JP4564454B2 - 塗布方法及び塗布装置及び塗布処理プログラム - Google Patents

Description

本発明は、長尺形のノズルを用いて被処理基板上に処理液の塗布膜を形成する塗布方法、塗布装置および塗布処理プログラムに関する。

ＬＣＤ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程には、スリット状の吐出口を有する長尺形のレジストノズルを走査して被処理基板（ガラス基板等）上にレジスト液を塗布するスピンレスの塗布法がよく用いられている。

このようなスピンレス塗布法は、たとえば特許文献１に開示されるように、載置台またはステージ上に基板を水平に載置して、このステージ上の基板と長尺形レジストノズルの吐出口との間に数１００μｍ以下の微小なギャップを設定し、基板上方でレジストノズルを走査方向（一般にノズル長手方向と直交する水平方向）に移動させながら基板上にレジスト液を帯状に吐出させて塗布する。長尺形レジストノズルを基板の一端から他端まで１回移動させるだけで、レジスト液を基板の外に落とさずに所望の膜厚でレジスト塗布膜を基板上に形成することができる。
特開平１０−１５６２５５

従来のスピンレス塗布法は、レジスト塗布膜の膜厚制御に改善の余地があり、特に面内均一性が課題となっている。具体的には、塗布走査の終端部においてレジスト液供給源のポンプを止めてそのままレジストノズルを基板の外側または上方へ退避させるだけでは、レジストノズル内のレジスト液が基板上のレジスト液膜に繋がったまま吐き出されてから液切りが行われるため、塗布走査方向の基板後端部でレジスト塗布膜が盛り上がりやすいという問題がある。

一般に、基板上面（被処理面）の周縁部に所定幅のマージン領域が設定され、そのマージン領域の内側の製品領域にデバイスが形成される。したがって、レジスト塗布処理においては、製品領域がレジスト塗布膜の膜厚を保証しなければならない保証領域であり、保証領域の全域でレジスト塗布膜の膜厚が所定の許容範囲内に収まっていればよく、周辺のマージン領域内に許容範囲を超える盛り上がりが生じても、レジスト塗布膜の膜厚プロファイルが不良であることにはならない。

もっとも、マージン領域に塗布された周辺レジストはパーティクルの原因となるおそれがあるため、周辺露光機等を用いて後工程で除去するようにしている。しかし、レジストの膜厚が大きいとこれを十全に除去しきれないことがあり、この点で上記のような塗布走査終端部におけるレジスト塗布膜の盛り上がりが問題となる。

このような塗布走査終端部におけるレジスト塗布膜の盛り上がりを抑制するために、塗布走査の終了位置を基板上に設定してそこにレジストノズルをいったん停止させ、ノズル停止または静止状態の下でレジスト液供給源のポンプを逆転させることにより基板上からレジスト液を吸い取る、いわゆるサックバック法が従来から行われている。

ところが、従来技術の下でサックバック法を用いると、レジストノズルを介したレジスト液の吸い取りによるレジスト塗布膜の薄膜化がマージン領域内に止まらず膜厚保証領域にも及んで、膜厚保証領域内のレジスト膜厚が設定値または許容範囲以下に低下するおそれがあった。

本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、長尺形ノズルを用いるスピンレス塗布法において塗布走査終了部付近の膜厚制御性を改善して塗布品質を向上させる塗布方法、塗布装置および塗布処理プログラムを提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の第１の塗布方法は、被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成する塗布方法であって、前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定する工程と、前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第１の水平移動速度からそれよりも高い第２の水平移動速度までいったん上昇させ、次いで前記第２の水平移動速度から実質的に零に等しい第３の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせる工程と、前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、第１の距離間隔からそれよりも小さな第２の距離間隔まで減少させる工程と、前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させる工程と、前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる工程とを有する。

本発明の第１の塗布装置は、被処理基板をほぼ水平に支持するための基板支持部と、塗布走査中に前記基板の上面に微小なギャップを隔てて処理液を吐出するための長尺形のノズルと、塗布走査中に前記ノズルに前記処理液を圧送するための処理液供給源と、塗布走査中に前記ノズルを前記基板に対して相対的に水平方向で移動させるための走査部と、前記ノズルを前記基板に対して相対的に鉛直方向で移動させるための昇降部と、前記走査部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第１の水平移動速度からそれよりも高い第２の水平移動速度までいったん上昇させ、次いで前記第２の水平移動速度から実質的に零に等しい第３の水平移動速度まで所定の減速率で減少させて、前記ノズルを予め設定した走査終点位置に着かせ、前記昇降部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを第１の距離間隔からそれよりも小さな第２の距離間隔まで減少させ、前記処理液供給源を制御して、塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルに対する前記処理液の圧送を停止させ、かつ前記走査終点位置に着いた前記ノズルを通じて前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる制御部とを有する。

本発明の第１の塗布処理プログラムは、被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成するための塗布処理プログラムであって、前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定するステップと、前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第１の水平移動速度からそれよりも高い第２の水平移動速度までいったん上昇させ、次いで前記第２の水平移動速度から実質的に零に等しい第３の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせるステップと、前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、第１の距離間隔からそれよりも小さな第２の距離間隔まで所定の垂直移動速度で減少させるステップと、前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させるステップと、前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせるステップとを実行する。

上記第１の塗布方法、塗布装置および塗布処理プログラムにおいては、長尺形のノズルが微小なギャップを介して基板上に処理液を帯状に吐出しながら水平方向に相対的に移動することにより、走査方向において基板の前端側から後端側に向かって処理液の塗布膜が形成されていく。この塗布走査中、基板上に吐出された処理液がぬれ現象により走査方向においてノズルの背面下部に付着して高さ方向に広がり（盛り上がり）、ノズル長手方向に延びるメニスカスが形成される。そして、塗布走査の終盤に所定の走査位置またはタイミングで（好ましくは、基板の外周エッジから基板中心側に所定の距離だけオフセットした位置を通る境界よりも内側に塗布膜の膜厚を保証すべき領域を設定し、塗布走査の方向においてノズルが境界付近を通過するタイミングで）、走査速度を瞬間的に上昇（急加速）させることにより、それまでノズルの背面下部に付着または追従してきたメニスカスの処理液盛り上がり部をノズルから分離せしめて、走査方向においてノズルの後方に置き去りにする。そして、走査終了直後に基板上の走査終点位置でノズルに処理液の吸い取りつまりサックバックを行わせることにより塗布走査終端部の余分な処理液を取り除き、その際にサックバックの影響（吸い取り作用）を上記置き去りの処理液盛り上がり部でキャンセルすることによって、基板上の膜厚保証領域内の膜厚が許容範囲以下になるのを防止する。

本発明の第２の塗布方法は、被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを水平方向に相対的に移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成する塗布方法であって、前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定する工程と、前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第１の水平移動速度から実質的に零に等しい第２の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせる工程と、前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、前記ギャップを第１の距離間隔からそれよりも大きな第２の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第２の距離間隔から前記第１の距離間隔よりも小さな第３の距離間隔まで減少させる工程と、前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させる工程と、前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる工程とを有する。

本発明の第２の塗布装置は、被処理基板をほぼ水平に支持するための基板支持部と、塗布処理中に前記基板の上面に微小なギャップを隔てて処理液を吐出するための長尺形のノズルと、塗布処理中に前記ノズルに前記処理液を圧送するための処理液供給源と、塗布処理中に前記ノズルを前記基板に対して相対的に水平方向で移動させるための走査部と、前記ノズルを前記基板に対して相対的に鉛直方向で移動させるための昇降部と、前記走査部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第１の水平移動速度から実質的に零に等しい第２の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを予め設定した走査終点位置に着かせ、前記昇降部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを第１の距離間隔からそれよりも大きな第２の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第２の距離間隔から前記第１の距離間隔よりも小さな第３の距離間隔まで減少させ、前記処理液供給源を制御して、塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルに対する前記処理液の圧送を停止させ、かつ前記走査終点位置に着いた前記ノズルを通じて前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる制御部とを有する。

また、本発明の第２の塗布処理プログラムは、被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを水平方向に相対的に移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成するための塗布処理プログラムであって、前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定するステップと、前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第１の水平移動速度から実質的に零に等しい第２の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせるステップと、前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、前記ギャップを第１の距離間隔からそれよりも大きな第２の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第２の距離間隔から前記第１の距離間隔よりも小さな第３の距離間隔まで減少させるステップと、前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させるステップと、前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせるステップとを実行する。

