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JP3957569B2 - Liquid processing equipment - Google Patents

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JP3957569B2
JP3957569B2 JP2002174588A JP2002174588A JP3957569B2 JP 3957569 B2 JP3957569 B2 JP 3957569B2 JP 2002174588 A JP2002174588 A JP 2002174588A JP 2002174588 A JP2002174588 A JP 2002174588A JP 3957569 B2 JP3957569 B2 JP 3957569B2
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Description

【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）に用いられるガラス基板等の基板に対して現像処理等の液処理を行う液処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤの製造においては、ＬＣＤガラス基板（以下「ＬＣＤ基板」という）にレジスト膜を形成した後に、所定の回路パターンでこのレジスト膜を露光し、さらにこれを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術を用いて、ＬＣＤ基板に回路パターンを形成している。ここで、例えば、現像処理については、特開平１１−８７２１０号公報に、水平姿勢で搬送される基板の表面に現像液を塗布して基板上にパドルを形成し、所定時間保持することにより現像反応を進行する方法および装置が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近時、ＬＣＤ基板は大型化の要求が強く、一辺が１ｍにも及ぶような巨大なものまで出現するに至っている。このような大型のＬＣＤ基板を水平姿勢で搬送しながらＬＣＤ基板の表面に現像液を塗布した場合には、現像液が最初に塗布された部分と最後に塗布された部分とでは現像液に接している時間の差が大きくなり、これによって現像反応の進行にむらが生じて、ＬＣＤ基板全体で均一な現像パターンを得ることが困難となる。
【０００４】
ＬＣＤ基板の搬送速度を速くすることによって現像液を短時間に塗布することができるが、ＬＣＤ基板の搬送速度を速くすると、現像反応に必要とされる時間内においてＬＣＤ基板を同じ速度で搬送するために、ＬＣＤ基板を搬送する距離を長くする必要があり、これにより装置のフットプリントが広くなるという新たな問題を生ずる。ＬＣＤ基板の搬送距離を短くするためには、現像液のパドルが形成されたＬＣＤ基板を急停止させなければならず、この場合には、ＬＣＤ基板上の現像液が加速度によってこぼれ落ちてしまい、現像反応を十分に進めることができなくなる。しかも、ＬＣＤ基板を急停止させることによってＬＣＤ基板に大きな負荷が掛かるためにＬＣＤ基板が破損するおそれが生ずる。
【０００５】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、装置のフットプリントを大きくすることなく、大型の基板であっても基板全体で均一な液処理を行うことができる液処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決する手段】
本発明によれば、基板を略水平姿勢で一方向に搬送する搬送機構と、
前記搬送機構によって搬送される基板の表面に処理液を吐出する処理液吐出ノズルと、
前記処理液吐出ノズルを前記基板上において所定速度で移動させるノズル移動機構と、
を具備し、
前記ノズル移動機構によって前記処理液吐出ノズルを移動させながら前記処理液吐出ノズルから前記処理液を吐出させることにより前記基板に前記処理液が塗布される液処理装置であって、
前記処理液吐出ノズルは、前記ノズル移動機構による移動方向と直交する方向に長い主処理液吐出ノズルと副処理液吐出ノズルの２本のノズルからなり、
前記主処理液吐出ノズルと前記副処理液吐出ノズルは、前記ノズル移動機構による移動方向の前方に前記主処理液吐出ノズルが位置し、前記移動方向の後方に前記副処理液吐出ノズルが位置するように並列に配置され、
前記主処理液吐出ノズルおよび前記副処理液吐出ノズルからは、前記基板に対して前記移動方向と直交する方向全体に前記処理液が略帯状に吐出され、
前記主処理液吐出ノズルおよび前記副処理液吐出ノズルを昇降させる昇降機構をさらに具備し、
前記昇降機構は、前記副処理液吐出ノズルが前記処理液の吐出を終了する前記基板の端面近傍の所定位置に到達したときに、前記基板に塗布された処理液が前記端面からこぼれ落ちないように前記副処理液吐出ノズルの底面を前記端面近傍に近接させることを特徴とする液処理装置、が提供される。
【００１０】
本発明によれば、処理液吐出ノズルを所定の速度で移動させることによって基板上に短時間で処理液を塗布することができる。これにより、基板全体で均一な液処理を行うことが可能となる。また、処理液が塗布された基板を高速で搬送する必要がないために基板を急停止させる必要もなく、これによって基板上から処理液がこぼれ落ちて現像反応が進まなくなったり、急停止による応力によって基板に歪みが生じたり、基板がオーバーランして破損する等の問題も発生しない。さらに基板の搬送に要するスペースは従来と同等でよいために、装置のフットプリントの増大が抑制される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。ここで、本実施の形態においては、本発明を露光処理が施されたＬＣＤ基板の現像処理を行う現像処理ユニット（ＤＥＶ）に適用した場合を例として説明することとする。図１は、本発明の一実施形態である現像処理ユニット（ＤＥＶ）を具備し、レジスト膜の形成から現像までの処理を連続して行うレジスト塗布・現像処理システム１００の概略構成を示す平面図である。
【００１２】
このレジスト塗布・現像処理システム１００は、複数のＬＣＤ基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション（インターフェイス部）３とを備えており、処理ステーション２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイスステーション３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布・現像処理システム１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。
【００１３】
カセットステーション１は、カセットＣをＹ方向に並べて載置できる載置台９と、処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、この載置台９と外部との間でカセットＣの搬送が行われる。また、搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。
【００１４】
処理ステーション２は、基本的にＸ方向に伸びるＬＣＤ基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ・Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１と、第１の熱的処理ユニットセクション２６と、レジスト処理ユニット２３および第２の熱的処理ユニットセクション２７が配列されている。
【００１５】
また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション２７と、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４と、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５および第３の熱的処理ユニットセクション２８が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先立ってＬＣＤ基板Ｇの有機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うために設けられる。
【００１６】
スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１は、その中でＬＣＤ基板Ｇが略水平姿勢で搬送されながら洗浄処理および乾燥処理が行われるようになっている。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４も、後に詳細に説明するように、ＬＣＤ基板Ｇが略水平に搬送されながら現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理が行われるようになっている。これらスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、ＬＣＤ基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、ＬＣＤ基板Ｇの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５へのＬＣＤ基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。
【００１７】
レジスト処理ユニット２３には、略水平に保持されたＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を滴下させて、ＬＣＤ基板Ｇを所定の回転数で回転させることによってレジスト液をＬＣＤ基板Ｇ全体に拡げ、レジスト膜を形成するレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａと、ＬＣＤ基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂと、ＬＣＤ基板Ｇの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッドによりＬＣＤ基板Ｇの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃとがその順に配置されている。レジスト処理ユニット２３内には、これらレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａと、減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂと、周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃの間でＬＣＤ基板Ｇを搬送する搬送アームが設けられている。
【００１８】
第１の熱的処理ユニットセクション２６は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２の間に第１の搬送装置３３が設けられている。
【００１９】
図２の第１の熱的処理ユニットセクション２６の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６１と、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３と、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４が４段に積層された構成を有しており、また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６５と、ＬＣＤ基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７と、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８が４段に積層された構成を有している。
【００２０】
第１の搬送装置３３は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６１を介してのスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、およびパスユニット（ＰＡＳＳ）６５を介してのレジスト処理ユニット２３へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。
【００２１】
第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレール９１に沿って昇降する昇降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、ＬＣＤ基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。そして、昇降部材９２の昇降はモーター９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモーター９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモーター９７によって行われる。このように第１の搬送装置３３は、上下動、前後動、旋回動可能であり、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２のいずれのユニットにもアクセスすることができる。
【００２２】
第２の熱的処理ユニットセクション２７は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５の間に第２の搬送装置３６が設けられている。
【００２３】
図３の第２の熱的処理ユニットセクション２７の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６９とＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う３つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２が４段に積層された構成となっており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７３と、ＬＣＤ基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）７４と、ＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６が４段に積層された構成となっている。
【００２４】
第２の搬送装置３６は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６９を介してのレジスト処理ユニット２３からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３を介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション３の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび受け取りを行う。なお、第２の搬送装置３６は、第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００２５】
第３の熱的処理ユニットセクション２８は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８の間に第３の搬送装置３９が設けられている。
【００２６】
図４の第３の熱的処理ユニットセクション２８の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は、下から順に、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７７と、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０が４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は、下から順に、ポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１と、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２と、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８３・８４が４段に積層された構成を有している。
【００２７】
第３の搬送装置３９は、パスユニット（ＰＡＳＳ）７７を介してのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２を介してのカセットステーション１へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。なお、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００２８】
処理ステーション２では、以上のように２列の搬送ラインＡ・Ｂを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ・Ｂ間には空間４０が設けられている。そして、この空間４０を往復動可能にシャトル（基板載置部材）４１が設けられている。このシャトル４１はＬＣＤ基板Ｇを保持可能に構成されており、シャトル４１を介して搬送ラインＡ・Ｂ間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しが行われる。シャトル４１に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しは、上記第１から第３の搬送装置３３・３６・３９によって行われる。
【００２９】
インターフェイスステーション３は、処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行う搬送装置４２と、バッファーカセットを配置するバッファーステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有しており、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アーム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。
【００３０】
このように構成されたレジスト塗布・現像処理システム１００においては、まず、カセットステーション１の載置台９に配置されたカセットＣ内のＬＣＤ基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで搬送装置１１によりＬＣＤ基板Ｇがスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。スクラブ洗浄処理後、ＬＣＤ基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出される。
【００３１】
