JP4004813B2

JP4004813B2 - Transparent gas / water vapor barrier film

Info

Publication number: JP4004813B2
Application number: JP2002048039A
Authority: JP
Inventors: 宏典丸山; 孝行松元; 寿伊東
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 2002-02-25
Filing date: 2002-02-25
Publication date: 2007-11-07
Anticipated expiration: 2022-02-25
Also published as: JP2003245996A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学部材、エレクトロニクス部材、一般包装部材、薬品包装部材などの幅広い用途に応用が可能な透明でガス・水蒸気バリア性の高いフィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、プラスチック基板やフィルムの表面に酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化珪素等の金属酸化物の薄膜を形成したガス・水蒸気バリア性フィルムは、ガスの遮断を必要とする物品の包装、食品や工業用品及び医薬品等の変質を防止するための包装用途に広く用いられている。また、包装用途以外にも液晶表示素子、太陽電池、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）基板等で使用されている。特に液晶表示素子、ＥＬ素子などへの応用が進んでいる透明基材には、近年、軽量化、大型化という要求に加え、長期信頼性や形状の自由度が高いこと、曲面表示が可能であること等の高度な要求が加わり、重くて割れやすく大面積化が困難なガラス基板に代わって透明プラスチック等のフィルム基材が採用され始めている。また、プラスチックフィルムは上記要求に応えるだけでなく、ロールトゥロール方式が可能であることからガラスよりも生産性が良くコストダウンの点でも有利である。しかしながら、透明プラスチック等のフィルム基材はガラスに比べガス・水蒸気バリア性が劣るという問題がある。ガス・水蒸気バリア性が劣る基材を用いると、酸素や水蒸気が浸透し、例えば液晶セル内の液晶を劣化させ、表示欠陥となって表示品位を劣化させてしまう。この様な問題を解決するためにフィルム基材上に金属酸化物薄膜を形成してガス・水蒸気バリア性フィルム基板とすることが知られている。包装材や液晶表示素子に使用されるガス・水蒸気バリア性フィルムとしてはプラスチックフィルム上に酸化珪素を蒸着したもの（特公昭53-12953号公報）や酸化アルミニウムを蒸着したもの（特開昭58-217344号公報）が知られており、いずれも１g/m2/day程度の水蒸気バリア性を有する。近年では、液晶ディスプレイの大型化、高精細ディスプレイ等の開発によりフィルム基板へのガス・水蒸気バリア性能について例えば水蒸気の透過性で0.1g/m2/day程度まで要求が上がってきている。これに応えるためにより高いガス・水蒸気バリア性能が期待できる手段としてスパッタリング法やＣＶＤ法による成膜検討が行われている。
【０００３】
ところが、ごく近年においてさらなるガス・水蒸気バリア性を要求される有機ＥＬディスプレイや高精彩カラー液晶ディスプレイなどの開発が進み、これに使用可能な透明性を維持しつつ、さらに高いガス・水蒸気バリア性、例えば水蒸気の透過性で0.1g/m2/day未満の性能をもつ基材が要求されるようになってきた。また、これらを解決する手段として特公平09-39151がある。しかし、導電性のバリア層の保護目的に有機コートを用いているため、有機コートのピンホールなどにより、液晶ディスプレイや有機ＥＬ等のデバイス設計によっては、パターニング後の電極間ショートの問題などがあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、従来よりも高いガス・水蒸気バリア性能を持ちかつ高い透明性を併せ持ち、耐薬品性にも優れた透明ガス・水蒸気バリアフィルムを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、
（１）高分子フィルムの少なくとも片面にＩｎ、Ｓｎを主成分とする合金酸化物から成るガス・水蒸気バリア層と電気絶縁性の無機薄膜である保護層を順次積層したことを特徴とする透明ガス・水蒸気バリアフィルム。
（２）該ガス・水蒸気バリア層の膜厚が１０ｎｍ〜２００ｎｍであることを特徴とする（１）の透明ガス・水蒸気バリアフィルム。
（３）該保護層の膜厚が１０ｎｍ〜５００ｎｍであることを特徴とする（１）、（２）の透明ガス・水蒸気バリアフィルム。
（４）表面抵抗値が30MΩ／sq以上の（１）〜（３）の透明ガス・水蒸気バリアフィルム。
である。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明のガス・水蒸気バリアフィルムは、高分子フィルムとガス・水蒸気バリア層の間に、密着性を高めるための、例えばエポキシアクリル系に代表される公知のアンカーコート層があっても良い。したがって層の構成内容は例えば
保護層／ガス・水蒸気バリア層／高分子フィルム、
保護層／ガス・水蒸気バリア層／アンカーコート層／高分子フィルム、
保護層／ガス・水蒸気バリア層／アンカーコート層／高分子フィルム／アンカーコート層、
保護層／ガス・水蒸気バリア層／高分子フィルム／ガス・水蒸気バリア層／保護層
保護層／ガス・水蒸気バリア層／アンカーコート層／高分子フィルム／アンカーコート層／ガス・水蒸気バリア層／保護層
