JP4009127B2 - 放電ランプおよびその製造方法、ならびにランプユニット - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放電ランプおよびランプユニット、ならびに放電ランプの製造方法に関する。特に、液晶プロジェクタ用光源やデジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）プロジェクタなどの画像投影装置用光源として使用される放電ランプおよびランプユニットに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、大画面映像を実現するシステムとして液晶プロジェクタやＤＭＤプロジェクタなどの画像投影装置が広く用いられており、このような画像投影装置には、高い輝度を示す高圧放電ランプが一般的に広く使用されている。画像投影装置では、液晶パネルなどの極めて小さな領域に光を集光する必要があるため、高輝度に加えて点光源に近いことも要求されている。このため、高圧放電ランプの中でも、より点光源に近く高輝度の特長を有するショートアーク型の超高圧水銀ランプが有望な光源として注目されている。
【０００３】
図１を参照しながら、従来におけるショートアーク型の超高圧水銀ランプ１０００の説明をする。
【０００４】
ランプ１０００は、石英ガラスから構成され略球状の発光管（バルブ）１００と、同じく石英ガラスから構成され発光管１００に連結された一対の封止部（シール部）１０１ａおよびｂを有している。発光管１００の内部には放電空間があり、放電空間には、発光物質として水銀（水銀封入量：例えば、発光管の内容積に対して１５０〜２５０ｍｇ／ｃｍ³）、および希ガス（例えば、数十ｋＰａのアルゴン）と少量のハロゲンとが封入されている。
【０００５】
放電空間には、一対のタングステン電極（Ｗ電極）１０２が一定の間隔をおいて対向して配置されており、電極１０２の先端には、コイル（不図示）が巻かれていてもよい。Ｗ電極１０２は、封止部１０１ａ、ｂ内のモリブデン箔（Ｍｏ箔）１０３に溶接されており、Ｗ電極１０２とＭｏ箔１０３とは互いに電気的に接続されている。
【０００６】
封止部１０１ａ、ｂは、それぞれ、発光管１００から延ばされたガラス部１０５とＭｏ箔１０３とを有しており、ガラス部１０５とＭｏ箔１０３とを圧着させることによって、発光管１００内の放電空間の気密を保持している。なお、ガラス部１０５とＭｏ箔１０３との両者は、互いに熱膨張係数が異なるため、一体化された状態にはならないのであるが、Ｍｏ箔１０３が塑性変形することによって、Ｍｏ箔１０３とガラス部１０５との間に生じる隙間を埋めることができる。つまり、いわゆる箔封止の技術を用いて、封止部１０１ａ、ｂは、発光管１００内をシールしている。
【０００７】
Ｍｏ箔１０３は、Ｗ電極１０２とは反対の側に、モリブデンから構成された外部リード１０４を有している。Ｍｏ箔１０３と外部リード１０４とは互いに溶接されており、それにより、両者は電気的に接続されている。外部リード１０４は、ランプ１０００の周辺に配置される部材（不図示）に電気的に接続されることになる。
【０００８】
次に、ランプ１０００の動作原理を簡単に説明する。外部リード１０４およびＭｏ箔１０３を介してＷ電極１０２に始動電圧が印加されると、アルゴン（Ａｒ）の放電が起こり、この放電によって発光管１００の放電空間内の温度が上昇し、それによって水銀が加熱・気化される。その後、Ｗ電極１０２間のアーク中心部で水銀原子が励起されて発光する。なお、ランプ１０００の水銀蒸気圧が高いほど光出力も増加するため、水銀蒸気圧が高いほど画像投影装置の光源として適しているが、発光管１００の物理的耐圧強度の観点から、１５〜２５ＭＰａの範囲の水銀蒸気圧でランプ１０００は使用されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
画像投影装置の普及に伴って、画像投影装置用光源の高圧放電ランプ（特に、超高圧水銀ランプ）には、益々、優れた特性が求められており、その要求に応えるべく、高圧放電ランプの開発が盛んに行われている。
【００１０】
そのような状況下で、高圧放電ランプとして、内部に希ガスおよび水銀蒸気を含むキャビティ（空洞）を封止部内に設けることにより、低電圧で始動させることができるランプが開発され、国際公開ＷＯ／７７８２６号公報に開示されている。このランプの構成を図２および図３（ａ）および（ｂ）に示す。なお、図３（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、図２に示した構成の平面図および側面図である。
【００１１】
図２に示したランプ２０００では、封止部１０１ａ、ｂにキャビティ１５０が設けられており、封止部１０１ｂのキャビティ１５０の周囲に、アンテナ１２０が配置されている。アンテナ１２０は、リード１２１を介して、封止部１０１ａの外部リードに接続されている。なお、封止部１０１ｂと発光管１００との間のネック部には、第２のアンテナが配置されており、Ｗ電極１０２の先端には、コイル１１２が巻き付けられている。ここで、図１と同様の部材については、同様の符号を付して、説明を省略する。
【００１２】
ランプ２０００では、ガスが封入されたキャビティ１５０内の金属箔１０３とアンテナ１２０との間で放電を起こし、それにより、低電圧での始動を達成している。同公報によれば、ランプが冷えた状態からの始動（ｃｏｌｄ始動）において、１ｋＶの電圧でランプ始動を行えることが述べられている。
【００１３】
しかしながら、ランプ２０００は、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、キャビティ１５０内にＭｏ箔１０３のエッジが露出しているため、キャビティ１５０で生じる放電により、Ｍｏ箔１０３の劣化が生じるという新たな課題が発生する。封止部１０１ａ、ｂを有するランプ２０００では、上述したように、箔封止によって発光管１００内の気密を保持しているので、ランプの使用により、Ｍｏ箔１０３が劣化してしまうと、ランプの寿命が短くなってしまう。つまり、キャビティ１５０を有しない図１に示したランプ１０００と異なり、封止部内にキャビティ１５０を有するランプ２０００の場合には、ランプの短寿命化を防止した上で、低電圧の始動の機能を付与しなければ、実用に適した高圧放電ランプにならない可能性が高い。
