JP4045830B2

JP4045830B2 - Receiver module

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Publication number: JP4045830B2
Application number: JP2002092303A
Authority: JP
Inventors: 健一郎河本; 剛関口; 伊藤　　誠
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2002-03-28
Filing date: 2002-03-28
Publication date: 2008-02-13
Anticipated expiration: 2022-03-28
Also published as: JP2003289149A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、受光モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
受光モジュール１０１は、図７に示されるように、搭載部材１１１と、リードピン１２１〜１２４と、半導体受光素子１３１と、ダイキャップコンデンサ１４１と、半導体電子素子１５１等を備える。
【０００３】
搭載部材１１１は、導電性の部材からなり、搭載面１１２を有する。リードピンのうち、搭載部材１１１に電気的に導通しているリードピン（図示せず）以外の４本のリードピン１２１〜１２４と搭載部材１１１の絶縁は、ガラス部材１２５による封止にて行っている。
【０００４】
半導体受光素子１３１は、受光部１３２と、リードピン１２１にワイヤボンディングされる第１の電極１３３と、第２の電極１３４と、受光部１３２からの電流信号を出力する第３の電極１３５とを有する。また、半導体受光素子１３１は、一端が第１の電極１３３に電気的に接続され、他端が第２の電極１３４に接続される抵抗素子１３６を有する。
【０００５】
ダイキャップコンデンサ１４１は、一方の面側に搭載面に接する電極（図示せず）を有し、他方の面側に並設された２つの電極１４２，１４３を有する。半導体受光素子１３１は、一方の電極１４２上に配置され、半導体受光素子１３１の第２の電極１３４と電極１４２とがワイヤボンディングされている。他方の電極１４３は、リードピン１２２にワイヤボンディングされている。ここで、半導体受光素子１３１の抵抗素子１３６とダイキャップコンデンサ１４１とは、ＣＲフィルタを形成しており、半導体受光素子１３１に印加する電源のデカップリングフィルタとなっている。
【０００６】
半導体電子素子１５１は、半導体受光素子１３１から出力された電流信号を電気処理するものであり、第１〜第５の電極１５２〜１５６と、搭載部材１１１（搭載面１１２）にワイヤボンディングされる接地電極１５７とを有する。第１の電極１５２は、半導体電子素子１５１に電源電圧（Ｖ_DD）を印加するためのものであり、ダイキャップコンデンサ１４１の電極１４３にワイヤボンディングされている。第２の電極１５３は、半導体受光素子１３１からの電流信号を半導体電子素子１５１に入力するためのもので、半導体受光素子１３１の第３の電極１３５にワイヤボンディングされている。第３の電極１５４は、半導体受光素子１３１から出力された電流信号を電気処理した信号を出力するためのものであり、リードピン１２３にワイヤボンディングされている。第４の電極１５５は、第３の電極１５４から出力される信号とは位相が１８０°異なる相補信号を出力するものであり、リードピン１２４にワイヤボンディングされている。第５の電極１５６は、搭載面１１２上に配置されたダイキャップコンデンサ１６１の電極にワイヤボンディングされている。
【０００７】
搭載面１２上に配置されたダイキャップコンデンサ１６２の電極は、リードピン１２２にワイヤボンディングされている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
発明者は、上述したような構成の受光モジュールの動作速度を上げるために技術開発を行っている。最近、受光モジュールの動作速度を上げることが求められており、発明者等は、信号周波数が２．５ＧＨｚを越えるような速度を実現できるような受光モジュールが求められると考えている。信号周波数が２．５ＧＨｚを越えるような領域では、各部品間の信号伝送路（信号ライン）のインピーダンス整合を考慮しないと、満足し得る特性を得ることができない。また、電源供給路（電源ライン）を介した信号の回り込みによる動作不安定（発振）現象も生じ易くなる。
【０００９】
これらの問題点の解決手法として、電源ラインの低インピーダンス化、及び、信号ラインの低インピーダンス化がある。ここで、低インピーダンス化というのは、電源のデカップリングコンデンサの容量増大、あるいは、当該コンデンサに接続するラインの低インダクタンス化を意味する。低インダクタンス化には複数のボンディングワイヤを並列的に配線することが効果的となる。また、信号ラインの低インピーダンス化は、このラインの周囲を低インピーダンスのライン、たとえば接地ラインあるいは電源ラインで囲む構成を採用することで実現できる。この取り囲みはワイヤだけでなく、半導体電子素子内でも同様に行なうことが効果的となる。
【００１０】
しかしながら、受光モジュールの小型化を図る場合、搭載部材を小さくする必要があることから、搭載部材における部品搭載面積に制約が生じることとなる。このため、新たな部品を数多く搭載することが困難となる。また、信号ラインの周囲を低インピーダンスのラインで囲む場合、半導体電子素子内では配線の自由度が確保されているため充分な余裕を有した状態で信号ラインの周囲を低インピーダンスのラインで囲むことができるが、信号ラインのワイヤの周囲を接地ラインあるいは電源ラインのワイヤで取り囲むことは、当該ワイヤの付線時におけるワイヤ間の相互干渉の問題から困難となる。
【００１１】
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、信号ラインの低インピーダンス化を容易且つ確実に図ることが可能な受光モジュールを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る受光モジュールは、導電性の部材からなり、搭載面を有する搭載部材と、受光部と、当該受光部からの電流信号を出力する信号出力電極とを有する半導体受光素子と、電流信号を入力するための信号入力電極と、当該信号入力電極の両側に設けられる接地電極とを有する半導体電子素子と、一方の面側に搭載面に接する電極を有し、他方の面側に並設された少なくとも３つの電極を有するダイキャップコンデンサと、を備え、半導体受光素子は、ダイキャップコンデンサの少なくとも３つの電極のうちの中央の電極に配置され、ダイキャップコンデンサは、配置された半導体受光素子が搭載面の中央部に位置するように配置され、半導体電子素子は、信号入力電極が半導体受光素子の信号出力電極と対向するようにダイキャップコンデンサに隣接して搭載面に配置されており、半導体受光素子の信号出力電極と半導体電子素子の信号入力電極とが電気的に接続され、半導体電子素子の接地電極とダイキャップコンデンサの半導体受光素子が配置された電極の両側に位置する電極のうち対応する側の電極とがそれぞれ電気的に接続され、半導体電子素子の接地電極に電気的に接続されたダイキャップコンデンサの電極と搭載面とがそれぞれ電気的に接続されていることを特徴としている。