等が考えられるが、これらに限定されるわれではない。本発明で用いる透明の高分子フィルムとしては何ら制限はないが、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂等を使用することができる。本発明で用いられる透明な高分子フィルムの全光線透過率は少なくとも４０％以上、好ましくは８０％以上が望ましい。本発明に用いる透明な高分子フィルムはガス・水蒸気バリア層、保護層の形成に先立ち各層及び高分子フィルム相互の密着力を高めるために脱ガス処理、コロナ放電処理、火炎処理等の表面処理が施されていてもよい。
【０００７】
本発明のガス・水蒸気バリア層は、Ｉｎ、Ｓｎの合金酸化物であって、真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリング等により形成することができるが、特に、密度９５％以上のＩｎ、Ｓｎの合金酸化物ターゲットを用いてマグネトロンスパッタリングにより厚み１０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜１５０ｎｍで形成したガス・水蒸気バリア層は水蒸気透過性が０．１ｇ／ｍ２／ｄａｙ、酸素ガス透過性が０．１ｃｃ／ｍ2／ｄａｙ／ａｔｍ以下と良好である。ガス・水蒸気バリア層の厚みが下限値未満では、該ガス・水蒸気バリア層が完全な連続構造となっておらず温度変化での積層フィルムの伸び縮みでガス・水蒸気バリア層が破壊されてしまう確率が大きくなる。また、ガス・水蒸気バリア層の厚みが上限値を超えると、着色によるの透明性の低下、ガス・水蒸気バリア層の内部応力に起因するクラックの発生によるガス・水蒸気バリア性の低下が起こり好ましくない。さらに言えば、ガスバリア性を高めるためには、ガスバリア層の厚みが内部応力に起因するクラックが発生しない１０〜１００ｎｍ程度が好ましい。
【０００８】
本発明に使用されるガス・水蒸気バリア層を覆う保護層としては、絶縁性の無機薄膜が好ましい。電気絶縁性の無機薄膜の材料としては何ら制限はないが、例えばSi、Al、Ti、Cu、Ta、Ce等の１種以上を含む酸化物もしくは窒化物もしくは酸化窒化物などを用いることができる。これらの保護層は真空蒸着、イオンプレーティング、あるいは、スパッタリング等により形成することができる。保護層の膜厚は厚すぎると曲げ応力によるクラックが発生し、薄すぎると膜が島状に分布して、いずれも電気絶縁性保護コート層としての役目を果たさなくなるため５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲が好ましい。さらに、ガス・水蒸気バリア層と保護層は同一プロセスで一度に形成することにより異物混入などによるピンホールを無くすことができるので好ましい。具体的には従来のように、無機バリア層形成後に樹脂保護コート層を形成する方法では同一プロセスでは無いので、装置切り替え時などに異物混入の可能性が高かったが、例えば２カソードを直列配置した既存のスパッタリング装置などを用いて無機バリア層と保護層を一度に連続で成膜することにより異物混入を防ぐことができ、液晶表示デバイスや有機ＥＬ表示デバイスなどで問題となっていたピンホールによるパターンのショート等の欠陥を無くすことができる。また、本発明による透明ガス・水蒸気バリアフィルムは、液晶表示デバイスや有機ＥＬ表示デバイス等を作製する際に必要なＮａＯＨ等のアルカリ溶液浸せき処理、ＨＣｌ等の酸溶液浸せき処理により欠陥が生じ、ガス・水蒸気バリア性が損なわれる問題を該保護層を積層することにより克服することができる。
【０００９】
【実施例】
＜実施例１＞
ポリエーテルサルホンフィルムに２官能のエポキシアクリレート(昭和高分子：VR-60-LAV)25wt%、ジエチレングリコール50wt%、酢酸エチル24wt%、シランカップリング剤１wt%からなる均一な混合溶液をスピンコーターで塗布し、80℃10分加熱乾燥後さらにＵＶ照射で硬化させて２μｍのアンカーコート層を形成した。つぎに、２カソードを具備するスパッタ装置にITOターゲットとSiターゲットをセットして、該装置の真空槽内に前記樹脂層を形成したポリエーテルサルホンフィルムをセットし、10^-4Pa台まで真空引きし、放電ガスとしてアルゴンを分圧で0.1Pa、酸素を分圧で0.005Pa導入した。雰囲気圧力が安定したところで放電を開始し、相対密度95％のITOターゲット上にプラズマを発生させ、スパッタリングプロセスを開始した。プロセスが安定したところでシャッターを開き、フィルム上へガス・水蒸気バリア層としてのITO層の形成を開始した。90nmの膜が堆積したところでシャッターを閉じて成膜を終了した。続いて、放電ガスとしてアルゴンを分圧で0.1Pa導入、反応ガスとして酸素を分圧で0.01Pa導入した。雰囲気圧力が安定したところでSiターゲット側の放電を開始し、Siターゲット上にプラズマを発生させ、スパッタリングプロセスを開始した。プロセスが安定したところでシャッターを開きフィルムへの保護層として酸化珪素層の形成を開始した。80nmの膜が堆積したところでシャッターを閉じて成膜を終了した。真空槽内に大気を導入し窒化酸化珪素層の形成されたフィルムを取り出した。
【００１０】
＜実施例２＞
実施例１で行ったアンカーコート層を省略した以外は、実施例１と同様に本発明のガス・水蒸気バリアフィルムを作製した。
＜実施例３＞
実施例２の構成である保護層／ガス・水蒸気バリア層をポリエーテルサルホンフィルムの裏面側にも積層し、保護層／ガス・水蒸気バリア層／高分子フィルム／ガス・水蒸気バリア層／保護層の層構成をもつ本発明のガス・水蒸気バリアフィルムを作製した。各層の形成については、実施例１と同様に行った。
＜実施例４＞
実施例１の裏面側に、実施例１と同様の方法で、アンカーコート層を積層した。
＜実施例５＞
実施例１の構成である保護層／ガス・水蒸気バリア層／アンカーコート層をポリエーテルサルホンフィルムの裏面側にも積層し、保護層／ガス・水蒸気バリア層／アンカーコート層／高分子フィルム／アンカーコート層／ガス・水蒸気バリア層／保護層の層構成をもつ本発明のガス・水蒸気バリアフィルムを作製した。各層の形成については、実施例１と同様に行った。
