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JP5191074B2 - Multilayer printed wiring board - Google Patents

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JP5191074B2
JP5191074B2 JP2001209955A JP2001209955A JP5191074B2 JP 5191074 B2 JP5191074 B2 JP 5191074B2 JP 2001209955 A JP2001209955 A JP 2001209955A JP 2001209955 A JP2001209955 A JP 2001209955A JP 5191074 B2 JP5191074 B2 JP 5191074B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層プリント配線板に関する。
【0002】
【従来の技術】
いわゆる多層ビルドアップ配線基板と呼ばれる多層プリント配線板は、セミアディティブ法等により製造されており、コアと呼ばれる0.5〜1.5mm程度のガラスクロス等で補強された樹脂基板の上に、銅等による導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層することにより作製される。この多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の接続は、バイアホールにより行われている。
【0003】
従来、ビルドアップ多層プリント配線板は、例えば、特開平9−130050号公報等に開示された方法により製造されている。
即ち、まず、銅箔が貼り付けられた銅張積層板に貫通孔を形成し、続いて無電解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形成する。続いて、基板の表面をフォトリソグラフィーの手法を用いて導体パターン状にエッチング処理して導体回路を形成する。次に、形成された導体回路の表面に、無電解めっきやエッチング等により粗化面を形成し、その粗化面を有する導体回路上に絶縁樹脂層を形成した後、露光、現像処理を行ってバイアホール用開口を形成し、その後、UV硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。
【0004】
さらに、層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤などにより粗化形成処理を施した後、薄い無電解めっき膜を形成し、この無電解めっき膜上にめっきレジストを形成した後、電解めっきにより厚付けを行い、めっきレジスト剥離後にエッチングを行って、下層の導体回路とバイアホールにより接続された導体回路を形成する。
これを繰り返した後、最後に導体回路を保護するためのソルダーレジスト層を形成し、ICチップ等の電子部品やマザーボード等との接続のために開口を露出させた部分にめっき等を施して半田バンプ形成用パッドとした後、ICチップ等の電子部品側に半田ペーストを印刷して半田バンプを形成することにより、ビルドアップ多層プリント配線板を製造する。また、必要に応じて、マザーボード側にも半田バンプを形成する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
また、近年、ICチップの高周波数化に伴い、多層プリント配線板の高速化、高密度化が要求されており、これに対応した多層プリント配線板として、スタックビア構造(バイアホールの直上にバイアホールが形成された構造)のバイアホールを有する多層プリント配線板が提案されている。
このようなスタックビア構造のバイアホールを有する多層プリント配線板では、信号伝送時間が短縮されるため、多層プリント配線板の高速化に対応し易く、また、導体回路の設計の自由度が向上するため、多層プリント配線板の高密度化に対応し易い。
【0006】
しかしながら、このようなスタックビア構造のバイアホールを有する多層プリント配線板では、バイアホールの近傍の層間樹脂絶縁層にクラックが発生することがあった。特に、3層以上のバイアホールを重ねたスタックビア構造を形成した際には、最外層の層間樹脂絶縁層にクラックが発生することが多く、さらには、このクラックに起因して、最外層の層間樹脂絶縁層周辺の導体回路に剥離や断線が発生することがあった。
【0007】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者らは、スタックビア構造のバイアホールを形成した場合に、該バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層(特に、最外層の層間樹脂絶縁層)でクラックが発生する原因について検討した。
その結果、スタックビア構造のバイアホールでは、通常、それぞれのバイアホールの形状を、その直上にバイアホールを形成するのに適したフィールドビア形状としており、また、バイアホール同士が直線状に配設された構造を有しているため、層間樹脂絶縁層とバイアホールとの線膨張係数の差に起因して応力が発生した際に、該応力が緩和されにくく、特に、最上段のバイアホールでは、通常、その上部に半田バンプ等の外部接続端子が形成されていることも伴って、より応力が緩和されにくく、また、この部分に応力が集中しやすいことを見出し、これが、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層(特に、最外層の層間樹脂絶縁層)でクラックが発生し易い原因であると考えた。
【0008】
さらに、本発明者等は、階層の異なるバイアホール同士が積み重ねられた多層プリント配線板において、最上段のバイアホールの上面に凹部を形成することにより上記した問題を解消することができることを見出し、以下に示す内容を要旨構成とする本発明に到達した。
【0009】
即ち、本発明のプリント配線板は、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、前記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続され、さらに、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、
上記バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同士は積み重ねられており、
上記積み重ねられたバイアホールのうち、最上段のバイアホールは、その上面に凹部が形成されていることを特徴とする。
【0010】
また、本発明の多層プリント配線板において、上記積み重ねられたバイアホールは、それぞれのバイアホールの中心がほぼ重なるように積み重ねられていることが望ましい。
また、上記多層プリント配線板においては、上記積み重ねられたバイアホールのうちの少なくとも1つのバイアホールが、他のバイアホールにその中心をずらして積み重ねられており、残りのバイアホールが、他のバイアホールにその中心がほぼ重なるように積み重ねられていることも望ましい。
【0011】
上記多層プリント配線板において、上記凹部の深さは、5〜25μmであることが望ましい。
また、上記多層プリント配線板においては、上記層間樹脂絶縁層のうち、少なくとも最外層の層間樹脂絶縁層は、その線膨張係数が100ppm/℃以下であることが望ましい。
【0012】
また、上記多層プリント配線板においては、上記層間樹脂絶縁層のうち、少なくとも最外層の層間樹脂絶縁層には、粒子およびゴム成分が配合されていることが望ましく、上記粒子は、無機粒子、樹脂粒子および金属粒子のうちの少なくとも1種であることが望ましい。
【0013】
また、上記多層プリント配線板においては、上記層間樹脂絶縁層のうち、少なくとも最外層の層間樹脂絶縁層は、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体、および、熱硬化性樹脂と感光性樹脂との樹脂複合体のうちの少なくとも1種を含む樹脂組成物により形成されていることが望ましい。
【0014】
【発明の実施の形態】
本発明のプリント配線板は、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、上記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続され、さらに、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、
上記バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同士は積み重ねられており、
上記積み重ねられたバイアホールのうち、最上段のバイアホールは、その上面に凹部が形成されていることを特徴とする。
【0015】
本発明の多層プリント配線板では、階層の異なるバイアホール同士が積み重ねられ、この積み重ねられたバイアホールのうち、最上段のバイアホールは、その上面に凹部が形成されているため、上面が平坦で内部が完全に充填されたフィールドビア形状のバイアホールに比べて変形しやすく、バイアホールと層間樹脂絶縁層との線膨張係数の差に起因して発生した応力を緩和しやすい。従って、本発明の多層プリント配線板は、最上段のバイアホールに大きな応力が集中することがなく、この応力の集中に起因した層間樹脂絶縁層でのクラックの発生が起こりにくいため、信頼性に優れる。
また、階層の異なるバイアホール同士を積み重ねることにより配線距離が短くなるため、信号伝送時間を短縮することができるとともに、導体回路の設計の自由度が向上し、高密度配線に対応しやすい。
【0016】
以下、本発明の多層プリント配線板について図面を参照しながら説明する。
図1および図2は、それぞれ、本発明の多層プリント配線板の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図である。
【0017】
図1に示すように、多層プリント配線板100では、基板101上に導体回路105と層間樹脂絶縁層102とが順次積層されており、層間樹脂絶縁層102を介した導体回路105間は、それぞれ、バイアホールを介して接続されている。また、最外層には、半田バンプ117を有するソルダーレジスト層114が形成されている。
【0018】
また、多層プリント配線板100においては、積み重ねられたバイアホール107a〜107dのうち、最上段のバイアホール(4段目のバイアホール)107dは、その上面に凹部が形成されている。
このように凹部が形成された最上段のバイアホールは、応力を緩和しやすく、そのため、最上段のバイアホールに大きな応力が集中することがない。従って、上述した応力の集中により発生する不都合、即ち、最上段のバイアホール近傍の層間樹脂絶縁層でクラックが発生したり、このクラックに起因して層間樹脂絶縁層周辺の導体回路に剥離や断線が発生したりする不都合が発生しにくい。
【0019】
また、上記最上段のバイアホールの上面に形成された凹部の深さは特に限定されないが、5〜25μmであることが望ましい。
上記の凹部の深さが5μm未満では、応力を緩和する効果を充分に得ることができないことがあり、一方、25μmを超えると、バイアホール内に断線が発生したり、バイアホールと層間樹脂絶縁層との間で剥離が発生したりし、信頼性の低下につながることがあるからである。
【0020】
また、多層プリント配線板100では、バイアホール107a〜107dは、それぞれのバイアホールの中心がほぼ重なるように積み重ねられている。
本発明の多層プリント配線板においては、このように、各階層のバイアホールがその中心がほぼ重なるように積み重ねられていることが望ましく、この場合、配線距離がより短くなるため、信号伝送時間を短縮することができるとともに、導体回路の設計の自由度が向上するため、高密度配線により対応しやすくなる。
【0021】
また、図2に示すように、本発明の多層プリント配線板200は、積み重ねられたバイアホール207a〜207dのバイアホールのうち、最上段のバイアホール207dが下段のバイアホールにその中心をずらして積み重ねられていてもよい。
本発明の多層プリント配線板においては、このように、積み重ねられたバイアホールのうち、少なくとも1つのバイアホールが他のバイアホールにその中心をずらして積み重ねられており、残りのバイアホールが他のバイアホールにその中心がほぼ重なるように積み重ねられていることも望ましい。
【0022】
このように、少なくとも1つのバイアホールが、その中心をずらして積み重ねられている場合には、バイアホールと層間樹脂絶縁層との線膨張係数の差に起因して発生した応力を分散させることができ、積み重ねられたバイアホールの一部に大きな応力が集中することがないため、この応力の集中に起因した層間樹脂絶縁層でのクラックの発生が起こりにくい。
【0023】
また、少なくとも1つのバイアホールを他のバイアホールにその中心をずらして積み重ねる場合、積み重ねられたバイアホールの形状は、多層プリント配線板200のように、最上段のバイアホールのみが下段のバイアホールにその中心をずらして積み重ねられ、他のバイアホール同士は、それぞれ中心がほぼ重なるように積み重ねられた形状に限定されず、バイアホールが4段に積み重ねられている場合には、例えば、最上段のバイアホールと3段目のバイアホールとがその中心がほぼ重なるように積み重ねられるとともに、その下段のバイアホール(2段目のバイアホール)にその中心をずらして積み重ねられ、さらに、1段目および2段目のバイアホールの中心がほぼ重なるように積み重ねられていてもよい。また、2〜4段目のバイアホールは中心がほぼ重なるように積み重ねられ、これが1段目のバイアホールに中心をずらして積み重ねられていてもよいし、2〜4段目のバイアホールのそれぞれが下段のバイアホールと中心をずらして積み重ねられていてもよい。
また、積み重ねるバイアホールの段数も特に限定されず、2段や3段であってもよいし、5段以上であってもよい。
なお、本明細書において、バイアホールの中心とは、バイアホールを平面視した際の、バイアホールの非ランド部分の中心のことをいう。
また、本明細書において、バイアホール同士が積み重ねられているとは、積み重ねられた上下段のバイアホールにおいて、下段のバイアホールの上面(ランド部分、非ランド部分問わず)と上段のバイアホールの底面とが電気的に接続されている状態をいう。
【0024】
また、本明細書において、中心がほぼ重なるように積み重ねられているとは、上下段のバイアホールの中心が丁度重なるように積み重ねられている場合は勿論、上下段のバイアホールの中心同士の水平距離が5μm以下になるように積み重ねられている場合も含むものとする。
従って、本明細書において、中心をずらして積み重ねられているとは、積み重ねられたバイアホールの中心同士の水平距離が5μmを超える場合をいう。
【0025】
また、本発明の多層プリント配線板において、その中心をずらして積み重ねられているバイアホール同士は、下段バイアホールの非ランド部分の外縁部(図2中、Aと示す)と、上段のバイアホールの底面(図2中、Bと示す)とが重ならないように積み重ねられていることが望ましい。
下段バイアホールの非ランド部分の外縁部と、上段のバイアホールの底面とが重なるように積み重ねられている場合は、それぞれのバイアホールで発生した応力が、積み重ねられたバイアホールの一部(例えば、上段のバイアホール)に集中するおそれがあるのに対し、下段バイアホールの非ランド部分の外縁部と、上段のバイアホールの底面とが重ならないように積み重ねられている場合は、それぞれのバイアホールに応力が分散され、積み重ねられたバイアホールの一部に応力が集中しにくく、応力の集中に起因した不都合がより発生しにくい。
【0026】
また、下段のバイアホールの非ランド部分の外縁部と、上段のバイアホールの底面の外縁部との距離(図2中、Lと示す)は、具体的には、例えば、バイアホールの非ランド部分の直径が40〜200μm程度の場合は、5〜70μmであることが望ましい。
この範囲であれば、上述したように積み重ねられたバイアホールの一部に応力が集中しにくいとともに、設計の自由度を確保することができるからである。
【0027】
次に、本発明の多層プリント配線板を構成する構成部材について説明する。
本発明の多層プリント配線板では、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、上記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続され、さらに、最外層にソルダーレジスト層が形成されている。
【0028】
上記基板としては、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン基板、フッ素樹脂基板等の絶縁性基板が挙げられる。
また、上記導体回路は、その材質が、例えば、Cu、Ni、P、Pd、Co、W、これらの合金等であり、めっき処理等により形成されている。なお、具体的な導体回路の形成方法については、後に詳述する。
【0029】
上記基板には、その両面に形成された導体回路同士を接続するスルーホールが形成されていてもよく、この場合、スルーホール内には、樹脂充填材層が形成されていることが望ましい。
また、上記多層プリント配線板においては、上記スルーホールの直上にバイアホールが形成されていてもよく、この場合には、スルーホール内に樹脂充填材層が形成され、該スルーホール上に蓋めっき層が形成されていることが望ましい。蓋めっき層を形成することにより、バイアホールとスルーホールとの接続信頼性がより優れたものとなるからである。
【0030】
さらに、本発明の多層プリント配線板では、上記基板と層間樹脂絶縁層とを貫通するスルーホールが形成されていてもよい。このようなスルーホールを形成することにより、基板と層間樹脂絶縁層とを挟んだ導体回路間を電気的に接続することができる。
【0031】
上記層間樹脂絶縁層は、例えば、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体、熱硬化性樹脂と感光性樹脂との樹脂複合体等を含む樹脂組成物により形成されている。
【0032】
上記熱硬化性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。
【0033】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールF型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【0034】
上記ポリオレフィン系樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シクロオレフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙げられる。
【0035】
上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂等が挙げられる。
また、上記した熱硬化性樹脂に感光性を付与したものも感光性樹脂として用いることができる。具体例としては、例えば、熱硬化性樹脂の熱硬化基(例えば、エポキシ樹脂におけるエポキシ基)にメタクリル酸やアクリル酸等を反応させ、アクリル基を付与したもの等が挙げられる。
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン等挙げられる。
【0036】
上記熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体としては、例えば、上記した熱硬化性樹脂と上記した熱可塑性樹脂とを含むものが挙げられる。なかでも、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂および/またはフェノール樹脂を含み、熱可塑性樹脂としてフェノキシ樹脂および/またはポリエーテルスルフォン(PES)を含むものが望ましい。
また、上記感光性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体としては、例えば、上記した感光性樹脂と上記した熱可塑性樹脂とを含むものが挙げられる。
【0037】
また、上記樹脂組成物の一例としては、粗化面形成用樹脂組成物も挙げられる。上記粗化面形成用樹脂組成物としては、例えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも1種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも1種からなる粗化液に対して可溶性の物質が分散されたもの等が挙げられる。
なお、上記「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【0038】
上記耐熱性樹脂マトリックスとしては、層間樹脂絶縁層に上記粗化液を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものが好ましく、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、感光性樹脂であってもよい。バイアホール用開口を形成する際に、露光現像処理により開口を形成することができるからである。
【0039】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。また、これらの熱硬化性樹脂に感光性を付与した樹脂、即ち、メタクリル酸やアクリル酸等を用い、熱硬化基を(メタ)アクリル化反応させた樹脂を用いてもよい。具体的には、エポキシ樹脂の(メタ)アクリレートが望ましく、さらに、1分子中に、2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。
【0040】
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
【0041】
上記可溶性の物質としては、例えば、無機粒子、樹脂粒子、金属粒子、ゴム粒子、液相樹脂および液相ゴム等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
【0042】
上記無機粒子としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物;炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合物;炭酸カリウム等のカリウム化合物;マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等のマグネシウム化合物;シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解除去することができ、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去することができる。また、ナトリウム含有シリカやドロマイトはアルカリ水溶液で溶解除去することができる。
【0043】
上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも1種からなる粗化液に浸漬した場合に、上記耐熱性樹脂マトリックスよりも溶解速度の早いものであれば特に限定されず、具体的には、例えば、アミノ樹脂(メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等)、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上併用してもよい。
なお、上記樹脂粒子は予め硬化処理されていることが必要である。硬化させておかないと上記樹脂粒子が樹脂マトリックスを溶解させる溶剤に溶解してしまうため、均一に混合されてしまい、酸や酸化剤で樹脂粒子のみを選択的に溶解除去することができないからである。
【0044】
上記金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケル、鉄、鉛等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上併用してもよい。
また、上記金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【0045】
また、このような樹脂組成物として、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を用いる場合には、ガラス転移温度が180℃以下のものを用いることが望ましい。
ガラス転移温度が180℃を超える樹脂組成物では、加熱硬化時の温度が200℃を超えるため、加熱時に基板の反りや溶解時の不都合が発生することがあるからである。
【0046】
また、上記多層プリント配線板において、少なくとも最外層の層間樹脂絶縁層は、その線膨張係数が100ppm/℃以下であることが望ましく、全ての層間樹脂絶縁層の線膨張係数が100ppm/℃以下であることがより望ましい。
このように層間樹脂絶縁層の線膨張係数が小さい場合、層間樹脂絶縁層とバイアホールや基板、導体回路との間で、線膨張係数の違いに起因した応力が発生しにくく、そのため、層間樹脂絶縁層とバイアホールとの間での剥離や、層間樹脂絶縁層でのクラックが発生しにくい。従って、上記範囲の線膨張係数を有する層間樹脂絶縁層が形成された多層プリント配線板は、より信頼性に優れることとなる。
【0047】
また、上記層間樹脂絶縁層の線膨張係数は、30〜90ppm/℃であることがより望ましい。線膨張係数が30ppm/℃未満では、剛性が高く、例えば、その表面に粗化面を形成した場合に、粗化面の凹凸を保持することができないことがあるのに対し、上記範囲であれば、耐クラック性により優れるとともに、粗化面の形状保持性にも優れるからである。
【0048】
また、上記層間樹脂絶縁層には、粒子およびゴム成分が配合されていることが望ましい。
粒子を配合されている場合、層間樹脂絶縁層の形状保持性がより向上することとなり、ゴム成分が配合されている場合、該ゴム成分の有する柔軟性および反発弾性により、層間樹脂絶縁層に応力が作用した際に、該応力を吸収したり緩和したりすることができる。
【0049】
上記粒子としては、無機粒子、樹脂粒子および金属粒子のうちの少なくとも1種が望ましい。
上記無機粒子としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物;炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合物;炭酸カリウム等のカリウム化合物;マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等のマグネシウム化合物;シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物等からなるものが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
【0050】
上記樹脂粒子としては、例えば、アミノ樹脂(メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等)、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイミド−トリアジン等からなるものが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
【0051】
上記金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケル、鉄、鉛等からなるものが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
また、上記金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【0052】
また、上記ゴム成分としては、例えば、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、ポリクロロプレンゴム、ポリイソプレンゴム、アクリルゴム、多硫系剛性ゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ABS樹脂等が挙げられる。
また、ポリブタジエンゴム;エポキシ変性、ウレタン変性、(メタ)アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した(メタ)アクリロニトリル・ブタジエンゴム等を使用することもできる。
【0053】
上記粒子およびゴム成分の配合量は特に限定されないが、層間樹脂絶縁層形成後の配合量で、粒子は1〜25重量%、ゴム成分は5〜20重量%が望ましい。この範囲であれば、基板やソルダーレジスト層との間で熱膨張係数を整合させたり、層間樹脂絶縁層を形成する際の硬化収縮による応力を緩和したりするのに適しているからである。より望ましい配合量は、粒子は3〜18重量%、ゴム成分は7〜18重量%である。
【0054】
また、上記バイアホールは、上記導体回路同様、その材質が、例えば、Cu、Ni、P、Pd、Co、W、これらの合金等であり、めっき処理等により形成されている。
また、上記多層プリント配線板において、積み重ねられたバイアホールのうち、最上段のバイアホールは、その上面に凹部が形成されているが、その他のバイアホールの形状は特に限定されず、その上面に凹部が形成された形状であってもよいし、フィールドビア形状であってもよい。
ここで、最上段以外のバイアホールの形状が、フィールドビア形状である場合には、その上面が平坦であるため、バイアホールを積み重ねるのに適している。
なお、本発明の多層プリント配線板においては、全ての階層の異なるバイアホール同士が積み重ねられているわけではなく、他のバイアホールが積み重ねられることのないバイアホールが存在してもよい。
なお、上面に凹部が形成されたバイアホールおよびフィールドビア形状のバイアホール、それぞれの形成方法については、後に詳述する。
【0055】
上記積み重ねられたバイアホールにおいて、このうちの少なくとも1つのバイアホールは、そのランド径が他のバイアホールのランド径と異なることが望ましい。積み重ねられたバイアホールがこのような構成を有する場合、ランド径の大きなバイアホールが、層間樹脂絶縁層の補強材の役割を果たすこととなり、層間樹脂絶縁層の機械的強度が向上し、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層でクラックがより発生しにくくなるからである。
【0056】
上記ソルダーレジスト層は、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等を含むソルダーレジスト組成物を用いて形成されている。
【0057】
上記以外のソルダーレジスト組成物としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の(メタ)アクリレート、イミダゾール硬化剤、2官能性(メタ)アクリル酸エステルモノマー、分子量500〜5000程度の(メタ)アクリル酸エステルの重合体、ビスフェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコールエーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が挙げられ、その粘度は25℃で1〜10Pa・sに調整されていることが望ましい。
また、上記ソルダーレジスト組成物は、エラストマーや無機フィラーが配合されていてもよい。
また、ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を用いることもできる。
【0058】
次に、本発明の多層プリント配線板を製造する方法について工程順に説明する。
(1)まず、上記した樹脂基板や、その両面に銅箔を張り付けた銅張積層板等を出発材料とし、基板上に導体回路を形成する。
具体的には、例えば、基板の両面に無電解めっき処理等を施すことによりベタの導体層を形成した後、該導体層上に導体回路パターンに対応したエッチングレジストを形成し、その後、エッチングを行うことにより形成すればよい。
また、銅張積層板をベタの導体層が形成された基板として用いてもよい。
【0059】
