can be achieved, but preferably the general formulas (I), (II), (III-1) to (III-) What has the structure of 3) in a principal chain or a side chain is preferable. Although there is no restriction | limiting in particular as molecular weight, Molecular weight 5000 or more is preferable or a thing with 10 or more repeating units is preferable.
また、ホスト化合物は、正孔輸送能又は電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、さらに、有機EL素子を高温駆動時や素子駆動中の発熱に対して安定して動作させる観点から、高いガラス転移温度(Tg)を有することが好ましい。好ましくはTgが90℃以上であり、より好ましくは120℃以上である。
ここで、ガラス転移点(Tg)とは、DSC(Differential Scanning Colorimetry:示差走査熱量法)を用いて、JIS K 7121−2012に準拠した方法により求められる値である。
In addition, the host compound has a hole transporting ability or an electron transporting ability, prevents the emission of light from being long-wavelength, and is stable with respect to heat generated when the organic EL element is driven at a high temperature or during the element driving. From the viewpoint of operation, it is preferable to have a high glass transition temperature (Tg). Tg is preferably 90 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher.
Here, the glass transition point (Tg) is a value obtained by a method based on JIS K 7121-2012 using DSC (Differential Scanning Colorimetry).
《電子輸送層》
本発明において電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。
本発明に係る電子輸送層の総層厚については特に制限はないが、通常は2nm〜5μmの範囲であり、より好ましくは2〜500nmであり、さらに好ましくは5〜200nmである。
また、有機EL素子においては発光層で生じた光を電極から取り出す際、発光層から直接取り出される光と、光を取り出す電極と対極に位置する電極によって反射されてから取り出される光とが干渉を起こすことが知られている。光が陰極で反射される場合は、電子輸送層の総層厚を数nm〜数μmの間で適宜調整することにより、この干渉効果を効率的に利用することが可能である。
一方で、電子輸送層の層厚を厚くすると電圧が上昇しやすくなるため、特に層厚が厚い場合においては、電子輸送層の電子移動度は10−5cm2/V・s以上であることが好ましい。
電子輸送層に用いられる材料(以下、電子輸送材料という)としては、電子の注入性又は輸送性、正孔の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
《Electron transport layer》
In the present invention, the electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and may have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer.
Although there is no restriction | limiting in particular about the total layer thickness of the electron carrying layer which concerns on this invention, Usually, it is the range of 2 nm-5 micrometers, More preferably, it is 2-500 nm, More preferably, it is 5-200 nm.
Further, in the organic EL element, when the light generated in the light emitting layer is extracted from the electrode, the light extracted directly from the light emitting layer interferes with the light extracted after being reflected by the electrode from which the light is extracted and the electrode located at the counter electrode. It is known to wake up. When light is reflected by the cathode, this interference effect can be efficiently utilized by appropriately adjusting the total thickness of the electron transport layer between several nanometers and several micrometers.
On the other hand, when the thickness of the electron transport layer is increased, the voltage is likely to increase. Therefore, particularly when the layer thickness is large, the electron mobility of the electron transport layer is 10 −5 cm 2 / V · s or more. Is preferred.
The material used for the electron transport layer (hereinafter referred to as an electron transport material) may be any of electron injecting or transporting properties and hole blocking properties, and can be selected from conventionally known compounds. Can be selected and used.
例えば、含窒素芳香族複素環誘導体(カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体(カルバゾール環を構成する炭素原子の一つ以上が窒素原子に置換されたもの)、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリダジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、アザトリフェニレン誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体等)、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、シロール誘導体、芳香族炭化水素環誘導体(ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体等)等が挙げられる。 For example, nitrogen-containing aromatic heterocyclic derivatives (carbazole derivatives, azacarbazole derivatives (one or more carbon atoms constituting the carbazole ring are substituted with nitrogen atoms), pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, pyridazine derivatives, Triazine derivatives, quinoline derivatives, quinoxaline derivatives, phenanthroline derivatives, azatriphenylene derivatives, oxazole derivatives, thiazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiadiazole derivatives, triazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzoxazole derivatives, benzthiazole derivatives, etc.), dibenzofuran derivatives, Dibenzothiophene derivatives, silole derivatives, aromatic hydrocarbon ring derivatives (naphthalene derivatives, anthracene derivatives, triphenylene derivatives, etc.) That.
また、配位子にキノリノール骨格やジベンゾキノリノール骨格を有する金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga又はPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。
その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
また、これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
In addition, a metal complex having a quinolinol skeleton or a dibenzoquinolinol skeleton as a ligand, for example, tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7- Dibromo-8-quinolinol) aluminum, tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq) and the like, and their metal complexes A metal complex in which the central metal is replaced with In, Mg, Cu, Ca, Sn, Ga, or Pb can also be used as the electron transport material.
In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transport material. In addition, the distyrylpyrazine derivative exemplified as the material of the light emitting layer can also be used as an electron transport material, and an inorganic semiconductor such as n-type-Si, n-type-SiC, etc. as in the case of the hole injection layer and the hole transport layer. Can also be used as an electron transporting material.
Further, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
本発明に係る電子輸送層においては、電子輸送層にドープ材をゲスト材料としてドープして、n性の高い(電子リッチ)電子輸送層を形成してもよい。ドープ材としては、金属錯体やハロゲン化金属など金属化合物等のn型ドーパントが挙げられる。このような構成の電子輸送層の具体例としては、例えば、特開平4−297076号公報、同10−270172号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等の文献に記載されたものが挙げられる。 In the electron transport layer according to the present invention, the electron transport layer may be doped with a doping material as a guest material to form an electron transport layer having a high n property (electron rich). Examples of the doping material include n-type dopants such as metal complexes and metal compounds such as metal halides. Specific examples of the electron transport layer having such a structure include, for example, JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J. Pat. Appl. Phys. , 95, 5773 (2004) and the like.
本発明の有機EL素子に用いられる、公知の好ましい電子輸送材料の具体例としては、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
米国特許第6528187号、米国特許第7230107号、米国特許出願公開第2005/0025993号明細書、米国特許出願公開第2004/0036077号明細書、米国特許出願公開第2009/0115316号明細書、米国特許出願公開第2009/0101870号明細書、米国特許出願公開第2009/0179554号明細書、国際公開第2003/060956号、国際公開第2008/132085号、Appl. Phys. Lett. 75, 4 (1999)、Appl. Phys. Lett. 79, 449 (2001)、Appl. Phys. Lett. 81, 162 (2002)、Appl. Phys. Lett. 81, 162 (2002)、Appl. Phys. Lett. 79, 156 (2001)、米国特許第7964293号、米国特許出願公開第2009/030202号明細書、国際公開第2004/080975号、国際公開第2004/063159号、国際公開第2005/085387号、国際公開第2006/067931号、国際公開第2007/086552号、国際公開第2008/114690号、国際公開第2009/069442号、国際公開第2009/066779号、国際公開第2009/054253号、国際公開第2011/086935号、国際公開第2010/150593号、国際公開第2010/047707号、EP2311826号、特開2010−251675号公報、特開2009−209133号公報、特開2009−124114号公報、特開2008−277810号公報、特開2006−156445号公報、特開2005−340122号公報、特開2003−45662号公報、特開2003−31367号公報、特開2003−282270号公報、国際公開第2012/115034号等である。
Specific examples of known preferable electron transport materials used in the organic EL device of the present invention include compounds described in the following documents, but the present invention is not limited thereto.
US Pat. No. 6,528,187, US Pat. No. 7,230,107, US Patent Application Publication No. 2005/0025993, US Patent Application Publication No. 2004/0036077, US Patent Application Publication No. 2009/0115316, US Patent Application Publication No. 2009/0101870, United States Patent Application Publication No. 2009/0179554, International Publication No. 2003/060956, International Publication No. 2008/132805, Appl. Phys. Lett. 75, 4 (1999), Appl. Phys. Lett. 79, 449 (2001), Appl. Phys. Lett. 81, 162 (2002), Appl. Phys. Lett. 81, 162 (2002), Appl. Phys. Lett. 79, 156 (2001), U.S. Patent No. 7964293, U.S. Patent Application Publication No. 2009/030202, International Publication No. 2004/080975, International Publication No. 2004/063159, International Publication No. 2005/085387, International Publication No. Public Publication No. 2006/067931, International Publication No. 2007/086552, International Publication No. 2008/114690, International Publication No. 2009/066942, International Publication No. 2009/066779, International Publication No. 2009/054253, International Publication No. 2011/086935, International Publication No. 2010/150593, International Publication No. 2010/047707, EP23111826, JP2010-251675A, JP2009-209133A, JP2009-124114A, JP JP-A-2008-277810, JP-A-2006-156445, JP-A-2005-340122, JP-A-2003-45662, JP-A-2003-31367, JP-A-2003-282270, International Publication No. 2012. / 115034.
本発明におけるより好ましい電子輸送材料としては、少なくとも一つの窒素原子を含む芳香族複素環化合物が挙げられ、例えばピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、トリアジン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、アザジベンゾフラン誘導体、アザジベンゾチオフェン誘導体、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体などが挙げられる。
電子輸送材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。
More preferable electron transport materials in the present invention include aromatic heterocyclic compounds containing at least one nitrogen atom. For example, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, triazine derivatives, dibenzofuran derivatives, dibenzothiophene derivatives, azadibenzofuran derivatives. , Azadibenzothiophene derivatives, carbazole derivatives, azacarbazole derivatives, benzimidazole derivatives, and the like.
The electron transport material may be used alone or in combination of two or more.
《正孔阻止層》
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有する層であり、好ましくは電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、前述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることができる。
本発明の有機EL素子に設ける正孔阻止層は、発光層の陰極側に隣接して設けられることが好ましい。
本発明に係る正孔阻止層の層厚としては、好ましくは3〜100nmの範囲であり、更に好ましくは5〜30nmの範囲である。
正孔阻止層に用いられる材料としては、前述の電子輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト化合物として用いられる材料も正孔阻止層に好ましく用いられる。
《Hole blocking layer》
The hole blocking layer is a layer having a function of an electron transport layer in a broad sense, and is preferably made of a material having a function of transporting electrons and a small ability to transport holes, and transporting electrons while transporting holes. By blocking this, the recombination probability of electrons and holes can be improved.
Moreover, the structure of the electron carrying layer mentioned above can be used as a hole-blocking layer concerning this invention as needed.
The hole blocking layer provided in the organic EL device of the present invention is preferably provided adjacent to the cathode side of the light emitting layer.
The layer thickness of the hole blocking layer according to the present invention is preferably in the range of 3 to 100 nm, more preferably in the range of 5 to 30 nm.
As the material used for the hole blocking layer, the material used for the above-described electron transport layer is preferably used, and the material used as the above-described host compound is also preferably used for the hole blocking layer.
《電子注入層》
本発明に係る電子注入層(「陰極バッファー層」ともいう)とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陰極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されている。
本発明において電子注入層は必要に応じて設け、上記のごとく陰極と発光層との間、又は陰極と電子輸送層との間に存在させてもよい。
電子注入層はごく薄い膜であることが好ましく、素材にもよるがその層厚は0.1〜5nmの範囲が好ましい。また構成材料が断続的に存在する不均一な層(膜)であってもよい。
《Electron injection layer》
The electron injection layer (also referred to as “cathode buffer layer”) according to the present invention is a layer provided between the cathode and the light emitting layer in order to lower the driving voltage and improve the light emission luminance. It is described in detail in Chapter 2 “Electrode Materials” (pages 123 to 166) of the second edition of “The Forefront of Industrialization” (issued by NTT Corporation on November 30, 1998).
