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JP4373270B2 - Gas barrier film, and liquid crystal display element and EL display element formed using the same - Google Patents

Gas barrier film, and liquid crystal display element and EL display element formed using the same Download PDF

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JP4373270B2
JP4373270B2 JP2004143708A JP2004143708A JP4373270B2 JP 4373270 B2 JP4373270 B2 JP 4373270B2 JP 2004143708 A JP2004143708 A JP 2004143708A JP 2004143708 A JP2004143708 A JP 2004143708A JP 4373270 B2 JP4373270 B2 JP 4373270B2
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本発明は、高いガスバリア性が要求される種々の用途に適したガスバリア性フィルムに関するものである。特に、本発明のガスバリア性フィルムは、透明タッチパネル、液晶表示素子、有機EL表示素子もしくは無機EL表示素子のEL表示素子等の基板、または封止用基板として用いるのに適する。   The present invention relates to a gas barrier film suitable for various applications that require high gas barrier properties. In particular, the gas barrier film of the present invention is suitable for use as a substrate for a transparent touch panel, a liquid crystal display element, an organic EL display element or an EL display element of an inorganic EL display element, or a sealing substrate.

食品や医薬品のように、外部からの酸素や水分の浸入により品質が経時的に低下する恐れのあるものについては、古くから、ガスバリア性の包装材料を用いた包装が行なわれている。最近では電子部品や各種の素子の分野でも、ガスバリア性が要求されるようになって来ており、ガスバリア性の要求は、製品や半製品の単なる包装の場合に留まらず、製品そのものの外側を占める部材にも要求されるようになってきている。   For foods and pharmaceuticals that have a risk of deterioration in quality due to the ingress of oxygen or moisture from the outside, packaging using a gas barrier packaging material has been performed for a long time. Recently, in the field of electronic components and various devices, gas barrier properties have been demanded. The demand for gas barrier properties is not limited to simple packaging of products and semi-finished products, but outside the products themselves. The occupying member is also required.

従来、液晶表示素子やEL表示素子等のディスプレイ(表示)素子の支持基板として、ガラス基板がよく用いられていたが、ガラス基板が有する、重く、固く、かつ割れやすい欠点を解消するために、プラスチック基板が提案されている。しかしながらプラスチック基板は、ガラス基板の欠点を解消する一方で、ガラス基板と比較するとガスバリア性が劣り、ディスプレイ素子の性能を長時間にわたって維持させることは無理である。   Conventionally, glass substrates were often used as support substrates for display (display) elements such as liquid crystal display elements and EL display elements, but in order to eliminate the disadvantages of glass substrates that are heavy, hard and easy to break, Plastic substrates have been proposed. However, the plastic substrate solves the disadvantages of the glass substrate, but has a poor gas barrier property as compared with the glass substrate, and it is impossible to maintain the performance of the display element for a long time.

ディスプレイ素子の一つである有機EL素子を例に取ると、発光体が水分や酸素に触れると発光性能が低下する問題があるが、プラスチック基板は平坦性が十分でなかったり、ピンホールもしくは突起等を有するため、ガスバリア性を付与する加工を行なっても、得られるガスバリア性が不十分で、発光しないダークスポットが発生する原因となる。また、有機EL表示素子を製造するには、通常、幾つもの層を、高温が避けられないプロセスを経て形成を行なう必要があるため、プラスチック基板といえども耐熱性を必要とする上、製品となって使用される際にも、電位や温度上昇の影響を受ける。従って、プラスチック基板を使用した場合には、ディスプレイ素子の発光や光の変調の機能が安定とは言い難い。   Taking an organic EL element, which is one of the display elements, as an example, there is a problem that the luminous performance deteriorates when the illuminant comes into contact with moisture or oxygen, but the plastic substrate has insufficient flatness, pinholes or protrusions. Therefore, even if a process for imparting gas barrier properties is performed, the resulting gas barrier properties are insufficient, causing dark spots that do not emit light. Moreover, in order to manufacture an organic EL display element, it is usually necessary to form several layers through a process in which high temperatures cannot be avoided. Therefore, even a plastic substrate requires heat resistance, Even when used, it is affected by potential and temperature rise. Therefore, when a plastic substrate is used, it is difficult to say that the function of light emission and light modulation of the display element is stable.

従来、プラスチック基板にガスバリア性を付与する目的で、高分子樹脂からなる基材上に、無機化合物からなる蒸着層を第1層とし、水溶性高分子と、(a)1種以上の金属アルコキシド及びその加水分解物又は(b)塩化錫の少なくとも一方を含む水溶液、或いは水/アルコール混合溶液を主剤とするコーティング剤を塗布し、加熱乾燥してなるガスバリア性被膜を第2層として積層してなるガスバリア性積層フィルムが提案されている。(特許文献1。)。   Conventionally, for the purpose of imparting gas barrier properties to a plastic substrate, a vapor deposition layer made of an inorganic compound is used as a first layer on a base material made of a polymer resin, and a water-soluble polymer and (a) one or more metal alkoxides are used. And a hydrolyzate thereof or (b) an aqueous solution containing at least one of tin chloride, or a coating agent mainly composed of a water / alcohol mixed solution, and a gas barrier film formed by heating and drying is laminated as a second layer. A gas barrier laminate film has been proposed. (Patent Document 1).

また、高分子樹脂組成物からなる基材上に、無機化合物からなる蒸着層を第1層とし、1種以上の金属アルコキシド或いはその加水分解物と、分子中に少なくとも2個以上のイ
ソシアネート基を有するイソシアネート化合物との混合溶液を主剤とするコーティング剤を塗布し、加熱乾燥してなる被膜層を第2層として積層してなるガスバリア性積層フィルムも提案されている。(特許文献2。)。
特開平7−164591号公報 特開平7−268115号公報
Moreover, on the base material made of the polymer resin composition, the vapor deposition layer made of an inorganic compound is used as the first layer, and one or more kinds of metal alkoxide or a hydrolyzate thereof, and at least two or more isocyanate groups in the molecule. There has also been proposed a gas barrier laminated film obtained by laminating a coating layer obtained by applying a coating agent mainly composed of a mixed solution with an isocyanate compound, and drying by heating as a second layer. (Patent Document 2).
Japanese Patent Laid-Open No. 7-164591 JP 7-268115 A

しかしながら、上記の特許文献1および特許文献2に開示されたガスバリア性積層フィルムは、食品もしくは医薬品等の包装用であることしか意図されておらず、ガスバリア性についても、水蒸気透過率および酸素透過率のいずれもが、もっとも良好なもので、0.1cc/m2/day・atm程度であり、ディスプレイ素子に用いるためのガスバリア性フィルムとしては十分ではない。また、プラスチック基板の平坦性についても何ら触れられるところが無い。 However, the gas barrier laminated films disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2 described above are only intended for packaging of foods or pharmaceuticals, and the water vapor transmission rate and the oxygen transmission rate are also provided for the gas barrier properties. All of these are the best, about 0.1 cc / m 2 / day · atm, and are not sufficient as a gas barrier film for use in a display element. There is no mention of the flatness of the plastic substrate.

発明者らが検討したところ、プラスチック基板の表面はRa(算術平均粗さ)が6nmを超えており、かつP−V(最大高低差)が60nmを超えていることに加えて、所々に500nm(0.5μm)程度の高さの突起を有しており、微視的に見れば極めて荒れた状態となっているために、このようなプラスチック基板上に、膜厚が1μm以下の無機化合物の薄膜をガスバリア性層として形成した場合に、プラスチック基板表面の突起により、ガスバリア層にピンホールが発生し、ガスバリア性の低下の原因となり得ることが見出された。   The inventors have examined that the surface of the plastic substrate has an Ra (arithmetic mean roughness) of more than 6 nm and a PV (maximum height difference) of more than 60 nm. An inorganic compound having a film thickness of 1 μm or less on such a plastic substrate because it has projections as high as (0.5 μm) and is very rough when viewed microscopically. It was found that when the thin film was formed as a gas barrier layer, pinholes were generated in the gas barrier layer due to protrusions on the surface of the plastic substrate, which could cause a decrease in gas barrier properties.

本発明においては、支持基板としてプラスチック基板を用いながらも、プラスチック基板の表面の突起が、ガスバリア層の凹凸やピンホールの発生の原因となる不都合を解消した、高いガスバリア性能が付与されたガスバリア性の基板を提供し、特に、表示素子に用いるのに最適な高いガスバリア性を有する基板を提供することを課題とする。   In the present invention, while using a plastic substrate as the support substrate, the gas barrier property with high gas barrier performance is provided, in which the projections on the surface of the plastic substrate eliminate the inconvenience that causes the unevenness of the gas barrier layer and the generation of pinholes. It is an object of the present invention to provide a substrate having a high gas barrier property that is optimal for use in a display element.

発明者らの検討により、プラスチック基板上に、酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素からなる薄膜層を介してガスバリア性薄膜を積層することにより、ガスバリア性が格段に向上することが見出され、これをもとに本発明に到達することができた。   As a result of investigations by the inventors, it has been found that a gas barrier property is markedly improved by laminating a gas barrier thin film on a plastic substrate via a thin film layer made of silicon oxycarbide or silicon oxynitride carbide. The present invention has been achieved based on the above.

課題を解決する第1の発明は、基材シートの片面もしくは両面に、複数の層からなる積層構造を有するガスバリア性層が積層されており、前記ガスバリア性層を構成する複数の層のうち、少なくとも前記基材シートに接する側の層が、酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素からなる無機化合物層であり、前記ガスバリア性層が、前記基材シートに接する側より、前記の酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素からなる無機化合物層、有機樹脂層、および無機化合物層が順に積層した積層構造、あるいは、前記の酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素からなる無機化合物層、無機化合物層、有機樹脂層、および無機化合物層が順に積層した積層構造を有するもので、を有するもので、前記有機樹脂層がカルド樹脂からなり、該カルド樹脂は、エポキシ基を1分子中に2個以上有するエポキシ樹脂を必須成分とするカルド樹脂であって、且つ、一般式(1)で示されるビスフェノール化合物から誘導されるフルオレン骨格を有する樹脂を含有するものであることを特徴とするガスバリア性フィルムに関するものである。

Figure 0004373270
1st invention which solves a subject is laminated | stacked the gas barrier layer which has the laminated structure which consists of a several layer on the single side | surface or both surfaces of a base material sheet, Among the several layers which comprise the said gas barrier layer, At least the layer on the side in contact with the substrate sheet, Ri inorganic compound layer der of an oxide of silicon carbide or oxynitride carbide, the gas barrier layer is, from the side in contact with the base sheet, the oxide silicon carbide or A laminated structure in which an inorganic compound layer made of silicon oxynitride carbide, an organic resin layer, and an inorganic compound layer are sequentially laminated, or an inorganic compound layer made of silicon oxycarbide or silicon oxynitride carbide, an inorganic compound layer, or an organic resin layer And having a laminated structure in which inorganic compound layers are laminated in order, and the organic resin layer is made of cardo resin, A cardo resin containing an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule as an essential component, and containing a resin having a fluorene skeleton derived from a bisphenol compound represented by the general formula (1) The present invention relates to a gas barrier film characterized by being.
Figure 0004373270

第2の発明は、第1の発明において、前記無機化合物層が無機酸化物、無機酸化窒化物、無機窒化物、無機酸化炭化物、無機酸化炭化窒化物、もしくは金属のいずれかからなるものであることを特徴とするガスバリア性フィルムに関するものである。 According to a second invention, in the first invention, the inorganic compound layer is made of any one of an inorganic oxide, an inorganic oxynitride, an inorganic nitride, an inorganic oxide carbide, an inorganic oxycarbonitride, or a metal. The present invention relates to a gas barrier film characterized by being.

第3の発明は、第1〜第2のいずれかの発明において、前記ガスバリア性層の最表面の表面粗さRaが6nm以下であり、最大高低差P−Vが60nm以下であることを特徴とするガスバリア性フィルムに関するものである。 According to a third invention, in any one of the first to second inventions, the surface roughness Ra of the outermost surface of the gas barrier layer is 6 nm or less, and the maximum height difference PV is 60 nm or less. It relates to a gas barrier film.

第4の発明は、いずれも内側に電極層および配向膜が順次積層された背面用基板および前面用基板の両基板間に液晶層がはさまれて密封されており、前記背面用基板または/および前記前面用基板が、第1〜第3いずれかの発明のガスバリア性フィルムであることを特徴とする液晶表示素子に関するものである。 In the fourth invention , a liquid crystal layer is sandwiched and sealed between both the back substrate and the front substrate in which the electrode layer and the alignment film are sequentially laminated, and the back substrate or / And the front substrate is a gas barrier film according to any one of the first to third inventions.

第5の発明は、基板、電極層、発光層、対抗電極層、および封止層が順に積層されており、前記基板または/および前記封止層が、第1〜第3いずれかの発明のガスバリア性フィルムであることを特徴とするEL表示素子に関するものである。 In the fifth invention, a substrate, an electrode layer, a light emitting layer, a counter electrode layer, and a sealing layer are sequentially laminated, and the substrate and / or the sealing layer is any one of the first to third inventions. The present invention relates to an EL display element which is a gas barrier film.

第1の発明によれば、基材シートの片面もしくは両面に酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素からなる無機化合物層、およびその他の層からなるガスバリア性層が積層されているので、ガスバリア性が高く、しかもガスバリア性層の密着性の高いガスバリア性フィルムを提供することができる。   According to the first invention, since the inorganic compound layer made of silicon oxide carbide or silicon oxynitride carbide and the gas barrier layer made of other layers are laminated on one side or both sides of the base sheet, the gas barrier property is high. In addition, it is possible to provide a gas barrier film having high adhesion of the gas barrier layer.