また、基板の両面に形成された導体回路間を接続するスルーホールを形成する場合には、予め、基板に貫通孔を形成しておき、該貫通孔の壁面にも無電解めっき処理を施すことにより、基板を挟んだ導体回路間を接続するスルーホールを形成する。
【0060】
また、スルーホールを形成した後には、該スルーホール内に樹脂充填材を充填することが望ましい。このとき、導体回路非形成部にも樹脂充填材を充填することが望ましい。
上記樹脂充填材としては、例えば、エポキシ樹脂と硬化剤と無機粒子とを含む樹脂組成物等が挙げられる。
また、スルーホール内や、導体回路非形成部に樹脂充填材を充填する場合には、予め、スルーホールの壁面や導体回路の側面に粗化処理を施しておいてもよい。
樹脂充填材とスルーホール等との密着性が向上するからである。
なお、粗化処理方法としては、後述する(2)の工程で用いる方法と同様の方法を用いることができる。
【0061】
また、上記スルーホール上に蓋めっき層を形成する場合、該蓋めっき層は、例えば、下記(a)〜(c)の工程を経ることにより形成することができる。
即ち、(a)上記した工程を経て、その内部に樹脂充填材層を有するスルーホールを形成した後、樹脂充填材層の露出面を含む基板の表面に、無電解めっき処理やスパッタリング等を用いて薄膜導体層を形成する。なお、無電解めっき処理を用いる場合には、被めっき表面に予め触媒を付与しておく。
【0062】
(b)次に、スルーホール(樹脂充填材層を含む)上以外の部分に、めっきレジストを形成し、さらに、上記薄膜導体層をめっきリードとして電解めっきを行う。
(c)ついで、電解めっき終了後、めっきレジストの剥離と該めっきレジスト下の薄膜導体層の除去とを行う。
このような(a)〜(c)の工程を経ることにより薄膜導体層と電解めっき層との2層からなる蓋めっき層を形成することができる。
なお、触媒の付与から薄膜導体層の除去に至る、この(a)〜(c)の工程は、後述する(6)〜(8)の工程で用いる方法と同様の方法等を用いて行うことができる。
【0063】
また、1層からなる蓋めっき層を形成する場合には、例えば、樹脂充填材層の露出面を含む基板の表面に触媒を付与した後、スルーホール上以外の部分にめっきレジストを形成し、その後、無電解めっき処理と、めっきレジストの除去とを行えばよい。
【0064】
(2)次に、必要に応じて、導体回路の表面の粗化処理を行う。粗化処理方法としては、例えば、黒化(酸化)−還元処理、有機酸と第二銅錯体とを含む混合溶液等を用いたエッチング処理、Cu−Ni−P針状合金めっきによる処理等を用いることができる。この工程で行う粗化処理は、後工程を経て形成する層間樹脂絶縁層との密着性を確保するために行うものであり、導体回路と層間樹脂絶縁層との密着性が高い場合には、この工程は行わなくてもよい。
【0065】
(3)次に、導体回路上に熱硬化性樹脂や感光性樹脂、樹脂複合体からなる未硬化の樹脂層を形成するか、または、熱可塑性樹脂からなる樹脂層を形成する。
上記未硬化の樹脂層は、未硬化の樹脂をロールコーター、カーテンコーター等により塗布して成形してもよく、また、未硬化(半硬化)の樹脂フィルムを熱圧着して形成してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅箔等の金属層が形成された樹脂フィルムを貼付してもよい。
また、熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成することが望ましい。
【0066】
(4)次に、その材料として熱硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂を含む樹脂複合体を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合には、未硬化の樹脂層に硬化処理を施すとともに、バイアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とする。
上記バイアホール用開口は、レーザ処理により形成することが望ましい。上記レーザ処理は、上記硬化処理前に行ってもよいし、硬化処理後に行ってもよい。
また、感光性樹脂や、感光性樹脂を含む樹脂複合体からなる層間樹脂絶縁層を形成する場合には、露光、現像処理を行うことにより、バイアホール用開口を設けてもよい。なお、この場合、露光、現像処理は、上記硬化処理前に行う。
【0067】
また、その材料として熱可塑性樹脂を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合には、熱可塑性樹脂からなる樹脂層にレーザ処理によりバイアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とすることができる。
【0068】
このとき、使用するレーザとしては、例えば、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、UVレーザ、YAGレーザ等が挙げられる。これらは、形成するバイアホール用開口の形状等を考慮して使い分けてもよい。
【0069】
上記バイアホール用開口を形成する場合、マスクを介して、ホログラム方式のエキシマレーザによるレーザ光照射することにより、一度に多数のバイアホール用開口を形成することができる。
また、短パルスの炭酸ガスレーザを用いて、バイアホール用開口を形成すると、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹脂に対するダメージが小さい。
【0070】
また、光学系レンズとマスクとを介してレーザ光を照射する場合には、一度に多数のバイアホール用開口を形成することができる。
光学系レンズとマスクとを介することにより、同一強度で、かつ、照射角度が同一のレーザ光を複数の部分に同時に照射することができるからである。
【0071】
また、上記層間樹脂絶縁層の厚さは特に限定されないが、通常、5〜50μmが望ましい。また、バイアホール用開口の開口径は特に限定されないが、通常、40〜200μmが望ましい。
【0072】
また、基板と層間樹脂絶縁層とを挟んだ導体回路間を接続するスルーホールを形成する場合には、この工程で、層間樹脂絶縁層と基板とを貫通する貫通孔を形成しておく。該貫通孔は、ドリル加工やレーザ処理等を用いて形成することができる。
【0073】
(5)次に、バイアホール用開口の内壁を含む層間樹脂絶縁層の表面に、必要に応じて、酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する。
なお、この粗化面は、層間樹脂絶縁層とその上に形成する薄膜導体層との密着性を高めるために形成するものであり、層間樹脂絶縁層と薄膜導体層との間に充分な密着性がある場合には形成しなくてもよい。また、基板と層間樹脂絶縁層とを貫通する貫通孔を形成した場合には、その壁面に粗化面を形成してもよい。
【0074】
上記酸としては、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、蟻酸等が挙げられ、上記酸化剤としては、クロム酸、クロム硫酸、過マンガン酸ナトリウム等の過マンガン酸塩等が挙げられる。
また、粗化面を形成した後には、アルカリ等の水溶液や中和液等を用いて、層間樹脂絶縁層の表面を中和することが望ましい。次工程で、酸や酸化剤の影響を与えないようにすることができるからである。
また、上記粗化面の形成は、プラズマ処理等を用いて行ってもよい。
【0075】
(6)次に、バイアホール用開口を設けた層間樹脂絶縁層の表面に薄膜導体層を形成する。
上記薄膜導体層は、無電解めっき、スパッタリング、蒸着等の方法を用いて形成することができる。なお、層間樹脂絶縁層の表面に粗化面を形成しなかった場合には、上記薄膜導体層は、スパッタリングにより形成することが望ましい。
なお、無電解めっきにより薄膜導体層を形成する場合には、被めっき表面に、予め、触媒を付与しておく。上記触媒としては、例えば、塩化パラジウム等が挙げられる。
【0076】
上記薄膜導体層の厚さは特に限定されないが、該薄膜導体層を無電解めっきにより形成した場合には、0.6〜1.2μmが望ましく、スパッタリングにより形成した場合には、0.1〜1.0μmが望ましい。
【0077】
また、上記(4)の工程で、基板と層間樹脂絶縁層とを貫通する貫通孔を形成した場合には、該貫通孔にも薄膜導体層を形成し、スルーホールとする。なお、この場合には、スルーホール内に樹脂充填材層を形成することが望ましく、その後、スルーホール上に蓋めっき層を形成してもよい。特に、ここで形成したスルーホール上に、後工程でバイアホールを形成する場合には、蓋めっき層を形成しておくことが望ましい。
【0078】
なお、このようにして形成するスルーホールは、基板と層間樹脂絶縁層とを挟んだ導体回路間を接続するのは勿論のこと、この2層の導体回路と基板の両面に形成された2層の導体回路との計4層の導体回路間を接続するものであってもよい。
【0079】
(7)次に、上記薄膜導体層上の一部にドライフィルム等を用いてめっきレジストを形成し、その後、上記薄膜導体層をめっきリードとして電解めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき層を形成する。
ここでは、所望のランド径を有するバイアホールを形成することができるようにめっきレジストを形成する。即ち、この階層において、ランド径の大きなバイアホールを形成するのであれば、めっきレジスト非形成部の幅を大きくしておけばよい。
【0080】
また、この工程では、電気めっき液の組成を適宜選択することにより、その上面に凹部を有する電解めっき層や、その上面が平坦な電解めっき層を形成することができる。例えば、電解銅めっき液を用いて電解銅めっき層を形成する場合には、硫酸、硫酸銅、および、添加剤を含む電解銅めっき液を用いることができる。
【0081】
また、ここで、上記電解銅めっき液のうち、特定のレベリング剤と光沢剤とからなる添加剤を含む電解銅めっき液を用いた場合には、上面が平坦な電解銅めっき層を形成することができる。
即ち、50〜300g/lの硫酸銅、30〜200g/lの硫酸、25〜90mg/lの塩素イオン、および、少なくともレベリング剤と光沢剤とからなる1〜1000mg/lの添加剤を含有する電解銅めっき液を用いることにより、上面が平坦な電解銅めっき層を形成することができる。
【0082】
このような組成の電解銅めっき液では、バイアホールの開口径、樹脂絶縁層の材質や厚さ、層間樹脂絶縁層の粗化面の有無等に関係なく、バイアホール用開口を完全に充填することができる。
加えて、上記電解銅めっき液は、銅イオンを高濃度で含有しているため、バイアホール用開口部に銅イオンを充分に供給し、バイアホール用開口部をめっき速度40〜100μm/時間でめっきすることができ、電解めっき工程の高速化につながる。
【0083】
また、上記電解銅めっき液は、100〜250g/lの硫酸銅、50〜150g/lの硫酸、30〜70mg/lの塩素イオン、および、少なくともレベリング剤と光沢剤とからなる1〜600mg/lの添加剤を含有する組成であることが望ましい。
【0084】
また、上記電解銅めっき液において、上記添加剤は、少なくともレベリング剤と光沢剤とからなるものであればよく、その他の成分を含有していてもよい。
ここで、上記レベリング剤としては、例えば、ポリエチレン、ゼラチン、これらの誘導体等が挙げられる。
また、上記光沢剤としては、例えば、酸化物硫黄やその関連化合物、硫化水素やその関連化合物、その他の硫黄化合物等が挙げられる。
【0085】
また、上記レベリング剤の配合量は、1〜1000mg/lが望ましく、上記光沢剤の配合量は、0.1〜100mg/lが望ましい。また、両者の配合比率は、2:1〜10:1が望ましい。
また、このような電解銅めっき液を用いて、その上面が平坦な電気めっき層を形成した場合には、後工程を経て形成されるバイアホールの形状がフィールドビア形状となる。
【0086】
なお、その上面に凹部を有する電解めっき層を形成する場合には、例えば、従来公知の電解銅めっき液、即ち、120〜250g/lの硫酸、30〜100g/lの硫酸銅および各種添加剤を含む電解銅めっき液等を用いることができる。
【0087】
また、この工程では、一旦、その上面に凹部を有する電解めっき層を形成した後、この凹部に導電性ペーストを充填してその上面が平坦な電解銅めっき層を形成してもよいし、一旦、その上面に凹部を有する電解めっき層を形成した後、その凹部に樹脂充填材等を充填し、さらに、その上に蓋めっき層を形成してその上面が平坦な電解銅めっき層を形成してもよい。
【0088】
(8)次に、めっきレジストを剥離し、めっきレジストの下に存在していた薄膜導体層をエッチングにより除去し、独立した導体回路(バイアホールを含む)とする。エッチング液としては、例えば、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅、塩酸等が挙げられる。また、エッチング液として第二銅錯体と有機酸とを含む混合溶液を用いてもよい。
【0089】
また、上記(7)および(8)に記載した方法に代えて、以下の方法を用いることにより導体回路を形成してもよい。
即ち、上記薄膜導体層上の全面に電解めっき層を形成した後、該電解めっき層上の一部にドライフィルムを用いてエッチングレジストを形成し、その後、エッチングレジスト非形成部下の電解めっき層および薄膜導体層をエッチングにより除去し、さらに、エッチングレジストを剥離することにより独立した導体回路(バイアホールを含む)を形成してもよい。
【0090】
(9)この後、上記(3)〜(8)の工程を1回または2回以上繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層と導体回路(バイアホールを含む)とを形成する。なお、上記(3)〜(8)の工程を何回繰り返すかは、多層プリント配線板の設計に応じて適宜選択すればよい。
【0091】
また、ここでは、下段のバイアホール上にバイアホールを積み重ねるように上記(3)〜(8)の工程を繰り返す。具体的には、上記(4)の工程において、バイアホール用開口の形成位置を調整することにより、バイアホールの形成位置を調整することができる。
また、バイアホール用開口の形成位置を調整することにより、上段のバイアホールを下段のバイアホールとその中心がほぼ重なるように積み重ねたり、上段のバイアホールを下段のバイアホールにその中心をずらして積み重ねたりすることができる。
【0092】
また、上記(3)〜(8)の工程を繰り返す際の最後の繰り返し工程、即ち、最外層の層間樹脂絶縁層と、最上段のバイアホールとを形成する工程では、上記(7)の工程で電解めっき層を形成する際に、その上面に凹部を有する電解めっき層を形成する。このような電解めっき層を形成することにより、その上面に凹部が形成されたバイアホールを形成することができる。
【0093】
また、上記(7)および(8)の工程において、基板と層間樹脂絶縁層とを貫通孔するスルーホールを形成した場合には、このスルーホールの直上にバイアホールを形成してもよい。
【0094】
(10)次に、最上層の導体回路を含む基板上に、複数の半田バンプ形成用開口を有するソルダーレジスト層を形成する。
具体的には、未硬化のソルダーレジスト組成物をロールコータやカーテンコータ等により塗布したり、フィルム状に成形したソルダーレジスト組成物を圧着したりした後、レーザ処理や露光現像処理により半田バンプ形成用開口を形成し、さらに、必要に応じて、硬化処理を施すことによりソルダーレジスト層を形成する。
【0095】
また、上記半田バンプ形成用開口を形成する際に用いるレーザとしては、上述したバイアホール用開口を形成する際に用いるレーザと同様のもの等が挙げられる。
【0096】
次に、上記半田バンプ形成用開口の底面に露出した導体回路の表面に、必要に応じて、半田パッドを形成する。
上記半田パッドは、ニッケル、パラジウム、金、銀、白金等の耐食性金属により上記導体回路表面を被覆することにより形成することができる。
具体的には、ニッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パラジウム、ニッケル−パラジウム−金等の金属により形成することが望ましい。
また、上記半田パッドは、例えば、めっき、蒸着、電着等の方法を用いて形成することができるが、これらのなかでは、被覆層の均一性に優れるという点からめっきが望ましい。
【0097】
(11)次に、上記半田バンプ形成用開口に半田ペーストを充填し、リフロー処理を施したり、半田ペーストを充填した後、導電性ピンを取り付け、さらにリフロー処理を施したりすることにより半田バンプやBGA(Ball Grid Array) 、PGA(Pin Grid Array) を形成する。
なお、製品認識文字などを形成するための文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよい。
このような工程を経ることにより本発明の多層プリント配線板を製造することができる。
【0098】
【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【0099】
(実施例1)
A.感光性樹脂組成物Aの調製
(i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社製、分子量:2500)の25%アクリル化物を80重量%の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル(DMDG)に溶解させた樹脂液35重量部、感光性モノマー(東亜合成社製、アロニックスM315)3.15重量部、消泡剤(サンノプコ社製 S−65)0.5重量部およびN−メチルピロリドン(NMP)3.6重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
【0100】
(ii)ポリエーテルスルフォン(PES)12重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成社製、ポリマーポール)の平均粒径1.0μmのもの7.2重量部および平均粒径0.5μmのもの3.09重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにNMP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。
【0101】
(iii) イミダゾール硬化剤(四国化成社製、2E4MZ−CN)2重量部、光重合開始剤(チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガキュアー I−907)2重量部、光増感剤(日本化薬社製、DETX−S)0.2重量部およびNMP1.5重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
そして、(i) 、(ii)および(iii) で調製した混合組成物を混合することにより感光性樹脂組成物Aを得た。
【0102】
B.感光性樹脂組成物Bの調製
(i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社製、分子量:2500)の25%アクリル化物を80重量%の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル(DMDG)に溶解させた樹脂液35重量部、感光性モノマー(東亜合成社製、アロニックスM315)4重量部、消泡剤(サンノプコ社製 S−65)0.5重量部およびN−メチルピロリドン(NMP)3.6重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
【0103】
(ii)ポリエーテルスルフォン(PES)12重量部、および、エポキシ樹脂粒子(三洋化成社製、ポリマーポール)の平均粒径0.5μmのもの14.49重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにNMP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。
【0104】
(iii) イミダゾール硬化剤(四国化成社製、2E4MZ−CN)2重量部、光重合開始剤(チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガキュアー I−907)2重量部、光増感剤(日本化薬社製、DETX−S)0.2重量部およびNMP1.5重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
そして、(i) 、(ii)および(iii) で調製した混合組成物を混合することにより感光性樹脂組成物Bを得た。
【0105】
C.樹脂充填材の調製
ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル社製、分子量:310、YL983U)100重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が1.6μmで、最大粒子の直径が15μm以下のSiO球状粒子(アドテック社製、CRS 1101−CE)72重量部およびレベリング剤(サンノプコ社製 ペレノールS4)1.5重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が25±1℃で30〜80Pa・sの樹脂充填材を調製した。
なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤(四国化成社製、2E4MZ−CN)6.5重量部を用いた。
【0106】
D.多層プリント配線板の製造方法
(1)厚さ0.8mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂からなる基板1の両面に18μmの銅箔8がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした(図3(a)参照)。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板1の両面に下層導体回路4とスルーホール9とを形成した(図3(b)参照)。
【0107】
(2)スルーホール9および下層導体回路4を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、NaOH(10g/l)、NaClO(40g/l)、NaPO(6g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)とする黒化処理、および、NaOH(10g/l)、NaBH(6g/l)を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール9を含む下層導体回路4の全表面に粗化面(図示せず)を形成した。
【0108】
(3)次に、上記Cに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調整後24時間以内に、スルーホール9内、および、基板1の導体回路非形成部と下層導体回路4の外縁部とに樹脂充填材の層10′を形成した。
即ち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填材を押し込んだ後、100℃、20分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填材の層10′形成し、100℃、20分の条件で乾燥させた(図3(c)参照)。
【0109】
(4)上記(3)の処理を終えた基板の片面を、#600のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路4の表面やスルーホール9のランド表面に樹脂充填材が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、100℃で1時間、150℃で1時間の加熱処理を行って樹脂充填材層10を形成した。
【0110】
このようにして、スルーホール9や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材層10の表層部および下層導体回路4の表面を平坦化し、樹脂充填材層10と下層導体回路4の側面4aとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール9の内壁面9aと樹脂充填材層10とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た(図3(d)参照)。即ち、この工程により、樹脂充填材層10の表面と下層導体回路4の表面が同一平面となる。
【0111】
(5)上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路4の表面とスルーホール9のランド表面とをエッチングすることにより、下層導体回路4の全表面に粗化面(図示せず)を形成した。なお、エッチング液としては、イミダゾール銅(II)錯体10重量部、グリコール酸7重量部、塩化カリウム5重量部からなるエッチング液(メック社製、メックエッチボンド)を使用した。
【0112】
(6)次に、基板の両面に、上記Bで調製した感光性樹脂組成物B(粘度:1.5Pa・s)を調製後24時間以内にロールコータを用いて塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分間の乾燥(プリベーク)を行った。次いで、上記Aで調製した感光性樹脂組成物A(粘度:7Pa・s)を調製後24時間以内にロールコータを用いて塗布し、同様に水平状態で20分間放置してから、60℃で30分間の乾燥(プリベーク)を行い、2層からなる半硬化状態の樹脂層2a、2bを形成した(図3(e)参照)。
【0113】
(7)次に、半硬化状態の樹脂層2a、2bを形成した基板の両面に、直径80μmの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により500mJ/cmの強度で露光した後、DMDG溶液でスプレー現像した。この後、さらに、この基板を超高圧水銀灯により3000mJ/cmの強度で露光し、100℃で1時間、120℃で1時間、150で3時間の加熱処理を施し、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた直径80μmのバイアホール用開口6を有し、2層からなる層間樹脂絶縁層2を形成した(図4(a)参照)。
【0114】
(8)さらに、バイアホール用開口6を形成した基板を、60g/lの過マンガン酸を含む80℃の溶液に10分間浸漬し、層間樹脂絶縁層2の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口6の内壁を含む層間樹脂絶縁層2の表面を粗面(図示せず)とした。
【0115】
(9)次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理(粗化深さ3μm)した基板の表面に、パラジウム触媒(アトテック社製)を付与することにより、層間樹脂絶縁層2の表面およびバイアホール用開口6の内壁面に触媒核を付着させた。
【0116】
(10)次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6〜3.0μmの薄膜導体層12を形成した(図4(b)参照)。
〔無電解めっき水溶液〕
NiSO 0.003 mol/l
酒石酸 0.200 mol/l
硫酸銅 0.030 mol/l
HCHO 0.050 mol/l
NaOH 0.100 mol/l
α、α′−ビピリジル 40 mg/l
ポリエチレングリコール(PEG) 0.10 g/l
〔無電解めっき条件〕
35℃の液温度で40分
【0117】
(11)次に、市販の感光性ドライフィルムを薄膜導体層12に貼り付け、マスクを載置して、100mJ/cm2で露光し、0.8%炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト3を設けた(図4(c)参照)。
【0118】
(12)ついで、基板を50℃の水で洗浄して脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっき層13を形成した(図4(d)参照)。
〔電解めっき水溶液〕
CuSO・5HO 210g/l
硫酸 150g/l
Cl 40mg/l
ポリエチレングリコール 300mg/l
ビスジスルフィド 100mg/l
〔電解めっき条件〕
電流密度 1.0A/dm
時間 60 分
温度 25 ℃
【0119】
(13)続いて、50℃の40g/lNaOH水溶液中でめっきレジスト3を剥離除去した。その後、基板に150℃で1時間の加熱処理を施し、硫酸−過酸化水素水溶液を含むエッチング液を用いて、めっきレジスト下に存在した薄膜導体層を除去し、独立した導体回路5とフィールドビア形状のバイアホール7とを形成した(図5(a)参照)。
【0120】
(14)上記(5)〜(13)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層2と独立した導体回路5とフィルードビア形状のバイアホール7とを形成した(図5(b)〜図6(a)参照)。
なお、ここでは、バイアホール用開口の形成位置を調整することにより、1段目のバイアホールとその中心がほぼ重なるように、2段目のバイアホールを形成した。
【0121】
(15)さらに、上記(5)〜(11)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層2と薄膜導体層12とを形成し、その後、薄膜導体層12上にめっきレジスト3を設けた(図6(b)参照)。
【0122】
(16)次に、めっきレジスト3の形成された基板を50℃の水で洗浄して脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっき層13を形成した(図6(c)参照)。なお、バイアホール用開口内には、上面に凹部を有する電解めっき層13aを形成した。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 2.24 mol/l
硫酸銅 0.26 mol/l
添加剤 19.5 ml/l
(アトテックジャパン社製、カパラシドGL)
〔電解めっき条件〕
電流密度 1.0 A/dm
時間 65 分
温度 22±2 ℃
【0123】
(17)次に、上記(13)の工程と同様にして、めっきレジスト3の剥離除去、および、薄膜導体層12のエッチングを行い、独立した導体回路とその上面に凹部を有するバイアホール7aとを形成した(図7(a)参照)。なお、ここでは、バイアホール用開口の形成位置を調整することにより、2段目のバイアホールとその中心がほぼ重なるように最上段のバイアホールを形成した。
【0124】
(18)次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル(DMDG)に60重量%の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社製)のエポキシ基50%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー(分子量:4000)46.67重量部、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製、商品名:エピコート1001)15.0重量部、イミダゾール硬化剤(四国化成社製、商品名:2E4MZ−CN)1.6重量部、感光性モノマーである多価アクリルモノマー(日本化薬社製、商品名:R604)3.0重量部、同じく多価アクリルモノマー(共栄化学社製、商品名:DPE6A)1.5重量部、分散系消泡剤(サンノプコ社製、S−65)0.71重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン(関東化学社製)2.0重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン(関東化学社製)0.2重量部を加え、粘度を25℃で2.0Pa・sに調整したソルダーレジスト組成物を得た。なお、粘度測定は、B型粘度計(東京計器社製、DVL−B型)で60min−1(rpm)の場合はローターNo.4、6min−1(rpm)の場合はローターNo.3によった。
【0125】
