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JP5120053B2 - 磁気軸受装置 - Google Patents

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Description

この発明は、電磁石の磁気吸引力または反発力により回転体を非接触で支持する磁気軸受装置に関するものである。
従来の磁気軸受装置としては、特許文献1が提案、権利化されている。特許文献1の技術は、浮上制御対象物である回転体の半径方向に対する変位を一対もしくは複数対の電磁石により変位センサなしで位置推定し、回転体の位置を制御するものである。具体的に、図11により説明する。回転体1は、その両側に配置された電磁石2,3が発生する磁気吸引力または磁気反発力により、両電磁石2,3の磁極間に非接触で浮上支持される。電磁石2,3の励磁巻線は、それぞれ一端がバイアス電源4に接続されるとともに、他端が電流検出素子5,6を介して環流ダイオード付のスイッチング素子7,8、ダイオード9,10及び軸受電源11からなる制御電圧源に接続される。この構成により、電磁石2,3の両励磁巻線に励磁電流I,IIを供給し、スイッチング素子7,8の開閉を調整することで、励磁電流を制御する。なお、Va,Va´は電磁石2,3の電圧である。
スイッチング素子7,8の開閉は互いに逆の関係にあり、またこれらの開閉のタイミングは、図示しないパルス幅変調制御回路により与えられる。そして、回転体1と電磁石2,3との間にギャップ変位が生じれば、各励磁巻線に加えたPWM制御されたパルス電圧に対する変位電流が流れる。即ち、ギャップ変位が生じれば、磁路中の磁気抵抗が変化し、結果としてインダクタンスが変化する。このインダクタンスの変化を位置検出の推定に利用することにより、位置検出センサを不要としている。
このように、特許文献1においては、一対の励磁巻線の変位に対して交番磁界を発生させ、電磁石2,3に垂直な磁界と回転体1との吸引力、反発力により回転体1の位置制御を行っている。その他、特許文献1においては、PWM制御された電圧のデューティ比を励磁巻線の励磁電流の変化として検出し、その加算信号を操作信号として出力することが行われ、また、一対の励磁巻線の励磁電流の差に係数を乗じて位置情報の信号に加算することが行われている。又、回路の線形領域でインピーダンス制御させるためのバイアス電源は各電磁石2,3に共通とし、電磁石数よりバイアス電源の数を少なくしている。また、3巻線変圧器において、第3巻線にL共振CRを追加して、ギャップ電圧を推定することにより、励磁電流の検出を代用させている。
特開2004−132537号公報
図11に示した従来の磁気軸受装置においては、重力方向に対して浮上制御する場合に、電磁石の数を最小とした例を示している。しかしながら、実際の磁気軸受装置においては、図12に示すように、回転体1の片端については、重力に対して垂直、水平の4個の電磁石2,3,12,13が必要であり、回転体1の両端においては、磁気浮上させるためには、合計8個の電磁石が必要であり、それぞれについて制御も必要である。一方、磁気軸受装置においては、構造が小形、軽量であることが望まれており、また制御の簡単化も望まれている。従って、8個もの電磁石、電流検出及びその制御は小形軽量化に不利であり、制御も複雑である。又、精度良く中心位置を制御するためには、3次巻線による電圧検出が必要であり、検出コイル数は合計8個必要とし、やはり小形軽量化に不利であった。なお、図12において、14,15は電流検出素子である。
この発明は上記のような課題を解決するために成されたものであり、小形、軽量化が可能であるとともに、制御も簡単にすることができる磁気軸受装置を得ることを目的とする。