【００１３】
本発明に係る受光モジュールでは、半導体電子素子において信号入力電極の両側に接地電極が設けられ、当該接地電極はダイキャップコンデンサの半導体受光素子が配置された電極の両側に位置する電極を介して搭載部材（搭載面）にそれぞれ電気的に接続されて、接地されることとなる。接地電極とダイキャップコンデンサの電極との間の配線長さ、及びダイキャップコンデンサの電極と搭載部材との間の配線長さは、接地電極を直接搭載部材に接地させた場合の配線長さに比して短くなる。これにより、配線自体が有するインダクタンス成分の影響を低く抑えることができると共に、配線が変形し難くなり、各部位に接触するのを防ぐことができる。この結果、半導体受光素子から半導体電子素子へ電流信号を送るための信号ラインを接地ラインにて囲む構造が実現され、当該信号ラインの低インピーダンス化を容易且つ確実に図ることができる。
【００１４】
また、ダイキャップコンデンサは、他方の面側に並設された少なくとも３つの電極に対して最外となる位置に電極を更に有しており、当該最外に位置する電極と半導体電子素子の電源電極とが電気的に接続されていることが好ましい。このように構成した場合、ダイキャップコンデンサは、半導体電子素子に印加する電源のカップリングコンデンサとして機能することとなり、電源ラインの低インピーダンス化を図ることができる。
【００１５】
また、半導体電子素子は、信号を出力するための信号出力電極を一対有しており、当該信号出力電極は、信号入力電極が近接して配置される一辺に直交する辺にそれぞれ近接して配置されていることが好ましい。このように構成した場合、信号出力電極から信号を取り出すための配線長さが短くなり、当該配線自体が有することとなるインダクタンス成分の影響を低く抑えることができる。
【００１６】
また、半導体受光素子は、受光部に電源電圧を印加するための電源電極と、ダイキャップコンデンサの半導体受光素子が配置された電極に電気的に接続された電極と、当該電極と電源電極との間に直列接続して設置した抵抗素子とを更に有することが好ましい。このように構成した場合、ダイキャップコンデンサと抵抗素子とがＣＲフィルタを構成することとなり、半導体受光素子の安定した動作が実現可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態に係る受光モジュールについて図面を参照して説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１８】
（第１実施形態）
図１は受光モジュールを示す平面図であり、図２は同じく受光モジュールを示す断面図である。受光モジュール１は、たとえば光通信モジュールの受信用サブアセンブリ（ＲＯＳＡ）に用いられるもので、図１及び図２に示されるように、搭載部材１１と、複数（本実施形態においては５本）のリードピン２１〜２５、半導体受光素子３１、ダイキャップコンデンサ（平行平板コンデンサ）４１、半導体電子素子５１等を備える。
【００１９】
搭載部材１１は、半導体受光素子３１、ダイキャップコンデンサ４１、半導体電子素子５１等の部品を搭載する搭載面１２を有し、搭載面１２の裏面側に窪み部１４が形成されている。搭載面１２の直径は、約４．２２ｍｍに設定されている。この搭載部材１１は、コバール、Ｆｅ−Ｎｉ合金又はＣｕＷ等の金属からなり、金メッキが施されている。搭載部材１１には、搭載面１２から当該搭載面１２の裏面に貫通して形成された複数（本実施形態においては４つ）の孔部１５が形成されている。これらの孔部１５には、それぞれ対応するリードピン２１〜２４が挿通される。
【００２０】
リードピン２１〜２４は、一端が搭載面１２から所定の長さ（たとえば、０．３５ｍｍ程度）突出した状態で対応する孔部１５に挿通されて、搭載部材１１に電気的に絶縁された状態で固定される。リードピン２１〜２４と搭載部材１１の絶縁は、窪み部１４に充填されるガラス部材１６による封止にて行っている。
【００２１】
リードピン２１は半導体受光素子３１に電源電圧（Ｖ_PD）を印加するためのものであり、リードピン２２は半導体電子素子５１に電源電圧（Ｖ_DD）を印加するためのものである。リードピン２３，２４は、半導体電子素子５１にて電気処理した信号を出力するためのものである。リードピン２５は、搭載部材１１と電気的に導通した状態で、搭載面１２の裏面に固定されている。これらのリードピン２１〜２５は、コバール等の金属材料からなり、その外径は約０．４５ｍｍに設定されている。
【００２２】
ダイキャップコンデンサ４１は、一方の面側に搭載面１２に接する電極４２を有し、他方の面側に並設された少なくとも３つ（本実施形態においては４つ）の電極４３〜４５を有する。このダイキャップコンデンサ４１は、電極４３が搭載面１２の中央部に位置するように配置され、電極４２が搭載部材１１と電気的に接続されている。ダイキャップコンデンサ４１は０．７ｍｍ×２．６ｍｍ×０．２ｍｍの大きさを有し、電極４３の大きさは０．９ｍｍ×０．６ｍｍに設定され、電極４４，４５の大きさは０．３ｍｍ×０．６ｍｍに設定され、電極４６の大きさは０．８ｍｍ×０．６ｍｍに設定されている。
【００２３】
搭載面１２の中央部に位置することとなる電極４３の両側に位置する電極４４，４５は、搭載部材１１とワイヤボンディングされ電気的に接続されており、接地電位とされる。電極４４，４５と搭載部材１１とを電気的に接続するワイヤ（配線）は複数本（本実施形態においては２本）とされている。最外に位置する電極４６は、リードピン２２にワイヤボンディングされている。電極４６とリードピン２２とを電気的に接続するワイヤは複数本（本実施形態においては２本）とされている。
【００２４】
半導体受光素子３１は、たとえばフォトダイオードであって、図３にも示されるように、受光部３２、第１の電極３３（電源電極）、第２の電極３４及び第３の電極３５（信号出力電極）を有する。また、半導体受光素子３１は、第１の電極３３と第２の電極３４との間に直列接続して設置した抵抗素子３６と、抵抗素子３６に並列接続したダイオード３７とを有する。半導体受光素子３１の大きさは、０．５ｍｍ×０．５ｍｍとなっている。この半導体受光素子３１は、ダイキャップコンデンサ４１の電極４３上に配置される。言い換えると、ダイキャップコンデンサ４１は、電極４３に配置された半導体受光素子３１（受光部３２）が搭載面１２の中央部に位置するように配置されている。
【００２５】
第１の電極３３は、半導体受光素子３１に電源電圧を印加するためのものであり、半導体受光素子３１における一つの角部に近接して設けられている。この第１の電極３３は、リードピン２１にワイヤボンディングされている。これにより、半導体受光素子３１には、リードピン２１及びワイヤを介して電源電圧が印加されることとなる。
