Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP5799858B2 - 増幅装置 - Google Patents

増幅装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5799858B2
JP5799858B2 JP2012047505A JP2012047505A JP5799858B2 JP 5799858 B2 JP5799858 B2 JP 5799858B2 JP 2012047505 A JP2012047505 A JP 2012047505A JP 2012047505 A JP2012047505 A JP 2012047505A JP 5799858 B2 JP5799858 B2 JP 5799858B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
line
circuit
amplifying
signal
asymmetric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012047505A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013183390A (ja
Inventor
馬庭 透
透 馬庭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2012047505A priority Critical patent/JP5799858B2/ja
Priority to US13/748,719 priority patent/US8896372B2/en
Priority to EP13153661.7A priority patent/EP2637303B1/en
Priority to KR20130016530A priority patent/KR101510937B1/ko
Priority to CN201310052756.6A priority patent/CN103312271B/zh
Publication of JP2013183390A publication Critical patent/JP2013183390A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5799858B2 publication Critical patent/JP5799858B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0294Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using vector summing of two or more constant amplitude phase-modulated signals
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/602Combinations of several amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/423Amplifier output adaptation especially for transmission line coupling purposes, e.g. impedance adaptation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Description

本件は、入力信号を2つの定振幅の信号にベクトル分解し、それぞれを増幅する増幅装置に関する。
従来、増幅器の効率を高めるために、入力信号を2つの定振幅の信号にベクトル分解し、それぞれを増幅する定包絡線型(Out Phasing型とも言う)の増幅装置がある。
定包絡線型の増幅装置には、増幅された2つの信号(ベクトル)を、抵抗素子を用いて損失合成する定包絡線型線形増幅装置と、抵抗素子を用いずに無損失合成する定包絡線型高効率増幅装置とがある。定包絡線型高効率増幅装置には、出力の合成回路の構成によって、オフセット型とキレイクス型とがある。
なお、従来、四端子電力合成回路を用いた電力増幅装置において、電力合成器の損失を低減させ、高効率で線形性の高い電力増幅装置が提供されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2000−349575号公報
しかし、定包絡線型の増幅装置では、さらなる高効率化が求められ、また、増幅帯域において平坦な位相特性が求められている。
本件はこのような点に鑑みてなされたものであり、高効率で増幅帯域において平坦な位相特性を得ることができる増幅装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、入力信号を2つの定振幅の信号にベクトル分解し、それぞれを増幅する増幅装置が提供される。この増幅装置は、ベクトル分解された第1の信号を増幅する第1の増幅部と、ベクトル分解された第2の信号を増幅する第2の増幅部と、前記第2の増幅部で増幅された前記第2の信号をインピーダンス反転するインピーダンス反転回路と、前記第1の増幅部で増幅された前記第1の信号と前記インピーダンス反転回路でインピーダンス反転された前記第2の信号との位相を補正し、合成して出力する合成回路と、を有し、前記合成回路が非対称回路要素を含みまたは前記第1の増幅部もしくは前記第2の増幅部と前記合成回路との間に前記非対称回路要素が挿入され、前記合成回路は、前記第1の増幅部および前記第2の増幅部の出力に並列に接続される第1の線路と第2の線路と、前記第1の線路と前記第2の線路との間に直列に接続される第3の線路と第4の線路と、を有して、前記第1、第2、第3、第4の線路で四角形状に形成され、少なくとも1つの線路は他線路と長さが異なる非対称回路要素になっている
開示の装置によれば、高効率で増幅帯域において平坦な位相特性を得ることができる。
第1の実施の形態に係る増幅装置を説明する図である。 第2の実施の形態に係る増幅装置を有した基地局のブロック図である。 増幅装置のブロック図である。 振幅位相変換回路を説明する図である。 オフセット型の合成回路を示した図である。 図5の合成回路の位相特性を示した図である。 図5の合成回路の周波数−位相偏差を説明する図である。 キレイクス型の合成回路を示した図である。 図8の合成回路の位相特性を示した図である。 図8の合成回路の周波数−位相偏差を説明する図である。 図3の合成回路を示した図である。 図11の合成回路の位相特性を示した図である。 図11の合成回路の周波数−位相偏差を説明する図である。 図11の合成回路の反射特性を説明する図である。 第3の実施の形態に係る増幅装置を示した図である。 第4の実施の形態に係る増幅装置を示した図である。 第5の実施の形態に係る増幅装置を示した図である。 第6の実施の形態に係る増幅装置を示した図である。 第7の実施の形態に係る増幅装置を示した図である。 第8の実施の形態に係る増幅装置を示した図である。
以下、実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