パスユニット（ＰＡＳＳ）６１に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）される。その後、ＬＣＤ基板Ｇは、クーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。このような一連の処理を行う際のＬＣＤ基板Ｇの搬送処理は、全て第１の搬送装置３３によって行われる。
【００３２】
パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、レジスト処理ユニット２３の搬送アームによりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。ＬＣＤ基板Ｇは、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａにおいてレジスト液がスピン塗布された後に減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧乾燥され、さらに周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されてＬＣＤ基板Ｇ周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、ＬＣＤ基板Ｇは搬送アームによりレジスト処理ユニット２３から、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９に受け渡される。
【００３３】
パスユニット（ＰＡＳＳ）６９に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）７４に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬送される。
【００３４】
その後、ＬＣＤ基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送され、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこでＬＣＤ基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファーステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファカセットにＬＣＤ基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。
【００３５】
露光終了後、ＬＣＤ基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されてＬＣＤ基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置される。ＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４から第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３へ搬送される。
【００３６】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、そこで現像処理が施される。この現像処理工程については後に詳細に説明することとする。
【００３７】
現像処理終了後、ＬＣＤ基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、ＬＣＤ基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内のコロ搬送機構により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出される。
【００３８】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７７に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１・８３・８４のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。
【００３９】
次に、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の構造について詳細に説明する。図５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の概略構造を示す側面図、図６は平面図である。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４は、導入ゾーン２４ａ、第１の現像液供給ゾーン２４ｂ、第２の現像液供給ゾーン２４ｃ、現像液除去ゾーン２４ｄ、リンスゾーン２４ｅ、乾燥ゾーン２４ｆから構成されている。導入ゾーン２４ａは熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に隣接し、乾燥ゾーン２４ｆはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に隣接している。
【００４０】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７３とｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の間には、モータ等の駆動によってコロ１７を回転させることによってコロ１７上のＬＣＤ基板Ｇを所定方向へ搬送するコロ搬送機構１４が設けられており、このコロ搬送機構１４を動作させることによって、ＬＣＤ基板Ｇをパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４を通ってｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に向けて搬送することができるようになっている。コロ１７はＬＣＤ基板Ｇに撓み等が生じ難いように、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向およびこの搬送方向に垂直な方向に所定数設けられる。なお、図６ではこのコロ搬送機構１４は図示していない。
【００４１】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、図５に示すように、コロ搬送機構１４は３つの領域に分割されて、領域ごとに独立して駆動することができるようになっている。パスユニット（ＰＡＳＳ）７３と導入ゾーン２４ａは第１モータ１５ａの駆動によってＬＣＤ基板Ｇを搬送する。また、第１の現像液供給ゾーン２４ｂおよび第２の現像液供給ゾーン２４ｃならびに現像液除去ゾーン２４ｄは第２モータ１５ｂの駆動によってＬＣＤ基板Ｇを搬送する。さらに、リンスゾーン２４ｅと乾燥ゾーン２４ｆは第３モータ１５ｃの駆動によってＬＣＤ基板Ｇを搬送する。このようなコロ搬送機構１４の分割駆動は、例えば、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４を構成するゾーン毎に行うこともできる。
【００４２】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７３は昇降自在な昇降ピン１６を具備している。ＬＣＤ基板Ｇを保持した第２の搬送装置３６の基板保持アーム９４がパスユニット（ＰＡＳＳ）７３内に進入した状態で昇降ピン１６を上昇させると、ＬＣＤ基板Ｇは基板保持アーム９４から昇降ピン１６に受け渡される。続いて、基板保持アーム９４をパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から退出させた後に昇降ピン１６を降下させると、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３内のコロ１７上に載置される。第１モータ１５ａを駆動することによって、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から導入ゾーン２４ａへ搬出される。
【００４３】
導入ゾーン２４ａは、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３と第１の現像液供給ゾーン２４ｂとの間の緩衝領域として設けられているものであり、この導入ゾーン２４ａは、第１の現像液供給ゾーン２４ｂからパスユニット（ＰＡＳＳ）７３へ現像液が飛散する等して、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３が汚染されるのを防止する。
【００４４】
第１の現像液供給ゾーン２４ｂは、導入ゾーン２４ａから搬送されてきたＬＣＤ基板Ｇに最初の現像液の液盛り（パドル形成）を行うゾーンであり、ＬＣＤ基板Ｇに対して現像液を塗布する現像液供給機構６０が設けられている。
【００４５】
図７は第１の現像液供給ゾーン２４ｂの構造をＬＣＤ基板Ｇの搬送方向の上流側から見た正面図である。現像液供給機構６０は、ＬＣＤ基板Ｇに対して現像液を吐出する主現像液吐出ノズル５１ａと副現像液吐出ノズル５１ｂ（以下、現像ノズル５１ａ・５１ｂという）の２本のノズルと、これら２本のノズルを固定するノズル固定部材５５と、ノズル固定部材５５を保持するノズル保持部材５６と、ノズル保持部材５６を昇降させる昇降装置５７と、現像ノズル５１ａ・５１ｂをＸ方向にスキャンさせるノズル移動機構６０ａとを有している。
【００４６】
ノズル移動機構６０ａは、昇降装置５７を保持するアーチ型アーム５８と、ガイドレール５９ａと、アーチ型アーム５８をガイドレール５９ａに沿ってスキャンさせる駆動機構４６と、ガイドレール５９ａを保持するレール保持部材５９ｂと、レール保持部材５９ｂを固定するガイド固定台５９ｃとを有している。さらに、現像液供給機構６０は、昇降装置５７と駆動機構４６の動作を制御する制御機構４７を有しており、この制御機構４７は、現像ノズル５１ａ・５１ｂからの現像液の吐出量および吐出の開始および中止を制御することができるようになっている。
【００４７】
なお、図７には、コロ搬送機構１４の構成が並記されている。すなわち、コロ搬送機構１４は、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向（Ｘ方向）に延在し、第２モータ１５ｂ（図７に図示せず。図５参照）によってＸ軸回りに回転する枢軸１９と、枢軸１９に固定されてＸ軸回りに回転する第１歯車１９ａと、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に長く、コロ１７が所定間隔で取り付けられた枢軸１８と、枢軸１８の一端に第１歯車１９ａと噛み合うように取り付けられ、第１歯車１９ａのＸ軸回りの回転をＹ軸回りの回転に変換する第２歯車１８ａと、枢軸１８の他端に取り付けられ、第２歯車１８ａの回転によって枢軸１８を介して回転する第３歯車１８ｂと、Ｘ軸回りに回転自在な枢軸１９´と、第３歯車１８ｂと噛み合うようにして枢軸１９´に取り付けられ、第３歯車１８ｂのＹ軸回りの回転をＸ軸回りの回転に変換する第４歯車１９ｂと、を有している。
【００４８】
コロ搬送機構１４においては、枢軸１８を回転させるための駆動部が枢軸１９、第１歯車１９ａ、第２歯車１８ａ、第２モータ１５ｂから構成され、第３歯車１８ｂ、枢軸１９´、第４歯車１９ｂは枢軸１８の回転をスムーズに行い、枢軸１８を支持する役割を担っている。
【００４９】
図８は主現像液吐出ノズル５１ａの構造を示す斜視図である。主現像液吐出ノズル５１ａは、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に長い構造を有している。主現像液吐出ノズル５１ａの上部中央には主現像液吐出ノズル５１ａに現像液を送液するために現像液供給管４９ａが設けられており、その下端には長手方向に沿って形成された吐出口４９ｂから略帯状に現像液を吐出することができるようになっている。副現像液吐出ノズル５１ｂは主現像液吐出ノズル５１ａと同等の構造を有する。
【００５０】
現像ノズル５１ａ・５１ｂは、長手方向がＹ方向と一致するように、ノズル固定部材５５によって所定間隔で平行に保持されている。また、昇降装置５７を駆動してノズル保持部材５６を昇降させることによって現像ノズル５１ａ・５１ｂを昇降させることができ、これにより現像ノズル５１ａ・５１ｂの吐出口４９ｂとＬＣＤ基板Ｇの表面との間のギャップを調節することができるようになっている。さらにアーチ型アーム５８の両端にはガイドレール５９ａと嵌合している嵌合部５８ａが形成されており、駆動機構４６によってアーチ型アーム５８はガイドレール５９ａの長手方向であるＸ方向にスライド自在となっている。
【００５１】
現像液供給機構６０においては、現像ノズル５１ａ・５１ｂからＬＣＤ基板Ｇに対してＹ方向に長い略帯状の現像液を吐出させながら、現像ノズル５１ａ・５１ｂをＸ方向にスキャンさせる（つまり、アーチ型アーム５８をＸ方向にスライドさせる）ことにより、ＬＣＤ基板Ｇの表面に現像液を液盛りすることができるようになっている。
【００５２】
ＬＣＤ基板Ｇの全体で現像処理を均一に行うためには、ＬＣＤ基板Ｇ上にできるだけ短時間でしかも均一に、現像反応に必要な量の現像液を塗布する必要がある。２本の現像ノズル５１ａ・５１ｂを用いることにより、短時間にしかも安定して所定量の現像液を吐出させることができる。現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度は、１００ｍｍ／秒以上５００ｍｍ／秒以下とすることが好ましい。
【００５３】
現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度が１００ｍｍ／秒より小さい場合には、現像ノズル５１ａ・５１ｂをスキャンさせずにＬＣＤ基板Ｇの搬送速度を変えることによって、同等の処理を行うことができるために、現像ノズル５１ａ・５１ｂをスキャンさせるメリットが見出せない。一方、５００ｍｍ／秒より大きい場合には、液盛り速度が速すぎるために現像液が盛れない部分が発生したり、現像液がＬＣＤ基板Ｇからこぼれやすくなる等の不具合が発生する。現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度がこの範囲であればＬＣＤ基板Ｇの長さを考えても盛り始めと盛り終わりの時間差が問題にならずに現像液の液盛りを行うことができる。
【００５４】
また、ＬＣＤ基板Ｇへの液盛りの回数は１回に限定されず、複数回の液盛り処理を行うことも可能である。例えば、ＬＣＤ基板Ｇ上への液盛りを１回行った後に、現像ノズル５１ａ・５１ｂを上昇させ、さらに元の位置に戻し、再び液盛りの動作を行ってもよい。
【００５５】
図９（ａ）は、図５に示した現像ノズル５１ａ・５１ｂの配置形態をより詳細に示す側面図であり、図９（ｂ）は、現像ノズル５１ａ・５１ｂから現像液を吐出させながら現像ノズル５１ａ・５１ｂをスキャンさせた状態を示す説明図である。
【００５６】
現像液供給機構６０では、ＬＣＤ基板Ｇの表面に現像液を液盛りする際には、アーチ型アーム５８をＬＣＤ基板Ｇの搬送方向とは逆方向にスキャンさせる。主現像液吐出ノズル５１ａから先にＬＣＤ基板Ｇに現像液が塗布されるように、主現像液吐出ノズル５１ａが基板搬送方向の上流側に配置され、副現像液吐出ノズル５１ｂが基板搬送方向の下流側に配置されている。主現像液吐出ノズル５１ａから吐出されてＬＣＤ基板Ｇ上に液盛りされた現像液に、副現像液吐出ノズル５１ｂから現像液を吐出して現像液を補充することにより、現像反応を進めるために十分な現像液をＬＣＤ基板Ｇに供給され、これによって現像時間を短縮し、現像精度を向上させることができる。
【００５７】
現像ノズル５１ａ・５１ｂをスキャンさせる際に、副現像液吐出ノズル５１ｂの下端が主現像液吐出ノズル５１ａによってＬＣＤ基板Ｇ上に既に吐出された現像液を現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン方向に押し出すことがないように（図９（ｂ）参照）、副現像液吐出ノズル５１ｂとＬＣＤ基板Ｇとの間隙幅（ギャップ）Ｄは、主現像液吐出ノズル５１ａとＬＣＤ基板Ｇとの間隙幅ｄよりも広く設定することが好ましい。
【００５８】
例えば、間隙幅ｄを１．５ｍｍ〜２．５ｍｍ、間隙幅Ｄを３ｍｍ〜５ｍｍとする。間隙幅ｄを１．５ｍｍ未満とする場合には、主現像液吐出ノズル５１ａの位置合わせがやや困難となる。また、間隙幅ｄを２．５ｍｍ超とした場合には、現像液の吐出時に現像液に気泡が巻き込まれてこの気泡がＬＣＤ基板Ｇの表面に付着し、その部分に現像不良が生ずるおそれがある。間隙幅Ｄを５ｍｍ超とすると、ＬＣＤ基板Ｇに既に塗布された現像液が大きく撹拌されてしまい、これによって線幅均一性が低下する問題を生ずる。なお、主現像液吐出ノズル５１ａによってＬＣＤ基板Ｇ上に液盛りされた現像液の表面からの距離が１ｍｍを超えないようにすることにより、気泡の巻き込み等を防止することができる。
【００５９】
現像ノズル５１ａ・５１ｂは、ノズル移動機構６０ａによるスキャン時にはスキャン方向の斜め下後方に向けて現像液が吐出されるように鉛直方向に対して５度以上１５度以下の角度θで傾斜した状態に保持されている。
【００６０】
例えば、主現像液吐出ノズル５１ａからＬＣＤ基板Ｇに吐出された現像液が主現像液吐出ノズル５１ａのスキャン方向の前方に向けて拡がり易い場合には、主現像液吐出ノズル５１ａからＬＣＤ基板Ｇに吐出される現像液のＬＣＤ基板Ｇに対するインパクト（現像液がＬＣＤ基板Ｇにあたる勢い）は、先にＬＣＤ基板Ｇ上に塗布された現像液の上から加えられるために、直接に現像液がＬＣＤ基板Ｇに吐出される場合と比較すると弱められる。このために現像精度が低下する問題を生ずる。
【００６１】
主現像液吐出ノズル５１ａを所定角度θだけ傾斜させることによって、主現像液吐出ノズル５１ａから吐出された現像液が現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン方向の前方に向けて拡がり難くなる。これにより主現像液吐出ノズル５１ａから吐出される現像液のインパクトは直接にＬＣＤ基板Ｇに加えられるために、現像精度を高めることが可能となる。
【００６２】
副現像液吐出ノズル５１ｂからは主現像液吐出ノズル５１ａから吐出された現像液の上から新たに現像液が吐出されるために、元来、副現像液吐出ノズル５１ｂから吐出される現像液は主現像液吐出ノズル５１ａの場合と比べるとＬＣＤ基板Ｇに対して大きなインパクトは与えない。副現像液吐出ノズル５１ｂから吐出する現像液によって先にＬＣＤ基板Ｇに塗布された現像液が大きく撹拌されないように、副現像液吐出ノズル５１ｂもまた所定角度θだけ傾斜させることが好ましい。
【００６３】
このように、第１の現像液供給ゾーン２４ｂでは、現像ノズル５１ａ・５１ｂをスキャンさせながら現像液をＬＣＤ基板Ｇに吐出するために、ＬＣＤ基板Ｇを高速で搬送する必要がない。これによって、ＬＣＤ基板Ｇの搬送時のオーバーランや搬送の急停止によってＬＣＤ基板Ｇに歪みを生じさせたり、破損させたりする事故の発生が防止される。また、現像液供給後にＬＣＤ基板Ｇを急停止させる必要がないために、ＬＣＤ基板Ｇに液盛りされた現像液のこぼれ落ちを防止することができ、現像液を効率的に使用することが可能となる。
【００６４】
第１の現像液供給ゾーン２４ｂでは、ＬＣＤ基板Ｇを低速で搬送しながら、またはＬＣＤ基板Ｇを停止させて現像液の液盛りを行うことができるが、ＬＣＤ基板Ｇを停止させて現像液を塗布する方法を用いた場合には、特に安定した状態で行うことが可能であり、これによって線幅均一性を高めることができる。
【００６５】
