JP5094834B2 - 銅箔の製造方法、銅箔及び銅張積層板 - Google Patents
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Description
そして、このような電子機器を小型化、高機能化するために、ケース内の狭い空間にFPCを折りたたんで収容する方法がとられる。また液晶ディスプレイ周辺に用いられるCOFの場合には、ベゼル(いわゆる「額縁」)を細くするために、COFの銅配線を液晶基板の裏側へ折り返している。
そこで、柱状の銅結晶粒子を含み、25℃における伸び率5%以上の電解銅箔からFPCを構成することで、配線パターンが破断し難いFPCが得られることが報告されている(特許文献1)。
ところが、伸びの大きい圧延銅箔を用いても、CCLの曲げ性が向上しない場合があることを本発明者らは見出した。
すなわち、本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、銅張積層板に用いたときに曲げ性に優れた銅箔の製造方法、銅箔及び銅張積層板の提供を目的とする。
又、本発明の銅箔は、厚み5〜30μm、かつ350℃で0.5時間焼鈍後のI(220)/I(200)が0.11以下で、圧延平行方向の表面粗さRa≦0.1μmで、かつ350℃で0.5時間焼鈍後の加工硬化指数が0.3以上0.45以下であって、無酸素銅若しくはタフピッチ銅からなり、又は無酸素銅若しくはタフピッチ銅にAg及びSnの群からなる1種以上を合計500質量ppm以下含む。
本発明の銅箔において、半軟化温度が150℃以下であることが好ましい。
又、本発明の銅箔において、前記銅箔の片面に樹脂層を積層した合計厚みが50μm以下で、幅3mm以上5mm以下の試料を用い、前記銅箔の露出面を外側として180度密着曲げを行った場合に、前記銅箔が破断するまでの曲げ回数が4回以上であることが好ましい。
本発明の銅張積層板は、前記銅箔を、樹脂層の少なくとも片面に積層してなる。
本発明の実施形態に係る銅箔は、厚み5〜30μm、圧延平行方向の表面粗さRa≦0.1μmで、かつ350℃で0.5時間焼鈍後の加工硬化指数が0.3以上0.45以下である。
[真応力]=[材料定数]×[真ひずみ]n (1)
加工硬化指数が大きいほど局所変形が起こりにくく、変形を行ったときに破断しにくい。又、加工硬化指数が高い材料は絞り加工性に優れ、プレス加工に適する。そして、銅箔を、樹脂層の少なくとも片面に積層して銅張積層板を製造し、この銅張積層板の曲げ性を評価した場合に、加工硬化指数が0.3以上の銅箔は局所変形が起こりにくく、曲げ部全体で変形を担うので、銅箔が破断しにくいと考えられる。但し、加工硬化指数が0.45を超える材料は、焼鈍後の強度が低く取り扱い性が悪化するため、銅張積層板用として適当でない。
まず、加工硬化指数は、材料の加工硬化挙動を示す値のひとつであり、この値が大きいほど、材料は加工硬化しやすい性質を持つ。ここで、材料は引張変形を受けると、局部的にくびれを起こして破断するが、加工硬化係数が大きい材料では、くびれを起こした部分が加工硬化し、くびれ部が変形しにくくなる。そのため、変形しにくいくびれ部に代わって、それ以外の部分が変形しはじめる。これを繰り返すことで、材料全体が均等に変形する。一方、伸びはそのような状況を考慮せずにマクロ的に捕らえた指標なので、伸びが大きいものでも加工硬化指数が大きいとは限らない。
最終冷間圧延時の総加工度が85%未満であると、加工度が低くなって銅箔の軟化温度が高くなるため、CCL製造時の加熱による銅の再結晶が不十分になり、加工歪みが残って曲げ性が低下する傾向にある。
そして、CCL製造工程の熱処理条件は樹脂の性質に依存するため、銅箔の再結晶温度を熱処理条件にあわせる必要がある。銅箔の再結晶温度は組成と加工度によって影響を受け、添加元素を多量に含む組成では軟化温度が高くなり過ぎる。また銅箔の組成が適正であっても、加工度が高過ぎれば常温軟化を招き、加工度が低過ぎれば軟化温度が高くなり過ぎる。
このような要因に加え、表面粗さは、加工硬化指数とは別の要因で曲げ性に影響する。表面粗さが大きく、銅箔の材料表面に切り欠き状の凹凸があると、曲げを行った際に切り欠き先端に応力が集中し、破断の原因となる。