[第1の実施の形態]
図1は、第1の実施の形態に係る増幅装置を説明する図である。図1に示すように、増幅装置は、増幅部1a,1b、インピーダンス反転回路2、および合成回路3を有している。
図1に示す増幅装置の下部には、増幅装置の位相特性が示してある。位相特性の横軸は周波数を示し、縦軸は増幅部1aから出力される信号の出力端子Poutにおける位相と、増幅部1bから出力される信号の出力端子Poutにおける位相との位相差を示している。位相特性のグラフ内に示す両矢印は、信号の増幅帯域を示している。
増幅装置は、増幅して出力する入力信号を2つの定振幅の信号にベクトル分解する。増幅部1aには、ベクトル分解された一方の信号が入力され、増幅部1bには、ベクトル分解された他方の信号が入力される。増幅部1a,1bは、ベクトル分解された信号を増幅する。
インピーダンス反転回路2は、増幅部1bで増幅された信号のインピーダンスを反転する。インピーダンス反転回路2は、増幅部1aから増幅部1bへ向かう信号と、増幅部1b自身の反射信号とを、増幅部1a,1bの動作効率が高くなるような関係に位相を調整する。インピーダンス反転回路2は、例えば、特性インピーダンスZo、線路長がλ/4の線路で形成される。なお、Zoは、出力端子Poutの負荷インピーダンスである。λは、増幅する信号の中心周波数における波長である。
合成回路3は、増幅部1aで増幅された信号と、インピーダンス反転回路2でインピーダンス反転された信号との位相を補正し、合成して出力する。合成回路3は、例えば、図1に示すように、線路3a〜3dを四角形状に配置したブランチライン型合成回路である。合成回路3は、非対称回路要素を備えることによって、インピーダンス反転回路2を挿入したことによる、出力端子Poutでの2つの信号(増幅部1a,1bのそれぞれから出力される信号)の位相差を抑制する。
ここで、合成回路3が、90°ブランチライン型合成回路である場合を考える。この場合、線路3a,3bの特性インピーダンスはZoであり、線路3c,3dの特性インピーダンスはZo/√2である。また、線路3a〜3dの線路長は、λ/4(90°)である。合成回路3が90°ブランチライン型合成回路である場合、出力端子Poutでは、インピーダンス反転回路2を挿入したことによって、増幅部1a,1bから出力される信号に位相差が生じ、位相特性が増幅帯域で平坦でなくなる。
例えば、位相特性に示す波形A1は、合成回路3が90°ブランチライン型合成回路である場合の、出力端子Poutの位相特性を示している。波形A1に示すように、合成回路3が90°ブランチライン型合成回路である場合、増幅帯域(図1中に示す両矢印)において、2つの信号に位相差が生じ、位相特性が平坦でなくなる。
これに対し、合成回路3は、非対称回路要素を有している。非対称回路要素を有した合成回路3とは、例えば、出力端子Poutに接続された2つの線路3b,3cに、λ/4とは異なる線路長の線路を有した合成回路をいう。
具体的には、線路3a,3dの線路長は、λ/4であるとする。線路3bの線路長は、λ/4+γであるとする。線路3cの線路長は、λ/4−δであるとする。この場合、合成回路3は、非対称回路要素を有し、線路3b,3cが非対称回路要素である。合成回路3が非対称回路要素を有することによって、インピーダンス反転回路2を挿入したことによる、出力端子Poutでの2つの信号の位相差が抑制され、位相特性が増幅帯域で平坦となる。
例えば、位相特性に示す波形A2は、合成回路3が非対称回路要素を有する場合の、出力端子Poutの位相特性を示している。波形A2に示すように、合成回路3が非対称回路要素を有する場合、増幅帯域において、2つの信号の位相差が0となり、位相特性が平坦となる。
すなわち、増幅装置は、合成回路3が90°ブランチライン型合成回路の場合、インピーダンス反転回路2を挿入したことによって、信号の経路差(増幅部1aから出力端子Poutへの経路と、増幅部1bから出力端子Poutへの経路の差)が生じ、出力端子Poutにおける2つの信号に位相差が生じる。
これに対し、合成回路3は、線路長がλ/4+γの線路3bと、線路長がλ/4−δの線路3cとの非対称回路要素を有することによって、インピーダンス反転回路2を挿入したことによる、信号の経路差によって生じる位相差を抑制する。
なお、後述するが、増幅装置は、合成回路3が非対称回路要素を備えることによって、さらなる高効率化を図ることができる。
また、上記では、合成回路3が非対称回路要素を含むとしたが、増幅部1aまたは増幅部1bと、合成回路3との間に非対称回路要素を挿入してもよい。例えば、増幅部1aの出力に長さxのオープンスタブを接続する。また、増幅部1bの出力に、長さxと異なる長さyのオープンスタブを接続する。この場合、増幅部1a,1bの出力に接続された長さの異なるそれぞれのオープンスタブが非対称回路要素となる。この場合も、増幅装置は、上記と同様に、高効率で増幅帯域において平坦な位相特性を得ることができる。
また、非対称回路要素の線路長は、波形A2に示すように増幅帯域において位相差が0で位相特性が平坦となるように設計する。
このように、増幅装置は、2つの増幅部1a,1bの一方の出力にインピーダンス反転回路2を設け、非対称回路要素を合成回路3に具備しまたは増幅部1aもしくは増幅部1bと合成回路3との間に非対称回路要素を挿入するようにした。これにより、増幅装置は、インピーダンス反転回路2によって高効率化を図るとともに、位相を補正して合成する、非対称回路要素を備えた合成回路3または増幅部1aもしくは増幅部1bと合成回路3との間に挿入される非対称回路要素によって位相特性を平坦にし、さらに高効率化を図ることができる。
[第2の実施の形態]
次に、第2の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図2は、第2の実施の形態に係る増幅装置を有した基地局のブロック図である。図2に示すように、基地局は、制御部10およびRRH(Remote Radio Head)20を有している。制御部10とRRH20は、例えば、光ファイバによって結ばれている。基地局は、例えば、図示しない携帯電話機などの無線端末と無線通信を行う。
制御部10は、データ処理部11、送信データ送信部12、および受信データ受信部13を有している。
データ処理部11は、ネットワークと接続されている。データ処理部11は、ネットワークに接続されている上位装置から、無線端末に無線送信するデータを受信する。データ処理部11は、受信したデータを送信データ送信部12に出力する。また、データ処理部11は、受信データ受信部13から出力される、無線端末から受信したデータを、ネットワークに接続されている上位装置に送信する。データ処理部11は、例えば、DSP(Digital Signal Processor)やFPGA(Field Programmable Gate Array)によって形成される。
送信データ送信部12は、データ処理部11から出力されたデータをE/O(Electrical signal/Optical signal)変換する。送信データ送信部12は、E/O変換したデータを、光ファイバを介してRRH20に送信する。
受信データ受信部13は、光ファイバを介して受信した、RRH20からのデータをO/E(Optical signal/Electrical signal)変換する。受信データ受信部13は、O/E変換したデータを、データ処理部11に出力する。
