JP4692785B2 - 一つ又はそれ以上の処理流体を用いた、半導体ウエハー又は他のマイクロエレクトロニクス用の基板に使用されるツール用の移動かつ入れ子化できる、コンパクトなダクトシステム - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 60
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title description 45
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 45
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 33
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 15
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 92
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 89
- 230000008569 process Effects 0.000 description 85
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 44
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 33
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 17
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 17
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 17
- 230000006870 function Effects 0.000 description 15
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 238000003491 array Methods 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 235000008429 bread Nutrition 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000008237 rinsing water Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/8593—Systems
- Y10T137/85938—Non-valved flow dividers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Weting (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Description
を移動可能にしなければならず、これにより、過度の複雑さが、ツールの、設計、製造、使用、及び諸サービスに対して、影響を与える。
きる。
覆う。加工物がプロセス処理チャンバーに位置決めされ、かつ障壁によって覆われる一方、少なくとも一つのプロセス処理材料が、加工物の主要面に流れながら接触させられる。
、一つ又はそれ以上のプロセス処理材料を、加工物の中央部の上方および下方へ配給するための態様で、中央のアームと一体化される。さらに、少なくとも一つの別個独立したノズルは、一つ又はそれ以上のプロセス処理材料を、中央フロー通路部の少なくとも一つを通って延在する流路から加工物へと配給するように位置決めされる。
部材は、第1の領域から貫通孔への出口を備える第1のポートを持つ、少なくとも筒部を含む。そして、ノズル構造が、一つ又はそれ以上の材料を、プロセス処理チャンバーへ配給するように位置決め可能になるように、移動可能部材に結合される。
さらに少なく、若しくは、より多くの数のダクトを含むことが可能であり、この場合には、より少なく、若しくは、より多くの数の、排出用プレナム及びドレイン用溜部が、適宜備えられるであろう。
が外側排出用プレナム31に流出する環状排出用入口45(図5、14D、14E)を画定する。プレナム31の床部は、そこを通って、排出されるストリームが外側排出用プレナム31に流出する一つ又はそれ以上の排出用出口ポート50を含む。
体73が、排出用プレナム30(図4)に位置決めされ、アクチュエータ用シャフト326(図20)に結合され、これによって、外側排出用プレナム31(図5)と機能的に係合する外側バッフル部材262(図5、6、14D)の動きを制御するアクセス部を備える。さらに同様の態様で、シャフト用孔76を含むアクチュエータの軸用筐体75が、外側排出用プレナム30内に位置決めされ、かつ結合されるべきアクチュエータのシャフト326へのアクセス部を備え、もって、外側排出用プレナム31と機能的に係合する外側のバッフル部材262(図3)の動きを制御する。
される当該実施態様では、モータ110(図16)は、中央孔112(図16)を持つ中空のシャフトタイプのものであってもよく、装着構造部材114(図1、7、9、16)によるような便宜のよいアプローチ(解決手段)によって、ツール10に装着されるようにしてもよい。モータ110は、中央孔112を持つタイプのものであり、例えば装着部材114による、便宜のよいアプローチ部によりツール10に装着される。
及び112との間にギャップがあるようにされる。後側型配給ヘッド136は、要求に応じて供給若しくは混合されて、配給されるように処理物質の一つ又はそれ以上の(不図示の)供給源へ結合される。
定することを、より容易にさせることが望まれる。
うに動くので、排出用入口35を覆う上部空間部208の容積が増し、これにより排出用入口35への流れへのアクセス部が増加する。
点212は、液体の捕集効果を高めると考えられる。基本的には、これらの隆起部210をより多く使用することで、液体のトラップ(捕集)を促進することが望ましい。しかし、三角形状隆起部210の基台部214が十分に隔置されるような内側フランジ198上の上記特徴部が密集しているために、この隆起部の側面で捕集される液体が、床部56の下方に向かって、容易に、滴下(ドリップ)又は下方に流れることが可能となるのである。
覆い隠し、かつ中間溜部53内部に、トラップ機能を備えるのに役立つ。さらに、内側バッフル部材174及び/又は中間バッフル部材218が、内側バッフル部材174が中間バッフル部材218内部に入れ子化可能なように移動可能とされており、これにより、様々な絞り、遮断、又はその他により、部材174と部材218との両者間の材料の流れを規制する。また一方で、二つのバッフル部材174及び218は、両者間の流路を様々に開くように分離される。
るために物理的に接触する。しかし、このことは、粒状物が発生し得るであろう過度のリスクを冒す可能性がある。したがって、環状バッフル板176、220及び264は、物理的に接触しないが、基本的に排出されるストリームの全体を開かれたダクト通路330へ流すのに十分なフロー抵抗を作り出すように、十分近くに配置される。
バッフル部材262(図1、2、5、6、14D、20)の内部で入れ子化された中間バッフル部材218(図2、4、6、14C、20)を用いて上げられる。この構成は、両部材の間のフローを絞るが、内側バッフル部材174の上方であるが中間バッフル部材218の下方において、環状ダクト用入口340を、中間ダクト用通路338に対して開く。
、7、8、9)のような適当な配管へ入るようにして連続している。
590と、基本的に一列に並んでおり、一方、第2の副アーム部586(図22B)は、環状体558の隣接部592(図21)と、基本的に一列に並んでいる。特に、副アーム部584及び586の底部表面598及び608は、環状体558の低部表面560(図22B、25)と、一列に並んでいる。このようにして、副アーム部584及び586は、基本的に傾斜角を持ち出合うようにされる。アーム構造578は、中央アパーチャ575を、第1及び第2のアパーチャ部594(図21)及び596(図21、22B)へと、細分化する。これらのアパーチャ部594(図21)及び596(図21、22B)は、処理中、プロセス処理チャンバー503(図4、6、7、16、17)に対して、エアー用の入口ポートとして機能する。隣接のアーム構造578のエッジ部は、これらの入口ポートを通って、スムーズかつ均一なフローが促進されるように、丸められることが望ましい。
隣接部592(図21、24)の部分を横切るように延在する、スプレーノズル/障壁構造556の、第2の半径部の少なくとも一部の橋渡しをする。溝600と同様に、この溝610は、溝610の長さ部及び隣接面(不図示)に沿って延在する頂角領域(不図示)を含む。
