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JP5624911B2 - 光ファイバ用多孔質母材をガラス化するための脱水焼結炉および脱水焼結方法 - Google Patents

光ファイバ用多孔質母材をガラス化するための脱水焼結炉および脱水焼結方法 Download PDF

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Description

本発明は、石英ガラス系光ファイバで代表される光ファイバの製造工程において、光ファイバ用多孔質母材を透明ガラス体にするための脱水焼結に用いる脱水焼結炉と、その脱水焼結炉を用いた多孔質母材の脱水焼結方法に関するものである。
石英ガラス系光ファイバは、一般に、VAD法やOVD法などによって作製した多孔質母材に高温加熱処理を施すことにより、透明ガラス体にしたものを線引きすることによって製造される。このような光ファイバの製造工程のうち、高温加熱処理により多孔質母材を透明なガラス体とする工程が、脱水焼結工程である。
図4には従来、多孔質母材の脱水焼結工程に用いられてきた脱水焼結炉の構造を示す。この脱水焼結炉は、多孔質母材1を脱水焼結するための炉心管2と、炉心管2を加熱するためのヒータ4と、炉心管2内の圧力を測定する内圧計5と、炉心管2と内圧計5を繋ぐ内圧測定用配管10と、多孔質母材1の脱水焼結に用いるプロセスガス、もしくは脱水焼結後にプロセスガスを炉心管と内圧測定用配管から排出するために用いる不活性ガスを、それぞれのガス供給源から炉心管2に導くためのガス供給管8と、前記プロセスガスもしくは前記不活性ガスをスクラバ等の排ガス処理装置18へ導くためのガス排出管9と、脱水焼結中の炉心管内圧を制御するための圧力調整装置7を備えている。そして前記炉心管2には、多孔質母材1の炉心管2への挿入時および炉心管2からの抜去時に開閉される開閉部として、開閉可能な蓋17が装備されている。なお、プロセスガスとしては、塩素やフッ素などを含むハロゲン含有ガスが用いられ、不活性ガスとしては、ヘリウムや窒素、アルゴンが用いられる。
脱水焼結工程においては、炉心管2内の温度を1500℃程度にする必要があり、その温度下では炉心管2は軟質化する。そのため、炉心管2の内圧と外圧に大きな差が生じれば、ヒータ4の周囲の炉心管2が変形してしまうから、脱水焼結中は、炉心管2内の圧力を適切に制御する必要がある。そこで、脱水焼結炉には、前述のように内圧測定用配管10を通して炉心管2の内圧と外圧との差圧を測定する内圧計5が装備されているのが通常である。
このような構造を有する従来の多孔質母材の脱水焼結炉としては、炉心管に繋がっているガス排出経路に電磁弁を設置し、電磁弁の開閉に伴い排気ガスの流量を検出し、検出量に合わせてガスの流量を制御する手段を備えた脱水焼結炉(例えば、特許文献1参照)、炉心管内に圧力計を備え、炉心管内の平均圧力と、炉心管内の圧力の標準偏差との所定の関係が成り立つように制御する脱水焼結炉(例えば、特許文献2参照)、炉心管から排出される圧力と加熱炉から排出される圧力をそれぞれ圧力計で検出し、炉心管内圧と加熱炉内とを同じ圧力になるように、常時自動制御を行う脱水焼結炉(例えば、特許文献3参照)などが提案されている。
ところで図4に示す脱水焼結炉を用いた脱水焼結工程においては、支持棒に支持された多孔質母材1が炉心管2上方から炉心管2内へ挿入され、続いて脱水や不純物の除去のために、炉心管2底部のガス供給管8からプロセスガスが供給される。挿入された多孔質母材1は、回転しながら炉心管2内に向かって降下され、下部から炉心管2のヒータ4で加熱されることにより、下部から上部に向かって脱水され、透明ガラス化される。ここで、脱水焼結中においては、炉心管2内への異物の混入を防ぐため、炉心管2内は陽圧に保たれるのが通常である。そのため、脱水焼結後に多孔質母材1を抜去する際に、直ちに炉心管2上部の蓋17を開放すれば、脱水焼結炉内に残留していたプロセスガスが大気中に放出されてしまう。プロセスガスは、塩素やフッ素などの有毒なガスからなるものであるため、そのプロセスガスが大気中に放出されれば、安全上の問題が生じるとともに、環境汚染の問題が生じる。このような問題の発生を防止するため、従来一般には、多孔質母材1を炉心管2から抜去するべく蓋17を開放する前に、炉心管2底部のガス供給管8から炉心管2内に不活性ガスを送り込んで、炉心管2内からプロセスガスを排除(パージ)することが行われている。
