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JP5299251B2 - 発光装置およびプロジェクター - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置およびプロジェクターに関する。
近年、プロジェクターやディスプレイなどの表示装置の光源用の発光装置として、高輝
度で色再現性に優れたレーザー素子を有する発光装置が期待されている。このような光源
用の発光装置では、明るい画像を表示するために、高出力化が望まれている。高出力化を
図る方法として、例えば特許文献１には、半導体レーザーアレイからなる発光素子をスタ
ック状に積層した発光装置が提案されている。特許文献１の発光装置では、スタック状に
積層された発光素子から出射された出射光を、各光反射面が階段状にずれた状態となるよ
うに形成された反射部材によって反射させて、集光レンズに入射させている。
特開２００１−２１５４４３号公報
しかしながら、特許文献１の構成では、各光反射面が出射光の進行方向に対して階段状
にずれた状態で配置されているため、装置が出射光の進行方向に大きくなってしまう問題
がある。
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、高出力化および小型化を図ることができ
る発光装置を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、
上記発光装置を有するプロジェクターを提供することにある。
本発明に係る発光装置は、
第１出射光を出射する第１出射面と、前記第１出射光とは反対方向に向かって進行する
第２出射光を出射する第２出射面と、を有する第１発光素子と、
前記第１出射光と同じ方向に向かって進行する第３出射光を出射する第３出射面と、前
記第３出射光とは反対方向に向かって進行する第４出射光を出射する第４出射面と、を有
する第２発光素子と、
前記第１発光素子の前記第１出射光を反射させる第１反射面と、
前記第１発光素子の前記第２出射光を反射させる第２反射面と、
前記第２発光素子の前記第３出射光を反射させる第３反射面と、
前記第２発光素子の前記第４出射光を反射させる第４反射面と、
を含み、
前記第１発光素子と前記第２発光素子は、第１方向に積層され、
前記第１出射面と前記第３出射面は、第１平面内にあり、
前記第２出射面と前記第４出射面は、第２平面内にあり、
前記第１出射面と前記第３出射面とは、前記第１平面において、前記第１方向に並ばな
いように配置され、
前記第２出射面と前記第４出射面とは、前記第２平面において、前記第１方向に並ばな
いように配置され、
前記第１反射面および前記第３反射面は、前記第１出射面から前記第１反射面までの前
記第１出射光の光路長と、前記第３出射面から前記第３反射面までの前記第３出射光の光
路長とが、等しくなる位置に配置され、
前記第２反射面および前記第４反射面は、前記第２出射面から前記第２反射面までの前
記第２出射光の光路長と、前記第４出射面から前記第４反射面までの前記第４出射光の光
路長とが、等しくなる位置に配置され、
前記第１反射面で反射された前記第１出射光の進行方向、前記第２反射面で反射された
前記第２出射光の進行方向、前記第３反射面で反射された前記第３出射光の進行方向、お
よび前記第４反射面で反射された前記第４出射光の進行方向は、同じである。
このような発光装置によれば、前記第１反射面および前記第３反射面を、前記第１出射
面から前記第１反射面までの前記第１出射光の光路長と、前記第３出射面から前記第３反
射面までの前記第３出射光の光路長とが、等しくなる位置に配置することができ、かつ前
記第２反射面および前記第４反射面を、前記第２出射面から前記第２反射面までの前記第
２出射光の光路長と、前記第４出射面から前記第４反射面までの前記第４出射光の光路長
とが、等しくなる位置に配置することができる。そのため、発光装置の前記第１から第４
出射光の進行方向のサイズが大きくなることを抑制しつつ、高出力化を図ることができる
。したがって、高出力化および小型化を図ることができる。
本発明に係る発光装置において、
前記第１出射面と前記第１反射面との間の前記第１出射光の光路上に設けられた、前記
第１出射光を平行光に変換する第１コリメートレンズと、
前記第２出射面と前記第２反射面との間の前記第２出射光の光路上に設けられた、前記
第２出射光を平行光に変換する第２コリメートレンズと、
前記第３出射面と前記第３反射面との間の前記第３出射光の光路上に設けられた、前記
第３出射光を平行光に変換する第３コリメートレンズと、
前記第４出射面と前記第４反射面との間の前記第４出射光の光路上に設けられた、前記
第４出射光を平行光に変換する第４コリメートレンズと、
を含むことができる。
このような発光装置によれば、前記第１から第４コリメートレンズによって、前記第１
から第４出射光を平行光に変換して、前記第１から第４反射面に入射させることができる
。これにより、光の利用効率を向上させることができる。
本発明に係る発光装置において、
前記第１反射面、前記第２反射面、前記第３反射面、および前記第４反射面は、放物面
ミラーであることができる。
このような発光装置によれば、前記第１から第４反射面によって、前記第１から第４出
射光を平行光に変換することができる。これにより、光の利用効率を向上させることがで
きる。
本発明に係る発光装置において、
前記第１出射面は、等間隔に複数配置され、
前記第２出射面は、等間隔に複数配置され、
前記第３出射面は、等間隔に複数配置され、
前記第４出射面は、等間隔に複数配置されていることができる。
このような発光装置によれば、発光により生じる熱が発光素子の一部に集中することを
防ぐことができる。
本発明に係る発光装置において、
前記第１発光素子および前記第２発光素子は、スーパールミネッセントダイオードであ
ることができる。
このような発光装置によれば、端面反射による共振器の形成を抑えることにより、レー
ザー発振を防止することができるため、スペックルノイズを低減させることができる。
本発明に係るプロジェクターは、
本発明に係る発光装置と、
前記発光装置から出射された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む。
このようなプロジェクターによれば、本発明に係る発光装置を光源として用いることが
できるため、高出力化および小型化を図ることができる。
本実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。 本実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態の第１変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。 本実施形態の第２変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。 本実施形態係るプロジェクターを模式的に示す図。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
