JP4884871B2 - 塗布方法及び塗布装置 - Google Patents

Description

本発明は、浮上搬送方式で被処理基板上に処理液の塗布膜を形成する塗布方法および塗布装置に関する。

ＬＣＤ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程には、スリット状の吐出口を有する長尺形のレジストノズルを走査して被処理基板（ガラス基板等）上にレジスト液を塗布するスピンレスの塗布法がよく用いられている。

このようなスピンレス塗布法の一形式として、たとえば特許文献１に開示されるように、基板を支持するためのステージを浮上式に構成し、ステージ上で基板を空中に浮かせたまま水平な一方向（ステージ長手方向）に搬送し、搬送途中の所定位置でステージ上方に設置した長尺形レジストノズルより直下を通過する基板に向けてレジスト液を帯状に吐出させることにより、基板上の一端から他端までレジスト液を塗布するようにした浮上搬送方式が知られている。

かかる浮上搬送方式は、基板を浮上させるためにステージ上面の全領域に高圧または正圧のガスたとえばエアを噴出する噴出口を所定の密度で多数設けるだけでなく、基板搬送方向においてレジストノズルの直下およびその前後の一定範囲に亘るステージ上面の塗布領域には噴出口に混在させて負圧でエアを吸い込む吸引口を所定の密度で多数設けており、塗布領域を通過する基板に対して噴出口より加えられる垂直上向きの圧力と吸引口より加えられる垂直下向きの圧力とのバランスを制御して基板に精密な浮上圧力を与えるようにしている。通常、噴出口および吸引口のいずれも平面視で丸穴の形状を有しており、搬送方向（Ｘ方向）およびそれと直交する水平方向（Ｙ方向）に一定間隔で格子状またはマトリクス状に配置される。

このような浮上搬送方式は、従来一般のノズル移動方式、つまり吸着式のステージ上に基板を固定してその上方で長尺形レジストノズルを水平方向に移動させながらレジスト液を帯状に吐出させることにより基板上の一端から他端までレジスト液を塗布する方式と比較して、長尺形レジストノズルを固定したまま塗布走査を行えるので、基板の大型化（つまりレジストノズルの重厚長大化）に有利とされている。
特開平２００５−２４４１５５

しかしながら、浮上搬送方式を採用する従来のレジスト塗布装置においては、噴出口と吸引口とが混在するステージ塗布領域を基板が通過する際、基板の前端が各噴出口または各吸引口をほぼ完全に覆う瞬間に該噴出口または各吸引口から受ける吐出圧力または吸気圧力が急激に変動して基板に鉛直方向の振動が生じ、また基板の後端が各噴出口または各吸引口を大気に開放する瞬間にも該噴出口または各吸引口から受ける吐出圧力または吸気圧力が急激に変動して基板に鉛直方向の振動が生じる。その結果、基板上に形成されるレジスト塗布膜の両端部（基板先端部および後端部）に、搬送方向に一定間隔を置いて複数の線が縞状に現れる。つまり、縞状の塗布むらが生じる。

この種の縞状塗布むらは基板の先端または後端に最も近い線ほど最も濃く（太く）現れ、基板の中心部に向かって次第に線が薄く（細く）なる傾向がある。また、縞状塗布むらのピッチは、搬送方向における噴出口および吸引口の配列ピッチに比例する。したがって、噴出口および吸引口の配列ピッチを小さくするほど縞状塗布むらを全体的に基板の先端側および後端側に寄せることができるが、決して無くなるわけではなく、縞状塗布むらによってレジスト塗布膜の膜厚品質が低下することに変わりはない。

本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、浮上搬送方式において被処理基板上に形成される処理液の塗布膜に縞状の塗布むらが生じるのを効果的に低減ないし抑制して、塗布膜の膜厚品質を向上させるようにした塗布方法および塗布装置を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の塗布装置は、気体を噴出する多数の噴出口と気体を吸い込む多数の吸引口とが混在して設けられた第１の浮上領域を有するステージと、被処理基板を前記ステージ上で浮かせた状態で所定の搬送方向に前記第１の浮上領域を通過させる基板搬送部と、前記第１の浮上領域の上方に配置されるノズルを有し、前記基板上に処理液を供給するために前記ノズルより前記処理液を吐出させる処理液供給部と、前記噴出口および前記吸引口の少なくとも一方の上端部から前記搬送方向に対して平行または鋭角の角度で傾いた第１の方向に延びるように、前記第１の浮上領域内の前記ステージ上面に形成された長溝とを有する。

本発明の塗布方法は、ステージ上に搬送方向に沿って、被処理基板よりもサイズの大きい搬入領域と、前記基板よりもサイズの小さい塗布領域と、前記基板よりもサイズの大きい搬出領域とをこの順に一列に設定し、前記ステージの上面に設けた多数の噴出口より噴出する気体の圧力で前記基板を浮かせ、少なくとも前記塗布領域では、前記ステージの上面に前記噴出口と混在する多数の吸引口を設けて、前記塗布領域を通過する前記基板に対して前記噴出口より加えられる垂直上向きの圧力と前記吸引口より加えられる垂直下向きの圧力とのバランスを制御して前記基板に所望の浮上圧力を与え、前記基板を前記搬入領域から前記搬出領域まで搬送する途中、前記塗布領域内で上方に配置したノズルより処理液を吐出させて前記基板上に前記処理液を塗布する塗布方法であって、前記ステージの上面に、前記噴出口または前記吸引口の上端部から前記搬送方向に対して平行または鋭角の角度で傾いた方向に延びる長溝が形成されている。

上記の構成においては、ステージ上で基板が浮上搬送で第１の浮上領域（塗布領域）を通過する際、基板の前端が各噴出口または各吸引口を塞ぐ瞬間に受ける空撃作用および基板の後端が各噴出口または各吸引口を大気に開放する瞬間に受ける空撃作用が当該噴出口または吸引口に連続している長溝の圧力分散機能によって緩和され、これによって縞状の塗布むらが抑制される。

好ましくは、噴出口または吸引口の上端部から搬送方向に倣う向きと逆らう向きの二手に長溝を形成する構成としてよい。噴出口または吸引口の片側にだけ長溝を付設する場合は、搬送方向においてノズルの吐出口よりも上流側の場所では噴出口または吸引口の上端部から搬送方向に逆らう向きに長溝を形成し、ノズルの吐出口よりも下流側の場所では噴出口または吸引口の上端部から搬送方向に倣う向きに長溝を形成するのが好ましい。

第１の浮上領域内では、基板の浮上高さを安定させるうえで、全ての噴出口および吸引口に長溝を付設する構成が好ましいが、他の条件との兼ね合いで長溝の付いていない噴出口または吸引口を混在させる構成も可能である。

本発明の好適な一態様によれば、各長溝が、当該噴出口または吸引口と近接する少なくとも１つの他の噴出口または吸引口を第１の方向において越える位置まで延びる。かかる構成においては、各長溝は、それと連続している噴出口または吸引口における空撃作用を上記のような圧力分散機能によって弱める働きをするだけでなく、それとオーバーラップして隣接する他の噴出口または吸引口における空撃作用を吸収する形で弱めることができる。

長溝の深さや幅（太さ）のプロファイルは、任意に選択できる。好適な一態様における長溝は、噴出口または吸引口の上端部で最も深く、そこから溝先端に向かってテーパ状に次第に浅くなるように形成される。

また、噴出口および吸引口の配列パターンについて、本発明の好適な一態様によれば、第１の方向の一直線上に第１の間隔を置いて噴出口のみを多数個配置する噴出ラインが、第１の方向と直交する第２の方向に第１のピッチで複数本並べられ、第１の方向の一直線上に第２の間隔を置いて吸引口のみを多数個位置する吸引ラインが、第２の方向に噴出ラインからオフセットし、かつ第２のピッチで複数本並べられる。かかる配列パターンにおいては、噴出ラインと吸引ラインとが平行かつ交互に並べられるので、第２の方向においては各噴出口に連続する長溝がそれと隣接する他の吸引口とオーバーラップし、各吸引口に連続する長溝がそれと隣接する他の噴出口とオーバーラップする。

本発明の別の一態様として、第１の方向の一直線上に第１の間隔を置いて噴出口と吸引口とを交互に多数個配置する噴出・吸引混在ラインを、第１の方向と直交する第２の方向に第２の間隔を置いて複数本並べる構成も可能である。

また、本発明の好適な一態様によれば、ステージ上で第１の方向と直交する第２の方向に延びる任意の直線上に位置する噴出口または吸引口の個数が、第１の方向から見てそれと直交する第２の方向に一列に並ぶ噴出口または吸引口の個数よりも少なくなるように、好ましくは１／２以下になるように、噴出口および吸引口の配列パターンが採られる。かかる配列パターンにおいては、噴出口および吸引口の密度を下げなくても、浮上搬送中に基板の前端が同時に塞ぐ噴出口または吸引口の個数および基板の後端が同時に大気に解放する噴出口または吸引口の個数を少なくすることが可能である。

本発明の好適な一態様においては、基板は矩形であり、基板搬送部は基板の一対の辺が搬送方向と平行で他の一対の辺が搬送方向と直交するようにして基板をステージ上で搬送する。

また、本発明の好適な一態様においては、ノズルの吐出口の直下における基板の浮上高さを可変制御するために、噴出口に供給する気体の圧力および吸引口に供給する真空の圧力の少なくとも一方を制御する浮上圧力制御部が設けられる。また、ノズルを鉛直方向で昇降移動させるためのノズル昇降部も設けられる。