そして、ガスバリア性層が、酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素からなる無機化合物層、有機樹脂層、および無機化合物層からなる積層構造を有している場合には、表面の無機化合物層に基づくガスバリア性が有機樹脂層の存在により、より高められたガスバリア性フィルムを提供することができる。
また、ガスバリア性層が、酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素からなる無機化合物層上に、無機化合物層、有機樹脂層、および無機化合物層からなる積層構造を有している場合には、有機樹脂層により下層側の無機化合物層に基づくガスバリア性が高められており、さらに有機樹脂層上の無機化合物層により、ガスバリア性が一層高められたガスバリア性フィルムを提供することができる。
有機樹脂層をカルド樹脂で構成したので、有機樹脂層の下層の無機化合物層のガスバリア性がより一層高められたガスバリア性フィルムを提供することができる。
The gas barrier layer is, inorganic compound layer formed of an oxide of silicon carbide or oxynitride carbide, if it has the organic resin layer, and a laminated structure comprising an inorganic compound layer, based on the inorganic compound layer on the surface barrier Due to the presence of the organic resin layer, it is possible to provide a gas barrier film having further enhanced properties.
When the gas barrier layer has a laminated structure composed of an inorganic compound layer, an organic resin layer, and an inorganic compound layer on an inorganic compound layer made of silicon oxycarbide or silicon oxynitride carbide , an organic resin The gas barrier property based on the inorganic compound layer on the lower layer side is enhanced by the layer, and the gas barrier property can be further provided by the inorganic compound layer on the organic resin layer.
Since the organic resin layer is made of cardo resin, it is possible to provide a gas barrier film in which the gas barrier property of the inorganic compound layer under the organic resin layer is further enhanced.

第2の発明によれば、第1の発明の効果に加えて、無機化合物層を入手しやすい身近な素材により構成したガスバリア性フィルムを提供することができる。 According to 2nd invention , in addition to the effect of 1st invention, the gas barrier film comprised with the familiar raw material which can obtain an inorganic compound layer easily can be provided.

第3の発明によれば、第1〜第2いずれかの発明の効果に加えて、ガスバリア性層の最表面の表面粗さおよび最大高低差を規定したので、平坦性が高いガスバリア性フィルムを提供することができる。平坦性が高いことにより、特にEL素子を構成するための基板として適している。 According to the third invention , in addition to the effects of any one of the first and second inventions, the surface roughness and the maximum height difference of the outermost surface of the gas barrier layer are defined. Can be provided. High flatness makes it particularly suitable as a substrate for constituting an EL element.

第4の発明によれば、第1〜第3いずれかの発明の効果を有するガスバリア性フィルムを背面用基板または/および前面用基板として用いたことにより、表示の性能を長時間にわたって維持することが可能な液晶表示素子を提供することができる。 According to the fourth invention , by using the gas barrier film having the effects of any one of the first to third inventions as the back substrate or / and the front substrate, display performance can be maintained for a long time. The liquid crystal display element which can be provided can be provided.

第5の発明によれば、第1〜第3いずれかの発明の効果を有するガスバリア性フィルムを基板または/および封止層として用いたことにより、表示の性能を長時間にわたって維持することが可能なEL表示素子を提供することができる。 According to the fifth invention , it is possible to maintain the display performance for a long time by using the gas barrier film having the effects of any one of the first to third inventions as the substrate or / and the sealing layer. An EL display element can be provided.

図1は本発明のガスバリア性フィルムの基本的な積層構造を示す図である。また、図2および図3は、本発明のガスバリア性フィルムの好ましい積層構造を示す図である。   FIG. 1 is a view showing a basic laminated structure of a gas barrier film of the present invention. 2 and 3 are views showing a preferred laminated structure of the gas barrier film of the present invention.

図1(a)に示すように、本発明のガスバリア性フィルム1は、最も基本的には、基材シート2の片面に、酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素の薄膜からなる無機化合物層3aが積層され、この無機化合物層3aを有する複数の層からなるガスバリア性層3が積層された積層構造を有するものである。本発明のガスバリア性フィルム1は、図1(b)に示すように、基材シート2の片面(図1(b)では上側の面)に、酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素の薄膜からなる無機化合物層3aが積層され、この無機化合物層3aを有する複数の層からなるガスバリア性層3が積層されており、かつ、基材シート2の反対側の面(図1(b)では下側の面)にも、酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素の薄膜からなる無機化合物層3a’が積層され、この無機化合物層3a’を有する複数の層からなるガスバリア性層3’が積層された積層構造を有するものであってもよい。   As shown in FIG. 1 (a), the gas barrier film 1 of the present invention most basically has an inorganic compound layer 3a composed of a thin film of silicon oxycarbide or silicon oxynitride carbide on one side of a base sheet 2. It has a laminated structure in which the gas barrier layers 3 made of a plurality of layers having the inorganic compound layer 3a are laminated. As shown in FIG. 1 (b), the gas barrier film 1 of the present invention comprises a thin film of silicon oxycarbide or silicon oxynitride carbide on one side of the base sheet 2 (upper side in FIG. 1 (b)). An inorganic compound layer 3a is laminated, a gas barrier layer 3 composed of a plurality of layers having the inorganic compound layer 3a is laminated, and the opposite surface of the substrate sheet 2 (the lower side in FIG. 1B) Also, an inorganic compound layer 3a ′ made of a thin film of silicon oxycarbide or silicon oxynitride carbide is laminated, and a gas barrier layer 3 ′ made of a plurality of layers having the inorganic compound layer 3a ′ is laminated. It may have a structure.

図2(a)に示すように、本発明のガスバリア性フィルム1は、より具体的には、基材シート2の片面に、基材シート2側より酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素からなる無機化合物層3a、有機樹脂層31、および無機化合物層32が順に積層された三層からなるガスバリア性層3が積層された積層構造を有するものであることが好ましく、また、このようなガスバリア性層3および3’の二層が基材シート2をはさんで積層された積層構造を有するものであってもよい。即ち、図2(b)に示すような、図の下面側より、無機化合物層32’、有機樹脂層31’、無機化合物層3a’、基材シート2、無機化合物層3a、有機樹脂層31、および無機化合物層32がこの順に積層されたものである。   As shown in FIG. 2 (a), the gas barrier film 1 of the present invention more specifically is an inorganic material made of silicon oxide or silicon oxynitride carbide on one side of the base sheet 2 from the base sheet 2 side. It is preferable to have a laminated structure in which the gas barrier layer 3 composed of three layers in which the compound layer 3a, the organic resin layer 31, and the inorganic compound layer 32 are laminated in order, and such a gas barrier layer. The two layers 3 and 3 ′ may have a laminated structure in which the base sheet 2 is sandwiched. That is, as shown in FIG. 2B, from the lower surface side of the figure, the inorganic compound layer 32 ′, the organic resin layer 31 ′, the inorganic compound layer 3a ′, the base sheet 2, the inorganic compound layer 3a, and the organic resin layer 31. And the inorganic compound layer 32 are laminated in this order.

あるいは、図3(a)に示すように、本発明のガスバリア性フィルム1は、基材シート2の片面に、基材シート2側より酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素からなる無機化合物層3a、無機化合物層32a、有機樹脂層31、および無機化合物層層32bが順に積層された四層からなるガスバリア性層3が積層された積層構造を有するものであることも好ましく、また、このようなガスバリア性層3および3’の二層が基材シート2をはさんで積層された積層構造を有するものであってもよい。即ち、図3(b)に示すような、図の下面側より、無機化合物層32b’、有機樹脂層31’、無機化合物層32a’、無機化合物層3a’、基材シート2、無機化合物層3a、無機化合物層32a、有機樹脂層31、および無機化合物層32bがこの順に積層されたものである。   Alternatively, as shown in FIG. 3 (a), the gas barrier film 1 of the present invention has an inorganic compound layer 3a made of silicon oxide carbide or silicon oxynitride carbide on one side of the base sheet 2 from the base sheet 2 side, It is also preferable to have a laminated structure in which the gas barrier layer 3 composed of four layers in which the inorganic compound layer 32a, the organic resin layer 31, and the inorganic compound layer 32b are laminated in order, and such a gas barrier. The two layers of the conductive layers 3 and 3 ′ may have a laminated structure in which the base sheet 2 is sandwiched. That is, as shown in FIG. 3B, from the lower surface side of the figure, the inorganic compound layer 32b ′, the organic resin layer 31 ′, the inorganic compound layer 32a ′, the inorganic compound layer 3a ′, the base sheet 2, the inorganic compound layer. 3a, the inorganic compound layer 32a, the organic resin layer 31, and the inorganic compound layer 32b are laminated in this order.

基材シート2としては、種々の樹脂で構成されたものを用いることができる。例えば、結晶性樹脂では、熱可塑性樹脂であるポリアミド、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、もしくはシンジオタクティック・ポリスチレン等を、熱硬化性樹脂では、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、フッ素樹脂、もしくはポリエーテルニトリル等を、基材シート2を構成する好ましい樹脂として挙げることができる。あるいは、基材シート2を構成する樹脂としては、非結晶性樹脂では、熱可塑性樹脂であるポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリシクロヘキセン、もしくはポリノルボルネン系樹脂等を、熱硬化性樹脂では、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、もしくは熱可塑性ポリイミド等を好ましい樹脂として挙げることができる。中でも、ポリカーボネートは、吸水性が低いため、これを用いて構成された基材シート2は、湿度膨張係数が低く、また、ガラス転移点、荷重たわみ温度、最高連続使用温度が高い点でも好ましい。このような素材からなる基材シート2の厚みは、特に制限しないが、60μm〜2mm程度であることが好ましい。   As the base material sheet 2, what was comprised with various resin can be used. For example, for crystalline resins, thermoplastic resins such as polyamide, polyacetal, polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, or syndiotactic polystyrene are used. For thermosetting resins, polyphenylene sulfide, polyether ether ketone, Fluorine resin, polyether nitrile, or the like can be cited as a preferred resin constituting the base sheet 2. Alternatively, as the resin constituting the base sheet 2, a thermoplastic resin such as polycarbonate, modified polyphenylene ether, polycyclohexene, or polynorbornene-based resin is used as an amorphous resin, and polysulfone or polysulfone is used as a thermosetting resin. Ethersulfone, polyarylate, polyamideimide, polyetherimide, thermoplastic polyimide, or the like can be cited as a preferred resin. Among them, since polycarbonate has low water absorption, the base sheet 2 formed using this is preferable because it has a low coefficient of humidity expansion, and has a high glass transition point, deflection temperature under load, and maximum continuous use temperature. The thickness of the base sheet 2 made of such a material is not particularly limited, but is preferably about 60 μm to 2 mm.

ガスバリア性フィルム1を、透視性を有することが好ましい用途に用いる場合には、基材シート2は透明性を有するものであることが好ましい。ここで「透明性を有する」の透明とは、無色透明および有色透明の両方を含む意味で用いる。なお、以降に説明する各層も、ガスバリア性フィルム1を、透視性を有することが好ましい用途に用いる場合には、いずれの層も透明性を有するものであることが好ましい。例えば、透過型の表示素子においては、前面および背面の両方の基板として透視性を有するものを用いることが好ましいし、反射型の表示素子においては、少なくとも前面の基板として透視性を有するものを用いることが好ましい。   When the gas barrier film 1 is used for an application that preferably has transparency, the base sheet 2 is preferably transparent. Here, the “transparent” transparency is used in the meaning including both colorless transparency and colored transparency. In addition, also when each layer demonstrated below uses the gas-barrier film 1 for the use where it is preferable to have transparency, it is preferable that all layers also have transparency. For example, in a transmissive display element, it is preferable to use a transparent substrate as both the front and back substrates. In a reflective display element, at least a transparent substrate is used as a transparent substrate. It is preferable.

基材シート2には、ガスバリア性層3を積層するのに先立って、基材シート2とガスバリア性層3との間に、密着性層(密着層もしくは密着性向上層)が積層されていてもよく、または密着性向上のための処理が基材シート2の表面に施されていてもよい。   Prior to laminating the gas barrier layer 3 on the base sheet 2, an adhesive layer (adhesion layer or adhesion improving layer) is laminated between the base sheet 2 and the gas barrier layer 3. Or the process for adhesiveness improvement may be given to the surface of the base material sheet 2. FIG.

上記の密着性層としては、有機化合物の蒸着もしくはウェットコーティングによりアンカーコート剤の層を形成することができる。アンカーコート剤の層は、例えば、アルキルチタネート等の有機チタン系アンカーコート剤、イソシアネート系アンカーコート剤、ポリエチレンイミン系アンカーコート剤、もしくはポリブタジエン系アンカーコート剤等の1種もしくは2種以上の組み合わせにより、ロールコート、グラビアコート、ナイフコート、ディップコ−ト、もしくはスプレイコート等の公知のコーティング法でコーティングし、コーティング後、溶剤、希釈剤等を乾燥除去することにより形成することができ、ウェットコーティングによる場合の塗布量としては、0.1g/m2〜5g/m2(乾燥状態)程度であることが好ましい。 As the adhesive layer, an anchor coating agent layer can be formed by vapor deposition of an organic compound or wet coating. The anchor coating agent layer is made of, for example, one or a combination of two or more of an organic titanium anchor coating agent such as an alkyl titanate, an isocyanate anchor coating agent, a polyethyleneimine anchor coating agent, or a polybutadiene anchor coating agent. It can be formed by coating with a known coating method such as roll coating, gravure coating, knife coating, dip coating, or spray coating, and after coating, by drying and removing the solvent, diluent, etc., by wet coating In this case, the coating amount is preferably about 0.1 g / m 2 to 5 g / m 2 (dry state).

