JP5429776B2 - 液晶表示パネル - Google Patents

Description

本発明は液晶表示パネルに関し、特に、カラーフィルター基板に平面視で薄膜トランジ
スター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）と重畳するように形成された遮光層が他の遮光
層とは連結されておらず、島状に孤立している液晶表示パネルに関する。

液晶表示パネルはＣＲＴ（陰極線管）と比較して軽量、薄型、低消費電力という特徴が
あるため、表示用として多くの電子機器に使用されている。液晶表示パネルは、所定方向
に整列した液晶分子の向きを電界により変えて、液晶層の光の透過量を変化させて画像を
表示させるものである。これには外光が液晶層に入射し、反射板で反射されて再び液晶層
を透過して出射される反射型のものと、バックライト装置からの入射光が液晶層を透過す
る透過型のものと、その両方の性質を備えた半透過型のものとがある。

また、液晶表示パネルの液晶層に電界を印加する方法として、縦電界方式のものと横電
界方式のものとがある。縦電界方式の液晶表示パネルは、液晶層を挟んで配置される一対
の電極により、概ね縦方向の電界を液晶分子に印加するものである。この縦電界方式の液
晶表示パネルとしては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertical Alignment）
モード、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）モード等のものが知られている。
横電界方式の液晶表示パネルは、液晶層を挟んで配置される一対の基板のうちの一方の内
面側に一対の電極が互いに絶縁して設けられており、概ね横方向の電界を液晶分子に対し
て印加するものである。この横電界方式の液晶表示パネルとしては、一対の電極が平面視
で重ならないＩＰＳ（In-Plane Switching）モードのものと、重なるＦＦＳ（Fringe Fie
ld Switching）モードのものとが知られている。横電界方式の液晶表示パネルは広い視野
角を得ることができるという効果があるので、近年、多く用いられるようになってきてい
る。

また、液晶表示パネルの一方の基板には走査線と信号線によって区画されたサブ画素が
マトリクス状に整列しており、夫々のサブ画素には液晶層に印加する電界強度を変化させ
るためのスイッチング素子としてのＴＦＴが形成されている。このＴＦＴに光が照射され
るとリーク電流が流れるために正常な表示を行うことができないという問題が生じる。こ
のために、従来から、液晶表示パネルの他方の基板、例えばカラーフィルター基板、には
ＴＦＴへ外光が照射されるのを防止するための遮光層が形成されている。また、他方の基
板には非表示領域を隠すための遮光層や、配向が乱れるなど表示不良箇所を隠すための遮
光層や、隣接サブ画素からの光漏れを防止するための遮光層等が形成されており、上述の
ＴＦＴ部分を覆う遮光層はこれらの遮光層と同一工程で一体に形成されている。

しかしながら、表示領域内に遮光層を設けると、遮光層の形成面積が広いため、その分
だけ開口率が減少するという問題が生じる。また、表示領域内に遮光層を多く形成すると
、液晶表示パネルの製造工程において、一方の基板と他方の基板とを貼り合わせる際に組
みズレが生じた場合、表示領域内に形成された遮光層が本来遮光したい領域以外の領域に
まではみ出すおそれがある。この場合、さらに開口率が低下してしまう。そこで、下記特
許文献１や特許文献２に開示されている液晶表示パネルのように、遮光層の幅を狭くする
方法や特定部分の遮光層をなくして開口率を向上させることが行われるようになってきた
。そして、現在では、隣接するサブ画素間に形成されている隣接サブ画素からの光漏れ防
止用の遮光層を除去しても、液晶表示パネルのスペックに支障がない程に技術が進歩して
きている。
特開２００７−２４９１００号公報 特開２００２−２２１７２６号公報