【００１４】
本発明はかかる諸点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、低電圧での始動が可能であるとともに、箔劣化を抑制して寿命が短くなることを防止した放電ランプを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明による放電ランプは、発光物質が封入された管内に一対の電極が対向して配置された発光管と、前記発光管の両端に形成され、且つ、前記一対の電極のそれぞれに電気的に接続された金属箔が封止された封止部とを備え、少なくとも一方の前記封止部における前記金属箔は、その中央部分に切り抜き部を有しており、前記少なくとも一方の封止部は、当該封止部のうち前記切り抜き部が位置する部分の周囲に、キャビティを有しており、前記キャビティの内部には、少なくとも希ガスが封入されている。
【００１６】
前記切り抜き部を有する前記金属箔の外縁は、前記封止部を構成するガラスによって覆われており、且つ、前記キャビティに露出していないことが好ましい。
【００１７】
ある好適な実施形態において、前記金属箔が有する前記切り抜き部の輪郭を規定するエッジは、前記キャビティに露出しており、前記エッジは、当該金属箔の外縁と接していない。
【００１８】
本発明による他の放電ランプは、発光物質が封入された管内に一対の電極が対向して配置された発光管と、前記発光管の両端に形成され、且つ、前記一対の電極のそれぞれに電気的に接続された金属箔が封止された封止部とを備え、少なくとも一方の前記封止部は、当該封止部のうち前記金属箔の中央部分の上に、キャビティを有しており、前記キャビティの内部には、少なくとも希ガスが封入されており、前記キャビティを有する封止部において、前記金属箔の外縁は、前記封止部を構成するガラスによって覆われており、且つ、前記キャビティに露出していない。
【００１９】
ある好適な実施形態において、前記放電ランプは、前記発光管の内容積に対して１５０ｍｇ／ｃｍ³以上の水銀が前記発光物質として封入された高圧水銀ランプである。
【００２０】
ある好適な実施形態において、前記キャビティが位置する封止部の外周には、アンテナが設けられている。
【００２１】
本発明によるランプユニットは、上記放電ランプと、前記放電ランプから発する光を反射する反射鏡とを備えている。
【００２２】
本発明による放電ランプの製造方法は、金属箔と、前記金属箔に接続された電極と、前記電極が接続された側とは反対側の前記金属箔に接続された外部リードとを有する電極組立体を用意する工程（ａ）と、発光管部と、前記発光管部から延びた側管部とを有する放電ランプ用パイプにおける前記発光管部内に前記電極の先端が位置するように、前記パイプの前記側管部に前記電極組立体を挿入する工程（ｂ）と、前記工程（ｂ）の後、前記放電ランプ用パイプ内を減圧状態にし、前記側管部を加熱軟化させることによって、前記側管部と前記金属箔とを密着させる工程（ｃ）とを包含し、前記工程（ｃ）は、前記側管部のうちの前記発光管部側の部分と、前記電極側に位置する部分の前記金属箔とを密着させる工程（ｃ−１）と、前記側管部のうちの前記発光管部側と反対側の部分と、前記外部リード側に位置する部分の前記金属箔とを密着させる工程（ｃ−２）と、前記電極側に位置する部分と前記外部リード側に位置する部分との間に位置している部分の前記金属箔の外縁と、当該外縁に対応する部分の前記側管部とを密着させ、それによって、前記金属箔の中央部分にキャビティを形成する工程（ｃ−３）とを含む。
【００２３】
ある好適な実施形態では、前記工程（ｃ−３）において、前記金属箔の外縁と前記側管部とは、レーザ照射によって密着される。
【００２４】
ある好適な実施形態において、前記工程（ｃ−３）は、前記工程（ｃ−１）または前記工程（ｃ−２）のいずれかと同時に実行される。
【００２５】
ある好適な実施形態において、前記工程（ａ）で用意される前記電極組立体の前記金属箔は、前記電極側に位置する部分と前記外部リード側に位置する部分との間に位置している部分に、切り抜き部を有しており、前記切り抜き部の輪郭を規定するエッジは、当該金属箔の外縁と接していない。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。以下の図面においては、説明の簡潔化を図るため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されない。
（実施形態１）
図４を参照しながら、本発明による実施形態１にかかる放電ランプ５０を説明する。図４は、本実施形態にかかる放電ランプ５０の構成を模式的に示している。
【００２７】
図４に示した放電ランプ５０は、発光管（バルブ）１０と、発光管１０の両端に連結された封止部１１ａ、ｂとを有している。封止部１１ａ、ｂは、発光管１０の内部の気密性を保持する部位であり、放電ランプ５０は、封止部を２つ備えたダブルエンド型のランプである。発光管１０内には、発光物質１８が封入されており、そして、一対の電極１２が対向して配置されている。一対の電極１２のそれぞれには、金属箔（モリブデン箔）１３ａまたは１３ｂが電気的に接続されている。そして、各金属箔１３ａ、ｂのうち電極１２と反対側の部分には、外部リード１４が電気的に接続されており、封止部１１ａ、ｂの端部から露出している。外部リード１４は、点灯回路（不図示）に接続されることになる。
【００２８】
一対の封止部１１ａ、ｂのうちの少なくとも一方の封止部１１ｂにおける金属箔１３ｂは、その中央部分に切り抜き部（開口部）２１を有している。そして、切り抜き部２１が位置する部分の周囲には、キャビティ（空洞）２０が形成されている。キャビティ２０の内部には、少なくとも希ガスが封入されており、典型的には、発光管１０内と同様のガス（例えば、希ガスおよび水銀蒸気）が存在している。キャビティ２０が位置する封止部１１ｂの外周には、アンテナ３０が設けられており、本実施形態では、アンテナ３０は、リード３１を介して、封止部１１ａの端部から延びて露出している外部リード１４に電気的に接続されている。なお、いわゆるトリガー線の役割を果たす第２のアンテナを、図２に示した構成のように、封止部１１ｂと発光管１０との間のネック部（おおよそ、電極１２が埋め込まれている封止部１１ｂの外周）に配置してもよい。