第１の現像液供給ゾーン２４ｂで現像液が液盛りされたＬＣＤ基板Ｇを現像液除去ゾーン２４ｄへ搬送する間に、ＬＣＤ基板Ｇ上から現像液がこぼれ落ちる場合がある。第２の現像液供給ゾーン２４ｃでは、こうしてＬＣＤ基板の搬送途中にＬＣＤ基板Ｇから現像液がこぼれ落ちることによって現像反応が進まなくなることを防止するために、新たにＬＣＤ基板Ｇに現像液を補充することができる。
【００６６】
第２の現像液供給ゾーン２４ｃにおいては、主現像液吐出ノズル５１ａと同様の構造を有する現像液補充ノズル５１ｃが、その長手方向がＹ方向となるようにして、アーチ型アーム５８と同様の構造を有する不動のアーム（図示せず）に固定されている。現像液補充ノズル５１ｃからは、コロ搬送機構１４によって搬送されるＬＣＤ基板Ｇ上に所定量の現像液がＹ方向に長い略帯状に吐出され、こうして搬送時にＬＣＤ基板Ｇからこぼれ落ちた現像液が補充される。
【００６７】
現像液除去ゾーン２４ｄには、ＬＣＤ基板Ｇを、例えば、斜め姿勢に変換する図示しない姿勢変換機構と、ＬＣＤ基板Ｇの表面に現像液を洗い流すためのリンス液（例えば、純水）を吐出するリンス液吐出ノズル５２が設けられている。ＬＣＤ基板Ｇにおける現像反応は、第１の現像液供給ゾーン２４ｂから現像液除去ゾーン２４ｄに搬送される間に行われる。現像液除去ゾーン２４ｄにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを斜め姿勢に変換してＬＣＤ基板Ｇ上の現像液を流し落とし、さらにＬＣＤ基板Ｇを斜め姿勢に保持した状態で、ＬＣＤ基板Ｇの上方端から下方端へとＬＣＤ基板Ｇの表面に沿ってリンス液吐出ノズル５２をスキャンさせながらＬＣＤ基板Ｇの表面に純水を吐出することにより、ＬＣＤ基板Ｇ上の現像液が洗い流される。
【００６８】
リンス液吐出ノズル５２は、短時間で現像液を洗い流すことができるように、例えば、５００ｍｍ／秒の速度でスキャンさせることができるようになっている。実際には、リンス液吐出ノズル５２のスキャン速度を、１００ｍｍ／秒〜３００ｍｍ／秒の間、より好ましくは２００ｍｍ／秒〜３００ｍｍ／秒の間とすることにより、現像パターンの線幅均一性が高められる。リンス液吐出ノズル５２としては、現像ノズル５１ａ・５１ｂと同様に、リンス液を膜状で吐出することができる構造のものが好適に用いられ、これによって現像ムラの発生を防止することができる。
【００６９】
リンスゾーン２４ｅには、純水等のリンス液をＬＣＤ基板Ｇに向けて吐出するリンスノズル５３が取り付けられている。リンスゾーン２４ｅにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを所定速度で搬送しながらＬＣＤ基板Ｇの表面と裏面にリンス液を吐出して、ＬＣＤ基板Ｇに付着している現像液の除去と洗浄が行われる。なお、リンスノズル５３は、ＬＣＤ基板Ｇの幅よりも長い形状を有しており、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向全体にリンス液を吐出することができるようになっている。
【００７０】
リンスゾーン２４ｅを通過したＬＣＤ基板Ｇが搬送される乾燥ゾーン２４ｆには、所定の風圧で窒素ガス等の乾燥ガスを噴射するエアーノズル（エアーナイフ）５４が設けられている。乾燥ゾーン２４ｆにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを所定速度で搬送しながらＬＣＤ基板Ｇの表面と裏面に乾燥ガスを噴射して、ＬＣＤ基板Ｇに付着したリンス液を吹き飛ばしてＬＣＤ基板Ｇを乾燥する。なお、エアーノズル５４は、ＬＣＤ基板Ｇの幅よりも長い形状を有しており、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向全体に乾燥ガスを吐出することができるようになっている。乾燥処理が終了したＬＣＤ基板Ｇは、コロ搬送機構１４により、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送される。
【００７１】
次に、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４における現像処理工程について説明する。図１０は現像処理工程の概略を示す説明図（フローチャート）である。パスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬入されたＬＣＤ基板Ｇは、コロ搬送機構１４によって、導入ゾーン２４ａを通過して第１の現像液供給ゾーン２４ｂに搬入される（ステップ１）。このパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から第１の現像液供給ゾーン２４ｂへのＬＣＤ基板Ｇの搬送速度は、例えば６５ｍｍ／秒とする。
【００７２】
第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを所定位置で停止させた状態として（ステップ２）、現像ノズル５１ａ・５１ｂを、例えば、２４０ｍｍ／秒という高速でスキャンさせながらＬＣＤ基板Ｇの表面に現像液を吐出し、現像液の液盛りを行う（ステップ３）。ＬＣＤ基板Ｇを停止させた状態とすることにより、現像ノズル５１ａ・５１ｂの駆動制御が容易となる。また、安定して現像液をＬＣＤ基板状に液盛りすることができる。
【００７３】
図１１は現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャンの形態を示す説明図である。図１１の右側から左側へ現像ノズル５１ａ・５１ｂをスキャンさせるものとし、図１１に示したＬＣＤ基板Ｇの右端を「液盛り開始端」とし、左端を「液盛り終了端」とする。現像ノズル５１ａ・５１ｂの高さ位置を昇降装置５７によって調整した後に、駆動機構４６を動作させて、現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャンを開始する。主現像液吐出ノズル５１ａが液盛り開始端から右側の所定位置、例えば、液盛り開始端の右側１ｃｍの位置（以下「吐出開始位置」という）に達したときに、主現像液吐出ノズル５１ａからの現像液の吐出を開始する（ステップ３ａ）。これにより確実に液盛り開始端から現像液を液盛りすることができる。同様に、副現像液吐出ノズル５１ｂが吐出開始位置に達したときに副現像液吐出ノズル５１ｂからの現像液の吐出を開始する（ステップ３ｂ）。
【００７４】
そして、ＬＣＤ基板Ｇ上で現像ノズル５１ａ・５１ｂをスキャンさせて、ＬＣＤ基板Ｇ全体に現像液を液盛りする（ステップ３ｃ）。このとき、先に図９（ａ）・（ｂ）を参照しながら説明したように、現像ノズル５１ａ・５１ｂがＬＣＤ基板Ｇ上をスキャンしているときには、現像液は現像ノズル５１ａ・５１ｂの斜め下後方に向けて吐出される。また、副現像液吐出ノズル５１ｂは、主現像液吐出ノズル５１ａによってＬＣＤ基板Ｇ上に塗布された現像液を現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン方向に掻き出すことなく、ＬＣＤ基板Ｇに現像液を塗布する。
【００７５】
副現像液吐出ノズル５１ｂが液盛り終了端を通過するまでＬＣＤ基板Ｇへの現像液の吐出を続けてもよいが、好ましくは、主現像液吐出ノズル５１ａが液盛り終了端に到達したら主現像液吐出ノズル５１ａからの現像液の吐出を中止し（ステップ３ｄ）、副現像液吐出ノズル５１ａが液盛り終了端に到達したら副現像液吐出ノズル５１ｂからの現像液の吐出を中止して（ステップ３ｅ）、副現像液吐出ノズル５１ｂの下端がＬＣＤ基板Ｇの液盛り終了端に近接または当接するように、現像ノズル５１ａ・５１ｂを移動させる（ステップ３ｆ）。副現像液吐出ノズル５１ｂをこのような位置へ移動させることにより、ＬＣＤ基板Ｇ上に塗布された現像液が、液盛り終了端からこぼれ落ちることが防止される。副現像液吐出ノズル５１ｂをＬＣＤ基板Ｇに当接させる場合には、この当接によってＬＣＤ基板Ｇが破損することのないようにきめ細かい制御を行う。
【００７６】
図１１に示した１回の液盛り作業が終了した後には、現像ノズル５１ａ・５１ｂを液盛り開始端側へ戻して、再びＬＣＤ基板Ｇに現像液を塗布することも好ましい（ステップ３ｇ）。ＬＣＤ基板Ｇへの液盛りを複数回行うことによって、現像精度を高く維持しながら、現像時間を短縮することが可能となる。
【００７７】
図１２はＬＣＤ基板Ｇへの液盛り条件と得られる現像パターン特性との関係を示した説明図であり、図１２（ａ）は現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度と線幅均一性との関係との関係を示し、図１２（ｂ）は液盛り回数と線幅との関係を示し、図１２（ｃ）は液盛り回数と線幅均一性との関係を示している。
【００７８】
図１２（ａ）〜（ｃ）に示す結果は、線幅８μｍまたは１０μｍの所定パターンが形成されたマスクを用いて所定条件にてＬＣＤ基板Ｇを露光処理し、次いで露光されたＬＣＤ基板Ｇを種々の条件で現像し、こうして得られたレジスト膜のパターンをＳＥＭ観察して線幅（現像パターンにおける凸部の幅）を測定することによって求められたものである。このＳＥＭ観察においては、ＬＣＤ基板Ｇ全体についての観察を行うために、ＬＣＤ基板Ｇの略中心において等角度に交わる８方向について放射状に複数の観察点を設けた。
【００７９】
図１２（ａ）に示す結果は、線幅１０μｍのパターンが形成されたマスクを用い、現像ノズル５１ａ・５１ｂからの現像液の吐出流量を現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度に関係なく一定とし、現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度を変えて液盛りを１回のみ行い、さらに現像時間（現像液の塗布を開始してから現像液をＬＣＤ基板Ｇから除去するまでの時間）を一定として得られたものである。なお、図１２（ａ）中の１本の棒グラフは１枚のＬＣＤ基板Ｇに対応する。
【００８０】
図１２（ａ）に示すように、現像ノズル５１ａ・５１ｂの液盛り回数が１回の場合には、現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度が速い方が、線幅均一性が向上することがわかった。これは現像液盛り開始端部での現像液の滞留量が低下し、この開始端部で起きる現像の部分的な過剰反応が抑制されるためと、ＬＣＤ基板Ｇ全体に液盛りされる時間が短いためにＬＣＤ基板Ｇ全体で均一に現像反応が進行したためと考えられる。
【００８１】
「現像液盛り開始端部で起きる現像の部分的な過剰反応」とは、次のことをいう。すなわち、現像液は現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャンに伴ってスキャン方向へ供給されていくが、このときに一部の現像液はスキャン方向と反対の方向に流れる。この戻り現像液は、現像液盛り開始端部においてはそれ以上流れることができずにその場に溜まる。このために、現像液盛り開始端部では現像液が過剰に供給された状態となって現像反応が他の部位より進み、過剰反応が進行する。この現像の部分的な過剰反応は、結果として、面内の線幅のばらつきを増大させる。
【００８２】
現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度を速くすることによって戻り現像液の量を低減させることができるため、現像液盛り開始端部での部分的な過剰反応が抑制される。
【００８３】
なお、現像ノズル５１ａ・５１ｂからの現像液の吐出流量と現像時間を一定としたために、スキャン速度が１００ｍｍ／秒の場合には平均線幅は９．９４μｍとマスクのパターンに近かったが、ＬＣＤ基板Ｇ全体で線幅のばらつきが大きくなった。一方、スキャン速度が２１０ｍｍ／秒の場合には平均線幅は９．７８μｍとマスクのパターンより少し狭くなったが、ＬＣＤ基板Ｇ全体で線幅のばらつきは小さくなった。この結果は、現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度が速い場合には、現像液のレジストに対するインパクトが増大し、現像反応がより促進されるために、スキャン速度が２１０ｍｍ／秒の場合に現像反応が進み過ぎたことが原因の１つと考えられる。したがって、現像ノズル５１ａ・５１ｂを高速でスキャンさせる場合には、現像時間を短くすることによって平均線幅をマスクのパターンに近づけることができ、しかも、線幅均一性を高めることができると考えられる。
【００８４】
図１２（ｂ）に示す結果は、線幅８μｍのパターンが形成されたマスクを用い、現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度を８０ｍｍ／秒、現像液吐出量を５．６Ｌ（リットル）／分とした場合および現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度を１６０ｍｍ／秒、現像液吐出量を９．４Ｌ／分とした場合について、現像時間を一定として、液盛り回数を変化させたときの平均線幅を示している。図１２（ｂ）に示されるように、液盛り回数が多くなると平均線幅が狭くなっている。このことは、液盛り回数が多くなると現像反応が速く進行することを示しているために、液盛り回数を多くすることにより、現像時間を短縮することが可能となるものと考えられる。
【００８５】
図１２（ｃ）に示す結果は、線幅８μｍのパターンが形成されたマスクを用い、現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度を８０ｍｍ／秒、現像液吐出量を５．６Ｌ（リットル）／分とした場合および現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度を１６０ｍｍ／秒、現像液吐出量を９．４Ｌ／分とした場合について、現像時間を一定として、液盛り回数を変化させたときの線幅均一性を示している。なお、図１２（ｃ）中の１本の棒グラフは１枚のＬＣＤ基板Ｇに対応する。
【００８６】
図１２（ｃ）に示されるように、液盛り回数が同じ場合には現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度が大きいほど、線幅均一性が向上する傾向がある。また、現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度が速い場合（１６０ｍｍ／秒）には、液盛り回数が多くなると線幅均一性が向上している。このような結果から、現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度が速く、かつ、液盛り回数を多くすることが、線幅均一性の向上に有効であることがわかる。
【００８７】
第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおける液盛り処理が終了したＬＣＤ基板Ｇを、コロ搬送機構１４を動作させて、例えば、４６ｍｍ／秒の搬送速度で、第２の現像液供給ゾーン２４ｃへ搬送する（ステップ４）。ＬＣＤ基板Ｇが第２の現像液供給ゾーン２４ｃを通過する際に、現像液補充ノズル５１ｃからＬＣＤ基板Ｇ上に現像液を補充してもよい（ステップ５）。
【００８８】
第２の現像液供給ゾーン２４ｃに搬送されたＬＣＤ基板Ｇはさらに現像液除去ゾーン２４ｄに搬送され（ステップ６）、そこでＬＣＤ基板Ｇを斜め姿勢に変換してＬＣＤ基板Ｇ上の現像液を流し落とし（ステップ７）、さらにＬＣＤ基板Ｇを斜め姿勢に保持した状態でリンス液吐出ノズル５２からＬＣＤ基板Ｇの表面にリンス液例えば純水を吐出して、ＬＣＤ基板Ｇ上の現像液を洗い流す（ステップ８）。
【００８９】
続いて、ＬＣＤ基板Ｇはリンスゾーン２４ｅに搬送され（ステップ９）、そこでＬＣＤ基板Ｇを所定速度で搬送しながらＬＣＤ基板Ｇの表面と裏面にリンス液を吐出して、ＬＣＤ基板Ｇに付着している現像液の除去と洗浄を行う（ステップ１０）。このようなリンス処理が行われながらリンスゾーン２４ｅを通過したＬＣＤ基板Ｇは乾燥ゾーン２４ｆに搬送される（ステップ１１）。乾燥ゾーン２４ｆでは、ＬＣＤ基板Ｇを所定速度で搬送しながら、エアーノズル５４による乾燥処理が行われる（ステップ１２）。乾燥処理が終了したＬＣＤ基板Ｇは、コロ搬送機構１４により、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され（ステップ１３）、そこで所定の紫外線照射処理が施される。
【００９０】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、第１の現像液供給ゾーン２４ｂに配置される現像液吐出ノズルは１本でもよく、３本以上であってもよい。１本の現像液吐出ノズルを用いる場合には、現像液吐出ノズルから吐出させる現像液の流量を増大させなければならないために、現像液の吐出勢いが強くなってＬＣＤ基板Ｇに吐出した現像液がＬＣＤ基板Ｇからこぼれ落ちることのないように、現像液吐出ノズルからの現像液の吐出状態、例えば、現像液の吐出方向や吐出勢いを制御する。
【００９１】
また、第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを停止させずに、ＬＣＤ基板Ｇ上に塗布された現像液がこぼれ落ちない程度の速度で搬送しながら、ＬＣＤ基板Ｇに現像液を塗布してもよい。さらに、現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン方向をＬＣＤ基板Ｇの搬送方向と逆の方向としたが、ＬＣＤ基板Ｇを停止させる場合には、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向と垂直な方向に現像ノズル５１ａ・５１ｂをスキャンさせてもよい。
【００９２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、処理液吐出ノズルを所定の速度でスキャンさせることによって基板上に短時間で処理液を塗布することができるために、基板全体で均一な液処理を行うことが可能となる。こうして、基板の品質を向上させて、製品不良の発生率を低減することができるという効果が得られる。また、処理液が塗布された基板を高速で搬送する必要がないために基板を急停止させる必要もなく、これによって基板上から処理液がこぼれ落ちて液処理が進まなくなったり、こぼれた処理液相当量をさらに補充する必要もない。さらに、急停止による応力によって基板に歪みが生じたり、基板がオーバーランして破損する等の問題の発生が防止されるために、製造歩留まりが高められ、メンテナンスの負荷も低減される。さらに基板の搬送に要するスペースは従来と同等でよいために、装置のフットプリントの増大が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液処理装置の一実施形態である現像処理ユニットを具備するレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図。
【図２】図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第１の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図３】図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第２の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図４】図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第３の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図５】本発明に係る現像処理ユニットの概略側面図。
