JP4165030B2 - 窒化物半導体から成る単体基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオード、レーザダイオード等の発光素子、あるいは太陽電池、光センサー等の受光素子、又は電子デバイスなどに使用される窒化物半導体(InxAlyGa1−x−yN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を有する窒化物半導体基板の製造方法に関し、特に窒化物半導体から異種基板を除去した単体の窒化物半導体基板を得る製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、窒化物半導体基板を用いた青色から紫外域にかけての短波長、また白色発光ダイオード(LED)や半導体レーザ(LD)が注目されている。その中で、LDは、DVDなど、大容量・高密度の情報記録・再生が可能なディスクシステムへの利用に対する要求が高まりを見せている。そのため、このようなLED及びLD等への利用、その他に受光素子、電子デバイスへの応用が期待される窒化物半導体基板を単結晶で得る方法が種々検討されている。
【0003】
この窒化物半導体基板として例えば窒化ガリウムをバルク単結晶で得る方法には高圧法などがあるものの、実用化には至っていない。そのため、窒化物半導体とは異なるサファイア等の異種基板を用い、この異種基板上に窒化物半導体を成長させることで窒化物半導体基板としLEDやLD、電子デバイスに利用されている。
【0004】
サファイア等のような窒化物半導体とは異なる異種基板を用い、窒化物半導体基板とするには、基板と窒化物半導体との格子定数差から、基板上に窒化物半導体を直接成長させると、貫通転位密度が単位面積あたり1010個cm−2と多く発生するため、このような結晶性の悪い窒化物半導体基板上にLEDやLD等の半導体素子を成長させた場合は、寿命特性や素子特性が低下する。そのため結晶性を向上させるために基板上に900℃以下の低温で窒化物半導体から成るバッファ層を成長させる方法が用いられている。このバッファ層を成長させることにより、貫通転位を108個cm−2まで低減し、平坦で鏡面となる窒化物半導体基板の成長が可能となった。
【0005】
また、成長速度が速く厚膜成長が可能な気相エピタキシャル成長法としてハイドライド気相エピタキシャル成長(Hydride Vapor Phase Epitaxy)法がある。このハイドライド気相エピタキシャル成長法は、他の有機金属気相成長(MOCVD)法などに比べて成長速度が速く数十〜数百μmの厚みをもつバルク単結晶が得られる特徴を持つ。そのため、ハイドライド気相エピタキシャル成長法により厚膜成長を行い、窒化物半導体の表面に発生する貫通転位を均一に低減させた基板が期待される。
【0006】
さらに、窒化物半導体基板を単体で得ることができれば、劈開が容易にでき、裏面に例えばn側電極を形成した発光素子等を提供することができる。そのため、後工程において異種基板を除去する方法が検討されている。具体例としては、異種基板であるサファイア基板上に厚膜の窒化ガリウムを成長させ、その後、異種基板を研磨で除去することによる単結晶の製造方法が報告されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、サファイア基板等は、硬度が高いため研磨時に大きな応力がはたらく。そのため、研磨時の応力で窒化物半導体にも欠けや割れが生じるため窒化ガリウム等の窒化物半導体の単体基板を形成するのは困難であった。また、ハイドライド気相成長法等の厚膜成長させた窒化物半導体であって、具体的には100μm以上の膜厚を成長させた場合には、研磨時に、このような欠けや割れ等の問題が顕著に現れていた。
【0008】
一方、研磨以外の窒化ガリウム等の窒化物半導体とサファイアとを分離する方法としては、サファイア側からKrfパルスエキシマレーザを照射して、サファイアと窒化ガリウムとが接している共有面で分離し、窒化ガリウムからサファイアを分離する方法が報告されている。この方法は、レーザ照射により、窒化ガリウムとサファイアが接触している共有面で窒化ガリウムがレーザ光を吸収して窒化ガリウムの分解が生じ、窒化ガリウムからサファイアを分離することができるものである。この方法によれば、窒化ガリウムの分解によって発生する窒素ガスのガス圧によりサファイアが割れ、この割れが原因でサファイアと接触している窒化ガリウム面に欠陥が生じる。このような欠陥傷が窒化ガリウム面にあると、例えばマイクロクラックなどの微細な割れが発生する場合がある。このマイクロクラックが発生すると、発光素子などにおいては寿命特性などの素子特性の低下や、歩留まりの低下等を引き起こすことが考えられる。
【0009】