より好ましい密着性層は、酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素からなる無機化合物層3aである。酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素からなる無機化合物層(以降、単に密着性無機化合物層と言うことがある。)3aは、基材シート2とガスバリア性層3との密着性を高めることに加え、ガスバリア性フィルム1の全体に、耐熱性、耐薬品性、および耐候性を付与するとともに、密着性無機化合物層3a上に積層される他の層に欠損部位があっても、それを埋めることによりガスバリア性を向上させる。   A more preferable adhesive layer is the inorganic compound layer 3a made of silicon oxide carbide or silicon oxynitride carbide. The inorganic compound layer (hereinafter sometimes simply referred to as an adhesive inorganic compound layer) 3a made of silicon oxycarbide or silicon oxynitride carbide is in addition to improving the adhesion between the base sheet 2 and the gas barrier layer 3. In addition to providing heat resistance, chemical resistance, and weather resistance to the entire gas barrier film 1, even if there is a defect site in another layer laminated on the adhesive inorganic compound layer 3a, it is filled. This improves the gas barrier property.

酸化炭化珪素からなる無機化合物層3aは、酸化珪素および炭素を含有する材料からなり、次のような有機珪素化合物を原料として、窒素ガス、酸素ガス、アルゴンガス、もしくはヘリウムガス等の存在下で、プラズマ化学気相成長法、好ましくは低温プラズマ化学気相成長法を利用して形成することができる。有機珪素化合物としては、例えば、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、ビニルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、もしくはオクタメチルシクロテトラシロキサン等、またはその他のものを使用でき、取り扱い性や蒸着膜の特性等から、テトラメトキシシラン(TMOS)、もしくはヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)を用いることが好ましい。   The inorganic compound layer 3a made of silicon oxide carbide is made of a material containing silicon oxide and carbon, and the following organic silicon compound is used as a raw material in the presence of nitrogen gas, oxygen gas, argon gas, helium gas, or the like. It can be formed using a plasma chemical vapor deposition method, preferably a low temperature plasma chemical vapor deposition method. Examples of the organosilicon compound include 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, hexamethyldisiloxane, vinyltrimethylsilane, hexamethyldisilane, methylsilane, dimethylsilane, trimethylsilane, diethylsilane, propylsilane, and phenylsilane. , Vinyltriethoxysilane, tetramethoxysilane, phenyltriethoxysilane, methyltriethoxysilane, octamethylcyclotetrasiloxane, etc., or others can be used, and tetramethoxysilane ( TMOS) or hexamethyldisiloxane (HMDSO) is preferably used.

酸化炭化珪素からなる無機化合物層3aは、種々のアルコキシシランを用いた化学気相成長法により形成されたものである。用い得るアルコキシシランとしては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−iso−プロポキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テトラ−n−ブトキシシラン、テトラ−sec−ブトキシシラン、テトラ−tert−ブトキシシラン、テトラペンタエトキシシラン、テトラペンタ−iso−プロポキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テトラペンタ−n−ブトキシシラン、テトラペンタ−sec−ブトキシシラン、テトラペンタ−tert−ブトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルエトキシシラン、ジメチルメトキシシラン、ジメチルプロポキシシラン、ジメチルブトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、もしくはヘキシルトリメトキシシラン等を挙げることができる。酸化炭化珪素の薄膜がCVD法で形成される場合には、原材料に由来する炭素を薄膜内に含有するので、有機材料からなる基材シート2との密着性がよいものと考えられる。   The inorganic compound layer 3a made of silicon oxide carbide is formed by chemical vapor deposition using various alkoxysilanes. Examples of the alkoxysilane that can be used include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-iso-propoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-n-butoxysilane, tetra-sec-butoxysilane, tetra-tert-butoxysilane, Tetrapentaethoxysilane, tetrapenta-iso-propoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetrapenta-n-butoxysilane, tetrapenta-sec-butoxysilane, tetrapenta-tert-butoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, Methyltripropoxysilane, methyltributoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethylethoxysilane, dimethylmethoxysilane, dimethylpropoxide Shishiran, dimethyl-butoxy silane, methyl dimethoxy silane, methyl diethoxy silane or hexyl trimethoxysilane, and the like. When the silicon oxide carbide thin film is formed by the CVD method, the carbon derived from the raw material is contained in the thin film, so that it is considered that the adhesion with the base material sheet 2 made of an organic material is good.

酸化窒化炭化珪素からなる無機化合物層3aは、オルガノシラザン等の含窒素有機珪素化合物のガスを使用し、窒素ガス、酸素ガス、アルゴンガス、もしくはヘリウムガス等の存在下でプラズマ化学気相成長法、好ましくは低温プラズマ化学気相成長法を利用して形成することができる。含窒素有機珪素化合物としては、例えば、ヘキサメチルジシラザン((CH3Si)2NH)、4−アミノブチルトリエトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノイソブチルメチルジメトキシシラン、2−アミノエチルアミノメチルベンジロキシジメチルシラン、(アミノエチルアミノメチル)フェネチルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(アミノヘキシル)アミノプロピルトリメトキシシラン、アミノメチルトリメチルシラン、3−アミノフェノキシジメチルビニルシラン、4−アミノフェノキシジメチルビニルシラン、3−(m−アミノフェノキシ)プロピルトリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、3−(3−アミノプロポキシ)−3,3−ジメチル−1−プロペニルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルジイソプロピルエトキシシラン、3−アミノプロピルメチルビス(トリメチルシロキシ)シラン、3−アミノプロピルジメチルエトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、3−アミノプロピルペンタメチルジシロキサン、1,4−ビス(3−アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼン、ジ−nブチルテトラメチルジシラザン、N,N−ジエチルアミノトリメチルシラン、(ジエチルアミノ)トリメチルシラン、(ジイソプロピルアミノ)トリメチルシラン、(N,N−ジエチルアミノ)ジメチルシラン、(N,N−ジメチルアミノ)トリエチルシラン、もしくは(N,N−ジメチルアミノ)トリメチルシラン等を挙げることができる。 The inorganic compound layer 3a made of silicon oxynitride carbide uses a nitrogen-containing organosilicon compound gas such as organosilazane, and plasma chemical vapor deposition in the presence of nitrogen gas, oxygen gas, argon gas, helium gas or the like. Preferably, it can be formed using a low temperature plasma chemical vapor deposition method. Examples of the nitrogen-containing organosilicon compound include hexamethyldisilazane ((CH 3 Si) 2 NH), 4-aminobutyltriethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminoisobutylmethyldimethoxysilane, 2 -Aminoethylaminomethylbenzyloxydimethylsilane, (aminoethylaminomethyl) phenethyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-amino Propyltrimethoxysilane, N- (aminohexyl) aminopropyltrimethoxysilane, aminomethyltrimethylsilane, 3-aminophenoxydimethylvinylsilane, 4-aminophenoxydimethylvinylsilane, 3- (m-aminophenoxy) propyltrimethoxysilane, Nophenyltrimethoxysilane, 3- (3-aminopropoxy) -3,3-dimethyl-1-propenyltrimethoxysilane, 3-aminopropyldiisopropylethoxysilane, 3-aminopropylmethylbis (trimethylsiloxy) silane, 3- Aminopropyldimethylethoxysilane, 3-aminopropylmethyldiethoxysilane, 3-aminopropylpentamethyldisiloxane, 1,4-bis (3-aminopropyldimethylsilyl) benzene, di-nbutyltetramethyldisilazane, N, N-diethylaminotrimethylsilane, (diethylamino) trimethylsilane, (diisopropylamino) trimethylsilane, (N, N-diethylamino) dimethylsilane, (N, N-dimethylamino) triethylsilane, or (N, N-di-) Chiruamino) trimethylsilane, and the like.

酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素からなる密着性無機化合物層3aの厚みは、1nm〜1000nmであることが好ましく、より好ましくは5nm〜300nmである。無機化合物層3aの厚みが、好ましい厚みの範囲よりも薄いと、密着性向上効果が乏しい。また、好ましい厚みの範囲よりも厚い場合には、密着性の向上効果が期待できないが、無機化合物層3aは、ガスバリア性層の性格も有しているので、ガスバリア性の向上を目指す場合には、好ましい厚みの範囲を超えて厚みを厚くしてもよい。   The thickness of the adhesive inorganic compound layer 3a made of silicon oxycarbide or silicon oxynitride carbide is preferably 1 nm to 1000 nm, more preferably 5 nm to 300 nm. When the thickness of the inorganic compound layer 3a is thinner than the preferable thickness range, the effect of improving the adhesion is poor. In addition, when the thickness is larger than the preferable thickness range, the effect of improving the adhesion cannot be expected. However, since the inorganic compound layer 3a also has the characteristics of a gas barrier layer, when aiming to improve the gas barrier property. The thickness may be increased beyond the preferable thickness range.

ガスバリア性層3は、無機化合物層3aに加えて、種々の無機化合物もしくは有機化合物、特に高分子の中から、ガスバリア性のあるものを選択して用いて構成することができる。好ましくは、ガスバリア性層3は、図2(a)を引用して説明したように、密着性無機化合物層3a、有機樹脂層31、および無機化合物層32が順に積層された積層構造を有するもの、もしくは密着性無機化合物層3a、無機化合物層32a、有機樹脂層31、および無機化合物層32bが順に積層された積層構造を有するものとして構成することが好ましい。   In addition to the inorganic compound layer 3a, the gas barrier layer 3 can be constituted by selecting and using various inorganic compounds or organic compounds, particularly polymers having gas barrier properties. Preferably, the gas barrier layer 3 has a laminated structure in which the adhesive inorganic compound layer 3a, the organic resin layer 31, and the inorganic compound layer 32 are sequentially laminated as described with reference to FIG. Alternatively, the adhesive inorganic compound layer 3a, the inorganic compound layer 32a, the organic resin layer 31, and the inorganic compound layer 32b are preferably configured to have a laminated structure in this order.

無機化合物層32(32aおよび32bを含む。)は、無機酸化物、無機酸化窒化物、無機窒化物、無機酸化炭化物、もしくは無機酸化炭化窒化物の薄膜、またはごく薄い金属薄膜のいずれかにより構成されるもので、ガスバリア性フィルム1における、水蒸気の透過を遮断したり、酸素の透過を遮断するためのガスバリア性層としての機能が高い。無機化合物層32は、好ましくは、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法(Physical Vapor Deposition法)やプラズマ化学気相成長法(Chemical Vapor Deposition法)等により形成することができる。   The inorganic compound layer 32 (including 32a and 32b) is composed of any one of an inorganic oxide, an inorganic oxynitride, an inorganic nitride, an inorganic oxycarbide, an inorganic oxycarbonitride thin film, or a very thin metal thin film. Therefore, the gas barrier film 1 has a high function as a gas barrier layer for blocking water vapor permeation or oxygen permeation. The inorganic compound layer 32 is preferably formed by physical vapor deposition (physical vapor deposition) such as vacuum vapor deposition, sputtering, or ion plating, or by chemical vapor deposition (plasma vapor deposition). can do.

無機化合物層32を構成する無機化合物としては、珪素、アルミニウム、マグネシウム、チタン、スズ、インジウム、もしくはセリウムから選ばれた1種または2種以上を含有するものであることが好ましく、無機酸化物としては、例えば、珪素酸化物、アルミニウム酸化物、マグネシウム酸化物、チタン酸化物、スズ酸化物、もしくはインジウム合金酸化物が好ましく、無機酸化窒化物としては、珪素酸化窒化物が好ましく、無機窒化物としては、珪素窒化物、アルミニウム窒化物、もしくはチタン窒化物が好ましく、さらに基材薄膜の金属としては、アルミニウム、銀、錫、クロム、ニッケル、もしくはチタンが好ましい。   The inorganic compound constituting the inorganic compound layer 32 is preferably one containing at least one selected from silicon, aluminum, magnesium, titanium, tin, indium, or cerium. For example, silicon oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, titanium oxide, tin oxide, or indium alloy oxide is preferable. As the inorganic oxynitride, silicon oxynitride is preferable, and as inorganic nitride Is preferably silicon nitride, aluminum nitride, or titanium nitride, and the metal of the substrate thin film is preferably aluminum, silver, tin, chromium, nickel, or titanium.

無機化合物層32の厚みは、使用する無機化合物によっても異なるが、5nm〜5000nmの範囲が好ましく、より好ましくは5nm〜500nmである。酸化アルミニウムや酸化珪素の蒸着法による薄膜の場合には、厚みは10nm〜300nmの範囲内であることが好ましい。無機化合物層32の厚みが、好ましい厚みの範囲よりも薄いと、水蒸気、酸素ガス等に対するガスバリア性の低下が見られ、また、好ましい厚みの範囲よりも厚い場合には、無機化合物層32の形成後の工程で、無機化合物層32のクラック等により、水蒸気、酸素ガス等に対するガスバリア性の低下が見られるので好ましくない。なお、無機化合物層32は、必ずしも1層で構成することに限定されず、2層以上積層したものであってもよく、その際に、同じものどうしを組み合わせても、異なるものどうしを組み合わせてもよい。すでに説明した密着性無機化合物層3aを構成する素材、およびそれらの素材を用いた層3aの形成方法は、無機化合物層32にもそのまま適用できる。   The thickness of the inorganic compound layer 32 varies depending on the inorganic compound used, but is preferably in the range of 5 nm to 5000 nm, more preferably 5 nm to 500 nm. In the case of a thin film obtained by vapor deposition of aluminum oxide or silicon oxide, the thickness is preferably in the range of 10 nm to 300 nm. If the thickness of the inorganic compound layer 32 is thinner than the preferred thickness range, the gas barrier property against water vapor, oxygen gas, etc. is reduced. If the thickness is larger than the preferred thickness range, the inorganic compound layer 32 is formed. In the subsequent step, a decrease in gas barrier properties against water vapor, oxygen gas, etc. is observed due to cracks in the inorganic compound layer 32, etc., which is not preferable. The inorganic compound layer 32 is not necessarily limited to a single layer, and may be a laminate of two or more layers. In this case, the same materials may be combined or different materials may be combined. Also good. The materials constituting the adhesive inorganic compound layer 3a and the method for forming the layer 3a using these materials can be applied to the inorganic compound layer 32 as they are.

