JP5644677B2 - 有機ｅｌ装置 - Google Patents

Description

本発明は、塗布膜と蒸着膜とを備えた有機ＥＬ装置に関する。

上記有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置は、陽極と陰極との間に発光層などの機能膜が挟持された構造を有している。有機ＥＬ装置の製造方法としては、例えば、特許文献１に記載のように、基板上に設けられた陽極を囲むようにバンク（隔壁）を形成する。次に、バンクで囲まれた開口穴（発光領域）の中に、インクジェット法などを用いて有機膜形成材料を含む機能液を塗布し、その後乾燥させることにより機能膜を形成する。

また、特許文献２に記載のように、Ｒ（赤色）Ｇ（緑色）Ｂ（青色）のうちＢ（青色）の発光層の寿命を向上させるために、Ｒ（赤色）とＧ（緑色）を塗布法によって有機発光層を形成し、Ｂ（青色）を蒸着法によって無機発光層を形成する方法が用いられている。

特開２０００−２０８２５４号公報 特開平１０−１５３９６７号公報

しかしながら、上記特許文献１及び特許文献２に記載の方法では、バンクで囲まれた領域が発光するのみであり、Ｂ（青色）の輝度を下げて発光寿命を向上させるためには、更なるＢ（青色）の発光面積を増やすことが望まれている。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、基板上の第１電極を囲むように設けられた隔壁と、前記隔壁の開口部に設けられた第１発光層と、前記隔壁上に設けられた前記第１電極と極性が同じ第２電極と、前記第２電極を含む前記基板上の全体に設けられた第２発光層と、前記第２発光層を覆うように設けられた前記第１電極及び前記第２電極と極性が異なる第３電極と、を備えることを特徴とする。

この構成によれば、隔壁上に第２電極、第２発光層、第３電極が設けられているので、従来のように、バンクで囲まれた略同じ面積の開口部の領域のみが発光する場合と比較して、開口部以外の領域を発光させることが可能となり、発光面積を増やすことができる。よって、発光面積が増えた分、第２発光層による単位面積当たりの輝度を従来より低下させることが可能となり、第２発光層の寿命を従来より向上させることができる。

［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記第１発光層は塗布膜で構成されており、前記第２発光層は蒸着膜で構成されていることが好ましい。

この構成によれば、第２発光層が蒸着膜で構成されているので、塗布膜で構成された第１発光層の寿命と比較して、発光寿命を向上させることができる。

［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記第１発光層は、赤色及び緑色の少なくとも一方を発光する層であり、前記第２発光層は、青色を発光する層であることが好ましい。

この構成によれば、蒸着膜である第２発光層が青色の発光層なので、塗布膜である第１発光層（赤色や緑色）と比較して、第２発光層（青色）の発光寿命を向上させることができる。

［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記基板と前記隔壁との間に前記第２発光層の発光を制御するトランジスターが設けられており、前記第２電極と前記トランジスターとが、少なくとも２段のコンタクトホールによって電気的に接続されていることが好ましい。

この構成によれば、隔壁上に設けられた第２電極とトランジスターとが、２段のコンタクトホールによって接続されているので、１つのコンタクトホールでダイレクトに接続する場合と比較して、容易に効率よく形成することができる。

［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記隔壁は、前記基板上の駆動回路と、前記駆動回路と接続された配線と、キャパシタと、を含む領域と平面的に重なる領域に設けられていることが好ましい。

この構成によれば、ＴＦＴ、配線、キャパシタを含む領域と平面的に重なるように隔壁が設けられており、隔壁の開口部と平面的に重なる領域に上記配線などがなく凹凸が少ないので、開口部内に設けられた塗布膜の厚みを略均一に形成することができる。なお、隔壁上は、ＴＦＴや配線などの影響によって凸凹していても蒸着膜を設けるので、蒸着膜の厚みを略均一に形成することができる。その結果、有機ＥＬ装置全体を効率よく発光させることができる。

