JP3767156B2 - 光送受信モジュ−ル - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
この発明は、光ファイバに二つ以上の異なる波長の光信号を一方向あるいは双方向に通し、基地局と加入者の間で情報を伝送する双方向通信において、受光素子と発光素子を一体化した光送受信モジュールに関する。特に光コネクタと容易に着脱できるようにした光送受信モジュールを提供する事を目的とする。
【0002】
[光双方向通信の説明]
近年、光ファイバの伝送損失が低下し、半導体レーザ(以下LDと略す)や半導体受光素子(以下PDと略す)の特性が向上してきた。このため光を用いた様々な情報の伝達が可能になってきた。光を用いる通信であるので光通信という。伝送されるべき情報の形態としては、電話、ファクシミリ、テレビ画像などがある。特に波長が1.3μm帯の光や、1.55μm帯の光などの長波長の光を用いた通信の試みが盛んに行われている。最近は、1本の光ファイバを用いて信号を双方向に送り、同時に信号を送受信できるシステムが検討されている。信号を双方向に送るので双方向通信と呼ぶ。この方式の利点はファイバ1本ですむことである。
【0003】
図1はこのような双方向通信のうち、異なる波長の光を用いる波長多重双方向通信の原理図である。一つの局と複数の加入者が光ファイバによって結合される。ここで加入者は一つだけ図示しているが実際には沢山の加入者が存在する。数多くの分岐点があって局からの光ファイバは多数の光ファイバに分岐して加入者の装置に至っている。
【0004】
局側は、電話やTVの信号をデジタルあるいはアナログ信号として増幅し、この信号によって半導体レーザLD1を駆動する。この信号は波長λ1の信号となって光ファイバ1に入る。分波器2によって、中間の光ファイバ3に導かれる。これが加入者側の分波器4により光ファイバ5に入り、受光素子PD2によって受信される。これによって光電変換され、電気信号P3となる。電気信号P3は、加入者側の装置によって増幅され信号処理されて、電話の音声あるいはテレビ画像として再生される。このように基地局から加入者側に向かう信号を下り信号といい、この方向を下り系と呼ぶ。
【0005】
一方加入者側は、電話やファクシミリの信号を半導体レーザLD2によって波長λ2の光信号に変換する。λ2の光は、光ファイバ6に入射し、分波器4によって中間の光ファイバ3に導かれ局側の分波器2を通って受光素子PD1に入る。局側の装置は、λ2の光信号をPD1によって光電変換し、電気信号とする。この電気信号は、交換機や信号処理回路に送り込まれて適当な処理を受ける。このように局側に信号を送る方向を上り系と呼ぶ。
【0006】
以上の説明では、λ1は下り系、λ2は上り系のみに使われている。しかし実際には同じ波長の光を、下りと上りの両方に使うことがある。時には二種類の波長の光のいずれをも上りと下りの伝搬させることもある。このような場合、波長による二つの種類の光の分離が極めて重要な問題になってくる。
【0007】
[光の分波器の説明]
このように二つの波長の光を用い、一本の光ファイバによって双方向通信をするためには、局側、加入者側のどちらもが光の波長を識別し光路を分離する機能が必要である。図1における分波器2、4がその機能を果たす。分波器は、波長λ1と波長λ2の光を結合して一本の光ファイバに導入したり、二つの波長の光から一方の光のみを選んで一本の光ファイバに取り出したりする作用がある。波長多重双方向通信を行うには、分波器が極めて重要な役割を果たす。
【0008】
現在、いくつかの種類の分波器が提案されている。図2〜図3によって説明する。図2の例では、分波器は光ファイバまたは光導波路によって作られる。二つの光路8、9が一部分10で近接しており、ここで光エネルギーの交換がなされる。近接部10の間隔Dや距離Lによって様々の結合を実現することができる。ここで光路8にλ1の光を入射すると、光路11にλ1の光が出てくる。光路12にλ2の光を入れると光路9にλ2の光が出てくる。
【0009】
図3は、多層膜ミラーを使うものである。二等辺三角形のガラスブロック13、14の斜辺面に誘電体多層膜ミラーを形成している。誘電体の屈折率と厚みを適当に組み合わせて、λ1の光は全て透過し、λ2の光は全て反射するようにしている。誘電体は45度の角度で入射した光を透過あるいは反射させる機能を有する。この分波器も図1の分波器2、4として利用することができる。このような分波器は分波・合波器とも呼ばれる。WDM(wavelength division multiplexer)ともいう。光ファイバやガラスブロックによる分波器はすでに市販されている。
【0010】
【従来の技術】
加入者側の光送受信モジュールについて説明する。図16において、局から加入者に向けて敷設された光ファイバ16の終端が光コネクタ17によって、屋内の光ファイバ18に接続される。加入者の屋内にあるONUモジュールには、光ファイバWDM21が設けられる。光ファイバ18と光ファイバ19がWDMの中で波長選択的に結合されている。光ファイバ18に光コネクタ22によって、LDモジュール25をつなぐ。光ファイバ19には光コネクタ23を介してPDモジュール27を接続する。
