JP6193035B2

JP6193035B2 - 分波器

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Publication number: JP6193035B2
Application number: JP2013151111A
Authority: JP
Inventors: 堤　潤; 潤堤; 井上　将吾; 将吾井上; 中村　健太郎; 中村　　健太郎
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2013-07-19
Filing date: 2013-07-19
Publication date: 2017-09-06
Anticipated expiration: 2033-07-19
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Description

本発明は分波器に関する。

携帯電話などの通信機器は複数のバンドへの対応が要求されている。この要求を満たすため、通信機器に異なるバンドに対応した複数の分波器を搭載する。分波器には大電力の高周波信号が入力されるため、分波器には高い耐電力性能が要求される。大電力による圧電基板及びＩＤＴ（Interdigital Transducer）の破壊を抑制する技術が開発されている（特許文献１及び２）。また信号の電力により分波器の温度が上昇する。耐電力性能を高めるには、放熱性を高めることが有効である。非特許文献１にはサファイア基板を用いて放熱性を高める技術が記載されている。

特開２０１１−１３５２４５号公報特開２００１−１５６５８８号公報

アイ・イー・イー・イーウルトラソニックスシンポジウム（IEEE Ultrasonics Symposium）ｐｐ９４５−９４８，２００４

通信機器の小型化のため、分波器も小型化することが重要である。分波器が小型化されると熱容量が低下するため、温度が上昇しやすい。すなわち耐電力性能が低下する。特に分波器に含まれる送信フィルタには大電力の送信信号が入力されるため、温度が上昇しやすい。温度上昇により分波器の周波数特性が劣化する。本発明は上記課題に鑑み、高い耐電力性能を有する分波器を提供することを目的とする。

本発明は、基板と、ストイキオメトリ組成のタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムにより形成された圧電基板、及び前記圧電基板の表面に設けられたＩＤＴを有し、前記基板にフリップチップ実装された送信フィルタと、コングルエント組成のタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムにより形成された圧電基板、及び前記圧電基板の表面に設けられたＩＤＴを有し、前記基板にフリップチップ実装された受信フィルタと、前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの前記基板と対向する面とは反対側の面に接触して設けられた、金属により形成されたリッドと、を具備することを特徴とする分波器である。

上記構成において、前記受信フィルタと前記送信フィルタとは互いに離間して、前記基板に実装されている構成とすることができる。

上記構成において、前記送信フィルタのＩＤＴの材料は、前記受信フィルタのＩＤＴの材料と異なる構成とすることができる。

上記構成において、前記送信フィルタのＩＤＴは多層膜により形成され、前記受信フィルタのＩＤＴは単層膜により形成されている構成とすることができる。

上記構成において、前記送信フィルタは、複数の共振器を含み送信端子とアンテナ端子との間に接続されたラダー型フィルタであり、送信端子とアンテナ端子とに接続され、前記複数の共振器のうち、入力端子に最も近い直列共振器及び並列共振器の少なくとも一方は２つに分割されている構成とすることができる。

上記構成において、前記送信フィルタは、複数の共振器を含み送信端子とアンテナ端子との間に接続されたラダー型フィルタであり、送信端子とアンテナ端子とに接続され、前記複数の共振器のうち、出力端子に最も近い直列共振器及び並列共振器の少なくとも一方は２つに分割されている構成とすることができる。

本発明によれば、高い耐電力性能を有する分波器を提供することができる。

図１はモジュールを例示するブロック図である。図２（ａ）は分波器を例示する平面図である。図２（ｂ）は図２（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図３（ａ）は送信フィルタを例示する平面図である。図３（ｂ）は図３（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。図３（ｃ）は受信フィルタを例示する断面図である。図４は温度の測定に用いた構成を例示する模式図である。図５（ａ）は実施例２における送信フィルタを例示する断面図である。図５（ｂ）は実施例２の変形例における送信フィルタを例示する断面図である。図６は実施例３における分波器を例示するブロック図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）はＦＢＡＲを例示する断面図である。

