JP5489808B2 - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、裏面にダイボンディング用粘着フィルムが配設された半導体デバイスの製造方法に関する。

近年の半導体デバイス技術においては、デバイスの高密度化や小型化を達成するために、ＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳｉＰ（Ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ Ｐａｃｋａｇｅ）等の複数の半導体デバイスを積層（スタック）した積層型パッケージが有効に利用されている。

このような積層型パッケージを構成する半導体デバイスは、裏面にＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）と呼ばれるダイボンディング用粘着フィルムが貼られており、このダイボンディング用粘着フィルムで半導体デバイスの積層状態を保持している。

このダイボンディング用粘着フィルムはリードフレームに半導体デバイス（半導体チップ）をマウントする際に、従来から使用されている銀ペースト樹脂等の接着剤に替わるものとして広く使用されている。

ダイボンディング用粘着フィルムが裏面に貼着された半導体デバイスは一般的に以下の方法で製造される。まず、表面に格子状に設けられた複数の分割予定ラインによって区画された各領域に半導体デバイスが形成された半導体ウエーハの裏面を研削して薄化する。

その後、薄化された半導体ウエーハの裏面にダイボンディング用粘着フィルムを貼着してから、切削装置の切削ブレードで半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切削するとともにダイボンディング用粘着フィルムも切削して分割することで、裏面にダイボンディング用粘着フィルムが配設された半導体デバイスを製造する（例えば、特開平８−２３９６３６号公報参照）。

一方、近年の電子機器の軽薄短小化に伴い、半導体デバイスの厚さを数１０μｍ以下へと薄く形成することが望まれている。このような薄い半導体デバイスを形成する方法として、ウエーハの表面側にデバイスの仕上がり厚さに相当する切削溝を形成し、その後、ウエーハの裏面を研削して裏面側から切削溝を表出させることで半導体ウエーハを個々の半導体デバイスへと分割する、所謂先ダイシング法（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）が特開平１１−４０５２０号公報で提案され、広く採用されつつある。

先ダイシング法では、半導体ウエーハの裏面を研削して個々の半導体デバイスへと分割するため、半導体デバイスへと分割する前にダイボンディング用粘着フィルムを裏面に貼着しておくことができない。

そこで、分割された各デバイスが保護テープによって一体的に支持された状態の半導体ウエーハ裏面側にＤＡＦ等のダイボンディング用粘着フィルムを配設した後、保護テープを除去してダイボンディング用粘着フィルムを切断することで、裏面にダイボンディング用粘着フィルムが配設された半導体デバイスを形成する。ダイボンディング用粘着フィルムの切断には、例えば特開２００２−１１８０８１号公報に開示されたようなレーザビームを照射してダイボンディング用粘着フィルムを溶断する方法が提案されている。

特開平８−２３９６３６号公報 特開平１１−４０５２０号公報 特開２００２−１１８０８１号公報

しかし、上述した一般的な方法のように、切削ブレードで半導体ウエーハとダイボンディング用粘着フィルムとを同時に切削すると、切削ブレードにダイボンディング用粘着フィルムが絡みつき、切削ブレードに目詰まり等の不具合を生じさせ、半導体ウエーハから切削されて形成された半導体デバイスには欠けやクラック等の不良が生じてしまう。また、ダイボンディング用粘着フィルムにはひげ状のバリが発生してワイヤーボンディング時にこのバリが断線の原因となる。

また、上述した先ダイシング法を採用した場合には、各デバイスが保護テープによって支持された状態で搬送等のハンドリングを行うと、保護テープが撓み各デバイス間の間隔がまちまちになったり、切削溝が曲がったりする。その後、裏面側にＤＡＦ等のダイボンディング用粘着フィルムを配設した後、切削溝を介してレーザビームを照射してダイボンディング用粘着フィルムを溶断する。

しかし、切削溝が曲がったりしているため、切削溝を介してレーザビームを照射することが困難であり、先ダイシング法では裏面にダイボンディング用粘着フィルムが配設された半導体デバイスを製造することは困難であるという問題がある。