In the present invention, the electron injection layer may be provided as necessary, and may be present between the cathode and the light emitting layer or between the cathode and the electron transport layer as described above.
The electron injection layer is preferably a very thin film, and the layer thickness is preferably in the range of 0.1 to 5 nm, although it depends on the material. Moreover, the nonuniform layer (film | membrane) in which a constituent material exists intermittently may be sufficient.
電子注入層は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、電子注入層に好ましく用いられる材料の具体例としては、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等に代表されるアルカリ土類金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、8−ヒドロキシキノリネートリチウム(Liq)等に代表される金属錯体等が挙げられる。また、前述の電子輸送材料を用いることも可能である。
また、上記の電子注入層に用いられる材料は単独で用いてもよく、複数種を併用して用いてもよい。
The details of the electron injection layer are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specific examples of materials preferably used for the electron injection layer are as follows. , Metals typified by strontium and aluminum, alkali metal compounds typified by lithium fluoride, sodium fluoride, potassium fluoride, etc., alkaline earth metal compounds typified by magnesium fluoride, calcium fluoride, etc., oxidation Examples thereof include metal oxides typified by aluminum, metal complexes typified by 8-hydroxyquinolinate lithium (Liq), and the like. Further, the above-described electron transport material can also be used.
Moreover, the material used for said electron injection layer may be used independently, and may be used in combination of multiple types.
《正孔輸送層》
本発明において正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する材料からなり、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有していればよい。
本発明に係る正孔輸送層の総層厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μmの範囲であり、より好ましくは2〜500nmであり、さらに好ましくは5〜200nmである。
正孔輸送層に用いられる材料(以下、正孔輸送材料という)としては、正孔の注入性又は輸送性、電子の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
例えば、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、イソインドール誘導体、アントラセンやナフタレン等のアセン系誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、及びポリビニルカルバゾール、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー、ポリシラン、導電性ポリマー又はオリゴマー(例えばPEDOT/PSS、アニリン系共重合体、ポリアニリン、ポリチオフェン等)等が挙げられる。
《Hole transport layer》
In the present invention, the hole transport layer is made of a material having a function of transporting holes and may have a function of transmitting holes injected from the anode to the light emitting layer.
Although there is no restriction | limiting in particular about the total layer thickness of the positive hole transport layer which concerns on this invention, Usually, it is the range of 5 nm-5 micrometers, More preferably, it is 2-500 nm, More preferably, it is 5-200 nm.
As a material used for the hole transport layer (hereinafter referred to as a hole transport material), any material that has either a hole injection property or a transport property or an electron barrier property may be used. Any one can be selected and used.
For example, porphyrin derivatives, phthalocyanine derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, polyarylalkane derivatives, triarylamine derivatives, carbazole derivatives , Indolocarbazole derivatives, isoindole derivatives, acene derivatives such as anthracene and naphthalene, fluorene derivatives, fluorenone derivatives, and polyvinyl carbazole, polymeric materials or oligomers with aromatic amines introduced into the main chain or side chain, polysilane, conductive And polymer (for example, PEDOT / PSS, aniline copolymer, polyaniline, polythiophene, etc.).
トリアリールアミン誘導体としては、α−NPD(4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル)に代表されるベンジジン型や、MTDATAに代表されるスターバースト型、トリアリールアミン連結コア部にフルオレンやアントラセンを有する化合物等が挙げられる。
また、特表2003−519432号公報や特開2006−135145号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。
さらに不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。
Examples of the triarylamine derivative include benzidine type represented by α-NPD (4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl), starburst type represented by MTDATA, Examples include compounds having fluorene or anthracene in the triarylamine-linked core.
In addition, hexaazatriphenylene derivatives such as those described in JP-A-2003-519432 and JP-A-2006-135145 can also be used as a hole transport material.
Furthermore, a hole transport layer having a high p property doped with impurities can also be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J. Pat. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.
また、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような、いわゆるp型正孔輸送材料やp型−Si、p型−SiC等の無機化合物を用いることもできる。さらにIr(ppy)3に代表されるような中心金属にIrやPtを有するオルトメタル化有機金属錯体も好ましく用いられる。
正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、アザトリフェニレン誘導体、有機金属錯体、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー等が好ましく用いられる。
JP-A-11-251067, J. Org. Huang et. al. It is also possible to use so-called p-type hole transport materials and inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC, as described in the literature (Applied Physics Letters 80 (2002), p. 139). Further, ortho-metalated organometallic complexes having Ir or Pt as the central metal as typified by Ir (ppy) 3 are also preferably used.
Although the above-mentioned materials can be used as the hole transport material, a triarylamine derivative, a carbazole derivative, an indolocarbazole derivative, an azatriphenylene derivative, an organometallic complex, or an aromatic amine is introduced into the main chain or side chain. The polymer materials or oligomers used are preferably used.
本発明の有機EL素子に用いられる、公知の好ましい正孔輸送材料の具体例としては、上記で挙げた文献の他、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
例えば、Appl. Phys. Lett. 69, 2160 (1996)、J. Lumin. 72−74, 985 (1997)、Appl. Phys. Lett. 78, 673 (2001)、Appl. Phys. Lett. 90, 183503 (2007)、Appl. Phys. Lett. 90, 183503 (2007)、Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987)、Synth. Met. 87, 171 (1997)、Synth. Met. 91, 209 (1997)、Synth. Met. 111,421 (2000)、SID Symposium Digest, 37, 923 (2006)、J. Mater. Chem. 3, 319 (1993)、Adv. Mater. 6, 677 (1994)、Chem. Mater. 15,3148 (2003)、米国特許出願公開第2003/0162053号明細書、米国特許出願公開第2002/0158242号明細書、米国特許出願公開第2006/0240279号明細書、米国特許出願公開第2008/0220265号明細書、米国特許第5061569号、国際公開第2007/002683号、国際公開第2009/018009号、EP650955、米国特許出願公開第2008/0124572号明細書、米国特許出願公開第2007/0278938号明細書、米国特許出願公開第2008/0106190号明細書、米国特許出願公開第2008/0018221号明細書、国際公開第2012/115034号、特表2003−519432号公報、特開2006−135145号公報、米国特許出願番号13/585981号等である。
正孔輸送材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。
Specific examples of known preferred hole transport materials used in the organic EL device of the present invention include the compounds described in the following documents in addition to the documents listed above, but the present invention is not limited thereto. Not.
For example, Appl. Phys. Lett. 69, 2160 (1996), J. MoI. Lumin. 72-74, 985 (1997), Appl. Phys. Lett. 78, 673 (2001), Appl. Phys. Lett. 90, 183503 (2007), Appl. Phys. Lett. 90, 183503 (2007), Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987), Synth. Met. 87, 171 (1997), Synth. Met. 91, 209 (1997), Synth. Met. 111, 421 (2000), SID Symposium Digest, 37, 923 (2006), J. Am. Mater. Chem. 3, 319 (1993), Adv. Mater. 6, 677 (1994), Chem. Mater. 15, 3148 (2003), US Patent Application Publication No. 2003/0162053, US Patent Application Publication No. 2002/0158242, US Patent Application Publication No. 2006/0240279, US Patent Application Publication No. 2008 / No. 0220265, U.S. Patent No. 5061569, International Publication No. 2007/002683, International Publication No. 2009/018009, EP650955, U.S. Patent Application Publication No. 2008/0124572, U.S. Patent Publication No. 2007/0278938. Specification, US Patent Application Publication No. 2008/0106190, US Patent Application Publication No. 2008/0018221, International Publication No. 2012/115034, Japanese Translation of PCT International Publication No. 2003-519432, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-135145 , US Patent Application No. 13/585981 and the like.
The hole transport material may be used alone or in combination of two or more.
《電子阻止層》
電子阻止層とは、広い意味では正孔輸送層の機能を有する層であり、好ましくは正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、前述する正孔輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る電子阻止層として用いることができる。
本発明の有機EL素子に設ける電子阻止層は、発光層の陽極側に隣接して設けられることが好ましい。
本発明に係る電子阻止層の層厚としては、好ましくは3〜100nmの範囲内であり、更に好ましくは5〜30nmの範囲内である。
電子阻止層に用いられる材料としては、前述の正孔輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト化合物も電子阻止層に好ましく用いられる。
《Electron blocking layer》
The electron blocking layer is a layer having a function of a hole transport layer in a broad sense, and is preferably made of a material having a function of transporting holes and a small ability to transport electrons, while transporting holes. By blocking electrons, the probability of recombination of electrons and holes can be improved.
Moreover, the structure of the positive hole transport layer mentioned above can be used as an electron blocking layer according to the present invention, if necessary.
The electron blocking layer provided in the organic EL device of the present invention is preferably provided adjacent to the anode side of the light emitting layer.
The layer thickness of the electron blocking layer according to the present invention is preferably in the range of 3 to 100 nm, and more preferably in the range of 5 to 30 nm.
As the material used for the electron blocking layer, the material used for the above-described hole transport layer is preferably used, and the above-mentioned host compound is also preferably used for the electron blocking layer.
《正孔注入層》
本発明に係る正孔注入層(「陽極バッファー層」ともいう)とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陽極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されている。
本発明において正孔注入層は必要に応じて設け、上記のごとく陽極と発光層又は陽極と正孔輸送層との間に存在させてもよい。
正孔注入層は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、正孔注入層に用いられる材料としては、例えば前述の正孔輸送層に用いられる材料等が挙げられる。
中でも銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン誘導体、特表2003−519432号公報や特開2006−135145号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体、酸化バナジウムに代表される金属酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム錯体等に代表されるオルトメタル化錯体、トリアリールアミン誘導体等が好ましい。
前述の正孔注入層に用いられる材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。
《Hole injection layer》
The hole injection layer (also referred to as “anode buffer layer”) according to the present invention is a layer provided between the anode and the light emitting layer for the purpose of lowering the driving voltage and improving the light emission luminance. It is described in detail in Chapter 2 “Electrode Materials” (pages 123 to 166) of the second edition of “The Forefront of Industrialization” (issued by NTT Corporation on November 30, 1998).
In the present invention, the hole injection layer may be provided as necessary, and may be present between the anode and the light emitting layer or between the anode and the hole transport layer as described above.
The details of the hole injection layer are also described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069, etc. Examples of the material used for the hole injection layer include: Examples thereof include materials used for the above-described hole transport layer.
Among them, phthalocyanine derivatives typified by copper phthalocyanine, hexaazatriphenylene derivatives as described in JP-T-2003-519432 and JP-A-2006-135145, metal oxides typified by vanadium oxide, amorphous carbon Preferred are conductive polymers such as polyaniline (emeraldine) and polythiophene, orthometalated complexes represented by tris (2-phenylpyridine) iridium complex, and triarylamine derivatives.
The materials used for the hole injection layer described above may be used alone or in combination of two or more.
《添加物》
前述した本発明における有機層は、更に他の添加物が含まれていてもよい。
添加物としては、例えば臭素、ヨウ素及び塩素等のハロゲン元素やハロゲン化化合物、Pd、Ca、Na等のアルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属の化合物や錯体、塩等が挙げられる。
添加物の含有量は、任意に決定することができるが、含有される層の全質量%に対して1000ppm以下であることが好ましく、より好ましくは500ppm以下であり、さらに好ましくは50ppm以下である。
ただし、電子や正孔の輸送性を向上させる目的や、励起子のエネルギー移動を有利にするための目的などによってはこの範囲内ではない。
"Additive"
The organic layer in the present invention described above may further contain other additives.