【図６】図５に示す現像処理ユニットの概略平面図。
【図７】図５に示す現像処理ユニットが有する第１の現像液供給ゾーンの構造をＬＣＤ基板の搬送方向の上流側から見た正面図。
【図８】図５に示す現像処理ユニットの第１の現像液供給ゾーンに配置された主現像液吐出ノズルの構造を示す斜視図。
【図９】図５に示した主現像液吐出ノズルと副現像液吐出ノズルの配置形態および現像液の塗布形態を示す側面図。
【図１０】現像処理工程の概略を示す説明図（フローチャート）。
【図１１】主現像液吐出ノズルと副現像液吐出ノズルのスキャンの形態を示す説明図。
【図１２】ＬＣＤ基板への液盛り条件と得られる現像パターンの線幅および線幅均一性との関係を示す説明図。
【符号の説明】
１；カセットステーション
２；処理ステーション
３；インターフェイスステーション
１４；コロ搬送機構
１７；コロ
２４；現像処理ユニット（ＤＥＶ）
２４ａ；導入ゾーン
２４ｂ；第１の現像液供給ゾーン
２４ｃ；第２の現像液供給ゾーン
２４ｄ；現像液除去ゾーン
２４ｅ；リンスゾーン
２４ｆ；乾燥ゾーン
５１ａ；主現像液吐出ノズル
５１ｂ；副現像液吐出ノズル
５１ｃ；現像液補充ノズル
５２；リンス液吐出ノズル
５３；リンスノズル
５４；エアーノズル（エアーナイフ）
５５；ノズル固定部材
５６；ノズル保持部材
５７；昇降装置
５８；アーチ型アーム
５９ａ；ガイドレール
６０；現像液供給機構
６０ａ；ノズル移動機構
１００；レジスト塗布・現像処理システム（処理装置）
Ｇ……ＬＣＤ基板[0001]
[Technical field to which the invention belongs]
  The present invention relates to a liquid processing apparatus for performing liquid processing such as development processing on a substrate such as a glass substrate used in a liquid crystal display (LCD).In placeRelated.
[0002]
[Prior art]
In the manufacture of LCD, after forming a resist film on an LCD glass substrate (hereinafter referred to as “LCD substrate”), the resist film is exposed with a predetermined circuit pattern, and further developed, so-called photolithography technology is used. The circuit pattern is formed on the LCD substrate. Here, for example, with regard to development processing, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-87210 discloses development by applying a developer to the surface of a substrate transported in a horizontal posture to form a paddle on the substrate and holding it for a predetermined time. A method and apparatus for proceeding the reaction is disclosed.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, recently, there is a strong demand for large-sized LCD substrates, and even a huge one having a side of 1 m has appeared. When a developer is applied to the surface of the LCD substrate while transporting such a large LCD substrate in a horizontal position, the part where the developer is first applied and the part where the developer is applied last are in contact with the developer. As a result, the development reaction becomes uneven and it becomes difficult to obtain a uniform development pattern on the entire LCD substrate.
[0004]
The developer can be applied in a short time by increasing the LCD substrate transport speed. However, if the LCD substrate transport speed is increased, the LCD substrate is transported at the same speed within the time required for the development reaction. Therefore, it is necessary to increase the distance for transporting the LCD substrate, which causes a new problem that the footprint of the apparatus is widened. In order to shorten the transport distance of the LCD substrate, the LCD substrate on which the developer paddle is formed must be stopped suddenly. In this case, the developer on the LCD substrate spills off due to acceleration, and development is performed. The reaction cannot proceed sufficiently. Moreover, since the LCD substrate is suddenly stopped, a large load is applied to the LCD substrate, so that the LCD substrate may be damaged.
[0005]
  The present invention has been made in view of such circumstances, and a liquid processing apparatus capable of performing uniform liquid processing on the entire substrate even for a large substrate without increasing the footprint of the apparatus.PlaceThe purpose is to provide.
[0006]
[Means for solving the problems]
  According to the present invention, a transport mechanism for transporting the substrate in one direction in a substantially horizontal posture;
  A processing liquid discharge nozzle for discharging a processing liquid onto the surface of the substrate transported by the transport mechanism;
  A nozzle moving mechanism for moving the processing liquid discharge nozzle on the substrate at a predetermined speed;
  Comprising
  A liquid processing apparatus in which the processing liquid is applied to the substrate by discharging the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle while moving the processing liquid discharge nozzle by the nozzle moving mechanism.Because
  The processing liquid discharge nozzle is composed of two nozzles, a main processing liquid discharge nozzle and a sub-processing liquid discharge nozzle, which are long in a direction orthogonal to the moving direction by the nozzle moving mechanism.
The main process liquid discharge nozzle and the sub process liquid discharge nozzle are located in front of the movement direction by the nozzle moving mechanism, and the sub process liquid discharge nozzle is located in the rear of the movement direction. Arranged in parallel so that
From the main processing liquid discharge nozzle and the sub processing liquid discharge nozzle, the processing liquid is discharged in a substantially strip shape in the entire direction perpendicular to the moving direction with respect to the substrate,
  An elevating mechanism for raising and lowering the main processing liquid discharge nozzle and the sub-processing liquid discharge nozzle;
The lifting mechanism prevents the processing liquid applied to the substrate from spilling from the end face when the sub-processing liquid discharge nozzle reaches a predetermined position near the end face of the substrate where the discharge of the processing liquid ends. The bottom surface of the sub-treatment liquid discharge nozzle is brought close to the vicinity of the end surface.A liquid processing apparatus is provided.
[0010]
  According to the present inventionThe processing liquid can be applied onto the substrate in a short time by moving the processing liquid discharge nozzle at a predetermined speed. This makes it possible to perform uniform liquid processing on the entire substrate. In addition, since it is not necessary to transport the substrate coated with the processing solution at high speed, it is not necessary to stop the substrate suddenly. As a result, the processing solution spills from the substrate and the development reaction does not proceed. There is no problem that the substrate is distorted or the substrate is overrun and damaged. Furthermore, since the space required for transporting the substrate may be the same as the conventional one, an increase in the footprint of the apparatus is suppressed.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Here, in this embodiment, the case where the present invention is applied to a development processing unit (DEV) that performs development processing of an LCD substrate subjected to exposure processing will be described as an example. FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a resist coating / development processing system 100 that includes a development processing unit (DEV) that is an embodiment of the present invention and continuously performs processing from formation of a resist film to development. It is.
[0012]
This resist coating / development processing system 100 performs a series of processes including resist coating and development on the cassette station (loading / unloading unit) 1 on which a cassette C accommodating a plurality of LCD substrates G is placed. A processing station (processing unit) 2 having a plurality of processing units, and an interface station (interface unit) 3 for transferring the LCD substrate G to and from the exposure apparatus 4. Cassette station 1 and interface station 3 are arranged at both ends, respectively. In FIG. 1, the longitudinal direction of the resist coating / development processing system 100 is the X direction, and the direction perpendicular to the X direction on the plane is the Y direction.
[0013]
The cassette station 1 includes a mounting table 9 on which the cassette C can be mounted in the Y direction, and a transfer device 11 for carrying the LCD substrate G in and out of the processing station 2. The cassette C is transported to the outside. Further, the transfer device 11 has a transfer arm 11a and can move on a transfer path 10 provided along the Y direction which is the arrangement direction of the cassettes C. The transfer arm 11a allows the cassette C and the processing station 2 to move. The LCD substrate G is carried in and out.
[0014]
The processing station 2 basically has two parallel rows of transfer lines A and B for transferring the LCD substrate G extending in the X direction, and is directed from the cassette station 1 side to the interface station 3 along the transfer line A. A scrub cleaning unit (SCR) 21, a first thermal processing unit section 26, a resist processing unit 23 and a second thermal processing unit section 27 are arranged.