有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。 有機ＥＬ装置の表示領域（実表示領域）の構造を示す模式平面図。 図３に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図。 有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。 変形例の有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。また、本実施形態は、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置を例に説明する。

＜有機ＥＬ装置の構成＞
図１は、有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１を参照しながら説明する。

図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とを備えている。そして、走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が画素領域として構成されている。信号線１３は、信号線駆動回路１５に接続されている。また、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。

各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２（キャパシタ)と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３（駆動回路）とが設けられている。更に、各画素領域には、駆動用ＴＦＴ２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む陽極２４と、第３電極としての陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された機能層２６とが設けられている。

有機ＥＬ装置１１は、陽極２４と陰極２５と機能層２６とにより構成される発光素子２７を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７で構成される表示領域を備えている。

この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、更に、機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。

図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図２を参照しながら説明する。

図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、ガラス等からなる基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。

実表示領域３２ａ内には、光が射出されるサブ画素３４（発光領域）がマトリクス状に配列されている。この、サブ画素３４の各々は、スイッチング用ＴＦＴ２１及び駆動用ＴＦＴ２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色を発光する構成となっている。

ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿うように検査回路３５が配置されている。

基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。

図３は、有機ＥＬ装置の表示領域（実表示領域）の構造を示す模式平面図である。図４は、図３に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図３及び図４を参照しながら説明する。なお、図３及び図４は、各構成要素の位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。

まず、図４に示す断面図のように、有機ＥＬ装置１１は、基板３１と、基板３１上に形成された回路素子層４３と、回路素子層４３上に形成された発光素子層４４と、発光素子層４４上に形成された陰極（共通電極）２５とを有する。基板３１としては、例えば、透光性を有するガラス基板が挙げられる。

回路素子層４３には、基板３１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）からなる下地保護膜４５が形成され、下地保護膜４５上に駆動用ＴＦＴ２３が形成されている。詳しくは、下地保護膜４５上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜４６が形成されている。半導体膜４６には、ソース領域４７及びドレイン領域４８が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５１となっている。

更に、回路素子層４３には、下地保護膜４５及び半導体膜４６を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜５２が形成されている。ゲート絶縁膜５２上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などからなるゲート電極５３（走査線）が形成されている。

ゲート絶縁膜５２及びゲート電極５３上には、第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５が形成されている。第１層間絶縁膜５４及び第２層間絶縁膜５５は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）、チタン酸化膜（ＴｉＯ₂）などから構成されている。ゲート電極５３は、半導体膜４６のチャネル領域５１に対応する位置に設けられている。

第２層間絶縁膜５５上には、発光層６４（６４Ｒ，６４Ｇ，６４Ｂ）において発光した光を、陰極２５側に照射させるための反射層５９が設けられている。反射層５９上には、透明な第３層間絶縁膜５８が設けられている。

半導体膜４６のソース領域４７は、ゲート絶縁膜５２及び第１層間絶縁膜５４を貫通して設けられたコンタクトホール５６を介して、第１層間絶縁膜５４上に形成された信号線１３と電気的に接続されている。

発光素子層４４は、赤（Ｒ）を発光する赤色発光素子２７Ｒと、緑（Ｇ）を発光する緑色発光素子２７Ｇと、青（Ｂ）を発光する青色発光素子２７Ｂと、隔壁としてのバンク６２（６２ａ，６２ｂ，６２ｃ）とを有する。

赤色発光素子２７Ｒ及び緑色発光素子２７Ｇにおけるドレイン領域４８は、ゲート絶縁膜５２、第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５、反射層５９、第３層間絶縁膜５８を貫通して設けられたコンタクトホール５７を介して、第３層間絶縁膜５８上に設けられた第１電極としての第１陽極２４Ｒや第２陽極２４Ｇと電気的に接続されている。

一方、青色発光素子２７Ｂにおけるドレイン領域４８は、ゲート絶縁膜５２、第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５、反射層５９、第３層間絶縁膜５８、絶縁層６６、第２バンク６２ｂを貫通して設けられたコンタクトホール６８を介して、第２バンク６２ｂ上に設けられた第２電極としての第３陽極２４Ｂと電気的に接続されている。