【0011】
LD25、光ファイバ24は上り系である。1.3μm帯光が加入者側の信号を局へと伝送する。光ファイバ26、PDモジュール27は下り系である。局からの1.55μm信号を受けてPDモジュール27によって光電変換する。送信装置であるLD25は電話やファクシミリの信号を増幅し、変調する回路や、電気信号を光信号に変換する半導体レーザなどを含む。受信装置であるPDモジュール27は、局から送られたTV信号、電話などの光信号を光電変換するフォトダイオードと増幅回路、復調回路などを含む。波長分波器21は、1.55μm帯光と1.3μm帯光を分離する作用がある。この例では、1.3μmを上り系の信号光に、1.55μmを下り系の信号光として使っている。
【0012】
本発明は、二つの異なる波長の光信号を用いて双方向通信する場合における光送受信モジュールの改良に関する。光送受信モジュールというのは、発光素子、受光素子、これらの周辺回路などを含めたものである。これらの要素技術についての従来技術を説明する。
【0013】
[従来例に係る半導体発光素子の説明]
図4によって従来例に係る半導体発光素子28を説明する。これは半導体レーザチップ(LD)29と、モニタ用のフォトダイオードチップ30を含むモジュールである。半導体レーザチップ29はヘッダ32の隆起部(ポール)31の側面に固定される。チップの面に平行に光を発生するからである。ヘッダ32の底面にはフォトダイオードチップ30がレーザチップの背面発光が入射する位置に固定される。ヘッダ32の下面には適数のリードピン33がある。ヘッダ32の素子取り付け面は、キャップ34によって覆われる。
【0014】
キャップ34の中央部には窓35が開口している。半導体レーザ29の光はチップから上下方向に出る。窓35の直上にはレンズ37がある。これはレンズホルダー36によって支持される。レンズホルダーのさらに上にはハウジング38があって、これの上頂部にはフェルール39が固定される。フェルール39は光ファイバ40の先端を保持する。フェルールと光ファイバの端部は斜め(8度)に研磨してある。戻り光が半導体レーザに入るのを防止するためである。半導体レーザの光を光ファイバ40の他端において監視しながらホルダー36をヘッダ32に対して位置決めする。さらにハウジング38をレンズホルダー36に対して位置決めする。半導体レーザチップ29、フォトダイオードチップ30の各電極はワイヤによってリードピン33のいずれかに接続される。
【0015】
半導体レーザから出た光はレンズによって絞られ、光ファイバの端部に入射する。半導体レーザは信号によって変調されているから、この光は信号を伝送することになる。半導体レーザの出力は反対側にあるモニタ用のフォトダイオードによってモニタされる。1.3μm〜1.5μmの発振波長は半導体層の材料によって決まる。
【0016】
[従来例に係る半導体受光モジュールの説明]
図5によって従来の半導体受光モジュールの一例を説明する。受光素子チップ41がヘッダ42の上面にダイボンドされる。ヘッダ42の下面にはリードピン43が設けられる。ヘッダ42の上面はキャップ44によって覆われる。キャップ44の中央には光を通すための開口部45がある。キャップの外側にはさらに円筒形のホルダー46が固定される。これはレンズ47を保持するためのものである。
【0017】
レンズホルダー46のさらに上には円錐形のハウジング48が固定される。光ファイバ50の先端をフェルール49によって固定し、フェルール49がハウジング48によって保持される。フェルール49、光ファイバ50の先端は斜め研磨してある。
【0018】
受光素子の場合も光ファイバに光を通し、受光素子チップ41の出力を監視しながら、ホルダー46の位置と、ハウジング48の位置、フェルール49の位置を決める。受光素子の半導体層によって、受光可能な波長が決まる。可視光の場合はSiの受光素子を使う事ができる。しかし本発明では赤外光を用いる送受信モジュールを対象にするからSiフォトダイオードは不適当である。赤外光を感受するためにはよりバンドギャップの狭いInPを基板とし、InGaAsやInGaAsPなどの受光層をもつ化合物半導体の受光素子を用いる必要がある。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術の問題点について述べる。加入者側は、一般の家庭が最も多い。だから光双方向通信は今普及している電話と同じ数だけの市場の広がりがある筈である。しかし普通のメタル線による電話と同じぐらい安価にしないと一般家庭は購入しないだろう。加入者側機器が安価であるということが普及の条件である。ところが図3の従来例に係る個別のモジュール(LDモジュール、PDモジュール、WDMモジュール)の組み合わせでは安価にできない。これら3つの個別モジュールの価格の合計が全体のモジュールの価格ということになり高価なものになる。
【0020】
このような機器の高価額が光加入者系の進展を妨げている。さらなる進展のためには機器を低コストにしなければならない。そこで少しでも部品点数を減らし、コンパクトにし、低コストにするという試みがなされる。光送受信モジュールについていくつかの低コスト化の為の提案がなされている。