そこで、本発明の目的は、上記問題に鑑み、異種基板上に窒化物半導体を成長させた窒化物半導体基板から異種基板を除去することにより窒化物半導体の単体基板を得る製造方法を提供することである。さらに、ここで得られる窒化物半導体の単体基板は、ホール移動度を大きくすることによる電気的特性の向上を目的とした低転位であり、厚膜の窒化物半導体である。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、下記(1)〜(7)の構成により達成することができる。
(1)基板上に気相エピタキシャル成長法により成長させた窒化物半導体基板を切断して窒化物半導体から成る単体基板を製造する方法において、前記基板上に窒化物半導体を2段階成長させることにより成長界面を形成して、該成長界面を互いの接触面とする第1及び第2の窒化物半導体を有する前記窒化物半導体基板を形成する第1の工程と、前記第1の工程で得られた窒化物半導体基板を、ワイヤーソーで、前記成長界面に対して平行方向に、且つ前記成長界面又は前記成長界面付近で切断する第2の工程と、を備え、前記成長界面は、前記第1の窒化物半導体の表面に形成された多角錐形状、又は円錐形状の窪みにより、水平面に対して高低差を有することを特徴とする窒化物半導体から成る単体基板の製造方法。
(2)基板上に気相エピタキシャル成長法により成長させた窒化物半導体基板を切断して窒化物半導体から成る単体基板を製造する方法において、前記基板上に窒化物半導体を2段階成長させることにより成長界面を形成して、該成長界面を互いの接触面とする第1及び第2の窒化物半導体を有する前記窒化物半導体基板を形成する第1の工程と、前記第1の工程で得られた窒化物半導体基板を、ワイヤーソーで、前記成長界面に対して平行方向に、且つ前記成長界面又は前記成長界面付近で切断する第2の工程と、を備え、前記成長界面は、前記第1の窒化物半導体の表面に形成された波形状、又はドット状の凸部により、水平面に対して高低差を有することを特徴とする窒化物半導体から成る単体基板の製造方法。
(3)前記第1の工程において、前記第1及び第2の窒化物半導体は不純物がドープされ、前記第1の窒化物半導体と前記第2の窒化物半導体との不純物ドープ量を変えるか、又は異なる不純物をドープして前記成長界面の高低差を形成する(1)又は(2)に記載の窒化物半導体から成る単体基板の製造方法。
(4)前記第1の工程において、前記第2の窒化物半導体の成長速度を前記第1の窒化物半導体の成長速度よりも遅くして前記成長界面の高低差を形成する(1)乃至(3)のいずれかに記載の窒化物半導体から成る単体基板の製造方法。
(5)前記第1の工程において、前記窒化物半導体基板に前記成長界面を少なくとも2つ以上形成する(1)乃至(4)のいずれかに記載の窒化物半導体から成る単体基板の製造方法。
(6)前記第2の工程において、前記成長界面を少なくとも2つ以上形成した窒化物半導体基板を、前記各成長界面に対して同時に複数のワイヤーソーで切断する(5)に記載の窒化物半導体から成る単体基板の製造方法。
(7)前記第2の工程における前記窒化物半導体基板の切断は、窒化物半導体表面をワックス、メタル、又はエポキシ樹脂により土台に固定させてから行う(1)乃至(6)のいずれかに記載の窒化物半導体から成る単体基板の製造方法。
【0011】
つまり、本発明は異種基板上に窒化物半導体を成長させた窒化物半導体基板において、窒化物半導体内にある成長界面、又は成長界面付近でワイヤーソーにより切断させ、単体の窒化物半導体を形成するものである。また、ワイヤーソーでの切断は、厚膜成長させたことで成長界面を複数有する窒化物半導体基板に対し、同時に複数のワイヤーソーで切断することで、窒化物半導体の単体基板を量産することができる。
【0012】
本発明におけるワイヤーソーとは、高速走行するワイヤー列に加工物を押し当てると共に、砥粒を混合した加工液であるスラリーを供給して、このスラリーのラッピング効果により切断していくものである。ここで、本発明における加工物とは窒化物半導体基板であり、ワイヤーにはピアノ線等を用いることができる。また、窒化物半導体基板は切断時に土台に固定させるのに、ワックスやメタル、その他にエポキシ樹脂等を用いる。このワイヤーソーの太さとしては、80μm〜200μmである。このワイヤーソーが細すぎれば、ワイヤーソーの劣化が早く、ワイヤーの断線が起こる。また、ワイヤーソーが太くなれば、その分、切断時に除去される窒化物半導体の量が多くなり、厚膜の窒化物半導体を得ることが困難となる。そのため、上記範囲内の太さでワイヤーソーを用いるのが好ましい。このワイヤーソーは一度に多くの単体基板を得ることができ、量産には好ましい。
【0013】
また、窒化物半導体基板の切断方法にはブレードを用いる方法がある。この方法は、窒化物半導体内に形成された成長界面に対し、平行に回転する切断刃により切断させ、単体基板を得るものである。このブレードによる切断は精度がよく、短時間で単体基板を得ることができる。
【0014】
本発明における窒化物半導体内に形成された成長界面とは、異種基板上に成長させる第1の窒化物半導体3の表面にクレーター、又は凸型の斜面を形成した後、2段階成長として第2の窒化物半導体4を成長させることにより成長界面を形成した窒化物半導体基板である。この成長界面である凸型の斜面は連続して存在するものであってもよい。