１． 発光装置
まず、本実施形態に係る発光装置１０００について、図面を参照しながら説明する。図
１は、発光装置１０００を模式的に示す平面図である。図２は、発光装置１０００を模式
的に示す図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。図３は、発光装置１０００を模式的に示す図
１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。図４は、発光装置１０００を模式的に示す図１のＩ
Ｖ−ＩＶ線断面図である。なお、図２および図３では、便宜上、発光素子１００を簡略化
して図示している。
発光装置１０００は、図１〜図４に示すように、第１発光素子１００ａと、第２発光素
子１００ｂと、第１反射面２１２を有する第１反射部２１０と、第２反射面２２２を有す
る第２反射部２２０と、第３反射面２３２を有する第３反射部２３０と、第４反射面２４
２を有する第４反射部２４０と、を含む。発光装置１０００は、さらに、第１コリメート
レンズ２００と、第２コリメートレンズ２０２と、第３コリメートレンズ２０４と、第４
コリメートレンズ２０６と、ベース２５０と、第１サブマウント２６０ａと、第２サブマ
ウント２６０ｂと、第３サブマウント２６０ｃと、を含むことができる。なお、ここでは
、発光素子１００ａ，１００ｂがＩｎＧａＡｌＰ系（赤色）のスーパールミネッセントダ
イオード（Super Luminescent Diode、以下「ＳＬＤ」ともいう）である場合について説
明する。ＳＬＤは、半導体レーザーと異なり、端面反射による共振器の形成を抑えること
により、レーザー発振を防止することができる。そのため、スペックルノイズを低減させ
ることができる。
第１発光素子１００ａおよび第２発光素子１００ｂは、図２〜図４に示すように、Ｚ方
向（第１方向）に積層されている。図示の例では、ベース２５０の上方に、第１サブマウ
ント２６０ａ、第１発光素子１００ａ、第２サブマウント２６０ｂ、第２発光素子１００
ｂ、第３サブマウント２６０ｃの順で積層されている。第１発光素子１００ａおよび第２
発光素子１００ｂは、サブマウント２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃを介して、ベース２５
０に実装されている。例えば、ベース２５０とリード２７０に異なる電位を与えることに
より、導電性のサブマウント２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃを介して、発光素子１００ａ
，１００ｂに電圧を印加することができる。図示はしないが、例えば、サブマウント２６
０ａ，２６０ｂ，２６０ｃに貫通電極を設けることで、ベース２５０および発光素子１０
０ａ，１００ｂを電気的に接続してもよい。図示の例では、発光装置１０００は、発光素
子を２つ（第１発光素子１００ａおよび第２発光素子１００ｂ）有しているが、その数は
限定されない。発光装置１０００は、複数（２つ）の発光素子１００ａ，１００ｂを有す
ることにより、高出力化を図ることができる。発光装置１０００は、例えば、第１発光素
子１００ａおよび第２発光素子１００ｂに加えて、他の発光素子を単数または複数有して
もよい。これにより、発光装置をより高出力化することができる。第１発光素子１００ａ
および第２発光素子１００ｂは、図４に示すように、第１クラッド層１０４と、活性層１
０６と、第２クラッド層１０８と、を有する。第１発光素子１００ａおよび第２発光素子
１００ｂは、さらに、例えば、基板１０２と、コンタクト層１１０と、第１電極１１２と
、第２電極１１４と、絶縁部１１６と、を有することができる。
基板１０２としては、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板などを用いる
ことができる。
第１クラッド層１０４は、基板１０２上に形成されている。第１クラッド層１０４とし
ては、例えば、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰ層などを用いることができる。なお、図示はしない
が、基板１０２と第１クラッド層１０４との間に、バッファー層が形成されていてもよい
。バッファー層としては、例えば、ｎ型のＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層などを用いることが
できる。
活性層１０６は、第１クラッド層１０４上に形成されている。活性層１０６は、第１ク
ラッド層１０４と第２クラッド層１０８とに挟まれている。活性層１０６は、例えば、Ｉ
ｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた
多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。
活性層１０６の形状は、例えば直方体（立方体である場合を含む）などである。活性層
１０６は、図１に示すように、第１側面１０５および第２側面１０７を有する。第１側面
１０５と第２側面１０７とは、互いに対向しており、例えば平行である。第１クラッド層
１０４と第２クラッド層１０８とで挟まれた活性層１０６は、例えば、積層構造体を構成
している。第１側面１０５および第２側面１０７は、活性層１０６の面のうち第１クラッ
ド層１０４または第２クラッド層１０８に接していない面であり、積層構造体において、
露出している面ともいえる。積層構造体は、さらに、基板１０２と、コンタクト層１１０
と、を有していてもよい。
活性層１０６の一部の領域は、活性層１０６の電流経路となる利得領域１６０を構成し
ている。利得領域１６０には、光を生じさせることができ、この光は、利得領域１６０内
で利得を受けることができる。利得領域１６０の平面形状は、例えば、平行四辺形である
。利得領域１６０は、図１に示すように、活性層１０６の積層方向から平面視して（Ｚ方
向から見て）、第１側面１０５から第２側面１０７まで、第１側面１０５の垂線Ｐに対し
て傾いた方向に向かって設けられている。これにより、利得領域１６０に生じる光のレー
ザー発振を抑制または防止することができる。なお、利得領域１６０が、ある方向に向か
って設けられている場合とは、当該方向が、平面的に見て、利得領域１６０の第１側面１
０５側の第１端面１６２の中心と、第２側面１０７側の第２端面１６４の中心とを結ぶ方
向に一致する場合をいう。図示の例では、第１発光素子１００ａおよび第２発光素子１０
０ｂの各々は、利得領域１６０を３つ有しているが、その数は限定されない。発光素子１
００ａ，１００ｂは、複数の利得領域１６０を有することで、高出力化を図ることができ
る。
なお、図示はしないが、利得領域１６０は、第１側面１０５側の第１端面１６２から第
２側面１０７側の第２端面１６４まで、直線状に、第１側面１０５の垂線Ｐと平行となる
