JP5076497B2 - 露光装置、液体の供給方法及び回収方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
本願は、2004年2月20日に出願された特願2004−45102号に対し優先権を主張し、その内容をここに援用する。
また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度(DOF)も重要となる。解像度R、及び焦点深度δはそれぞれ以下の式で表される。
R=k1・λ/NA … (1)
δ=±k2・λ/NA2 … (2)
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k1、k2はプロセス係数である。(1)式、(2)式より、解像度Rを高めるために、露光波長λを短くして、開口数NAを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。
そして、液体を回収した後に基板の搬出や液体を介さない計測処理などの所定の処理を行うことができ、液体の飛散などの不都合の発生を防止して、露光精度及び計測精度を維持することができる。
液体供給機構10の液体供給部11より送出された液体LQは、供給管13を流れた後、供給口12より空間SPに供給されて、その空間SPを満たす構成である。したがって、液体供給部11より液体供給を開始した後、空間SPが液体LQで満たされるまでに所定時間を要する。そして、その所定時間は、単位時間あたりの液体流量(供給量)、供給管13及び供給口12を含む供給流路の容積、及び空間SPの容積(液浸領域AR2の容積)などに応じて変化する。そこで、前記所定時間に関する情報を、例えば実験やシミュレーションなどによって予め求めておくことにより、制御装置CONTは、前記所定時間とタイマー60の計測結果とに基づいて、空間SPが液体LQで満たされたか否かを判断することができる。
Claims (28)
- 基板上に局所的に形成される液浸領域の液体と投影光学系とを介して前記基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系の像面側先端部と該先端部に対向する物体との間に液体を供給する液体供給機構と、
前記液体供給機構による液体供給が開始されてからの時間を計測するタイマーと、
前記タイマーの計測結果に基づいて、前記投影光学系の像面側先端部と前記物体との間の少なくとも前記露光光の光路を含む空間が前記液体で満たされたか否かを判断する制御装置とを備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記制御装置は、前記タイマーの計測結果に基づいて、前記液体供給が開始されてからの時間が所定時間に達したときに前記空間が前記液体で満たされたと判断することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 前記液体供給機構は、液体を供給する供給口と、前記供給口に接続する流路を開閉するバルブとを有し、
前記タイマーは、前記バルブが前記流路を開けたとき、時間計測を開始することを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。 - 液体中の気体部分を検出する検出器を備え、
前記制御装置は、前記空間が前記液体で満たされたと判断した後、前記空間を満たした前記液体中の気体部分を検出することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記タイマーは、前記液体供給機構による液体供給が停止されてからの時間を計測し、
前記制御装置は、前記空間から前記液体が回収されたか否かを判断することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の露光装置。 - 基板上に局所的に形成される液浸領域の液体と投影光学系とを介して前記基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系の像面側先端部と該先端部に対向する物体との間に液体を供給する液体供給機構と、
前記液体供給機構による液体供給が停止されてからの時間を計測するタイマーと、
前記液体供給機構による液体供給中、及び液体供給が停止された後も液体を回収する液体回収機構と、
前記タイマーの計測結果に基づいて、前記投影光学系の像面側先端部と前記物体との間の空間から前記液体が回収されたか否かを判断する制御装置とを備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記制御装置は、前記タイマーの計測結果に基づいて、前記液体供給が停止されてからの時間が所定時間に達したときに前記空間から前記液体が回収されたと判断することを特徴とする請求項6記載の露光装置。
- 前記液体供給機構は、液体を供給する供給口と、前記供給口に接続する流路を開閉するバルブとを有し、
前記タイマーは、前記バルブが前記流路を閉じたとき、時間計測を開始することを特徴とする請求項6又は7記載の露光装置。 - 基板上に局所的に形成される液浸領域の液体と投影光学系とを介して前記基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系の像面側先端部と該先端部に対向する物体との間に液体を供給する液体供給機構と、
前記液体を回収する液体回収機構と、
前記液体供給機構による液体供給量を計測する第1計測器と、
前記液体回収機構による液体回収量を計測する第2計測器と、
前記第1計測器及び第2計測器の計測結果に基づいて、前記投影光学系の像面側先端部と該先端部に対向する物体との間の少なくとも前記露光光の光路を含む空間が前記液体で満たされたか否かを判断する制御装置とを備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記制御装置は、前記第1計測器の計測結果と前記第2計測器の計測結果との差が所定値以下になったとき、前記空間が前記液体で満たされたと判断することを特徴とする請求項9記載の露光装置。
- 前記制御装置は、前記第1計測器の計測結果と前記第2計測器の計測結果との差に基づいて、異常が生じたか否かを判断することを特徴とする請求項9又は10記載の露光装置。
- 前記制御装置は、前記空間が前記液体で満たされたと判断した後、前記露光光を照射することを特徴とする請求項5、9〜11のいずれか一項記載の露光装置。
- 基板上に局所的に形成される液浸領域の液体と投影光学系とを介して前記基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系の像面側先端部と該先端部に対向する物体との間の空間に液体を供給する液体供給機構と、
前記液体を回収する液体回収機構と、
前記液体供給機構による液体供給が停止された後、前記液体回収機構による液体回収量を計測する計測器と、
前記計測器の計測結果に基づいて、前記空間から前記液体が回収されたか否かを判断する制御装置とを備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記液体回収機構の回収口と前記物体とを相対移動しつつ、液体回収を行うことを特徴とする請求項13記載の露光装置。
- 前記物体は、前記基板もしくは前記基板を保持して移動可能な基板ステージを含み、
前記基板もしくは前記基板ステージ上の所定領域と前記投影光学系との間に液体が満たされることを特徴とする請求項13又は14項記載の露光装置。 - 基板との間に局所的に液浸領域が形成される投影光学系の像面側先端部と該先端部に対向する物体との間の空間に液体を供給する供給方法において、
前記空間に液体を供給するステップと、
前記供給開始後の経過時間を計測するステップと、
前記経過時間が所定時間を超えた時点で前記空間が前記液体によって満たされたと判断するステップとを有することを特徴とする供給方法。 - 基板との間に局所的に液浸領域が形成される投影光学系の像面側先端部と該先端部に対向する物体との間の空間に液体を供給する供給方法において、
前記空間への液体の供給と前記空間からの液体の回収とを同時に行うステップと、
単位時間あたりの液体の供給量と回収量とを計測するステップと、
前記供給量と前記回収量との差が所定値より小さくなった時点、または前記供給量と前記回収量との差が所定値より小さくなってから所定時間経過した時点のいずれか一方の時点で、前記空間が前記液体によって満たされたと判断するステップとを有することを特徴とする供給方法。 - 前記空間が前記液体によって満たされたと判断した後、投影光学系と前記液体とを介して基板に露光光を照射し、前記基板を露光するステップを有することを特徴とする請求項16又は17記載の供給方法。
- 基板との間に局所的に液浸領域が形成される投影光学系の像面側先端部と該先端部に対向する物体との間の空間に満たされた液体を回収する回収方法において、
前記空間への液体の供給と前記空間からの液体の回収とを同時に行うステップと、
前記液体の供給を停止するステップと、
前記停止後の経過時間を計測するステップと、