わせが、スプレーバーシステム620を使用して配給可能である。操作の一つの代表的な態様では、液体物質が、配給用筒部850(図2、21)を通ってフィードされ、続いてノズルアレイ664及び665を通って配給される。一方、ガス物質が配給用筒部854(図2、21)を通り、続いてノズルアレイ638から配給される。各フィードは、別々に又は共に配給可能である。共に配給される場合には、配給されたガスの直線的流れが、より大きなエネルギーを持ちつつ、配給された液体のストリームを噴霧化するのに役立つ。
中央の方へ、一対のノズルを構成する。出口ポート776及び/又は782が、さらに処理流体の十分な覆い部を、加工物12の中央上に備えるのに役立つように角度付け可能である。
622、642、668及び674上に装着される。フレアナット852(図2、21)、856(図2、21)、864(図2、21)及び860(図2)が、配給用筒部850(図2、21)、854(図2、21)、862(図2、21、22A)及び858(図2、21)を、それぞれフレアカップリング646(図25)、626(図26)、672及び678へ装着するときに、それぞれ肩部700、694、706及び712に対して台座する。さらに、ジャムナットが、フレアナットが二つの機能を実行する必要がないように、肩部696、700、706及び712に対して台座するために使用可能である。同様にして、アパーチャ714及び716が、配給用筒部866(図21、29、31)及び868(図2、21、22A、29、30、31)を、中央配給用ノズル部材754(図2、7、17、22B、27、29、30、31)上のフレアカップリング76
4(図27、31)及び766(図27、31)のそれぞれへ、結合するためのアクセス部を備える。
ンプするのに使用されるスクリュー793を収納する。構造体798は、クランプ796(図17、30、31)がフレアナット856(図2)及び864(図2、22A)の間で入れ子化するように、対向する側で解除される。
ング746へ流体的に結合され、螺刻された基台部744と螺子状に係合するフレアナット748を介して、所定の場所に固定される。導管749は、入口ポート750から出口ポート751へ延在する。ここでは、導管749が、チャンバー740及び741の中へ開かれている。
壁構造556(図1、4、6、7、14A、14E、16、17、22B、23、24、26)へ装着される。
つ。しばらくの間、シャッター818(図1、17、38)が、その頂上部分が、環状板540(図17)に隣接した位置にある環状板832を持つ環状のチャンバー542(図2、17)の内部で入れ子化されるように上げられる。しかし、小さなギャップが、その他の方法で、望ましくない汚染を発生する可能性のある接触を防止するために、環状板832及び540(図17)の間で維持されることが好ましい。このように上げられかつ開かれているシャッター818を用いることで、上部空間部502(図7、16、17)内の一つ又はそれ以上のガス及び/又は蒸気が、アパーチャの副区域594(図23、24)及び596(図22B、23、24)によって形成された気体用入口ベントを通ってプロセス処理チャンバー503へと自由に引かれる。簡潔に述べると、図2は、加工物12を用いて処理を実施するのに役立つツール10の例示的な構成の一実施形態を示している。
Claims (4)
- 半導体ウエハー又は他のマイクロエレクトロニクス用の基板を処理するための装置であって、
a)前記半導体ウエハー又は前記基板が、処理中に位置決めされる支持部材、及び、
b)前記半導体ウエハー又は前記基板の外部周辺に近接したダクト入口をそれぞれ有する複数のダクト通路の部分に形成され、移動可能かつ入れ子化可能な複数のバッフル部材を有し、
排出されたストリームが下流ダクトへの入口に入る前に、排出されたストリームから液体が分離可能なように、少なくとも一つの移動可能かつ入れ子化可能な前記バッフル部材が前記下流ダクトへの入口を覆い隠すフードを有し、前記下流ダクトへの前記入口が、前記フードの移動によって開かれ、かつ絞られるように制御されることを特徴とする装置。 - 前記バッフル部材の相互の相対的な位置決めにより、前記ダクト通路を選択的に開き又は絞ることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 半導体ウエハー又は他のマイクロエレクトロニクス用の基板を処理するための装置であって、
a)前記半導体ウエハー又は前記基板が、処理中に位置決めされる支持部材、及び、
b)前記半導体ウエハー又は前記基板の外部周辺に近接したダクト入口をそれぞれ有する複数のダクト通路の部分に形成され、移動可能かつ入れ子化可能な複数のバッフル部材を有し、
該バッフル部材の少なくとも1つの少なくとも一部が、液体材料と気体材料の分離が起こるトラップ領域を形成するように、下流ダクト部への入口に対して相対的移動が可能であることを特徴とする装置。 - 前記トラップ領域は、一つ又はそれ以上のドレインポートを有することを特徴とする請求項3に記載の装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US66726305P | 2005-04-01 | 2005-04-01 | |
US66736905P | 2005-04-01 | 2005-04-01 | |
US60/667,263 | 2005-04-01 | ||
US60/667,369 | 2005-04-01 | ||
PCT/US2006/009325 WO2006107549A1 (en) | 2005-04-01 | 2006-03-15 | Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008535252A JP2008535252A (ja) | 2008-08-28 |
JP2008535252A5 JP2008535252A5 (ja) | 2010-04-22 |
JP4692785B2 true JP4692785B2 (ja) | 2011-06-01 |
Family
ID=36465771
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008504102A Active JP4692785B2 (ja) | 2005-04-01 | 2006-03-15 | 一つ又はそれ以上の処理流体を用いた、半導体ウエハー又は他のマイクロエレクトロニクス用の基板に使用されるツール用の移動かつ入れ子化できる、コンパクトなダクトシステム |
JP2008504103A Expired - Fee Related JP5333732B2 (ja) | 2005-04-01 | 2006-03-15 | マイクロエレクトロニクス用の加工物をプロセス処理するための装置 |
JP2011142003A Active JP5257637B2 (ja) | 2005-04-01 | 2011-06-27 | マイクロエレクトロニクス用の加工物に使用されるツールの障壁構造体 |
JP2013000616A Active JP5721084B2 (ja) | 2005-04-01 | 2013-01-07 | マイクロエレクトロニクス用の加工物を処理するための装置 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008504103A Expired - Fee Related JP5333732B2 (ja) | 2005-04-01 | 2006-03-15 | マイクロエレクトロニクス用の加工物をプロセス処理するための装置 |
JP2011142003A Active JP5257637B2 (ja) | 2005-04-01 | 2011-06-27 | マイクロエレクトロニクス用の加工物に使用されるツールの障壁構造体 |
JP2013000616A Active JP5721084B2 (ja) | 2005-04-01 | 2013-01-07 | マイクロエレクトロニクス用の加工物を処理するための装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US7681581B2 (ja) |
JP (4) | JP4692785B2 (ja) |
KR (3) | KR101255048B1 (ja) |
TW (2) | TWI361855B (ja) |
WO (2) | WO2006107549A1 (ja) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4692785B2 (ja) * | 2005-04-01 | 2011-06-01 | エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド | 一つ又はそれ以上の処理流体を用いた、半導体ウエハー又は他のマイクロエレクトロニクス用の基板に使用されるツール用の移動かつ入れ子化できる、コンパクトなダクトシステム |
US8387635B2 (en) | 2006-07-07 | 2013-03-05 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