本発明の塗布方法は、ステージ上に搬送方向に沿って、被処理基板よりもサイズの大きい搬入領域と、前記基板よりもサイズの小さい塗布領域と、前記基板よりもサイズの大きい搬出領域とをこの順に一列に設定し、前記ステージの上面に設けた多数の噴出口より噴出する気体の圧力で前記基板を浮かせ、少なくとも前記塗布領域では、前記ステージの上面に前記噴出口と混在する多数の吸引口を設けて、前記塗布領域を通過する前記基板に対して前記噴出口より加えられる垂直上向きの圧力と前記吸引口より加えられる垂直下向きの圧力とのバランスを制御して前記基板に所望の浮上圧力を与え、前記基板を前記搬入領域から前記搬出領域まで搬送する途中、前記塗布領域内で上方に配置したノズルより処理液を吐出させて前記基板上に前記処理液を塗布する塗布方法であって、前記ステージの上面に、前記噴出口または前記吸引口の上端部から前記搬送方向に対して平行または鋭角の角度で傾いた方向に延びる長溝が形成されている。

本発明の塗布方法は、好適な一態様として、前記ノズルの吐出口の直下付近に設定された基準位置に前記基板の先端が着く前の第１の期間中は前記基板に対する浮上圧力を第１の設定圧力付近に保持する工程と、前記基板の先端が前記基準位置から搬送方向の下流側へ第１の距離だけ移動するまでの第２の期間中は前記基板に対する浮上圧力を前記第１の設定圧力からそれよりも高い第２の設定圧力まで所定の波形で上げる工程と、前記第２の期間の終了時から前記基板の後端が前記基準位置より第２の距離だけ上流側の位置を通過するまでの第３の期間中は前記基板に対する浮上圧力を前記第２の設定圧力付近に保持する工程と、前記第３の期間の終了時から前記基板の後端が前記基準位置を通過するまでの第４の期間中は前記基板に対する浮上圧力を前記第２の設定圧力付近からそれよりも低い第３の設定圧力まで所定の波形で下げる工程とを有する。かかる圧力制御によれば、基板の前端部および後端部における塗布膜の膜厚変動を低減することができる。

本発明の塗布方法は、別の好適な一態様として、前記ノズルの吐出口の直下付近に設定された基準位置に前記基板の先端が着く前の第１の期間中は前記ステージに対する前記ノズル吐出口の高さを第１のレベルに保持する工程と、前記基板の先端が前記基準位置から第１の距離だけ移動するまでの第２の期間中は前記ステージに対する前記ノズル吐出口の高さを前記第１のレベルよりも低い第２のレベルまで所定の波形で減少させる工程と、前記第２の期間の終了時から前記基板の後端が前記基準位置より第２の距離だけ手前の位置を通過するまでの第３の期間中は前記ステージに対する前記ノズル吐出口の高さを前記第２のレベル付近に保持する工程と、前記第３の期間の終了時から前記基板の後端が前記基準位置を通過するまでの第４の期間中は前記ステージに対する前記ノズル吐出口の高さを前記第２のレベル付近からそれよりも高い第３のレベルまで所定の波形で増大させる工程とを有する。このようなノズル高さ制御によっても、基板の前端部および後端部における塗布膜の膜厚変動を低減することができる。

本発明の塗布方法または塗布装置によれば、上記のような構成および作用により、浮上搬送方式において被処理基板上に形成される処理液の塗布膜に縞状の塗布むらが生じるのを効果的に低減ないし抑制して、塗布膜の膜厚品質を向上させることができる。

以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。

図１に、本発明の塗布方法および塗布装置の適用可能な構成例として塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システムは、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ用の矩形のガラス基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベークの各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置（図示せず）で行われる。

この塗布現像処理システムは、大きく分けて、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２と、インタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４とで構成される。

システムの一端部に設置されるカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを所定数たとえば４個まで載置可能なカセットステージ１６と、このカセットステージ１６上の側方でかつカセットＣの配列方向と平行に設けられた搬送路１７と、この搬送路１７上で移動自在でステージ１６上のカセットＣについて基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２０とを備えている。この搬送機構２０は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アームを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、後述するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２側の搬送装置３８と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。

プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２は、上記カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０側から順に洗浄プロセス部２２と、塗布プロセス部２４と、現像プロセス部２６とを基板中継部２３、薬液供給ユニット２５およびスペース２７を介して（挟んで）横一列に設けている。

洗浄プロセス部２２は、２つのスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２８と、上下２段の紫外線照射／冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）３０と、加熱ユニット（ＨＰ）３２と、冷却ユニット（ＣＯＬ）３４とを含んでいる。

塗布プロセス部２４は、スピンレス方式のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０と、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２と、上下２段型アドヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）４６と、上下２段型加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）４８と、加熱ユニット（ＨＰ）５０とを含んでいる。

現像プロセス部２６は、３つの現像ユニット（ＤＥＶ）５２と、２つの上下２段型加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）５３と、加熱ユニット（ＨＰ）５５とを含んでいる。

各プロセス部２２，２４，２６の中央部には長手方向に搬送路３６，５１，５８が設けられ、搬送装置３８，５４，６０がそれぞれ搬送路３６，５１，５８に沿って移動して各プロセス部内の各ユニットにアクセスし、基板Ｇの搬入／搬出または搬送を行うようになっている。なお、このシステムでは、各プロセス部２２，２４，２６において、搬送路３６，５１，５８の一方の側に液処理系のユニット（ＳＣＲ，ＣＴ，ＤＥＶ等）が配置され、他方の側に熱処理系のユニット（ＨＰ，ＣＯＬ等）が配置されている。

システムの他端部に設置されるインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４は、プロセスステーション１２と隣接する側にイクステンション（基板受け渡し部）５６およびバッファステージ５７を設け、露光装置と隣接する側に搬送機構５９を設けている。この搬送機構５９は、Ｙ方向に延在する搬送路１９上で移動自在であり、バッファステージ５７に対して基板Ｇの出し入れを行なうほか、イクステンション（基板受け渡し部）５６や隣の露光装置と基板Ｇの受け渡しを行うようになっている。

図２に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０において、搬送機構２０が、カセットステージ１６上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２の洗浄プロセス部２２の搬送装置３８に渡す（ステップＳ1）。

洗浄プロセス部２２において、基板Ｇは、先ず紫外線照射／冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）３０に順次搬入され、最初の紫外線照射ユニット（ＵＶ）では紫外線照射による乾式洗浄を施され、次の冷却ユニット（ＣＯＬ）では所定温度まで冷却される（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。

次に、基板Ｇはスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２８の１つでスクラビング洗浄処理を受け、基板表面から粒子状の汚れが除去される（ステップＳ3）。スクラビング洗浄の後、基板Ｇは、加熱ユニット（ＨＰ）３２で加熱による脱水処理を受け（ステップＳ4）、次いで冷却ユニット（ＣＯＬ）３４で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。これで洗浄プロセス部２２における前処理が終了し、基板Ｇは、搬送装置３８により基板受け渡し部２３を介して塗布プロセス部２４へ搬送される。

塗布プロセス部２４において、基板Ｇは、先ずアドヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）４６に順次搬入され、最初のアドヒージョンユニット（ＡＤ）では疎水化処理（ＨＭＤＳ）を受け（ステップＳ6）、次の冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。

その後、基板Ｇは、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０でスピンレス法によりレジスト液を塗布され、次いで減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２で減圧による乾燥処理を受ける（ステップＳ8）。

次に、基板Ｇは、加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）４８に順次搬入され、最初の加熱ユニット（ＨＰ）では塗布後のベーキング（プリベーク）が行われ（ステップＳ9）、次に冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。なお、この塗布後のベーキングに加熱ユニット（ＨＰ）５０を用いることもできる。

上記塗布処理の後、基板Ｇは、塗布プロセス部２４の搬送装置５４と現像プロセス部２６の搬送装置６０とによってインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４へ搬送され、そこから露光装置に渡される（ステップＳ11）。露光装置では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンを露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置からインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４に戻される。インタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４の搬送機構５９は、露光装置から受け取った基板Ｇをイクステンション５６を介してプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２の現像プロセス部２６に渡す（ステップＳ11）。

現像プロセス部２６において、基板Ｇは、現像ユニット（ＤＥＶ）５２のいずれか１つで現像処理を受け（ステップＳ12）、次いで加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）５３の１つに順次搬入され、最初の加熱ユニット（ＨＰ）ではポストベーキングが行われ（ステップＳ13）、次に冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ14）。このポストベーキングに加熱ユニット（ＨＰ）５５を用いることもできる。

現像プロセス部２６での一連の処理が済んだ基板Ｇは、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２内の搬送装置６０，５４，３８によりカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０まで戻され、そこで搬送機構２０によりいずれか１つのカセットＣに収容される（ステップＳ1）。

この塗布現像処理システムにおいては、たとえば塗布プロセス部２４のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０に本発明を適用することができる。以下、図３〜図４０につき本発明をレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０に適用した一実施形態を説明する。

図３に、この実施形態におけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０および減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２の全体構成を示す。