Examples of the additive include halogen elements such as bromine, iodine and chlorine, halogenated compounds, alkali metals and alkaline earth metals such as Pd, Ca, and Na, transition metal compounds, complexes, and salts.
The content of the additive can be arbitrarily determined, but is preferably 1000 ppm or less, more preferably 500 ppm or less, and further preferably 50 ppm or less with respect to the total mass% of the contained layer. .
However, it is not within this range depending on the purpose of improving the transportability of electrons and holes or the purpose of favoring the exciton energy transfer.
《有機層の形成方法》
本発明に係る有機層(正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等)の形成方法について説明する。
本発明に係る有機層の形成方法は、特に制限はなく、従来公知の例えば真空蒸着法、湿式法(ウェットプロセスともいう)等による形成方法を用いることができる。
湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法(ラングミュア−ブロジェット法)等があるが、均質な薄膜が得られやすく、かつ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。
<Method for forming organic layer>
A method for forming an organic layer (hole injection layer, hole transport layer, light emitting layer, hole blocking layer, electron transport layer, electron injection layer, etc.) according to the present invention will be described.
The method for forming the organic layer according to the present invention is not particularly limited, and a conventionally known method such as a vacuum deposition method or a wet method (also referred to as a wet process) can be used.
Examples of the wet method include a spin coating method, a casting method, an ink jet method, a printing method, a die coating method, a blade coating method, a roll coating method, a spray coating method, a curtain coating method, and an LB method (Langmuir-Blodgett method). From the viewpoint of obtaining a homogeneous thin film easily and high productivity, a method with high roll-to-roll method suitability such as a die coating method, a roll coating method, an ink jet method and a spray coating method is preferable.
本発明に用いられる有機EL材料を溶解又は分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、DMF、DMSO等の有機溶媒を用いることができる。
また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
更に層ごとに異なる成膜法を適用してもよい。成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50〜450℃、真空度10−6〜10−2Pa、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−50〜300℃、層(膜)厚0.1nm〜5μm、好ましくは5〜200nmの範囲内で適宜選ぶことが望ましい。
本発明に係る有機層の形成は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際は作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
Examples of the liquid medium for dissolving or dispersing the organic EL material used in the present invention include ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone, fatty acid esters such as ethyl acetate, halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, toluene, xylene, Aromatic hydrocarbons such as mesitylene and cyclohexylbenzene, aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane, decalin, and dodecane, and organic solvents such as DMF and DMSO can be used.
Moreover, as a dispersion method, it can disperse | distribute by dispersion methods, such as an ultrasonic wave, high shear force dispersion | distribution, and media dispersion | distribution.
Further, different film forming methods may be applied for each layer. When a vapor deposition method is employed for film formation, the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, but generally a boat heating temperature of 50 to 450 ° C., a vacuum degree of 10 −6 to 10 −2 Pa, and a vapor deposition rate of 0.01 to It is desirable to select appropriately within a range of 50 nm / second, a substrate temperature of −50 to 300 ° C., and a layer (film) thickness of 0.1 nm to 5 μm, preferably 5 to 200 nm.
The organic layer according to the present invention is preferably formed from the hole injection layer to the cathode consistently by a single evacuation, but it may be taken out halfway and subjected to different film formation methods. In that case, it is preferable to perform the work in a dry inert gas atmosphere.
《陽極》
有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上、好ましくは4.5eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In2O3−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。
陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度を余り必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。
陽極の膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1μm、好ましくは10〜200nmの範囲内で選ばれる。
"anode"
As the anode in the organic EL element, a material having a work function (4 eV or more, preferably 4.5 eV or more) of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof is preferably used. Specific examples of such electrode substances include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO. Alternatively, an amorphous material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) capable of forming a transparent conductive film may be used.
The anode may be formed by depositing a thin film of these electrode materials by vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by photolithography, or when pattern accuracy is not so high (about 100 μm or more) A pattern may be formed through a mask having a desired shape at the time of vapor deposition or sputtering of the electrode material.
Or when using the substance which can be apply | coated like an organic electroconductivity compound, wet film-forming methods, such as a printing system and a coating system, can also be used. When light emission is extracted from the anode, it is desirable that the transmittance be greater than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less.
The film thickness of the anode depends on the material, but is usually selected within the range of 10 nm to 1 μm, preferably 10 to 200 nm.
《陰極》
陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
"cathode"
As the cathode, a material having a work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, aluminum, rare earth metals and the like. Among these, in terms of durability against electron injection and oxidation, etc., a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function value than this, for example, a magnesium / silver mixture, Magnesium / aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred.
陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させることで作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50〜200nmの範囲で選ばれる。
なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陰極に上記金属を1〜20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げる導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance as the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 to 200 nm.
In order to transmit the emitted light, if either one of the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, the emission luminance is advantageously improved.
Moreover, after producing the above metal with a film thickness of 1 to 20 nm on the cathode, a transparent or translucent cathode can be produced by producing a conductive transparent material mentioned in the description of the anode on the cathode. By applying the above, it is possible to manufacture a device in which both the anode and the cathode are transparent.
[支持基板]
本発明の有機EL素子に用いることのできる支持基板(以下、基体、基板、基材、支持体等ともいう。)としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
[Support substrate]
The support substrate (hereinafter also referred to as a substrate, substrate, substrate, support, etc.) that can be used in the organic EL device of the present invention is not particularly limited in the type of glass, plastic, etc., and is transparent. Or opaque. When extracting light from the support substrate side, the support substrate is preferably transparent. Examples of the transparent support substrate preferably used include glass, quartz, and a transparent resin film. A particularly preferable support substrate is a resin film capable of giving flexibility to the organic EL element.
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)あるいはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。 Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate ( CAP), cellulose esters such as cellulose acetate phthalate, cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones, Cycloolefin resins such as polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Appel (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals) Can be mentioned.
樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が0.01g/m2・24h以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、1×10−3ml/m2・24h・atm以下、水蒸気透過度が、1×10−5g/m2・24h以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。 An inorganic film, an organic film, or a hybrid film of both may be formed on the surface of the resin film, and the water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C.) measured by a method according to JIS K 7129-1992. , Relative humidity (90 ± 2)% RH) is preferably 0.01 g / m 2 · 24 h or less of a barrier film, and further, oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987. However, it is preferable that the film has a high barrier property of 1 × 10 −3 ml / m 2 · 24 h · atm or less and a water vapor permeability of 1 × 10 −5 g / m 2 · 24 h or less.
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
As a material for forming the barrier film, any material may be used as long as it has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like can be used. Further, in order to improve the brittleness of the film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and organic material layers. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times.
The method for forming the barrier film is not particularly limited. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization, atmospheric pressure plasma polymerization A plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.
不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
本発明の有機EL素子の発光の室温(25℃)における外部取り出し量子効率は、1%以上であることが好ましく、5%以上であるとより好ましい。
ここで、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を、蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。
Examples of the opaque support substrate include metal plates such as aluminum and stainless steel, films, opaque resin substrates, and ceramic substrates.
The external extraction quantum efficiency at room temperature (25 ° C.) of light emission of the organic EL device of the present invention is preferably 1% or more, and more preferably 5% or more.
Here, external extraction quantum efficiency (%) = number of photons emitted to the outside of the organic EL element / number of electrons flowed to the organic EL element × 100.
In addition, a hue improvement filter such as a color filter may be used in combination, or a color conversion filter that converts the emission color from the organic EL element into multiple colors using a phosphor may be used in combination.
[封止]
本発明の有機EL素子の封止に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と、電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されていればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に限定されない。
具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる1種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。
[Sealing]
Examples of the sealing means used for sealing the organic EL element of the present invention include a method of bonding a sealing member, an electrode, and a support substrate with an adhesive. As a sealing member, it should just be arrange | positioned so that the display area | region of an organic EL element may be covered, and it may be concave plate shape or flat plate shape. Moreover, transparency and electrical insulation are not particularly limited.
Specific examples include a glass plate, a polymer plate / film, and a metal plate / film. Examples of the glass plate include soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz. Examples of the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone. Examples of the metal plate include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium, and tantalum.
本発明においては、有機EL素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。さらには、ポリマーフィルムはJIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10−3ml/m2・24h以下、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度90±2%)が、1×10−3g/m2・24h以下のものであることが好ましい。
封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
In the present invention, a polymer film and a metal film can be preferably used because the organic EL element can be thinned. Furthermore, the polymer film has an oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987 of 1 × 10 −3 ml / m 2 · 24 h or less, and measured by a method according to JIS K 7129-1992. The water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C., relative humidity 90 ± 2%) is preferably 1 × 10 −3 g / m 2 · 24 h or less.
For processing the sealing member into a concave shape, sandblasting, chemical etching, or the like is used.
接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
Specific examples of adhesives include photocuring and thermosetting adhesives having reactive vinyl groups such as acrylic acid oligomers and methacrylic acid oligomers, and moisture curing adhesives such as 2-cyanoacrylates. be able to. Moreover, heat | fever and chemical curing types (two-component mixing), such as an epoxy type, can be mentioned. Moreover, hot-melt type polyamide, polyester, and polyolefin can be mentioned. Moreover, a cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive can be mentioned.
In addition, since an organic EL element may deteriorate by heat processing, what can be adhesive-hardened from room temperature to 80 degreeC is preferable. A desiccant may be dispersed in the adhesive. Application | coating of the adhesive agent to a sealing part may use commercially available dispenser, and may print like screen printing.
また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。
さらに該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。
In addition, it is also preferable that the electrode and the organic layer are coated on the outside of the electrode facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween, and an inorganic or organic layer is formed in contact with the support substrate to form a sealing film. . In this case, the material for forming the film may be any material that has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like may be used. it can.
Further, in order to improve the brittleness of the film, it is preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of organic materials. There are no particular limitations on the method of forming these films. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization, atmospheric pressure plasma A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.
封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、ヨウ化バリウム、ヨウ化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
In the gap between the sealing member and the display area of the organic EL element, an inert gas such as nitrogen or argon, or an inert liquid such as fluorinated hydrocarbon or silicon oil can be injected in the gas phase and liquid phase. preferable. A vacuum can also be used. Moreover, a hygroscopic compound can also be enclosed inside.
Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (for example, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide) and sulfates (for example, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate). Etc.), metal halides (eg calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide etc.), perchloric acids (eg perchloric acid) Barium, magnesium perchlorate and the like), and anhydrous salts are preferably used in sulfates, metal halides and perchloric acids.
[保護膜、保護板]
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために、保護膜あるいは保護板を設けてもよい。特に、封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
[Protective film, protective plate]
In order to increase the mechanical strength of the element, a protective film or a protective plate may be provided outside the sealing film or the sealing film on the side facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween. In particular, when sealing is performed by the sealing film, the mechanical strength is not necessarily high, and thus it is preferable to provide such a protective film and a protective plate. As a material that can be used for this, the same glass plate, polymer plate / film, metal plate / film, etc. used for the sealing can be used, but the polymer film is light and thin. Is preferably used.
[光取り出し向上技術]
有機EL素子は、空気よりも屈折率の高い(屈折率1.6〜2.1程度の範囲内)層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として、光が素子側面方向に逃げるためである。
[Light extraction improvement technology]
The organic EL element emits light inside a layer having a refractive index higher than that of air (within a refractive index of about 1.6 to 2.1), and is about 15% to 20% of light generated in the light emitting layer. It is generally said that it can only be taken out. This is because light incident on the interface (interface between the transparent substrate and air) at an angle θ greater than the critical angle causes total reflection and cannot be taken out of the device, This is because light is totally reflected between the light and the light is guided through the transparent electrode or the light emitting layer, and as a result, the light escapes in the direction of the side surface of the device.