【００２９】
図５（ａ）および（ｂ）は、図４に示した封止部１１ｂの部分拡大図であり、図５（ａ）は平面構成を模式的に示し、そして、図５（ｂ）は側面構成を模式的に示している。
【００３０】
図５（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の放電ランプ５０においては、封止部１１ｂにキャビティ２０が形成されているものの、切り抜き部２１を有する金属箔１３ｂの外縁１９は、封止部１１ｂを構成するガラス部１５によって覆われている。それゆえ、金属箔１３ｂの外縁１９は、キャビティ２０に露出していない。したがって、キャビティ２０の周囲にアンテナ（図４中の符号３０参照）を設け、キャビティ２０内で放電を起こしても、金属箔１３ｂの外縁１９がキャビティ２０に露出していないので、図２および図３に示した構成と比較して、放電による箔の劣化を抑制することができる。つまり、図２および図３に示した構成の場合、キャビティ１１０内に露出している金属箔１０３の外縁（エッジ）が最も放電により損傷をうけるのであるが、本実施形態の構成の場合、その損傷を受けやすい金属箔１３ｂの外縁１９は、ガラス部１５によって覆われているので、放電による箔の劣化を抑制することが可能となる。なお、本実施形態のランプ５０の場合には、アンテナと金属箔１３ｂとの間で放電が生じることとなるが、金属箔の外縁（エッジ）がキャビティ内に露出している構成（図２および図３）と比較すれば、外縁（エッジ）１９が損傷しないので、気密が損なわれない。つまり、箔劣化（特に、外縁の劣化）を抑制することができると、ランプ寿命が短くなることを抑制することができる。
【００３１】
キャビティ２０内で放電が起きると、その放電により紫外線が発生する。放電によるエネルギーは、いわゆる光ファイバ的効果によって発光管１０内へと流れ込み、発光管１０内の物質（例えば希ガス）を光励起させ、それにより種電子が生まれる。その結果、始動時における電極１２間の絶縁破壊をより低い電圧で行わせることが可能となる。つまり、低電圧始動の放電ランプを実現することができる。本実施形態の放電ランプ５０の場合、ランプが冷えた状態からの始動（ｃｏｌｄ始動）において、点灯回路（バラスト）を用いて開放電圧９４０Ｖ（０−ピーク）、５０ｋＨｚの正弦波をランプ端子（１４）間に５．８ｋＶ印加したときに、２ｋＶ以下（例えば、１〜２ｋＶ）の電圧でランプを始動させることができる。これは、キャビティ２０が存在しない場合の始動電圧（例えば１０〜１５ｋＶ）と比較して、非常に低い電圧でランプを始動させることができることを意味している。２ｋＶ以下（例えば、１〜２ｋＶ）の電圧でランプを始動できるのであれば、トランスを用いなくても点灯回路（バラスト）を構成することができるという別な効果も得られる。また、低電圧で始動できるので、始動時に生じるノイズも低減させることができる。
【００３２】
本実施形態の放電ランプ５０の条件を例示的に説明すると、次の通りである。ランプ５０の発光管１０は、略球形をしており、石英ガラスから構成されている。なお、長寿命等の優れた特性を発揮する高圧水銀ランプ（特に、超高圧水銀ランプ）を実現する上では、発光管１０を構成する石英ガラスとして、アルカリ金属不純物レベルの低い（例えば、１ｐｐｍ以下）高純度の石英ガラスを用いることが好ましい。なお、勿論、通常のアルカリ金属不純物レベルの石英ガラスを用いることも可能である。発光管１０の外径は例えば５ｍｍ〜２０ｍｍ程度であり、発光管１０のガラス厚は例えば１ｍｍ〜５ｍｍ程度である。発光管１０内の放電空間の容積は、例えば０．０１〜１ｃｃ程度（０．０１〜１ｃｍ³）である。本実施形態では、外径９ｍｍ程度、内径４ｍｍ程度、放電空間の容量０．０６ｃｃ程度の発光管１０が用いられる。
【００３３】
発光管１０内には、一対の電極（電極棒）１２が互いに対向して配置されている。電極１２の先端は、０．２〜５ｍｍ程度（例えば、０．６〜１．０ｍｍ）の間隔（アーク長）Ｄで、発光管１０内に配置されており、一対の電極１２のそれぞれは、タングステン（Ｗ）から構成されている。電極１２の先端には、ランプ動作時における電極先端温度を低下させることを目的として、コイル（例えば、タングステン製のコイル）を巻いておくことが好ましい。
【００３４】
発光管１０内には、発光物質として、水銀１８が封入されている。超高圧水銀ランプとしてランプ５０を動作させる場合、水銀１８は、例えば、発光管１０の内容積に対して１５０ｍｇ／ｃｍ³程度またはそれ以上（１５０〜２００ｍｇ／ｃｍ³またはそれ以上）の水銀と、５〜３０ｋＰａの希ガス（例えば、アルゴン）と、必要に応じて、少量のハロゲンとが発光管１０内に封入されている。
【００３５】
発光管１０内に封入されるハロゲンは、ランプ動作中に電極１２から蒸発したＷ（タングステン）を再び電極１２に戻すハロゲンサイクルの役割を担っており、例えば、臭素である。封入するハロゲンは、単体の形態だけでなく、ハロゲン前駆体の形態（化合物の形態）のものでもよく、本実施形態では、ハロゲンをＣＨ₂Ｂｒ₂の形態で発光管１０内に導入している。また、本実施形態におけるＣＨ₂Ｂｒ₂の封入量は、０．００１７〜０．１７ｍｇ／ｃｃ程度であり、これは、ランプ動作時のハロゲン原子密度に換算すると、０．０１〜１μｍｏｌ／ｃｃ程度に相当する。なお、ランプ５０の耐圧強度（動作圧力）は、１５〜２０ＭＰａまたはそれ以上である。また、管壁負荷は、例えば、６０Ｗ／ｃｍ²程度以上であり、特に上限は設定されない。例示的に示すと、管壁負荷は、例えば、６０Ｗ／ｃｍ²程度以上から、３００Ｗ／ｃｍ²程度の範囲（好ましくは、８０〜２００Ｗ／ｃｍ²程度）のランプを実現することができる。冷却手段を設ければ、３００Ｗ／ｃｍ²程度以上の管壁負荷を達成することも可能である。なお、定格電力は、例えば、１５０Ｗ（その場合の管壁負荷は、約１３０Ｗ／ｃｍ²に相当）である。
【００３６】