KR101060664B1 (ko) | 2007-08-07 | 2011-08-31 | 에프에스아이 인터내쇼날 인크. | 하나 이상의 처리유체로 전자소자를 처리하는 장비의 배리어 판 및 벤튜리 시스템의 세정방법 및 관련 장치 |
KR101106582B1 (ko) * | 2007-12-07 | 2012-01-19 | 가부시키가이샤 사무코 | 실리콘 웨이퍼 세정 방법 및 그 장치 |
KR20130083940A (ko) | 2008-05-09 | 2013-07-23 | 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 | 개방 동작 모드와 폐쇄 동작 모드사이를 용이하게 변경하는 처리실 설계를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는 공구 및 방법 |
US8142571B2 (en) * | 2008-05-15 | 2012-03-27 | Fsi International, Inc. | Process for treatment of semiconductor wafer using water vapor containing environment |
US8501025B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-08-06 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
US20110259376A1 (en) * | 2010-04-27 | 2011-10-27 | Wagener Thomas J | Wet processing of microelectronic substrates with controlled mixing of fluids proximal to substrate surfaces |
KR101592058B1 (ko) * | 2010-06-03 | 2016-02-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 장치 |
US9263303B2 (en) * | 2010-06-11 | 2016-02-16 | Tel Fsi, Inc. | Methodologies for rinsing tool surfaces in tools used to process microelectronic workpieces |
US9443753B2 (en) * | 2010-07-30 | 2016-09-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling the flow of a gas in a process chamber |
WO2012078580A1 (en) | 2010-12-10 | 2012-06-14 | Fsi International, Inc. | Process for selectively removing nitride from substrates |
JP6095750B2 (ja) * | 2011-07-06 | 2017-03-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
JP5844681B2 (ja) * | 2011-07-06 | 2016-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
US10269615B2 (en) * | 2011-09-09 | 2019-04-23 | Lam Research Ag | Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles |
US8899246B2 (en) * | 2011-11-23 | 2014-12-02 | Lam Research Ag | Device and method for processing wafer shaped articles |
US9017568B2 (en) | 2013-01-22 | 2015-04-28 | Tel Fsi, Inc. | Process for increasing the hydrophilicity of silicon surfaces following HF treatment |
US8871108B2 (en) | 2013-01-22 | 2014-10-28 | Tel Fsi, Inc. | Process for removing carbon material from substrates |
US9443714B2 (en) | 2013-03-05 | 2016-09-13 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for substrate edge cleaning |
US9768041B2 (en) * | 2013-08-12 | 2017-09-19 | Veeco Precision Surface Processing Llc | Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle |
US10707099B2 (en) | 2013-08-12 | 2020-07-07 | Veeco Instruments Inc. | Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle |
US10037902B2 (en) | 2015-03-27 | 2018-07-31 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device and substrate processing method |
US9968970B2 (en) * | 2015-12-04 | 2018-05-15 | Lam Research Ag | Spin chuck with in situ cleaning capability |
CN108022854A (zh) * | 2016-11-03 | 2018-05-11 | 锡宬国际有限公司 | 单晶圆旋转蚀刻清洗机台的流体收集装置 |
TWI797121B (zh) | 2017-04-25 | 2023-04-01 | 美商維克儀器公司 | 半導體晶圓製程腔體 |
US20190070639A1 (en) * | 2017-09-07 | 2019-03-07 | Applied Materials, Inc. | Automatic cleaning machine for cleaning process kits |
US11244841B2 (en) | 2017-12-01 | 2022-02-08 | Elemental Scientific, Inc. | Systems for integrated decomposition and scanning of a semiconducting wafer |
JP7166089B2 (ja) * | 2018-06-29 | 2022-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法 |
JP7197376B2 (ja) * | 2019-01-17 | 2022-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
CN115398615A (zh) * | 2020-04-16 | 2022-11-25 | 基础科学公司 | 用于半导体晶圆的集成分解和扫描的系统 |
CN112192193A (zh) * | 2020-10-10 | 2021-01-08 | 黎允聪 | 一种港口码头集装箱扭锁的自动摘锁装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001160546A (ja) * | 1999-12-02 | 2001-06-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2001267278A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-28 | Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd | 廃液回収機構付ウェーハ表面処理装置 |
JP2004031400A (ja) * | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Sipec Corp | 基板処理装置及びその処理方法 |