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法(例えば、米国特許第4774435号明細書)、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法(例えば、特開昭63−314795号公報)、素子の側面等に反射面を形成する方法(例えば、特開平1−220394号公報)、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法(例えば、特開昭62−172691号公報)、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法(例えば、特開2001−202827号公報)、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法(特開平11−283751号公報)などが挙げられる。 As a technique for improving the light extraction efficiency, for example, a method of forming irregularities on the surface of the transparent substrate to prevent total reflection at the transparent substrate and the air interface (for example, US Pat. No. 4,774,435), A method for improving efficiency by providing light condensing property (for example, JP-A-63-314795), a method for forming a reflective surface on a side surface of an element (for example, JP-A-1-220394), a substrate, etc. A method of forming an antireflection film by introducing a flat layer having an intermediate refractive index between the substrate and the light emitter (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-172691), lower refraction than the substrate between the substrate and the light emitter A method of introducing a flat layer having a refractive index (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-202827), and a method of forming a diffraction grating between any one of the substrate, the transparent electrode layer and the light emitting layer (including between the substrate and the outside world) ( JP-A-11 No. 283,751 Publication), and the like.
本発明においては、これらの方法を本発明の有機EL素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。
本発明は、これらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。
In the present invention, these methods can be used in combination with the organic EL device of the present invention. However, a method of introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter, or a substrate, transparent A method of forming a diffraction grating between any layers of the electrode layer and the light emitting layer (including between the substrate and the outside) can be suitably used.
In the present invention, by combining these means, it is possible to obtain an element having higher luminance or durability.
透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚さで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど、外部への取り出し効率が高くなる。
低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマーなどが挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5〜1.7程度の範囲内であるので、低屈折率層は、屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。またさらに1.35以下であることが好ましい。
また、低屈折率媒質の厚さは、媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚さが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。
When a low refractive index medium is formed between the transparent electrode and the transparent substrate with a thickness longer than the wavelength of light, the light extracted from the transparent electrode has a higher extraction efficiency to the outside as the refractive index of the medium is lower. Become.
Examples of the low refractive index layer include aerogel, porous silica, magnesium fluoride, and a fluorine-based polymer. Since the refractive index of the transparent substrate is generally in the range of about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of about 1.5 or less. Furthermore, it is preferable that it is 1.35 or less.
The thickness of the low refractive index medium is preferably at least twice the wavelength in the medium. This is because the effect of the low refractive index layer is diminished when the thickness of the low refractive index medium is about the wavelength of light and the electromagnetic wave exuded by evanescent enters the substrate.
全反射を起こす界面又は、いずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は、回折格子が1次の回折や、2次の回折といった、いわゆるブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち、層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間若しくは、媒質中(透明基板内や透明電極内)に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。 The method of introducing a diffraction grating into an interface that causes total reflection or in any medium has a feature that the effect of improving the light extraction efficiency is high. This method uses the property that the diffraction grating can change the direction of light to a specific direction different from refraction by so-called Bragg diffraction, such as first-order diffraction or second-order diffraction. The light that cannot be emitted due to total internal reflection between layers is diffracted by introducing a diffraction grating into any layer or medium (in the transparent substrate or transparent electrode). , Trying to extract light out.
導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な一次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。
しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
回折格子を導入する位置としては、いずれかの層間、若しくは媒質中(透明基板内や透明電極内)でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は、媒質中の光の波長の約1/2〜3倍程度の範囲内が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状など、二次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
The introduced diffraction grating desirably has a two-dimensional periodic refractive index. This is because light emitted from the light-emitting layer is randomly generated in all directions, so in a general one-dimensional diffraction grating having a periodic refractive index distribution only in a certain direction, only light traveling in a specific direction is diffracted. The light extraction efficiency does not increase so much.
However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, light traveling in all directions is diffracted, and light extraction efficiency is increased.
The position where the diffraction grating is introduced may be in any of the layers or in the medium (in the transparent substrate or the transparent electrode), but is preferably in the vicinity of the organic light emitting layer where light is generated. At this time, the period of the diffraction grating is preferably within a range of about 1/2 to 3 times the wavelength of light in the medium. The arrangement of the diffraction gratings is preferably two-dimensionally repeated, such as a square lattice, a triangular lattice, or a honeycomb lattice.
[集光シート]
本発明の有機EL素子は、支持基板(基板)の光取出し側に、例えばマイクロレンズアレイ上の構造を設けるように加工したり、あるいは、いわゆる集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を二次元に配列する。一辺は10〜100μmの範囲内が好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚さが厚くなり好ましくない。
集光シートとしては、例えば液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)などを用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。
また、有機EL素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを、集光シートと併用してもよい。例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)などを用いることができる。
[Condensing sheet]
The organic EL element of the present invention can be processed to provide a structure on a microlens array, for example, on the light extraction side of a support substrate (substrate) or combined with a so-called condensing sheet, for example, in a specific direction, for example, the element Condensing light in the front direction with respect to the light emitting surface can increase the luminance in a specific direction.
As an example of the microlens array, quadrangular pyramids having a side of 30 μm and an apex angle of 90 degrees are arranged two-dimensionally on the light extraction side of the substrate. One side is preferably within a range of 10 to 100 μm. If it becomes smaller than this, the effect of diffraction will generate | occur | produce and color, and if too large, thickness will become thick and is not preferable.
As the condensing sheet, for example, a sheet that is put into practical use in an LED backlight of a liquid crystal display device can be used. As such a sheet, for example, a brightness enhancement film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Limited can be used. As the shape of the prism sheet, for example, the base material may be formed by forming a △ -shaped stripe having a vertex angle of 90 degrees and a pitch of 50 μm, or the vertex angle is rounded and the pitch is changed randomly. Other shapes may be used.
Moreover, in order to control the light emission angle from an organic EL element, you may use a light-diffusion plate and a film together with a condensing sheet. For example, a diffusion film (light-up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.
[用途]
本発明の有機EL素子は、電子機器、例えば、表示装置、ディスプレイ、各種発光装置として用いることができる。
発光装置として、例えば、照明装置(家庭用照明、車内照明)、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
本発明の有機EL素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。
[Usage]
The organic EL element of the present invention can be used as an electronic device such as a display device, a display, and various light emitting devices.
Examples of light-emitting devices include lighting devices (home lighting, interior lighting), clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, light Although the light source of a sensor etc. are mentioned, It is not limited to this, Especially, it can use effectively for the use as a backlight of a liquid crystal display device, and a light source for illumination.
In the organic EL element of the present invention, patterning may be performed by a metal mask, an ink jet printing method, or the like as needed during film formation. In the case of patterning, only the electrode may be patterned, the electrode and the light emitting layer may be patterned, or the entire layer of the element may be patterned. In the fabrication of the element, a conventionally known method is used. Can do.
<表示装置>
本発明の有機EL素子を具備する表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは多色表示装置について説明する。
<Display device>
The display device including the organic EL element of the present invention may be single color or multicolor, but here, the multicolor display device will be described.
多色表示装置の場合は発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法又は印刷法等で膜を形成できる。
発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法及び印刷法である。
In the case of a multicolor display device, a shadow mask is provided only at the time of forming a light emitting layer, and a film can be formed on one surface by vapor deposition, casting, spin coating, ink jet, printing, or the like.
In the case of patterning only the light emitting layer, there is no limitation on the method, but a vapor deposition method, an inkjet method, a spin coating method, and a printing method are preferable.
表示装置に具備される有機EL素子の構成は、必要に応じて上記の有機EL素子の構成例の中から選択される。 The configuration of the organic EL element provided in the display device is selected from the above-described configuration examples of the organic EL element as necessary.
また、有機EL素子の製造方法は、上記の本発明の有機EL素子の製造の一態様に示したとおりである。 Moreover, the manufacturing method of an organic EL element is as having shown to the one aspect | mode of manufacture of the organic EL element of said invention.
このようにして得られた多色表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧2〜40V程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。更に交流電圧を印加する場合には、陽極が+、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。 When a DC voltage is applied to the multicolor display device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 to 40 V with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode. Further, even when a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. Further, when an AC voltage is applied, light is emitted only when the anode is in the + state and the cathode is in the-state. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.
多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ又は各種発光光源として用いることができる。表示デバイス又はディスプレイにおいて、青、赤及び緑発光の3種の有機EL素子を用いることによりフルカラーの表示が可能となる。 The multicolor display device can be used as a display device, a display, or various light emission sources. In a display device or display, full-color display is possible by using three types of organic EL elements of blue, red, and green light emission.
表示デバイス又はディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、AV機器、文字放送表示及び自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。 Examples of the display device or display include a television, a personal computer, a mobile device, an AV device, a character broadcast display, and an information display in an automobile. In particular, it may be used as a display device for reproducing still images and moving images, and the driving method when used as a display device for reproducing moving images may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.
発光装置としては、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。 Light-emitting devices include household lighting, interior lighting, clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, optical storage media light sources, electrophotographic copying machine light sources, optical communication processor light sources, optical sensor light sources, etc. However, the present invention is not limited to these.
以下、本発明の有機EL素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。
図2は有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。
Hereinafter, an example of a display device having the organic EL element of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 2 is a schematic view showing an example of a display device composed of organic EL elements. It is a schematic diagram of a display such as a mobile phone that displays image information by light emission of an organic EL element.
ディスプレイ1は複数の画素を有する表示部A、画像情報に基づいて表示部Aの画像走査を行う制御部B、表示部Aと制御部Bとを電気的に接続する配線部C等を有する。
制御部Bは表示部Aと配線部Cを介して電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線ごとの画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Aに表示する。
The
The control unit B is electrically connected to the display unit A via the wiring unit C, and sends a scanning signal and an image data signal to each of a plurality of pixels based on image information from the outside. Sequentially emit light according to the image data signal, scan the image, and display the image information on the display unit A.
図3はアクティブマトリクス方式による表示装置の模式図である。
表示部Aは基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部Cと複数の画素3等とを有する。表示部Aの主要な部材の説明を以下に行う。
図3においては、画素3の発光した光が白矢印方向(下方向)へ取り出される場合を示している。
FIG. 3 is a schematic diagram of a display device using an active matrix method.
The display unit A includes a wiring unit C including a plurality of
FIG. 3 shows a case where the light emitted from the
配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している(詳細は図示していない)。
画素3は走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。
発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
The
When a scanning signal is applied from the
Full-color display is possible by appropriately arranging pixels in the red region, the green region, and the blue region on the same substrate.
次に、画素の発光プロセスを説明する。図4は画素の回路を示した概略図である。
画素は、有機EL素子10、スイッチングトランジスタ11、駆動トランジスタ12、コンデンサー13等を備えている。複数の画素に有機EL素子10として、赤色、緑色及び青色発光の有機EL素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。
Next, the light emission process of the pixel will be described. FIG. 4 is a schematic diagram showing a pixel circuit.