特開2000−169173号公報 特開2006−056773号公報 特開2006−131463号公報
しかしながら、上述のように多孔質母材1の抜去前にプロセスガスのパージのために不活性ガスをガス供給管8から炉心管2内に導入しても、炉心管2と内圧計5を繋ぐ内圧測定用配管10内は脱水焼結炉の外部空間とは遮断されていて、いわゆるメクラ状となっていて、排ガス処理装置18と直結していないため、その配管10内のプロセスガスは除去しにくいのが実情である。ここで、脱水焼結においては、プロセスガスとして塩素やフッ素などの酸性ガスを使用するために、炉心管2に繋がっている内圧測定用配管10やガス供給管8、ガス排出管9にテフロン(登録商標)やポリフッ化ビニル製などの耐酸性のホースやチューブを使用するのが通常であり、また前記各管はスペースの削減や取り扱い性のために、曲げやすいよう蛇腹構造のものが使われることがある。その場合、前記各管の内面にプロセスガスが吸着しやすく、また蛇腹構造の内側の谷となっている部分にプロセスガスが残留しやすくなる。したがって、ガス供給管8からパージ用の不活性ガスを炉心管2内に導入しても、残留ガスを内圧測定用配管10内から完全に除去するためには著しい長時間が必要となり、その場合、脱水焼結炉の稼働時間が減少して、光ファイバの製造効率が低下するという問題があった。
そして、前述の特許文献1〜3に示されるような脱水焼結炉についての従来の提案でも、上述のような内圧測定用配管内のプロセスガス残留の問題については、特に考慮されておらず、そのため上述の問題を回避し得なかったのが実情である。
本発明は、上述の事情を背景としてなされたもので、脱水焼結後に、炉心管内に残留するプロセスガスのみならず、炉心管と内圧計を繋ぐ内圧測定用配管内に残留するプロセスガスをも、短時間で排除し得るようにして、脱水焼結炉の稼働率を上げ、光ファイバの製造効率を高めることを課題とするものである。また本発明は、このような脱水焼結炉を用いた多孔質母材の脱水焼結方法を提供するものである。
上述の課題を解決するため、本発明の脱水焼結炉では、基本的には、炉心管と内圧計とをつなぐ配管(内圧測定用配管)内の残留ガスを除去するための手段を設けることとした。
すなわち、本発明の第1の形態の脱水焼結炉は、石英ガラス系光ファイバ用多孔質母材を脱水焼結するための炉心管と、炉心管内を加熱するためのヒータと、炉心管内にプロセスガスもしくは不活性ガスを供給するためのガス供給管と、炉心管内のガスを排出するためのガス排出管と、炉心管内の圧力を測定する内圧計と、炉心管と内圧計を繋ぐ内圧測定用配管とを備え、かつ前記炉心管には、光ファイバ用多孔質母材の炉心管への挿入および炉心管からの抜去のために開閉される開閉部が設けられてなる脱水焼結炉において、多孔質母材の脱水焼結後に前記内圧測定用配管内に残留するガスを除去するための残留ガス除去手段を有することを特徴とするものである。
上述の第1の形態の脱水焼結炉による作用は次の通りである。すなわち、炉心管と内圧計を繋ぐ内圧測定用配管に残留ガス除去手段を備えることにより、多孔質母材の脱水焼結後の内圧測定用配管内に残留するプロセスガスを短時間で除去し、多孔質母材の脱水焼結後のプロセスガスパージ時間を短減することができる。またこれにより、脱水焼結炉の稼動時間を増やし、光ファイバの製造効率を上げることができる。
また、本発明の第2の形態による脱水焼結炉は、前記第1の形態の脱水焼結炉において、前記残留ガス除去手段として、前記内圧測定用配管にガス排出口が設けられており、そのガス排出口が排ガス処理装置に繋がっているものである。
第2の形態の脱水焼結炉による作用は次の通りである。すなわち、前記残留ガス除去手段として、内圧測定用配管に、排ガス処理装置に繋がるガス排気口を設けることにより、多孔質母材の脱水焼結後に前記ガス供給管を介して炉心管内にパージ用の不活性ガスを供給すれば、炉心管内のプロセスガスが前記ガス排出管から追い出されるだけではなく、内圧測定用配管内に残留しているガスも、前記ガス排気口を介して、直接的に短時間で排出させることができる。