JP2004153078A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2004265912A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-09-24 | Personal Creation Ltd | 基板の処理装置 |
Family Cites Families (151)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3836329A (en) | 1971-10-22 | 1974-09-17 | Damon Corp | Method and apparatus for removing liquid from containers |
US3990462A (en) * | 1975-05-19 | 1976-11-09 | Fluoroware Systems Corporation | Substrate stripping and cleaning apparatus |
JPS611699Y2 (ja) | 1980-03-27 | 1986-01-21 | ||
JPS605530B2 (ja) | 1980-07-30 | 1985-02-12 | 博 石塚 | 特にZrCI↓4とHfCI↓4の分離に適する蒸溜装置 |
JPS5922792A (ja) | 1982-07-30 | 1984-02-06 | Kanzaki Paper Mfg Co Ltd | 感熱記録体用塗液の調成法 |
US4682615A (en) | 1984-07-02 | 1987-07-28 | Fsi Corporation | Rinsing in acid processing of substrates |
US4609575A (en) * | 1984-07-02 | 1986-09-02 | Fsi Corporation | Method of apparatus for applying chemicals to substrates in an acid processing system |
US4801335A (en) * | 1984-07-02 | 1989-01-31 | Fsi Corporation | Rinsing in acid processing of substrates |
US4544446A (en) | 1984-07-24 | 1985-10-01 | J. T. Baker Chemical Co. | VLSI chemical reactor |
JPH0537217Y2 (ja) | 1986-10-31 | 1993-09-21 | ||
AT389959B (de) * | 1987-11-09 | 1990-02-26 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben |
CH675762A5 (ja) * | 1988-10-03 | 1990-10-31 | Peter Huerlimann | |
US5246526A (en) | 1989-06-29 | 1993-09-21 | Hitachi, Ltd. | Surface treatment apparatus |
US5271774A (en) * | 1990-03-01 | 1993-12-21 | U.S. Philips Corporation | Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate |
JP2555034Y2 (ja) | 1991-02-12 | 1997-11-19 | 三菱自動車エンジニアリング株式会社 | 遊星歯車機構 |
US5395649A (en) | 1992-02-04 | 1995-03-07 | Sony Corporation | Spin coating apparatus for film formation over substrate |
DE59407361D1 (de) | 1993-02-08 | 1999-01-14 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Träger für scheibenförmige Gegenstände |
CA2099711A1 (en) | 1993-06-29 | 1994-12-30 | Kevin Peter Kowalchuk | Method and apparatus for cleaning optical surfaces |
US5472502A (en) | 1993-08-30 | 1995-12-05 | Semiconductor Systems, Inc. | Apparatus and method for spin coating wafers and the like |
US5571560A (en) | 1994-01-12 | 1996-11-05 | Lin; Burn J. | Proximity-dispensing high-throughput low-consumption resist coating device |
JP3415670B2 (ja) | 1994-03-03 | 2003-06-09 | 三菱電機株式会社 | ウエハ洗浄装置 |
US5783025A (en) | 1994-06-07 | 1998-07-21 | Texas Instruments Incorporated | Optical diebonding for semiconductor devices |
KR0125238Y1 (ko) | 1994-11-04 | 1999-02-18 | 문정환 | 웨이퍼 세척장치 |
TW494714B (en) | 1995-04-19 | 2002-07-11 | Tokyo Electron Ltd | Method of processing substrate and apparatus for processing substrate |
JP3337870B2 (ja) | 1995-05-11 | 2002-10-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転式基板洗浄装置 |
JPH08316190A (ja) * | 1995-05-18 | 1996-11-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
TW406216B (en) | 1995-05-24 | 2000-09-21 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus for coating resist on substrate |
JP3504023B2 (ja) | 1995-05-26 | 2004-03-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 洗浄装置および洗浄方法 |
JP3983831B2 (ja) | 1995-05-30 | 2007-09-26 | シグマメルテック株式会社 | 基板ベーキング装置及び基板ベーキング方法 |
US6239038B1 (en) | 1995-10-13 | 2001-05-29 | Ziying Wen | Method for chemical processing semiconductor wafers |
EP0811083B1 (en) * | 1995-12-19 | 2000-05-31 | FSI International | Electroless deposition of metal films with spray processor |
JP3377909B2 (ja) * | 1996-02-28 | 2003-02-17 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
DE29606472U1 (de) | 1996-04-09 | 1996-07-11 | Cyanamid Agrar GmbH & Co. KG, 55218 Ingelheim | Großgebinde-Mehrwegsystem für Flüssigprodukte, insbesondere für Pflanzenschutzmittel |
JPH09314019A (ja) | 1996-05-27 | 1997-12-09 | Toshiba Corp | 表面処理方法および表面処理装置 |
US5900059A (en) * | 1996-05-29 | 1999-05-04 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Method and apparatus for fabricating semiconductor single crystal |
