JP5123561B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。まず、第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向される。そして、可変成形開口421の一部を通過して、ステージ上に搭載された試料に照射される。ステージは、描画中、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動している。このように、開口411と可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、試料340の描画領域に描画される。開口411と可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。ここで、可変成形開口421は0度及び90度の辺の他、図示しない45度の辺が形成されるものもある。その場合、開口411と可変成形開口421とを通過する形状として、45度の整数倍の形状が、試料340の描画領域に描画される。
例えば、任意角図形90を非任意角図形91,92,93の3つの長方形で分割して近似する。ここで、任意角の斜辺の精度を向上させるためには、従来、分割幅Sを狭くして分割するスリット図形数を増やすことで分解能を高めることができる。図21では、例えば、分解能を2倍にすべく分割幅Sを1/2にすることで、非任意角図形94,95,96,97,98,99の6つの長方形で分割する例を示している。このように、分割幅Sを1/2にすれば分割される図形数は2倍となる。しかしながら、図21のように大幅に図形数を増やしてしまうと、描画時間もその分増加することになる。LSIの高集積化に伴い、描画されるパターンのデータ量も増大している。そのため、描画時間の増大はできるだけ抑制することが望まれている。また、描画する際には、系統エラーを抑制するために多重描画が行なわれる。多重描画では、一般的に、同じ複数のスリット図形が同じ位置に多重に描画される。
45度の整数倍を除く角度を持つ任意角図形を長方形と45度の角度を持つ台形との少なくとも一方で構成される一辺が略同一の所定の幅で直交する他辺の長さが異なる第1の複数の非任意角図形に近似分割した第1の分割図形データと、上述した任意角図形を長方形と上述したような台形との少なくとも一方で構成される、前記一辺と同方向の一辺が略同一の上述した所定の幅で直交する他辺の長さが異なる、第1の複数の非任意角図形とは分割位置が異なる第2の複数の非任意角図形に近似分割した第2の分割図形データとを記憶する記憶部と、
荷電粒子ビームを用いて、試料上に第1の複数の非任意角図形と第2の複数の非任意角図形とを両者が重なるように描画する描画部と、
を備えたことを特徴する。
45度の整数倍を除く角度を持つ任意角図形を含む図形データを入力し、記憶する記憶部と、
任意角図形を長方形と45度の角度を持つ台形との少なくとも一方で構成される一辺が所定の幅で直交する他辺の長さが異なる第1の複数の非任意角図形に近似分割する第1の分割部と、
任意角図形を長方形と上述したような台形との少なくとも一方で構成される、前記一辺と同方向の一辺が所定の幅で直交する他辺の長さが異なる、第1の複数の非任意角図形とは分割位置が異なる第2の複数の非任意角図形に近似分割する第2の分割部と、
荷電粒子ビームを用いて、試料上に第1の複数の非任意角図形と第2の複数の非任意角図形とを両者が重なるように描画する描画部と、
を備えたことを特徴する。
45度の整数倍を除く角度を持つ任意角図形を長方形と45度の角度を持つ台形との少なくとも一方で構成される一辺が所定の幅で直交する他辺の長さが異なる第1の複数の非任意角図形に近似分割する第1の分割工程と、
荷電粒子ビームを用いて、試料上に第1の複数の非任意角図形を描画する第1の描画工程と、
任意角図形を長方形と台形との少なくとも一方で構成される、前記一辺と同方向の一辺が所定の幅で直交する他辺の長さが異なる、第1の複数の非任意角図形とは分割位置が異なる第2の複数の非任意角図形に近似分割する第2の分割工程と、
荷電粒子ビームを用いて、試料上に、第2の複数の非任意角図形を第1の複数の非任意角図形と重なるように描画する第2の描画工程と、
を備えたことを特徴する。
図1は、実施の形態1における描画装置の主要構成を示す概念図である。
