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JP5437111B2 - ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置 - Google Patents

ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置 Download PDF

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JP5437111B2
JP5437111B2 JP2010044434A JP2010044434A JP5437111B2 JP 5437111 B2 JP5437111 B2 JP 5437111B2 JP 2010044434 A JP2010044434 A JP 2010044434A JP 2010044434 A JP2010044434 A JP 2010044434A JP 5437111 B2 JP5437111 B2 JP 5437111B2
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bonding
adhesive
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美希 林
剛一 井上
雄一郎 宍戸
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Nitto Denko Corp
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    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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Description

本発明は、ボンディングワイヤーによりリードフレーム等の被着体と電気的に接続された半導体チップ等の半導体素子上に、他の半導体素子を接着させるために用いるダイボンドフィルムに関する。また、前記ダイボンドフィルムとダイシングフィルムとが積層されたダイシング・ダイボンドフィルムに関する。更に、前記ダイボンドフィルム又はダイシング・ダイボンドフィルムを用いて製造された半導体装置に関する。
近年、電子機器の高機能化等に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、半導体パッケージの大容量高密度化が進んでいる。このような要求に対応するため、例えば半導体チップの上に他の半導体チップを多段階に積層することで、半導体パッケージの小型化、薄型化、大容量化を実現する方法が検討されている。通常、このような半導体パッケージでは、半導体チップと基板を電気的に接続する方式として、ボンディングワイヤーを用いたワイヤーボンディング法が広く採用されている。
ここで、基板上に実装された半導体チップ上に他の半導体チップをダイボンディングする際には、当該半導体チップ上のワイヤーボンディング用の電極パッドを避けて他の半導体チップをダイボンディングする必要がある。その為、例えば、図８（ａ）に示すように、基板１０１上に接着剤１０４等により搭載された半導体チップ１０２よりも面積の小さい他の半導体チップ１０３を用いて、半導体チップ１０２と基板１０１をボンディングワイヤー１０５により電気的に接続させる領域を確保する方法が採用されている（下記特許文献１の図５参照）。
また、図８（ｂ）に示すように、基板１０１上に搭載された半導体チップ１０２と同程度の面積の他の半導体チップ１０３を積層させる場合には、半導体チップ１０２と他の半導体チップ１０３との間に、半導体チップ１０２等よりも面積の小さいスペーサ１０６を介在させる方法も採用されている（下記特許文献１の図４参照）。これにより、半導体チップ１０２と基板１０１とを電気的に接続させるボンディングワイヤー１０５に他の半導体チップ１０３が重なるのを防止している。しかし、この方法の場合、半導体チップ１０２上にスペーサ１０６を設ける工程が新たに必要になる。また、ボンディングワイヤー１０５と他の半導体チップ１０３との接触を防止するため、スペーサ１０６の厚さを十分に大きくする必要がある。その結果、この方法では半導体装置の薄型化に不向きであるという問題がある。
この様な問題を解決するため、基板１０１とボンディングワイヤー１０５により電気的に接続された半導体チップ１０２上に、他の半導体チップ１０３との間に十分な距離を確保し得る量のダイボンド樹脂を塗布して、当該ダイボンド樹脂からなる固定用接着層を形成し、前記他の半導体チップ１０３を積層させる方法が開示されている（特許文献１の図１参照）。しかしながら、この方法によっても、固定用接着層上に他の半導体チップ１０３をダイボンディングする際に、当該他の半導体チップ１０３の裏面とボンディングワイヤー１０５が接触し、ボンディングワイヤー１０５が変形したり、切断する場合がある。その結果、基板１０１と半導体チップ１０２の電気的な接続を保持することが困難になり、歩留まりが低下するという問題がある。
特開２００１−３０８２６２号公報
本発明は前記の問題点に鑑みなされたものであり、ボンディングワイヤーにより被着体と電気的に接続された半導体素子上に、他の半導体素子を接着させるためのダイボンドフィルムであって、前記ボンディングワイヤーの変形や切断を防止して、他の半導体素子の搭載を可能にし、これにより半導体装置の製造歩留まりの向上が図れるダイボンドフィルム、及びダイシング・ダイボンドフィルムを提供することを目的とする。また、本発明は前記ダイボンドフィルム又はダイシング・ダイボンドフィルムを用いて製造することにより、信頼性に優れた半導体装置を提供することを目的とする。
本願発明者等は、前記従来の課題を解決すべく、ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置について検討した。その結果、ダイボンドフィルムを、ボンディングワイヤーの一部を内部に通過させることが可能な第一接着剤層と、半導体素子上に搭載される他の半導体素子がボンディングワイヤーと接触するのを防止する第二接着剤層とを少なくとも備えた構成にすることにより、前記の目的を達することを見出して、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明に係るダイボンドフィルムは、前記の課題を解決する為に、ボンディングワイヤーにより被着体と電気的に接続された半導体素子上に、他の半導体素子を接着させるためのダイボンドフィルムであって、圧着の際に前記ボンディングワイヤーの一部を埋没させて内部に通過させることを可能にする第一接着剤層と、前記他の半導体素子がボンディングワイヤーと接触するのを防止する第二接着剤層とが少なくとも積層されたものであることを特徴とする。
前記構成によれば、前記第一接着剤層は、ダイボンドフィルムを前記半導体素子上に圧着させる際に、ボンディングワイヤーの一部を埋没させて、その内部に通過させることを可能にするので、従来の半導体装置の様に、半導体素子と他の半導体素子の間に、当該半導体素子等よりも面積の小さいスペーサを介在させる必要がない。また、前記他の半導体素子のサイズを半導体素子よりも小さくして、ボンディングワイヤー用電極パッドのための領域を確保する必要もない。また、第一接着剤層上には、前記他の半導体素子がボンディングワイヤーと接触するのを防止する第二接着剤層が設けられているので、前記他の半導体素子をダイボンディングする際にボンディングワイヤーが変形したり、切断するのを防止することができる。その結果、半導体素子と被着体との電気的な接続を良好に保持することが可能になり、信頼性に優れた半導体装置の製造を可能にする。
前記の構成に於いて、前記第一接着剤層及び第二接着剤層は、それぞれ少なくともエポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂により形成されており、前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の合計重量をＸ重量部とし、アクリル樹脂の重量をＹ重量部としたとき、前記第一接着剤層におけるＸ／（Ｘ＋Ｙ）が０．５以上０．９５以下の範囲内であり、前記第二接着剤層におけるＸ／（Ｘ＋Ｙ）が０．１５以上０．５未満の範囲内であることが好ましい。前記第一接着剤層におけるエポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂の配合量に関し、前記Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）を０．５以上にして、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計重量をアクリル樹脂の重量よりも多くすることで、圧着の際にボンディングワイヤーの一部を埋没させることができる。これにより、第一接着剤層の内部にボンディングワイヤーを通過させた状態で半導体素子上にダイボンドフィルムを貼り付けることができる。その一方、前記Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）を０．９５以下にすることで、圧着の際に第一接着剤層がはみ出すのを防止し、被着体側のワイヤーボンディング用の電気的端子が塞がれるのを防ぐことができる。また、前記第二接着剤層におけるエポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂の配合量に関し、前記Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）を０．５未満にして、アクリル樹脂の重量をエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計重量よりも多くすることで、半導体素子上に他の半導体素子をダイボンディングする際に、ボンディングワイヤーが他の半導体素子に接触するのを防止することができる。その一方、前記Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）を０．１５以上にすることにより、半導体ウェハとの接着性を良好な状態にすることができる。
前記の構成に於いては、前記ダイボンドフィルムの総厚が４０μｍ〜１２０μｍの範囲内であり、前記第一接着剤層の厚さをｄ１（μｍ）とし、第二接着剤層の厚さをｄ２（μｍ）としたとき、ｄ１／（ｄ１＋ｄ２）が０．６以上０．９５以下の範囲内であることが好ましい。総厚が４０〜１２０μｍの範囲内のダイボンドフィルムにおいて、前記ｄ１／（ｄ１＋ｄ２）を０．６以上にすることにより、半導体素子と被着体を電気的に接続させているボンディングワイヤーが第二接着剤層側に突出するのを防止し、当該ボンディングワイヤーの埋め込みを第一接着剤層の内部にとどめることができる。また、前記ｄ１／（ｄ１＋ｄ２）を０．９５以下にすることにより、第二接着剤層が他の半導体素子とボンディングワイヤーとの接触防止を確保することができる。
前記の構成に於いては、前記第一接着剤層の熱硬化前の１２０℃における剪断損失弾性率Ｇ”が５×１０２Ｐａ以上１．５×１０４Ｐａ以下の範囲内であり、前記第二接着剤層の熱硬化前の１２０℃における剪断損失弾性率Ｇ”が２×１０４Ｐａ以上１×１０６Ｐａ以下の範囲内であることが好ましい。第一接着剤層の熱硬化前の１２０℃における剪断損失弾性率Ｇ”を５×１０２Ｐａ以上１．５×１０４Ｐａ以下にすることにより、半導体素子上にダイボンドフィルムを圧着させる際に、ボイド（気泡）を発生させることなくボンディングワイヤーを埋没させることができると共に、第一接着剤層のはみ出しも防止することができる。その一方、第二接着剤層の熱硬化前の１２０℃における剪断損失弾性率Ｇ”を２×１０４Ｐａ以上１×１０６Ｐａ以下にすることにより、半導体素子上に他の半導体素子をダイボンディングする際に、第一接着剤層中に埋没しているボンディングワイヤーの一部が、他の半導体素子の裏面と接触するのを防止することができる。
前記の構成に於いては、前記第一接着剤層における金属イオンの含有量が１００ｐｐｍ以下であることが好ましい。これにより、第一接着剤層の内部を通過させるボンディングワイヤーが複数の場合にも、これらのボンディングワイヤー間で電気的な干渉が発生するのを防止することができ、高信頼性の半導体装置の製造を可能にする。
更に、前記の構成において、前記第二接着剤層、又は当該第二接着剤層上にその他の接着剤層を設ける場合は、当該その他の接着剤層の少なくとも何れかに、染料又は顔料の少なくとも何れかが含有されていることが好ましい。これにより、ダイボンドフィルムの表裏の識別を容易にし、かつ他の種類のダイボンドフィルムとの区別も容易にすることができる。その結果、半導体装置の製造プロセスにおいてダウンタイムの短縮を可能にし、歩留まりの向上が図れる。
前記の構成に於いては、前記第一接着剤層のガラス転移温度が２０℃〜６０℃であり、前記第二接着剤層のガラス転移温度が６０℃以下であることが好ましい。第一接着剤層のガラス転移温度を２０〜６０℃の範囲内にすることにより、例えば、ダイシングフィルムとの剥離力を制御し、良好なピックアップ性を確保することができる。また、第二接着剤層のガラス転移温度を６０℃以下にすることにより、シリコンウェハに対する接着力を確保することができる。
前記の構成に於いては、熱硬化後の１７５℃における引張貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下の範囲内であることが好ましい。これにより、吸湿信頼性を確保することができる。
また、本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルムは、前記の課題を解決する為に、基材上に少なくとも粘着剤層が設けられたダイシングフィルムと、前記粘着剤層上に設けられた前記ダイボンドフィルムとを有することを特徴とする。