方向に向かって設けられていてもよい。この場合には、共振器が構成され、レーザー光を
発することができる。すなわち、第１発光素子１００ａおよび第２発光素子１００ｂは、
例えば、半導体レーザーであってもよい。
第２クラッド層１０８は、図４に示すように、活性層１０６上に形成されている。第２
クラッド層１０８としては、例えば、第２導電型（例えばｐ型）のＡｌＧａＩｎＰ層など
を用いることができる。
例えば、ｐ型の第２クラッド層１０８、不純物がドーピングされていない活性層１０６
、およびｎ型の第１クラッド層１０４により、ｐｉｎダイオードが構成される。第１クラ
ッド層１０４および第２クラッド層１０８の各々は、活性層１０６よりも禁制帯幅が大き
く、屈折率が小さい層である。活性層１０６は、光を増幅する機能を有する。第１クラッ
ド層１０４および第２クラッド層１０８は、活性層１０６を挟んで、注入キャリア（電子
および正孔）並びに光を閉じ込める機能を有する。
コンタクト層１１０は、第２クラッド層１０８上に形成されている。コンタクト層１１
０としては、第２電極１１４とオーミックコンタクトする層を用いることができる。コン
タクト層１１０は、例えば第２導電型の半導体からなる。コンタクト層１１０としては、
例えばｐ型ＧａＡｓ層などを用いることができる。
絶縁部１１６は、利得領域１６０の上方以外のコンタクト層１１０上に形成されている
。すなわち、絶縁部１１６は利得領域１６０の上方に開口を有し、該開口ではコンタクト
層１１０の表面が露出している。絶縁部１１６としては、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層
、ポリイミド層などを用いることができる。
第１電極１１２は、基板１０２の下の全面に形成されている。第１電極１１２は、該第
１電極１１２とオーミックコンタクトする層（図示の例では基板１０２）と接しているこ
とができる。第１電極１１２は、基板１０２を介して、第１クラッド層１０４と電気的に
接続されている。第１電極１１２は、発光素子１００ａ，１００ｂを駆動するための一方
の電極である。第１電極１１２としては、例えば、基板１０２側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層
、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。なお、第１クラッド
層１０４と基板１０２との間に、第２コンタクト層（図示せず）を設け、ドライエッチン
グなどにより該第２コンタクト層の第１クラッド層１０４側を露出させ、第１電極１１２
を第２コンタクト層上に設けることもできる。これにより、片面電極構造を得ることがで
きる。第２コンタクト層としては、例えばｎ型ＧａＡｓ層などを用いることができる。
第２電極１１４は、露出しているコンタクト層１１０上および絶縁部１１６上に形成さ
れている。第２電極１１４は、コンタクト層１１０を介して、第２クラッド層１０８と電
気的に接続されている。第２電極１１４は、発光素子１００ａ，１００ｂを駆動するため
の一方の電極である。第２電極１１４としては、例えば、コンタクト層１１０側からＣｒ
層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。第２電極１１
４とコンタクト層１１０との接触面は、例えば、利得領域１６０と同じ平面形状を有して
いる。図示の例では、第２電極１１４とコンタクト層１１０との接触面の平面形状によっ
て、電極１１２，１１４間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１６０の平面形状
が決定されることができる。
発光素子１００ａ，１００ｂでは、第１電極１１２と第２電極１１４との間に、ｐｉｎ
ダイオードの順バイアス電圧を印加すると、活性層１０６の利得領域１６０において電子
と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として
、連鎖的に誘導放出が起こり、利得領域１６０内を光が進行し、その間に光強度が増幅さ
れ、第１端面１６２から出射光Ｌ１，Ｌ３として出射され、第２端面１６４から出射光Ｌ
２，Ｌ４として出射されることができる。すなわち、第１発光素子１００ａは、第１端面
１６２（第１出射面１６２ａ）から第１出射光Ｌ１を出射し、第２端面１６４（第２出射
面１６４ａ）から第２出射光Ｌ２を出射することができる。また、第２発光素子１００ｂ
は、第１端面１６２（第３出射面１６２ｂ）から第３出射光Ｌ３を出射し、第２端面（第
１６４（第４出射面１６４ｂ）から第４出射光Ｌ４を出射することができる。出射光Ｌ１
，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４は、例えば、光の屈折により、第１側面１０５の垂線Ｐに対する利得
領域１６０の傾きよりも、さらに傾いた方向に出射されることができる。第１出射光Ｌ１
および第２出射光Ｌ２は、例えば、活性層１０６の上面と平行な方向に進行することがで
きる。第１出射光Ｌ１の進行方向と第２出射光Ｌ２の進行方向とは、互いに反対方向であ
る。同様に、第３出射光Ｌ３および第４出射光Ｌ４は、例えば、活性層１０６の上面と平
行な方向に進行することができる。第３出射光Ｌ３の進行方向と第４出射光Ｌ４の進行方
向とは、互いに反対方向である。なお、第１出射光Ｌ１の進行方向と第３出射光Ｌ３の進
行方向は、例えば、同じである。また、第２出射光Ｌ２の進行方向と、第４出射光Ｌ４の
進行方向は、例えば、同じである。
第１発光素子１００ａの第１出射面１６２ａと第２発光素子１００ｂの第３出射面１６
２ｂは、図１〜図３に示すように、同一平面（第１平面、図示の例ではＸ−Ｚ平面）内に
位置している。同様に、第１発光素子１００ａの第２出射面１６４ａと第２発光素子１０
０ｂの第４出射面１６４ｂとは、同一平面（第２平面、図示の例ではＸ−Ｚ平面）内に位
置している。第１平面と第２平面とは、例えば、互いに対向する面であり、図示の例では
、平行である。第１出射面１６２ａと第３出射面１６２ｂとは、図３に示すように、第１
平面において、発光素子１００ａ，１００ｂが積層された方向（Ｚ方向）に並ばないよう
に配置されている。すなわち、第１出射面１６２ａの中心と第３出射面１６２ｂの中心と
は、発光素子１００ａ，１００ｂが積層された方向に延びる同一直線上に位置していない
。ここで、第１出射面１６２ａの中心とは、例えば、第１出射面１６２ａにおいて光強度
の最も強い箇所をいうことができる。なお、他の出射面についても同様である。第１出射
面１６２ａと第３出射面１６２ｂとは、発光素子１００ａ，１００ｂが積層された方向か
ら見て、重ならないように配置されていてもよい。同様に、第２出射面１６４ａと第４出
射面１６４ｂとは、第２平面において、発光素子１００ａ，１００ｂが積層された方向（
Ｚ方向）に並ばないように配置されている。すなわち、第２出射面１６４ａの中心と第４
出射面１６４ｂの中心とは、発光素子１００ａ，１００ｂが積層された方向に延びる同一