【0021】
[A.ビーム空間分離型型モジュール(WDM,PD,LD内蔵レセプタクル)]
これは小楠正大、富岡多寿子、大島茂「レセプタクル型双方向波長多重光モジュール」1996年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会C−208、P208によって提案されたものである。図6に概略を示す。直方体のハウジング60の内部に斜め45度にWDMフィルタ61を取り付け、3方の壁にドラムレンズ62、63、64を固定している。レンズ62の先にはPD66をハウジング60に取り付けている。レンズ63の先にはLD68をハウジング60に固定している。レンズ64が外部の光ファイバ69との接続端となるレンズである。
【0022】
実際にはハウジングと、光ファイバを固定したレセプタクルは着脱自在になっている。光ファイバはハウジングに対して抜き差しできる。だから外部につながる光ファイバ69はハウジング60に着脱可能に固定される。外部からの光ファイバ69がレンズ64、WDM61によってPD66とLD68に結合される。光ファイバから出た光はレセプタクル内で空間を伝搬し広がるからレンズ64、62、63によって集光しパワーが広がるのを防いでいる。LDは1.3μm光を発する。これはWDM61を斜めに透過してレンズ64を経て光ファイバ69に入り送信光となる。
【0023】
光ファイバ69を伝搬して来た受信光は1.55μm光でありWDM61で反射されてレンズ62を経てPD66に入射する。WDMフィルタ61が波長選択性を持っている。 図3のものよりもかなりコンパクトになっているがLD、PDは独立の素子を使っており、3つの集光レンズを必要とししかもWDM61を必須としている。軸合わせは難しく寸法は小さくなったがコスト的には図3のものと殆ど変わらない。
【0024】
[B.Y分岐光導波路型モジュール(図7)]
Naoto Uchida, Yasufumi Yamada, Yoshinori Hibino, Yasuhiro Suzuki & Noboru Ishihara, "Low-cost Hybrid WDM Module Consisting of a Spot-size Converter Integrated Laser Diode and a Waveguide Photodiode on a PLC Platform for Access Network Systems", IEICE TRANS. ELECTRON., VOL.E80-C, NO.1 ,p88, JANUARY 1997 によって提案されたものである。図7によってこれを説明する。絶縁性Si基板70の上に石英系の透明な光導波路部71を設けている。光導波路部71の一隅は切りかかれた段部72となっている。不純物をドープすることによって、光導波路部分71に細いY分岐した導波路73、74、76、77、78を形成している。
【0025】
このモジュールには二つのY分岐がある。初めのY分岐の交差点にWDMフィルタ75が埋め込んである。WDM75は1.55μmを反射し、1.3μmを透過する波長選択作用がある。段部72には電極パターン79、80、81、82が蒸着してある。底部に電極をもつLEDまたはLD83が段部72の電極パターン79、80にボンドしてある。これは1.3μmを発光する端面発光型のLED又はLD83である。端面の発光点85から光が出る。
【0026】
より後方の電極パターン81、82には1.3μmを感受するための端面感受型のPD84がボンドしてある。光ファイバを伝搬してくる光88は、1.3μmと1.55μmを含む。これが導波路74に入りWDMフィルタ75に至る。WDM75によって1.55μmは反射され光導波路73から光87となって別に光ファイバを通って戻って行く。1.3μmはさらに進行してY分岐の導波路77、78の両方に入る。LED83に至るものは無駄な光である。PD84に入ったものは受信光として検出される。LED83は送信光を発する。これは1.3μmの光であるが導波路78、WDM75、導波路74を通過し、出力光になる。
【0027】
個々においてWDMは1.55μmを排除するためにのみ設けられている。なんといってもこの提案の最大の困難は、平面Y分岐導波路の製造が難しいということである。直線導波路を作るのは簡単であるが、石英導波路部分に彎曲したY分岐導波路を作るのは容易でない。導波路73、74に直接に光ファイバ端を接合するということも困難な作業である。結局これとて光送受信モジュールを安価に作るという訳にはいかない。
【0028】
[C.上方反射WDM型モジュール;図8]