しかしながら、隣接サブ画素からの光漏れ防止用の遮光層を除去すると、次のような新
たな問題点が浮上してくるようになった。すなわち、隣接サブ画素からの光漏れ防止用の
遮光層を除去すると、平面視でＴＦＴに重畳する遮光層は、島状に孤立した状態となり、
隣接するＴＦＴ用の遮光層と連結されていない状態になる。このように、ＴＦＴに重畳す
る遮光層が互いに孤立した島状になると、非表示領域の引き回し配線に駆動電流が流れる
ことによって生じる電界により、島状の遮光層が帯電し、帯電した電荷が島状の遮光層か
ら逃げ難くなる。

このために、ＴＦＴに重畳する遮光層が互いに孤立した島状となっている液晶表示パネ
ルでは、液晶分子の配向が乱れて表示不良（例えば、白表示のときの黒浮き）が生じ易く
なる。この現象は、カラーフィルター基板に共通電極が存在していないＦＦＳモードなど
の横電界方式の液晶表示パネルや、帯電した電荷が逃げ難い樹脂製の遮光層を用いた液晶
表示パネルの場合に特に生じ易い。従来は、このような島状に形成された遮光層を有する
液晶表示パネルでは上述の問題点を解決することができなかったため、隣接するサブ画素
間の走査線方向あるいは信号線方向の少なくとも一方に遮光層を形成して互いに電気的に
連結させていた。

本発明は、このような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、互いに孤
立した島状の遮光層に対して帯電防止策をとることにより、隣接するサブ画素間に形成さ
れている光漏れ防止用の遮光層を除去することができるようにして、開口率を向上させた
液晶表示パネルを得ることを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルは、液晶層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板を有し、前記第１基板には表示領域と非表示領域とが形成された、スルーホールを有する絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜の前記表示領域には、互いに絶縁された状態でマトリクス状に形成された複数の信号線及び走査線と、前記信号線と前記走査線で区画されるサブ画素毎に形成された薄膜トランジスターとが形成され、前記絶縁膜の前記非表示領域には複数の引き回し配線が形成され、前記第２基板には平面視で前記薄膜トランジスターと重畳する位置に遮光層が形成されている液晶表示パネルであって、前記第２基板の前記遮光層は互いに孤立した島状に形成されており、前記第１基板の前記非表示領域には平面視で前記引き回し配線と重畳する位置にグラウンド電位に接続されている導電性のシールド層が形成されており、前記第１基板の前記非表示領域には静電気保護回路を備え、前記静電気保護回路は前記グラウンド電位に電気的に接続されるアース線を有し、前記アース線に前記シールド層が前記スルーホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする。

本発明の液晶表示パネルでは、第２基板の遮光層は互いに孤立した島状に形成されてい
るが、第１基板の非表示領域には平面視で前記引き回し配線と重畳する位置に導電性のシ
ールド層が形成されている。これにより、非表示領域の引き回し配線の駆動電圧によって
引き回し配線の近傍の島状に孤立して形成されている遮光層が帯電することが抑制される
。そのため、本発明の液晶表示パネルによれば、第２基板の遮光層が互いに孤立した島状
に形成されているために開口率が大きくなっていることに加えて、非表示領域の引き回し
配線近傍の液晶分子の配向が乱れて表示不良となることが抑制された液晶表示パネルが得
られる。

シールド層はフローティング状態でもそれなりのシールド効果を奏することができるが
、本発明の液晶表示パネルによれば、シールド層をグラウンド電位（アース電位）に接続
されている状態としたので、シールド層の電位が安定化するためにシールド効果が高くな
る。なお、グラウンド電位は、液晶表示パネルを駆動するためのドライバー回路の基準電
位として何れの液晶表示パネルも存在している電位である。

液晶表示パネルの周辺部には、静電保護用回路に電気的に接続されているグラウンド電
位に維持された配線が形成されており、このグラウンド電位に維持された配線は液晶表示
パネルを駆動するためのドライバー回路に接続されている。本発明の液晶表示パネルにお
いては、シールド層は静電保護用回路に電気的に接続されているグラウンド電位に維持さ
れた配線に電気的に接続されているので、シールド層は短距離でグラウンド電位に接続さ
れていることになる。なお、シールド層とグラウンド電位に維持された配線との間の電気
的接続は、グラウンド電位に維持された配線上の各種絶縁膜にコンタクトホールを形成す
ることによって容易に行うことができる。そのため、本発明の液晶表示パネルによれば、
シールド層とグラウンド電位に維持された配線との間の電気的接続が容易となるとともに
、シールド層とグラウンド電位に維持された配線との間の電気抵抗が小さくなるので、シ
ールド層の電位がより安定化し、シールド効果が良好に現れるようになる。