上記第２の塗布方法、塗布装置および塗布処理プログラムにおいては、長尺形のノズルが微小なギャップを介して基板上に処理液を帯状に吐出しながら水平方向に相対的に移動することにより、走査方向において基板の前端側から後端側に向かって処理液の塗布膜が形成されていく。この塗布走査中、基板上に吐出された処理液がぬれ現象により走査方向においてノズルの背面下部に付着して高さ方向に広がり（盛り上がり）、ノズル長手方向に延びるメニスカスが形成される。そして、塗布走査の終盤に所定の走査位置またはタイミングで（好ましくは、基板の外周エッジから基板中心側に所定の距離だけオフセットした位置を通る境界よりも内側に塗布膜の膜厚を保証すべき領域を設定し、塗布走査の方向においてノズルが境界付近を通過するタイミングで）、塗布ギャップが瞬間的に増大することにより、処理液の側縁部が内側にくびれて膜厚もそのぶん高くなる。これによって、その直後にノズルと基板との間で走査速度の減速と塗布ギャップの縮小とを同時的に行っても、基板上の走査方向において製品領域と非製品領域との境界付近で塗布膜のサイド方向の広がりを防止ないし抑制することができる。そして、走査終了直後に基板上の走査終点位置でノズルに処理液の吸い取りつまりサックバックを行わせることにより塗布走査終端部の余分な処理液を取り除き、その際にサックバックの影響（吸い取り作用）を上記くびれ部でキャンセルすることによって、基板上の膜厚保証領域内の処理液の膜厚が許容範囲以下になるのを防止する。

本発明の第３の塗布方法は、被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを水平方向に相対的に移動させる走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成する塗布方法であって、前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定する工程と、前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第１の水平移動速度からそれよりも高い第２の水平移動速度までいったん上昇させ、次いで前記第２の水平移動速度から実質的に零に等しい第３の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせる工程と、前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、第１の距離間隔からそれよりも大きな第２の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第２の距離間隔から前記第１の距離間隔よりも小さな第３の距離間隔まで減少させる工程と、前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させる工程と、前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる工程とを有する。

本発明の第３の塗布装置は、被処理基板をほぼ水平に支持するための基板支持部と、塗布走査中に前記基板の上面に微小なギャップを隔てて処理液を吐出するための長尺形のノズルと、塗布走査中に前記ノズルに前記処理液を圧送するための処理液供給源と、塗布走査中に前記ノズルを前記基板に対して相対的に水平方向で移動させるための走査部と、前記ノズルを前記基板に対して相対的に鉛直方向で移動させるための昇降部と、前記走査部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第１の水平移動速度からそれよりも高い第２の水平移動速度へいったん上昇させ、次いで前記第２の水平移動速度から実質的に零に等しい第３の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを予め設定した走査終点位置に着かせ、前記昇降部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを第１の距離間隔からそれよりも大きな第２の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第２の距離間隔から前記第１の距離間隔よりも小さな第３の距離間隔まで減少させ、前記処理液供給源を制御して、塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルに対する前記処理液の圧送を停止させ、かつ前記走査終点位置に着いた前記ノズルを通じて前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる制御部とを有する。

また、本発明の第３の塗布処理プログラムは、被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを水平方向に相対的に移動させる走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成するための塗布処理プログラムであって、前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定するステップと、前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第１の水平移動速度からそれよりも高い第２の水平移動速度までいったん上昇させ、次いで前記第２の水平移動速度から実質的に零に等しい第３の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせるステップと、前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、第１の距離間隔からそれよりも大きな第２の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第２の距離間隔から前記第１の距離間隔よりも小さな第３の距離間隔まで減少させるステップと、前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させるステップと、前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせるステップとを実行する。

上記第３の塗布方法、塗布装置および塗布処理プログラムは、上記第１の塗布方法、塗布装置および塗布処理プログラムにおける走査速度の加減速による膜厚制御法と上記第２の塗布方法、塗布装置および塗布処理プログラムにおける塗布ギャップの増減による膜厚制御法とを併用するので、両者の相乗効果により基板上の製品領域内の膜厚均一性をより一層向上させることができる。

本発明の好適な一態様においては、塗布走査終端部における処理液の広がりと膜厚の安定性および再現性を高めるために、走査終点位置にノズルが着いた時から所定時間の経過後に処理液の吸い取りを開始する。

好適な一態様によれば、本発明の塗布装置において、基板支持部が、塗布領域内で基板を空中に浮かせるステージを有する。該塗布領域内では、ステージの上面に、気体を噴出する噴出口と気体を吸い込む吸引口とが多数混在して設けられる。ノズルは、水平搬送方向では塗布領域内の定位置に配置されてよい。走査部には、ステージ上で浮いた状態の基板を水平移動に対応する所定の搬送方向に搬送してノズルの直下を通過させる基板搬送部が備えられる。この基板搬送部は、基板の移動する方向と平行に延びるようにステージの片側または両側に配置されるガイドレールと、このガイドレールに沿って移動可能なスライダと、このスライダをガイドレールに沿って移動するように駆動する搬送駆動部と、スライダからステージの中心部に向かって延在し、基板の側縁部を着脱可能に保持する保持部とを有する。また、好適な一態様として、昇降部が、ノズルを一体に支持するノズル支持部と、ノズルを任意の第１の高さ位置から任意の第２の高さ位置へ昇降移動させるためにノズル支持部と結合する電動アクチエータと、ノズルの重力をキャンセルするために前記ノズル支持部と結合するエアシリンダとを有する。

本発明の塗布方法、塗布装置および塗布処理プログラムによれば、上記のような構成および作用により、長尺形ノズルを用いるスピンレス塗布法において塗布走査終了部付近の膜厚制御性を改善して塗布品質を向上させることができる。

以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。

図１に、本発明の塗布方法、塗布装置および塗布処理プログラムの適用可能な構成例として塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システムは、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベークの各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置（図示せず）で行われる。

この塗布現像処理システムは、大きく分けて、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２と、インタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４とで構成される。

システムの一端部に設置されるカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを所定数たとえば４個まで載置可能なカセットステージ１６と、このカセットステージ１６上の側方でかつカセットＣの配列方向と平行に設けられた搬送路１７と、この搬送路１７上で移動自在でステージ１６上のカセットＣについて基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２０とを備えている。この搬送機構２０は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アームを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、後述するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２側の搬送装置３８と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。

プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２は、上記カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０側から順に洗浄プロセス部２２と、塗布プロセス部２４と、現像プロセス部２６とを基板中継部２３、薬液供給ユニット２５およびスペース２７を介して（挟んで）横一列に設けている。

洗浄プロセス部２２は、２つのスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２８と、上下２段の紫外線照射／冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）３０と、加熱ユニット（ＨＰ）３２と、冷却ユニット（ＣＯＬ）３４とを含んでいる。

塗布プロセス部２４は、スピンレス方式のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０と、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２と、上下２段型アドヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）４６と、上下２段型加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）４８と、加熱ユニット（ＨＰ）５０とを含んでいる。

現像プロセス部２６は、３つの現像ユニット（ＤＥＶ）５２と、２つの上下２段型加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）５３と、加熱ユニット（ＨＰ）５５とを含んでいる。

各プロセス部２２，２４，２６の中央部には長手方向に搬送路３６，５１，５８が設けられ、搬送装置３８，５４，６０がそれぞれ搬送路３６，５１，５８に沿って移動して各プロセス部内の各ユニットにアクセスし、基板Ｇの搬入／搬出または搬送を行うようになっている。なお、このシステムでは、各プロセス部２２，２４，２６において、搬送路３６，５１，５８の一方の側に液処理系のユニット（ＳＣＲ，ＣＴ，ＤＥＶ等）が配置され、他方の側に熱処理系のユニット（ＨＰ，ＣＯＬ等）が配置されている。

システムの他端部に設置されるインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４は、プロセスステーション１２と隣接する側にイクステンション（基板受け渡し部）５６およびバッファステージ５７を設け、露光装置と隣接する側に搬送機構５９を設けている。この搬送機構５９は、Ｙ方向に延在する搬送路１９上で移動自在であり、バッファステージ５７に対して基板Ｇの出し入れを行なうほか、イクステンション（基板受け渡し部）５６や隣の露光装置と基板Ｇの受け渡しを行うようになっている。

図２に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０において、搬送機構２０が、カセットステージ１６上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２の洗浄プロセス部２２の搬送装置３８に渡す（ステップＳ1）。