宇野智昭、西川透、光田昌弘、東門元二、松井康「表面実装型LD/PD集積化モジュール」1997年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会、C−3−89p198(1997)に提案されたものである。LDとPDを同一基板上に実装することによって量産化、小型化を狙ったものである。図8によってこれを説明する。Si基板90を直線状に切り欠いてV溝91を形成する。V溝91に光ファイバ92を挿入固定する。光ファイバの光路の途中で斜めに深い斜め溝93を切り込む。光ファイバ92の一部も切れてしまう。光ファイバ92と切り離された光ファイバ切断片94ができる。斜め溝93にWDMフィルタ95を差し込んで固定する。WDM95の上方にV溝を跨ぐようにしてPD96を取り付ける。一方Si基板90の後方には段部97を切り欠いておき、ここにLDチップ98を固定する。LD98は1.3μm送信光99を発する。これが光ファイバ92、WDM95を通り外部へと伝搬して出て行く。外部からの1.55μm受信光100はWDM95で反射されPD96によって受信される。これは光路を上向きに分岐させている。
【0029】
構造は簡単であるように見える。しかし光ファイバを定位置に埋め込み固定し、LDと調芯結合し、しかもPDと位置合わせして感度を十分に取るのは難しい。シングルモードファイバはコア径は10μm、クラッド径は125μmであるからWDMフィルタを挿入するために太いクラッドまで切り取る必要がある。結局2本のファイバが、125μm+WDMの分だけ離れたのと同じ状態になる。この広いギャップのために光ファイバ94、92間での損失がふえる。LD98からの光がギャップで洩れて光ファイバ92に十分に入らず、損失が増える。
【0030】
【課題を解決するための手段】
本発明の光送受信モジュールは、プラットフォームと、プラットフォームの中央に直線状に設けられ光を導く光ガイドと、光コネクタに嵌合するためプラットフォームに固定される複数のガイドピンと、光ガイドの途中に設けられ光ガイドを進行する光の一部を透過し一部を反射するフィルタと、プラットフォーム上に固定されフィルタによって反射された光を感受するフォトダイオード(PD)と、光ガイドの延長上に設けられる送信光を発する発光素子(LD、LED)とよりなる。ガイドピンを適当な規格の光コネクタに差し込む事によって光コネクタの光ファイバと、光送受信モジュールの光ガイドが軸心を合わせて対向するようにしている。光コネクタの光ファイバを伝搬してきた受信光は光ガイドからフィルタによって反射されPDで検出され、LD、LEDで発生した送信光はフィルタを透過し光コネクタの光ファイバに入射する。
【0031】
光ガイドは、透明な材料の中に一部不純物をドープして屈折率を上げることによって形成される直線の導波路である。材料の一部に形成されるものであって光ファイバを貼り付けるのではない。無機ガラス質の透明材料を使う事ができる。透明のプラスチック材料であってもよい。もっとも良いのは石英である。
【0032】
本発明の光送受信モジュールは単一波長(λ)を送受信に使う場合にも使える。その場合、光ガイドの途中に設けるフィルタはその波長の光を一定比率で透過し反射できるものである。一波長の他に二つの異なる波長の光(λ1、λ2)を送信と受信に分けて利用する場合にも本発明を適用できる。その場合光ガイドの途中に設けるフィルタは、一方の波長λ1の光をほぼ100%反射し、他方の波長λ2をほぼ100%の比率で透過するものとする。つまりこの場合はWDMフィルタである。
【0033】
フィルタは一定波長の光に対して反射透過の比率が決められるので屈折率の異なる誘電体の多層膜によって作製することができる。例えばガラス基板の上に適当な屈折率厚みの誘電体の多層膜を積層したものをフィルタとすることができる。あるいは、透明な高分子材料の上に誘電体多層膜を積層したものであっても良い。
【0034】
受光素子としてInP基板、InGaAs受光層或いはInGaAsP受光層のものを使用する事ができる。その場合、信号光は1.3μm、1.55μm等近赤外光を用いる事ができる。それに対応して半導体レーザはInGaAsP系のものを用いる。
【0035】
或いは受光素子として、Si−PDを使うこともできる。その場合は0.7〜0.8μmの可視光を用いることができる。半導体レーザとしてはGaAlAs系のものを使うことができる。表面入射型のPDを勿論使う事もできる。裏面入射型のPDを使う事もできる。またPDの近傍に増幅器を設置し光電流を増幅してからモジュールの外部に取り出すようにすると良い。こうすると微弱な光信号を受信でき外部ノイズの影響を受けにくい。
【0036】
ガイドピンの直径、長さ、間隔などは光コネクタと嵌合できるように決める。例えばMTコネクタ、ミニMTコネクタと嵌合できるようにガイドピンの直径、長さ、間隔などを決める。
【0037】
【発明の実施の形態】
図9によって本発明の一例にかかる光送受信モジュールを説明する。プラットフォームとしてここではフォトリソグラフィ技術などが成熟しているSi基板を使う。もちろんSi基板の他に、セラミック板や高分子板、さらに金属板を用いることもできる。Siプラットフォーム110には長手方向(x方向)に光ガイド114、115が形成されている。これはSiO2 の一部に屈折率の高い部分を作る事によって形成する。
【0038】
図10に光ガイドの断面図を示す。Si基板110の上面を一部酸化或いはスパッタリングによってSi基板の上にSiO2 バッファ層111を形成する。その上にスパッタリング或いはCVD法によりGeを添加した高屈折率SiO2 層を堆積させる。マスクを使って高屈折率部分の中央部のみを残す。さらに低屈折率のSiO2 クラッド層113によってこれを覆う。このようにして光ガイド114、115が直線状に作製される。光ガイドは周囲より高屈折率であるから光を導く作用、導波作用がある。
