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JP5396397B2 - 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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Description

本発明は、芳香族アミン誘導体に関する。また、芳香族アミン誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
有機物質を使用した有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般にEL素子は、発光層及び該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。
従来の有機EL素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。しかしながら、有機EL素子を構成する有機材料が研究されてきた結果、最近の有機EL素子では上記の課題が徐々に改良されている。
有機EL素子を構成する有機材料として、例えば、芳香族アミンを有するスチリル化合物が検討されている(例えば、特許文献1又は2参照。)。このスチリル化合物を使用した有機EL素子では、発光効率及び寿命が改善することが報告されている。
しかしながら、さらなる発光効率及び発光寿命の向上が要求されている。
国際公開WO2007/123137号 国際公開WO2006/049860号
本発明は、有機EL素子の発光効率及び発光寿命を向上することのできる有機材料の提供を目的とする。
本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、特定の構造を有し、かつ置換もしくは無置換のシリル基を有する芳香族アミン誘導体が、有機EL素子の発光効率及び発光寿命を向上することを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
本発明によれば、以下の芳香族アミン誘導体等が提供される。
1.下記式(1)で表される芳香族アミン誘導体。
Figure 0005396397
[式中、
Ar〜Arは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20のアリール基、又は、置換もしくは無置換の核炭素数5〜20のヘテロアリール基であり、Ar〜Arの少なくとも1つは、置換もしくは無置換のシリル基を有する。
Arは、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20のアリーレン基、又は、置換もしくは無置換の核炭素数5〜20のヘテロアリーレン基である。
Lは下記式(A)又は(B)で表わされる基である。
Figure 0005396397
(式中、X及びXは、それぞれ置換基であり、l及びmは、それぞれ、0〜3の整数であり、Rは、置換もしくは無置換の炭素数1〜3のアルキレン基である。
Ar及びArは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20のアリーレン基、又は、置換もしくは無置換の核炭素数5〜20のヘテロアリーレン基であり、nは1〜3であり、Ar及びArは、互いに結合して芳香環を形成してもよい。
但し、ArとArが同時に置換もしくは無置換のフェニレン基である場合を除く。)]
2.前記式(1)中のLが、前記式(A)で表わされる基である1に記載の芳香族アミン誘導体。
3.前記式(A)中のRが、置換基としてアルキル基を有する炭素数1〜3のアルキレン基である2に記載の芳香族アミン誘導体。
4.前記式(1)中のLが、前記式(B)で表わされる基である1に記載の芳香族アミン誘導体。
5.前記式(B)中のnが1である4に記載の芳香族アミン誘導体。
6.有機エレクトロルミネッセンス素子用のドーピング材料である1〜5のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
7.陰極と陽極との間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、1〜5のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
8.前記発光層が前記芳香族アミン誘導体を含有する7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
9.前記発光層が、前記芳香族アミン誘導体と、アントラセン骨格を有する下記式(2a)で表される構造を有する化合物とを含有する7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 0005396397
(式中、Ar11及びAr12は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数6〜20の芳香族環から誘導される基であり、R11〜R18は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数4〜50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアラルキル基(アリール部分は炭素数6〜50、アルキル部分は炭素数1〜50)、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基(アルキル部分は炭素数1〜50)、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシル基から選ばれる基である)。
10.前記式(2a)において、Ar11とAr12とが異なる基である9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11.前記発光層が、前記芳香族アミン誘導体と、ピレン骨格を有する下記式(2b)で表される構造を有する化合物とを含有する7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 0005396397
(式中、Ar13及びAr14は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリール基であり、L及びLは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基、及び置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基から選ばれる基であり、mは0〜2の整数、nは1〜4の整数、sは0〜2の整数、tは0〜4の整数である。L又はAr13はピレンの1〜5位のいずれかに結合し、L又はAr14はピレンの6〜10位のいずれかに結合する)。
12.有機エレクトロルミネッセンス材料として1〜5のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体と、溶媒とを含有する有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液。
13.前記有機エレクトロルミネッセンス材料がホスト材料とドーパント材料とを含み、かつ、
前記ドーパント材料が、1〜5のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体であり、前記ホスト材料が、9に記載の式(2a)で表される化合物及び10に記載の式(2b)で表される化合物の少なくとも1種である12に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液。
本発明によれば、有機EL素子の発光効率及び発光寿命の向上に効果のある芳香族アミン誘導体を提供できる。
また、本発明の有機EL素子は、発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い。
本発明の芳香族アミン誘導体は、下記式(1)で表される化合物である。
Figure 0005396397
式(1)において、Ar〜Arは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20(好ましくは6〜14、更に好ましくは6〜10)のアリール基、又は、置換もしくは無置換の核炭素数5〜20(好ましくは5〜10、更に好ましくは5〜8)のヘテロアリール基であり、Ar〜Arの少なくとも1つは、置換もしくは無置換のシリル基を有する。
Arは、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20(好ましくは6〜14、更に好ましくは6〜10)のアリーレン基、又は、置換もしくは無置換の核炭素数5〜20(好ましくは5〜10、更に好ましくは5〜8)のヘテロアリーレン基である。