赤色発光素子２７Ｒは、蒸着膜によってパターニングされた第１陽極２４Ｒと、塗布膜の第１正孔注入層６３Ｒと、塗布膜の第１発光層としての赤色発光層６４Ｒとを備えている。緑色発光素子２７Ｇも同様に、蒸着膜によってパターニングされた第２陽極２４Ｇと、塗布膜の第２正孔注入層６３Ｇと、塗布膜の第１発光層としての緑色発光層６４Ｇとを備えている。青色発光素子２７Ｂは、バンク６２（第１バンク６２ａ、第２バンク６２ｂ、第３バンク６２ｃ）上に蒸着膜によってパターニングされた第３陽極２４Ｂと、基板３１上の全面に蒸着された、蒸着膜である第２発光層としての青色発光層６４Ｂとを備えている。そして、これらの膜全体を覆うように、第１陽極２４Ｒ、第２陽極２４Ｇ、第３陽極２４Ｂと極性が異なる陰極２５が設けられている。第１陽極２４Ｒ〜第３陽極２４Ｂは、透明のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる。

バンク６２（６２ａ，６２ｂ，６２ｃ）は、回路素子層４３上において、回路素子層４３に設けられた走査線１２、信号線１３、電源線１４、駆動用ＴＦＴ２３などを含む領域と平面的に重なるように、略格子状に設けられている。なお、これらの配線は、一定の間隔をおいて設けられている。

具体的には、例えば、図４に示すように、信号線１３や電源線１４などの第１配線群７１と平面的に重なる領域には、第１バンク６２ａが設けられている。第２配線群７２から第３配線群７３に亘って広がる領域と平面的に重なる領域には、第２バンク６２ｂが設けられている。また、走査線１２などの第４配線群７４（図３参照）と平面的に重なる領域には、第３バンク６２ｃが設けられている。

赤色発光素子２７Ｒは、第１バンク６２ａと第２バンク６２ｂと第３バンク６２ｃとによって囲まれた領域に、第１陽極２４Ｒ、第１正孔注入層６３Ｒ、及び赤色発光層６４Ｒが設けられている。緑色発光素子２７Ｇも同様に、第１バンク６２ａと第２バンク６２ｂと第３バンク６２ｃとによって囲まれた領域に、第２陽極２４Ｇ、第２正孔注入層６３Ｇ、及び緑色発光層６４Ｇが設けられている。つまり、赤色発光素子２７Ｒ及び緑色発光素子２７Ｇは、バンク６２によって囲まれた領域が発光領域となる。

そして、青色発光素子２７Ｂは、第１バンク６２ａ上、第２バンク６２ｂ上、及び第３バンク６２ｃ上に、第３陽極２４Ｂが設けられている。更に、基板３１上の全面に亘って（ベタ成膜）青色発光層６４Ｂ（正孔注入層などを含む）及び陰極２５が設けられている。つまり、青色発光素子２７Ｂは、赤色発光素子２７Ｒ及び緑色発光素子２７Ｇの発光領域を除いた部分が発光領域となる。

よって、従来のように、バンク６２で囲まれた領域のみが発光領域となる場合と比較して、青色の発光領域を多くすることができる。これにより、多くなった面積分、青色発光の輝度を低下させることが可能となり、青色発光素子２７Ｂの寿命を向上させることができる。

回路素子層４３とバンク６２（６２ａ，６２ｂ，６２ｃ）との間には、絶縁層６６が形成されている。絶縁層６６としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）等の無機材料が挙げられる。絶縁層６６は、隣り合う陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ）間の絶縁性を確保すると共に、親液性を確保するために用いられ、陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ）の周縁部上に乗り上げるように形成されている。

バンク６２（６２ａ，６２ｂ，６２ｃ）は、例えば、断面に見て傾斜面を有する台形状である。バンク６２の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する有機材料が挙げられる。