この発明の請求項1に係る磁気軸受装置は、回転体の両端に、120°等角間隔で三相配置した電磁石により形成したラジアル軸受を設け、前記各電磁石の磁気吸引力または反発力により回転体を回転自在にかつ非接触で支持し、前記各電磁石の三相の励磁巻線の励磁電流を電流センサにより検出し、前記回転体の回転軸側の前記各励磁巻線間の相互磁束による磁気抵抗と、軸受の固定子側の前記各励磁巻線間の相互磁束による磁気抵抗と、前記各電磁石と回転軸とのギャップにおける前記各励磁巻線間の相互磁束による磁気抵抗と、の磁気等価回路から、前記各励磁巻線の抵抗(1/2値)と前記各励磁巻線の漏れインダクタンスとの直列接続体と、軸受の固定子と回転子の磁性材部分のインダクタンスを並列合成した三相の各相間の磁性部分のインダクタンスと三相の各相間の励磁巻線の漏れインダクタンス(1/2値)との並列接続体による電気等価回路を得て、この電気等価回路を用いた演算で前記各励磁巻線のインダクタンスを求め、この演算で求めた前記各励磁巻線のインダクタンスが等しくなるように各励磁巻線に電圧を印加して前記電流センサで検出した各相の励磁電流を制御するようにしたものである。
この発明の請求項2に係る磁気軸受装置は、前記励磁巻線にPWM制御された電圧を印加するようにしたものである。
請求項3に係る磁気軸受装置は、各相励磁巻線軸上に各相電磁石と回転体とのギャップ電圧を検出するサーチコイルを設け、各サーチコイルの検出値が一致するように各サーチコイルに電圧を印加するようにしたものである。
請求項4に係る磁気軸受装置は、各相励磁巻線軸上に各相電磁石と回転体とのギャップ電圧を検出するサーチコイルを設け、各相のギャップ電圧が一致するように各相の電磁石に個別に電圧を印加するようにしたものである。
以上のようにこの発明の請求項1,2によれば、120°等角間隔で三相配置した電磁石により形成したラジアル軸受により回転体の両端を支持しており、全部で6個の電磁石を用いればよく、小形軽量の磁気軸受装置が得られる。又、回転体の中心がラジアル軸受の中心からずれた場合には、このずれにより各相電磁石のインダクタンスが変化する。このインダクタンスの変化を各励磁巻線の励磁電流により検出し、各相インダクタンスが等しくなるように励磁電流を制御しており、変位検出センサを設けないので、制御も簡単になる。
請求項3によれば、各相巻線軸上に各相電磁石と回転体とのギャップ電圧を検出するサーチコイルを設け、このサーチコイルの検出値が一致するように各サーチコイルに電圧を印加しており、請求項1の効果に加えて、変位した回転体をラジアル軸受の中心により精度よく位置させることができる。
請求項4によれば、サーチコイルにより検出したギャップ電圧が一致するように各電磁石の励磁巻線に電圧を印加するようにしており、やはり回転体をラジアル軸受の中心に精度よく位置させることができる。
実施最良形態1
以下、この発明を実施するための最良の形態を図面とともに説明する。図1は実施最良形態1による磁気軸受装置の電気接続図、図2(a),(b)はこの磁気軸受装置のラジアル軸受の拡大側面図及び磁気軸受装置を有する回転電機の縦断正面図であり、16は回転電機の回転軸、17は回転子、18は固定子である。回転電機の回転軸16の両端はU,V,Wの各相の電磁石19〜21を120°等角間隔で配置したラジアル軸受22により支持する。35は回転軸16とラジアル軸受22との間のギャップである。各相の励磁巻線23〜25は2極機誘導機固定子の集中2/3短節巻(ハーフコイル)と一致する。各相の励磁巻線23〜25には、直流電源26の電力をインバータ27により交流に変換し、平滑コンデンサ28により平滑した電力がスイッチング素子29〜31を介して供給され、励磁巻線23〜25の励磁電流をスイッチング素子29〜31により電流制御し、三相の励磁巻線軸U,V,W方向の起磁力を調整し、3つの電磁石19〜21により回転軸16を非接触で支持する。32〜34は各相の励磁電流を検出する電流センサである。即ち、各相の励磁電流を電流センサ32〜34により検出し、これにより各相の励磁巻線23〜25のインダクタンスを検出し、この各相のインダクタンスが等しくなるように各相の励磁電流を制御する。