無機化合物層32の形成は、無機酸化物または無機窒化物、無機酸化窒化物または金属を原料として用い、これらを加熱して基材に蒸着させる真空蒸着法、これらに酸素ガスを導入することにより酸化させて、基材に蒸着させる酸化反応蒸着法、これらをターゲット原料として用い、アルゴンガス、酸素ガスを導入して、スパッタリングすることにより、基材に蒸着させるスパッタリング法、もしくはこれらにプラズマガンで発生させたプラズマビームにより加熱させて、基材に蒸着させるイオンプレーティング法を利用することができ、また、酸化珪素の蒸着膜を成膜させる場合には、有機珪素化合物を原料とするプラズマ化学気相成長法を利用することができる。   The inorganic compound layer 32 is formed by using an inorganic oxide, an inorganic nitride, an inorganic oxynitride or a metal as a raw material and heating them to deposit them on a substrate by introducing oxygen gas into them. Oxidation reaction vapor deposition method to oxidize and deposit on substrate, using these as target raw material, sputtering method to deposit on substrate by introducing argon gas and oxygen gas and sputtering, or plasma gun on these It is possible to use an ion plating method in which the generated plasma beam is heated and vapor-deposited on a substrate. In addition, when a silicon oxide vapor deposition film is formed, plasma chemistry using an organosilicon compound as a raw material is possible. Vapor phase epitaxy can be used.

無機化合物層32を酸化珪素の薄膜で構成する場合には、次のような有機珪素化合物を原料として、低温プラズマ化学気相成長法を利用して形成することができる。有機珪素化合物としては、例えば、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、ビニルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、もしくはオクタメチルシクロテトラシロキサン等、またはその他のものを使用でき、取り扱い性や蒸着膜の特性等から、テトラメトキシシラン(TMOS)、もしくはヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)を用いることが好ましい。無機化合物層32を酸化炭化珪素の薄膜で構成するには、酸化炭化珪素により密着性無機化合物層3aを形成したときと同様な素材および方法を用いて行なえばよい。また、無機化合物層32を酸化窒化炭化珪素の薄膜で構成するには、酸化窒化炭化珪素からなる密着性無機化合物層3aを形成したときと同様な素材および方法を用いて行なえばよい。   When the inorganic compound layer 32 is formed of a silicon oxide thin film, it can be formed by using a low temperature plasma chemical vapor deposition method using the following organic silicon compound as a raw material. Examples of the organosilicon compound include 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, hexamethyldisiloxane, vinyltrimethylsilane, hexamethyldisilane, methylsilane, dimethylsilane, trimethylsilane, diethylsilane, propylsilane, and phenylsilane. , Vinyltriethoxysilane, tetramethoxysilane, phenyltriethoxysilane, methyltriethoxysilane, octamethylcyclotetrasiloxane, etc., or others can be used, and tetramethoxysilane ( TMOS) or hexamethyldisiloxane (HMDSO) is preferably used. In order to form the inorganic compound layer 32 with a silicon oxide carbide thin film, the same material and method as those used when the adhesive inorganic compound layer 3a is formed of silicon oxide carbide may be used. Further, in order to form the inorganic compound layer 32 with a thin film of silicon oxynitride carbide, the same material and method as those used when the adhesive inorganic compound layer 3a made of silicon oxynitride carbide is formed may be used.

ところで、ガスバリア性フィルムを表示素子の支持基板として用いる場合、その平面性が非常に高いことが求められる。と言うのは、表示素子においては、一対の電極間に電気信号に応じたシャッター機能もしくは発光機能を有する表示層を形成することが多いが、これらの電極や表示層は、支持基板上にその表面を基準にして形成されるのが普通であるから、支持基板の平面性が不十分であると、電極や表示層の形成精度が低下するからである。特に有機EL素子の場合、一対の電極間にはさむ蛍光発光層の厚みは20nm〜30nm程度であるから、支持基板の平面性の良否が問題になる。   By the way, when using a gas barrier film as a support substrate of a display element, the flatness is required to be very high. This is because, in a display element, a display layer having a shutter function or a light emitting function corresponding to an electric signal is often formed between a pair of electrodes, and these electrodes and the display layer are formed on a supporting substrate. This is because it is usually formed on the basis of the surface, and if the planarity of the support substrate is insufficient, the formation accuracy of the electrodes and the display layer is lowered. In particular, in the case of an organic EL element, the thickness of the fluorescent light-emitting layer sandwiched between a pair of electrodes is about 20 nm to 30 nm.

そこで、本発明においては、基材シート2上に、酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素からなる密着性無機化合物層3a、有機樹脂層31、および無機化合物層32等を積層したガスバリア性フィルム1の基材シート2が積層されている側の最表面の表面粗さを6nm以下とし、最大高低差P−Vを60nm以下とすることが好ましく、このような平坦性を確保することにより、ディスプレイ素子の支持基板として使用するのに適しており、特にEL素子を構成するための基板として用いるのに適したガスバリア性フィルム1を提供することが可能になる。   Therefore, in the present invention, the gas barrier film 1 in which the adhesive inorganic compound layer 3a made of silicon oxycarbide or silicon oxynitride carbide, the organic resin layer 31, the inorganic compound layer 32, and the like are laminated on the base sheet 2. The surface roughness of the outermost surface on the side where the base sheet 2 is laminated is preferably 6 nm or less, and the maximum height difference PV is preferably 60 nm or less. By ensuring such flatness, the display element It is possible to provide a gas barrier film 1 that is suitable for use as a support substrate, and particularly suitable for use as a substrate for constituting an EL element.

本発明のガスバリア性フィルム1の平坦性を上記の規定に合わせるためには、ごく単純には、基材シート2上に積層する密着性無機化合物層3a、有機樹脂層31、もしくは無機化合物層32等のいずれかの厚みを厚くすればよい。これらの層のうち、密着性無機化合物層3aや無機化合物層32は気相法で形成することが好ましいので、これらの厚みを厚くするのは必ずしも好ましくなく、有機樹脂層31の厚みを考慮するか、または有機樹脂層31の形成のために平坦化が実現しやすい樹脂を好ましく用いる。   In order to match the flatness of the gas barrier film 1 of the present invention with the above-mentioned definition, the adhesive inorganic compound layer 3a, the organic resin layer 31 or the inorganic compound layer 32 laminated on the base sheet 2 is very simply described. Any of the above may be increased. Of these layers, the adhesive inorganic compound layer 3a and the inorganic compound layer 32 are preferably formed by a vapor phase method. Therefore, it is not always preferable to increase the thickness, and the thickness of the organic resin layer 31 is taken into consideration. Alternatively, for the formation of the organic resin layer 31, a resin that can be easily planarized is preferably used.

有機樹脂層31は、好ましくはガスバリア性の高い樹脂を用いて構成することができ、例えば、ガスバリア性コーティング材として知られているポリビニルアルコール(PVA)、もしくはエチレン−ビニルアルコール共重合体(EVOH)の単独、またはこれらの混合物、あるいは、これらに芳香族酸エステル、芳香族ポリアミド、金属塩等の架橋剤を添加するか、もしくは無機フィラーの添加により架橋構造を持たせたものや、ポリアミド、PVA、もしくはEVOH等の樹脂中に1〜100nm程度の超微粒子である層状珪酸塩(モンモリロナイト等の粘土鉱物)を分散させたもの等も使用できる。   The organic resin layer 31 can be preferably formed using a resin having a high gas barrier property. For example, polyvinyl alcohol (PVA) or ethylene-vinyl alcohol copolymer (EVOH) known as a gas barrier coating material is used. Or a mixture thereof, or a crosslinking agent such as an aromatic acid ester, aromatic polyamide, or metal salt added thereto, or a crosslinked structure by adding an inorganic filler, polyamide, PVA Alternatively, a dispersion in which a layered silicate (clay mineral such as montmorillonite) as ultrafine particles of about 1 to 100 nm is dispersed in a resin such as EVOH can be used.

有機樹脂層31を構成するより好ましい素材として、(1)フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂と多塩基酸無水物との付加生成物、(2)多官能アクリレートモノマー、(3)重合開始剤、および(4)エポキシ基を1分子中に2個以上有するエポキシ樹脂を必須成分とするカルド樹脂(カルドポリマーとも言う。)を挙げることができる。カルドポリマーからなる有機樹脂層31を、スパッタリング法、イオンプレーティング法、もしくは化学気相蒸着法で形成された無機化合物層上に積層すると、無機化合物層の微細なピンホール等の欠陥に対する穴埋め効果の促進が可能となる効果がある上、平坦化も容易である利点がある。   As a more preferable material constituting the organic resin layer 31, (1) an addition product of an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton and a polybasic acid anhydride, (2) a polyfunctional acrylate monomer, (3) a polymerization initiator, and (4) A cardo resin (also called a cardo polymer) containing an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule as an essential component can be given. When the organic resin layer 31 made of a cardo polymer is laminated on an inorganic compound layer formed by a sputtering method, an ion plating method, or a chemical vapor deposition method, a filling effect for defects such as fine pinholes in the inorganic compound layer is achieved. In addition to the effect that it can be promoted, there is an advantage that flattening is easy.

上記のカルドポリマーとしては、下記一般式(1)で示されるビスフェノール化合物から誘導されるフルオレン骨格を有する樹脂を含有することが好ましい。   The cardo polymer preferably contains a resin having a fluorene skeleton derived from a bisphenol compound represented by the following general formula (1).

Figure 0004373270
Figure 0004373270

(R1およびR2は水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、またはハロゲン原子であり、互いに同じであってもよく、異なるものであってもよい。 (R 1 and R 2 are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogen atom, and may be the same or different from each other.

このような一般式(1)で示されるビスフェノール化合物としては、具体的には、例えば、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−クロロフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−ブロモフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−フルオロフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−メトキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)フルオレン、もしくは9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブロモフェニル)フルオレン等を挙げることができ、これらのうちの1種のみを単独で用いることができるほか、2種類以上を併用することもできる。   Specific examples of the bisphenol compound represented by the general formula (1) include 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene and 9,9-bis (4-hydroxy-3-methylphenyl). ) Fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-chlorophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-bromophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-fluorophenyl) ) Fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-methoxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3) , 5-dichlorophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3,5-dibromophenyl) fluorene, etc. Bets can be, in addition to it is possible to use only one of these alone, or can be used in combination of two or more.

上記のカルドポリマーとしては、エポキシ基を1分子中に2つ以上持つエポキシ基と不飽和モノカルボン酸とを反応させて得たエポキシ(メタ)アクリレート樹脂と多塩基酸無水物とから誘導されるエポキシ(メタ)アクリレート酸付加物であることが好ましい。なお、(メタ)アクリレートの表記は、アクリレートまたはメタアクリレートを意味する。   The cardo polymer is derived from an epoxy (meth) acrylate resin obtained by reacting an epoxy group having two or more epoxy groups in one molecule with an unsaturated monocarboxylic acid and a polybasic acid anhydride. An epoxy (meth) acrylate acid adduct is preferable. In addition, the description of (meth) acrylate means an acrylate or a methacrylate.

このようなエポキシ(メタ)アクリレート酸付加物の形成に用いられるエポキシ樹脂として、具体的には、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ジメチルシラン、4,4’−ビフェノール、テトラメチル−4,4’−ビフェノール等のビスフェノール類、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ナフトールまたはナフタレンジオールと、1,4−ビスキシレノールとの縮合化合物等の多官能フェノール類や、これら芳香環水素の一部または全てがハロゲン原子、炭素数1〜4のアルキル基に置換した多官能フェノール類をエピクロロヒドリンと反応させて得られた1分子中にエポキシ基を2つ以上有するものが挙げられる。   Specific examples of the epoxy resin used to form such an epoxy (meth) acrylate acid adduct include bis (4-hydroxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxyphenyl) sulfone, and 2,2-bis (4 -Hydroxyphenyl) propane, bis (4-hydroxyphenyl) ether, bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene, bis (4-hydroxyphenyl) dimethylsilane, 4 , 4′-biphenol, bisphenols such as tetramethyl-4,4′-biphenol, polyfunctional phenols such as a condensation compound of phenol novolac, cresol novolac, naphthol or naphthalene diol and 1,4-bisxylenol, Some of these aromatic ring hydrogens All halogen atom include those having two or more epoxy groups in one molecule obtained by polyfunctional phenols substituted on an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is reacted with epichlorohydrin.

このエポキシ基をエポキシ樹脂と等量のアクリル酸、メタクリル酸等のアクリル酸類を公知の手法により反応させることにより、エポキシ(メタ)アクリレート樹脂とすることができ、さらに、このエポキシ(メタ)アクリレート樹脂を多塩基酸無水物と反応させることにより、エポキシ(メタ)アクリレート樹脂と多塩基酸無水物との付加生成物とすることができるのである。   This epoxy group can be made into an epoxy (meth) acrylate resin by reacting an epoxy resin with an equal amount of acrylic acid such as acrylic acid or methacrylic acid by a known method. Furthermore, this epoxy (meth) acrylate resin Can be made an addition product of an epoxy (meth) acrylate resin and a polybasic acid anhydride by reacting with a polybasic acid anhydride.