図面を用いて実施例について説明する。

初めに分波器を含むモジュールについて説明する。図１はモジュール１００を例示するブロック図である。図１に示すように、モジュール１００は、アンテナ１０及び２０、スイッチ１２及び２２、４つのフィルタ１６、４つの分波器２６、４つのパワーアンプ（Power Amplifier：ＰＡ）３０及びＩＣ（Integrated Circuit：集積回路）３２を備える。分波器２６は受信フィルタ２６ａ及び送信フィルタ２６ｂを含む。ＩＣ３２はローノイズアンプ（Low Noise Amplifier：ＬＮＡ）３２ａ及び３２ｂを含む。

フィルタ１６は受信フィルタであり、一端は入力端子１４を介してスイッチ１２と接続され、他端は出力端子１８を介してＬＮＡ３２ａと接続されている。受信フィルタ２６ａ及び送信フィルタ２６ｂそれぞれの一端はアンテナ端子２４に共通して接続され、アンテナ端子２４を介してスイッチ２２と接続されている。受信フィルタ２６ａの他端は受信端子２８ａを介してＬＮＡ３２ｂと接続されている。送信フィルタ２６ｂの他端は送信端子２８ｂを介してＰＡ３０と接続されている。

アンテナ１０及び２０はＲＦ（Radio Frequency）信号を受信及び送信する。スイッチ１２は、４つのフィルタ１６から１つを選択し、アンテナ１０と接続する。フィルタ１６は、アンテナ１０が受信した受信信号をフィルタリングし、ＬＮＡ３２ａは受信信号を増幅する。ＩＣ３２は受信信号をダウンコンバートしベースバンド信号とする。スイッチ２２は、４つの分波器２６から１つを選択し、アンテナ２０と接続する。受信フィルタ２６ａはアンテナ２０が受信した受信信号をフィルタリングする。ＬＮＡ３２ｂは受信信号を増幅する。ＩＣ３２はベースバンド信号をアップコンバートし送信信号を生成する。ＰＡ３０は送信信号を増幅し、送信フィルタ２６ｂは送信信号をフィルタリングする。アンテナ２０は送信信号を送信する。

４つの分波器２６は異なる周波数帯域に対応する。分波器２６の対応する周波数帯域は例えばＷ−ＣＤＭＡ（Wideband Code Division Multiple Access）Ｂａｎｄ１、Ｂａｎｄ２、Ｂａｎｄ５及びＢａｎｄ８などである。受信フィルタ２６ａの通過帯域は、送信フィルタ２６ｂの通過帯域と異なる周波数に位置する。分波器２６に実施例１が適用される。

図２（ａ）は分波器２６を例示する平面図である。リッド５２は透視している。図２（ｂ）は図２（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、分波器２６は、受信フィルタ２６ａ、送信フィルタ２６ｂ、基板４０、封止部５０及びリッド５２を備える。図２（ｂ）に示すように、基板４０は、絶縁層４１及び４２、並びに導体層４３〜４５を交互に積層した多層基板である。導体層の間は、絶縁層を貫通するビア配線４６により電気的に接続されている。

受信フィルタ２６ａ及び送信フィルタ２６ｂは基板４０にフリップチップ実装されている。受信フィルタ２６ａと送信フィルタ２６ｂとの間には空隙５４が形成されている。受信フィルタ２６ａ及び送信フィルタ２６ｂは封止部５０及びリッド５２により封止されている。封止部５０は受信フィルタ２６ａ及び送信フィルタ２６ｂを囲む。リッド５２は受信フィルタ２６ａ及び送信フィルタ２６ｂの上面に接触する。受信フィルタ２６ａは圧電基板６０及び機能部６１を備える。送信フィルタ２６ｂは圧電基板６２及び機能部６３を備える。機能部６１及び６３は後述するようにＩＤＴであり、弾性波を励振する。機能部６１及び６３と基板４０との間には空隙が形成されている。受信フィルタ２６ａ及び送信フィルタ２６ｂはバンプ４７により導体層４３に電気的に接続されている。