図3(a),(b)は電磁石19〜21(ラジアル軸受22)と回転軸16とが平衡(中心が一致し、ギャップ35が均一になる。)したときの、U軸電磁石19によって生じる磁束及び各電磁石19〜21を励磁したときの機械角θs(rad)とギャップ(電磁石19〜21と回転軸16とのギャップ)35の磁束密度Bg(wb/m2)との関係を示している。各電磁石19〜21の磁束密度Bgは機械角θsに対して非対称となり、ギャップ35中の空間高調波磁束が発生するが、3つの電磁石19〜21のギャップ35の磁束密度Bgを合成すれば、任意のギャップ位置での磁束は互いに打ち消しあい、ギャップ35の磁束はほぼ零となる。
図3の磁路構成より磁気等価回路を描くと、図4のようになる。Nは有効巻数、iu,iv,iwは各相励磁電流、Niu,Niv,Niwは各相の起磁力であり、図のように、各相の起磁力と並列に自己巻線のみの漏れ磁気抵抗Rmlu,Rmlv,Rmlwがある。又、三相の励磁巻線間には、固定子18、回転子17の磁性材部分の磁気抵抗とギャップ35の磁気抵抗が直列に接続されている。即ち、Rmr□□は回転軸16側の三相の励磁巻線間の相互磁束による磁気抵抗、Rms□□は固定子18側の三相の励磁巻線間の相互磁束による磁気抵抗、Rmg□□はギャップ35の三相の励磁巻線間の相互磁束による磁気抵抗である。
図4の磁気等価回路から図5の電気等価回路が得られる。図5では、固定子18と回転子17の磁性材部分のインダクタンスは並列合成して示してある。又、簡単化のために、鉄損は無視している。Rau,Rav,RawはU,V,W相における励磁巻線の抵抗(1/2値)、Llu,Llv,LlwはU,V,W相における励磁巻線の漏れインダクタンス、Lmuv,Lmvw,LmwuはUV,VW、WUの各相間の磁性部分のインダクタンス、Lguv、Lgvw,LgwuはUV,VW、WUの各相間における励磁巻線の漏れインダクタンス(1/2値)である。図5に示すように各励磁巻線23〜25には巻線抵抗と漏れインダクタンスが直列接続されている。また、三相の励磁巻線間の相互インダクタンスには、磁性材に伴うインダクタンスとギャップ部分のインダクタンスが並列に接続されている。又、磁性材の非線形性に伴う影響を無視できるよう、磁性材の磁束密度が線形領域となるよう制御するため、図4及び図5の非線形パラメータはギャップ35の磁気抵抗即ちギャップ35の変位に伴うインダクタンスのみとなる。
図6の巻線端子U1,U2,V1,V2,W1,W2は図1の巻線端子と同一であり、巻線端子U1,V1,W1にはそれぞれ電流制御(P電位制御)するためのスイッチング素子29〜31が接続され、巻線端子U2,V2,W2には電流の帰路(N電位)が接続される。図6は三相回路のYΔ回路を構成している。
図6において、図3のような平衡状態では、各相の励磁巻線23〜25から見たインピーダンスは等しく、同一の電圧を各相の励磁巻線23〜25に印加すれば、各相の励磁巻線23〜25の巻線抵抗と漏れインダクタンスのみを経由してN電位に電流が帰還する。これに対して、例えば、図7に示すように、回転軸16の中心がずれた場合には、ギャップ35が不均一になる。ここで、各励磁巻線23〜25に同時に電圧を印加すると、U相電磁石19による磁束の平均磁路長が長くなり、結果として磁気抵抗が増加し、インダクタンスが低下する。これにより、電流センサ32による電流検出の変化が増加する。逆に、V相電磁石20及びW相電磁石21による磁束の平均磁路長が短くなり、磁気抵抗が減少してインダクタンスが増加し、電流センサ33,34による電流検出の変化が減少する。このように、三相の励磁巻線間の巻線漏れインダクタンスLguv,Lgvw、Lgwuの変化に伴う電流変化が観測される。こうして、ギャップ35が不均一になった場合、各相の励磁巻線23〜25に同一電圧を印加すると、各相の励磁巻線23〜25に流れる励磁電流に差が生じる。従って、この励磁電流の変化を妨げるように、即ち各相の励磁巻線23〜25の励磁電圧と励磁電流の比が同一となる、あるいは各相のインピーダンスが等しくなるように、各相の励磁巻線23〜25に印加するPWM電圧を可変して励磁電流を制御すれば、各相電磁石19〜21と回転軸16とのギャップ35を均一にすることができる。