Ar〜Arが示す置換もしくは無置換の炭素数6〜20のアリール基としては、例えば、フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2、4−ジメチルフェニル基、2、3−ジメチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−イソプロピルフェニル基、4−シクロペンチルフェニル基、4−シクロヘキシルフェニル基、3−メトキシフェニル基、ビフェニル基、3−フェニルフェニル基、4−メチルビフェニル基、4−エチルビフェニル基、4−シクロヘキシルビフェニル基、ターフェニル基、3,5−ジクロロフェニル基、ナフチル基、5−メチルナフチル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、フルオレニル基、クリセニル基、フェナンチル基、9,9−ジメチルフルオレン−1−イル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、9,9−ジメチルフルオレン−3−イル基、9,9−ジメチルフルオレン−4−イル基等が挙げられ、好ましくはフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2、4−ジメチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−イソプロピルフェニル基、4−シクロヘキシルフェニル基、ビフェニル基、3−フェニルフェニル基、ターフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9,9−ジメチルフルオレン−1−イル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基である。
Ar〜Arが示す置換もしくは無置換の炭素数5〜20のヘテロアリール基としては、例えば、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ピロール、フラン、ベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、オキサジアゾリン、インドリン、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ベンゾキノン、ピラロジン、イミダゾリジン、ピペリジン、ジベンゾフラン、ベンゾオキサゾール等の残基が挙げられる。
Ar〜Arの少なくとも1つは、置換もしくは無置換のシリル基を有する。置換シリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリイソプロピルシリル基等が挙げられ、好ましくは、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基等が挙げられる。
尚、上記Ar〜Arが、さらに置換基を有する場合、置換基としては、後述する式(A)のX及びXに示した例と同様な基が挙げられる。以下、式(1)中の各基が置換基を有する場合の置換基についても同様である。
Arのアリーレン基及びヘテロアリーレン基の例としては、上記Ar〜Arで説明したアリール基又はヘテロアリール基の例を2価とした基が挙げられる。
式(1)において、Lは下記式(A)又は(B)で表わされる基である。
Figure 0005396397
式(A)において、X及びXは、それぞれ置換基を示す。置換基としては、置換もしくは無置換の炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数4〜50(好ましくは4〜20、より好ましくは4〜14)のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8)のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50(好ましくは3〜20、より好ましくは3〜14)のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8)のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアラルキル基(アリール部分は炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)、アルキル部分は炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8))、置換もしくは無置換の炭素数5〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)のアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基(アルキル部分は炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8))、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシル基が挙げられる。
上記置換基の具体例は、後述する式(2a)のR11〜R18と同様である。
l及びmは、それぞれ、0〜3(好ましくは0〜1)の整数である。
は、置換もしくは無置換の炭素数1〜3のアルキレン基である。例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ジメチルメチレン基、ジエチルメチレン基、ジフェニルメチレン基等が挙げられる。
は置換基としてアルキル基を有することが好ましく、具体的には、ジメチルメチレン基、ジエチルメチレン基等が挙げられる。
式(B)において、Ar及びArは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20(好ましくは6〜10)のアリーレン基、又は、置換もしくは無置換の核炭素数5〜20(好ましくは5〜10)のヘテロアリーレン基である。
Ar及びArのアリーレン基及びヘテロアリーレン基の例としては、上記Arと同様、上記Ar〜Arで説明したアリール基又はヘテロアリール基の例を2価とした基が挙げられる。
nは1〜3(好ましくは1)である。
Ar及びArは、互いに結合して芳香環を形成してもよい。例えば、下記の構造が挙げられる。
Figure 0005396397
尚、式(1)において、LとArは中心の−C=C−に対して、シスでもトランスの位置であってもよい。
また、ArとArが同時に置換もしくは無置換のフェニレン基である場合は本発明の芳香族アミン誘導体ではない。
本発明の式(1)で表される芳香族アミン誘導体の具体例を以下に示すが、本発明はこれら例示化合物に限定されるものではない。
Figure 0005396397
Figure 0005396397
本発明の式(1)で表される芳香族アミン誘導体の製造方法は、特に限定されず公知の方法で製造すればよく、例えば、アミン誘導体と芳香族ハロゲン化化合物に対し、テトラへドロン 40(1984)1435〜1456に記載される銅触媒、又はジャーナル オブ アメリカン ケミカル ソサイアティ 123(2001)7727〜7729に記載されるパラジウム触媒を用いたカップリング反応で製造する。
本発明の芳香族アミン誘導体は、有機EL素子用材料として用いると好ましく、有機EL素子用発光材料、特にドーピング材料として用いるとさらに好ましい。
本発明の有機EL素子は、一対の電極に少なくとも発光層を含む1層又は複数層からなる有機化合物層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機化合物層の少なくとも1層が、本発明の芳香族アミン誘導体を少なくとも1種含むものである。
本発明の有機EL素子においては、前記発光層が前記芳香族アミン誘導体を少なくとも1種含むと好ましく、前記発光層中に本発明の芳香族アミン誘導体が0.01〜20重量%含有されていると好ましく、0.5〜20重量%含有されているとさらに好ましく、1〜20重量%含有されていると特に好ましく、5〜20重量%含有されていると最も好ましい。
また、本発明の芳香族アミン誘導体を有機EL素子の発光材料として用いる場合、前記発光層が前記芳香族アミン誘導体を少なくとも1種と下記式(2a)〜(2c)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種とを含むと、発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い有機EL素子が提供できるという点で好ましい。下記式(2a)及び(2b)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種がホスト材料であると好ましい。