【0039】
光ガイド114、115の中点の近くにおいてこれと直交する(y方向)横溝116、117を切り欠く。これも光を導くものである。単に横溝としても良い。その場合は光は空間を伝搬するので多少広がる。光路が短いのでそれでもさしつかえない。これもGeドープの導波路型の光ガイドとしても良い。導波路とすれば光の広がりを抑制できる。
【0040】
長手方向(x方向)に2本のV溝118、119をエッチング法によって設ける。V溝の上にガイドピン120、121を固定する。ガイドピンは金属棒、プラスチック棒、或いはセラミック棒などである。固定には接着剤を用いることができる。ガイドピンの本数、長さ、直径、間隔などはこのモジュールを着脱するべき対象である光コネクタの穴に合わせて決定する。穴が3つ、或いは4つの光コネクタが相手方であれば、ガイドピンも3つ或いは4つにする。
【0041】
ガイドピン120、121と、光ガイド114の相対距離が重要である。光コネクタの穴にガイドピンを差し込んだ時に、光コネクタの光ファイバと、光ガイド114が正確に対向するようにしなければならない。ガイドピンと光ガイドは平行である事が望ましい。しかしガイドピンと光ガイドは平行でなくても良い。端面において、光コネクタの光ファイバと光ガイドが合致すれば良いのである。
【0042】
V溝118、119の終端部は傾斜面122、123となっており、これより後ろは、より高く平坦な後平面124となっている。後平面124には横方向(y方向)に伸びる複数の電極125〜131が印刷される。これらの電極は送信光を発する半導体レーザ(LD)132と、モニタ用のフォトダイオード(PD)と外部回路を接続するために必要である。光ガイド115の延長上で後平面124の前端にはLD132が固定される。LD132から出射した光が光ガイド115に入る位置に設定する。LD132の底部の電極は電極125にボンディングされ、上部の電極はワイヤによって電極126に接続される。電極125、126によってLD駆動電流が供給される。
【0043】
LD132の背後にはモニタ用のPD133が固定される。これはLD132の出力を監視するためのものであり受信用のPDではない。PD133の底部電極は電極パターン128に半田付けしてある。PD133の上部電極はワイヤで電極パターン127に接続してある。LD132とPD133とは高さが違うので例えば図12のような工夫をする。
【0044】
図12において、LD132は発光部の方を下にしてプラットフォームに固定してある。LD132の前方光146は光ガイド115の後尾に入射する。LD132の後方光147、148はモニタPD133の側面に一部が当たるが、側面では感受できない。そこでLD132とPD133の間には窪み153を穿っておく。さらにPD133は裏面入射型とする。後方光148は傾斜面154に当たり反射されてPD133に裏面から入射する。これがPDによって検出される。これはレーザ132のパワー変動を監視するだけで信号を受信するのではない。
【0045】
さて前方のSiO2 クラッド層113には、先述の光ガイド114、115と横溝116、117の交点Qを通って、光ガイドと横溝の二等分線の方向に斜め溝134が刻んである。光ガイドと横溝のなす角度がΦであると、Φ/2の角度をなすように斜め溝134の方向を決める。Φ=90度でなくても良い。しかしΦ=90度が作りやすいので以後Φ=90度の例について述べる。その場合斜め溝134が光ガイド114、115となす角度は45度である。
【0046】
Q点において斜め溝134にフィルタ136が差し込んである。フィルタは誘電体多層膜よりなるものである。基板は透明のガラス或いは高分子材料である。基板の上に2種類の適当な屈折率と厚みの誘電体膜を交互に積層することによって反射透過の選択性、あるいは波長選択性を与えるようにしている。
【0047】
送信光も受信光も同じ波長(λ)の光を使う場合は、異なる時刻に(交互に)送信、受信を繰り返すことになる。これをピンポン伝送と呼ぶ。例えば1.3μmを送信し、1.3μmを受信するようになる。その場合はフィルタ136はその波長の光をある一定比率で透過し反射するようにする。例えば45度入射の光を、透過:反射=1:1というように分離する作用をフィルタ136に与える。
【0048】
送信光と受信光の波長が異なる場合は同時双方向通信が可能である。送信光がλ2、受信光がλ1であるとする。その場合は、フィルタ136は、45度入射で送信光λ2はほぼ100%透過し、受信光λ1はほぼ100%反射するものとする。このような波長選択性を有するフィルタを用いることになる。つまりそのときはWDMフィルタとなる。横溝117の上にはPD137を固定する。これは受信用のPDである。先ほどのモニタPD133と区別しなければならない。
【0049】