本発明の液晶表示パネルにおいては、前記シールド層はコモン配線に接続されているこ
とが好ましい。

液晶表示パネルの周辺部には、コモン配線が配設されている。このコモン配線は液晶表
示パネルの一対の電極に印加される電圧の基準となる電圧が印加されている。そのため、
本発明の液晶表示パネルにおいては、シールド層はコモン配線に電気的に接続されている
ので、シールド層は短距離でコモン配線に接続されていることになる。なお、シールド層
とコモン配線との間の電気的接続は、コモン配線上の各種絶縁膜にコンタクトホールを形
成することによって容易に行うことができる。そのため、本発明の液晶表示パネルによれ
ば、シールド層とコモン配線との間の電気的接続が容易となるとともに、シールド層とコ
モン配線との間の電気抵抗が小さくなるので、シールド層の電位がコモン配線の電位に良
好に追従し、シールド効果が良好に現れるようになる。

前記第１基板には、前記液晶層を駆動させるための少なくとも一つの電極を有し、前記
シールド層は前記電極と同一の層に形成されていることが好ましい。

第１基板には、縦電界方式の液晶表示パネルの場合には画素電極が、横電界方式の液晶
表示パネルの場合には画素電極及び共通電極が、それぞれ形成されている。そのため、本
発明の液晶表示パネルによれば、縦電界方式の液晶表示パネルの場合であっても横電界方
式の液晶表示パネルの場合であっても、シールド層を画素電極ないし共通電極と同一の材
料で同一工程で形成することができるので、特にシールド層を形成するために製造工数が
増加することがなくなる。

前記第１基板には、前記液晶層を駆動させるための一対の電極を有していることが好ま
しい。

横電界方式の液晶表示パネルは、第１基板上に画素電極及び共通電極からなる１対の電
極が形成されている。そのため、本発明の液晶表示パネルは、ＩＰＳモードないしＦＦＳ
モード等の横電界方式の液晶表示パネルとして作動するものとなる。しかも、横電界方式
の液晶表示パネルは、第２基板には電極が形成されていないため、縦電界方式の液晶表示
パネルよりも引き回し配線の影響を受け易い。そのため、本発明の液晶表示パネルによれ
ば、シールド層を形成したことによる上記本発明の効果が特に顕著に表れる。

以下、実施形態及び図面を参照にして本発明を実施するための最良の形態を説明するが
、以下に示す実施形態は、本発明をここに記載したものに限定することを意図するもので
はなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行っ
たものにも均しく適用し得るものである。なお、この明細書における説明のために用いら
れた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各
層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表示され
ているものではない。

図１は実施形態の液晶表示パネルのアレイ基板を示す模式平面図である。図２は図１の
II部分の拡大図である。図３は図２のIII−III線の断面図である。図４は図２のIV−IV線
の断面図である。図５は図２のＶ−Ｖ線の断面図である。図６は第1変形例の図３に対応
する断面図である。図７は第２変形例の図３に対応する断面図である。

本実施形態の液晶表示パネル１０ＡはＦＦＳモードの横電界方式の液晶表示パネルであ
る。この液晶表示パネル１０Ａの要部の構成を図１〜図５を用いて説明する。図１に示す
ように、液晶表示パネル１０Ａは画像が表示される表示領域３０を中央部分に有している
。まず、表示領域３０について説明する。図２〜図４に示すように、液晶表示パネル１０
Ａは液晶層ＬＣがアレイ基板ＡＲとカラーフィルター基板ＣＦで挟持される構成となって
いる。アレイ基板ＡＲは透明な絶縁性を有するガラスや石英、プラスチック等からなる第
１透明基板１１を基体としている。第１透明基板１１上には、図５に示すように、液晶Ｌ
Ｃに面する側に、アルミニウムやモリブデン等の金属からなる走査線１２が図２のＸ軸方
向（行方向）に延設されている。走査線１２からはゲート電極Ｇが図２の上方に向かって
延設されている。