(19)次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗布し、70℃で20分間、70℃で30分間の条件で乾燥処理を行った後、半田パッドのパターンが描画された厚さ5mmのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて1000mJ/cmの紫外線で露光し、DMTG溶液で現像処理し、直径80μmの開口を形成した。
そして、さらに、80℃で1時間、100℃で1時間、120℃で1時間、150℃で3時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、半田バンプ形成用開口を有し、その厚さが20μmのソルダーレジスト層14を形成した。
【0126】
(20)次に、過硫酸ナトリウムを主成分とするエッチング液中にソルダーレジスト層14が形成された基板を1分間浸漬し、導体回路表面に平均粗度(Ra)が1μm以下の粗化面(図示せず)を形成した。
さらに、この基板を、塩化ニッケル(2.3×10−1mol/l)、次亜リン酸ナトリウム(2.8×10−1mol/l)、クエン酸ナトリウム(1.6×10−1mol/l)を含むpH=4.5の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開口部に厚さ5μmのニッケルめっき層15を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム(7.6×10−3mol/l)、塩化アンモニウム(1.9×10−1mol/l)、クエン酸ナトリウム(1.2×10−1mol/l)、次亜リン酸ナトリウム(.1.7×10−1mol/l)を含む無電解金めっき液に80℃の条件で7.5分間浸漬して、ニッケルめっき層15上に、厚さ0.03μmの金めっき層16を形成し、半田パッドとした。
【0127】
(21)この後、ソルダーレジスト層14上に、マスクを載置し、ピストン式圧入型印刷機を用いて、半田バンプ形成用開口に半田ペーストを印刷した。その後、半田ペーストを250℃でリフローし、さらに、フラックス洗浄を行うことにより、半田バンプを備えた多層プリント配線板を得た(図7(b)参照)。
なお、本実施例で形成した層間樹脂絶縁層の線膨張係数は、70ppm/℃である。
【0128】
(実施例2)
A.層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量469、油化シェルエポキシ社製エピコート1001)30重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量215、大日本インキ化学工業社製 エピクロンN−673)40重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂(フェノール性水酸基当量120、大日本インキ化学工業社製 フェノライトKA−7052)30重量部をエチルジグリコールアセテート20重量部、ソルベントナフサ20重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム(ナガセ化成工業社製 デナレックスR−45EPT)12重量部と2−フェニル−4、5−ビス(ヒドロキシメチル)イミダゾール粉砕品1.5重量部、微粉砕シリカ4重量部、シリコン系消泡剤0.5重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ38μmのPETフィルム上に乾燥後の厚さが50μmとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、80〜120℃で10分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
【0129】
B.樹脂充填材の調製
実施例1と同様にして樹脂充填材の調製を行った。
C.多層プリント配線板の製造
(1)厚さ0.8mmのガラスエポキシ樹脂またはBT樹脂からなる絶縁性基板21の両面に18μmの銅箔28がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした(図8(a)参照)。まず、この銅張積層板を下層導体回路パターン状にエッチングすることにより、基板の両面に下層導体回路24を形成した(図8(b)参照)。
【0130】
(2)下層導体回路24を形成した基板21を水洗いし、乾燥した後、NaOH(10g/l)、NaClO(40g/l)、NaPO(6g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)とする黒化処理、および、NaOH(10g/l)、NaBH(6g/l)を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、下層導体回路24の表面に粗化面(図示せず)を形成した。
【0131】
(3)次に、上記Aで作製した層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを、温度50〜150℃まで昇温しながら、0.5MPaで真空圧着ラミネートして貼り付け、層間樹脂絶縁層22を形成した(図8(c)参照)。さらに、層間樹脂絶縁層22を形成した基板21に、ドリル加工により直径300μmの貫通孔39を形成した。
【0132】
(4)次に、層間樹脂絶縁層22に、厚さ1.2mmの貫通孔が形成されたマスクを載置し、波長10.4μmのCOガスレーザにて、ビーム径4.0mm、トップハットモード、パルス幅8.0μ秒、マスクの貫通孔の径1.0mm、1ショットの条件で層間樹脂絶縁層22に、直径80μmのバイアホール用開口26を形成した(図8(d)参照)。
【0133】
(5)次に、バイアホール用開口26を形成した基板を、60g/lの過マンガン酸を含む80℃の溶液に10分間浸漬し、貫通孔39の壁面にデスミア処理を施すとともに、層間樹脂絶縁層22の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口26の内壁面を含むその表面に粗化面(図示せず)を形成した。
【0134】
(6)次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理(粗化深さ3μm)した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層22の表面(バイアホール用開口26の内壁面を含む)、および、貫通孔39の壁面に触媒核を付着させた(図示せず)。即ち、上記基板を塩化パラジウム(PdCl)と塩化第一スズ(SnCl)とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。
【0135】
(7)次に、34℃の無電解銅めっき水溶液中に基板を40分間浸漬し、層間樹脂絶縁層22の表面(バイアホール用開口26の内壁面を含む)、および、貫通孔39の壁面に厚さ0.6〜3.0μmの薄膜導体層32を形成した(図8(e)参照)。なお、無電解銅めっき水溶液としては、実施例1の(10)の工程で用いた無電解銅めっき水溶液と同様の水溶液を用いた。
【0136】
(8)次に、薄膜導体層32が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、100mJ/cmで露光し、0.8%炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト23を設けた(図9(a)参照)。
【0137】
(9)次いで、基板を50℃の水で洗浄して脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、実施例1の(12)の工程と同様の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト23非形成部に、電解銅めっき膜33を形成した(図9(b)参照)。
【0138】
(10)さらに、めっきレジスト23を5%KOHで剥離除去した後、そのめっきレジスト23下の薄膜導体層を硫酸と過酸化水素とを含むエッチング液を用いてエッチングし、スルーホール29、および、導体回路25(バイアホール27を含む)とした。
【0139】
(11)次に、スルーホール29等を形成した基板30をエッチング液に浸漬し、スルーホール29、および、導体回路25(バイアホール27を含む)の表面に粗化面(図示せず)を形成した。なお、エッチング液としては、メック社製、メックエッチボンドを使用した。
【0140】
(12)次に、上記Bに記載した樹脂充填材を調製した後、実施例1の(3)の工程と同様の方法を用いて、調製後24時間以内に、スルーホール29内、および、層間樹脂絶縁層22上の導体回路非形成部と導体回路25の外縁部とに樹脂充填材の層を形成した。
【0141】
続いて、実施例1の(4)の工程と同様にして、スルーホール内や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材の層の表層部および導体回路25の表面を平坦化し、さらに、加熱処理を行うことにより、その表面が導体回路25の表面と同一平面をなす樹脂充填材層30を形成した(図9(c)参照)。
【0142】
(13)次に、層間樹脂絶縁層22の表面、および、樹脂充填材層30の露出面に、上記(6)と同様の処理を行いてパラジウム触媒(図示せず)を付与した。次に、上記(7)と同様の条件で無電解めっき処理を施し、樹脂充填材層30の露出面および導体回路25の上面に薄膜導体層32を形成した。
【0143】
(14)次に、上記(8)と同様の方法を用いて、薄膜導体層32上に、めっきレジスト23を設けた(図9(d)参照)。
続いて、基板を50℃の水で洗浄して脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト23非形成部に、電解銅めっき膜33を形成した(図10(a)参照)。
〔電解めっき液〕
硫酸 2.24 mol/l
硫酸銅 0.26 mol/l
添加剤 19.5 ml/l
(アトテックジャパン社製、カパラシドGL)
〔電解めっき条件〕
電流密度 1 A/dm
時間 65 分
温度 22+2 ℃
【0144】
(15)次に、めっきレジスト33を5%KOHで剥離除去した後、そのめっきレジスト33下の薄膜導体層を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、蓋めっき層31とした(図10(b)参照)。
(16)次に、蓋めっき層31の表面にエッチング液(メック社製、メックエッチボンド)を用いて粗化面(図示せず)を形成した。
【0145】
(17)次に、上記(3)〜(11)の工程を2回繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層22、導体回路25およびフィールドビア形状のバイアホール27を形成した(図10(c)〜図13(a)参照)。なお、ここでは、バイアホール用開口の形成位置を調整し、1回目の繰り返し工程では、蓋めっき層31の直上にバイアホールを形成し、2回目の繰り返し工程では、下段のバイアホールとその中心がほぼ重なるように2段目のバイアホールを形成した。また、この工程では、スルーホールを形成しなかった。
【0146】
(18)さらに、上記(3)〜(8)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層22と薄膜導体層32とを形成し、その後、薄膜導体層32上にめっきレジスト23を形成した(図13(b)参照)。
【0147】
(19)次に、めっきレジスト23の形成された基板を50℃の水で洗浄して脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、実施例1の(16)の工程と同様の条件で、電解めっきを施し、電解銅めっき層を形成した。なお、バイアホール用開口内には、その上面に凹部を有する電解銅めっき層を形成した。
【0148】
(20)次に、上記(10)の工程と同様にして、めっきレジスト23の剥離除去、および、薄膜導体層32のエッチングを行い、独立した導体回路25とその上面に凹部を有するバイアホール27aとを形成した(図14(a)参照)。さらに、上記(11)の工程と同様にして、導体回路25およびバイアホール27aの表面に粗化面(図示せず)を形成した。
【0149】
(21)次に、実施例1の(18)〜(21)の工程と同様にして、半田バンプ37を備えた多層プリント配線板を得た(図14(b)参照)。
なお、本実施例で形成した層間樹脂絶縁層の線膨張係数は、60ppm/℃である。
【0150】
(実施例3)
A.感光性樹脂組成物A、Bの調製
実施例1と同様にして感光性樹脂組成物AおよびBを調製した。
【0151】
B.樹脂充填材の調製
実施例1と同様にして樹脂充填材を調製した。
【0152】
C.多層プリント配線板の製造方法
(1)厚さ0.8mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂からなる基板41の両面に18μmの銅箔48がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした(図15(a)参照)。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板41の両面に下層導体回路44とスルーホール49とを形成した(図15(b)参照)。
【0153】
(2)スルーホール49および下層導体回路44を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、NaOH(10g/l)、NaClO(40g/l)、NaPO(6g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)とする黒化処理、および、NaOH(10g/l)、NaBH(6g/l)を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール49を含む下層導体回路44の全表面に粗化面(図示せず)を形成した。
【0154】
(3)次に、上記Bに記載した樹脂充填材を調製した後、実施例1の(3)の工程と同様の方法を用いて、調整後24時間以内に、スルーホール49内、および、基板41の導体回路非形成部と下層導体回路44の外縁部とに樹脂充填材の層50′を形成した(図15(c)参照)。
【0155】
(4)続いて、実施例1の(4)の工程と同様にして、スルーホール内や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材の層の表層部および下層導体回路44の表面を平坦化し、さらに、加熱処理を行うことにより、その表面が下層導体回路44の表面と同一平面をなす樹脂充填材層50を形成した(図15(d)参照)。
【0156】
(5)上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路44の表面とスルーホール49のランド表面とをエッチングすることにより、下層導体回路44の全表面に粗化面(図示せず)を形成した。なお、エッチング液としては、メック社製、メックエッチボンドを使用した。
【0157】
(6)次に、基板の両面に、上記Aで調製した感光性樹脂組成物B(粘度:1.5Pa・s)を調製後24時間以内にロールコータを用いて塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分間の乾燥(プリベーク)を行った。次いで、上記Aで調製した感光性樹脂組成物A(粘度:7Pa・s)を調製後24時間以内にロールコータを用いて塗布し、同様に水平状態で20分間放置してから、60℃で30分間の乾燥(プリベーク)を行い、2層からなる半硬化状態の樹脂層42a、42bを形成した(図15(e)参照)。
【0158】
(7)次に、半硬化状態の樹脂層42a、42bを形成した基板の両面に、直径80μmの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により500mJ/cmの強度で露光した後、DMDG溶液でスプレー現像した。この後、さらに、この基板を超高圧水銀灯により3000mJ/cmの強度で露光し、100℃で1時間、120℃で1時間、150で3時間の加熱処理を施し、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた直径80μmのバイアホール用開口46を有し、2層からなる層間樹脂絶縁層42を形成した(図16(a)参照)。
【0159】
(8)さらに、バイアホール用開口46を形成した基板を、60g/lの過マンガン酸を含む80℃の溶液に10分間浸漬し、層間樹脂絶縁層42の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口46の内壁を含む層間樹脂絶縁層42の表面を粗面(図示せず)とした。
【0160】
(9)次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理(粗化深さ3μm)した基板の表面に、パラジウム触媒(アトテック社製)を付与することにより、層間樹脂絶縁層42の表面およびバイアホール用開口46の内壁面に触媒核を付着させた。
【0161】
(10)次に、実施例1の(10)の工程と同様の条件で無電解めっき処理を施し、粗面全体に厚さ0.6〜3.0μmの薄膜導体層52を形成した(図16(b)参照)。
【0162】
(11)次に、市販の感光性ドライフィルムを薄膜導体層52に貼り付け、マスクを載置して、100mJ/cm2で露光し、0.8%炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト43を設けた(図16(c)参照)。
【0163】
(12)ついで、基板を50℃の水で洗浄して脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、実施例1の(12)の工程と同様の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっき層53を形成した(図16(d)参照)。
【0164】
(13)続いて、50℃の40g/lNaOH水溶液中でめっきレジスト43を剥離除去した。その後、基板に150℃で1時間の加熱処理を施し、硫酸−過酸化水素水溶液を含むエッチング液を用いて、めっきレジスト下に存在した薄膜導体層を除去し、独立した導体回路45とフィールドビア形状のバイアホール47とを形成した(図17(a)参照)。
【0165】
(14)次に、上記(5)〜(13)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層42、および、独立した導体回路45とフィールドビア形状のバイアホール47とを形成した(図17(b)〜図18(a)参照)。なお、ここでは、バイアホール用開口の形成位置を調整することにより、下段のバイアホールとその中心がほぼ重なるように2段目のバイアホールを形成した。
【0166】
(15)さらに、上記(5)〜(13)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層42、および、独立した導体回路45とフィールドビア形状のバイアホール47とを形成した(図18(b)参照)。
なお、ここでは、バイアホール用開口の形成位置を調整することにより、2段目のバイアホールの中心からずらして3段目バイアホールを積み重ねた。また、この工程で形成したバイアホール(3段目のバイアホール)の底面の外縁部と、その下段のバイアホール(2段目のバイアホール)の非ランド部分の外縁部との距離は、5μmである。
【0167】
(16)さらに、上記(5)〜(11)の工程を再度繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層42と薄膜導体層52とを形成し、その後、薄膜導体層52上にめっきレジスト43を形成した。
【0168】
(17)次に、めっきレジスト43の形成された基板を50℃の水で洗浄して脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、実施例1の(16)の工程で用いた条件と同様の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっき層53を形成した(図18(c)参照)。なお、バイアホール用開口内には、その上面に凹部を有する電解めっき層53aを形成した。
その後、上記(13)の工程と同様にしてめっきレジスト43の剥離除去、および、薄膜導体層のエッチングを行い、独立した導体回路とその上面に凹部を有するバイアホール47aとを形成した(図19(a)参照)。なお、ここでは、下段のバイアホール(3段目のバイアホール)とその中心がほぼ重なるように、最上段のバイアホールを形成した。
【0169】
(18)次に、実施例1の(18)〜(21)の工程と同様にして半田バンプ57を備えた多層プリント配線板を得た(図19(b)参照)。なお、本実施例で形成した層間樹脂絶縁層の線膨張係数は、70ppm/℃である。
【0170】
(実施例4)
A.層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製
実施例2と同様にして層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
【0171】
B.樹脂充填材の調製
実施例1と同様にして樹脂充填材の調製を行った。
C.多層プリント配線板の製造
(1)厚さ0.8mmのガラスエポキシ樹脂またはBT樹脂からなる絶縁性基板61の両面に18μmの銅箔68がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした(図20(a)参照)。まず、この銅張積層板を下層導体回路パターン状にエッチングすることにより、基板の両面に下層導体回路64を形成した(図20(b)参照)。
【0172】
(2)下層導体回路64を形成した基板61を水洗いし、乾燥した後、NaOH(10g/l)、NaClO(40g/l)、NaPO(6g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)とする黒化処理、および、NaOH(10g/l)、NaBH(6g/l)を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、下層導体回路64の表面に粗化面(図示せず)を形成した。
【0173】
(3)次に、上記Aで作製した層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを、温度50〜150℃まで昇温しながら、0.5MPaで真空圧着ラミネートして貼り付け、層間樹脂絶縁層62を形成した(図20(c)参照)。
さらに、層間樹脂絶縁層62を形成した基板61に、ドリル加工により直径300μmの貫通孔79を形成した。
【0174】
(4)次に、層間樹脂絶縁層62に、厚さ1.2mmの貫通孔が形成されたマスクを載置し、波長10.4μmのCOガスレーザにて、ビーム径4.0mm、トップハットモード、パルス幅8.0μ秒、マスクの貫通孔の径1.0mm、1ショットの条件で層間樹脂絶縁層62に、直径80μmのバイアホール用開口66を形成した(図20(d)参照)。
【0175】
(5)次に、バイアホール用開口66を形成した基板を、60g/lの過マンガン酸を含む80℃の溶液に10分間浸漬し、貫通孔79の壁面にデスミア処理を施すとともに、層間樹脂絶縁層62の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口66の内壁面を含むその表面に粗化面(図示せず)を形成した。
【0176】
(6)次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理(粗化深さ3μm)した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層62の表面(バイアホール用開口66の内壁面を含む)、および、貫通孔79の壁面に触媒核を付着させた(図示せず)。即ち、上記基板を塩化パラジウム(PdCl)と塩化第一スズ(SnCl)とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。
【0177】
(7)次に、34℃の無電解銅めっき水溶液中に基板を40分間浸漬し、層間樹脂絶縁層62の表面(バイアホール用開口66の内壁面を含む)、および、貫通孔79の壁面に厚さ0.6〜3.0μmの薄膜導体層72を形成した(図20(e)参照)。なお、無電解銅めっき水溶液としては、実施例1の(10)の工程で用いた無電解銅めっき水溶液と同様の水溶液を用いた。
【0178】
(8)次に、薄膜導体層72が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、100mJ/cmで露光し、0.8%炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト63を設けた(図21(a)参照)。
【0179】
(9)次いで、基板を50℃の水で洗浄して脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、実施例1の(12)の工程と同様の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト63非形成部に、電解銅めっき膜73を形成した(図21(b)参照)。
【0180】
(10)さらに、めっきレジスト63を5%KOHで剥離除去した後、そのめっきレジスト63下の薄膜導体層を硫酸と過酸化水素とを含むエッチング液を用いてエッチングし、スルーホール69、および、導体回路65(バイアホール67を含む)とした。
【0181】
(11)次に、スルーホール69等を形成した基板をエッチング液に浸漬し、スルーホール69、および、導体回路65(バイアホール67を含む)の表面に粗化面(図示せず)を形成した。なお、エッチング液としては、メック社製、メックエッチボンドを使用した。
【0182】
(12)次に、上記Bに記載した樹脂充填材を調製した後、実施例1の(3)の工程と同様の方法を用いて、調製後24時間以内に、スルーホール69内、および、層間樹脂絶縁層62上の導体回路非形成部と導体回路65の外縁部とに樹脂充填材の層を形成した。
【0183】
続いて、実施例1の(4)の工程と同様にして、スルーホール内や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材の層の表層部および導体回路65の表面を平坦化し、さらに、加熱処理を行うことにより、その表面が導体回路65の表面と同一平面をなす樹脂充填材層70を形成した(図21(c)参照)。
【0184】
(13)次に、層間樹脂絶縁層62の表面、および、樹脂充填材層70の露出面に、上記(6)と同様の処理を行いてパラジウム触媒(図示せず)を付与した。次に、上記(7)と同様の条件で無電解めっき処理を施し、樹脂充填材層70の露出面および導体回路65の上面に薄膜導体層72を形成した。
【0185】
(14)次に、上記(8)と同様の方法を用いて、薄膜導体層62上に、めっきレジスト63を設けた(図21(d)参照)。
続いて、基板を50℃の水で洗浄して脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、実施例2の(14)の工程と同様の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト63非形成部に、電解銅めっき膜73を形成した(図22(a)参照)。
【0186】
(15)次に、めっきレジスト73を5%KOHで剥離除去した後、そのめっきレジスト73下の薄膜導体層を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、蓋めっき層71とした(図22(b)参照)。
(16)次に、蓋めっき層71の表面にエッチング液(メック社製、メックエッチボンド)を用いて粗化面(図示せず)を形成した。
【0187】
(17)次に、上記(3)〜(11)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層62、導体回路65およびフィールドビア形状のバイアホール67を形成した(図22(c)〜図23(c)参照)。なお、ここでは、バイアホール用開口の形成位置を調整することにより蓋めっき層71の直上にバイアホールを形成した。また、この工程では、スルーホールを形成しなかった。
【0188】
(18)次に、上記(3)〜(11)の工程を2回繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層62、導体回路65およびフィールドビア形状のバイアホール67を形成した(図24(a)〜図25(a)参照)。なお、ここでは、バイアホール用開口の形成位置を調整することにより、下段のバイアホールの中心とその中心がほぼ重なるようにバイアホールを積み重ねた。
また、この工程では、スルーホールを形成しなかった。
【0189】
(19)さらに、再度、上記(3)〜(8)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層62と薄膜導体層72とを形成し、その後、薄膜導体層72上にめっきレジスト63を形成した(図25(b)参照)。
【0190】
(20)次に、めっきレジスト63の形成された基板を50℃の水で洗浄して脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに、硫酸で洗浄してから実施例1の(16)の工程と同様の条件で電解めっきを施し、電解めっき層を形成した。なお、バイアホール用開口内には、その上面に凹部を有する電解めっき層を形成した。
【0191】
(21)その後、上記(10)の工程と同様にして、めっきレジスト63の剥離除去、および、薄膜導体層72のエッチングを行い、独立した導体回路65と、その上面に凹部を有するバイアホール67a(図26(a)参照)とを形成した。さらに、上記(11)の工程と同様にして導体回路65およびバイアホール67aの表面に粗化面を形成した。
なお、この(19)〜(21)の一連の工程では、バイアホール用開口の形成位置を調整することにより、下段のバイアホールの中心からずらしてバイアホールを積み重ねた。なお、この工程で形成した最上段のバイアホール(4段目のバイアホール)の底面の外縁部と、その下段のバイアホール(3段目のバイアホール)の非ランド部分の外縁部との距離は、8μmである。
【0192】
(22)次に、実施例1の(18)〜(21)の工程と同様にして、半田バンプ77を備えた多層プリント配線板を得た(図26(b)参照)。
なお、本実施例で作製した多層プリント配線板における層間樹脂絶縁層の線膨張係数は、60ppm/℃である。
【0193】
(実施例5)
実施例3の(15)の工程において、3段目のバイアホールの底面の外縁部と、その下段のバイアホール(2段目のバイアホール)の非ランド部分の外縁部との距離が20μmとなるようにバイアホールを積み重ねた以外は実施例3と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【0194】
(実施例6)
実施例4の(21)の工程において、最上段のバイアホール(4段目のバイアホール)の底面の外縁部と、その下段のバイアホール(3段目のバイアホール)の非ランド部分の外縁部との距離が40μmとなるようにバイアホールを積み重ねた以外は実施例4と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【0195】
(実施例7)
実施例3の(15)の工程において、3段目のバイアホールの底面の外縁部と、その下段のバイアホール(2段目のバイアホール)の非ランド部分の外縁部との距離が70μmとなるようにバイアホールを積み重ねた以外は実施例3と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【0196】
(実施例8)
実施例3の(15)の工程において、3段目のバイアホールの中心と、その下段のバイアホール(2段目のバイアホール)の中心との水平方向の距離が70μmとなるようにバイアホールを積み重ねた以外は実施例3と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【0197】
(実施例9)