以下、式(2a)〜(2c)について説明する。
式(2a)
Figure 0005396397
式(2a)において、Ar11及びAr12は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数6〜20(好ましくは6〜14)の芳香族環から誘導される基である。前記芳香族環は1又は2以上の置換基で置換されていてもよい。前記芳香族環の置換基は、置換もしくは無置換の炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8)のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基(好ましくは3〜20、より好ましくは3〜14)、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8)のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアラルキル基(アリール部分は炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)、アルキル部分は炭素数1〜5)、置換もしくは無置換の炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基(アルコキシ部分は炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8))、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシル基から選ばれ、R11〜R18の具体例として下記に記載する基から選択される。前記芳香族環が2以上の置換基で置換されている場合、前記置換基は同一であっても異なっていてもよく、隣接する置換基同士は互いに結合して飽和又は不飽和の環状構造を形成していてもよい。Ar11とAr12は、異なることが好ましい。また、Ar11とAr12の少なくとも一方は、置換もしくは無置換の炭素数10〜30(好ましくは10〜20)の縮合環基を有する置換基であることが好ましく、置換もしくは無置換のナフチル基を有する置換基であることがより好ましい。
Ar11及びAr12の置換もしくは無置換の炭素数6〜20の芳香族環から誘導される基としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基等が挙げられる。好ましくは、置換もしくは無置換の核炭素数10〜14の芳香族環から誘導される基であり、特に1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−フェナントリル基が好ましい。
11〜R18は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数4〜50(好ましくは4〜20、より好ましくは4〜14)のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8)のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50(好ましくは3〜20、より好ましくは3〜14)のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8)のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアラルキル基(アリール部分は炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)、アルキル部分は炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜12、特に好ましくは1〜8))、置換もしくは無置換の炭素数5〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜14)のアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基(アルキル部分は炭素数1〜50)、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシル基から選ばれる。
式(2a)におけるR11〜R18の置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリール基としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル、9,9−ジメチルフルオレン−1−イル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、9,9−ジメチルフルオレン−3−イル基、9,9−ジメチルフルオレン−4−イル基等が挙げられる。また、フェニル基、フェニレン基、ナフチル基、ナフタレン基を組み合わせた置換基(例えば、フェニルナフチル基、ナフチルフェニル基、ナフチルナフチル基、ナフチルナフチルナフチル基、フェニルフェニルナフチル基、ナフチルナフチルフェニル基、ナフチルフェニルナフチル基、ナフチルフェニルフェニル基、フェニルナフチルナフチル基、フェニルナフチルフェニル基等)でもよい。
式(2a)におけるR11〜R18の置換もしくは無置換の炭素数4〜50のヘテロアリール基としては、1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、1−インドリル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、2−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、1−フェナントリジニル基、2−フェナントリジニル基、3−フェナントリジニル基、4−フェナントリジニル基、6−フェナントリジニル基、7−フェナントリジニル基、8−フェナントリジニル基、9−フェナントリジニル基、10−フェナントリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1,7−フェナントロリン−2−イル基、1,7−フェナントロリン−3−イル基、1,7−フェナントロリン−4−イル基、1,7−フェナントロリン−5−イル基、1,7−フェナントロリン−6−イル基、1,7−フェナントロリン−8−イル基、1,7−フェナントロリン−9−イル基、1,7−フェナントロリン−10−イル基、1,8−フェナントロリン−2−イル基、1,8−フェナントロリン−3−イル基、1,8−フェナントロリン−4−イル基、1,8−フェナントロリン−5−イル基、1,8−フェナントロリン−6−イル基、1,8−フェナントロリン−7−イル基、1,8−フェナントロリン−9−イル基、1,8−フェナントロリン−10−イル基、1,9−フェナントロリン−2−イル基、1,9−フェナントロリン−3−イル基、1,9−フェナントロリン−4−イル基、1,9−フェナントロリン−5−イル基、1,9−フェナントロリン−6−イル基、1,9−フェナントロリン−7−イル基、1,9−フェナントロリン−8−イル基、1,9−フェナントロリン−10−イル基、1,10−フェナントロリン−2−イル基、1,10−フェナントロリン−3−イル基、1,10−フェナントロリン−4−イル基、1,10−フェナントロリン−5−イル基、2,9−フェナントロリン−1−イル基、2,9−フェナントロリン−3−イル基、2,9−フェナントロリン−4−イル基、2,9−フェナントロリン−5−イル基、2,9−フェナントロリン−6−イル基、2,9−フェナントロリン−7−イル基、2,9−フェナントロリン−8−イル基、2,9−フェナントロリン−10−イル基、2,8−フェナントロリン−1−イル基、2,8−フェナントロリン−3−イル基、2,8−フェナントロリン−4−イル基、2,8−フェナントロリン−5−イル基、2,8−フェナントロリン−6−イル基、2,8−フェナントロリン−7−イル基、2,8−フェナントロリン−9−イル基、2,8−フェナントロリン−10−イル基、2,7−フェナントロリン−1−イル基、2,7−フェナントロリン−3−イル基、2,7−フェナントロリン−4−イル基、2,7−フェナントロリン−5−イル基、2,7−フェナントロリン−6−イル基、2,7−フェナントロリン−8−イル基、2,7−フェナントロリン−9−イル基、2,7−フェナントロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、10−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、10−フェノキサジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル1−インドリル基、4−t−ブチル1−インドリル基、2−t−ブチル3−インドリル基、4−t−ブチル3−インドリル基等が挙げられる。