図３に示すように、支持台または支持フレーム７０の上にレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０と減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２とがＸ方向に横一列に配置されている。塗布処理を受けるべき新たな基板Ｇは、搬送路５１側の搬送装置５４（図１）により矢印Ｆ_Aで示すようにレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０に搬入される。レジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０で塗布処理の済んだ基板Ｇは、支持台７０上のガイドレール７２に案内されるX方向に移動可能な搬送アーム７４により、矢印Ｆ_Bで示すように減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２に転送される。減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２で乾燥処理を終えた基板Ｇは、搬送路５１側の搬送装置５４（図１）により矢印Ｆ_Cで示すように引き取られる。

レジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０は、Ｘ方向に長く延びるステージ７６を有し、このステージ７６上で基板Ｇを同方向に平流しで搬送しながら、ステージ７６の上方に配置された長尺形のレジストノズル７８より基板Ｇ上にレジスト液を供給して、スピンレス法で基板上面（被処理面）に一定膜厚のレジスト塗布膜を形成するように構成されている。ユニット（ＣＴ）４０内の各部の構成および作用は後に詳述する。

減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２は、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバ８０と、この下部チャンバ８０の上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバ（図示せず）とを有している。下部チャンバ８０はほぼ四角形で、中心部には基板Ｇを水平に載置して支持するためのステージ８２が配設され、底面の四隅には排気口８３が設けられている。各排気口８３は排気管（図示せず）を介して真空ポンプ（図示せず）に通じている。下部チャンバ８０に上部チャンバを被せた状態で、両チャンバ内の密閉された処理空間を該真空ポンプにより所定の真空度まで減圧できるようになっている。

図４および図５に、本発明の一実施形態におけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０内のより詳細な全体構成を示す。

この実施形態のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０においては、ステージ７６が、ノズル移動方式のように基板Ｇを固定保持する載置台として機能するのではなく、基板Ｇを空気圧の力で空中に浮かせるための基板浮上台として機能する。そして、ステージ７６の両サイドに配置されている直進運動型の基板搬送部８４が、ステージ７６上で浮いている基板Ｇの両側縁部をそれぞれ着脱可能に保持してステージ長手方向（Ｘ方向）に基板Ｇを搬送するようになっている。なお、ステージ７６上で搬送される基板Ｇは、ほぼ水平な姿勢で、その一対の辺が搬送方向（Ｘ方向）と平行で、他の一対の辺が搬送方向と直交している。

ステージ７６は、その長手方向（Ｘ方向）において５つの領域Ｍ₁，Ｍ₂，Ｍ₃，Ｍ₄，Ｍ₅に分割されている（図５）。左端の領域Ｍ₁は搬入領域であり、塗布処理を受けるべき新規の基板Ｇはこの領域Ｍ₁内の所定位置に搬入される。この搬入領域Ｍ₁には、搬送装置５４（図１）の搬送アームから基板Ｇを受け取ってステージ７６上にローディングするためにステージ下方の原位置とステージ上方の往動位置との間で昇降移動可能な複数本のリフトピン８６が所定の間隔を置いて設けられている。これらのリフトピン８６は、たとえばエアシリンダ（図示せず）を駆動源に用いる搬入用のリフトピン昇降部８５（図１３）によって昇降駆動される。

この搬入領域Ｍ₁は浮上式の基板搬送が開始される領域でもあり、この領域内のステージ上面には基板Ｇを搬入用の浮上高さまたは浮上量Ｈ_aで浮かせるために高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴出口８８が一定の密度で多数設けられている。ここで、搬入領域Ｍ₁における基板Ｇの浮上量Ｈ_aは、特に高い精度を必要とせず、たとえば２５０〜３５０μｍの範囲内に保たれればよい。また、搬送方向（Ｘ方向）において、搬入領域Ｍ₁のサイズは基板Ｇのサイズを上回っているのが好ましい。さらに搬入領域Ｍ₁には、基板Ｇをステージ７６上で位置合わせするためのアライメント部（図示せず）も設けられてよい。

ステージ７６の中心部に設定された領域Ｍ₃はレジスト液供給領域または塗布領域であり、基板Ｇはこの塗布領域Ｍ₃を通過する際に上方のレジストノズル７８からレジスト液Ｒの供給を受ける。塗布領域Ｍ₃における基板浮上量Ｈ_bはノズル７８の下端（吐出口）と基板上面（被処理面）との間の塗布ギャップＳ（たとえば２４０μｍ）を規定する。この塗布ギャップＳはレジスト塗布膜の膜厚やレジスト消費量を左右する重要なパラメータであり、高い精度で一定に維持される必要がある。このことから、塗布領域Ｍ₃のステージ上面には、たとえば図６に示すような配列パターンで、基板Ｇを所望の浮上量Ｈ_bで浮かせるために高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴出口８８と負圧で空気を吸い込む吸引口９０とを混在させて設けている。そして、基板Ｇの塗布領域Ｍ₃内に位置している部分に対して、噴出口８８から圧縮空気による垂直上向きの力を加えると同時に、吸引口９０より負圧吸引力による垂直下向きの力を加えて、相対抗する双方向の力のバランスを制御することで、塗布用の浮上量Ｈ_bを設定値（たとえば３０〜５０μｍ）付近に維持するようにしている。

搬送方向（Ｘ方向）における塗布領域Ｍ₃のサイズは、レジストノズル７８の直下に上記のような狭い塗布ギャップＳを安定に形成できるほどの余裕があればよく、通常は基板Ｇのサイズよりも小さくてよく、たとえば１／３〜１／４程度でよい。レジストノズル７８は、搬送方向（Ｘ方向）において塗布領域Ｍ₃の中心付近に配置されてよい。

図６に示すように、塗布領域Ｍ₃においては、全ての噴出口８８および吸引口９０に搬送方向（Ｘ方向）と平行に延びる長溝８８ｍ，９０ｍが付いている。図７Ａおよび図７Ｂに示すように、噴出口８８および吸引口９０は、ステージ７８の中または下部を走る圧縮空気供給路８９およびバキュ−ム供給路９１にそれぞれ連通している。長溝８８ｍ，９０ｍは、噴出口８８，吸引口９０の上端部から搬送方向（Ｘ方向）に倣う向きと逆らう向きに二手にまっすぐ延びており、根元（噴出口８８，吸引口９０の縁部）の部分が最も深く、先端に向かってテーパ状に次第に浅くなっている。長溝８８ｍ，９０ｍの作用は、後に詳しく説明する。

再び図５において、搬入領域Ｍ₁と塗布領域Ｍ₃との間に設定された中間の領域Ｍ₂は、搬送中に基板Ｇの浮上高さ位置を搬入領域Ｍ₁における浮上量Ｈ_aから塗布領域Ｍ₃における浮上量Ｈ_bへ変化または遷移させるための遷移領域である。この遷移領域Ｍ₂内でもステージ７６の上面に噴出口８８と吸引口９０とを混在させて配置することができる。その場合は、吸引口９０の密度を搬送方向に沿って次第に大きくし、これによって搬送中に基板Ｇの浮上量が漸次的にＨ_aからＨ_bに移るようにしてよい。あるいは、この遷移領域Ｍ₂においては、吸引口９０を含まずに噴出口８８だけを設ける構成も可能である。

塗布領域Ｍ₃の下流側隣の領域Ｍ₄は、搬送中に基板Ｇの浮上量を塗布用の浮上量Ｈ_bから搬出用の浮上量Ｈ_c（たとえば２５０〜３５０μｍ）に変えるための遷移領域である。この遷移領域Ｍ₄でも、ステージ７６の上面に噴出口８８と吸引口９０とを混在させて配置してもよく、その場合は吸引口９０の密度を搬送方向に沿って次第に小さくするのがよい。あるいは、吸引口９０を含まずに噴出口８８だけを設ける構成も可能である。

ステージ７６の下流端（右端）の領域Ｍ₅は搬出領域である。レジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０で塗布処理を受けた基板Ｇは、この搬出領域Ｍ₅内の所定位置または搬出位置から搬送アーム７４（図３）によって下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２（図３）へ搬出される。この搬出領域Ｍ₅には、基板Ｇを搬出用の浮上量Ｈ_cで浮かせるための噴出口８８がステージ上面に一定の密度で多数設けられているとともに、基板Ｇをステージ７６上からアンローディングして搬送アーム７４（図３）へ受け渡すためにステージ下方の原位置とステージ上方の往動位置との間で昇降移動可能な複数本のリフトピン９２が所定の間隔を置いて設けられている。これらのリフトピン９２は、たとえばエアシリンダ（図示せず）を駆動源に用いる搬出用のリフトピン昇降部９１（図１３）によって昇降駆動される。

レジストノズル７８は、ステージ７６上の基板Ｇを一端から他端までカバーできる長さで搬送方向と直交する水平方向（Ｙ方向）に延びる長尺状のノズル本体の下端にスリット状の吐出口７８ａを有し、門形または逆さコ字形のノズル支持体１３０に昇降可能に取り付けられ、レジスト液供給機構９５（図１３）からのレジスト液供給管９４（図４）に接続されている。

図４、図８および図９に示すように、基板搬送部８４は、ステージ７６の左右両サイドに平行に配置された一対のガイドレール９６と、各ガイドレール９６上に軸方向（Ｘ方向）に移動可能に取り付けられたスライダ９８と、各ガイドレール９６上でスライダ９８を直進移動させる搬送駆動部１００と、各スライダ９８からステージ７６の中心部に向かって延びて基板Ｇの左右両側縁部を着脱可能に保持する保持部１０２とをそれぞれ有している。