洗浄プロセス部２２において、基板Ｇは、先ず紫外線照射／冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）３０に順次搬入され、最初の紫外線照射ユニット（ＵＶ）では紫外線照射による乾式洗浄を施され、次の冷却ユニット（ＣＯＬ）では所定温度まで冷却される（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。

次に、基板Ｇはスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２８の１つでスクラビング洗浄処理を受け、基板表面から粒子状の汚れが除去される（ステップＳ3）。スクラビング洗浄の後、基板Ｇは、加熱ユニット（ＨＰ）３２で加熱による脱水処理を受け（ステップＳ4）、次いで冷却ユニット（ＣＯＬ）３４で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。これで洗浄プロセス部２２における前処理が終了し、基板Ｇは、搬送装置３８により基板受け渡し部２３を介して塗布プロセス部２４へ搬送される。

塗布プロセス部２４において、基板Ｇは、先ずアドヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）４６に順次搬入され、最初のアドヒージョンユニット（ＡＤ）では疎水化処理（ＨＭＤＳ）を受け（ステップＳ6）、次の冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。

その後、基板Ｇは、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０でスピンレス法によりレジスト液を塗布され、次いで減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２で減圧による乾燥処理を受ける（ステップＳ8）。

次に、基板Ｇは、加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）４８に順次搬入され、最初の加熱ユニット（ＨＰ）では塗布後のベーキング（プリベーク）が行われ（ステップＳ9）、次に冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。なお、この塗布後のベーキングに加熱ユニット（ＨＰ）５０を用いることもできる。

上記塗布処理の後、基板Ｇは、塗布プロセス部２４の搬送装置５４と現像プロセス部２６の搬送装置６０とによってインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４へ搬送され、そこから露光装置に渡される（ステップＳ11）。露光装置では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンを露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置からインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４に戻される。インタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４の搬送機構５９は、露光装置から受け取った基板Ｇをイクステンション５６を介してプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２の現像プロセス部２６に渡す（ステップＳ11）。

現像プロセス部２６において、基板Ｇは、現像ユニット（ＤＥＶ）５２のいずれか１つで現像処理を受け（ステップＳ12）、次いで加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）５３の１つに順次搬入され、最初の加熱ユニット（ＨＰ）ではポストベーキングが行われ（ステップＳ13）、次に冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ14）。このポストベーキングに加熱ユニット（ＨＰ）５５を用いることもできる。

現像プロセス部２６での一連の処理が済んだ基板Ｇは、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）２４内の搬送装置６０，５４，３８によりカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０まで戻され、そこで搬送機構２０によりいずれか１つのカセットＣに収容される（ステップＳ1）。

この塗布現像処理システムにおいては、たとえば塗布プロセス部２４のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０に本発明を適用することができる。以下、図３〜図３０につき本発明をレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０に適用した一実施形態を説明する。

図３に、この実施形態におけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０および減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２の全体構成を示す。

図３に示すように、支持台または支持フレーム７０の上にレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０と減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２とがＸ方向に横一列に配置されている。塗布処理を受けるべき新たな基板Ｇは、搬送路５１側の搬送装置５４（図１）により矢印Ｆ_Aで示すようにレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０に搬入される。レジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０で塗布処理の済んだ基板Ｇは、支持台７０上のガイドレール７２に案内されるX方向に移動可能な搬送アーム７４により、矢印Ｆ_Bで示すように減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２に転送される。減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２で乾燥処理を終えた基板Ｇは、搬送路５１側の搬送装置５４（図１）により矢印Ｆ_Cで示すように引き取られる。

レジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０は、Ｘ方向に長く延びるステージ７６を有し、このステージ７６上で基板Ｇを同方向に平流しで搬送しながら、ステージ７６の上方に配置された長尺形のレジストノズル７８より基板Ｇ上にレジスト液を供給して、スピンレス法で基板上面（被処理面）に一定膜厚のレジスト塗布膜を形成するように構成されている。ユニット（ＣＴ）４０内の各部の構成および作用は後に詳述する。

減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２は、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバ８０と、この下部チャンバ８０の上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバ（図示せず）とを有している。下部チャンバ８０はほぼ四角形で、中心部には基板Ｇを水平に載置して支持するためのステージ８２が配設され、底面の四隅には排気口８３が設けられている。各排気口８３は排気管（図示せず）を介して真空ポンプ（図示せず）に通じている。下部チャンバ８０に上部チャンバを被せた状態で、両チャンバ内の密閉された処理空間を該真空ポンプにより所定の真空度まで減圧できるようになっている。

図４および図５に、本発明の一実施形態におけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０内のより詳細な全体構成を示す。

この実施形態のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０においては、ステージ７６が、従来のように基板Ｇを固定保持する載置台として機能するのではなく、基板Ｇを空気圧の力で空中に浮かせるための基板浮上台として機能する。そして、ステージ７６の両サイドに配置されている直進運動型の基板搬送部８４が、ステージ７６上で浮いている基板Ｇの両側縁部をそれぞれ着脱可能に保持してステージ長手方向（Ｘ方向）に基板Ｇを搬送するようになっている。

詳細には、ステージ７６は、その長手方向（Ｘ方向）において５つの領域Ｍ₁，Ｍ₂，Ｍ₃，Ｍ₄，Ｍ₅に分割されている（図５）。左端の領域Ｍ₁は搬入領域であり、塗布処理を受けるべき新規の基板Ｇはこの領域Ｍ₁内の所定位置に搬入される。この搬入領域Ｍ₁には、搬送装置５４（図１）の搬送アームから基板Ｇを受け取ってステージ７６上にローディングするためにステージ下方の原位置とステージ上方の往動位置との間で昇降移動可能な複数本のリフトピン８６が所定の間隔を置いて設けられている。これらのリフトピン８６は、たとえばエアシリンダ（図示せず）を駆動源に用いる搬入用のリフトピン昇降部８５（図１３）によって昇降駆動される。

この搬入領域Ｍ₁は浮上式の基板搬送が開始される領域でもあり、この領域内のステージ上面には基板Ｇを搬入用の浮上高さまたは浮上量Ｈ_aで浮かせるために高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴出口８８が一定の密度で多数設けられている。ここで、搬入領域Ｍ₁における基板Ｇの浮上量Ｈ_aは、特に高い精度を必要とせず、たとえば２５０〜３５０μｍの範囲内に保たれればよい。また、搬送方向（Ｘ方向）において、搬入領域Ｍ₁のサイズは基板Ｇのサイズを上回っているのが好ましい。さらに搬入領域Ｍ₁には、基板Ｇをステージ７６上で位置合わせするためのアライメント部（図示せず）も設けられてよい。

ステージ７６の中心部に設定された領域Ｍ₃はレジスト液供給領域または塗布領域であり、基板Ｇはこの塗布領域Ｍ₃を通過する際に上方のレジストノズル７８からレジスト液Ｒの供給を受ける。塗布領域Ｍ₃における基板浮上量Ｈ_bはノズル７８の下端（吐出口）と基板上面（被処理面）との間の塗布ギャップＳ（たとえば２４０μｍ）を規定する。この塗布ギャップＳはレジスト塗布膜の膜厚やレジスト消費量を左右する重要なパラメータであり、高い精度で一定に維持される必要がある。このことから、塗布領域Ｍ₃のステージ上面には、たとえば図６に示すような配列または分布パターンで、基板Ｇを所望の浮上量Ｈ_bで浮かせるために高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴出口８８と負圧で空気を吸い込む吸引口９０とを混在させて設けている。そして、基板Ｇの塗布領域Ｍ₃内を通過している部分に対して、噴出口８８から圧縮空気による垂直上向きの力を加えると同時に吸引口９０より負圧吸引力による垂直下向きの力を加えて、相対抗する双方向の力のバランスを制御することで、塗布用の浮上量Ｈ_bを設定値Ｈ_S（たとえば５０μｍ）付近に維持するようにしている。搬送方向（Ｘ方向）における塗布領域Ｍ₃のサイズは、レジストノズル７８の直下に上記のような狭い塗布ギャップＳを安定に形成できるほどの余裕があればよく、通常は基板Ｇのサイズよりも小さくてよく、たとえば１／３〜１／４程度でよい。