【0015】
本発明におけるクレーターとは、第1の窒化物半導体3成長後に表面の平面上に形成される多角錐形状、又は円錐形状の窪みのことである。この窪みの大きさ、及び深さは、特に限定されないが、窪みの大きさ、及び深さは5μm以上100μm以下であれば好ましい。また、この深さは同一成長界面における成長界面の高低差となる。この成長界面の高低差は連続して形成されていてもよい。また、成長界面付近とは成長界面の高低差100μmの範囲を成長界面とし、その上下に300μm、好ましくは100μmの範囲を成長界面付近とする。
【0016】
また、本発明における凸型の斜面とは、第1の窒化物半導体3を成長後に形成される第1の窒化物半導体の表面が水平面に対して高低差を有する表面形状のことである。この凸型の斜面は、水平面に対して波形状やドット状の凸部を有するものであってもよい。
【0017】
上記に示す2段階成長により成長界面の形成条件としては、第1の窒化物半導体と第2の窒化物半導体との成長速度を変えるものである。この成長速度差により、窒化物半導体内に成長界面を形成する。第1の窒化物半導体の成長速度としては0.2mm/hour以上、好ましくは0.5mm/hour以上とする。第2の窒化物半導体の成長速度としては、特に限定されないが、好ましくは第1の窒化物半導体の成長速度を第2の窒化物半導体の成長速度よりも速くすることである。また、第1の窒化物半導体は異種基板上に下地層を介して成長させてもよい。また、上記に示すような高速成長に好ましい成長方法としては、短時間で厚膜成長が可能なハイドライド気相成長法が挙げられる。
【0018】
また、その他の成長界面を形成する条件としては、窒化物半導体内にn型不純物やp型不純物をドープさせることが挙げられる。第1の窒化物半導体と第2の窒化物半導体との不純物ドープ量を変えるか、又は異なる不純物をドープさせる。例えば、第1の窒化物半導体にはn型不純物としてSiをドープさせることで、縦方向の成長を促進させる。次に第2の窒化物半導体にはp型不純物としてMgをドープして横方向の成長を促進させる。このように成長方向を変化させることにより、成長界面を形成することができると同時に転位の低減効果もある。また、上記に示す成長速度の条件と不純物ドープの条件を合わせて成長界面を形成することもできる。
【0019】
以上のような条件で成長界面を形成すると、第2の窒化物半導体との接触面となる第1の窒化物半導体の界面付近で貫通転位がループを作ることができる。これは成長界面が高低差を有することにより、成長界面の表面は水平面に対して斜面であるため、貫通転位の進行方向を変えることができるためである。この進行方向を曲げられた貫通転位は図6に示すように、曲げられた貫通転位同士が転位ループを形成し、その後、収束することで窒化物半導体の成長途中で貫通転位を減少させることができる。これにより、その成長界面には単位面積当たりの転位密度を単位面積あたり1×107個/cm2以下まで低減することができる。このように窒化物半導体内に形成された成長界面は結晶性が弱く、一様な結晶的に不均一な界面となり、応力緩和され、異種基板上に窒化物半導体の厚膜成長が可能となる。また、ワイヤーソーでの切断を行うには、結晶性が弱い成長界面や成長界面付近では容易に行うことができ、好ましい。
【0020】
ここで、下地層とは、結晶性を向上させるために異種基板上に900℃以下の低温で成長させる窒化物半導体から成るバッファ層である。この下地層はAlN、GaN、AlGaN、InGaN等であり、膜厚は100Å〜50μmで成長する。また、異種基板によっては省略することも可能である。図1、及び図3では、下地層2を介して窒化物半導体を成長させた模式図を示している。また、図2、及び図4には下地層2ではなく、核として成長させた窒化物半導体を介して窒化物半導体を成長させた模式図を示している。
【0021】
また、窒化物半導体内に成長界面を形成する工程を繰り返し行うことで成長界面を複数形成し、さらに貫通転位を低減させることができる。具体例としては、成長界面を2つ有する窒化物半導体基板では単位面積あたりの貫通転位密度を1×106個/cm2以下、好ましくは7×105個/cm2とすることができる。この窒化物半導体基板は、選択的に結晶性のいい領域を形成するのではなく、窒化物半導体基板の表面全体を均一に低転位とすることができるため、安定した低転位基板を提供することができる。又、成長界面を複数(2つ以上)有することによりサファイア等の異種基板と窒化物半導体との間に生じる応力を異種基板と窒化物半導体との界面だけでなく、数段階で分散することができる。この応力は熱膨張係数差であり、異種基板と窒化物半導体との成長界面だけでは、この応力を十分に緩和させることができない。そのため、窒化物半導体基板に反りを生じ、さらには窒化物半導体内に割れや欠けを生じる。そこで、成長界面を窒化物半導体内に少なくとも2つ形成することで、このような問題を解決させることもできる。
【0022】