また、本発明の第3の形態による脱水焼結炉は、前記第1の形態の脱水焼結炉において、前記残留ガス除去手段として、前記内圧測定用配管に不活性ガス供給口が設けられており、そのガス供給口が不活性ガス供給源に繋がっているものである。
第3の形態の脱水焼結炉による作用は次の通りである。すなわち、残留ガス除去手段として、内圧測定用配管に、不活性ガス供給源に繋がる不活性ガス供給口を設けることにより、前記供給口を介して不活性ガスを内圧測定用配管内に導入し、これによって内圧測定用配管内のプロセスガスを炉心管2内に押し出し、さらにガス排出管9へ押し出すため、内圧測定用配管内のプロセスガスを短時間で排除することができる。
また、本発明の第4の形態による脱水焼結炉は、前記第1〜第3の形態のうちのいずれかの形態の脱水焼結炉において、前記ガス排出管に、ガス濃度を測定するためのガス検知器を設けたことを特徴とするものである。
第4の形態の脱水焼結炉による作用は次の通りである。すなわち、脱水焼結炉のガス排出管のガス濃度を測定するためのガス検知器を設けることにより、脱水焼結炉内のプロセスガスのパージ時において、そのプロセスガスの残量もしくは濃度を測定することができる。これにより、正確なガス排気状況とガス残量を把握し、多孔質母材の脱水焼結工程における排気時間を短縮させ、脱水焼結炉の稼動時間を増やして光ファイバの製造効率を上げることができる。
さらに本発明の第5の形態は、前記第1〜第4の形態のうちのいずれかの形態の脱水焼結炉を用いた脱水焼結方法であり、この第5の形態の脱水焼結方法は、炉心管内に光ファイバ用多孔質母材を挿入して炉心管内にプロセスガスを導入するとともに、炉心管内をヒータにより加熱して、光ファイバ用多孔質母材の脱水焼結を行う第1段階と、その第1段階終了後、炉心管の開閉部を開放する前に炉心管内に不活性ガスを導入して、炉心管内の残留ガスを追い出すとともに、前記残留ガス除去手段により前記内圧測定用配管内の残留ガスを排除する第2段階と、その後炉心管の開閉部を開放して多孔質母材を炉心管から取り出す第3段階とを有することを特徴とするものである。
第5の形態の脱水焼結方法による作用は次の通りである。すなわち、炉心管の開閉部を開ける前の第2段階において、炉心管内の残留ガスを追い出すばかりでなく、それと同時に内圧測定用配管内の残留ガスをも排除するため、プロセスガスの完全な排除に要する時間を短縮し、これにより脱水焼結炉の稼動時間を増やし、光ファイバの製造効率を上げることができる。
本発明の第6の形態は、前記第5の形態の脱水焼結方法において、多孔質母材の脱水焼結工程の第2段階の実施にあたり、第1段階時よりもプロセスガスの排気量および不活性ガスの供給量を増やすことを特徴とするものである。
第6の形態の脱水焼結方法による作用は次の通りである。すなわち、脱水焼結工程の第2段階において、第1段階時よりもプロセスガスの排気量、および不活性ガスの供給量を増やすことにより、残留ガスが短時間で排ガス処理装置へ押し出され、残留ガス除去速度が上がり、多孔質母材の脱水焼結工程における排気時間を短縮させることができる。さらに、脱水焼結炉の稼動時間を増やして光ファイバの製造効率を上げることができる。
本発明の第7の形態は、前記第5の形態の脱水焼結方法において、多孔質母材の脱水焼結工程の第2段階の実施にあたり、炉心管内の圧力を所定時間ごとに変化させることを特徴とするものである。
第7の形態の脱水焼結方法による作用は次の通りである。すなわち、脱水焼結工程の第2段階において、炉心管内の圧力を所定時間ごとに変化させることにより、内圧測定用配管が蛇腹部を有していたり、また内圧測定用配管がプロセスガスを吸着しやすい材料からなる場合であっても、その内圧測定用配管から残留ガスを短時間で排除することができ、さらに脱水焼結炉の稼動時間を増やして光ファイバの製造効率を上げることができる。
本発明の第8の形態は、前記第7の形態の脱水焼結方法において、多孔質母材の脱水焼結工程の第2段階における炉心管内の圧力を所定時間ごとに変化させる手段として、プロセスガス排気量を変化させることを特徴とするものである。