ここで、搬送駆動部１００は、直進型の駆動機構たとえばリニアモータによって構成されている。また、保持部１０２は、基板Ｇの左右両側縁部の下面に真空吸着力で結合する吸着パッド１０４と、先端部で吸着パッド１０４を支持し、スライダ９８側の基端部を支点として先端部の高さ位置を変えられるように弾性変形可能な板バネ型のパッド支持部１０６とをそれぞれ有している。吸着パッド１０４は一定のピッチで一列に配置され、パッド支持部１０６は各々の吸着パッド１０４を独立に支持している。これにより、個々の吸着パッド１０４およびパッド支持部１０６が独立した高さ位置で（異なる高さ位置でも）基板Ｇを安定に保持できるようになっている。

図８および図９に示すように、この実施形態におけるパッド支持部１０６は、スライダ９８の内側面に昇降可能に取り付けられた板状のパッド昇降部材１０８に取り付けられている。スライダ９８に搭載されているたとえばエアシリンダからなるパッドアクチエータ１０９（図１３）が、パッド昇降部材１０８を基板Ｇの浮上高さ位置よりも低い原位置（退避位置）と基板Ｇの浮上高さ位置に対応する往動位置（結合位置）との間で昇降移動させるようになっている。

図１０に示すように、各々の吸着パッド１０４は、たとえば合成ゴム製で直方体形状のパッド本体１１０の上面に複数個の吸引口１１２を設けている。これらの吸引口１１２はスリット状の長穴であるが、丸や矩形の小孔でもよい。吸着パッド１０４には、たとえば合成ゴムからなる帯状のバキューム管１１４が接続されている。これらのバキューム管１１４の管路１１６はパッド吸着制御部１１５（図１３）の真空源にそれぞれ通じている。

保持部１０２においては、図４に示すように、片側一列の真空吸着パッド１０４およびパッド支持部１０６が１組毎に分離している分離型または完全独立型の構成が好ましい。しかし、図１１に示すように、切欠き部１１８を設けた一枚の板バネで片側一列分のパッド支持部１２０を形成してその上に片側一列の真空吸着パッド１０４を配置する一体型の構成も可能である。

上記のように、ステージ７６の上面に形成された多数の噴出口８８およびそれらに浮上力発生用の圧縮空気を供給する圧縮空気供給機構１２２（図１２）、さらにはステージ７６の塗布領域Ｍ₃内に噴出口８８と混在して形成された多数の吸引口９０およびそれらに真空の圧力を供給するバキューム供給機構１２４（図１２）により、搬入領域Ｍ₁や搬出領域Ｍ₅では基板Ｇを搬入出や高速搬送に適した浮上量で浮かせ、塗布領域Ｍ₃では基板Ｇを安定かつ正確なレジスト塗布走査に適した設定浮上量で浮かせるためのステージ基板浮上部１４５（図１３）が構成されている。

図１２に、ノズル昇降機構７５、圧縮空気供給機構１２２およびバキューム供給機構１２４の構成を示す。ノズル昇降機構７５は、塗布領域Ｍ₃の上を搬送方向（Ｘ方向）と直交する水平方向（Ｙ方向）に跨ぐように架設された門形フレーム１３０と、この門形フレーム１３０に取り付けられた左右一対の鉛直運動機構１３２Ｌ，１３２Ｒと、これらの鉛直運動機構１３２Ｌ，１３２Ｒの間に跨る移動体（昇降体）のノズル支持体１３４とを有する。各鉛直運動機構１３２Ｌ，１３２Ｒの駆動部は、たとえばパルスモータからなる電動モータ１３８Ｌ、１３８Ｒ、ボールネジ１４０Ｌ，１４０Ｒおよびガイド部材１４２Ｌ，１４２Ｒを有している。パルスモータ１３８Ｌ、１３８Ｒの回転力がボールネジ機構（１４０Ｌ，１４２Ｌ）、（１４０Ｒ，１４２Ｒ）によって鉛直方向の直線運動に変換され、昇降体のノズル支持体１３４と一体にレジストノズル７８が鉛直方向に昇降移動する。パルスモータ１３８Ｌ，１３８Ｒの回転量および回転停止位置によってレジストノズル７８の左右両側の昇降移動量および高さ位置を任意に制御できるようになっている。ノズル支持体１３４は、たとえば角柱の剛体からなり、その下面または側面にレジストノズル７８をフランジ、ボルト等を介して着脱可能に取り付けている。

圧縮空気供給機構１２２は、ステージ７６上面で分割された複数のエリア別にステージ内の圧縮空気供給路８９（図７Ａ）を介して噴出口８８に接続された正圧マニホールド１４４と、それら正圧マニホールド１４４にたとえば工場用力の圧縮空気供給源１４６からの圧縮空気を送り込む圧縮空気供給管１４８と、この圧縮空気供給管１４８の途中に設けられるたとえば電空レギュレータからなる比例制御弁１５０と、この比例制御弁１５０のバルブ開度を制御するためのバルブコントローラ１５２とを有している。また、比例制御弁１５０の二次側で圧縮空気供給管１４８にたとえばゲージ圧力計からなる圧力センサ１５４を取り付けており、バルブコントローラ１５２がセンサ出力信号（圧力検出信号）ｓａを入力し、メインコントローラ１７０（図１３）より与えられる所定の基準値に圧力検出信号ｓａが一致するように比例制御弁１５０のバルブ開度を可変制御するようになっている。

バキューム供給機構１２４は、ステージ７６上面で分割された複数のエリア別にステージ内のバキュ−ム供給路９１（図７Ｂ）を介して吸引口９０に接続された負圧マニホールド１５６と、それらの負圧マニホールド１５６にたとえば工場用力の真空源１５８からのバキュームを与えるバキューム管１６０と、このバキューム管１６０の途中に設けられるブロアファン１６２と、このブロアファン１６２をインバータ１６４を通じて駆動制御するためのブロアコントローラ１６６とを有している。また、ブロアファン１６２の二次側でバキューム管１６０に圧力センサ１６８を取り付けており、ブロアコントローラ１６６がセンサ出力信号（圧力検出信号）ｓｂを入力し、メインコントローラ１７０より与えられる所定の基準値に圧力検出信号ｓｂが一致するようにブロアファン１６２の回転量を可変制御するようになっている。

図１３に、この実施形態のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０における制御系の主要な構成を示す。メインコントローラ１７０は、マイクロコンピュータからなり、ユニット内の各部、特にレジスト液供給機構９５、ノズル昇降機構７５、ステージ基板浮上部１４５、基板搬送部８４（搬送駆動部１００、パッド吸着制御部１１５、パッドアクチエータ１０９）、搬入用リフトピン昇降部８５、搬出用リフトピン昇降部９１等の個々の動作と全体の動作（シーケンス）を制御する。

次に、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０における塗布処理動作を説明する。メインコントローラ１７０は、たとえば光ディスク等の記憶媒体に格納されている塗布処理プログラムを主メモリに取り込んで実行し、プログラムされた一連の塗布処理動作を制御する。

搬送装置５４（図１）より未処理の新たな基板Ｇがステージ７６の搬入領域Ｍ₁に搬入されると、リフトピン８６が往動位置で該基板Ｇを受け取る。搬送装置５４が退出した後、リフトピン８６が下降して基板Ｇを搬送用の高さ位置つまり浮上位置Ｈ_a（図５）まで降ろす。次いで、アライメント部（図示せず）が作動し、浮上状態の基板Ｇに四方から押圧部材（図示せず）を押し付けて、基板Ｇをステージ７６上で位置合わせする。アライメント動作が完了すると、その直後に基板搬送部８４においてパッドアクチエータ１０９が作動し、吸着パッド１０４を原位置（退避位置）から往動位置（結合位置）へ上昇（ＵＰ）させる。吸着パッド１０４は、その前からバキュームがオンしており、浮上状態の基板Ｇの側縁部に接触するや否や真空吸着力で結合する。吸着パッド１０４が基板Ｇの側縁部に結合した直後に、アライメント部は押圧部材を所定位置へ退避させる。

次に、基板搬送部８４は、保持部１０２で基板Ｇの側縁部を保持したままスライダ９８を搬送始点位置から搬送方向（Ｘ方向）へ比較的高速の一定速度で直進移動させる。こうして基板Ｇがステージ７６上を浮いた状態で搬送方向（Ｘ方向）へ直進移動し、基板Ｇの前端部が塗布領域Ｍ₃内の設定位置または塗布走査開始位置に着いたところで、基板搬送部８４が第１段階の基板搬送を停止する。

上記のように基板Ｇが塗布領域Ｍ₃内の設定位置つまり塗布走査開始位置に着いて停止すると、メインコントローラ１７０の制御の下でノズル昇降機構７５が作動して、レジストノズル７８を塗布処理用の所定の高さ位置まで垂直下方に降ろし、ノズル吐出口７８ａと基板Ｇとの間に塗布ギャップを形成する。次いで、レジスト液供給機構９５（図１３）がレジスト液Ｒの吐出を開始すると同時に基板搬送部８４も第２段階の基板搬送を開始する。この第２段階つまり塗布時の基板搬送には比較的低速の搬送速度Ｖ_Sが選ばれる。