また、本発明に係る半導体装置は、前記の課題を解決する為に、前記に記載のダイボンドフィルム、又は前記に記載のダイシング・ダイボンドフィルムにより製造されたものであることを特徴とする。これにより、スペーサを用いず、ボンディングワイヤーの一部が第一接着剤層の内部に埋め込まれ、かつ第二接着剤層によりボンディングワイヤーと他の半導体素子とが接触するのを防止して三次元実装された高信頼性の半導体装置を提供することができる。
本発明によれば、第一接着剤層がダイボンドフィルムを半導体素子上に圧着させる際に、ボンディングワイヤーの一部を埋没させて、その内部に通過させることが可能であるので、従来の半導体装置の様に、半導体素子と他の半導体素子の間に、当該半導体素子等よりも面積の小さいスペーサを介在させる必要がない。更に、前記他の半導体素子のサイズを半導体素子よりも小さくして、ボンディングワイヤー用電極パッドのための領域を確保する必要もない。また、第二接着剤層がボンディングワイヤーと他の半導体素子との接触を防止するので、ボンディングワイヤーが変形したり、切断するのを防止することができる。その結果、半導体素子と被着体との電気的な接続を保持することが可能になり、信頼性に優れた半導体装置の製造を可能にする。
本発明の実施の一形態に係るダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 前記ダイボンドフィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを表す断面模式図である。 前記ダイシング・ダイボンドフィルム上に半導体ウェハをマウントした様子を表す断面模式図である。 前記半導体ウェハをダイシングする様子を表す断面模式図である。 被着体上にダイボンディングされた半導体素子を表す断面模式図である。 前記半導体素子上に前記ダイボンドフィルムを介して他の半導体素子をダイボンディングした様子を表す断面模式図である。 前記半導体素子及び他の半導体素子を樹脂封止した様子を表す断面模式図である。 従来のダイボンドフィルムを用いて半導体チップ上に他の半導体チップを三次元実装した例を示す断面模式図である。
本実施の形態に係るダイボンドフィルムについて、以下に説明する。図１は、本実施の形態に係るダイボンドフィルムを概略的に示す断面模式図である。
図１に示すように、ダイボンドフィルム１０は少なくとも第一接着剤層１と第二接着剤層２が積層された構造である。但し、適宜必要に応じて他の接着剤層が積層された構成であってもよい。この場合、他の接着剤層は、第二接着剤層２上に設けられるのが好ましい。
前記第一接着剤層１及び第二接着剤層２はそれぞれ、少なくともエポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂により形成されているのが好ましい。但し、前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の合計重量をＸ重量部とし、アクリル樹脂の重量をＹ重量部としたとき、前記第一接着剤層１におけるＸ／（Ｘ＋Ｙ）は０．５以上０．９５以下の範囲内が好ましく、０．５１以上０．９４以下の範囲内がより好ましく、０．５２以上０．９３以下の範囲内が更に好ましい。前記Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）を０．５以上にすることにより、ボンディングワイヤーにて被着体と電気的に接続された半導体素子上に、ダイボンドフィルム１０を圧着する際に、当該ボンディングワイヤーを第一接着剤層１中に埋没させることを可能にする。その一方、前記Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）を０．９５以下にすることにより、前記圧着の際に第一接着剤層１がはみ出すのを防止し、被着体側のワイヤーボンディング用の電気的端子が塞がれるのを防ぐことができる。
また、前記第二接着剤層におけるＸ／（Ｘ＋Ｙ）は、０．１５以上０．５未満の範囲内が好ましく、０．１６以上０．４９未満の範囲内がより好ましく、０．１７以上０．４８未満の範囲が更に好ましい。前記Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）を０．１５以上にすることにより、半導体ウェハとの接着性を良好にすることができる。その一方、前記Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）を０．５未満にすることにより、半導体素子上に他の半導体素子をダイボンディングする際に、第一接着剤層１の内部に埋め込まれているボンディングワイヤーの一部が他の半導体素子の裏面に接触するのを防止することができる。これにより、ボンディングワイヤーの変形や切断を防止し、高信頼性の半導体装置を製造することができる。
前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。尚、エポキシ樹脂は、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ない。
更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうち、下記化学式で表されるビフェニル型フェノールノボラック樹脂や、フェノールアラルキル樹脂が好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
Figure 0005437111
 尚、前記ｎは０〜１０の自然数であることが好ましく、０〜５の自然数であることがより好ましい。前記数値範囲内にすることにより、ダイボンドフィルム１０の流動性の確保が図れる。
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
本実施の形態に於いては、ダイボンドフィルム１０の構成材料として熱硬化触媒を使用してもよい。前記熱硬化触媒としては特に限定されず、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、トリフェニルボラン系化合物、トリハロゲンボラン系化合物等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
前記イミダゾール系化合物としては、２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ）、２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１−Ｚ）、２−ヘプタデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１７Ｚ）、１，２−ジメチルイミダゾール（商品名；１．２ＤＭＺ）、２−エチル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｅ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール（商品名；２ＰＺ）、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＺ）、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＭＺ）、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＰＺ）、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト（商品名；２ＰＺＣＮＳ−ＰＷ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；Ｃ１１Ｚ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２Ｅ４ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物（商品名；２ＭＡ−ＯＫ）、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２ＰＨＺ−ＰＷ）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ）等が挙げられる（いずれも四国化成工業（株）製）。
前記トリフェニルフォスフィン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリフェニルフォスフィン、トリブチルフォスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）フォスフィン、トリ（ノニルフェニル）フォスフィン、ジフェニルトリルフォスフィン等のトリオルガノフォスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド（商品名；ＴＰＰ−ＰＢ）、メチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＢ）、メチルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＭＣ）、メトキシメチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＯＣ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＺＣ）等が挙げられる（いずれも北興化学社製）。また、前記トリフェニルフォスフィン系化合物としては、エポキシ樹脂に対し実質的に非溶解性を示すものであることが好ましい。エポキシ樹脂に対し非溶解性であると、熱硬化が過度に進行するのを抑制することができる。トリフェニルフォスフィン構造を有し、かつエポキシ樹脂に対し実質的に非溶解性を示す熱硬化触媒としては、例えば、メチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＢ）等が例示できる。尚、前記「非溶解性」とは、トリフェニルフォスフィン系化合物からなる熱硬化触媒がエポキシ樹脂からなる溶媒に対し不溶性であることを意味し、より詳細には、温度１０〜４０℃の範囲において１０重量％以上溶解しないことを意味する。
前記トリフェニルボラン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリフェニルボラン構造とトリフェニルフォスフィン構造を有するものも含まれる。当該トリフェニルボラン構造及びトリフェニルフォスフィン構造を有する化合物としては特に限定されず、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−Ｋ）、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレート（商品名；ＴＰＰ−ＭＫ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−ＺＫ）、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン（商品名；ＴＰＰ−Ｓ）等が挙げられる（いずれも北興化学(株)製）。
前記アミノ系化合物としては特に限定されず、例えば、モノエタノールアミントリフルオロボレート（ステラケミファ（株）製）、ジシアンジアミド（ナカライテスク（株）製）等が挙げられる。
前記トリハロゲンボラン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリクロロボラン等が挙げられる。
前記熱硬化触媒の配合割合としては、有機成分１００重量部に対し０．０１〜１重量部の範囲内が好ましく、０．０１〜０．５重量部の範囲内がより好ましく、０．０１〜０．４重量部の範囲内が特に好ましい。配合割合を０．０１重量部以上にすることにより、ダイボンディング時においては未反応であったエポキシ基同士を、例えば、後硬化工程までには重合させ、当該未反応のエポキシ基を低減ないは消失させることができる。その結果、半導体素子上に他の半導体素子を確実に接着固定させ剥離のない半導体装置の製造が可能になる。その一方、配合割合を１重量部以下にすることにより、硬化阻害の発生を防止することができる。
前記アクリル樹脂としては、例えば、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。
また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
更に、前記アクリル樹脂としてはアクリル共重合体が好ましい。当該アクリル共重合体に用いるモノマー成分としては特に限定されず、例えば、ブチルアクリレート、エチルアクリレート等が挙げられる。本発明に於いては、全モノマー成分に対し、１０〜６０重量％の範囲内のブチルアクリレートと、４０〜９０重量％の範囲内のエチルアクリレートとを含み構成される共重合体が好ましい。
また、前記モノマー成分と共重合可能な他のモノマー成分としては特に限定されず、例えば、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分の使用量は、全モノマー成分に対し１〜２０重量％の範囲内であることが好ましい。当該数値範囲内の他のモノマー成分を含有させることにより、凝集力、接着性などの改質が図れる。
アクリル共重合体の重合方法としては特に限定されず、例えば、溶液重合法、隗状重合法、懸濁重合法、乳化重合法等の従来公知の方法を採用することができる。
前記アクリル共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、−３０〜３０℃であることが好ましく、−２０〜１５℃であることがより好ましい。前記ガラス転移温度を−３０℃以上にすることにより耐熱性が確保され得る。その一方、３０℃以下にすることにより、表面状態が粗い半導体ウェハにおけるダイシング後のチップ飛びの防止効果が向上する。
前記アクリル共重合体の重量平均分子量は、１０万以上であることが好ましく、６０万〜１２０万であることがより好ましく、７０万〜１００万であることが特に好ましい。重量平均分子量を１０万以上にすることにより、配線基板等の被着体や半導体素子、半導体ウェハ表面に対する高温時の接着性に優れ、かつ、耐熱性も向上させることができる。尚、重量平均分子量が１２０万以下にすることにより、容易に有機溶剤への溶解することができる。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロトマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
