JP5220692B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は表示装置に係り、特に、表示装置の小型化、画面の高精細化、あるいはＩＣドライバの小型化にともない、ピッチが小さくなった配線とＩＣドライバ等との接続技術に関する。

液晶表示装置は、画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリックス状に形成されたＴＦＴ基板に、画素電極と対応する箇所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が設置され、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持されて構成されている。そして液晶の分子によって光の透過率を画素ごとに制御することによって画像を形成している。

ＴＦＴ基板には、縦方向に延在し横方向に配列した複数の映像信号線と、横方向に延在し縦方向に配列した複数の走査信号線とが形成され、映像信号線と走査信号線とで囲まれた領域に画素が形成される。画素は主として画素電極とスイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成される。このようにマトリックス状に形成された多数の画素によって表示領域が形成される。ＴＦＴ基板の表示領域には、ＴＦＴが形成され、この上に無機パッシべーション膜が形成され、その上に画素電極が形成される。無機パッシべーション膜としてはたとえばＳｉＮなどの絶縁膜が形成され、画素電極としてはたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜が使用される。

ＴＦＴ基板の表示領域の外側の周囲には、映像信号線に信号（映像信号）を供給するための端子群、走査信号線に信号（走査信号）を供給するための端子群などが形成されている。そして、これらの端子群にはＩＣドライバ（ドライバチップ）のバンプが接続される。ここで、画面が高精細化するにしたがって、ＩＣドライバと接続する端子の数が多くなり、端子間ピッチも小さくなる。また、ＩＣドライバの小型化にともなうバンプピッチの縮小化も端子間のピッチが小さくなる要因となっている。そうするとＩＣドライバに形成されたバンプと端子とを接続する面積が充分に確保できなくなる。下記特許文献１には、配線ピッチがＩＣドライバのバンプピッチよりも小さい場合、配線とバンプとの接続を数段に分けて行うことによって、バンプのピッチと配線のピッチとの整合をとる構成が記載されている。

表示装置が小型化し、表示領域周辺の額縁を小さくした場合、特に走査信号線の引き出し線を表示装置の一辺に集める構成が採られる。この場合、前記引き出し線を全て一平面で引き回すと大きな面積を必要とする。これを回避するため、絶縁膜を介して前記引き出し線を立体的に（多層に）引き出すことによって、引き出すための面積を節約することができる。このような構成はたとえば下記特許文献２に記載がある。

特開２００８−０２０７９１号公報 特開２００４−５３７０２号公報

表示装置の高精細化、狭額縁化、ＩＣドライバの小型化がさらに進むと、配線のピッチがさらに小さくなる。液晶表示装置等では、表示領域外においては、配線を外気から保護するために、配線はパッシべーション膜等の絶縁膜によって覆われて保護されている。しかし、ＩＣドライバのバンプ等と接続する箇所においては、この絶縁膜にコンタクトホールを形成して、配線を露出させる必要がある。そして、このコンタクトホール部において、配線が腐食されないように、コンタクトホール部を化学的に安定な透明導電膜、たとえばＩＴＯによって被覆する。

コンタクトホールを形成するためには、所定の面積が必要である。また、端子とバンプとの間の接続の信頼性を確保するためには、所定のコンタクトのための面積が必要である。コンタクトホール用の面積を確保するために、あるいは、端子とバンプとの間のコンタクトのための面積を確保するために、端子の配置を千鳥状あるいは特許文献１に記載のように数段に分ける配置をとることができる。しかし、このような構成を採用した場合、平行して延在する他の配線の領域が狭められることになる。そうすると、配線幅と配線間隔が配線の加工精度よりも小さくなる場合がある。

本発明の目的は、高精細化によって配線間のピッチが小さくなった場合であっても、ＩＣドライバと接続する端子の面積、および端子におけるコンタクトホールのための所定の面積を確保でき、配線のパターニングを可能とした表示装置を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、ＩＣドライバの搭載の際のずれ発生のショートマージンの向上を図った表示装置を提供することにある。