前記経過時間が所定時間を超えた時点で前記空間を満たしていた液体の回収が完了したと判断するステップとを有することを特徴とする回収方法。 - 基板との間に局所的に液浸領域が形成される投影光学系の像面側先端部と該先端部に対向する物体との間の空間に満たされた液体を回収する回収方法において、
前記空間への液体の供給と前記空間からの液体の回収とを同時に行うステップと、
単位時間あたりの液体の供給量と回収量とを計測するステップと、
前記液体の供給を停止するステップと、
前記回収量が所定量よりも小さくなった時点、または前記回収量が所定値よりも小さくなってから所定時間経過した時点のいずれか一方の時点で、前記空間を満たしていた液体の回収が完了したと判断するステップとを有することを特徴とする回収方法。 - 前記液体供給の停止に先立って、前記投影光学系と前記液体とを介して基板に露光光を照射して前記基板を露光するステップと、
前記空間を満たしていた液体の回収が完了したと判断した後、前記基板を搬出するステップとを有することを特徴とする請求項19又は20記載の回収方法。 - 投影光学系の像面側先端部と該先端部に対向する物体との間の空間に液体を供給し、該液体を介して前記物体を露光する露光方法において、
請求項16〜18のいずれか一項記載の供給方法を用いて液体を供給するステップを含むことを特徴とする露光方法。 - 投影光学系の像面側先端部と該先端部に対向する物体との間の空間に液体を供給し、該液体を介して前記物体を露光する露光方法において、
請求項19〜21のいずれか一項記載の回収方法を用いて液体を回収するステップを含むことを特徴とする露光方法。 - 請求項1〜15のいずれか一項記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
- 前記液体供給機構による液体供給中に液体を回収する液体回収機構を備え、
前記制御装置は、前記タイマーの計測結果および前記液体回収機構からの情報に基づいて、前記空間が前記液体で満たされたか否かを判断することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記タイマーの計測結果は、前記液体供給が開始されてからの時間を含むことを特徴とする請求項25記載の露光装置。
- 前記液体回収機構からの情報は、前記液体供給機構による単位時間あたりの液体の回収量を含むことを特徴とする請求項25又は26に記載の露光装置。
- 前記液体供給機構による液体供給中に液体を回収する液体回収機構を備え、
前記制御装置は、前記液体供給が開始されてから定められた時間が経過した後に前記前記液体回収機構による液体回収量が予め設定された量に至らない場合に、警告を発することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載の露光装置。
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---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013214761A (ja) * | 2003-07-28 | 2013-10-17 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG157962A1 (en) | 2002-12-10 | 2010-01-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
EP3229077A1 (en) | 2003-04-09 | 2017-10-11 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and method for fabricating device |
DE602004024295D1 (de) | 2003-04-11 | 2010-01-07 | Nippon Kogaku Kk | Reinigungsverfahren für optik in immersionslithographie |
TWI612556B (zh) | 2003-05-23 | 2018-01-21 | Nikon Corp | 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法 |
TWI511179B (zh) | 2003-10-28 | 2015-12-01 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
TWI519819B (zh) | 2003-11-20 | 2016-02-01 | 尼康股份有限公司 | 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法 |
TWI389174B (zh) | 2004-02-06 | 2013-03-11 | 尼康股份有限公司 | 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法 |
JP5076497B2 (ja) | 2004-02-20 | 2012-11-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、液体の供給方法及び回収方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
CN105911821B (zh) | 2004-06-09 | 2019-03-15 | 株式会社尼康 | 曝光装置 |
ATE441937T1 (de) * | 2004-07-12 | 2009-09-15 | Nikon Corp | Belichtungsgerät und bauelemente- herstellungsverfahren |
EP1796146B1 (en) | 2004-09-17 | 2013-01-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device |
US20080100811A1 (en) * | 2004-12-07 | 2008-05-01 | Chiaki Nakagawa | Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method |
KR101544336B1 (ko) | 2005-05-12 | 2015-08-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
US7760324B2 (en) * | 2006-03-20 | 2010-07-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2023207A1 (en) | 2007-08-10 | 2009-02-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
KR101562073B1 (ko) | 2007-10-16 | 2015-10-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR101546987B1 (ko) | 2007-10-16 | 2015-08-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101695034B1 (ko) | 2008-05-28 | 2017-01-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 공간 광 변조기의 검사 장치, 조명 광학계, 노광 장치, 검사 방법, 조명 광학계의 조정 방법, 조명 방법, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63157419A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPH04190873A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-09 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置 |
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH0845816A (ja) * | 1994-07-28 | 1996-02-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 液体供給装置 |
JPH09283430A (ja) * | 1996-04-11 | 1997-10-31 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH11233406A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-08-27 | Toshiba Corp | 基板処理方法及びその装置 |
WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2001345263A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-12-14 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2005019616A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP2005159322A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
JP2005191394A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP4362867B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4548341B2 (ja) * | 2004-02-10 | 2010-09-22 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、メンテナンス方法及び露光方法 |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JP3246615B2 (ja) | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
JPH06188169A (ja) | 1992-08-24 | 1994-07-08 | Canon Inc | 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US5874820A (en) * | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5623853A (en) * | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US6297871B1 (en) * | 1995-09-12 | 2001-10-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
CN1244018C (zh) * | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 曝光方法和曝光装置 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP2000505958A (ja) | 1996-12-24 | 2000-05-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 2個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US6208407B1 (en) * | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
TWI249082B (en) | 2002-08-23 | 2006-02-11 | Nikon Corp | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
CN101470360B (zh) * | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
JP4352874B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP2261742A3 (en) * | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
KR101403117B1 (ko) | 2003-07-28 | 2014-06-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법 |
US7061578B2 (en) * | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
JP5076497B2 (ja) | 2004-02-20 | 2012-11-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、液体の供給方法及び回収方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
-
2005
- 2005-02-17 JP JP2006510223A patent/JP5076497B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 2005-02-18 TW TW094104737A patent/TW200530766A/zh unknown
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63157419A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPH04190873A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-09 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置 |
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JPH0845816A (ja) * | 1994-07-28 | 1996-02-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 液体供給装置 |
JPH09283430A (ja) * | 1996-04-11 | 1997-10-31 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH11233406A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-08-27 | Toshiba Corp | 基板処理方法及びその装置 |
WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2001345263A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-12-14 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP4362867B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005019616A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP2005159322A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
JP2005191394A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP4548341B2 (ja) * | 2004-02-10 | 2010-09-22 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、メンテナンス方法及び露光方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013214761A (ja) * | 2003-07-28 | 2013-10-17 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
JP2014017527A (ja) * | 2003-07-28 | 2014-01-30 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060129490A (ko) | 2006-12-15 |
TW200530766A (en) | 2005-09-16 |
US20080100810A1 (en) | 2008-05-01 |
EP1727188A4 (en) | 2008-11-26 |
KR101106497B1 (ko) | 2012-01-20 |
US8023100B2 (en) | 2011-09-20 |
EP1727188A1 (en) | 2006-11-29 |
WO2005081292A1 (ja) | 2005-09-01 |
JPWO2005081292A1 (ja) | 2007-10-25 |
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JP4973754B2 (ja) | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
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