このような付加生成物の形成に用いられる多塩基酸無水物として、具体的には、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等の脂環式酸無水物、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、エチレングリコールビストリメリテート無水物。グリセロールトリストリメリテート無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物等の芳香族酸無水物類、無水ヘット酸、テトラブロモ無水フタル酸等のハロゲン系酸無水物等が挙げられる。また、上記エポキシ樹脂、アクリレート、酸無水物類は1種であっても、2種以上の混合物であってもよい。   Specific examples of polybasic acid anhydrides used in the formation of such addition products include methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylhymic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride. Acid, alicyclic acid anhydrides such as methylcyclohexene dicarboxylic acid anhydride, phthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic dianhydride, ethylene glycol bistrimellitic anhydride. Examples thereof include aromatic acid anhydrides such as glycerol tristrimellitic anhydride and biphenyltetracarboxylic dianhydride, and halogen acid anhydrides such as het anhydride and tetrabromophthalic anhydride. Further, the epoxy resin, acrylate, and acid anhydride may be one kind or a mixture of two or more kinds.

このようにして得られるエポキシ(メタ)アクリレート酸付加物の中でも、本発明においては、特開昭60−152091号公報、特開平6−1938号公報、特開平8−146311号公報に見られるように、同一分子内にカルボキシシル基と光重合可能な不飽和基とを有する重量平均分子量1000以上の樹脂が有機樹脂層31に含有されることが好ましい。具体的には、フルオレン骨格を持つエポキシアクリレートの酸付加体である新日鐵化学(株)製のV259M、もしくはV301M、または日本化薬(株)製のクレゾールノボラック型エポキシアクリレートの酸付加体が挙げられる。   Among the epoxy (meth) acrylate acid adducts thus obtained, in the present invention, as seen in JP-A-60-152091, JP-A-6-1938, JP-A-8-146111. In addition, it is preferable that the organic resin layer 31 contains a resin having a carboxysyl group and a photopolymerizable unsaturated group in the same molecule and having a weight average molecular weight of 1000 or more. Specifically, an acid adduct of epoxy acrylate having a fluorene skeleton, such as V259M or V301M manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., or a cresol novolac type epoxy acrylate manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. Can be mentioned.

また、上記フルオレン骨格を持つエポキシアクリレート樹脂とは、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレンから得られるエポキシ樹脂とアクリル酸類とを反応させて得られるものが好適に用いられる。   The epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton is preferably one obtained by reacting an epoxy resin obtained from 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene with acrylic acid.

また、本発明に用いられる上記多官能アクリレートモノマーとして、具体的には、常圧において100℃以上の沸点を有し、かつ、1分子中に少なくとも2つのエチレン性不飽和基を有する付加重合性化合物であるものが挙げられる。このような材料としては、多価アルコールと、α,β−不飽和カルボン酸とを結合して得られるもの、例えば、ジエチレングリコール(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、1,3−プロパンジオール(メタ)アクリレート、1,3−ブタンジオール(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート等の多官能アクリレートや相当の多官能メタアクリレート、2,2−ビス(4−アクリロキシジエトキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−メタクリロキシジペンタエトキシシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−メタクリロキシポリエトキシフェニル)プロパンの混合物(新中村化学(株)製、商品名;BEP−500)等や、グリシジル基含有化合物にアクリル酸やメタクリル酸等のα、β−不飽和カルボン酸を付加して得られるもの、例えばトリメチロールプロパントリグリシジルエーテル(メタ)アクリレート、ビスフェノールAジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、フルオレン環を有するジグリシジルエーテルのアクリル酸付加体(新日鐵化学(株)製、商品名;ASF400)等や、不飽和アミド類、例えば、メチレンビスアクリロアミド、1,6−ヘキサメチレンビスアクリルアミド等や、ビニルエステル類、例えば、ジビニルサクシネート、ジビニルアジペート、ジビニルフタレート、ジビニルテレフタレート、ジビニルベンゼン−1,3−ジスルホネート等が挙げられる。   Further, as the above-mentioned polyfunctional acrylate monomer used in the present invention, specifically, addition polymerization having a boiling point of 100 ° C. or higher at normal pressure and having at least two ethylenically unsaturated groups in one molecule. What is a compound is mentioned. Such materials include those obtained by combining a polyhydric alcohol and an α, β-unsaturated carboxylic acid, such as diethylene glycol (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol diester. (Meth) acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, 1,3-propanediol (meth) acrylate, 1,3-butanediol (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meta ) Acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate and other polyfunctional acrylates and corresponding polyfunctional methacrylates, 2,2-bis (4-acryloxydiethoxyphenyl) ) A mixture of propane, 2,2-bis (4-methacryloxydipentaethoxysiphenyl) propane, 2,2-bis (4-methacryloxypolyethoxyphenyl) propane (made by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name; BEP-500) and the like, and those obtained by adding an α, β-unsaturated carboxylic acid such as acrylic acid or methacrylic acid to a glycidyl group-containing compound, such as trimethylolpropane triglycidyl ether (meth) acrylate, bisphenol A diester Glycidyl ether di (meth) acrylate, acrylic acid adduct of diglycidyl ether having a fluorene ring (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., trade name: ASF400), and unsaturated amides such as methylenebisacryloamide 1,6-hexamethylenebisacrylamide and the like, vinyl esters, such as Examples include divinyl succinate, divinyl adipate, divinyl phthalate, divinyl terephthalate, divinylbenzene-1,3-disulfonate.

重合開始剤としては、加熱時にラジカルを発生し、カルドポリマーを有する熱硬化性樹脂および多官能アクリレートモノマーの不飽和基を重合させて硬化膜を形成させることが可能であれば、公知の熱重合開始剤を用いることができるが、10時間半減期温度が80℃以上から硬化温度以下であることが好ましく、100度以上から硬化温度であることがより好ましい。熱重合開始剤としては、t−ブチルクミルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、もしくはジ−t−ブチルジパーオキシフタレート等を挙げることができる。   As a polymerization initiator, if it is possible to generate a radical upon heating and polymerize the unsaturated group of the thermosetting resin having a cardo polymer and the polyfunctional acrylate monomer to form a cured film, a known thermal polymerization is possible. Although an initiator can be used, the 10-hour half-life temperature is preferably 80 ° C. or more and the curing temperature or less, and more preferably 100 ° C. or more and the curing temperature. Examples of the thermal polymerization initiator include t-butylcumyl peroxide, t-butylperoxy-2-ethylhexanoate, and di-t-butyldiperoxyphthalate.

上記の重合を紫外線照射によって行なう場合には、熱重合開始剤に代えて。光重合開始剤を用いることもできる。光重合開始剤としては、公知のものを単独にまたは数種併用することができ、例えば、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−プロパンー1−オン(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ(株)製、商品名;「イルガキュア907」)、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフエニル)−ブタノン−1(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ(株)製、商品名;「イルガキュア369」)、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキサイド(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ(株)製、商品名;「CGI819」)、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド(BASF社製、商品名;「ルシリンTPO」)、もしくは2,4−トリクロロメチル−(ピプロロニル)−6−トリアジン(日本シイベルヘグナー社製、商品名;「トリアジンPP」)等が使用できる。   When the above polymerization is carried out by ultraviolet irradiation, instead of the thermal polymerization initiator. A photopolymerization initiator can also be used. As the photopolymerization initiator, known ones may be used alone or in combination of several kinds. For example, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propan-1-one (Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd., trade name: “Irgacure 907”), 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1 (Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.) Product name: “Irgacure 369”), bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide (manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd., product name: “CGI819”), 2,4,6-trimethylbenzoyl Diphenylphosphine oxide (manufactured by BASF, trade name: “Lucirin TPO”) or 2,4-tri Roromechiru - (Pipuroroniru) -6-triazine (Japan Siber Hegner Co., Ltd., trade name; "triazine PP") and the like can be used.

さらに、上記エポキシ基を1分子中に2つ以上有するエポキシ樹脂としては、加水分解性塩素分が1000ppm未満と少ないエポキシ化合物が好ましく、例えば、油化シェル(株)製のテトラメチルジフェニル型エポキシ樹脂であるYX4000、日本化薬(株)製のEOCNシリーズ(EOCN1020、4400、102S、103S、104S等)のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、東都化成(株)製の液状3官能エポキシ樹脂であるZX−1542、エポキシ化合物中の2級ヒドロキシル基にグリシジル基を導入した多官能エポキシ化合物等が挙げられる。このようなエポキシ樹脂は、加熱等によりエポキシ基が、カルドポリマーを含有する樹脂成分中のカルボキシル基と反応し、上記カルドポリマーを含有する樹脂および多官能アクリレートの不飽和基に加えて架橋構造を形成するものである。   Furthermore, as the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule, an epoxy compound having a hydrolyzable chlorine content of less than 1000 ppm is preferable. For example, tetramethyldiphenyl type epoxy resin manufactured by Yuka Shell Co., Ltd. YX4000, EOCN series (EOCN1020, 4400, 102S, 103S, 104S, etc.) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., cresol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, liquid trifunctional epoxy manufactured by Toto Kasei Co., Ltd. Examples thereof include ZX-1542 as a resin and a polyfunctional epoxy compound in which a glycidyl group is introduced into a secondary hydroxyl group in an epoxy compound. In such an epoxy resin, the epoxy group reacts with the carboxyl group in the resin component containing the cardo polymer by heating or the like, and has a crosslinked structure in addition to the unsaturated group of the resin containing the cardo polymer and the polyfunctional acrylate. To form.

上記のカルドポリマーのような、下層の無機化合物との親和性がよい方向環を有し、かさ高いフルオレン骨格を有するものを用いて有機樹脂層31を形成すると。平坦化が可能になる効果が特に高いが、光硬化性樹脂でも、加熱により硬化が促進するものであれば、平坦化が可能になる効果が高く、有機樹脂層31を構成するのに用いることができる。   When the organic resin layer 31 is formed using a card having a directional ring having a good affinity with the underlying inorganic compound, such as the cardo polymer, and having a bulky fluorene skeleton. The effect of flattening is particularly high, but even with a photocurable resin, if the curing is accelerated by heating, the effect of flattening is high, and it is used to constitute the organic resin layer 31. Can do.

なお、有機樹脂層31の積層によって平坦化された表面に、図2(b)を印よして説明したように、新たに無機化合物層32bを積層する際には、対象となる表面の平坦性が高められているため、新たに積層形成される無機化合物層32bの酸素透過率、水蒸気透過率を低くすることが可能になる利点も生じる。もちろん、新たに積層された無機化合物層32bは、有機樹脂層31に内在し得る揮発性成分の揮発の防止、いわゆる脱ガス防止の役割をも果たす。有機樹脂層31と下層または/および上層の無機化合物層とは、無機化合物層がイオンプレーティング法で形成されたものであり、有機樹脂層31が水酸基を有する素材で構成されている場合には、無機化合物層を構成する素材の加水分解反応が促進され、ガラスライクな酸化度の高い膜となり、無機化合物層がスパッタリング法で形成されたものである場合には、無機化合物層の微細なピンホール等の穴埋め効果が促進され、また、無機化合物層がプラズマ化学気相成長法で形成されたものである場合は、無機化合物層と有機樹脂層31との間の有機的親和性が向上するものと考えられる。   In addition, when the inorganic compound layer 32b is newly laminated on the surface flattened by the lamination of the organic resin layer 31, as described with reference to FIG. Therefore, the oxygen permeability and water vapor permeability of the newly formed inorganic compound layer 32b can be lowered. Of course, the newly laminated inorganic compound layer 32 b also serves to prevent volatilization of volatile components that may be inherent in the organic resin layer 31, so-called degassing prevention. The organic resin layer 31 and the lower or / and upper inorganic compound layer are those in which the inorganic compound layer is formed by an ion plating method, and the organic resin layer 31 is made of a material having a hydroxyl group. In the case where the hydrolysis reaction of the material constituting the inorganic compound layer is promoted to form a glass-like highly oxidized film, and the inorganic compound layer is formed by a sputtering method, fine pins of the inorganic compound layer are formed. The effect of filling holes and the like is promoted, and when the inorganic compound layer is formed by plasma chemical vapor deposition, the organic affinity between the inorganic compound layer and the organic resin layer 31 is improved. It is considered a thing.

特に、本発明のガスバリア性フィルム1を、図2(b)に示すように、基材シート2、密着性無機化合物層3a、無機化合物層32a、有機樹脂層31、および無機化合物層32bが順に積層された積層構造とする場合、有機樹脂層31は下層の無機化合物層32aに発生するピンホールを平坦化させ、上層の無機化合物層32bは蒸気の透過や酸素の透過を遮断するためのガスバリア性の層として機能するので、本発明のガスバリア性フィルム1の酸素透過率としては、0.01cc/m2/day・atm程度以下、また水蒸気透過率としては0.01g/m2/day・atm程度以下の極めて高いガスバリア性を実現することができる。 In particular, as shown in FIG. 2B, the gas barrier film 1 of the present invention has a base sheet 2, an adhesive inorganic compound layer 3a, an inorganic compound layer 32a, an organic resin layer 31, and an inorganic compound layer 32b in this order. In the case of a laminated structure, the organic resin layer 31 flattens the pinholes generated in the lower inorganic compound layer 32a, and the upper inorganic compound layer 32b is a gas barrier for blocking the permeation of vapor and oxygen. The gas barrier film 1 of the present invention has an oxygen permeability of about 0.01 cc / m 2 / day · atm or less, and a water vapor permeability of 0.01 g / m 2 / day · An extremely high gas barrier property of about atm or less can be realized.