実施最良形態1においては、120°等角間隔で三相配置した電磁石19〜21によりラジアル軸受22を形成し、このラジアル軸受22により回転軸16の両端を支持しており、6個の電磁石により支持することができ、小形、軽量化が可能となる。又、回転軸16の中心がラジアル軸受22の中心からずれた場合、各相の電磁石19〜21のインダクタンスが変化するので、このインダクタンスの変化を各相の励磁電流を検出する電流センサ32〜34により検出し、各相のインダクタンスが等しくなるように各相の励磁電流を制御しており、変位検出センサを設ける必要が無いので、制御も簡単になる。
実施最良形態2
実施最良形態1においては、変位センサなしで回転軸16がラジアル軸受22、即ち各相電磁石19〜21の中心に位置するように、各相電磁石19〜21と回転軸16とのギャップ35のインダクタンスの変化をPWM出力電圧指令と各電流センサ32〜34による各相の検出励磁電流により検出し、各相電磁石19〜21のインダクタンスが等しくなるように制御している。しかしながら、電流検出精度が十分でない場合や非線形インピーダンスの変化が微小な場合、あるいは外乱等の不確定要素がある場合等には、回転軸16をより精度良く、ラジアル軸受22の中心に位置させるためには、変位センサが必要となる。
図8は実施最良形態2による磁気軸受装置の電気接続図を示し、回転軸16の両端に設けられたラジアル軸受36は、120°等角配置の各相電磁石19〜21の他に、U,V,Wの各相励磁巻線軸上に、各相電磁石19〜21と回転軸16とのギャップ35の電圧を検出するためのサーチコイル37〜39を設けている。U1´,U2´,V1´,V2´,W1´,W2´はサーチコイル37〜39の巻線端子を示す。電源26、インバータ27、平滑コンデンサ28、スイッチング素子29〜31、電流センサ32〜34は実施最良形態1と同様に設けられている。
図9(a)、(b)は回転軸16と電磁石19〜21及びサーチコイル37〜39(ラジアル軸受36)の平衡状態を示し、図9(a)はU相電磁石19によって生じる磁束を示し、サーチコイル37〜39は各相の励磁巻線軸と対称に配置している一例を示している。実際には、サーチコイル37〜39の短節度は電磁石19〜21より短くてよい。又、図9(b)は各電磁石19〜21を励磁したときの機械角θs(rad)とギャップ(電磁石19〜21と回転軸16とのギャップ)35の磁束密度Bg(wb/m2)との関係及びサーチコイル37〜39との関係を示し、平衡状態ではサーチコイル37〜39の端子間には合成磁束が互いに打ち消し合うことにより電位差は無く、ほぼ零である。
図9のような平衡状態では、各相の励磁巻線23〜25から見たインピーダンスは等しく、同一の電圧を各巻線23〜25に印加すれば、各相の励磁巻線23〜25の巻線抵抗と漏れインダクタンスのみを経由してN電位に電流が帰還する。これに対して、例えば、図10に示すように、回転軸16の中心がU相の励磁巻線軸の反対方向に変位した場合には、U相電磁石19のインダクタンスが低下し、電流センサ32による電流変化が増加し、逆にV相、W相電磁石20,21のインダクタンスが増加して、電流センサ33,34による電流変化が減少する。ここまでの点は、実施最良形態1と同様である。一方、サーチコイル37〜39については、U相のサーチコイル37の電位差が増加する。これは、U巻線軸のインダクタンスが低下したことによる。従って、この低下を補正するようにU相のサーチコイル37に電圧を印加すれば、回転軸16はU巻線軸の方向に浮上し、サーチコイル37が他のサーチコイル38,39と平衡状態になれば、回転軸16はラジアル軸受36のほぼ中心位置に支持されたことになる。他のサーチコイル37についても、同様である。なお、U,V,Wの各相の電磁石19〜21に個別に電圧を印加するようにし、対象サーチコイル37〜39で位置検出を行っても良い。