TW346649B (en) | 1996-09-24 | 1998-12-01 | Tokyo Electron Co Ltd | Method for wet etching a film |
KR100277522B1 (ko) * | 1996-10-08 | 2001-01-15 | 이시다 아키라 | 기판처리장치 |
JP3245813B2 (ja) | 1996-11-27 | 2002-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成装置 |
JPH1133506A (ja) | 1997-07-24 | 1999-02-09 | Tadahiro Omi | 流体処理装置及び洗浄処理システム |
JPH10163154A (ja) * | 1996-12-25 | 1998-06-19 | Sugai:Kk | 基板洗浄方法および装置 |
JPH10199852A (ja) | 1997-01-13 | 1998-07-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式基板処理装置 |
JPH10209102A (ja) | 1997-01-17 | 1998-08-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
AT405655B (de) * | 1997-03-26 | 1999-10-25 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Verfahren und vorrichtung zum einseitigen bearbeiten scheibenförmiger gegenstände |
AT407586B (de) | 1997-05-23 | 2001-04-25 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Anordnung zum behandeln scheibenförmiger gegenstände, insbesondere von siliziumwafern |
TW402737B (en) | 1997-05-27 | 2000-08-21 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning/drying device and method |
JPH118213A (ja) | 1997-06-13 | 1999-01-12 | Komatsu Ltd | 半導体ウエハの処理方法 |
JPH1154471A (ja) * | 1997-08-05 | 1999-02-26 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
JPH11129184A (ja) * | 1997-09-01 | 1999-05-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板搬入搬出装置 |
JP3555724B2 (ja) | 1997-09-04 | 2004-08-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US6398975B1 (en) * | 1997-09-24 | 2002-06-04 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate |
US6491764B2 (en) | 1997-09-24 | 2002-12-10 | Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) | Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate |
US6260562B1 (en) | 1997-10-20 | 2001-07-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus and method |
JPH11162927A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Sumi Ere Sez Kk | 半導体基板処理装置 |
US6332470B1 (en) | 1997-12-30 | 2001-12-25 | Boris Fishkin | Aerosol substrate cleaner |
US6360562B1 (en) * | 1998-02-24 | 2002-03-26 | Superior Micropowders Llc | Methods for producing glass powders |
JP3333135B2 (ja) | 1998-06-25 | 2002-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
US6689215B2 (en) * | 1998-09-17 | 2004-02-10 | Asml Holdings, N.V. | Method and apparatus for mitigating cross-contamination between liquid dispensing jets in close proximity to a surface |
JP2000124181A (ja) | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US6139636A (en) | 1998-11-12 | 2000-10-31 | United Microelectronics Corp. | Spray coating device |
DE19854743A1 (de) * | 1998-11-27 | 2000-06-08 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Vorrichtung zum Naßätzen einer Kante einer Halbleiterscheibe |
US6680253B2 (en) | 1999-01-22 | 2004-01-20 | Semitool, Inc. | Apparatus for processing a workpiece |
JP2000286267A (ja) | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法 |
DE59900743D1 (de) | 1999-04-28 | 2002-02-28 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Vorrichtung und Verfahren zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen |
US6221781B1 (en) * | 1999-05-27 | 2001-04-24 | Fsi International, Inc. | Combined process chamber with multi-positionable pedestal |
AT407680B (de) | 1999-06-04 | 2001-05-25 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Verfahren und vorrichtung zum trocknen von scheibenförmigen gegenständen |
JP2001015481A (ja) | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | エッチング装置 |
CH693822A5 (fr) | 1999-07-07 | 2004-02-27 | Marcel Leisi | Tête de pulvérisation. |
TW504776B (en) | 1999-09-09 | 2002-10-01 | Mimasu Semiconductor Ind Co | Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism |
US6299804B1 (en) | 1999-09-16 | 2001-10-09 | Husky Injection Molding Systems Ltd. | Air cooling system for preform molding |
US6243966B1 (en) | 1999-12-10 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Air amplifier with uniform output flow pattern |