図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例となる。そして、描画装置100は、試料101に所望するパターンを描画する。制御部160は、制御回路110、描画データ処理部120、及び記憶装置122を備えている。描画部150は、電子鏡筒102、描画室103を有している。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、偏向器208が配置されている。また、描画室103内には、移動可能に配置されたXYステージ105が配置されている。また、XYステージ105上には、試料101が配置されている。試料101として、例えば、ウェハにパターンを転写する露光用のマスクが含まれる。また、このマスクは、例えば、まだ何もパターンが形成されていないマスクブランクスが含まれる。また、多重描画、例えば、2回描画する場合の1回目の図形データファイル132と2回目の図形データファイル134とが制御部160内に入力され、記憶装置122に格納される。ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成部分について記載している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。
第1のアパーチャ203と第2のアパーチャ206を組み合わせて図形の形状を決定する可変成形型の描画装置100では、設定された角度以外の任意角図形10をそのままでは描画することができない。そのため、図2に示すように、一辺が分割幅Sで直交する辺の長さが異なる長方形の非任意角図形11,13,15で分割して近似する。このような複数の非任意角図形に分割する場合には、上辺の中点が任意角図形10の斜辺上に位置するように分割すると好適である。
実施の形態1では、従来のように、分割数を実質的に増やすのではなく、分割位置を異なる位置にシフトさせて分割した非任意角図形を用意する。分割幅Sを持つ辺方向(横方向)へ分割幅Sの1/2だけシフトさせる。同時に、分割幅Sを持つ辺と直交する辺方向(縦方向)へ隣接する非任意角図形との長さの差分の1/2だけ辺の位置をシフトさせる。図3の例では、1回目の描画(1パス目)の非任意角図形11の分割幅Sの1/2だけ2回目の描画(2パス目)の非任意角図形14の位置を横方向にシフトさせる。同時に、1回目の描画(1パス目)の非任意角図形11と非任意角図形13との高さの差分σの1/2だけ非任意角図形14の上辺の位置を縦方向に延ばすようにシフトさせる。同様に、1回目の描画(1パス目)の非任意角図形13の分割幅Sの1/2だけ2回目の描画(2パス目)の非任意角図形16の位置を横方向にシフトさせる。同時に、1回目の描画(1パス目)の非任意角図形13と非任意角図形16との高さの差分σの1/2だけ非任意角図形16の上辺の位置を縦方向に延ばすようにシフトさせる。端部については、残ったS/2の幅で上辺の中点が任意角図形10の斜辺上に位置するように分割する。すなわち、非任意角図形12は、横方向の辺が残ったS/2の幅で上辺の中点が任意角図形10の斜辺上に位置するように切り出される。例えば、非任意角図形11の上辺と任意角図形10の斜辺の下端との差分がδの場合に、非任意角図形12の高さはδ/2とすればよい。同様に、非任意角図形18は、横方向の辺が残ったS/2の幅で上辺の中点が任意角図形10の斜辺上に位置するように切り出される。例えば、非任意角図形15と任意角図形10の斜辺の上端との差分がβの場合に、非任意角図形18の高さは非任意角図形15よりもδ/2だけ延びた高さとすればよい。このように、端部に位置する非任意角図形12,18についてはその上辺の中点が任意角図形10の斜辺上に位置するように分割すると好適である。よって、少なくとも非任意角図形12,18は、上辺の中点が斜辺上に位置するように分割される。これにより端部に位置する非任意角図形では、斜辺の外側の誤差部分の面積と内側で欠けた誤差部分の面積が一致する。そのため、本来照射されるべきドーズ量と照射されるべきでないドーズ量とを一致させることができる。よって端部の精度を向上させることができる。