実施例4の(21)の工程において、最上段のバイアホール(4段目のバイアホール)の中心と、その下段のバイアホール(3段目のバイアホール)の中心との水平方向の距離が70μmとなるようにバイアホールを積み重ねた以外は実施例4と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【0198】
実施例1〜9で製造した多層プリント配線板について、ヒートサイクル試験を行い、その前後における層間樹脂絶縁層およびバイアホールの形状観察、ならびに、導通試験を行った。
【0199】
評価方法
(1)ヒートサイクル試験
−65℃で3分間および130℃で3分間放置するサイクルを1000サイクル繰り返した。
【0200】
(2)形状観察
多層プリント配線板を製造した後、上記ヒートサイクル試験前後に、その上面に凹部を有するバイアホールを通るように多層プリント配線板を切断し、その断面を倍率100〜400倍の光学顕微鏡を用いて観察した。
【0201】
(3)導通試験
多層プリント配線板を製造した後、上記ヒートサイクル試験前後にチェッカを用いて導通試験を行い、モニターに表示された結果から導通状態を評価した。
【0202】
その結果、実施例1〜9の多層プリント配線板では、ヒートサイクル試験前後の断面の形状観察において最上段のバイアホールの周辺の層間樹脂絶縁層を含む全ての層間樹脂絶縁層で、クラックの発生や、層間樹脂絶縁層とバイアホールとの間での剥離の発生は観察されなかった。また、ヒートサイクル試験前後で、短絡や断線は発生しておらず、導通状態は良好であった。
【0203】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の多層プリント配線板は、本発明の多層プリント配線板では、階層の異なるバイアホール同士が積み重ねられ、この積み重ねられたバイアホールのうち、最上段のバイアホールは、その上面に凹部が形成されているため、バイアホールと層間樹脂絶縁層との線膨張係数の差に起因して発生した応力を緩和することができ、最上段のバイアホールに大きな応力が集中することがなく、この応力の集中に起因した層間樹脂絶縁層でのクラックの発生が起こりにくく、信頼性に優れる。
また、本発明の多層プリント配線板では、階層の異なるバイアホール同士を積み重ねられているため、配線距離が短く、信号伝送時間を短縮することができるとともに、導体回路の設計の自由度が向上し、高密度配線に対応しやすい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の多層プリント配線板の一実施形態を模式的に示す部分断面図である。
【図2】本発明の多層プリント配線板の別の一実施形態を模式的に示す部分断面図である。
【図3】(a)〜(e)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図4】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図5】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図6】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図7】(a)、(b)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図8】(a)〜(e)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図9】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図10】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図11】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図12】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図13】(a)、(b)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図14】(a)、(b)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図15】(a)〜(e)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図16】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図17】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図18】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図19】(a)、(b)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図20】(a)〜(e)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図21】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図22】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図23】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図24】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図25】(a)、(b)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図26】(a)、(b)は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
1、21、41、61 基板
2、22、42、62 層間樹脂絶縁層
3、23、43、63 めっきレジスト
4、24、44、64 下層導体回路
5、25、45、65 導体回路
6、26、46、66 バイアホール用開口
7、27、47、67 バイアホール
8、28、48、68 銅箔
9、29、49、69 スルーホール
10、30、50、70 樹脂充填材層
12、32、52、72 薄膜導体層
13、33、53、73 電解めっき膜
14、34、54、74 ソルダーレジスト層
17、37、57、77 半田バンプ
31、71 蓋めっき層
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a multilayer printed wiring board.
[0002]
[Prior art]
A multilayer printed wiring board called a so-called multilayer build-up wiring board is manufactured by a semi-additive method or the like, on a resin board reinforced with a glass cloth of about 0.5 to 1.5 mm called a core, and copper It is produced by alternately laminating conductive circuits and interlayer resin insulation layers by the method described above. The connection between the conductor circuits through the interlayer resin insulating layer of the multilayer printed wiring board is made by via holes.
[0003]
Conventionally, a build-up multilayer printed wiring board is manufactured by a method disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 9-130050.
That is, first, a through hole is formed in a copper clad laminate to which a copper foil is attached, and then a through hole is formed by performing an electroless copper plating process. Subsequently, the surface of the substrate is etched into a conductor pattern using a photolithographic technique to form a conductor circuit. Next, a roughened surface is formed on the surface of the formed conductor circuit by electroless plating or etching, and an insulating resin layer is formed on the conductor circuit having the roughened surface, followed by exposure and development. Via hole openings are formed, and then an interlayer resin insulation layer is formed through UV curing and main curing.
[0004]
Further, after roughening the interlayer resin insulation layer with acid, oxidizing agent, etc., a thin electroless plating film is formed, a plating resist is formed on the electroless plating film, and then thickened by electrolytic plating. Etching is performed after the plating resist is peeled off to form a conductor circuit connected to the underlying conductor circuit by a via hole.
After repeating this process, a solder resist layer for protecting the conductor circuit is finally formed, and plating is applied to the exposed portions for connection to electronic components such as IC chips and motherboards, and soldering is performed. After forming the bump forming pads, a solder paste is printed on the electronic component side such as an IC chip to form solder bumps, thereby manufacturing a build-up multilayer printed wiring board. Further, if necessary, solder bumps are also formed on the mother board side.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
In recent years, with the increase in frequency of IC chips, there has been a demand for higher speed and higher density of multilayer printed wiring boards. As a multilayer printed wiring board corresponding to this, a stacked via structure (a via directly above a via hole) is required. A multilayer printed wiring board having via holes having a structure in which holes are formed has been proposed.
In such a multilayer printed wiring board having a via hole having a stacked via structure, since the signal transmission time is shortened, it is easy to cope with the high speed of the multilayer printed wiring board and the degree of freedom in designing the conductor circuit is improved. Therefore, it is easy to cope with higher density of the multilayer printed wiring board.
[0006]
However, in a multilayer printed wiring board having a via hole having such a stacked via structure, a crack may occur in the interlayer resin insulating layer in the vicinity of the via hole. In particular, when a stacked via structure in which three or more via holes are stacked is formed, a crack often occurs in the outermost interlayer resin insulation layer. Further, due to this crack, the outermost layer Separation or disconnection may occur in the conductor circuit around the interlayer resin insulation layer.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
Therefore, the present inventors have examined the cause of the occurrence of cracks in the interlayer resin insulating layer (particularly, the outermost interlayer resin insulating layer) in the vicinity of the via hole when a via hole having a stacked via structure is formed.
As a result, via holes with a stacked via structure are usually formed in a field via shape suitable for forming a via hole immediately above each via hole, and the via holes are arranged linearly. Therefore, when stress is generated due to the difference in coefficient of linear expansion between the interlayer resin insulation layer and the via hole, the stress is difficult to be relaxed, especially in the uppermost via hole. In general, it is found that the external connection terminal such as a solder bump is formed on the upper part, and the stress is more easily relieved, and the stress is easily concentrated on this part. It was considered that this was the reason why cracks were likely to occur in the interlayer resin insulation layer (particularly, the outermost interlayer resin insulation layer).
[0008]
Furthermore, the present inventors have found that the above-described problems can be solved by forming a recess on the upper surface of the uppermost via hole in the multilayer printed wiring board in which the via holes of different levels are stacked, The present invention having the following contents has been achieved.
[0009]
That is, in the printed wiring board of the present invention, a conductor circuit and an interlayer resin insulation layer are sequentially laminated on a substrate, and the conductor circuits sandwiching the interlayer resin insulation layer are connected via via holes. A multilayer printed wiring board having a solder resist layer formed on the outer layer,
Among the above via holes, via holes of different levels are stacked,
Of the stacked via holes, the uppermost via hole is characterized in that a recess is formed on the upper surface thereof.
[0010]
In the multilayer printed wiring board of the present invention, it is desirable that the stacked via holes are stacked so that the centers of the respective via holes substantially overlap.
In the multilayer printed wiring board, at least one via hole among the stacked via holes is stacked with the other via hole shifted in the center, and the remaining via holes are stacked with the other via holes. It is also desirable that the holes are stacked so that their centers almost overlap.
[0011]
In the multilayer printed wiring board, the depth of the concave portion is preferably 5 to 25 μm.
In the multilayer printed wiring board, it is desirable that at least the outermost interlayer resin insulation layer among the interlayer resin insulation layers has a linear expansion coefficient of 100 ppm / ° C. or less.
[0012]
In the multilayer printed wiring board, it is desirable that at least the outermost interlayer resin insulating layer of the interlayer resin insulating layers is mixed with particles and a rubber component, and the particles include inorganic particles, resin It is desirable that it is at least one of particles and metal particles.
[0013]
In the multilayer printed wiring board, at least the outermost interlayer resin insulating layer among the interlayer resin insulating layers is a thermosetting resin, a photosensitive resin, a resin composite of a thermosetting resin and a thermoplastic resin. And it is desirable to form with the resin composition containing at least 1 sort (s) of the resin composite body of a thermosetting resin and a photosensitive resin.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
In the printed wiring board of the present invention, a conductor circuit and an interlayer resin insulation layer are sequentially laminated on a substrate, the conductor circuits sandwiching the interlayer resin insulation layer are connected via via holes, and further, the outermost layer is formed on the outermost layer. A multilayer printed wiring board on which a solder resist layer is formed,
Among the above via holes, via holes of different levels are stacked,
Of the stacked via holes, the uppermost via hole is characterized in that a recess is formed on the upper surface thereof.
[0015]
In the multilayer printed wiring board of the present invention, via holes of different levels are stacked, and among the stacked via holes, the uppermost via hole has a concave portion formed on the upper surface, so the upper surface is flat. It is easier to be deformed than a field-via-shaped via hole that is completely filled inside, and stress generated due to the difference in linear expansion coefficient between the via hole and the interlayer resin insulation layer can be easily relaxed. Therefore, the multilayer printed wiring board of the present invention does not concentrate a large stress in the uppermost via hole, and it is difficult to generate a crack in the interlayer resin insulating layer due to the concentration of the stress. Excellent.
In addition, since the wiring distance is shortened by stacking via holes of different levels, the signal transmission time can be shortened, the degree of freedom in designing the conductor circuit is improved, and high-density wiring is easily handled.
[0016]
The multilayer printed wiring board of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1 and 2 are partial cross-sectional views schematically showing a part of an embodiment of the multilayer printed wiring board of the present invention.
[0017]
As shown in FIG. 1, in the multilayer printed wiring board 100, the conductor circuit 105 and the interlayer resin insulation layer 102 are sequentially laminated on the substrate 101, and the conductor circuits 105 via the interlayer resin insulation layer 102 are respectively separated. Connected via via holes. A solder resist layer 114 having solder bumps 117 is formed on the outermost layer.
[0018]
In the multilayer printed wiring board 100, of the stacked via holes 107a to 107d, the uppermost via hole (fourth via hole) 107d has a recess formed on the upper surface thereof.
The uppermost via hole in which the concave portion is formed in this way is easy to relieve stress, and therefore, large stress does not concentrate on the uppermost via hole. Therefore, inconveniences caused by the above-mentioned concentration of stress, that is, cracks occur in the interlayer resin insulation layer near the uppermost via hole, and the conductor circuit around the interlayer resin insulation layer is peeled off or disconnected due to this crack. The inconvenience that occurs is difficult to occur.
[0019]
The depth of the recess formed on the upper surface of the uppermost via hole is not particularly limited, but is preferably 5 to 25 μm.
If the depth of the concave portion is less than 5 μm, the stress relieving effect may not be sufficiently obtained. On the other hand, if the depth exceeds 25 μm, disconnection may occur in the via hole, or via hole and interlayer resin insulation This is because peeling may occur between the layers, leading to a decrease in reliability.
[0020]
In the multilayer printed wiring board 100, the via holes 107a to 107d are stacked such that the centers of the respective via holes substantially overlap.
In the multilayer printed wiring board of the present invention, it is desirable that the via holes in each layer are stacked so that their centers are substantially overlapped. In this case, since the wiring distance is shorter, the signal transmission time is reduced. It can be shortened, and the degree of freedom in designing the conductor circuit is improved.