第8の形態の脱水焼結方法による作用は次の通りである。すなわち、多孔質母材の脱水焼結工程の第2段階において、炉心管内の圧力を所定時間ごとに変化させる手段として、プロセスガス排気量を変化させることにより、排気によるガスの流れから圧力変動が生じ、残留ガスが除去され易くなり、多孔質母材の脱水焼結工程における排気時間を短縮させることができる。さらに、脱水焼結炉の稼動時間を増やして光ファイバの製造効率を上げることができる。
本発明の第9の形態は、前記第7の形態の脱水焼結方法において、多孔質母材の脱水焼結工程の第2段階における、炉心管内の圧力を所定時間ごとに変化させる手段として、不活性ガス供給量を変化させることを特徴としたものである。
第9の脱水焼結方法による作用は次の通りである。すなわち、多孔質母材の脱水焼結工程の第2段階における、炉心管内の圧力を所定時間ごとに変化させる手段として、不活性ガス供給量を変化させることにより、供給したガスによる圧力変動が生じて、残留ガスが除去され易くなり、多孔質母材の脱水焼結工程における排気時間を短縮させることができる。さらに、脱水焼結炉の稼動時間を増やして光ファイバの製造効率を上げることができる。
本発明の第10の形態は、前記第5の形態の脱水焼結方法において、多孔質母材の脱水焼結工程の第2段階において、炉心管に供給する不活性ガスとしてヘリウムを使用することを特徴としたものである。
第10の脱水焼結方法による作用は次の通りである。すなわち、多孔質母材の脱水焼結工程の第2段階において、炉心管に供給する不活性ガスとして粒子の小さなヘリウムを使用することにより、炉心管と内圧測定用配管や、ガス供給管、ガス排出管などを接続するコネクタの隙間などにも、ヘリウムが入り込み、隙間などに残留した残留ガスをも排出し、多孔質母材の脱水焼結工程における排気時間を更に短縮させることができる。さらに、脱水焼結炉の稼動時間を増やして光ファイバの製造効率を上げることができる。
本発明の脱水焼結炉、脱水焼結方法によれば、光ファイバ用多孔質母材の脱水焼結後におけるプロセスガスの排気時間を短縮して、稼動効率を高めることができ、これにより光ファイバの製造効率を高めることができる。
本発明の第1の実施形態による脱水焼結炉の全体構成を示す略解図である。 本発明の第2の実施形態による脱水焼結炉の全体構成を示す略解図である。 比較例1および比較例2において用いた脱水焼結炉の全体構成を示す略解図である。 従来の脱水焼結炉の全体構成を示す略解図である。
以下、本発明の実施の形態を図1、図2を参照して説明する。なお、各図中の矢印はパージ中のガスの流れを示し、破線矢印で図示したガスの流れはプロセスガス検知時のみ発生する。
図1には、本発明の第1の実施形態の脱水焼結炉を示す。この脱水焼結炉は、基本的には、中空円筒上の炉心管2の上端に、脱水焼結対象となる多孔質母材1を挿入、抜去するための開閉部として開閉可能な蓋17を設け、かつ炉心管2の周囲に、多孔質母材1を加熱するためのヒータ4を設けている。また炉心管2の底部は、ガス供給管8により、図示しないプロセスガス供給源および不活性ガス供給源につながっている。さらに炉心管2の上部には、三方弁14を介して、炉心管2内の圧力を制御するための圧力調整装置7と、スクラバ等の排ガス処理装置18およびガス検知器13に繋がるガス排出管9が設けられている。さらに、炉心管2内の圧力を測定するための内圧計5が、炉心管2の上部と内圧測定用配管10によって繋がっている。そして、この内圧測定用配管10には、その中途に分岐管16が接続され、その分岐管16はバルブ15を介してスクラバ等の排ガス処理装置19に繋がっている。
次に、第1の実施形態の脱水焼結炉によって多孔質母材の脱水焼結を行う方法について説明する。
前述の脱水焼結炉によって、多孔質母材1の脱水焼結を行うにあたっては、先ず第1段階として、蓋17を開放して炉心管2内に多孔質母材1を挿入し、その後蓋17を閉じて、ガス供給管8を介して炉心管2内にプロセスガスを導入するとともに、ヒータ4により炉心管2内を高温にした後、多孔質母材1を下降させ、多孔質母材1を下部から上部に向かって順次脱水焼結する。この脱水焼結段階(第1段階)では、内圧計5によって炉心管2内の圧力が測定される。また、この過程においては、三方弁14を圧力調整装置7の側に制御し、圧力調整装置7で炉心管2内の圧力を制御する。