上記に示すように厚膜成長させ、成長界面を窒化物半導体内に複数有することは、ワイヤーソーでの切断を同時に成長界面の数だけ行うことができる。そのため、窒化物半導体の単体基板を一度に量産することができる。
【0023】
ここで、異種基板とは窒化物半導体と異なる基板であればよい。この異種基板にはC面、R面、及びA面のいずれかを主面とするサファイアやSiC(6H、4H、3C)、スピネル、ZnS、ZnO、Si、GaAs等がある。又、窒化ガリウムのように一般式InxAlyGa1−x+yN(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦X+Y≦1)で示される窒化物半導体を基板とすることもできる。また、異種基板の大きさは特に限定されないが、1〜5インチφのウェハーが用いられており、基板の厚みも劈開やダイシングによるチップ化が可能な範囲であればよい。具体的には異種基板の厚みは0.1mm以上とする。これらの異種基板は表面が平坦なものを使用するが、窒化物半導体から成る核、又は層を成長させることができれば、窒化物半導体の成長面に、例えばエッチング等により細かい荒れを有するものや、異種基板の窒化物半導体の成長面に凹凸、斜面、階段形状を有するものや、異種基板の窒化物半導体の成長面に対し裏面に凹凸、溝等を有するものであってもよい。
【0024】
以上に示すように成長界面を窒化物半導体内に有することで、ワイヤーソーでの切断が可能となる。窒化物半導体内に成長界面がなければ、ワイヤーソーでの切断は異種基板上に直接成長させた窒化物半導体を切断するものであるため、歪みが大きく、切断時に異種基板のみならず、窒化物半導体も割れていた。そのため、このワイヤーソーでの切断により窒化物半導体の単体基板を得るのは困難であった。そこで、本発明では上記に示す条件でワイヤーソーでの切断が可能な成長界面を有する窒化物半導体基板とした。また、この成長界面を窒化物半導体内に複数(2つ以上)有することで、異種基板との格子定数差や熱膨張係数差から生じる応力を緩和させることができる。そのため、異種基板上に窒化物半導体はワイヤーソーの太さよりも厚膜である必要があるが、300μm以上の厚膜で成長させることが可能となる。そのため、ワイヤーソーでの切断に必要な厚膜成長が可能となり、ワイヤーソーでの切断が行うことができる。また、窒化物半導体内に成長界面を複数(2つ以上)有することで、一度に成長界面と同じ数のワイヤーソーで切断させることができ、窒化物半導体の単体を量産することができる。
【0025】
このように本発明は、異種基板上に成長条件の異なる窒化物半導体を成長させることで、窒化物半導体内に結晶的不均一を有する成長界面を形成し、ワイヤーソーで切断するものである。このようにワイヤーソーで切断する時に生じる窒化物半導体への応力により発生する割れや欠け等が異種基板から窒化物半導体まで影響を及ぼさず、容易に異種基板の除去が可能となり、膜厚が100μm以上の窒化物半導体から成る単体基板を形成することができる。
【0026】
【発明の実施の形態】
本発明における窒化物半導体から成る単体基板は、異種基板上の窒化物半導体内にクレーター、又は凸型の斜面を有する成長界面を備えた窒化物半導体基板をワイヤーソーを用いて成長界面で切断することにより形成される。以下、本発明の実施形態について図1をもとに製造工程をもとに説明する。
【0027】
第1の工程としては、異種基板1上に下地層2を成長させ、次に、2段階成長により、第1の窒化物半導体3を成長させ、その上に、第2の窒化物半導体4を成長させることにより、第1の窒化物半導体3と第2の窒化物半導体4との間に成長界面を有する窒化物半導体基板を形成する。
【0028】
本発明における異種基板1としてはC面、R面、及びA面のいずれかを主面とするサファイアやSiC(6H、4H、3C)、スピネル、ZnS、ZnO、GaAs、Si、又は窒化物半導体等が基板として挙げられる。好ましい異種基板1としては、サファイア、SiC、スピネルである。また、基板をオフアングルしていてもよく、この場合ステップ状にオフアングルした基板を用いると窒化物半導体からなる下地層2の成長が結晶性よく成長する傾向にあり好ましい。この時のオフ角としては、0°〜0.5°、好ましくは0.1°〜0.2°とする。これらの異種基板は表面が平坦なものを使用するが、窒化物半導体から成る核、又は層を成長させることができれば、例えばエッチング等により細かい荒れを有するものや、基板に凹凸、斜面、階段形状を有するものであってもよい。
【0029】
次に下地層2を異種基板1上に気相成長法により成長させる。この下地層2はバッファー層としての効果があり、異種基板1と窒化物半導体との格子定数不整合を緩和させることができる。例えば、窒化ガリウムとサファイアとの格子不整合は約15%と非常に大きいため、表面モフォロジーの良好な結晶性を有する基板を得るのは困難であった。下地層2にはこの格子定数の違いを緩和させる効果があり、具体例としては、AlxGa1−xN(0≦X≦1)、InxGa1−xN(0≦X≦1)、及びInxAlyGa1−x−yN(0≦X≦1、0≦Y≦1)が挙げられる。製造方法としてはキャリアガスに水素、原料ガスにはトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリメチルインジウム等を用い、300℃以上900℃以下の温度、10オングストローム以上10μm以下の膜厚で成長させる。また、n型不純物やp型不純物をドープしてもよい。尚、この下地層2は複数層であってもよく、また省略することもできる。
【0030】
この下地層が2層構造である場合には、例えば、核や薄膜から成る窒化物半導体を第1の下地層として成長させ、次に第2の下地層を第1の下地層上に成長させることによりC軸配向特性の優れた下地層2とすることができる。
【0031】
この下地層を2層で成長させる場合の成長条件としては、例えばMOCVD法を用い第1の下地層と第2の下地層とを同様のキャリアガスを用い、キャリアガスには水素を用いる。原料ガスにはトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリメチルインジウム等を用いて、第1の下地層と第2の下地層との組成を変えることができる。第1の下地層を300℃以上900℃以下の低温で、薄膜を10オングストローム以上0.5μm以下の膜厚で成長させた後、第2の下地層は成長温度を900℃〜1100℃として第1の下地層より高温で成長させる。この第2の下地層は、核として成長させるものは途中で成長を止め核とし、層とするものは更に成長を続けることで表面をミラー形成し、第2の下地層は膜厚を5μm以下とする。このような2層構造として表面をミラー形成するには、結晶の核密度の均一性や配向特性、及び大きさ、層の厚みの制御が容易であるMOCVD法を用いるのが好ましいが、他の気相成長法を用いることもできる。このように異種基板1上に下地層を900℃以下の温度で成長させることにより異種基板上に成長させる窒化物半導体との格子定数不正を緩和させることができる。例えば、窒化ガリウムとサファイアとの格子不整合は約14%と非常に大きいが、この下地層を成長させることにより、表面モフォロジーの良好な結晶性を有する窒化物半導体基板を得ることができる。下地層2としては窒化物半導体から成る核、または層であり組成式としては特に限定されず、一般式InxAlyGa1−x−yN(0≦x、0≦y、x+y<1)によって表すことができる。下地層を核として成長させる場合は途中で成長を止め、また層として成長させる場合はさらに成長を続けることでミラーを形成した窒化物半導体層とする。なお、下地層は異種基板の種類等により省略することもできる。
【0032】
次に、下地層2を成長させた異種基板1上に、第1の窒化物半導体3と第2の窒化物半導体4とを成長させる。第1の窒化物半導体3としては、成長界面がクレーター、又は凸型の斜面となるものであり、好ましくはこの凸型の斜面は連続して形成されているものである。また、この界面の高低差が好ましくは5μm〜100μm、より好ましくは5μm〜50μmであれば、貫通転位の成長方向を斜面成長方向に曲げることができるため、第2の窒化物半導体4の成長時にこの貫通転位同士を接合させ、貫通転位を集束させることができる。この窒化物半導体基板は30μm以上の膜厚で成長させても成長界面を有することにより応力緩和をすることができ、成長界面の形成により貫通転位を集束させることもできるが、さらに厚膜成長させることにより貫通転位を低減させる効果も有する。
【0033】
さらに、このような成長界面を2つ形成するには、第2の窒化物半導体4上に第3の窒化物半導体5、その上に第4の窒化物半導体6を成長させる。これにより、第1の窒化物半導体3と、第2の窒化物半導体4との間に成長界面を形成し、第3の窒化物半導体5と、第4の窒化物半導体6との間に成長界面を形成することができる。
【0034】
このような成長界面の形成条件としては、第1の窒化物半導体、及び第3の窒化物半導体の成長条件である成長速度を0.2mm/hour以上、好ましくは0.5mm/hour以上とし、上限は100mm/hour以下とする。この成長速度で第1の窒化物半導体を成長させれば、表面にクレーターや凸型の斜面を連続して形成することができ、その上に成長させる第2の窒化物半導体や第4の窒化物半導体との間に成長界面を形成ことができる。このような窒化物半導体基板を得る条件としては、第1の窒化物半導体の成長速度(R1)と、第2の窒化物半導体の成長速度(R2)との比(R1/R2)が1以上であること、つまり第2の窒化物半導体の成長速度を第1の窒化物半導体の成長速度よりも遅くすることが好ましい。これは、第3の窒化物半導体と第4の窒化物半導体とについても同様であり、第3の窒化物半導体の成長速度(R3)と、第4の窒化物半導体の成長速度(R4)との比(R3/R4)が1以上とし、第4の窒化物半導体の成長速度を第3の窒化物半導体の成長速度よりも遅くすることが好ましい。
【0035】
また、その他の成長界面を形成する条件としては、第1〜第4の窒化物半導体にn型不純物やp型不純物をドープさせることが挙げられる。第1の窒化物半導体と第2の窒化物半導体との不純物ドープ量を変えるか、又は異なる不純物をドープさせる。例えば、第1の窒化物半導体や第3の窒化物半導体にはn型不純物としてSiをドープさせることで、縦方向の成長を促進させて、クレーター、や凸型の斜面を形成させることができる。次に第2の窒化物半導体や第4の窒化物半導体にはp型不純物としてMgをドープして横方向の成長を促進させる。また、n型不純物とp型不純物を同時ドープさせてもよい。このように成長方向を変化させることにより、成長界面を形成することができると同時に転位の低減効果もある。さらに、上記に示す成長速度の条件と不純物ドープの条件を合わせて成長界面を形成することもできる。ここでn型不純物としてはSi、Ge、Sn及びS等の少なくとも1種類をドープしたもの、p型不純物としてはMg、Be、Cr、Mn、Ca、Zn等を用いることができる。また、成長界面を形成するためには、その他の反応条件として第1の窒化物半導体と第2の窒化物半導体との成長温度差を設けるなども考えられる。
【0036】
以上より、成長界面を形成すれば、後工程でのワイヤーソーでの切断が容易にできる。また、異種基板上に格子定数や熱膨張係数の違う窒化物半導体を厚膜で成長させることが可能となる。さらに、クレーターや凸型の斜面を形成することにより貫通転位を多方向に曲げることで、多方向に曲げられた貫通転位は貫通転位同士が接合しループを形成して集束するために、貫通転位を減少した窒化物半導体基板とすることができる。第1の窒化物半導体上に第1の窒化物半導体よりも成長速度が遅い第2の窒化物半導体を積層することにより、欠陥の減少を促進させ、鏡面で平坦性を有する低欠陥である窒化物半導体基板を得ることができる。
【0037】
この第1の窒化物半導体の膜厚としては特に限定されないが、好ましくは20μm〜1mm、より好ましくは50μm〜200μmであり、圧力条件としては常圧、又は微減圧で成長させる。第2、第4の窒化物半導体は、第1、第3の窒化物半導体と同温、又はそれ以上の温度で成長させるのが好ましく、1000℃以上とする。ただし、第1の窒化物半導体3と第2の窒化物半導体4との温度差が大きければ基板に反りが発生するため成長温度差が少ない方が好ましい。また、第2の窒化物半導体4の膜厚としては、最上面が鏡面になれば特に限定されず、第1の窒化物半導体にあるクレーターや凸型斜面の高低差が埋まる範囲の膜厚であればよい。そのため、第2の窒化物半導体は膜厚を30μm程度の成長が可能な気相成長法であればMOCVD法やMBE法等でも行うことができる。
【0038】
第1〜第4の窒化物半導体の組成式としては、特に限定されず、一般式InxAlyGa1−x−yN(0≦x、0≦y、x+y<1)によって表すことができる。但し、第1の窒化物半導体3と第2の窒化物半導体4に限らず、それぞれの組成は互いに異なるものであってもよい。これらの窒化物半導体には、アンドープの窒化物半導体、n型不純物としてSi、Ge、Sn及びS等の少なくとも一種類をドープした窒化物半導体、又はp型不純物としてはMg、Be、Cr、Mn、Ca、Zn等をドープした窒化物半導体を用いることができる。
【0039】
このように下地層2の上に成長させる第1の窒化物半導体3と第2の窒化物半導体4とを成長速度を速く、厚膜で成長させる場合にはハイドライド気相エピタキシャル成長法であるのが好ましい。成長界面を有する窒化物半導体基板であれば、基板に発生する応力を緩和させ、300μm以上の厚膜の窒化物半導体を成長させた窒化物半導体基板を得ることが可能となる。
【0040】
以下にHVPE装置を用いた場合の成長条件を示す。
本発明において、第1〜第4の窒化物半導体の成長方法はハイドライド気相エピタキシャル成長法を用いることができる。このハイドライド気相エピタキシャル成長法とは、ガリウム、アルミニウム、インジウム等の3族元素と、塩化水素等のハロゲンガスとを反応させて、3族元素の塩化物、臭化物、ヨウ化物などのハロゲン化物を得て、そのハロゲン化物をアンモニア、ヒドラジン等のN源と高温で反応させて窒化物半導体を得る方法である。
【0041】
窒化物半導体として窒化ガリウムを成長させるには、HVPE装置内において、ガリウムメタルを入れた石英ボートを設置し、さらに石英ボートから離れた位置に異種基板であるウェハーを設置する。次にガリウムメタルと反応させるハロゲンガスの供給管と、ハロゲンガス供給管とは別に、N源供給管を設ける。このハロゲンガスとしてはHCl等があり、キャリアガスと共にハロゲンガス管より導入される。このハロゲンガスとガリウム等の金属が反応することにより3族元素のハロゲン化物を生成させ、さらに、N源供給管より流したアンモニアガスと反応することにより第1〜第4の窒化物半導体層とを下地層を介した異種基板上に成長させる。また、窒化物半導体にn型不純物をドープする場合には、例えばSiであればジクロロシラン、トリクロロシラン、モノシランを原料ガスに用いることができる。
【0042】
以上により形成した窒化物半導体基板において、第2の窒化物半導体4としては、第1の窒化物半導体3との成長界面に結晶的な不均一を有するものである。また、この成長界面で転位密度が大幅に異なるものが好ましい。第1の窒化物半導体と第2の窒化物半導体との界面に転位密度差を有することにより、後の工程においてのワイヤーソーでの切断時に第2の窒化物半導体に割れを生じることなく容易に異種基板を除去することができる。
【0043】
第2の工程では、第1の工程において形成した成長界面を窒化物半導体内に有する窒化物半導体基板を第2の窒化物半導体の最上面を土台に貼り付けて固定させる。次に、高速走行するワイヤーソーによりスラリーを供給し、このスラリーのラッピング効果により成長界面付近で切断する。このスラリーとは、砥粒を混合した加工液である。得られる窒化物半導体の単体基板は膜厚が50μm以上、好ましくは100μm以上とする。
【0044】
ここで、土台に固定させるための貼り合わせに用いる共晶材料としてはワックスやメタルが挙げられる。このメタルにはAu合金があり、具体例としてAu−Sn、Au−SiやAu−Ge、その他にZnを用いることができ、さらに治具などで加圧することにより基板の反りを抑制させる。その他に窒化物半導体基板の固定にはエポキシ樹脂等も用いることができる。
【0045】
得られた第2の窒化物半導体の切断された面を研磨することにより平坦、かつ鏡面とし、さらに上記で使用した共晶材料を加熱除去し、酸洗浄することにより窒化物半導体の単体基板として得ることができる。得られた単体基板は、膜厚50μm以上であり、単位面積あたりの転位数が1×107個/cm2以下の低転位密度である窒化物半導体となる。
【0046】
【実施例】
以下、本発明における実施例について図面を参照して説明する。
[実施例1]
図1に示すように、異種基板1として、C面を主面、オリフラ面をA面とするサファイア基板を用い、MOCVD装置にセットし、温度1050℃で10分間のサーマルクリーニングを行い水分や表面の付着物を除去した。
【0047】
次に、温度を510℃にして、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニアとトリメチルガリウムを用い、GaNより成る第1の下地層を200オングストロームの膜厚で成長させた。
【0048】
その後、第1の下地層上に第2の下地層としてGaNから成り平坦性を有する層を成長温度1050℃において膜厚2.5μmで形成した。本実施例では、成長時のキャリアガスとして水素を20.5L/分、原料ガスとしてアンモニアを5L/分、トリメチルガリウムを25cc/分間、流した。
【0049】
第2の下地層を成長後、ハイドライド気相エピタキシャル成長装置にセットし、Gaメタルを石英ボートに用意し、ハロゲンガスにHClガスを用いることによりGaCl3を生成し、次に、Nガスであるアンモニアガスと反応させ、GaNよりなる第1の窒化物半導体層3を成長させた。第1の窒化物半導体層3の成長温度としては1000℃であり、成長速度を0.2mm/hourとして、膜厚100μmで成長させる。
【0050】
次に、第1の窒化物半導体層3上に、第2の窒化物半導体層4をハイドライド気相エピタキシャル成長法装置において成長させる。この時の成長条件としては、成長温度を第1の窒化物半導体層3と同温とし、第2の窒化物半導体層4の成長速度を50μm/hourで膜厚は50μmで成長させる。ここで得られた第2の窒化物半導体層4の表面は平坦かつ鏡面となり、CL観察によると貫通転位密度は約7×105個/cm2となる。
【0051】
次に、上記窒化物半導体の最上面である第2の窒化物半導体面を共晶材料にAu−Snを用い土台となるサファイア基板に貼り合わせ、160μmのワイヤーソーにより切断することで反りを緩和させた単体基板を得ることができる。その後、窒化物半導体のサファイア基板側から研磨加工を行うことにより、サファイア基板を除去した。研磨時に発生するGaNのC面方向の層状の割れは第1の窒化物半導体と第2の窒化物半導体との界面で抑制されるため、サファイア基板を取り除いた後、さらに研磨を行い第1の窒化物半導体を除去することにより、第2の窒化物半導体の第1の窒化物半導体との界面側(以下、第2の窒化物半導体の第2面と示す。)を平坦化し鏡面を得ることができる。
【0052】
[実施例2]
実施例1において、図3に示すように成長界面の形成工程を繰り返し行う。第2の窒化物半導体4上に、第1の窒化物半導体3と同様の条件で第3の窒化物半導体5、その上に第2の窒化物半導体4と同様の条件で第4の窒化物半導体6を成長させ、窒化物半導体内に成長界面を2つ形成した窒化物半導体基板を形成する。その他は、実施例1と同様の条件で成長させ窒化物半導体基板を得る。その後、ワイヤーソーにより成長界面で切断することにより、単体基板を2つ得ることができる。得られる窒化物半導体は、実施例1と同様に単位面積あたりの結晶欠陥が1×106個/cm2以下の低欠陥である窒化物半導体の単体基板である。
【0053】
[実施例3]
実施例1において、図2に示すようにC面を主面としたサファイア基板1上に下地層2を核として膜厚を0.5μmで成長させた他は第1の窒化物半導体3、及び第2の窒化物半導体4を実施例1と同様の条件で成長させ窒化物半導体基板を得る。
【0054】
次に、得られた窒化物半導体基板を土台に貼り合わせ、ワイヤーソーにより切断することにより、実施例1と同様に第2面も鏡面を有する単体基板が得られる。得られる窒化物半導体の単体基板は、結晶欠陥が4×106/cm2程度の低欠陥である窒化物半導体となる。
【0055】
[実施例4]
実施例1において、窒化物半導体の切断方法にブレードを用いる以外は同様の条件で窒化物半導体基板を成長させ、単体基板を得る。この方法においても、膜厚50μmである窒化物半導体を得ることができる。
【0056】
[実施例5]
実施例1において、第1の窒化物半導体層3の成長速度を0.2mm/hourとして、膜厚200μmで成長させ、その後、第2の窒化物半導体層4の成長速度を50μm/hourで膜厚は300μmで成長させることにより、実施例1と同様の結晶性であり、膜厚が200μmである窒化物半導体の単体基板を得ることができる。
【0057】
【発明の効果】
以上に示すように本発明では、異種基板全面の貫通転位を低減した窒化物半導体から成る単体基板を提供することができる。また、本発明によれば、この単体基板は厚膜とすることが可能であり、一度に複数の単体基板を量産することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態を示す窒化物半導体の模式断面図である。
【図2】本発明の一実施の形態を示す窒化物半導体の模式断面図である。
【図3】本発明の一実施の形態を示す窒化物半導体の模式断面図である。
【図4】本発明の一実施の形態を示す窒化物半導体の模式断面図である。
【図5】本発明より形成される単体の窒化物半導体の模式断面図である。
【図6】本発明の成長界面における貫通転位の成長方向を示す模式断面図である。
【符号の簡単な説明】
1・・・異種基板
2・・・下地層
3・・・第1の窒化物半導体
4・・・第2の窒化物半導体
5・・・第3の窒化物半導体
6・・・第4の窒化物半導体
Claims (7)
- 基板上に気相エピタキシャル成長法により成長させた窒化物半導体基板を切断して窒化物半導体から成る単体基板を製造する方法において、
前記基板上に窒化物半導体を2段階成長させることにより成長界面を形成して、該成長界面を互いの接触面とする第1及び第2の窒化物半導体を有する前記窒化物半導体基板を形成する第1の工程と、
前記第1の工程で得られた窒化物半導体基板を、ワイヤーソーで、前記成長界面に対して平行方向に、且つ前記成長界面又は前記成長界面付近で切断する第2の工程と、を備え、
前記成長界面は、前記第1の窒化物半導体の表面に形成された多角錐形状、又は円錐形状の窪みにより、水平面に対して高低差を有することを特徴とする窒化物半導体から成る単体基板の製造方法。 - 基板上に気相エピタキシャル成長法により成長させた窒化物半導体基板を切断して窒化物半導体から成る単体基板を製造する方法において、
前記基板上に窒化物半導体を2段階成長させることにより成長界面を形成して、該成長界面を互いの接触面とする第1及び第2の窒化物半導体を有する前記窒化物半導体基板を形成する第1の工程と、
前記第1の工程で得られた窒化物半導体基板を、ワイヤーソーで、前記成長界面に対して平行方向に、且つ前記成長界面又は前記成長界面付近で切断する第2の工程と、を備え、
前記成長界面は、前記第1の窒化物半導体の表面に形成された波形状、又はドット状の凸部により、水平面に対して高低差を有することを特徴とする窒化物半導体から成る単体基板の製造方法。 - 前記第1の工程において、前記第1及び第2の窒化物半導体は不純物がドープされ、
前記第1の窒化物半導体と前記第2の窒化物半導体との不純物ドープ量を変えるか、又は異なる不純物をドープして前記成長界面の高低差を形成する請求項1又は2に記載の窒化物半導体から成る単体基板の製造方法。 - 前記第1の工程において、前記第2の窒化物半導体の成長速度を前記第1の窒化物半導体の成長速度よりも遅くして前記成長界面の高低差を形成する請求項1乃至3のいずれか1項に記載の窒化物半導体から成る単体基板の製造方法。
- 前記第1の工程において、前記窒化物半導体基板に前記成長界面を少なくとも2つ以上形成する請求項1乃至4のいずれか1項に記載の窒化物半導体から成る単体基板の製造方法。
- 前記第2の工程において、前記成長界面を少なくとも2つ以上形成した窒化物半導体基板を、前記各成長界面に対して同時に複数のワイヤーソーで切断する請求項5に記載の窒化物半導体から成る単体基板の製造方法。
- 前記第2の工程における前記窒化物半導体基板の切断は、窒化物半導体表面をワックス、メタル、又はエポキシ樹脂により土台に固定させてから行う請求項1乃至6のいずれか1項に記載の窒化物半導体から成る単体基板の製造方法。
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