図６に示すように、塗布領域Ｍ₃においては、基板搬送方向（Ｘ方向）に対して一定の傾斜した角度をなす直線Ｃ上に噴出口８８と吸引口９０とを交互に配し、隣接する各列の間で直線Ｃ上のピッチに適当なオフセットαを設けている。かかる配置パターンによれば、噴出口８８および吸引口９０の混在密度を均一にしてステージ上の基板浮上力を均一化できるだけでなく、基板Ｇが搬送方向（Ｘ方向）に移動する際に噴出口８８および吸引口９０と対向する時間の割合を基板各部で均一化することも可能であり、これによって基板Ｇ上に形成される塗布膜に噴出口８８または吸引口９０のトレースまたは転写跡が付くのを防止することができる。塗布領域Ｍ₃の入口では、基板Ｇの先端部が搬送方向と直交する方向（Ｙ方向）で均一な浮上力を安定に受けるように、同方向（直線Ｊ上）に配列する噴出口８８および吸引口９０の密度を高くするのが好ましい。また、塗布領域Ｍ₃においても、ステージ７６の両側縁部（直線Ｋ上）には、基板Ｇの両側縁部が垂れるのを防止するために、噴出口８８のみを配置するのが好ましい。

再び図５において、搬入領域Ｍ₁と塗布領域Ｍ₃との間に設定された中間の領域Ｍ₂は、搬送中に基板Ｇの浮上高さ位置を搬入領域Ｍ₁における浮上量Ｈ_aから塗布領域Ｍ₃における浮上量Ｈ_bへ変化または遷移させるための遷移領域である。この遷移領域Ｍ₂内でもステージ７６の上面に噴出口８８と吸引口９０とを混在させて配置することができる。その場合は、吸引口９０の密度を搬送方向に沿って次第に大きくし、これによって搬送中に基板Ｇの浮上量が漸次的にＨ_aからＨ_bに移るようにしてよい。あるいは、この遷移領域Ｍ₂においては、吸引口９０を含まずに噴出口８８だけを設ける構成も可能である。

塗布領域Ｍ₃の下流側隣の領域Ｍ₄は、搬送中に基板Ｇの浮上量を塗布用の浮上量Ｈ_bから搬出用の浮上量Ｈ_c（たとえば２５０〜３５０μｍ）に変えるための遷移領域である。この遷移領域Ｍ₄でも、ステージ７６の上面に噴出口８８と吸引口９０とを混在させて配置してもよく、その場合は吸引口９０の密度を搬送方向に沿って次第に小さくするのがよい。あるいは、吸引口９０を含まずに噴出口８８だけを設ける構成も可能である。また、図６に示すように、塗布領域Ｍ₃と同様に遷移領域Ｍ₄でも、基板Ｇ上に形成されたレジスト塗布膜に転写跡が付くのを防止するために、吸引口９０（および噴出口８８）を基板搬送方向（Ｘ方向）に対して一定の傾斜した角度をなす直線Ｅ上に配置し、隣接する各列間で配列ピッチに適当なオフセットβを設ける構成が好ましい。

ステージ７６の下流端（右端）の領域Ｍ₅は搬出領域である。レジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０で塗布処理を受けた基板Ｇは、この搬出領域Ｍ₅内の所定位置または搬出位置から搬送アーム７４（図３）によって下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２（図３）へ搬出される。この搬出領域Ｍ₅には、基板Ｇを搬出用の浮上量Ｈ_cで浮かせるための噴出口８８がステージ上面に一定の密度で多数設けられているとともに、基板Ｇをステージ７６上からアンローディングして搬送アーム７４（図３）へ受け渡すためにステージ下方の原位置とステージ上方の往動位置との間で昇降移動可能な複数本のリフトピン９２が所定の間隔を置いて設けられている。これらのリフトピン９２は、たとえばエアシリンダ（図示せず）を駆動源に用いる搬出用のリフトピン昇降部９１（図１３）によって昇降駆動される。

レジストノズル７８は、ステージ７６上の基板Ｇを一端から他端までカバーできる長さで搬送方向と直交する水平方向（Ｙ方向）に延びる長尺状のノズル本体の下端にスリット状の吐出口７８ａを有し、門形または逆さコ字形のノズル支持体１３０に昇降可能に取り付けられ、レジスト液供給機構１７０（図１２、図１３）からのレジスト液供給管９４（図４）に接続されている。図４において、レジストノズル７８を支持するための鉛直方向に延びる棒体１３６は、ノズル昇降機構７５（図１１、図１３）の一部を構成している。

図４、図７および図８に示すように、基板搬送部８４は、ステージ７６の左右両サイドに平行に配置された一対のガイドレール９６と、各ガイドレール９６上に軸方向（Ｘ方向）に移動可能に取り付けられたスライダ９８と、各ガイドレール９６上でスライダ９８を直進移動させる搬送駆動部１００と、各スライダ９８からステージ７６の中心部に向かって延びて基板Ｇの左右両側縁部を着脱可能に保持する保持部１０２とをそれぞれ有している。

ここで、搬送駆動部１００は、直進型の駆動機構たとえばリニアモータによって構成されている。また、保持部１０２は、基板Ｇの左右両側縁部の下面に真空吸着力で結合する吸着パッド１０４と、先端部で吸着パッド１０４を支持し、スライダ９８側の基端部を支点として先端部の高さ位置を変えられるように弾性変形可能な板バネ型のパッド支持部１０６とをそれぞれ有している。吸着パッド１０４は一定のピッチで一列に配置され、パッド支持部１０６は各々の吸着パッド１０４を独立に支持している。これにより、個々の吸着パッド１０４およびパッド支持部１０６が独立した高さ位置で（異なる高さ位置でも）基板Ｇを安定に保持できるようになっている。

図７および図８に示すように、この実施形態におけるパッド支持部１０６は、スライダ９８の内側面に昇降可能に取り付けられた板状のパッド昇降部材１０８に取り付けられている。スライダ９８に搭載されているたとえばエアシリンダからなるパッドアクチエータ１０９（図１３）が、パッド昇降部材１０８を基板Ｇの浮上高さ位置よりも低い原位置（退避位置）と基板Ｇの浮上高さ位置に対応する往動位置（結合位置）との間で昇降移動させるようになっている。

図９に示すように、各々の吸着パッド１０４は、たとえば合成ゴム製で直方体形状のパッド本体１１０の上面に複数個の吸引口１１２を設けている。これらの吸引口１１２はスリット状の長穴であるが、丸や矩形の小孔でもよい。吸着パッド１０４には、たとえば合成ゴムからなる帯状のバキューム管１１４が接続されている。これらのバキューム管１１４の管路１１６はパッド吸着制御部１１５（図１３）の真空源にそれぞれ通じている。

保持部１０２においては、図４に示すように、片側一列の真空吸着パッド１０４およびパッド支持部１０６が１組毎に分離している分離型または完全独立型の構成が好ましい。しかし、図１０に示すように、切欠き部１１８を設けた一枚の板バネで片側一列分のパッド支持部１２０を形成してその上に片側一列の真空吸着パッド１０４を配置する一体型の構成も可能である。

上記のように、ステージ７６の上面に形成された多数の噴出口８８およびそれらに浮上力発生用の圧縮空気を供給する圧縮空気供給機構１４６（図１１）、さらにはステージ７６の塗布領域Ｍ₃内に噴出口８８と混在して形成された多数の吸引口９０およびそれらに真空の圧力を供給するバキューム供給機構１４８（図１１）により、搬入領域Ｍ₁や搬出領域Ｍ₅では基板Ｇを搬入出や高速搬送に適した浮上量で浮かせ、塗布領域Ｍ₃では基板Ｇを安定かつ正確なレジスト塗布走査に適した設定浮上量Ｈ_Sで浮かせるためのステージ基板浮上部１４５（図１３）が構成されている。

図１１に、ノズル昇降機構７５、圧縮空気供給機構１４６およびバキューム供給機構１４８の構成を示す。ノズル昇降機構７５は、塗布領域Ｍ₃の上を搬送方向（Ｘ方向）と直交する水平方向（Ｙ方向）に跨ぐように架設された門形支持体１３０と、この門形支持体１３０に取り付けられた鉛直直線運動機構１３２と、この鉛直直線運動機構１３２の移動体（昇降体）である角柱状の水平支持部材１３４とレジストノズル７８とを結合するジョイント棒１３６とを有する。ここで、直線運動機構１３２の駆動部は、電動モータ１３８、ボールネジ１４０、ガイド部材１４２およびエアシリンダ１４４を有している。電動モータ１３８の回転力がボールネジ機構（１４０，１４２，１３４）によって鉛直方向の直線運動に変換され、昇降体の水平支持部材１３４と一体にノズル７８が鉛直方向に昇降移動する。電動モータ１３８の回転量および回転停止位置によってレジストノズル７８の昇降移動量および高さ位置を任意に制御できるようになっている。エアシリンダ１４４は、後述する塗布走査の終了直前でレジストノズル７８を上昇移動させる際にレジストノズル７８および水平支持部材１３４の重力をキャンセルするためのものであり、そのピストンロッド１４４ａを水平支持部１３４の両端部に下から押し当てて高速上昇をアシストする。なお、ジョイント棒１３６を省いてレジストノズル７８を水平支持部材１３４に直接結合する構成も可能である。