こうして、塗布領域Ｍ₃内において、基板Ｇが水平姿勢で搬送方向（Ｘ方向）に所定速度Ｖ_Sで移動するのと同時に、長尺形のレジストノズル７８が直下の基板Ｇに向けてレジスト液Ｒを帯状に吐出することにより、図１４および図１５に示すように基板Ｇの前端から後端に向かってレジスト液の塗布膜ＲＭが形成されていく。図１５において、一点鎖線Ｋは、基板Ｇ上の製品領域（内側領域）と非製品領域（外側または周縁領域）とを分かつ境界線である。

塗布領域Ｍ₃で上記のような塗布走査が完了する間際で、つまり図１６に示すように基板Ｇの後端部がレジストノズル７８の直下を過ぎるあたりで、レジスト液供給機構９５がレジストノズル７８からのレジスト液Ｒの吐出を終了させる。

これと同時に、ノズル昇降機構７５がレジストノズル７８を垂直上方に持ち上げて基板Ｇから退避させる。一方、基板搬送部８４は搬送速度の比較的高速の第３段階の基板搬送に切り替える。そして、基板Ｇが搬出領域Ｍ₅内の搬送終点位置に着くと、基板搬送部８４は第３段階の基板搬送を停止する。この直後に、パッド吸着制御部１１５が吸着パッド１０４に対するバキュームの供給を止め、これと同時にパッドアクチエータ１０９が吸着パッド１０４を往動位置（結合位置）から原位置（退避位置）へ下ろし、基板Ｇの両側端部から吸着パッド１０４を分離させる。この時、パッド吸着制御部１１５は吸着パッド１０４に正圧（圧縮空気）を供給し、基板Ｇからの分離を速める。代わって、リフトピン９２が基板Ｇをアンローディングするためにステージ下方の原位置からステージ上方の往動位置へ上昇する。

しかる後、搬出領域Ｍ₅に搬出機つまり搬送アーム７４がアクセスし、リフトピン９２から基板Ｇを受け取ってステージ７６の外へ搬出する。基板搬送部８４は、基板Ｇをリフトピン９２に渡したなら直ちに搬入領域Ｍ₁へ高速度で引き返す。搬出領域Ｍ₅で上記のように処理済の基板Ｇが搬出される頃に、搬入領域Ｍ₁では次に塗布処理を受けるべき新たな基板Ｇについて搬入、アライメントないし搬送開始が行われる。

以下、図１７〜図３３につき、この実施形態のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０における特徴部分を詳細に説明する。

上述したように、このレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０は、ステージ７６の塗布領域Ｍ₃に噴出口８８と吸引口９０とを所定の配列パターンで混在させて配置するとともに、各々の噴出口８８，吸引口９０から搬送方向（Ｘ方向）と平行に延びる長溝８８ｍ，９０ｍを図６に示すような所定のレイアウトで設ける構成を主たる特徴としている。これら長溝８８ｍ，９０ｍの作用の説明および理解を容易にするために、先ず比較例として図１７〜図２３、図３０Ａにつき従来構成の作用つまり噴出口８８，吸引口９０に長溝８８ｍ，９０ｍを付設しない場合の作用を説明する。

図１７に示すように、基板Ｇが搬送方向（Ｘ方向）に所定速度Ｖ_Sで移動して塗布領域Ｍ₃を通る時、基板Ｇの前端は各列（・・Ｒ_i-1，Ｒ_i，Ｒ_i+1，・・）の噴出口８８／吸引口９０に一定の周期で順次覆い被さっていく。ここで、噴出口８８および吸引口９０は、搬送方向（Ｘ方向）およびそれと直交する水平方向（Ｙ方向）にマトリクス状または格子状に配置されているものとする。

長溝８８ｍ，９０ｍを付設していない各噴出口８８／吸引口９０においては、図１８に示すように、基板Ｇの前端部が当該噴出口８８／吸引口９０をほぼ完全に塞いだ瞬間に、ウォーターハンマーに類似する空撃作用により吐出圧力（吸気圧力）が急激に変動して、基板前端が上下（Ｚ方向）に振動する。こうして、図１９に示すように、基板Ｇの前端が各列（・・Ｒ_i-1，Ｒ_i，Ｒ_i+1，・・）の噴出口８８／吸引口９０を横切る度毎に周期的に基板前端が上下に振動する。

図２０に、基板Ｇの前端がレジストノズル７８直下の基準位置Ｘ_Sから搬送方向（Ｘ方向）の下流側に移動するときのノズル７８直下における基板Ｇの浮上高さの変化を示す。図示のように、基準位置Ｘ_Sより下流側で基板Ｇの前端が各列（・・Ｒ_i-1，Ｒ_i，Ｒ_i+1，・・）の噴出口８８／吸引口９０を通過する度毎にレジストノズル７８直下における基板Ｇの浮上高さが大きく変動（振動）しながらステップダウンまたはドロップし、これが縞状むらの原因となる。なお、図２０の横軸（基板前端の移動位置）は時間軸に対応している。

ここで、基板Ｇの浮上高さがドロップするのは、基板Ｇの前端が各列（・・Ｒ_i-1，Ｒ_i，Ｒ_i+1，・・）の噴出口８８／吸引口９０を塞ぐことによって、搬入領域Ｍ₁〜塗布領域Ｍ₃において基板Ｇに対向（作用）する吸引口９０からのトータルの吸引力が一段増大するのと同時に、基板Ｇに対向（作用）する噴出口９０からのトータルの揚力が一段減少するためである。もっとも、塗布領域Ｍ₃が基板Ｇによって覆われる面積が一定値を超えると、そのような吸引力アップと揚力ダウンが無くなり、基板Ｇの浮上高さは一定値（最小値）に落ち着く。

また、基板Ｇの浮上高さが大きく変動（振動）するのは、上述したように、基板Ｇの前端が各列（・・Ｒ_i-1，Ｒ_i，Ｒ_i+1，・・）の噴出口８８／吸引口９０を塞ぐ時の空撃作用によって上下に振動するためである。もっとも、基板前端の振動は基板中心部に向かって指数関数的に減衰するので、基板Ｇの前端が基準位置Ｘ_Sから所定距離以上進んだ後はレジストノズル７８直下における基板Ｇの浮上高さに実質的な振動は見られなくなる。

このように、塗布領域Ｍ₃内の噴出口８８および吸引口９０に長溝８８ｍ，９０ｍを付設していないステージ構造においては、基板Ｇの前端がレジストノズル７８の直下を通り過ぎる時およびその直後にレジストノズル７８直下における基板Ｇの浮上高さが大きく変動（振動）しながらドロップし、これによって図３０Ａに示すように基板Ｇの前端部に縞状の塗布むらＭが顕に生じる。

さらに、図３０Ａに示すように、基板Ｇの後端部にも同様の縞状塗布むらＭが顕著に現れる。これは、基板Ｇの後端がレジストノズル７８直下の基準位置Ｘ_Sに一定距離内に近づいてくると、図２１および図２２に示すように、基板Ｇの後端が各列（・・Ｒ_i-1，Ｒ_i，Ｒ_i+1，・・）の噴出口８８／吸引口９０を大気に開放し始める瞬間にやはり空撃作用により吐出圧力（吸気圧力）が急激に変動して、基板後端が上下に振動するためである。そして、図２３に示すように、基準位置Ｘ_Sより上流側で基板Ｇの後端が各列（・・Ｒ_i-1，Ｒ_i，Ｒ_i+1，・・）の噴出口８８／吸引口９０を通過する度毎にレジストノズル７８直下における基板Ｇの浮上高さが大きく変動（振動）しながらステップアップし、これが縞状塗布むらの原因となる。また、基板Ｇの浮上高さがステップアップするのは、基板Ｇの後端が各列（・・Ｒ_i-1，Ｒ_i，Ｒ_i+1，・・）の噴出口８８／吸引口９０を大気に開放することによって、塗布領域Ｍ₃〜搬出領域Ｍ₅において基板Ｇに対向（作用）する吸引口９０からのトータルの吸引力が一段減少するのと同時に、基板Ｇに対向（作用）する噴出口９０からのトータルの揚力が一段増大するためである。

次に、図２４〜図２７、図３０Ｂにつき、ステージ７８の塗布領域Ｍ₃において噴出口８８，吸引口９０に長溝８８ｍ，９０ｍを付設することによって奏される本発明の第１段階の作用を説明する。

図２４および図２５に示すように、基板Ｇが搬送方向（Ｘ方向）に所定速度Ｖ_Sで移動して塗布領域Ｍ₃を通る時、基板Ｇの前端は各列（・・Ｒ_i-1，Ｒ_i，Ｒ_i+1，・・）の噴出口８８／吸引口９０に一定の周期で順次覆い被さっていくのは上記した比較例と同じであるが、各噴出口８８／吸引口９０に長溝８８ｍ／９０ｍ（特に、搬送方向に倣う向きに延びる長溝８８ｍ／９０ｍ）が付設されている。このため、基板Ｇの前端が各噴出口８８／吸引口９０を塞いだ瞬間でも、当該噴出口８８／吸引口９０に連続している長溝８８ｍ／９０ｍが大気に開放されているので、当該噴出口８８／吸引口９０より基板Ｇの前端に与えられる空撃作用が相当弱められる。このことにより、図２６に示すように、基板Ｇの前端が各列（・・Ｒ_i-1，Ｒ_i，Ｒ_i+1，・・）の噴出口８８／吸引口９０を横切る時の振動が効果的に低減または抑制される。