【００２６】
第３の電極３５は、受光部３２に入射した光が変換されて得られた電流信号を出力するためのものであり、第１の電極３３が近接して設けられた角部と隣り合う角部に近接して設けられている。
【００２７】
第２の電極３４は、第１及び第３の電極３３，３５が近接して設けられた角部とは反対側の一辺に沿って設けられている。この第２の電極３４は、ダイキャップコンデンサ４１の電極４３にワイヤボンディングされている。これにより、ダイキャップコンデンサ４１（電極４２，４３により構成されることとなるコンデンサ部分）と抵抗素子３６とがＣＲフィルタを構成することとなり、半導体受光素子３１の安定した動作が実現可能となる。
【００２８】
半導体電子素子５１は、たとえばプリアンプＩＣであって、半導体受光素子３１から出力された電流信号を電気処理（たとえば、増幅、電流−電圧変換等）する。半導体電子素子５１は、第１の電極５２（電源電極）、第２の電極５３（信号入力電極）、第３の電極５４（信号出力電極）、第４の電極５５（信号出力電極）、第５の電極５６、接地電極５７，５８等を有する。半導体電子素子５１は、第２の電極５３が半導体受光素子３１の第３の電極３５と対向するようにダイキャップコンデンサ４１に隣接して搭載面１２に配置されている。本実施形態においては、リードピン２３，２４間に配置されている。
【００２９】
第１の電極５２は、半導体電子素子５１に電源電圧を印加するためのものであり、ダイキャップコンデンサ４１の電極のうち最外に位置する電極４６とワイヤボンディングされ電気的に接続されている。これにより、半導体電子素子５１には、リードピン２２、ダイキャップコンデンサ４１の電極４６及びワイヤを介して電源電圧が印加されることとなる。第１の電極５２と電極４６とを電気的に接続するワイヤは複数本（本実施形態においては３本）とされている。
【００３０】
第２の電極５３は、半導体受光素子３１からの電流信号を半導体電子素子５１に入力するためのもので、半導体受光素子３１の第３の電極３５とワイヤボンディングされている。
【００３１】
第３の電極５４は、半導体受光素子３１から出力された電流信号を電気処理した信号を出力するためのものであり、リードピン２３にワイヤボンディングされている。これにより、半導体電子素子５１にて電気処理した信号は、ワイヤ及びリードピン２３を介して出力されることとなる。第４の電極５５は、第３の電極５４から出力される信号とは位相が１８０°異なる相補信号を出力するものであり、リードピン２４にワイヤボンディングされている。これにより、半導体電子素子５１にて電気処理した相補信号は、ワイヤ及びリードピン２４を介して出力されることとなる。第３の電極５４及び第４の電極５５は、第２の電極５３が近接して配置される一辺に直交し且つ互いに対向する辺（リードピン２３，２４に近接する辺）にそれぞれ近接して配置されている。
【００３２】
第５の電極５６は、ダイキャップコンデンサ６０の電極にワイヤボンディングされている。ダイキャップコンデンサ６０は、半導体電子素子５１の内部回路で用いる平滑化コンデンサとして機能し、高域遮断フィルタのカットオフ周波数を決定するためのものである。
【００３３】
接地電極５７は、第２の電極５３の両側に設けられ、ダイキャップコンデンサ４１の電極４４，４５にそれぞれワイヤボンディングされ電気的に接続されている。これにより、接地電極５７は、電極４４，４５及びワイヤを介して搭載部材１１に電気的に接続された状態となり、接地電位とされる。
【００３４】
接地電極５８は、それぞれが搭載面１２にワイヤボンディングされており、接地電位とされる。
【００３５】
以上のように、本第１実施形態においては、半導体電子素子５１において第２の電極５３の両側に接地電極５７が設けられ、当該接地電極５７はダイキャップコンデンサ４１の半導体受光素子３１が配置された電極４３の両側に位置する電極４４，４５を介して搭載部材１１（搭載面１２）にそれぞれ電気的に接続されて、接地されることとなる。接地電極５７とダイキャップコンデンサ４１の電極４４，４５との間の配線長さ、及びダイキャップコンデンサ４１の電極４４，４５と搭載部材１１との間の配線長さは、接地電極５７を直接搭載部材１１に接地させた場合の配線長さに比して短くなる。これにより、ワイヤ自体が有するインダクタンス成分の影響を低く抑えることができると共に、ワイヤが変形し難くなり、各部位に接触するのを防ぐことができる。この結果、半導体受光素子３１から半導体電子素子５１へ電流信号を送るための信号ラインを接地ラインにて囲む構造が実現され、当該信号ラインの低インピーダンス化を容易且つ確実に図ることができ、信号周波数が２．５ＧＨｚを越えるような信号に対しても安定した伝送を実現できる。
【００３６】
また、本第１実施形態においては、ダイキャップコンデンサ４１は、他方の面側に並設された少なくとも３つの電極４３〜４５に対して最外となる位置に電極４６を更に有しており、当該最外に位置する電極４６と半導体電子素子５１の第１の電極５２とが電気的に接続されている。これにより、ダイキャップコンデンサ４１（電極４２，４６により構成されることとなるコンデンサ部分）は、半導体電子素子５１に印加する電源のカップリングコンデンサとして機能することとなり、電源ラインの低インピーダンス化を図ることができる。
【００３７】
また、本第１実施形態においては、半導体電子素子５１は、信号を出力するための信号出力電極として第３の電極５４及び第４の電極５５を有しており、当該第３の電極５４及び第４の電極５５は、第２の電極５３が近接して配置される一辺に直交する辺にそれぞれ近接して配置されている。これにより、第３の電極５４及び第４の電極５５から信号を取り出すためにリードピン２３，２４にそれぞれワイヤリングされるワイヤの長さが短くなり、当該ワイヤ自体が有することとなるインダクタンス成分の影響を低く抑えることができる。
【００３８】
また、本第１実施形態においては、半導体電子素子５１の第１の電極５２とダイキャップコンデンサ４１の電極のうち最外に位置する電極４６と電気的に接続するワイヤ、及び、リードピン２２とダイキャップコンデンサの電極４６と電気的に接続するワイヤをそれぞれ複数本としている。これにより、ワイヤが有する寄生インダクタンスの影響を低減することができ、高周波領域での安定した特性を実現することができる。
【００３９】
（第２実施形態）
図４は受光モジュールを示す平面図であり、図５は同じく受光モジュールを示す断面図である。第２実施形態の受光モジュール６１は、搭載部材１１等の形状の点で第１実施形態と相違する。
【００４０】
搭載部材１１は、搭載面１２及び端子配置面１３を有する本体部７１と、この本体部７１から側方に突出する鍔部７２とを含む。この本体部７１及び鍔部７２は、コバール、Ｆｅ−Ｎｉ合金又はＣｕＷ等の金属からなり、金メッキが施されている。搭載部材１１（本体部７１）の厚みは１．１ｍｍ〜１．５ｍｍであり、本体部７１の外径は約４．２２ｍｍであり、鍔部７２の外径は約５．４ｍｍである。