また、走査線１２とゲート電極Ｇを覆うようにして窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる
透明なゲート絶縁膜１３が積層されている。そして、平面視でゲート電極Ｇと重なるゲー
ト絶縁膜１３上には非晶質シリコンや多結晶シリコンなどからなる半導体層１４が形成さ
れている。ゲート絶縁膜１３上にはアルミニウムやモリブデン等の金属からなる複数の信
号線１５が図２のＹ軸方向（列方向）に配設されている。この信号線１５からはソース電
極Ｓが延設され、このソース電極Ｓは半導体層１４の表面と部分的に接触している。

更に、信号線１５及びソース電極Ｓと同一の材料で同時に形成されたドレイン電極Ｄが
ゲート絶縁膜１３上に設けられており、このドレイン電極Ｄはソース電極Ｓと近接配置さ
れて半導体層１４と部分的に接触している。走査線１２と信号線１５とによって囲まれた
領域が１サブ画素領域に相当する。例えば、光の３原色であるＲ（赤）・Ｇ（緑）・Ｂ（
青）の３つサブ画素ＳＰで１画素を構成し、１画素は略正方形であるので、これを３等分
する１サブ画素ＳＰは走査線１２が短辺で信号線１５が長辺の長方形となる。ゲート電極
Ｇ、ゲート絶縁膜１３、半導体層１４、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄによってスイッチ
ング素子となるＴＦＴが構成され、それぞれのサブ画素ＳＰにこのＴＦＴが形成されてい
る。

更に、信号線１５、ＴＦＴ及びゲート絶縁膜１３の露出部分を覆うようにして例えば窒
化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なパッシベーション膜１６が積層されている。そし
て、パッシベーション膜１６を覆うようにして、例えばフォトレジスト等の透明樹脂材料
からなる層間膜（平坦化樹脂層）１７が積層されている。そして、層間膜１７を覆うよう
にしてＩＴＯ（Indium Thin Oxide）ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電性
材料からなる下電極１８が形成されている。層間膜１７とパッシベーション膜１６を貫通
してドレイン電極Ｄに達する第１コンタクトホール１９が形成されており、この第１コン
タクトホール１９を介して下電極１８とドレイン電極Ｄとが電気的に接続される。そのた
め、この実施形態の液晶表示パネル１０Ａにおいては、下電極１８は画素電極として作動
する。

下電極１８を覆うようにして、例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明な電極間
絶縁膜２０が積層されている。そして、電極間絶縁膜２０を覆うようにしてＩＴＯないし
ＩＺＯ等の透明導電性材料からなる上電極２１が形成されている。図２に示すように、上
電極２１には複数のスリット状開口（以降、単に「スリット」と称する。）２２が形成さ
れている。この上電極２１は表示領域３０の周辺部でコモン配線３９に第２コンタクトホ
ール４３を経て電気的に接続されている。そのため、この実施形態の液晶表示パネル１０
Ａにおいては、上電極２１は共通電極として作動する。

スリット２２は例えば長円形状であり、その長手方向は走査線１７の延在方向に対して
右下がりに約５度傾斜しているものと、右上がりに約５度傾斜しているものの２種類形成
されている。このようにスリットの延在方向が異なる領域を備えることにより、それぞれ
の側でＶＴ（電圧−透過率）特性が異なるようになるので、視野角による色の差を低減す
ることができる。そして、上電極２１を覆って例えばポリイミドからなる配向膜２３が積
層されている。この配向膜２３には信号線１５の延在方向と平行に液晶方向配向処理（ラ
ビング処理）が施されている。この液晶表示パネル１０Ａでは、スリット２２に対応する
位置の下電極１８と上電極２１間の電界によって液晶層ＬＣの液晶分子の配向が変化する
。