本実施形態におけるキャビティ２０の容量は、例えば０．０１〜０．０５ｃｃであり、キャビティ２０には、放電可能なガスが少なくとも封入されており、典型的には、発光管１０内と同様のガス（希ガス、水銀蒸気）が封入されている。発光管１０内と同様のガスがキャビティ２０内に封入されるのは、製造工程上の特徴である。製造工程は複雑になるが、異なるガスを封入することも可能である。また、キャビティ２０内に、酸化バリウムやトリウムタングステンのような電子を放出しやすく、放電を容易にする物質を配置しておくことも可能である。このような物質をキャビティ２０内に配置しておけば、切り抜き部２１を有する金属箔１３ｂの放電による損傷をより低減させることが可能となる。
【００３７】
なお、本実施形態では、金属箔１３ｂの切り抜き部２１のエッジを除いて、金属箔１３ａ、ｂおよびその外縁（１９）は、キャビティ２０に一切露出させていないが、金属箔のかなりの部分がキャビティ２０内の露出している図２に示した構成と比較すれば、本実施形態の構成で、切り抜き部２１のエッジ以外の金属箔１３ａ、１３ｂが一部露出していたとしても、他の部分は露出していないので、箔劣化防止の効果は得られる。
【００３８】
本実施形態における切り抜き部２１の形状は、略矩形であるが、切り抜き部２１の輪郭を規定するエッジが、金属箔１３ｂの外縁１９と接していないのであれば、その形状は特に限定されない。すなわち、切り抜き部２１は、金属箔１３ｂの外縁１９と接してしまう箇所を除く、金属箔１３ｂの中央部分に形成されていればよく、その形状は、例えば、正方形、長方形、菱形、円形、楕円形、長円形、三角形、および、五角形や六角形の多角形であってもよい。また、本実施形態の構成では、切り抜き部２１のエッジは、キャビティ２０に露出しているが、切り抜き部２１のエッジ内またはその周囲にキャビティ２０が形成されているのであれば、切り抜き部２１のエッジの少なくとも一部がガラス部１５に覆われていても良い。
【００３９】
図５に示した構成における切り抜き部２１の面積は、例えば、３．０〜８．０ｍｍ²であり、その寸法は、例えば、１．０〜１．４ｍｍ×３．０〜６．０ｍｍである。なお、金属箔１３ａおよび１３ｂのそれぞれの長手方向の長さおよび幅は、１５〜４０ｍｍおよび１．５〜２．０ｍｍである。金属箔１３ａおよび１３ｂは、いずれもモリブデンから構成されている。
【００４０】
図４に示した構成では、封止部１１ｂだけに、切り抜き部２１およびキャビティ２０を設けたが、それに限らず、両方の封止部１１ａ、ｂに、切り抜き部２１およびキャビティ２０を設けてもよい。このようにすれば、いずれの封止部１１ａ、１１ｂにアンテナを設けても、低電圧で始動可能なランプを実現することができる。
【００４１】
次に、図７（ａ）から（ｄ）を参照しながら、本実施形態の放電ランプ５０の製造方法を説明する。図７（ａ）から（ｄ）は、本実施形態の製造方法を説明するための工程図である。
【００４２】
最初に、図７（ａ）に示すように、放電ランプの発光管（１０）となる発光管部１１０と、発光管部１１０から延びた側管部１１１とを有する放電ランプ用パイプ（放電ランプ用ガラス管）８０を用意した後、電極組立体９０を側管部１１１に挿入する。電極組立体９０は、電極１２と、切り抜き部２１を有する金属箔１３ｂと、外部リード１４とから構成されている。電極１２および外部リード１４は、それぞれ、金属箔１３ｂの一端および他端に溶接により接続されている。なお、電極１２の先端には、コイル１１２が巻き付けられている。
【００４３】
電極組立体９０は、電極１２の先端が発光管部１０内に位置するように、側管部１１１に挿入されて、固定される。電極組立体９０の固定は、外部リード１４の一部に設けたモリブデンテープまたはコイルを側管部１１１の内壁に接触させることによって行うことができる。
【００４４】
次いで、放電ランプ用パイプ８０内を減圧状態にし、側管部１１１を加熱軟化させることによって、電極組立体９０の金属箔１３ｂと、側管部１１１とを密着させる。
【００４５】
ここでは、図７（ｂ）に示すように、側管部１１１のうちの発光管部１１０側の部分（Ａ）と、電極１２側に位置する部分の金属箔１３ｂとを密着させる工程と、側管部１１１のうちの発光管部１１０側と反対側の部分（Ｂ）と、外部リード１４側に位置する部分の金属箔１３ｂとを密着させる工程とを実行する。それらに加えて、電極１２側に位置する部分と外部リード１４側に位置する部分との間に位置している部分（切り抜き部２１の周囲部分）の金属箔１３ｂの外縁１９と、その部分の外縁１９に対応する部分（Ｂ）の側管部１１１とを密着させる工程を実行する。このようにすると、金属箔１３ｂの中央部分にキャビティ２０が形成されることになる。
【００４６】
なお、図７（ｂ）に示すように、電極１２側に位置する金属箔１３ｂの部分とは、切り抜き部２１の電極１２側のエッジよりも、電極１２側に位置する部分であり、そして、外部リード１４側に位置する金属箔１３ｂの部分とは、切り抜き部２１の外部リード１４側のエッジよりも、外部リード１４側に位置する部分である。
【００４７】
本実施形態では、まず、領域Ａの部分をバーナで加熱し、領域Ａの部分の密着が完了した後、領域Ｃの部分をバーナで加熱し始める。それと同時に、レーザで領域Ｂの部分の加熱を行う。この加熱処理によって、領域Ｂに対応する金属箔１３ｂの外縁１９は、領域Ｂの側管部１１１によって覆われる。レーザを用いるのは、局所的な加熱を行いやすいからである。なお、各種条件を選択することにより、バーナで領域Ｂの加熱を行っても良い。ただし、領域ＡやＣと同様に、領域Ｂをバーナで加熱すると、キャビティ２０が無くなってしまう程度にまで封止が完了してしまうので注意が必要である。
【００４８】
ここで、領域Ｂと領域Ｃの加熱処理を同時に行うのは、封止部形成工程の時間を短縮できるからであり、これらの加熱処理を同一でなく、別々に行うことも可能である。例えば、領域Ｃの加熱処理の後に、領域Ｂの加熱処理を行っても良い。領域ＡおよびＣの加熱にも、レーザを用いることができ、レーザは、例えば、ＣＯ₂可変レーザを用いることができる。
【００４９】
上述のようにして、領域Ａ、Ｂ、Ｃの加熱が終了すると、切り抜き部２１の位置またはその周囲に、キャビティ（２０）が形成される。このようにして、キャビティ２０を有する封止部１１ｂが得られる。一対の封止部の両方ともキャビティ２０を形成する場合には、同じ工程を繰り返せばよいし、一方の封止部だけにキャビティ２０を形成する場合には、例えば、キャビティ２０のない封止部１１ａを作製した後に、図７（ａ）および（ｂ）に示すようにして、キャビティ２０を有する封止部１１ｂを作製すればよい。