【００１１】
＜比較例１＞
保護層を省略した以外は実施例１と同様にして作成した。
＜比較例２＞
保護層を省略した以外は実施例２と同様にして作成した。
＜比較例３＞
保護層を省略した以外は実施例３と同様にして作成した。
＜比較例４＞
保護層を省略した以外は実施例４と同様にして作成した。
＜比較例５＞
保護層を省略した以外は実施例５と同様にして作成した。
【００１２】
（評価）
各フィルムの表面抵抗値を２極平行電極にて測定した。ガス・水蒸気バリア性能として水蒸気透過性をJISK7129B法にて測定した。さらに、濃度１規定、液温３０℃のＨＣｌに５分間浸せきした後の水蒸気透過性も測定した。光線透過率については分光透過率計により波長400nmにおける値を測定した。結果を表１に示す。
【００１３】
【表１】

【００１４】
実施例ではすべての項目において良好な膜が得られた。比較例では表面抵抗が低く導電性になってしまうこと、および酸でガス・水蒸気バリア性が劣化するため表示デバイス用のガス・水蒸気バリアフィルムとしては不適であった。
【００１５】
【発明の効果】
本発明により、透明性、ガス・水蒸気バリア性、耐久性の優れた透明ガス・水蒸気バリアフィルムを提供することが可能となった。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a transparent film having a high gas / water vapor barrier property that can be applied to a wide range of uses such as optical members, electronics members, general packaging members, and medicine packaging members.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, gas / water vapor barrier films in which metal oxide thin films such as aluminum oxide, magnesium oxide, and silicon oxide are formed on the surface of plastic substrates and films are used for packaging of goods that require gas blocking, food and industrial Widely used in packaging applications to prevent alteration of goods and medicines. Moreover, it is used with a liquid crystal display element, a solar cell, an electroluminescence (EL) substrate, etc. besides the packaging use. In particular, transparent substrates that have been applied to liquid crystal display elements, EL elements, etc. have recently been required to be lighter and larger, have long-term reliability and a high degree of freedom in shape, and can display curved surfaces. With the addition of high demands such as that, film substrates such as transparent plastics have begun to be used instead of glass substrates that are heavy, fragile and difficult to increase in area. In addition, the plastic film not only satisfies the above requirements but also has a roll-to-roll method, so that it has higher productivity than glass and is advantageous in terms of cost reduction. However, a film substrate such as a transparent plastic has a problem that the gas / water vapor barrier property is inferior to glass. If a base material with inferior gas / water vapor barrier properties is used, oxygen and water vapor will permeate, for example, causing deterioration of the liquid crystal in the liquid crystal cell, resulting in display defects and deterioration of display quality. In order to solve such problems, it is known to form a metal oxide thin film on a film substrate to form a gas / water vapor barrier film substrate. Gas / water vapor barrier films used