図4に示すように、位置をずらして切り出した複数の非任意角図形11〜18を重ねるとあたかも分割幅Sを狭くした場合と同様に分解能を高めることができる。よって、このように1回目の描画と2回目の描画で分割位置をシフトした図形群を重ねて描画することで任意角図形10の斜辺でドーズ分布を細かくすることができる。よって、分割数を実質的に増やすことなく高精度な任意角図形を描画することができる。ここでは、斜線部分の露光回数が1回になってしまうが、試料101上のレジストが解像しなかった場合には、高さ位置を適宜調整させればよい。
図6は、実施の形態1における任意角図形を、高さ位置を補正した図形でスリット分割する場合の一例を示す図である。
設計データの任意角図形10を上述したずらし分割法で分割し、プロセスにより実際の境界が図5の点線で示した斜線から実線で記載した斜線のようにずれてしまった場合、図6のように補正すると好適である。ここでは、例えばズレ幅は均一にαである場合について説明する。これを補正するため、図6に示すように個々の非任意角図形を実際の境界を考慮して、高さを調整して配置する。図6の場合だと、調整幅β=αとして1回目及び2回目の描画用に分割する各非任意角図形を共に上方向にβだけ伸ばして、図6の実線で示す斜辺上にあたかも境界が来るように配置する。図6では、各非任意角図形をハッチングで示した分だけ上方向に伸ばしている。
ここで、端部の非任意角図形と中央部の非任意角図形とでは一般的にプロセスによる実際の境界の現れ方の傾向が異なる場合も考えられる。その場合、図6に示したように一括して図形を調整する方法では不十分な場合も存在し得る。そこで、例えば図6で二回描画したところのみ解像するような場合を考えると、図6では端部が中央部と傾向の異なる補正になってしまうので、図7に示すように実際の境界(プロセス)を考慮して端部の非任意角図形(図7では、ハッチングで示している)を個別に調整する。ここでは端部の非任意角図形の調整について説明したが、個々の非任意角図形についても同様の調整が可能である。
半導体集積回路を製造するにあたって、まず、半導体集積回路のレイアウトが設計され、レイアウトデータファイル130が生成される。レイアウトデータファイル130内には、レイアウトデータとして、非任意角図形19と任意角図形10とが定義される。次に、レイアウトデータファイル130が変換装置300に入力され、その内部で変換され、描画データファイルが生成される。ここでは、変換装置300によって、1回目の描画データが格納された図形データファイル132と2回目の描画データが格納された図形データファイル134とが作成される。
ここでは、図形データとして、n回目の描画用のデータなのかを識別するためのフラグと、図形の形状を識別する図形コードと、図形の位置を定義する座標(x,y)と、図形のサイズ(lx,ly)とが格納される。ここでは、フラグを図形毎に定義しているが、これに限るものではない。描画回数が異なればファイルも異なるように構成しているので、ファイル毎に識別できればよい。
図10では、任意角図形20を長方形の非任意角図形で縦方向に分割した場合について示している。まず、1回目の描画用の非任意角図形21,23,25にスリット分割する。次に2回目の描画用の非任意角図形22,24,26,28にスリット分割する。ここでは、分割する縦方向に分割幅の1/2ずつシフトさせると共に、隣接する図形の左辺の差分の1/2ずつ斜辺側に向かって横方向にシフトさせることで2回目の描画用の非任意角図形22,24,26,28を切り出すことができる。端部の形状については上述した場合と同様である。
図11では、任意角図形30を45度の角度を持つ台形の非任意角図形で横方向に分割した場合について示している。まず、1回目の描画用の非任意角図形31,33,35にスリット分割する。次に2回目の描画用の非任意角図形32,34,36,38にスリット分割する。ここでは、分割する横方向に分割幅の1/2ずつシフトさせると共に、隣接する図形の上辺の差分の1/2ずつ斜辺側に向かって上方にシフトさせることで2回目の描画用の非任意角図形32,34,36,38を切り出すことができる。端部の形状については上述した場合と同様である。
図12では、任意角図形40を45度の角度を持つ台形の非任意角図形で縦方向に分割した場合について示している。まず、1回目の描画用の非任意角図形41,43,45にスリット分割する。次に2回目の描画用の非任意角図形42,44,46,48にスリット分割する。ここでは、分割する縦方向に分割幅の1/2ずつシフトさせると共に、隣接する図形の左斜辺間の差分の1/2ずつ任意角図形40の斜辺側に向かって横方向にシフトさせることで2回目の描画用の非任意角図形42,44,46,48を切り出すことができる。端部の形状については上述した場合と同様である。