The pixel includes an
図4において、制御部Bからデータ線6を介してスイッチングトランジスタ11のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Bから走査線5を介してスイッチングトランジスタ11のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサー13と駆動トランジスタ12のゲートに伝達される。
In FIG. 4, an image data signal is applied from the control unit B to the drain of the switching
画像データ信号の伝達により、コンデンサー13が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ12の駆動がオンする。駆動トランジスタ12は、ドレインが電源ライン7に接続され、ソースが有機EL素子10の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン7から有機EL素子10に電流が供給される。
By transmitting the image data signal, the
制御部Bの順次走査により走査信号が次の走査線5に移ると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフしてもコンデンサー13は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ12の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機EL素子10の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ12が駆動して有機EL素子10が発光する。
すなわち、有機EL素子10の発光は、複数の画素それぞれの有機EL素子10に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ11と駆動トランジスタ12を設けて、複数の画素3それぞれの有機EL素子10の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
When the scanning signal is moved to the
That is, the
ここで、有機EL素子10の発光は複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、2値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。また、コンデンサー13の電位の保持は次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。
本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。
Here, the light emission of the
In the present invention, not only the active matrix method described above, but also a passive matrix light emission drive in which the organic EL element emits light according to the data signal only when the scanning signal is scanned.
図5は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図5において、複数の走査線5と複数の画像データ線6が画素3を挟んで対向して格子状に設けられている。
順次走査により走査線5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線5に接続している画素3が画像データ信号に応じて発光する。
パッシブマトリクス方式では画素3にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。
本発明の有機EL素子を用いることにより、発光効率が向上した表示装置が得られた。
FIG. 5 is a schematic diagram of a passive matrix display device. In FIG. 5, a plurality of
When the scanning signal of the
In the passive matrix system, the
By using the organic EL element of the present invention, a display device with improved luminous efficiency was obtained.
<照明装置>
本発明の有機EL素子は、照明装置に用いることもできる。
本発明の有機EL素子は、共振器構造を持たせた有機EL素子として用いてもよい。このような共振器構造を有した有機EL素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。
また、本発明の有機EL素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置(ディスプレイ)として使用してもよい。
動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、パッシブマトリクス方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。又は、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を2種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。
<Lighting device>
The organic EL element of the present invention can also be used for a lighting device.
The organic EL element of the present invention may be used as an organic EL element having a resonator structure. Examples of the purpose of use of the organic EL element having such a resonator structure include a light source of an optical storage medium, a light source of an electrophotographic copying machine, a light source of an optical communication processing machine, and a light source of an optical sensor. It is not limited. Moreover, you may use for the said use by making a laser oscillation.
Further, the organic EL element of the present invention may be used as a kind of lamp for illumination or exposure light source, a projection device for projecting an image, or a type for directly viewing a still image or a moving image. It may be used as a display device (display).
The driving method when used as a display device for reproducing a moving image may be either a passive matrix method or an active matrix method. Alternatively, it is possible to produce a full-color display device by using two or more organic EL elements of the present invention having different emission colors.
また、本発明に用いられる蛍光発光性化合物は、照明装置として、実質的に白色の発光を生じる有機EL素子に適用できる。例えば、複数の発光材料を用いる場合、複数の発光色を同時に発光させて、混色することで白色発光を得ることができる。複数の発光色の組み合わせとしては、赤色、緑色及び青色の3原色の三つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した二つの発光極大波長を含有したものでもよい。 Further, the fluorescent compound used in the present invention can be applied to an organic EL element that emits substantially white light as a lighting device. For example, when a plurality of light emitting materials are used, white light emission can be obtained by simultaneously emitting a plurality of light emission colors and mixing the colors. The combination of a plurality of emission colors may include three emission maximum wavelengths of three primary colors of red, green, and blue, or two of the complementary colors such as blue and yellow, blue green and orange, etc. The thing containing the light emission maximum wavelength may be used.
また、本発明の有機EL素子の形成方法は、発光層、正孔輸送層あるいは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけでよい。他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法及び印刷法等で、例えば、電極膜を形成でき、生産性も向上する。
この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機EL装置と異なり、素子自体が白色発光である。
In addition, the organic EL device forming method of the present invention may be simply arranged by providing a mask only when forming a light emitting layer, a hole transport layer, an electron transport layer, or the like, and separately coating with the mask. Since the other layers are common, patterning of a mask or the like is unnecessary, and for example, an electrode film can be formed on one surface by a vapor deposition method, a cast method, a spin coating method, an ink jet method, a printing method, or the like, and productivity is improved.
According to this method, unlike a white organic EL device in which light emitting elements of a plurality of colors are arranged in parallel in an array, the elements themselves emit white light.
[本発明の照明装置の一態様]
本発明の有機EL素子を具備した、本発明の照明装置の一態様について説明する。
本発明の有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚さ300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止し、図6及び図7に示すような照明装置を形成することができる。
図6は、照明装置の概略図を示し、本発明の有機EL素子(照明装置内の有機EL素子101)はガラスカバー102で覆われている(なお、ガラスカバーでの封止作業は、照明装置内の有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下)で行った。)。
図7は、照明装置の断面図を示し、105は陰極、106は有機層、107は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。
本発明の有機EL素子を用いることにより、発光効率が向上した照明装置が得られた。
[One Embodiment of Lighting Device of the Present Invention]
One aspect of the lighting device of the present invention that includes the organic EL element of the present invention will be described.
The non-light emitting surface of the organic EL device of the present invention is covered with a glass case, a 300 μm thick glass substrate is used as a sealing substrate, and an epoxy photocurable adhesive (LUX The track LC0629B) is applied, and this is overlaid on the cathode and brought into close contact with the transparent support substrate, irradiated with UV light from the glass substrate side, cured, sealed, and illuminated as shown in FIGS. A device can be formed.
FIG. 6 shows a schematic diagram of the lighting device, and the organic EL element of the present invention (
FIG. 7 is a cross-sectional view of the lighting device, 105 is a cathode, 106 is an organic layer, and 107 is a glass substrate with a transparent electrode. The
By using the organic EL element of the present invention, an illumination device with improved luminous efficiency was obtained.
<発光材料>
本発明に用いられる発光材料として、前記一般式(1−a)又は(1−b)で表される構造を有する蛍光発光性化合物のうち少なくとも1種を含有することを特徴とする。
これにより、有機EL素子中の電子移動度の向上、それに伴い有機EL素子中の高電流密度における発光効率の低下、すなわちロールオフの改善の効果が得られることから、発光効率を高め、寿命を改善する効果が得られる。
<Light emitting material>
The luminescent material used in the present invention is characterized by containing at least one of the fluorescent compounds having the structure represented by the general formula (1-a) or (1-b).
As a result, the electron mobility in the organic EL element is improved, and as a result, the emission efficiency is reduced at a high current density in the organic EL element, that is, the effect of improving the roll-off is obtained. An improvement effect is obtained.
また、蛍光発光性化合物に加えて、前記一般式(I)、前記一般式(II)又は/及び一般式(III−1)〜(III−3)で表される構造を有するホスト化合物を含有することが好ましい。これにより、さらに発光効率を高め、寿命を改善する効果が得られる。 Further, in addition to the fluorescent compound, a host compound having a structure represented by the general formula (I), the general formula (II) or / and the general formulas (III-1) to (III-3) is contained. It is preferable to do. As a result, the effects of further improving the luminous efficiency and improving the lifetime can be obtained.
さらに、発光材料として本発明に用いられる蛍光発光性化合物は、発光性薄膜、表示装置及び照明装置に用いることもできる。
ここで、本発明の発光性薄膜について説明する。
Furthermore, the fluorescent compound used in the present invention as the light emitting material can also be used for a light emitting thin film, a display device and a lighting device.
Here, the luminescent thin film of the present invention will be described.
<発光性薄膜>
本発明の発光性薄膜は、前記有機層の形成方法と同様に作製することができる。
本発明の発光性薄膜の形成方法は、特に制限はなく、従来公知の例えば真空蒸着法、湿式法(ウェットプロセスともいう)等による形成方法を用いることができる。
湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法(ラングミュア−ブロジェット法)等があるが、均質な薄膜が得られやすく、かつ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。
<Luminescent thin film>
The light-emitting thin film of the present invention can be produced in the same manner as the organic layer forming method.
The method for forming the light-emitting thin film of the present invention is not particularly limited, and a conventionally known method such as a vacuum deposition method or a wet method (also referred to as a wet process) can be used.
Examples of the wet method include a spin coating method, a casting method, an ink jet method, a printing method, a die coating method, a blade coating method, a roll coating method, a spray coating method, a curtain coating method, and an LB method (Langmuir-Blodgett method). From the viewpoint of obtaining a homogeneous thin film easily and high productivity, a method with high roll-to-roll method suitability such as a die coating method, a roll coating method, an ink jet method and a spray coating method is preferable.
本発明に用いられる発光材料を溶解又は分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、DMF、DMSO等の有機溶媒を用いることができる。 Examples of the liquid medium for dissolving or dispersing the light emitting material used in the present invention include ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone, fatty acid esters such as ethyl acetate, halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, toluene, xylene, and mesitylene. Aromatic hydrocarbons such as cyclohexylbenzene, aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane, decalin, and dodecane, and organic solvents such as DMF and DMSO can be used.
また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
更に層毎に異なる成膜法を適用してもよい。成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度を50〜450℃の範囲内、真空度を10−6〜10−2Paの範囲内、蒸着速度0.01〜50nm/秒の範囲内、基板温度−50〜300℃の範囲内、層厚0.1nm〜5μmの範囲内、好ましくは5〜200nmの範囲内で適宜選ぶことが望ましい。
また、成膜にスピンコート法を採用する場合、スピンコーターを100〜1000rpmの範囲内、10〜120秒の範囲内で、乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
Moreover, as a dispersion method, it can disperse | distribute by dispersion methods, such as an ultrasonic wave, high shear force dispersion | distribution, and media dispersion | distribution.
Further, different film forming methods may be applied for each layer. When a vapor deposition method is employed for film formation, the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, but generally the boat heating temperature is in the range of 50 to 450 ° C., and the degree of vacuum is in the range of 10 −6 to 10 −2 Pa. Of these, the deposition rate is appropriately selected within the range of 0.01 to 50 nm / second, the substrate temperature within the range of −50 to 300 ° C., the layer thickness within the range of 0.1 nm to 5 μm, and preferably within the range of 5 to 200 nm. desirable.
When a spin coat method is employed for film formation, it is preferable to perform the spin coater within a range of 100 to 1000 rpm and within a range of 10 to 120 seconds in a dry inert gas atmosphere.
また、本発明の発光性薄膜を表示装置及び照明装置に用いることもできる。
これにより、発光効率が改善された表示装置及び照明装置が得られる。
Moreover, the luminescent thin film of this invention can also be used for a display apparatus and an illuminating device.
As a result, a display device and a lighting device with improved luminous efficiency can be obtained.
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」あるいは「%」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量%」を表す。
また、各実施例における化合物の体積%は、作製する層厚を水晶発振子マイクロバランス法により測定し、質量を算出することで、比重から求めている。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. In addition, although the display of "part" or "%" is used in an Example, unless otherwise indicated, "part by mass" or "mass%" is represented.
Moreover, the volume% of the compound in each Example is calculated | required from specific gravity by measuring the layer thickness to produce by the quartz crystal microbalance method, and calculating mass.
[実施例1]
≪薄膜の作製≫
(薄膜1−Aの作製方法)
50mm×50mm、厚さ0.7mmの石英基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った後、スピンコーターを用いて下記組成の発光材料を500rpm、30秒の条件で塗布したのち、120℃で30分焼成し乾燥を行った。上記薄膜は、純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で、缶状ガラスケースで覆うことで封止し、膜厚40nmの薄膜1−Aを作製した。
[Example 1]
<< Production of thin film >>
(Method for producing thin film 1-A)
A quartz substrate having a size of 50 mm × 50 mm and a thickness of 0.7 mm was subjected to ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and UV ozone cleaning was performed for 5 minutes. After coating for 30 seconds, it was baked at 120 ° C. for 30 minutes and dried. The thin film was sealed by covering it with a can-shaped glass case in an atmosphere of high-purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more, to produce a thin film 1-A having a thickness of 40 nm.