JP2001189260A (ja) | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及びその方法 |
US6533954B2 (en) | 2000-02-28 | 2003-03-18 | Parker-Hannifin Corporation | Integrated fluid injection air mixing system |
US6594847B1 (en) | 2000-03-28 | 2003-07-22 | Lam Research Corporation | Single wafer residue, thin film removal and clean |
WO2001084621A1 (en) | 2000-04-27 | 2001-11-08 | Ebara Corporation | Rotation holding device and semiconductor substrate processing device |
US7364625B2 (en) | 2000-05-30 | 2008-04-29 | Fsi International, Inc. | Rinsing processes and equipment |
EP1290720A1 (en) | 2000-06-16 | 2003-03-12 | Applied Materials, Inc. | Configurable single substrate wet-dry integrated cluster cleaner |
US7451774B2 (en) | 2000-06-26 | 2008-11-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for wafer cleaning |
US20020063169A1 (en) * | 2000-06-26 | 2002-05-30 | Applied Materials, Inc. | Wafer spray configurations for a single wafer processing apparatus |
US6927176B2 (en) | 2000-06-26 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process |
US6488040B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-12-03 | Lam Research Corporation | Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying |
US6536454B2 (en) | 2000-07-07 | 2003-03-25 | Sez Ag | Device for treating a disc-shaped object |
WO2002004134A1 (en) | 2000-07-12 | 2002-01-17 | Fsi International, Inc. | Thermal processing system and methods for forming low-k dielectric films suitable for incorporation into microelectronic devices |
US6393656B1 (en) | 2000-07-20 | 2002-05-28 | Oreck Holdings, Llc | Belt-mounted vacuum apparatus and methods |
US6688784B1 (en) | 2000-10-25 | 2004-02-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Parallel plate development with multiple holes in top plate for control of developer flow and pressure |
US6705331B2 (en) * | 2000-11-20 | 2004-03-16 | Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus |
JP2002246358A (ja) * | 2001-02-05 | 2002-08-30 | Applied Materials Inc | ウェハ検出装置、洗浄乾燥装置およびメッキ装置 |
JP4037624B2 (ja) | 2001-05-21 | 2008-01-23 | 株式会社東芝 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2002359220A (ja) | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理装置 |
JP3511514B2 (ja) | 2001-05-31 | 2004-03-29 | エム・エフエスアイ株式会社 | 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法 |
CN1288519C (zh) | 2001-07-13 | 2006-12-06 | Fsi国际股份有限公司 | 机器人系统控制 |
US7171973B2 (en) | 2001-07-16 | 2007-02-06 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
JP3958539B2 (ja) | 2001-08-02 | 2007-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2003073847A (ja) | 2001-08-29 | 2003-03-12 | Araco Corp | 耐食性複層構造材の製造方法 |
JP2003086564A (ja) | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Mitsubishi Electric Corp | 遠心乾燥装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体製造装置 |
JP3749848B2 (ja) | 2001-09-28 | 2006-03-01 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板周縁処理装置 |
DE60219503T2 (de) | 2001-10-03 | 2008-01-10 | ASML US, Inc., San Jose | Verfahren und vorrichtung zur vermeidung von kreuz-kontamination zwischen flüssigkeitsdüsen inoberflächennähe |
US20030070695A1 (en) | 2001-10-16 | 2003-04-17 | Applied Materials, Inc. | N2 splash guard for liquid injection on the rotating substrate |
JP3892792B2 (ja) * | 2001-11-02 | 2007-03-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板洗浄装置 |
US6776359B2 (en) | 2001-11-06 | 2004-08-17 | Kolene Corporation | Spray nozzle configuration |
US20040062874A1 (en) | 2002-08-14 | 2004-04-01 | Kim Yong Bae | Nozzle assembly, system and method for wet processing a semiconductor wafer |
US6826910B1 (en) | 2002-01-28 | 2004-12-07 | Mark Richard Easton | Extreme charger with air amplifier |
JP4074814B2 (ja) | 2002-01-30 | 2008-04-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
TWI261875B (en) | 2002-01-30 | 2006-09-11 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus and substrate processing method |
JP3979113B2 (ja) | 2002-02-12 | 2007-09-19 | セイコーエプソン株式会社 | チャンバ装置の大気置換方法、チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機el装置 |