なお、回路素子層４３には、図示しない保持容量及びスイッチング用のトランジスターが形成されている。また、上記したように、回路素子層４３には、各陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）に接続された駆動用のトランジスター（駆動用ＴＦＴ２３）が形成されている。

正孔注入層６３Ｒ，６３Ｇは、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層６３は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）などから構成することができる。

発光層６４は、正孔注入層６３の上に形成されており、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。

陰極２５は、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）層、カルシウム（Ｃａ）層及びアルミニウム（Ａｌ）層を積層した構成や、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）などの合金が挙げられる。

陰極２５の上には、水や酸素の侵入を防ぐための、樹脂などからなる封止部材及び封止基板（図示せず）が積層されている。陽極２４と、発光層（正孔注入層などを含む）と、陰極２５とによって発光素子２７が構成されている。

上述した各発光層６４は、陽極２４と陰極２５との間に電圧を印加することによって、発光層６４には、正孔注入層６３から正孔が、また、陰極２５から電子が注入される。発光層６４において、これらが結合したときに光を発する。以下、有機ＥＬ装置１１の製造方法を説明する。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
図５は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図である。図６は、有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図５及び図６を参照しながら説明する。なお、図６は、回路素子層４３などの図示を省略している。

まず、ステップＳ１１では、基板３１上に公知の成膜技術を用いて回路素子層４３を形成する（図４参照）。具体的には、基板３１上に駆動用ＴＦＴ２３や走査線１２や信号線１３などを形成する。

ステップＳ１２では、図６（ａ）に示すように、基板３１（第３層間絶縁膜５８）上における第１発光素子領域８１及び第２発光素子領域８２に、ＩＴＯからなる第１陽極２４Ｒ及び第２陽極２４Ｇを、蒸着法などを用いて形成する。

ステップＳ１３では、第１陽極２４Ｒ及び第２陽極２４Ｇの周縁部にバンク６２（第１バンク６２ａ、第２バンク６２ｂ、第３バンク６２ｃ）を形成する。具体的には、まず、バンク６２の材料である有機材料を、例えば、塗布法などにより、基板３１上を覆うように成膜する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、有機材料のうち第１発光素子領域８１及び第２発光素子領域８２に相当する部分を除去する。これにより、図６（ａ）に示すような、バンク６２ａ，６２ｂが完成する。有機材料としては、ポリイミドやアクリルなどが挙げられる。なお、バンク６２の高さは、例えば、２μｍである。

ステップＳ１４では、バンク６２の開口部６７に機能液２６ａを吐出する。具体的には、まず、バンク６２が形成された基板３１を洗浄する。その後、図６（ｂ）に示すように、機能液２６ａの液滴を、液滴吐出法（例えば、インクジェット法）を用いて、第１陽極２４Ｒ及び第２陽極２４Ｇを底部としバンク６２を側壁とする凹部に向けて吐出する。

ステップＳ１５では、図６（ｃ）に示すように、機能液２６ａを乾燥させて正孔注入層６３Ｒ，６３Ｇ（図４参照）や発光層６４Ｒ，６４Ｇを形成する。詳しくは、機能液２６ａを高温環境下又は減圧下で乾燥して溶媒を蒸発させて固形化する。これにより、開口部６７の中に正孔注入層６３Ｒ，６３Ｇや発光層６４Ｒ，６４Ｇが形成される。

ステップＳ１６では、図６（ｃ）に示すように、バンク６２（第１バンク６２ａ、第２バンク６２ｂ、第３バンク６２ｃ）上に蒸着法などを用いて第３陽極２４Ｂを形成する。ステップＳ１７では、図６（ｄ）に示すように、基板３１上の略全体に、蒸着法などを用いて青色発光層６４Ｂを形成する。