蛍光発光性化合物1−4 5質量部
DPEPO 95質量部
クロロベンゼン 20000質量部
Fluorescent compound 1-4 5 parts by mass DPEPO 95 parts by mass Chlorobenzene 20000 parts by mass
(薄膜1−B〜1−Gの作製方法)
使用するドーパントを表2に示すように変えた以外は薄膜1−Aと同様の方法で薄膜1−Bから1−Gを作製した。
(薄膜の評価)
薄膜1−A〜1−Gの試料に対しUV−970(日立製作所)を使用し、UVスペクトルを測定し、励起波長を決定した上で、各薄膜のPLスペクトルを測定した。PL測定には絶対PL量子収率測定装置C9920−02(浜松ホトニクス社製)を用いた。
ドーパントである蛍光発光性化合物1−4の発光極大波長におけるピーク強度を1とし、各ドーパントを使用した時の発光極大波長におけるピーク強度を相対値で表2に示した。
(Method for producing thin films 1-B to 1-G)
Thin films 1-B to 1-G were prepared in the same manner as thin film 1-A, except that the dopant used was changed as shown in Table 2.
(Evaluation of thin film)
UV-970 (Hitachi, Ltd.) was used for the thin film 1-A to 1-G samples, the UV spectrum was measured, the excitation wavelength was determined, and the PL spectrum of each thin film was measured. For PL measurement, an absolute PL quantum yield measuring device C9920-02 (manufactured by Hamamatsu Photonics) was used.
The peak intensity at the emission maximum wavelength of the fluorescent compound 1-4 as a dopant was set to 1, and the peak intensity at the emission maximum wavelength when each dopant was used is shown in Table 2 as a relative value.
(結果)
本発明に係る蛍光発光性化合物をドーパントとして用いた場合、それぞれに特有の発光が見られた。分子内に電子求引性基を有する本発明の化合物を用いた場合、比較の化合物を用いた時よりも発光強度が増大した。理由は定かではないが、分子内のCT性が向上したことにより一重項からの発光が促進されたものと推測される。
(result)
When the fluorescent compound according to the present invention was used as a dopant, specific light emission was observed in each. When the compound of the present invention having an electron withdrawing group in the molecule was used, the emission intensity was increased as compared with the case of using a comparative compound. Although the reason is not clear, it is presumed that the light emission from the singlet was promoted by the improvement of the CT property in the molecule.
[実施例2]
(有機EL素子2−Aの作製方法)
50mm×50mm、厚さ0.7mmのガラス基板上に、陽極としてITO(インジウム・スズ酸化物)を150nmの厚さで成膜し、パターニングを行った後、このITO透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼはモリブデン製又はタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
真空度1×10−4Paまで減圧した後、α−NPDの入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度1.0nm/秒でITO透明電極上に蒸着し、層厚70nmの正孔輸送層を形成した。
[Example 2]
(Method for producing organic EL element 2-A)
A transparent substrate with an ITO (Indium Tin Oxide) film having a thickness of 150 nm formed on a glass substrate of 50 mm × 50 mm and a thickness of 0.7 mm, patterned, and this ITO transparent electrode was attached After ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, drying with dry nitrogen gas and UV ozone cleaning for 5 minutes, this transparent substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus.
Each of the vapor deposition crucibles in the vacuum vapor deposition apparatus was filled with the constituent material of each layer in an amount optimal for device fabrication. The evaporation crucible used was made of a resistance heating material made of molybdenum or tungsten.
After reducing the vacuum to 1 × 10 −4 Pa, the deposition crucible containing α-NPD was energized and heated, and deposited on the ITO transparent electrode at a deposition rate of 1.0 nm / second. A hole transport layer was formed.
次いで、ホスト化合物UGH2、蛍光発光性化合物2−6が、それぞれ90%、10%の体積%になるように蒸着速度0.1nm/秒で共蒸着し、層厚35nmの発光層を形成した。次いで、α−NPDを蒸着速度1.0nm/秒で蒸着し、層厚70nmの正孔輸送層を形成した。
さらに、アルミニウム100nmを蒸着して陰極を形成した。
上記素子の非発光面側を、純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で、缶状ガラスケースで覆い、電極取り出し配線を設置して、有機EL素子2−Aを作製した。
Subsequently, the host compound UGH2 and the fluorescent compound 2-6 were co-deposited at a deposition rate of 0.1 nm / second so as to be 90% and 10% by volume, respectively, to form a light emitting layer having a layer thickness of 35 nm. Next, α-NPD was deposited at a deposition rate of 1.0 nm / second to form a hole transport layer having a layer thickness of 70 nm.
Furthermore, 100 nm of aluminum was vapor-deposited to form a cathode.
The non-light-emitting surface side of the above element was covered with a can-shaped glass case in an atmosphere of high purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more, and an electrode lead-out wiring was installed to prepare an organic EL element 2-A.
(有機EL素子2−Bから2−Iの作製方法)
有機EL素子2−Aで使用した化合物を表3に示す化合物に変えた以外は有機EL素子2−Aと同様にして有機EL素子2−Bから2−Hを作製した。有機EL素子2−Iは、蛍光発光性化合物を用いていない以外は素子2−Aと同様にして作製した。
(Method for producing organic EL elements 2-B to 2-I)
Organic EL elements 2-B to 2-H were prepared in the same manner as organic EL element 2-A, except that the compounds used in organic EL element 2-A were changed to the compounds shown in Table 3. Organic EL device 2-I was produced in the same manner as device 2-A, except that no fluorescent compound was used.
(有機EL素子2−Aから2−Iの評価)
有機EL素子2−Aから2−Iの発光層中の正孔輸送特性を、ケースレーインスツルメンツ社製の微小電流測定装置を用い、−10Vから15Vの電圧を印加することで、I−V特性を評価した。得られたI−V特性から、電流値の傾きが一定になった直線から引いた接線から立ち上がり電圧を求めた。比較例の有機EL素子2−Iの立ち上がり電圧を1とし、各素子の立ち上がり電圧を相対値で示した。この結果は、発光層中に電子移動度に対応し、値が小さい方がよい結果を示す。
(Evaluation of organic EL elements 2-A to 2-I)
The hole transport characteristics in the light emitting layers of the organic EL elements 2-A to 2-I can be obtained by applying a voltage of −10 V to 15 V using a minute current measuring device manufactured by Keithley Instruments Co., Ltd. evaluated. From the obtained IV characteristics, the rising voltage was obtained from a tangent drawn from a straight line with a constant slope of the current value. The rising voltage of the organic EL element 2-I of Comparative Example was set to 1, and the rising voltage of each element was shown as a relative value. This result corresponds to the electron mobility in the light emitting layer, and a smaller value indicates a better result.
(結果)
蛍光発光性化合物が添加されていないデバイスである有機EL素子2−Iに対し、本発明の化合物を用いた有機EL素子(2−A〜2−G)の立ち上がり電圧が低くなっていることがわかる。このことは、ホスト化合物のみの場合と比較して、蛍光発光性化合物をドーパントとして加えることで電荷の注入が促進される、すなわち、ドーパントに直接正孔が注入された効果と考えられる。一方、比較化合物B−2をドーパントとして用いた有機EL素子2−Hでは、ホストとのHOMO準位がほぼ同じであるため、ドーパントに直接正孔が入ることができず、かえって電圧が高くなっているものと考えられる。
(result)
The rising voltage of the organic EL element (2-A to 2-G) using the compound of the present invention is lower than the organic EL element 2-I which is a device to which no fluorescent compound is added. Recognize. This is considered to be the effect that charge injection is promoted by adding a fluorescent compound as a dopant, that is, holes are directly injected into the dopant, compared to the case of using only the host compound. On the other hand, in the organic EL element 2-H using the comparative compound B-2 as a dopant, since the HOMO level with the host is almost the same, holes cannot directly enter the dopant, and the voltage becomes high. It is thought that.
[実施例3]
(有機EL素子3−Aの作製)
50mm×50mm、厚さ0.7mmのガラス基板上に、陽極としてITO(インジウム・スズ酸化物)を150nmの厚さで成膜し、パターニングを行った後、このITO透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼはモリブデン製又はタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
[Example 3]
(Preparation of organic EL element 3-A)
A transparent substrate with an ITO (Indium Tin Oxide) film having a thickness of 150 nm formed on a glass substrate of 50 mm × 50 mm and a thickness of 0.7 mm, patterned, and this ITO transparent electrode was attached After ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, drying with dry nitrogen gas and UV ozone cleaning for 5 minutes, this transparent substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus.
Each of the vapor deposition crucibles in the vacuum vapor deposition apparatus was filled with the constituent material of each layer in an amount optimal for device fabrication. The evaporation crucible used was made of a resistance heating material made of molybdenum or tungsten.
真空度1×10−4Paまで減圧した後、α−NPDの入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒でITO透明電極上に蒸着し、層厚40nmの正孔注入輸送層を形成した。
次いで、ホスト化合物DPEPO、ドーパント化合物2−51が、それぞれ90%、10%の体積%になるように蒸着速度0.1nm/秒で共蒸着し、層厚35nmの発光層を形成した。
その後、BCP(電子輸送材料)を蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、層厚30nmの電子輸送層を形成した。
さらに、フッ化リチウムを膜厚0.5nmで形成した後に、アルミニウム100nmを蒸着して陰極を形成した。
上記素子の非発光面側を、純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で、缶状ガラスケースで覆い、電極取り出し配線を設置して、有機EL素子3−Aを作製した。
After reducing the vacuum to 1 × 10 −4 Pa, the deposition crucible containing α-NPD was energized and heated, and deposited on the ITO transparent electrode at a deposition rate of 0.1 nm / second. A hole injection transport layer was formed.
Next, the host compound DPEPO and the dopant compound 2-51 were co-deposited at a deposition rate of 0.1 nm / second so as to be 90% and 10% by volume, respectively, to form a light-emitting layer having a layer thickness of 35 nm.
Thereafter, BCP (electron transport material) was deposited at a deposition rate of 0.1 nm / second to form an electron transport layer having a layer thickness of 30 nm.
Furthermore, after forming lithium fluoride with a film thickness of 0.5 nm, 100 nm of aluminum was vapor-deposited to form a cathode.
The non-light-emitting surface side of the above element was covered with a can-shaped glass case in an atmosphere of high purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more, and an electrode lead-out wiring was installed to prepare an organic EL element 3-A.
(有機EL素子3−B〜3−Jの作製)
ドーパント化合物2−51を表4に示すように変えた以外は有機EL素子3−Aと同様の方法で有機EL素子3−Bから3−Jを作製した。
(Preparation of organic EL elements 3-B to 3-J)
Organic EL elements 3-B to 3-J were produced in the same manner as the organic EL element 3-A except that the dopant compound 2-51 was changed as shown in Table 4.
(評価)
有機EL素子3−Aから3−Jについて、下記の評価を行った。
(Evaluation)
The following evaluation was performed on the organic EL elements 3-A to 3-J.