絶縁層４１及び４２は例えばガラスエポキシ樹脂またはセラミックなどの絶縁体により形成されている。導体層４３〜４５及びビア配線４６は例えば銅（Ｃｕ）などの金属により形成されている。導体層４３及び４５の表面は例えば金（Ａｕ）など半田に対する濡れ性の高い金属で覆われている。バンプ４７は例えば錫銀（Ｓｎ−Ａｇ）を主成分とする半田により形成されている。封止部５０は例えば半田などの金属またはエポキシ樹脂などの絶縁体により形成されている。リッド５２は例えばコバールなどの金属により形成されている。

送信フィルタ２６ｂについて詳しく説明する。図３（ａ）は送信フィルタ２６ｂを例示する平面図である。図３（ｂ）は図３（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）は模式的な図であり、電極指の本数は簡略化している。

図３（ａ）に示すように、送信フィルタ２６ｂは、圧電基板６２、直列共振器Ｓ１〜Ｓ３、並列共振器Ｐ１及びＰ２を備えるラダー型フィルタである。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、各共振器は、圧電基板６２の表面に設けられたＩＤＴ６３ａ及び反射器６３ｂを有する弾性表面波（Surface Acoustic Wave：ＳＡＷ）共振器である。直列共振器Ｓ１〜Ｓ３は、送信端子２８ｂとアンテナ端子２４との間に直列接続されている。入力段の直列共振器Ｓ１は２つの共振器Ｓ１ａ及びＳ２ａに分割されている。出力段の直列共振器Ｓ３は２つの共振器Ｓ３ａ及びＳ３ｂに分割されている。入力段の直列共振器とは、複数の直列共振器のうち送信端子２８ｂに最も近い直列共振器である。出力段の直列共振器とはアンテナ端子２４に最も近い直列共振器である。並列共振器Ｐ１の一端は直列共振器Ｓ１ｂ及びＳ２の間に接続され、他端は接地されている。並列共振器Ｐ２の一端は直列共振器Ｓ２及びＳ３ａの間に接続され、他端は接地されている。図１に示したように送信端子２８ｂはＰＡ３０に接続され、アンテナ端子２４は図１のアンテナ２０に接続される。送信フィルタ２６ｂは、送信端子２８ｂから入力される送信信号をフィルタリングし、アンテナ端子２４に出力する。

直列共振器Ｓ１及びＳ３がそれぞれ２つに分割されているため、電力は共振器Ｓ１ａ及びＳ１ｂに分散され、かつ共振器Ｓ３ａ及びＳ３ｂに分散される。電力の分散によりＩＤＴ６３ａの破壊を抑制することができるため、送信フィルタ２６ｂの耐電力性能を高めることができる。共振器の分割数は３つ以上でもよいが、分割数が多くなると送信フィルタ２６ｂが大型化する。小型化と高い耐電力性能とを両立するために、分割数は２つであることが好ましい。入力段及び出力段の並列共振器を分割してもよい。入力段及び出力段の一方の共振器を分割し、他方の共振器を分割しなくてもよい。入力段及び出力段の共振器を１つとすることで、送信フィルタ２６ｂのさらなる小型化が可能である。

圧電基板６２は例えば４２°ＹカットＸ伝播（４２°カットと記載することがある）のタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）または１２８°ＹカットＸ伝播（１２８°カットと記載することがある）ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）などの圧電体により形成されており、ストイキオメトリな組成を有する。ＩＤＴ６３ａ及び反射器６３ｂは、例えば圧電基板６２に近い方から厚さ４０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜６３ｃ及び厚さ１３０ｎｍのアルミニウム・銅（Ａｌ−Ｃｕ）合金膜６３ｄを積層して形成されている。電極指の幅Ｗ及び周期Ｔは表３において後述する。