次いで第2段階に移行するが、脱水焼結終了後には、直ちには炉心管2の蓋17を開放せずに、ガス供給管8を介して炉心管2内に不活性ガスを導入し、この不活性ガスによって炉心管2内に残るプロセスガスをパージする。すなわち、ガス排出管9を経て、炉心管2内のプロセスガスを排ガス処理装置18へ向けて追い出す。同時に、内圧測定用配管10の分岐管16に設けられているバルブ15を開放して、内圧測定用配管10内に残留しているプロセスガスを排ガス処理装置19へ向けて追い出す。また、この過程においては、随時三方弁14をガス検知器13の側に切り替えて、ガス濃度を検出することができる。
前述のようにして、炉心管2内、および内圧測定用配管10内に残留しているプロセスガスを追い出した後、詳しくは前記ガス検知器13によってプロセスガスが完全に除去されたことを確認した後、第3段階として、蓋17を開放し、炉心管2内から脱水焼結済みの多孔質母材1を炉心管2内から取り出す。
上述のように脱水焼結後に不活性ガスの導入により炉心管2内のプロセスガスをパージする段階(第2段階)で、内圧測定用配管10の分岐管16のバルブ15を開放することにより、内圧測定用配管10内に残留していたプロセスガスも、直ちに排出、除去することができるため、プロセスガスパージ時間をいたずらに長時間取る必要がなくなるのである。
また、前記第2段階で多孔質母材1を脱水焼結する段階(第1段階)よりも、内圧測定用配管10の分岐管16からのプロセスガス排気量を増やすことにより、内圧測定用配管10内に残留していたプロセスガスを直接的に排出する速度が上がり、プロセスガスパージ時間を短縮することができる。さらに、ガス供給管8およびガス排出管9に、ニードルバルブやマスフローコントローラなどを取り付け、プロセスガス排気量を所定時間ごとに変化させることにより、炉心管2内および内圧測定用配管10内に圧力変動が生じ、内圧測定用配管10内の残留ガスが排気し易くなるため、プロセスガスパージ時間を著しく短縮することができる。
図2には、本発明の第2の実施形態の脱水焼結炉を示す。なお図2において、図1に示した脱水焼結炉と同一の構成の部分については同一の符号を付し、その説明は省略する。図2において、内圧測定用配管10には、その中途に分岐管16が接続され、その分岐管16はバルブ15を介して図示しない不活性ガス供給源に繋がっている。
第2の実施形態の脱水焼結炉による多孔質母材1の脱水焼結の過程(第1段階)は第1の実施形態の脱水焼結炉による多孔質母材1の脱水焼結の過程と同一であり、その説明は省略する。
このような脱水焼結炉による多孔質母材1の脱水焼結終了後には、第2段階として、内圧測定用配管10の分岐管16に設けられているバルブ15を開放し、分岐管16を介して内圧測定用配管10内に不活性ガスを導入し、この不活性ガスによって内圧測定用配管10内に残るプロセスガスを炉心管2内に追い出すと同時に、ガス供給管8を介して炉心管2内に不活性ガスを導入し、この不活性ガスによって炉心管2内に残るプロセスガスをガス排出管9の側に追い出す。
このようにして、炉心管2内、および内圧測定用配管10内に残留しているプロセスガスを追い出した後、第3段階として、蓋17を開放し、炉心管2内から脱水焼結済みの多孔質母材1を炉心管2内から取り出す。
上述のように、脱水焼結後にガス供給管8からの不活性ガスの導入により炉心管2内のプロセスガスをパージする段階で、内圧測定用配管10の分岐管16に設けられているバルブ15を開放し、分岐管16を介して内圧測定用配管10にも不活性ガスを供給することにより、内圧測定用配管10内に残留していたプロセスガスは直ちに炉心管2内に追い出され、ガス供給管8から導入される不活性ガスにより、ガス排出管9の側に排出される。
また、前記第2段階で前記第1段階よりも、内圧測定用配管10の分岐管16からの不活性ガス供給量を増やすことにより、内圧測定用配管10内に残留していたプロセスガスを炉心管2内に追い出し、ガス供給管8から炉心管2内に供給される不活性ガスにより、ガス排出管9に押し出す速度が上がるため、プロセスガスパージ時間を短縮することができる。さらに、ガス供給管8およびガス排出管9に、ニードルバルブやマスフローコントローラなどを取り付け、不活性ガス供給量を所定時間ごとに変化させることにより、炉心管2内および内圧測定用配管10内に圧力変動が生じ、内圧測定用配管10内の残留ガスが排気し易くなるため、プロセスガスパージ時間を著しく短縮することができる。