式(2a)におけるR11〜R18の置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモ−t−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨード−t−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノ−t−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノ−t−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロ−t−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
式(2a)におけるR11〜R18及び前記芳香族環の置換基の置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、1−ノルボルニル基、2−ノルボルニル基等が挙げられる。
式(2a)におけるR11〜R18の置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基は−OYで表される基であり、Yは、前記R11〜R18の置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基から選択される。
式(2a)におけるR11〜R18の置換基の置換もしくは無置換のアラルキル基(アリール部分は炭素数6〜50、アルキル部分は炭素数1〜50)としては、ベンジル基、1−フェニルエチル基、2−フェニルエチル基、1−フェニルイソプロピル基、2−フェニルイソプロピル基、フェニル−t−ブチル基、α−ナフチルメチル基、1−α−ナフチルエチル基、2−α−ナフチルエチル基、1−α−ナフチルイソプロピル基、2−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、1−β−ナフチルエチル基、2−β−ナフチルエチル基、1−β−ナフチルイソプロピル基、2−β−ナフチルイソプロピル基、1−ピロリルメチル基、2−(1−ピロリル)エチル基、p−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、o−メチルベンジル基、p−クロロベンジル基、m−クロロベンジル基、o−クロロベンジル基、p−ブロモベンジル基、m−ブロモベンジル基、o−ブロモベンジル基、p−ヨードベンジル基、m−ヨードベンジル基、o−ヨードベンジル基、p−ヒドロキシベンジル基、m−ヒドロキシベンジル基、o−ヒドロキシベンジル基、p−アミノベンジル基、m−アミノベンジル基、o−アミノベンジル基、p−ニトロベンジル基、m−ニトロベンジル基、o−ニトロベンジル基、p−シアノベンジル基、m−シアノベンジル基、o−シアノベンジル基、1−ヒドロキシ−2−フェニルイソプロピル基、1−クロロ−2−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。
式(2a)におけるR11〜R18の置換もしくは無置換の原子数6〜50のアリールオキシ基及びアリールチオ基は、それぞれ−OY’及び−SY”と表され、Y’及びY”は、前記R11〜R18の置換もしくは無置換の原子数6〜50のアリール基から選ばれる。
式(2a)におけるR11〜R18の置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基(アルキル部分は炭素数1〜50)は−COOZと表され、Zは、前記R11〜R18の置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基から選ばれる。
式(2a)におけるR11〜R18の置換シリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
式(2a)におけるR11〜R18のハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
前記R11〜R18及び/又は前記Ar11〜Ar12の芳香族環の置換基は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、芳香族複素環基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基等でさらに置換されていてもよい。
式(2a)で表されるアントラセン誘導体は下記式(2a’)に示す構造を有する化合物であると好ましい。
Figure 0005396397
(式(2a’)中、Ar11及びAr12、R11〜R18は、式(2a)で定義したとおりである。ただし、R11〜R18はX−Y軸に対して対称であり、アントラセン構造の9位及び10位の置換基Ar11とAr12は、X−Y軸に対して非対称である。)
本発明の有機EL素子に用いられる式(2a)で表されるアントラセン誘導体の具体例としては、特開2004‐356033号公報[0043]〜[0063]に示されている分子中にアントラセン骨格を2個有するものや、国際公開第2005/061656号パンフレットの27〜28ページに示されているアントラセン骨格を1個有する化合物等、公知の各種アントラセン誘導体を挙げることができる。代表的な具体例を下記に示す。
Figure 0005396397
Figure 0005396397
Figure 0005396397
Figure 0005396397
Figure 0005396397
Figure 0005396397
Figure 0005396397
Figure 0005396397
Figure 0005396397
Figure 0005396397
式(2b)
Figure 0005396397
式(2b)において、Ar13及びAr14は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜16)のアリール基であり、L及びLは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基、及び、置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基から選ばれる基であり、mは0〜2の整数、nは1〜4の整数、sは0〜2の整数、tは0〜4の整数である。また、L又はAr13はピレンの1〜5位のいずれかに結合し、L又はAr14はピレンの6〜10位のいずれかに結合する。
式(2b)におけるAr13及びAr14の核炭素数6〜50のアリール基としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、9−(10−フェニル)アントリル基、9−(10−ナフチル−1−イル)アントリル基、9−(10−ナフチル−2−イル)アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基等が挙げられる。好ましくは、核炭素数6〜16の芳香族環基であり、特にフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−(10−フェニル)アントリル基、9−(10−ナフチル−1−イル)アントリル基、9−(10−ナフチル−2−イル)アントリル基、9−フェナントリル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基である。
また、前記アリール基は、さらに置換基で置換されていても良く、置換基としては、アルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモ−t−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨード−t−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノ−t−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノ−t−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロ−t−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、1−ノルボルニル基、2−ノルボルニル基等)、炭素数1〜6のアルコキシ基(エトキシ基、メトキシ基、i−プロポキシ基、n−プロポキシ基、s−ブトキシ基、t−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、原子数6〜40のアリール基、原子数6〜40のアリール基で置換されたアミノ基、原子数6〜40のアリール基を有するエステル基、炭素数1〜6のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