圧縮空気供給機構１４６は、ステージ７６上面で分割された複数のエリア別に噴出口８８に接続された正圧マニホールド１５０と、それら正圧マニホールド１５０にたとえば工場用力の圧縮空気供給源１５２からの圧縮空気を送り込む圧縮空気供給管１５４と、この圧縮空気供給管１５４の途中に設けられるレギュレータ１５６とを有している。バキューム供給機構１４８は、ステージ７６上面で分割された複数のエリア別に吸引口９０に接続された負圧マニホールド１５８、それらの負圧マニホールド１５８にたとえば工場用力の真空源１６０からのバキュームを送り込むバキューム管１６２と、このバキューム管１６２の途中に設けられる絞り弁１６４とを有している。

図１２に、レジスト液供給機構１７０の構成を示す。このレジスト液供給機構１７０は、レジスト液Ｒを貯留するボトル１７２より吸入管１７４を介して少なくとも塗布処理１回分（基板１枚分）のレジスト液Ｒをレジストポンプ１７６に予め充填しておき、塗布処理時にレジストポンプ１７６よりレジスト液Ｒを吐出管またはレジスト液供給管９４を介してレジストノズル７８に所定の圧力で圧送し、レジストノズル７８から基板Ｇ上にレジスト液Ｒを所定の流量で吐出するようになっている。

ボトル１７２は密閉されており、ボトル内の液面に向けてガス管１７８より圧送ガスたとえばＮ₂ガスが一定の圧力で供給されるようになっている。ガス管１７８には、たとえばエアオペレートバルブからなる開閉弁１８０が設けられている。

吸入管１７４の途中には、フィルタ１８２、脱気モジュール１８４および開閉弁１８６が設けられている。フィルタ１８２はボトル１７２から送られてくるレジスト液Ｒ中の異物（ごみ類）を除去し、脱気モジュール１８４はレジスト液中の気泡を除去する。開閉弁１８６は、たとえばエアオペレートバルブからなり、吸入管１７４におけるレジスト液Ｒの流れをオン（全開導通）またはオフ（遮断）する。

レジスト液供給管９４の途中には、開閉弁１８８が設けられている。フィルタやサックバックバルブは設けられていない。この開閉弁１８８は、たとえばエアオペレートバルブからなり、レジスト液供給管９４におけるレジスト液Ｒの流れをオン（全開導通）またはオフ（遮断）する。

レジストポンプ１７６は、たとえばシリンジポンプからなり、ポンプ室を有するポンプ本体１９０と、ポンプ室の容積を任意に変えるためのピストン１９２と、このピストン１９２を往復運動させるためのポンプ駆動部１９４とを有している。

図１３に、この実施形態のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０における制御系の主要な構成を示す。コントローラ２００は、マイクロコンピュータからなり、ユニット内の各部、特にレジスト液供給機構１７０、ノズル昇降機構７５、ステージ基板浮上部１４５、基板搬送部８４（搬送駆動部１００、パッド吸着制御部１１５、パッドアクチエータ１０９）、搬入用リフトピン昇降部８５、搬出用リフトピン昇降部９１等の個々の動作と全体の動作（シーケンス）を制御する。

次に、この実施形態のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４０における塗布処理動作を説明する。

コントローラ２００は、たとえば光ディスク等の記憶媒体に格納されている塗布処理プログラムを主メモリに取り込んで実行し、プログラムされた一連の塗布処理動作を制御する。

搬送装置５４（図１）より未処理の新たな基板Ｇがステージ７６の搬入領域Ｍ₁に搬入されると、リフトピン８６が往動位置で該基板Ｇを受け取る。搬送装置５４が退出した後、リフトピン８６が下降して基板Ｇを搬送用の高さ位置つまり浮上位置Ｈ_a（図５）まで降ろす。次いで、アライメント部（図示せず）が作動し、浮上状態の基板Ｇに四方から押圧部材（図示せず）を押し付けて、基板Ｇをステージ７６上で位置合わせする。アライメント動作が完了すると、その直後に基板搬送部８４においてパッドアクチエータ１０９が作動し、吸着パッド１０４を原位置（退避位置）から往動位置（結合位置）へ上昇（ＵＰ）させる。吸着パッド１０４は、その前からバキュームがオンしており、浮上状態の基板Ｇの側縁部に接触するや否や真空吸着力で結合する。吸着パッド１０４が基板Ｇの側縁部に結合した直後に、アライメント部は押圧部材を所定位置へ退避させる。

次に、基板搬送部８４は、保持部１０２で基板Ｇの側縁部を保持したままスライダ９８を搬送始点位置から搬送方向（Ｘ方向）へ比較的高速の一定速度で直進移動させる。こうして基板Ｇがステージ７６上を浮いた状態で搬送方向（Ｘ方向）へ直進移動し、基板Ｇの前端部がレジストノズル７８の直下付近の設定位置に着いたところで、基板搬送部８４が第１段階の基板搬送を停止する。この時、ノズル昇降機構７５は、レジストノズル７８を上方の退避位置で待機させている。

基板Ｇが止まると、ノズル昇降機構７５が作動して、レジストノズル７８を垂直下方に降ろし、ノズルの吐出口と基板Ｇとの距離間隔または塗布ギャップを初期値（たとえば６０μｍ）に合わせる。次いで、レジスト液供給機構１７０がレジストノズル７８より基板Ｇの上面に向けてレジスト液の吐出を開始させると同時に基板搬送部８４も第２段階の基板搬送を開始し、一方でノズル昇降機構７５がレジストノズル７８を塗布ギャップが設定値Ｓ_A（たとえば２４０μｍ）になるまで（たとえば０．１秒の間に）上昇させ、その後はそのまま基板Ｇを水平移動させる。この第２段階つまり塗布時の基板搬送には、比較的低速の第１の速度Ｖ_A（たとえば５０ｍｍ／ｓ）が選ばれる。

こうして、塗布領域Ｍ₃内において、基板Ｇが水平姿勢で搬送方向（Ｘ方向）に一定速度Ｖ_Aで移動するのと同時に、長尺形のレジストノズル７８が直下の基板Ｇに向けてレジスト液Ｒを一定のポンプ圧力Ｐ_Aで帯状に吐出することにより、図１４に示すように基板Ｇの前端側から後端側に向かってレジスト液の塗布膜ＲＭが形成されていく。この塗布走査中、基板Ｇ上に吐出されたレジスト液Ｒがぬれ現象によりレジストノズル７８の片側の下部側面７８ｂに付着して高さ方向に広がり（盛り上がり）、ノズル長手方向（Ｙ方向）に延びるメニスカスＲＱが形成される。

この実施形態では、塗布走査の終盤から終了直後にかけて、走査速度（基板搬送速度）、塗布ギャップおよびレジストポンプ１７８の圧力が、コントローラ２００の制御の下で図１５に示すような時間特性でそれぞれ変化する。より詳細には、レジストノズル７８が基板Ｇ上に設定された所定の通過点Ｘ₁を相対的に通過した時点ｔ₁から、コントローラ２００の制御の下で基板搬送部８４が走査速度（基板搬送速度）をそれまでの第１の速度Ｖ_A（５０ｍｍ／ｓ）からそれよりも一段高い第２の速度Ｖ_B（たとえば７０ｍｍ／ｓ）まで所定の加速度（たとえば２００ｍｍ／ｓ²）でいったん上昇させる。そうすると、図１６に示すように、レジストノズル７８の下部側面７８ｂにそれまで付着または追従してきたメニスカスのレジスト液盛り上がり部ＲＱが、走査速度の一瞬の上昇（急加速）によってレジストノズル７８から分離し、そのままレジストノズル７８から遠ざかる。

ここで、走査速度の急上昇または加速が開始される通過点Ｘ₁は、レジスト液の特性（粘性等）、塗布条件（膜厚、標準走査速度等）、塗布仕様（マージンサイズ等）に応じて適宜選定されてよいが、通常は基板Ｇの上面（被処理面）を内側の製品領域（膜厚保証領域）Ｅ_Sと外側のマージン領域（膜厚非保証領域）Ｅ_Mとに二分する境界（以下、「保証領域境界」と称する。）Ｌ_X付近に設定されてよい。