(高輝度発光時のロールオフ特性)
上記作製した各有機EL素子を、室温(約25℃)で、ロールオフ特性を評価した。まず、各素子に電圧を印加し、0〜10000cd/Aまで発光させたときに得られた輝度−外部量子収率のグラフを作成した。発光輝度に関しては、分光放射輝度計CS−2000(コニカミノルタ社製)を用いて測定した。
ロールオフ特性Rは、各有機EL素子の外部量子収率の極大値が得られた発光輝度に対し、20%の外部量子収率の低下が観測された発光輝度を観察し、以下の式であらわす相対値とした。
ロールオフ特性R=(極大値から20%の外部量子収率の低下が観測された発光輝度の値)/(外部量子収率の極大値が得られた発光輝度の値)
値が大きいほどロールオフ特性が良好(ロールオフが少ない)ことを示す。
(Roll-off characteristics during high brightness light emission)
Each of the produced organic EL elements was evaluated for roll-off characteristics at room temperature (about 25 ° C.). First, a graph of luminance-external quantum yield obtained when voltage was applied to each element to emit light from 0 to 10000 cd / A was prepared. The emission luminance was measured using a spectral radiance meter CS-2000 (manufactured by Konica Minolta).
The roll-off characteristic R is observed with respect to the emission luminance at which the maximum value of the external quantum yield of each organic EL element was obtained, and the emission luminance at which a decrease in the external quantum yield of 20% was observed. The relative value is shown.
Roll-off characteristic R = (value of emission luminance at which a decrease in external quantum yield of 20% was observed from the maximum value) / (value of emission luminance at which the maximum value of external quantum yield was obtained)
A larger value indicates better roll-off characteristics (less roll-off).
(外部量子収率(発光輝度)の評価)
上記作製した各有機EL素子を、室温(約25℃)で、2.5mA/cm2の定電流条件下で発光させ、発光開始直後の発光輝度を、分光放射輝度計CS−2000(コニカミノルタ社製)を用いて測定した。
次いで、比較例の有機EL素子3−Jの発光輝度を1とした相対発光輝度を求め、これを発光効率(外部量子収率)の尺度とした。数値が大きいほど、発光効率に優れていることを表す。
(Evaluation of external quantum yield (emission brightness))
Each of the produced organic EL elements was allowed to emit light at room temperature (about 25 ° C.) under a constant current condition of 2.5 mA / cm 2 , and the emission luminance immediately after the start of emission was measured using a spectral radiance meter CS-2000 (Konica Minolta). The measurement was performed using
Subsequently, the relative light emission luminance which set the light emission luminance of the organic EL element 3-J of the comparative example to 1 was calculated | required, and this was made into the scale of luminous efficiency (external quantum yield). It represents that it is excellent in luminous efficiency, so that a numerical value is large.
(半減寿命(連続駆動安定性)の評価)
各サンプルを初期輝度3000cd/m2で連続駆動させながら、上記分光放射輝度計CS−2000を用いて輝度を測定し、測定した輝度が半減する時間(LT50)を求めた。
比較例の有機EL素子3−JのLT50を1とした相対値を求め、これを連続駆動安定性の尺度とした。その評価結果を表4に示す。表中、数値が大きいほど、連続駆動安定性に優れている(長寿命である)ことを表す。
(Evaluation of half-life (continuous drive stability))
While continuously driving each sample at an initial luminance of 3000 cd / m 2 , the luminance was measured using the spectral radiance meter CS-2000, and the time for which the measured luminance was reduced by half (LT50) was determined.
The relative value which set LT50 of the organic EL element 3-J of the comparative example to 1 was calculated | required, and this was made into the scale of continuous drive stability. The evaluation results are shown in Table 4. In the table, the larger the value, the better the continuous drive stability (long life).
(結果)
有機EL素子3−Aから3−Hにおいて、比較例の有機EL素子と比べてロールオフ特性及び外部量子収率に優れていることが分かる。
これは、インドロインドール化合物のエネルギー準位が比較的浅いため、正孔注入性が向上し、結果として有機EL素子の駆動の際に電荷の再結合できる範囲が広くなると考えられる。電荷の再結合のできる範囲が大きく広がることは高電流密度で駆動した場合に起こる発光位置のずれによる輝度低下(ロールオフ)を抑制し、寿命の向上に大きく寄与していると考えられる。
(result)
It can be seen that the organic EL elements 3-A to 3-H are superior in roll-off characteristics and external quantum yield as compared with the organic EL element of the comparative example.
This is thought to be because the energy level of the indoloindole compound is relatively shallow, so that the hole injection property is improved, and as a result, the range in which charges can be recombined when driving the organic EL element is widened. It can be considered that the widening of the range where charges can be recombined greatly contributes to the improvement of the lifetime by suppressing the decrease in luminance (roll-off) due to the deviation of the light emission position that occurs when driving at a high current density.
[実施例4]
(有機EL素子4−Aの作製)
50mm×50mm、厚さ0.7mmのガラス基板上に、陽極としてITO(インジウム・スズ酸化物)を150nmの厚さで成膜し、パターニングを行った後、このITO透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼはモリブデン製又はタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
[Example 4]
(Preparation of organic EL element 4-A)
A transparent substrate with an ITO (Indium Tin Oxide) film having a thickness of 150 nm formed on a glass substrate of 50 mm × 50 mm and a thickness of 0.7 mm, patterned, and this ITO transparent electrode was attached After ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, drying with dry nitrogen gas and UV ozone cleaning for 5 minutes, this transparent substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus.
Each of the vapor deposition crucibles in the vacuum vapor deposition apparatus was filled with the constituent material of each layer in an amount optimal for device fabrication. The evaporation crucible used was made of a resistance heating material made of molybdenum or tungsten.
真空度1×10−4Paまで減圧した後、α−NPDの入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒でITO透明電極上に蒸着し、層厚40nmの正孔注入輸送層を形成した。
次いで、ホスト化合物UGH2、ドーパント3−1が、それぞれ90%、10%の体積%になるように蒸着速度0.1nm/秒で共蒸着し、層厚35nmの発光層を形成した。
その後、BAlq(正孔阻止材料)を蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、層厚10nmの正孔阻止を形成した。更にその上にAlq3(電子輸送材料)を蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、層厚30nmの正孔阻止を形成した。
さらに、フッ化リチウムを膜厚0.5nmで形成した後に、アルミニウム100nmを蒸着して陰極を形成した。
上記素子の非発光面側を、純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で、缶状ガラスケースで覆い、電極取り出し配線を設置して、有機EL素子4−Aを作製した。
After reducing the vacuum to 1 × 10 −4 Pa, the deposition crucible containing α-NPD was energized and heated, and deposited on the ITO transparent electrode at a deposition rate of 0.1 nm / second. A hole injection transport layer was formed.
Next, the host compound UGH2 and the dopant 3-1 were co-deposited at a deposition rate of 0.1 nm / second so as to be 90% and 10% by volume, respectively, to form a light emitting layer having a layer thickness of 35 nm.
Thereafter, BAlq (hole blocking material) was deposited at a deposition rate of 0.1 nm / second to form a hole blocking with a layer thickness of 10 nm. Further, Alq 3 (electron transport material) was deposited thereon at a deposition rate of 0.1 nm / second to form a hole blocking with a layer thickness of 30 nm.
Furthermore, after forming lithium fluoride with a film thickness of 0.5 nm, 100 nm of aluminum was vapor-deposited to form a cathode.
The non-light-emitting surface side of the element was covered with a can-shaped glass case in an atmosphere of high purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more, and an electrode lead-out wiring was installed to prepare an organic EL element 4-A.
(有機EL素子4−B〜4−Rの作製)
ドーパント3−1、ホスト化合物UGH2を表5に示すように変えた以外は有機EL素子4−Aと同様の方法で有機EL素子4−Bから4−Rを作製した。
(Preparation of organic EL elements 4-B to 4-R)
Organic EL elements 4-B to 4-R were produced in the same manner as the organic EL element 4-A except that the dopant 3-1 and the host compound UGH2 were changed as shown in Table 5.
(評価)
有機EL素子4−Aから4−Rについて、下記の評価を行った。
(外部量子収率(発光輝度)の評価)
上記作製した各有機EL素子を、室温(約25℃)で、2.5mA/cm2の定電流条件下で発光させ、発光開始直後の発光輝度を、分光放射輝度計CS−2000(コニカミノルタ社製)を用いて測定した。
次いで、比較例の有機EL素子4−Pの発光輝度を1とした相対発光輝度を求め、これを発光効率(外部量子収率)の尺度とした。数値が大きいほど、発光効率に優れていることを表す。
(Evaluation)
The following evaluation was performed on the organic EL elements 4-A to 4-R.
(Evaluation of external quantum yield (emission brightness))
Each of the produced organic EL elements was allowed to emit light at room temperature (about 25 ° C.) under a constant current condition of 2.5 mA / cm 2 , and the emission luminance immediately after the start of emission was measured using a spectral radiance meter CS-2000 (Konica Minolta). The measurement was performed using
Subsequently, the relative light emission luminance which set the light emission luminance of the organic EL element 4-P of the comparative example to 1 was calculated | required, and this was made into the scale of luminous efficiency (external quantum yield). It represents that it is excellent in luminous efficiency, so that a numerical value is large.
(半減寿命(連続駆動安定性)の評価)
各サンプルを初期輝度3000cd/m2で連続駆動させながら、上記分光放射輝度計CS−2000を用いて輝度を測定し、測定した輝度が半減する時間(LT50)を求めた。
比較例の有機EL素子4−PのLT50を1とした相対値を求め、これを連続駆動安定性の尺度とした。その評価結果を表に示す。表中、数値が大きいほど、連続駆動安定性に優れている(長寿命である)ことを表す。
(Evaluation of half-life (continuous drive stability))
While continuously driving each sample at an initial luminance of 3000 cd / m 2 , the luminance was measured using the spectral radiance meter CS-2000, and the time for which the measured luminance was reduced by half (LT50) was determined.
The relative value which set LT50 of the organic EL element 4-P of the comparative example to 1 was calculated | required, and this was made into the scale of continuous drive stability. The evaluation results are shown in the table. In the table, the larger the value, the better the continuous drive stability (long life).
(駆動時の電圧上昇)
有機EL素子駆動時の各サンプルの電圧上昇は下記測定を行うことにより評価した。
(Voltage increase during driving)
The voltage increase of each sample when driving the organic EL element was evaluated by performing the following measurement.
(A)初期駆動電圧の測定
各サンプルに対し、室温(約25℃)で、分光放射輝度計CS−2000(コニカミノルタ社製)を用いて、各サンプルの発光輝度を測定し、発光輝度1000cd/m2における初期駆動電圧を求めた。
(A) Measurement of initial driving voltage For each sample, the emission luminance of each sample was measured at room temperature (about 25 ° C.) using a spectral radiance meter CS-2000 (manufactured by Konica Minolta), and the emission luminance was 1000 cd. The initial drive voltage at / m 2 was determined.
(B)半減寿命後の電圧の測定
上記半減寿命評価が終了したサンプルに対し、室温(約25℃)で、分光放射輝度計CS−2000(コニカミノルタ社製)を用いて、各サンプルの発光輝度を測定し、発光輝度1000cd/m2における駆動電圧を求めた。
(B) Measurement of voltage after half-life With respect to the sample for which the above half-life evaluation has been completed, emission of each sample is performed at room temperature (about 25 ° C.) using a spectral radiance meter CS-2000 (manufactured by Konica Minolta). The luminance was measured, and the driving voltage at an emission luminance of 1000 cd / m 2 was obtained.
(駆動時の電圧上昇)
駆動電圧の評価は下記式により算出した。
電圧上昇=(B)半減寿命後の発光輝度1000cd/m2における駆動電圧の測定/(A)発光輝度1000cd/m2における初期駆動電圧
なお、表5では、電圧上昇の値は小さいほど良好なことを示している。
(Voltage increase during driving)
The drive voltage was evaluated by the following formula.