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体デバイスに不良を発生させることなく、ダイボンディング用粘着フィルムにバリを発生させることなく、更に、先ダイシング法で分割された半導体デバイスでも裏面に容易にダイボンディング用粘着フィルムを配設できる半導体デバイスの製造方法を提供することである。

本発明によると、裏面にダイボンディング用粘着フィルムが配設された半導体デバイスの製造方法であって、表面に格子状に設けられた分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスがそれぞれ形成されたウエーハを、該分割予定ラインに沿ってその表面側から該デバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成し、該溝が形成されたウエーハの表面に保護テープを貼着し、該保護テープが貼着されたウエーハの裏面を該デバイスの仕上がり厚さに研削して、該溝を裏面から露出させて該ウエーハを個々のデバイスに分割し、個々のデバイスに分割されたウエーハの裏面側にダイボンディング用粘着フィルムを配設し、外周部が環状フレームに装着された延性のあるダイシングテープに該ダイボンディング用粘着フィルムを貼着し、ウエーハの表面に貼着された該保護テープを剥離し、該ダイシングテープに支持されたウエーハの該溝中に所定温度に加熱された該溝に挿入可能な太さの電熱線を挿入し、該溝の底に露出した該ダイボンディング用粘着フィルムに該電熱線を接触させて該ダイボンディング用粘着フィルムの表面付近を溶融して、該ダイボンディング用粘着フィルムに破断起点を形成し、該環状フレームに装着された該ダイシングテープを拡張して該ダイボンディング用粘着フィルムを該分割予定ラインに沿って該破断起点から破断する、各工程を具備したことを特徴とする半導体デバイスの製造方法が提供される。

好ましくは、半導体デバイスの製造方法は、破断起点を形成する工程を実施する前に、前記溝の幅を前記電熱線の直径より広い幅になるまでウエーハが装着された前記ダイシングテープを拡張する事前拡張工程を更に具備している。

好ましくは、前記ダイボンディング用粘着フィルムを破断起点から破断する工程は、ウエーハが装着された前記ダイシングテープを冷却しつつ実施する。好ましくは、前記電熱線の加熱温度は８０℃〜３００℃の範囲内である。

本発明によると、先ダイシング方により分割されたデバイス間の溝に細い電熱線を挿入して、溝底に露出したダイボンディング用粘着フィルムに破断起点を形成してから、ダイシングテープを拡張するので、ダイボンディング用粘着テープをウエーハの分割予定ラインに沿って破断起点から容易に破断することができ、先ダイシング方で分割工程を実施したウエーハでも、裏面にダイボンディング用粘着フィルムが貼着されたデバイスを得ることができる。

また、ダイボンディング用粘着フィルムの破断工程で、ダイボンディング用粘着フィルムを冷却することで、ダイボンディング用粘着フィルムの破断をより確実に行うことができる。

半導体ウエーハの表面側斜視図である。 図２（Ａ）は切削溝形成ステップの説明図、図２（Ｂ）は切削溝が形成された半導体ウエーハの断面図である。 切削溝が形成された半導体ウエーハの表面側斜視図である。 パルスレーザビームの照射によりレーザ加工溝を形成する様子を示す斜視図である。 図５（Ａ）は半導体ウエーハの表面に保護テープを貼着する様子を示す斜視図、図５（Ｂ）は半導体ウエーハの表面に保護テープが貼着された状態の斜視図である。 図６（Ａ）は半導体ウエーハの裏面を研削する切削溝表出ステップの説明図、図６（Ｂ）は研削により半導体ウエーハの裏面に切削溝が表出された状態の断面図、図６（Ｃ）は半導体ウエーハの裏面に切削溝が表出された状態の半導体ウエーハの斜視図である。 図７（Ａ）は半導体ウエーハの裏面にＤＡＦを配設する様子を示す斜視図、図７（Ｂ）は半導体ウエーハの裏面にＤＡＦが配設された状態の斜視図である。 図８（Ａ）は外周部が環状フレームに装着されたダイシングテープに半導体ウエーハのＤＡＦ側を貼着する様子を示す斜視図、図８（Ｂ）は外周部が環状フレームに装着されたダイシングテープに半導体ウエーハのＤＡＦ側が貼着された状態の斜視図である。 図９（Ａ）は外周部が環状フレームに装着されたＤＡＦ付きダイシングテープに半導体ウエーハの裏面を貼着する様子を示す斜視図、図９（Ｂ）は図８（Ｂ）に類似しており、ダイシングテープを介して環状フレームでＤＡＦ付き半導体ウエーハを支持している状態の斜視図である。 半導体ウエーハの表面から保護テープを剥離する様子を示す斜視図である。 ブレーキング装置の斜視図である。 ＤＡＦ破断工程の説明図である。 図１２（Ａ）のＡ部分拡大図である。