式(2b)におけるL及びLは、好ましくは置換もしくは無置換のフェニレン基及び置換もしくは無置換のフルオレニレン基から選ばれる。置換基は、前記アリール基の置換基として例示した基から選ばれる。
式(2b)におけるmは、好ましくは0〜1の整数である。nは、好ましくは1〜2の整数である。sは、好ましくは0〜1の整数である。tは、好ましくは0〜2の整数である。
本発明の有機EL素子に用いられる式(2b)で表されるピレン誘導体の具体例としては、国際公開第2005/115950号パンフレット[0020]〜[0023]に示されている非対称ピレン誘導体を挙げることができる。この他に対称ピレン誘導体も本発明の有機EL素子用材料として利用できる。代表的な具体例を下記に示す。
Figure 0005396397
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Figure 0005396397
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式(2c)
Figure 0005396397
式(2c)において、Ar18〜Ar20は、それぞれ独立に、置換もしくは核炭素数6〜50のアリール基を表し、前記アリール基は1又は2以上の置換基で置換されていてもよい。
Ar18〜Ar20及びこれらのアリール基が有する置換基の少なくとも1つは核炭素数10〜20の縮合環アリール構造又は核炭素数6〜20の縮合環ヘテロアリール構造を有する。Arは、置換もしくは無置換の、芳香族環又は複素芳香環から誘導される3価の基を表す。
式(2c)のAr18〜Ar20の核炭素数6〜50のアリール基は、好ましくは核炭素数が6〜30、より好ましくは6〜20、さらに好ましくは6〜16である。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントレニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオレニル基、ビフェニルイル基、ターフェニルイル基、ルブレニル基、クリセニル基、トリフェニレニル基、ベンゾアントリル基、ベンゾフェナントレニル基、ジフェニルアントリル基等が挙げられ、これらのアリール基はさらに置換基を有していても良い。
アリール基上の置換基としては、例えば、アルキル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、t−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる)、アルケニル基、アリール基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニル、p−メチルフェニル、ナフチル、アントラニル等が挙げられる)、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜12であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基等が挙げられる)、シリル基(好ましくは炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜24であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリル等が挙げられる)等が挙げられる。これらの置換基はさらに置換されてもよい。
式(2c)におけるAr18〜Ar20及びこれらのアリール基が有する置換基の少なくとも1つが有する核炭素数10〜20の縮合環アリール構造としては、ナフタレン構造、アントラセン構造、フェナントレン構造、ピレン構造、ペリレン構造等が挙げられ、好ましくはナフタレン構造、アントラセン構造、ピレン構造、フェナントレン構造であり、より好ましくはフェナントレン構造、4環以上のアリール構造であり、特に好ましくはピレン構造である。
式(2c)におけるAr18〜Ar20及びこれらのアリール基が有する置換基の少なくとも1つが有する核炭素数6〜20の縮合環ヘテロアリール構造としては、キノリン構造、キノキサリン構造、キナゾリン構造、アクリジン構造、フェナントリジン構造、フタラジン構造、フェナントロリン構造等が挙げられ、好ましくは、キノリン構造、キノキサリン構造、キナゾリン構造、フタラジン構造、フェナントロリン構造である。
式(2c)におけるArの芳香環から誘導される3価の基は、好ましくは炭素数6〜30であり、より好ましくは6〜20であり、さらに好ましくは炭素数6〜16である。具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラン、フェナントレン、ピレン、トリフェニレンから誘導される3価の基等が挙げられる。
式(2c)におけるArの複素芳香環から誘導される3価の基は、好ましくはヘテロ原子として窒素原子、硫黄原子及び酸素原子から選ばれる原子を含み、より好ましくは窒素原子を含む。また、好ましくは炭素数2〜30であり、より好ましくは炭素数3〜20であり、さらに好ましくは炭素数3〜16である。具体的には、ピリジン、ピラジン、チオピラン、キノリン、キノキサリン、トリアジンから誘導される3価の基等が挙げられる。
これらの芳香環又は複素芳香環から誘導される3価の基は置換基を有していても良い。置換基としては、置換基Ar18のアリール基上の置換基で示した基等が挙げられる。
Arは、好ましくはベンゼントリイル、ナフタレントリイル、アントラセントリイル、ピレントリイル、トリフェニレンから誘導される3価の基であり、より好ましくはベンゼントリイルであり、さらに好ましくは無置換(Ar18、Ar19及びAr20は置換されている)ベンゼントリイル、アルキル置換ベンゼントリイルである。
本発明の有機EL素子に用いられる式(2c)で表されるベンゼン誘導体の具体例としては、特開2002−324678号公報[0079]〜[0083]に示されているベンゼン誘導体等の公知の各種ベンゼン誘導体を挙げることができる。
本発明において、有機薄膜層が複数層型の有機EL素子としては、(陽極/正孔注入層/発光層/陰極)、(陽極/発光層/電子注入層/陰極)、(陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極)等の構成で積層したものが挙げられる。
前記複数層には、必要に応じて、本発明の芳香族アミン誘導体に加えてさらなる公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を使用することもできる。有機EL素子は、前記有機薄膜層を複数層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することができる。また、ドーピング材料により、発光輝度や発光効率の向上、赤色や青色の発光を得ることもできる。また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良い。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層又は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。
本発明の芳香族アミン誘導体と共に発光層に使用できる上記式(2a)〜(2c)以外のホスト材料又はドーピング材料としては、例えば、ナフタレン、フェナントレン、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、フルオレン、スピロフルオレン、9,10−ジフェニルアントラセン、9,10−ビス(フェニルエチニル)アントラセン、1,4−ビス(9’−エチニルアントラセニル)ベンゼン等の縮合多量芳香族化合物及びそれらの誘導体、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム、ビス−(2−メチル−8−キノリノラート)−4−(フェニルフェノリナート)アルミニウム等の有機金属錯体、トリアリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、スチルベン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、オキサゾン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