RRH20は、送信データ受信部21、キャリア合成部22、増幅装置23,25、共用フィルタ24、キャリア分離部26、および受信データ送信部27を有している。
送信データ受信部21は、制御部10の送信データ送信部12から送信された光信号を受信し、O/E変換する。送信データ受信部21は、O/E変換したデータをキャリア合成部22に出力する。
キャリア合成部22は、送信データ受信部21から出力されるデータを、複数の周波数に割り当てる。キャリア合成部22は、複数の周波数に割り当てたデータを1つの信号に合成し、増幅装置23に出力する。
増幅装置23は、キャリア合成部22から出力される信号を増幅し、共用フィルタ24に出力する。増幅装置23は、入力される信号を2つの定振幅の信号にベクトル分解し、それぞれの信号を増幅する。増幅装置23は、増幅した2つの信号を合成し、共用フィルタ24に出力する。増幅装置23は、例えば、図1の増幅装置に対応する。
共用フィルタ24は、増幅装置23から出力される、無線端末に送信する無線信号をアンテナに出力する。また、共用フィルタ24は、アンテナによって受信された無線端末からの信号を増幅装置25に出力する。
増幅装置25は、共用フィルタ24から出力される信号を増幅し、キャリア分離部26に出力する。
キャリア分離部26は、複数の周波数の信号に多重されたデータを周波数ごとに復調し、受信データ送信部27に出力する。
受信データ送信部27は、キャリア分離部26から出力されるデータをE/O変換し、制御部10の受信データ受信部13に出力する。
図3は、増幅装置のブロック図である。図3に示すように、増幅装置23は、ピーク抑圧回路31、歪補償回路32、振幅位相変換回路33、D/A(Digital to Analog)変換器34a,34b、入力整合回路35a,35b、増幅器36a,36b、出力整合回路37a,37b、インピーダンス反転回路38、および合成回路39を有している。
ピーク抑圧回路31には、キャリア合成部22から出力される信号が入力される。ピーク抑圧回路31は、増幅器36a,36bで増幅される信号の歪成分を抑えるために、入力される信号の振幅が所定の閾値を超える場合、その振幅を抑圧する。
歪補償回路32は、増幅器36a,36bで増幅される信号の歪成分を抑えるために、歪補償制御を行う。例えば、歪補償回路32は、入力される信号と、増幅器36a,36bで増幅された信号(フィードバック信号)とに基づいて、歪補償係数を算出する。歪補償回路32は、算出した歪補償係数を入力される信号に乗算し、増幅器36a,36bで増幅された信号の歪を補償する。
振幅位相変換回路33は、歪補償回路32から出力される信号を2つの定振幅の信号にベクトル分解する。
図4は、振幅位相変換回路を説明する図である。図4に示す波形A11は、振幅位相変換回路33に入力される信号を示している。
振幅位相変換回路33は、波形A11に示すポイントp1の信号を、同じ振幅の2つのベクトルV11,V21の信号に分解する。同様に、振幅位相変換回路33は、波形A11に示すポイントp2〜p5の信号を、同じ振幅の2つのベクトルV12〜V15とベクトルV22〜V25の信号に分解する。
なお、分解された2つのベクトルV12〜V15とベクトルV22〜V25との信号を合成すれば、波形A11に示す入力信号を復元することができる。
また、振幅位相変換回路33は、波形A11に示す信号の振幅が0のとき、分解したベクトルの信号の位相が逆相となるようにする。
図3の説明に戻る。D/A変換器34aは、振幅位相変換回路33によってベクトル分解された一方の信号をアナログ信号に変換する。D/A変換器34bは、振幅位相変換回路33によってベクトル分解された他方の信号をアナログ信号に変換する。
入力整合回路35aは、D/A変換器34aの出力インピーダンスと増幅器36aの入力インピーダンスとを合わせる。入力整合回路35bは、D/A変換器34bの出力インピーダンスと増幅器36bの入力インピーダンスとを合わせる。
増幅器36aは、D/A変換器34aから出力される信号を増幅する。増幅器36bは、D/A変換器34bから出力される信号を増幅する。増幅器36a,36bは、例えば、LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)、GaN、GaAsなどのトランジスタによって構成される。
出力整合回路37aは、増幅器36aの出力インピーダンスと合成回路39の入力インピーダンスとを合わせる。出力整合回路37bは、増幅器36bの出力インピーダンスと合成回路39の入力インピーダンスとを合わせる。
インピーダンス反転回路38は、出力整合回路37bから出力される信号のインピーダンスを反転する。例えば、インピーダンス反転回路38は、出力整合回路37bから出力される信号の振幅を維持し、位相を反転する。
合成回路39は、出力整合回路37a,37bから出力される信号を合成する。これにより、合成回路39からは、振幅位相変換回路33に入力された信号を増幅した信号が出力される。
なお、図3の増幅器36a,36bは、例えば、図1の増幅部1a,1bに対応する。インピーダンス反転回路38は、例えば、図1のインピーダンス反転回路2に対応する。合成回路39は、例えば、図1の合成回路3に対応する。
ここで、図3の合成回路39について説明する前に、オフセット型の合成回路とキレイクス型の合成回路について説明する。
図5は、オフセット型の合成回路を示した図である。図5に示すように、オフセット型の合成回路は、線路長λ/2(180°)の線路41によって形成される。オフセット型の合成回路では、出力端子Poutは、線路41の中央(λ/4,90°)から、θずれた位置から取り出される。λは、増幅する信号の中心周波数における波長である。
図5には、2つのベクトルに分解された信号を増幅する増幅器42a,42bも示してある。増幅器42a,42bから出力される信号は、線路41で合成され、出力端子Poutから出力される。
図6は、図5の合成回路の位相特性を示した図である。図に示す位相特性の横軸は周波数を示し、縦軸は図5に示す経路αにおける信号と、経路βにおける信号との位相差を示している。
図5で説明したように、オフセット型の合成回路では、出力端子Poutは、線路41の中央からθずれた位置から取り出される。これにより、増幅装置の電力効率が向上する一方、2つの増幅器42a,42bの出力と、出力端子Poutの経路長が異なるため、増幅帯域の中心周波数で位相差を0にしても、中心周波数から離れるにつれ、位相差が生じる。
例えば、図6に示す両矢印は、信号の増幅帯域を示している。図6に示すように、オフセット型の合成回路では、増幅帯域において、周波数−位相偏差が生じている。
図7は、図5の合成回路の周波数−位相偏差を説明する図である。図7には、スミスチャートが示してある。
図7に示す点線の丸A21aは、図5に示した経路αにおける信号の位相変化を示している。経路αにおける信号の位相は、周波数を増加するに従って、矢印A21bのように変化する。
図7に示す実線の丸A22aは、図5に示した経路βにおける信号の位相変化を示している。経路βにおける信号の位相は、周波数を増加するに従って、矢印A22bのように変化する。