前記ダイボンドフィルム１０においては、無機フィラー又は有機フィラー等のフィラーが含有されていてもよい。取り扱い性及び熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、並びにチキソトロピック性の付与等の観点からは、無機フィラーが好ましい。但し、第一接着剤層１においては、その内部に複数のボンディングワイヤーの一部が埋没されており、これらのボンディングワイヤーが相互に電気的に干渉するのは好ましくない。従って、第一接着剤層１に対しては、導電性が付与され得る無機フィラーの添加は好ましくない。
前記無機フィラーとしては特に限定されず、例えば、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、三酸化アンチモン、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化ホウ素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。熱伝導性の向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶質シリカ等が好ましい。また、ダイボンドフィルム１０の接着性とのバランスの観点からは、シリカが好ましい。また、前記有機フィラーとしては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ナイロン、シリコーン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
前記フィラーの平均粒径は、０．００５〜１０μｍが好ましく、０．０５〜１μｍがより好ましい。フィラーの平均粒径が０．００５μｍ以上であると、被着体に対する濡れ性を良好なものにし、接着性の低下を抑制することができる。その一方、前記平均粒径を１０μｍ以下にすることにより、フィラーの添加によるダイボンドフィルム１０に対する補強効果を高め、耐熱性の向上が図れる。尚、平均粒径が相互に異なるフィラー同士を組み合わせて使用してもよい。また、フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。
フィラーの含有量は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂の合計１００重量部に対し、０重量部を超えて８０重量部以下であることが好ましく、０重量部を超えて７０重量部以下であることがより好ましい。フィラーの含有量が０重量部であるとフィラー添加による補強効果がなく、ダイボンドフィルム１０の耐熱性が低下する場合がある。その一方、含有量が８０重量部を超えると半導体素子や半導体ウェハに対する濡れ性が低下し、接着性が低下する場合がある。
前記フィラーの形状は特に限定されず、例えば球状、楕円体状のものを使用することができる。
前記ダイボンドフィルム１０を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。また架橋剤は、第一接着剤層１及び第二接着剤層２の双方に対して添加してもよく、いずれか一方にのみ添加してもよい。
前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。
また、ダイボンドフィルム１０には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。
前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
前記第一接着剤層１の熱硬化前の１２０℃における剪断損失弾性率Ｇ”は、５×１０２Ｐａ以上１．５×１０４Ｐａ以下の範囲内が好ましく、５×１０２Ｐａ以上１．２×１０４Ｐａ以下の範囲内がより好ましく、５×１０２Ｐａ以上１×１０４Ｐａ以下の範囲内が更に好ましい。前記剪断損失弾性率Ｇ”を５×１０２Ｐａ以上にすることにより、半導体素子上にダイボンドフィルム１０を圧着する際に、第一接着剤層１のはみ出しを防止し、被着体側のワイヤーボンディング用の電気的端子を塞ぐのを防止することができる。その一方、前記剪断損失弾性率Ｇ”を１．５×１０４Ｐａ以下にすることにより、前記圧着の際に、ボイド（気泡）を発生させることなく第一接着剤層１中にボンディングワイヤーを埋没させることができる。
前記第二接着剤層２の熱硬化前の１２０℃における剪断損失弾性率Ｇ”は、２×１０４Ｐａ以上１×１０６Ｐａ以下の範囲内が好ましく、２×１０４Ｐａ以上８×１０５Ｐａ以下の範囲内がより好ましく、２×１０４Ｐａ以上５×１０５Ｐａ以下の範囲内が更に好ましい。前記剪断損失弾性率Ｇ”を２×１０４Ｐａ以上にすることにより、半導体素子上に他の半導体素子をダイボンディングする際に、第一接着剤層１中に埋没しているボンディングワイヤーの一部が、他の半導体素子の裏面と接触するのを防止することができる。その一方、前記剪断損失弾性率Ｇ”を１×１０６Ｐａ以下にすることにより、半導体ウェハとの密着性を確保することができる。尚、第一接着剤層１及び第二接着剤層の剪断損失弾性率Ｇ”の値は、例えば、後述の方法により測定することが可能である。
本実施の形態に係るダイボンドフィルム１０を半導体素子上にダイボンディングしたときの仮固着時の第一接着剤層１の剪断接着力は、当該半導体素子に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、０．２〜１０ＭＰａであることがより好ましい。前記剪断接着力を０．２ＭＰａ以上にすることにより、ダイボンドフィルム１０を加熱して完全に熱硬化させることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、第一接着剤層１と半導体素子の間や、第二接着剤層２と他の半導体素子の間の接着面でずり変形を生じることがない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子等が動くことがなく、これにより、ワイヤーボンディングの成功率が低下するのを抑制することができる。
第二接着剤層２上に半導体ウェハをマウントしたときの当該第二接着剤層２と半導体ウェハの界面の１８０度ピール剥離力は、０．５Ｎ／１０ｍｍ以上であることが好ましく、１Ｎ／１０ｍｍ以上であることがより好ましく、１．５Ｎ／１０ｍｍ以上であることが更に好ましい。１８０度ピール剥離力を０．５Ｎ／１０ｍｍ以上にすることにより、半導体ウェハをダイボンドフィルム１０と共にブレードダイシングを行い、半導体素子を形成する際、当該半導体素子のチップ飛びが発生するのを低減することができる。尚、前記１８０度ピール剥離力は第二接着剤層２の熱硬化前の値である。
前記ダイボンドフィルム１０の総厚は、４０〜１２０μｍの範囲内が好ましい。総厚を４０μｍ以上にすることにより、ボンディングワイヤーの埋め込みを可能にする。その一方、１２０μｍ以下にすることにより、半導体装置の薄型化が図れる。また、第一接着剤層１の厚さをｄ１（μｍ）とし第二接着剤層２の厚さをｄ２（μｍ）としたとき、ｄ１／（ｄ１＋ｄ２）は０．６以上０．９５以下の範囲内が好ましく、０．６以上０．９以下の範囲内がより好ましく、０．７以上０．９以下の範囲内が更に好ましい。前記ｄ１／（ｄ１＋ｄ２）を０．６以上にすることにより、第一接着剤層１の内部に埋没されているボンディングワイヤーが第二接着剤層２側に突出するのを防止し、他の半導体素子とボンディングワイヤーとの接触を防ぐことができる。その一方、前記ｄ１／（ｄ１＋ｄ２）を０．９５以下にすることにより、ボンディングワイヤーが第二接着剤層２側に突出した場合にも、他の半導体素子とボンディングワイヤーとの接触の防止が図れる。
前記第一接着剤層１における金属イオンの含有量は１００ｐｐｍ以下が好ましく、８０ｐｐｍ以下がより好ましい。金属イオンの含有量を１００ｐｐｍ以下にすることにより、第一接着剤層１の内部を通過させるボンディングワイヤーが複数の場合にも、これらのボンディングワイヤー間で電気的な干渉が発生するのを防止することができ、高信頼性の半導体装置の製造を可能にする。尚、前記金属イオンは、例えば、後述の染料や顔料に由来するものを意味する。
前記第二接着剤層２には、染料又は顔料の少なくとも何れかが含有されていることが好ましい。これにより、ダイボンドフィルム１０の表裏の識別を容易にし、かつ他の種類のダイボンドフィルムとの区別も容易にすることができる。その結果、半導体装置の製造プロセスにおいてダウンタイムの短縮を可能にし、歩留まりの向上が図れる。尚、その他の接着剤層を第二接着剤層２上に積層する場合は、当該その他の接着剤層中にも染料や顔料を添加してもよい。
前記染料としては特に限定されず、具体的には、例えば、ニトロ染料、ニトロソ染料、スチルベン染料、ピラゾロン染料、チアゾール染料、アゾ染料、ポリアゾ染料、カルボニウム染料、キノアニル染料、インドフェノール染料、インドアニリン染料、インダミン染料、キノンイミン染料、アジン染料、酸化染料、オキサジン染料、チアジン染料、アクリジン染料、ジフェニルメタン染料、トリフェニルメタン染料、キサンテン染料、チオキサンテン染料、硫化染料、ピリジン染料、ピリドン染料、チアジアゾール染料、チオフェン染料、ベンゾイソチアゾール染料、ジシアノイミダゾール染料、ベンゾピラン染料、ベンゾジフラノン染料、キノリン染料、インジゴ染料、チオインジゴ染料、アントラキノン染料、ベンゾフェノン染料、ベンゾキノン染料、ナフトキノン染料、フタロシアニン染料、シアニン染料、メチン染料、ポリメチン染料、アゾメチン染料、縮合メチン染料、ナフタルイミド染料、ペリノン染料、トリアリールメタン染料、ザンセン染料、アミノケトン染料、オキシケトン染料、及びインジゴイド染料などが挙げられる。これらの染料は、単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
前記染料の配合量は、第二接着剤層２の全成分１００重量部に対して、０．１〜１重量部の範囲内が好ましく、０．１〜０．８重量部の範囲内が好ましい。前記配合量を０．１重量部以上にすることにより、第二接着剤層２の識別を一層容易にすることができる。その一方、前記配合量を１重量部以下にすることにより、不純物イオンを低減させることができる。
前記顔料としては特に限定されず、具体的には、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、タルク、シェンナ、アンバー、カオリン、炭酸カルシウム、酸化鉄、ランプブラック、ファーネスブラック、アイボリーブラック、黒鉛、フラーレン、カーボンブラック、ヴィリジアン、コバルトブルー、エメラルドグリーン、コバルトグリーン、フタロシアニングリーン、フタロシアニンブルー、ミロリブルー、ファストイエロー、ジスアゾイエロー、縮合アゾイエロー、ベンゾイミダゾロンイエロー、ジニトロアニリンオレンジ、ペンズイミダゾロンオレンジ、ペリノンオレンジ、トルイジンレッド、パーマネントカーミン、アントラキノニルレッド、パーマネントレッド、ナフトールレッド、縮合アゾレッド、ベンズイミダゾロンカーミン、ベンズイミダゾロンブラウン、アントラピリミジンイエロー、キノフタロンイエロー、コバルト紫、マンガン紫等が挙げられる。これらの顔料は、単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
前記顔料の配合量は、第二接着剤層２の全成分１００重量部に対して、０．３〜５重量部の範囲内が好ましく、０．３〜３重量部の範囲内が好ましい。前記配合量を０．３重量部以上にすることにより、第二接着剤層２の識別を一層容易にすることができる。その一方、前記配合量を５重量部以下にすることにより、不純物イオンを低減させることができる。
前記顔料の平均粒径は０．０１μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましく、０．０１μｍ〜５μｍの範囲内であることがより好ましい。前記数値範囲内にすることにより、顔料を均一に分散させることができる。尚、顔料の平均粒径は、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。
前記第一接着剤層１及び第二接着剤層２の少なくとも何れかの体積抵抗率は、１×１０１１Ω・ｃｍ以上であることが好ましく、１×１０１２Ω・ｃｍ以上であることがより好ましい。体積抵抗率を１×１０１１Ω・ｃｍ以上にすることにより、第一接着剤層１及び第二接着剤層２の充分な絶縁性を得ることができる。また、第一接着剤層１及び第二接着剤層２の少なくとも何れかの比誘電率は４．５以下であることが好ましく、４以下であることがより好ましい。比誘電率を４．５以下にすることにより、電気特性の低下を防ぐことができる。更に、第一接着剤層１及び第二接着剤層２の少なくとも何れかの誘電正接は０．０１以下であることが好ましく、０．０２以上であることがより好ましい。誘電正接を０．０１以下にすることにより、電気特性の低下を防ぐことができる。
前記第一接着剤層１のガラス転移温度は２０℃〜６０℃の範囲が好ましく、２０℃〜５０℃の範囲がより好ましい。前記ガラス転移温度を２０℃〜６０℃の範囲内にすることにより、例えば、ダイシングフィルム１２との剥離力を制御し、良好なピックアップ性を確保することができる。また、前記第二接着剤層２のガラス転移温度は６０℃以下が好ましく、５０℃以下がより好ましい。前記ガラス転移温度を６０℃以下にすることにより、シリコンウェハに対する接着力を確保することができる。
また、ダイボンドフィルム１０は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルムを保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、ダイシングフィルムにダイボンドフィルム１０を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイボンドフィルム上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。
（ダイボンドフィルムの製造方法）