【００４１】
搭載部材１１の本体部７１には、搭載面１２から端子配置面１３に貫通して形成された複数（本実施形態においては４つ）の孔部７３〜７６が形成されている。これらの孔部７３〜７６には、それぞれ対応するリードピン２１〜２４が挿通される。孔部７３，７４の内径は約０．８ｍｍに設定されており、孔部７５，７６の内径は約１．１ｍｍに設定されている。
【００４２】
リードピン２１〜２４は、一端が搭載面１２から所定の長さ（たとえば、０．３５ｍｍ程度）突出した状態で対応する孔部７３〜７６に挿通されて、搭載部材１１に電気的に絶縁された状態で固定される。リードピン２１〜２４は、孔部７３〜７６の略中心を通る。孔部７３，７４に挿通されるリードピン２１．２２の外径は約０．４５ｍｍに設定されており、孔部７５，７６に挿通されるリードピン２３，２４の外径は約０．２ｍｍに設定されている。なお、リードピン２５は、外径が約０．４５ｍｍに設定されている。
【００４３】
リードピン２１〜２４と搭載部材１１との固定は、リードピン２１〜２４の外周面と孔部７３〜７６の内周面との間隙にのみガラス部材８１〜８４を充填して当該間隙を気密に封止することにより行なわれる。ここで、ガラス部材８１〜８４の誘電率は４．１程度である。
【００４４】
孔部７５，７６の内径が約１．１ｍｍであることから、ガラス部材８３，８４の外径も約１．１ｍｍとなる。一方、リードピン２３，２４の外径は、上述したように約０．２ｍｍに設定されている。これにより、リードピン２３，２４は、信号周波数が１０ＧＨｚである信号が通るようにガラス部材８３，８４により封止された部分においてインピーダンスが５０Ω程度となり、インピーダンス整合されることとなる。
【００４５】
以上のように、本第２実施形態においても、第１実施形態と同じく、半導体受光素子３１から半導体電子素子５１へ電流信号を送るための信号ラインを接地ラインにて囲む構造が実現され、当該信号ラインの低インピーダンス化を容易且つ確実に図ることができ、信号周波数が２．５ＧＨｚを越えるような信号に対しても安定した伝送を実現できる。
【００４６】
また、本第２実施形態においては、リードピン２３，２４の外径及び孔部７５，７６の内径を適宜設定することで、リードピン２３，２４のインピーダンスが所望の値に設定されることとなり、ガラス部材８３，８４により封止された部分においてリードピン２３，２４のインピーダンス整合を容易に図ることができる。
【００４７】
また、本第２実施形態においては、搭載部材１１の厚みが、第１実施形態のものに比して厚く設定されていることから、搭載部材１１の熱抵抗が低減されることとなる。これにより、受光モジュール６１の放熱特性を改善することができる。
【００４８】
（第３実施形態）
図６は受光モジュールを示す平面図である。第３実施形態の受光モジュールは、ダイキャップコンデンサに関して第２実施形態と相違する。
【００４９】
ダイキャップコンデンサ６０は、複数（本第３実施形態においては、２つ）の電極９１，９２を有している。上述したように、ダイキャップコンデンサ６０は、半導体電子素子５１における高域遮断フィルタのカットオフ周波数を決定するためのものであり、その容量値は慎重に設定する必要がある。
【００５０】
このため、ダイキャップコンデンサ６０の電極を複数に分割しておき、半導体電子素子５１の第５の電極５６と電気的に接続する電極を適宜選択することにより、ダイキャップコンデンサ６０において平滑化コンデンサとして実質的に機能するコンデンサ部分の容量値が変更されることとなる。この結果、半導体電子素子５１における高域遮断フィルタのカットオフ周波数を適切に設定することができる。
【００５１】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、ダイキャップコンデンサ４１とダイキャップコンデンサ６０とを一体型に形成してもよい。すなわち、ダイキャップコンデンサ４１の長さを延長し、この延長した部分に電極を設け、この部分をダイキャップコンデンサ６０として用いるようにしてもよい。
【００５２】
また、リードピン２１，２２間に新たなダイキャップコンデンサを配置し、リードピン２１あるいはリードピン２２と電気的に接続するようにしてもよい。リードピン２１，２２間に新たに配置したダイキャップコンデンサとリードピン２１とを電気的に接続することで、半導体受光素子３１に印加する電源のカップリングコンデンサとして機能させることができる。リードピン２１，２２間に新たに配置したダイキャップコンデンサとリードピン２２とを電気的に接続することで、半導体電子素子５１に印加する電源のカップリングコンデンサとして機能させることができる。
【００５３】
また、ワイヤボンディングに用いるワイヤ（配線）は、通常、直径が３０μｍ〜５０μｍの金線を用いるが、これに代えて、金リボンを用いるようにしてもよい。
【００５４】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、電源ライン及び信号ラインの低インピーダンス化を容易に図ることが可能な受光モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る受光モジュールを示す平面図である。
【図２】第１実施形態に係る受光モジュールを示す断面図である。
【図３】受光モジュールに含まれる半導体受光素子の構成を示す図である。
【図４】第２実施形態に係る受光モジュールを示す断面図である。
【図５】第２実施形態に係る受光モジュールを示す平面図である。
【図６】第３実施形態に係る受光モジュールを示す平面図である。
【図７】従来の受光モジュールを示す平面図である。
【符号の説明】
１，６１，１０１…受光モジュール、１１，１１１…搭載部材、１２，１１２…搭載面、３１，１３１…半導体受光素子、３２，１３２…受光部、３３，１３３…第１の電極（電源電極）、３４，１３４…第２の電極、３５，１３５…第３の電極（信号出力電極）、３６，１３６…抵抗素子、４１，１４１…ダイキャップコンデンサ、４２〜４６，１４２，１４３…電極、５１，１５１…半導体電子素子、５２，１５２…第１の電極（電源電極）、５３，１５３…第２の電極（信号入力電極）、５４，１５４…第３の電極（信号出力電極）、５５，１５５…第４の電極（信号出力電極）、５６，１５６…第５の電極、５７，５８，１５７…接地電極。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a light receiving module.
[0002]
[Prior art]
As shown in FIG. 7, the light receiving module 101 includes a mounting member 111, lead pins 121 to 124, a semiconductor light receiving element 131, a die cap capacitor 141, a semiconductor electronic element 151, and the like.