直線上に位置していない。第２出射面１６４ａと第４出射面１６４ｂとは、発光素子１０
０ａ，１００ｂが積層された方向から見て、重ならないように配置されていてもよい。
第１出射面１６２ａは、第１発光素子１００ａの活性層１０６の第１側面１０５に等間
隔に複数配置されていることができる。第２出射面１６４ａは、第１発光素子１００ａの
活性層１０６の第２側面１０７に等間隔に複数配置されていることができる。すなわち、
利得領域１６０は、活性層１０６に等間隔に配置されていることができる。これにより、
発光により生じる熱が第１発光素子１００ａの一部に集中することを防ぐことができる。
第３出射面１６２ｂは、第２発光素子１００ｂの活性層１０６の第１側面１０５に等間隔
に複数配置されていることができる。第４出射面１６４ｂは、第２発光素子１００ｂの活
性層１０６の第２側面１０７に等間隔に複数配置されていることができる。すなわち、利
得領域１６０は、活性層１０６に等間隔に配置されていることができる。これにより、発
光により生じる熱が第２発光素子１００ｂの一部に集中することを防ぐことができる。
第１コリメートレンズ２００は、図１および図２に示すように、第１出射面１６２ａと
第１反射面２１２の間の第１出射光Ｌ１の光路上に設けられている。第１コリメートレン
ズ２００は、例えば、レンズ支持部２０８によって支持されている。第１コリメートレン
ズ２００は、第１出射光Ｌ１を平行光に変換する光学素子である。すなわち、第１コリメ
ートレンズ２００によって、第１出射光Ｌ１を平行光に変換して、第１反射面２１２に入
射させることができる。これにより、光の利用効率を向上させることができる。
第２コリメートレンズ２０２は、第２出射面１６４ａと第２反射面２２２の間の第２出
射光Ｌ２の光路上に設けられている。第２コリメートレンズ２０２は、例えば、レンズ支
持部２０８によって支持されている。第２コリメートレンズ２０２は、第２出射光Ｌ２を
平行光に変換する光学素子である。すなわち、第２コリメートレンズ２０２によって、第
２出射光Ｌ２を平行光に変換して、第２反射面２２２に入射させることができる。これに
より、光の利用効率を向上させることができる。
第３コリメートレンズ２０４は、第３出射面１６２ｂと第３反射面２３２の間の第３出
射光Ｌ３の光路上に設けられている。第３コリメートレンズ２０４は、例えば、レンズ支
持部２０８によって支持されている。第３コリメートレンズ２０４は、第３出射光Ｌ３を
平行光に変換する光学素子である。すなわち、第３コリメートレンズ２０４によって、第
３出射光Ｌ３を平行光に変換して、第３反射面２３２に入射させることができる。これに
より、光の利用効率を向上させることができる。
第４コリメートレンズ２０６は、第４出射面１６４ｂと第４反射面２４２の間の第４出
射光Ｌ４の光路上に設けられている。第４コリメートレンズ２０６は、例えば、レンズ支
持部２０８によって支持されている。第４コリメートレンズ２０６は、第４出射光Ｌ４を
平行光に変換する光学素子である。すなわち、第４コリメートレンズ２０６によって、第
４出射光Ｌ４を平行光に変換して、第４反射面２４２に入射させることができる。これに
より、光の利用効率を向上させることができる。
レンズ支持部２０８は、コリメートレンズ２００，２０２，２０４，２０６を支持する
ための部材である。レンズ支持部２０８は、図示の例では、２つ設けられており、一方は
、第１コリメートレンズ２００および第３コリメートレンズ２０４を支持し、他方は、第
２コリメートレンズ２０２と、第４コリメートレンズ２０６を支持している。レンズ支持
部２０８の形状は、コリメートレンズ２００，２０２，２０４，２０６を支持することが
できれば、特に限定されない。レンズ支持部２０８の材質としては、ガラス、セラミック
スなどが挙げられる。
第１反射部２１０は、第１反射面２１２で、第２出射光Ｌ２を反射させることができる
。第１出射光Ｌ１は、第１コリメートレンズ２００により平行光に変換された後に、第１
反射面２１２により反射される。第１反射面２１２は、第１反射部２１０のうち、第１出
射光Ｌ１が入射する面であるともいえる。第１反射面２１２は、第１出射光Ｌ１を発光素
子１００ａ、１００ｂの上側に向けて反射させることができる。第１出射光Ｌ１は、第１
反射面２１２により反射され、第１反射光Ｌ１Ｒとして、例えば、活性層１０６の上面に
対して垂直上向き（Ｚ方向）に進むことができる。第１反射面２１２は、例えば、ベース
２５０の上面（Ｘ−Ｙ平面）に対して傾いており、図示の例では、４５度傾いている。こ
れにより、第１出射光Ｌ１の進行方向と、第１反射光Ｌ１Ｒの進行方向とは、直角を成す
ことができる。第１反射面２１２の第１出射光Ｌ１に対する反射率は、５０％より高く、
１００％以下であることが好ましい。第１反射部２１０の材質としては、例えば、Ａｌ、
Ａｇ、Ａｕなどが挙げられる。例えば、第１反射部２１０の表面の材質のみを、上記材質
（例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ）とすることにより、第１反射部２１０の表面を第１反射面
２１２としてもよい。第１反射部２１０は、例えば、反射部支持基板２４４によって支持
されている。
第２反射部２２０は、第２反射面２２２で、第２出射光Ｌ２を反射させることができる
。第２出射光Ｌ２は、第２コリメートレンズ２０２により平行光に変換された後に、第２
反射面２２２により反射される。第２反射面２２２は、第２反射部２２０のうち、第２出
射光Ｌ２が入射する面であるともいえる。第２反射面２２２は、第２出射光Ｌ２を発光素
子１００ａ、１００ｂの上側に向けて反射させることができる。第２出射光Ｌ２は、第２
反射面２２２により反射され、第２反射光Ｌ２Ｒとして、例えば、活性層１０６の上面に
対して垂直上向き（Ｚ方向）に進むことができる。第２反射面２２２は、例えば、ベース
２５０の表面（Ｘ−Ｙ平面）に対して傾いており、図示の例では、４５度傾いている。こ
れにより、第２出射光Ｌ２の進行方向と、第２反射光Ｌ２Ｒの進行方向とは、直角を成す
ことができる。第２反射面２２２の第２出射光Ｌ２に対する反射率は、５０％より高く、
１００％以下であることが好ましい。第２反射部２２０の材質としては、例えば、Ａｌ、
Ａｇ、Ａｕなどが挙げられる。例えば、第２反射部２２０の表面の材質のみを、上記材質
（例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ）とすることにより、第２反射部２２０の表面を第２反射面
２２２としてもよい。第２反射部２２０は、例えば、反射部支持基板２４４によって支持
されている。
第３反射部２３０は、第３反射面２３２で、第３出射光Ｌ３を反射させることができる
。第３出射光Ｌ３は、第３コリメートレンズ２０４により平行光に変換された後に、第３
反射面２３２により反射される。第３反射面２３２は、第３反射部２３０のうち、第３出
射光Ｌ３が入射する面であるともいえる。第３反射面２３２は、第３出射光Ｌ３を発光素
子１００ａ、１００ｂの上側に向けて反射させることができる。第３出射光Ｌ３は、第３