本発明の構成は、たとえば、以下のようなものとすることができる。

本発明は、表示領域を備え、前記表示領域内に形成される信号線が端子配線を介して前記表示領域の外側に形成された端子群の各端子に接続される基板と、
異方性導電膜を介して、前記端子のそれぞれに対向して接続されるバンプを有するＩＣドライバを備える表示装置であって、
前記各端子は、隣接するもの同士で前記端子配線の走行方向にずれを有して多段に配置され、
同一の段に配置された端子において隣接する一方の端子を第１端子とし他方の端子を第２端子とした場合、前記第１端子および前記第２端子の形成領域は、それぞれ、他の部分よりも幅の広い端子配線からなる第１部分と、前記端子配線の走行方向に前記第１部分に隣接する端子配線からなる第２部分とを有し、前記第１端子の形成領域における前記第１部分と前記第２部分は、それぞれ、前記第２端子の形成領域における前記第１部分と前記第２部分に対して千鳥配置となっており、
前記第１端子および前記第２端子は、前記第１部分の端子配線の上に形成されたコンタクトホールを覆った幅の広い部分と前記第２部分の端子配線の上に重ねて配置される幅の狭い部分からなる透明導電膜で構成され、
前記第１部分に隣接する他の端子配線は前記第１部分との干渉を避けて屈曲して形成され、
前記ＩＣドライバの前記第１端子に接続されるバンプは、前記第１端子の幅の広い部分に対応させて幅を広くした部分と前記第１端子の幅の狭い部分に対応させて幅を狭くした部分とを有し、前記ＩＣドライバの前記第２端子に接続されるバンプは、前記第２端子の幅の広い部分に対応させて幅を広くした部分と前記第２端子の幅の狭い部分に対応させて幅を狭くした部分とを有することを特徴とするものである。

なお、上記した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、上記した構成以外の本発明の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。

本発明の表示装置によれば、高精細化によって配線間のピッチが小さくなった場合であっても、ＩＣドライバと接続する端子の面積、および端子におけるコンタクトホールのための所定の面積を確保でき、配線のパターニングを可能とすることができる。

また、本発明の表示装置によれば、ＩＣドライバの搭載の際のずれ発生のショートマージンの向上を図ることができる。

本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。

実施例１の端子構造の平面図である。 図１のｂ−ｂ線における断面図である。 端子（ＩＴＯ）とＩＣドライバのバンプの形状の関係を示した図である。 本発明の効果を示す断面図である。 本発明を適用しない場合の不都合を示す断面図である。 表示装置と半導体装置の概略を示す斜視図である。 表示装置と半導体層の接続を示す断面図である。 端子構造の例を示す平面図である。 図８のｂ−ｂ線における断面図である。 端子構造の他の例を示す平面図である。 図１０のｂ−ｂ線における断面図である。 図１０のｃ−ｃ線における断面図である。 図１０のｄ−ｄ線における断面図である。

本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。なお、各図および各実施例において、同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。

ここで、本発明の具体的な端子構成を説明するに先立って、本発明が適用される液晶表示装置、および、その端子部の構成について説明する。本明細書においては、液晶表示装置を例に挙げて説明するが、たとえば有機ＥＬ表示装置等の他の表示装置についても適用できる。

図６は、本発明が適用される液晶表示装置の概略を示す図である。図６は、携帯電話等に使用される小型の液晶表示装置を示している。図６において、画素電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリックス状に形成されたＴＦＴ基板１００に、対向基板２００が対向して配置されている。対向基板２００にはカラーフィルタがＴＦＴ基板１００の画素電極に対応して形成され、カラー用画素を形成している。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間には液晶が挟持されている。液晶が挟持された領域は多数の画素からなる表示領域を構成するようになっている。

表示領域には、図示していないが、複数の走査信号線と、これら走査信号線と交差する複数の映像信号線とが形成され、これら信号線に所定の信号を供給することによって、前記画素を駆動でき、これら信号線はその端子（図７において符号１０で示す）を通して後述のＩＣドライバ３００に接続されている。

ＴＦＴ基板１００の対向基板２００から露出された領域には、前記画素のそれぞれを駆動するＩＣドライバ３００が搭載され、外部から前記ＩＣドライバ３００に電源、信号等を供給するためのフレキシブル配線基板５００が接続されている。ＩＣドライバ３００は、図７に示すように、異方性導電フィルム４００を介してＴＦＴ基板１００上の端子１０に接続されている。