こうして、図２７に示すように、基板Ｇの前端がレジストノズル７８直下のすぐ下流側で各列（・・Ｒ_i-1，Ｒ_i，Ｒ_i+1，・・）の噴出口８８／吸引口９０を通過する度毎にレジストノズル７８直下における基板Ｇの浮上高さは減少（下降）するものの、上記比較例のような急激な変動または振動がなく、かつ緩やかにステップダウンする。

また、図示省略するが、基板後端が各列（・・Ｒ_i-1，Ｒ_i，Ｒ_i+1，・・）の各噴出口８８／吸引口９０を大気に開放する瞬間に受ける空撃作用も、当該噴出口８８／吸引口９０に連続している長溝８８ｍ／９０ｍ（特に、基板後端の外にはみ出ている長溝８８ｍ／９０ｍ）によって弱められるので、上下振動が著しく低減または抑制される。これにより、基板Ｇの後端がレジストノズル７８直下のすぐ上流側で各列（・・Ｒ_i-1，Ｒ_i，Ｒ_i+1，・・）の噴出口８８／吸引口９０を通過する度毎にレジストノズル７８直下における基板Ｇの浮上高さは増大（上昇）するものの、上記比較例のような急激な変動または振動がなく、かつ緩やかにステップアップする。

こうして、基板Ｇ上に形成されるレジスト塗布膜ＲＭについてみると、基板Ｇの前端部と後端部に縞状の塗布むらが生じても、図３０Ｂに点線Ｍ'で示すようにかすかに（薄く）現れる程度であり、膜厚品質は相当改善される。

次に、図２８、図２９、図３０Ｃにつき、ステージ７８の塗布領域Ｍ₃において噴出口８８，吸引口９０の配列パターンおよび長溝８８ｍ，９０ｍのレイアウトを実施形態のように構成することによって奏される本発明の第２段階の作用を説明する。

図２８に図６の要部を拡大して示すように、この実施形態では、Ｘ方向の一直線上に一定間隔３Ｄを置いて噴出口８８のみを多数個配置する噴出ラインＣ₁，Ｃ₃，Ｃ₅，・・がＹ方向に一定のピッチ２Ｗで複数本並べられ、Ｘ方向の一直線上に一定間隔３Ｄを置いて吸引口９０のみを多数個位置する吸引ラインＣ₂，Ｃ₄，Ｃ₆，・・がＹ方向に噴出口ラインＣ₁，Ｃ₃，Ｃ₅，・・から一定距離Ｗだけオフセットし、かつ一定のピッチ２Ｗで複数本並べられている。

すなわち、Ｘ方向に延びる複数本の噴出ラインＣ₁，Ｃ₃，Ｃ₅，・・とＸ方向に延びる複数本の吸引ラインＣ₂，Ｃ₄，Ｃ₆，・・とがＹ方向に一定のピッチＷで交互に並べられ、各噴出ラインＣ_2n-1上に噴出口８８が一定間隔３Ｄを置いて配置されるとともに、各吸引ラインＣ_2n上に吸引口９０が一定間隔３Ｄを置いて配置され、相隣接する噴出ラインＣ_2n-1と吸引ラインＣ_2nとの間では噴出口８８と吸引口９０とがＸ方向に一定距離Ｄだけオフセットしている。

Ｘ方向の配列パターンでみると、たとえばＲ₁列では、噴出ラインＣ₁の噴出口８８、吸引ラインＣ₄の吸引口８８、噴出ラインＣ₇の噴出口８８、吸引ラインＣ₁₀の吸引口９０、・・が一定のピッチ３ＷでＹ方向の一直線上に配置される。次隣のＲ₂列では、吸引ラインＣ₂の吸引口９０、噴出ラインＣ₅の噴出口８８、吸引ラインＣ₈の吸引口９０、噴出ラインＣ₁₁の噴出口８８、・・が一定のピッチ３ＷでＹ方向の一直線上に配置される。

そして、各噴出口８８に付設される長溝８８ｍは、それと最も近い距離で隣接する吸引口９０をＸ方向において越える位置（Ｙ方向でオーバーラップする位置）まで延びている。また、各吸引口９０に付設される長溝９０ｍは、それと最も近い距離で隣接する噴出口８８をＸ方向において越える位置（Ｙ方向でオーバーラップする位置）まで延びている。

かかる噴出口８８，吸引口９０の配列パターンおよび長溝８８ｍ，９０ｍのレイアウトによれば、基板Ｇの前端が各列・・Ｒ₁，Ｒ₂，・・の各噴出口８８／吸引口９０をほぼ完全に塞いだ瞬間の空撃作用が、当該噴出口８８／吸引口９０に連続する長溝８８ｍ／９０ｍ（特に、基板Ｇの前端の外にはみ出ている長溝８８ｍ／９０ｍ）によって弱められるだけでなく、Ｙ方向の両側または片側に隣接する長溝９０ｍ／８８ｍからの逆圧力によっても弱められる。すなわち、各噴出口８８のＹ方向両側または片側には、当該噴出口８８に近接する吸引口９０からの長溝９０ｍがＸ方向に延びているので、当該噴出口８８における正圧の空撃作用はその隣接する長溝９０ｍからの負圧（吸引）によって緩和される。また、各吸引口９０のＹ方向両側または片側には、当該吸引口９０に近接する噴出口８８からの長溝８８ｍがＸ方向に延びているので、当該吸引口９０における負圧の空撃作用はその隣接する長溝８８ｍからの正圧によって緩和される。

さらに、この実施形態の配列パターンによれば、Ｙ方向の同一直線上に配置される噴出口８８／吸引口９０の個数Ｎ_AがＸ方向からみてＹ方向に一列に並ぶ噴出口８８／吸引口９０の個数Ｎ_Sよりも少なく、たとえば図２８の例ではＮ_A／Ｎ_S＝１／３（４個／１２個）である。この点、Ｘ方向およびＹ方向に噴出口８８，吸引口９０をマトリクス状または格子状に配置する配列パターン（図１７、図２４）においては、Ｙ方向の同一直線上に配置される噴出口８８／吸引口９０の個数Ｎ_A（４個）がＸ方向からみてＹ方向に一列に並ぶ噴出口８８／吸引口９０の個数Ｎ_S（４個）と同じである。

このように、この実施形態では、基板Ｇが搬送方向（Ｘ方向）に移動するときに、基板前端が同時に塞ぐ噴出口８８／吸引口９０の個数、あるいは基板後端が同時に大気に開放する噴出口８８／吸引口９０の個数の割合Ｎ_A／Ｎ_Sを少なくしているので、この点も基板Ｇが複数の噴出口８８／吸引口９０から同時に受ける空撃作用の抑制に寄与している。なお、効果の面でＮ_A／Ｎ_Sの値は１／２以下が好ましく、実施形態のように１／３以下がより好ましい。

こうして、この実施形態においては、基板Ｇの前端がレジストノズル７８直下を通過した直後のレジストノズル７８直下における基板Ｇの浮上高さは、図２９に示すように、ステップダウンのないなだらかな曲線（波形）で安定値（最小値）Ｈ_bに落ち着く。このことにより、基板Ｇ上に形成されるレジスト塗布膜ＲＭには（特に基板Ｇの前端部と後端部には）、図３０Ｃに示すように、縞状の塗布むらが殆ど出なくなり、膜厚品質は著しく改善される。

上記のように、基板Ｇの前端がレジストノズル７８直下を通過した直後、基板Ｇの後端がレジストノズル７８直下に来る直前、レジストノズル７８直下における基板Ｇの浮上高さが変動（減少・増大）する。この基板浮上量の変動は、レジストノズル７８の吐出口７８ａと基板Ｇとの間のギャップＳ_Aを変動させ、基板Ｇ上のレジスト塗布膜の膜厚に影響を及ぼす。しかし、基板両端部の膜厚変動であり、基板外縁の非製品領域がこの膜厚変動の大部分を吸収するので、この実施形態においては上記のような噴出口８８，吸引口９０の配列パターンおよび長溝８８ｍ，９０ｍのレイアウトによって製品領域内の膜厚変動を無視できる程度まで抑制することができる。

もっとも、この実施形態では、ステージ基板浮上部１４５の圧縮空気供給機構１２２（図１２）およびバキューム供給機構１２４（図１２）が圧力可変制御機能を備えているので、それらの機能を利用して、レジストノズル７８の吐出口７８ａと基板Ｇとの間のギャップを塗布開始時から設定値Ｓ_Aに保つように、レジストノズル７８直下における基板Ｇの浮上高さに補正をかけることができる。

たとえば、図３１の圧力制御波形に示すように、圧縮空気供給機構１２２が噴出口８８に供給する正圧の圧力（エア吐出圧力）を始終一定値Ｐ_Aに制御しつつ、バキューム供給機構１２４が吸引口９０に供給する負圧の圧力（エア吸引圧力）を基板Ｇの移動位置に応じて可変制御する。より詳細には、基板Ｇの前端がレジストノズル７８直下の基準位置Ｘ_Sに着くまでは、エア吸引圧力を塗布処理用の第１設定圧力−Ｐ_Vよりも所定値だけ絶対値の大きな第２設定圧力−Ｐ_V'に保っておく。そして、基板Ｇの前端が基準位置Ｘ_Sの前方（下流側）に移動し始めると、この時点（ｔ_a）でエア吸引圧力を第２設定圧力−Ｐ_V'から第１設定圧力−Ｐ_Vまで所定の波形、つまりレジストノズル７８直下における基板Ｇの浮上高さの変動波形をキャンセル波形で立ち上げる。そして、基板Ｇの後端が基準位置Ｘ_Sの上流側の所定位置まで近づいてくると、この時点（ｔ_b）でエア吸引圧力を第１設定圧力−Ｐ_Vから第２設定圧力−Ｐ_V'まで所定の波形、つまりレジストノズル７８直下における基板Ｇの浮上高さの変動波形をキャンセルする波形で立ち下げる。