US6913651B2 (en) * | 2002-03-22 | 2005-07-05 | Blue29, Llc | Apparatus and method for electroless deposition of materials on semiconductor substrates |
JP4570008B2 (ja) | 2002-04-16 | 2010-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP4005879B2 (ja) | 2002-08-30 | 2007-11-14 | 株式会社東芝 | 現像方法、基板処理方法、及び基板処理装置 |
US7584760B2 (en) * | 2002-09-13 | 2009-09-08 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US7531039B2 (en) * | 2002-09-25 | 2009-05-12 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing system |
US7293571B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-11-13 | Lam Research Corporation | Substrate proximity processing housing and insert for generating a fluid meniscus |
KR100493849B1 (ko) | 2002-09-30 | 2005-06-08 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 건조 장치 |
US7383843B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
US7389783B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-24 | Lam Research Corporation | Proximity meniscus manifold |
KR100466297B1 (ko) | 2002-10-17 | 2005-01-13 | 한국디엔에스 주식회사 | 반도체 제조 장치 |
JP4133209B2 (ja) | 2002-10-22 | 2008-08-13 | 株式会社神戸製鋼所 | 高圧処理装置 |
US7051743B2 (en) | 2002-10-29 | 2006-05-30 | Yong Bae Kim | Apparatus and method for cleaning surfaces of semiconductor wafers using ozone |
US7022193B2 (en) | 2002-10-29 | 2006-04-04 | In Kwon Jeong | Apparatus and method for treating surfaces of semiconductor wafers using ozone |
JP3759492B2 (ja) | 2002-12-03 | 2006-03-22 | 近藤工業株式会社 | ミニエンバライメント方式の半導体製造装置 |
CN101424883B (zh) | 2002-12-10 | 2013-05-15 | 株式会社尼康 | 曝光设备和器件制造法 |
US7306002B2 (en) | 2003-01-04 | 2007-12-11 | Yong Bae Kim | System and method for wet cleaning a semiconductor wafer |
WO2004070807A1 (ja) | 2003-02-03 | 2004-08-19 | Personal Creation Ltd. | 基板の処理装置及び基板の処理方法 |
JP2004265911A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-09-24 | Personal Creation Ltd | 基板の処理装置 |
JP4105574B2 (ja) | 2003-03-26 | 2008-06-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
EP1609174B1 (en) | 2003-03-31 | 2011-11-30 | Lam Research Corporation | Chamber and method for wafer processing |
US7089076B2 (en) | 2003-05-16 | 2006-08-08 | Fsi International, Inc. | Scheduling multi-robot processing systems |
JP4494840B2 (ja) | 2003-06-27 | 2010-06-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法 |
US7827930B2 (en) | 2004-01-26 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates |
JP2005167089A (ja) | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
JP4369325B2 (ja) | 2003-12-26 | 2009-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置及び現像処理方法 |
JP4409312B2 (ja) | 2004-02-18 | 2010-02-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 |
US7323080B2 (en) | 2004-05-04 | 2008-01-29 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate |
JP4288207B2 (ja) | 2004-05-25 | 2009-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
JP2005353739A (ja) | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
JP2006005315A (ja) | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP4271109B2 (ja) | 2004-09-10 | 2009-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 |
JP2006086474A (ja) | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Sharp Corp | 基板洗浄用ノズルおよび基板洗浄装置 |
US7476616B2 (en) | 2004-12-13 | 2009-01-13 | Fsi International, Inc. | Reagent activator for electroless plating |
JP4410119B2 (ja) | 2005-02-03 | 2010-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置、塗布、現像装置及び洗浄方法 |
US8070884B2 (en) * | 2005-04-01 | 2011-12-06 | Fsi International, Inc. | Methods for rinsing microelectronic substrates utilizing cool rinse fluid within a gas enviroment including a drying enhancement substance |
JP4692785B2 (ja) | 2005-04-01 | 2011-06-01 | エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド | 一つ又はそれ以上の処理流体を用いた、半導体ウエハー又は他のマイクロエレクトロニクス用の基板に使用されるツール用の移動かつ入れ子化できる、コンパクトなダクトシステム |
US7309847B2 (en) | 2006-01-12 | 2007-12-18 | Carleton Life Support Systems, Inc. | Ceramic oxygen generating oven |