受信フィルタ２６ａについて説明する。受信フィルタ２６ａは送信フィルタ２６ｂと同じラダー型フィルタとすることができる。受信フィルタ２６ａの圧電基板６０はコングルエント組成である。図３（ｃ）は受信フィルタ２６ａを例示する断面図である。図３（ｃ）に示すように、受信フィルタ２６ａのＩＤＴ６１ａ及び反射器６１ｂは厚さ１８０ｎｍのＡｌ−Ｃｕ合金により形成されている。

表１はストイキオメトリ組成及びコングルエント組成のＬｉＴａＯ_３におけるＬｉ組成比及びキュリー温度を示す表である。Ｌｉ組成比とはタンタル（Ｔａ）とリチウム（Ｌｉ）との合計に対するＬｉの比率である。キュリー温度とは、圧電体（ＬｉＴａＯ_３またはＬｉＮｂＯ_３）が強誘電体としての性質を消失する温度である。

表２はストイキオメトリ組成及びコングルエント組成のＬｉＮｂＯ_３におけるＬｉ組成比及びキュリー温度を示す表である。Ｌｉ組成比とはニオブ（Ｎｂ）とＬｉとの合計に対するＬｉの比率である。

表１及び表２に示すように、コングルエント組成と比較してストイキオメトリ組成ではＬｉ組成比が高い。コングルエント組成ではＬｉサイトに空隙が多く、ストイキオメトリ組成と比較して格子欠陥が多い。組成によりキュリー温度に違いがある。圧電体のキュリー温度を測定することにより、組成がストイキオメトリ組成またはコングルエント組成であるか調べることができる。キュリー温度の測定は、例えば示差熱分析（Differential Thermal Analysis）、及び示差走査熱量測定（Differential Scanning Calorimetry）などにより行われる。ストイキオメトリ組成のＬｉＴａＯ_３及びＬｉＮｂＯ_３は、例えば２重るつぼを用いた回転引き上げ法（チョクラルスキー法）により製造することができる。またコングルエント組成のＬｉＴａＯ_３及びＬｉＮｂＯ_３にＶＴＥ（Vapor Transport Equilibration）法を実施することにより、ストイキオメトリ組成のＬｉＴａＯ_３及びＬｉＮｂＯ_３を製造することもできる。

実施例１によれば、コングルエント組成の圧電体に比べ放熱性が高いストイキオメトリ組成の圧電体を送信フィルタ２６ｂの圧電基板６２に用いる。従って、送信フィルタ２６ｂの放熱性が高くなり、温度上昇が抑制される。ストイキオメトリ組成のＬｉＴａＯ_３の熱伝導率はコングルエント組成のＬｉＴａＯ_３の熱伝導率の約１．９倍である。ストイキオメトリ組成のＬｉＮｂＯ_３の熱伝導率はコングルエント組成のＬｉＮｂＯ_３の熱伝導率の約１．５倍である。受信フィルタ２６ａは送信フィルタ２６ｂと離間しているため、送信フィルタ２６ｂにおいて発生する熱は受信フィルタ２６ａに伝わり難い。従って受信フィルタ２６ａの温度上昇も抑制される。このように、分波器２６の放熱性が高くなることで、分波器２６の耐電力性能が高くなる。熱伝導を抑制するため、図２（ｂ）に示した空隙５４の幅（送信フィルタ２６ｂと受信フィルタ２６ａとの距離）は、例えば５０μｍ以上が好ましい。