【００５０】
なお、発光管１０内に、希ガスや水銀を導入した後に、図７（ａ）および（ｂ）の工程を経て、キャビティ２０を形成すると、自動的にキャビティ２０内には希ガス・水銀蒸気が封入されることになる。図７に示した工程では、発光管部１１０側から封止を行ったが、それと反対の側から封止を行うことも可能である。また、最初に、キャビティ２０を有する封止部１１ｂを作製した後、キャビティ２０のない封止部１１ａを作製してもよい。
【００５１】
図８（ａ）から（ｅ）では、バーナ９５を明示して、本実施形態の製造方法をよりわかりやすく例示している。
【００５２】
図８（ａ）に示すように、まず、放電ランプ用パイプ８０の側管部１１１に電極組立体９０を挿入して、図８（ｂ）に示すように、側管部１１１に電極組立体９０を固定する。なお、側管部１１１の内径は２．０ｍｍ程度である。
【００５３】
次に、図８（ｃ）に示すように、発光管部１１０側からバーナ９５を用いて加熱し、そして、図中の矢印方向にバーナ９５を移動させていく。発光管部１１０側の封止が終わると、図８（ｄ）に示すような状態となる。
【００５４】
その後、図８（ｅ）に示すように、切り抜き部２１が位置する部分の封止をレーザ９６で行い、そして、外部リード１４側の封止をバーナ９５で行う。なお、バーナ９５の加熱条件および移動速度や、レーザ９６の照射条件は、周囲の状況（湿度、温度、空気流など）にあわせて適宜変化させて決定することが好ましい。これは、同じランプを作製する場合でも、作製する場所の状況（湿度、温度、空気流など）や各製造装置の個体差により、好適な条件は変化し得るからである。
【００５５】
上述のようにして、ランプ５０を作製した後、キャビティ２０の周囲にアンテナ３０を設ければ、図４に示した構成が得られる。図４に示した構成では、ループ状のアンテナ３０を設けたが、図６に示すように、封止部１１ｂにらせん状にリード３１を巻き付けて、アンテナ３０にしてもよい。らせん状のアンテナ３０の場合、キャビティ２０全体を覆うので、キャビティ２０内での放電をより確実に行うことができるという利点も得られる。
【００５６】
本実施形態では、切り抜き部２１を有する金属箔１３ｂとしたが、金属箔１３ｂの外縁１９を覆った構成で、封止部１１ｂにキャビティ２０を形成するには、切り抜き部２１のない金属箔１３ｂでも実現可能である。
【００５７】
図９は、封止部１１ｂのうち金属箔１３ｂの中央部分の上にキャビティ２０を有する放電ランプ５１の構成を模式的に示している。図４および図６に示したランプ５０と同様に、キャビティ２０の内部には、少なくとも希ガスが封入されている。そして、金属箔１３ｂの外縁はガラス部１５によって覆われており、当該外縁は、キャビティ２０に露出していない。図９に示したランプ５１が上記ランプ５０と異なる点は、封止部１１ｂの金属箔１３ｂに切り抜き部２１が形成されていない点である。
【００５８】
なお、ランプ５１では、図６に示したランプ５０と同様に、封止部１１ｂにらせん状にリード３１を巻き付けることによって、アンテナ３０を設けている。勿論、らせん状に巻き付けたアンテナ３０でなく、図４に示すようなループ状のアンテナを設けても良い。
【００５９】
図９に示したランプ５１では、金属箔１３ｂがキャビティ２０に露出しているものの、金属箔１３ｂのエッジは露出していないので、金属箔１３ｂの箔面とアンテナ３０とが放電し、それゆえ、箔の劣化の程度が少ない。すなわち、金属箔のエッジがキャビティに露出している図２に示した構成と比較して、箔劣化を抑制することができ、ランプの短寿命化を軽減することができる。
【００６０】
ランプ５１の製造方法は、実質的にランプ５０の製造方法と同様である。以下、図１０（ａ）から（ｅ）を参照しながら、ランプ５１の製造方法を説明する。
【００６１】
まず、切り抜き部２１が形成されていない金属箔１３ｂを有する電極組立体９０’を用意した後、図１０（ａ）に示すように、放電ランプ用パイプ８０の側管部１１１に電極組立体９０’を挿入する。次いで、図１０（ｂ）に示すように、側管部１１１に電極組立体９０’を固定する。
【００６２】
次に、図１０（ｃ）に示すように、発光管部１１０側からバーナ９５を用いて加熱し、そして、図中の矢印方向にバーナ９５を移動させていく。発光管部１１０側の封止が終わると、図１０（ｄ）に示すような状態となる。
【００６３】
その後、図１０（ｅ）に示すように、キャビティ２０を形成した箇所の封止をレーザ９６で行い、そして、外部リード１４側の封止をバーナ９５で行う。ランプ５０の製造方法で説明したように、キャビティ２０を形成した箇所の封止は、側管部１１１が金属箔１３ｂの外縁を覆うまで行う。このようにして、ランプ５１が得られる。
【００６４】
なお、本発明の実施形態の製造方法では、金属箔１３ｂの外縁と側管部１１１とを密着させるので、外縁の一部が側管部に接していないような図２に示した構成の場合と比較して、電極位置がずれることをより効果的に防止することができるという効果も得られる。つまり、封止部形成工程の際に、電極組立体（９０または９０’）の位置がずれるのを防止することができ、その結果、より簡便に且つ正確にアーク長の調整を行うことができる。今日、超高圧水銀ランプのアーク長は、１ｍｍ程度の極めて短い間隔にまでなっているので、その調整は、比較的アーク長が長かった時代と比べると、電極位置ずれ防止の効果はより重要な意義を有するようになってきている。
【００６５】
上記説明では、封止部１１ｂについての製造方法を中心に説明したが、放電ランプ（高圧水銀ランプ）の全体の製造方法を簡単に説明すると、以下の通りである。図１１および図１２は、本発明の実施形態にかかる放電ランプの製造方法を説明するための工程図である。
【００６６】
まず、図１１（ａ）に示すように、あらかじめ電極１２とモリブデン箔１３ａと外部リード１４を組み合わせて用意した電極組立体８９を、放電ランプ用ガラスパイプ８０における側管部１１１の一端から内部に挿入し、電極１２先端が将来発光管１０となる部位（発光管部）１１０内の所定の位置にくるように、配置する。電極組立体８９の外部リード１４の一端には、電極組立体８９を固定するためのモリブデンテープ１７が設けられており、これにより電極組立体８９を適切な位置に固定することができる。