ＴＦＴ基板１００上に形成された端子１０は、後述で明らかとなるように、配線メタル、コンタクトホール、透明導電膜（ＩＴＯ）等で形成されているが、図７においては簡略化して示している。ＩＣドライバ３００はＴＦＴ基板１００と対向する面においてバンプ３１０が形成され、これらバンプ３１０が異方性導電フィルム４００を介して前記端子１０に電気的に接続されている。異方性導電フィルム４００は樹脂フィルムに導電性粒子４１０が分散されて構成されている。ＴＦＴ基板１００に対してＩＣドライバ３００を圧着することによって端子１０とバンプ３１０は導電性粒子４１０によって電気的に接続されるようになる。

図８、図９は、ＴＦＴ基板１００に形成された端子部の詳細図である。図８は端子部の平面図である。図８の図中上側が表示領域となり図中下側がＴＦＴ基板１００の端部となっている。図９は図８のｂ−ｂ線における断面図である。図８において、配線ピッチが小さいために、端子１０は千鳥配置に形成されている。図中横方向に隣接する端子１０のピッチｘはたとえば３６μｍとなっている。図８において、下層の端子配線１５にはゲートメタル５０が使用される。ここで、ゲートメタル５０は、表示領域における薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する場合がある）のゲート電極、あるいはゲート電極と同層の金属が使用されるので、この名称を用いる。なお、走査信号線もゲートメタル５０で形成されている。ゲートメタル５０としてはたとえばＭｏが使用される。図８に示すように、ゲートメタル５０は、端子１０の部分において、その前後の配線部分よりも幅が大きく形成されている。コンタクトホール４０を形成するためである。図９に示すように、ゲートメタル５０を被って、ゲート絶縁膜５５、パッシべーション膜６５が積層されて形成され、前記コンタクトホール４０はパッシべーション膜６５、ゲート絶縁膜５５に形成されている。なお、ゲート絶縁膜５５、パッシべーション膜６５はゲートメタル５０を保護するために形成されている。

前記コンタクトホール４０はゲートメタル５０の一部を露出させ、露出されたゲートメタル５０を被うようにして透明導電膜であるＩＴＯ３０が形成されている。ＩＴＯ３０はゲートメタル５０を保護するとともに、ＩＣドライバ３００のバンプ３１０との接続を図るために設けられる。ＩＴＯ３０はコンタクトホール４０よりも幅広に形成されている。この実施例では、透明導電膜としてＩＴＯを用いているが他の透明導電膜であってもよい。図８において、ハッチが示された領域はＩＴＯ３０の形成領域を示し、点線枠はバンプ３１０の対向領域を示している。バンプ３１０はＩＴＯ３０とほぼ同じ形状で若干小さくなっている。なお、図９においては、バンプ３１０の図示を省略している。

このような構成は、上述したように、隣り合う端子１０のピッチｘが３６μｍとなっており、加工が可能となる。すなわち、端子部のゲートメタル５０の幅を２０μｍとすると、千鳥配置された上の段において隣り合う端子１０の間隙は１６μｍとなる。この間隙には一本の端子配線１５が走行しており、この端子配線１５の幅および隣接する端子１０との間隔を、それぞれ、５．３μｍ程度に確保でき、通常の微細加工によって形成可能の範囲となる。このことは、隣り合う端子１０のピッチｘが３６μｍよりも小さくなると微細加工が困難となることを意味する。

配線間ピッチがさらに小さくなった場合に対応する端子部の構成の例が図１０、図１１、図１２、図１３である。図１０は端子部の平面図である。図１０の図中上側が表示領域となり図中下側がＴＦＴ基板１００の端部となっている。図１１は図１０のｂ−ｂ線における断面図、図１２は図１０のｃ−ｃ線における断面図、図１３は図１０のｄ−ｄ線における断面図である。図１０、図１１、図１２、図１３の特徴は端子部において端子配線１５をゲートメタル５０とＳＤメタル６０の２層構造としていることである。ここで、ＳＤメタル６０は表示領域のＴＦＴのソース・ドレイン電極と同じ層の金属が使用されるので、この名称を用いる。なお、映像信号線もＳＤメタルで形成されている。ＳＤメタル６０にはたとえばＡｌで用いられる。ゲートメタル５０とＳＤメタル６０との間はゲート絶縁膜５５によって層間絶縁されている。なお、図１０においてハッチが施されている領域がＩＴＯ３０である。