第一接着剤層１を形成する為の第一接着剤組成物をシリコーン離型処理等が施された第一離型処理フィルム上に所定厚みとなる様に塗布し、更に所定条件下で乾燥して第一接着剤層を形成する。乾燥条件は適宜必要に応じて設定し得る。一方、第二接着剤層２を形成する為の第二接着剤組成物をシリコーン離型処理等が施された第二離型処理フィルム上に所定厚みとなる様に塗布し、更に所定条件下で乾燥して第二接着剤層を形成する。乾燥条件は適宜必要に応じて設定し得る。前記第一離型処理フィルム及び第二離型処理フィルムとしては特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート等からなるフィルムが挙げられる。
更に、前記第一接着剤層と第二接着剤層とが貼り合わせ面となる様に両者を貼り合わせ、本実施の形態に係るダイボンドフィルム１０を作製することができる。
（ダイシング・ダイボンドフィルム）
次に、前記ダイボンドフィルム１０を備えたダイシング・ダイボンドフィルムについて説明する。図２は、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを概略的に表す断面模式図である。
図２（ａ）に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１１は、ダイシングフィルム１２上に前記ダイボンドフィルム１０が積層された構造を有する。前記ダイシングフィルム１２は、基材１３上に少なくとも粘着剤層１４が積層された構造を有する。ダイボンドフィルム１０は、前記粘着剤層１４のダイボンドフィルムの貼り付け部分１４ａ上に積層されている。また本発明は、図２（ｂ）に示すように、粘着剤層１４の全面にダイボンドフィルム１０’を積層した構成のダイシング・ダイボンドフィルム１１’でもよい。
前記基材１３はダイシング・ダイボンドフィルム１１、１１’の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロピレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。粘着剤層１４が紫外線硬化型である場合、基材１３は紫外線に対し透過性を有するものが好ましい。
また基材１３の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１３を熱収縮させることにより粘着剤層１４とダイボンドフィルム１０、１０’との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。
基材１３の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
前記基材１３は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材１３には、帯電防止能を付与する為、前記の基材１３上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材１３は単層又は２種以上の複層でもよい。
基材１３の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。
尚、基材１３には、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤（例えば、着色剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤等）が含まれていてもよい。
前記粘着剤層１４が紫外線硬化型粘着剤により形成されている場合、紫外線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができるので、図２（ｂ）に示す粘着剤層１４の半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分１４ａのみを紫外線照射することにより他の部分１４ｂとの粘着力の差を設けることができる。
また、図２（ａ）に示すダイボンドフィルム１０に合わせて紫外線硬化型の粘着剤層１４を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分１４ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分１４ａにダイボンドフィルム１０が貼付けられる為、粘着剤層１４の前記部分１４ａと第一接着剤層１との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、紫外線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分１４ｂを形成する。
前述の通り、図２（ｂ）に示すダイシング・ダイボンドフィルム１１’の粘着剤層１４に於いて、未硬化の紫外線硬化型粘着剤により形成されている前記部分１４ｂはダイボンドフィルム１０と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に紫外線硬化型粘着剤は、半導体チップを基板等の被着体に固着する為のダイボンドフィルム１０を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。図２（ａ）に示すダイシング・ダイボンドフィルム１１の粘着剤層１４に於いては、前記部分１４ｂがダイシングリングを固定することができる。前記被着体６としては特に限定されず、例えば、ＢＧＡ基板等の各種基板、リードフレーム、半導体素子、スペーサ等が挙げられる。
前記紫外線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の紫外線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の紫外線硬化型粘着剤を例示できる。
前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
前記アクリル系ポリマーとしては、アクリル酸エステルと、ヒドロキシル基含有モノマーとを含むモノマー組成物からなるものが挙げられる。但し、カルボキシル基含有モノマーは含まないことが好ましい。
前記アクリル酸エステルとしては、化学式ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数６〜１０、より好ましくは炭素数８〜９のアルキル基である。）で表されるモノマーを用いることが好ましい。炭素数が６未満であると、剥離力が大きくなり過ぎてピックアップ性が低下する場合がある。その一方、炭素数が１０を超えると、ダイボンドフィルムとの接着性又は密着性が低下し、その結果、ダイシングの際にチップ飛びが発生する場合がある。
前記化学式で表されるモノマーとしては、例えば、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸ヘプチル、アクリル酸オクチル、アクリル酸イソオクチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸ノニル、アクリル酸イソノニル、アクリル酸デシル、アクリル酸イソデシル等が挙げられる。これらのモノマーのうち、前記アルキル基のＲの炭素数が８〜９のモノマーが好ましく、具体的にはアクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸イソオクチルが好ましい。尚、前記に例示したモノマーは、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、前記アクリル酸エステルの含有量は、全モノマー成分に対し５０重量％〜９９重量％が好ましく、７０〜９０重量％がより好ましい。含有量が５０重量％未満であると、剥離力が大きくなり過ぎ、ピックアップ性が低下する場合がある。但し、９９重量％を超えると、粘着性が低下しダイシングの際にチップ飛びが発生する場合がある。
前記アクリル系ポリマーは、前記化学式で表されるモノマー以外のアクリル酸エステルをモノマー成分として含んでもよい。この様なアクリル酸エステルとしては、前記化学式で表されるモノマー以外のアクリル酸アルキルエステルの他、芳香族環を有するアクリル酸エステル（例えば、アクリル酸フェニル等のアクリル酸アリールエステル等）、脂環式炭化水素基を有するアクリル酸エステル（例えば、アクリル酸シクロペンチル、アクリル酸シクロヘキシル等のアクリル酸シクロアルキルエステルや、アクリル酸イソボルニル等）等が挙げられる。これらのモノマー成分のうち、前記アクリル酸アルキルエステル、アクリル酸シクロアルキルエステルが好適であり、アクリル酸アルキルエステルが特に好適である。例示したアクリル酸エステルは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
前記化学式で表されるモノマー以外のアクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸ｓ−ブチル、アクリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸ペンチル、アクリル酸イソペンチル等のアルキル基の炭素数が５以下のアクリル酸アルキルエステル；アクリル酸ウンデシル、アクリル酸ドデシル、アクリル酸トリデシル、アクリル酸テトラデシル、アクリル酸ヘキサデシル、アクリル酸オクタデシル、アクリル酸エイコシル等のアルキル基の炭素数が１１以上（好ましくは１１〜３０）のアクリル酸アルキルエステル等が挙げられる。
尚、前記化学式で表されるモノマー等のアクリル酸アルキルエステルは、直鎖状、分岐状の何れの形態のアクリル酸アルキルエステルであってもよい。
前記アクリル系ポリマーは、前記アクリル酸エステルと共重合可能なヒドロキシル基含有モノマーを必須成分として含む。ヒドロキシル基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらのモノマーは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
前記ヒドロキシル基含有モノマーの含有量は、全モノマー成分に対し１〜３０重量％の範囲内であることが好ましく、３〜１０重量％の範囲内であることがより好ましい。含有量が１重量％未満であると、粘着剤の凝集力が低下し、ピックアップ性が低下する場合がある。その一方、含有量が３０重量％を超えると、粘着剤の極性が高くなり、ダイボンドフィルムとの相互作用が高くなることにより剥離が困難になる。
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記アクリル酸エステルやヒドロキシル基含有モノマーと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様な他のモノマー成分としては、例えば、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸イソプロピル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸イソブチル、メタクリル酸ｓ−ブチル、メタクリル酸ｔ−ブチル等のメタクリル酸エステル；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体；エチレン、ブタジエン、イソプレン、イソブチレン等のオレフィン又はジエン類；塩化ビニル等のハロゲン原子含有単量体；フッ素（メタ）アクリレート等のフッ素原子含有単量体；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。
前記アクリル系ポリマーは、前述した通り、カルボキシル基含有モノマーを含まないことが好ましい。カルボキシル基含有モノマーを含むと、カルボキシル基とダイボンドフィルム１０中のエポキシ樹脂のエポキシ基とが反応することにより、粘着剤層１４とダイボンドフィルム１０との接着性が大きくなり、両者の剥離性が低下するからである。この様なカルボキシル基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等が挙げられる。
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合（例えば、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等）、乳化重合、塊状重合、懸濁重合、光重合（例えば、紫外線（ＵＶ）重合）等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３５万〜１００万、より好ましくは４５万〜８０万程度である。
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。
配合する前記紫外線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また紫外線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
また、紫外線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の紫外線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の紫外線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の紫外線硬化型粘着剤は、低分子量成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計において容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の紫外線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
前記内在型の紫外線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。紫外線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
前記紫外線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
また紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。
前記粘着剤層１４に前記部分１４ａを形成する方法としては、基材１３に紫外線硬化型の粘着剤層１４を形成した後、前記部分１４ａに部分的に紫外線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な紫外線照射は、半導体ウェハ貼り付け部分１０ａ以外の部分１０ｂ等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。紫外線硬化型の粘着剤層１４の形成は、セパレータ上に設けたものを基材１３上に転写することにより行うことができる。部分的な紫外線硬化はセパレータ上に設けた紫外線硬化型の粘着剤層１４に行うこともできる。
ダイシング・ダイボンドフィルム１０の粘着剤層１４に於いては、前記部分１４ａの粘着力＜その他の部分１４ｂの粘着力、となるように粘着剤層１４の一部を紫外線照射してもよい。即ち、基材１３の少なくとも片面の、半導体ウェハ貼り付け部分１０ａに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに紫外線硬化型の粘着剤層１４を形成した後に紫外線照射して、半導体ウェハ貼り付け部分１０ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分１４ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作製することができる。これにより、効率よく本発明のダイシング・ダイボンドフィルム１０を製造可能である。
ダイシング・ダイボンドフィルム１１において、粘着剤層１４における前記部分１４ａの第一接着剤層１に対する粘着力は、前記他の部分１４ｂのダイシングリングに対する粘着力よりも小さくなる様に設計されていることが好ましい。第一接着剤層１に対する前記部分１４ａの粘着力は、０．５Ｎ／２０ｍｍ以下が好ましく、０．０１〜０．４２Ｎ／２０ｍｍがより好ましく、０．０１〜０．３５Ｎ／２０ｍｍが更に好ましい。一方、ダイシングリングに対する前記他の部分１４ｂの粘着力は、０．５〜２０Ｎ／２０ｍｍが好ましい。前記部分１４ａが低いピール粘着力であっても、前記他の部分１４ｂの粘着力によりチップ飛びなどの発生を抑え、ウェハ加工に充分な保持力を発揮させることができる。尚、これらの粘着力は、常温（２３℃）、剥離角度９０度、引張（剥離）速度３００ｍｍ／分における測定値に基づく。
ダイシング・ダイボンドフィルム１１’において、粘着剤層１４における前記部分１４ａの第一接着剤層１に対する粘着力は、前記他の部分１４ｂの半導体ウェハ貼り付け部分１ａとは異なる部分１ｂに対する粘着力よりも小さくなる様に設計されていることが好ましい。常温（２３℃）での粘着力（剥離角度９０度、剥離速度３００ｍｍ／分）に基づいて、前記部分１４ａの粘着力は、ウェハの固定保持力や形成したチップの回収性などの点より０．０１Ｎ／２０ｍｍ〜０．２Ｎ／２０ｍｍであることが好ましい。粘着力が０．０１Ｎ／２０ｍｍ未満であると半導体素子の接着固定が不十分となるため、ダイシングの際にチップ飛びを生じる場合がある。また、粘着力が０．２Ｎ／２０ｍｍを超えると粘着剤層１４は第一接着剤層１を過度に接着し過ぎるため、半導体素子のピックアップが困難になる場合がある。
また、前記ダイシング・ダイボンドフィルム１１、１１’において、第二接着剤層２の半導体ウェハに対する粘着力は、第一接着剤層１の前記部分１４ａに対する粘着力よりも大きくなるように設計するのが好ましい。半導体ウェハに対する粘着力は、その種類に応じて適宜に調整される。第一接着剤層１の前記部分１４ａに対する粘着力（常温（２３℃）、剥離角度９０度、剥離速度３００ｍｍ／分）は、０．５Ｎ／２０ｍｍ以下が好ましく、０．０１〜０．４２Ｎ／２０ｍｍがより好ましく、０．０１〜０．３５Ｎ／２０ｍｍが更に好ましい。一方、第二接着剤層２の半導体ウェハに対する粘着力（常温（２３℃）、剥離角度９０度、剥離速度３００ｍｍ／分）は、ダイシング時、ピックアップ時、ダイボンド時の信頼性、ピックアップ性の点から１０〜５０Ｎ／２０ｍｍ以下が好ましく、１０〜３０Ｎ／２０ｍｍがより好ましい。
尚、紫外線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、紫外線硬化型の粘着剤層１４の表面から酸素（空気）を遮断するのが望ましい。その方法としては、例えば粘着剤層１４の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の紫外線の照射を行う方法等が挙げられる。
粘着剤層１４の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には５〜２５μｍが好ましい。また、粘着剤層１４は単層であってもよく、複数層が積層されたものであってもよい。
粘着剤層１４の剪断貯蔵弾性率は、２３℃及び１５０℃に於いて５×１０４〜１×１０１０Ｐａであることが好ましく、１×１０５〜１×１０８Ｐａであることがより好ましい。剪断貯蔵弾性率が５×１０４Ｐａ未満であると、粘着剤層１４とダイボンドフィルム１０、１０’の剥離が困難になる場合がある。その一方、剪断貯蔵弾性率が１×１０１０Ｐａを超えると、粘着剤層１４とダイボンドフィルム１０、１０’の間の密着性が低下する場合がある。粘着剤層１４の剪断貯蔵弾性率は、次の通りにして得られる値である。即ち、先ず粘着剤層を厚さ約１．５ｍｍ、直径７．９ｍｍの円筒状に成形する。次に、動的粘弾性測定装置としてレオメトリックサイエンティフィック社製のＡＲＥＳ粘弾性測定装置を用いて、各粘着剤層をパラレルプレートの治具に取り付け、周波数１Ｈｚの剪断歪を与えながら、２３℃から１５０℃の温度範囲を昇温速度５℃／ｍｉｎで温度変化させる。このときの弾性率を測定することで２３℃及び１５０℃での剪断貯蔵弾性率が得られる。尚、粘着剤層１４が放射線硬化型である場合、前記剪断貯蔵弾性率の値は放射線硬化後の値である。また、剪断貯蔵弾性率は、例えば、外部架橋剤の添加により適宜調整することができる。
尚、粘着剤層１４には、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤（例えば、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、粘着付与剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤等）が含まれていてもよい。
本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０は、次の様にすることで作製することができる。
先ず、基材１３を従来公知の製膜方法により製膜する。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
次に、基材１３上に粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）粘着剤層１４を形成する。塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、塗布は直接基材１３上に行ってもよく、表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布後、基材１３に転写してもよい。
続いて、ダイボンドフィルム１０における第一接着剤層１と粘着剤層１４が貼り合わせ面となる様に両者を貼り合わせる。また、ダイボンドフィルム１０の貼り合わせは、粘着剤層１４におけるダイボンドフィルムの貼り付け部分１４ａに行う。これにより、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０を得ることができる。
（半導体装置の製造方法）
次に、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１１を用いた半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１１は、複数の半導体チップを被着体上に積層して三次元実装をする場合に好適に用いることができる。より詳細には、被着体上に既にダイボンディングされ、かつボンディングワイヤーにより当該被着体と電気的に接続された半導体チップ上に、他の半導体チップを実装する場合（FoW（Film on Wire））に好適である。以下では、複数の半導体チップを三次元実装する場合を例にして説明する。図３はダイボンドフィルムを介して半導体素子を実装した例を示す断面模式図である。
先ず、図３に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１１に於ける第二接着剤層２上に半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（マウント工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。圧着の際の温度は適宜必要に応じて設定されるものであり、通常は４０℃〜１００℃の範囲内であることが好ましい。また、圧力も適宜必要に応じて設定されるものであり、通常は０．１ＭＰａ〜１ＭＰａの範囲内であることが好ましい。尚、半導体ウェハ４が貼り合わせられたダイシング・ダイボンドフィルム１１の粘着剤層１４周辺部にはダイシングリング１７が貼り付けられている。
次に、図４に示すように、半導体ウェハ４のダイシングを行う（ダイシング行程）。これにより、半導体ウェハ４を所定のサイズに切断して個片化し、前記他の半導体チップ５を形成する。ダイシングは、例えば半導体ウェハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、切り込み深さは、ダイシングフィルム１２まで行われるのが好ましい。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、切断後においても半導体チップ５は、ダイシング・ダイボンドフィルム１１により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、他の半導体チップ５の破損も低減できる。
ダイシング・ダイボンドフィルム１１に接着固定された他の半導体チップ５を、ダイボンドフィルム１０（第一接着剤層１及び第二接着剤層２）と共にダイシングフィルムから剥離する為にピックアップを行う（ピックアップ工程）。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の他の半導体チップ５をダイシング・ダイボンドフィルム１１側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。また、ピックアップ条件も適宜必要に応じて設定され得る。更に、ピックアップは、粘着剤層１４における前記ダイボンドフィルムの貼り付け部分１４ａが予め紫外線硬化されているので、粘着剤層１４に対し紫外線を照射させることなく行うことができる。但し、粘着剤層１４に対して紫外線を照射をすることにより、ダイボンドフィルムに対する粘着力を一層低減させてピックアップを行ってもよい。
次に、図５及び図６に示すように、ダイボンドフィルム付きの他の半導体チップ５を、既に被着体６上に他のダイボンドフィルム８を用いてダイボンディングされている半導体チップ１５上にダイボンディングする（ダイボンド工程）。ダイボンド工程は、ボンディングワイヤー７の一部が第一接着剤層１の内部に埋没する様に、圧着により行われる。また、ダイボンドフィルム１０は第二接着剤層２を備えているので、ボンディングワイヤー７が他の半導体チップ５の裏面に接触することがない。ダイボンド条件は適宜必要に応じて設定することができるが、通常は、ダイボンド温度８０〜１６０℃、ボンディング圧力０．０５ＭＰａ〜１ＭＰａ、ボンディング時間０．１秒〜１０秒の範囲内で行うことができる。
続いて、ダイボンドフィルム１０を加熱処理することによりこれを熱硬化させ、半導体チップ１５上に他の半導体チップ５を接着させる（熱硬化工程）。加熱処理条件としては、温度８０〜１８０℃の範囲内であり、かつ、加熱時間０．１〜２４時間、好ましくは０．１〜４時間、より好ましくは０．１〜１時間の範囲内であることが好ましい。
次に、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と他の半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続するワイヤーボンディング工程を行う。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着エネルギーの併用により行われる。
ここで、熱硬化後のダイボンドフィルム１０は、１７５℃において０．０１ＭＰａ以上の剪断接着力を有していることが好ましく、０．０１〜５ＭＰａがより好ましい。熱硬化後の１７５℃における剪断接着力を０．０１ＭＰａ以上にすることにより、ワイヤーボンディング工程の際の超音波振動や加熱に起因して、ダイボンドフィルム１０と他の半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形が生じるのを防止できる。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことがなく、これにより、ワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。
尚、ワイヤーボンディング工程は、前記熱硬化工程によりダイボンドフィルム１０を熱硬化させることなく行ってもよい。この場合、ダイボンドフィルム１０’の２５℃における剪断接着力は、前述の通り、半導体チップ１５に対し０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、０．２〜１０ＭＰａであることがより好ましい。これにより、ダイボンドフィルム１０を完全に熱硬化させることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム１０と半導体チップ１５又は他の半導体チップ５との接着面でずり変形を生じることがない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことがなく、これにより、ワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。尚、未硬化のダイボンドフィルム１０は、ワイヤーボンディング工程を行っても完全に熱硬化することはない。