図7に示す矢印A23a,23bは、増幅帯域において周波数を変化させたときの、経路αにおける信号の位相変化を示している。矢印A24a,24bは、増幅帯域において周波数を変化させたときの、経路βにおける信号の位相変化を示している。
図5の合成回路は、2つの増幅器42a,42bの出力と出力端子Poutとの経路長が異なる。そのため、矢印A23a,23bに示す経路αの位相変化と、矢印A24a,24bに示す経路βの位相変化は、異なる。このため、図6の位相特性に示すように、中心周波数における位相差が0となるように設計しても、中心周波数から離れるにつれ、位相差が発生する。すなわち、図5に示すオフセット型の合成回路は、増幅帯域において、位相特性を平坦にすることが困難である。
キレイクス型の合成回路について説明する。
図8は、キレイクス型の合成回路を示した図である。図8に示すように、キレイクス型の合成回路は、線路長λ/2(180°)の線路51とリアクタンスjX,−jXのオープンスタブ52a,52bを有している。キレイクス型の合成回路では、出力端子Poutは、線路51の中央(λ/4,90°)から取り出される。
図8には、2つのベクトルに分解された信号を増幅する増幅器53a,53bも示してある。オープンスタブ52aは、増幅器53aの出力に並列に接続され、オープンスタブ52bは、増幅器53bの出力に並列に接続されている。増幅器53a,53bから出力される信号は、線路51で合成され、出力端子Poutから出力される。
図9は、図8の合成回路の位相特性を示した図である。図9に示す位相特性の横軸は周波数を示し、縦軸は図8に示す経路αにおける信号と、経路βにおける信号との位相差を示している。
図8で説明したように、キレイクス型の合成回路では、増幅器53a,53bの出力にリアクタンスjX,−jXのオープンスタブ52a,52bが並列に接続される。このため、経路αにおける信号の位相と経路βにおける信号の位相とに位相差が生じ、図9の両矢印に示す増幅帯域において、周波数−位相偏差が生じる。
図10は、図8の合成回路の周波数−位相偏差を説明する図である。図10には、スミスチャートが示してある。
図10に示す点線の丸A31aは、図8に示した経路αにおける信号の位相変化を示している。経路αにおける信号の位相は、周波数を増加するに従って、矢印A31bのように変化する。
図10に示す実線の丸A32aは、図8に示した経路βにおける信号の位相変化を示している。経路βにおける信号の位相は、周波数を増加するに従って、矢印A32bのように変化する。
図10に示す矢印A33a,33bは、増幅帯域において周波数を変化させたときの、経路αにおける信号の位相変化を示している。矢印A34a,34bは、増幅帯域において周波数を変化させたときの、経路βにおける信号の位相変化を示している。
図8の合成回路は、増幅器53a,53bの出力に、リアクタンスjX,−jXのオープンスタブが接続されている。そのため、矢印A33a,33bに示す経路αの位相変化と、矢印A34a,34bに示す経路βの位相変化は、異なる。このため、図9の位相特性に示すように、中心周波数における位相差が0となるように設計しても、中心周波数から離れるにつれ、位相差が発生する。すなわち、図8に示すキレイクス型の合成回路は、増幅帯域において、位相特性を平坦にすることが困難である。
図3の合成回路39について説明する。
図11は、図3の合成回路を示した図である。図11において、図3と同じものには、同じ符号を付してある。図11には、合成回路39の他に、増幅器36a,36bおよびインピーダンス反転回路38が示してある。図11では、図3の出力整合回路37a,37bの図示を省略している。
図11に示すように、合成回路39は、線路61〜64を有している。線路61,62は、増幅器36a,36bの出力に、線路63,64を挟んで並列に接続されている。線路63,64は、線路61と線路62との間に、直列に接続されている。合成回路39は、ブランチライン型合成回路であり、線路61〜64は、四角形状に配置され、接続されている。線路62,63の接続点に出力端子Poutが接続されている。
線路61は、特性インピーダンスZoを有している。また、線路61は、線路長λ/4を有している。なお、Zoは、出力端子Poutの負荷インピーダンスである。λは、増幅する信号の中心周波数における波長である。
線路62は、特性インピーダンスZoを有している。また、線路62は、線路長λ/4+γを有している。線路62は、線路長がλ/4より長くなっており、非対称回路要素である。
線路63は、特性インピーダンスZo/√2を有している。また、線路63は、線路長λ/4−δを有している。線路63は、線路長がλ/4より短くなっており、非対称回路要素である。
線路64は、特性インピーダンスZo/√2を有している。また、線路64は、線路長λ/4を有している。
インピーダンス反転回路38は、特性インピーダンスZo、線路長λ/4の線路によって形成されている。
図12は、図11の合成回路の位相特性を示した図である。図12に示す位相特性の横軸は周波数を示し、縦軸は図11に示す増幅器36aから出力端子Poutにおける信号と、増幅器36bから出力端子Poutにおける信号との位相差を示している。
図11で説明したように、増幅器36bの出力には、インピーダンス反転回路38が接続される。インピーダンス反転回路38は、増幅器36aから増幅器36bへ向かう信号と、増幅器36b自身の反射信号とを、増幅器36a,36bの動作効率が高くなるような関係に位相を調整する。
ここで、図11の合成回路39が90°ブランチライン型合成回路である場合を考える。この場合、出力端子Poutでは、インピーダンス反転回路38を備えることによって生じる信号の経路差によって、増幅器36a,36bから出力される信号に位相差が生じる。
これに対し、合成回路39は、非対称回路要素の線路62,63を有することによって、インピーダンス反転回路38を挿入したことによって生じる信号の経路差による位相差を抑制する。
すなわち、増幅装置は、インピーダンス反転回路38によって高効率化を図るとともに、図12の両矢印に示すように、増幅帯域において、位相特性を平坦にすることができる。また、以下で述べるように、合成回路39が非対称回路要素を有することによって、さらに、高効率化を図ることができる。
なお、線路62,63のγ,δは、図12に示す位相特性の増幅帯域において、位相差が0となるように設計する。
図13は、図11の合成回路の周波数−位相偏差を説明する図である。図13には、スミスチャートが示してある。
図13に示す点線の丸A41aは、図11の増幅器36aから出力される信号の、出力端子Poutにおける位相変化を示している。増幅器36aから出力される信号の位相は、周波数を増加するに従って、矢印A41bのように変化する。
図13に示す実線の丸A42aは、図11の増幅器36bから出力される信号の、出力端子Poutにおける位相変化を示している。増幅器36bから出力される信号の位相は、周波数を増加するに従って、矢印A42bのように変化する。
図13に示す矢印A43a,43bは、増幅帯域において周波数を変化したときの位相変化を示している。矢印A44a,44bは、増幅帯域において周波数を変化したときの位相変化を示している。