for packaging materials and liquid crystal display elements are those obtained by vapor-depositing silicon oxide on a plastic film (Japanese Patent Publication No. 53-12953) or those obtained by vapor-depositing aluminum oxide (Japanese Patent Laid-Open No. 58-1983). No. 217344) are known, and all have a water vapor barrier property of about 1 g / m2 / day. In recent years, with the development of large-sized liquid crystal displays, high-definition displays, etc., there has been a demand for gas / water vapor barrier performance to film substrates, for example, about 0.1 g / m2 / day in terms of water vapor permeability. In order to meet this demand, film formation by sputtering or CVD has been studied as a means for expecting higher gas / water vapor barrier performance.
[0003]
However, development of organic EL displays and high-definition color liquid crystal displays that require further gas and water vapor barrier properties in recent years has progressed, and while maintaining the transparency that can be used for this, even higher gas and water vapor barrier properties, For example, a substrate having a water vapor permeability of less than 0.1 g / m2 / day has been required. In addition, as a means for solving these problems, there is JP 09-39151. However, since organic coating is used for the purpose of protecting the conductive barrier layer, there is a problem of short circuit between electrodes after patterning depending on device design such as liquid crystal display and organic EL due to pinhole of organic coating. It was.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to provide a transparent gas / water vapor barrier film that has higher gas / water vapor barrier performance than the conventional one, has high transparency, and is excellent in chemical resistance.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
That is, the present invention
(1) A transparent gas characterized in that a gas / water vapor barrier layer made of an alloy oxide mainly composed of In and Sn and a protective layer which is an electrically insulating inorganic thin film are sequentially laminated on at least one surface of the polymer film.・ Water vapor barrier film.
(2) The transparent gas / water vapor barrier film according to (1), wherein the gas / water vapor barrier layer has a thickness of 10 nm to 200 nm.
(3) The transparent gas / water vapor barrier film according to (1) or (2), wherein the protective layer has a thickness of 10 nm to 500 nm.
(4) The transparent gas / water vapor barrier film of (1) to (3) having a surface resistance value of 30 MΩ / sq or more.
It is.