続いて、図７に示すように、封止樹脂９により半導体チップ１５等を封止する（封止工程）。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ１５等やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂９としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム１０が熱硬化されていない場合は当該ダイボンドフィルム１０も熱硬化させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いてダイボンドフィルム１０を熱硬化させて接着させることが可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。
前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂９を完全に硬化させる。封止工程に於いてダイボンドフィルム１０が熱硬化されない場合でも、本工程に於いて封止樹脂９の硬化と共にダイボンドフィルム１０を熱硬化させて接着固定が可能になる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定するものではない。また、部とあるのは、重量部を意味する。
（実施例１）
［第一接着剤層の作製］
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、商品名；パラクロンＷ−１９７ＣＭ）１００部、エポキシ樹脂Ａ（ＪＥＲ（株）製、商品名；エピコート１００４）２４２部、エポキシ樹脂Ｂ（ＪＥＲ（株）製、商品名；エピコート８２７）２２０部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、商品名；ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）４８９部、平均粒径５００ｎｍの球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−２５Ｒ）６６０部、熱硬化触媒としての２−ウンデシルイミダゾール（四国化成工業（株）製、商品名；Ｃ１１−Ｚ）３部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の第一接着剤組成物を調製した。
この第一接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルムＡ（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ６０μｍの第一接着剤層を作製した。
［第二接着剤層の作製］
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製、商品名；ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００Ｈ）１０部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、商品名；ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）１０部、アクリル樹脂としてのアクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、商品名；ＳＧ−８０Ｈ）１００部、球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−２５Ｒ）６３部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の第二接着剤組成物を調製した。
この第二接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルムＢ（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ１０μｍの第二接着剤層を作製した。
［ダイボンドフィルムの作製］
前記離型処理フィルムＡ上に形成された第一接着剤層と、離型処理フィルムＢ上に形成された第二接着剤層とを、第一接着剤層及び第二接着剤層が貼り合わせ面となる様にして貼り合わせ、離型処理フィルムＡと離型処理フィルムＢの間に厚さ７０μｍのダイボンドフィルムを形成した。貼り合わせ条件は、温度８０℃、貼り合わせ圧力０．３ＭＰａ、ラミネート速度１０ｍｍ／ｓｅｃとした。
（実施例２）
［第一接着剤層の作製］
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、商品名；パラクロンＷ−１９７ＣＭ）１００部、エポキシ樹脂Ａ（ＪＥＲ（株）製、商品名；エピコート１００４）５３部、エポキシ樹脂Ｂ（ＪＥＲ（株）製、商品名；エピコート８２７）５６部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、商品名；ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）１４６部、球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−２５Ｒ）１５０部、熱硬化触媒としての２−ウンデシルイミダゾール（四国化成工業（株）製、商品名；Ｃ１１−Ｚ）３部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の第一接着剤組成物を調製した。
この第一接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルムＡ（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ６０μｍの第一接着剤層を作製した。
［第二接着剤層の作製］
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製、商品名；ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００Ｈ）２０部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、商品名；ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）１６部、アクリル樹脂としてのアクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、商品名；ＳＧ−８０Ｈ）１００部、球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−２５Ｒ）６０部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の第二接着剤組成物を調製した。
この第二接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルムＢ（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ１０μｍの第二接着剤層を作製した。
［ダイボンドフィルムの作製］
前記離型処理フィルムＡ上に形成された第一接着剤層と、離型処理フィルムＢ上に形成された第二接着剤層とを、第一接着剤層及び第二接着剤層が貼り合わせ面となる様にして貼り合わせ、離型処理フィルムＡと離型処理フィルムＢの間に厚さ７０μｍのダイボンドフィルムを形成した。貼り合わせ条件は、温度８０℃、貼り合わせ圧力０．３ＭＰａ、ラミネート速度１０ｍｍ／ｓｅｃとした。
（実施例３）
［第一接着剤層の作製］
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、商品名；パラクロンＷ−１９７ＣＭ）１００部、エポキシ樹脂Ａ（ＪＥＲ（株）製、商品名；エピコート１００４）３３部、エポキシ樹脂Ｂ（ＪＥＲ（株）製、商品名；エピコート８２７）３６部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、商品名；ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）７６部、球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−２５Ｒ）１００部、熱硬化触媒としての２−ウンデシルイミダゾール（四国化成工業（株）製、商品名；Ｃ１１−Ｚ）３部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の第一接着剤組成物を調製した。
この第一接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルムＡ（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ６０μｍの第一接着剤層を作製した。
［第二接着剤層の作製］
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製、商品名；ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００Ｈ）４４部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、商品名；ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）５４部、アクリル樹脂としてのアクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、商品名；ＳＧ−８０Ｈ）１００部、球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−２５Ｒ）１００部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の第二接着剤組成物を調製した。
この第二接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルムＢ（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ１０μｍの第二接着剤層を作製した。
［ダイボンドフィルムの作製］
前記離型処理フィルムＡ上に形成された第一接着剤層と、離型処理フィルムＢ上に形成された第二接着剤層とを、第一接着剤層及び第二接着剤層が貼り合わせ面となる様にして貼り合わせ、離型処理フィルムＡと離型処理フィルムＢの間に厚さ７０μｍのダイボンドフィルムを形成した。貼り合わせ条件は、温度８０℃、貼り合わせ圧力０．３ＭＰａ、ラミネート速度１０ｍｍ／ｓｅｃとした。
（実施例４）
［第一接着剤層の作製］
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、商品名；パラクロンＷ−１９７ＣＭ）１００部、エポキシ樹脂Ａ（ＪＥＲ（株）製、商品名；エピコート１００４）２４２部、エポキシ樹脂Ｂ（ＪＥＲ（株）製、エピコート８２７）２２０部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、商品名；ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）４８９部、球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−２５Ｒ）６６０部、熱硬化触媒としての２−ウンデシルイミダゾール（四国化成工業（株）製、商品名；Ｃ１１−Ｚ）３部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の第一接着剤組成物を調製した。
この第一接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルムＡ（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ６０μｍの第一接着剤層を作製した。
［第二接着剤層の作製］
アクリル樹脂としてのアクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、商品名；ＳＧ−８０Ｈ）１００部、球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−２５Ｒ）５０部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の第二接着剤組成物を調製した。
この第二接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルムＢ（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ１０μｍの第二接着剤層を作製した。
［ダイボンドフィルムの作製］
前記離型処理フィルムＡ上に形成された第一接着剤層と、離型処理フィルムＢ上に形成された第二接着剤層とを、第一接着剤層及び第二接着剤層が貼り合わせ面となる様にして貼り合わせ、離型処理フィルムＡと離型処理フィルムＢの間に厚さ７０μｍのダイボンドフィルムを形成した。貼り合わせ条件は、温度８０℃、貼り合わせ圧力０．３ＭＰａ、ラミネート速度１０ｍｍ／ｓｅｃとした。
（実施例５）
［第一接着剤層の作製］