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、半導体ウエーハ２の表面側斜視図が示されている。半導体ウエーハ２は、例えば、厚さが７００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面２ａには複数の分割予定ライン（ストリート）４が格子状に形成されている。そして、半導体ウエーハ２の表面２ａには、格子状に形成された複数の分割予定ライン４によって区画された各領域にそれぞれＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス６が形成されている。

本発明実施形態の半導体デバイスの製造方法では、まず、半導体ウエーハ２を分割予定ライン４に沿って個々の半導体デバイス６に分割する分割ステップを実施する。以下の説明では、この分割ステップを先ダイシング法により実施する実施形態について説明する。

この先ダイシング法では、まず切削溝形成ステップを実施する。即ち、ウエーハ２の表面２ａに形成された分割予定ラインに沿って所定深さ（各デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ）の切削溝を形成する。

この切削溝形成ステップは、図２（Ａ）に示す切削装置１０を用いて実施する。図２（Ａ）に示す切削装置１０は、吸引保持手段を備えＸ軸方向に移動可能なチャックテーブル８と、切削ユニット１２と、切削ユニット１２と一体的にＹ軸方向及びＺ軸方向に移動可能なアライメントユニット１４を含んでいる。

切削ユニット１２は、図示しないモータにより回転駆動されるスピンドル１６と、スピンドル１６の先端部に装着された切削ブレード１８を備えている。アライメントユニット１４は、ＣＣＤカメラ等の撮像手段２０を備えている。

切削溝形成ステップを実施するには、チャックテーブル８上に半導体ウエーハ２をその表面２ａを上にして載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ウエーハ２をチャックテーブル８上に保持する。

このようにして、ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル８は、図示しない切削送り機構によって撮像手段２０の直下に位置付けられる。チャックテーブル８が撮像手段２０の直下に位置付けられると、撮像手段２０及び図示しない制御手段によって、ウエーハ２に切削溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント作業を実施する。

すなわち、撮像手段２０及び図示しない制御手段は、ウエーハ２の第１の方向に形成されている分割予定ライン４と、切削ブレード１８との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する。更に、ウエーハ２に形成されている上記第１の方向に対して直角な第２の方向に伸びる分割予定ライン４に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。

このようなアライメント実施後、ウエーハ２を保持したチャックテーブル８を切削領域の切削開始位置に移動する。そして、切削ブレード１８を図２（Ａ）において矢印２１で示す方向に回転しつつ下方に移動して所定量の切り込み送りを実施する。この切り込み送り量は、切削ブレード１８の外周縁がウエーハ２の表面２ａからデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ位置（例えば５０μｍ）に設定される。

このようにして、切削ブレード１８の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード１８を回転しつつチャックテーブル８を図２（Ａ）においてＸ軸方向、すなわち矢印Ｘ１で示す方向に切削送りすることによって、図２（Ｂ）に示すように、分割予定ライン４に沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ（例えば５０μｍ）の切削溝２２が形成される（切削溝形成ステップ）。この切削溝形成ステップをウエーハ２に形成された全ての分割予定ライン４に沿って実施する。その結果得られたウエーハ２の上面側斜視図が図３に示されている。

上述した切削溝の形成に替えて、レーザビームを分割予定ラインに沿って照射して、ウエーハ２の表面２ａにレーザ加工溝を形成するようにしてもよい。このレーザ加工溝の形成は、図４に示すようなレーザ加工装置のレーザビーム照射手段４０を用いて実施する。