反射面２３２により反射され、第３反射光Ｌ３Ｒとして、例えば、活性層１０６の上面に
対して垂直上向き（Ｚ方向）に進むことができる。第３反射面２３２は、例えば、ベース
２５０の表面（Ｘ−Ｙ平面）に対して傾いており、図示の例では、４５度傾いている。こ
れにより、第３出射光Ｌ３の進行方向と、第３反射光Ｌ３Ｒの進行方向とは、直角を成す
ことができる。第３反射面２３２の第３出射光Ｌ３に対する反射率は、５０％より高く、
１００％以下であることが好ましい。第３反射部２３０の材質としては、例えば、Ａｌ、
Ａｇ、Ａｕなどが挙げられる。例えば、第３反射部２３０の表面の材質のみを、上記材質
（例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ）とすることにより、第３反射部２３０の表面を第３反射面
２３２としてもよい。第３反射部２３０は、例えば、反射部支持基板２４４によって支持
されている。
第４反射部２４０は、第４反射面２４２で、第４出射光Ｌ４を反射させることができる
。第４出射光Ｌ４は、第４コリメートレンズ２０６により平行光に変換された後に、第４
反射面２４２により反射される。第４反射面２４２は、第４反射部２４０のうち、第４出
射光Ｌ４が入射する面であるともいえる。第４反射面２４２は、第４出射光Ｌ４を発光素
子１００ａ、１００ｂの上側に向けて反射させることができる。第４出射光Ｌ４は、第４
反射面２４２により反射され、第４反射光Ｌ４Ｒとして、例えば、活性層１０６の上面に
対して垂直上向き（Ｚ方向）に進むことができる。第４反射面２４２は、例えば、ベース
２５０の表面（Ｘ−Ｙ平面）に対して傾いており、図示の例では、４５度傾いている。こ
れにより、第４出射光Ｌ４の進行方向と、第４反射光Ｌ４Ｒの進行方向とは、直角を成す
ことができる。第４反射面２４２の第４出射光Ｌ４に対する反射率は、５０％より高く、
１００％以下であることが好ましい。第４反射部２４０の材質としては、例えば、Ａｌ、
Ａｇ、Ａｕなどが挙げられる。例えば、第４反射部２４０の表面の材質のみを、上記材質
（例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ）とすることにより、第４反射部２４０の表面を第４反射面
２４２としてもよい。第４反射部２４０は、例えば、反射部支持基板２４４によって支持
されている。
発光装置１０００では、第１出射面１６２ａと第３出射面１６２ｂとは、図３に示すよ
うに、第１平面において、発光素子１００ａ，１００ｂが積層された方向（Ｚ方向）に並
ばないように配置されている。したがって、図１に示すように、第１反射面２１２および
第３反射面２３２を、第１出射面１６２ａから第１反射面２１２までの第１出射光Ｌ１の
光路長Ｄ１と、第３出射面１６２ｂから第３反射面２３２までの第３出射光Ｌ３の光路長
Ｄ３とが等しくなるように配置することができる。同様に、第２出射面１６４ａと第４出
射面１６４ｂとは、第２平面において、発光素子１００ａ，１００ｂが積層された方向（
Ｚ方向）に並ばないように配置されている。したがって、第２反射面２２２および第４反
射面２４２を、第２出射面１６４ａから第２反射面２２２までの第２出射光Ｌ２の光路長
Ｄ２と、第４出射面１６４ｂから第４反射面２４２までの第４出射光Ｌ４の光路長Ｄ４と
が、等しくなる位置に配置することができる。図示の例では、第１出射光Ｌ１の光路長Ｄ
１、第２出射光Ｌ２の光路長Ｄ２、第３出射光Ｌ３の光路長Ｄ３、第４出射光Ｌ４の光路
長Ｄ４は、等しい。
第１出射光Ｌ１の進む向きは、活性層１０６の上面に平行な面（Ｘ−Ｙ平面）と第１反
射面２１２との交線に対して直角をなしている。第２出射光Ｌ２の進む向きは、活性層１
０６の上面に平行な面と第２反射面２２２との交線に対して直角をなしている。同様に、
第３出射光Ｌ３の進む向きは、活性層１０６の上面に平行な面（Ｘ−Ｙ平面）と第３反射
面２３２との交線に対して直角をなしている。第４出射光Ｌ４の進む向きは、活性層１０
６の上面に平行な面と第４反射面２４２との交線に対して直角をなしている。これにより
、第１反射面２１２による第１反射光Ｌ１Ｒの進行方向、第２反射面２２２による第２反
射光Ｌ２Ｒの進行方向、第３反射面２３２による第３反射光Ｌ３Ｒの進行方向、および第
４反射面２４２による第４反射光Ｌ４Ｒの進行方向を、同じにすることができる。
反射部支持基板２４４は、反射部２１０，２２０，２３０，２４０を支持するための部
材である。反射部支持基板２４４は、図示の例では、２つ設けられており、一方は、第１
反射部２１０および第３反射部２３０を支持し、他方は、第２反射部２２０と、第４反射
部２４０を支持している。反射部支持基板２４４の形状は、反射部２１０，２２０，２３
０，２４０を支持することができれば、特に限定されない。反射部支持基板２４４の材質
としては、ガラス、セラミックスなどが挙げられる。
ベース２５０は、第１サブマウント２６０ａおよび第２サブマウント２６０ｂを介して
、間接的に発光素子１００ａ，１００ｂを支持することができる。ベース２５０としては
、例えば、板状（直方体形状）の部材を用いることができる。ベース２５０には、例えば
、柱部２５２が形成されている。柱部２５２は、例えば、サブマウント２６０ａ，２６０
ｂ，２６０ｃと接しており、サブマウント２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃの熱を逃がすこ
とができる。ベース２５０は、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｃ、Ｂｅ、Ａｕや
、これらの化合物（例えば、ＡｌＮ、ＢｅＯなど）や合金（例えばＣｕＭｏなど）などか
らなることができる。また、これらの例示を組み合わせたもの、例えば銅（Ｃｕ）層とモ
リブデン（Ｍｏ）層の多層構造などから、ベース２５０を構成することもできる。
第１サブマウント２６０ａは、第１発光素子１００ａを支持することができる。第２サ
ブマウント２６０ｂは、第２発光素子１００ｂを支持することができる。第３サブマウン
ト２６０ｃは、第２発光素子１００ｂ上に形成され、リード２７０を支持することができ
る。サブマウント２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃは、例えば、ＡｌＮ、ＣｕＷ、ＳｉＣ、
ＢｅＯ、ＣｕＭｏ、銅（Ｃｕ）層とモリブデン（Ｍｏ）層の多層構造（ＣＭＣ）などから
なることができる。
ベース２５０の熱伝導率は、サブマウント２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃの熱伝導率よ
りも高く、サブマウント２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃの熱伝導率は、発光素子１００ａ
，１００ｂの熱伝導率よりも高い。ベース２５０およびサブマウント２６０ａ，２６０ｂ
，２６０ｃの各々の熱伝導率は、例えば、１４０Ｗ／ｍＫ以上である。サブマウント２６