【００６７】
図１１（ａ）に示した状態にした後、図１１（ｂ）に示すように、まず、ガラスパイプ８０内部を矢印７８で略示するように真空排気し、次いで、矢印７９で略示するように、大気圧以下の乾燥した不活性ガス（例えば、アルゴンガス）を、例えば５０ｍｂｒ（約５×１０³Ｐａ）か２００ｍｂａｒ（約２×１０⁴Ｐａ）程度導入する。
【００６８】
次に、図１１（ｃ）に示すように、矢印６１に示すようにガラスパイプ８０を回転させながら、矢印８２で略示するように、電極組立体８９が位置する付近のガラスパイプ８０の部位を加熱する。この加熱は、例えば酸素水素やプロパンなどのガスバーナーか、ＣＯ₂などのレーザーで行う。なお、この工程は、ガラスパイプ８０を略垂直に立てた状態で行ってもよい。その場合は、電極組立体８９が将来発光部となる部位（１１０）よりも上側に配置される状態で行うのが好ましい。
【００６９】
モリブデン箔１３ａのところで気密が十分に保たれるまで加熱が完了すれば、図１５（ｄ）に示すように、封止部１１ａが形成されたガラスパイプ８０が完成する。なお、主に図１１（ａ）に示した工程を、電極配置工程（または、電極組立体配置工程）と呼び、そして、主に図１１（ｃ）に示した工程を封止部形成工程と呼ぶこととする。
【００７０】
続いて、図１２（ａ）に示すように、ガラスパイプ（第１電極封止されたガラスパイプ）８０の開口端から、発光物質である水銀１８と、図８（ａ）に示した電極組立体９０とを内部に挿入する。そして、挿入した電極組立体９０の電極１２の一端が、将来発光管１０となる部位（１１０）内で、封止部１１ａ側の電極１２の先端から約１ｍｍ離れた位置には位置づけされるように、電極組立体９０をガラスパイプ８０内に挿入・位置づけする。
【００７１】
電極組立体９０における外部リード１４の一端にもモリブテープ１７が設けられており、これにより、電極組立体９０を所定位置に容易に固定することができる。ここでは、上述したように、電極組立体９０に代えて、図１０に示した電極組立体９０’を用いることも可能である。
【００７２】
次に、図１２（ｂ）中の矢印７８で示すように、ガラスパイプ８０内を真空排気し、続いて、図１６（ｃ）の矢印７９で示すように、乾燥した希ガス（例えば、アルゴンガス）を、例えば２００ｍｂｒ（約２×１０⁴Ｐａ）導入する。このとき少量のハロゲンガス（または、分解してハロゲンとなるハロゲン前駆体物質）を混合させてもよい。
【００７３】
その後、図１１（ｃ）と同様に、図１２（ｄ）に示すように、矢印６１の方向にガラスパイプ８０を回転させながら、矢印８２で略示するように、電極組立体９０が位置する付近のガラスパイプ８０の部位を加熱する。この加熱は、例えば酸素水素やプロパンなどのガスバーナーか、ＣＯ₂などのレーザーで行う。なお、図１１（ｃ）と同様に、この工程はガラスパイプ８０を略垂直に立てた状態で行ってもよい。その場合は、電極組立体９０が将来発光管１０となる部位（１１０）よりも上側に配置される状態で行うのが好ましい。また、水銀１８の蒸発を防ぐために、将来発光管１０となる部位１１０を、例えば液体窒素で冷やしながら、この加熱工程を行ってもよい。この封止部形成工程は、図８（ｃ）から（ｅ）に示した通りである。なお、電極組立体９０’を用いる場合には、この工程は、図１０（ｃ）から（ｅ）に示した通りである。
【００７４】
そして、図１２（ｅ）に示すように、発光管１０と封止部１１ａ、ｂとが形成されたランプ５０が完成する。最後に、外部リード１４が外部に露呈するように不要なガラス部およびモリブデンテープ１７を切除し、アンテナ３０を設ければ、図１６に示したようなランプ５０が完成する。なお、電極組立体９０’を用いた場合には、図９に示したランプ５１が完成する。
（実施形態２）
上記実施形態の高圧放電ランプは、反射鏡と組み合わせて、ミラー付きランプないしランプユニットにすることができる。
【００７５】
図１３は、上記実施形態１のランプ５０を備えたミラー付きランプ９００の断面を模式的に示している。なお、断面のハッチングは省略している。
【００７６】
ミラー付きランプ９００は、ランプ５０と、ランプ５０から発せられた光を反射する反射鏡２００とから構成されている。そして、ランプ５０のキャビティ２０の周囲には、アンテナ（不図示）が設けられている。なお、ランプ５０は例示であり、上記実施形態のランプ５０または５１のいずれであってもよい。また、ミラー付ランプ９００は、反射鏡６０を保持するランプハウスをさらに備えていてもよい。ここで、ランプハウスを備えた構成のものは、ランプユニットに包含されるものである。
【００７７】
反射鏡２００は、内面の一部が放物面体で構成された耐熱性ガラスからなり、反射鏡２００の一部には、金属線２０４を通すための小さな穴２０３が設けられており、反射鏡２００の外面には、ステンレス製の金具２０２が取り付けられている。この金具２０２には、反射鏡に２００を貫通する小さな穴２０３を通って、一端がランプ５０の外部リード線に電気的に接続された導電性の金属線２０４が電気的に接続されている。
【００７８】
ランプ５０は、図１７に示すように、反射鏡２００に固定されている。反射鏡２００が放物面鏡の場合には、ランプ５０が発する光のうちできるだけその多くが、反射鏡２００の仮想の回転軸（光軸とも呼ぶ）に平行な光となって開口部から出射されるように、ランプ５０は、反射鏡２００に固定される。反射鏡２００が楕円面鏡の場合、出射光が光軸上の焦点に集まるように、ランプ５０は、反射鏡２００に固定される。具体的な構成を述べると、反射鏡２００のネック部２０６に、ランプ５０の第１の封止部１３ｂを挿入し、耐熱性のセメント２０５によって、ネック部２０６に封止部１３ｂを固定する形で、ランプ５０は反射鏡２００に固定されている。反射鏡２００の前面開口部には、例えば前面ガラスを取り付けることができる。
【００７９】