なお、材料厚みが薄くなると油膜当量は大きくなる傾向にあるため、最終3パスにおける油膜当量の値は、徐々に大きくなる。そこで、それぞれ厚みの異なる最終3パスについて、適正な油膜当量を設定する必要がある。
最終冷間圧延において圧延油粘度と材料降伏応力が全パスで等しいとすると、油膜当量は、(圧延速度)/(噛み込み角)に比例する。材料厚みが薄くなると噛み込み角は小さくなるために、最終パスに近づくほど油膜当量は大きくなる傾向にある。また生産性を保つためには、材料長さの長い最終パスに近づくほど圧延速度を上げる必要があり、これによっても最終パスに近づくほど油膜当量は大きくなる傾向にある。
一方、最終冷間圧延における最終3パスにおいて、最終パスの2つ前の油膜当量;25000以下、最終パスの1つ前の油膜当量;30000以下、最終パスの油膜当量; 35000以下をすべて満たさないと(最終3パスのいずれかのパスで油膜当量が上記値を超えると)、銅箔の表面が粗くなり、圧延平行方向の表面粗さRaが0.1μmを超えて以下の不具合が生じる。
油膜当量を低減するために、最終パスの圧延加工度を25%以上にするのが良い。
圧延油粘度は4.0〜8.0cSt程度、圧延速度200〜600m/分、ロールの噛込角は例えば0.0005〜0.005rad、好ましくは0.001〜0.04radとすることができる。
銅箔の片面に樹脂層を積層した合計厚みが50μm以下の試料は、銅張積層板を模したものであり、その180度密着曲げの曲げ回数は、銅張積層板の曲げ性を評価したことになる。
樹脂層としては、ポリイミド;PET(ポリエチレンテレフタレート);エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂;飽和ポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができるがこれらに限定されない。又、これら樹脂層の成分を溶剤に溶かしたワニス(例えば、ポリイミドの前駆体のポリアミック酸溶液)を銅箔の片面に塗布し、加熱することで溶媒を除去して反応(例えばイミド化反応)を進行させ、硬化させてもよい。
得られた銅箔を、それぞれ200℃×0.5時間、及び350℃×0.5時間で大気焼鈍した後に引張試験(JIS-Z2241に準拠)を行い、加工硬化指数を求めた。なお、加工硬化指数は、材料が降伏した後の均一伸びと応力とを用いて求める必要があるため、伸び2%から最大応力点までの値を用いた。そして、測定した伸び及び応力から求めた真ひずみと、真応力との両対数グラフを最小自乗法で近似し、グラフの傾きから加工硬化指数を求めた。真ひずみと真応力は以下の式で求めた。
[真ひずみ]=ln(1+[ひずみ])
[真応力]=(1+[真ひずみ])×[応力]
<半軟化温度>
得られた銅箔を、それぞれ100〜400℃×0.5時間で大気焼鈍した後に引張試験を行い、熱処理条件に対する強度(引張り強さ)を求めた。焼鈍後の強度TShが、圧延上がり(焼鈍前)の強度TSasrollと、完全に軟化した状態の強度TSannealとの平均値となる焼鈍温度を、半軟化温度とした。
次に、得られた銅箔の片面に、キャスト法で厚み約20μmのポリイミド層を製膜し、片面CCLを作製した。具体的には、得られた銅箔の片面を化学処理(めっき)し、この面にポリイミド樹脂の前駆体ワニス(宇部興産製U−ワニスA)を厚さ20μmになるように塗布した。この後、130℃に設定した熱風循環式高温槽で30分乾燥し、段階的に350℃まで2000秒かけて昇温して硬化(イミド化)して樹脂層(ポリイミド層)を形成し、片面CCLを作製した。
180度密着曲げは以下の手順で行った。まず、この片面CCLを幅3.2mm、長さ30mmで試験片の長さ方向が圧延方向と平行になるように切り出して試験片とし、樹脂層面を内側にしてループ状にし、ハンドプレスで潰して180度密着曲げを行った。そして、曲げ部の断面の銅箔部分の破断の有無を光学顕微鏡で観察した。破断がなければ、密着曲げ後の試料を開き、ハンドプレスを用いて平らに伸ばした後に、同じ場所でもう一度折り返してハンドプレスで潰した。このようにして、銅箔が破断するまでの曲げ回数を求めた。