[0006]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The gas / water vapor barrier film of the present invention may have a known anchor coat layer typified by, for example, an epoxy acrylic system, for improving adhesion between the polymer film and the gas / water vapor barrier layer. Therefore, the composition of the layer is, for example, protective layer / gas / water vapor barrier layer / polymer film,
Protective layer / gas / water vapor barrier layer / anchor coat layer / polymer film,
Protective layer / gas / water vapor barrier layer / anchor coat layer / polymer film / anchor coat layer,
Protective layer / gas / water vapor barrier layer / polymer film / gas / water vapor barrier layer / protective layer protective layer / gas / water vapor barrier layer / anchor coat layer / polymer film / anchor coat layer / gas / water vapor barrier layer / protective layer However, it is not limited to these. There is no limitation on the transparent polymer film used in the present invention, but polysulfone resin, polyethersulfone resin, polycarbonate resin, polyarylate resin, polyacrylate resin, polyester resin, polyamide resin, epoxy resin, polyimide resin, polyolefin resin Etc. can be used. The total light transmittance of the transparent polymer film used in the present invention is at least 40% or more, preferably 80% or more. The transparent polymer film used in the present invention is subjected to surface treatment such as degassing treatment, corona discharge treatment, flame treatment, etc. in order to increase the adhesion between each layer and the polymer film prior to the formation of the gas / water vapor barrier layer and the protective layer. It may be given.
[0007]
The gas / water vapor barrier layer of the present invention is an alloy oxide of In and Sn, and can be formed by vacuum deposition, ion plating, sputtering, etc. In particular, an alloy of In and Sn having a density of 95% or more. A gas / water vapor barrier layer formed by magnetron sputtering using an oxide target with a thickness of 10 nm to 200 nm, preferably 10 nm to 150 nm, has a water vapor permeability of 0.1 g / m 2 / day and an oxygen gas permeability of 0.1 cc / m 2. / Day / atm or less. If the thickness of the gas / water vapor barrier layer is less than the lower limit, the gas / water vapor barrier layer does not have a complete continuous structure, and the probability that the gas / water vapor barrier layer will be destroyed due to expansion / contraction of the laminated film due to temperature change. Becomes larger. Further, if the thickness of the gas / water vapor barrier layer exceeds the upper limit value, the transparency due to coloring is lowered, and the gas / water vapor barrier property is lowered due to the occurrence of cracks due to the internal stress of the gas / water vapor barrier layer, which is not preferable. . Furthermore, in order to improve the gas barrier property, the thickness of the gas barrier layer is preferably about 10 to 100 nm so that cracks due to internal stress do not occur.
[0008]
The protective layer covering the gas / water vapor barrier layer used in the present invention is preferably an insulating inorganic thin film. There are no restrictions on the material of the electrically insulating inorganic thin film, but, for example, an oxide, nitride, oxynitride, or the like containing one or more of Si, Al, Ti, Cu, Ta, Ce and the like can be used. . These protective layers can be formed by vacuum deposition, ion plating, sputtering, or the like. If the protective layer is too thick, cracks due to bending stress will occur, and if it is too thin, the film will be distributed in islands, and neither will serve as an electrically insulating protective coating layer. preferable. Further, it is preferable to form the gas / water vapor barrier layer and the protective layer at the same time in the same process because pinholes due to contamination of foreign matters can be eliminated. Specifically, as in the prior art, the method of forming the resin protective coating layer after forming the inorganic barrier layer is not the same process, so there was a high possibility of foreign matter mixing at the time of device switching. For example, two cathodes are arranged in series Pinholes that have been a problem in liquid crystal display devices and organic EL display devices can be prevented by forming an inorganic barrier layer and a protective layer continuously at a time using an existing sputtering apparatus. It is possible to eliminate defects such as pattern shorts caused by In addition, the transparent gas / water vapor barrier film according to the present invention has defects caused by an alkaline solution immersion treatment such as NaOH and an acidic solution immersion treatment such as HCl necessary for producing a liquid crystal display device or an organic EL display device. The problem that the water vapor barrier property is impaired can be overcome by laminating the protective layer.