光ガイド114の先端が光出入点135となる。基地局からの信号は光出入点135から光ガイド114に入る。これがフィルタ136によって反射されて横溝117を進みPD137に入って検出される。この場合もPDと光路の高さが違うので図11のような工夫をする。これはyz面の断面図である。光ガイド114からフィルタ136で反射された受信光は空間である横溝117をすすみ傾斜面143に当たって上方に反射され裏面入射型PD137に裏面から入る。このPD137は上方に受光部141、上頂面にp電極142がある。底面にリング状のn電極140があり、プラットフォームの上面144にボンディングされる。
【0050】
以上の構成においてその作用を述べる。相手方の光コネクタの穴にガイドピンを差し込むと光コネクタとこのモジュールが合体される。その時、光コネクタの光ファイバが、光ガイド114に丁度対向する。光ファイバを伝搬してきた局からの光は、光ガイド114を進みフィルタ136で反射され横溝117を通り、受光素子137に入射してこれによって受信される。一方LD132で生じた送信光は光ガイド115からフィルタ136を透過し光ガイド114から光ファイバへと出射してゆく。このように本発明の光送受信モジュールは光ファイバが付いていないので尾を引きずらない。ガイドピンによって光コネクタに差し込むことによって光ファイバと結合するようになっている。
【0051】
図14はプラットフォームをケースに収容した状態を示している。ケース171に収容したモジュール170である。前方に2本のガイドピン120、121が突出している。光コネクタの穴に差し込むためのものである。後方の底面には垂直に複数のリードピンが突出している。内部の電極パターンに接続され、LD、PD、モニタPD等に駆動電力、送信信号を与え、或いは受信信号、LDパワー信号などを取り出す為の端子である。
【0052】
図15には信号処理ボードに取り付けた本発明の光送受信モジュールに、光コネクタが嵌合した状態を示している。信号処理ボード189は、送信すべき信号を送信に適した形に変換し、受信信号を増幅し再生すべき回路等を含む。それに加えて信号処理ボード189には本発明の光送受信モジュール170が半田付けされている。MTコネクタ、或いはミニMTコネクタなどの光コネクタ180には、ガイドピン120、121に対応する位置に穴183、184があり、その中間位置には光ファイバ181の終端部が位置している。光コネクタ180の穴にガイドピンを差し込む事によって光ファイバ181が光ガイド114に対向するようになる。局側から1.55μmの光が伝送されこれが光ガイド114に入りフィルタ136で反射され、PD137で検知される。
【0053】
一方LD132の光は光ガイド115、114から光ファイバ181に入って局側へと伝送される。このような本発明の光送受信モジュールは、みずから光ファイバを持たないが、光コネクタに簡単に着脱することができる。
図13は図9とは別異の実施例のメタライズパターンを示す。破線によって示すのが、光ガイド114、115の線である。側方にあるメタライズパターン156、157はPDの為のものである。PDのp電極(アノード)とn電極(カソード)が接続される。後方平坦面にあるパターン155はAMPの底面電極を半田づけする面である。パターン160にはLDを固定する。ストライプ電極の方はワイヤによってパターン161と接続する。モニタPDはパターン159の上に取り付ける。PDのp電極はワイヤでパターン158につなぐ。
【0054】
【発明の効果】
以上に述べた公知技術に対して本発明は全く発想を異にする。従来例がいずれも光ファイバ付きのモジュールと言う概念であるのに対し、本発明は光コネクタと嵌合するモジュールという概念を基本にしている。光コネクタに光ファイバがついておりこれと嵌合するのであるから光ファイバを含む必要がない。だから光ファイバはモジュールに含まれない。光ファイバを固定するものは不要である。本発明の利点を述べる。
【0055】
(1)第1の利点は光コネクタに容易に嵌合できるということである。特に図9の実施例では最近どんどん用途が広がっているMTコネクタ、もしくはミニMTコネクタと直接嵌合できるように、Siプラットフォームに直接ガイドピンを固定してある。例えば基板にV溝を形成しておきここにガイドピンを挿入固定することによって精度良いモジュールを作製することができる。このように既存の光コネクタに嵌合できるというのが本発明の第1の特徴である。
【0056】
(2)第2番目の特徴は、Siプラットフォームの上に光ガイドを設けその中間点にWDMフィルタを設けたことである。単純で直線的な光ガイドを形成するだけである。表面導波路によるWDMカップラ(図2、図7)やフィルタは形成しない。表面導波路による光回路のことをPLC(Planar Lightwave Circuit)と呼ぶ。図2のWDMフィルタや図7の光送受信モジュールはY分岐や近接部、彎曲部を含むPLCによって作製されている。分波合波機能や波長選択機能を持たせるにはそのような複雑な構造物を必要とする。しかし彎曲、分岐や近接部を含む光導波路は作製が難しい。本発明は屈折率変化をつけた導波路を作るがこれは直線であるし、分岐、彎曲、近接部等を全く含まない。本発明で利用する光ガイドは、光導波路というよりは、単に、光のガイドである。シングルモードの光ガイドであるが、直線であるから製作は簡単であり歩留まりは高い。