[0021]
Further, as shown in FIG. 2, the multilayer printed wiring board 200 of the present invention has the via hole 207a to 207d stacked so that the uppermost via hole 207d is shifted to the lower via hole. It may be stacked.
In the multilayer printed wiring board of the present invention, of the stacked via holes, at least one via hole is stacked with the other via hole shifted in the center, and the remaining via holes are the other via holes. It is also desirable that the via holes are stacked so that their centers almost overlap.
[0022]
In this way, when at least one via hole is stacked with its center shifted, it is possible to disperse the stress generated due to the difference in linear expansion coefficient between the via hole and the interlayer resin insulation layer. In addition, since a large stress does not concentrate on a part of the stacked via holes, a crack is hardly generated in the interlayer resin insulating layer due to the concentration of the stress.
[0023]
When stacking at least one via hole on another via hole while shifting the center thereof, the stacked via hole is shaped so that only the uppermost via hole is the lower via hole as in the multilayer printed wiring board 200. The other via holes are not limited to a shape in which the centers are substantially overlapped, and the via holes are stacked in four stages, for example, the uppermost stage The via hole and the third via hole are stacked so that their centers almost overlap, and the lower via hole (second via hole) is stacked with the center shifted, and the first step Alternatively, the second via holes may be stacked so that the centers of the via holes substantially overlap. The via holes in the 2nd to 4th stages may be stacked so that the centers thereof are substantially overlapped, and this may be stacked with the center shifted from the center of the 1st stage via holes. May be stacked with the lower via hole shifted from the center.
Further, the number of via holes to be stacked is not particularly limited, and may be two or three, or five or more.
In the present specification, the center of the via hole refers to the center of the non-land portion of the via hole when the via hole is viewed in plan.
In this specification, the via holes are stacked in the stacked upper and lower via holes in the upper via hole (regardless of the land portion or non-land portion) and the upper via hole. A state where the bottom surface is electrically connected.
[0024]
Further, in this specification, the term “stacked so that the centers substantially overlap” means that the centers of the upper and lower via holes are of course horizontal when the centers of the upper and lower via holes are stacked. The case where the distance is 5 μm or less is included.
Therefore, in this specification, being stacked with the center shifted is the case where the horizontal distance between the centers of the stacked via holes exceeds 5 μm.
[0025]
In the multilayer printed wiring board of the present invention, the via holes stacked with their centers shifted are the outer edge portion (shown as A in FIG. 2) of the non-land portion of the lower via hole and the upper via hole. It is desirable that they are stacked so as not to overlap with the bottom surface (shown as B in FIG. 2).
When the outer edge of the non-land portion of the lower via hole and the bottom surface of the upper via hole are stacked, the stress generated in each via hole causes a part of the stacked via hole (for example, If the stack is made so that the outer edge of the non-land portion of the lower via hole and the bottom surface of the upper via hole do not overlap, The stress is dispersed in the holes, and the stress is less likely to concentrate in a part of the stacked via holes, and inconvenience due to the stress concentration is less likely to occur.
[0026]
The distance between the outer edge of the non-land portion of the lower via hole and the outer edge of the bottom surface of the upper via hole (indicated by L in FIG. 2) is specifically, for example, the non-land of the via hole. When the diameter of the portion is about 40 to 200 μm, the diameter is desirably 5 to 70 μm.
This is because within this range, it is difficult for stress to concentrate on a part of the via holes stacked as described above, and a degree of freedom in design can be ensured.
[0027]
Next, components constituting the multilayer printed wiring board of the present invention will be described.
In the multilayer printed wiring board of the present invention, the conductor circuit and the interlayer resin insulation layer are sequentially laminated on the substrate, the conductor circuits sandwiching the interlayer resin insulation layer are connected via via holes, and the outermost layer A solder resist layer is formed.
[0028]
Examples of the substrate include insulating substrates such as a glass epoxy substrate, a polyimide substrate, a bismaleimide-triazine substrate, and a fluororesin substrate.
The conductor circuit is made of, for example, Cu, Ni, P, Pd, Co, W, an alloy thereof, or the like, and is formed by plating or the like. A specific method for forming a conductor circuit will be described in detail later.
[0029]
The substrate may be formed with through holes for connecting the conductor circuits formed on both sides thereof. In this case, it is desirable that a resin filler layer is formed in the through holes.
In the multilayer printed wiring board, a via hole may be formed immediately above the through hole. In this case, a resin filler layer is formed in the through hole, and a lid plating is formed on the through hole. It is desirable that a layer is formed. This is because the connection reliability between the via hole and the through hole becomes more excellent by forming the lid plating layer.
[0030]
Furthermore, in the multilayer printed wiring board of the present invention, a through hole penetrating the substrate and the interlayer resin insulating layer may be formed. By forming such a through hole, the conductor circuits sandwiching the substrate and the interlayer resin insulation layer can be electrically connected.
[0031]
The interlayer resin insulation layer is, for example, a thermosetting resin, a photosensitive resin, a thermoplastic resin, a resin composite of a thermosetting resin and a thermoplastic resin, a resin composite of a thermosetting resin and a photosensitive resin, or the like. It is formed by the resin composition containing this.
[0032]
Specific examples of the thermosetting resin include, for example, epoxy resins, phenol resins, polyimide resins, polyester resins, bismaleimide resins, polyolefin resins, polyphenylene ether resins, and the like.
[0033]
Examples of the epoxy resin include cresol novolac type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, alkylphenol novolac type epoxy resin, biphenol F type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, Examples thereof include cyclopentadiene type epoxy resins, epoxidized products of condensates of phenols and aromatic aldehydes having a phenolic hydroxyl group, triglycidyl isocyanurate, and alicyclic epoxy resins. These may be used alone or in combination of two or more. Thereby, it will be excellent in heat resistance.
[0034]
Examples of the polyolefin resin include polyethylene, polystyrene, polypropylene, polyisobutylene, polybutadiene, polyisoprene, cycloolefin resin, and copolymers of these resins.
[0035]
As said photosensitive resin, an acrylic resin etc. are mentioned, for example.
Moreover, what provided the photosensitivity to the above-mentioned thermosetting resin can also be used as a photosensitive resin. Specific examples include those obtained by reacting methacrylic acid or acrylic acid with a thermosetting group (for example, epoxy group in an epoxy resin) of a thermosetting resin to give an acrylic group.
Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyether sulfone, and polysulfone.
[0036]
Examples of the resin composite of the thermosetting resin and the thermoplastic resin include those containing the above-described thermosetting resin and the above-described thermoplastic resin. Especially, what contains an epoxy resin and / or a phenol resin as a thermosetting resin, and contains a phenoxy resin and / or polyether sulfone (PES) as a thermoplastic resin is desirable.
Moreover, as a composite_body | complex of the said photosensitive resin and a thermoplastic resin, what contains above-described photosensitive resin and above-mentioned thermoplastic resin is mentioned, for example.
[0037]
Examples of the resin composition also include a roughened surface-forming resin composition. Examples of the roughened surface-forming resin composition include, in an uncured heat-resistant resin matrix that is hardly soluble in a roughened liquid consisting of at least one selected from an acid, an alkali, and an oxidizing agent. And a material in which a substance soluble in a roughening liquid comprising at least one selected from oxidizing agents is dispersed.
As used herein, the terms “slightly soluble” and “soluble” refer to those having a relatively high dissolution rate as “soluble” for convenience when immersed in the same roughening solution for the same time. The slow one is called “slightly soluble” for convenience.
[0038]
The heat resistant resin matrix is preferably one that can maintain the shape of the roughened surface when the roughened surface is formed on the interlayer resin insulating layer using the roughening liquid, for example, a thermosetting resin, a thermoplastic resin. Examples thereof include resins and composites thereof. Photosensitive resin may also be used. This is because when the via hole opening is formed, the opening can be formed by exposure and development processing.
[0039]
Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, a polyimide resin, a polyolefin resin, and a fluororesin. Further, resins obtained by imparting photosensitivity to these thermosetting resins, that is, resins obtained by (meth) acrylation reaction of thermosetting groups using methacrylic acid or acrylic acid may be used. Specifically, (meth) acrylate of an epoxy resin is desirable, and an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is more desirable.
[0040]
Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyether sulfone, polysulfone, polyphenylene sulfone, polyphenylene sulfide, polyphenyl ether, polyether imide, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
[0041]
Examples of the soluble substance include inorganic particles, resin particles, metal particles, rubber particles, liquid phase resins, and liquid phase rubbers. These may be used alone or in combination of two or more.
[0042]
Examples of the inorganic particles include aluminum compounds such as alumina and aluminum hydroxide; calcium compounds such as calcium carbonate and calcium hydroxide; potassium compounds such as potassium carbonate; magnesium compounds such as magnesia, dolomite, basic magnesium carbonate, and talc. And silicon compounds such as silica and zeolite. These may be used alone or in combination of two or more.
The alumina particles can be dissolved and removed with hydrofluoric acid, and calcium carbonate can be dissolved and removed with hydrochloric acid. Sodium-containing silica and dolomite can be dissolved and removed with an alkaline aqueous solution.
[0043]
Examples of the resin particles include those made of a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and the like. When the resin particles are immersed in a roughening solution made of at least one selected from an acid, an alkali, and an oxidizing agent, the heat resistance It is not particularly limited as long as it has a faster dissolution rate than the resin matrix. Specifically, for example, amino resins (melamine resins, urea resins, guanamine resins, etc.), epoxy resins, phenol resins, phenoxy resins, polyimide resins, Examples include polyphenylene resin, polyolefin resin, fluororesin, and bismaleimide-triazine resin. These may be used alone or in combination of two or more.
The resin particles must be previously cured. If not cured, the resin particles are dissolved in a solvent that dissolves the resin matrix, so they are uniformly mixed, and only the resin particles cannot be selectively dissolved and removed with an acid or an oxidizing agent. is there.
[0044]
Examples of the metal particles include gold, silver, copper, tin, zinc, stainless steel, aluminum, nickel, iron, lead, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
In addition, the metal particles may be coated with a resin or the like in order to ensure insulation.
[0045]
Moreover, when using the resin composition containing a thermosetting resin as such a resin composition, it is desirable to use a thing with a glass transition temperature of 180 degrees C or less.
This is because, in a resin composition having a glass transition temperature exceeding 180 ° C., the temperature at the time of heat curing exceeds 200 ° C., the substrate may be warped at the time of heating or inconvenience at the time of melting may occur.
[0046]
In the multilayer printed wiring board, at least the outermost interlayer resin insulation layer preferably has a linear expansion coefficient of 100 ppm / ° C. or less, and all the interlayer resin insulation layers have a linear expansion coefficient of 100 ppm / ° C. or less. More desirable.
Thus, when the linear expansion coefficient of the interlayer resin insulation layer is small, stress due to the difference in the linear expansion coefficient is not easily generated between the interlayer resin insulation layer and the via hole, the substrate, or the conductor circuit. Peeling between the insulating layer and the via hole and cracking in the interlayer resin insulating layer are less likely to occur. Therefore, the multilayer printed wiring board on which the interlayer resin insulation layer having the linear expansion coefficient in the above range is formed is more reliable.
[0047]
The linear expansion coefficient of the interlayer resin insulation layer is more preferably 30 to 90 ppm / ° C. When the linear expansion coefficient is less than 30 ppm / ° C., the rigidity is high. For example, when the roughened surface is formed on the surface, the unevenness of the roughened surface may not be retained, whereas the above range is acceptable. This is because it is more excellent in crack resistance and excellent in shape retention of the roughened surface.
[0048]
Further, it is desirable that particles and a rubber component are blended in the interlayer resin insulation layer.
When the particles are blended, the shape retention of the interlayer resin insulation layer is further improved, and when the rubber component is blended, stress is applied to the interlayer resin insulation layer due to the flexibility and rebound resilience of the rubber component. This can absorb or relieve the stress when acting.
[0049]
The particles are preferably at least one of inorganic particles, resin particles, and metal particles.
Examples of the inorganic particles include aluminum compounds such as alumina and aluminum hydroxide; calcium compounds such as calcium carbonate and calcium hydroxide; potassium compounds such as potassium carbonate; magnesium compounds such as magnesia, dolomite, basic magnesium carbonate, and talc. And those composed of silicon compounds such as silica and zeolite. These may be used alone or in combination of two or more.
[0050]
Examples of the resin particles include amino resins (melamine resins, urea resins, guanamine resins, etc.), epoxy resins, phenol resins, phenoxy resins, polyimide resins, polyphenylene resins, polyolefin resins, fluororesins, bismaleimide-triazines, and the like. Things. These may be used alone or in combination of two or more.
[0051]
As said metal particle, what consists of gold, silver, copper, tin, zinc, stainless steel, aluminum, nickel, iron, lead etc. is mentioned, for example. These may be used alone or in combination of two or more.
In addition, the metal particles may be coated with a resin or the like in order to ensure insulation.
[0052]
Examples of the rubber component include acrylonitrile-butadiene rubber, polychloroprene rubber, polyisoprene rubber, acrylic rubber, polysulfur type rigid rubber, fluorine rubber, urethane rubber, silicone rubber, ABS resin, and the like.
Further, polybutadiene rubbers; various modified polybutadiene rubbers such as epoxy modification, urethane modification, (meth) acrylonitrile modification, (meth) acrylonitrile butadiene rubber containing a carboxyl group, and the like can also be used.
[0053]
The blending amount of the particles and the rubber component is not particularly limited, but the blending amount after forming the interlayer resin insulation layer is desirably 1 to 25% by weight for the particles and 5 to 20% by weight for the rubber component. This is because, within this range, it is suitable for matching the thermal expansion coefficient with the substrate and the solder resist layer, and for relieving stress due to curing shrinkage when forming the interlayer resin insulation layer. More desirable amounts are 3 to 18% by weight for the particles and 7 to 18% by weight for the rubber component.
[0054]
The via hole is made of, for example, Cu, Ni, P, Pd, Co, W, alloys thereof, or the like, as in the case of the conductor circuit, and is formed by plating or the like.
Moreover, in the multilayer printed wiring board, among the stacked via holes, the uppermost via hole has a recess formed on the upper surface thereof, but the shape of the other via holes is not particularly limited, and the upper via hole is formed on the upper surface. It may have a shape with a recess or a field via shape.
Here, when the via hole shape other than the uppermost stage is a field via shape, the upper surface is flat, which is suitable for stacking via holes.
In the multilayer printed wiring board of the present invention, via holes of different levels are not stacked, and there may be via holes in which other via holes are not stacked.
Note that a via hole having a recess formed on the upper surface and a via hole having a field via shape, and methods of forming each will be described in detail later.
[0055]
In the stacked via holes, it is desirable that at least one of the via holes has a land diameter different from that of other via holes. When the stacked via holes have such a structure, the via hole having a large land diameter serves as a reinforcing material for the interlayer resin insulation layer, and the mechanical strength of the interlayer resin insulation layer is improved, and the via hole is improved. This is because cracks are less likely to occur in the nearby interlayer resin insulation layer.
[0056]
The solder resist layer is formed using a solder resist composition containing, for example, a polyphenylene ether resin, a polyolefin resin, a fluororesin, a thermoplastic elastomer, an epoxy resin, a polyimide resin, or the like.
[0057]
Examples of solder resist compositions other than those described above include (meth) acrylates of novolak epoxy resins, imidazole curing agents, bifunctional (meth) acrylate monomers, and (meth) acrylate esters having a molecular weight of about 500 to 5,000. Examples include a polymer, a thermosetting resin composed of a bisphenol type epoxy resin, a photosensitive monomer such as a polyvalent acrylic monomer, a paste-like fluid containing a glycol ether solvent, and the viscosity is 1 to 25 ° C. It is desirable that the pressure is adjusted to 10 Pa · s.
The solder resist composition may contain an elastomer or an inorganic filler.
Moreover, as a soldering resist composition, a commercially available soldering resist composition can also be used.
[0058]
Next, a method for producing the multilayer printed wiring board of the present invention will be described in the order of steps.
(1) First, a conductive circuit is formed on a substrate using the above-described resin substrate, a copper-clad laminate with copper foil attached to both sides thereof, or the like as a starting material.
Specifically, for example, after forming a solid conductor layer by performing electroless plating treatment on both surfaces of the substrate, an etching resist corresponding to the conductor circuit pattern is formed on the conductor layer, and then etching is performed. What is necessary is just to form by performing.
Moreover, you may use a copper clad laminated board as a board | substrate with which the solid conductor layer was formed.
[0059]
In addition, when forming a through hole for connecting between conductor circuits formed on both sides of a substrate, a through hole is previously formed in the substrate, and an electroless plating process is also applied to the wall surface of the through hole. Thus, a through hole is formed to connect between conductor circuits sandwiching the substrate.
[0060]
Further, after forming the through hole, it is desirable to fill the through hole with a resin filler. At this time, it is desirable to fill the resin filler in the conductor circuit non-formed portion.
Examples of the resin filler include a resin composition containing an epoxy resin, a curing agent, and inorganic particles.
Further, when the resin filler is filled in the through hole or in the conductor circuit non-forming portion, the wall surface of the through hole or the side surface of the conductor circuit may be roughened in advance.
This is because the adhesion between the resin filler and the through-holes is improved.
In addition, as a roughening process method, the method similar to the method used at the process of (2) mentioned later can be used.
[0061]
Moreover, when forming a cover plating layer on the said through hole, this cover plating layer can be formed by passing through the process of the following (a)-(c), for example.
That is, (a) after forming the through hole having the resin filler layer inside through the above-described steps, the surface of the substrate including the exposed surface of the resin filler layer is subjected to electroless plating treatment or sputtering. To form a thin film conductor layer. In addition, when using an electroless-plating process, a catalyst is previously provided to the to-be-plated surface.
[0062]
(B) Next, a plating resist is formed on portions other than on the through holes (including the resin filler layer), and electrolytic plating is performed using the thin film conductor layer as a plating lead.
(C) Next, after the completion of electrolytic plating, the plating resist is peeled off and the thin film conductor layer under the plating resist is removed.
Through the steps (a) to (c), a lid plating layer composed of two layers of a thin film conductor layer and an electrolytic plating layer can be formed.
The steps (a) to (c) from application of the catalyst to removal of the thin film conductor layer are performed using the same method as used in the steps (6) to (8) described later. Can do.
[0063]
In the case of forming a lid plating layer consisting of one layer, for example, after applying a catalyst to the surface of the substrate including the exposed surface of the resin filler layer, a plating resist is formed on portions other than on the through holes, Thereafter, electroless plating treatment and removal of the plating resist may be performed.
[0064]
(2) Next, the surface of the conductor circuit is roughened as necessary. Examples of the roughening treatment method include blackening (oxidation) -reduction treatment, etching treatment using a mixed solution containing an organic acid and a cupric complex, treatment by Cu-Ni-P needle alloy plating, and the like. Can be used. The roughening treatment performed in this step is performed in order to ensure adhesion between the interlayer resin insulating layer formed through a subsequent step, and when the adhesion between the conductor circuit and the interlayer resin insulating layer is high, This step may not be performed.
[0065]
(3) Next, an uncured resin layer made of a thermosetting resin, a photosensitive resin, or a resin composite is formed on the conductor circuit, or a resin layer made of a thermoplastic resin is formed.
The uncured resin layer may be formed by applying uncured resin with a roll coater, curtain coater, or the like, or may be formed by thermocompression bonding of an uncured (semi-cured) resin film. . Furthermore, you may affix the resin film in which metal layers, such as copper foil, were formed in the single side | surface of an uncured resin film.
The resin layer made of a thermoplastic resin is preferably formed by thermocompression bonding a resin molded body formed into a film shape.
[0066]
(4) Next, in the case of forming an interlayer resin insulation layer using a thermosetting resin or a resin composite containing a thermosetting resin as the material, the uncured resin layer is subjected to a curing treatment, Openings for via holes are formed to form interlayer resin insulation layers.
The via hole opening is preferably formed by laser processing. The laser treatment may be performed before the curing treatment or after the curing treatment.
Moreover, when forming the interlayer resin insulation layer which consists of photosensitive resin or the resin composite containing photosensitive resin, you may provide the opening for via holes by performing exposure and image development processing. In this case, the exposure and development processes are performed before the curing process.
[0067]
When an interlayer resin insulation layer using a thermoplastic resin as the material is formed, a via hole opening can be formed in the resin layer made of the thermoplastic resin by laser processing to form an interlayer resin insulation layer. .
[0068]
At this time, examples of the laser to be used include a carbon dioxide laser, an excimer laser, a UV laser, and a YAG laser. These may be used properly in consideration of the shape of the via hole opening to be formed.
[0069]
In the case of forming the via hole openings, a large number of via hole openings can be formed at a time by irradiating laser light with a hologram type excimer laser through a mask.
In addition, when a via hole opening is formed using a short pulse carbon dioxide laser, there is little resin residue in the opening, and damage to the resin at the periphery of the opening is small.