上記のような急加速により走査速度が所定の時点ｔ₂で第２の速度Ｖ_Bまで上昇すると、次に基板搬送部８４はその第２の速度つまりピーク値Ｖ_Bから零またはその付近の値をとる第３の速度Ｖ_Cまで走査速度を所定の減速率（たとえば−１４０ｍｍ／ｓ²）で減少させる。一方、この走査速度の減少（減速）と連動して、コントローラ２００の制御の下でノズル昇降機構７５が所定の時点ｔ₃からレジストノズル７８を鉛直方向（Ｚ方向）に所定距離（たとえば１４０μｍ）だけ所定の移動速度（たとえば２８０μｍ／ｓ）で降下させ、塗布ギャップをそれまでの距離間隔Ｓ_A（２４０μｍ）からそれよりも小さな距離間隔Ｓ_C（１００μｍ）まで狭める。

図１７に、塗布走査の終了間際にレジストノズル７８と基板Ｇとの間で走査速度が減少しながら塗布ギャップも減少していく様子を示す。図示のように、直前にレジストノズル７８の下部側面７８ｂから分離したレジスト液盛り上がり部ＲＱは、盛り上がり状態を保ったまま走査方向（−Ｘ方向）においてレジストノズル７８の後方に置いてきぼりにされる。

こうしてレジストノズル７８が基板Ｇ上の予め設定された走査終点位置Ｘ_eに着いてそこでいったん停止すると（図１８）、これと同時または相前後してコントローラ２００の制御の下でレジスト液供給機構１７０がレジストポンプ１７８の吐出動作を終了させる（図１５）。そして、ポンプ圧力が大気圧付近の基準待機圧力Ｐ_sまで下がった後もしばらくそのままの休止状態を保つ。この間にレジストノズル７８の吐出口７８ａから周囲へ、特に塗布走査と直交する水平方向（Ｙ方向）の周囲へレジスト液Ｒが広がって基板後端部の隅角部にも十全に行き亘る。

そして、ポンプ圧力が基準待機圧力Ｐ_sまで下がった時点ｔ₅から所定時間Ｔ_sの経過後に、レジスト液供給機構１７０がレジストポンプ１７８に吸引動作を行わせる。つまり、図１２の構成例においてはピストン１９２を一定ストロークだけ復動させる。このポンプ吸引動作によってレジストノズル７８が基板Ｇ上のレジスト液Ｒを吸い取ることにより、走査終点位置Ｘ_eから基板Ｇの内側に向ってレジスト塗布膜ＲＭの膜厚が減少していく。レジスト液供給機構１７０は、ポンプ圧力を所定の吸引圧力Ｐ_Bまで下げると、直ぐに基準待機圧力Ｐ_sに戻す。こうして、塗布走査の終了直後に走査終点位置Ｘ_eにて基板Ｇ上から一定量のレジスト液Ｒがレジストノズル７８に吸い取られる。

この実施形態においては、上記のように塗布走査の過程で保証領域境界Ｌ_X付近に盛り上がり部ＲＱが形成され、上記のような走査終了直後の吸い取り（サックバック）の際に盛り上がり部ＲＱのレジスト液が走査終点位置Ｘ_e側へ引き寄せられることにより、図１９に示すように、保証領域境界Ｌ_X付近（特に保証領域Ｅ_S内）のレジスト塗布膜ＲＭの膜厚は設定値または許容範囲内に調整または保持される。

上記のようにして走査終点位置Ｘ_eでサックバックが行われた後に、コントローラ２００の制御の下で、ノズル昇降機構７５がレジストノズル７８を上方へ移動（退避）させ、これと同時に基板搬送部８４が搬出領域Ｍ₅に向けて基板搬送を再開する。この最終段の基板搬送は塗布走査のときよりも大きな搬送速度で行われる。そして、基板Ｇが搬出領域Ｍ₅内の搬送終点位置に着くと、基板搬送部８４は第３段階の基板搬送を停止する。この直後に、吸着パッド１０４に対するバキュームの供給が止められ、吸着パッド１０４は往動位置（結合位置）から原位置（退避位置）へ下りて、基板Ｇの両側端部から分離する。代わって、リフトピン９２が基板Ｇをアンローディングするためにステージ下方の原位置からステージ上方の往動位置へ上昇する。

しかる後、搬出領域Ｍ₅に搬出機つまり搬送アーム７４がアクセスし、リフトピン９２から基板Ｇを受け取ってステージ７６の外へ搬出する。基板搬送部８４は、基板Ｇをリフトピン９２に渡したなら直ちに搬入領域Ｍ₁へ高速度で引き返す。搬出領域Ｍ₅で上記のように処理済の基板Ｇが搬出される頃に、搬入領域Ｍ₁では次に塗布処理を受けるべき新たな基板Ｇについて搬入、アライメントないし搬送開始が行われる。

上記のように、この実施形態においては、塗布走査の終盤で、それまでレジストノズル７８の片側（走査方向において背面側）の下部側面７８ｂに付着または追従してきたメニスカスのレジスト液盛り上がり部ＲＱを、走査速度（基板搬送速度）の瞬間的な上昇（急加速）によりレジストノズル７８から分離せしめて、走査方向においてレジストノズル７８の後方に、好ましくは保証領域境界Ｌ_X付近に置き去りにする。そして、走査終了直後に基板Ｇ上の走査終点位置Ｘ_eでレジストノズル７８にサックバックを行わせることにより塗布走査終端部の余分なレジスト液を取り除き、その際にサックバックの影響（吸い取り作用）を上記置き去りのレジスト液盛り上がり部ＲＱでキャンセルすることによって、保証領域Ｅ_s内のレジスト膜厚が設定値また許容範囲以下になるのを防止することができる。

図２０〜図２２に、塗布走査の終盤で上記のように走査速度（基板搬送速度）を瞬間的に上昇（急加速）させる工程を省いた場合の作用を比較例として示す。この場合は、図２０および図２１に示すように、レジストノズル７８の下部側面７８ｂにメニスカスのレジスト液盛り上がり部ＲＱが付着したまま走査終点位置Ｘ_eまで移動し、保証領域境界Ｌ_X付近のレジスト塗布液に盛り上がり部は形成されない。そして、レジストノズル７８を走査終点位置Ｘ_eに停止させてサックバックを行うと、保証領域境界Ｌ_X付近のレジスト塗布液も走査終点位置Ｘ_e側へ引き寄せられる結果、図２２に示すように、保証領域Ｅ_s内のレジスト塗布膜ＲＭの膜厚が設定値以下に薄くなってしまう。

上記した実施形態における塗布処理法（図１５）は、塗布走査の終盤にレジスト塗布膜の膜厚を走査方向（−Ｘ方向）で制御するものであった。しかしながら、サックバック法を用いる場合は、走査方向と直交する水平方向（Ｙ方向）において別の角度からの膜厚制御が必要になることがある。すなわち、サックバック法においては、上記のように塗布走査の終了間際にレジストノズル７８と基板Ｇとの間で走査速度と塗布ギャップとが減少するため、図２８に示すように、走査方向の保証領域境界Ｌ_X付近からレジスト塗布膜ＲＭがサイド方向（Ｙ方向）に基板エッジ付近まで広範囲に広がる。このようなレジスト塗布膜ＲＭのサイド方向の広がりによって、同方向の保証領域境界Ｌ_Yに近い保証領域Ｅｓ内のレジスト膜厚が薄くなり、レジストの種類によってはサックバック開始前から、あるいはサックバック終了後に設定値または設定範囲以下に薄くなる場合がある。このような場合は、上記実施形態における走査方向の膜厚制御だけでは対応しきれないことがある。

本発明は、この問題に対処するために、走査方向と直交する水平方向またはサイド方向（Ｙ方向）において有効な膜厚制御を提供する。この実施形態においては、塗布走査の終盤に、走査速度（基板搬送速度）、塗布ギャップおよびレジストポンプ１７８の圧力を、コントローラ２００の制御の下で図２３に示すような時間特性でそれぞれ変化させる。この特性の中で図１５の制御と異なるのは塗布ギャップの時間特性である。すなわち、塗布走査の終盤に、コントローラ２００の制御の下でノズル昇降機構７５によりレジストノズル７８に昇降動作を行わせることにより、塗布ギャップをそれまでの第１の距離間隔Ｓ_A（たとえば２４０μｍ）からそれよりも大きな第２の距離間隔Ｓ_B（たとえば３００μｍ）まで所定の垂直移動速度（たとえば６００μｍ／ｓ）でいったん増大させ、それからサックバック用の最小距離間隔Ｓ_C（たとえば１００μｍ）まで所定の垂直移動速度（たとえば４００μｍ／ｓ）で減少させる。