次に、得られた銅箔を、幅12.7 mm,長さ200 mmで試験片の長さ方向が圧延方向と平行になるように切り出して試験片とし、200℃で30分間加熱して再結晶させた。このものを、図1に示すIPC(アメリカプリント回路工業会)摺動屈曲装置により,IPC摺動屈曲回数の測定を行った。この装置は,発振駆動体4に振動伝達部材3を結合した構造になっており,試験片1は,矢印で示したねじ2の部分と3の先端部の計4点で装置に固定される。振動部3が上下に駆動すると,試験片1の中間部は,所定の曲率半径rでヘアピン状に屈曲される。本試験では,以下の条件下で屈曲を繰り返した時の破断までの回数を求めた。
曲率半径r:2.5 mm,振動ストローク:25mm,振動速度:1500回/分の条件で試験を行った。
得られた銅箔を、350℃×0.5時間で大気焼鈍した後,圧延面のX線回折を行い、それぞれ(220)面及び(200)面の回折ピーク強度の積分値(I)を求めた。
一方、最終冷間圧延時の総加工度を85%未満とした比較例3、6、7、8の場合、350℃で0.5時間焼鈍後の加工硬化指数が0.3未満となり、180度密着曲げを行ったときの曲げ回数が4回未満となって曲げ性が劣化した。なお、比較例1の場合、銅箔中のSnの添加量が500質量ppmを超えたために半軟化温度が150℃を超え、加工硬化指数が0.3未満となったものと考えられる。
また半軟化温度が150℃を超えた比較例1、7、8の場合、350℃で0.5時間焼鈍後の加工硬化指数が0.3未満となり、180度密着曲げを行ったときの曲げ回数が4回未満となって曲げ性が劣化した。
最終冷間圧延における最終3パスでの油膜当量のうち、最終パスの1つ前の油膜当量が30000を超えた比較例4の場合、圧延平行方向の表面粗さRaが0.1μmを超え、180度密着曲げを行ったときの曲げ回数が4回未満となって曲げ性が劣化した。
最終冷間圧延における最終3パスでの油膜当量のうち、最終パスの2つ前の油膜当量が25000を超えた比較例5の場合も、圧延平行方向の表面粗さRaが0.1μmを超え、180度密着曲げを行ったときの曲げ回数が4回未満となって曲げ性が劣化した。
Claims (6)
- インゴットを熱間圧延後に冷間圧延と焼鈍を繰り返し、最終冷間圧延時の総加工度を85%以上とし、かつ前記最終冷間圧延における最終3パスでの油膜当量を以下の条件として圧延する厚み5〜30μmの銅箔の製造方法であって、前記銅箔は、無酸素銅若しくはタフピッチ銅からなり、又は無酸素銅若しくはタフピッチ銅にAg及びSnの群からなる1種以上を合計500質量ppm以下含む銅箔の製造方法。
但し、最終パスの2つ前の油膜当量;25000以下、最終パスの1つ前の油膜当量;30000以下、最終パスの油膜当量; 35000以下 - 厚み5〜30μm、圧延平行方向の表面粗さRa≦0.1μmで、かつ350℃で0.5時間焼鈍後の加工硬化指数が0.3以上0.45以下であって、無酸素銅若しくはタフピッチ銅からなり、又は無酸素銅若しくはタフピッチ銅にAg及びSnの群からなる1種以上を合計500質量ppm以下含む銅箔。
- 厚み5〜30μm、かつ350℃で0.5時間焼鈍後のI(220)/I(200)が0.11以下で、圧延平行方向の表面粗さRa≦0.1μmで、かつ350℃で0.5時間焼鈍後の加工硬化指数が0.3以上0.45以下であって、無酸素銅若しくはタフピッチ銅からなり、又は無酸素銅若しくはタフピッチ銅にAg及びSnの群からなる1種以上を合計500質量ppm以下含む銅箔。
- 半軟化温度が150℃以下である請求項2又は3に記載の銅箔。
- 前記銅箔の片面に樹脂層を積層した合計厚みが50μm以下で、幅3mm以上5mm以下の試料を用い、前記銅箔の露出面を外側として180度密着曲げを行った場合に、前記銅箔が破断するまでの曲げ回数が4回以上である請求項2〜4のいずれかに記載の銅箔。
- 請求項2〜5のいずれかに記載の銅箔を、樹脂層の少なくとも片面に積層してなる銅張積層板。
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