[0070]
When laser light is irradiated through the optical system lens and the mask, a large number of via hole openings can be formed at one time.
This is because laser light having the same intensity and the same irradiation angle can be simultaneously irradiated to a plurality of portions through the optical system lens and the mask.
[0071]
Moreover, the thickness of the interlayer resin insulation layer is not particularly limited, but normally 5 to 50 μm is desirable. Further, the opening diameter of the via hole opening is not particularly limited, but is usually preferably 40 to 200 μm.
[0072]
Further, when forming a through hole for connecting between the conductor circuits sandwiching the substrate and the interlayer resin insulation layer, a through hole penetrating the interlayer resin insulation layer and the substrate is formed in this step. The through hole can be formed using drilling, laser processing, or the like.
[0073]
(5) Next, a roughened surface is formed on the surface of the interlayer resin insulating layer including the inner wall of the opening for the via hole using an acid or an oxidizing agent as necessary.
This roughened surface is formed in order to improve the adhesion between the interlayer resin insulation layer and the thin film conductor layer formed thereon, and provides sufficient adhesion between the interlayer resin insulation layer and the thin film conductor layer. If there is a property, it may not be formed. Moreover, when the through-hole which penetrates a board | substrate and an interlayer resin insulation layer is formed, you may form a roughening surface in the wall surface.
[0074]
Examples of the acid include sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, formic acid, and examples of the oxidizing agent include permanganates such as chromic acid, chromium sulfuric acid, and sodium permanganate.
In addition, after the roughened surface is formed, it is desirable to neutralize the surface of the interlayer resin insulation layer using an aqueous solution such as an alkali or a neutralizing solution. This is because the influence of an acid or an oxidizing agent can be prevented in the next step.
In addition, the roughened surface may be formed using plasma treatment or the like.
[0075]
(6) Next, a thin film conductor layer is formed on the surface of the interlayer resin insulation layer provided with the via hole opening.
The thin film conductor layer can be formed using a method such as electroless plating, sputtering, or vapor deposition. When the roughened surface is not formed on the surface of the interlayer resin insulating layer, the thin film conductor layer is preferably formed by sputtering.
In addition, when forming a thin film conductor layer by electroless plating, the catalyst is previously provided to the to-be-plated surface. Examples of the catalyst include palladium chloride.
[0076]
The thickness of the thin film conductor layer is not particularly limited, but when the thin film conductor layer is formed by electroless plating, 0.6 to 1.2 μm is desirable, and when formed by sputtering, 0.1 to 0.1 μm is preferable. 1.0 μm is desirable.
[0077]
Further, when a through hole penetrating the substrate and the interlayer resin insulating layer is formed in the step (4), a thin film conductor layer is also formed in the through hole to form a through hole. In this case, it is desirable to form a resin filler layer in the through hole, and then a lid plating layer may be formed on the through hole. In particular, when a via hole is formed in a post process on the through hole formed here, it is desirable to form a lid plating layer.
[0078]
The through hole formed in this way connects the conductor circuit between the substrate and the interlayer resin insulation layer, as well as the two layers formed on both surfaces of the two-layer conductor circuit and the substrate. A total of four conductor circuits may be connected to the other conductor circuit.
[0079]
(7) Next, a plating resist is formed on a part of the thin film conductor layer by using a dry film or the like, and then electrolytic plating is performed using the thin film conductor layer as a plating lead. A plating layer is formed.
Here, the plating resist is formed so that a via hole having a desired land diameter can be formed. That is, if a via hole having a large land diameter is to be formed at this level, the width of the plating resist non-forming portion may be increased.
[0080]
Further, in this step, by appropriately selecting the composition of the electroplating solution, it is possible to form an electrolytic plating layer having a recess on its upper surface or an electrolytic plating layer having a flat upper surface. For example, when forming an electrolytic copper plating layer using an electrolytic copper plating solution, an electrolytic copper plating solution containing sulfuric acid, copper sulfate, and additives can be used.
[0081]
In addition, when an electrolytic copper plating solution containing an additive composed of a specific leveling agent and a brightening agent is used among the electrolytic copper plating solutions, an electrolytic copper plating layer having a flat upper surface is formed. Can do.
That is, it contains 50 to 300 g / l of copper sulfate, 30 to 200 g / l of sulfuric acid, 25 to 90 mg / l of chlorine ions, and 1 to 1000 mg / l of an additive comprising at least a leveling agent and a brightener. By using an electrolytic copper plating solution, an electrolytic copper plating layer having a flat upper surface can be formed.
[0082]
The electrolytic copper plating solution having such a composition completely fills the opening for the via hole regardless of the opening diameter of the via hole, the material and thickness of the resin insulating layer, and the presence or absence of the roughened surface of the interlayer resin insulating layer. be able to.
In addition, since the electrolytic copper plating solution contains copper ions at a high concentration, the copper ions are sufficiently supplied to the opening for the via hole, and the opening for the via hole is plated at a plating rate of 40 to 100 μm / hour. It can be plated, leading to faster electroplating process.
[0083]
The electrolytic copper plating solution is 100 to 250 g / l of copper sulfate, 50 to 150 g / l of sulfuric acid, 30 to 70 mg / l of chlorine ions, and 1 to 600 mg / l of at least a leveling agent and a brightener. It is desirable that the composition contains 1 additive.
[0084]
Moreover, in the said electrolytic copper plating solution, the said additive should just consist of a leveling agent and a brightener at least, and may contain the other component.
Here, examples of the leveling agent include polyethylene, gelatin, and derivatives thereof.
Examples of the brightener include sulfur oxides and related compounds, hydrogen sulfide and related compounds, and other sulfur compounds.
[0085]
The blending amount of the leveling agent is desirably 1 to 1000 mg / l, and the blending amount of the brightener is desirably 0.1 to 100 mg / l. Moreover, as for the mixture ratio of both, 2: 1-10: 1 are desirable.
Further, when an electroplating layer having a flat upper surface is formed using such an electrolytic copper plating solution, the shape of a via hole formed through a subsequent process becomes a field via shape.
[0086]
In addition, when forming the electroplating layer which has a recessed part on the upper surface, conventionally well-known electrolytic copper plating solution, ie, 120-250 g / l sulfuric acid, 30-100 g / l copper sulfate, and various additives, for example. An electrolytic copper plating solution containing can be used.
[0087]
Further, in this step, after forming an electrolytic plating layer having a recess on the upper surface, the electrolytic copper plating layer having a flat upper surface may be formed by filling the recess with a conductive paste. After forming an electrolytic plating layer having a recess on its upper surface, the recess is filled with a resin filler, and further, a lid plating layer is formed thereon to form an electrolytic copper plating layer having a flat upper surface. May be.
[0088]
(8) Next, the plating resist is peeled off, and the thin film conductor layer existing under the plating resist is removed by etching to form an independent conductor circuit (including via holes). Examples of the etchant include sulfuric acid-hydrogen peroxide aqueous solution, persulfate aqueous solution such as ammonium persulfate, ferric chloride, cupric chloride, hydrochloric acid and the like. Moreover, you may use the mixed solution containing a cupric complex and an organic acid as etching liquid.
[0089]
Moreover, it may replace with the method described in said (7) and (8), and may form a conductor circuit by using the following method.
That is, after an electrolytic plating layer is formed on the entire surface of the thin film conductor layer, an etching resist is formed on a part of the electrolytic plating layer using a dry film, and then the electrolytic plating layer under the etching resist non-forming portion and The thin-film conductor layer may be removed by etching, and an independent conductor circuit (including a via hole) may be formed by removing the etching resist.
[0090]
(9) Thereafter, the above steps (3) to (8) are repeated once or twice or more to further form an upper interlayer resin insulation layer and a conductor circuit (including via holes). In addition, what is necessary is just to select suitably how many times the said process of (3)-(8) is repeated according to the design of a multilayer printed wiring board.
[0091]
Here, the steps (3) to (8) are repeated so that the via hole is stacked on the lower via hole. Specifically, in the step (4), the formation position of the via hole can be adjusted by adjusting the formation position of the via hole opening.
In addition, by adjusting the formation position of the via hole opening, the upper via hole is stacked so that the center of the lower via hole and the center thereof are almost overlapped, or the upper via hole is shifted to the lower via hole. It can be stacked.
[0092]
Further, in the last repetition step when the steps (3) to (8) are repeated, that is, the step of forming the outermost interlayer resin insulation layer and the uppermost via hole, the step (7) When the electrolytic plating layer is formed, the electrolytic plating layer having a recess on the upper surface is formed. By forming such an electrolytic plating layer, a via hole having a recess formed on the upper surface thereof can be formed.
[0093]
Further, in the steps (7) and (8), when a through hole is formed through the substrate and the interlayer resin insulating layer, a via hole may be formed immediately above the through hole.
[0094]
(10) Next, a solder resist layer having a plurality of solder bump forming openings is formed on the substrate including the uppermost conductor circuit.
Specifically, after applying an uncured solder resist composition with a roll coater or curtain coater, or after crimping a solder resist composition formed into a film, solder bumps are formed by laser processing or exposure development processing. A solder resist layer is formed by forming an opening for use and, if necessary, performing a curing treatment.
[0095]
Further, examples of the laser used when forming the solder bump forming opening include the same lasers as those used when forming the above-described via hole opening.
[0096]
Next, if necessary, solder pads are formed on the surface of the conductor circuit exposed at the bottom surface of the solder bump forming opening.
The solder pad can be formed by coating the surface of the conductor circuit with a corrosion-resistant metal such as nickel, palladium, gold, silver, or platinum.
Specifically, it is desirable to form with a metal such as nickel-gold, nickel-silver, nickel-palladium, nickel-palladium-gold.
The solder pad can be formed by using, for example, a method such as plating, vapor deposition, or electrodeposition. Among these, plating is preferable because the uniformity of the coating layer is excellent.
[0097]
(11) Next, the solder bump forming openings are filled with a solder paste and subjected to a reflow process, or after being filled with a solder paste, a conductive pin is attached, and a reflow process is further performed. BGA (Ball Grid Array) and PGA (Pin Grid Array) are formed.
In addition, plasma treatment with oxygen, carbon tetrachloride, or the like may be performed in a timely manner for a character printing process for forming product recognition characters or the like or for modifying the solder resist layer.
The multilayer printed wiring board of the present invention can be manufactured through such steps.
[0098]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
[0099]
Example 1
A. Preparation of photosensitive resin composition A
(i) 35 parts by weight of a resin solution prepared by dissolving 25% acrylate of cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight: 2500) at a concentration of 80% by weight in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG), a photosensitive monomer ( Toa Gosei Co., Ltd., Aronix M315) 3.15 parts by weight, defoamer (Sannopco S-65) 0.5 part by weight and N-methylpyrrolidone (NMP) 3.6 parts by weight are placed in a container and mixed with stirring. A mixed composition was prepared.
[0100]
(ii) 12 parts by weight of polyethersulfone (PES), 7.2 parts by weight of epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Kasei Co., Ltd., polymer pole) having an average particle size of 1.0 μm and an average particle size of 0.5 μm 09 parts by weight was put in another container and stirred and mixed, and then 30 parts by weight of NMP was further added and stirred and mixed by a bead mill to prepare another mixed composition.
[0101]
(iii) Imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 2E4MZ-CN) 2 parts by weight, photopolymerization initiator (Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd., Irgacure I-907) 2 parts by weight, photosensitizer (Nippon Kasei) A mixed composition was prepared by further taking 0.2 parts by weight of DETX-S (manufactured by Yakuhin Co., Ltd.) and 1.5 parts by weight of NMP in another container and stirring and mixing them.
And the photosensitive resin composition A was obtained by mixing the mixed composition prepared by (i), (ii), and (iii).
[0102]
B. Preparation of photosensitive resin composition B
(i) 35 parts by weight of a resin solution prepared by dissolving 25% acrylate of cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight: 2500) at a concentration of 80% by weight in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG), a photosensitive monomer ( Toa Gosei Co., Ltd., Aronix M315) 4 parts by weight, antifoaming agent (Sannopco S-65) 0.5 part by weight and N-methylpyrrolidone (NMP) 3.6 parts by weight are put into a container and mixed by stirring. A mixed composition was prepared.
[0103]
(ii) 12 parts by weight of polyethersulfone (PES) and 14.49 parts by weight of epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Kasei Co., Ltd., polymer pole) having an average particle size of 0.5 μm were put in another container and stirred and mixed. Thereafter, 30 parts by weight of NMP was further added and stirred and mixed with a bead mill to prepare another mixed composition.
[0104]
(iii) Imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 2E4MZ-CN) 2 parts by weight, photopolymerization initiator (Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd., Irgacure I-907) 2 parts by weight, photosensitizer (Nippon Kasei) A mixed composition was prepared by further taking 0.2 parts by weight of DETX-S (manufactured by Yakuhin Co., Ltd.) and 1.5 parts by weight of NMP in another container and stirring and mixing them.
Then, the photosensitive resin composition B was obtained by mixing the mixed compositions prepared in (i), (ii) and (iii).
[0105]
C. Preparation of resin filler
100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell Co., Ltd., molecular weight: 310, YL983U), SiO having an average particle diameter of 1.6 μm and a maximum particle diameter of 15 μm or less coated with a silane coupling agent on the surface2By taking 72 parts by weight of spherical particles (manufactured by Adtech, CRS 1101-CE) and 1.5 parts by weight of a leveling agent (Perenol S4, manufactured by San Nopco) in a container, the viscosity is 30 to 25 ° C. at 25 ± 1 ° C. An 80 Pa · s resin filler was prepared.
As the curing agent, 6.5 parts by weight of an imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 2E4MZ-CN) was used.
[0106]
D. Manufacturing method of multilayer printed wiring board
(1) A copper-clad laminate in which 18 μm copper foil 8 is laminated on both surfaces of a substrate 1 made of glass epoxy resin or BT (bismaleimide triazine) resin having a thickness of 0.8 mm was used as a starting material (FIG. 3 ( a)). First, the copper-clad laminate was drilled, subjected to electroless plating, and etched into a pattern to form the lower conductor circuit 4 and the through hole 9 on both surfaces of the substrate 1 (FIG. 3 (b) )reference).
[0107]
(2) The substrate on which the through hole 9 and the lower conductor circuit 4 are formed is washed with water and dried, followed by NaOH (10 g / l), NaClO2(40 g / l), Na3PO4Blackening treatment using an aqueous solution containing (6 g / l) as a blackening bath (oxidation bath), and NaOH (10 g / l), NaBH4A reduction treatment using an aqueous solution containing (6 g / l) as a reducing bath was performed, and a roughened surface (not shown) was formed on the entire surface of the lower conductor circuit 4 including the through holes 9.
[0108]
(3) Next, after preparing the resin filler described in C above, within 24 hours after adjustment by the following method, the conductor circuit non-formed portion of the substrate 1 and the lower conductor circuit 4 within the through hole 9 A layer 10 ′ of resin filler was formed on the outer edge of each.
That is, first, a resin filler was pushed into a through hole using a squeegee, and then dried under conditions of 100 ° C. and 20 minutes. Next, a mask having an opening corresponding to the conductor circuit non-forming portion is placed on the substrate, and a resin filler layer 10 'is formed on the conductor circuit non-forming portion, which is a recess, using a squeegee. The film was dried at 20 ° C. for 20 minutes (see FIG. 3C).
[0109]
(4) One side of the substrate after the processing of (3) above is applied to the surface of the lower conductor circuit 4 or the land surface of the through hole 9 by belt sander polishing using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku). Polishing was performed so that the resin filler did not remain, and then buffing was performed to remove scratches due to the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate.
Next, a heat treatment was performed at 100 ° C. for 1 hour and 150 ° C. for 1 hour to form the resin filler layer 10.
[0110]
In this way, the surface layer portion of the resin filler layer 10 and the surface of the lower conductor circuit 4 formed in the through hole 9 and the conductor circuit non-forming portion are flattened, and the side surface 4a of the resin filler layer 10 and the lower conductor circuit 4 is flattened. And an insulative substrate in which the inner wall surface 9a of the through hole 9 and the resin filler layer 10 are firmly adhered through the roughened surface (FIG. 3D). )reference). That is, by this step, the surface of the resin filler layer 10 and the surface of the lower conductor circuit 4 are flush.
[0111]
(5) After washing the substrate with water and acid degreasing, soft etching is performed, and then an etching solution is sprayed on both surfaces of the substrate to spray the surface of the lower conductor circuit 4 and the land surface of the through hole 9. Thus, a roughened surface (not shown) was formed on the entire surface of the lower conductor circuit 4. As an etchant, an etchant (MEC Etch Bond, manufactured by MEC Co., Ltd.) comprising 10 parts by weight of imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid, and 5 parts by weight of potassium chloride was used.
[0112]
(6) Next, the photosensitive resin composition B prepared in B above (viscosity: 1.5 Pa · s) was applied to both sides of the substrate using a roll coater within 24 hours after preparation, and 20 in a horizontal state. After standing for a minute, drying (prebaking) was performed at 60 ° C. for 30 minutes. Next, the photosensitive resin composition A prepared in A above (viscosity: 7 Pa · s) was applied using a roll coater within 24 hours after preparation, and left in a horizontal state for 20 minutes in the same manner, and then at 60 ° C. Drying (prebaking) for 30 minutes was performed to form two-layered resin layers 2a and 2b in a semi-cured state (see FIG. 3 (e)).
[0113]
(7) Next, a photomask film on which a black circle having a diameter of 80 μm is printed is adhered to both surfaces of the substrate on which the semi-cured resin layers 2a and 2b are formed, and 500 mJ / cm using an ultrahigh pressure mercury lamp.2And then developed with a DMDG solution. Thereafter, this substrate was further 3,000 mJ / cm with an ultra-high pressure mercury lamp.2Exposed at 100 ° C., heat-treated at 100 ° C. for 1 hour, 120 ° C. for 1 hour, and 150 at 3 hours, and has a via hole opening 6 with a diameter of 80 μm that is excellent in dimensional accuracy equivalent to a photomask film. An interlayer resin insulation layer 2 composed of two layers was formed (see FIG. 4A).
[0114]
(8) Furthermore, the substrate on which the via hole opening 6 is formed is immersed in an 80 ° C. solution containing 60 g / l of permanganic acid for 10 minutes to dissolve the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulation layer 2 By removing the surface, the surface of the interlayer resin insulating layer 2 including the inner wall of the via-hole opening 6 was made rough (not shown).
[0115]
(9) Next, the substrate after the above treatment was immersed in a neutralization solution (manufactured by Shipley Co., Ltd.) and washed with water.
Further, a palladium catalyst (manufactured by Atotech Co., Ltd.) is applied to the surface of the roughened substrate (roughening depth: 3 μm), whereby a catalyst is formed on the surface of the interlayer resin insulation layer 2 and the inner wall surface of the via hole opening 6. Nuclei were attached.
[0116]
(10) Next, the substrate was immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the following composition to form a thin-film conductor layer 12 having a thickness of 0.6 to 3.0 μm over the entire rough surface (FIG. 4B). reference).
[Electroless plating aqueous solution]
NiSO4                 0.003 mol / l
Tartaric acid 0.200 mol / l
Copper sulfate 0.030 mol / l
HCHO 0.050 mol / l
NaOH 0.100 mol / l
α, α'-bipyridyl 40 mg / l
Polyethylene glycol (PEG) 0.10 g / l
[Electroless plating conditions]
40 minutes at 35 ° C liquid temperature
[0117]
(11) Next, a commercially available photosensitive dry film is affixed to the thin film conductor layer 12, and a mask is placed thereon, and 100 mJ / cm.2Then, a plating resist 3 was provided by developing with a 0.8% aqueous sodium carbonate solution (see FIG. 4C).
[0118]
(12) Next, the substrate is washed with 50 ° C. water, degreased, washed with 25 ° C. water, further washed with sulfuric acid, and then subjected to electrolytic copper plating under the following conditions. It formed (refer FIG.4 (d)).
(Electrolytic plating aqueous solution)
CuSO4・ 5H2O 210g / l
Sulfuric acid 150g / l
Cl                          40 mg / l
Polyethylene glycol 300mg / l
Bisdisulfide 100mg / l
[Electrolytic plating conditions]
Current density 1.0A / dm2
60 minutes
Temperature 25 ℃
[0119]
(13) Subsequently, the plating resist 3 was peeled and removed in a 40 g / l NaOH aqueous solution at 50 ° C. Thereafter, the substrate is heated at 150 ° C. for 1 hour, and the thin film conductor layer existing under the plating resist is removed by using an etching solution containing sulfuric acid-hydrogen peroxide aqueous solution. A via hole 7 having a shape was formed (see FIG. 5A).
[0120]
(14) By repeating the steps (5) to (13), a conductor circuit 5 independent of the upper interlayer resin insulation layer 2 and a via-hole 7 having a filled via shape are formed (FIG. 5B). To FIG. 6 (a)).
Here, the second-stage via hole is formed so that the center of the first-stage via hole and the center thereof are substantially overlapped by adjusting the formation position of the via-hole opening.