ここで、矢印A43a,43bのなす角度と矢印A44a,44bのなす角度は、同じである。すなわち、増幅器36a,36bから出力される信号は、増幅帯域における周波数変化に対し、同じように位相が変化する。つまり、増幅器36a,36bから出力される信号は、増幅帯域において周波数−位相偏差が発生せず、図12に示すように、増幅帯域において位相特性が平坦となる。
図14は、図11の合成回路の反射特性を説明する図である。図14には、スミスチャートが示してある。
点線の半円A51aは、図11に示す線路61〜64の線路長が、λ/4である場合の増幅器36aにおける反射係数の軌跡を示している。点線の半円A51bは、線路63の線路長をδ短くしたときの増幅器36aにおける反射係数の軌跡を示している。線路63の線路を短くすることによって、半円A51aは、矢印A51cに示すように、半円A51bへと回転する。
実線の半円A52aは、図11に示す線路61〜64の線路長が、λ/4である場合の増幅器36bにおける反射係数の軌跡を示している。実線の半円A52bは、線路62の線路長をγ長くしたときの増幅器36bにおける反射係数の軌跡を示している。線路62の線路を長くすることによって、半円A52aは、矢印A52cに示すように、半円A52bへと回転する。
等高線A53は、効率等高線を示している。等高線A53の中心に向かうほど、増幅装置の効率は高くなる。
上記したように、合成回路39は、線路62,63の非対称回路要素を有し、これによって、出力端子Poutでの信号の位相特性は、平坦となる。また、合成回路39が線路62,63の非対称回路要素を有することによって、図14の半円A51b,A52bに示すように、反射係数の軌跡が、高効率となる等高線A53の中心付近を通過するようになる。すなわち、増幅装置は、合成回路39が非対称回路要素を有することによっても、効率の向上を図ることができる。
このように、増幅装置は、2つの増幅器36a,36bの一方の出力にインピーダンス反転回路38を設け、合成回路39に非対称回路要素を具備するようにした。これにより、増幅装置は、インピーダンス反転回路38によって高効率化を図るとともに、位相を補正して合成する、非対称回路要素を備えた合成回路39によって、位相特性を平坦にし、さらに高効率化を図ることができる。
[第3の実施の形態]
次に、第3の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。第2の実施の形態では、合成回路が非対称回路要素を有するとした。第3の実施の形態では、2つの増幅器の出力に非対称回路要素を接続する。
図15は、第3の実施の形態に係る増幅装置を示した図である。図15において、図11と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。図15に示すように、増幅装置は、合成回路70およびオープンスタブ81,82を有している。
合成回路70は、線路71〜74を有している。合成回路70は、90°ブランチライン型合成回路である。線路71,72の特性インピーダンスはZoであり、線路73,74の特性インピーダンスはZo/√2である。また、線路71〜74の線路長は、λ/4である。
オープンスタブ81は、増幅器36aの出力に並列に接続され、オープンスタブ82は、増幅器36bの出力に並列に接続されている。オープンスタブ81,82は、異なる長さのオープンスタブであり、非対称回路要素である。オープンスタブ81,82の長さは、図12に示したように、増幅帯域において、位相特性が平坦となるように設計する。
図15の増幅装置では、合成回路70は、90°ブランチライン型合成回路であり、非対称回路要素を具備していない。図15の増幅装置は、オープンスタブ81,82によって、インピーダンス反転回路38を挿入したことによる、信号の経路差によって生じる位相差を抑制する。
このように、増幅装置は、2つの増幅器36a,36bの一方の出力にインピーダンス反転回路38を設け、増幅器36a,36bの出力に非対称回路要素のオープンスタブ81,82を接続するようにした。これにより、増幅装置は、インピーダンス反転回路38によって高効率化を図るとともに、非対称回路要素のオープンスタブ81,82によって、位相特性を平坦にし、さらに高効率化を図ることができる。
[第4の実施の形態]
次に、第4の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。第4の実施の形態では、第3の実施の形態に対し、2つの増幅器の一方の出力にオープンスタブを接続する。そして、インピーダンス反転回路の線路長をλ/4より長くし、非対称回路要素とする。
図16は、第4の実施の形態に係る増幅装置を示した図である。図16において、図15と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。図16に示すように、増幅装置は、インピーダンス反転回路91を有している。
インピーダンス反転回路91は、特性インピーダンスZo、線路長λ/4+yの線路によって形成されている。
図16の増幅装置は、図15の増幅装置に対し、オープンスタブ82が省略されている。そして、インピーダンス反転回路91の線路長がλ/4+yとなっている。すなわち、図16の増幅装置は、オープンスタブ82を省略し、その分、インピーダンス反転回路91の線路長をλ/4からλ/4+yに長くしている。オープンスタブ81とインピーダンス反転回路91が非対称回路要素である。
つまり、図16の増幅装置は、非対称回路要素のオープンスタブ81と非対称回路要素のインピーダンス反転回路91とによって、インピーダンス反転回路91を挿入したことによって生じる信号の経路差による位相差を抑制する。
このように、増幅装置は、2つの増幅器36a,36bの一方の出力に、非対称回路要素のインピーダンス反転回路91を設け、増幅器36a,36bの他方の出力に非対称回路要素のオープンスタブ81を接続するようにした。これにより、増幅装置は、インピーダンス反転回路91によって高効率化を図るとともに、位相を補正する非対称回路要素のオープンスタブ81とインピーダンス反転回路91によって、位相特性を平坦にし、さらに高効率化を図ることができる。
[第5の実施の形態]
次に、第5の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。第5の実施の形態では、第4の実施の形態に対してオープンスタブを省略し、合成回路が非対称回路要素を有する。
図17は、第5の実施の形態に係る増幅装置を示した図である。図17において、図16と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。図17に示すように、増幅装置は、合成回路100を有している。
合成回路100は、線路101〜104を有している。線路101,102の特性インピーダンスはZoであり、線路103,104の特性インピーダンスはZo/√2である。また、線路101,102,104の線路長は、λ/4である。線路103の線路長は、λ/4−δである。
図17の増幅装置は、図16の増幅装置に対し、合成回路100の線路103の線路長がλ/4−δとなっている。そして、オープンスタブ81が省略されている。すなわち、図17の増幅装置は、オープンスタブ81を省略し、その分、合成回路100の線路103の線路長をλ/4からλ/4−δに短くしている。出力端子Poutに接続された線路103と、インピーダンス反転回路91とが非対称回路要素である。