実施最良形態2においては、各相電磁石19〜21と回転軸16とのギャップ電圧を検出するサーチコイル37〜39を設けており、回転軸16が変位した場合には、各相の電磁石19〜21のインダクタンスが変化する。このインダクタンスの変化をサーチコイル37〜39はギャップ電圧の変化として検出することができ、このギャップ電圧が等しくなるように各サーチコイル37〜39に電圧を印加すれば、回転軸16をラジアル軸受22の中心に精度良く位置させることができる。従って、実施最良形態1の効果に加えて、回転軸16をラジアル軸受22の中心に精度良く位置させることができるという効果を奏する。また、サーチコイル37〜39により検出した各ギャップ電圧が一致するように各電磁石19〜21の励磁巻線に電圧を印加すれば、やはり回転軸16をラジアル軸受36の中心に精度良く位置させることができる。
なお、前記各実施最良形態においては、回転電機の回転軸16の磁気軸受装置について記載したが、回転体の磁気軸受装置であればよい。
この発明の実施最良形態1による磁気軸受装置の電気接続図である。 実施最良形態1による磁気軸受装置のラジアル軸受の拡大側面図及び磁気軸受装置を有する回転電機の縦断正面図である。 実施最良形態1による各電磁石と回転軸とが平衡したときの、U軸電磁石によって生じる磁束を示す図、及び各電磁石を励磁したときの機械角θsとギャップの磁束密度Bgとの関係図である。 実施最良形態1による磁気軸受装置の磁気等価回路図である。 実施最良形態1による磁気軸受装置の電気等価回路図である。 実施最良形態1による磁気軸受装置の全体的な電気等価回路図である。 実施最良形態1による磁気軸受装置の回転軸が変位した状態の側面図である。 実施最良形態2による磁気軸受装置の電気接続図である。 実施最良形態2による各電磁石と回転軸及びサーチコイルとが平衡したときの、U軸電磁石によって生じる磁束を示す図、及び各電磁石を励磁したときの機械角θsとギャップの磁束密度Bg及びサーチコイルとの関係図である。 実施最良形態2による磁気軸受装置の回転軸が変位した状態の側面図である。 特許文献1に記載された従来の磁気軸受装置の電気接続図である。 従来の磁気軸受装置の電気接続図である。
符号の説明
16…回転軸
19〜21…電磁石
22,36…ラジアル軸受
23〜25…励磁巻線
29〜31…スイッチング素子
32〜34…電流センサ
35…ギャップ

Claims (4)

  1. 回転体の両端に、120°等角間隔で三相配置した電磁石により形成したラジアル軸受を設け、前記各電磁石の磁気吸引力または反発力により回転体を回転自在にかつ非接触で支持し、前記各電磁石の三相の励磁巻線の励磁電流を電流センサにより検出し、
    前記回転体の回転軸側の前記各励磁巻線間の相互磁束による磁気抵抗と、
    軸受の固定子側の前記各励磁巻線間の相互磁束による磁気抵抗と、
    前記各電磁石と回転軸とのギャップにおける前記各励磁巻線間の相互磁束による磁気抵抗と、
    の磁気等価回路から、
    前記各励磁巻線の抵抗(1/2値)と前記各励磁巻線の漏れインダクタンスとの直列接続体と、
    軸受の固定子と回転子の磁性材部分のインダクタンスを並列合成した三相の各相間の磁性部分のインダクタンスと三相の各相間の励磁巻線の漏れインダクタンス(1/2値)との並列接続体による電気等価回路を得て、
    この電気等価回路を用いた演算で前記各励磁巻線のインダクタンスを求め、
    この演算で求めた前記各励磁巻線のインダクタンスが等しくなるように各励磁巻線に電圧を印加して前記電流センサで検出した各相の励磁電流を制御するようにしたことを特徴とする磁気軸受装置。
  2. 前記励磁巻線にPWM制御された電圧を印加するようにしたことを特徴とする請求項1記載の磁気軸受装置。
  3. 各相の励磁巻線軸上に各相電磁石と回転体とのギャップ電圧を検出するサーチコイルを設け、各サーチコイルの検出値が一致するように各サーチコイルに電圧を印加するようにしたことを特徴とする請求項1又は2記載の磁気軸受装置。
  4. 各相の励磁巻線軸上に各相電磁石と回転体とのギャップ電圧を検出するサーチコイルを設け、各相のギャップ電圧が一致するように各相の電磁石に個別に電圧を印加するようにしたことを特徴とする請求項1記載の磁気軸受装置。
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