レーザビーム照射手段４０は、円筒形状のケーシング４２を有している。ケーシング４２内には、ＹＡＧレーザ発振器或いはＹＶＯ４レーザ発振器等のパルスレーザビーム発振器及び繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザビーム発振手段が配設されている。

ケーシング４２の先端部には、パルスレーザビーム発振手段から発振されたパルスレーザビームを集光するための集光器４４が装着されている。４６は加工領域を検出するアライメント手段であり、撮像手段４８を備えている。撮像手段４８は、例えばＣＣＤカメラ及び顕微鏡を含んでいる。

撮像手段４８でウエーハ２の加工領域を撮像して、レーザビーム照射手段４０の集光器４４とストリート４との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理がアライメント手段４６で実行され、レーザビーム照射位置のアライメントが遂行される。

このようにして、チャックテーブル８上に保持されているウエーハ２のストリート４を検出し、レーザビーム照射位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル８をレーザビームを照射する集光器４４が位置するレーザビーム照射領域に移動し、ウエーハ２のストリート４に沿って集光器４４からレーザビームを照射しながら、チャックテーブル８をＸ１方向に所定の送り速度（例えば１００ｍｍ／秒）で移動し、ウエーハ２の表面２ａにレーザ加工溝５０を形成する。このレーザ加工溝５０の深さは、デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ（例えば５０μｍ）に設定する。

尚、レーザ加工条件は例えば以下の通りである。

光源 ：ＹＡＧパルスレーザ
波長 ：３５５ｎｍ（ＹＡＧレーザの第３高調波）
出力 ：３．０Ｗ
繰り返し周波数 ：２０ｋＨｚ
集光スポット径 ：１．０μｍ
送り速度 ：１００ｍｍ／秒

切削溝形成工程終了後、又は図４を参照して説明したレーザ加工溝形成工程終了後に、図５（Ａ）に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａ（デバイス６が形成されている面）に研削用の保護テープ２４を貼着する。

保護テープ２４としては、例えば厚さが１５０μｍのポリオレフィンテープが用いられる。ウエーハ２の表面２ａに保護テープ２４を貼着した状態の斜視図が図５（Ｂ）に示されている。

次に、表面に保護テープ２４を貼着したウエーハ２の裏面２ｂを研削し、切削溝２２を裏面２ｂに表出させてウエーハ２を個々のデバイス６に分割する切削溝表出工程を実施する。

この切削溝表出工程は、図６（Ａ）に示すように、チャックテーブル２８と研削ユニット３０を備えた研削装置２６によって実施する。研削ユニット３０は、スピンドル３３の先端部に固定されたマウンタ３２と、このマウンタ３２にボルト３４により固定された研削砥石３６とから構成される。

この切削溝表出工程は、チャックテーブル２８上にウエーハ２の裏面２ｂを上にして保持し、例えば、チャックテーブル２８を矢印２９で示す方向に３００ｒｐｍで回転しつつ、研削砥石３６を矢印３１で示す方向に６０００ｒｐｍで回転して、ウエーハ２の裏面２ｂに研削砥石３６を接触させることによりウエーハ２の裏面２ｂを研削して実施する。この研削は、図６（Ｂ）に示すように、切削溝２２がウエーハ２の裏面２ｂに表出するまで実施する。

このように切削溝２２が表出するまで研削することによって、図６（Ｃ）に示すように、ウエーハ２は個々のデバイス６に分割される。尚、分割された複数のデバイス６は、その表面２ａに保護テープ２４が貼着されているので、ばらばらにはならずウエーハ２の形態が維持される。

ウエーハ２の裏面を研削してウエーハ２を個々のデバイス６に分割後、図７に示すように、ウエーハ２の裏面２ｂにダイボンディング用粘着フィルムであるＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）３８を配設する。次いで、図８に示すように、外周部が環状フレームＦに装着された延性のあるダイシングテープＴにウエーハ２のＤＡＦ３８側を貼着する。