図１０において、端子配線ｋ、ｌ、ｍ、ｎは、表示領域からゲートメタル５０によって引き出されている。端子配線ｋおよび端子配線ｍは端子部に入る前に配線用コンタクトホール４２を介してＳＤメタル６０に乗り換える。この構成を、図７Ａの端子配線ｍにおけるｄ−ｄにおける断面である図１３に示している。

図１３において、表示領域側からゲートメタル５０が配線用コンタクトホール４２の部分まで延在している。配線用コンタクトホール４２はゲート絶縁膜５５とパッシべーション膜６５に形成され、ゲートメタル５０の一部を露出させる。一方、端子１０側にはＳＤメタル６０による端子配線１５（端子配線ｍ）が形成されている。端子１０側では、パッシべーション膜６５に端子用コンタクトホール４１が形成され、端子配線１５（端子配線ｍ）であるＳＤメタル６０の一部を露出させている。ＩＴＯ３０が配線用コンタクトホール４２と端子用コンタクトホール４１とを共通に被うことによって、ゲートメタル５０と端子１０とが接続されている。端子配線ｋも同様の構成となっている。

したがって、端子配線ｋおよび端子配線ｍは、ＳＤメタル６０が端子１０の端子配線として使用されている。一方、端子配線ｌおよび端子配線ｎは表示領域から延在してきたゲートメタル５０が端子１０の端子配線として使用されている。このため、端子１０の部分における幅が太い端子配線１５（千鳥配置の図中上の段の場合はＳＤメタル６０、図中下の段の場合はゲートメタル５０）と、端子１０の脇を走行する幅が狭い端子配線１５（千鳥配置の図中上の段の場合はゲートメタル５０、図中下の段の場合はＳＤメタル６０）とは別な層で形成されている。フォトリソグラフィ技術における加工は、各層別に行われるので、露光時の解像度の問題は生じない。

この状態を図１１に示す。図１１において、端子用コンタクトホール４１はＩＴＯ３０とＳＤメタル６０とを接続している。幅が太い端子配線１５（ＳＤメタル６０）の脇を走行する幅が狭い端子配線１５はゲートメタル５０で形成されている。こうすることによって、端子１０用の端子配線を同一層に形成する場合に比較して、微細加工の裕度を上げることができる。すなわち、図１１において、第１層であるゲートメタル５０の配線間隔はｄ１であり、第２層のＳＤメタル６０の配線間隔はｄ２であり、端子配線１５を全て同じ層上に配置する場合の配線間の間隔ｄ３と比較して大きくなる。

また、端子部の他の断面である図１２に示すように、端子用コンタクトホール４１はゲートメタル５０とＩＴＯ３０とを接続している。幅が太い端子配線１５（ゲートメタル５０）の脇を走行する幅が狭い端子配線１５はＳＤメタル６０で形成されている。ゲートメタル５０とＳＤメタル６０とは別層で形成されているので、同一層に形成する場合に比較してフォト行程、特に露光の裕度を上げることができる。この場合、ゲートメタル５０の間の間隔はｄ１であり、ＳＤメタル６０の間の間隔はｄ２となり、全ての配線を同一層として形成した場合の間隔ｄ３に比較して大きくなる。

図１０、図１１、図１２、図１３の構成は、端子部の露光行程における解像度の問題を克服することができるが、端子部の配線を２層構造とすることを免れない。２層構造の場合は、フォト行程において、フォトマスク同士の合わせの問題が生ずる。また、２層配線において、マスクがずれて第１層のゲートメタル５０と第２層のＳＤメタル６０とがオーバーラップする場合も生じる。この場合、ＩＣドライバ３００のバンプ３１０を圧着する際に、絶縁膜が破壊されると、ゲートメタル５０とＳＤメタル６０との接触の憂いが生じ、この接触が異なる信号が印加される端子配線同士でなされる場合に問題が生じる。