[0015]
Further, a second thermal processing unit section 27, a development processing unit (DEV) 24, and an i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 from the interface station 3 side toward the cassette station 1 along the transfer line B. And a third thermal processing unit section 28 is arranged. An excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 is provided on a part of the scrub cleaning unit (SCR) 21. An excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 is provided to remove organic substances on the LCD substrate G prior to scrubber cleaning, and an i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 performs a decoloring process for development. Provided.
[0016]
In the scrub cleaning unit (SCR) 21, the cleaning process and the drying process are performed while the LCD substrate G is conveyed in a substantially horizontal posture. As will be described in detail later, the development processing unit (DEV) 24 is also adapted to perform the developer coating, the developer cleaning after the development, and the drying process while the LCD substrate G is transported substantially horizontally. In the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 and the development processing unit (DEV) 24, the LCD substrate G is transported by, for example, roller transport or belt transport, and the carry-in port and the carry-out port of the LCD substrate G are short sides opposite to each other. Is provided. Further, the conveyance of the LCD substrate G to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 is continuously performed by a mechanism similar to the conveyance mechanism of the development processing unit (DEV) 24.
[0017]
In the resist processing unit 23, a resist solution is dropped on the LCD substrate G held substantially horizontally, and the LCD substrate G is rotated at a predetermined rotation speed to spread the resist solution over the entire LCD substrate G, and a resist film is formed. The LCD substrate is formed by a resist coating processing device (CT) 23a to be formed, a vacuum drying device (VD) 23b for drying the resist film formed on the LCD substrate G under reduced pressure, and a solvent discharge head capable of scanning four sides of the LCD substrate G. A peripheral resist removing device (ER) 23c for removing excess resist adhering to the peripheral edge of G is arranged in that order. In the resist processing unit 23, a transport arm for transporting the LCD substrate G between the resist coating processing device (CT) 23a, the reduced pressure drying device (VD) 23b, and the peripheral resist removing device (ER) 23c is provided. ing.
[0018]
The first thermal processing unit section 26 includes two thermal processing unit blocks (TB) 31 and 32 configured by stacking thermal processing units that perform thermal processing on the LCD substrate G. The thermal processing unit block (TB) 31 is provided on the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 side, and the thermal processing unit block (TB) 32 is provided on the resist processing unit 23 side. A first transport device 33 is provided between the two thermal processing unit blocks (TB) 31 and 32.
[0019]
As shown in the side view of the first thermal processing unit section 26 in FIG. 2, the thermal processing unit block (TB) 31 includes a pass unit (PASS) 61 for transferring the LCD substrate G in order from the bottom, and an LCD Two dehydration bake units (DHP) 62 and 63 for performing a dehydration bake process on the substrate G and an adhesion processing unit (AD) 64 for performing a hydrophobization process on the LCD substrate G are stacked in four stages. The thermal processing unit block (TB) 32 includes a pass unit (PASS) 65 for transferring the LCD substrate G in order from the bottom, and two cooling units (COL) for cooling the LCD substrate G. ) 66 and 67, and an adhesion processing unit (AD) 68 for applying a hydrophobic treatment to the LCD substrate G are stacked in four stages. That.
[0020]
The first transfer device 33 receives the LCD substrate G from the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 via the pass unit (PASS) 61, carries in and out the LCD substrate G between the thermal processing units, and passes. The LCD substrate G is transferred to the resist processing unit 23 through the unit (PASS) 65.
[0021]
The first transport device 33 includes a guide rail 91 that extends vertically, a lifting member 92 that moves up and down along the guide rail 91, a base member 93 that can pivot on the lifting member 92, and a base member 93. It has a substrate holding arm 94 that is provided so as to be able to move forward and backward and holds the LCD substrate G. The elevating member 92 is moved up and down by the motor 95, the base member 93 is turned by the motor 96, and the substrate holding arm 94 is moved back and forth by the motor 97. Thus, the 1st conveyance apparatus 33 can be moved up and down, back and forth, and swiveled, and can access any unit of thermal processing unit block (TB) 31 * 32.
[0022]
The second thermal processing unit section 27 includes two thermal processing unit blocks (TB) 34 and 35 configured by stacking thermal processing units for performing thermal processing on the LCD substrate G. The thermal processing unit block (TB) 34 is provided on the resist processing unit 23 side, and the thermal processing unit block (TB) 35 is provided on the development processing unit (DEV) 24 side. A second transfer device 36 is provided between the two thermal processing unit blocks (TB) 34 and 35.
[0023]
As shown in the side view of the second thermal processing unit section 27 in FIG. 3, the thermal processing unit block (TB) 34 includes a pass unit (PASS) 69 and an LCD substrate for transferring the LCD substrate G in order from the bottom. Three pre-baking units (PREBAKE) 70, 71, 72 for pre-baking G are stacked in four stages, and the thermal processing unit block (TB) 35 is arranged on the LCD substrate G in order from the bottom. The pass unit (PASS) 73 for transferring the liquid crystal, the cooling unit (COL) 74 for cooling the LCD substrate G, and the two pre-baking units (PREBAKE) 75 and 76 for pre-baking the LCD substrate G are arranged in four stages. It has a laminated structure.
[0024]
The second transfer device 36 receives the LCD substrate G from the resist processing unit 23 through the pass unit (PASS) 69, carries in and out the LCD substrate G between the thermal processing units, and passes the pass unit (PASS) 73. The LCD substrate G is transferred to the development processing unit (DEV) 24 via the interface, and the LCD substrate G is transferred to and received from an extension / cooling stage (EXT / COL) 44 which is a substrate transfer portion of the interface station 3 described later. Do. The second transfer device 36 has the same structure as the first transfer device 33, and can access any unit of the thermal processing unit blocks (TB) 34 and 35.
[0025]
The third thermal processing unit section 28 includes two thermal processing unit blocks (TB) 37 and 38 configured by stacking thermal processing units for performing thermal processing on the LCD substrate G. The thermal processing unit block (TB) 37 is provided on the development processing unit (DEV) 24 side, and the thermal processing unit block (TB) 38 is provided on the cassette station 1 side. A third transfer device 39 is provided between the two thermal processing unit blocks (TB) 37 and 38.
[0026]
As shown in the side view of the third thermal processing unit section 28 in FIG. 4, the thermal processing unit block (TB) 37 includes, in order from the bottom, a pass unit (PASS) 77 that delivers the LCD substrate G, and Three post-baking units (POBAKE) 78, 79, and 80 for performing post-baking processing on the LCD substrate G are stacked in four stages. The thermal processing unit block (TB) 38 includes a post-bake unit (POBAKE) 81, a pass / cooling unit (PASS / COL) 82 for transferring and cooling the LCD substrate G, and an LCD substrate G in order from the bottom. , Two post-bake units (POBAKE) 83 and 84 for performing post-bake processing are stacked in four stages.
[0027]
The third transport device 39 receives the LCD substrate G from the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25 via the pass unit (PASS) 77, and carries the LCD substrate G in and out of the thermal processing unit. Then, the LCD substrate G is transferred to the cassette station 1 through the pass / cooling unit (PASS / COL) 82. The third transfer device 39 has the same structure as the first transfer device 33, and can access any unit of the thermal processing unit blocks (TB) 37 and 38.
[0028]
In the processing station 2, the processing units and the transport devices are arranged so as to form the transport lines A and B in two rows as described above and basically in the order of processing. A space 40 is provided between B. A shuttle (substrate mounting member) 41 is provided so as to be able to reciprocate in the space 40. The shuttle 41 is configured to be able to hold the LCD substrate G, and the LCD substrate G is transferred between the transport lines A and B via the shuttle 41. The delivery of the LCD substrate G to the shuttle 41 is performed by the first to third transfer devices 33, 36, and 39.
[0029]
The interface station 3 includes a transfer device 42 that loads and unloads the LCD substrate G between the processing station 2 and the exposure device 4, a buffer stage (BUF) 43 on which a buffer cassette is disposed, and a substrate transfer unit having a cooling function. And an external device block 45 in which a titler (TITLER) and a peripheral exposure device (EE) are vertically stacked are provided adjacent to the transport device 42. It has been. The transfer device 42 includes a transfer arm 42 a, and the LCD substrate G is carried in and out between the processing station 2 and the exposure device 4 by the transfer arm 42 a.
[0030]
In the resist coating / development processing system 100 configured as described above, first, the LCD substrate G in the cassette C arranged on the mounting table 9 of the cassette station 1 is transferred to the excimer UV irradiation unit of the processing station 2 by the transport device 11. (E-UV) 22 is directly carried in and scrub pretreatment is performed. Next, the LCD substrate G is carried into the scrub cleaning unit (SCR) 21 by the transfer device 11 and scrubbed. After the scrub cleaning process, the LCD substrate G is carried out to the pass unit (PASS) 61 of the thermal processing unit block (TB) 31 belonging to the first thermal processing unit section 26 by, for example, roller conveyance.
[0031]
The LCD substrate G placed in the pass unit (PASS) 61 is first transported to one of the dehydration bake units (DHP) 62 and 63 of the thermal processing unit block (TB) 31 and subjected to heat treatment, and then heated. Adhesion processing unit of thermal processing unit block (TB) 31 in order to improve the fixability of the resist after being transferred to one of cooling units (COL) 66 and 67 of static processing unit block (TB) 32 and cooled. (AD) 64 and the thermal processing unit block (TB) 32 are transported to one of the adhesion processing units (AD) 68, where they are subjected to adhesion processing (hydrophobization processing) by HMDS. Thereafter, the LCD substrate G is transferred to one of the cooling units (COL) 66 and 67 to be cooled, and further transferred to the pass unit (PASS) 65 of the thermal processing unit block (TB) 32. All the transfer processes of the LCD substrate G when performing such a series of processes are performed by the first transfer device 33.
[0032]
The LCD substrate G placed in the pass unit (PASS) 65 is carried into the resist processing unit 23 by the transfer arm of the resist processing unit 23. The LCD substrate G is spin-coated with a resist solution in a resist coating processing apparatus (CT) 23a, then transported to a reduced pressure drying apparatus (VD) 23b, dried under reduced pressure, and further transported to a peripheral resist removing apparatus (ER) 23c. Excess resist on the periphery of the LCD substrate G is removed. After the peripheral resist removal is completed, the LCD substrate G is received by the transfer arm from the resist processing unit 23 to the pass unit (PASS) 69 of the thermal processing unit block (TB) 34 belonging to the second thermal processing unit section 27. Passed.
[0033]
The LCD substrate G placed in the pass unit (PASS) 69 is pre-baked by the second transfer device 36 and the pre-bake units (PREBAKE) 70, 71, 72 of the thermal processing unit block (TB) 34 and the thermal processing unit block ( TB) is transported to one of the pre-baking units (PREBAKE) 75 and 76 of 35 and pre-baked, and then transported to the cooling unit (COL) 74 of the thermal processing unit block (TB) 35 to be cooled to a predetermined temperature. . Then, it is further transported by the second transport device 36 to the pass unit (PASS) 73 of the thermal processing unit block (TB) 35.
[0034]
Thereafter, the LCD substrate G is transported to the extension / cooling stage (EXT / COL) 44 of the interface station 3 by the second transport device 36, and the peripheral exposure device (EE) of the external device block 45 is transported by the transport device 42 of the interface station 3. Then, exposure for removing the peripheral resist is performed, and then transported to the exposure device 4 by the transport device 42, where the resist film on the LCD substrate G is exposed to form a predetermined pattern. In some cases, the LCD substrate G is accommodated in a buffer cassette on the buffer stage (BUF) 43 and then conveyed to the exposure device 4.
[0035]
After the exposure is finished, the LCD substrate G is carried into the upper titler (TITLER) of the external device block 45 by the transfer device 42 of the interface station 3 and predetermined information is written on the LCD substrate G, and then the extension cooling stage (EXT) • COL) 44. The LCD substrate G is passed from the extension / cooling stage (EXT / COL) 44 to the thermal processing unit block (TB) 35 pass unit (PASS) of the second thermal processing unit section 27 by the second transfer device 36. 73.
[0036]
The LCD substrate G is transferred from the pass unit (PASS) 73 to the development processing unit (DEV) 24 by, for example, a roller transport mechanism extending from the pass unit (PASS) 73 to the development processing unit (DEV) 24. Thus, development processing is performed. This development processing step will be described in detail later.
[0037]
After completion of the development processing, the LCD substrate G is conveyed from the development processing unit (DEV) 24 to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 by a continuous conveyance mechanism, for example, roller conveyance, and the LCD substrate G is subjected to decoloring processing. Applied. After that, the LCD substrate G is passed through a pass unit (PASS) 77 of the thermal processing unit block (TB) 37 belonging to the third thermal processing unit section 28 by a roller transport mechanism in the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25. It is carried out to.