尚、ＤＡＦ３８は図７（Ａ）に示す単体のＤＡＦに限定されるものではなく、図９（Ａ）に示すようなダイシングテープ一体型ＤＡＦ３８も使用可能である。この場合には、外周部が環状フレームＦに貼着されたＤＡＦ一体型ダイシングテープＴのＤＡＦ３８にウエーハ２の裏面を貼着する。

ダイシングテープＴを介して環状フレームＦでＤＡＦ３８が裏面に配設されたウエーハ２を支持したならば、図１０に示すようにウエーハ２の表面２ａから保護テープ２４を剥離する。次に、図１１に示すブレーキング装置６０を用いてＤＡＦ３８を分割予定ライン４に沿って破断するＤＡＦ破断工程を実施する。

図１１に示すブレーキング装置６０は、環状フレームＦを保持するフレーム保持手段６２と、フレーム保持手段６２に保持された環状フレームＦに装着されたダイシングテープＴを拡張するテープ拡張手段６４を具備している。

フレーム保持手段６２は、環状のフレーム保持部材６６と、フレーム保持部材６６の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ６８から構成される。フレーム保持部材６６の上面は環状フレームＦを載置する載置面６６ａを形成しており、この載置面６６ａ上に環状フレームＦが載置される。

そして、載置面６６ａ上に載置された環状フレームＦは、クランプ６８によってフレーム保持部材６６に固定される。このように構成されたフレーム保持手段６２はテープ拡張手段６４によって上下方向に移動可能に支持されている。

テープ拡張手段６４は、環状のフレーム保持部材６６の内側に配設された拡張ドラム７０を具備している。この拡張ドラム７０は、環状フレームＦの内径より小さく、該環状フレームＦに装着されたダイシングテープＴに貼着される半導体ウエーハ２の外径より大きい内径を有している。

拡張ドラム７０はその下端に一体的に形成された支持フランジ７２を有している。テープ拡張手段６４は更に、環状のフレーム保持部材６６を上下方向に移動する駆動手段７４を具備している。この駆動手段７４は支持フランジ７２上に配設された複数のエアシリンダ７６から構成されており、そのピストンロッド７８がフレーム保持部材６６の下面に連結されている。

複数のエアシリンダ７６から構成される駆動手段７４は、環状のフレーム保持部材６６をその載置面６６ａが拡張ドラム７０の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム７０の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動する。

ブレーキング装置６０は更に、半導体ウエーハ２の裏面に貼着されたＤＡＦ３８を冷却する冷却手段８０を具備している。冷却手段８０は、図１２に示すように、拡張ドラム７０内に配設された支持柱８２を含んでいる。支持柱８２の上端には支持板８４が取り付けられており、支持板８４上にはペルチェ素子等の冷却素子８６が配設され、冷却素子８６は冷却板８８で覆われている。

以上のように構成されたブレーキング装置６０を用いて実施するＤＡＦ破断工程について図１２及び図１３を参照して説明する。図１２（Ａ）に示すように、ＤＡＦ３８が裏面に貼着された半導体ウエーハ２をダイシングテープＴを介して支持した環状フレームＦを、フレーム保持部材６６の載置面６６ａ上に載置し、クランプ６８によって環状フレームＦをフレーム保持部材６６に固定する。このとき、フレーム保持部材６６はその載置面６６ａが拡張ドラム７０の上端と略同一高さとなる基準位置に位置づけられる。

この状態で、図１２のＡ部分の拡大図である図１３に示すように、切削溝２２中に所定温度に加熱された電熱線９０を挿入し、溝２２の底に露出したＤＡＦ３８に電熱線９０を接触させてＤＡＦ３８の表面付近を溶融して、ＤＡＦ３８に破断基点９２を形成する。尚、電熱線９０の直径は溝２２中に挿入可能な太さである必要がある。電熱線９０の加熱温度は、８０℃〜３００℃の範囲内であることが好ましい。

図１３では、破断起点９２を形成するための電熱線９０が一本のみ図示されているが、作業の効率化のために所定ピッチ離間された複数本の電熱線９０を有する電熱線ユニットを使用し、一度に複数の切削溝２２の底部に露出したＤＡＦ３８に破断起点９２を形成するのが好ましい。