０ａ，２６０ｂ，２６０ｃの熱膨張率は、発光素子１００ａ，１００ｂの熱膨張率に近い
ことが望ましい。例えば、図示はしないが、サブマウント２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃ
を用いず、発光素子１００ａ，１００ｂを直接ベース２５０に実装すると、ベース２５０
と発光素子１００ａ，１００ｂとの熱膨張率の差により、実装時の過熱や駆動時の発熱に
より反りが発生し発光素子１００ａ，１００ｂに応力が加わって、信頼性が低下する場合
がある。このような問題に対し、本実施形態では、サブマウント２６０ａ，２６０ｂ，２
６０ｃを用いることにより、ベース２５０と発光素子１００ａ，１００ｂとの熱膨張率の
差によって生じる応力を緩和し、信頼性を向上させることができる。また、サブマウント
２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃの各々と、柱部２５２を接触させることで、より放熱性を
高めることができる。すなわち、柱部２５２は、各サブマウント２６０ａ，２６０ｂ，２
６０ｃを放熱させる放熱部として機能することができる。このような場合、例えば、少な
くともサブマウント２６０ａ，２６０ｂ，２６０と接触する柱部２５２の表面を絶縁性の
材質とすることで、電気的に短絡させないことができる。
リード２７０は、第３サブマウント２６０ｃ上に形成されている。リード２７０は、端
子２７２と第３サブマウント２６０ｃとを電気的に接続している。発光装置１０００では
、例えば、ベース２５０がアノード端子として機能し、端子２７２がカソード端子として
機能することができる。端子２７２は、図３に示すように、ベース２５０上に形成された
端子支持部２７４によって支持されている。
発光装置１０００の一例として、発光素子１００ａ，１００ｂがＩｎＧａＡｌＰ系の場
合について説明したが、発光素子１００ａ，１００ｂは、発光利得領域が形成可能なあら
ゆる材料系を用いることができる。半導体材料であれば、例えば、ＡｌＧａＮ系、ＩｎＧ
ａＮ系、ＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＧａＩｎＮＡｓ系、ＺｎＣｄＳｅ系などの半導体
材料を用いることができる。
発光装置１０００は、例えば、以下の特徴を有する。
発光装置１０００によれば、第１反射面２１２および第３反射面２３２を、第１出射面
１６２ａから第１反射面２１２までの第１出射光Ｌ１の光路長Ｄ１と、第３出射面１６２
ｂから第３反射面２３２までの第３出射光Ｌ３の光路長Ｄ３とが等しくなるように配置す
ることができる。同様に、第２反射面２２２および第４反射面２４２を、第２出射面１６
４ａから第２反射面２２２までの第２出射光Ｌ２の光路長Ｄ２と、第４出射面１６４ｂか
ら第４反射面２４２までの第４出射光Ｌ４の光路長Ｄ４とが、等しくなる位置に配置する
ことができる。そのため、発光装置１０００の出射光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４の進行方向
のサイズが大きくなることを抑制しつつ、高出力化を図ることができる。例えば、出射面
を発光素子が積層された方向に並べて配置した発光装置では、各反射面を出射光の進行方
向に対して階段状にずれた状態で配置しなければならないため、装置が出射光の進行方向
に大きくなってしまう。本実施例では、このような問題を回避することができる。したが
って、高出力化および小型化を図ることができる。
発光装置１０００によれば、出射光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４を同じ向きに向けて反射さ
せることができる。すなわち、第１反射面２１２による第１反射光Ｌ１Ｒの進行方向、第
２反射面２２２による第２反射光Ｌ２Ｒの進行方向、第３反射面２３２による第３反射光
Ｌ３Ｒの進行方向、および第４反射面２４２による第４反射光Ｌ４Ｒの進行方向を、同じ
にすることができる。これにより、例えば、発光装置をプロジェクターの光源として用い
る場合、プロジェクターの光学系の構成を簡素化することができ、プロジェクターにおい
て光軸合わせを容易化することができる。
発光装置１０００によれば、コリメートレンズ２００，２０２，２０４，２０６を有す
ることができる。これにより、出射光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４を平行光に変換して、反射
面２１２，２２２，２３２，２４２に入射させることができる。これにより、光の利用効
率を向上させることができる。
発光装置１０００によれば、発光素子１００ａ，１００ｂは、ＳＬＤであることができ
る。そのため、利得領域１６０に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することがで
きる。したがって、スペックルノイズを低減させることができる。
２． 発光装置の製造方法
次に、本実施形態に係る発光装置１０００の製造方法について、図面を参照しながら説
明する。図５および図６は、発光装置１０００の製造工程を模式的に示す断面図である。
図５に示すように、基板１０２上に、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラ
ッド層１０８、およびコンタクト層１１０を、この順でエピタキシャル成長させる。エピ
タキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vap
or Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などを用いることができる。
図６に示すように、コンタクト層１１０上に、開口部を有する絶縁部１１６を形成する
。絶縁部１１６は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などにより形成さ
れる。開口部は、例えば、絶縁部をフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によ
りパターニングし、コンタクト層１１０が露出するように形成される。
次に、露出したコンタクト層１１０および絶縁部１１６上に第２電極１１４を形成する
。次に、基板１０２の下面下に第１電極１１２を形成する。第１電極１１２および第２電
極１１４は、例えば、真空蒸着法により形成される。なお、第１電極１１２および第２電
極１１４の形成順序は、特に限定されない。以上の工程により、第１発光素子１００ａを
得ることができる。
図２に示すように、まず、第１サブマウント２６０ａ、第１発光素子１００ａ、第２サ
ブマウント２６０ｂ、第２発光素子１００ｂ、第３サブマウント２６０ｃの順で、ベース
２５０に実装する。
図１および図３に示すように、端子２７２を形成する。端子２７２は、ベース２５０上
に形成された端子支持部２７４上に形成される。次に、端子２７２と、第３サブマウント
２６０ｃをリード２７０によって接続する。