[0038]
The LCD substrate G arranged in the pass unit (PASS) 77 is transferred to the post processing unit block (POBAKE) 78, 79, 80 of the thermal processing unit block (TB) 37 and the thermal processing unit block ( TB) It is transported to one of the post-baking units (POBAKE) 81, 83, 84 of 38 and post-baked, and then transported to the pass / cooling unit (PASS / COL) 82 of the thermal processing unit block (TB) 38. After being cooled to a predetermined temperature, it is accommodated in a predetermined cassette C disposed in the cassette station 1 by the transfer device 11 of the cassette station 1.
[0039]
Next, the structure of the development processing unit (DEV) 24 will be described in detail. FIG. 5 is a side view showing a schematic structure of the development processing unit (DEV) 24, and FIG. 6 is a plan view. The development processing unit (DEV) 24 includes an introduction zone 24a, a first developer supply zone 24b, a second developer supply zone 24c, a developer removal zone 24d, a rinse zone 24e, and a drying zone 24f. The introduction zone 24 a is adjacent to the pass unit (PASS) 73 of the thermal processing unit block (TB) 35, and the drying zone 24 f is adjacent to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25.
[0040]
Between the pass unit (PASS) 73 and the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25, the roller substrate 17 conveys the LCD substrate G on the roller 17 in a predetermined direction by rotating the roller 17 by driving a motor or the like. The mechanism 14 is provided, and the roller transport mechanism 14 is operated to move the LCD substrate G from the pass unit (PASS) 73 through the development processing unit (DEV) 24 to the i-line UV irradiation unit (i-UV). It can be conveyed toward 25. A predetermined number of rollers 17 are provided in the transport direction of the LCD substrate G and in a direction perpendicular to the transport direction so that the LCD substrate G is unlikely to be bent. In FIG. 6, the roller transport mechanism 14 is not shown.
[0041]
In the development processing unit (DEV) 24, as shown in FIG. 5, the roller transport mechanism 14 is divided into three regions and can be driven independently for each region. The pass unit (PASS) 73 and the introduction zone 24a convey the LCD substrate G by driving the first motor 15a. The first developer supply zone 24b, the second developer supply zone 24c, and the developer removal zone 24d convey the LCD substrate G by driving the second motor 15b. Further, the rinse zone 24e and the drying zone 24f convey the LCD substrate G by driving the third motor 15c. Such divided driving of the roller transport mechanism 14 can be performed for each zone constituting the development processing unit (DEV) 24, for example.
[0042]
The pass unit (PASS) 73 includes elevating pins 16 that can be raised and lowered. When the lift pins 16 are lifted while the substrate holding arm 94 of the second transfer device 36 that holds the LCD substrate G enters the pass unit (PASS) 73, the LCD substrate G is lifted from the lift pins 16 from the substrate holding arm 94. Is passed on. Subsequently, when the lift pins 16 are lowered after the substrate holding arm 94 is withdrawn from the pass unit (PASS) 73, the LCD substrate G is placed on the roller 17 in the pass unit (PASS) 73. By driving the first motor 15a, the LCD substrate G is carried out from the pass unit (PASS) 73 to the introduction zone 24a.
[0043]
The introduction zone 24a is provided as a buffer area between the pass unit (PASS) 73 and the first developer supply zone 24b. The introduction zone 24a is connected to the first developer supply zone 24b. The pass unit (PASS) 73 is prevented from being contaminated by, for example, the developer scattering to the pass unit (PASS) 73.
[0044]
The first developer supply zone 24b is a zone in which liquid deposition (paddle formation) of the first developer is performed on the LCD substrate G conveyed from the introduction zone 24a, and the developer is applied to the LCD substrate G. A developer supply mechanism 60 is provided.
[0045]
FIG. 7 is a front view of the structure of the first developer supply zone 24b as viewed from the upstream side in the transport direction of the LCD substrate G. FIG. The developer supply mechanism 60 includes two nozzles, a main developer discharge nozzle 51a and a sub-developer discharge nozzle 51b (hereinafter referred to as development nozzles 51a and 51b) that discharge the developer onto the LCD substrate G. A nozzle fixing member 55 for fixing the nozzles, a nozzle holding member 56 for holding the nozzle fixing member 55, a lifting device 57 for moving the nozzle holding member 56 up and down, and a nozzle movement for scanning the developing nozzles 51a and 51b in the X direction. And a mechanism 60a.
[0046]
The nozzle moving mechanism 60a includes an arched arm 58 that holds the lifting device 57, a guide rail 59a, a drive mechanism 46 that scans the arched arm 58 along the guide rail 59a, and a rail holding member that holds the guide rail 59a. 59b and a guide fixing base 59c for fixing the rail holding member 59b. Further, the developer supply mechanism 60 has a control mechanism 47 that controls the operations of the lifting device 57 and the drive mechanism 46. The control mechanism 47 discharges and discharges the developer from the developing nozzles 51a and 51b. Can be controlled to start and stop.
[0047]
In FIG. 7, the configuration of the roller transport mechanism 14 is shown side by side. That is, the roller transport mechanism 14 extends in the transport direction (X direction) of the LCD substrate G, and rotates around the X axis by the second motor 15b (not shown in FIG. 7; see FIG. 5); A first gear 19a that is fixed to the pivot 19 and rotates around the X axis, a pivot 18 that is long in the width direction (Y direction) of the LCD substrate G and that has rollers 17 attached at predetermined intervals, and a first gear 19 at one end of the pivot 18 The second gear 18a is attached to mesh with the first gear 19a and converts the rotation of the first gear 19a around the X axis into the rotation around the Y axis. The second gear 18a is attached to the other end of the pivot shaft 18 and rotates. Is attached to the pivot 19 ′ so as to mesh with the third gear 18b, the third gear 18b rotating around the X axis, and the third gear 18b. Rotation around the X axis A fourth gear 19b for converting to
[0048]
In the roller transport mechanism 14, the drive unit for rotating the pivot 18 is composed of a pivot 19, a first gear 19 a, a second gear 18 a, and a second motor 15 b, and a third gear 18 b, a pivot 19 ′, and a fourth gear. 19b smoothly rotates the pivot 18 and plays a role of supporting the pivot 18.
[0049]
FIG. 8 is a perspective view showing the structure of the main developer discharge nozzle 51a. The main developer discharge nozzle 51a has a structure that is long in the width direction (Y direction) of the LCD substrate G. A developing solution supply pipe 49a is provided at the upper center of the main developing solution discharge nozzle 51a to feed the developing solution to the main developing solution discharge nozzle 51a, and a discharge formed along the longitudinal direction at the lower end thereof. The developer can be discharged in a substantially strip shape from the outlet 49b. The sub developer discharge nozzle 51b has the same structure as the main developer discharge nozzle 51a.
[0050]
The developing nozzles 51a and 51b are held in parallel at a predetermined interval by a nozzle fixing member 55 so that the longitudinal direction coincides with the Y direction. The developing nozzles 51a and 51b can be moved up and down by driving the lifting and lowering device 57 to raise and lower the nozzle holding member 56, so that the gap between the discharge ports 49b of the developing nozzles 51a and 51b and the surface of the LCD substrate G can be increased. The gap can be adjusted. Further, a fitting portion 58a that is fitted to the guide rail 59a is formed at both ends of the arched arm 58, and the arched arm 58 is slidable in the X direction, which is the longitudinal direction of the guide rail 59a, by the drive mechanism 46. It has become.
[0051]
In the developing solution supply mechanism 60, the developing nozzles 51a and 51b are scanned in the X direction while discharging a substantially strip-like developing solution that is long in the Y direction from the developing nozzles 51a and 51b to the LCD substrate G (that is, the arch type). By sliding the arm 58 in the X direction), the developer can be deposited on the surface of the LCD substrate G.
[0052]
In order to perform the development process uniformly on the entire LCD substrate G, it is necessary to uniformly apply the developer necessary for the development reaction on the LCD substrate G in the shortest possible time. By using the two developing nozzles 51a and 51b, it is possible to discharge a predetermined amount of developer in a short time and stably. The scanning speed of the developing nozzles 51a and 51b is preferably 100 mm / second or more and 500 mm / second or less.
[0053]
When the scanning speed of the developing nozzles 51a and 51b is smaller than 100 mm / second, the same processing can be performed by changing the transport speed of the LCD substrate G without scanning the developing nozzles 51a and 51b. The merit of scanning the developing nozzles 51a and 51b cannot be found. On the other hand, when the speed is higher than 500 mm / second, the liquid build-up speed is too high, so that a portion where the developer does not pour out occurs or the developer is liable to spill from the LCD substrate G. If the scanning speeds of the developing nozzles 51a and 51b are within this range, even when the length of the LCD substrate G is taken into account, the time difference between the beginning and the end of the depositing does not become a problem, and the developer can be deposited.
[0054]
Further, the number of times of liquid deposition on the LCD substrate G is not limited to one, and a plurality of liquid deposition processes can be performed. For example, after the liquid has been deposited on the LCD substrate G once, the developing nozzles 51a and 51b may be raised, returned to their original positions, and the liquid accumulation operation may be performed again.
[0055]
FIG. 9A is a side view showing the arrangement form of the developing nozzles 51a and 51b shown in FIG. 5 in more detail. FIG. 9B shows the development while discharging the developing solution from the developing nozzles 51a and 51b. It is explanatory drawing which shows the state which scanned the nozzles 51a and 51b.
[0056]
In the developer supply mechanism 60, when the developer is deposited on the surface of the LCD substrate G, the arched arm 58 is scanned in the direction opposite to the conveyance direction of the LCD substrate G. The main developer discharge nozzle 51a is arranged on the upstream side in the substrate transport direction so that the developer is applied to the LCD substrate G first from the main developer discharge nozzle 51a, and the sub developer discharge nozzle 51b is in the substrate transport direction. It is arranged downstream. In order to advance the development reaction by discharging the developer from the sub developer discharge nozzle 51b and replenishing the developer discharged from the main developer discharge nozzle 51a and accumulated on the LCD substrate G. Sufficient developer is supplied to the LCD substrate G, whereby the development time can be shortened and the development accuracy can be improved.
[0057]
When scanning the developing nozzles 51a and 51b, the lower end of the sub-developing liquid discharge nozzle 51b pushes the developing liquid already discharged onto the LCD substrate G by the main developing liquid discharge nozzle 51a in the scanning direction of the developing nozzles 51a and 51b. (See FIG. 9B), the gap width (gap) D between the sub developer discharge nozzle 51b and the LCD substrate G is larger than the gap width d between the main developer discharge nozzle 51a and the LCD substrate G. It is preferable to set a wide range.
[0058]
For example, the gap width d is set to 1.5 mm to 2.5 mm, and the gap width D is set to 3 mm to 5 mm. When the gap width d is less than 1.5 mm, the alignment of the main developer discharge nozzle 51a is somewhat difficult. Further, when the gap width d is more than 2.5 mm, bubbles are caught in the developing solution when the developing solution is discharged, and the bubbles adhere to the surface of the LCD substrate G, and there is a possibility that development failure may occur in that portion. is there. If the gap width D is more than 5 mm, the developer already applied to the LCD substrate G is greatly agitated, thereby causing a problem that the line width uniformity is lowered. In addition, entrainment of bubbles and the like can be prevented by preventing the distance from the surface of the developer accumulated on the LCD substrate G by the main developer discharge nozzle 51a from exceeding 1 mm.
[0059]
The developing nozzles 51a and 51b are inclined at an angle θ of 5 degrees or more and 15 degrees or less with respect to the vertical direction so that the developer is discharged obliquely downward and rearward in the scanning direction during scanning by the nozzle moving mechanism 60a. Is retained.
[0060]
For example, when the developer discharged from the main developer discharge nozzle 51a to the LCD substrate G is likely to spread forward in the scanning direction of the main developer discharge nozzle 51a, the main developer discharge nozzle 51a is directed to the LCD substrate G. Since the impact of the discharged developer on the LCD substrate G (the momentum at which the developer hits the LCD substrate G) is applied from above the developer previously applied on the LCD substrate G, the developer is directly applied to the LCD substrate. Compared with the case of discharging to G, it is weakened. This causes a problem that the developing accuracy is lowered.
[0061]
By inclining the main developer discharge nozzle 51a by a predetermined angle θ, the developer discharged from the main developer discharge nozzle 51a is difficult to spread forward in the scanning direction of the development nozzles 51a and 51b. Thereby, since the impact of the developer discharged from the main developer discharge nozzle 51a is directly applied to the LCD substrate G, the development accuracy can be improved.