JP4641964B2 (ja) | 2006-03-30 | 2011-03-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2008008216A2 (en) | 2006-07-07 | 2008-01-17 | Fsi International, Inc. | Liquid aerosol particle removal method |
US8387635B2 (en) | 2006-07-07 | 2013-03-05 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
JP4644170B2 (ja) | 2006-09-06 | 2011-03-02 | 栗田工業株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US20080213076A1 (en) | 2007-03-02 | 2008-09-04 | Stephen Hanson | Edge grip end effector |
CN101681827A (zh) | 2007-05-18 | 2010-03-24 | Fsi国际公司 | 用水蒸气或蒸汽处理基材的方法 |
US20090025807A1 (en) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Visible Assets Inc. | Rubee enabled outdoor faucet and watering control system |
KR101060664B1 (ko) | 2007-08-07 | 2011-08-31 | 에프에스아이 인터내쇼날 인크. | 하나 이상의 처리유체로 전자소자를 처리하는 장비의 배리어 판 및 벤튜리 시스템의 세정방법 및 관련 장치 |
KR20130083940A (ko) | 2008-05-09 | 2013-07-23 | 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 | 개방 동작 모드와 폐쇄 동작 모드사이를 용이하게 변경하는 처리실 설계를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는 공구 및 방법 |
-
2006
- 2006-03-15 JP JP2008504102A patent/JP4692785B2/ja active Active
- 2006-03-15 JP JP2008504103A patent/JP5333732B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-15 KR KR1020077022219A patent/KR101255048B1/ko active IP Right Grant
- 2006-03-15 US US11/376,987 patent/US7681581B2/en active Active
- 2006-03-15 KR KR1020127025244A patent/KR101316769B1/ko active IP Right Grant
- 2006-03-15 WO PCT/US2006/009325 patent/WO2006107549A1/en active Application Filing
- 2006-03-15 US US11/376,996 patent/US8544483B2/en active Active
- 2006-03-15 WO PCT/US2006/009353 patent/WO2006107550A2/en active Application Filing
- 2006-03-15 KR KR1020077022911A patent/KR100993311B1/ko active IP Right Grant
- 2006-03-30 TW TW95111224A patent/TWI361855B/zh active
- 2006-03-30 TW TW95111264A patent/TWI343285B/zh active
-
2008
- 2008-07-09 US US12/217,883 patent/US8656936B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-06-27 JP JP2011142003A patent/JP5257637B2/ja active Active
- 2011-08-26 US US13/219,220 patent/US8899248B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-01-07 JP JP2013000616A patent/JP5721084B2/ja active Active
-
2014
- 2014-11-25 US US14/553,395 patent/US20150075569A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001160546A (ja) * | 1999-12-02 | 2001-06-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2001267278A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-28 | Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd | 廃液回収機構付ウェーハ表面処理装置 |
JP2004031400A (ja) * | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Sipec Corp | 基板処理装置及びその処理方法 |
JP2004153078A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2004265912A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-09-24 | Personal Creation Ltd | 基板の処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070122466A (ko) | 2007-12-31 |
JP5257637B2 (ja) | 2013-08-07 |
KR100993311B1 (ko) | 2010-11-09 |
JP2008535252A (ja) | 2008-08-28 |
US7681581B2 (en) | 2010-03-23 |
JP2011258960A (ja) | 2011-12-22 |
KR101255048B1 (ko) | 2013-04-16 |
US20080271763A1 (en) | 2008-11-06 |
US20070245954A1 (en) | 2007-10-25 |
US8544483B2 (en) | 2013-10-01 |
JP2013062548A (ja) | 2013-04-04 |
KR101316769B1 (ko) | 2013-10-15 |
US20110308647A1 (en) | 2011-12-22 |
KR20070122473A (ko) | 2007-12-31 |
US20150075569A1 (en) | 2015-03-19 |
JP5333732B2 (ja) | 2013-11-06 |
WO2006107550A3 (en) | 2007-02-22 |
TW200704869A (en) | 2007-02-01 |
US20070022948A1 (en) | 2007-02-01 |
WO2006107550A2 (en) | 2006-10-12 |
TW200704868A (en) | 2007-02-01 |
WO2006107549A1 (en) | 2006-10-12 |
KR20120125388A (ko) | 2012-11-14 |
JP2008535253A (ja) | 2008-08-28 |
US8656936B2 (en) | 2014-02-25 |
US8899248B2 (en) | 2014-12-02 |
JP5721084B2 (ja) | 2015-05-20 |
TWI343285B (en) | 2011-06-11 |
TWI361855B (en) | 2012-04-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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