上記のような塗布ギャップの第１の距離間隔Ｓ_Aから第２の距離間隔Ｓ_Bへの増大が開始される通過点も、レジスト液の特性（粘性等）、塗布条件（膜厚、走査速度等）、塗布仕様（マージンサイズ等）に応じて適宜選定されてよく、通常は走査方向における保証領域境界Ｌ_Xの付近に設定されてよい。

図２４〜図２７に、上記のような時間特性（図２３）で各部を制御した場合の作用を示す。先ず、塗布走査の終盤に、保証領域境界Ｌ_X付近で、走査速度（基板搬送速度）の瞬間的な上昇（急加速）と相俟って、塗布ギャップが瞬間的に増大することにより、図２４に示すようにレジストノズル７８の下部側面７８ｂからメニスカスのレジスト液盛り上がり部ＲＱが一層隆起した状態で分離するとともに、図２５および図２６に示すようにレジスト塗布液ＲＭの側縁部（Ｙ方向の端部）が内側に寄せられ（くびれ）、そのぶん膜厚も高くなる。これによって、その直後にレジストノズル７８と基板Ｇとの間で走査速度の減速と塗布ギャップの縮小とが同時的に行われても、図２７に示すように走査方向の保証領域境界Ｌ_X付近でレジスト塗布膜ＲＭのサイド方向（Ｙ方向）の広がりを防止ないし抑制することができる。もっとも、塗布走査終端部で膜厚を安定させるためにサックバック開始前に一定時間（Ｔ_s）の間を置くため、図２７に示すように走査終点位置Ｘ_e付近のレジスト塗布膜がサイド方向において基板エッジまで延びるが、保証領域境界Ｌ_Xからは遠い場所であり、広がる液量もさほどではない。

比較例（図２８）と対比すると理解されるように、この実施形態（図２７）においては、走査方向の保証領域境界Ｌ_X付近でレジスト塗布膜ＲＭのサイド縁部が内側にくびれることにより、そのぶんサイド方向（Ｙ方向）の保証領域境界Ｌ_Y近くで保証領域Ｅｓ内のレジスト膜厚が増大する。その結果、走査終点位置Ｘ_eでサックバックを行った際に、保証領域Ｅｓ内のレジスト膜厚がサイド方向（Ｙ方向）の端部で許容範囲以下に薄くなるのを防止することができる。

図２９に、基板Ｇの後端部においてサイド方向（Ｙ方向）の保証領域境界Ｌ_Yより少し内側の保証領域Ｅｓ内を走査方向（Ｘ方向）に通る直線Ｘｓ上の膜厚プロファイルを実施例（図２９）と比較例（図２８）とで対比して示す。図２９に示すように、走査方向においてレジスト塗布膜ＲＭの膜厚は走査終点位置Ｘ_eに向って指数関数的に減少し、比較例（図２８）ではマージン領域ＥＭのみならず保証領域Ｅｓ内でも設定値Ｄｓより薄くなるが、実施例（図２７）では保証領域Ｅｓ内で設定値Ｄｓを保持することができる。

上記のように、本実施形態においては、塗布ギャップの増減による膜厚制御法を走査速度の加減速による膜厚制御法と併用することで両者の相乗効果により膜厚均一性をより一層向上させることができる。もっとも、アプリケーションに応じて、図３０に示すような塗布ギャップの増減による膜厚制御法だけを用いることも可能である。なお、図１５、図２３および図３０において各パラメータが変化するタイミングおよび相互のタイミング関係は一例であり、上記のようにレジスト液の種類や塗布条件、塗布仕様等に応じて種々の変形・変更が可能である。たとえば、図２３の特性では走査速度と塗布ギャップをそれぞれ増減変化させるタイミングを一致させているが、両者のタイミングを適宜ずらすことも可能である。

以上本発明を好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術思想の範囲内で種々の変形が可能である。たとえば、本発明は上記実施形態のような浮上搬送方式のスピンレス塗布法に限定されるものではない。載置型のステージ上に基板を水平に固定載置して、基板上方で長尺形レジストノズルをノズル長手方向と直交する水平方向に移動させながら基板上にレジスト液を帯状に吐出させて塗布する方式のスピンレス塗布法にも本発明を適用することができる。

上記した実施形態はＬＣＤ製造の塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上に処理液を塗布する任意の塗布法に適用可能である。したがって、本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、現像液やリンス液等も可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、ＣＤ基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。

本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。 実施形態の塗布現像処理システムにおける処理の手順を示すフローチャートである。 実施形態の塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布ユニットおよび減圧乾燥ユニットの全体構成を示す略平面図である。 実施形態におけるレジスト塗布ユニットの全体構成を示す斜視図である。 実施形態におけるレジスト塗布ユニットの全体構成を示す略正面図である。 上記レジスト塗布ユニット内のステージ塗布領域における噴出口と吸入口の配列パターンの一例を示す平面図である。 上記レジスト塗布ユニットにおける基板搬送部の構成を示す一部断面略側面図である。 上記レジスト塗布ユニットにおける基板搬送部の保持部の構成を示す拡大断面図である。 上記レジスト塗布ユニットにおける基板搬送部のパッド部の構成を示す斜視図である。 上記レジスト塗布ユニットにおける基板搬送部の保持部の一変形例を示す斜視図である。 上記レジスト塗布ユニットにおけるノズル昇降機構、圧縮空気供給機構およびバキューム供給機構の構成を示す図である。 上記レジスト塗布ユニットにおけるレジスト液供給機構の構成を示す図である。 上記レジスト塗布ユニットにおける制御系の主要な構成を示すブロック図である。 実施形態における塗布走査の一段階を示す側面図である。 実施形態における塗布走査終盤の主要なパラメータの時間特性（第１の実施例）を示すタイミング図である。 実施形態における塗布走査終盤の一段階の作用を示す一部断面側面図である。 実施形態における塗布走査終盤の一段階の作用を示す一部断面側面図である。 実施形態における塗布走査終了時の状態を示す一部断面側面図である。 実施形態においてサックバック終了時のレジスト塗布膜の状態を示す一部断面側面図である。 比較例における塗布走査終了間際の一段階の作用を示す一部断面側面図である。 比較例における塗布走査終了時の状態を示す一部断面側面図である。 比較例においてサックバック終了時のレジスト塗布膜の状態を示す一部断面側面図である。 実施形態における塗布走査終盤の主要なパラメータの時間特性（第２の実施例）を示すタイミング図である。 実施形態における塗布走査終盤の一段階の作用を示す一部断面側面図である。 実施形態における塗布走査終盤の一段階の作用を示す部分拡大断面図である。 実施形態における塗布走査終了間際の一段階の作用を示す部分拡大平面図である。 実施形態における塗布走査終了間際の状態を示す部分拡大平面図である。 比較例における塗布走査終了間際の状態を示す部分拡大平面図である。 基板上の塗布走査終端部におけるレジスト塗布膜の膜厚プロファイルを実施例と比較例とで対比して示す図である。 実施形態における塗布走査終盤の主要なパラメータの時間特性（第３の実施例）を示すタイミング図である。

符号の説明

４０ レジスト塗布ユニット（ＣＴ）
７５ ノズル昇降機構
７６ ステージ
７８ レジストノズル
８４ 基板搬送部
８８ 噴出口
９０ 吸引口
１００ 搬送駆動部
１０２ 保持部
１０４ 吸着パッド
１２２ 位置センサ
１３８ 電動モータ
１４４ エアシリンダ
１４６ 圧縮空気供給機構
１４８ バキューム供給機構
１７０ レジスト液供給機構
１７６ レジストポンプ
２００ コントローラ
Ｍ₁ 搬入領域
Ｍ₃ 塗布領域
Ｍ₅ 搬出領域

Claims (18)