つまり、図17の増幅装置は、線路103の非対称回路要素を有する合成回路100と、非対称回路要素のインピーダンス反転回路91とによって、インピーダンス反転回路91を挿入したことによって生じる信号の経路差による位相差を抑制する。
このように、増幅装置は、2つの増幅器36a,36bの一方の出力に、非対称回路要素のインピーダンス反転回路91を設け、合成回路100に非対称回路要素の線路103を具備するようにした。これにより、増幅装置は、インピーダンス反転回路91によって高効率化を図るとともに、非対称回路要素を有する合成回路100と非対称回路要素のインピーダンス反転回路91とによって、位相特性を平坦にし、さらに高効率化を図ることができる。
[第6の実施の形態]
次に、第6の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。第6の実施の形態では、第5の実施の形態に対し、インピーダンス反転回路の線路長をλ/4にし、合成回路が非対称回路要素のオープンスタブを有する。
図18は、第6の実施の形態に係る増幅装置を示した図である。図18において、図17と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。図18に示すように、増幅装置は、合成回路120およびインピーダンス反転回路131を有している。
合成回路120は、線路121〜124を有している。線路121,122の特性インピーダンスはZoであり、線路123,124の特性インピーダンスはZo/√2である。また、線路121,122,124の線路長は、λ/4である。線路123の線路長は、λ/4−δである。線路122,124の接続点に、オープンスタブ125が接続されている。
インピーダンス反転回路131は、特性インピーダンスZo、線路長λ/4の線路によって形成されている。
図18の増幅装置は、図17の増幅装置に対し、インピーダンス反転回路131の線路長がλ/4+yからλ/4となっている。そして、合成回路120の線路122,124の接続点にオープンスタブ125が接続されている。すなわち、図18の増幅装置は、インピーダンス反転回路131の線路長をλ/4+yからλ/4に短くし、その分、合成回路120にオープンスタブ125を具備するようにしている。出力端子Poutに接続された線路123とオープンスタブ125が非対称回路要素である。
つまり、図18の増幅装置は、線路123とオープンスタブ125の非対称回路要素を有する合成回路120によって、インピーダンス反転回路131を挿入したことによって生じる信号の経路差による位相差を抑制する。
このように、増幅装置は、2つの増幅器36a,36bの一方の出力に、インピーダンス反転回路131を設け、合成回路120に非対称回路要素の線路とオープンスタブとを具備するようにした。これにより、増幅装置は、インピーダンス反転回路131によって高効率化を図るとともに、非対称回路要素を有する合成回路120によって、位相特性を平坦にし、さらに高効率化を図ることができる。
[第7の実施の形態]
次に、第7の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。第7の実施の形態では、第6の実施の形態に対し、増幅器の出力の一方にオープンスタブを接続する。そして、合成回路は、オープンスタブの非対称回路要素を具備する。
図19は、第7の実施の形態に係る増幅装置を示した図である。図19において、図18と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。図19に示すように、増幅装置は、合成回路140およびオープンスタブ151を有している。
合成回路140は、線路141〜144を有している。線路141,142の特性インピーダンスはZoであり、線路143,144の特性インピーダンスはZo/√2である。また、線路141〜144の線路長は、λ/4である。線路142,144の接続点にオープンスタブ145が接続されている。
オープンスタブ151は、増幅器36aの出力に並列に接続されている。
図19の増幅装置は、図18の増幅装置に対し、合成回路140の線路143の線路長がλ/4−δからλ/4となっている。そして、増幅器36aの出力にオープンスタブ151が接続されている。すなわち、図19の増幅装置は、合成回路140の線路143の線路長をλ/4−δからλ/4へと長くし、その分、増幅器36aの出力に並列にオープンスタブ151を接続している。
つまり、図19の増幅装置は、非対称回路要素のオープンスタブ145を有する合成回路140と、非対称回路要素のオープンスタブ151によって、インピーダンス反転回路131を挿入したことによって生じる信号の経路差による位相差を抑制する。
このように、増幅装置は、2つの増幅器36a,36bの一方の出力に、インピーダンス反転回路131を設け、増幅器36aの出力にオープンスタブ151を接続し、合成回路140に非対称回路要素のオープンスタブ145を具備するようにした。これにより、増幅装置は、インピーダンス反転回路131によって高効率化を図るとともに、非対称回路要素を有する合成回路140とオープンスタブ151によって、位相特性を平坦にし、さらに高効率化を図ることができる。
[第8の実施の形態]
次に、第8の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。第8の実施の形態では、第7の実施の形態に対し、増幅器の出力に接続したオープンスタブを省略し、インピーダンス反転回路の線路長をλ/4−δにする。
図20は、第8の実施の形態に係る増幅装置を示した図である。図20において、図19と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。図20に示すように、増幅装置は、インピーダンス反転回路161を有している。
インピーダンス反転回路161は、特性インピーダンスZo、線路長λ/4−δの線路によって形成されている。
図20の増幅装置は、図19の増幅装置に対し、増幅器36aの出力に接続したオープンスタブ151を省略している。そして、インピーダンス反転回路161の線路長がλ/4からλ/4−δとなっている。すなわち、図20の増幅装置は、増幅器36aの出力に接続したオープンスタブ151を省略し、その分、インピーダンス反転回路161の線路長をλ/4からλ/4−δへと短くしている。
つまり、図20の増幅装置は、非対称回路要素のインピーダンス反転回路161と、非対称回路要素のオープンスタブ145を有する合成回路140によって、インピーダンス反転回路161を挿入したことによって生じる信号の経路差による位相差を抑制する。
このように、増幅装置は、2つの増幅器36a,36bの一方の出力に、非対称回路要素のインピーダンス反転回路161を設け、合成回路140に非対称回路要素のオープンスタブ145を具備するようにした。これにより、増幅装置は、インピーダンス反転回路161によって高効率化を図るとともに、非対称回路要素を有する合成回路140と非対称回路要素のインピーダンス反転回路161によって、位相特性を平坦にし、さらに高効率化を図ることができる。
1a,1b 増幅部
2 インピーダンス反転回路
3 合成回路
3a〜3d 線路