カラーフィルター基板ＣＦは透明な絶縁性を有するガラスや石英、プラスチック等から
なる第２透明基板２４を基体としている。第２透明基板２４には、不透明な樹脂材料から
なる遮光層２５と、サブ画素ＳＰ毎に異なる色の光（例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ）を透過するカ
ラーフィルター層２６が形成されている。図２に示すように、遮光層２５はＴＦＴと平面
視で重なるように形成されている。この実施形態の液晶表示パネル１０Ａでは、遮光層２
５は隣接するサブ画素ＳＰの境界に沿っては形成されておらず、遮光層２５は隣接する遮
光層２５とは連結されずに島状に孤立して形成されている。なお、遮光層２５の材料は、
クロム等の不透明な金属でもよいが、本実施形態では剥離強度が金属よりも高い樹脂製の
遮光層を使用している。

サブ画素ＳＰの遮光層２５が形成されていない領域にはカラーフィルター層２６が形成
されている。遮光層２５とカラーフィルター層２６を覆うようにして例えばフォトレジス
ト等の透明樹脂材料からなるオーバーコート層２７が積層されている。このオーバーコー
ト層２７は異なる色のカラーフィルター層２６による段差を平坦にし、また、遮光層２５
やカラーフィルター層２６から流出する不純物が液晶層ＬＣに入らないように遮断するた
めに形成されているものである。オーバーコート層２７を覆うようにして例えばポリイミ
ドからなる配向膜２８が形成されている。この配向膜２８にはアレイ基板ＡＲに形成され
た配向膜２３と逆方向の液晶方向配向処理が施されている。

このようにして形成されたアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルター基板ＣＦを互いに対向
させ、両基板の周囲にシール材（不図示）を塗布することにより両基板を貼り合せ、両基
板間に液晶を充填することにより本実施形態に係る液晶表示パネル１０Ａが得られる。な
お、液晶層ＣＬを所定の厚みに保持するためのスペーサー（不図示）がカラーフィルター
基板ＣＦに形成されている。

上述の構成により、ＴＦＴがＯＮになって下電極１８と上電極２１との間に電圧が印加
されると、両電極１８、２１間に電界が発生して液晶層ＬＣの液晶分子の配向が変化する
。これにより、液晶層ＬＣの光透過率が変化して画像を表示することとなる。下電極１８
と上電極２１と電極間絶縁膜２０により補助容量が形成され、ＴＦＴがＯＦＦになったと
きに両電極１８、２１間の電界を所定時間保持することができる。

図１に示すように、アレイ基板１２の一方の短辺側の非表示領域３１には、ドライバー
ＩＣがバンプ接着される第１端子領域３２と、フレキシブルプリント基板がバンプ接着さ
れる第２端子領域３３とが形成されている。第１端子領域３２に配置されるドライバーＩ
Ｃは液晶表示パネルの走査線１２及び信号線１５の駆動を行い、第２端子領域３３は図示
しないフレキシブルプリント基板を介して外部のコントロール基板と接続される。

そして、非表示領域３１には、表示領域３０の左右と上側に隣接する周辺回路領域３４
が形成されている。この周辺回路領域３４には、表示領域３０の図１における下側に形成
される信号線１５を第１端子領域３２へと引き回すソース引き回し配線部分３５、走査線
１２を表示領域３０の左右両側から第１端子領域３２へと引き回すゲート引き回し配線部
分３６、上電極２１を表示領域３０の上側及び左右両側から第１端子領域３２へと引き回
すコモン配線３９が形成されている。

図２〜図４に示すように、表示領域３０の周辺回路領域３４側には、例えば３列のダミ
ーサブ画素ＤＳＰ、静電気保護回路４２、第２コンタクトホール４３、第３コンタクトホ
ール４４が形成されている。ダミーサブ画素ＤＳＰは、例えば、一部をサブ画素ＳＰと同
じ構成を模擬したり、静電気保護回路４２を形成して外部から侵入した静電気からの保護
手段を形成したりするなど、多種多様の目的で設けられている。静電気保護回路４２の引
き回し配線である静電気保護配線４５が信号線１５の延在方向と同一方向で非表示領域部
３１のゲート絶縁膜１３上に形成され、例えば第１端子領域３２においてグラウンド電位
に接続されている。