尚、切削溝２２の幅が電熱線９０を挿入するには狭すぎる場合には、エアシリンダ７６を駆動してフレーム保持部材６６を下降し、ダイシングテープＴを半径方向に拡張する事前拡張工程を実施する。この事前拡張工程により、デバイス６と６の間の溝２２の幅が拡張され、電熱線９０を溝２２中に容易に挿入できるようになる。

この事前拡張工程実施後、エアシリンダ７６を更に駆動してフレーム保持部材６６を図１２（Ｂ）に示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材６６の載置面６６ａ上に固定されている環状フレームＦも下降するため、環状フレームＦに装着されたＤＡＦ３８は冷却板８８の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。

その結果、ダイシングテープＴに貼着されているＤＡＦ３８には放射状に引張力が作用する。このようにＤＡＦ３８に放射状に引張力が作用すると、ＤＡＦ３８には破断起点９２が形成されているので、ＤＡＦ３８は分割予定ライン４に沿って破断起点から破断され、裏面にＤＡＦ３８が貼着された個々のデバイス６を得ることができる。

尚、このＤＡＦ破断工程では、冷却手段８０を作動してＤＡＦ３８を冷却しながら実施するのが好ましい。これは、ＤＡＦ３８は１０℃以下に冷却されると伸縮性が低下し、破断され易くなるからである。

２ 半導体ウエーハ
６ デバイス
１０ 切削装置
１８ 切削ブレード
２２ 切削溝
２４ 保護テープ
２６ 研削装置
３６ 研削砥石
３８ ＤＡＦ
５０ レーザ加工溝
６０ ブレーキング装置
６２ フレーム保持手段
６４ テープ拡張手段
８０ 冷却手段
８６ 冷却素子
Ｔ ダイシングテープ
Ｆ 環状フレーム

Claims (5)

1. 裏面にダイボンディング用粘着フィルムが配設された半導体デバイスの製造方法であって、
   表面に格子状に設けられた分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスがそれぞれ形成されたウエーハを、該分割予定ラインに沿ってその表面側から該デバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成し、
   該溝が形成されたウエーハの表面に保護テープを貼着し、
   該保護テープが貼着されたウエーハの裏面を該デバイスの仕上がり厚さに研削して、該溝を裏面から露出させて該ウエーハを個々のデバイスに分割し、
   個々のデバイスに分割されたウエーハの裏面側にダイボンディング用粘着フィルムを配設し、
   外周部が環状フレームに装着された延性のあるダイシングテープに該ダイボンディング用粘着フィルムを貼着し、
   ウエーハの表面に貼着された該保護テープを剥離し、
   該ダイシングテープに支持されたウエーハの該溝中に所定温度に加熱された該溝に挿入可能な太さの電熱線を挿入し、該溝の底に露出した該ダイボンディング用粘着フィルムに該電熱線を接触させて該ダイボンディング用粘着フィルムの表面付近を溶融して、該ダイボンディング用粘着フィルムに破断起点を形成し、
   該環状フレームに装着された該ダイシングテープを拡張して該ダイボンディング用粘着フィルムを該分割予定ラインに沿って該破断起点から破断する、
   各工程を具備したことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
2. 前記破断起点を形成する前に、前記溝が前記電熱線の直径より広い幅になるまでウエーハが装着された前記ダイシングテープを拡張する事前拡張工程を更に具備した請求項１記載の半導体デバイスの製造方法。
3. 前記ダイボンディング用粘着フィルムを破断起点から破断する工程は、前記ダイボンディング用粘着フィルムが貼着された前記ダイシングテープを冷却しつつ実施する請求項１又は２記載の半導体デバイスの製造方法。
4. 前記電熱線を加熱する温度は８０℃〜３００℃の範囲内である請求項１，２又は３記載の半導体デバイスの製造方法。
5. 前記デバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成する工程は、パルスレーザビームの照射により実施する請求項１〜４の何れかに記載の半導体デバイスの製造方法。

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