[0003]
The mounting member 111 is made of a conductive member and has a mounting surface 112. Among the lead pins, the four lead pins 121 to 124 other than the lead pins (not shown) electrically connected to the mounting member 111 and the mounting member 111 are insulated by sealing with a glass member 125.
[0004]
The semiconductor light receiving element 131 includes a light receiving portion 132, a first electrode 133 that is wire-bonded to the lead pin 121, a second electrode 134, and a third electrode 135 that outputs a current signal from the light receiving portion 132. . In addition, the semiconductor light receiving element 131 includes a resistance element 136 having one end electrically connected to the first electrode 133 and the other end connected to the second electrode 134.
[0005]
The die cap capacitor 141 has an electrode (not shown) in contact with the mounting surface on one surface side, and two electrodes 142 and 143 arranged in parallel on the other surface side. The semiconductor light receiving element 131 is disposed on one electrode 142, and the second electrode 134 and the electrode 142 of the semiconductor light receiving element 131 are wire-bonded. The other electrode 143 is wire bonded to the lead pin 122. Here, the resistance element 136 and the die cap capacitor 141 of the semiconductor light receiving element 131 form a CR filter, which is a decoupling filter for a power source applied to the semiconductor light receiving element 131.
[0006]
The semiconductor electronic element 151 electrically processes the current signal output from the semiconductor light receiving element 131, and is grounded by wire bonding to the first to fifth electrodes 152 to 156 and the mounting member 111 (mounting surface 112). An electrode 157. The first electrode 152 is connected to the power supply voltage (V _DD ) And is wire-bonded to the electrode 143 of the die cap capacitor 141. The second electrode 153 is for inputting a current signal from the semiconductor light receiving element 131 to the semiconductor electronic element 151, and is wire-bonded to the third electrode 135 of the semiconductor light receiving element 131. The third electrode 154 is for outputting a signal obtained by electrically processing the current signal output from the semiconductor light receiving element 131, and is wire-bonded to the lead pin 123. The fourth electrode 155 outputs a complementary signal that is 180 degrees out of phase with the signal output from the third electrode 154, and is wire-bonded to the lead pin 124. The fifth electrode 156 is wire bonded to the electrode of the die cap capacitor 161 disposed on the mounting surface 112.
[0007]
The electrode of the die cap capacitor 162 arranged on the mounting surface 12 is wire bonded to the lead pin 122.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
The inventor has developed technology to increase the operating speed of the light receiving module having the above-described configuration. Recently, it has been required to increase the operation speed of the light receiving module, and the inventors believe that a light receiving module capable of realizing a speed at which the signal frequency exceeds 2.5 GHz is required. In a region where the signal frequency exceeds 2.5 GHz, satisfactory characteristics cannot be obtained unless impedance matching of the signal transmission path (signal line) between the components is taken into consideration. In addition, an unstable operation (oscillation) phenomenon due to a signal wraparound through a power supply path (power supply line) is likely to occur.
[0009]
As a method for solving these problems, there is a reduction in the impedance of the power supply line and a reduction in the impedance of the signal line. Here, reducing the impedance means increasing the capacity of the decoupling capacitor of the power supply or reducing the inductance of the line connected to the capacitor. In order to reduce the inductance, it is effective to wire a plurality of bonding wires in parallel. Further, the impedance of the signal line can be reduced by adopting a configuration in which the periphery of this line is surrounded by a low impedance line such as a ground line or a power supply line. It is effective to perform this encircling not only in the wire but also in the semiconductor electronic device.
[0010]
However, when reducing the size of the light receiving module, it is necessary to reduce the mounting member, so that the component mounting area of the mounting member is limited. For this reason, it becomes difficult to mount many new parts. In addition, when surrounding the signal line with a low impedance line, the degree of freedom of wiring is secured in the semiconductor electronic element, so that the signal line is surrounded with a low impedance line with sufficient margin. However, it is difficult to surround the wire of the signal line with the wire of the ground line or the power supply line due to the problem of mutual interference between the wires when the wire is attached.
[0011]
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a light receiving module capable of easily and reliably reducing the impedance of a signal line.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
A light receiving module according to the present invention is made of a conductive member, and includes a mounting member having a mounting surface, a light receiving portion, a semiconductor light receiving element that outputs a current signal from the light receiving portion, and a current signal. A semiconductor electronic element having a signal input electrode for inputting a signal and a ground electrode provided on both sides of the signal input electrode, an electrode in contact with the mounting surface on one surface side, and arranged side by side on the other surface side A die cap capacitor having at least three electrodes, wherein the semiconductor light receiving element is disposed at a center electrode of at least three electrodes of the die cap capacitor, and the die cap capacitor is disposed at the disposed semiconductor light receiving element. Is placed in the center of the mounting surface, and the semiconductor electronic device has a die cap so that the signal input electrode faces the signal output electrode of the semiconductor light receiving device The signal output electrode of the semiconductor light receiving element and the signal input electrode of the semiconductor electronic element are electrically connected to each other, and the ground electrode of the semiconductor electronic element and the semiconductor light receiving element of the die cap capacitor are disposed on the mounting surface. The electrodes on the opposite sides of the electrodes arranged on the opposite sides are electrically connected to each other, and the electrode of the die cap capacitor and the mounting surface are electrically connected to the ground electrode of the semiconductor electronic element. Each is electrically connected.
[0013]
In the light receiving module according to the present invention, a ground electrode is provided on both sides of the signal input electrode in the semiconductor electronic element, and the ground electrode is mounted via electrodes positioned on both sides of the electrode on which the semiconductor light receiving element of the die cap capacitor is disposed. Each member (mounting surface) is electrically connected and grounded. The wiring length between the ground electrode and the electrode of the die cap capacitor, and the wiring length between the electrode of the die cap capacitor and the mounting member are the wiring lengths when the ground electrode is directly grounded to the mounting member. It is shorter than that. Thereby, while being able to suppress the influence of the inductance component which wiring itself has, it becomes difficult to deform | transform a wiring and it can prevent contacting each part. As a result, a structure in which a signal line for sending a current signal from the semiconductor light receiving element to the semiconductor electronic element is surrounded by the ground line is realized, and the impedance of the signal line can be easily and reliably reduced.
[0014]
The die cap capacitor further has an electrode at an outermost position with respect to at least three electrodes arranged in parallel on the other surface side, and the power supply for the outermost electrode and the semiconductor electronic device It is preferable that the electrode is electrically connected. When configured in this manner, the die cap capacitor functions as a coupling capacitor for the power supply applied to the semiconductor electronic element, and the impedance of the power supply line can be reduced.
[0015]
In addition, the semiconductor electronic device has a pair of signal output electrodes for outputting signals, and the signal output electrodes are arranged close to a side orthogonal to one side where the signal input electrodes are arranged close to each other. It is preferable that When configured in this manner, the wiring length for extracting a signal from the signal output electrode is shortened, and the influence of the inductance component that the wiring itself has can be suppressed low.