有機樹脂層31を形成する方法は、特に制限されるものではなく、スピンコーティング法、スプレーコーティング法、ブレードコーティング法、ディップコーティング法、ローラーコーティング法、もしくはランドコーティング法等によるウェットコーティング法、または蒸着法等のドライコーティング法のいずれをも利用できる。塗布に用いる塗布用組成物中には、熱硬化性樹脂もしくは光硬化性樹脂の場合、前記した各成分以外に、必要に応じて、酸化防止剤、紫外線吸収剤、もしくは可塑剤等の添加剤を加えることができ、また、成膜性向上および得られる膜のピンホールの発生防止等のため、適当な樹脂や添加剤を加えてもよい。溶剤としては、ジエチレングリコールジメチルエーテル、シクロヘキサノン、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、もしくはジオキサン等の適当な溶剤を使用することができる。有機樹脂層31の厚みは、0.05μm〜10μmであることが好ましく、また、有機樹脂層31の屈折率は1.3〜1.6であることが好ましい。   The method for forming the organic resin layer 31 is not particularly limited, and a wet coating method such as a spin coating method, a spray coating method, a blade coating method, a dip coating method, a roller coating method, or a land coating method, or vapor deposition. Any dry coating method can be used. In the composition for coating used for coating, in the case of a thermosetting resin or a photocurable resin, an additive such as an antioxidant, an ultraviolet absorber, or a plasticizer, if necessary, in addition to the above-described components. In addition, an appropriate resin or additive may be added in order to improve the film formability and prevent the occurrence of pinholes in the resulting film. As the solvent, a suitable solvent such as diethylene glycol dimethyl ether, cyclohexanone, ethanol, chloroform, tetrahydrofuran, or dioxane can be used. The thickness of the organic resin layer 31 is preferably 0.05 μm to 10 μm, and the refractive index of the organic resin layer 31 is preferably 1.3 to 1.6.

なお、本発明のガスバリア性フィルム1は、各図を引用して既に説明した積層構造を有するもののみに限定されず、基材シート2および密着性無機化合物層3aが積層された積層体の密着性無機化合物層3a上に、まず無機化合物層を積層し、次に有機樹脂層を積層するというように、無機化合物層および有機樹脂層を交互に複数回積層してもよく、このように積層回数を増やすことにより、ガスバリア性をより一層向上させることができる。この複数回とは、好ましくは2回もしくは3回である。なお、最表面となる層は、有機樹脂層からの揮発成分の揮発の防止の意味で、無機化合物層とすることが好ましい。   The gas barrier film 1 of the present invention is not limited to the one having the laminated structure already described with reference to each drawing, and the adhesion of the laminate in which the base sheet 2 and the adhesive inorganic compound layer 3a are laminated. The inorganic compound layer and the organic resin layer may be alternately laminated a plurality of times, such as first laminating the inorganic compound layer on the conductive inorganic compound layer 3a and then laminating the organic resin layer. By increasing the number of times, the gas barrier property can be further improved. The plurality of times is preferably 2 times or 3 times. The outermost layer is preferably an inorganic compound layer in order to prevent volatilization of volatile components from the organic resin layer.

以上の説明では、基材シート2の片面に各層を積層してガスバリア性を付与したものを中心に説明したが、片面にのみ各層を形成する場合には、生じる応力により、得られたガスバリア性フィルム1のソリもしくはカールが起こりやすい。そこで、このような原因に基づくガスバリア性フィルム1のソリもしくはカールを解消する目的で、基材シート2の、上記した各層を形成したのとは反対側(各図で言えば下面側)の面にも、無機化合物層を積層してもよい。このようにすることにより、得られるガスバリア性フィルム1のソリもしくはカールが解消もしくは緩和されるのに加えて、積層しない場合に生じ得る、基材シート2の露出面からの脱ガスを防止する効果も生じるので、より一層性能が高く、しかもその性能の安定性が高いガスバリア性フィルム1とすることができる。反対側の面に積層する無機化合物の層の素材としては、酸化珪素、窒化珪素、もしくはそれらの複合体が好ましいが、これらに限ることなく、酸化アルミニウムもしくは酸化インジウム等の任意の無機化合物でもよい。また、基材シート2の両面に積層する層の素材、厚み、積層順等を、基材シート2をはさんで、面対象となるよう、すなわち、表裏で同一の積層構造としてもよい。実用的で好ましい積層構造としては、例えば、酸化炭化珪素からなる密着性無機化合物層/有機樹脂層/酸化炭化珪素からなる密着性無機化合物層/基材シート/酸化炭化珪素からなる密着性無機化合物層/有機樹脂層/酸化炭化珪素からなる密着性無機化合物層の積層構造を挙げることができる。   In the above description, the description has been made mainly on the case where each layer is laminated on one side of the base sheet 2 to give gas barrier properties. However, when each layer is formed only on one side, the gas barrier properties obtained due to the stress generated. The warp or curl of the film 1 is likely to occur. Therefore, for the purpose of eliminating the warp or curl of the gas barrier film 1 based on such a cause, the surface of the base sheet 2 opposite to the above-described layers (the lower surface side in each figure). In addition, an inorganic compound layer may be laminated. By doing in this way, the effect of preventing the degassing from the exposed surface of the base material sheet 2 which may occur when not laminating, in addition to eliminating or alleviating warping or curling of the obtained gas barrier film 1 Therefore, the gas barrier film 1 having higher performance and high stability of the performance can be obtained. The material of the inorganic compound layer laminated on the opposite surface is preferably silicon oxide, silicon nitride, or a composite thereof, but is not limited thereto, and may be any inorganic compound such as aluminum oxide or indium oxide. . Moreover, it is good also considering the raw material of the layer laminated | stacked on both surfaces of the base material sheet 2, thickness, a lamination order, etc. as a surface object across the base material sheet 2, ie, the same laminated structure on the front and back. As a practical and preferred laminated structure, for example, an adhesive inorganic compound layer made of silicon oxide carbide / an organic resin layer / an adhesive inorganic compound layer made of silicon oxide carbide / a base sheet / an adhesive inorganic compound made of silicon oxide carbide A laminated structure of an adhesive inorganic compound layer composed of layer / organic resin layer / silicon oxide carbide can be given.

本発明のガスバリア性フィルム1は、以上のような積層構造を有することから、ガスバリア性が非常に高いので、食品や医薬品等の包装分野であって、特に高いガスバリア性を要求される場合に包装用材料として適用できるのはもちろんであるが、食品用途や医薬品用途以外にも、電子部品や各種の素子の包装用にも適用でき、さらにはタッチパネル、液晶表示素子、有機EL素子、もしくは無機EL素子等の基板、または封止用基板として用いるのに適する。   Since the gas barrier film 1 of the present invention has the laminated structure as described above, the gas barrier film 1 has very high gas barrier properties. Therefore, the gas barrier film 1 is used in packaging fields such as foods and pharmaceuticals, and particularly when high gas barrier properties are required. Of course, it can be applied as a material for use, but it can also be applied to packaging of electronic parts and various elements in addition to food and pharmaceutical applications. Furthermore, it can be applied to touch panels, liquid crystal display elements, organic EL elements, or inorganic EL elements. Suitable for use as a substrate for an element or the like, or a sealing substrate.

例えば、通常の液晶表示素子は、いずれも透明電極層および配向膜を順次積層した二枚のガラス基板を、各々の配向膜どうしが相対するよう、即ち、配向膜側が内側になるよう向かい合わせ、ギャップを設けて周囲をシールして、内部が空洞のセルを作成した後、内部の空隙に液晶を充填して作成される。   For example, in a normal liquid crystal display element, each of two glass substrates in which a transparent electrode layer and an alignment film are sequentially laminated face each other so that the alignment films face each other, that is, the alignment film side faces inside, After creating a cell having a hollow inside by providing a gap and sealing the periphery, the inside void is filled with liquid crystal.

本発明のガスバリア性フィルム1は、上記の液晶表示素子のガラス基板に置き換え得るものであって、以上に説明したような積層体(ガスバリア性フィルム)のいずれかの面に透明電極層および配向膜を順に積層したものを二枚準備し、以降は、上記の通常の液晶表示素子におけるのと同様にして、液晶表示素子とすることができる。なお、積層の対象となる面の平面性を重視する際には、ガスバリア性フィルム1のガスバリア性層3の最表面に、透明電極層および配向膜を積層することが好ましい。   The gas barrier film 1 of the present invention can be replaced with the glass substrate of the above liquid crystal display element, and a transparent electrode layer and an alignment film are formed on either side of the laminate (gas barrier film) as described above. Are prepared in order, and thereafter, a liquid crystal display element can be obtained in the same manner as in the normal liquid crystal display element. When importance is attached to the flatness of the surface to be laminated, it is preferable to laminate a transparent electrode layer and an alignment film on the outermost surface of the gas barrier layer 3 of the gas barrier film 1.

透明電極層は、透明導電層を形成した後、必要に応じてフォトエッチングによりパターン化することにより形成することができる。透明導電層は、インジウム錫酸化物(以降ITOと言う。)、もしくはインジウム亜鉛酸化物(以降IZOと言う。)で構成することが好ましく、真空蒸着法、スパッタリング法、もしくはイオンプレーティング法等の物理的気相成長法によって形成するとよく、厚みとしては50nm〜500nm程度であり、この範囲よりも薄いと導電性が不十分であり、この範囲よりも厚いと、後加工の工程が進むにつれ、導電膜のクラック等により導電性の低下が見られるので好ましくない。また、配向膜としては、ポリイミド系樹脂の薄膜を一定方向にラビングしたものを例示することができる。   The transparent electrode layer can be formed by forming a transparent conductive layer and then patterning by photoetching as necessary. The transparent conductive layer is preferably composed of indium tin oxide (hereinafter referred to as ITO) or indium zinc oxide (hereinafter referred to as IZO), such as vacuum evaporation, sputtering, or ion plating. It may be formed by a physical vapor deposition method, and the thickness is about 50 nm to 500 nm. If the thickness is smaller than this range, the conductivity is insufficient. If the thickness is larger than this range, the post-processing step proceeds. It is not preferable because a decrease in conductivity is observed due to cracks in the conductive film. Moreover, as an alignment film, what rubbed the polyimide resin thin film in the fixed direction can be illustrated.

EL素子には、有機EL素子と無機EL素子があるが、いずれも原則的には、ガラス基板上に透明電極層、発光層、および対抗電極層が順に積層されたものであり、本発明のガスバリア性フィルム1をガラス基板に置き換えて用い、これらの各層を順に積層することにより、EL素子とすることができる。   The EL element includes an organic EL element and an inorganic EL element. In principle, both of these elements are obtained by sequentially laminating a transparent electrode layer, a light emitting layer, and a counter electrode layer on a glass substrate. By replacing the gas barrier film 1 with a glass substrate and laminating these layers in order, an EL element can be obtained.

透明電極層の形成は、本発明のガスバリア性フィルム1を液晶表示素子を構成するのに用いる場合と同様にして行なうことができる。   The transparent electrode layer can be formed in the same manner as when the gas barrier film 1 of the present invention is used to form a liquid crystal display element.

発光層は、有機EL素子を例に取ると、最も簡素な場合、有機蛍光発光体の層からなる発光層のみで構成できるが、発光効率を向上させるために、種々の層を加えることがあるので、陽極と陰極との間の位置関係で示すと、次のようなバリエーションを例示できる。なお、符号「/」は、左右のものどうしが積層していることを示す。
(1)陽極/発光層/陰極
(2)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
(3)陽極/発光層/電子注入層/陰極
(4)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
(5)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
Taking the organic EL element as an example, in the simplest case, the light emitting layer can be composed of only a light emitting layer composed of an organic fluorescent light emitting layer, but various layers may be added to improve the light emission efficiency. Therefore, the following variations can be illustrated by the positional relationship between the anode and the cathode. Note that the symbol “/” indicates that the left and right ones are stacked.
(1) Anode / light emitting layer / cathode (2) Anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode (3) Anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode (4) Anode / hole injection layer / light emitting layer / electron Injection layer / cathode (5) Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode

本発明のガスバリア性フィルム1上に、陽極もしくは陰極となる透明電極層を形成したもの、ガスバリア性フィルム1上に、陽極および陰極となる二層の透明電極層をそれらの間に各層を形成したもののいすれも、本発明のガスバリア性フィルム1をEL素子用としたものであるが、陽極および陰極となる二層の透明電極層とそれらの間の各層を形成したものに加えて、さらに、ガスバリア性フィルム1を1枚、封止用として用いれば、内部への酸素ガスや水分の浸透をより一層防止することができるので、本発明のガスバリア性フィルム1そのものも、EL素子に適用し得る。   A transparent electrode layer serving as an anode or a cathode is formed on the gas barrier film 1 of the present invention, and two transparent electrode layers serving as an anode and a cathode are formed between them on the gas barrier film 1. Any of those are those for which the gas barrier film 1 of the present invention is used for an EL element, but in addition to the two transparent electrode layers to be the anode and the cathode and each layer between them, If one gas barrier film 1 is used for sealing, the penetration of oxygen gas and moisture into the inside can be further prevented, so that the gas barrier film 1 itself of the present invention can also be applied to EL elements. .

本発明のガスバリア性フィルム1は、ガスバリア性が非常に高いことから、種々のディスプレイ素子に適用した際に、素子の内部の素材への酸素ガスや水分の侵入等が原因で生じる発光層の劣化を効果的に防止でき、また、EL素子の製造の際にも、プロセスが高温で行なわれても耐久性が高く、また、平坦性を十分に高くすることができるので、ピンホールや突起によるガスバリア性の低下が少なく、EL素子特有の問題であるダークスポットの発生を有効に抑制することができる。また、本発明のガスバリア性フィルム1においては、酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素からなる密着性無機化合物層3aを基材シート2に接する側に有しているので、ガスバリア性層3を構成する他の層との密着性を向上させることができ、しかもガスバリア性を向上させることができる。   Since the gas barrier film 1 of the present invention has a very high gas barrier property, when applied to various display elements, the deterioration of the light emitting layer caused by the invasion of oxygen gas or moisture into the material inside the element. In addition, when manufacturing an EL element, the durability is high even when the process is performed at a high temperature, and the flatness can be sufficiently increased. It is possible to effectively suppress the occurrence of dark spots, which is a problem peculiar to EL elements, with little reduction in gas barrier properties. Moreover, in the gas barrier film 1 of this invention, since it has the adhesive inorganic compound layer 3a which consists of silicon oxide carbide or silicon oxynitride carbide in the side which contact | connects the base material sheet 2, the gas barrier layer 3 is comprised. Adhesion with other layers can be improved and gas barrier properties can be improved.