実施例1
図1に示す脱水焼結炉による脱水焼結工程の第1段階において、ガス供給管8を介して炉心管2内に、4SLMのヘリウムガスと、0.15SLMのSiFガスとの混合プロセスガスを供給した。SiFガスの供給により、多孔質母材1などに含まれる水分とSiFガスが反応し、SiFガスはHFガスとなる。そのため、ガス検知器13はHF用のものを使用した。また、ガス排出管9に設けた三方弁14により、ガス排出管9に導入された混合プロセスガスを同ガス排出管9に設けた圧力調整装置7を通して排ガス処理装置18に押し出すと同時に、圧力調整装置7により炉心管2内の圧力を制御した。この段階では、内圧測定用配管10に接続された分岐管16に設けられているバルブ15は開放されていないため、内圧測定用配管10内にプロセスガスが存在している。
図1に示す脱水焼結炉による脱水焼結工程の第2段階において、炉心管2および内圧測定用配管10の内部から残留ガスを一掃するために、ガス供給管8を介して10SLMの窒素を炉心管2内に供給し、ガス排出管9を介して、炉心管2内のプロセスガスを排ガス処理装置18へ向けて追い出すとともに、内圧測定用配管10に接続された分岐管16に設けられているバルブ15を開放することにより、分岐管16を介して、内圧測定用配管10内のプロセスガスを排ガス処理装置19へ向けて追い出した。第2段階におけるプロセスガスの排気開始から3時間経過後に、ガス検知器13による炉心管2内のフッ素濃度の測定値が0ppmになったことを確認し、多孔質母材1を炉心管2から抜去した。
実施例2
図2に示す脱水焼結炉による脱水焼結工程の第1段階においては、上述の図1に示す脱水焼結炉による脱水焼結工程の第1段階と同一の操作を行ったため、その説明を省略する。この第1段階では、内圧測定用配管10内には、前記同様にプロセスガスが存在している。
図2に示す脱水焼結炉による脱水焼結工程の第2段階において、炉心管2および内圧測定用配管10の内部から残留ガスを一掃するために、ガス供給管8を介して10SLMの窒素を炉心管2内に供給し、ガス排出管9を介して、炉心管2内のプロセスガスを排ガス処理装置18へ向けて追い出すとともに、内圧測定用配管10に接続された分岐管16に設けられているバルブ15を開放し、分岐管16を介して不活性ガスを内圧測定用配管10に供給することにより、内圧測定用配管10内のプロセスガスを炉心管2内へ向けて追い出し、さらに排ガス処理装置19へ向けて追い出した。第2段階におけるプロセスガスの排気開始から3時間経過後に、ガス検知器13による炉心管2内のフッ素濃度の測定値が0ppmになったことを確認し、多孔質母材1を炉心管2から抜去した。
実施例3
図2に示す脱水焼結炉による脱水焼結工程の第1段階においては、上述の図1に示す脱水焼結炉による脱水焼結工程の第1段階と同一の操作を行ったため、その説明を省略する。この第1段階では、内圧測定用配管10内には、前記同様にプロセスガスが残留している。
図2に示す脱水焼結炉による脱水焼結工程の第2段階において、炉心管2および内圧測定用配管10の内部から残留ガスを一掃するために、ガス供給管8を介して炉心管2内に、15分毎に10SLMの窒素と4SLMの窒素とを交互に供給し、ガス排出管9を介して炉心管2内のプロセスガスを排ガス処理装置18へ向けて追い出すとともに、内圧測定用配管10に接続された分岐管16に設けられているバルブ15を開放し、分岐管16を介して0.5Lの窒素を内圧測定用配管10に供給することにより、内圧測定用配管10内のプロセスガスを炉心管2内へ向けて追い出し、さらに排ガス処理装置19へ向けて追い出した。第2段階におけるプロセスガスの排気開始から3時間経過後に、ガス検知器13による炉心管2内のフッ素濃度の測定値が0ppmになったことを確認し、多孔質母材1を炉心管2から抜去した。
実施例4