ステップＳ１８では、基板３１上の略全体に、例えば、カルシウム膜及びアルミニウム膜をこの順に、例えば蒸着法によって積層させることにより、陰極２５を形成する。

ステップＳ１９では、陰極２５上に、例えば、図６（ｅ）に示すように、接着剤及びガラス基板を用いて封止を行う。このようにして、有機ＥＬ装置１１が完成する。

また、上記した有機ＥＬ装置１１は、テレビ、携帯電話機、ディスプレイ、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器、照明機器、光プリンターの光源などの各種電子機器に用いることができる。

以上詳述したように、本実施形態の有機ＥＬ装置１１によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）本実施形態の有機ＥＬ装置１１によれば、バンク６２ａ，６２ｂ，６２ｃ上に、第３陽極２４Ｂ、青色発光層６４Ｂ、陰極２５が設けられているので、従来のように、バンクで囲まれた略同じ面積の開口部の領域のみが発光する場合と比較して、開口部以外の領域を発光させることが可能となり、発光面積を増やすことができる。よって、発光面積が増えた分、青色の単位面積当たりの輝度を従来より低下させることが可能となり、青色発光層６４Ｂの寿命を従来より向上させることができる。

（２）本実施形態の有機ＥＬ装置１１によれば、蒸着法によって青色発光層６４Ｂを形成し、塗布法によって赤色発光層６４Ｒ及び緑色発光層６４Ｇを形成するので、塗布法によって青色発光層を形成した場合と比較して、青色発光層６４Ｂの寿命を延ばすことができる。更に、青色発光層６４Ｂを除く発光層（赤色発光層６４Ｒ、緑色発光層６４Ｇ）を塗布法によって形成するので、全体の製造効率を高めることができる。

（３）本実施形態の有機ＥＬ装置１１によれば、駆動用ＴＦＴ２３、配線（走査線１２、信号線１３、電源線１４）、キャパシタ（保持容量２２）などを含む領域と平面的に重なるようにバンク６２が設けられており、バンク６２の開口部６７と平面的に重なる領域に上記配線などがなく凹凸が少ないので、開口部内に設けられた青色発光層６４Ｂの厚みを略均一に形成することができる。なお、バンク６２上は、駆動用ＴＦＴ２３や配線（１２，１３，１４）などの影響によって凸凹していても蒸着法によって青色発光層６４Ｂを形成するので、青色発光層６４Ｂの厚みを略均一に形成することができる。その結果、有機ＥＬ装置１１全体を効率よく発光させることができる。

なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例１）
上記したように、バンク６２上に形成された第３陽極２４Ｂと駆動用ＴＦＴ２３のドレイン領域４８とは、１つのコンタクトホール６８で電気的に接続することに限定されず、図７に示すような、二段のコンタクトホールによって接続するようにしてもよい。図７は、変形例の有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。

図７に示す有機ＥＬ装置１１１は、２つのコンタクトホール６８ａ，６８ｂを用いて、ドレイン領域４８と第３陽極２４Ｂとを電気的に接続している。１つ目のコンタクトホール６８ａは、ドレイン領域４８と、第１陽極２４Ｒ及び第２陽極２４Ｇと同層に設けられた導電膜２４ａとを電気的に接続している。２つ目のコンタクトホール６８ｂは、導電膜２４ａと、第２バンク６２ｂ上に設けられた第３陽極２４Ｂとを電気的に接続している。

このように、２つのコンタクトホール６８ａ，６８ｂを用いて接続するので、コンタクトホールを形成する過程において、コンタクトホールに生じる側面のテーパー長さを短くすることが可能となり、電気的な接続性を向上させることができる（確実に接続することができる）。よって、歩留まりを向上させることができる。また、１つ目のコンタクトホール６８ａのアルミニウム材料が剥き出しになることを防ぐことができる。また、１つのコンタクトホール６８によってダイレクトに接続する場合と比較して、加工が容易になり、製造効率を向上させることができる。

（変形例２）
上記した実施形態のように、機能層２６を挟持する電極は、基板３１側が陽極であり封止基板側が陰極である構造に限定されず、基板３１側が陰極であり封止基板側が陽極である構造（リバース構造）でもよい。