(参考実施例1)
ポリカーボネート樹脂フィルム/密着層/透明無機化合物層(スパッタリング法)/有機樹脂層/透明無機化合物層(スパッタリング法)の積層体
(密着層の形成)
ポリカーボネート樹脂フィルム(バイエル社製、品名;「マクロホール」、厚み;200μm、30cm×21cm)を準備し、このポリカーボネート樹脂フィルムをプラズマCVD装置のチャンバー内に配置し、以下の成膜条件で、膜厚が50nmになるまで成膜を行ない、酸化炭化珪素からなる密着層を形成した。なお、以降において、単位のsccmはstandard cubic centimeter minuteの略であって、毎分当たりのガスの供給量(体積)を示す。
成膜圧力:30Pa
ヘキサメチルジシロキサンガス流量;4sccm
酸素ガス流量;12sccm
ヘリウムガス流量;30sccm
周波数;90kHz
電力;150W
(Reference Example 1)
Laminate of polycarbonate resin film / adhesion layer / transparent inorganic compound layer (sputtering method) / organic resin layer / transparent inorganic compound layer (sputtering method) (formation of adhesion layer)
A polycarbonate resin film (manufactured by Bayer, product name: “macro hole”, thickness: 200 μm, 30 cm × 21 cm) is prepared, and this polycarbonate resin film is placed in a chamber of a plasma CVD apparatus. Film formation was performed until the thickness reached 50 nm, and an adhesion layer made of silicon oxide carbide was formed. In the following description, the unit sccm is an abbreviation for standard cubic centimeter minute, and indicates the supply amount (volume) of gas per minute.
Deposition pressure: 30Pa
Hexamethyldisiloxane gas flow rate; 4 sccm
Oxygen gas flow rate: 12 sccm
Helium gas flow rate: 30 sccm
Frequency: 90kHz
Power: 150W

(透明無機化合物層の形成)
上記で得られたポリカーボネート樹脂フィルム/密着層の積層構造のフィルムをマグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に配置し、ターゲットとして窒化珪素を使用し、以下の成膜条件で、酸化窒化珪素の膜圧が100nmになるまで成膜を行ない、透明無機化合物層を形成した。
アルゴンガス流量;20sccm
酸素ガス流量;9sccm
周波数;13.56kHz
電力;1.2kW
(Formation of transparent inorganic compound layer)
The polycarbonate resin film / adhesion layer film obtained above is placed in a chamber of a magnetron sputtering apparatus, silicon nitride is used as a target, and the film pressure of silicon oxynitride is 100 nm under the following film formation conditions. Film formation was performed until a transparent inorganic compound layer was formed.
Argon gas flow rate: 20 sccm
Oxygen gas flow rate: 9 sccm
Frequency: 13.56kHz
Electric power: 1.2kW

(有機樹脂層の形成)
上記で得られたポリカーボネート樹脂フィルム/密着層/透明無機化合物層の積層構造のフィルムの透明無機化合物層上に、フルオレンを骨格とするカルドポリマーを有する樹脂の溶剤溶液(新日鐵化学(株)製、商品名;「V259REH」)をスピンコート法にて塗布し、160℃で1時間加熱し、有機樹脂層を形成した。有機樹脂層の膜厚は、1μmであった。有機樹脂層を形成することによる、透明無機化合物層の変形は生じてなく、かつ、有機樹脂層の露出面の表面粗さは0.8nmであり、最大高低差P−Vは8nmであった。
(Formation of organic resin layer)
A solvent solution of a resin having a cardo polymer having a fluorene skeleton on the transparent inorganic compound layer of a film having a laminated structure of polycarbonate resin film / adhesion layer / transparent inorganic compound layer obtained above (Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) Manufactured and trade name “V259REH”) was applied by spin coating, and heated at 160 ° C. for 1 hour to form an organic resin layer. The film thickness of the organic resin layer was 1 μm. The deformation of the transparent inorganic compound layer due to the formation of the organic resin layer did not occur, the surface roughness of the exposed surface of the organic resin layer was 0.8 nm, and the maximum height difference PV was 8 nm. .

(透明無機化合物層の形成)
さらに有機樹脂層上に、透明無機化合物層を形成してガスバリア性フィルムを得た。この透明無機化合物層の形成については、使用素材、形成条件、および層の厚みは、密着層上に透明無機化合物層を形成したときと同じである。また、形成された透明無機化合物層の表面の表面粗さは1.5nmであり、最大高低差P−Vは20nmであった。
(Formation of transparent inorganic compound layer)
Further, a transparent inorganic compound layer was formed on the organic resin layer to obtain a gas barrier film. Regarding the formation of the transparent inorganic compound layer, the materials used, the formation conditions, and the thickness of the layer are the same as when the transparent inorganic compound layer is formed on the adhesion layer. Moreover, the surface roughness of the surface of the formed transparent inorganic compound layer was 1.5 nm, and the maximum height difference PV was 20 nm.

(有機EL発光素子の製造)
上記で得られたポリカーボネート樹脂フィルム/密着層/透明無機化合物層/有機樹脂層/透明無機化合物層の積層構造のバリアフィルムの最表面の透明無機化合物層上に、以降に説明するようにして透明導電層がパターン化された透明電極層を形成し、その上に、以下に示すようにして、さらに正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層、および陰極の順に形成することにより、透明電極層(陽極)/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子注入層/陰極の6層構成の有機EL発光素子を形成する。
(Manufacture of organic EL light-emitting elements)
On the transparent inorganic compound layer on the outermost surface of the barrier film having the laminated structure of the polycarbonate resin film / adhesion layer / transparent inorganic compound layer / organic resin layer / transparent inorganic compound layer obtained as described above, it is transparent as described below. A transparent electrode layer patterned with a conductive layer is formed, and a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light-emitting layer, an electron injection layer, and a cathode are further formed thereon as shown below. Thus, an organic EL light emitting device having a six-layer structure of transparent electrode layer (anode) / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron injection layer / cathode is formed.

(透明電極層の形成)
まず、ポリカーボネート樹脂フィルム/密着層/透明無機化合物層/有機樹脂層/透明無機化合物層の積層構造のフィルムの透明無機化合物層上に、スパッタリング法によりITO薄膜からなる透明導電層を形成した。続いて、表面のITO薄膜からなる透明導層上に、レジスト剤(東京応化工業(株)製、商品名;「OFRP−800」)を塗布し、フォトリソグラフ法にて透明導電層のパターニングを行ない、幅が0.094mm、間隔が0.016mm、および膜厚が100nmのストライプパターン上の透明電極層(陽極)を得た。
(Formation of transparent electrode layer)
First, a transparent conductive layer made of an ITO thin film was formed by sputtering on a transparent inorganic compound layer of a film having a laminated structure of polycarbonate resin film / adhesion layer / transparent inorganic compound layer / organic resin layer / transparent inorganic compound layer. Subsequently, a resist agent (trade name: “OFRP-800”, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is applied on the transparent conductive layer made of an ITO thin film on the surface, and the transparent conductive layer is patterned by a photolithographic method. Then, a transparent electrode layer (anode) on a stripe pattern having a width of 0.094 mm, an interval of 0.016 mm, and a film thickness of 100 nm was obtained.

上記のようにして透明電極層を形成したフィルムを、抵抗加熱蒸着装置内に装着し、真空槽内圧を1×10-4Paまで減圧した後、透明電極層上の前面に、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、および電子注入層を、順次全面成膜した。正孔注入層としては、銅フタロシアニンを膜厚が100nmとなるように積層し、成功輸送層としては、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α−NPD)を膜厚が20nmとなるように積層し、有機発光層としては、4,4’−ビス(2,2’−ジフェニルビニル(DPVBi)を膜厚が30nmとなるように積層し、また、電子注入層としては、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体(Alq)を膜厚が20nmとなるように積層した。続いて、同じ抵抗加熱蒸着装置内にて、マスクを用いて、暑さ200nmのMg/Ag(質量比:10/1)層からなる、透明電極層(陽極)のストライプパターンと直交し、かつ、幅が0.30mm、間隔が0.03mmのストライプパターンを有する陰極を電子注入層上に形成して有機EL発光素子を得た。 The film on which the transparent electrode layer is formed as described above is mounted in a resistance heating vapor deposition apparatus, the pressure inside the vacuum chamber is reduced to 1 × 10 −4 Pa, and then a hole injection layer is formed on the front surface of the transparent electrode layer. A hole transport layer, an organic light emitting layer, and an electron injection layer were sequentially formed on the entire surface. As the hole injection layer, copper phthalocyanine was laminated so as to have a film thickness of 100 nm, and as the successful transport layer, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (α -NPD) is laminated so that the film thickness is 20 nm, and 4,4'-bis (2,2'-diphenylvinyl (DPVBi) is laminated so that the film thickness is 30 nm as the organic light emitting layer, In addition, as the electron injection layer, tris (8-hydroxyquinoline) aluminum complex (Alq) was laminated so as to have a film thickness of 20 nm. It has a stripe pattern perpendicular to the stripe pattern of the transparent electrode layer (anode), which consists of a 200 nm thick Mg / Ag (mass ratio: 10/1) layer, and has a width of 0.30 mm and an interval of 0.03 mm. To obtain an organic EL device that a cathode formed on the electron injection layer.

その後、グローブボックス内の乾燥窒素雰囲気下(酸素および水分濃度ともに10ppm以下)において、上記のようにして製造された有機EL発光素子の陰極上に、最初に得たのと同じ積層構造(ポリカーボネート樹脂フィルム/密着層/透明無機化合物層/有機樹脂層/透明無機化合物層の積層構造)のバリアフィルムの最表面の透明無機化合物層側が接するようにして重ね、紫外線硬化性接着剤を用いて周囲を封止した。   Thereafter, in the dry nitrogen atmosphere in the glove box (both oxygen and moisture concentration are 10 ppm or less), the same laminated structure (polycarbonate resin) as obtained first on the cathode of the organic EL light-emitting device manufactured as described above. (Lamination structure of film / adhesion layer / transparent inorganic compound layer / organic resin layer / transparent inorganic compound layer) so that the transparent inorganic compound layer side of the outermost surface of the barrier film is in contact with each other, and the surroundings using an ultraviolet curable adhesive Sealed.

(参考実施例2)
ポリカーボネート樹脂フィルム/密着層/透明無機化合物層(イオンプレーティング法)/有機樹脂層/透明無機化合物層(イオンプレーティング法)の積層体
透明無機化合物層の形成を、イオンプレーティング装置のチャンバー内にて、以下の成膜条件で、膜厚が100nmになるよう行なった以外は、実施例1におけるのと同様にしてバリアフィルムを製造した。有機樹脂層を形成することによる、透明無機化合物層の変形は生じてなく、かつ、有機樹脂層まで形成した時点での有機樹脂層の露出面の表面粗さRaは0.8nmであり、最大高低差P−Vは8nmであり、実施例1におけるものと同様であった。
成膜圧力;1.5×10-1Pa
アルゴンガス流量;12sccm
窒素ガス流量;20sccm
成膜電流値;100A
(Reference Example 2)
Laminate of polycarbonate resin film / adhesion layer / transparent inorganic compound layer (ion plating method) / organic resin layer / transparent inorganic compound layer (ion plating method) Formation of the transparent inorganic compound layer in the chamber of the ion plating apparatus Then, a barrier film was produced in the same manner as in Example 1 except that the film thickness was 100 nm under the following film forming conditions. By forming the organic resin layer, the transparent inorganic compound layer is not deformed, and the surface roughness Ra of the exposed surface of the organic resin layer at the time when the organic resin layer is formed is 0.8 nm. The height difference PV was 8 nm, which was the same as that in Example 1.
Deposition pressure: 1.5 × 10 −1 Pa
Argon gas flow rate: 12 sccm
Nitrogen gas flow rate: 20 sccm
Deposition current value: 100A

上記で得られたバリアフィルムを用い、実施例1におけるのと同様にして、有機EL発光素子の形成を行ない、ただし、有機EL発光素子を、ポリカーボネート樹脂フィルムの上記各層等が積層された側とは反対側の面に設けた。その後、有機EL発光素子の陰極上bに、この実施例2で製造した積層構造(ポリカーボネート樹脂フィルム/密着層/透明無機化合物層(イオンプレーティング法)/有機樹脂層/透明無機化合物層(イオンプレーティング法)の積層構造)のバリアフィルムのポリカーボネート樹脂フィルム側が接するようにして重ね、紫外線硬化性接着剤を用いて周囲を封止した。   Using the barrier film obtained above, an organic EL light-emitting element was formed in the same manner as in Example 1, provided that the organic EL light-emitting element was placed on the side on which the above layers of the polycarbonate resin film were laminated. Was provided on the opposite side. Thereafter, the laminated structure (polycarbonate resin film / adhesion layer / transparent inorganic compound layer (ion plating method) / organic resin layer / transparent inorganic compound layer (ion) produced on the cathode b of the organic EL light emitting device was used. The barrier film of the plating method) was laminated so that the polycarbonate resin film side of the barrier film was in contact, and the periphery was sealed with an ultraviolet curable adhesive.