図1に示す脱水焼結炉による実施例1に記載されている脱水焼結工程の第1段階終了後、内圧測定用配管10内にプロセスガスが残留している状態からの同脱水焼結工程の第2段階において、炉心管2および内圧測定用配管10の内部から残留ガスを一掃するために、ガス供給管8を介して10SLMのヘリウムを炉心管2内に供給し、ガス排出管9を介して、炉心管2内のプロセスガスを排ガス処理装置18へ向けて追い出すとともに、内圧測定用配管10に接続された分岐管16に設けられているバルブ15を開放することにより、分岐管16を介して、内圧測定用配管10内のプロセスガスを排ガス処理装置19へ向けて追い出した。第2段階におけるプロセスガスの排気開始から2.5時間経過後に、ガス検知器13による炉心管2内のフッ素濃度の測定値が0ppmになったことを確認し、多孔質母材1を炉心管2から抜去した。
比較例1
以上の各実施例1〜4と比較するため、図3に示す脱水焼結炉を用い、多孔質母材1の脱水焼結を行った。図3に示す脱水焼結炉は、図2に示す本発明の第1の実施形態の脱水焼結炉とは、内圧測定用配管10に接続された分岐管16およびその分岐管16に設けられているバルブ15が装備されていない点、すなわち内圧測定用配管10内からの残留ガス除去手段が設けられていない点が異なるものである。
図3に示す脱水焼結炉による脱水焼結工程の第1段階において、ガス供給管8を介して炉心管2内に、4SLMのヘリウムガスと、0.15SLMのSiFガスとの混合プロセスガスを供給した。SiFガスの供給により、多孔質母材1などに含まれる水分とSiFガスが反応し、SiFガスはHFガスとなる。また、ガス排出管9に設けた三方弁14により、ガス排出管9に導入された混合プロセスガスを同ガス排出管9に設けた圧力調整装置7を通して排ガス処理装置18に押し出すと同時に、圧力調整装置7により炉心管2内の圧力を制御した。このとき、内圧測定用配管10内にプロセスガスが存在している。
図3に示す脱水焼結炉による脱水焼結工程の第2段階において、炉心管2および内圧測定用配管10の内部から残留ガスを一掃するために、ガス供給管8を介して10SLMの窒素を炉心管2内に供給し、ガス排出管9を介して、炉心管2内のプロセスガスを排ガス処理装置18へ向けて追い出し、内圧測定用配管10内のプロセスガスも排ガス処理装置19へ向けて追い出すことを試みたが、第2段階におけるプロセスガスの排気開始から3時間経過後のガス検知器13による炉心管2内のフッ素濃度の測定値は1ppmであり、脱水焼結後の多孔質母材1を炉心管2から抜去することはできず、第2段階におけるプロセスガスの排気開始から6時間経過後に、ガス検知器13による炉心管2内のフッ素濃度の測定値が0ppmになったことを確認し、多孔質母材1を炉心管2から抜去した。
比較例2
図3に示す脱水焼結炉による比較例1に記載されている脱水焼結工程の第1段階終了後、同脱水焼結工程の第2段階において、炉心管2および内圧測定用配管10の内部から残留ガスを一掃するために、ガス供給管8を介して4SLMの窒素を炉心管2内に供給し、ガス排出管9を介して、炉心管2内のプロセスガスを排ガス処理装置18へ向けて追い出し、内圧測定用配管10内のプロセスガスも排ガス処理装置19へ向けて追い出すことを試みた。第2段階におけるプロセスガスの排気開始から12時間経過後に、ガス検知器13による炉心管2内のフッ素濃度の測定値が0ppmになったことを確認し、多孔質母材1を炉心管2から抜去した。
実施例1〜4と、比較例1および比較例2とを比較すれば明らかなように、実施例1〜実施例4においては脱水焼結後に必要な排気時間は、比較例1および比較例2で使用した、残留ガス除去手段を持たない脱水焼結炉による多孔質母材の脱水焼結後に必要な排気時間に比べて極めて短いことが確認された。
1 光ファイバ用多孔質母材
2 炉心管
4 ヒータ
5 内圧計
7 圧力調整装置
8 ガス供給管
9 ガス排出管
10 内圧測定用配管
12 分岐管
13 ガス検知器
14 三方弁
15 バルブ
16 分岐管
17 蓋
18 排ガス処理装置
19 排ガス処理装置

Claims (7)

  1. 石英ガラス系光ファイバ用多孔質母材を脱水焼結するための炉心管と、炉心管内を加熱するためのヒータと、炉心管内にプロセスガスもしくは不活性ガスを供給するためのガス供給管と、炉心管内のガスを排出するためのガス排出管と、炉心管内の圧力を測定する内圧計と、炉心管と内圧計を繋ぐ内圧測定用配管とを備え、かつ前記炉心管には光ファイバ用多孔質母材の炉心管への挿入および炉心管からの抜去のために開閉される開閉部が設けられてなる脱水焼結炉において、