Claims (8)

  1. 入力信号を2つの定振幅の信号にベクトル分解し、それぞれを増幅する増幅装置において、
    ベクトル分解された第1の信号を増幅する第1の増幅部と、
    ベクトル分解された第2の信号を増幅する第2の増幅部と、
    前記第2の増幅部で増幅された前記第2の信号をインピーダンス反転するインピーダンス反転回路と、
    前記第1の増幅部で増幅された前記第1の信号と前記インピーダンス反転回路でインピーダンス反転された前記第2の信号との位相を補正し、合成して出力する合成回路と、を有し、
    前記合成回路が非対称回路要素を含みまたは前記第1の増幅部もしくは前記第2の増幅部と前記合成回路との間に前記非対称回路要素が挿入され、
    前記合成回路は、
    前記第1の増幅部および前記第2の増幅部の出力に並列に接続される第1の線路と第2の線路と、
    前記第1の線路と前記第2の線路との間に直列に接続される第3の線路と第4の線路と、を有して、前記第1、第2、第3、第4の線路で四角形状に形成され、少なくとも1つの線路は他線路と長さが異なる非対称回路要素になっている、
    ことを特徴とする増幅装置。
  2. 前記合成回路は、
    記第2の線路と前記第3の線路とが前記非対称回路要素であることを特徴とする請求項1記載の増幅装置。
  3. 前記第1の増幅部の出力に接続される第1のオープンスタブと、
    前記第2の増幅部の出力に接続される第2のオープンスタブと、をさらに有し、
    前記第1のオープンスタブと前記第2のオープンスタブとが前記非対称回路要素であることを特徴とする請求項1記載の増幅装置。
  4. 前記第1の増幅部の出力に接続されるオープンスタブをさらに有し、
    前記オープンスタブと前記インピーダンス反転回路とが前記非対称回路要素であることを特徴とする請求項1記載の増幅装置。
  5. 前記合成回路は、
    前記第1の増幅部および前記第2の増幅部の出力に並列に接続される第1の線路と第2の線路と、
    前記第1の線路と前記第2の線路との間に直列に接続される第3の線路と第4の線路と、を有し、
    前記第3の線路と前記インピーダンス反転回路とが前記非対称回路要素であることを特徴とする請求項1記載の増幅装置。
  6. 前記合成回路は、
    前記第1の増幅部および前記第2の増幅部の出力に並列に接続される第1の線路と第2の線路と、
    前記第1の線路と前記第2の線路との間に直列に接続される第3の線路と第4の線路と、
    前記第2の線路と前記第4の線路との接続点に接続されるオープンスタブと、を有し、
    前記第3の線路と前記オープンスタブとが前記非対称回路要素であることを特徴とする請求項1記載の増幅装置。
  7. 前記第1の増幅部の出力に接続される第1のオープンスタブをさらに有し、
    前記合成回路は、
    前記第1の増幅部および前記第2の増幅部の出力に並列に接続される第1の線路と第2の線路と、
    前記第1の線路と前記第2の線路との間に直列に接続される第3の線路と第4の線路と、
    前記第2の線路と前記第4の線路との接続点に接続される第2のオープンスタブと、を有し、
    前記第1のオープンスタブと前記第2のオープンスタブとが前記非対称回路要素であることを特徴とする請求項1記載の増幅装置。
  8. 前記合成回路は、
    前記第1の増幅部および前記第2の増幅部の出力に並列に接続される第1の線路と第2の線路と、
    前記第1の線路と前記第2の線路との間に直列に接続される第3の線路と第4の線路と、
    前記第2の線路と前記第4の線路との接続点に接続されるオープンスタブと、を有し、
    前記インピーダンス反転回路と前記オープンスタブとが前記非対称回路要素であることを特徴とする請求項1記載の増幅装置。
JP2012047505A 2012-03-05 2012-03-05 増幅装置 Expired - Fee Related JP5799858B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012047505A JP5799858B2 (ja) 2012-03-05 2012-03-05 増幅装置
US13/748,719 US8896372B2 (en) 2012-03-05 2013-01-24 Amplification apparatus
EP13153661.7A EP2637303B1 (en) 2012-03-05 2013-02-01 Amplification apparatus
KR20130016530A KR101510937B1 (ko) 2012-03-05 2013-02-15 증폭 장치
CN201310052756.6A CN103312271B (zh) 2012-03-05 2013-02-18 放大设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012047505A JP5799858B2 (ja) 2012-03-05 2012-03-05 増幅装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013183390A JP2013183390A (ja) 2013-09-12
JP5799858B2 true JP5799858B2 (ja) 2015-10-28