【0057】
PLC技術においては、WDM機能や、Y分岐機能などを光導波路に持たせてできるだけ高機能化しようというのが現在の趨勢である。本発明はそのような道を取らない。むしろ単純で直線の導波路を基板上に(プラットフォーム)1本作るだけである。端面において光ファイバを接着するとすれば位置合わせが難しく接着後も位置ズレが起こったりする。本発明は光ファイバ端面を接着するというような事はしない。光ファイバ側面も接着しないのである。
【0058】
図10の光ガイドの断面図を示す。光ガイドの長手方向をx方向として、これはyz面である。Si基板110の上にSiO2 バッファ層111が作製される。これは火炎堆積法やスパッタリングなどによって作製できる。その上にさらにGe添加高屈折率SiO2 層112を作製する。フォトエッチング法によって高屈折率層をストライプ状に残し後は削除する。そしてその廻りと上部にSiO2 のクラッド層113を形成する。これらSiO2 層は火炎堆積法やスパッタ法などによって堆積させる事ができる。高屈折率のGe−SiO2 層112がコアになり、その外側の低屈折率SiO2 113がクラッドとなる。分岐、彎曲のない直線的なガイドであるから簡単に作ることができる。
【0059】
(3) 第3の特徴は、1枚のSiプラットフォームに、光ガイドと、ガイドピン溝を形成するため、本発明のモジュールは、他の光コネクタと低損失で嵌合できるということである。成熟したマスク合わせ技術やフォトエッチング技術を使う事ができるのでガイドピンの丁度中間に光ガイド端面がくるようにできる。相手方のコネクタはピンの中間に光ファイバ端面を持つものだとすれば、本発明のモジュールの光ガイドと、相手側光ファイバ端面を精密に対向させることができる。
【0060】
(4) 本発明の第4の特徴は、WDM機能を薄膜のWDMフィルタによって実現することにより、モジュールを小型化できるということである。透明高分子、ガラスの上に誘電体多層膜を積層するので小型のWDMとなる。図9の実施例では、略90度受信光を曲げている。曲げられた受信光は、図11のような溝構造117の中を通過した後、例えば角度45度の反射面で上方向に曲げられ裏面入射側の受信PDに入射する。
【0061】
(5) ここで受信信号を増幅する増幅器(AMP)を同じSiプラットフォームの上に配置する事によって、受信器としての感度特性がさらに向上する。外部に増幅器を設けるとそれまでのワイヤ、リードピンなどで外部ノイズが混入することもある。本発明は光電流を直ちに増幅するのでノイズに強く感度を増強できる。
【0062】
(6)送信側のLDはそれだけでもよいが、モニタPDを設けても良い。その場合LD及びモニタPDは例えば図12のように配置することができる。図12において、光ファイバとLD間はバットジョイントである。モニタPDは裏面から光が入射する裏面入射型である。
【0063】
(7)さらに、Siプラットフォームの上に金のメタライズパターンを形成し、外部回路への接続を可能とすることもできる。図13は外部と導通するためのメタライズパターンの例を示す図である。図9と図13以外のメタライズパターンも可能である。
【0064】
(8)図14はキャップをかぶせた外観の図である。外観はガイドピンとリードピンだけが突出しているが単純な形状である。光ファイバの尾をひいていない。図15は局側から来た光ファイバとMTコネクタで嵌合した図である。簡単に光コネクタと着脱できる光送受信モジュールである。
【図面の簡単な説明】
【図1】波長多重双方向通信を示す概略図。
【図2】光導波路又は光ファイバを用いた光カップラまたはWDMフィルタの概略図。
【図3】四角柱ガラスブロックの対角線上の面に誘電体多層膜を積層した光カップラあるはWDMの概略図。
【図4】従来の半導体発光素子(LD)の例を示す断面図。
【図5】従来の半導体受光素子(PD)の例を示す断面図。
【図6】従来例にかかるレセプタクル型波長多重光送受信モジュールの概略構成図。
【図7】従来例にかかるY光導波路型光送受信モジュールの概略斜視図。
【図8】従来例にかかる上向きWDMを持つ光送受信モジュールの概略断面図。
【図9】本発明の実施例にかかる光送受信モジュールの斜視図。
【図10】本発明においてプラットフォームの上に作製する光ガイドの断面図。
【図11】裏面入射型のPDを用いて受信する実施例の断面図。
【図12】本発明においてLDの発光強度を監視するためのモニタ用のPDを設けた場合の光送受信モジュール断面図。
【図13】本発明の実施例においてプラットフォームのメタライズパターンの例を示す平面図。
【図14】本発明の実施例に係る光送受信モジュールの外観図。(a)は平面図、(b)は側面図。
【図15】本発明の光送受信モジュールとMTコネクタとを連結した状態を示す平面図。
【図16】従来の加入者側の光送受信モジュ−ルの構成例を示す概略図。
【符号の説明】
1光ファイバ
2分波器
3光ファイバ
4分波器
5光ファイバ
6光ファイバ
7光ファイバ
8光路
9光路
10近接部
11光路
12光路
13ガラスブロック
14ガラスブロック
15誘電体多層膜
16光ファイバ
17光コネクタ
18光ファイバ