受信フィルタ２６ａの圧電基板６０はコングルエント組成またはストイキオメトリ組成とすることができる。圧電基板６０をコングルエント組成とすることが好ましい。コングルエント組成の圧電基板６０はストイキオメトリ組成の圧電基板６０より低コストであり、かつ熱伝導性が低いためである。圧電基板６０の熱伝導性が低くなることで、送信フィルタ２６ｂの熱が受信フィルタ２６ａに伝わり難くなり、温度上昇が抑制される。例えば送信フィルタ２６ｂと受信フィルタ２６ａとが接触していても、コングルエント組成の受信フィルタ２６ａの温度は上昇し難い。金属の封止部５０及びリッド５２により受信フィルタ２６ａ及び送信フィルタ２６ｂを気密封止することができる。金属の熱伝導率は樹脂などより高い。圧電基板６０をコングルエント組成とすることにより、受信フィルタ２６ａの温度上昇を抑制することができる。圧電基板６０及び６２のカット角は例えば１２８°などでもよい。

通過帯域の周波数が高いほど、電極指の幅Ｗ及び周期Ｔが小さくなる（図３（ａ）参照）。幅Ｗ及び周期Ｔが小さくなることにより、耐電力性能は低下する。また、送信帯域の端の周波数では送信帯域の中央の周波数より耐電力性能が低下する。送信帯域と受信帯域との間隔が狭い周波数帯域では、送信帯域の端の周波数を使用することがあるため、耐電力性能が低下する。通過帯域の周波数が高くかつ送信帯域と受信帯域との間隔が狭い周波数帯域とは、例えばＷ−ＣＤＭＡＢａｎｄ２、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ２５及びＢａｎｄ７などである。表３は、Ｗ−ＣＤＭＡＢａｎｄ２、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ２５及びＢａｎｄ７の送信帯域の周波数（Ｔｘ）、受信帯域の周波数（Ｒｘ）、送信帯域の中心周波数ｆ_Ｔｘ、ＩＤＴ６３ａにおける電極指の周期Ｔの例、電極指の幅Ｗの例を示す表である。表３において周波数帯域はＷ−ＣＤＭＡを省略しＢａｎｄのみ記載した。

表３に示すように、送信帯域の高周波側の端から受信帯域の低周波側の端までの間隔が数十ＭＨｚ程度である。周期Ｔは２μｍ前後、幅Ｗは１μｍ未満である。実施例１を、表３に示したような周波数帯域の分波器に適用することで、耐電力性能を有効に高めることができる。実施例１を表３に示した以外の周波数帯域に適用してもよく、通過帯域が１．７ＧＨｚ以上の周波数帯域に適用することが好ましい。

送信フィルタ２６ｂの耐電力性能を高めるため、送信フィルタ２６ｂのＩＤＴ６３ａ及び反射器６３ｂは高い耐電力性能を有することが好ましい。ＩＤＴ６３ａ及び反射器６３ｂは、Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉの二層膜からなるため、送信フィルタ２６ｂの耐電力性能が高くなる。受信フィルタ２６ａにおける信号の損失を小さくするため、受信フィルタ２６ａのＩＤＴ６１ａ及び反射器６１ｂは低い抵抗を有することが好ましい。ＩＤＴ６１ａ及び反射器６１ｂは、Ａｌ−Ｃｕの単層膜からなる。Ａｌ−Ｃｕの比抵抗は４μΩ・ｃｍであり、Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉの比抵抗５μΩ・ｃｍより低い。従って受信フィルタ２６ａは低抵抗になり、信号の損失が小さくなる。ＩＤＴ６３ａ及び反射器６３ｂには、Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ以外の多層膜を用いてもよい。上記の材料以外でも、ＩＤＴの材料が送信フィルタ２６ｂと受信フィルタ２６ａとで異ならせ、耐電力性能の高い材料を送信フィルタ２６ｂに、低抵抗の材料を受信フィルタ２６ａに用いればよい。

受信フィルタ及び送信フィルタの両方にコングルエント組成の圧電基板を用いると、耐電力性能の向上が困難である。非特許文献１に記載のように、コングルエント組成の４２°カットＬｉＴａＯ_３により形成された１つの圧電基板に受信フィルタ及び送信フィルタを形成し、温度を測定した。さらに上記１つの圧電基板の１つの面にサファイア基板を接合した場合においても温度を測定した。