（変形例３）
上記したように、信号線１３、電源線１４、駆動用ＴＦＴ２３などを均等の間隔で配置していることに限定されず、例えば、塗布法で形成するＲ（赤色）とＧ（緑色）の発光素子領域には、機能層２６などを平坦化させるために、これらを発光素子領域の下方に配置しないよう、バンクの形成領域をＲＧＢの発光素子領域において偏らせるようにしてもよい。言い換えれば、Ｂ（青色）の発光素子領域の下方に配線やＴＦＴなどを集中して配置するようにする。これによれば、塗布法で形成した機能層２６の厚みが略均一になるので、発光品質を向上させることができる。

（変形例４）
上記したように、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置１１を例に説明してきたが、上記構造を、ボトムエミッション構造の有機ＥＬ装置に採用するようにしてもよい。なお、ボトムエミッション構造は、配線などによって光が遮蔽される領域が多くなるので、トップエミッション構造に上記構造を適用することが望ましい。

１１，１１１…有機ＥＬ装置、１２…走査線、１３…信号線、１４…電源線、１５…信号線駆動回路、１６…走査線駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…キャパシタとしての保持容量、２３…駆動用ＴＦＴ（駆動回路）、２４…陽極、２４ａ…導電膜、２４Ｒ…第１電極としての第１陽極、２４Ｇ…第１電極としての第２陽極、２４Ｂ…第２電極としての第３陽極、２５…第３電極としての陰極、２６…機能層、２６ａ…機能液、２７…発光素子、２７Ｒ…赤色発光素子、２７Ｇ…緑色発光素子、２７Ｂ…青色発光素子、３１…基板、３２…表示領域、３２ａ…実表示領域、３２ｂ…ダミー領域、３３…非表示領域、３４…サブ画素、３５…検査回路、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、４３…回路素子層、４４…発光素子層、４５…下地保護膜、４６…半導体膜、４７…ソース領域、４８…ドレイン領域、５１…チャネル領域、５２…ゲート絶縁膜、５３…ゲート電極、５４…第１層間絶縁膜、５５…第２層間絶縁膜、５６，５７，６８，６８ａ，６８ｂ…コンタクトホール、５８…第３層間絶縁膜、５９…反射膜、６２…隔壁としてのバンク、６２ａ…第１バンク、６２ｂ…第２バンク、６２ｃ…第３バンク、６３…正孔注入層、６３Ｒ…第１正孔注入層、６３Ｇ…第２正孔注入層、６４…発光層、６４Ｒ…第１発光層としての赤色発光層、６４Ｇ…第１発光層としての緑色発光層、６４Ｂ…第２発光層としての青色発光層、６６…絶縁層、６７…開口部、７１…第１配線群、７２…第２配線群、７３…第３配線群、７４…第４配線群、８１…第１発光素子領域、８２…第２発光素子領域。

Claims (3)

1. 基板上の第１電極を囲むように設けられた隔壁と、
   前記隔壁の開口部に設けられた赤色及び緑色の少なくとも一方を発光する第１発光層と、
   前記隔壁上に設けられた前記第１電極と極性が同じ第２電極と、
   前記第２電極を含む前記基板上の全体に設けられた青色を発光する第２発光層と、
   前記第２発光層を覆うように設けられた前記第１電極及び前記第２電極と極性が異なる第３電極と、
   を備え、
   前記基板と前記隔壁との間に前記第２発光層の発光を制御するトランジスターが設けられており、
   前記第２電極と前記トランジスターとが、少なくとも２段のコンタクトホールによって電気的に接続されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
2. 請求項１に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記第１発光層は塗布膜で構成されており、
   前記第２発光層は蒸着膜で構成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ装置であって、
   前記隔壁は、前記基板上の駆動回路と、前記駆動回路と接続された配線と、キャパシタと、を含む領域と平面的に重なる領域に設けられていることを特徴とする有機ＥＬ装置。

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