Family

ID=47632899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012047505A Expired - Fee Related JP5799858B2 (ja) 2012-03-05 2012-03-05 増幅装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8896372B2 (ja)
EP (1) EP2637303B1 (ja)
JP (1) JP5799858B2 (ja)
KR (1) KR101510937B1 (ja)
CN (1) CN103312271B (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015002538A (ja) * 2013-06-18 2015-01-05 富士通株式会社 増幅装置
US9543911B2 (en) * 2014-05-19 2017-01-10 Futurewei Technologies, Inc. Phase-modulated load apparatus and method
US9294079B1 (en) 2014-11-10 2016-03-22 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. System and method for generating multi-band signal
JP2016119609A (ja) 2014-12-22 2016-06-30 富士通株式会社 増幅装置
US10641008B2 (en) 2018-02-21 2020-05-05 Axtuator OY Electromagnetic actuator
US10253528B1 (en) 2018-02-21 2019-04-09 Axtuator OY Digital lock

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2758682B2 (ja) 1990-02-07 1998-05-28 富士通株式会社 定振幅波合成形増幅器
JPH0495409A (ja) * 1990-08-13 1992-03-27 Fujitsu Ltd 増幅器
JPH0537263A (ja) 1991-07-30 1993-02-12 Fujitsu Ltd 定振幅波合成形増幅器
JP3391658B2 (ja) 1997-05-21 2003-03-31 シャープ株式会社 高周波回路
JP2000349575A (ja) * 1999-06-07 2000-12-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電力増幅装置
EP1576726B1 (en) 2002-12-19 2009-01-28 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Composite amplifier structure
US6922102B2 (en) 2003-03-28 2005-07-26 Andrew Corporation High efficiency amplifier
WO2004088837A2 (en) 2003-03-28 2004-10-14 Andrew Corporation Doherty amplifier with output hybrid coupler
JP2008035487A (ja) * 2006-06-19 2008-02-14 Renesas Technology Corp Rf電力増幅器
JP2008099115A (ja) 2006-10-13 2008-04-24 Japan Radio Co Ltd ブランチライン型90°ハイブリッド
JP2008135829A (ja) * 2006-11-27 2008-06-12 Japan Radio Co Ltd 電力増幅回路
JP2009171154A (ja) * 2008-01-15 2009-07-30 Sony Corp 増幅回路、および通信装置
JP2009213090A (ja) * 2008-03-06 2009-09-17 Japan Radio Co Ltd 電力増幅回路
US8576010B2 (en) * 2010-10-19 2013-11-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for a switched capacitor architecture for multi-band doherty power amplifiers

Also Published As

Publication number Publication date
KR101510937B1 (ko) 2015-04-10
US20130229227A1 (en) 2013-09-05
CN103312271A (zh) 2013-09-18
US8896372B2 (en) 2014-11-25
EP2637303A2 (en) 2013-09-11
EP2637303A3 (en) 2013-11-06
CN103312271B (zh) 2016-01-13
EP2637303B1 (en) 2017-12-27
JP2013183390A (ja) 2013-09-12
KR20130101455A (ko) 2013-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5799858B2 (ja) 増幅装置
US9762268B2 (en) Wireless transceiver
US8564367B2 (en) Power amplifier
CN104618283B (zh) 通信装置及提高数字预失真线性化的方法
US8355682B2 (en) Radio transmitter and method for transmission of combined signal
US20090085667A1 (en) Inverted doherty amplifier with increased off-state impedence
US20120032738A1 (en) Power amplifier
CN108111129B (zh) 功率放大器
US20140155122A1 (en) Wireless communication apparatus, doherty amplifier, and method for controlling wireless communication
US9276536B2 (en) Amplification apparatus
EP3046253A1 (en) Doherty amplifier and transmission apparatus
KR20050094856A (ko) 도허티 증폭기 및 그 왜곡 특성 보상 방법
JP2009213090A (ja) 電力増幅回路
US11025203B2 (en) Communication device and operating method thereof
CN111316563A (zh) 多赫蒂放大器和多赫蒂放大电路
JP5754362B2 (ja) 増幅器
US9054647B2 (en) High frequency power amplifier
WO2012042625A1 (ja) 無線通信装置および帰還制御方法
CN103199797B (zh) 具有自适应合路对消功能的放大电路
CN108900207B (zh) 功放装置、射频信号处理系统和基站
CN203193570U (zh) 具有自适应合路对消功能的放大电路
EP3205017B1 (en) Driver circuit for composite power amplifier
JP2010273117A (ja) 増幅器
KR101692994B1 (ko) 이중대역 선형 증폭기
JP2014176001A (ja) 高周波増幅器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20141112

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150515

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150519

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150630

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150728

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150810

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5799858

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees