JP4036644B2 - Ｉｃチップ実装用基板、ｉｃチップ実装用基板の製造方法、および、光通信用デバイス - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣチップ実装用基板、ＩＣチップ実装用基板の製造方法、および、光通信用デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、通信分野を中心として光ファイバに注目が集まっている。特にＩＴ（情報技術）分野においては、高速インターネット網の整備に、光ファイバを用いた通信技術が必要となる。
光ファイバは、▲１▼低損失、▲２▼高帯域、▲３▼細径・軽量、▲４▼無誘導、▲５▼省資源等の特徴を有しており、この特徴を有する光ファイバを用いた通信システムでは、従来のメタリックケーブルを用いた通信システムに比べ、中継器数を大幅に削減することができ、建設、保守が容易になり、通信システムの経済化、高信頼性化を図ることができる。
【０００３】
また、光ファイバは、一つの波長の光だけでなく、多くの異なる波長の光を１本の光ファイバで同時に多重伝送することができるため、多様な用途に対応可能な大容量の伝送路を実現することができ、映像サービス等にも対応することができる。
【０００４】
そこで、このようなインターネット等のネットワーク通信においては、光ファイバを用いた光通信を、基幹網の通信のみならず、基幹網と端末機器（パソコン、モバイル、ゲーム等）との通信や、端末機器同士の通信にも用いることが提案されている。
【０００５】
このように基幹網と端末機器との通信等に光通信を用いる場合、端末機器において情報（信号）処理を行うＩＣが、電気信号で動作するため、端末機器には、光→電気変換器や電気→光変換器等の光信号と電気信号とを変換する装置（以下、光／電気変換器ともいう）を取り付ける必要がある。
そこで、従来の端末機器では、例えば、ＩＣチップを実装したパッケージ基板、光信号を処理する受光素子や発光素子等の光学素子等を別々に実装し、これらに電気配線や光導波路を接続し、信号伝送および信号処理を行っていた。
また、ＩＣチップを実装したパッケージ基板の内部に受光素子等の光学素子を内蔵させ、この光学素子を内蔵したパッケージ基板（以下、光学素子内蔵パッケージ基板ともいう）を用いて端末機器の光通信を行うことも提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の端末機器において、ＩＣチップを実装したパッケージ基板、光信号を処理する受光素子や発光素子等の光学素子等を別々に実装した場合には、装置自体が大きくなり、端末機器の小型化をはかることが難しかった。
また、光学素子が内蔵され、ＩＣチップが実装されたＩＣチップ実装用基板を用いる場合は、装置自体が大きくなるという問題は解消されるものの、以下のような不都合があった。
【０００７】
すなわち、光学素子内蔵パッケージ基板では、光学素子が基板内に完全に内蔵されているため、外部の光学素子（光ファイバや光導波路等）と接続する際に、位置合わせの微調整を行うことが難しく、また、パッケージ基板を製造する際に予め光学素子を内蔵しておくため、光学素子の位置ずれが発生しやすかった。これは、パッケージ基板の製造工程において、熱処理等を施す必要があり、光学素子を樹脂層に内蔵する場合には、この熱処理時に光学素子の位置ずれが発生するものと考えられる。
このように、内蔵した光学素子に位置ずれが発生した場合、外部の光学部品（例えば、光導波路）と接続した際の接続損失が大きく、光通信における接続信頼性の低下につながっていた。
また、この光学素子内蔵パッケージ基板では、内蔵した光学素子のいずれかに不都合が発生した場合、その光学素子のみを取り替えることができず、その光学素子内蔵パッケージ基板自体が不良品となるため、経済的に不利であった。
また、光学素子の実装位置は、光信号伝送用光路の確保や、光学素子と外部基板に取り付けた光学部品（光導波路等）との位置関係により制限されてしまい、そのため、ＩＣチップ実装用基板の高密度化が困難になることがあった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者らは、接続信頼性に優れる光通信を達成するとともに、端末機器の小型化に寄与することができるＩＣチップ実装用基板について鋭意検討した結果、ＩＣチップ実装用基板に該ＩＣチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用光路を設けることにより、上述した課題を解決することができることに想到し、下記の構成からなる本発明のＩＣチップ実装用基板を完成させた。
さらに、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とからなる光通信用デバイスにおいて、上記ＩＣチップ実装用基板と上記多層プリント配線板と少なくともいずれか一方に、光信号伝送用光路を所定の態様で形成することにより、優れた光信号伝送性を確保するとともに、高密度配線を達成することができることを見出し、本発明の光通信用デバイスを完成させた。
【０００９】
すなわち、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、基板の両面に導体回路と層間絶縁層とが積層形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成されるとともに、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板であって、
上記ＩＣチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用光路が配設されていることを特徴とする。
【００１０】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、上記光信号伝送用光路は、空隙により構成されているか、または、樹脂組成物および空隙により構成されていることが望ましい。
【００１１】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、上記光信号伝送用光路は、空隙とその周囲の導体層とにより構成されているか、または、樹脂組成物および空隙とこれらの周囲の導体層とにより構成されていることも望ましい。
【００１２】
また、上記ＩＣチップ実装用基板において、上記光学素子の実装位置は、ＩＣチップ実装用基板の表面であることが望ましく、上記光学素子は、受光素子および／または発光素子であることが望ましい。
また、上記ＩＣチップ実装用基板の表面には、電子部品が実装されていることが望ましい。
【００１３】
また、上記ＩＣチップ実装用基板において、上記光信号伝送用光路の端部には、マイクロレンズが配設されていることが望ましく、上記光信号伝送用光路の断面の径は、１００〜５００μｍであることが望ましい。
【００１４】
また、上記ＩＣチップ実装用基板において、上記基板を挟んだ導体回路間がスルーホールを介して接続され、上記層間絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続されていることが望ましい。
【００１５】
また、第二の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法は、
（ａ）基板の両面に導体回路と層間絶縁層とを順次積層形成し、多層配線板とする多層配線板製造工程と、
（ｂ）上記多層配線板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
（ｃ）上記（ｂ）の工程で形成した貫通孔に連通した開口を有するソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程と
を含むことを特徴とする。
【００１６】
上記ＩＣチップ実装用基板の製造方法は、上記（ｂ）の工程で形成した貫通孔の壁面を粗化面にする粗化面形成工程を含むことが望ましい。
また、上記ＩＣチップ実装用基板の製造方法は、上記（ｂ）の工程で形成した貫通孔の壁面に導体層を形成する導体層形成工程を含むことが望ましい。
【００１７】
また、上記ＩＣチップ実装用基板の製造方法は、上記（ｂ）の工程で形成した貫通孔内に未硬化の樹脂組成物を充填する樹脂組成物充填工程を含むことが望ましい。
また、上記ＩＣチップ実装用基板の製造方法は、上記（ｃ）の工程で形成した開口の端部にマイクロレンズを配設するマイクロレンズ配設工程を含むことが望ましい。
【００１８】
第三の本発明の光通信用デバイスは、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とからなる光通信用デバイスであって、
上記ＩＣチップ実装用基板には、該ＩＣチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用光路が形成されていることを特徴とする。
【００１９】
第四の本発明の光通信用デバイスは、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とからなる光通信用デバイスであって、
上記多層プリント配線板は、基板と導体回路とを含んで構成されており、
上記多層プリント配線板には、少なくとも基板を貫通する光信号伝送用光路が形成されていることを特徴とする。
【００２０】
第五の本発明の光通信用デバイスは、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とからなる光通信用デバイスであって、
上記ＩＣチップ実装用基板には、該ＩＣチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用光路が形成されており、
上記多層プリント配線板は、基板と導体回路とを含んで構成されており、
上記多層プリント配線板には、少なくとも基板を貫通する光信号伝送用光路が形成されていることを特徴とする。
【００２１】
第三〜第五の本発明の光通信用デバイスにおいて、上記光信号伝送用光路は、空隙により構成されているか、または、樹脂組成物および空隙により構成されていることが望ましい。
【００２２】
また、第三〜第五の本発明の光通信用デバイスにおいて、上記光信号伝送用光路は、空隙とその周囲の導体層とにより構成されているか、または、樹脂組成物および空隙とこれらの周囲の導体層とにより構成されていることも望ましい。
【００２３】
また、上記光通信用デバイスにおいて、上記光信号伝送用光路の端部には、マイクロレンズが配設されていることが望ましい。
また、上記光通信用デバイスにおいて、上記光信号伝送用光路の断面の径は、１００〜５００μｍであることが望ましい。
【００２４】
また、上記光通信用デバイスにおいて、上記ＩＣチップ実装用基板には、光学素子が実装されており、上記光学素子の実装位置は、ＩＣチップ実装用基板の表面であることが望ましい。
上記光学素子は、受光素子および／または発光素子であることが望ましい。
【００２５】
また、上記光通信用デバイスにおいて、上記ＩＣチップ実装用基板は、導体回路、層間絶縁層および上記層間絶縁層を挟んだ導体回路間を接続するバイアホールを含んで構成されていることが望ましい。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板について説明する。
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、基板の両面に導体回路と層間絶縁層とが積層形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成されるとともに、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板であって、
上記ＩＣチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用光路が配設されていることを特徴とする。
【００２７】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、光学素子が実装されるとともに、該ＩＣチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用光路が配設されているため、上記光信号伝送用光路を介して、上記光学素子の入出力信号を伝送することができる。
【００２８】
また、該ＩＣチップ実装用基板にＩＣチップを実装した場合、ＩＣチップと光学素子との距離が短く、電気信号伝送の信頼性に優れる。具体的には、光学素子が受光素子である場合には、大容量の光信号の処理を正確に、かつ、速く行うことができ、光学素子が発光素子である場合には、外部への光信号の発信を迅速に行うことができる。
また、ＩＣチップを実装した第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、光通信に必要な電子部品や光学素子を一体化することができるため、光通信用端末機器の小型化に寄与することができる。
【００２９】
また、光学素子が表面実装されている場合は、上記ＩＣチップ実装用基板の導体回路や層間絶縁層を形成した後、光学素子を実装するため、該導体回路や層間絶縁層等を形成する際の熱処理時には、光学素子は未実装であり、熱処理時に起こりうる位置ずれは発生することがない。
さらに、光学素子が表面実装されている場合には、一の光学素子に不都合が発生した場合、その光学素子のみを取り替えればよく、経済的に有利である。
【００３０】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、光学素子を実装する際に、該光学素子の位置合わせを光信号伝送用光路を基準として光学的処理や機械的処理により行うことができるため、正確に、かつ、所望の位置に光学素子を実装することができる。
【００３１】
また、上述したような光信号伝送用光路が形成されている第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、光学素子を実装する場合、該光学素子の実装位置の自由度が高まることとなり、ＩＣチップ実装用基板の配線の高密度化をはかることができる。これは、光学素子の実装位置の自由度が高まることにより、ＩＣチップ実装用基板の設計においてフリースペースが広くなるからである。
なお、上記フリースペースとは、導体回路を形成したり、コンデンサ等の電子部品を実装したりする領域をいう。
【００３２】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、該ＩＣチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用光路が配設されている。
このような光信号伝送用光路が配設されたＩＣチップ実装用基板では、上記ＩＣチップ実装用基板の両面に実装した光学素子同士の情報の授受を、この光信号伝送用光路を介して光信号により行うことができる。
また、上記ＩＣチップ実装用基板では、その一の面側に光学素子を表面実装し、他の面側を別の光学素子を実装した外部基板と半田等を介して接続することにより、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板に実装した光学素子と上記外部基板に実装した光学素子との間の情報の授受を、光信号伝送用光路を介して光信号により行うことができる。
【００３３】
上記光信号伝送用光路は、空隙により構成されていることが望ましい。光信号伝送用光路が空隙により形成されている場合には、その形成が容易であるとともに、該光信号伝送用光路を介した光信号の伝送において、伝送損失が発生しにくい。なお、上記光信号伝送用光路の構成を空隙とするか否かは、ＩＣチップ実装用基板の厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。
【００３４】
また、上記光信号伝送用光路は、樹脂組成物および空隙により構成されていることも望ましい。上記光信号伝送用光路が樹脂組成物および空隙により構成されている場合には、ＩＣチップ実装用基板の強度の低下を防ぐことができる。
なお、上記光信号伝送用光路が樹脂組成物および空隙により構成されている場合には、基板および層間絶縁層を貫通する部分に形成された光信号伝送用光路が樹脂組成物により構成され、ソルダーレジスト層に形成された光信号伝送用光路が空隙により構成されていることが望ましい。通常、基板や層間絶縁層は樹脂との密着性が高く、ソルダーレジスト層は樹脂との密着性が低いからである。
【００３５】
また、上記光信号伝送用光路は、樹脂組成物により構成されていることも望ましい。上記光信号伝送用光路が樹脂組成物により構成されている場合には、ＩＣチップ実装用基板の強度の低下を防止することができる。
また、光信号伝送用光路が樹脂組成物により構成されていると、該光信号伝送用光路内にゴミや異物等が入り込むことを防止することができるため、ゴミや異物等の存在に起因して光信号の伝送が阻害されることを防止することができる。
【００３６】
また、上述したような構成の光信号伝送用光路、すなわち、空隙および／または樹脂組成物から構成される光信号伝送用光路では、熱処理工程や信頼性試験下において、熱等による悪影響（例えば、光信号伝送用光路の断面の径が小さくなる等）が発生しにくい。
【００３７】
上記光信号伝送用光路の一部または全部が樹脂組成物で構成されている場合、その樹脂成分としては、通信波長帯での吸収が少ないものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部が感光性化された樹脂等が挙げられる。
具体的には、例えば、エポキシ樹脂、ＵＶ硬化性エポキシ樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、重水素化ＰＭＭＡ、重水素フッ素化ＰＭＭＡ等のアクリル樹脂、フッ素化ポリイミド等のポリイミド樹脂、重水素化シリコーン樹脂等のシリコーン樹脂、ベンゾシクロブテンから製造されるポリマー等が挙げられる。
【００３８】
また、上記樹脂組成物には、上記樹脂成分以外に、例えば、樹脂粒子、無機粒子、金属粒子等の粒子が含まれていてもよい。これらの粒子を含ませることにより光信号伝送用光路と、基板、層間絶縁層、ソルダーレジスト層等との間で熱膨張係数の整合を図ることができ、また、粒子の種類によっては難燃性を付与することもできる。
上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部が感光性化された樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体、感光性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体等が挙げられる。
【００３９】
具体的には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等の熱硬化性樹脂；これらの熱硬化性樹脂の熱硬化基（例えば、エポキシ樹脂におけるエポキシ基）にメタクリル酸やアクリル酸等を反応させ、アクリル基を付与した樹脂；フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルホン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）等の熱可塑性樹脂；アクリル樹脂等の感光性樹脂等が挙げられる。
また、上記熱硬化性樹脂と上記熱可塑性樹脂との樹脂複合体や、上記アクリル基を付与した樹脂や上記感光性樹脂と上記熱可塑性樹脂との樹脂複合体を用いることもできる。
また、上記樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。
【００４０】
また、上記無機粒子としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合物、炭酸カリウム等のカリウム化合物、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等のマグネシウム化合物、シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物、チタニア等のチタン化合物等が挙げられる。
また、上記無機粒子として、リンやリン化合物からなるものを用いることもできる。
【００４１】
上記金属粒子としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉ等が挙げられる。
これらの樹脂粒子、無機粒子および金属粒子の粒子は、それぞれ単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００４２】
また、上記樹脂粒子等の粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状、楕円球状、破砕状、多面体状等が挙げられる。
また、上記粒子の粒径（粒子の一番長い部分の長さ）は、通信波長より短いことが望ましい。粒径が通信波長より長いと光信号の伝送を阻害することがあるからである。
【００４３】
また、上記光信号伝送用光路の形状は特に限定されず、例えば、円柱状、楕円柱状、四角柱状、多角柱状等が挙げられる。これらのなかでは、円柱状が望ましい。その形成が容易だからである。
【００４４】
また、上記光信号伝送用光路の断面の径は、望ましい下限が１００μｍであり、望ましい上限が５００μｍである。上記断面の径が１００μｍ未満では、光路が塞がれてしまうおそれがあるとともに、該光信号伝送用光路の少なくとも一部が樹脂組成物から構成されている場合、未硬化の樹脂組成物を充填することが困難である。一方、上記断面の径を５００μｍより大きくしても光信号の伝送性はあまり向上せず、ＩＣチップ実装用基板を構成する導体回路等の設計の自由度を阻害する原因となることがあるからである。
より望ましい断面の径は、下限が２５０μｍであり、上限が３５０μｍである。光信号の伝送性と設計の自由度とがともに優れ、また、未硬化の樹脂組成物を充填する際にも不都合が発生しないからである。
なお、上記光信号伝送用光路の断面の径とは、上記光信号伝送用光路が円柱状の場合にはその断面の直径、楕円柱状の場合にはその断面の長径、四角柱状や多角柱状の場合にはその断面の最も長い部分の長さをいう。
【００４５】
上記光信号伝送用光路は、空隙とその周囲の導体層とから構成されていることが望ましい。
また、上記光信号伝送用光路は、樹脂組成物とその周囲の導体層とから構成されていることも望ましい。
また、上記光信号伝送用光路は、樹脂組成物および空隙とこれらの周囲の導体層とから構成されていることも望ましい。
なお、上記導体層が形成される場合、該導体層は、樹脂組成物および／または空隙の周囲全体に形成されていてもよいし、周囲の一部にのみ形成されていてもよい。
【００４６】
このように、光信号伝送用光路に導体層を形成することにより、光信号伝送用光路の壁面での光の乱反射を低減し、光信号の伝送性を向上させることができる。上記導体層は、１層から形成されていてもよく、２層以上から構成されていてもよい。
上記導体層の材料としては、例えば、銅、ニッケル、クロム、チタン、貴金属等が挙げられる。
また、上記導体層は、場合によっては、スルーホールとしての役目、即ち、基板を挟んだ導体回路間や、基板と層間絶縁層とを挟んだ導体回路間を電気的に接続する役目を果たすことができる。
【００４７】
上記導体層の材料としては、ニッケル、貴金属等の光沢を有する金属が望ましい。光沢を有する金属からなる導体層を形成した場合、光信号の損失がより少なく、また、光信号の伝送が阻害されることもより少ないため、光信号は光信号伝送用光路を介してより確実に伝送されることとなるからである。
【００４８】
また、上記導体層の上に、さらに、スズ、チタン、亜鉛等からなる被覆層や粗化層を設けてもよい。光信号伝送用光路を介して伝送される光信号の種類（波長等）によっては、光信号伝送用光路の壁面における光の乱反射を抑えることが望ましい場合があり、上記被覆層や上記粗化層を設けて、該壁面における光の乱反射を低減することにより、光信号の伝送性を向上させることができる場合がある。また、光信号伝送用光路の壁面に上記粗化層等を形成することにより、光信号伝送用光路と基板や層間絶縁層との密着性をより向上させることができる。
【００４９】
また、上記樹脂組成物により構成される光信号伝送用光路（空隙および樹脂組成物により構成される光信号伝送用光路のうちの樹脂組成物かちなる部分を含む）や上記導体層は、基板や層間絶縁層と粗化面を介して接していてもよい。上記光信号伝送用光路等が、粗化面を介して接している場合には、基板や層間絶縁層との密着性に優れ、光信号伝送用光路等の剥離がより発生しにくいからである。
【００５０】
上記ＩＣチップ実装用基板においては、上記光信号伝送用光路として、受光用光信号伝送用光路と発光用光信号伝送用光路と両方が形成されていてもよいし、どちらか一方のみが形成されていてもよい。従って、上記ＩＣチップ実装用基板においては、複数の光信号伝送用光路が形成されていてもよい。
上記受光用光信号伝送用光路とは、光ファイバや光導波路等を介して伝送されてきた外部からの光信号を受光素子へと伝えるためのものであり、上記発光用光信号伝送用光路とは、発光素子から発信された光信号を外部の光ファイバや光導波路等に伝送するためのものある。
また、上記ＩＣチップ実装用基板においては、通信波長ごとに光信号伝送用光路が形成されていてもよい。
【００５１】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板には、受光素子や発光素子等の光学素子が実装されている。
上記受光素子としては、例えば、ＰＤ（フォトダイオード）、ＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）等が挙げられる。
これらは、上記ＩＣチップ実装用基板の構成や、要求特性等を考慮して適宜使い分ければよい。
上記受光素子の材料としては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＩｎＧａＡｓ等が挙げられる。
これらのなかでは、受光感度に優れる点からＩｎＧａＡｓが望ましい。
【００５２】
上記発光素子としては、例えば、ＬＤ（半導体レーザ）、ＤＦＢ−ＬＤ（分布帰還型−半導体レーザ）、ＬＥＤ（発光ダイオード）等が挙げられる。
これらは、上記ＩＣチップ実装用基板の構成や要求特性等を考慮して適宜使い分ければよい。
【００５３】
上記発光素子の材料としては、ガリウム、砒素およびリンの化合物（ＧａＡｓＰ）、ガリウム、アルミニウムおよび砒素の化合物（ＧａＡｌＡｓ）、ガリウムおよび砒素の化合物（ＧａＡｓ）、インジウム、ガリウムおよび砒素の化合物（ＩｎＧａＡｓ）、インジウム、ガリウム、砒素およびリンの化合物（ＩｎＧａＡｓＰ）等が挙げられる。
これらは、通信波長を考慮して使い分ければよく、例えば、通信波長が０．８５μｍ帯の場合にはＧａＡｌＡｓを使用することができ、通信波長が１．３μｍ帯や１．５５μｍ帯の場合には、ＩｎＧａＡｓやＩｎＧａＡｓＰを使用することができる。
【００５４】
また、上記光学素子の実装位置は、ＩＣチップ実装用基板の表面であることが望ましい。上述したように、光学素子がＩＣチップ実装用基板の表面に実装されている場合、一の光学素子に不都合が発生した際に、その光学素子のみを取り替えればよいからである。上記光学素子は、フリップチップ型のものが望ましい。その取り替えが容易であり、また、実装時にセルフアライメント作用により所望の位置に実装しやすいからである。
また、光学素子の実装位置がＩＣチップ実装用基板の表面であれば、上述したように、光信号伝送用光路を原点に光学素子の位置合わせを行うことができる。
【００５５】
さらに、光学素子の実装位置がＩＣチップ実装用基板の表面である場合には、従来の光学素子内蔵パッケージ基板で発生していた、光学素子の位置ずれが発生するという問題を回避することができる。
従来のＩＣチップ実装用基板では、予め、受光素子や発光素子等の光学素子を実装するエリアを基板に形成しておき、この基板に光学素子を取り付けた後、埋め込み樹脂を充填、硬化すること等により光学素子を実装していた。このような方法で光学素子を実装した場合、該光学素子は、層間絶縁層やソルダーレジスト層の硬化処理、半田ペーストのリフロー処理等の際に受ける熱、基板の反りやめっき処理時の揺動に起因する応力等の影響により位置ずれが発生しやすかった。
さらに、光学素子の実装を接着剤や半田を用いて行った場合には、後工程の熱履歴により、この接着剤や半田が軟化し、これに伴って、光学素子の位置ずれが発生することがあった。
しかしながら、光学素子をＩＣチップ実装用基板の表面に実装した場合には、このような応力や位置ずれが発生する問題を回避することができる。従来のものと比べて、ＩＣチップ実装用基板の強度が保たれているからである。
【００５６】
なお、光学素子をＩＣチップ実装用基板の表面に実装する場合、光学素子を実装する面は、ＩＣチップを実装する面と同一の面であってもよいし、これとは反対側の面であってもよい。また、ＩＣチップ実装用基板に複数個の光学素子を実装する場合には、全てが同一の面に実装されていなくてもよい。
【００５７】
また、上記ＩＣチップ実装用基板の表面には、コンデンサ等の電子部品も実装されていてもよい。上記光学素子の場合と同様、不都合の発生した部品のみを取り替えることができるからである。
【００５８】
また、上記ＩＣチップ実装用基板では、基板を挟んだ導体回路間がスルーホールを介して接続され、前記層間絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続されていることが望ましい。
ＩＣチップ実装用基板の高密度化をはかることができるからである。
さらに、導体回路やバイアホールの形成位置を適宜選択することにより、ＩＣチップや光学素子等の熱膨張係数の差に起因して発生した応力を緩和することができるからである。
【００５９】
次に、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図１は、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の一実施形態を模式的に示す断面図である。なお、図１では、ＩＣチップが実装された状態のＩＣチップ実装用基板を示す。
【００６０】
図１に示すように、ＩＣチップ用実装基板１２０は、基板１２１の両面に導体回路１２４と層間絶縁層１２２とが積層形成され、基板１２１を挟んだ導体回路間、および、層間絶縁層１２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホール１２９およびバイアホール１２７により電気的に接続されている。また、最外層にはソルダーレジスト層１３４が形成されている。
【００６１】
また、このＩＣチップ用実装基板１２０では、導体回路１２４や層間絶縁層１２２、ソルダーレジスト層１３４が形成された基板１２１を貫通する光信号伝送用光路１４２が形成されており、光信号伝送用光路１４２は、樹脂組成物１４２ａおよび空隙１４２ｂとその周囲に形成された導体層１４５とから構成されている。ＩＣチップ実装用基板１２０に実装された光学素子（受光素子１３８および発光素子１３９）の入出力信号は、光信号伝送用光路を介して伝送されることとなる。
なお、光信号伝送用光路は空隙または樹脂組成物により形成されていてもよいし、その周囲に導体層が形成されていなくてもよい。
【００６２】
ＩＣチップ用実装基板１２０の一の面には、受光部１３８ａおよび発光部１３９ａのそれぞれが光信号伝送用光路１４２に対向するように、受光素子１３８および発光素子１３９が半田接続部１４４を介して表面実装されるとともに、ＩＣチップ１４０が半田接続部１４３を介して表面実装されている。また、ＩＣチップ実装用基板１２０の他の面のソルダーレジスト層１３４には、半田バンプ１３７が形成されている。
【００６３】
このような構成からなるＩＣチップ実装用基板１２０において、光ファイバや光導波路等（図示せず）を介して外部から送られてきた光信号は、光信号伝送用光路１４２を介して受光素子１３８（受光部１３８ａ）で受信した後、受光素子１３８で電気信号に変換され、さらに、半田接続部１４３、１４４、導体回路１２４、バイアホール１２７、スルーホール１２９等を介してＩＣチップ１４０に送られることとなる。
【００６４】
また、ＩＣチップ１４０から送り出された電気信号は、半田接続部１４３、１４４、導体回路１２４、バイアホール１２７、スルーホール１２９等を介して発光素子１３９に送られた後、発光素子１３９で光信号に変換され、発光素子１３９（発光部１３９ａ）から発信した光信号は、光信号伝送用光路１４２を介して外部の光学素子（光ファイバや光導波路等）に送り出されることとなる。
【００６５】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、ＩＣチップに近い位置に実装された受光素子および発光素子において、光／電気信号変換を行うため、電気信号の伝送距離が短く、信号伝送の信頼性に優れ、より高速通信に対応することができる。
【００６６】
また、ＩＣチップ実装用基板１２０では、ソルダーレジスト層１３４に半田バンプ１３７が形成されているため、ＩＣチップから送り出された電気信号は、上述したように光信号に変換された後、光信号伝送用光路１４２等を介して外部に送りだされるだけでなく、半田バンプを介しても外部基板に送られることとなる。
【００６７】
このように半田バンプが形成されている場合には、上記ＩＣチップ実装用基板を外部基板と半田バンプを介して接続することができ、この場合には、半田が有するセルフアライメント作用により上記ＩＣチップ実装用基板を所定の位置に配置することができる。
【００６８】
なお、上記セルフアラインメント作用とは、ソルダーレジスト層が半田をはじくため、リフロー処理時に半田が自己の有する流動性により半田バンプ形成用開口の中央付近により安定な形状で存在しようとする作用をいう。このセルフアライメント作用を利用した場合、上記半田バンプを介して、上記ＩＣチップ実装用基板を外部基板に接続する際に、リフロー前には両者に位置ズレが発生していたとしても、リフロー時に上記ＩＣチップ実装用基板が移動し、該ＩＣチップ実装用基板を外部基板上の正確な位置に取り付けることができる。
従って、上記ＩＣチップ実装用基板に実装された受光素子や発光素子と、外部の光学素子とを光信号伝送用光路を介して、光信号の伝送を行う場合に、上記ＩＣチップ実装用基板に実装された受光素子や発光素子の実装位置が正確であれば、上記ＩＣチップ実装用基板と上記外部基板との間で正確な光信号の伝送を行うことができる。
【００６９】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、上記光信号伝送用光路の端部にマイクロレンズが配設されていることが望ましい。光信号の伝送損失をより抑えることができるからである。
【００７０】
上記マイクロレンズとしては特に限定されず、通常光学レンズに使用されているもの等が挙げられ、その材質の具体例としては、光学ガラス、光学レンズ用樹脂等が挙げられる。上記光学レンズ用樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の後述する光導波路に用いるポリマー材料と同様のもの等が挙げられる。
【００７１】
以下、光信号伝送用光路の端部にマイクロレンズが配設されたＩＣチップ実装用基板について図面を参照しながら説明する。
図２は、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の別の一実施形態を模式的に示す断面図である。なお、図２では、ＩＣチップが実装された状態のＩＣチップ実装用基板を示す。
図２に示すＩＣチップ実装用基板１１２０では、樹脂組成物１４２ａおよび空隙１４２ｂと導体層１４５とから構成される光信号伝送用光路１４２の端部に、マイクロレンズ１４６ａ、１４６ｂが接着材層１４７ａ、１４７ｂを介して配設されている。
このように、マイクロレンズを配設することにより、光信号の伝送損失を抑えることができる。
なお、ＩＣチップ実装用基板１１２０の実施形態は、マイクロレンズ１４６ａ、１４６ｂを配設した以外は、図１に示したＩＣチップ実装用基板１２０の実施形態と同一である。
【００７２】
また、ＩＣチップ実装用基板１１２０では、発光素子１３９に対向するマイクロレンズ１４６ｂは、光信号伝送用光路１４２の発光素子１３９側に配設されているが、マイクロレンズの配設位置は、光信号伝送用光路１４２の発光素子１３９側と反対側であってもよい。
なお、受光素子１３８に対向するマイクロレンズ１４６ａは、図２のように、光信号伝送用光路１４２の受光素子１３８側と反対側に配設されていることが望ましい。
【００７３】
なお、マイクロレンズの配設位置は、光信号伝送用光路の端部に限定されるわけではなく、例えば、樹脂組成物および空隙、または、樹脂組成物および空隙とこれらの周囲の導体層とから構成される光信号伝送用光路にマイクロレンズが配設される場合には、その配設位置は、樹脂組成物の端部であってもよい。この場合、マイクロレンズの配設位置は、光信号伝送用光路の内部となることもある。
このような構成からなる第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、例えば、第二の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法を用いて製造することができる。
【００７４】
次に、第二の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法について説明する。
第二の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法は、
（ａ）基板の両面に導体回路と層間絶縁層とを順次積層形成し、多層配線板とする多層配線板製造工程と、
（ｂ）上記多層配線板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
（ｃ）上記（ｂ）の工程で形成した貫通孔に連通した開口を有するソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程と
を含むことを特徴とする。
【００７５】
第二の本発明の製造方法で製造されたＩＣチップ実装用基板では、上記（ｂ）工程で形成した貫通孔と、上記（ｃ）の工程で形成した貫通孔に連通した開口とが光信号伝送用光路としての役割を果たすこととなるため、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板、即ち、ＩＣチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用光路を介して光学素子の入出力信号の伝送を行うＩＣチップ実装用基板を好適に製造することができる。
【００７６】
まず、上記（ａ）の工程、即ち、多層配線板を製造する多層配線板製造工程について工程順に説明する。具体的には、例えば、下記（１）〜（９）の工程を経ることにより多層配線板を製造することができる。
（１）絶縁性基板を出発材料とし、まず、該絶縁性基板上に導体回路を形成する。
上記絶縁性基板としては、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）樹脂基板、熱硬化性ポリフェニレンエーテル基板、銅張積層板、ＲＣＣ基板等が挙げられる。
また、窒化アルミニウム基板等のセラミック基板や、シリコン基板を用いてもよい。
上記導体回路は、例えば、上記絶縁性基板の表面に無電解めっき処理等によりベタの導体層を形成した後、エッチング処理を施すことにより形成することができる。また、銅張積層板やＲＣＣ基板にエッチング処理を施すことにより形成してもよい。
【００７７】
また、上記絶縁性基板を挟んだ導体回路間の接続をスルーホールにより行う場合には、例えば、上記絶縁性基板にドリルやレーザ等を用いてスルーホール用貫通孔を形成した後、無電解めっき処理等を施すことによりスルーホールを形成しておく。なお、上記スルーホール用貫通孔の直径は、通常、１００〜３００μｍである。
また、スルーホールを形成した場合には、該スルーホール内に樹脂充填材を充填することが望ましい。
【００７８】
（２）次に、必要に応じて、導体回路の表面に粗化形成処理を施す。
上記粗化形成処理としては、例えば、黒化（酸化）−還元処理、第二銅錯体と有機酸塩とを含むエッチング液等を用いたエッチング処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理等を挙げることができる。
ここで、粗化面を形成した場合、該粗化面の平均粗度は、通常、０．１〜５μｍが望ましく、導体回路と層間絶縁層との密着性、導体回路の電気信号伝送能に対する影響等を考慮すると２〜４μｍがより望ましい。
なお、この粗化形成処理は、スルーホール内に樹脂充填材を充填する前に行い、スルーホールの壁面にも粗化面を形成してもよい。スルーホールと樹脂充填材との密着性が向上するからである。
【００７９】
（３）次に、導体回路を形成した基板上に、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部がアクリル化された樹脂や、これらと熱可塑性樹脂と含む樹脂複合体からなる未硬化の樹脂層を形成するか、または、熱可塑性樹脂からなる樹脂層を形成する。
上記未硬化の樹脂層は、未硬化の樹脂をロールコーター、カーテンコーター等により塗布したり、未硬化（半硬化）の樹脂フィルムを熱圧着したりすることにより形成することができる。
また、上記熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成することができる。
【００８０】
これらのなかでは、未硬化（半硬化）の樹脂フィルムを熱圧着する方法が望ましく、樹脂フィルムの圧着は、例えば、真空ラミネータ等を用いて行うことができる。
また、圧着条件は特に限定されず、樹脂フィルムの組成等を考慮して適宜選択すればよいが、通常は、圧力０．２５〜１．０ＭＰａ、温度４０〜７０℃、真空度１３〜１３００Ｐａ、時間１０〜１２０秒程度の条件で行うことが望ましい。
【００８１】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
上記エポキシ樹脂の具体例としては、例えば、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂や、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００８２】
上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂等が挙げられる。
また、上記熱硬化性樹脂の一部をアクリル化した樹脂としては、例えば、上記した熱硬化性樹脂の熱硬化基とメタクリル酸やアクリル酸とをアクリル化反応させたもの等が挙げられる。
【００８３】
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）ポリエーテルイミド（ＰＩ）等が挙げられる。
【００８４】
また、上記樹脂複合体としては、熱硬化性樹脂や感光性樹脂（熱硬化性樹脂の一部をアクリル化した樹脂も含む）と熱可塑性樹脂とを含むものであれば特に限定されず、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との具体的な組み合わせとしては、例えばフェノール樹脂／ポリエーテルスルフォン、ポリイミド樹脂／ポリスルフォン、エポキシ樹脂／ポリエーテルスルフォン、エポキシ樹脂／フェノキシ樹脂等が挙げられる。また、感光性樹脂と熱可塑性樹脂との具体的な組み合わせとしては、例えば、アクリル樹脂／フェノキシ樹脂、エポキシ基の一部をアクリル化したエポキシ樹脂／ポリエーテルスルフォン等が挙げられる。
【００８５】
また、上記樹脂複合体における熱硬化性樹脂や感光性樹脂と熱可塑性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂または感光性樹脂／熱可塑性樹脂＝９５／５〜５０／５０が望ましい。耐熱性を損なうことなく、高い靱性値を確保することができるからである。
【００８６】
また、上記樹脂層は、２層以上の異なる樹脂層から構成されていてもよい。
具体的には、例えば、下層が熱硬化性樹脂または感光性樹脂／熱可塑性樹脂＝５０／５０の樹脂複合体から形成され、上層が熱硬化性樹脂または感光性樹脂／熱可塑性樹脂＝９０／１０の樹脂複合体から形成されている等である。
このような構成にすることにより、基板との優れた密着性を確保するとともに、後工程でバイアホール用開口等を形成する際の形成容易性を確保することができる。
【００８７】
また、上記樹脂層は、粗化面形成用樹脂組成物を用いて形成してもよい。
上記粗化面形成用樹脂組成物とは、例えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質が分散されたものである。
なお、上記「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００８８】
上記耐熱性樹脂マトリックスとしては、層間絶縁層に上記粗化液を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持することができるものが好ましく、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、感光性樹脂を用いることにより、層間絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用開口を形成してもよい。
【００８９】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。また、上記熱硬化性樹脂を感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル酸等を用い、熱硬化基を（メタ）アクリル化反応させる。
【００９０】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００９１】
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００９２】
上記酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質は、無機粒子、樹脂粒子および金属粒子から選ばれる少なくとも１種であることが望ましい。
【００９３】
上記無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物、ケイ素化合物等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００９４】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、例えば、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、例えば、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、例えば、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００９５】
上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解除去することができ、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去することができる。また、ナトリウム含有シリカやドロマイトはアルカリ水溶液で溶解除去することができる。
【００９６】
上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に浸漬した場合に、上記耐熱性樹脂マトリックスよりも溶解速度の早いものであれば特に限定されず、具体的には、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
なお、上記樹脂粒子は予め硬化処理されていることが必要である。硬化させておかないと上記樹脂粒子が耐熱性樹脂マトリックスを溶解させる溶剤に溶解してしまうこととなるからである。
【００９７】
また、上記樹脂粒子としては、ゴム粒子や液相樹脂、液相ゴム等を用いてもよい。
上記ゴム粒子としては、例えば、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、ポリクロロプレンゴム、ポリイソプレンゴム、アクリルゴム、多硫系剛性ゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ＡＢＳ樹脂等が挙げられる。
また、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等を使用してもよい。
【００９８】
上記液相樹脂としては、上記熱硬化性樹脂の未硬化溶液を使用することができ、このような液相樹脂の具体例としては、例えば、未硬化のエポキシオリゴマーとアミン系硬化剤の混合液等が挙げられる。
上記液相ゴムとしては、例えば、上記したポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等の未硬化溶液等を使用することができる。
【００９９】
上記液相樹脂や液相ゴムを用いて上記感光性樹脂組成物を調製する場合には、耐熱性樹脂マトリックスと可溶性の物質とが均一に相溶しない（つまり相分離するように）ように、これらの物質を選択する必要がある。
上記基準により選択された耐熱性樹脂マトリックスと可溶性の物質とを混合することにより、上記耐熱性樹脂マトリックスの「海」の中に液相樹脂または液相ゴムの「島」が分散している状態、または、液相樹脂または液相ゴムの「海」の中に、耐熱性樹脂マトリックスの「島」が分散している状態の感光性樹脂組成物を調製することができる。
そして、このような状態の感光性樹脂組成物を硬化させた後、「海」または「島」の液相樹脂または液相ゴムを除去することにより粗化面を形成することができる。
【０１００】
上記金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケル、鉄、鉛等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
また、上記金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【０１０１】
上記可溶性の物質を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性の物質の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため、層間絶縁層の絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、粗化面形成用樹脂組成物からなる層間絶縁層にクラックが発生せず、層間絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【０１０２】
上記粗化液として用いる酸としては、例えば、リン酸、塩酸、硫酸、硝酸や、蟻酸、酢酸等の有機酸等が挙げられるが、これらのなかでは有機酸を用いることが望ましい。粗化処理した場合に、バイアホールから露出する金属導体層を腐食させにくいからである。
上記酸化剤としては、例えば、クロム酸、クロム硫酸、アルカリ性過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム等）の水溶液等を用いることが望ましい。
また、上記アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水溶液が望ましい。
【０１０３】
上記可溶性の物質の平均粒径は、１０μｍ以下が望ましい。
また、平均粒径が２μｍ以下の平均粒径の相対的に大きな粗粒子と平均粒径が相対的に小さな微粒子とを組み合わせて使用してもよい。即ち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性の物質と平均粒径が１〜２μｍの可溶性の物質とを組み合わせる等である。
【０１０４】
このように、平均粒子と相対的に大きな粗粒子と平均粒径が相対的に小さな微粒子とを組み合わせることにより、薄膜導体層の溶解残渣をなくし、めっきレジスト下のパラジウム触媒量を少なくし、さらに、浅くて複雑な粗化面を形成することができる。
さらに、複雑な粗化面を形成することにより、粗化面の凹凸が小さくても実用的なピール強度を維持することができる。
上記粗粒子は平均粒径が０．８μｍを超え２．０μｍ未満であり、微粒子は平均粒径が０．１〜０．８μｍであることが望ましい。
【０１０５】
（４）次に、その材料として熱硬化性樹脂や樹脂複合体を用いた層間絶縁層を形成する場合には、未硬化の樹脂絶縁層に硬化処理を施すとともに、バイアホール用開口を形成し、層間絶縁層とする。また、この工程では、必要に応じて、スルーホール用貫通孔を形成してもよい。
上記バイアホール用開口は、レーザ処理により形成することが望ましい。また、層間絶縁層の材料として感光性樹脂を用いた場合には、露光現像処理により形成してもよい。
【０１０６】
また、その材料として熱可塑性樹脂を用いた層間絶縁層を形成する場合には、熱可塑性樹脂からなる樹脂層にバイアホール用開口を形成し、層間絶縁層とする。この場合、バイアホール用開口は、レーザ処理を施すことにより形成することができる。
また、この工程でスルーホール用貫通孔を形成する場合、該スルーホール用貫通孔は、ドリル加工やレーザ処理等により形成すればよい。
【０１０７】
上記レーザ処理に使用するレーザとしては、例えば、炭酸ガスレーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザ等が挙げられる。これらのなかでは、エキシマレーザや短パルスの炭酸ガスレーザが望ましい。
【０１０８】
また、エキシマレーザのなかでも、ホログラム方式のエキシマレーザを用いることが望ましい。ホログラム方式とは、レーザ光をホログラム、集光レンズ、レーザマスク、転写レンズ等を介して目的物に照射する方式であり、この方式を用いることにより、一度の照射で樹脂フィルム層に多数の開口を効率的に形成することができる。
【０１０９】
また、炭酸ガスレーザを用いる場合、そのパルス間隔は、１０^-4〜１０^-8秒であることが望ましい。また、開口を形成するためのレーザを照射する時間は、１０〜５００μ秒であることが望ましい。
また、光学系レンズと、マスクとを介してレーザ光を照射することにより、一度に多数のバイアホール用開口を形成することができる。光学系レンズとマスクとを介することにより、同一強度で、かつ、照射強度が同一のレーザ光を複数の部分に照射することができるからである。
このようにしてバイアホール用開口を形成した後、必要に応じて、デスミア処理を施してもよい。
【０１１０】
（５）次に、バイアホール用開口の内壁を含む層間絶縁層の表面に、導体回路を形成する。
導体回路を形成するにあたっては、まず、層間絶縁層の表面に薄膜導体層を形成する。
上記薄膜導体層は、無電解めっき、スパッタリング等の方法により形成することができる。
【０１１１】
上記薄膜導体層の材質としては、例えば、銅、ニッケル、スズ、亜鉛、コバルト、タリウム、鉛等が挙げられる。
これらのなかでは、電気特性、経済性等に優れる点から銅や銅およびニッケルからなるものが望ましい。
また、上記薄膜導体層の厚さとしては、無電解めっきにより薄膜導体層を形成する場合には、０．３〜２．０μｍが望ましく、０．６〜１．２μｍがより望ましい。また、スパッタリングにより形成する場合には、０．１〜１．０μｍが望ましい。
【０１１２】
また、上記薄膜導体層を形成する前に、層間絶縁層の表面に粗化面を形成しておいてもよい。粗化面を形成することにより、層間絶縁層と薄膜導体層との密着性を向上させることができる。特に、粗化面形成用樹脂組成物を用いて層間絶縁層を形成した場合には、酸や酸化剤等を用いて粗化面を形成することが望ましい。
【０１１３】
また、上記（４）の工程でスルーホール用貫通孔を形成した場合には、層間絶縁層上に薄膜導体層を形成する際に、貫通孔の壁面にも薄膜導体層を形成することによりスルーホールとしてもよい。
【０１１４】
（６）次いで、その表面に薄膜導体層が形成された基板の上にめっきレジストを形成する。
上記めっきレジストは、例えば、感光性ドライフィルムを張り付けた後、めっきレジストパターンが描画されたガラス基板等からなるフォトマスクを密着配置し、露光現像処理を施すことにより形成することができる。
【０１１５】
（７）その後、薄膜導体層をめっきリードとして電気めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電気めっき層を形成する。上記電気めっきとしては、銅めっきが望ましい。
また、上記電気めっき層の厚さ、５〜２０μｍが望ましい。
【０１１６】
その後、上記めっきレジストと該めっきレジスト下の薄膜導体層を除去することにより導体回路（バイアホールを含む）を形成することができる。
上記めっきレジストの除去は、例えば、アルカリ水溶液等を用いて行えばよく、上記薄膜導体層の除去は、硫酸と過酸化水素との混合液、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅等のエッチング液を用いて行えばよい。
また、上記導体回路を形成した後、必要に応じて、層間絶縁層上の触媒を酸や酸化剤を用いて除去してもよい。電気特性の低下を防止することができるからである。
また、このめっきレジストを形成した後、電気めっき層を形成する方法（工程（６）および（７））に代えて、薄膜導体層上の全面に電気めっき層を形成した後、エッチング処理を施す方法を用いて導体回路を形成してもよい。
【０１１７】
また、上記（４）および（５）の工程においてスルーホールを形成した場合には、該スルーホール内に樹脂充填材を充填してもよい。
また、スルーホール内に樹脂充填材を充填した場合、必要に応じて、無電解めっきを行うことにより樹脂充填材層の表層部を覆う蓋めっき層を形成してもよい。
【０１１８】
（８）次に、蓋めっき層を形成した場合には、必要に応じて、該蓋めっき層の表面に粗化処理を行い、さらに、上記（３）および（４）の工程を繰り返すことにより層間絶縁層を形成する。なお、この工程では、スルーホールを形成してもよいし、形成しなくてもよい。
（９）さらに、必要に応じて、（５）〜（８）の工程を繰り返すことにより、導体回路と層間絶縁層とを積層形成してもよい。
【０１１９】
このような（１）〜（９）の工程を行うことにより、基板の両面に導体回路と層間絶縁層とが積層形成された多層配線板を製造することができる。
なお、ここで詳述した多層配線板の製造方法は、セミアディテブ法であるが、上記（ａ）の工程で製造する多層配線板の製造方法は、セミアディテブ法に限定されず、フルアディテブ法、サブトラクティブ法、一括積層法、コンフォーマル法等を用いて行うこともできる。
【０１２０】
第二の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法では、上記（ａ）の工程を経て、多層配線板を製造した後、上記（ｂ）の工程、即ち、上記多層配線板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程を行う。この工程で形成する貫通孔は、ＩＣチップ実装用基板において光信号伝送用光路の役割を果たすこととなる。従って、この工程で形成する貫通孔を、以下、光路用貫通孔という。
【０１２１】
上記光路用貫通孔の形成は、例えば、ドリル加工やレーザ処理等により行う。
上記レーザ処理において使用するレーザとしては、上記バイアホール用開口の形成において使用するレーザと同様のもの等が挙げられる。
上記光路用貫通孔の形成位置は特に限定されず、導体回路の設計、ＩＣチップの実装位置等を考慮して適宜選択すればよい。
また、上記光路用貫通孔は、受光素子や発光素子等の光学素子ごとに形成することが望ましい。また、信号波長ごとに形成してもよい。
【０１２２】
また、光路用貫通孔形成後、必要に応じて、デスミア処理を行ってもよい。
上記デスミア処理は、例えば、過マンガン酸溶液による処理や、プラズマ処理、コロナ処理等を用いて行うことができる。なお、上記デスミア処理を行うことにより、光路用貫通孔内の樹脂残り、バリ等を除去することができ、光信号伝送用光路の壁面での乱反射に起因した伝送損失を低下させることができる。
【０１２３】
また、光路用貫通孔形成後、下記工程で導体層を形成したり、未硬化の樹脂組成物を充填したりする前、必要に応じて、光路用貫通孔の壁面を粗化面とする粗化面形成工程を行ってもよい。導体層や樹脂組成物との密着性の向上をはかることができるからである。
上記粗化面の形成は、例えば、硫酸、塩酸、硝酸等の酸；クロム酸、クロム硫酸、過マンガン酸塩等の酸化剤等により、基板や層間絶縁層等の光路用貫通孔を形成した際に露出した部分を溶解することにより行うことができる。また、プラズマ処理やコロナ処理等により行うこともできる。
上記粗化面の平均粗度（Ｒａ）は、０．５〜５μｍが望ましく、１〜３μｍがより望ましい。この範囲であれば、導体層や樹脂組成物との密着性に優れるともに、光信号の伝送に悪影響を及ぼさないからである。
【０１２４】
上記光路用貫通孔を形成した後には、必要に応じて、上記光路用貫通孔の壁面に導体層を形成する導体層形成工程を行ってもよい。
上記導体層の形成は、例えば、無電解めっき、スパッタリング等の方法により行うことができる。
具体的には、例えば、光路用貫通孔を形成した後、該光路用貫通孔の壁面に触媒核を付与し、その後、光路用貫通孔が形成された基板を無電解めっき浴に浸漬する方法等を用いることができる。
また、無電解めっきやスパッタリングを組み合わせて２層以上からなる導体層を形成してもよいし、無電解めっきやスパッタリングの後、電解めっきを行って２層以上からなる導体層を形成してもよい。
【０１２５】
このような導体層形成工程においては、上記光路用貫通孔の壁面に導体層を形成するとともに、上記（ａ）の工程で形成した層間絶縁層上に、最外層の導体回路を形成することが望ましい。
具体的には、まず、無電解めっき等により光路用貫通孔の壁面に導体層を形成する際に、層間絶縁層の表面全体にも導体層を形成する。
【０１２６】
次に、この層間絶縁層表面に形成した導体層上にめっきレジストを形成する。めっきレジストの形成は、例えば、感光性ドライフィルムを張り付けた後、めっきレジストパターンが描画されたガラス基板等からなるフォトマスクを密着載置し、露光現像処理を施すことにより形成する。
【０１２７】
さらに、上記層間絶縁層上に形成した導体層をめっきリードとして電解めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電気めっき層を形成し、その後、上記めっきレジストと該めっきレジスト下の導体層を除去することにより層間絶縁層上に独立した導体回路を形成する。
【０１２８】
また、上記導体層を形成した後、上記導体層の壁面に粗化層を形成してもよい。上記粗化層の形成は、例えば、黒化（酸化）−還元処理、第二銅錯体と有機酸塩とを含むエッチング液等を用いたエッチング処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理等を用いて行うことができる。
また、粗化層に代えて、または、粗化層とともに被覆層を形成してもよい。
【０１２９】
また、上記光路用貫通孔を形成した後、必要に応じて、該貫通孔に未硬化の樹脂組成物を充填する樹脂充填工程を行ってもよい。
未硬化の樹脂組成物を充填した後、硬化処理を施すことにより、その少なくとも一部が樹脂組成物により構成される光信号伝送用光路を形成することができる。具体的な未硬化の樹脂組成物の充填方法としては特に限定されず、例えば、印刷やポッティング等の方法を用いることができる。
なお、未硬化の樹脂組成物の充填を印刷により行う場合、未硬化の樹脂組成物は一回で印刷してもよいし、２回以上に分けて印刷してもよい。また、多層配線板の両面から印刷を行ってもよい。
【０１３０】
また、未硬化の樹脂組成物の充填を行う際には、上記光路用貫通孔の内積よりも少し多い量の未硬化の樹脂組成物を充填し、充填終了後、光路用貫通孔から溢れた余分な樹脂組成物を除去してもよい。
上記余分な樹脂組成物の除去は、例えば、研磨等により行うことができる。また、余分な樹脂組成物を除去する場合、樹脂組成物の状態は半硬化状態であっても良いし、完全に硬化した状態であってもよく、樹脂組成物の材料等を考慮して適宜選択すればよい。
【０１３１】
このような貫通孔形成工程と、必要に応じて行う、粗化面形成工程、導体層形成工程、および、樹脂組成物充填工程を経ることにより上記（ａ）の工程を経て製造した多層配線板に光信号伝送用光路を形成することができる。
また、上記導体層形成工程を行う際に、層間絶縁層の表面にも導体層を形成し、上述した処理を行うことにより独立した導体回路を形成することができる。勿論、上記導体層を形成工程を行わない場合であっても、上述した方法により層間絶縁層の表面に導体回路を形成することができる。
【０１３２】
次に、上記（ｃ）の工程、即ち、上記（ｂ）の工程で形成した光路用貫通孔に連通した開口を有するソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程を行う。
具体的には、例えば、下記（１）および（２）の工程を行うことによりソルダーレジスト層を形成することができる。
【０１３３】
（１）まず、光路用貫通孔を形成した多層配線板の最外層にソルダーレジスト組成物の層を形成する。
上記ソルダーレジスト組成物の層は、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなるソルダーレジスト組成物を用いて形成することができる。
【０１３４】
また、上記以外のソルダーレジスト組成物としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アクリレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０００程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコールエーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が挙げられ、その粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調整されていることが望ましい。
また、上記ソルダーレジスト組成物からなるフィルムを圧着してソルダーレジスト組成物の層を形成してもよい。特に、光路用貫通孔が空隙により構成されている場合は、フィルムを圧着してソルダーレジスト組成物の層を形成することが望ましい。
【０１３５】
（２）次に、上記ソルダーレジスト組成物の層に、上記光路用貫通孔に連通した開口（以下、光路用開口ともいう）を形成する。
具体的には、例えば、露光現像処理やレーザ処理等により形成することができる。
また、上記光路用開口を形成する際には、同時に、半田バンプ形成用開口を形成することが望ましい。なお、上記光路用開口を形成と、上記半田バンプ形成用開口の形成とは、別々に行ってもよい。
また、ソルダーレジスト層を形成する際に、予め、所望の位置に開口を有する樹脂フィルムを作製し、該樹脂フィルムを張り付けることにより、光路用開口と半田バンプ形成用開口とを有するソルダーレジスト層を形成してもよい。
【０１３６】
また、この工程では、光路用開口を形成した後、該光路用開口に未硬化の樹脂組成物を充填し、その後、硬化処理を施すことにより樹脂組成物、または、樹脂組成物とその周囲の導体層により構成される光信号伝送用光路を形成することができる。なお、ここで充填する未硬化の樹脂組成物は、上記（ｂ）の工程で充填した未硬化と樹脂組成物と同様の組成からなるものが望ましい。
【０１３７】
また、上記未硬化の樹脂組成物を充填する方法としては特に限定されず、上記（ｂ）の工程で光路用貫通孔に未硬化の樹脂組成物を充填する際に用いた方法と同様の方法等を用いることができる。
なお、この工程で未硬化の樹脂組成物を充填する場合、上記（ｂ）の工程で先に、光路用貫通孔内に未硬化の樹脂組成物を充填しておくことが望ましいが、上記（ｂ）の工程においては、未硬化の樹脂組成物の充填は行わず、この工程で、光路用開口を形成した後、該光路用開口と上記光路用貫通孔とに、同時に未硬化の樹脂組成物を充填してもよい。
【０１３８】
このような（１）および（２）の工程を経ることにより、光路用貫通孔の形成された多層配線板上に、該光路用貫通孔と連通した開口を有するソルダーレジスト層を形成することができる。
【０１３９】
また、上記光路用貫通孔と上記光路用開口とを形成した後、必要に応じて、該光路用開口の端部にマイクロレンズを配設するマイクロレンズ配設工程を行ってもよい。
上記マイクロレンズの配設は、光学レンズを接着剤層を介して取り付けることにより行うことが望ましい。
【０１４０】
また、光学レンズ用樹脂を用いてマイクロレンズの配設を行う場合には、上記光光路用開口の端部に、未硬化の光学レンズ用樹脂を適量滴下し、この未硬化の光学レンズ用樹脂に硬化処理を施すことによりマイクロレンズを配設することができる。従って、この場合には、上記光路用開口内に樹脂組成物が充填されていることが望ましい。
このような方法を用いる場合、未硬化の光学レンズ用樹脂の滴下は、例えば、ディスペンサー、インクジエット、マイクロピペット、マイクロシリンジ等の装置を用いて行うことができる。また、これらの装置を用いて滴下した未硬化の光学レンズ用樹脂は、表面張力により球形になろうとするため、光路用開口の端部（樹脂組成物の端部）で半球状となり、硬化後、この半球状の光学レンズ用樹脂がマイクロレンズとなる。
また、光学レンズ用樹脂からなるマイクロレンズの直径や曲面の形状等は、樹脂組成物と未硬化の光学レンズ用樹脂との塗れ性等を考慮しながら、適宜未硬化の光学レンズ用樹脂の粘度等を調整することで制御することができる。
【０１４１】
なお、樹脂組成物および空隙、または、樹脂組成物および空隙とこれらの周囲の導体層とから構成される光信号伝送用光路にマイクロレンズを配設する場合には、樹脂組成物の端部にマイクロレンズを配設してもよく、この場合、マイクロレンズの配設位置は、光信号伝送用光路の端部に限定されない。
【０１４２】
また、上記（ａ）〜（ｃ）の工程を行う第二の本発明の製造方法では、多層配線板を製造した後、該多層配線板に光路用貫通孔を形成し、その後、ソルダーレジスト層の形成を行っているが、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を製造する際には、場合によっては、多層配線板を製造した後、先に、ソルダーレジスト層の形成を行い、その後、光信号伝送用光路を形成するための貫通孔を形成してもよい。
【０１４３】
第二の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法では、このような（ａ）〜（ｃ）の工程を行った後、例えば、下記の方法を用いて、半田パッドや半田バンプの形成、光学素子の実装を行うことによりＩＣチップ実装用基板を製造することができる。
【０１４４】
即ち、上記半田バンプ形成用開口を形成することにより露出した導体回路部分を、必要に応じて、ニッケル、パラジウム、金、銀、白金等の耐食性金属により被覆し、半田パッドとする。これらのなかでは、ニッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パラジウム、ニッケル−パラジウム−金等の金属により被覆層を形成することが望ましい。
上記被覆層は、例えば、めっき、蒸着、電着等により形成することができるが、これらのなかでは、被覆層の均一性に優れるという点からめっきにより形成することが望ましい。
【０１４５】
さらに、上記半田パッドに相当する部分に開口部が形成されたマスクを介して、上記半田パッドに半田ペーストを充填した後、リフローすることにより半田バンプを形成する。
【０１４６】
さらに、ソルダーレジスト層に光学素子（受光素子および発光素子）を実装する。光学素子の実装は、例えば、上記半田バンプを介して行うことができる。また、例えば、上記半田バンプを形成する際に、半田ペーストを充填した時点で光学素子を取りつけておき、リフローと同時に光学素子の実装を行ってもよい。
また、半田に代えて、導電性接着剤等を用いて光学素子を実装してもよい。
このような工程を経ることにより、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を製造することができる。
【０１４７】
次に、第三の本発明の光通信用デバイスについて説明する。
第三の本発明の光通信用デバイスは、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とからなる光通信用デバイスであって、
上記ＩＣチップ実装用基板には、該ＩＣチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用光路が形成されていることを特徴とする。
【０１４８】
第三の本発明の光通信用デバイスでは、上記ＩＣチップ実装用基板に形成された光信号伝送用光路を介して光信号の伝送を行うことができる。
【０１４９】
上記光通信用デバイスを構成するＩＣチップ実装用基板としては、該ＩＣチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用光路が形成されているものであれば特に限定されないが、上述した第一の本発明のＩＣチップ実装用基板が望ましい。ＩＣチップ実装用基板として、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を用いることにより、上述した種々の効果を得ることができるからである。
【０１５０】
なお、上記した形状の光信号伝送用光路が形成されているＩＣチップ実装用基板としては、ＲＣＣタイプ基板等を用いてもよい。
【０１５１】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、最外層にソルダーレジスト層が形成されているが、第三の本発明の光通信用デバイスを構成するＩＣチップ実装用基板では、最外層にソルダーレジスト層が形成されていなくてもよい。ただし、ＩＣチップ実装用基板の最外層にソルダーレジスト層が形成されている場合には、多層プリント配線板と半田バンプ等を介して接続する際や、光学素子を表面実装する際に、セルフアライメント作用による位置合わせの効果を得ることができる。
【０１５２】
上記光通信用デバイスを構成する多層プリント配線板としては、例えば、基板と導体回路とを含んで構成され、さらに、光導波路が形成されたもの等が挙げられる。
このような多層プリント配線板では、光導波路を介して光信号の伝送を行うことができる。
また、上記多層プリント配線板では、上記ＩＣチップ実装用基板との間（例えば、上記ＩＣチップ実装用基板に実装された光学素子との間）で、光信号の伝送を行うことができるように、必要に応じて、光信号伝送用光路が形成されていてもよい。
【０１５３】
上記光導波路の材料としては、例えば、石英ガラス、化合物半導体、ポリマー材料等が挙げられる。これらのなかでは、加工性に優れるとともに、多層プリント配線板の層間絶縁層との密着性に優れ、低コストである点からポリマーが望ましい。
【０１５４】
上記ポリマー材料としては、従来公知のものを用いることができ、具体的には、例えば、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、重水素化ＰＭＭＡ、重水素フッ素化ＰＭＭＡ等のアクリル樹脂；フッ素化ポリイミド等のポリイミド樹脂；エポキシ樹脂；ＵＶ硬化性エポキシ樹脂；重水素化シリコーン樹脂等のシリコーン樹脂；ベンゾシクロブテンから製造されるポリマー等が挙げられる。
【０１５５】
また、上記光導波路の厚さは１〜５０μｍが望ましく、その幅は１〜５０μｍが望ましい。
また、上記ＩＣチップ実装用基板に受光素子および発光素子が実装されており、上記多層プリント配線板において、上記受光素子および発光素子に対向するそれぞれの位置に光導波路が形成されている場合には、上記受光素子に対向する位置に形成された光導波路と、上記発光素子に対向する位置に形成された光導波路とは同一の材料からなるものであることが望ましい。
【０１５６】
また、上記光導波路には、光路変換ミラーが形成されていることが望ましい。光路変換ミラーを形成することにより、光路を所望の角度に変更することが可能だからである。
上記光路変換ミラーの形成は、後述するように、例えば、光導波路の一端を研削することにより行うことができる。
【０１５７】
また、上記多層プリント配線板は、電気信号を伝達するための半田バンプが形成されていることが望ましい。これにより、外部電子部品や外部基板との間で電気信号の伝送を行うことができるからである。
また、半田バンプが形成されている場合には、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とを半田バンプを介して接続することにより、ＩＣチップ実装用基板に実装された受光素子や発光素子と、多層プリント配線板に形成された光導波路とが対向する所定の位置に両者を配置することができる。半田のセルフアライメント作用を利用することができるからである。なお、上記ＩＣチップ実装用基板と上記多層プリント配線板とがＰＧＡやＢＧＡを介して接続されている場合にも同様の効果を得ることができる。
【０１５８】
以上説明したように、第三の本発明の光通信用デバイスは、上述したような光信号伝送用光路が形成されたＩＣチップ実装用基板と、多層プリント配線板とからなるものであれば特に限定されないが、受光素子および発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板と、光導波路が形成された多層プリント配線板とからなり、上記受光素子および発光素子と光導波路との間で光信号伝送用光路を介して光信号を伝送することができるように構成されたものであることが望ましい。
【０１５９】
第三の本発明の光通信用デバイスの実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図３は、第三の本発明の光通信用デバイスの一実施形態を模式的に示す断面図である。なお、図３では、ＩＣチップが実装された状態の光通信用デバイスを示す。
【０１６０】
図３に示すように、第三の本発明の光通信用デバイス２５０は、ＩＣチップ２４０を実装したＩＣチップ実装用基板２２０と多層プリント配線板２００とから構成され、ＩＣチップ実装用基板２２０と多層プリント配線板２００とは、半田接続部２４１を介して電気的に接続されている。
【０１６１】
ＩＣチップ実装用基板２２０は、基板２２１の両面に導体回路２２４と層間絶縁層２２２とが積層形成され、基板２２１を挟んだ導体回路同士、および、層間絶縁層２２２を挟んだ導体回路同士は、それぞれ、スルーホール２２９およびバイアホール２２７により電気的に接続されている。
また、ＩＣチップ実装用基板２２０には、これを貫通する光信号伝送用光路２５１が形成されており、この光信号伝送用光路２５１は、その壁面の一部に導体層２５１ｂが形成され、さらに、その内部の一部に樹脂組成物２５１ａが充填されている。従って、光信号伝送用光路２５１は、樹脂組成物および空隙とこれらの周囲の導体層とから構成されている。
【０１６２】
また、ＩＣチップ実装用基板２２０では、ＩＣチップ２４０が実装された側の面に受光素子２３８および発光素子２３９が実装され、光信号伝送用光路２５１を介して、受光素子２３８や発光素子２３９と光導波路２１９（２１９ａ、２１９ｂ）との間で光信号を伝送することができるように構成されている。
さらに、ＩＣチップ用実装基板２２０の最外層には、半田バンプを備えたソルダーレジスト層２３４が形成されている。
【０１６３】
多層プリント配線板２００は、基板２０１の両面に導体回路２０４と層間絶縁層２０２とが積層形成され、基板２０１を挟んだ導体回路同士、および、層間絶縁層２０２を挟んだ導体回路同士は、それぞれ、スルーホール２０９およびバイアホール２０７により電気的に接続されている。
また、多層プリント配線板２００のＩＣチップ用実装基板２２０と対向する側の最外層には、光路用開口２１１と半田バンプとを備えたソルダーレジスト層２１４が形成されるとともに、光路用開口２１１（２１１ａ、２１１ｂ）直下に光変換ミラー２１９（２１９ａ、２１９ｂ）を備えた光導波路２１８（２１８ａ、２１８ｂ）が形成されている。
【０１６４】
このような構成からなる光通信用デバイス２５０では、光ファイバ（図示せず）を介して外部から送られてきた光信号が、光導波路２１８ａに導入され、光路変換ミラー２１９ａ、光路用開口２１１ａおよび光信号伝送用光路２５１を介して受光素子２３８（受光部２３８ａ）に送られた後、受光素子２３８で電気信号に変換され、さらに、半田接続部２４２、導体回路２２４、バイアホール２２７、および、半田接続部２４３を介してＩＣチップ２４０に送られることとなる。
【０１６５】
また、ＩＣチップ２４０から送り出された電気信号は、半田接続部２４３、バイアホール２２７、導体回路２２４、および、半田接続部２４２を介して発光素子２３９に送られた後、発光素子２３９で光信号に変換され、この光信号が発光素子２３９（発光部２３９ａ）から光信号伝送用光路２５１、光路用開口２１１ｂおよび光変換ミラー２１９ｂ介して光導波路２１８ｂに導入され、さらに、光ファイバ（図示せず）を介して光信号として外部に送りだされることとなる。
【０１６６】
第三の本発明の光通信用デバイスでは、ＩＣチップ実装用基板の表面、即ち、ＩＣチップに近い位置で、光／電気信号変換を行うため、電気信号の伝送距離が短く、より高速通信に対応することができる。
また、ＩＣチップから送り出された電気信号は、上述したように光信号に変換された後、光ファイバを介して外部に送りだされるだけでなく、半田接続部を介して多層プリント配線板に送られ、該多層プリント配線板の導体回路（バイアホール、スルーホールを含む）を介して、多層プリント配線板に実装された他のＩＣチップ等の電子部品に送られることとなる。
また、このような構成からなる光通信用デバイス２５０では、ＩＣチップ実装用基板に実装した受光素子および発光素子、ならびに、多層プリント配線板に形成した光導波路に位置ズレが発生しにくいため、光信号の接続信頼性に優れることとなる。
【０１６７】
なお、図３に示した多層プリント配線板における光導波路の形成位置は、ＩＣチップ実装用基板に近い側の最外層の層間絶縁層上であるが、第三の本発明のＩＣチップ実装用基板を構成する多層プリント配線板において、光導波路の形成位置はここに限定されるわけではなく、層間絶縁層同士の間であってもよいし、基板上であってもよい。
【０１６８】
次に、第三の本発明の光通信用デバイスを製造する方法について説明する。
上記光通信用デバイスの製造は、例えば、まず、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とを別々に製造し、その後、両者を半田等を介して接続することにより行うことができる。
従って、ここでは、まず、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とのそれぞれを製造する方法について説明し、その後、両者を接続する方法について説明する。
【０１６９】
上記ＩＣチップ実装用基板を製造する方法としては、例えば、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を製造する方法と同様の方法等を用いることができる。
なお、第三の本発明の光通信用デバイスを構成するＩＣチップ実装用基板は、上述したように、必ずしもソルダーレジスト層が形成されている必要がない。従って、ソルダーレジスト層が形成されていないＩＣチップ実装用基板を製造する場合には、第二の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法において、（ｃ）の工程を行わなければよい。
【０１７０】
上記多層プリント配線板を製造する方法としては、例えば、下記（１）〜（６）の工程を行う方法等を用いることができる。
（１）第二の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の（ａ）の工程と同様の方法を用いて多層配線板を製造する。
【０１７１】
（２）次に、上記多層配線板の層間絶縁層上の導体回路非形成部に光導波路を形成する。
上記光導波路の形成は、その材料に石英ガラス等の無機材料を用いて行う場合には、予め、所定の形状に成形しておいた光導波路を接着剤を介して取り付けることにより行うことができる。
上記無機材料からなる光導波路は、例えば、ＬｉＮｂＯ_３、ＬｉＴａＯ_３等の無機材料を液相エピタキシャル法、化学堆積法（ＣＶＤ）、分子線エピタキシャル法等により成膜させることにより形成することができる。
【０１７２】
また、上記光導波路をポリマー材料を用いて形成する場合は、予め、基板や離型フィルム上でフィルム状に形成しておいた光導波路形成用フィルムを層間絶縁層上に張り付けたり、層間絶縁層に直接形成することにより、光導波路を形成することができる。
具体的には、選択重合法、反応性イオンエッチングとフォトリソグラフィーとを用いる方法、直接露光法、射出成形を用いる方法、フォトブリーチング法、これらを組み合わせた方法等を用いて形成することができる。
なお、これらの方法は、光導波路を基板や離型フィルム上に形成する場合にも、層間絶縁層上に形成する直接形成する場合にも用いることができる。
【０１７３】
また、上記光導波路には、光路変換ミラーを形成する。
上記光路変換ミラーは、光導波路を層間絶縁層上に取り付ける前に形成しておいてもよいし、層間絶縁層上に取り付けた後に形成してもよいが、該光導波路を層間絶縁層上に直接形成する場合を除いて、予め光路変換ミラーを形成しておくことが望ましい。作業を容易に行うことができ、また、多層プリント配線板を構成する他の部材、例えば、導体回路や層間絶縁層等を傷付けたり、これらを破損させたりするおそれがないからである。
【０１７４】
上記光路変換ミラーを形成する方法としては特に限定されず、従来公知の形成方法を用いることができる。具体的には、例えば、先端がＶ形９０°のダイヤモンドソーや刃物による機械加工、反応性イオンエッチングによる加工、レーザアブレーション等を用いることができる。
【０１７５】
（３）次に、光導波路を形成した多層配線板の最外層にソルダーレジスト層を形成する。上記ソルダーレジスト層は、例えば、上記ＩＣチップ実装用基板のソルダーレジスト層を形成する際に用いる樹脂組成物と同様の樹脂組成物を用いて形成することができる。なお、上記ソルダーレジスト層の形成は必要に応じて行えばよい。
【０１７６】
（４）次に、ＩＣチップ実装用基板と対向する側のソルダーレジスト層に半田バンプ形成用開口と光路用開口とを形成する。
上記半田バンプ形成用開口と光路用開口との形成は、ＩＣチップ実装用基板に半田バンプ形成用開口を形成する方法と同様の方法、即ち、露光現像処理やレーザ処理等を用いて行うことができる。
なお、上記半田バンプ形成用開口の形成と、光路用開口の形成とは同時に行ってもよいし、別々に行ってもよい。
【０１７７】
これらのなかでは、ソルダーレジスト層を形成する際に、その材料として感光性樹脂を含む樹脂組成物を塗布し、露光現像処理を施すことにより半田バンプ形成用開口と光路用開口とを形成する方法を選択することが望ましい。
露光現像処理により光路用開口を形成する場合には、開口形成時に、該光路用開口の下に存在する光導波路に傷を付けるおそれがないからである。
また、ソルダーレジスト層を形成する際に、予め、所望の位置に開口を有する樹脂フィルムを作製し、該樹脂フィルムを張り付けることにより、半田バンプ形成用開口と光路用開口とを有するソルダーレジスト層を形成してもよい。
【０１７８】
また、必要に応じて、ＩＣチップ実装用基板と対向する面と反対側のソルダーレジスト層にも半田バンプ形成用開口を形成してもよい。
後工程を経ることにより、ＩＣチップ実装用基板と対向する面と反対側のソルダーレジスト層にも外部接続端子を形成することができるからである。
【０１７９】
また、この工程では、光路用開口を形成した後、該光路用開口に樹脂組成物を充填してもよい。なお、上記光路用開口内に充填する樹脂組成物としては、第二の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法において、光路用貫通孔に充填する樹脂組成物と同様のもの等が挙げられる。
【０１８０】
（５）次に、上記半田バンプ形成用開口を形成することにより露出した導体回路部分を、必要に応じて、ニッケル、スズ、パラジウム、金、銀、白金等の耐食性金属により被覆し、半田パッドとする。具体的には、ＩＣチップ実装用基板に半田パッドを形成する方法と同様の方法を用いて行えばよい。
【０１８１】
（６）次に、上記半田パッドに相当する部分に開口部が形成されたマスクを介して、上記半田パッドに半田ペーストを充填した後、リフローすることにより半田バンプを形成する。なお、場合によっては、ＰＧＡやＢＧＡを形成してもよい。また、ＩＣチップ実装用基板と対向する面と反対側のソルダーレジスト層では、外部基板接続面に、ピンを配設したり、半田ボールを形成したりすることにより、ＰＧＡ（Pin Grid Array）やＢＧＡ（Ball Grid Array）としてもよい。
このような工程を経ることにより、第三の本発明の光通信用デバイスを構成する多層プリント配線板を製造することができる。
【０１８２】
次に、上記した方法で製造したＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とを用い、光通信用デバイスを製造する方法について説明する。
まず、上記ＩＣチップ実装用基板の半田バンプと、上記多層プリント配線板の半田バンプとにより半田接続部を形成し、両者を電気的に接続する。
即ち、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とをそれぞれ所定の位置に、所定の向きで対向配置し、その後、リフローすることにより両者を接続し、光通信用デバイスとすることができる。
【０１８３】
また、この工程では、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とを両者の半田バンプを用いて接続するため、両者を対向配置した際に、両者の間で若干の位置ズレが存在していても、リフロー時に半田によるセルフアライメント効果で両者を所定の位置に配置することができる。
なお、上記ＩＣチップ実装用基板および多層プリント配線板のそれぞれの対向する面のうち、どちらか一方の面にのみ半田バンプが形成されていてもよい。この場合も両者を電気的に接続することができるからである。
【０１８４】
次に、上記ＩＣチップ実装用基板にＩＣチップを実装し、その後、必要に応じて、樹脂封止を行う。
上記ＩＣチップの実装は従来公知の方法で行うことができる。なお、ＩＣチップは、上述したように、フリップチップ接続により実装することができるものが望ましい。
また、ＩＣチップの実装を、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とを接続する前に行い、ＩＣチップを実装したＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とを接続してもよい。
このような工程を経ることにより、第三の本発明の光通信用デバイスを製造することができる。
【０１８５】
次に、第四の本発明の光通信用デバイスについて説明する。
第四の本発明の光通信用デバイスは、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とからなる光通信用デバイスであって、
上記多層プリント配線板は、基板と導体回路とを含んで構成されており、
前記多層プリント配線板には、少なくとも基板を貫通する光信号伝送用光路が形成されていること特徴とする。
【０１８６】
第四の本発明の光通信用デバイスでは、上記多層プリント配線板に形成された光信号伝送用光路を介して光信号の伝送を行うことができる。
【０１８７】
上記光通信用デバイスを構成するＩＣチップ実装用基板としては特に限定されず、例えば、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板等が挙げられる。
また、第四の本発明の光通信用デバイスを構成するＩＣチップ実装用基板には、必ずしも光信号伝送用光路が形成されている必要はない。従って、上記ＩＣチップ実装用基板に受光素子や発光素子等の光学素子を実装する場合には、ＩＣチップ実装用基板の多層プリント配線板と対向する側に、半田や導電性接着剤等を介して取り付ければよい。この場合、ＩＣチップ実装用基板に光信号伝送用光路が形成されていなくても、受光素子や発光素子と多層プリント配線板に形成した光導波路との間で光信号の伝送を行うことができる。また、光学素子がＩＣチップ実装用基板の多層プリント配線板と対向する側に実装されている場合も、該光学素子は、ＩＣチップ実装用基板の表面に実装されていることが望ましい。
【０１８８】
また、第四の本発明の光通信用デバイスを構成するＩＣチップ実装用基板は、導体回路、層間絶縁層および上記層間絶縁層を挟んだ導体回路間を接続するバイアホールを含んで構成されていることが望ましい。ＩＣチップ実装用基板の高密度化をはかることができるからである。
なお、上記ＩＣチップ実装用基板としては、ＲＣＣタイプ基板等を用いてもよい。
【０１８９】
また、上記ＩＣチップ実装用基板では、最外層にソルダーレジスト層が形成されていなくてもよい。ただし、ＩＣチップ実装用基板の最外層にソルダーレジスト層が形成されている場合には、多層プリント配線板と半田バンプ等を介して接続する際や、光学素子を表面実装する際に、セルフアライメント作用による位置合わせの効果を得ることができる。
【０１９０】
また、第四の本発明の光通信用デバイスを構成する多層プリント配線板は、基板と導体回路とを含んで構成されており、さらに、少なくとも上記基板を貫通する光信号伝送用光路が形成されたものである。
このような多層プリント配線板では、上記光信号伝送用光路を介して、外部基板（ＩＣチップ実装用基板）との間で光信号の授受を行うことができる。
【０１９１】
また、上述したような光信号伝送用光路が形成されている多層プリント配線板では、光導波路を形成する場合、該光導波路の形成位置の自由度が高まることとなり、多層プリント配線板の高密度化をはかることができる。これは、光導波路の形成位置の自由度が高まることにより、多層プリント配線板の設計においてフリースペースが広くなるからである。
【０１９２】
また、上記多層プリント配線板では、光導波路を形成する場合、該光導波路の位置合わせを光信号伝送用光路を基準として光学的処理や機械的処理により行うことができるため、正確に、かつ、所望の位置に光導波路を形成することができる。
【０１９３】
上記光信号伝送用光路は、空隙により構成されていることが望ましい。光信号伝送用光路が空隙により形成されている場合には、その形成が容易であるとともに、該光信号伝送用光路を介した光信号の伝送において、伝送損失が発生しにくい。なお、上記光信号伝送用光路の構成を空隙とするか否かは、基板の厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。
【０１９４】
また、上記光信号伝送用光路は、樹脂組成物および空隙により構成されていることも望ましい。上記光信号伝送用光路が樹脂組成物および空隙により構成されている場合には、多層プリント配線板の強度の低下を防ぐことができる。
【０１９５】
また、上記光信号伝送用光路は、樹脂組成物により構成されていることも望ましい。上記光信号伝送用光路が樹脂組成物により構成されている場合には、ＩＣチップ実装用基板の強度の低下を防止することができる。
また、光信号伝送用光路が樹脂組成物により構成されていると、該光信号伝送用光路内にゴミや異物等が入り込むことを防止することができるため、ゴミや異物等の存在に起因して光信号の伝送が阻害されることを防止することができる。
【０１９６】
また、上述したような構成の光信号伝送用光路、すなわち、空隙および／または樹脂組成物から構成される光信号伝送用光路では、熱処理工程や信頼性試験下において、熱等による悪影響（例えば、光信号伝送用光路の断面の径が小さくなる等）が発生しにくい。
【０１９７】
上記光信号伝送用光路の一部または全部が樹脂組成物で構成されている場合、該樹脂組成物としては、例えば、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板おいて、光信号伝送用光路を構成する樹脂組成物と同様のもの等が挙げられる。
【０１９８】
上記光信号伝送用光路の形状は特に限定されず、例えば、円柱状、楕円柱状、四角柱状、多角柱状等が挙げられる。これらのなかでは、円柱状が望ましい。その形成が容易だからである。
【０１９９】
また、上記光信号伝送用光路の断面の径は、望ましい下限が１００μｍであり、望ましい上限が５００μｍである。上記断面の径が１００μｍ未満では、光路が塞がれてしまうおそれがあるとともに、該光信号伝送用光路の少なくとも一部が樹脂組成物から構成されている場合、未硬化の樹脂組成物を充填することが困難である。一方、上記断面の径を５００μｍより大きくしても光信号の伝送性はあまり向上せず、多層プリント配線板を構成する導体回路等の設計の自由度を阻害する原因となることがあるからである。
より望ましい断面の径は、下限が２５０μｍであり、上限が３５０μｍである。光信号の伝送性と設計の自由度とがともに優れ、また、未硬化の樹脂組成物を充填する際にも不都合が発生しないからである。
【０２００】
上記光信号伝送用光路は、空隙とその周囲の導体層とから構成されていることが望ましい。
また、上記光信号伝送用光路は、樹脂組成物とその周囲の導体層とから構成されていることも望ましい。
また、上記光信号伝送用光路は、樹脂組成物および空隙とこれらの周囲の導体層とから構成されていることも望ましい。
なお、上記導体層が形成されている場合、該導体層は、樹脂組成物および／または空隙の周囲全体に形成されていてもよいし、周囲の一部にのみ形成されていてもよい。
【０２０１】
このように、光信号伝送用光路に導体層を形成することにより、光信号伝送用光路の壁面での光の乱反射を低減し、光信号の伝送性を向上させることができる。上記導体層は、１層から形成されていてもよく、２層以上から構成されていてもよい。
上記導体層の材料としては、例えば、銅、ニッケル、クロム、チタン、貴金属等が挙げられる。
また、上記導体層は、場合によっては、スルーホールとしての役目、即ち、基板を挟んだ導体回路間や、基板と層間絶縁層とを挟んだ導体回路間を電気的に接続する役目を果たすことができる。
【０２０２】
上記導体層の材料としては、ニッケル、貴金属等の光沢を有する金属が望ましい。光沢を有する金属からなる導体層を形成した場合、光信号の損失がより少なく、また、光信号の伝送が阻害されることもより少ないため、光信号は光信号伝送用光路を介して確実に伝送されることとなるからである。
【０２０３】
また、上記導体層の上に、さらに、スズ、チタン、亜鉛等からなる被覆層や粗化層を設けてもよい。光信号伝送用光路を介して伝送される光信号の種類（波長等）によっては、光信号伝送用光路の壁面における光の乱反射を抑えることが望ましい場合があり、上記被覆層や上記粗化層を設けて、該壁面における光の乱反射を低減することにより、光信号の伝送性を向上させることができる場合がある。また、光信号伝送用光路の壁面に上記粗化層等を形成することにより、光信号伝送用光路と基板や層間絶縁層との密着性をより向上させることができる。
【０２０４】
また、上記樹脂組成物により構成される光信号伝送用光路（空隙および樹脂組成物により構成される光信号伝送用光路のうちの樹脂組成物からなる部分を含む）や上記導体層は、基板や層間絶縁層と粗化面を介して接していてもよい。上記光信号伝送用光路等が、粗化面を介して接している場合には、基板や層間絶縁層との密着性に優れ、光信号伝送用光路等の剥離がより発生しにくいからである。
【０２０５】
上記多層プリント配線板においては、上記光信号伝送用光路として、受光用光信号伝送用光路と発光用光信号伝送用光路と両方が形成されていてもよいし、どちらか一方のみが形成されていてもよい。従って、上記多層プリント配線板においては、複数の光信号伝送用光路が形成されていてもよい。
また、上記多層プリント配線板においては、通信波長ごとに光信号伝送用光路が形成されていてもよい。
【０２０６】
上記多層プリント配線板に形成した光信号伝送用光路の端部、特に、ＩＣチップ実装用基板と対向する側の端部には、マイクロレンズが配設されていることが望ましい。光信号の伝送損失をより低減することができるからである。
上記マイクロレンズとしては、例えば、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、光信号伝送用光路の端部に形成するマイクロレンズと同様のもの等が挙げられる。
【０２０７】
また、上記多層プリント配線板には、光導波路が形成されていることが望ましい。
このような多層プリント配線板では、光信号伝送用光路および光導波路を介して光信号の伝送を行うことができる。
上記光導波路としては、例えば、第三の本発明の光通信用デバイスを構成する多層プリント配線板に形成される光導波路と同様のもの等が挙げられる。
【０２０８】
また、上記光導波路には、第三の本発明の光通信用デバイスを構成する多層プリント配線板と同様、光路変換ミラーが形成されていることが望ましい。
【０２０９】
また、上記多層プリント配線板は、導体回路、層間絶縁層および上記層間絶縁層を挟んだ導体回路間を接続するバイアホールを含んで構成されていてもよい。このような構成とすることにより、多層プリント配線板の高密度化をはかることができる。
【０２１０】
また、上記多層プリント配線板は、電気信号を伝達するための半田バンプが形成されていることが望ましい。これにより、外部電子部品や外部基板との間で電気信号の伝送を行うことができるからである。
また、半田バンプが形成されている場合には、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とを半田バンプを介して接続することにより、ＩＣチップ実装用基板に実装された受光素子や発光素子と、多層プリント配線板に形成された光導波路とが対向する所定の位置に両者を配置することができる。半田のセルフアライメント作用を利用することができるからである。なお、上記ＩＣチップ実装用基板と上記多層プリント配線板とがＰＧＡやＢＧＡを介して接続されている場合にも同様の効果を得ることができる。
【０２１１】
以上説明したように、第四の本発明の光通信用デバイスは、ＩＣチップ実装用基板と、上述したような光信号伝送用光路が形成された多層プリント配線板とからなるものであれば特に限定されないが、受光素子および発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板と、光導波路が形成された多層プリント配線板とからなり、上記受光素子および発光素子と光導波路との間で光信号伝送用光路を介して光信号を伝送することができるように構成されたものであることが望ましい。
【０２１２】
第四の本発明の光通信用デバイスの実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図４は、第四の本発明の光通信用デバイスの一実施形態を模式的に示す断面図である。なお、図４では、ＩＣチップが実装された状態の光通信用デバイスを示す。
【０２１３】
図４に示すように、第四の本発明の光通信用デバイス３５０は、ＩＣチップ３４０を実装したＩＣチップ実装用基板３２０と多層プリント配線板３００とから構成され、ＩＣチップ実装用基板３２０と多層プリント配線板３００とは、半田接続部３４１を介して電気的に接続されている。
【０２１４】
ＩＣチップ用実装基板３２０は、基板３２１の両面に導体回路３２４と層間絶縁層３２２とが積層形成され、基板３２１を挟んだ導体回路同士、および、層間絶縁層３２２を挟んだ導体回路同士は、それぞれ、スルーホール３２９およびバイアホール３２７により電気的に接続されている。
また、ＩＣチップ用実装基板３２０の最外層には、半田バンプを備えたソルダーレジスト層３３４が形成されており、加えて、多層プリント配線板３００と対向する側の最外層は、受光部３３８ａおよび発光部３３９ａがそれぞれ露出するように、受光素子３３８および発光素子３３９を備えている。
【０２１５】
多層プリント配線板３００は、基板３０１の両面に導体回路３０４と層間絶縁層３０２とが積層形成され、基板３０１を挟んだ導体回路同士、および、層間絶縁層３０２を挟んだ導体回路同士は、それぞれ、スルーホール３０９およびバイアホール３０７により電気的に接続されている。
また、多層プリント配線板３００には、基板３０１と層間絶縁層３０２とソルダーレジスト層３１４とを貫通する光信号伝送用光路３６１が形成されており、この光信号伝送用光路３６１を介して、光導波路３１９（３１９ａ、３１９ｂ）と受光素子３３８や発光素子３３９との間で光信号の伝送を行うことができるように構成されている。さらに、この光信号伝送用光路３６１は、その壁面の一部に導体層３６１ｂが形成され、その内部の一部に樹脂組成物３６１ａが充填されている。
多層プリント配線板３００では、光導波路３１９が、基板３０１を挟んでＩＣチップ実装用基板３２０と反対側の最外層の層間絶縁層３０２上に形成されており、光導波路３１９は光路変換ミラー３１９（３１９ａ、３１９ｂ）を備えている。
図４に示す光通信用デバイス３５０では、受光素子および発光素子が多層プリント配線板と対向する側の面に実装されることとなる。
【０２１６】
なお、図４に示した多層プリント配線板における光導波路の形成位置は、最外層の層間絶縁層上であるが、第四の本発明のＩＣチップ実装用基板を構成する多層プリント配線板において、光導波路の形成位置はここに限定されるわけではなく、層間絶縁層同士の間であってもよいし、基板上であってもよい。
【０２１７】
このような第四の本発明の光通信用デバイスでは、ＩＣチップ実装用基板内、即ち、ＩＣチップに近い位置で、光／電気信号変換を行うため、電気信号の伝送距離が短く、より高速通信に対応することができる。
また、ＩＣチップから送り出された電気信号は、上述したように光信号に変換された後、光ファイバを介して外部に送りだされるだけでなく、半田接続部を介して多層プリント配線板に送られ、該多層プリント配線板の導体回路（バイアホール、スルーホールを含む）を介して、多層プリント配線板に実装された他のＩＣチップ等の電子部品に送られることとなる。
また、このような構成からなる光通信用デバイスでは、ＩＣチップ実装用基板に実装した受光素子および発光素子、ならびに、多層プリント配線板に形成した光導波路に位置ズレが発生しにくいため、光信号の接続信頼性に優れることとなる。
【０２１８】
次に、第四の本発明の光通信用デバイスを製造する方法について説明する。
上記光通信用デバイスを製造する場合もまた、第三の本発明の光通信用デバイスを製造する場合と同様、まず、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とを別々に製造し、その後、両者を半田等を介して接続することにより製造することができる。
従って、ここでは、まず、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とのそれぞれを製造する方法について説明し、その後、両者を接続する方法について説明する。
【０２１９】
上記ＩＣチップ実装用基板を製造する方法としては、例えば、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を製造する方法と同様の方法等を用いることができる。
なお、上述したように、第四の本発明の光通信用デバイスを構成するＩＣチップ実装用基板には、光信号伝送用光路が形成されていなくてもよい。
従って、光信号伝送用光路が形成されていないＩＣチップ実装用基板を製造する場合には、例えば、第二の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造する方法において、（ｂ）の工程を行わず、さらに、（ｃ）の工程において光路用開口の行わずに、必要に応じて、光学素子実装用開口の形成を行えばよい。
また、上記ＩＣチップ実装用基板を形成する場合、ソルダーレジスト層の形成は、必要に応じて行えばよい。
【０２２０】
上記多層プリント配線板を製造する方法としては、例えば、下記（１）〜（５）の工程を行う方法等を用いることができる。
（１）第二の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の（ａ）および（ｂ）の工程と同様の方法を用いて、光路用貫通孔が形成された多層配線板を製造する。
【０２２１】
（２）次に、上記多層配線板の層間絶縁層上の導体回路非形成部に光導波路を形成する。該光導波路は、光路用貫通孔を介して、光信号を伝送することができる位置に形成する。
なお、具体的な光導波路の形成方法としては、第四の本発明の光通信用デバイスを構成する多層プリント配線板を製造する方法の（２）の工程で用いる方法と同様の方法等を用いることができる。
また、ここで形成する光導波路には、光路変換ミラーを形成する。
【０２２２】
（３）次に、光導波路を形成した多層配線板の最外層にソルダーレジスト層を形成する。上記ソルダーレジスト層は、第四の本発明の光通信用デバイスを構成する多層プリント配線板を製造する方法の（３）の工程で用いる方法と同様の方法等を用いて形成すればよい。
なお、上記ソルダーレジスト層の形成は必要に応じて行えばよい。
【０２２３】
（４）次に、ＩＣチップ実装用基板と対向する側のソルダーレジスト層に半田バンプ形成用開口と光路用開口とを形成する。
上記半田バンプ形成用開口と光路用開口とは、第四の本発明の光通信用デバイスを構成する多層プリント配線板を製造する方法の（４）の工程で用いる方法と同様の方法等を用いて形成すればよい。
また、上記光路用開口は、上記（１）の工程で形成した光路用貫通孔に連通するように形成する。
また、この工程では、光路用開口を形成した後、光路用開口内に樹脂組成物を充填してもよい。上記樹脂組成物としては、上記（１）の工程で光路用貫通孔に充填する樹脂組成物と同様のもの等が挙げられる。この工程で、光路用貫通孔と光路用開口とに同時に樹脂組成物を充填してもよい。
【０２２４】
（５）次に、第四の本発明の光通信用デバイスを構成する多層プリント配線板を製造する方法の（５）および（６）の工程で用いる方法と同様の方法等を用いて、半田パッドや半田バンプ等を形成することにより、第四の本発明の光通信用デバイスを構成する多層プリント配線板を製造することができる。
【０２２５】
次に、上記した方法で製造したＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とを接続し、光通信用デバイスを製造する。
具体的には、第三の本発明の光通信用デバイスを製造する際に用いた方法と同様の方法を用いて行えばよい。
また、第三の本発明の光通信用デバイスを製造する場合と同様、上記ＩＣチップ実装用基板と上記多層プリント配線板とは、その対向する面のうちどちらか一方にのみ半田バンプが形成されていてもよい。この場合も両者を接続することができるからである。
【０２２６】
次に、第五の本発明の光通信用デバイスについて説明する。
第五の本発明の光通信用デバイスは、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とからなる光通信用デバイスであって、
上記ＩＣチップ実装用基板には、該ＩＣチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用光路が形成されており、
上記多層プリント配線板は、基板と導体回路とを含んで構成されており、
上記多層プリント配線板には、少なくとも基板を貫通する光信号伝送用光路が形成されていることを特徴とする。
【０２２７】
第五の本発明の光通信用デバイスでは、上記ＩＣチップ実装用基板に形成された光信号伝送用光路、および、上記多層プリント配線板に形成された光信号伝送用光路を介して光信号の伝送を行うことができる。
【０２２８】
第五の本発明の光通信用デバイスを構成するＩＣチップ実装用基板としては、該ＩＣチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用光路が形成されているものであれば特に限定されず、例えば、第三の本発明の光通信用デバイスを構成するＩＣチップ実装用基板と同様のもの等が挙げられる。このようなＩＣチップ実装用基板を用いることにより、上述した種々の効果を得ることができる。
【０２２９】
第五の本発明の光通信用デバイスを構成する多層プリント配線板としては、基板と導体回路とを含んで構成されており、さらに、少なくとも上記基板を貫通する光信号伝送用光路が形成されたものであれば特に限定されず、例えば、第三の本発明の光通信用デバイスを構成する多層プリント配線板と同様のもの等が挙げられる。このような多層プリント配線板を用いることにより、上述した種々の効果を得ることができる。
【０２３０】
具体的には、ＩＣチップ実装用基板および多層プリント配線板に光信号伝送用光路が形成されているため、ＩＣチップ実装用基板に光学素子を実装したり、多層プリント配線板に光導波路を形成したりする際に、光学素子の実装位置や光導波路の形成位置の自由度が高まることとなり、ＩＣチップ実装用基板および多層プリント配線板の高密度化をはかることができる。これは、ＩＣチップ実装用基板および多層プリント配線板の設計において、フリースペースが広くなるからである。
【０２３１】
また、上記ＩＣチップ実装用基板および多層プリント配線板のそれぞれに形成された光信号伝送用光路を基準として、光学的処理や機械的処理により光学素子の実装位置や光導波路の形成位置の位置合わせを行うことができるため、正確に、かつ、所望の位置に光学素子や光導波路を実装することができる。
さらに、上述したような構成の光信号伝送用光路は、熱処理工程や信頼性試験下において、熱等による悪影響が発生しにくい。
【０２３２】
第五の本発明の光通信用デバイスの実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図５は、第五の本発明の光通信用デバイスの一実施形態を模式的に示す断面図である。なお、図５では、ＩＣチップが実装された状態の光通信用デバイスを示す。
【０２３３】
図５に示すように、第五の本発明の光通信用デバイス４５０は、ＩＣチップ４４０を実装したＩＣチップ実装用基板４２０と多層プリント配線板４００とから構成され、ＩＣチップ実装用基板４２０と多層プリント配線板４００とは、半田接続部４４１を介して電気的に接続されている。
【０２３４】
また、光通信用デバイス４５０では、ＩＣチップ実装用基板４２０に、これを貫通する光信号伝送用光路４５１が形成されており、この光信号伝送用光路４５１は、その壁面の一部に導体層４５１ｂが形成されており、さらに、その内部の一部には樹脂組成物４５１ａが充填されている。このＩＣチップ実装用基板４２０の構成は、図３に示したＩＣチップ実装用基板２２０の構成と同一である。
【０２３５】
また、多層プリント配線板４００には、基板４０１と層間絶縁層４０２とソルダーレジスト層４１４とを貫通する光信号伝送用光路４６１が形成されており、この光信号伝送用光路４６１を介して、光導波路４１９と受光素子４３８や発光素子４３９との間で光信号の伝送を行うことができるように構成されている。この光信号伝送用光路４６１は、その壁面の一部に導体層４６１ｂが形成されており、さらに、その内部の一部には樹脂組成物４６１ａが充填されている。この多層プリント配線板４００の構成は、図４に示した多層プリント配線板３００の構成と同一である。
この光通信用デバイス４５０では、受光素子４３８や発光素子４３９と光導波路４１９とが、ＩＣチップ実装用基板４２０に形成された、これを貫通する光信号伝送用光路４５１と、多層プリント配線板４００に形成された基板４０１と層間絶縁層４０２とソルダーレジスト層４１４とを貫通する光信号伝送用光路４６１とを介して光信号の伝送を行うことができる。
また、第五の本発明の光通信用デバイスの実施形態は、図５に示す形態に限定されるものではなく、例えば、図６、７に示すような形態であってもよい。
【０２３６】
また、図６に示すＩＣチップ実装用基板５５０では、受光素子５３８がＩＣチップ実装用基板５２０の多層プリント配線板５００と対向する側の面に実装されており、発光素子５３９が多層プリント配線板５００と対向する側の面と反対側の面に実装されている。
また、発光素子５３９が多層プリント配線板５００に形成された光導波路との間で光信号の伝送を行うことができるように、ＩＣチップ実装用基板５２０を貫通する光信号伝送用光路５５１が形成されている。光信号伝送用光路５５１は、その壁面の一部に導体層５５１ｂが形成され、その内部の一部に樹脂組成物５５１ａが充填されている。
【０２３７】
また、多層プリント配線板５００には、光導波路が形成されており、受光素子５３８との間で光信号を伝送するための光導波路５１８ａが、基板５０１を挟んでＩＣチップ実装用基板５２０に近い側の最外層の層間絶縁層５０２上に形成されており、発光素子５３９との間で光信号を伝送するための光導波路５１８ｂは、基板５０１を挟んでＩＣチップ実装用基板５２０と反対側の最外層の層間絶縁層５０２上に形成されている。さらに、多層プリント配線板５００には、発光素子５３９と光導波路５１８ｂとの間で光信号を伝送するための光信号伝送用光路５６１が形成されている。光信号伝送用光路５６１は、基板５０１と層間絶縁層５０２とソルダーレジスト層５１４とを貫通するように形成されており、その壁面の一部には導体層５６１ｂが形成され、その内部の一部には樹脂組成物５６１ａが充填されている。
【０２３８】
この光通信用デバイス５５０では、発光素子５３９と光導波路５１９ｂとが、ＩＣチップ実装用基板５２０に形成された、これを貫通する光信号伝送用光路５５１と、多層プリント配線板５００に形成された基板５０１と層間絶縁層５０２とソルダーレジスト層５１４とを貫通する光信号伝送用光路５６１とを介して光信号の伝送を行うことができる。
なお、受光素子５３８と光導波路５１９ａとは、多層プリント配線板５００のソルダーレジスト層に形成された光路用開口５１１ａを介して光信号を伝送することができる。
【０２３９】
また、図７に示す光通信用デバイス６５０では、ＩＣチップ実装用基板６２０の多層プリント配線板６００と対向する側の面と反対側の面に受光素子６３８が実装されており、発光素子６３９が多層プリント配線板６００と対向する側の面に実装されている。
また、受光素子６３８が多層プリント配線板６００に形成された光導波路６１８ａとの間で光信号の伝送を行うことができるように、ＩＣチップ実装用基板６２０を貫通する光信号伝送用光路６５１が形成されている。この光信号伝送用光路６５１は、その壁面の一部に導体層６５１ｂが形成されており、その内部の一部に樹脂組成物６５１ａが充填されている。
【０２４０】
また、多層プリント配線板６００には、光導波路６１９が形成されており、受光素子６３８との間で光信号を伝送するための光導波路６１８ａは、基板６０１を挟んでＩＣチップ実装用基板６２０に近い側の最外層の層間絶縁層上に形成されており、発光素子６３９との間で光信号を伝送するための光導波路６１８ｂは、基板６０１を挟んでＩＣチップ実装用基板６２０と反対側の最外層の層間絶縁層上に形成されている。さらに、多層プリント配線板６００には、発光素子６３９と光導波路６１８ｂとの間で光信号を伝送するための光信号伝送用光路６５１が形成されている。光信号伝送用光路６６１は、基板６０１と層間絶縁層６０２とソルダーレジスト層６１４とを貫通するように形成されており、その壁面の一部には導体層６６１ｂが形成され、その内部の一部には樹脂組成物６６１ａが充填されている。
【０２４１】
この光通信用デバイス６５０では、発光素子６３９と光導波路６１９ｂとが、多層プリント配線板６００に形成された基板６０１と層間絶縁層６０２とソルダーレジスト層６１４を貫通する光信号伝送用光路６６１を介して光信号の伝送を行うことができる。
また、受光素子６３８と光導波路６１９ａとは、ＩＣチップ実装用基板６２０に形成された、これを貫通する光信号伝送用光路６５１を介して光信号を伝送することができる。
【０２４２】
なお、上述したように、第五の本発明のＩＣチップ実装用基板の実施形態は、図５〜７に示した形態に限定されるわけではなく、受光素子や発光素子の実装位置、光導波路の形成位置、光信号伝送用光路を形成するか否かを適宜選択して組み合わせた形態であればよい。
【０２４３】
なお、図５〜７に示した多層プリント配線板における光導波路の形成位置は、最外層の層間絶縁層上であるが、第五の本発明のＩＣチップ実装用基板を構成する多層プリント配線板において、光導波路の形成位置はここに限定されるわけではなく、層間絶縁層同士の間であってもよいし、基板上であってもよい。
【０２４４】
このような第五の本発明の光通信用デバイスでは、ＩＣチップ実装用基板内、即ち、ＩＣチップに近い位置で、光／電気信号変換を行うため、電気信号の伝送距離が短く、より高速通信に対応することができる。
また、ＩＣチップから送り出された電気信号は、上述したように光信号に変換された後、光ファイバを介して外部に送りだされるだけでなく、半田接続部を介して多層プリント配線板に送られ、該多層プリント配線板の導体回路（バイアホール、スルーホールを含む）を介して、多層プリント配線板に実装された他のＩＣチップ等の電子部品に送られることとなる。
また、このような構成からなる光通信用デバイスでは、ＩＣチップ実装用基板に実装した受光素子および発光素子、ならびに、多層プリント配線板に形成した光導波路に位置ズレが発生しにくいため、光信号の接続信頼性に優れることとなる。
【０２４５】
なお、図３〜７に示した光通信用デバイスに形成された光信号伝送用光路は、その壁面に導体層が形成され、その内部に樹脂組成物が充填されているが、これらの導体層の形成や樹脂組成物の充填は必要に応じて形成すればよい。
【０２４６】
次に、第五の本発明の光通信用デバイスを製造する方法について説明する。
上記光通信用デバイスを製造する場合もまた、第三の本発明の光通信用デバイスを製造する場合と同様、まず、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とを別々に製造し、その後、両者を半田等を介して接続することにより製造することができる。
従って、ここでは、まず、ＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板とのそれぞれを製造する方法について説明し、その後、両者を接続する方法について説明する。
【０２４７】
上記ＩＣチップ実装用基板を製造する方法としては、例えば、第三の本発明の光通信用デバイスを構成するＩＣチップ実装用基板を製造する方法と同様の方法等を用いることができる。
上記ＩＣチップ実装用基板を形成する場合、ソルダーレジスト層の形成は、必要に応じて行えばよい。
【０２４８】
上記多層プリント配線板を製造する方法としては、例えば、第四の本発明の光通信用デバイスを構成する多層プリント配線板を製造する方法と同様の方法等を用いることができる。
上記多層プリント配線板を形成する場合、ソルダーレジスト層の形成は、必要に応じて行えばよい。
【０２４９】
次に、上記した方法で製造したＩＣチップ実装用基板と多層プリント配線板と接続し、光通信用デバイスを製造する。
具体的には、第三の本発明の光通信用デバイスを製造する際に用いた方法と同様の方法等を用いて行えばよい。
また、第三の本発明の光通信用デバイスを製造する場合と同様、上記ＩＣチップ実装用基板と上記多層プリント配線板とは、その対向する面のうちどちらか一方にのみ半田バンプが形成されていてもよい。この場合も両者を接続することができるからである。
【０２５０】
なお、第三〜第五の本発明の光通信用デバイスに実装されるＩＣチップは、ワイヤボンディングにより実装されるものであってもよいし、フリップチップ接続により実装されるものであってもよいが、フリップチップ接続により実装されるものであることが望ましい。
【０２５１】
【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
Ａ．層間絶縁層用樹脂フィルムの作製
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製 エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製 フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製 デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、層間絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
【０２５２】
Ｂ．貫通孔充填用樹脂組成物の調製
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ₂ 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製 ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
【０２５３】
Ｃ．ＩＣチップ実装用基板の製造
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板２１の両面に１８μｍの銅箔２８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図８（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板２１の両面に導体回路２４とスルーホール２９とを形成した。
【０２５４】
（２）スルーホール２９と導体回路２４とを形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ₃ ＰＯ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、スルーホール２９を含む導体回路２４の表面に粗化面（図示せず）を形成した（図８（ｂ）参照）。
【０２５５】
（３）上記Ｂに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルーホール２９内および基板２１の片面の導体回路非形成部と導体回路２４の外縁部とに樹脂充填材３０′の層を形成した。
即ち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路非形成部にも樹脂充填材を充填し、１００℃、２０分の条件で乾燥させることにより樹脂充填材３０′の層を形成した（図８（ｃ）参照）。
【０２５６】
（４）上記（３）の処理を終えた基板の片面を、♯６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路２４の表面やスルーホール２９のランド表面に樹脂充填材３０′が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１５０℃で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填材層３０を形成した。
【０２５７】
このようにして、スルーホール２９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材３０の表層部および導体回路２４の表面を平坦化し、樹脂充填材３０と導体回路２４の側面とが粗化面（図示せず）を介して強固に密着し、また、スルーホール２９の内壁面と樹脂充填材３０とが粗化面（図示せず）を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図８（ｄ）参照）。この工程により、樹脂充填材層３０の表面と導体回路２４の表面とが同一平面となる。
【０２５８】
（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹き付けて、導体回路２４の表面とスルーホール２９のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、導体回路２４の全表面に粗化面（図示せず）を形成した。エッチング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部を含むエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。
【０２５９】
（６）次に、上記Ａで作製した基板より少し大きめの層間絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載置し、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネータ装置を用いて貼り付けることにより層間絶縁層２２を形成した（図８（ｅ）参照）。
即ち、層間絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６５Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０、時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。
【０２６０】
（７）次に、層間絶縁層２２上に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ₂ ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で層間絶縁層２２に、直径８０μｍのバイアホール用開口２６を形成した（図９（ａ）参照）。
【０２６１】
（８）バイアホール用開口２６を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間絶縁層２２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口２６の内壁面を含むその表面に粗化面（図示せず）を形成した。
【０２６２】
（９）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間絶縁層２２の表面（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）に触媒核を付着させた（図示せず）。即ち、上記基板を塩化パラジウム（ＰｄＣｌ₂ ）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ₂ ）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。
【０２６３】
（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬し、層間絶縁層２２の表面（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）に厚さ０．６〜３．０μｍの薄膜導体層（無電解銅めっき膜）３２を形成した（図９（ｂ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ₄ ０．００３ ｍｏｌ／ｌ
酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル １００ ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３０℃の液温度で４０分
【０２６４】
（１１）次に、薄膜導体層（無電解銅めっき膜）３２が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２０μｍのめっきレジスト２３を設けた（図９（ｃ）参照）。
【０２６５】
（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト２３非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜３３を形成した（図９（ｄ）参照）。
〔電解めっき液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度 １ Ａ／ｄｍ²
時間 ６５ 分
温度 ２２±２ ℃
【０２６６】
（１３）さらに、めっきレジスト２３を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト２３下の薄膜導体層を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、薄膜導体層（無電解銅めっき膜）３２と電解銅めっき膜３３とからなる厚さ１８μｍの導体回路２５（バイアホール２７を含む）を形成した（図１０（ａ）参照）。
【０２６７】
（１４）さらに、上記（５）の工程で用いたエッチング液と同様のエッチング液を用いて、導体回路２５の表面に粗化面（図示せず）を形成し、次いで、上記（６）〜上記（８）の工程と同様にしてバイアホール用開口２６を有し、その表面に粗化面（図示せず）が形成された層間絶縁層２２を積層形成した（図１０（ｂ）参照）。
その後、直径３９５μｍのドリルを用いて、基板２１および層間絶縁層２２を貫通する貫通孔４６を形成し、さらに、貫通孔４６の壁面にデスミア処理を施した（図１０（ｃ）参照）。
【０２６８】
（１５）次に、上記（９）の工程で用いた方法と同様の方法で、貫通孔４６の壁面および層間絶縁層２２の表面に触媒を付与し、さらに、上記（１０）の工程で用いた無電解めっき液と同様の無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬し、層間絶縁層２２の表面（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）、および、貫通孔４６の壁面に薄膜導体層（無電解銅めっき膜）３２を形成した（図１１（ａ）参照）。
【０２６９】
（１６）次に、上記（１１）の工程で用いた方法と同様の方法で、めっきレジスト２３を設け、さらに、上記（１２）の工程で用いた方法と同様の方法で、めっきレジスト２３非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜３３を形成した（図１１（ｂ）参照）。
【０２７０】
（１７）次に、上記（１３）の工程で用いた方法と同様の方法で、めっきレジスト２３の剥離と、めっきレジスト２３下の薄膜導体層の除去とを行い、導体回路２５（バイアホール２７を含む）および導体層４５を形成した。
さらに、上記（２）の工程で用いた方法と同様の方法で、酸化還元処理を行い、導体回路２５の表面および導体層４５の表面を粗化面（図示せず）とした（図１１（ｃ）参照）。
【０２７１】
（１８）次に、スキージを用いて、導体層４５が形成された貫通孔４６内にエポキシ樹脂を含む樹脂組成物を充填し、乾燥させた後、バフ研磨によりその表層を平坦化した。さらに、硬化処理を施し、樹脂組成物層４２ａを形成した（図１２（ａ）参照）。
【０２７２】
（１９）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）４．５重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部、を加えることにより、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ^-1（ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．４、６ｍｉｎ^-1（ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．３によった。
【０２７３】
（２０）次に、樹脂組成物層４２ａを形成した基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を３０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行い、ソルダーレジス組成物の層３４′を形成した。（図１２（ｂ）参照）。
【０２７４】
（２１）次いで、半田バンプ形成用開口および光路用開口のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをＩＣチップ実装側のソルダーレジスト組成物の層３４′に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、直径２００μｍの開口を形成した。
さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物の層を硬化させ、半田バンプ形成用開口４７、および、光路用開口４２ｂを有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層３４を形成した（図１３（ａ）参照）。なお、上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。
【０２７５】
（２２）次に、ソルダーレジスト層３４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、半田バンプ形成用開口４７に厚さ５μｍのニッケルめっき層を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層を形成し、半田パッド３６とした。
【０２７６】
（２３）次に、ソルダーレジスト層３４に形成した半田バンプ形成用開口４７に半田ペーストを印刷し、さらに、受光素子３８および発光素子３９の受光部３８ａおよび発光部３９ａの位置合わせを行いながら取り付け、２００℃でリフローすることにより、受光素子３８および発光素子３９を実装するとともに、半田バンプ形成用開口４７に半田バンプ３７を形成し、ＩＣチップ実装用基板を得た（図１３（ｂ）参照）。
なお、受光素子３８としては、ＩｎＧａＡｓからなるものを用い、発光素子３９としては、ＩｎＧａＡｓＰからなるものを用いた。
なお、本実施例で製造したＩＣチップ実装用基板では、光信号伝送用光路が樹脂組成物および空隙とこれらの周囲の導体層とにより構成されることとなる。
【０２７７】
（実施例２）
実施例１の（１８）の工程において、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物に代えて、ポリオレフィンを含む樹脂組成物を用いた以外は実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。
なお、本実施例で製造したＩＣチップ実装用基板では、光信号伝送用光路が樹脂組成物および空隙とこれらの周囲の導体層とにより構成されることとなる。
【０２７８】
（実施例３）
実施例１の（１８）の工程、即ち、樹脂組成物層４２ａを形成する工程を行わなかった以外は実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。
なお、本実施例で製造したＩＣチップ実装用基板では、光信号伝送用光路が空隙とその周囲の導体層とにより構成されることとなる。
【０２７９】
（実施例４）
実施例１の（１５）および（１６）の工程において、貫通孔の壁面には導体層を形成しなかった以外は、実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。
なお、本実施例で製造したＩＣチップ実装用基板では、光信号伝送用光路が樹脂組成物および空隙により構成されることとなる。
【０２８０】
（実施例５）
実施例１の（１５）および（１６）の工程において、貫通孔の壁面には導体層を形成せず、（１８）の工程において、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物に代えて、ポリオレフィンを含む樹脂組成物を用いた以外は、実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。
なお、本実施例で製造したＩＣチップ実装用基板では、光信号伝送用光路が樹脂組成物および空隙により構成されることとなる。
【０２８１】
（実施例６）
実施例１の（１５）および（１６）の工程において、貫通孔の壁面には導体層を形成せず、（１８）の工程、即ち、樹脂組成物層４２ａを形成する工程を行わなかった以外は実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。
なお、本実施例で製造したＩＣチップ実装用基板では、光信号伝送用光路が空隙により構成されることとなる。
【０２８２】
このようにして得られた実施例１〜６のＩＣチップ実装用基板について、これらのＩＣチップ実装用基板を光信号伝送用光路を通るように刃物で切断し、その断面を観察したところ、ＩＣチップ実装用基板を貫通する光路が確保されていた。また、ＩＣチップ実装用基板の光信号伝送用光路の受光素子実装側と反対側の端部にＰＭＭＡからなる光導波路を配置し、光信号伝送用光路の発光素子実装側と反対側の端部に検出器を取りつけ、その後、上記光導波路光を介して光信号を送り、ＩＣチップで演算させた後、検出器で光信号を検出したところ、所望の光信号を検出することができた。
また、受光素子および発光素子と光信号伝送用光路との接続損失を測定したところ、その接続損失は小さく、光信号の伝送に問題が発生するものではなかった。
【０２８３】
【発明の効果】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、上述したように、光学素子が実装されるとともに、該ＩＣチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用光路が配設されているため、上記光信号伝送用光路を介して、上記光学素子の入出力信号を伝送することができる。また、該基板にＩＣチップを実装した場合、ＩＣチップと光学素子との距離が短く、電気信号伝送の信頼性に優れる。
また、ＩＣチップを実装した第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、光通信に必要な電子部品や光学素子を一体化することができるため、光通信用端末機器の小型化に寄与することができる。
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、光学素子が表面実装されている場合は、製造時の熱処理に起因する位置ずれが発生することがなく、加えて、一の光学素子に不都合が発生した場合、その光学素子のみを取り替えればよく、経済的に有利である。
【０２８４】
第二の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法は、上述したように、ＩＣチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用光路を形成するため、該光信号伝送用光路を介して光学素子の入出力信号を伝送することができる第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を好適に製造することができる。
【０２８５】
第三〜第五の本発明の光通信用デバイスでは、ＩＣチップ実装用基板および多層プリント配線板のうちの少なくともいずれか一方に、上述した態様の光信号伝送用光路が形成されているため、該光信号伝送用光路を介して好適に光信号を伝送することができる。また、優れた光信号伝送性を確保するとともに、高密度配線を達成することができる。
さらに、上記光通信用デバイスを構成するＩＣチップ実装用基板として、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を用いた場合には、上述した第一の本発明のＩＣチップ実装用基板に係る効果と同様の効果を、第三〜第五の本発明の光通信用デバイスにおいて得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図２】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の別の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図３】第三の本発明の光通信用デバイスの一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図４】第四の本発明の光通信用デバイスの一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図５】第五の本発明の光通信用デバイスの一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図６】第五の本発明の光通信用デバイスの別の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図７】第五の本発明の光通信用デバイスの別の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図８】第二の本発明のＩＣチップ実装用基板を製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図９】第二の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１０】第二の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１１】第二の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１２】第二の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１３】第二の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
２０ ＩＣチップ実装用基板
２１ 基板
２２ 層間絶縁層
２４ 導体回路
２７ バイアホール
２９ スルーホール
３４ ソルダーレジスト層
３８ 受光素子
３９ 発光素子
１２０ ＩＣチップ実装用基板
１２１ 基板
１２２ 層間絶縁層
１２４ 導体回路
１２７ バイアホール
１２９ スルーホール
１３４ ソルダーレジスト層
１３８ 受光素子
１３９ 発光素子
１４０ ＩＣチップ
１４２ 光信号伝送用光路
１４５ 導体層

Claims (9)

1. 基板の両面に導体回路と層間絶縁層とが積層形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成されるとともに、光学素子を実装するための半田バンプが形成されたＩＣチップ実装用基板と、
   基板の両面に導体回路と層間絶縁層とが積層形成されるとともに、光導波路が形成された多層プリント配線板とが対向配置された光通信用デバイスであって、
   前記ＩＣチップ実装用基板および前記多層プリント配線板の両対向面には、基板接続用半田接続部が設けられ、両者が電気的に接続されるとともに、機械的に接続固定され、
   前記ＩＣチップ実装用基板には、該ＩＣチップ実装用基板を貫通する第１の光信号伝送用光路が形成されるとともに、前記多層プリント配線板に対向する側とは反対側の前記第１の光信号伝送用光路と光信号の伝送が可能な位置に前記光学素子が配置されるように前記半田バンプが形成され、
   前記多層プリント配線板には、前記第１の光信号伝送用光路と光信号の伝送が可能な位置に、少なくとも前記基板を貫通する第２の光信号伝送用光路が形成されるとともに、前記第２の光信号伝送用光路と光信号を伝達可能な位置に光路変換用ミラーを有する前記光導波路が形成されていることを特徴とする光通信用デバイス。
2. 基板の両面に導体回路と層間絶縁層とが積層形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成されるとともに、光学素子を実装するための半田バンプが形成されたＩＣチップ実装用基板と、
   基板の両面に導体回路と層間絶縁層とが積層形成されるとともに、光導波路が形成された多層プリント配線板とが対向配置された光通信用デバイスであって、
   前記ＩＣチップ実装用基板および前記多層プリント配線板の両対向面には、基板接続用半田接続部が設けられ、両者が電気的に接続されるとともに、機械的に接続固定され、
   前記ＩＣチップ実装用基板には、前記多層プリント配線板に対向する側に前記半田バンプが形成され、
   前記多層プリント配線板には、前記半田バンプに実装される光学素子と光信号の伝送が可能な位置に、少なくとも前記基板を貫通する光信号伝送用光路が形成されるとともに、前記光信号伝送用光路と光信号を伝達可能な位置に光路変換用ミラーを有する前記光導波路が形成されていることを特徴とする光通信用デバイス。
3. 前記光信号伝送用光路は、樹脂組成物および空隙により構成されている請求項１または２に記載の光通信用デバイス。
4. 前記光信号伝送用光路は、空隙とその周囲の導体層とにより構成されている請求項１〜３のいずれか１に記載の光通信用デバイス。
5. 前記光信号伝送用光路は、樹脂組成物および空隙とこれらの周囲の導体層とにより構成されている請求項１〜４のいずれか１に記載の光通信用デバイス。
6. 前記光信号伝送用光路の端部には、マイクロレンズが配設されている請求項１〜５のいずれか１に記載の光通信用デバイス。
7. 前記光信号伝送用光路の断面の径は、１００〜５００μｍである請求項１〜６のいずれか１に記載の光通信用デバイス。
8. 前記光学素子は、受光素子および／または発光素子である請求項１〜７のいずれか１に記載の光通信用デバイス。
9. 前記ＩＣチップ実装用基板は、導体回路、層間絶縁層および前記層間絶縁層を挟んだ導体回路間を接続するバイアホールを含んで構成されている請求項１〜８のいずれか１に記載の光通信用デバイス。

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