    多孔質母材の脱水焼結後に前記内圧測定用配管内に残留するガスを除去するための残留ガス除去手段を有し、
    前記残留ガス除去手段として、前記内圧測定用配管に不活性ガスの供給口が設けられており、そのガス供給口が不活性ガス供給源に繋がっていることを特徴とする光ファイバ用多孔質母材をガラス化するための脱水焼結炉。
  2. 請求項に記載の脱水焼結炉において、
    炉心管内のガス濃度を測定するためのガス検知器を備えていることを特徴とする光ファイバ用多孔質母材をガラス化するための脱水焼結炉。
  3. 脱水焼結炉を用いた光ファイバ用多孔質母材の脱水焼結方法において、
    前記脱水焼結炉は、石英ガラス系光ファイバ用多孔質母材を脱水焼結するための炉心管と、炉心管内を加熱するためのヒータと、炉心管内にプロセスガスもしくは不活性ガスを供給するためのガス供給管と、炉心管内のガスを排出するためのガス排出管と、炉心管内の圧力を測定する内圧計と、炉心管と内圧計を繋ぐ内圧測定用配管とを備え、かつ前記炉心管には光ファイバ用多孔質母材の炉心管への挿入および炉心管からの抜去のために開閉される開閉部が設けられてなり、多孔質母材の脱水焼結後に前記内圧測定用配管内に残留するガスを除去するための残留ガス除去手段を有し、
    炉心管内に光ファイバ用多孔質母材を挿入して炉心管内にプロセスガスを導入するとともに、炉心管内をヒータにより加熱して、光ファイバ用多孔質母材の脱水焼結を行う第1段階と、その第1段階終了後、炉心管の開閉部を開放する前に炉心管内に不活性ガスを導入して、炉心管内の残留ガスを追い出すとともに、前記残留ガス除去手段により前記内圧測定用配管内の残留ガスを除去する第2段階と、その後炉心管の開閉部を開放して多孔質母材を炉心管から取り出す第3段階とを有し、
    前記第2段階の実施にあたり、前記第1段階時よりもプロセスガスの排気量および不活性ガスの供給量を増やすことを特徴とする、光ファイバ用多孔質母材をガラス化するための脱水焼結方法。
  4. 脱水焼結炉を用いた光ファイバ用多孔質母材の脱水焼結方法において、
    前記脱水焼結炉は、石英ガラス系光ファイバ用多孔質母材を脱水焼結するための炉心管と、炉心管内を加熱するためのヒータと、炉心管内にプロセスガスもしくは不活性ガスを供給するためのガス供給管と、炉心管内のガスを排出するためのガス排出管と、炉心管内の圧力を測定する内圧計と、炉心管と内圧計を繋ぐ内圧測定用配管とを備え、かつ前記炉心管には光ファイバ用多孔質母材の炉心管への挿入および炉心管からの抜去のために開閉される開閉部が設けられてなり、多孔質母材の脱水焼結後に前記内圧測定用配管内に残留するガスを除去するための残留ガス除去手段を有し、
    炉心管内に光ファイバ用多孔質母材を挿入して炉心管内にプロセスガスを導入するとともに、炉心管内をヒータにより加熱して、光ファイバ用多孔質母材の脱水焼結を行う第1段階と、その第1段階終了後、炉心管の開閉部を開放する前に炉心管内に不活性ガスを導入して、炉心管内の残留ガスを追い出すとともに、前記残留ガス除去手段により前記内圧測定用配管内の残留ガスを除去する第2段階と、その後炉心管の開閉部を開放して多孔質母材を炉心管から取り出す第3段階とを有し、
    前記第2段階の実施にあたり、炉心管内の圧力を所定時間ごとに変化させることを特徴とする、光ファイバ用多孔質母材をガラス化するための脱水焼結方法。
  5. 請求項に記載の脱水焼結方法において、
    前記第2段階の実施にあたり、炉心管内の圧力を所定時間ごとに変化させる手段として、プロセスガス排気量を変化させることを特徴とする、光ファイバ用多孔質母材をガラス化するための脱水焼結方法。
  6. 請求項に記載の脱水焼結方法において、
    前記第2段階の実施にあたり、炉心管内の圧力を所定時間ごとに変化させる手段として、不活性ガス供給量を変化させることを特徴とする、光ファイバ用多孔質母材をガラス化するための脱水焼結方法。
  7. 請求項に記載の脱水焼結方法において、
    前記第2段階の実施にあたり、炉心管に供給する不活性ガスとしてヘリウムを使用することを特徴とする、光ファイバ用多孔質母材をガラス化するための脱水焼結方法。
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