[0016]
The semiconductor light receiving element includes a power supply electrode for applying a power supply voltage to the light receiving portion, an electrode electrically connected to an electrode on which the semiconductor light receiving element of the die cap capacitor is disposed, and the electrode and the power supply electrode. It is preferable to further have a resistance element installed in series between them. In such a configuration, the die cap capacitor and the resistance element constitute a CR filter, and a stable operation of the semiconductor light receiving element can be realized.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
A light receiving module according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the description, the same reference numerals are used for the same elements or elements having the same function, and redundant description is omitted.
[0018]
(First embodiment)
FIG. 1 is a plan view showing the light receiving module, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing the light receiving module. The light receiving module 1 is used, for example, in a receiving subassembly (ROSA) of an optical communication module. As shown in FIGS. 1 and 2, a mounting member 11 and a plurality of (in the present embodiment, five) are mounted. Lead pins 21 to 25, a semiconductor light receiving element 31, a die cap capacitor (parallel plate capacitor) 41, a semiconductor electronic element 51, and the like are provided.
[0019]
The mounting member 11 has a mounting surface 12 on which components such as the semiconductor light receiving element 31, the die cap capacitor 41, and the semiconductor electronic element 51 are mounted. A recess 14 is formed on the back side of the mounting surface 12. The diameter of the mounting surface 12 is set to about 4.22 mm. The mounting member 11 is made of a metal such as Kovar, Fe—Ni alloy, or CuW, and is plated with gold. The mounting member 11 is formed with a plurality of (four in the present embodiment) hole portions 15 penetrating from the mounting surface 12 to the back surface of the mounting surface 12. Corresponding lead pins 21 to 24 are respectively inserted into these hole portions 15.
[0020]
The lead pins 21 to 24 are inserted into the corresponding hole portions 15 with one end protruding from the mounting surface 12 by a predetermined length (for example, about 0.35 mm) and electrically insulated from the mounting member 11. Fixed. Insulation between the lead pins 21 to 24 and the mounting member 11 is performed by sealing with the glass member 16 filled in the recess 14.
[0021]
The lead pin 21 supplies the semiconductor light receiving element 31 with a power supply voltage (V _PD ), And the lead pin 22 is connected to the semiconductor electronic element 51 with a power supply voltage (V _DD ) Is applied. The lead pins 23 and 24 are for outputting a signal electrically processed by the semiconductor electronic element 51. The lead pin 25 is fixed to the back surface of the mounting surface 12 in a state of being electrically connected to the mounting member 11. These lead pins 21 to 25 are made of a metal material such as Kovar, and have an outer diameter of about 0.45 mm.
[0022]
The die cap capacitor 41 has an electrode 42 in contact with the mounting surface 12 on one surface side, and has at least three (four in the present embodiment) electrodes 43 to 45 arranged in parallel on the other surface side. . The die cap capacitor 41 is disposed such that the electrode 43 is positioned at the center of the mounting surface 12, and the electrode 42 is electrically connected to the mounting member 11. The die cap capacitor 41 has a size of 0.7 mm × 2.6 mm × 0.2 mm, the size of the electrode 43 is set to 0.9 mm × 0.6 mm, and the size of the electrodes 44 and 45 is 0.8. It is set to 3 mm × 0.6 mm, and the size of the electrode 46 is set to 0.8 mm × 0.6 mm.
[0023]
The electrodes 44 and 45 positioned on both sides of the electrode 43 positioned at the center of the mounting surface 12 are electrically connected to the mounting member 11 by wire bonding, and are set to ground potential. The number of wires (wirings) that electrically connect the electrodes 44 and 45 and the mounting member 11 is two (two in this embodiment). The outermost electrode 46 is wire-bonded to the lead pin 22. There are a plurality of wires (two in this embodiment) for electrically connecting the electrode 46 and the lead pin 22.
[0024]
The semiconductor light receiving element 31 is, for example, a photodiode, and as shown in FIG. 3, the light receiving unit 32, the first electrode 33 (power supply electrode), the second electrode 34, and the third electrode 35 (signal output). Electrode). Further, the semiconductor light receiving element 31 includes a resistance element 36 installed in series between the first electrode 33 and the second electrode 34, and a diode 37 connected in parallel to the resistance element 36. The size of the semiconductor light receiving element 31 is 0.5 mm × 0.5 mm. The semiconductor light receiving element 31 is disposed on the electrode 43 of the die cap capacitor 41. In other words, the die cap capacitor 41 is disposed such that the semiconductor light receiving element 31 (light receiving portion 32) disposed on the electrode 43 is positioned at the center of the mounting surface 12.
[0025]
The first electrode 33 is for applying a power supply voltage to the semiconductor light receiving element 31, and is provided in the vicinity of one corner of the semiconductor light receiving element 31. The first electrode 33 is wire bonded to the lead pin 21. As a result, the power supply voltage is applied to the semiconductor light receiving element 31 via the lead pin 21 and the wire.
[0026]
The third electrode 35 is for outputting a current signal obtained by converting the light incident on the light receiving unit 32, and is adjacent to a corner provided close to the first electrode 33. It is provided close to the part.
[0027]
The second electrode 34 is provided along one side opposite to the corner where the first and third electrodes 33 and 35 are provided close to each other. The second electrode 34 is wire bonded to the electrode 43 of the die cap capacitor 41. As a result, the die cap capacitor 41 (the capacitor portion formed by the electrodes 42 and 43) and the resistance element 36 constitute a CR filter, and the stable operation of the semiconductor light receiving element 31 can be realized.
[0028]
The semiconductor electronic element 51 is a preamplifier IC, for example, and performs electrical processing (for example, amplification, current-voltage conversion, etc.) on the current signal output from the semiconductor light receiving element 31. The semiconductor electronic device 51 includes a first electrode 52 (power supply electrode), a second electrode 53 (signal input electrode), a third electrode 54 (signal output electrode), a fourth electrode 55 (signal output electrode), a first electrode 5 electrodes 56, ground electrodes 57, 58, and the like. The semiconductor electronic element 51 is disposed on the mounting surface 12 adjacent to the die cap capacitor 41 so that the second electrode 53 faces the third electrode 35 of the semiconductor light receiving element 31. In the present embodiment, it is disposed between the lead pins 23 and 24.
[0029]
The first electrode 52 is used to apply a power supply voltage to the semiconductor electronic element 51, and is wire-bonded and electrically connected to the outermost electrode 46 among the electrodes of the die cap capacitor 41. As a result, a power supply voltage is applied to the semiconductor electronic element 51 through the lead pin 22, the electrode 46 of the die cap capacitor 41, and the wire. There are a plurality of wires (three in this embodiment) that electrically connect the first electrode 52 and the electrode 46.