あるいは、バキューム供給機構１２４が吸引圧力を始終一定値−Ｐ_Vに制御しつつ、圧縮空気供給機構１２２が吐出圧力を基板Ｇの移動位置に応じて可変制御する方法や、圧縮空気供給機構１２２とバキューム供給機構１２４が連動してエア吐出圧力およびエア吸引圧力を同時に可変制御する方法等も可能である。

別の補償方法として、レジストノズル７８直下における基板Ｇの浮上高さに補正をかける代わりに、レジストノズル７８の吐出口７８ａと基板Ｇとの間のギャップを塗布開始時から設定値Ｓ_Aに保つように、ノズル昇降機構７５を通じてレジストノズル７８の高さ位置を可変制御することも可能である。すなわち、図３２のノズル高さ制御波形および図３３の略側面図に示すように、塗布処理の開始前にレジストノズル７８を待機用の上方位置から垂直下方に降ろす際に、基準位置Ｘ_Sにおける基板Ｇの浮上高さを見込んで、ノズル吐出口７８ａの高さ位置を塗布処理用の第１設定値Ｈ_bよりも所定値だけ高い第２設定値Ｈ_b'に合わせる。また、塗布処理の開始（ｔ_a）直後は、基板Ｇの浮上高さが下がるのを相殺または補償するようにレジストノズル７８の高さ位置を所定の波形で第１設定値Ｈ_bまで下げる。そして、塗布処理の終盤で、所定の時点（ｔ_b）から基板Ｇの浮上高さが上がるのに合わせてレジストノズル７８の高さ位置を所定の波形で第２設定値Ｈ_b'まで上げる。

なお、上述したような圧縮空気供給機構１２２および／またはバキューム供給機構１２４によりレジストノズル７８直下における基板Ｇの浮上高さに補正をかける方法や、レジストノズル７８直下における基板Ｇの浮上高さの変動を補償するようにノズル昇降機構７５によりレジストノズル７８の高さ位置を可変制御する方法は、本発明の第１段階の構成（図２４）や従来技術の構成（図１７）にも適用することができる。

以上本発明を好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術思想の範囲内で種々の変形が可能である。特に、ステージ７６の塗布領域Ｍ₃における噴出口８８，吸引口９０の配列パターンおよび長溝８８ｍ，９０ｍのレイアウトについては、種々の変形が可能である。

たとえば、上記実施形態では噴出ライン・・Ｃ₁，Ｃ₃，Ｃ₅，・・と吸引ライン・・Ｃ₂，Ｃ₄，Ｃ₆，・・とを搬送方向（Ｘ）方向と平行に配置した（図６、図２８）。しかし、図３４に示すように、搬送方向（Ｘ）方向に対して鋭角の角度θで斜めに傾いた方向Ｆに噴出ライン・・Ｃ₁，Ｃ₃，Ｃ₅，・・と吸引ライン・・Ｃ₂，Ｃ₄，Ｃ₆，・・とを交互に配置してもよい。

このような斜め配置パターンによれば、噴出口８８／吸引口９０の密度を増大させることなく、Ｘ方向からみてＹ方向に一列に並ぶ噴出口８８／吸引口９０の個数Ｎ_Sに対するＹ方向の同一直線上に配置される噴出口８８／吸引口９０の個数Ｎ_Aの比Ｎ_A／Ｎ_Sを格段に小さくすることができ、基板Ｇの前端および後端が複数の噴出口８８／吸引口９０から同時に受ける空撃作用を一層効果的に抑制することができる。加えて、基板Ｇが搬送方向（Ｘ方向）に移動する際に噴出口８８および吸引口９０と対向する時間の割合を基板各部（特にＹ方向の各部）で均一化することも可能であり、これによって基板Ｇ上に形成されるレジスト塗布膜ＲＭに噴出口８８または吸引口９０のトレースまたは転写跡が付くのを防止できるという効果も得られる。

図３５に示すように、各噴出口８８／吸引口９０の片側だけに長溝８８ｍ／９０ｍを付設する構成も可能である。この場合、レジストノズル直下の基準位置Ｘ_Sを境として、それより上流側では基板Ｇの後端に対する空撃作用を緩和するために各噴出口８８／吸引口９０から搬送方向（Ｘ方向）に逆らう向きに長溝８８ｍ／９０ｍを延ばし、基準位置Ｘ_Sより下流側では基板Ｇの前端に対する空撃作用を緩和するために各噴出口８８／吸引口９０から搬送方向（Ｘ方向）に倣う向きに長溝８８ｍ／９０ｍを延ばす構成とするのが好ましい。

また、図３５に示すように、搬送方向（Ｘ方向）に対して平行または鋭角の角度で傾いた方向の一直線上に噴出口８８と吸引口９０とを所定の間隔を置いて１個ずつ（または複数個ずつ）交互に多数配置する噴出・吸引ライン・・Ｑ₁，Ｑ₃，Ｑ₅，・・を平行に多数並べる構成も可能である。

図示省略するが、ステージ７６の塗布領域Ｍ₃において、長溝８８ｍ，９０ｍを付設した噴出口８８，吸引口９０と、長溝８８ｍ，９０ｍを付設しない噴出口８８，吸引口９０とを混在させることも可能である。たとえば、塗布領域Ｍ₃の両サイド部には、基板Ｇの両側縁部が垂れるのを防止するために、長溝８８ｍを付設しない噴出孔８８のみを比較的高い密度で搬送方向（Ｘ方向）一列または複数列に配置する構成も可能である。

また、図示省略するが、長溝８８ｍ，９０ｍ自体の形状や構造も種々変形可能であり、たとえば長溝８８ｍ，９０ｍの太さ（幅）が長手方向で変化する構成も可能である。さらには、噴出ラインまたは吸引ライン上で相隣接する長溝の先端同士を繋ぐ構成も可能である。

図３６は、各噴出口８８／吸引口９０に環状の溝８８ｅ／９０ｅを付設する構成を示す。このような環状の溝８８ｅ／９０ｅは、基板Ｇの浮上高さを安定させるうえで、上記実施形態における長溝８８ｍ／９０ｍほどの作用効果を奏し得ないが、各噴出口８８／吸引口９０に溝を全然付設しない構成（図１７）に比べると一定の改善を図ることができる。

本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、現像液やリンス液等も可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、ＣＤ基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。

本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。 上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。 上記塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布ユニットおよび減圧乾燥ユニットの全体構成を示す略平面図である。 上記レジスト塗布ユニットの全体構成を示す斜視図である。 上記レジスト塗布ユニットの全体構成を示す略正面図である。 上記レジスト塗布ユニット内のステージ塗布領域における噴出口と吸入口の配列パターンおよび長溝のレイアウトを示す平面図である。 実施形態における噴出口およびそれに付設される長溝の構成を示す断面図である。 実施形態における吸引口およびそれに付設される長溝の構成を示す断面図である。 上記レジスト塗布ユニットにおける基板搬送部の構成を示す一部断面略側面図である。 上記レジスト塗布ユニットにおける基板搬送部の保持部の構成を示す拡大断面図である。 上記レジスト塗布ユニットにおける基板搬送部のパッド部の構成を示す斜視図である。 上記レジスト塗布ユニットにおける基板搬送部の保持部の一変形例を示す斜視図である。 上記レジスト塗布ユニットにおけるノズル昇降機構、圧縮空気供給機構およびバキューム供給機構の構成を示す図である。 上記レジスト塗布ユニットにおける制御系の主要な構成を示すブロック図である。 実施形態の塗布走査においてレジスト塗布膜が形成される様子を示す側面図である。 実施形態の塗布走査においてレジスト塗布膜が形成される様子を示す平面図である。 実施形態の塗布走査が終了した時のステージ上の各部の状態を示す斜視図である。 本発明に対する比較例の構成（ステージ塗布領域において噴出口および吐出口に長溝を付設しない構成）を示す略平面図である。 比較例において基板の前端が各噴出口／吐出口を塞ぐ時の空撃作用を説明するための部分断面図である。 比較例において基板の前端が搬送方向に移動しながら各噴出口／吐出口を通過する時に振動する様子を示す波形図である。 比較例において基板の前端がレジストノズル直下の基準位置から搬送方向の下流側に移動するときのノズル直下における基板の浮上高さの変化を示す波形図である。 比較例において基板の後端が各噴出口／吐出口を開放する時の空撃作用を説明するための部分断面図である。 比較例において基板の後端が搬送方向に移動しながら各噴出口／吐出口を通過する時に振動する様子を示す波形図である。 比較例において基板の後端が搬送方向の上流側からレジストノズル直下の基準位置に接近してくるときのノズル直下における基板浮上高さの変化を示す波形図である。 本発明の第１段階における噴出口および吐出口の配列パターンと長溝のレイアウトを示す略平面図である。 本発明の第１段階において基板前端が各噴出口／吐出口を塞ぐ時の空撃作用が弱められる様子を示す部分断面図である。 本発明の第１段階において基板前端が搬送方向に移動しながら各噴出口／吐出口を通過する時に振動する様子を示す波形図である。 本発明の第１段階において基板前端がレジストノズル直下の基準位置から搬送方向に移動するときのノズル直下における基板浮上高さの変化を示す波形図である。 本発明の第２段階における噴出口および吐出口の配列パターンと長溝のレイアウトを示す略平面図である。 本発明の第２段階において基板前端がレジストノズル直下の基準位置から搬送方向に移動するときのノズル直下における基板浮上高さの変化を示す波形図である。 比較例において基板上に形成されるレジスト塗布膜に縞状の塗布むらが顕に生じる様子を示す略平面図である。 本発明の第１段階においてレジスト塗布膜上に縞状の塗布むらが生じ難くなる様子を示す略平面図である。 本発明の第２段階においてレジスト塗布膜上に縞状の塗布むらが殆ど生じなくなる様子を示す略平面図である。 実施形態においてレジストノズル直下における基板の浮上高さに補正をかけるための圧力制御方法を示す波形図である。 実施形態においてレジストノズル直下における基板の浮上高さの変動を補償するためにレジストノズルの高さ位置を可変制御する方法を示す波形図である。 実施形態においてレジストノズル直下における基板浮上高さの変動を補償するためにレジストノズルの高さ位置を可変制御する方法を示す略側面図である。 実施形態において噴出口および吐出口の配列パターンと長溝のレイアウトに関する一変形例を示す略平面図である。 実施形態において噴出口および吐出口の配列パターンと長溝のレイアウトに関する別の変形例を示す略平面図である。 噴出口および吐出口に付設可能な環状溝の構成を示す略平面図である。