図13では、台形の任意角図形80を下部について長方形の非任意角図形で、斜辺が含まれる上部について45度の角度を持つ台形の非任意角図形で横方向に分割した場合について示している。まず、斜辺が含まれる上部については、1回目の描画用の非任意角図形81,83,85にスリット分割する。そして、下部については、1回目の描画用の非任意角図形89とする。次に斜辺が含まれる上部について、2回目の描画用の非任意角図形82,84,86,88にスリット分割する。ここでは、分割する横方向に分割幅の1/2ずつシフトさせると共に、隣接する図形の上辺間の差分の1/2ずつ斜辺側に向かって上方にシフトさせることで2回目の描画用の非任意角図形82,84,86,88を切り出すことができる。下部については、1回目と同様の非任意角図形89とする。端部の形状については上述した場合と同様である。
実施の形態1では、多重描画する際にそれぞれの回毎にデータファイルを用意していたがこれに限るものではない。実施の形態2では、共通のファイルに各回の図形データを格納する場合について説明する。
図14において、描画装置100が入力する図形データファイルが、2つの図形データファイル132,134の代わりに、1つの図形データファイル136になった点以外は、図1と同様である。また、1回目の描画用に分割される非任意角図形11,13,15と2回目の描画用に分割される非任意角図形12,14,16,18は、実施の形態1と同様である。
レイアウトデータファイル130の内容については、実施の形態1と同様である。実施の形態2では、変換装置300によって、1回目の描画データと2回目の描画データが1つの図形データファイル136に格納されるように作成される。
図形データとして、例えば、毎回共通する非任意角図形19については、「0」をフラグに、任意角図形10をスリット分割した1回目の描画データとなる非任意角図形11,13,15については、「1」をフラグに、位置をずらして任意角図形10をスリット分割した2回目の描画データとなる非任意角図形12,14,16,18については、「2」をフラグに格納する。その他のデータ構成は、実施の形態1と同様である。
上述した各実施の形態では、描画装置100に入力する前に、任意角図形を複数の非任意角図形に分割したデータファイルを作成したが、これに限るものではない。実施の形態3では、描画装置100内で任意角図形を分割近似する場合について説明する。
図17において、描画装置100が入力する図形データファイルが、2つの図形データファイル132,134の代わりに、まだ、任意角図形のままでデータが含まれる図形データファイル138になった点、及び描画データ処理部120内部にショットデータ生成部124と複数の分割部126a〜126nに備えた点以外は、図1と同様である。
レイアウトデータファイル130の内容については、実施の形態1と同様である。実施の形態3では、まず、変換装置300によって、レイアウトデータを1回目の描画用の描画データに変換する。その際、任意角図形10についてはスリット分割せずに任意角図形のまま変換する。そして、1回目の描画用の描画データは、図形データファイル138に格納される。そして、図17に示すように、図形データファイル138は、1回目の描画用のデータファイルとして、描画装置100に入力され、記憶装置122に記憶される。
コンピュータとなるCPU50は、バス74を介して、RAM(ランダムアクセスメモリ)52、ROM54、磁気ディスク(HD)装置62、キーボード(K/B)56、マウス58、外部インターフェース(I/F)60、モニタ64、プリンタ66、FD68、DVD70、CD72に接続されている。ここで、RAM(ランダムアクセスメモリ)52、ROM54、磁気ディスク(HD)装置62、FD68、DVD70、CD72は、記憶装置の一例である。キーボード(K/B)56、マウス58、外部インターフェース(I/F)60、FD68、DVD70、CD72は、入力手段の一例である。外部インターフェース(I/F)60、モニタ64、プリンタ66、FD68、DVD70、CD72は、出力手段の一例である。
11,12,13,14,15,16,18,19 非任意角図形