図４に示すように、コモン配線３９は、ここではゲート絶縁膜１３上に形成されており
、電極間絶縁膜２０上に形成されている上電極２１と第２コンタクトホール４３を介して
電気的に接続されている。ゲート引き回し配線部分３６は第１透明基板１１上に形成され
たゲート配線部分３８及びゲート絶縁膜１３上に形成されたソース配線部分３７の２層に
なって形成されている。なお、ゲート配線部分３８とはＴＦＴのゲート電極Ｇと同時に形
成された配線部分を意味し、ソース配線部分とはＴＦＴのソース電極Ｓと同時に形成され
た配線部分を意味し、それぞれ必ずしも走査線１２に接続されている配線ないし信号線１
５に接続されている配線を意味するものではない。そのため、上述のコモン配線３９は、
ゲート絶縁膜１３上に形成されているので、ソース配線部分３７に対応する。

図１〜図４に示すように、平面視でソース引き回し配線部分３５及びゲート引き回し配
線部分３６に重畳するようにＩＴＯないしＩＺＯ等の透明導電性材料からなるシールド層
４６が電極間絶縁膜２０上に形成されている。そして、シールド層４６はゲート絶縁膜１
３上に形成されている静電気保護配線４５と第３コンタクトホール４４を介して電気的に
接続されている。そのため、シールド層４６はグラウンド電位に接続されていることにな
る。

このように本実施形態の液晶表示パネル１０Ａでは、ソース引き回し配線部分３５及び
ゲート引き回し配線部分３６に平面視で重畳するようにシールド層４６が形成されており
、しかも、このシールド層４６はグラウンド電位に接続されているので、これらの引き回
し配線３５、３６に駆動電流が流れて電界が生じても、カラーフィルター基板ＣＦに島状
に形成されている遮光層２５が帯電することが少なくなる。また、このシールド層４６は
特にグラウンド電位に接続されているため、シールド層４６の電位は安定しているので、
良好な帯電防止効果が得られる。

また、シールド層４６は、従来から使用されている静電気保護回路４２の静電気保護配
線４５に第３コンタクトホール４４を介して電気的に接続することによりグラウンド電位
に接続されているので、シールド層４６を容易にグラウンド電位に接続することができる
。しかも、静電気保護配線４５はソース配線部分３７と同じ金属材料で形成されているの
で、電気抵抗が小さく、シールド層４６は短距離でグラウンド電位に接続されていること
になる。そのため本実施形態の液晶表示パネル１０Ａでは、シールド層４６とグラウンド
電位に維持された静電気保護配線４５との間の電気抵抗が小さくなるので、シールド層４
６の電位がより安定化し、シールド効果が良好に現れるようになる。加えて、シールド層
４６は液晶層を駆動する上電極２１と同じ層に形成されているために、シールド層４６を
上電極２１と同一の工程で形成することができ、特に製造工数を増加させることなくシー
ルド層４６を形成することができる。

なお、製造工数を増加させることなくシールド層４６を形成するには、シールド層４６
が他の電極と同一の層に形成されればよいから、例えば、図６に示した第１変形例の液晶
表示パネル１０Ｂのように、シールド層４６が下電極１８と同一の層に形成されてもよい
。なお、シールド層４６は、特に他の電極と同一の層に形成しなくても、島状に形成され
た遮光層２５の帯電を抑制することはできるが、製造工数が増加するために好ましくない
。

また、シールド層４６は、フローティング様態でもグラウンド電位以外に接続されてい
てもシールド効果は生じる。しかしながら、シールド層４６がフローティング状態である
と、シールド層４６の電位が不定となるので、他の電位の部分に電気的に接続する方が好
ましい。例えば、図６に示した第１変形例の液晶表示パネル１０Ｂのように、シールド層
４６がコモン配線３９に接続されているようにしてもよい。