正孔注入材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層又は電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明の有機EL素子において使用できる正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、芳香族三級アミン誘導体及びフタロシアニン誘導体である。
芳香族三級アミン誘導体としては、例えば、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N,N’,N’−(4−メチルフェニル)−1,1’−フェニル−4,4’−ジアミン、N,N,N’,N’−(4−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジナフチル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−(メチルフェニル)−N,N’−(4−n−ブチルフェニル)−フェナントレン−9,10−ジアミン、N,N−ビス(4−ジ−4−トリルアミノフェニル)−4−フェニル−シクロヘキサン等、又はこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマーであるが、これらに限定されるものではない。
フタロシアニン(Pc)誘導体としては、例えば、HPc、CuPc、CoPc、NiPc、ZnPc、PdPc、FePc、MnPc、ClAlPc、ClGaPc、ClInPc、ClSnPc、ClSiPc、(HO)AlPc、(HO)GaPc、VOPc、TiOPc、MoOPc、GaPc−O−GaPc等のフタロシアニン誘導体及びナフタロシアニン誘導体があるが、これらに限定されるものではない。
また、本発明の有機EL素子は、発光層と陽極との間に、これらの芳香族三級アミン誘導体及び/又はフタロシアニン誘導体を含有する層、例えば、前記正孔輸送層又は正孔注入層を形成してなると好ましい。
電子注入材料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの電子注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加することにより増感させることもできる。
本発明の有機EL素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合物及び含窒素五員環誘導体である。
前記金属錯体化合物としては、例えば、8−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)亜鉛、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)銅、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)マンガン、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)ガリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)ベリリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリナート)クロロガリウム、ビス(2−メチル−8−キノリナート)(o−クレゾラート)ガリウム、ビス(2−メチル−8−キノリナート)(1−ナフトラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリナート)(2−ナフトラート)ガリウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
前記含窒素五員誘導体としては、例えば、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサゾール、ジメチルPOPOP、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−チアゾール、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−(4’−tert−ブチルフェニル)−5−(4”−ビフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルオキサジアゾリル)]ベンゼン、1,4−ビス[2−(5−フェニルオキサジアゾリル)−4−tert−ブチルベンゼン]、2−(4’−tert−ブチルフェニル)−5−(4”−ビフェニル)−1,3,4−チアジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−チアジアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルチアジアゾリル)]ベンゼン、2−(4’−tert−ブチルフェニル)−5−(4”−ビフェニル)−1,3,4−トリアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−トリアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルトリアゾリル)]ベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明の有機EL素子においては、発光層中に、式(1)で表される芳香族アミン誘導体から選ばれる少なくとも一種の他に、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料及び電子注入材料の少なくとも一種が同一層に含有されてもよい。また、本発明により得られた有機EL素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。
本発明の有機EL素子の陽極に使用される導電性材料としては、4eVより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、ITO基板、NESA基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質としては、4eVより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化リチウム等及びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム/銀、マグネシウム/インジウム、リチウム/アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。
本発明の有機EL素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を10%以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば限定されるものではないが、ガラス基板及び透明性樹脂フィルムがある。透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。
本発明の有機EL素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nm〜10μmの範囲が適しているが、10nm〜0.2μmの範囲がさらに好ましい。
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させて薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。
このような湿式成膜法に適した溶液として、有機EL材料として本発明の芳香族アミン誘導体と溶媒とを含有する有機EL材料含有溶液を用いることができる。
また、前記有機EL材料が、ホスト材料とドーパント材料とを含み、前記ドーパント材料が、本発明の芳香族アミン誘導体であり、前記ホスト材料が、式(2a)及び式(2b)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種であると好ましい。
また、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。
使用可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げられる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げられる。