このような問題を考慮すると、端子部の配線を１層で行えればそれにこしたことはない。

図１、図２は、本発明の第１の実施例である。図１は端子部の平面図であり、図中上側が表示領域、図中下側がＴＦＴ基板１００の端部となっている。図２は図１のｂ−ｂ線における断面図である。

図１において、表示領域側からゲートメタル５０による端子配線が延在している。ゲートメタル５０は端子部において、幅の広い部分と幅の狭い部分とを有している。ゲートメタル５０の幅の広い部分には端子用コンタクトホール４１が形成されている。端子用コンタクトホール４１を形成するには、ある程度の幅が必要である。一方、端子部において、ゲートメタル５０の幅の狭い部分にはコンタクトホール４０は形成されていない。コンタクトホール４０が形成されていなければ、ゲートメタル５０は太くする必要はない。

この構成の特徴は、１個の端子１０を第１部分１１と第２部分１２に分け、第１部分１１においては、端子用コンタクトホール４１を形成してゲートメタル５０とＩＴＯ３０との接続を図る。一方、第２部分１２においては、コンタクトホール４０は形成せず、パッシべーション膜６５上に、ＩＴＯ３０のみを形成する。この部分のＩＴＯ３０はＩＣドライバ３００のバンプ３１０との接続にのみ用いる。なお、このように構成されるＩＴＯ３０は、この実施例１において、端子１０に相当し、以下の説明においてＩＴＯ３０と端子１０は同義として扱う。ここで、同一の段に配置された端子１０（たとえば図中上段に配置される端子１０）において、隣接する一方の端子を第１端子（たとえば端子配線ｌの端子１０）とし他方の端子を第２端子（たとえば端子配線ｎの端子１０）とした場合、第１端子の形成領域における第１部分１１と第２部分は、それぞれ、第２端子の形成領域における第１部分１１と第２部分に対して千鳥配置となっている。

図１において、端子部のＩＴＯ３０には、ハッチを施して示している。ＩＴＯ３０は第１部分１１ではゲートメタル５０とほぼ同じ外形であり、第２部分１２（図中一点鎖線で示している）では、ゲートメタル５０よりも幅が広くなっている。しかし、第２部分１２におけるＩＴＯ３０の幅は第１部分１１のＩＴＯ３０の幅よりも小さくなっている。

ＩＣドライバ３００のバンプ３１０に相当する部分は図１において、点線で示している。この実施例１では、前記バンプ３１０は、端子１０の幅の広い部分に対応させて幅を広くした部分と端子１０の幅の狭い部分に対応させて幅を狭くした部分とを有するようにしている。このような端子１０とＩＣドライバ３００のバンプ３１０の形状の関係を拡大図である図３に示す。図中一点鎖線枠はＩＴＯ３０（端子１０）を示し、点線枠はバンプ３１０を示している。図３から明らかとなるように、ＩＣドライバ３００のバンプ３１０の幅は、幅の広いＩＴＯ３０の部分において幅が広くなっており、幅の狭いＩＴＯ３０の部分において幅が狭くなっている。そして、バンプ３１０の幅は、その広狭に拘わらず、ＩＴＯの幅よりも若干狭く構成されている。また、図３では、上述した第１端子に相当する端子１０と第２端子に相当する端子１０とを並設して示している。図３から明らかとなるように、第１端子に相当する端子１０（たとえば図中左側の端子１０）に接続されるバンプ３１０の幅が広い部分と狭い部分が、それぞれ、第２端子に相当する端子１０（図中右側の端子１０）に接続されるバンプ３１０の幅が広い部分と狭い部分に対して千鳥配置となる関係となっている。