図４は温度の測定に用いた構成を例示する模式図である。分波器２６はセラミックのパッケージ６４に搭載されている。図４にブロック矢印で示す信号は、パッケージ６４の送信端子６４ａに入力され、送信フィルタ２６ｄによりフィルタリングされた後、アンテナ端子６４ｂから出力される。

表４は温度の測定結果を示す表である。

表４に示すように、サファイア基板を接合しない場合、送信フィルタ２６ｄの温度は約１００℃であり、受信フィルタ２６ｃの温度は約８０℃である。このように、大電力の信号により送信フィルタ２６ｄの温度が上昇する。サファイア基板を接合した場合、送信フィルタ２６ｂ及び受信フィルタ２６ａの温度は約８５℃である。サファイアの熱伝導率は圧電体の熱伝導率より高いため、送信フィルタ２６ｂにおいて発生する熱はサファイア基板を通じて放出される。この結果、送信フィルタ２６ｂの温度は低下する。しかし、送信フィルタ２６ｄから放出された熱がサファイア基板を通じて受信フィルタ２６ｃに到達することで、受信フィルタ２６ｃの温度が上昇してしまう。このようにコングルエント組成の圧電基板を用いると分波器２６の耐電力性能が低下する。

実施例２は、絶縁膜６６により周波数特性の温度変化を抑制する例である。図５（ａ）は実施例２における送信フィルタ２６ｂを例示する断面図である。図５（ａ）に示すようにＩＤＴ６３ａ及び反射器６３ｂの上面及び側面を覆う絶縁膜６６が設けられている。絶縁膜６６の主成分は例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）である。ＩＤＴ６３ａ及び反射器６３ｂは圧電基板６２に近い方からＴｉ膜６３ｅ、Ｃｕ膜６３ｆ及びＴｉ膜６３ｇを積層した多層膜からなる。送信フィルタ２６ｂの圧電基板６２は、例えばストイキオメトリ組成の１２８°ＹカットＸ伝播ＬｉＮｂＯ_３により形成されている。

実施例２によれば、実施例１と同様に放熱性が高くなるため、分波器２６の温度上昇が抑制される。絶縁膜６６を設けたことにより、送信フィルタ２６ｂの周波数特性の温度変化が抑制される。従って、分波器２６の周波数特性が改善する。特に、通過帯域の周波数が高くかつ送信帯域と受信帯域との間隔が狭い周波数帯域（Ｗ−ＣＤＭＡＢａｎｄ２、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ２５及びＢａｎｄ７など）の周波数特性を改善することができる。なお受信フィルタ２６ａにも絶縁膜６６を設けてもよい。

図５（ｂ）は実施例２の変形例における送信フィルタ２６ｂを例示する断面図である。絶縁膜６６のＩＤＴ６３ａ及び反射器６３ｂに対応する位置に凸部６６ａが形成されている。ＩＤＴ６３ａ及び反射器６３ｂを図３（ｂ）と同じく二層構造にしてもよい。圧電基板６２をストイキオメトリ組成の４２°カットＬｉＴａＯ_３としてもよい。

実施例３は受信フィルタ２６ａを圧電薄膜共振器（Film Bulk Acoustic Resonator：ＦＢＡＲ）により形成する例である。図６は実施例３における分波器２６を例示するブロック図である。図６に示すように、受信フィルタ２６ａは直列共振器Ｓ４〜Ｓ６、並列共振器Ｐ３及びＰ４を備えるラダー型フィルタである。直列共振器Ｓ４〜Ｓ６、並列共振器Ｐ３及びＰ４はＦＢＡＲである。受信端子２８ａとアンテナ端子２４との間に直列共振器Ｓ４〜Ｓ６が直列接続されている。直列共振器Ｓ４及びＳ５間に並列共振器Ｐ３が接続され、直列共振器Ｓ５及びＳ６間に並列共振器Ｐ４が接続されている。受信フィルタ２６ａ及び送信フィルタ２６ｂは共通してアンテナ端子２４に接続され、アンテナ端子２４はアンテナ２０に接続されている。インダクタＬの一端がアンテナ端子２４とアンテナ２０との間に接続され、他端は接地されている。次にＦＢＡＲの例を説明する。共振器Ｓ４〜Ｓ６、Ｐ３及びＰ４は以下のＦＢＡＲ７０及び７１のいずれか一方とすることができる。