[0121]
(15) Further, by repeating the steps (5) to (11) above, an upper interlayer resin insulation layer 2 and a thin film conductor layer 12 are further formed, and then the plating resist 3 is formed on the thin film conductor layer 12. Provided (see FIG. 6B).
[0122]
(16) Next, the substrate on which the plating resist 3 is formed is washed and degreased with water at 50 ° C., washed with water at 25 ° C. and further washed with sulfuric acid, and then subjected to electrolytic copper plating under the following conditions. The electrolytic copper plating layer 13 was formed (see FIG. 6C). An electrolytic plating layer 13a having a recess on the upper surface was formed in the opening for the via hole.
(Electrolytic plating aqueous solution)
Sulfuric acid 2.24 mol / l
Copper sulfate 0.26 mol / l
Additive 19.5 ml / l
(Manufactured by Atotech Japan, Kaparaside GL)
[Electrolytic plating conditions]
Current density 1.0 A / dm2
65 minutes
Temperature 22 ± 2 ° C
[0123]
(17) Next, in the same manner as in the above step (13), the plating resist 3 is removed and the thin film conductor layer 12 is etched, and an independent conductor circuit and a via hole 7a having a recess on its upper surface Was formed (see FIG. 7A). Here, by adjusting the formation position of the via hole opening, the uppermost via hole is formed so that the second via hole and the center thereof are substantially overlapped.
[0124]
(18) Next, the photosensitizing property obtained by acrylated 50% of an epoxy group of a cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) to a concentration of 60% by weight. 46.67 parts by weight of oligomer (molecular weight: 4000), 80% by weight of bisphenol A type epoxy resin (trade name: Epicoat 1001 manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.) dissolved in methyl ethyl ketone, 15.0 parts by weight, imidazole curing agent (Shikoku 1.6 parts by weight manufactured by Kasei Co., Ltd., trade name: 2E4MZ-CN), 3.0 parts by weight of polyvalent acrylic monomer (Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name: R604), which is a photosensitive monomer, Kyoei Chemical Co., Ltd., trade name: DPE6A) 1.5 parts by weight, dispersion antifoam (San Nopco, S-65) 0.7 Part by weight is placed in a container, and a mixture composition is prepared by stirring and mixing. 2.0 parts by weight of benzophenone (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.) as a photopolymerization initiator and Michler's ketone as a photosensitizer are mixed with this mixture composition. (Kanto Chemical Co., Ltd.) 0.2 parts by weight was added to obtain a solder resist composition having a viscosity adjusted to 2.0 Pa · s at 25 ° C. The viscosity is measured with a B-type viscometer (DVL-B type, manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.) for 60 minutes.-1(Rpm), rotor No. 4, 6 min-1(Rpm), rotor No. 3 according.
[0125]
(19) Next, the solder resist composition is applied to both surfaces of the multilayer wiring board to a thickness of 20 μm, and after drying at 70 ° C. for 20 minutes and 70 ° C. for 30 minutes, the solder pad A photomask with a thickness of 5 mm on which a pattern of 10 mm was drawn was brought into close contact with the solder resist layer and 1000 mJ / cm2Were exposed to UV light and developed with DMTG solution to form an opening having a diameter of 80 μm.
Further, the solder resist layer is cured by heating at 80 ° C. for 1 hour, at 100 ° C. for 1 hour, at 120 ° C. for 1 hour, and at 150 ° C. for 3 hours. Then, a solder resist layer 14 having a thickness of 20 μm was formed.
[0126]
(20) Next, the substrate on which the solder resist layer 14 is formed is immersed in an etching solution containing sodium persulfate as a main component for 1 minute, and a roughened surface having an average roughness (Ra) of 1 μm or less on the surface of the conductor circuit. (Not shown) was formed.
Further, this substrate was made of nickel chloride (2.3 × 10-1mol / l), sodium hypophosphite (2.8 × 10-1mol / l), sodium citrate (1.6 × 10-1The nickel plating layer 15 having a thickness of 5 μm was formed in the opening by immersing in an electroless nickel plating solution having a pH of 4.5 containing 1 mol / l). Further, the substrate was made of potassium gold cyanide (7.6 × 10 6-3mol / l), ammonium chloride (1.9 × 10-1mol / l), sodium citrate (1.2 × 10-1mol / l), sodium hypophosphite (.1.7 × 10-1mol / l) is immersed in an electroless gold plating solution at 80 ° C. for 7.5 minutes to form a 0.03 μm-thick gold plating layer 16 on the nickel plating layer 15 as a solder pad. .
[0127]
(21) Thereafter, a mask was placed on the solder resist layer 14, and a solder paste was printed on the solder bump forming openings using a piston-type press-fitting printer. Thereafter, the solder paste was reflowed at 250 ° C. and further flux cleaning was performed to obtain a multilayer printed wiring board provided with solder bumps (see FIG. 7B).
The linear expansion coefficient of the interlayer resin insulation layer formed in this example is 70 ppm / ° C.
[0128]
(Example 2)
A. Preparation of resin film for interlayer resin insulation layer
30 parts by weight of bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 469, Epicoat 1001 manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), 40 parts by weight of cresol novolac type epoxy resin (epoxy equivalent 215, Epiklon N-673 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), triazine 30 parts by weight of a structure-containing phenol novolac resin (phenolic hydroxyl group equivalent 120, Phenolite KA-7052 manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) was dissolved in 20 parts by weight of ethyl diglycol acetate and 20 parts by weight of solvent naphtha with stirring. Thereto, terminal epoxidized polybutadiene rubber (Nagase Kasei Kogyo Denarex R-45EPT) 12 parts by weight, 2-phenyl-4,5-bis (hydroxymethyl) imidazole pulverized product 1.5 parts by weight, finely pulverized silica 4 parts by weight , Silicon Added to prepare an epoxy resin composition agent 0.5 parts by weight.
The obtained epoxy resin composition was applied on a PET film having a thickness of 38 μm using a roll coater so that the thickness after drying was 50 μm, and then dried at 80 to 120 ° C. for 10 minutes, whereby an interlayer resin was obtained. A resin film for an insulating layer was produced.
[0129]
B. Preparation of resin filler
A resin filler was prepared in the same manner as in Example 1.
C. Manufacture of multilayer printed wiring boards
(1) A copper-clad laminate in which 18 μm copper foil 28 is laminated on both surfaces of an insulating substrate 21 made of glass epoxy resin or BT resin having a thickness of 0.8 mm was used as a starting material (see FIG. 8A). ). First, this copper-clad laminate was etched into a lower conductor circuit pattern to form lower conductor circuits 24 on both surfaces of the substrate (see FIG. 8B).
[0130]
(2) The substrate 21 on which the lower conductor circuit 24 is formed is washed with water and dried, followed by NaOH (10 g / l), NaClO2(40 g / l), Na3PO4Blackening treatment using an aqueous solution containing (6 g / l) as a blackening bath (oxidation bath), and NaOH (10 g / l), NaBH4A reduction treatment using an aqueous solution containing (6 g / l) as a reduction bath was performed to form a roughened surface (not shown) on the surface of the lower conductor circuit 24.
[0131]
(3) Next, the resin film for an interlayer resin insulation layer produced in A is laminated by vacuum pressure bonding at 0.5 MPa while raising the temperature to 50 to 150 ° C. to form an interlayer resin insulation layer 22 (See FIG. 8C). Further, a through hole 39 having a diameter of 300 μm was formed by drilling in the substrate 21 on which the interlayer resin insulating layer 22 was formed.
[0132]
(4) Next, a mask on which a through hole having a thickness of 1.2 mm is formed is placed on the interlayer resin insulation layer 22, and CO with a wavelength of 10.4 μm is placed.2Via hole with a gas laser diameter of 4.0 mm, top hat mode, pulse width 8.0 μsec, mask through-hole diameter 1.0 mm, and interlayer resin insulation layer 22 with a diameter of 80 μm under conditions of one shot. 26 was formed (see FIG. 8D).
[0133]
(5) Next, the substrate on which the via hole opening 26 is formed is immersed in an 80 ° C. solution containing 60 g / l of permanganic acid for 10 minutes, and the wall surface of the through-hole 39 is subjected to desmear treatment and an interlayer resin. By dissolving and removing the epoxy resin particles present on the surface of the insulating layer 22, a roughened surface (not shown) was formed on the surface including the inner wall surface of the via hole opening 26.
[0134]
(6) Next, the substrate after the above treatment was immersed in a neutralization solution (manufactured by Shipley Co., Ltd.) and washed with water.
Furthermore, the surface of the interlayer resin insulating layer 22 (including the inner wall surface of the via hole opening 26) is provided by applying a palladium catalyst to the surface of the substrate that has been roughened (roughening depth 3 μm), and Catalyst nuclei were attached to the wall surface of the through hole 39 (not shown). That is, the substrate is made of palladium chloride (PdCl2) And stannous chloride (SnCl)2The catalyst was imparted by immersing it in a catalyst solution containing) and depositing palladium metal.
[0135]
(7) Next, the substrate is immersed in an electroless copper plating aqueous solution at 34 ° C. for 40 minutes, the surface of the interlayer resin insulation layer 22 (including the inner wall surface of the via hole opening 26), and the wall surface of the through hole 39 A thin film conductor layer 32 having a thickness of 0.6 to 3.0 μm was formed (see FIG. 8E). In addition, as an electroless copper plating aqueous solution, the aqueous solution similar to the electroless copper plating aqueous solution used at the process of (1) of Example 1 was used.
[0136]
(8) Next, a commercially available photosensitive dry film is attached to the substrate on which the thin film conductor layer 32 is formed, and a mask is placed thereon, and 100 mJ / cm.2Then, a plating resist 23 was provided by developing with a 0.8% aqueous sodium carbonate solution (see FIG. 9A).
[0137]
(9) Next, the substrate is washed with 50 ° C. water for degreasing, washed with 25 ° C. water and further washed with sulfuric acid, and then electroplated under the same conditions as in the step (12) of Example 1. Then, an electrolytic copper plating film 33 was formed on the portion where the plating resist 23 was not formed (see FIG. 9B).
[0138]
(10) Further, after removing the plating resist 23 with 5% KOH, the thin film conductor layer under the plating resist 23 is etched using an etching solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide, and through holes 29, and The conductor circuit 25 (including the via hole 27) was used.
[0139]
(11) Next, the substrate 30 on which the through hole 29 and the like are formed is immersed in an etching solution, and a roughened surface (not shown) is formed on the surface of the through hole 29 and the conductor circuit 25 (including the via hole 27). Formed. As an etchant, MEC Etch Bond manufactured by MEC was used.
[0140]
(12) Next, after preparing the resin filler described in B above, using the same method as in step (3) of Example 1, within 24 hours after preparation, A layer of resin filler was formed on the conductor circuit non-formation portion on the interlayer resin insulation layer 22 and the outer edge portion of the conductor circuit 25.
[0141]
Subsequently, in the same manner as in the step (4) of Example 1, the surface layer portion of the resin filler layer formed in the through hole or in the conductor circuit non-forming portion and the surface of the conductor circuit 25 are further flattened. By performing the heat treatment, a resin filler layer 30 having a surface flush with the surface of the conductor circuit 25 was formed (see FIG. 9C).
[0142]
(13) Next, a palladium catalyst (not shown) was applied to the surface of the interlayer resin insulation layer 22 and the exposed surface of the resin filler layer 30 by performing the same treatment as in the above (6). Next, an electroless plating process was performed under the same conditions as in (7) above, and a thin film conductor layer 32 was formed on the exposed surface of the resin filler layer 30 and the upper surface of the conductor circuit 25.
[0143]
(14) Next, the plating resist 23 was provided on the thin-film conductor layer 32 using the method similar to said (8) (refer FIG.9 (d)).
Subsequently, the substrate is washed with 50 ° C. water and degreased, washed with 25 ° C. water, and further washed with sulfuric acid, and then subjected to electrolytic plating under the following conditions. A copper plating film 33 was formed (see FIG. 10A).
[Electrolytic plating solution]
Sulfuric acid 2.24 mol / l
Copper sulfate 0.26 mol / l
Additive 19.5 ml / l
(Manufactured by Atotech Japan, Kaparaside GL)
[Electrolytic plating conditions]
Current density 1 A / dm2
65 minutes
Temperature 22 + 2 ° C
[0144]
(15) Next, after removing the plating resist 33 with 5% KOH, the thin film conductor layer under the plating resist 33 is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide. 31 (see FIG. 10B).
(16) Next, a roughened surface (not shown) was formed on the surface of the lid plating layer 31 using an etching solution (MEC Etch Bond, manufactured by MEC).
[0145]
(17) Next, the steps (3) to (11) are repeated twice to further form an upper interlayer resin insulation layer 22, a conductor circuit 25, and a field via-shaped via hole 27 (FIG. 10 ( c) to FIG. 13 (a)). Here, the formation position of the via hole opening is adjusted, and in the first repetition process, a via hole is formed immediately above the lid plating layer 31, and in the second repetition process, the lower via hole and its center are formed. A second via hole was formed so as to substantially overlap. In this step, no through hole was formed.
[0146]
(18) Further, by repeating the steps (3) to (8) above, an upper interlayer resin insulation layer 22 and a thin film conductor layer 32 are formed, and then a plating resist 23 is formed on the thin film conductor layer 32. It formed (refer FIG.13 (b)).
[0147]
(19) Next, the substrate on which the plating resist 23 is formed is washed and degreased with water at 50 ° C., washed with water at 25 ° C. and further washed with sulfuric acid, and then the step of (16) of Example 1 is performed. Under the same conditions as in the process, electrolytic plating was performed to form an electrolytic copper plating layer. In the via hole opening, an electrolytic copper plating layer having a concave portion on the upper surface was formed.
[0148]
(20) Next, in the same manner as in the above step (10), the plating resist 23 is removed and the thin film conductor layer 32 is etched to form an independent conductor circuit 25 and a via hole 27a having a recess on its upper surface. (See FIG. 14A). Further, a roughened surface (not shown) was formed on the surfaces of the conductor circuit 25 and the via hole 27a in the same manner as in the step (11).
[0149]
(21) Next, a multilayer printed wiring board provided with solder bumps 37 was obtained in the same manner as in the steps (18) to (21) of Example 1 (see FIG. 14B).
The linear expansion coefficient of the interlayer resin insulation layer formed in this example is 60 ppm / ° C.
[0150]
(Example 3)
A. Preparation of photosensitive resin compositions A and B
Photosensitive resin compositions A and B were prepared in the same manner as in Example 1.
[0151]
B. Preparation of resin filler
A resin filler was prepared in the same manner as in Example 1.
[0152]
C. Manufacturing method of multilayer printed wiring board
(1) A copper-clad laminate in which 18 μm copper foil 48 is laminated on both surfaces of a substrate 41 made of glass epoxy resin or BT (bismaleimide triazine) resin having a thickness of 0.8 mm was used as a starting material (FIG. 15 ( a)). First, the copper-clad laminate was drilled, subjected to electroless plating, and etched into a pattern to form lower layer conductor circuits 44 and through holes 49 on both sides of the substrate 41 (FIG. 15B). )reference).
[0153]
(2) The substrate on which the through hole 49 and the lower conductor circuit 44 are formed is washed with water and dried, followed by NaOH (10 g / l), NaClO2(40 g / l), Na3PO4Blackening treatment using an aqueous solution containing (6 g / l) as a blackening bath (oxidation bath), and NaOH (10 g / l), NaBH4A reduction treatment using an aqueous solution containing (6 g / l) as a reducing bath was performed, and a roughened surface (not shown) was formed on the entire surface of the lower conductor circuit 44 including the through holes 49.
[0154]
(3) Next, after preparing the resin filler described in B above, using the same method as in step (3) of Example 1, within 24 hours after adjustment, A resin filler layer 50 ′ was formed on the conductor circuit non-formed portion of the substrate 41 and the outer edge portion of the lower conductor circuit 44 (see FIG. 15C).
[0155]
(4) Subsequently, in the same manner as in the step (4) of Example 1, the surface portion of the layer of the resin filler formed in the through hole or in the conductor circuit non-formed portion and the surface of the lower conductor circuit 44 are flattened. Furthermore, by performing heat treatment, the resin filler layer 50 whose surface is flush with the surface of the lower conductor circuit 44 is formed (see FIG. 15D).
[0156]
(5) After washing the substrate with water and acid degreasing, soft etching is performed, and then an etching solution is sprayed on both surfaces of the substrate to spray the surface of the lower conductor circuit 44 and the land surface of the through hole 49. Thus, a roughened surface (not shown) was formed on the entire surface of the lower conductor circuit 44. As an etchant, MEC Etch Bond manufactured by MEC was used.
[0157]
(6) Next, the photosensitive resin composition B prepared in A above (viscosity: 1.5 Pa · s) was applied to both sides of the substrate using a roll coater within 24 hours after preparation, and 20 in a horizontal state. After standing for a minute, drying (prebaking) was performed at 60 ° C. for 30 minutes. Next, the photosensitive resin composition A prepared in A above (viscosity: 7 Pa · s) was applied using a roll coater within 24 hours after preparation, and left in a horizontal state for 20 minutes in the same manner, and then at 60 ° C. Drying (pre-baking) for 30 minutes was performed to form two layers of semi-cured resin layers 42a and 42b (see FIG. 15E).
[0158]
(7) Next, a photomask film on which a black circle having a diameter of 80 μm is printed is brought into close contact with both surfaces of the substrate on which the semi-cured resin layers 42a and 42b are formed, and 500 mJ / cm by an ultrahigh pressure mercury lamp.2And then developed with a DMDG solution. Thereafter, this substrate was further 3,000 mJ / cm with an ultra-high pressure mercury lamp.2Exposure at 100 ° C., heat treatment at 100 ° C. for 1 hour, 120 ° C. for 1 hour, and 150 ° C. for 3 hours, and has a via hole opening 46 with a diameter of 80 μm excellent in dimensional accuracy equivalent to a photomask film. An interlayer resin insulating layer 42 composed of two layers was formed (see FIG. 16A).
[0159]
(8) Further, the substrate on which the via hole opening 46 is formed is immersed in an 80 ° C. solution containing 60 g / l of permanganic acid for 10 minutes to dissolve the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulating layer 42. By removing the surface, the surface of the interlayer resin insulating layer 42 including the inner wall of the via hole opening 46 was made a rough surface (not shown).
[0160]
(9) Next, the substrate after the above treatment was immersed in a neutralization solution (manufactured by Shipley Co., Ltd.) and washed with water.
Further, by applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech Co., Ltd.) to the surface of the roughened substrate (roughening depth 3 μm), a catalyst is formed on the surface of the interlayer resin insulating layer 42 and the inner wall surface of the via hole opening 46. Nuclei were attached.
[0161]
(10) Next, an electroless plating process was performed under the same conditions as in step (10) of Example 1 to form a thin film conductor layer 52 having a thickness of 0.6 to 3.0 μm over the entire rough surface (FIG. 16 (b)).
[0162]
(11) Next, a commercially available photosensitive dry film is affixed to the thin film conductor layer 52, and a mask is placed thereon, and 100 mJ / cm.2The plating resist 43 was provided by exposing and developing with 0.8% sodium carbonate aqueous solution (see FIG. 16C).
[0163]
(12) Next, the substrate is washed with 50 ° C. water and degreased, washed with 25 ° C. water and further washed with sulfuric acid, and then subjected to electrolytic copper under the same conditions as in the step (12) of Example 1. Plating was performed to form an electrolytic copper plating layer 53 (see FIG. 16D).
[0164]
(13) Subsequently, the plating resist 43 was peeled and removed in a 40 g / l NaOH aqueous solution at 50 ° C. Thereafter, the substrate is heated at 150 ° C. for 1 hour, and the thin film conductor layer existing under the plating resist is removed using an etching solution containing sulfuric acid-hydrogen peroxide aqueous solution. A via hole 47 having a shape was formed (see FIG. 17A).
[0165]
(14) Next, by repeating the above steps (5) to (13), an upper interlayer resin insulation layer 42 and independent conductor circuits 45 and field via-shaped via holes 47 were formed ( FIG. 17B to FIG. 18A). Here, by adjusting the formation position of the via hole opening, the second via hole is formed so that the lower via hole and the center thereof are substantially overlapped.
[0166]
(15) Further, by repeating the steps (5) to (13) above, an upper interlayer resin insulation layer 42 and independent conductor circuits 45 and field via-shaped via holes 47 are formed (FIG. 18 (b)).
Here, by adjusting the formation position of the via-hole opening, the third-stage via hole was stacked while being shifted from the center of the second-stage via hole. The distance between the outer edge of the bottom surface of the via hole (third via hole) formed in this step and the outer edge of the non-land portion of the lower via hole (second via hole) is 5 μm. It is.
[0167]
(16) Further, by repeating the above steps (5) to (11) again, an upper interlayer resin insulation layer 42 and a thin film conductor layer 52 are formed, and then a plating resist 43 is formed on the thin film conductor layer 52. Formed.