[0062]
Since a new developing solution is newly discharged from the developing solution discharged from the main developing solution discharge nozzle 51a from the sub developing solution discharge nozzle 51b, the developing solution discharged from the sub developing solution discharge nozzle 51b is originally Compared with the case of the main developer discharge nozzle 51a, the LCD substrate G is not greatly affected. It is preferable that the sub developer discharge nozzle 51b is also inclined by a predetermined angle θ so that the developer previously applied to the LCD substrate G is not greatly stirred by the developer discharged from the sub developer discharge nozzle 51b.
[0063]
As described above, in the first developer supply zone 24b, the developer is ejected onto the LCD substrate G while the developing nozzles 51a and 51b are scanned, so that it is not necessary to transport the LCD substrate G at a high speed. As a result, it is possible to prevent the occurrence of an accident in which the LCD substrate G is distorted or broken due to overrun at the time of transport of the LCD substrate G or sudden stop of the transport. In addition, since it is not necessary to stop the LCD substrate G suddenly after supplying the developer, it is possible to prevent the developer accumulated on the LCD substrate G from falling out and to use the developer efficiently. Become.
[0064]
In the first developer supply zone 24b, while the LCD substrate G is transported at a low speed or the LCD substrate G is stopped, the developer can be deposited, but the LCD substrate G is stopped and the developer is supplied. When the coating method is used, it can be performed in a particularly stable state, whereby the line width uniformity can be improved.
[0065]
While the LCD substrate G on which the developer is deposited in the first developer supply zone 24b is transported to the developer removal zone 24d, the developer may spill from the LCD substrate G. In the second developer supply zone 24c, in order to prevent the development reaction from proceeding due to the developer spilling from the LCD substrate G during the transportation of the LCD substrate, a new developer is replenished to the LCD substrate G. can do.
[0066]
In the second developer supply zone 24c, the developer replenishment nozzle 51c having the same structure as the main developer discharge nozzle 51a has the same structure as the arched arm 58 so that the longitudinal direction thereof is the Y direction. It is being fixed to the immovable arm (not shown) which has. From the developer replenishing nozzle 51c, a predetermined amount of developer is discharged in a substantially strip shape in the Y direction onto the LCD substrate G transported by the roller transport mechanism 14, and thus the developer spilled from the LCD substrate G during transport is replenished. Is done.
[0067]
For example, a posture changing mechanism (not shown) that converts the LCD substrate G into an oblique posture and a rinsing liquid (for example, pure water) for washing the developer onto the surface of the LCD substrate G are discharged into the developer removal zone 24d. A rinse liquid discharge nozzle 52 is provided. The development reaction on the LCD substrate G is performed while being conveyed from the first developer supply zone 24b to the developer removal zone 24d. In the developer removal zone 24d, the LCD substrate G is converted into an oblique posture, the developer on the LCD substrate G is poured off, and further, the LCD substrate G is held in the oblique posture, and the lower side from the upper end of the LCD substrate G is lowered. By discharging pure water onto the surface of the LCD substrate G while scanning the rinse liquid discharge nozzle 52 along the surface of the LCD substrate G toward the end, the developer on the LCD substrate G is washed away.
[0068]
The rinse liquid discharge nozzle 52 can be scanned at a speed of, for example, 500 mm / second so that the developer can be washed away in a short time. Actually, by setting the scanning speed of the rinsing liquid discharge nozzle 52 between 100 mm / sec and 300 mm / sec, more preferably between 200 mm / sec and 300 mm / sec, the line width uniformity of the development pattern is improved. It is done. As the rinsing liquid discharge nozzle 52, as in the developing nozzles 51a and 51b, a rinsing liquid having a structure capable of discharging the rinsing liquid in a film shape is preferably used, thereby preventing development unevenness.
[0069]
A rinse nozzle 53 that discharges a rinse liquid such as pure water toward the LCD substrate G is attached to the rinse zone 24e. In the rinsing zone 24e, the rinsing liquid is discharged onto the front and back surfaces of the LCD substrate G while the LCD substrate G is conveyed at a predetermined speed, and the developer adhering to the LCD substrate G is removed and washed. The rinsing nozzle 53 has a shape longer than the width of the LCD substrate G, and is capable of discharging the rinsing liquid over the entire width direction of the LCD substrate G.
[0070]
An air nozzle (air knife) 54 that injects a dry gas such as nitrogen gas at a predetermined wind pressure is provided in the dry zone 24f to which the LCD substrate G that has passed through the rinse zone 24e is transported. In the drying zone 24f, the LCD substrate G is dried by spraying a drying gas onto the front and back surfaces of the LCD substrate G while the LCD substrate G is being conveyed at a predetermined speed, and blowing off the rinse liquid adhering to the LCD substrate G. The air nozzle 54 has a shape longer than the width of the LCD substrate G, and can discharge the dry gas over the entire width direction of the LCD substrate G. The LCD substrate G that has been dried is transported to the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25 by the roller transport mechanism 14.
[0071]
Next, the development processing steps in the development processing unit (DEV) 24 will be described. FIG. 10 is an explanatory diagram (flow chart) showing an outline of the development processing step. The LCD substrate G carried into the pass unit (PASS) 73 passes through the introduction zone 24a and is carried into the first developer supply zone 24b by the roller transport mechanism 14 (step 1). The conveyance speed of the LCD substrate G from the pass unit (PASS) 73 to the first developer supply zone 24b is, for example, 65 mm / second.
[0072]
In the first developer supply zone 24b, the LCD substrate G is stopped at a predetermined position (step 2), and the development nozzles 51a and 51b are scanned at a high speed of 240 mm / second, for example, while the LCD substrate G is scanned. The developer is discharged onto the surface, and the developer is deposited (step 3). When the LCD substrate G is stopped, the drive control of the developing nozzles 51a and 51b is facilitated. Further, the developer can be stably deposited on the LCD substrate.
[0073]
FIG. 11 is an explanatory view showing a scanning mode of the developing nozzles 51a and 51b. It is assumed that the developing nozzles 51a and 51b are scanned from the right side to the left side in FIG. 11, and the right end of the LCD substrate G shown in FIG. After the height positions of the developing nozzles 51a and 51b are adjusted by the lifting device 57, the driving mechanism 46 is operated to start scanning the developing nozzles 51a and 51b. When the main developer discharge nozzle 51a reaches a predetermined position on the right side from the liquid build start end, for example, a position 1 cm to the right of the liquid build start end (hereinafter referred to as “discharge start position”), the main developer discharge nozzle 51a Is started to be discharged (step 3a). As a result, the developer can be surely accumulated from the liquid accumulation start end. Similarly, when the sub developer discharge nozzle 51b reaches the discharge start position, discharge of the developer from the sub developer discharge nozzle 51b is started (step 3b).
[0074]
Then, the developing nozzles 51a and 51b are scanned on the LCD substrate G to deposit the developer on the entire LCD substrate G (step 3c). At this time, as described above with reference to FIGS. 9A and 9B, when the developing nozzles 51a and 51b are scanning the LCD substrate G, the developer is obliquely applied to the developing nozzles 51a and 51b. It is discharged toward the lower rear. The sub developer discharge nozzle 51b applies the developer to the LCD substrate G without scraping the developer applied on the LCD substrate G by the main developer discharge nozzle 51a in the scanning direction of the development nozzles 51a and 51b. .
[0075]
The discharge of the developer onto the LCD substrate G may be continued until the sub-developer discharge nozzle 51b passes the liquid piling end. Preferably, however, the main development is performed when the main developer discharge nozzle 51a reaches the liquid piling end. Discharge of the developer from the liquid discharge nozzle 51a is stopped (step 3d), and when the sub developer discharge nozzle 51a reaches the end of liquid buildup, discharge of the developer from the sub developer discharge nozzle 51b is stopped (step). 3e) The developing nozzles 51a and 51b are moved so that the lower end of the sub-developing liquid discharge nozzle 51b approaches or comes into contact with the liquid pile end of the LCD substrate G (step 3f). By moving the sub developer discharge nozzle 51b to such a position, it is possible to prevent the developer applied on the LCD substrate G from spilling from the liquid piling end. When the sub developer discharge nozzle 51b is brought into contact with the LCD substrate G, fine control is performed so that the LCD substrate G is not damaged by the contact.
[0076]
It is also preferable that after the liquid filling operation shown in FIG. 11 is completed, the developing nozzles 51a and 51b are returned to the liquid piling start end side and the developer is applied again to the LCD substrate G (step 3g). By performing liquid deposition on the LCD substrate G a plurality of times, it is possible to shorten the development time while maintaining high development accuracy.
[0077]
FIG. 12 is an explanatory view showing the relationship between the condition of the liquid on the LCD substrate G and the obtained development pattern characteristics. FIG. 12A shows the relationship between the scanning speed of the developing nozzles 51a and 51b and the line width uniformity. FIG. 12B shows the relationship between the number of liquid deposits and the line width, and FIG. 12C shows the relationship between the number of liquid deposits and the line width uniformity.
[0078]
The results shown in FIGS. 12A to 12C show that the LCD substrate G is exposed under a predetermined condition using a mask on which a predetermined pattern having a line width of 8 μm or 10 μm is formed, and then the exposed LCD substrate G is processed. Development was performed under various conditions, and the resist film pattern thus obtained was observed by SEM and the line width (the width of the convex portion in the development pattern) was measured. In this SEM observation, in order to observe the entire LCD substrate G, a plurality of observation points were provided radially in eight directions intersecting at an equal angle at the approximate center of the LCD substrate G.
[0079]
The result shown in FIG. 12A is that a mask having a pattern with a line width of 10 μm is used, and the discharge flow rate of the developer from the developing nozzles 51a and 51b is constant regardless of the scanning speed of the developing nozzles 51a and 51b. It is obtained by changing the scanning speed of the developing nozzles 51a and 51b only once, and further developing time (time from starting application of the developing solution until removing the developing solution from the LCD substrate G) is constant. It is a thing. Note that one bar graph in FIG. 12A corresponds to one LCD substrate G.
[0080]
As shown in FIG. 12 (a), when the number of liquid deposits of the developing nozzles 51a and 51b is one, it is understood that the higher the scanning speed of the developing nozzles 51a and 51b, the more the line width uniformity improves. It was. This is because the retention amount of the developer at the start end of the developer is reduced, and a partial excessive reaction of the development that occurs at the start end is suppressed, and the time that the liquid is accumulated on the entire LCD substrate G is reduced. This is probably because the development reaction progressed uniformly over the entire LCD substrate G because of its short length.
[0081]
“Partial excessive reaction of development occurring at the starting end of developer accumulation” refers to the following. That is, the developing solution is supplied in the scanning direction as the developing nozzles 51a and 51b scan, and at this time, a part of the developing solution flows in the direction opposite to the scanning direction. The return developer cannot flow any more at the developer accumulation start end, and accumulates on the spot. For this reason, the developing solution is excessively supplied at the starting end portion of the developing solution, and the developing reaction proceeds from the other part, and the excessive reaction proceeds. This partial over-reaction of development results in increased in-plane line width variation.
[0082]
Since the amount of the return developer can be reduced by increasing the scanning speed of the developing nozzles 51a and 51b, a partial excess reaction at the starting end of the developer is suppressed.
[0083]
Since the discharge flow rate of the developer from the developing nozzles 51a and 51b and the developing time were fixed, the average line width was 9.94 μm and close to the mask pattern when the scanning speed was 100 mm / second. The variation in line width in the entire substrate G became large. On the other hand, when the scanning speed was 210 mm / second, the average line width was 9.78 μm, which was slightly narrower than the mask pattern, but the variation in the line width across the entire LCD substrate G was small. As a result, when the scanning speed of the developing nozzles 51a and 51b is high, the impact of the developer on the resist increases, and the development reaction is further promoted. Therefore, the development reaction occurs when the scan speed is 210 mm / sec. One of the causes is considered to be too much progress. Therefore, when the developing nozzles 51a and 51b are scanned at high speed, it is considered that the average line width can be brought close to the mask pattern by shortening the developing time, and the line width uniformity can be improved. .
[0084]
The result shown in FIG. 12B shows that a mask having a pattern with a line width of 8 μm is used, the scanning speed of the developing nozzles 51a and 51b is 80 mm / second, and the developer discharge amount is 5.6 L (liter) / minute. The average line width when the number of times of liquid pour is changed with the development time constant for the case where the scan speed of the development nozzles 51a and 51b is 160 mm / second and the discharge amount of the developer is 9.4 L / min. Show. As shown in FIG. 12B, the average line width decreases as the number of liquids increases. This indicates that as the number of times of liquid buildup increases, the development reaction proceeds faster. Therefore, it is considered that the development time can be shortened by increasing the number of times of liquid buildup.