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、商品名；パラクロンＷ−１９７ＣＭ）１００部、エポキシ樹脂Ａ（ＪＥＲ（株）製、商品名；エピコート１００４）２３部、エポキシ樹脂Ｂ（ＪＥＲ（株）製、商品名；エピコート８２７）２６部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、商品名；ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）５２部、球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−２５Ｒ）１２０部、熱硬化触媒としての２−ウンデシルイミダゾール（四国化成工業（株）製、Ｃ１１−Ｚ）３部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の第一接着剤組成物を調製した。
この第一接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルムＡ（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ６０μｍの第一接着剤層を作製した。
［第二接着剤層の作製］
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製、商品名；ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００Ｈ）１０部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、商品名；ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）１０部、アクリル樹脂としてのアクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、商品名；ＳＧ−８０Ｈ）１００部、球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−２５Ｒ）６３部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の第二接着剤組成物を調製した。
この第二接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルムＢ（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ１０μｍの第二接着剤層を作製した。
［ダイボンドフィルムの作製］
前記離型処理フィルムＡ上に形成された第一接着剤層と、離型処理フィルムＢ上に形成された第二接着剤層とを、第一接着剤層及び第二接着剤層が貼り合わせ面となる様にして貼り合わせ、離型処理フィルムＡと離型処理フィルムＢの間に厚さ７０μｍのダイボンドフィルムを形成した。貼り合わせ条件は、温度８０℃、貼り合わせ圧力０．３ＭＰａ、ラミネート速度１０ｍｍ／ｓｅｃとした。
（実施例６）
［第一接着剤層の作製］
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル共重合体としてのアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、商品名；パラクロンＷ−１９７ＣＭ）１００部、エポキシ樹脂Ａ（ＪＥＲ（株）製、商品名；エピコート１００４）２４２部、エポキシ樹脂Ｂ（ＪＥＲ（株）製、商品名；エピコート８２７）２２０部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、商品名；ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）４８９部、球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−２５Ｒ）６６０部、熱硬化触媒としての２−ウンデシルイミダゾール（四国化成工業（株）製、商品名；Ｃ１１−Ｚ）３部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の第一接着剤組成物を調製した。
この第一接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルムＡ（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ６０μｍの第一接着剤層を作製した。
［第二接着剤層の作製］
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製、商品名；ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００Ｈ）８０部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、商品名；ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）８６部、アクリル樹脂としてのアクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、商品名；ＳＧ−８０Ｈ）１００部、球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−２５Ｒ）６０部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の第二接着剤組成物を調製した。
この第二接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルムＢ（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ１０μｍの第二接着剤層を作製した。
［ダイボンドフィルムの作製］
前記離型処理フィルムＡ上に形成された第一接着剤層と、離型処理フィルムＢ上に形成された第二接着剤層とを、第一接着剤層及び第二接着剤層が貼り合わせ面となる様にして貼り合わせ、離型処理フィルムＡと離型処理フィルムＢの間に厚さ７０μｍのダイボンドフィルムを形成した。貼り合わせ条件は、温度８０℃、貼り合わせ圧力０．３ＭＰａ、ラミネート速度１０ｍｍ／ｓｅｃとした。
（実施例７）
［第一接着剤層の作製］
本実施例に係る第一接着剤層については、実施例１と同様のものを用いた。
［第二接着剤層の作製］
本実施例に係る第二接着剤層は、厚さを３０μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様にして離型処理フィルムＢ上に形成した。
［ダイボンドフィルムの作製］
前記離型処理フィルムＡ上に形成された第一接着剤層と、離型処理フィルムＢ上に形成された第二接着剤層とを、第一接着剤層及び第二接着剤層が貼り合わせ面となる様にして貼り合わせ、離型処理フィルムＡと離型処理フィルムＢの間に厚さ９０μｍのダイボンドフィルムを形成した。貼り合わせ条件は、実施例１と同様にした。
（実施例８）
［第一接着剤層の作製］
本実施例に係る第一接着剤層については、実施例１と同様のものを用いた。
［第二接着剤層の作製］
本実施例に係る第二接着剤層は、厚さを５μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様にして離型処理フィルムＢ上に形成した。
［ダイボンドフィルムの作製］
前記離型処理フィルムＡ上に形成された第一接着剤層と、離型処理フィルムＢ上に形成された第二接着剤層とを、第一接着剤層及び第二接着剤層が貼り合わせ面となる様にして貼り合わせ、離型処理フィルムＡと離型処理フィルムＢの間に厚さ６５μｍのダイボンドフィルムを形成した。貼り合わせ条件は、実施例１と同様にした。
（実施例９）
［第一接着剤層の作製］
本実施例に係る第一接着剤層については、実施例１と同様のものを用いた。
［第二接着剤層の作製］
本実施例に係る第二接着剤層は、厚さを２μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様にして離型処理フィルムＢ上に形成した。
［ダイボンドフィルムの作製］
前記離型処理フィルムＡ上に形成された第一接着剤層と、離型処理フィルムＢ上に形成された第二接着剤層とを、第一接着剤層及び第二接着剤層が貼り合わせ面となる様にして貼り合わせ、離型処理フィルムＡと離型処理フィルムＢの間に厚さ６２μｍのダイボンドフィルムを形成した。貼り合わせ条件は、実施例１と同様にした。
（実施例１０）
［第一接着剤層の作製］
本実施例に係る第一接着剤層については、実施例１と同様のものを用いた。
［第二接着剤層の作製］
本実施例に係る第二接着剤層は、厚さを６０μｍに変更したこと以外は、実施例１と同様にして離型処理フィルムＢ上に形成した。
［ダイボンドフィルムの作製］
前記離型処理フィルムＡ上に形成された第一接着剤層と、離型処理フィルムＢ上に形成された第二接着剤層とを、第一接着剤層及び第二接着剤層が貼り合わせ面となる様にして貼り合わせ、離型処理フィルムＡと離型処理フィルムＢの間に厚さ１２０μｍのダイボンドフィルムを形成した。貼り合わせ条件は、実施例１と同様にした。
（実施例１１）
［第一接着剤層の作製］
本実施例に係る第一接着剤層については、実施例１と同様のものを用いた。
［第二接着剤層の作製］
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製、商品名；ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−７２００Ｈ）１０部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、商品名；ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）１０部、アクリル樹脂としてのアクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、商品名；ＳＧ−８０Ｈ）１００部、染料（オリエント化学工業（株）製、商品名；ＯＩＬ ＲＥＤ ３３０）０．５部、球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−２５Ｒ）６３部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の第二接着剤組成物を調製した。
この第二接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルムＢ（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ１０μｍの第二接着剤層を作製した。
［ダイボンドフィルムの作製］
前記離型処理フィルムＡ上に形成された第一接着剤層と、離型処理フィルムＢ上に形成された第二接着剤層とを、第一接着剤層及び第二接着剤層が貼り合わせ面となる様にして貼り合わせ、離型処理フィルムＡと離型処理フィルムＢの間に厚さ７０μｍのダイボンドフィルムを形成した。貼り合わせ条件は、実施例１と同様にした。
（実施例１２）
［第一接着剤層の作製］
本実施例に係る第一接着剤層については、実施例１と同様のものを用いた。
［第二接着剤層の作製］
本実施例に係る第二接着剤層としては、染料（オリエント化学工業（株）製、商品名；ＯＩＬ ＢＬＵＥ ６３０）を用いたこと以外は、実施例１１と同様にした。
［ダイボンドフィルムの作製］
前記離型処理フィルムＡ上に形成された第一接着剤層と、離型処理フィルムＢ上に形成された第二接着剤層とを、第一接着剤層及び第二接着剤層が貼り合わせ面となる様にして貼り合わせ、離型処理フィルムＡと離型処理フィルムＢの間に厚さ７０μｍのダイボンドフィルムを形成した。貼り合わせ条件は、実施例１と同様にした。
（実施例１３）
［第一接着剤層の作製］
本実施例に係る第一接着剤層については、実施例１と同様のものを用いた。
［第二接着剤層の作製］
本実施例に係る第二接着剤層としては、染料（オリエント化学工業（株）製、商品名；ＯＩＬ ＹＥＬＬＯＷ １２９）を用いたこと以外は、実施例１１と同様にした。
［ダイボンドフィルムの作製］
前記離型処理フィルムＡ上に形成された第一接着剤層と、離型処理フィルムＢ上に形成された第二接着剤層とを、第一接着剤層及び第二接着剤層が貼り合わせ面となる様にして貼り合わせ、離型処理フィルムＡと離型処理フィルムＢの間に厚さ７０μｍのダイボンドフィルムを形成した。貼り合わせ条件は、実施例１と同様にした。
（実施例１４）
［第一接着剤層の作製］
本実施例に係る第一接着剤層については、実施例１と同様のものを用いた。
［第二接着剤層の作製］
本実施例に係る第二接着剤層としては、染料（オリエント化学工業（株）製、商品名；ＯＩＬ ＧＲＥＥＮ ５０２）を用いたこと以外は、実施例１１と同様にした。
［ダイボンドフィルムの作製］
前記離型処理フィルムＡ上に形成された第一接着剤層と、離型処理フィルムＢ上に形成された第二接着剤層とを、第一接着剤層及び第二接着剤層が貼り合わせ面となる様にして貼り合わせ、離型処理フィルムＡと離型処理フィルムＢの間に厚さ７０μｍのダイボンドフィルムを形成した。貼り合わせ条件は、実施例１と同様にした。
（実施例１５）
［第一接着剤層の作製］
本実施例に係る第一接着剤層については、実施例１と同様のものを用いた。
［第二接着剤層の作製］
本実施例に係る第二接着剤層としては、染料を添加せず、かつ、フィラーとしてカーボンブラック（大日精化（株）製、商品名；ＮＡＦ５０９１ ブラック）６３部添加したこと以外は、実施例１１と同様にした。
［ダイボンドフィルムの作製］
前記離型処理フィルムＡ上に形成された第一接着剤層と、離型処理フィルムＢ上に形成された第二接着剤層とを、第一接着剤層及び第二接着剤層が貼り合わせ面となる様にして貼り合わせ、離型処理フィルムＡと離型処理フィルムＢの間に厚さ７０μｍのダイボンドフィルムを形成した。貼り合わせ条件は、実施例１と同様にした。
（実施例１６）
［第一接着剤層の作製］
本実施例に係る第一接着剤層については、実施例１と同様のものを用いた。
［第二接着剤層の作製］
本実施例に係る第二接着剤層としては、フィラーとしてアルミナフィラー（電気化学工業（株）製、商品名；ＤＡＭ−０３）を用いたこと以外は、実施例１５と同様にした。
［ダイボンドフィルムの作製］
前記離型処理フィルムＡ上に形成された第一接着剤層と、離型処理フィルムＢ上に形成された第二接着剤層とを、第一接着剤層及び第二接着剤層が貼り合わせ面となる様にして貼り合わせ、離型処理フィルムＡと離型処理フィルムＢの間に厚さ７０μｍのダイボンドフィルムを形成した。貼り合わせ条件は、実施例１と同様にした。