[0009]
【Example】
<Example 1>
A uniform mixed solution of 25% by weight of bifunctional epoxy acrylate (Showa Polymer: VR-60-LAV), 50% by weight of diethylene glycol, 24% by weight of ethyl acetate, and 1% by weight of silane coupling agent on a polyethersulfone film using a spin coater It was applied, dried by heating at 80 ° C. for 10 minutes, and further cured by UV irradiation to form a 2 μm anchor coat layer. Next, an ITO target and Si target are set in a sputtering apparatus having two cathodes, and a polyether sulfone film on which the resin layer is formed is set in a vacuum tank of the apparatus, and vacuum is maintained up to 10 ⁻⁴ Pa level. As a discharge gas, argon was introduced at a partial pressure of 0.1 Pa and oxygen was introduced at a partial pressure of 0.005 Pa. When the atmospheric pressure was stabilized, discharge was started, plasma was generated on an ITO target having a relative density of 95%, and a sputtering process was started. When the process was stable, the shutter was opened and the formation of an ITO layer as a gas / water vapor barrier layer on the film was started. When the 90 nm film was deposited, the shutter was closed to complete the film formation. Subsequently, argon was introduced at a partial pressure of 0.1 Pa as a discharge gas, and oxygen was introduced at a partial pressure of 0.01 Pa as a reaction gas. When the atmospheric pressure was stabilized, discharge on the Si target side was started, plasma was generated on the Si target, and the sputtering process was started. When the process was stabilized, the shutter was opened and formation of a silicon oxide layer was started as a protective layer for the film. When the 80 nm film was deposited, the shutter was closed to finish the film formation. Air was introduced into the vacuum chamber, and the film with the silicon nitride oxide layer formed was taken out.
[0010]
<Example 2>
A gas / water vapor barrier film of the present invention was produced in the same manner as in Example 1 except that the anchor coat layer used in Example 1 was omitted.
<Example 3>
The protective layer / gas / water vapor barrier layer having the structure of Example 2 was also laminated on the back side of the polyethersulfone film, and protective layer / gas / water vapor barrier layer / polymer film / gas / water vapor barrier layer / protective layer. A gas / water vapor barrier film of the present invention having the following layer structure was prepared. The formation of each layer was performed in the same manner as in Example 1.
<Example 4>
An anchor coat layer was laminated on the back side of Example 1 in the same manner as in Example 1.
<Example 5>
The protective layer / gas / water vapor barrier layer / anchor coat layer having the structure of Example 1 was also laminated on the back side of the polyethersulfone film, and the protective layer / gas / water vapor barrier layer / anchor coat layer / polymer film / A gas / water vapor barrier film of the present invention having a layer configuration of anchor coat layer / gas / water vapor barrier layer / protective layer was produced. The formation of each layer was performed in the same manner as in Example 1.
[0011]
<Comparative Example 1>
It was created in the same manner as in Example 1 except that the protective layer was omitted.
<Comparative example 2>
It was produced in the same manner as in Example 2 except that the protective layer was omitted.
<Comparative Example 3>
It was produced in the same manner as in Example 3 except that the protective layer was omitted.
<Comparative Example 4>
It was produced in the same manner as in Example 4 except that the protective layer was omitted.
<Comparative Example 5>
It was created in the same manner as in Example 5 except that the protective layer was omitted.
[0012]
(Evaluation)
The surface resistance value of each film was measured with a two-pole parallel electrode. Water vapor permeability was measured by the JISK7129B method as gas / water vapor barrier performance. Further, the water vapor permeability after immersion for 5 minutes in HCl having a concentration of 1 N and a liquid temperature of 30 ° C. was also measured. The light transmittance was measured at a wavelength of 400 nm with a spectral transmittance meter. The results are shown in Table 1.
[0013]
[Table 1]

[0014]
In the examples, good films were obtained in all items. The comparative example was unsuitable as a gas / water vapor barrier film for a display device because it had low surface resistance and became conductive, and the gas / water vapor barrier property deteriorated with acid.
[0015]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to provide a transparent gas / water vapor barrier film having excellent transparency, gas / water vapor barrier properties, and durability.

Claims

A transparent gas / water vapor barrier characterized in that a gas / water vapor barrier layer made of an alloy oxide mainly composed of In and Sn and a protective layer which is an electrically insulating inorganic thin film are sequentially laminated on at least one surface of a polymer film. A film , the gas / water vapor barrier layer has a thickness of 10 nm to 200 nm, the protective layer has a thickness of 10 nm to 500 nm, the protective layer is made of silicon oxide, and the gas / water vapor barrier layer and A transparent gas / water vapor barrier film in which the protective layer is formed by sputtering and has a surface resistance of 30 MΩ / sq or more.