[0085]
The result shown in FIG. 12C is that a mask having a pattern with a line width of 8 μm is used, the scanning speed of the developing nozzles 51a and 51b is 80 mm / second, and the developer discharge amount is 5.6 L (liter) / minute. And when the developing nozzles 51a and 51b have a scanning speed of 160 mm / second and a developer discharge amount of 9.4 L / min, the developing time is constant and the line width uniformity when the number of liquids is changed Is shown. Note that one bar graph in FIG. 12C corresponds to one LCD substrate G.
[0086]
As shown in FIG. 12C, when the number of liquids is the same, the line width uniformity tends to improve as the scanning speed of the developing nozzles 51a and 51b increases. In addition, when the scanning speed of the developing nozzles 51a and 51b is high (160 mm / sec), the line width uniformity is improved as the number of liquids is increased. From these results, it can be seen that increasing the scanning speed of the developing nozzles 51a and 51b and increasing the number of liquid deposits are effective in improving the line width uniformity.
[0087]
The LCD substrate G that has been subjected to the liquid buildup process in the first developer supply zone 24b is transported to the second developer supply zone 24c at a transport speed of 46 mm / second, for example, by operating the roller transport mechanism 14. (Step 4). When the LCD substrate G passes through the second developer supply zone 24c, the developer may be replenished onto the LCD substrate G from the developer replenishment nozzle 51c (step 5).
[0088]
The LCD substrate G transported to the second developer supply zone 24c is further transported to the developer removal zone 24d (step 6), where the LCD substrate G is converted into an oblique posture and the developer on the LCD substrate G is allowed to flow. Then, the rinse liquid, for example, pure water is discharged from the rinse liquid discharge nozzle 52 onto the surface of the LCD substrate G in a state where the LCD substrate G is held in an oblique posture, and the developer on the LCD substrate G is washed away (Step 7). Step 8).
[0089]
Subsequently, the LCD substrate G is transported to the rinse zone 24e (step 9), where the rinsing liquid is discharged onto the front and back surfaces of the LCD substrate G while being transported at a predetermined speed, and adheres to the LCD substrate G. The developing solution is removed and washed (step 10). The LCD substrate G that has passed through the rinsing zone 24e while being subjected to such rinsing processing is transported to the drying zone 24f (step 11). In the drying zone 24f, the drying process by the air nozzle 54 is performed while the LCD substrate G is transported at a predetermined speed (step 12). The LCD substrate G that has been dried is transported to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 by the roller transport mechanism 14 (step 13), where a predetermined ultraviolet irradiation process is performed.
[0090]
As mentioned above, although embodiment of this invention has been described, this invention is not limited to the said embodiment. For example, the number of developer discharge nozzles arranged in the first developer supply zone 24b may be one, or three or more. When a single developer discharge nozzle is used, the flow rate of the developer discharged from the developer discharge nozzle has to be increased. Therefore, the developer discharge momentum is increased and the developer discharged onto the LCD substrate G is discharged. The developer discharge state from the developer discharge nozzle, for example, the discharge direction and discharge momentum of the developer is controlled so as not to spill from the LCD substrate G.
[0091]
Further, in the first developer supply zone 24b, the developer is applied to the LCD substrate G while the developer applied on the LCD substrate G is transported at a speed that does not spill out without stopping the LCD substrate G. It may be applied. Further, the scanning direction of the developing nozzles 51a and 51b is opposite to the transporting direction of the LCD substrate G. However, when the LCD substrate G is stopped, the developing nozzles 51a and 51b are perpendicular to the transporting direction of the LCD substrate G. 51b may be scanned.
[0092]
【The invention's effect】
  As explained above,According to the present inventionSince the processing liquid can be applied onto the substrate in a short time by scanning the processing liquid discharge nozzle at a predetermined speed, uniform liquid processing can be performed on the entire substrate. In this way, the effect that the quality of a board | substrate can be improved and the incidence rate of a product defect can be reduced is acquired. In addition, since it is not necessary to transport the substrate coated with the processing liquid at high speed, it is not necessary to stop the substrate suddenly. This causes the processing liquid to spill out of the substrate and prevent liquid processing from proceeding, or the spilled processing liquid phase. There is no need to replenish the equivalent. Further, since the occurrence of problems such as the substrate being distorted due to the stress caused by the sudden stop or the substrate being overrun and damaged is prevented, the manufacturing yield is increased and the maintenance load is also reduced. Furthermore, since the space required for transporting the substrate may be the same as the conventional one, an increase in the footprint of the apparatus is suppressed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic plan view of a resist coating / development processing system including a development processing unit that is an embodiment of a liquid processing apparatus of the present invention.
2 is a side view showing a first thermal processing unit section of the resist coating / development processing system shown in FIG. 1; FIG.
FIG. 3 is a side view showing a second thermal processing unit section of the resist coating / development processing system shown in FIG. 1;
4 is a side view showing a third thermal processing unit section of the resist coating / development processing system shown in FIG. 1; FIG.
FIG. 5 is a schematic side view of a development processing unit according to the present invention.
6 is a schematic plan view of the development processing unit shown in FIG.
7 is a front view of the structure of a first developer supply zone included in the development processing unit shown in FIG. 5 as viewed from the upstream side in the conveyance direction of the LCD substrate.
8 is a perspective view showing a structure of a main developer discharge nozzle arranged in a first developer supply zone of the development processing unit shown in FIG. 5. FIG.
9 is a side view showing an arrangement form of a main developer discharge nozzle and a sub developer discharge nozzle shown in FIG. 5 and an application form of the developer. FIG.
FIG. 10 is an explanatory diagram (flow chart) showing an outline of a development processing step.
FIG. 11 is an explanatory diagram showing a scan form of a main developer discharge nozzle and a sub developer discharge nozzle.
FIG. 12 is a descriptive diagram showing the relationship between the liquid filling condition on the LCD substrate and the line width and line width uniformity of the developed pattern obtained.
[Explanation of symbols]
1: Cassette station
2: Processing station
3; Interface station
14; Roller transport mechanism
17; roller
24: Development processing unit (DEV)
24a; introduction zone
24b; first developer supply zone
24c; second developer supply zone
24d; developer removal zone
24e; rinse zone
24f; drying zone
51a; main developer discharge nozzle
51b; Sub-developer discharge nozzle
51c; developer replenishing nozzle
52; Rinse liquid discharge nozzle
53; Rinse nozzle
54; Air nozzle (air knife)
55; Nozzle fixing member
56; Nozzle holding member
57; Lifting device
58; Arched arm
59a; guide rail
60; Developer supply mechanism
60a; nozzle moving mechanism
100; resist coating / development processing system (processing equipment)
G …… LCD substrate

Claims (8)

基板を略水平姿勢で一方向に搬送する搬送機構と、
前記搬送機構によって搬送される基板の表面に処理液を吐出する処理液吐出ノズルと、
前記処理液吐出ノズルを前記基板上において所定速度で移動させるノズル移動機構と、
を具備し、
前記ノズル移動機構によって前記処理液吐出ノズルを移動させながら前記処理液吐出ノズルから前記処理液を吐出させることにより前記基板に前記処理液が塗布される液処理装置であって、
前記処理液吐出ノズルは、前記ノズル移動機構による移動方向と直交する方向に長い主処理液吐出ノズルと副処理液吐出ノズルの２本のノズルからなり、
前記主処理液吐出ノズルと前記副処理液吐出ノズルは、前記ノズル移動機構による移動方向の前方に前記主処理液吐出ノズルが位置し、前記移動方向の後方に前記副処理液吐出ノズルが位置するように並列に配置され、
前記主処理液吐出ノズルおよび前記副処理液吐出ノズルからは、前記基板に対して前記移動方向と直交する方向全体に前記処理液が略帯状に吐出され、
前記主処理液吐出ノズルおよび前記副処理液吐出ノズルを昇降させる昇降機構をさらに具備し、
前記昇降機構は、前記副処理液吐出ノズルが前記処理液の吐出を終了する前記基板の端面近傍の所定位置に到達したときに、前記基板に塗布された処理液が前記端面からこぼれ落ちないように前記副処理液吐出ノズルの底面を前記端面近傍に近接させることを特徴とする液処理装置。A transport mechanism for transporting the substrate in one direction in a substantially horizontal posture;
A processing liquid discharge nozzle for discharging a processing liquid onto the surface of the substrate transported by the transport mechanism;
A nozzle moving mechanism for moving the processing liquid discharge nozzle on the substrate at a predetermined speed;
Comprising
A liquid processing apparatus in which the processing liquid is applied to the substrate by discharging the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle while moving the processing liquid discharge nozzle by the nozzle moving mechanism ,
The processing liquid discharge nozzle is composed of two nozzles, a main processing liquid discharge nozzle and a sub-processing liquid discharge nozzle, which are long in a direction orthogonal to the moving direction by the nozzle moving mechanism.
The main process liquid discharge nozzle and the sub process liquid discharge nozzle are located in front of the movement direction by the nozzle moving mechanism, and the sub process liquid discharge nozzle is located in the rear of the movement direction. Arranged in parallel so that
From the main processing liquid discharge nozzle and the sub processing liquid discharge nozzle, the processing liquid is discharged in a substantially strip shape in the entire direction perpendicular to the moving direction with respect to the substrate,
An elevating mechanism for raising and lowering the main processing liquid discharge nozzle and the sub-processing liquid discharge nozzle;
The lifting mechanism prevents the processing liquid applied to the substrate from spilling from the end face when the sub-processing liquid discharge nozzle reaches a predetermined position near the end face of the substrate where the discharge of the processing liquid ends. A liquid processing apparatus , wherein the bottom surface of the sub-processing liquid discharge nozzle is brought close to the vicinity of the end surface . 前記処理液吐出ノズルによって前記処理液が塗布されて前記搬送機構によって搬送される基板の表面に、さらに前記処理液を塗布する固定された処理液補充ノズルをさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の液処理装置。  The apparatus further comprises a fixed processing liquid replenishing nozzle for applying the processing liquid on a surface of the substrate to which the processing liquid is applied by the processing liquid discharge nozzle and transported by the transport mechanism. The liquid processing apparatus according to 1. 前記処理液補充ノズルは前記基板の搬送方向と直交する方向に長い形状を有し、
前記処理液補充ノズルの下方を通過する基板に対して前記搬送方向と直交する方向全体に前記処理液が略帯状に補充されることを特徴とする請求項２に記載の液処理装置。The treatment liquid replenishing nozzle has a long shape in a direction perpendicular to the substrate transport direction,
3. The liquid processing apparatus according to claim 2, wherein the processing liquid is replenished in a substantially strip shape in the entire direction orthogonal to the transport direction with respect to the substrate passing under the processing liquid replenishing nozzle. 前記ノズル移動機構は、前記処理液吐出ノズルを前記基板の搬送方向とは逆方向に移動させることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の液処理装置。  4. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the nozzle moving mechanism moves the processing liquid discharge nozzle in a direction opposite to a transport direction of the substrate. 5. 前記副処理液吐出ノズルと前記基板との間隙は、前記主処理液吐出ノズルと前記基板との間隙よりも広いことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の液処理装置。5. The liquid according to claim 1 , wherein a gap between the sub-processing liquid discharge nozzle and the substrate is wider than a gap between the main processing liquid discharge nozzle and the substrate. Processing equipment. 前記主処理液吐出ノズルと前記副処理液吐出ノズルは、前記ノズル移動機構による移動時には移動方向の斜め下後方に向けて前記処理液を吐出するように、鉛直方向に対して５度以上１５度以下の角度で傾斜した状態に保持されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の液処理装置。The main process liquid discharge nozzle and the sub process liquid discharge nozzle are discharged at 5 degrees or more and 15 degrees with respect to the vertical direction so that the process liquid is discharged obliquely downward and rearward in the movement direction when moved by the nozzle moving mechanism. The liquid processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the liquid processing apparatus is held in an inclined state at the following angle. 前記基板への前記処理液の塗布を行う際には、前記搬送機構は動作を停止して前記基板を停止させることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の液処理装置。The liquid according to any one of claims 1 to 6 , wherein when the treatment liquid is applied to the substrate, the transport mechanism stops the operation to stop the substrate. Processing equipment. 前記ノズル移動機構は、前記処理液吐出ノズルを１００ｍｍ／秒以上５００ｍｍ／秒以下の速度で略水平方向に移動させることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の液処理装置。The liquid according to any one of claims 1 to 7 , wherein the nozzle moving mechanism moves the processing liquid discharge nozzle in a substantially horizontal direction at a speed of 100 mm / second or more and 500 mm / second or less. Processing equipment.
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