19光ファイバ
20近接部
21WDM
22光コネクタ
23光コネクタ
24光ファイバ
25LDモジュール
27PDモジュール
28半導体発光素子
29LDチップ
30PD
32ヘッダ
33ピン
34キャップ
35窓
36レンズホルダー
37集光レンズ
38ハウジング
39フェルール
40光ファイバ
41フォトダイオードチップ
42ヘッダ
43ピン
44キャップ
45窓
46レンズホルダー
47集光レンズ
48ハウジング
49フェルール
50光ファイバ
60ハウジング
61WDMフィルタ
62〜64ドラムレンズ
65ホルダー
66PD
67ホルダー
68LD
69ファイバ
70基板
71光導波路部分
72段部
73導波路
74導波路
75導波路
76導波路
77導波路
78導波路
79電極パターン
80電極パターン
81電極パターン
82電極パターン
83LED
84PD
85発光点
86入射点
87自由空間光
88自由空間光
90Si基板
91V溝
92光ファイバ
93斜め溝
94光ファイバ切断部
95WDMフィルタ
96PD
97段部
98LD
99送信光
100受信光
101反射受信光
110Si基板
111SiO2 バッファ層
112高屈折率SiO2 層
113SiO2 クラッド層
114光ガイド
115光ガイド
116横溝
117横溝
118V溝
119V溝
120ガイドピン
121ガイドピン
122傾斜面
123傾斜面
124後平面
125電極
126電極
127電極
128電極
129電極
130電極
131電極
132LD
133モニタPD
134斜め溝
135光出入点
136フィルタ
137受信PD
138増幅器
139ワイヤ
140n電極
141受光部
142p電極
143傾斜面
144上面
145反射光
146前出射光
147後出射光
148後出射光
149反射光
153窪み
154傾斜面
156〜162電極パターン
170モジュール
171ケース
175リードピン
Claims (10)
- 略平板状のプラットフォームと、プラットフォーム上に直線状に形成された光を通す為の光ガイドと、光ガイドの途中に設けられ一部の光を反射し一部の光を透過することによって光ガイドを通る光に分けるフィルタと、フィルタによって反射された光をフォトダイオードに導くための横溝と、フィルタによって反射された光を受信するためプラットフォームに固定されたフォトダイオードと、光ガイドの延長上においてプラットフォーム上に設けられ送信光を光ガイドへ送り出すレーザダイオードと、光コネクタと嵌合するためプラットフォームの端部に固定される複数のガイドピンとよりなり、光ガイドが直線の光導波路よりなり、その中間地点に、フォトダイオードによって受信すべき1波長を略100%反射し、レーザダイオードから放射されたもう一つの波長の光を略100%透過する波長選択性のフィルタを略45度に配置し、略45度に反射された光が、直線導波路と略90度で交差する横溝に導かれた後、横溝の終端に形成された斜面によって反射された光を裏面入射型のフォトダイオードで受光する事を特徴とする光送受信モジュール。
- 光ガイドが石英系の光導波路で形成されている事を特徴とする請求項1に記載の光送受信モジュール。
- 光ガイドが透光性の高分子材料からなる光導波路によって形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光送受信モジュール。
- フィルタが透光性の高分子薄膜上に光学的多層膜を形成してなることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の光送受信モジュール。
- フィルタが透光性のガラス基板上に光学的多層膜を形成してなることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の光送受信モジュール。
- フォトダイオードがSiフォトダイオードであり、発光素子がGaAlAs半導体レーザであることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の光送受信モジュール。
- フォトダイオードが、InGaAsもしくはInGaAsP系よりなり、発光素子がInGaAsP半導体レーザであることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の光送受信モジュール。
- ガイドピンのピッチが、MTコネクタまたはミニMTコネクタと嵌合できるものであることを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載の光送受信モジュール。
- 半導体レーザの後方にモニタ用フォトダイオードを設け、半導体レーザの後方に設けた光導波路溝の終端に形成された斜面によって反射された光をモニタ用フォトダイオードによって受光するようにしたことを特徴とする請求項1〜8の何れかに記載の光送受信モジュール。
- フォトダイオードの近傍に増幅器を配置したことを特徴とする請求項1〜9の何れかに記載の光送受信モジュール。
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