次に、コリメートレンズ２００，２０２，２０４，２０６および反射部２１０，２２０
，２３０，２４０をベース２５０上に配置する。コリメートレンズ２００，２０２，２０
４，２０６および反射部２１０，２２０，２３０，２４０は、出射光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，
Ｌ４に対する光軸調整を行いながら配置される。
以上の工程により、発光装置１０００を製造することができる。
３． 発光装置の変形例
次に、本実施形態の変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。以
下、本実施形態の変形例に係る発光装置において、本実施形態に係る発光装置１０００の
構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略
する。
（１）第１変形例に係る発光装置
まず、本実施形態の第１変形例に係る発光装置２０００について、図面を参照しながら
説明する。図７は、発光装置２０００を模式的に示す断面図であり、図２に対応している
。なお、図７では、便宜上、発光素子１００ａ，１００ｂを簡略化して図示している。
発光装置１０００の例では、図２に示すように、反射面２１２，２２２，２３２，２４
２が、ベース２５０の表面に対して４５度傾いた面であった。これに対し、発光装置２０
００では、図７に示すように、反射面２１２，２２２，２３２，２４２は、放物面ミラー
であることができる。すなわち、反射面２１２，２２２，２３２，２４２が、放物面形状
（回転放物面形状）であることができる。
第１発光素子１００ａの第１出射面１６２ａは、例えば、第１反射面２１２の焦点に位
置するように配置され、第１発光素子１００ａの第２出射面１６４ａは、例えば、第２反
射面２２２の焦点に位置するように配置されている。これにより、第１発光素子１００ａ
から水平方向に出射された２つの出射光Ｌ１，Ｌ２を同じ向きに向けて反射させることが
でき、かつ平行光に変換することができる。同様に、第２発光素子１００ｂの第３出射面
１６２ｂは、例えば、第３反射面２３２の焦点に位置するように配置され、第２発光素子
１００ｂの第４出射面１６４ｂは、例えば、第４反射面２４２の焦点に位置するように配
置されている。これにより、第２発光素子１００ｂから水平方向に出射された２つの出射
光Ｌ３，Ｌ４を同じ向きに向けて反射させることができ、かつ平行光に変換することがで
きる。
このように、発光装置２０００によれば、コリメートレンズ２００，２０２，２０４，
２０６を用いることなく反射面２１２，２２２，２３２，２４２により、出射光Ｌ１，Ｌ
２を平行光に変換することができるため、部品点数を減らすことができる。
（２）第２変形例に係る発光装置
次に、本実施形態の第２変形例に係る発光装置３０００について、図面を参照しながら
説明する。図８は、発光装置３０００を模式的に示す断面図であり、図４に対応している
。
発光装置１０００の例では、いわゆる利得導波型について説明した。これに対し、発光
装置３０００は、いわゆる屈折率導波型であることができる。
すなわち、発光装置３０００では、図８に示すように、コンタクト層１１０と、第２ク
ラッド層１０８の一部とは、柱状部１１１を構成することができる。柱状部１１１の平面
形状は、利得領域１６０と同じである。例えば、柱状部１１１の平面形状によって、電極
１１２，１１４間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１６０の平面形状が決定さ
れる。なお、図示はしないが、柱状部１１１は、例えば、コンタクト層１１０、第２クラ
ッド層１０８、および活性層１０６から構成されていてもよいし、さらに、第１クラッド
層１０４をも含んで構成されていてもよい。また、柱状部１１１の側面を傾斜させること
もできる。
柱状部１１１の側方には、絶縁部１１６が設けられている。絶縁部１１６は、柱状部１
１１の側面に接していることができる。電極１１２，１１４間の電流は、絶縁部１１６を
避けて、該絶縁部１１６に挟まれた柱状部１１１を流れることができる。絶縁部１１６は
、活性層１０６の屈折率よりも小さい屈折率を有することができる。これにより、平面方
向（活性層１０６の上面と平行な方向）において、利得領域１６０内に効率良く光を閉じ
込めることができる。
４． プロジェクター
次に、本実施形態に係るプロジェクター４０００について、図面を参照しながら説明す
る。図９は、プロジェクター４０００を模式的に示す図である。なお、図９では、便宜上
、プロジェクター４０００を構成する筐体は省略している。
プロジェクター４０００において、赤色光、緑色光、青色光を出射する赤色光源（発光
装置）１０００Ｒ，緑色光源（発光装置）１０００Ｇ、青色光源（発光装置）１０００Ｂ
は、本発明に係る発光装置（例えば発光装置１０００）である。
プロジェクター４０００は、光源１０００Ｒ，１０００Ｇ，１０００Ｂから出射された
光をそれぞれ画像情報に応じて変調する透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）４０４
Ｒ，４０４Ｇ，４０４Ｂと、液晶ライトバルブ４０４Ｒ，４０４Ｇ，４０４Ｂによって形
成された像を拡大してスクリーン（表示面）４１０に投射する投射レンズ（投射装置）４
０８と、を備えている。また、プロジェクター４０００は、液晶ライトバルブ４０４Ｒ，
４０４Ｇ，４０４Ｂから出射された光を合成して投写レンズ４０８に導くクロスダイクロ
イックプリズム（色光合成手段）４０６を備えていることができる。
さらに、プロジェクター４０００は、光源１０００Ｒ，１０００Ｇ，１０００Ｂから出
射された光の照度分布を均一化させるため、各光源１０００Ｒ，１０００Ｇ，１０００Ｂ
よりも光路下流側に、均一化光学系４０２Ｒ，４０２Ｇ，４０２Ｂを設けており、これら
によって照度分布が均一化された光によって、液晶ライトバルブ４０４Ｒ，４０４Ｇ，４
０４Ｂを照明している。均一化光学系４０２Ｒ，４０２Ｇ、４０２Ｂは、例えば、ホログ
ラム４０２ａおよびフィールドレンズ４０２ｂによって構成される。
各液晶ライトバルブ４０４Ｒ，４０４Ｇ，４０４Ｂによって変調された３つの色光は、
クロスダイクロイックプリズム４０６に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムを
貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘
電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合
成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は投写光学系である投
射レンズ４０６によりスクリーン４１０上に投写され、拡大された画像が表示される。
プロジェクター４０００によれば、上述のように、高出力かつ小型化された発光装置１
０００を光源として用いることができる。そのため、プロジェクター４０００は、高出力