図７（ａ）はＦＢＡＲ７０を例示する断面図である。図７（ａ）に示すように、基板７２の上に、下部電極７４、圧電薄膜７６及び上部電極７８が積層されている。下部電極７４、圧電薄膜７６及び上部電極７８が重なる共振領域７５において弾性波が励振される。共振領域７５はドーム状に隆起しており、下部電極７４と基板７２との間には空隙７７が形成される。空隙７７があるため、弾性波の励振は妨げられない。図７（ｂ）はＦＢＡＲ７１を例示する断面図である。図７（ｂ）に示すように、基板７２の共振領域７５と重なる位置に凹部７２ａが形成されている。下部電極７４は空隙７７または凹部７２ａに露出してもよいし、下部電極７４の下面に音響反射膜などを設けてもよい。基板７２は例えばシリコン、ガラスなどにより形成されている。下部電極７４及び上部電極７８は、例えばルテニウム（Ｒｕ）などの金属により形成されている。圧電薄膜７６は、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ₃）などの圧電体により形成されている。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。例えば受信フィルタ２６ａ及び送信フィルタ２６ｂは例えば多重モードフィルタなどでもよい。共振器は弾性境界波共振器などでもよい。

２４アンテナ端子
２６分波器
２６ａ受信フィルタ
２６ｂ送信フィルタ
２８ｂ送信端子
４０基板
５０封止部
５２リッド
５４空隙
６０、６２圧電基板
６１ａ、６３ａＩＤＴ
６１ｂ、６３ｂ反射器
７０、７１ＦＢＡＲ
Ｓ１〜Ｓ６直列共振器
Ｐ１〜Ｐ４並列共振器
１００モジュール

Claims

基板と、
ストイキオメトリ組成のタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムにより形成された圧電基板、及び前記圧電基板の表面に設けられたＩＤＴを有し、前記基板にフリップチップ実装された送信フィルタと、
コングルエント組成のタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムにより形成された圧電基板、及び前記圧電基板の表面に設けられたＩＤＴを有し、前記基板にフリップチップ実装された受信フィルタと、
前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの前記基板と対向する面とは反対側の面に接触して設けられた、金属により形成されたリッドと、
を具備することを特徴とする分波器。
前記受信フィルタと前記送信フィルタとは互いに離間して、前記基板に実装されていることを特徴とする請求項１記載の分波器。
前記送信フィルタのＩＤＴの材料は、前記受信フィルタのＩＤＴの材料と異なることを特徴とする請求項１または２記載の分波器。
前記送信フィルタのＩＤＴは多層膜により形成され、
前記受信フィルタのＩＤＴは単層膜により形成されていることを特徴とする請求項３記載の分波器。
前記送信フィルタは、複数の共振器を含み送信端子とアンテナ端子との間に接続されたラダー型フィルタであり、
前記複数の共振器のうち、前記送信端子に最も近い直列共振器及び並列共振器の少なくとも一方は２つに分割されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の分波器。
前記送信フィルタは、複数の共振器を含み送信端子とアンテナ端子との間に接続されたラダー型フィルタであり、
前記複数の共振器のうち、前記アンテナ端子に最も近い直列共振器及び並列共振器の少なくとも一方は２つに分割されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の分波器。
前記基板上に設けられ、前記送信フィルタ及び前記受信フィルタを囲み、前記送信フィルタおよび前記受信フィルタを封止する金属により形成された封止部を具備することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の分波器。