1. 被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成する塗布方法であって、
   前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定する工程と、
   前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第１の水平移動速度からそれよりも高い第２の水平移動速度までいったん上昇させ、次いで前記第２の水平移動速度から実質的に零に等しい第３の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせる工程と、
   前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、第１の距離間隔からそれよりも小さな第２の距離間隔まで減少させる工程と、
   前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させる工程と、
   前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる工程と
   を有する塗布方法。
2. 被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを水平方向に相対的に移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成する塗布方法であって、
   前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定する工程と、
   前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第１の水平移動速度から実質的に零に等しい第２の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせる工程と、
   前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、前記ギャップを第１の距離間隔からそれよりも大きな第２の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第２の距離間隔から前記第１の距離間隔よりも小さな第３の距離間隔まで減少させる工程と、
   前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させる工程と、
   前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる工程と
   を有する塗布方法。
3. 前記基板の外周エッジから基板中心側に所定の距離だけオフセットした位置を通る境界よりも内側に前記塗布膜の膜厚を保証すべき領域を設定し、前記塗布走査の方向において前記ノズルが前記境界付近を通過するタイミングで、前記ギャップの増大を開始する請求項２に記載の塗布方法。
4. 被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを水平方向に相対的に移動させる走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成する塗布方法であって、
   前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定する工程と、
   前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第１の水平移動速度からそれよりも高い第２の水平移動速度までいったん上昇させ、次いで前記第２の水平移動速度から実質的に零に等しい第３の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせる工程と、
   前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、第１の距離間隔からそれよりも大きな第２の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第２の距離間隔から前記第１の距離間隔よりも小さな第３の距離間隔まで減少させる工程と、
   前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させる工程と、
   前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる工程と
   を有する塗布方法。
5. 前記基板の外周エッジから基板中心側に所定の距離だけオフセットした位置を通る境界よりも内側に前記塗布膜の膜厚を保証すべき領域を設定し、前記塗布走査の方向において前記ノズルが前記境界付近を通過するタイミングで、前記水平移動速度の加速を開始する請求項１または請求項４に記載の塗布方法。
6. 前記塗布走査の方向において前記ノズルが前記境界付近を通過するタイミングで、前記ギャップの増大を開始する請求項５に記載の塗布方法。
7. 前記走査終点位置に前記ノズルが着いた時から所定時間の経過後に前記処理液の吸い取りを開始する請求項１〜６のいずれか一項に記載の塗布方法。
8. 被処理基板をほぼ水平に支持するための基板支持部と、
   塗布走査中に前記基板の上面に微小なギャップを隔てて処理液を吐出するための長尺形のノズルと、
   塗布走査中に前記ノズルに前記処理液を圧送するための処理液供給源と、
   塗布走査中に前記ノズルを前記基板に対して相対的に水平方向で移動させるための走査部と、
   前記ノズルを前記基板に対して相対的に鉛直方向で移動させるための昇降部と、
   前記走査部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第１の水平移動速度からそれよりも高い第２の水平移動速度までいったん上昇させ、次いで前記第２の水平移動速度から実質的に零に等しい第３の水平移動速度まで所定の減速率で減少させて、前記ノズルを予め設定した走査終点位置に着かせ、前記昇降部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを第１の距離間隔からそれよりも小さな第２の距離間隔まで減少させ、前記処理液供給源を制御して、塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルに対する前記処理液の圧送を停止させ、かつ前記走査終点位置に着いた前記ノズルを通じて前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる制御部と
   を有する塗布装置。
9. 被処理基板をほぼ水平に支持するための基板支持部と、
   塗布処理中に前記基板の上面に微小なギャップを隔てて処理液を吐出するための長尺形のノズルと、
   塗布処理中に前記ノズルに前記処理液を圧送するための処理液供給源と、
   塗布処理中に前記ノズルを前記基板に対して相対的に水平方向で移動させるための走査部と、
   前記ノズルを前記基板に対して相対的に鉛直方向で移動させるための昇降部と、
   前記走査部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第１の水平移動速度から実質的に零に等しい第２の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを予め設定した走査終点位置に着かせ、前記昇降部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを第１の距離間隔からそれよりも大きな第２の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第２の距離間隔から前記第１の距離間隔よりも小さな第３の距離間隔まで減少させ、前記処理液供給源を制御して、塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルに対する前記処理液の圧送を停止させ、かつ前記走査終点位置に着いた前記ノズルを通じて前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる制御部と
   を有する塗布装置。
10. 被処理基板をほぼ水平に支持するための基板支持部と、
    塗布走査中に前記基板の上面に微小なギャップを隔てて処理液を吐出するための長尺形のノズルと、
    塗布走査中に前記ノズルに前記処理液を圧送するための処理液供給源と、
    塗布走査中に前記ノズルを前記基板に対して相対的に水平方向で移動させるための走査部と、
    前記ノズルを前記基板に対して相対的に鉛直方向で移動させるための昇降部と、
    前記走査部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第１の水平移動速度からそれよりも高い第２の水平移動速度へいったん上昇させ、次いで前記第２の水平移動速度から実質的に零に等しい第３の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを予め設定した走査終点位置に着かせ、前記昇降部を制御して、塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを第１の距離間隔からそれよりも大きな第２の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第２の距離間隔から前記第１の距離間隔よりも小さな第３の距離間隔まで減少させ、前記処理液供給源を制御して、塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルに対する前記処理液の圧送を停止させ、かつ前記走査終点位置に着いた前記ノズルを通じて前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせる制御部と
    を有する塗布装置。
11. 前記基板支持部が、前記塗布領域内で前記基板を空中に浮かせるステージを有する請求項８〜１０のいずれか一項に記載の塗布装置。
12. 前記塗布領域内で、前記ステージの上面に、気体を噴出する噴出口と気体を吸い込む吸引口とが多数混在して設けられている請求項１１に記載の塗布装置。
13. 前記ノズルが、前記塗布領域内の水平方向で固定された所定位置に配置され、
    前記走査部が、前記ステージ上で浮いた状態の前記基板を前記水平移動に対応する所定の搬送方向に搬送して前記ノズルの直下を通過させる基板搬送部を有する請求項１１または請求項１２に記載の塗布装置。
14. 前記基板搬送部が、
    前記基板の移動する方向と平行に延びるように前記ステージの片側または両側に配置されるガイドレールと、
    前記ガイドレールに沿って移動可能なスライダと、
    前記スライダを前記ガイドレールに沿って移動するように駆動する搬送駆動部と、
    前記スライダから前記ステージの中心部に向かって延在し、前記基板の側縁部を着脱可能に保持する保持部と
    を有する請求項１３に記載の塗布装置。
15. 前記昇降部が、
    前記ノズルを一体に支持するノズル支持部と、
    前記ノズルを任意の第１の高さ位置から任意の第２の高さ位置へ昇降移動させるために前記ノズル支持部と結合する電動アクチエータと、
    前記ノズルの重力をキャンセルするために前記ノズル支持部と結合するエアシリンダと
    を有する請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の塗布装置。
16. 被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成するための塗布処理プログラムであって、
    前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定するステップと、
    前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第１の水平移動速度からそれよりも高い第２の水平移動速度までいったん上昇させ、次いで前記第２の水平移動速度から実質的に零に等しい第３の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせるステップと、
    前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、第１の距離間隔からそれよりも小さな第２の距離間隔まで所定の垂直移動速度で減少させるステップと、
    前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させるステップと、
    前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせるステップと
    を実行する塗布処理プログラム。
17. 被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを水平方向に相対的に移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成するための塗布処理プログラムであって、
    前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定するステップと、
    前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第１の水平移動速度から実質的に零に等しい第２の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせるステップと、
    前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、前記ギャップを第１の距離間隔からそれよりも大きな第２の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第２の距離間隔から前記第１の距離間隔よりも小さな第３の距離間隔まで減少させるステップと、
    前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させるステップと、
    前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせるステップと
    を実行する塗布処理プログラム。
18. 被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を供給しながら前記ノズルを水平方向に相対的に移動させる走査を行って、前記基板上に前記処理液の塗布膜を形成するための塗布処理プログラムであって、
    前記基板上に前記ノズルを相対的に停止させる走査終点位置を設定するステップと、
    前記塗布走査の終盤で、前記基板に対する前記ノズルの相対的な水平移動の速度を、第１の水平移動速度からそれよりも高い第２の水平移動速度までいったん上昇させ、次いで前記第２の水平移動速度から実質的に零に等しい第３の水平移動速度まで減少させて、前記ノズルを前記走査終点位置に着かせるステップと、
    前記塗布走査の終盤で、前記基板と前記ノズルとの間のギャップを、第１の距離間隔からそれよりも大きな第２の距離間隔までいったん増大させ、次いで前記第２の距離間隔から前記第１の距離間隔よりも小さな第３の距離間隔まで減少させるステップと、
    前記塗布走査の終盤または終了後に、前記ノズルからの前記基板に対する処理液の供給を停止させるステップと、
    前記走査終点位置に着いた前記ノズルに前記基板上の処理液を所定量だけ吸い取らせるステップと
    を実行する塗布処理プログラム。
    
    
    
    

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