（実施例１７）
［第一接着剤層の作製］
本実施例に係る第一接着剤層については、実施例１と同様のものを用いた。
［第二接着剤層の作製］
本実施例に係る第二接着剤層としては、フィラーとしてニッケルフィラー（三井金属（株）製、商品名；ＳＰＱ０３Ｓ）を用いたこと以外は、実施例１５と同様にした。
［ダイボンドフィルムの作製］
前記離型処理フィルムＡ上に形成された第一接着剤層と、離型処理フィルムＢ上に形成された第二接着剤層とを、第一接着剤層及び第二接着剤層が貼り合わせ面となる様にして貼り合わせ、離型処理フィルムＡと離型処理フィルムＢの間に厚さ７０μｍのダイボンドフィルムを形成した。貼り合わせ条件は、実施例１と同様にした。
（実施例１８）
［第一接着剤層の作製］
本実施例に係る第一接着剤層については、実施例１と同様のものを用いた。
［第二接着剤層の作製］
本実施例に係る第二接着剤層としては、フィラーとして銅フィラー（三井金属（株）製、商品名；１１１０）を用いたこと以外は、実施例１５と同様にした。
［ダイボンドフィルムの作製］
前記離型処理フィルムＡ上に形成された第一接着剤層と、離型処理フィルムＢ上に形成された第二接着剤層とを、第一接着剤層及び第二接着剤層が貼り合わせ面となる様にして貼り合わせ、離型処理フィルムＡと離型処理フィルムＢの間に厚さ７０μｍのダイボンドフィルムを形成した。貼り合わせ条件は、実施例１と同様にした。
（実施例１９）
［第一接着剤層の作製］
本実施例に係る第一接着剤層については、実施例１と同様のものを用いた。
［第二接着剤層の作製］
本実施例に係る第二接着剤層としては、フィラーとして酸化チタンフィラー（大日精化（株）製、商品名；ＥＰ−５６ ホワイト）を用いたこと以外は、実施例１５と同様にした。
［ダイボンドフィルムの作製］
前記離型処理フィルムＡ上に形成された第一接着剤層と、離型処理フィルムＢ上に形成された第二接着剤層とを、第一接着剤層及び第二接着剤層が貼り合わせ面となる様にして貼り合わせ、離型処理フィルムＡと離型処理フィルムＢの間に厚さ７０μｍのダイボンドフィルムを形成した。貼り合わせ条件は、実施例１と同様にした。
（実施例２０）
［第一接着剤層の作製］
本実施例に係る第一接着剤層については、実施例１と同様のものを用いた。
［第二接着剤層の作製］
本実施例に係る第二接着剤層としては、フィラーを添加しなかったこと以外は、実施例１５と同様にした。
［ダイボンドフィルムの作製］
前記離型処理フィルムＡ上に形成された第一接着剤層と、離型処理フィルムＢ上に形成された第二接着剤層とを、第一接着剤層及び第二接着剤層が貼り合わせ面となる様にして貼り合わせ、離型処理フィルムＡと離型処理フィルムＢの間に厚さ７０μｍのダイボンドフィルムを形成した。貼り合わせ条件は、実施例１と同様にした。
（剪断損失弾性率Ｇ”の測定）
各実施例で作製したダイボンドフィルムにおける第一接着剤層及び第二接着剤層について、熱硬化前の１２０℃における剪断損失弾性率Ｇ”をそれぞれ測定した。測定には、固体粘弾性測定装置（レトメトリックサイエンティフィック社製、ＡＲＥＳ）を用いた。１０ｍｍ角、厚さ１ｍｍのサンプルを作製し、各試料の２５℃〜３００℃の剪断損失弾性率Ｇ”を求めた。結果を下記表１に示す。
（熱硬化後の１７５℃における引張貯蔵弾性率）
各実施例で作製したダイボンドフィルムを、それぞれ１７５℃、５時間の条件下で熱処理して熱硬化させた。次に、熱硬化後のダイボンドフィルムからそれぞれ長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍの短冊状の試料をカッターナイフで切り出した。更に、固体粘弾性測定装置（レトメトリックサイエンティフィック社製、ＲＳＡ III）を用いて、各試料の−５０〜３００℃の引張貯蔵弾性率を昇温速度１０℃／分、周波数１ＭＨｚの条件下で測定し、１７５℃における引張貯蔵弾性率を求めた。
（ダイボンドフィルムの厚さ）
各実施例で作製したダイボンドフィルムにおける第一接着剤層及び第二接着剤層の断面をＳＥＭで観察し、第一接着剤層の厚さｄ１（μｍ）、及び第二接着剤層の厚さｄ２（μｍ）を測定して、ｄ１／（ｄ１＋ｄ２）の値を算出した。
（ダイボンドフィルムと半導体ウェハの１８０度ピール剥離力）
各実施例で作製した第一接着剤層又は第二接着剤層と、半導体ウェハとの１８０度ピール剥離力の測定は、ＪＩＳ Ｚ ０２３７に従って行った。即ち、先ず、第一接着剤層又は第二接着剤層に粘着テープ（日東電工（株）製、商品名；ＢＴ−３１５）を貼り付けて裏打ちをした。次に、長さ１００ｍｍ×幅１０ｍｍの短冊状の試料を切り出し、５０℃のホットプレート上で、半導体ウェハの裏面に貼り付けた。貼り付けは、重さ２ｋｇのローラーを一往復させ、常温環境下で２０分間放置して試験片を作製した。次に、貼り付けた半導体ウェハを固定し、剥離角度１８０度、剥離速度３０ｍｍ／分の条件下で、引張試験機（島津製作所、商品名；ＡＧＳ−Ｈ）を用いて１８０度ピール剥離力をそれぞれ測定した。
（ボンディングワイヤーの接触評価）
先ず、被着体として、ソルダーレジスト（太陽インキ（株）製、商品名；ＡＵＳ３０８）で被覆され、かつ、ビスマレイミド・トリアジンを主成分とするＢＧＡ基板（ワイヤーボンディング用パッドピッチ６０μｍ）を用意した。
次に、前記ＢＧＡ基板上に、第一接着剤層を用いて半導体チップをダイボンディングした。即ち、半導体チップの裏面に各実施例で作製した第一接着剤層を温度４０℃で貼り付けた。次に、ダイボンド温度１５０℃、ボンディング圧力０．１ＭＰａ、ボンディング時間３ｓｅｃの条件下で、ＢＧＡ基板上に半導体チップをダイボンディングした。尚、前記半導体チップとしては、チップサイズ５ｍｍ×５ｍｍ、厚さ１００μｍのアルミ蒸着を施したものを用いた。ダイボンディング後、乾燥機を用いて１２０℃、８時間の熱処理を行った。これにより、第一接着剤層を熱硬化させた。
次に、ＢＧＡ基板のワイヤーボンディング用パッドと半導体チップを電気的に接続するためのワイヤーボンディング工程を行った。ワイヤーボンディング装置としてはＡＳＭ社製のＥａｇｌｅ６０（商品名）を用いた。また、ワイヤーボンディング条件は、超音波周波数：１２０ＫＨｚ、超音波出力時間：１５ミリ秒、超音波出力：１００ｍＷ、ボンド荷重：２０ｇＦ、サーチ荷重：１５ｇＦとした。また、ボンディングワイヤーの半導体チップ表面からの高さｈ（図５参照）は、約６０μｍであった。
続いて、前記半導体チップ上に、他の半導体チップをダイボンディングした。即ち、他の半導体チップの裏面に各実施例で作製したダイボンドフィルムを温度４０℃で貼り付けた。このとき、他の半導体チップとの貼り合わせ面は第二接着剤層とした。次に、ダイボンド温度１５０℃、ボンディング圧力０．１ＭＰａ、ボンディング時間３ｓｅｃの条件下で、ＢＧＡ基板上に半導体チップをダイボンディングした。このときのＢＧＡ基板との貼り合わせ面は第一接着剤層である。尚、前記半導体チップ及び他の半導体チップとしては、チップサイズ５ｍｍ×５ｍｍ、厚さ１００μｍのものを用いた。ダイボンディング後、乾燥機を用いて１２０℃、８時間の熱処理を行った。これにより、ダイボンドフィルムを熱硬化させた。
その後、ボンディングワイヤーが他の半導体チップの裏面と接触しているか否かを確認するため、断面をＳＥＭにて観察した。他の半導体チップに接触していない場合を○、接触している場合を×として評価した。結果を下記表１に示す。
（ボンディングワイヤーの埋まり込み評価）
ボンディングワイヤーの第一接着剤層に対する埋まり込み評価については、前記ボンディングワイヤーの接触評価において行ったのと同様の方法により、ＢＧＡ基板に対し半導体チップをダイボンディングした後、各実施例で作製したダイボンドフィルムを用いて他の半導体チップを前記半導体チップ上にダイボンディングした。その後、乾燥機を用いて１２０℃、８時間の熱処理を行い、ダイボンドフィルムを熱硬化させた。
続いて、ボンディングワイヤーが第一接着剤層中に埋没しているか否かを確認するため、断面をＳＥＭにて観察した。ボンディングワイヤーが第一接着剤層中にボイドを発生させることなく埋没している場合を○、接触していない場合やボイドが発生している場合を×として評価した。結果を下記表１に示す。
（ピックアップ性）
各実施例で作製したダイボンドフィルムと、ダイシングフィルム（日東電工株式会社製、商品名；Ｖ−１２Ｓ）とを、ダイボンドフィルムにおける第一接着剤層と、ダイシングフィルムにおける粘着剤層とが貼り合わせ面になる様に両者を貼り合わせた。
続いて、ダイボンドフィルムの第二接着剤層上に半導体ウェハ（直径８インチ、厚さ２００μｍ）を４０℃でロール圧着して貼り合わせ、更にダイシングを行った。また、ダイシングは８ｍｍ角のチップサイズとなる様にフルカットした。
次に、各ダイシング・ダイボンドフィルムの基材側からニードルによる突き上げ方式で半導体チップをピックアップしピックアップ性の評価を行った。具体的には、１００個の半導体チップを連続してピックアップし、後述の条件で行ったときの成功率を示す。
＜貼り合わせ条件＞
貼り付け装置：日東精機製、ＭＡ−３０００II
貼り付け速度計：１０ｍｍ／ｍｉｎ
貼り付け圧力：０．１５ＭＰａ
貼り付け時のステージ温度：４０℃
＜ダイシング条件＞
ダイシング装置：ＤＦＤ６３６１（ＤＩＳＣＯ社製）
ダイシングリング：ＤＴＦ２−８−１（ＤＩＳＣＯ社製）
ダイシング速度：５０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレード：ＮＢＧＺＨ−１０３０−２７ＨＣＢＢ
ダイシングブレード回転数：４５０００ｒｐｍ
ブレード高さ：０．０８５ｍｍ
カット方式：Ａモード／ステップカット
チップサイズ：８ｍｍ角
＜ピックアップ条件＞
ダイボンド装置：新川（株）製
ニードル本数：９本
ニードル突き上げ量：５００μｍ
ニードル突き上げ速度：５ｍｍ／秒
コレット保持時間：１秒
（ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定）
各実施例で作製した第一接着剤層又は第二接着剤層を長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出した。更に、これらの試料を固体粘弾性測定装置（ＲＳＡIII、レオメトリックサイエンティフィック社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件下で、−５０〜３００℃での引張貯蔵弾性率、及び損失弾性率を測定した。ガラス転移温度は、この測定の際のｔａｎ（δ）のピーク値を読み取って得た。結果を下記表１に示す。
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１ 第一接着剤層
２ 第二接着剤層
４ 半導体ウェハ
５ 他の半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
９ 封止樹脂
１０ ダイボンドフィルム
１１ ダイシング・ダイボンドフィルム
１２ ダイシングフィルム
１３ 基材
１４ 粘着剤層
１５ 半導体チップ
１７ ダイシングリング
１０１ 基板
１０２ 半導体チップ
１０３ 他の半導体チップ
１０４ 接着剤
１０５ ボンディングワイヤー
１０６ スペーサ

Claims (9)

  1. ボンディングワイヤーにより被着体と電気的に接続された半導体素子上に、他の半導体素子を接着させるためのダイボンドフィルムであって、
    圧着の際に前記ボンディングワイヤーの一部を埋没させて内部に通過させることを可能にする第一接着剤層と、前記他の半導体素子がボンディングワイヤーと接触するのを防止する第二接着剤層とが少なくとも積層されたものであって、
    前記第一接着剤層における金属イオンの含有量が１００ｐｐｍ以下であるダイボンドフィルム。
  2. 前記第一接着剤層及び第二接着剤層は、それぞれ少なくともエポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂により形成されており、
    前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の合計重量をＸ重量部とし、アクリル樹脂の重量をＹ重量部としたとき、前記第一接着剤層におけるＸ／（Ｘ＋Ｙ）が０．５以上０．９５以下の範囲内であり、前記第二接着剤層におけるＸ／（Ｘ＋Ｙ）が０．１５以上０．５未満の範囲内である請求項１に記載のダイボンドフィルム。
  3. 前記ダイボンドフィルムの総厚が４０μｍ〜１２０μｍの範囲内であり、前記第一接着剤層の厚さをｄ１（μｍ）とし、第二接着剤層の厚さをｄ２（μｍ）としたとき、ｄ１／（ｄ１＋ｄ２）が０．６以上０．９５以下の範囲内である請求項１又は２に記載のダイボンドフィルム。
  4. 前記第一接着剤層の熱硬化前の１２０℃における剪断損失弾性率Ｇ”が５×１０２Ｐａ以上１．５×１０４Ｐａ以下の範囲内であり、前記第二接着剤層の熱硬化前の１２０℃における剪断損失弾性率Ｇ”が２×１０４Ｐａ以上１×１０６Ｐａ以下の範囲内である請求項１〜３の何れか１項に記載のダイボンドフィルム。
  5. 前記第二接着剤層、又は当該第二接着剤層上にその他の接着剤層を設ける場合は、当該その他の接着剤層の少なくとも何れかに、染料又は顔料の少なくとも何れかが含有されている請求項１〜４の何れか１項に記載のダイボンドフィルム。
  6. 前記第一接着剤層のガラス転移温度が２０℃〜６０℃であり、前記第二接着剤層のガラス転移温度が６０℃以下である請求項１〜５の何れか１項に記載のダイボンドフィルム。
  7. 熱硬化後の１７５℃における引張貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下の範囲内である請求項１〜６の何れか１項に記載のダイボンドフィルム。
  8. 基材上に少なくとも粘着剤層が設けられたダイシングフィルムと、
    前記粘着剤層上に設けられた請求項１〜７の何れか１項に記載のダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルム。
  9. 請求項１〜７の何れか１項に記載のダイボンドフィルム、又は請求項８に記載のダイシング・ダイボンドフィルムにより製造された半導体装置。
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