本発明の有機EL素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の材料は、有機EL素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。尚、各実施例で使用したホスト材料及びドーピング材料を以下に示す。
Figure 0005396397
合成例1[化合物(D−1)の合成]
以下の工程により、化合物(D−1)を合成した。
Figure 0005396397
合成例(1−1) 中間体1の合成
アルゴン気流下、1000mLナスフラスコに、1−ブロモ−4−(トリメチルシリル)ベンゼン27.5g、アニリン33.5g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)1.65g、2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナフチル2.24g、ナトリウムtert−ブトキシド23.0g、トルエンを入れ、100℃にて6時間反応した。
冷却後、反応溶液をセライトろ過し、ろ液を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー(トルエン/ヘキサン(15/85))で精製し、減圧乾燥したところ、23.1gの無色透明の液体を得た。FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析により、中間体1と同定した。
合成例(1−2)中間体2の合成
アルゴン気流下、1000mLのナスフラスコに、2−ブロモ−7−ヨード−9,9−ジメチルフルオレン41.9g、脱水THF300mLを入れ、−65℃に冷却した後、n−ブチルリチウムヘキサン溶液(1.6M)72mLを入れ、30分反応した後、脱水N,N−ジメチルホルムアミドを25mL滴下した後、徐々に昇温し、室温下4時間反応した。
4N塩酸、トルエンを加えて分液、抽出した後、上水、飽和食塩水で有機層を洗浄、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー(トルエン)で精製し得られた固体を減圧乾燥したところ、24.4gの白色固体を得た。FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析により、中間体2と同定した。
合成例(1−3) 中間体3の合成
アルゴン気流下、300mLのナスフラスコに、(4−ブロモベンジル)ホスホン酸ジエチル8.40g、THF50mLを入れ、−68℃に冷却し、カリウムtert−ブトキシド6.16gを入れ、90分反応した。続いて、中間体2 6.90gのTHF(60mL)溶液を滴下し、2時間反応した後、撹拌しながら1時間かけて室温まで昇温し、室温にて2時間反応した。
上水、トルエンを加えて分液、水層をトルエンで抽出した後、合わせた有機層を上水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮して得られた固体をトルエンで再結晶して得られた固体を減圧乾燥したところ、7.00gの黄白色固体を得た。FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析により、中間体3と同定した。
合成例(1−4) D−1の合成
アルゴン気流下、200mLのナスフラスコに、中間体1 5.50g、中間体3 4.50g、ナトリウムtert−ブトキシド1.90g、酢酸パラジウム(II)133mg、トリ−tert−ブチルホスフィン121mg、トルエンを入れ、90℃にて10時間反応した。
冷却後、反応溶液をセライトろ過し、ろ液を濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー(トルエン/ヘキサン(20/80))で精製し、得られた固体をトルエン、エタノールで再結晶して得られた固体を減圧乾燥したところ、2.7gの黄白色固体を得た。
得られた化合物について、FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析結果を示す。
FDMS、calcd for C5354Si=774、found m/z=774(M+)
合成例2[化合物(D−3)の合成]
以下の工程により、化合物(D−3)を合成した。
Figure 0005396397
合成例(2−1) 中間体4の合成
合成例(1−1):(中間体1の合成)において、1−ブロモ−4−(トリメチルシリル)ベンゼンの代わりに4−ブロモベンジルブロミドを用いて、アニリンの代わりに3,5−ジメチルジフェニルアミンを用いた他は、同様の方法で合成した。FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析により、中間体4と同定した。
合成例(2−2) 中間体5の合成
アルゴン気流下、300mLのナスフラスコに、中間体4 9.80g、亜りん酸トリエチル7.10gを入れ、昇温し、蒸留にて精製した臭化エチルを除いた後、減圧蒸留にて未反応の亜りん酸トリエチルを除き、10.8gの白色固体を得た。FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析により、中間体5と同定した。
合成例(2−3) 中間体6の合成
中間体3の合成(合成例(1−3))において、(4−ブロモベンジル)ホスホン酸ジエチルの代わりに中間体5を用いた他は、同様の方法で合成した。FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析により、中間体6と同定した。
合成例(2−4) D−3の合成
D−1の合成(合成例(1−4))において、中間体3の代わりに中間体6を用いた他は、同様の方法で合成した。
得られた化合物について、FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析結果を示す。
FDMS、calcd for C5250Si=730、found m/z=730(M+)
合成例3[化合物(D−11)の合成]
以下の工程により、化合物(D−11)を合成した。
Figure 0005396397
合成例(3−1) 中間体7の合成
アルゴン気流下、500mLのナスフラスコに、トリフルオロメタンスルホン酸6−ブロモ−2−ナフチル14.2g、4−クロロフェニルボロン酸6.9g、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)1.4g、炭酸ナトリウム12.8g(上水60mL)、及びトルエンを入れ、アルゴン気流下、還流にて8時間反応した。
上水、トルエンを加えて分液、水層をトルエンで抽出した後、合わせた有機層を上水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮して得られた租生成物をシリカゲルクロマトグラフィー(トルエン/ヘキサン(30/70))で精製し、得られた固体を減圧乾燥したところ、8.6gの白色固体を得た。FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析により、中間体7と同定した。
合成例(3−2) 中間体8の合成
中間体7の合成(合成例(3−1))において、トリフルオロメタンスルホン酸6−ブロモ−2−ナフチルの代わりに中間体7を用いて、4−クロロフェニルボロン酸の代わりにtrans−2−(4−クロロフェニル)ビニルボロン酸を用いた他は、同様の方法で合成した。FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析により、中間体8と同定した。
合成例(3−3) D−11の合成
D−1の合成(合成例(1−4))において、中間体3の代わりに中間体8を用いた他は、同様の方法で合成した。
得られた化合物について、FD−MS(フィールドディソープションマススペクトル)の分析結果を示す。
FDMS、calcd for C5452Si=784、found m/z=784(M+)
実施例1
25mm×75mm×1.1mmサイズのガラス基板上に、膜厚120nmのインジウムスズ酸化物からなる透明電極を設けた。この透明電極は、陽極として働く。続いて、このガラス基板に紫外線及びオゾンを照射して洗浄したのち、真空蒸着装置にこの基板を設置した。
まず、正孔注入層として、N’,N’’−ビス[4−(ジフェニルアミノ)フェニル]−N’,N’’−ジフェニルビフェニル−4,4’−ジアミンを60nmの厚さに蒸着したのち、その上に正孔輸送層として、N,N,N’,N’−テトラキス(4−ビフェニル)−4,4’−ベンジジンを20nmの厚さに蒸着した。次いで、ホスト材料であるアントラセン誘導体(2a−1)と、ドーピング材料である芳香族アミン誘導体(D−1)とを、質量比40:2で同時蒸着し、厚さ40nmの発光層を形成した。