Voltage rise = (B) Measurement of drive voltage at emission luminance 1000 cd / m 2 after half-life / (A) Initial drive voltage at emission luminance 1000 cd / m 2 In Table 5, the smaller the value of voltage rise, the better It is shown that.
(結果)
有機EL素子4−Aから4−Lにおいて、比較例の有機EL素子と比べて外部量子収率及び半減寿命に優れていることが分かる。
これは、前述のとおりインドロインドール化合物のエネルギー準位が比較的浅いため、正孔注入性が向上し、結果として有機EL素子の駆動の際に電荷の再結合できる範囲が広くなったためであると考えられる。これに伴い、各素子における駆動前後の電圧上昇も抑えられている。さらに、これらの効果は、本発明の好ましいホスト群を用いることによって増強される。これは、正確な理由は明らかでないが、ホストとドーパント(インドロインドール化合物)間での好ましい相互作用によるものと推測される。
(result)
It can be seen that the organic EL elements 4-A to 4-L are superior in external quantum yield and half-life compared to the organic EL element of the comparative example.
This is because, as described above, the energy level of the indoloindole compound is relatively shallow, so that the hole injection property is improved, and as a result, the range in which charges can be recombined when the organic EL element is driven is widened. it is conceivable that. Along with this, voltage increase before and after driving in each element is also suppressed. Furthermore, these effects are enhanced by using the preferred host group of the present invention. Although the exact reason is not clear, this is presumed to be due to a favorable interaction between the host and the dopant (indoloindole compound).
[実施例5]
(有機EL素子5−Aの作製)
50mm×50mm、厚さ0.7mmのガラス基板上に、陽極としてITO(インジウム・スズ酸化物)を150nmの厚さで成膜し、パターニングを行った後、このITO透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSSと略記、Bayer製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により成膜した後、200℃にて1時間乾燥し、層厚30nmの正孔注入層を設けた。
[Example 5]
(Preparation of organic EL element 5-A)
A transparent substrate with an ITO (Indium Tin Oxide) film having a thickness of 150 nm formed on a glass substrate of 50 mm × 50 mm and a thickness of 0.7 mm, patterned, and this ITO transparent electrode was attached Was subjected to ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and UV ozone cleaning was performed for 5 minutes. On this substrate, a solution of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (abbreviated as PEDOT / PSS, manufactured by Bayer, Baytron P Al 4083) diluted to 70% with pure water at 3000 rpm for 30 seconds. After film formation by spin coating, the film was dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a hole injection layer having a layer thickness of 30 nm.
この基板を、窒素ガス(グレードG1)を用いた窒素雰囲気下に移し、正孔輸送材料である例示化合物A−1(Mw=80000)をクロロベンゼンに0.5%溶解した溶液を、1500rpm、30秒でスピンコート法により成膜した後、160℃で30分間保持し、層厚30nmの正孔輸送層とした。
この正孔輸送層の上にスピンコーターを用いて下記組成の発光材料を500rpm、30秒の条件で塗布したのち、120℃で30分焼成し乾燥を行い、発光層を作製した。
蛍光発光性化合物2−70 6質量部
H−209 94質量部
TFPO(2,2,3,3−テトラフルオロ−1−プロパノール) 20000質量部
This substrate was transferred to a nitrogen atmosphere using nitrogen gas (grade G1), and a solution obtained by dissolving 0.5% of exemplary compound A-1 (Mw = 80000) as a hole transport material in chlorobenzene was obtained at 1500 rpm, 30%. After forming a film by spin coating in seconds, the film was held at 160 ° C. for 30 minutes to form a hole transport layer having a layer thickness of 30 nm.
A light emitting material having the following composition was coated on the hole transport layer using a spin coater under conditions of 500 rpm and 30 seconds, and then baked at 120 ° C. for 30 minutes and dried to produce a light emitting layer.
Fluorescent compound 2-70 6 parts by mass H-209 94 parts by mass TFPO (2,2,3,3-tetrafluoro-1-propanol) 20000 parts by mass
続いて、基板を大気に曝露することなく真空蒸着装置へ取り付けた。また、モリブデン製抵抗加熱ボートに例示化合物A−2を入れたものを真空蒸着装置に取り付け、真空槽を4×10−5Paまで減圧した後、前記ボートに通電して加熱して例示化合物A−2を1nm/秒で前記発光層上に層厚30nmの電子輸送層を形成した。 Subsequently, the substrate was attached to a vacuum deposition apparatus without being exposed to the atmosphere. Moreover, what put exemplary compound A-2 in the resistance heating boat made from molybdenum was attached to a vacuum evaporation system, and after reducing the vacuum tank to 4 × 10 −5 Pa, the boat was energized and heated to heat exemplary compound A. An electron transport layer having a layer thickness of 30 nm was formed on the light emitting layer at a rate of 1 nm / second.
上記素子の非発光面側を、純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で、缶状ガラスケースで覆い、電極取り出し配線を設置して、有機EL素子5−Aを作製した。
The non-light-emitting surface side of the above element was covered with a can-shaped glass case in an atmosphere of high purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more, and an electrode lead-out wiring was installed to prepare an organic EL element 5-A.
(有機EL素子5−Aの評価)
上記作製した各有機EL素子を、室温(約25℃)で、2.5mA/cm2の定電流条件になるよう電圧を印加したところ、ドーパントである蛍光発光性化合物2−70由来の強い発光が得られた。
(Evaluation of organic EL element 5-A)
When a voltage was applied to each of the produced organic EL elements at room temperature (about 25 ° C.) so as to satisfy a constant current condition of 2.5 mA / cm 2 , strong luminescence derived from the fluorescent compound 2-70 as a dopant was emitted. was gotten.
[実施例6]
(有機EL素子6−Aの作製)
50mm×50mm、厚さ0.7mmのガラス基板上に、陽極としてITO(インジウム・スズ酸化物)を150nmの厚さで成膜し、パターニングを行った後、このITO透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼはモリブデン製又はタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
[Example 6]
(Preparation of organic EL element 6-A)
A transparent substrate with an ITO (Indium Tin Oxide) film having a thickness of 150 nm formed on a glass substrate of 50 mm × 50 mm and a thickness of 0.7 mm, patterned, and this ITO transparent electrode was attached After ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, drying with dry nitrogen gas and UV ozone cleaning for 5 minutes, this transparent substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus.
Each of the vapor deposition crucibles in the vacuum vapor deposition apparatus was filled with the constituent material of each layer in an amount optimal for device fabrication. The evaporation crucible used was made of a resistance heating material made of molybdenum or tungsten.
真空度1×10−4Paまで減圧した後、α−NPDの入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒でITO透明電極上に蒸着し、層厚40nmの正孔注入輸送層を形成した。
次いで、ホスト化合物H−156、ドーパントとして、蛍光発光性化合物1−25、2−3、Ir(piq)3が、それぞれ90%、9%、9.9%、0.1%の体積%になるように蒸着速度0.1nm/秒で共蒸着し、層厚35nmの発光層を形成した。
その後、BAlq(正孔阻止材料)を蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、層厚10nmの正孔阻止を形成した。更にその上にAlq3(電子輸送材料)を蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、層厚30nmの正孔阻止を形成した。
さらに、フッ化リチウムを膜厚0.5nmで形成した後に、アルミニウム100nmを蒸着して陰極を形成した。
上記素子の非発光面側を、純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で、缶状ガラスケースで覆い、電極取り出し配線を設置して、有機EL素子6−Aを作製した。
After reducing the vacuum to 1 × 10 −4 Pa, the deposition crucible containing α-NPD was energized and heated, and deposited on the ITO transparent electrode at a deposition rate of 0.1 nm / second. A hole injection transport layer was formed.
Next, the host compound H-156 and the fluorescent compounds 1-25, 2-3 and Ir (piq) 3 as the dopant are 90%, 9%, 9.9% and 0.1% by volume, respectively. Thus, co-evaporation was performed at a deposition rate of 0.1 nm / second to form a light-emitting layer having a layer thickness of 35 nm.
Thereafter, BAlq (hole blocking material) was deposited at a deposition rate of 0.1 nm / second to form a hole blocking with a layer thickness of 10 nm. Further, Alq 3 (electron transport material) was deposited thereon at a deposition rate of 0.1 nm / second to form a hole blocking with a layer thickness of 30 nm.
Furthermore, after forming lithium fluoride with a film thickness of 0.5 nm, 100 nm of aluminum was vapor-deposited to form a cathode.
The non-light-emitting surface side of the above element was covered with a can-shaped glass case in an atmosphere of high purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more, and an electrode lead-out wiring was installed to prepare an organic EL element 6-A.
(有機EL素子6−Aの評価)
上記作製した各有機EL素子を、室温(約25℃)で、2.5mA/cm2の定電流条件になるよう電圧を印加したところ、白色の強い発光が得られた。
Ir(piq)3の代わりに下記例示化合物A−3を用いた場合にも同様の白色光が得られることが分かった。
(Evaluation of organic EL element 6-A)
When a voltage was applied to each of the produced organic EL elements at room temperature (about 25 ° C.) so as to satisfy a constant current condition of 2.5 mA / cm 2 , strong white light emission was obtained.
It turned out that the same white light is obtained also when the following exemplary compound A-3 is used instead of Ir (piq) 3 .
1 ディスプレイ
3 画素
5 走査線
6 データ線
7 電源ライン
10 有機EL素子
11 スイッチングトランジスタ
12 駆動トランジスタ
13 コンデンサー
101 照明装置内の有機EL素子
102 ガラスカバー
105 陰極
106 有機層
107 透明電極付きガラス基板
108 窒素ガス
109 捕水剤
A 表示部
B 制御部
C 配線部
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記蛍光発光性化合物が、下記一般式(3)で表される構造を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
The organic electroluminescent device, wherein the fluorescent compound has a structure represented by the following general formula (3).
前記有機層のうち少なくとも1層が、前記蛍光発光性化合物に加えて、下記一般式(I)で表される構造を有するホスト化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
Wherein at least one layer of the organic layer, in addition to said fluorescent compound, organic electroluminescent device characterized by containing a host compound having a structure represented by the following general formula (I).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013253151A JP6264001B2 (en) | 2013-12-06 | 2013-12-06 | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, LIGHT-EMITTING THIN FILM, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013253151A JP6264001B2 (en) | 2013-12-06 | 2013-12-06 | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, LIGHT-EMITTING THIN FILM, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015111624A JP2015111624A (en) | 2015-06-18 |
JP6264001B2 true JP6264001B2 (en) | 2018-01-24 |
Family
ID=53526268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013253151A Active JP6264001B2 (en) | 2013-12-06 | 2013-12-06 | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, LIGHT-EMITTING THIN FILM, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6264001B2 (en) |
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CN105777809B (en) * | 2016-04-15 | 2017-07-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | Electroluminescent organic material and organic electroluminescence device |
JP6803727B2 (en) * | 2016-09-23 | 2020-12-23 | 日本放送協会 | Organic electroluminescence element |
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KR20200018752A (en) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic electroluminescence device and condensed cyclic compound for organic electroluminescence device |
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KR20240136149A (en) | 2023-03-06 | 2024-09-13 | 주식회사 엘지화학 | Compound and organic light emitting device comprising same |
KR20240136147A (en) | 2023-03-06 | 2024-09-13 | 주식회사 엘지화학 | Compound and organic light emitting device comprising same |
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---|---|
JP2015111624A (en) | 2015-06-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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