化および小型化を図ることができる。
なお、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以
外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このような
ライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラー
デバイス（Digital Micromirror Device）が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使
用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
また、発光装置１０００を、発光装置１０００からの光をスクリーン上で走査させるこ
とにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有す
るような走査型の画像表示装置（プロジェクター）の光源装置にも適用することが可能で
ある。
なお、上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではな
い。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および
効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよ
う。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
１００ａ 第１発光素子、１００ｂ 第２発光素子、１０２ 基板、
１０４ 第１クラッド層、１０５ 第１側面、１０６ 活性層、１０７ 第２側面、
１０８ 第２クラッド層、１１０ コンタクト層、１１１ 柱状部、１１２ 第１電極、
１１４ 第２電極、１６０ 利得領域、１６２ 第１端面、１６２ａ 第１出射面、
１６２ｂ 第３出射面、１６４ 第２端面、１６４ａ 第２出射面、
１６４ｂ 第４出射面、２００ 第１コリメートレンズ、
２０２ 第２コリメートレンズ、２０４ 第３コリメートレンズ、
２０６ 第４コリメートレンズ、２０８ レンズ支持部、２１０ 第１反射部、
２１２ 第１反射面、２２０ 第２反射部、２２２ 第２反射面、２３０ 第３反射部、
２３２ 第３反射面、２４０ 第４反射部、２４２ 第５反射面、
２４４ 反射部支持基板、２５０ ベース、２５２ 柱部、
２６０ａ 第１サブマウント、２６０ｂ 第１サブマウント、
２６０ｃ 第１サブマウント、２７０ リード、２７２ 端子、２７４ 端子支持部、
４０２ 均一化光学系、４０２ａ ホログラム、４０２ｂ フィールドレンズ、
４０４ 液晶ライトバルブ、４０６ クロスダイクロイックプリズム、
４０８ 投写レンズ、４１０ スクリーン、１０００，２０００，３０００ 発光装置、
４０００ プロジェクター

Claims (6)

  1. 第１出射光を出射する第１出射面と、前記第１出射光とは反対方向に向かって進行する
    第２出射光を出射する第２出射面と、を有する第１発光素子と、
    前記第１出射光と同じ方向に向かって進行する第３出射光を出射する第３出射面と、前
    記第３出射光とは反対方向に向かって進行する第４出射光を出射する第４出射面と、を有
    する第２発光素子と、
    前記第１発光素子の前記第１出射光を反射させる第１反射面と、
    前記第１発光素子の前記第２出射光を反射させる第２反射面と、
    前記第２発光素子の前記第３出射光を反射させる第３反射面と、
    前記第２発光素子の前記第４出射光を反射させる第４反射面と、
    を含み、
    前記第１発光素子と前記第２発光素子は、第１方向に積層され、
    前記第１出射面と前記第３出射面は、第１平面内にあり、
    前記第２出射面と前記第４出射面は、第２平面内にあり、
    前記第１出射面と前記第３出射面とは、前記第１平面において、前記第１方向に並ばな
    いように配置され、
    前記第２出射面と前記第４出射面とは、前記第２平面において、前記第１方向に並ばな
    いように配置され、
    前記第１反射面および前記第３反射面は、前記第１出射面から前記第１反射面までの前
    記第１出射光の光路長と、前記第３出射面から前記第３反射面までの前記第３出射光の光
    路長とが、等しくなる位置に配置され、
    前記第２反射面および前記第４反射面は、前記第２出射面から前記第２反射面までの前
    記第２出射光の光路長と、前記第４出射面から前記第４反射面までの前記第４出射光の光
    路長とが、等しくなる位置に配置され、
    前記第１反射面で反射された前記第１出射光の進行方向、前記第２反射面で反射された
    前記第２出射光の進行方向、前記第３反射面で反射された前記第３出射光の進行方向、お
    よび前記第４反射面で反射された前記第４出射光の進行方向は、同じである、発光装置。
  2. 請求項１において、
    前記第１出射面と前記第１反射面との間の前記第１出射光の光路上に設けられた、前記
    第１出射光を平行光に変換する第１コリメートレンズと、
    前記第２出射面と前記第２反射面との間の前記第２出射光の光路上に設けられた、前記
    第２出射光を平行光に変換する第２コリメートレンズと、
    前記第３出射面と前記第３反射面との間の前記第３出射光の光路上に設けられた、前記
    第３出射光を平行光に変換する第３コリメートレンズと、
    前記第４出射面と前記第４反射面との間の前記第４出射光の光路上に設けられた、前記
    第４出射光を平行光に変換する第４コリメートレンズと、
    を含む、発光装置。
  3. 請求項１において、
    前記第１反射面、前記第２反射面、前記第３反射面、および前記第４反射面は、放物面
    ミラーである、発光装置。
  4. 請求項１ないし３のいずれか１項において、
    前記第１出射面は、等間隔に複数配置され、
    前記第２出射面は、等間隔に複数配置され、
    前記第３出射面は、等間隔に複数配置され、
    前記第４出射面は、等間隔に複数配置されている、発光装置。
  5. 請求項１ないし４のいずれか１項において、
    前記第１発光素子および前記第２発光素子は、スーパールミネッセントダイオードであ
    る、発光装置。
  6. 請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光装置と、
    前記発光装置から出射された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
    前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
    を含むプロジェクター。
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