[0168]
(17) Next, the substrate on which the plating resist 43 is formed is washed and degreased with water at 50 ° C., washed with water at 25 ° C. and further washed with sulfuric acid, and then the step of (16) of Example 1 is performed. Electrolytic copper plating was performed under the same conditions as those used in the process to form an electrolytic copper plating layer 53 (see FIG. 18C). An electrolytic plating layer 53a having a recess on the upper surface thereof was formed in the opening for the via hole.
Thereafter, the plating resist 43 was removed and the thin film conductor layer was etched in the same manner as in the above step (13) to form an independent conductor circuit and a via hole 47a having a recess on its upper surface (FIG. 19). (See (a)). Here, the uppermost via hole is formed so that the lower via hole (third via hole) and the center thereof are substantially overlapped.
[0169]
(18) Next, a multilayer printed wiring board provided with solder bumps 57 was obtained in the same manner as in the steps (18) to (21) of Example 1 (see FIG. 19B). The linear expansion coefficient of the interlayer resin insulation layer formed in this example is 70 ppm / ° C.
[0170]
Example 4
A. Preparation of resin film for interlayer resin insulation layer
A resin film for an interlayer resin insulation layer was produced in the same manner as in Example 2.
[0171]
B. Preparation of resin filler
A resin filler was prepared in the same manner as in Example 1.
C. Manufacture of multilayer printed wiring boards
(1) A copper-clad laminate in which 18 μm copper foil 68 is laminated on both surfaces of an insulating substrate 61 made of glass epoxy resin or BT resin having a thickness of 0.8 mm was used as a starting material (see FIG. 20A). ). First, the copper-clad laminate was etched into a lower conductor circuit pattern to form lower conductor circuits 64 on both sides of the substrate (see FIG. 20B).
[0172]
(2) The substrate 61 on which the lower conductor circuit 64 is formed is washed with water and dried, followed by NaOH (10 g / l), NaClO2(40 g / l), Na3PO4Blackening treatment using an aqueous solution containing (6 g / l) as a blackening bath (oxidation bath), and NaOH (10 g / l), NaBH4A reduction treatment using an aqueous solution containing (6 g / l) as a reduction bath was performed to form a roughened surface (not shown) on the surface of the lower conductor circuit 64.
[0173]
(3) Next, the resin film for the interlayer resin insulation layer produced in A is laminated by vacuum pressure bonding at 0.5 MPa while raising the temperature to 50 to 150 ° C., and the interlayer resin insulation layer 62 is formed. (See FIG. 20 (c)).
Further, a through hole 79 having a diameter of 300 μm was formed by drilling in the substrate 61 on which the interlayer resin insulating layer 62 was formed.
[0174]
(4) Next, a mask in which a through hole having a thickness of 1.2 mm is formed is placed on the interlayer resin insulation layer 62, and CO with a wavelength of 10.4 μm2With a gas laser, a via hole opening with a diameter of 80 μm in the interlayer resin insulation layer 62 under the conditions of a beam diameter of 4.0 mm, a top hat mode, a pulse width of 8.0 μsec, a mask through hole diameter of 1.0 mm, and one shot 66 was formed (see FIG. 20D).
[0175]
(5) Next, the substrate on which the via hole opening 66 is formed is immersed in an 80 ° C. solution containing 60 g / l of permanganic acid for 10 minutes, and the wall surface of the through-hole 79 is subjected to desmear treatment, and an interlayer resin By dissolving and removing the epoxy resin particles present on the surface of the insulating layer 62, a roughened surface (not shown) was formed on the surface including the inner wall surface of the opening 66 for the via hole.
[0176]
(6) Next, the substrate after the above treatment was immersed in a neutralization solution (manufactured by Shipley Co., Ltd.) and washed with water.
Furthermore, the surface of the interlayer resin insulation layer 62 (including the inner wall surface of the via hole opening 66) is provided by applying a palladium catalyst to the surface of the substrate that has been roughened (roughening depth 3 μm), and Catalyst nuclei were attached to the wall surface of the through hole 79 (not shown). That is, the substrate is made of palladium chloride (PdCl2) And stannous chloride (SnCl)2The catalyst was imparted by immersing it in a catalyst solution containing) and depositing palladium metal.
[0177]
(7) Next, the substrate is immersed in an electroless copper plating aqueous solution at 34 ° C. for 40 minutes, and the surface of the interlayer resin insulation layer 62 (including the inner wall surface of the via hole opening 66) and the wall surface of the through hole 79 A thin film conductor layer 72 having a thickness of 0.6 to 3.0 μm was formed (see FIG. 20E). In addition, as an electroless copper plating aqueous solution, the aqueous solution similar to the electroless copper plating aqueous solution used at the process of (1) of Example 1 was used.
[0178]
(8) Next, a commercially available photosensitive dry film is attached to the substrate on which the thin-film conductor layer 72 is formed, and a mask is placed thereon, and 100 mJ / cm.2Then, a plating resist 63 was provided by developing with a 0.8% sodium carbonate aqueous solution (see FIG. 21A).
[0179]
(9) Next, the substrate is washed with 50 ° C. water for degreasing, washed with 25 ° C. water and further washed with sulfuric acid, and then electroplated under the same conditions as in the step (12) of Example 1. Then, an electrolytic copper plating film 73 was formed on the portion where the plating resist 63 was not formed (see FIG. 21B).
[0180]
(10) Further, after removing the plating resist 63 with 5% KOH, the thin film conductor layer under the plating resist 63 is etched using an etching solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide, and through holes 69, and The conductor circuit 65 (including the via hole 67) was used.
[0181]
(11) Next, the substrate on which through holes 69 and the like are formed is dipped in an etching solution, and a roughened surface (not shown) is formed on the surfaces of through holes 69 and conductor circuits 65 (including via holes 67). did. As an etchant, MEC Etch Bond manufactured by MEC was used.
[0182]
(12) Next, after preparing the resin filler described in B above, using the same method as in step (3) of Example 1, within 24 hours after preparation, A resin filler layer was formed on the conductor circuit non-formed portion on the interlayer resin insulation layer 62 and the outer edge portion of the conductor circuit 65.
[0183]
Subsequently, in the same manner as in the step (4) of Example 1, the surface layer portion of the resin filler layer formed in the through hole or in the conductor circuit non-forming portion and the surface of the conductor circuit 65 are planarized, By performing the heat treatment, a resin filler layer 70 having a surface flush with the surface of the conductor circuit 65 was formed (see FIG. 21C).
[0184]
(13) Next, a palladium catalyst (not shown) was applied to the surface of the interlayer resin insulation layer 62 and the exposed surface of the resin filler layer 70 by performing the same treatment as in the above (6). Next, an electroless plating process was performed under the same conditions as in (7) above, and a thin film conductor layer 72 was formed on the exposed surface of the resin filler layer 70 and the upper surface of the conductor circuit 65.
[0185]
(14) Next, a plating resist 63 was provided on the thin-film conductor layer 62 using the same method as in (8) above (see FIG. 21D).
Subsequently, the substrate was washed with water at 50 ° C. to degrease, washed with water at 25 ° C. and further washed with sulfuric acid, and then subjected to electrolytic plating under the same conditions as in the step (14) of Example 2. Then, an electrolytic copper plating film 73 was formed on the portion where the plating resist 63 was not formed (see FIG. 22A).
[0186]
(15) Next, after removing the plating resist 73 with 5% KOH, the thin film conductor layer under the plating resist 73 is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and the lid plating layer 71 (see FIG. 22B).
(16) Next, a roughened surface (not shown) was formed on the surface of the lid plating layer 71 using an etching solution (MEC Etch Bond, manufactured by MEC).
[0187]
(17) Next, by repeating the steps (3) to (11), an upper interlayer resin insulation layer 62, a conductor circuit 65, and a field via-shaped via hole 67 are formed (FIG. 22C). To FIG. 23 (c)). Here, the via hole was formed immediately above the lid plating layer 71 by adjusting the formation position of the via hole opening. In this step, no through hole was formed.
[0188]
(18) Next, by repeating the steps (3) to (11) twice, an upper interlayer resin insulating layer 62, a conductor circuit 65, and a field via-shaped via hole 67 are formed (FIG. 24 ( a) to FIG. 25 (a)). Here, by adjusting the formation position of the via hole opening, the via hole was stacked so that the center of the lower via hole substantially overlaps the center thereof.
In this step, no through hole was formed.
[0189]
(19) Further, by repeating the above steps (3) to (8) again, an upper interlayer resin insulation layer 62 and a thin film conductor layer 72 are formed, and then a plating resist is formed on the thin film conductor layer 72. 63 was formed (see FIG. 25B).
[0190]
(20) Next, the substrate on which the plating resist 63 is formed is washed and degreased with water at 50 ° C., washed with water at 25 ° C. and further washed with sulfuric acid, and then the step of (16) of Example 1 is performed. Electrolytic plating was performed under the same conditions as in the process to form an electrolytic plating layer. An electrolytic plating layer having a recess on the upper surface was formed in the opening for via hole.
[0191]
(21) Thereafter, the plating resist 63 is peeled off and the thin film conductor layer 72 is etched in the same manner as in the above step (10), so that an independent conductor circuit 65 and a via hole 67a having a recess on the upper surface thereof. (See FIG. 26 (a)). Further, a roughened surface was formed on the surfaces of the conductor circuit 65 and the via hole 67a in the same manner as in the step (11).
In the series of steps (19) to (21), the via holes were stacked while being shifted from the center of the lower via hole by adjusting the formation position of the via hole opening. The distance between the outer edge of the bottom of the uppermost via hole (fourth via hole) formed in this step and the outer edge of the non-land portion of the lower via hole (third via hole) Is 8 μm.
[0192]
(22) Next, a multilayer printed wiring board provided with solder bumps 77 was obtained in the same manner as in steps (18) to (21) of Example 1 (see FIG. 26B).
In addition, the linear expansion coefficient of the interlayer resin insulation layer in the multilayer printed wiring board produced in this example is 60 ppm / ° C.
[0193]
(Example 5)
In the step (15) of Example 3, the distance between the outer edge of the bottom surface of the third via hole and the outer edge of the non-land portion of the lower via hole (second via hole) is 20 μm. A multilayer printed wiring board was produced in the same manner as in Example 3 except that the via holes were stacked.
[0194]
(Example 6)
In the step (21) of Embodiment 4, the outer edge of the bottom surface of the uppermost via hole (fourth via hole) and the outer edge of the non-land portion of the lower via hole (third via hole) A multilayer printed wiring board was produced in the same manner as in Example 4 except that the via holes were stacked so that the distance to the part was 40 μm.
[0195]
(Example 7)
In the step (15) of Example 3, the distance between the outer edge of the bottom surface of the third via hole and the outer edge of the non-land portion of the lower via hole (second via hole) is 70 μm. A multilayer printed wiring board was produced in the same manner as in Example 3 except that the via holes were stacked.
[0196]
(Example 8)
In the step (15) of the third embodiment, the via hole is adjusted so that the horizontal distance between the center of the third via hole and the center of the lower via hole (second via hole) is 70 μm. A multilayer printed wiring board was produced in the same manner as in Example 3 except that was stacked.
[0197]
Example 9
In the step (21) of Example 4, the horizontal distance between the center of the uppermost via hole (fourth via hole) and the center of the lower via hole (third via hole) is A multilayer printed wiring board was produced in the same manner as in Example 4 except that via holes were stacked so as to have a thickness of 70 μm.
[0198]
About the multilayer printed wiring board manufactured in Examples 1-9, the heat cycle test was done, the shape observation of the interlayer resin insulation layer and the via hole before and behind that, and the conduction test were done.
[0199]
Evaluation method
(1) Heat cycle test
The cycle of leaving at -65 ° C for 3 minutes and 130 ° C for 3 minutes was repeated 1000 cycles.
[0200]
(2) Shape observation
After producing the multilayer printed wiring board, before and after the heat cycle test, the multilayer printed wiring board is cut so as to pass through a via hole having a concave portion on the upper surface, and the cross section is obtained using an optical microscope with a magnification of 100 to 400 times. Observed.
[0201]
(3) Continuity test
After the multilayer printed wiring board was manufactured, a continuity test was performed using a checker before and after the heat cycle test, and the continuity state was evaluated from the results displayed on the monitor.
[0202]
As a result, in the multilayer printed wiring boards of Examples 1 to 9, cracks occurred in all interlayer resin insulation layers including the interlayer resin insulation layer around the uppermost via hole in the cross-sectional shape observation before and after the heat cycle test. In addition, the occurrence of peeling between the interlayer resin insulation layer and the via hole was not observed. In addition, before and after the heat cycle test, no short circuit or disconnection occurred, and the conduction state was good.
[0203]
【Effect of the invention】
As described above, the multilayer printed wiring board of the present invention is the multilayer printed wiring board of the present invention, the via holes of different layers are stacked, among the stacked via holes, Since the recess is formed on the upper surface, the stress generated due to the difference in the coefficient of linear expansion between the via hole and the interlayer resin insulation layer can be relieved, and a large stress is concentrated in the uppermost via hole. Therefore, cracks are hardly generated in the interlayer resin insulation layer due to the concentration of the stress, and the reliability is excellent.
In the multilayer printed wiring board of the present invention, via holes of different levels are stacked, so that the wiring distance is short, the signal transmission time can be shortened, and the degree of freedom in designing the conductor circuit is improved. Easy to handle high density wiring.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a partial cross-sectional view schematically showing an embodiment of a multilayer printed wiring board according to the present invention.
FIG. 2 is a partial cross-sectional view schematically showing another embodiment of the multilayer printed wiring board of the present invention.
FIGS. 3A to 3E are cross-sectional views schematically showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention. FIGS.
FIGS. 4A to 4D are cross-sectional views schematically showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention. FIGS.
FIGS. 5A to 5C are cross-sectional views schematically showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention. FIGS.
FIGS. 6A to 6C are cross-sectional views schematically showing a part of the process for producing the multilayer printed wiring board of the present invention.
FIGS. 7A and 7B are cross-sectional views schematically showing a part of the process for producing the multilayer printed wiring board of the present invention. FIGS.
FIGS. 8A to 8E are cross-sectional views schematically showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention.
FIGS. 9A to 9D are cross-sectional views schematically showing a part of the process for manufacturing the multilayer printed wiring board of the present invention. FIGS.
FIGS. 10A to 10D are cross-sectional views schematically showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention. FIGS.
FIGS. 11A to 11C are cross-sectional views schematically showing a part of the process for manufacturing the multilayer printed wiring board of the present invention. FIGS.
FIGS. 12A to 12C are cross-sectional views schematically showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board of the present invention.
FIGS. 13A and 13B are cross-sectional views schematically showing a part of the process for producing the multilayer printed wiring board of the present invention. FIGS.
FIGS. 14A and 14B are cross-sectional views schematically showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention. FIGS.
FIGS. 15A to 15E are cross-sectional views schematically showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention. FIGS.
FIGS. 16A to 16D are cross-sectional views schematically showing a part of a process for manufacturing the multilayer printed wiring board of the present invention. FIGS.
FIGS. 17A to 17C are cross-sectional views schematically showing a part of the process for producing the multilayer printed wiring board of the present invention. FIGS.
18 (a) to 18 (c) are cross-sectional views schematically showing a part of the process for producing the multilayer printed wiring board of the present invention.
FIGS. 19A and 19B are cross-sectional views schematically showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention. FIGS.
20 (a) to 20 (e) are cross-sectional views schematically showing a part of the process for producing the multilayer printed wiring board of the present invention.
FIGS. 21A to 21D are cross-sectional views schematically showing a part of the process for manufacturing the multilayer printed wiring board of the present invention. FIGS.
22 (a) to 22 (d) are cross-sectional views schematically showing a part of the process for producing the multilayer printed wiring board of the present invention.
FIGS. 23A to 23C are cross-sectional views schematically showing a part of the process for manufacturing the multilayer printed wiring board of the present invention. FIGS.
24 (a) to 24 (c) are cross-sectional views schematically showing a part of the process for producing the multilayer printed wiring board of the present invention.
FIGS. 25A and 25B are cross-sectional views schematically showing a part of the process for manufacturing the multilayer printed wiring board of the present invention. FIGS.
26 (a) and 26 (b) are cross-sectional views schematically showing a part of the process for producing the multilayer printed wiring board of the present invention.
[Explanation of symbols]
1, 21, 41, 61 substrate
2, 22, 42, 62 Interlayer resin insulation layer
3, 23, 43, 63 Plating resist
4, 24, 44, 64 Underlayer conductor circuit
5, 25, 45, 65 Conductor circuit
6, 26, 46, 66 Via hole opening
7, 27, 47, 67 Via hole
8, 28, 48, 68 Copper foil
9, 29, 49, 69 Through hole
10, 30, 50, 70 Resin filler layer
12, 32, 52, 72 Thin film conductor layer
13, 33, 53, 73 Electrolytic plating film
14, 34, 54, 74 Solder resist layer
17, 37, 57, 77 Solder bump
31, 71 Lid plating layer

Claims (7)

基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、前記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続され、さらに、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、
前記バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同士は積み重ねられており、
積み重ねられた前記バイアホールのうち、一番下のバイアホールは、他のバイアホールにその中心をずらして積み重ねられており、残りのバイアホールは、互いにその中心がほぼ重なるように積み重ねられているか、又は、
一番下を含む二段のバイアホールは、その中心がほぼ重なるように積み重ねられており、残りのバイアホールも、その中心がほぼ重なるように積み重ねられており、前記一番下を含む二段のバイアホールと前記残りのバイアホールとは、その中心をずらして積み重ねられており、
最上段のバイアホールは、その上面に凹部が形成されており、前記最上段以外のバイアホールは、前記層間樹脂絶縁層の表面上に形成されている無電解めっき膜と、当該無電解めっき膜上に形成されて前記層間樹脂絶縁層の開口部を充填する電解めっき膜とからなることを特徴とする多層プリント配線板。
A multilayer in which a conductor circuit and an interlayer resin insulating layer are sequentially laminated on a substrate, the conductor circuits sandwiching the interlayer resin insulating layer are connected via via holes, and a solder resist layer is formed on the outermost layer A printed wiring board,
Among the via holes, via holes of different levels are stacked,
Of the stacked via holes, the bottom via hole is stacked with the other via hole shifted in the center, and the remaining via holes are stacked so that their centers almost overlap each other. Or
The two-stage via holes including the bottom are stacked so that the centers thereof are substantially overlapped, and the remaining via holes are also stacked so that the centers are substantially overlapped. The via hole and the remaining via hole are stacked with their centers shifted.
The uppermost via hole has a recess formed on the upper surface thereof, and the via hole other than the uppermost layer includes an electroless plating film formed on the surface of the interlayer resin insulating layer, and the electroless plating film. A multilayer printed wiring board comprising an electrolytic plating film formed on the interlayer resin insulating layer and filling the opening of the interlayer resin insulating layer.
前記凹部の深さは、5〜25μmである請求項1に記載の多層プリント配線板。  The multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein the depth of the recess is 5 to 25 μm. 前記層間樹脂絶縁層のうち、少なくとも最外層の層間樹脂絶縁層は、その線膨張係数が100ppm/℃以下である請求項1または2に記載の多層プリント配線板。  3. The multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein at least an outermost interlayer resin insulating layer among the interlayer resin insulating layers has a linear expansion coefficient of 100 ppm / ° C. or less. 前記層間樹脂絶縁層のうち、少なくとも最外層の層間樹脂絶縁層は、粒子およびゴム成分が配合されている請求項1〜3のいずれかに記載の多層プリント配線板。  The multilayer printed wiring board according to any one of claims 1 to 3, wherein particles and a rubber component are blended in at least the outermost interlayer resin insulating layer among the interlayer resin insulating layers. 前記粒子は、無機粒子、樹脂粒子および金属粒子のうちの少なくとも1種である請求項4に記載の多層プリント配線板。  The multilayer printed wiring board according to claim 4, wherein the particles are at least one of inorganic particles, resin particles, and metal particles. 前記層間樹脂絶縁層のうち、少なくとも最外層の層間樹脂絶縁層は、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体、および、熱硬化性樹脂と感光性樹脂との樹脂複合体のうちの少なくとも1種を含む樹脂組成物により形成されている請求項1〜5のいずれかに記載の多層プリント配線板。  Among the interlayer resin insulation layers, at least the outermost interlayer resin insulation layer includes a thermosetting resin, a photosensitive resin, a resin composite of a thermosetting resin and a thermoplastic resin, and a thermosetting resin and a photosensitive resin. The multilayer printed wiring board in any one of Claims 1-5 currently formed with the resin composition containing at least 1 sort (s) of the resin complex with resin. セミアディティブ法により製造された多層ビルドアップ配線基板である請求項1〜6のいずれかに記載の多層プリント配線板。  The multilayer printed wiring board according to any one of claims 1 to 6, which is a multilayer build-up wiring board manufactured by a semi-additive method.
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