この発光層上に、電子注入層として、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウムを20nmの厚さに蒸着した。
次に、弗化リチウムを1nmの厚さに蒸着し、次いでアルミニウムを150nmの厚さに蒸着し、有機EL素子を作製した。尚、このアルミニウム/弗化リチウムは陰極として働く。
こうして得られた有機EL素子について、電流密度10mA/cmにおける駆動時の素子性能(発光輝度、発光効率)、及び、初期輝度500cd/cmでの、半減寿命を測定した結果を表1に示す。
Figure 0005396397
実施例2
実施例1において、芳香族アミン誘導体(D−1)の代わりに、(D−3)を用いて有機EL素子を作製し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
実施例3
実施例1において、芳香族アミン誘導体(D−1)の代わりに、(D−11)を用いて有機EL素子を作製し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
実施例4
実施例1において、ホスト材料であるアントラセン誘導体(2a−1)の代わりに(2a’−55)を用いて、有機EL素子を作製し、実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
比較例1
実施例1において、芳香族アミン誘導体(D−1)の代わりに、化合物(A)用いて有機EL素子を作製し、実施例1と同様に評価した。結果を表2に示す。
Figure 0005396397
Figure 0005396397
比較例2
実施例1において、芳香族アミン誘導体(D−1)の代わりに、化合物(B)用いて有機EL素子を作製し、実施例1と同様に評価した。結果を表2に示す。
Figure 0005396397
本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機EL素子は、低い印加電圧で実用上十分な発光輝度が得られ、発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い。このため、壁掛テレビの平面発光体やディスプレイのバックライト等の光源として有用である。
上記に本発明の実施形態及び/又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び/又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
この明細書に記載の文献の内容を全てここに援用する。

Claims (13)

  1. 下記式(1)で表される芳香族アミン誘導体。
    Figure 0005396397
    [式中、
    Ar〜Arは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20のアリール基、又は、置換もしくは無置換の核炭素数5〜20のヘテロアリール基であり、Ar〜Arの少なくとも1つは、置換もしくは無置換のシリル基を有する。
    Arは、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20のアリーレン基、又は、置換もしくは無置換の核炭素数5〜20のヘテロアリーレン基である。
    Lは下記式(A)又は(B)で表わされる基である。
    Figure 0005396397
    (式中、X及びXは、それぞれ置換基であり、l及びmは、それぞれ、0〜3の整数であり、Rは、置換もしくは無置換の炭素数1〜3のアルキレン基である。
    Ar及びArは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数6〜20のアリーレン基、又は、置換もしくは無置換の核炭素数5〜20のヘテロアリーレン基であり、nは1〜3であり、Ar及びArは、互いに結合して芳香環を形成してもよい。
    但し、ArとArが同時に置換もしくは無置換のフェニレン基である場合を除く。)]
  2. 前記式(1)中のLが、前記式(A)で表わされる基である請求項1に記載の芳香族アミン誘導体。
  3. 前記式(A)中のRが、置換基としてアルキル基を有する炭素数1〜3のアルキレン基である請求項2に記載の芳香族アミン誘導体。
  4. 前記式(1)中のLが、前記式(B)で表わされる基である請求項1に記載の芳香族アミン誘導体。
  5. 前記式(B)中のnが1である請求項4に記載の芳香族アミン誘導体。
  6. 有機エレクトロルミネッセンス素子用のドーピング材料である請求項1〜5のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
  7. 陰極と陽極との間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、請求項1〜5のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 前記発光層が前記芳香族アミン誘導体を含有する請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  9. 前記発光層が、前記芳香族アミン誘導体と、アントラセン骨格を有する下記式(2a)で表される構造を有する化合物とを含有する請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 0005396397
    (式中、Ar11及びAr12は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数6〜20の芳香族環から誘導される基であり、R11〜R18は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数4〜50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアラルキル基(アリール部分は炭素数6〜50、アルキル部分は炭素数1〜50)、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数5〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基(アルキル部分は炭素数1〜50)、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基及びヒドロキシル基から選ばれる基である)。
  10. 前記式(2a)において、Ar11とAr12とが異なる基である請求項9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  11. 前記発光層が、前記芳香族アミン誘導体と、ピレン骨格を有する下記式(2b)で表される構造を有する化合物とを含有する請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 0005396397
    (式中、Ar13及びAr14は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリール基であり、L及びLは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基、及び置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基から選ばれる基であり、mは0〜2の整数、nは1〜4の整数、sは0〜2の整数、tは0〜4の整数である。L又はAr13はピレンの1〜5位のいずれかに結合し、L又はAr14はピレンの6〜10位のいずれかに結合する)。
  12. 有機エレクトロルミネッセンス材料として請求項1〜5のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体と、溶媒とを含有する有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液。
  13. 前記有機エレクトロルミネッセンス材料がホスト材料とドーパント材料とを含み、かつ、
    前記ドーパント材料が、請求項1〜5のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体であり、前記ホスト材料が、請求項9に記載の式(2a)で表される化合物及び請求項10に記載の式(2b)で表される化合物の少なくとも1種である請求項12に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料含有溶液。
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