また、図７に示した第２変形例の液晶表示パネル１０Ｃのように、ゲート配線部分３８
と同一の層にシールド配線４７を形成し、シールド層４６をこのシールド配線４７を介し
て所定の電位に接続するようにしてもよい。このような構成とすれば、シールド配線４７
はゲート配線部分３８で形成されているドライバーＩＣ用の第１端子領域３２やフレキシ
ブルプリント基板用の第２端子領域３３と同じ層に形成されているので、容易に第１端子
領域３２や第２端子領域３３にまでシールド配線４７を引き回すことができる。

なお、第１変形例の液晶表示パネル１０Ｂ及び第２実施形態の液晶表示パネル１０Ｃは
、上述した部分以外の構成は実施形態の液晶表示パネル１０Ａの場合と実質的に同一であ
る。そのため、図６及び図７においては、図１〜図５に示した実施形態の液晶表示パネル
１０Ａと同一の構成部分には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。

実施形態の液晶表示パネルのアレイ基板を示す模式平面図である。 図１Ｂの部分拡大図である。 図２のIII−III線の断面図である。 図２のIV−IV線の断面図である。 図２のＶ−Ｖ線の断面図である。 第1変形例の図３に対応する断面図である。 第２変形例の図３に対応する断面図である。

符号の説明

１０Ａ〜１０Ｃ…液晶表示パネル １１…第１透明基板 １２…走査線 １３…ゲート
絶縁膜 １４…半導体層 １５…信号線 １６…パッシベーション膜 １７…層間膜（平
坦化樹脂層） １８…下電極 １９…第１コンタクトホール ２０…電極間絶縁膜 ２１
…上電極 ２２…スリット ２３…配向膜 ２４…第２透明基板 ２５…遮光層 ２６…
カラーフィルター層 ２７…オーバーコート層 ２８…第２配向膜 ３０…表示領域 ３
１…非表示領域 ３２…第１端子領域 ３３…第２端子領域 ３４…周辺回路領域 ３５
…ソース引き回し配線部分 ３６…ゲート引き回し配線部分 ３７…ソース配線部分 ３
８…ゲート配線部分 ３９…コモン配線 ４１…コモン接続部 ４２…静電気防止回路
４３…第２コンタクトホール ４４…第３コンタクトホール ４５…静電気保護配線（ア
ース配線） ４６…シールド層 ４７…シールド配線 ＬＣ…液晶層 ＡＲ…アレイ基板
ＣＦ…カラーフィルター基板

Claims (4)

1. 液晶層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板を有し、
   前記第１基板には表示領域と非表示領域とが形成された、スルーホールを有する絶縁膜が設けられ、
   前記絶縁膜の前記表示領域には、互いに絶縁された状態でマトリクス状に形成された複数の信号線及び走査線と、前記信号線と前記走査線で区画されるサブ画素毎に形成された薄膜トランジスターとが形成され、
   前記絶縁膜の前記非表示領域には複数の引き回し配線が形成され、
   前記第２基板には平面視で前記薄膜トランジスターと重畳する位置に遮光層が形成されている液晶表示パネルであって、
   前記第２基板の前記遮光層は互いに孤立した島状に形成されており、
   前記第１基板の前記非表示領域には平面視で前記引き回し配線と重畳する位置にグラウンド電位に接続されている導電性のシールド層が形成されており、
   前記第１基板の前記非表示領域には静電気保護回路を備え、前記静電気保護回路は前記グラウンド電位に電気的に接続されるアース線を有し、前記アース線に前記シールド層が前記スルーホールを介して電気的に接続されている、
   ことを特徴とする液晶表示パネル。
2. 前記シールド層はコモン配線に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
3. 前記第１基板には、前記液晶層を駆動させるための少なくとも一つの電極を有し、前記シールド層は前記電極と同一の層に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
4. 前記第１基板には、前記液晶層を駆動させるための一対の電極を有していることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示パネル。

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