図２において、端子部の端子配線は全て同一の層で同一の材料（ゲートメタル５０）によって形成されている。したがって、互いに隣接する端子配線は同一の層で形成されている。ゲートメタル５０の幅は、端子用コンタクトホール４１が形成されている第１部分１１では広く、その他の部分（第２部分１２を含む）では第１部分１１よりも狭い。図２において、ゲートメタル５０の上にはゲート絶縁膜５５が形成され、ゲート絶縁膜５５の上にはパッシべーション膜６５が形成されている。端子配線ｌの第１部分１１に相当する部分には端子用コンタクトホール４１が形成され、ＩＴＯ３０とゲートメタル５０とがコンタクトする。端子配線ｌの右隣には、端子配線ｍが所定の間隔をもって走行し、端子配線ｍのさらに右隣には、端子配線ｎの第２部分１２が存在している。端子配線ｎの第２部分１２に相当する部分では、ゲートメタル５０の幅は小さく、端子配線ｍと同じ幅である。一方、端子配線ｎの上には、ゲート絶縁膜５５およびパッシべーション膜６５を介してＩＴＯ３０が存在している。このＩＴＯ３０は、端子配線ｎの第１部分１１に形成された端子用コンタクトホール４１によってゲートメタル５０と接続されている。端子配線ｎの第２部分１２におけるゲートメタル５０の幅が小さいために、ゲートメタル５０を同一平面上に形成しても、ゲートメタル５０同士の間の間隔ｄ４を露光によるパターニングが可能な大きさまで大きくすることができる。

以上の内容を図１に即して説明すると次の通りである。図１において、端子配線ｌは第１部分１１において、ゲートメタル５０の幅は第２部分１２よりも大きくなっている。端子配線ｌに隣接するゲートメタル５０による他の端子配線ｋおよび端子配線ｍは、第１部分１１に隣接する領域では、端子配線ｌの第１部分１１よりも配線幅が狭く、かつ、端子配線ｌの第１部分から遠ざかるように外側へ屈曲するように形成されている。端子配線ｋおよび端子配線ｍを外側に屈曲して形成したことによって、端子配線ｌの幅が太くなった第１部分１１と、端子配線ｋあるいは端子配線ｍとの間隔を、露光によるパターニングが可能な範囲にまで大きくすることができる。

この場合、端子配線ｋおよび端子配線ｍを外側に屈曲させることにより、さらに隣の端子配線との距離が狭くなってしまうことが憂えられる。しかし、図１に示すように、たとえば、端子配線ｍの隣の端子配線ｎは端子１０ではあるが、端子配線ｍが屈曲している部分においては、端子用コンタクトホール４１は形成されていない。すなわち、端子１０の第２部分１２の構成となっている。そして、コンタクトホール４０が形成されていない第２部分１２の端子配線ｎの幅は他の部分と同じように細いままとなっている。したがって、端子配線ｎと端子配線ｍとの間隔は、露光によるパターニングが可能な程度にまで大きくすることができる。このような構成とすることによって、図１、図２における端子１０同士の間のピッチｘを３４μｍ以下にまで小さくしても、露光による配線パターニングが可能になる。

さらに、図４は、図２に対応して描いた図であり、ＩＴＯ３０とＩＣドライバ３００のバンプ３１０との位置関係を示した断面図である。上述したように、本実施例では、図４に示したように、バンプ３１０は、ＩＴＯ３０の幅の広い部分に対応させて幅を広くした部分とＩＴＯ３０の幅の狭い部分に対応させて幅を狭くした部分とを有するように構成している。このことから、図４において、端子配線ｌ上のＩＴＯ３０（図中３０ａで示す）に接続されるバンプ３１０（図中３１０ａで示す）と、端子配線ｎ上のＩＴＯ３０（図中３０ｂで示す）に接続されるバンプ３１０（図中３１０ｂで示す）において、それぞれ、幅が異なっている。

このようにした場合、ＩＴＯ３０ａと、このＩＴＯ３０ａと接続されるＩＣドライバ３００のバンプ３１０ａに隣接するバンプ３１０ｂとの離間距離ＸＴと、ＩＴＯ３０ｂと、このＩＴＯ３０ｂと接続されるＩＣドライバ３００のバンプ３１０ｂに隣接するバンプ３１０ａとの離間距離ＸＴは、いずれかが小さくなってしまうということはなく、最大限の距離を確保できる。したがって、端子配線間のピッチが小さくなっても、ＩＣドライバ３００の搭載の際のずれ発生によるショートマージンを向上させることができる効果を奏する。