符号の説明

４０ レジスト塗布ユニット（ＣＴ）
７５ ノズル昇降機構
７６ ステージ
７８ レジストノズル
７８ａ ノズル吐出口
８４ 基板搬送部
８８ 噴出口
８８ｍ 長溝
９０ 吸引口
９０ｍ 長溝
９５ レジスト液供給機構
１２２ 圧縮空気供給機構
１２４ バキューム供給機構

Claims (20)

1. 気体を噴出する多数の噴出口と気体を吸い込む多数の吸引口とが混在して設けられた第１の浮上領域を有するステージと、
   被処理基板を前記ステージ上で浮かせた状態で所定の搬送方向に前記第１の浮上領域を通過させる基板搬送部と、
   前記第１の浮上領域の上方に配置されるノズルを有し、前記基板上に処理液の塗布膜を形成するために前記ノズルより前記処理液を吐出させる処理液供給部と、
   前記噴出口または前記吸引口の上端部から前記搬送方向に対して平行または鋭角の角度で傾いた第１の方向に延びるように、前記第１の浮上領域内の前記ステージ上面に形成された長溝と
   を有する塗布装置。
2. 前記長溝が、前記第１の方向において、前記噴出口または前記吸引口の上端部から前記搬送方向に倣う向きに延びるとともに前記搬送方向に逆らう向きに延びる、請求項１に記載の塗布装置。
3. 前記長溝が、前記搬送方向において前記ノズルの吐出口よりも上流側の場所では前記噴出口または前記吸引口の上端部から前記搬送方向に逆らう向きに延び、前記ノズルの吐出口よりも下流側の場所では前記噴出口または前記吸引口の上端部から前記搬送方向に倣う向きに延びる、請求項１に記載の塗布装置。
4. 前記第１の浮上領域内の全ての前記噴出口および前記吸引口に前記長溝が付いている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の塗布装置。
5. 前記長溝が、当該噴出口または吸引口と近接する少なくとも１つの他の噴出口または吸引口を前記第１の方向において越える位置まで延びる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の塗布装置。
6. 前記長溝は、前記噴出口または前記吸引口の上端部から溝先端に向かって次第に浅くなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の塗布装置。
7. 前記第１の方向の一直線上に第１の間隔を置いて前記噴出口のみを多数個配置する噴出ラインが、前記第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔を置いて複数本並べられ、
   前記第１の方向の一直線上に第２の間隔を置いて前記吸引口のみを多数個位置する吸引ラインが、前記第２の方向に前記噴出口ラインからオフセットし、かつ第２の間隔を置いて複数本並べられる、
   請求項１〜６のいずれか一項に記載の塗布装置。
8. 前記第１の方向の一直線上に第１の間隔を置いて前記噴出口と前記吸引口とを交互に多数個配置する噴出・吸引混在ラインが、前記第１の方向と直交する第２の方向に第２の間隔を置いて複数本並べられる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の塗布装置。
9. 前記ステージ上で前記第１の方向と直交する第２の方向に延びる任意の直線上に位置する前記噴出口および前記吸引口の個数が、前記第１の方向から見てそれと直交する第２の方向に一列に並ぶ前記噴出口および前記吸引口の個数よりも少ない、請求項１〜８のいずれか一項に記載の塗布装置。
10. 前記ステージ上で前記第２の方向に延びる任意の直線上に位置する前記噴出口および前記吸引口の個数が、前記第１の方向から見て前記第２の方向に一列に並ぶ前記噴出口および前記吸引口の個数の１／２以下である、請求項９に記載の塗布装置。
11. 前記ノズルの吐出口の直下における前記基板の浮上高さを可変制御するために、前記噴出口に供給する気体の圧力および前記吸引口に供給する真空の圧力の少なくとも一方を制御する浮上圧力制御部を有する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の塗布装置。
12. 前記基板は矩形であり、
    前記基板搬送部は、前記基板の一対の辺が搬送方向と平行で他の一対の辺が搬送方向と直交するようにして前記基板を前記ステージ上で搬送する、
    請求項１〜１１のいずれか一項に記載の塗布装置。
13. 前記ノズルを鉛直方向で昇降移動させるためのノズル昇降部を有する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の塗布装置。
14. 前記ステージが、前記搬送方向において前記第１の浮上領域の上流側に前記基板を浮かせる第２の浮上領域を有する、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の塗布装置。
15. 前記第２の浮上領域内に、前記基板を搬入するための搬入部が設けられる、請求項１４に記載の塗布装置。
16. 前記ステージが、前記搬送方向において前記第１の浮上領域の下流側に前記基板を浮かせる第３の浮上領域を有する、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の塗布装置。
17. 前記第３の浮上領域内に、前記基板を搬出するための搬出部が設けられる、請求項１６に記載の塗布装置。
18. ステージ上に搬送方向に沿って、被処理基板よりもサイズの大きい搬入領域と、前記基板よりもサイズの小さい塗布領域と、前記基板よりもサイズの大きい搬出領域とをこの順に一列に設定し、前記ステージの上面に設けた多数の噴出口より噴出する気体の圧力で前記基板を浮かせ、少なくとも前記塗布領域では、前記ステージの上面に前記噴出口と混在する多数の吸引口を設けて、前記塗布領域を通過する前記基板に対して前記噴出口より加えられる垂直上向きの圧力と前記吸引口より加えられる垂直下向きの圧力とのバランスを制御して前記基板に所望の浮上圧力を与え、前記基板を前記搬入領域から前記搬出領域まで搬送する途中、前記塗布領域内で上方に配置したノズルより処理液を吐出させて前記基板上に前記処理液を塗布する塗布方法であって、
    前記ステージの上面に、前記噴出口または前記吸引口の上端部から前記搬送方向に対して平行または鋭角の角度で傾いた方向に延びる長溝が形成されている塗布方法。
19. 前記ノズルの吐出口の直下付近に設定された基準位置に前記基板の先端が着く前の第１の期間中は前記基板に対する浮上圧力を第１の設定圧力付近に保持する工程と、
    前記基板の先端が前記基準位置から搬送方向の下流側へ第１の距離だけ移動するまでの第２の期間中は前記基板に対する浮上圧力を前記第１の設定圧力からそれよりも高い第２の設定圧力まで所定の波形で上げる工程と、
    前記第２の期間の終了時から前記基板の後端が前記基準位置より第２の距離だけ上流側の位置を通過するまでの第３の期間中は前記基板に対する浮上圧力を前記第２の設定圧力付近に保持する工程と、
    前記第３の期間の終了時から前記基板の後端が前記基準位置を通過するまでの第４の期間中は前記基板に対する浮上圧力を前記第２の設定圧力付近からそれよりも低い第３の設定圧力まで所定の波形で下げる工程と
    を有する請求項１８に記載の塗布方法。
20. 前記ノズルの吐出口の直下付近に設定された基準位置に前記基板の先端が着く前の第１の期間中は前記ステージに対する前記ノズル吐出口の高さを第１のレベルに保持する工程と、
    前記基板の先端が前記基準位置から第１の距離だけ移動するまでの第２の期間中は前記ステージに対する前記ノズル吐出口の高さを前記第１のレベルよりも低い第２のレベルまで所定の波形で減少させる工程と、
    前記第２の期間の終了時から前記基板の後端が前記基準位置より第２の距離だけ手前の位置を通過するまでの第３の期間中は前記ステージに対する前記ノズル吐出口の高さを前記第２のレベル付近に保持する工程と、
    前記第３の期間の終了時から前記基板の後端が前記基準位置を通過するまでの第４の期間中は前記ステージに対する前記ノズル吐出口の高さを前記第２のレベル付近からそれよりも高い第３のレベルまで所定の波形で増大させる工程と
    を有する請求項１８に記載の塗布方法。

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