[0030]
The second electrode 53 is for inputting a current signal from the semiconductor light receiving element 31 to the semiconductor electronic element 51, and is wire-bonded to the third electrode 35 of the semiconductor light receiving element 31.
[0031]
The third electrode 54 is for outputting a signal obtained by electrically processing the current signal output from the semiconductor light receiving element 31, and is wire-bonded to the lead pin 23. As a result, the signal electrically processed by the semiconductor electronic element 51 is output via the wire and the lead pin 23. The fourth electrode 55 outputs a complementary signal that is 180 ° out of phase with the signal output from the third electrode 54, and is wire-bonded to the lead pin 24. As a result, the complementary signal electrically processed by the semiconductor electronic element 51 is output via the wire and the lead pin 24. The third electrode 54 and the fourth electrode 55 are arranged close to sides (sides close to the lead pins 23, 24) orthogonal to one side where the second electrode 53 is placed close to each other and sides facing each other. Has been.
[0032]
The fifth electrode 56 is wire bonded to the electrode of the die cap capacitor 60. The die cap capacitor 60 functions as a smoothing capacitor used in the internal circuit of the semiconductor electronic device 51, and determines the cutoff frequency of the high-frequency cutoff filter.
[0033]
The ground electrode 57 is provided on both sides of the second electrode 53 and is electrically connected to the electrodes 44 and 45 of the die cap capacitor 41 by wire bonding. As a result, the ground electrode 57 is electrically connected to the mounting member 11 via the electrodes 44 and 45 and the wires, and is set to the ground potential.
[0034]
Each of the ground electrodes 58 is wire-bonded to the mounting surface 12 and is set to a ground potential.
[0035]
As described above, in the first embodiment, the ground electrode 57 is provided on both sides of the second electrode 53 in the semiconductor electronic element 51, and the semiconductor light receiving element 31 of the die cap capacitor 41 is disposed on the ground electrode 57. The electrodes 43 and 45 located on both sides of the electrode 43 are electrically connected to the mounting member 11 (mounting surface 12) and grounded. The wiring length between the ground electrode 57 and the electrodes 44 and 45 of the die cap capacitor 41 and the wiring length between the electrodes 44 and 45 of the die cap capacitor 41 and the mounting member 11 are directly mounted on the ground electrode 57. This is shorter than the wiring length when the member 11 is grounded. Thereby, while being able to suppress the influence of the inductance component which a wire itself has, it becomes difficult to deform | transform a wire and it can prevent contacting each site | part. As a result, a structure in which the signal line for sending a current signal from the semiconductor light receiving element 31 to the semiconductor electronic element 51 is surrounded by the ground line is realized, and the impedance of the signal line can be easily and reliably reduced. Stable transmission can be realized even for a signal whose frequency exceeds 2.5 GHz.
[0036]
In the first embodiment, the die cap capacitor 41 further includes an electrode 46 at a position that is the outermost with respect to at least three electrodes 43 to 45 arranged in parallel on the other surface side. The outermost electrode 46 and the first electrode 52 of the semiconductor electronic element 51 are electrically connected. As a result, the die cap capacitor 41 (capacitor portion constituted by the electrodes 42 and 46) functions as a coupling capacitor for the power source applied to the semiconductor electronic element 51, thereby reducing the impedance of the power source line. be able to.
[0037]
In the first embodiment, the semiconductor electronic device 51 includes the third electrode 54 and the fourth electrode 55 as signal output electrodes for outputting a signal. The fourth electrode 55 is disposed adjacent to a side orthogonal to one side where the second electrode 53 is disposed close to the fourth electrode 55. As a result, the lengths of the wires wired to the lead pins 23 and 24 in order to extract signals from the third electrode 54 and the fourth electrode 55 are shortened, and the influence of the inductance component that the wires themselves have is affected. It can be kept low.
[0038]
In the first embodiment, the wire electrically connected to the outermost electrode 46 among the first electrode 52 of the semiconductor electronic device 51 and the electrode of the die cap capacitor 41, and the lead pin 22 and the die A plurality of wires are electrically connected to the electrode 46 of the cap capacitor. Thereby, the influence of the parasitic inductance which a wire has can be reduced, and the stable characteristic in a high frequency area | region can be implement | achieved.
[0039]
(Second Embodiment)
FIG. 4 is a plan view showing the light receiving module, and FIG. 5 is a cross-sectional view showing the light receiving module. The light receiving module 61 of the second embodiment is different from the first embodiment in the shape of the mounting member 11 and the like.
[0040]
The mounting member 11 includes a main body portion 71 having a mounting surface 12 and a terminal arrangement surface 13, and a flange portion 72 that protrudes laterally from the main body portion 71. The main body 71 and the flange 72 are made of metal such as Kovar, Fe—Ni alloy, or CuW, and are plated with gold. The thickness of the mounting member 11 (main body portion 71) is 1.1 mm to 1.5 mm, the outer diameter of the main body portion 71 is approximately 4.22 mm, and the outer diameter of the flange portion 72 is approximately 5.4 mm.
[0041]
The main body 71 of the mounting member 11 is formed with a plurality (four in this embodiment) of holes 73 to 76 that are formed so as to penetrate from the mounting surface 12 to the terminal arrangement surface 13. Corresponding lead pins 21 to 24 are inserted into the holes 73 to 76, respectively. The inner diameters of the holes 73 and 74 are set to about 0.8 mm, and the inner diameters of the holes 75 and 76 are set to about 1.1 mm.
[0042]
The lead pins 21 to 24 are inserted into the corresponding holes 73 to 76 with one end protruding from the mounting surface 12 by a predetermined length (for example, about 0.35 mm), and are electrically insulated from the mounting member 11. Fixed in state. The lead pins 21 to 24 pass through substantially the centers of the hole portions 73 to 76. The outer diameter of the lead pin 21.22 inserted through the holes 73 and 74 is set to about 0.45 mm, and the outer diameter of the lead pins 23 and 24 inserted through the holes 75 and 76 is set to about 0.2 mm. Has been. The lead pin 25 has an outer diameter set to about 0.45 mm.
[0043]
The lead pins 21 to 24 and the mounting member 11 are fixed by filling the glass members 81 to 84 only in the gap between the outer peripheral surface of the lead pins 21 to 24 and the inner peripheral surface of the holes 73 to 76 and sealing the gap in an airtight manner. This is done by stopping. Here, the dielectric constant of the glass members 81-84 is about 4.1.