本実施形態では、キャビティ２０を含む封止部１３ｂは、反射鏡２００の開口部側に設けているが、封止部１３ｂをネック部２０６側に設けることも可能である。ただし、封止部１３ｂにアンテナ（３０）を設けたときに、封止部１３ｂをネック部２０６に位置づけると、アライニング（照度確定作業）の時に不具合（例えば、アンテナがあるため動かせない等）が生じ得る。したがって、アライニングのことを考慮すると、キャビティ２０を含む封止部１３ｂは、反射鏡２００の開口部側に設けることが好ましい。
【００８０】
上述したように、反射鏡２００は、例えば、平行光束、所定の微小領域に収束する集光光束、あるいは、所定の微小領域から発散したのと同等の発散光束になるようにランプ５０からの放射光を反射するように構成されている。なお、最近のプロジェクタに対しては、手軽に持ち運びができるようという要望が強くなってきており、そのために、ノート型のパーソナルコンピュータのように、サイズがＡ５サイズやＢ５サイズに近い小型で、かつ薄いプロジェクタの開発・商品化が望まれている。そのような状況の中、反射鏡付き高圧水銀ランプに対しては、開口部の径が４５ｍｍよりも小さい、より小型の反射鏡を使用するようになってきている。それに加えて、反射鏡２００のタイプも、平行光を出射する放物面鏡タイプから、出射光がある一点（焦点）に収束する短焦点距離を有する楕円面鏡タイプのものが使用されるようになってきている。これは、プロジェクタ内の光路長が短くなって結果的にプロジェクタの小型化に、より寄与できるという理由によるものである。
【００８１】
このようなミラー付ランプないしランプユニットは、例えば、液晶やＤＭＤを用いたプロジェクタ等のような画像投影装置に取り付けることができ、画像投影装置用光源として使用される。画像投影装置としては、例えば、ＤＭＤを用いたプロジェクタ（デジタルライトプロセッシング（ＤＬＰ）プロジェクタ）や、液晶プロジェクタ（ＬＣＯＳ（Liquid Crystal on Silicon）構造を採用した反射型のプロジェクタも含む。）を挙げることができる。本実施形態のランプは、低電圧で始動することができるので、それだけ発生するノイズも少ない。したがって、ＤＬＰプロジェクタのようなノイズに比較的弱い画像投影装置にも、好適に適用することができる。
【００８２】
また、上記実施形態の高圧放電ランプ、およびミラー付ランプないしランプユニットは、画像投影装置用光源の他に、紫外線ステッパ用光源、または競技スタジアム用光源や自動車のヘッドライト用光源、道路標識を照らす投光器用光源などとしても使用することができる。
（他の実施形態）
上記実施形態では、発光物質として水銀を使用する水銀ランプを高圧放電ランプの一例として説明したが、本発明は、封止部（シール部）によって発光管の気密を保持する構成を有するいずれの高圧放電ランプにも適用可能である。例えば、金属ハロゲン化物を封入したメタルハライドランプなどの高圧放電ランプにも適用することができる。メタルハライドランプにおいても、低電圧で始動できることは好適だからである。また、近年、水銀を封入しない無水銀メタルハライドランプの開発も進んでいるが、そのような無水銀メタルハライドランプに本発明を適用することも可能である。
【００８３】
上記実施形態の技術が適用された無水銀メタルハライドランプとしては、図４、図６、図９などに示した構成において、発光管１０内に、水銀が実質的に封入されてなく、かつ、少なくとも、第１のハロゲン化物と、第２のハロゲン化物と、希ガスとが封入されているものが挙げられる。このとき、第１のハロゲン化物の金属は、発光物質であり、第２のハロゲン化物は、第１のハロゲン化物と比較して、蒸気圧が大きく、かつ、前記第１のハロゲン化物の金属と比較して、可視域において発光しにくい金属の１種または複数種のハロゲン化物である。例えば、第１のハロゲン化物は、ナトリウム、スカンジウム、および希土類金属からなる群から選択された１種または複数種のハロゲン化物である。そして、第２のハロゲン化物は、相対的に蒸気圧が大きく、かつ、第１のハロゲン化物の金属と比較して、可視域に発光しにくい金属の１種または複数種のハロゲン化物である。具体的な第２のハロゲン化物としては、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｂｅ、Ｒｅ、Ｇａ、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選択された少なくとも一種の金属のハロゲン化物である。そして、少なくともＺｎのハロゲン化物を含むような第２のハロゲン化物がより好適である。
【００８４】
また、他の組み合わせ例を挙げると、透光性の発光管（気密容器）１０と、発光管１０内に設けられた一対の電極１２と、発光管１０に連結された一対の封止部（１３ａ、ｂ）とを備えた無水銀メタルハライドランプにおける発光管１０内に、発光物質であるＳｃＩ₃（ヨウ化スカンジウム）およびＮａＩ（ヨウ化ナトリウム）と、水銀代替物質であるＩｎＩ₃（ヨウ化インジウム）およびＴｌＩ（ヨウ化タリウム）と、始動補助ガスとしての希ガス（例えば１．４ＭＰａのＸｅガス）が封入されているものである。この場合、第１のハロゲン化物は、ＳｃＩ₃（ヨウ化スカンジウム）、ＮａＩ（ヨウ化ナトリウム）となり、第２のハロゲン化物は、ＩｎＩ₃（ヨウ化インジウム）、ＴｌＩ（ヨウ化タリウム）となる。なお、第２のハロゲン化物は、比較的蒸気圧が高く、水銀の役割の代わりを担うものであればよいので、ＩｎＩ₃（ヨウ化インジウム）等に代えて、例えば、Ｚｎのヨウ化物を用いても良い。
【００８５】
さらに、上記実施形態では、水銀蒸気圧が２０ＭＰａ程度以上の場合（いわゆる超高圧水銀ランプの場合）について説明したが、水銀蒸気圧が１ＭＰａ程度の高圧水銀ランプに適用することを排除するものではない。つまり、超高圧水銀ランプおよび高圧水銀ランプを含む高圧放電ランプ全般に適用できるものである。また、上記実施形態のランプでは、封止部をシュリンク手法によって作製したが、ピンチング手法によって作製されたものを排除するものではない。
【００８６】
加えて、一対の電極１２間の間隔（アーク長）は、ショートアーク型であってもよいし、それより長い間隔であってもよい。上記実施形態のランプは、交流点灯型および直流点灯型のいずれの点灯方式でも使用可能である。また、上記実施形態の構成は相互に採用することが可能である。
【００８７】
以上、本発明の好ましい例について説明したが、こうした記述は限定事項ではなく、勿論、種々の変形が可能である。