ちなみに、図５は、ＩＣドライバ３００のバンプ３１０を、ＩＴＯ３０の第１部分１１における幅に合わせ、太い部分のみとして構成した場合における図で、図４と対応させて描いている。この場合、端子配線ｌの第１部分１１上のＩＴＯ３０ａと、このＩＴＯ３０ａと接続されるＩＣドライバ３００のバンプ３１０ａに隣接する他のバンプ３１０ｂとの離間距離ＸＴ１は、端子配線ｎの第２部分上のＩＴＯ３０ｂと、このＩＴＯ３０ｂと接続されるＩＣドライバ３００のバンプ３１０ｂに隣接する他のバンプ３１０ａとの離間距離ＸＴ２（図４に示したＸＴと同値）に対して小さくなってしまう。この場合、端子配線間のピッチが小さくなると、端子配線ｌの第１部分１１における端子について、ＩＣドライバ３００の搭載の際のずれ発生のショートマージンが低くなってしまう不都合を有することになる。

上述した実施例は、端子配線をゲートメタル５０によって構成したものである。しかし、これに限定されることはなく、たとえばＳＤメタル６０によって構成するようにしてもよい。

以上、本発明を実施例を用いて説明してきたが、これまでの各実施例で説明した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、それぞれの実施例で説明した構成は、互いに矛盾しない限り、組み合わせて用いてもよい。

１０……端子、１１……第１部分、１２……第２部分、１５……端子配線、２０……乗り換え端子、３０……ＩＴＯ、４０……コンタクトホール、４１……端子用コンタクトホール、４２……配線用コンタクトホール、５０……ゲートメタル、５５……ゲート絶縁膜、６０……ＳＤメタル、６５……パッシベーション膜、１００……ＴＦＴ基板、２００……対向基板、３００……ＩＣドライバ、３１０……バンプ、４００……異方性導電フィルム、４１０……導電性粒子、５００……フレキシブル配線基板。

Claims (6)

1. 表示領域を備え、前記表示領域内に形成される信号線が端子配線を介して前記表示領域の外側に形成された端子群の各端子に接続される基板と、
   異方性導電膜を介して、前記端子のそれぞれに対向して接続されるバンプを有するＩＣドライバを備える表示装置であって、
   前記各端子は、隣接するもの同士で前記端子配線の走行方向にずれを有して多段に配置され、
   同一の段に配置された端子において隣接する一方の端子を第１端子とし他方の端子を第２端子とした場合、前記第１端子および前記第２端子の形成領域は、それぞれ、他の部分よりも幅の広い端子配線からなる第１部分と、前記端子配線の走行方向に前記第１部分に隣接する端子配線からなる第２部分とを有し、前記第１端子の形成領域における前記第１部分と前記第２部分は、それぞれ、前記第２端子の形成領域における前記第１部分と前記第２部分に対して千鳥配置となっており、
   前記第１端子および前記第２端子は、前記第１部分の端子配線の上に形成されたコンタクトホールを覆った幅の広い部分と前記第２部分の端子配線の上に重ねて配置される幅の狭い部分からなる透明導電膜で構成され、
   前記第１部分に隣接する他の端子配線は前記第１部分との干渉を避けて屈曲して形成され、
   前記ＩＣドライバの前記第１端子に接続されるバンプは、前記第１端子の幅の広い部分に対応させて幅を広くした部分と前記第１端子の幅の狭い部分に対応させて幅を狭くした部分とを有し、前記ＩＣドライバの前記第２端子に接続されるバンプは、前記第２端子の幅の広い部分に対応させて幅を広くした部分と前記第２端子の幅の狭い部分に対応させて幅を狭くした部分とを有することを特徴とする表示装置。
2. 前記端子配線は、それぞれ、同一の層で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記端子配線はゲートメタルによって構成したことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記端子配線はＳＤメタルによって構成したことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第１端子に相当する端子に接続されるバンプの幅が広い部分と狭い部分が、それぞれ、第２端子に相当する端子に接続されるバンプの幅が広い部分と狭い部分に対して千鳥配置となっていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
6. 前記透明導電膜はＩＴＯで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

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