[0044]
Since the inner diameters of the holes 75 and 76 are about 1.1 mm, the outer diameters of the glass members 83 and 84 are also about 1.1 mm. On the other hand, the outer diameters of the lead pins 23 and 24 are set to about 0.2 mm as described above. As a result, the lead pins 23 and 24 have impedances of about 50Ω in the portions sealed by the glass members 83 and 84 so that a signal having a signal frequency of 10 GHz passes, and impedance matching is achieved.
[0045]
As described above, also in the second embodiment, as in the first embodiment, a structure in which a signal line for sending a current signal from the semiconductor light receiving element 31 to the semiconductor electronic element 51 is surrounded by the ground line is realized. It is possible to easily and surely reduce the impedance of the signal line, and it is possible to realize stable transmission even for a signal whose signal frequency exceeds 2.5 GHz.
[0046]
In the second embodiment, by appropriately setting the outer diameters of the lead pins 23 and 24 and the inner diameters of the holes 75 and 76, the impedance of the lead pins 23 and 24 is set to a desired value. Impedance matching of the lead pins 23 and 24 can be easily achieved at the portions sealed by the members 83 and 84.
[0047]
In the second embodiment, since the thickness of the mounting member 11 is set to be thicker than that of the first embodiment, the thermal resistance of the mounting member 11 is reduced. Thereby, the heat dissipation characteristic of the light receiving module 61 can be improved.
[0048]
(Third embodiment)
FIG. 6 is a plan view showing the light receiving module. The light receiving module of the third embodiment is different from the second embodiment with respect to the die cap capacitor.
[0049]
The die cap capacitor 60 has a plurality (two in the third embodiment) of electrodes 91 and 92. As described above, the die cap capacitor 60 is for determining the cutoff frequency of the high-frequency cutoff filter in the semiconductor electronic element 51, and the capacitance value thereof needs to be set carefully.
[0050]
For this reason, the electrode of the die cap capacitor 60 is divided into a plurality of parts, and an electrode electrically connected to the fifth electrode 56 of the semiconductor electronic element 51 is appropriately selected, so that the die cap capacitor 60 can be used as a smoothing capacitor. The capacitance value of the capacitor portion that substantially functions is changed. As a result, the cutoff frequency of the high-frequency cutoff filter in the semiconductor electronic element 51 can be set appropriately.
[0051]
The present invention is not limited to the embodiment described above. For example, the die cap capacitor 41 and the die cap capacitor 60 may be integrally formed. That is, the length of the die cap capacitor 41 may be extended, and an electrode may be provided in the extended portion, and this portion may be used as the die cap capacitor 60.
[0052]
Further, a new die cap capacitor may be disposed between the lead pins 21 and 22 and electrically connected to the lead pin 21 or the lead pin 22. By electrically connecting the die cap capacitor newly disposed between the lead pins 21 and 22 and the lead pin 21, it can function as a coupling capacitor for a power source applied to the semiconductor light receiving element 31. By electrically connecting the die cap capacitor newly disposed between the lead pins 21 and 22 and the lead pin 22, it can function as a coupling capacitor for a power source applied to the semiconductor electronic device 51.
[0053]
Moreover, although the wire (wiring) used for wire bonding usually uses a gold wire having a diameter of 30 μm to 50 μm, a gold ribbon may be used instead.
[0054]
【The invention's effect】
As described above in detail, according to the present invention, it is possible to provide a light receiving module capable of easily reducing the impedance of the power supply line and the signal line.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a light receiving module according to a first embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the light receiving module according to the first embodiment.
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a semiconductor light receiving element included in the light receiving module.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a light receiving module according to a second embodiment.
FIG. 5 is a plan view showing a light receiving module according to a second embodiment.
FIG. 6 is a plan view showing a light receiving module according to a third embodiment.
FIG. 7 is a plan view showing a conventional light receiving module.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,61,101 ... Light receiving module, 11, 111 ... Mounting member, 12, 112 ... Mounting surface, 31, 131 ... Semiconductor light receiving element, 32, 132 ... Light receiving part, 33, 133 ... First electrode (power supply electrode) 34, 134 ... second electrode, 35, 135 ... third electrode (signal output electrode), 36, 136 ... resistance element, 41, 141 ... die cap capacitor, 42 to 46, 142, 143 ... electrode, 51 , 151... Semiconductor electronic device, 52, 152... First electrode (power supply electrode), 53, 153... Second electrode (signal input electrode), 54, 154. 155... Fourth electrode (signal output electrode), 56, 156... Fifth electrode, 57, 58, 157.

Claims

A mounting member made of a conductive member and having a mounting surface;
A semiconductor light receiving element having a light receiving part and a signal output electrode for outputting a current signal from the light receiving part;
A semiconductor electronic device having a signal input electrode for inputting the current signal and a ground electrode provided on both sides of the signal input electrode;
A die cap capacitor having an electrode in contact with the mounting surface on one side and at least three electrodes arranged side by side on the other side;
The semiconductor light receiving element is disposed on a central electrode of the at least three electrodes of the die cap capacitor,
The die cap capacitor is disposed such that the disposed semiconductor light receiving element is located at the center of the mounting surface,
The semiconductor electronic element is disposed on the mounting surface adjacent to the die cap capacitor so that the signal input electrode faces the signal output electrode of the semiconductor light receiving element.
The signal output electrode of the semiconductor light receiving element and the signal input electrode of the semiconductor electronic element are electrically connected by a bonding wire ,
The ground electrode of the semiconductor electronic element and the corresponding electrode among the electrodes located on both sides of the electrode on which the semiconductor light receiving element of the die cap capacitor is disposed are electrically connected by bonding wires, respectively.
The light receiving module, wherein the electrode of the die cap capacitor and the mounting surface electrically connected to the ground electrode of the semiconductor electronic element by a bonding wire are electrically connected to each other by a bonding wire .

The die cap capacitor further includes an electrode at an outermost position with respect to the at least three electrodes arranged side by side on the other surface side, and the outermost electrode and the semiconductor electron The light receiving module according to claim 1, wherein the power supply electrode of the element is electrically connected by a bonding wire .

The semiconductor electronic element has a pair of signal output electrodes for outputting a signal, and the signal output electrodes are arranged close to a side orthogonal to one side where the signal input electrodes are arranged close to each other. The light receiving module according to claim 1, wherein the light receiving module is provided.

The semiconductor light receiving device includes a power supply electrode for applying a source voltage to said light receiving portion, and the electrode which is electrically connected by a bonding wire to the electrode to which the semiconductor light-receiving elements are arranged in the die cap capacitor, the The light receiving module according to claim 1, further comprising a resistance element connected in series between an electrode and the power supply electrode.