【００８８】
【発明の効果】
本発明の放電ランプによれば、封止部における金属箔がその中央部分に切り抜き部を有しており、切り抜き部が位置する部分の周囲にキャビティが形成されているので、低電圧で始動をすることができるとともに、箔劣化を抑制して寿命が短くなることを防止した放電ランプを提供することができる。また、封止部のうち金属箔の中央部分の上にキャビティを形成することによっても、低電圧で始動をすることができるとともに、箔劣化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のショートアーク型の超高圧水銀ランプ１０００の構成を模式的に示す図である。
【図２】従来の低電圧始動ランプの構成を示す図である。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、図２に示したランプの平面図および側面図である。
【図４】本発明による実施形態１にかかる放電ランプ５０の構成を模式的に示す図である。
【図５】（ａ）および（ｄ）は、それぞれ、放電ランプ５０の封止部１１ｂの平面図および側面図である。
【図６】実施形態１にかかる放電ランプ５０の構成を模式的に示す図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、実施形態１にかかる放電ランプ５０の製造方法を説明するための工程図である。
【図８】（ａ）〜（ｅ）は、実施形態１にかかる放電ランプ５０の製造方法を説明するための工程図である。
【図９】実施形態１にかかる放電ランプ５１の構成を模式的に示す図である。
【図１０】（ａ）〜（ｅ）は、実施形態１にかかる放電ランプ５１の製造方法を説明するための工程図である。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は、実施形態１にかかる放電ランプの製造方法を説明するための工程図である。
【図１２】（ａ）〜（ｅ）は、実施形態１にかかる放電ランプの製造方法を説明するための工程図である。
【図１３】本発明の実施形態にかかるミラー付きランプ（ランプユニット）９００の断面を模式的に示す図である。
【符号の説明】
１０ 発光管
１１ａ、１１ｂ 封止部
１２ 電極（Ｗ電極）
１３ａ、１３ｂ 金属箔（Ｍｏ箔）
１４ 外部リード
１５ ガラス部
１７ 金属テープ（モリブデンテープ）
１８ 発光物質（水銀）
１９ 金属箔の外縁
２０ キャビティ（空洞）
２１ 切り抜き部
３０ アンテナ
３１ リード（リード線）
５０、５１ 放電ランプ
８０ 放電ランプ用ガラスパイプ
８９、９０、９０’ 電極組立体
９５ バーナー
９６ レーザー
１００ 発光管
１０１ａ 封止部
１０１ｂ 封止部
１０２ 電極
１０３ モリブデン箔
１０４ 外部リード
１０５ ガラス部
１１０ 発光管部
１１１ 側管部
１１２ コイル
１２０ アンテナ
１２１ リード線
１２２ アンテナ
１５０ キャビティ
２００ 反射鏡
９００ ミラー付きランプ
１０００ 高圧放電ランプ
２０００ 低電圧始動の高圧放電ランプ

Claims (8)

1. 発光物質が封入された管内に一対の電極が対向して配置された発光管と、
   前記発光管の両端に形成され、且つ、前記一対の電極のそれぞれに電気的に接続された金属箔が封止された封止部とを備え、
   少なくとも一方の前記封止部は、当該封止部のうち前記金属箔の中央部分の上に、キャビティを有しており、
   前記キャビティの内部には、少なくとも希ガスが封入されており、
   前記キャビティが位置する封止部の外周には、アンテナが設けられており、
   前記キャビティを有する封止部において、前記金属箔の外縁は、前記封止部を構成するガラスによって覆われており、且つ、前記キャビティに露出していない、放電ランプ。
2. 前記放電ランプは、前記発光管の内容積に対して１５０ｍｇ／ｃｍ^３以上の水銀が前記発光物質として封入された高圧水銀ランプである、請求項１に記載の放電ランプ。
3. 請求項１または２に記載の放電ランプと、前記放電ランプから発する光を反射する反射鏡とを備えたランプユニット。
4. 請求項３に記載のランプユニットを備えた画像投影装置。
5. 金属箔と、前記金属箔に接続された電極と、前記電極が接続された側とは反対側の前記金属箔に接続された外部リードとを有する電極組立体を用意する工程（ａ）と、
   発光管部と、前記発光管部から延びた側管部とを有する放電ランプ用パイプにおける前記発光管部内に前記電極の先端が位置するように、前記パイプの前記側管部に前記電極組立体を挿入する工程（ｂ）と、
   前記工程（ｂ）の後、前記放電ランプ用パイプ内を減圧状態にし、前記側管部を加熱軟化させることによって、前記側管部と前記金属箔とを密着させる工程（ｃ）と
   を包含し、
   前記工程（ｃ）は、
   前記側管部のうちの前記発光管部側の部分と、前記電極側に位置する部分の前記金属箔とを密着させる工程（ｃ−１）と、
   前記側管部のうちの前記発光管部側と反対側の部分と、前記外部リード側に位置する部分の前記金属箔とを密着させる工程（ｃ−２）と、
   前記電極側に位置する部分と前記外部リード側に位置する部分との間に位置している部分の前記金属箔の外縁と、当該外縁に対応する部分の前記側管部とを密着させ、それによって、前記金属箔の中央部分にキャビティを形成する工程（ｃ−３）と
   を含む、放電ランプの製造方法。
6. 前記工程（ｃ−３）において、前記金属箔の外縁と前記側管部とは、レーザ照射によって密着される、請求項５に記載の放電ランプの製造方法。
7. 前記工程（ｃ−３）は、前記工程（ｃ−１）または前記工程（ｃ−２）のいずれかと同時に実行される、請求項５または６に記載の放電ランプの製造方法。
8. 前記工程（ａ）で用意される前記電極組立体の前記金属箔は、前記電極側に位置する部分と前記外部リード側に位置する部分との間に位置している部分に、切り抜き部を有しており、
   前記切り抜き部の輪郭を規定するエッジは、当該金属箔の外縁と接していない、請求項５から７の何れか一つに記載の放電ランプの製造方法。

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