(第1の実施例)
ポリカーボネート樹脂フィルム/密着層を兼ねた透明無機化合物層(プラズマCVD法)/有機樹脂層/透明無機化合物層(プラズマCVD法)の積層体
実施例1で用いたのと同様なポリカーボネート樹脂フィルムをプラズマCVD装置のチャンバー内に配置し、以下の成膜条件で、膜厚が100nmになるまで成膜を行ない、密着層を兼ねた酸化炭化珪素からなる透明無機化合物層を形成した。
成膜圧力:30Pa
ヘキサメチルジシロキサンガス流量;4sccm
酸素ガス流量;12sccm
ヘリウムガス流量;30sccm
周波数;90kHz
電力;150W
(First embodiment)
Laminate of polycarbonate resin film / transparent inorganic compound layer also serving as adhesion layer (plasma CVD method) / organic resin layer / transparent inorganic compound layer (plasma CVD method) Plasma polycarbonate resin film similar to that used in Example 1 The film was placed in the chamber of the CVD apparatus, and film formation was performed under the following film formation conditions until the film thickness reached 100 nm to form a transparent inorganic compound layer made of silicon oxide carbide that also served as an adhesion layer.
Deposition pressure: 30Pa
Hexamethyldisiloxane gas flow rate; 4 sccm
Oxygen gas flow rate: 12 sccm
Helium gas flow rate: 30 sccm
Frequency: 90kHz
Power: 150W

得られた、密着層を兼ねた透明無機化合物層上に、実施例1におけるのと同様にして有機樹脂層の形成を行なった。有機樹脂層を形成することによる、密着層を兼ねた透明無機化合物層の変形は生じてなく、かつ、有機樹脂層の露出面の表面粗さRaは0.8nmであり、最大高低差P−Vは8nmであり、実施例1におけるものと同様であった。   An organic resin layer was formed in the same manner as in Example 1 on the obtained transparent inorganic compound layer also serving as an adhesion layer. By forming the organic resin layer, the transparent inorganic compound layer that also serves as the adhesion layer is not deformed, and the surface roughness Ra of the exposed surface of the organic resin layer is 0.8 nm, and the maximum height difference P− V was 8 nm, which was the same as that in Example 1.

さらに、有機樹脂層上に、上記の密着層を兼ねた透明無機化合物層の場合と同様にして同様の厚みの透明無機化合物層を形成した。   Further, a transparent inorganic compound layer having the same thickness was formed on the organic resin layer in the same manner as in the case of the transparent inorganic compound layer also serving as the adhesion layer.

上記で得られたバリアフィルムを用い、実施例1におけるのと同様にして、有機EL発光素子の形成を行ない、ただし、有機EL発光素子を、ポリカーボネート樹脂フィルムの上記各層等が積層された側とは反対側の面に設けた。その後、有機EL発光素子の陰極上に、この実施例3で製造した積層構造(ポリカーボネート樹脂フィルム/密着層/透明無機化合物層(プラズマCVD法)/有機樹脂層/透明無機化合物層(プラズマCVD法)の積層構造)のバリアフィルムのポリカーボネート樹脂フィルム側が接するようにして重ね、紫外線硬化性接着剤を用いて周囲を封止した。    Using the barrier film obtained above, an organic EL light-emitting element was formed in the same manner as in Example 1, provided that the organic EL light-emitting element was placed on the side on which the above layers of the polycarbonate resin film were laminated. Was provided on the opposite side. Thereafter, on the cathode of the organic EL light emitting device, the laminated structure (polycarbonate resin film / adhesion layer / transparent inorganic compound layer (plasma CVD method) / organic resin layer / transparent inorganic compound layer (plasma CVD method) produced in this Example 3 The barrier film of ()) was laminated so that the polycarbonate resin film side of the barrier film was in contact, and the periphery was sealed with an ultraviolet curable adhesive.

(第2の実施例)
第1の実施例におけるのと同様にして得られたバリアフィルムの、ポリカーボネート樹脂フィルムの上記各層等が積層された側とは反対側の面に、スパッタリング法により、厚みが100nmのITOhmからなる透明導電層を形成し、透明導電層上にポリイミド樹脂系樹脂溶液を塗布し、過熱乾燥させた後、ラビング処理して配向膜とした。
(Second embodiment)
A transparent film made of ITOhm having a thickness of 100 nm is formed by sputtering on the surface of the barrier film obtained in the same manner as in the first example, on the side opposite to the side on which the above layers of the polycarbonate resin film are laminated. A conductive layer was formed, a polyimide resin-based resin solution was applied on the transparent conductive layer, dried by heating, and then rubbed to form an alignment film.

以上のように配向膜まで設けたフィルムを二枚準備し、各々の配向膜側が内側になるよう重ね、周囲をシール材を介して貼り合わせ、間の空間に液晶材料を封入して液晶表示素子とした。   As described above, two films provided with an alignment film are prepared, stacked so that each alignment film side is inside, and the periphery is bonded with a sealing material, and a liquid crystal material is sealed in a space between the liquid crystal display elements It was.

(比較例1〜4)
参考実施例1、参考実施例2、第1の実施例、第2の実施例における密着層(密着層を兼ねた透明無機化合物層の場合には、その密着層を兼ねた透明無機化合物層)の形成をしなかった以外は、対応する各々の実施例におけるのと同様にした。
(Comparative Examples 1-4)
Reference Example 1, Reference Example 2, the first embodiment, in the case of the second embodiment the adhesion layer definitive example (adhesion layer serves as a transparent inorganic compound layer, a transparent inorganic compound layer which also serves as the adhesion layer ) Was the same as in the corresponding examples, except that no formation was made.

(参考実施例3)
参考実施例1における、いずれも酸化炭化珪素からなる密着層および無機化合物層に替えて、下記の成膜条件で酸化窒化炭化珪素からなる厚みが50nmの層を形成した以外は、参考実施例1におけるのと同様に行なった。
成膜圧力:30Pa
ヘキサメチルジシラザンガス流量;4sccm
酸素ガス流量;12sccm
ヘリウムガス流量;30sccm
周波数;90kHz
電力;150W
(Reference Example 3)
Reference Example 1 except that a layer having a thickness of 50 nm made of silicon oxynitride carbide was formed under the following film forming conditions in place of the adhesion layer and the inorganic compound layer made of silicon oxycarbide in Reference Example 1 The same as in.
Deposition pressure: 30Pa
Hexamethyldisilazane gas flow rate: 4 sccm
Oxygen gas flow rate: 12 sccm
Helium gas flow rate: 30 sccm
Frequency: 90kHz
Power: 150W

(第3の実施例)
第1の実施例における、いずれも酸化炭化珪素からなる密着層を兼ねた透明無機化合物層および透明無機化合物層の両層それぞれに替えて、参考実施例3におけるのと同様の成膜条件で、ただし厚みが100nmになるまで成膜を行なって酸化窒化炭化珪素からなる厚みが100nmの層をそれぞれ形成した以外は、第1の実施例におけるのと同様に行なった。
(Third embodiment)
In the first example, in place of each of the transparent inorganic compound layer and the transparent inorganic compound layer each serving as an adhesion layer made of silicon oxide carbide, the same film formation conditions as in Reference Example 3 , However, this was performed in the same manner as in the first example , except that the film was formed until the thickness reached 100 nm and a layer made of silicon oxynitride carbide having a thickness of 100 nm was formed.

(評価方法)
上記の参考実施例1〜3、第1の実施例〜第3の実施例および比較例1〜4で作製した積層体および各ディスプレイ用基板について、下記に示すようにして下記評価項目についての試験を行なった。
(1)水蒸気透過率の測定
測定温度;37.8℃、湿度;100%RHの条件下で、水蒸気透過率測定装置(MOCON社製、商品名;「PERMATRAN−W 3/31」)を用いて測定した。
(2)酸素透過率の測定
測定温度;23℃、湿度;90%RHの条件下で、酸素ガス透過率測定装置(MOCON社製、商品名;「OXTRAN−W 2/20」)を用いて測定した。
(3)表面粗さ(Ra)および最大高低差(P−V)の測定
スキャン範囲;100μm、スキャン速度;90sec/frameの条件下で、卓上プローブ顕微鏡(セイコーインスツルメント(株)製、商品名;Nanopics)を用いて測定した。
(4)全光線透過率の測定
日本電色工業社製の濁度計(JIS K 7361−1)を使用して測定した。
(5)密着性
セロハンテープ剥離試験によって行ない、セロハンテープ(ニチバン(株)製)を用いて、10本×10本(各々1mm間隔)のクロスカットを施した状態で剥離試験を行なった。
(Evaluation methods)
About the laminated body produced in said reference Examples 1-3, 1st Example-3rd Example, and Comparative Examples 1-4, and each display substrate, as shown below, the test about the following evaluation items Was done.
(1) Measurement of water vapor transmission rate Using a water vapor transmission rate measuring device (trade name: “PERMATRAN-W 3/31” manufactured by MOCON) under the conditions of measurement temperature: 37.8 ° C., humidity: 100% RH. Measured.
(2) Measurement of oxygen permeability Under conditions of measurement temperature: 23 ° C., humidity: 90% RH, an oxygen gas permeability measurement device (manufactured by MOCON, trade name: “OXTRAN-W 2/20”) is used. It was measured.
(3) Measurement of surface roughness (Ra) and maximum height difference (PV) Scanning probe: 100 μm, scan speed: 90 sec / frame, tabletop probe microscope (manufactured by Seiko Instruments Inc., commercial product) Name; Nanopics).
(4) Measurement of total light transmittance Measured using a turbidimeter (JIS K 7361-1) manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.
(5) Adhesiveness A cellophane tape peel test was performed, and a peel test was performed using cellophane tape (manufactured by Nichiban Co., Ltd.) with 10 × 10 pieces (each 1 mm apart) cross-cut.

Figure 0004373270
Figure 0004373270

本発明のガスバリア性フィルムの基本的な積層構造を示す図である。It is a figure which shows the basic laminated structure of the gas barrier film of this invention. 本発明のガスバリア性フィルムの好ましい積層構造を示す図である。It is a figure which shows the preferable laminated structure of the gas barrier film of this invention. 本発明のガスバリア性フィルムの他の好ましい積層構造を示す図である。It is a figure which shows the other preferable laminated structure of the gas barrier film of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1……ガスバリア性フィルム
2……基材シート
3……ガスバリア性層
3a……密着性無機化合物層
31……有機樹脂層
32……無機化合物層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Gas barrier film 2 ... Base material sheet 3 ... Gas barrier layer 3a ... Adhesive inorganic compound layer 31 ... Organic resin layer 32 ... Inorganic compound layer

Claims (5)

基材シートの片面もしくは両面に、複数の層からなる積層構造を有するガスバリア性層が積層されており、
前記ガスバリア性層を構成する複数の層のうち、少なくとも前記基材シートに接する側の層が、酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素からなる無機化合物層であり、
前記ガスバリア性層が、前記基材シートに接する側より、前記の酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素からなる無機化合物層、有機樹脂層、および無機化合物層が順に積層した積層構造、あるいは、前記の酸化炭化珪素もしくは酸化窒化炭化珪素からなる無機化合物層、無機化合物層、有機樹脂層、および無機化合物層が順に積層した積層構造を有するもので、
前記有機樹脂層がカルド樹脂からなり、
該カルド樹脂は、エポキシ基を1分子中に2個以上有するエポキシ樹脂を必須成分とするカルド樹脂であって、且つ、一般式(1)で示されるビスフェノール化合物から誘導されるフルオレン骨格を有する樹脂を含有するものであることを特徴とするガスバリア性フィルム。
Figure 0004373270
A gas barrier layer having a laminated structure composed of a plurality of layers is laminated on one side or both sides of the base sheet,
Wherein the plurality of layers constituting the gas barrier layer, a layer which is in contact with at least the base sheet is, Ri inorganic compound layer der of an oxide of silicon carbide or oxynitride carbide,
The gas barrier layer is a laminated structure in which the inorganic compound layer composed of the silicon oxide carbide or silicon oxynitride carbide, the organic resin layer, and the inorganic compound layer are sequentially laminated from the side in contact with the base sheet, or It has a laminated structure in which an inorganic compound layer made of silicon oxycarbide or silicon oxynitride carbide, an inorganic compound layer, an organic resin layer, and an inorganic compound layer are sequentially laminated.
The organic resin layer is made of cardo resin,
The cardo resin is a cardo resin having an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule as an essential component and having a fluorene skeleton derived from a bisphenol compound represented by the general formula (1) gas barrier film which is characterized in that one containing.
Figure 0004373270
前記無機化合物層が、無機酸化物、無機酸化窒化物、無機窒化物、無機酸化炭化物、無機酸化炭化窒化物、もしくは金属のいずれかからなるものであることを特徴とする請求項1記載のガスバリア性フィルム。 2. The gas barrier according to claim 1, wherein the inorganic compound layer is made of any one of an inorganic oxide, an inorganic oxynitride, an inorganic nitride, an inorganic oxide carbide, an inorganic oxycarbonitride, or a metal. Sex film. 前記ガスバリア性層の最表面の表面粗さRaが6nm以下であり、最大高低差P−Vが60nm以下であることを特徴とする請求項1〜請求項2いずれか記載のガスバリア性フィルム。 The gas barrier film according to any one of claims 1 to 2, wherein the surface roughness Ra of the outermost surface of the gas barrier layer is 6 nm or less, and the maximum height difference PV is 60 nm or less. いずれも内側に電極層および配向膜が順次積層された背面用基板および前面用基板の両基板間に液晶層がはさまれて密封されており、前記背面用基板または/および前記前面用基板が、請求項1〜請求項3いずれか記載のガスバリア性フィルムであることを特徴とする液晶表示素子。 In either case, a liquid crystal layer is sandwiched and sealed between both the back substrate and the front substrate on which the electrode layer and the alignment film are sequentially laminated, and the back substrate and / or the front substrate are A liquid crystal display element comprising the gas barrier film according to any one of claims 1 to 3 . 基板、電極層、発光層、対抗電極層、および封止層が順に積層されており、前記基板または/および前記封止層が、請求項1〜請求項3いずれか記載のガスバリア性フィルムであることを特徴とするEL表示素子。 A board | substrate, an electrode layer, a light emitting layer, a counter electrode layer, and a sealing layer are laminated | stacked in order, The said board | substrate or / and the said sealing layer are gas-barrier films in any one of Claims 1-3. An EL display element.
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