21,22,23,24,25,26,28,29 非任意角図形
31,32,33,34,35,36,38,39 非任意角図形
41,42,43,44,45,46,48,49 非任意角図形
50 CPU
52 RAM
54 ROM
56 K/B
58 マウス
60 I/F
62 HD装置
64 モニタ
66 プリンタ
68 FD
70 DVD
72 CD
74 バス
81,82,83,84,85,86,88,89 非任意角図形
91,92,93,94,95,96,97,98,99 非任意角図形
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御回路
120 描画データ処理回路
122 記憶装置
124 ショットデータ生成部
126 分割部
130 レイアウトデータファイル
132,134,136,138 図形データファイル
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
206,420 第2のアパーチャ
204 投影レンズ
205,208 偏向器
207 対物レンズ
300 変換装置
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- 45度の整数倍を除く角度を持つ任意角図形を長方形と45度の角度を持つ台形との少なくとも一方で構成される一辺が略同一の所定の幅で直交する他辺の長さが異なる第1の複数の非任意角図形に近似分割した第1の分割図形データと、前記任意角図形を長方形と前記台形との少なくとも一方で構成される、前記一辺と同方向の一辺が略同一の前記所定の幅で直交する前記他辺の長さが異なる、前記第1の複数の非任意角図形とは分割位置が異なる第2の複数の非任意角図形に近似分割した第2の分割図形データとを記憶する記憶部と、
荷電粒子ビームを用いて、試料上に前記第1の複数の非任意角図形と前記第2の複数の非任意角図形とを両者が重なるように描画する描画部と、
を備えたことを特徴する荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記第1と第2の分割図形データは、別々のデータファイルとして入力された後、前記記憶部にそれぞれ記憶されることを特徴する請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記第1と第2の分割図形データは、1つのデータファイルとして入力された後、前記記憶部に前記1つのデータファイルが記憶されることを特徴する請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 45度の整数倍を除く角度を持つ任意角図形を含む図形データを入力し、記憶する記憶部と、
前記任意角図形を長方形と45度の角度を持つ台形との少なくとも一方で構成される一辺が所定の幅で直交する他辺の長さが異なる第1の複数の非任意角図形に近似分割する第1の分割部と、
前記任意角図形を長方形と前記台形との少なくとも一方で構成される、前記一辺と同方向の一辺が前記所定の幅で直交する前記他辺の長さが異なる、前記第1の複数の非任意角図形とは分割位置が異なる第2の複数の非任意角図形に近似分割する第2の分割部と、
荷電粒子ビームを用いて、試料上に前記第1の複数の非任意角図形と前記第2の複数の非任意角図形とを両者が重なるように描画する描画部と、
を備えたことを特徴する荷電粒子ビーム描画装置。 - 45度の整数倍を除く角度を持つ任意角図形を長方形と45度の角度を持つ台形との少なくとも一方で構成される一辺が所定の幅で直交する他辺の長さが異なる第1の複数の非任意角図形に近似分割する第1の分割工程と、
荷電粒子ビームを用いて、試料上に前記第1の複数の非任意角図形を描画する第1の描画工程と、
前記任意角図形を長方形と前記台形との少なくとも一方で構成される、前記一辺と同方向の一辺が前記所定の幅で直交する前記他辺の長さが異なる、前記第1の複数の非任意角図形とは分割位置が異なる第2の複数の非任意角図形に近似分割する第2の分割工程と、
荷電粒子ビームを用いて、前記試料上に、前記第2の複数の非任意角図形を前記第1の複数の非任意角図形と重なるように描画する第2の描画工程と、
を備えたことを特徴する荷電粒子ビーム描画方法。
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