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JP3573133B2 - 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 Download PDF

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JP3573133B2 JP2002041679A JP2002041679A JP3573133B2 JP 3573133 B2 JP3573133 B2 JP 3573133B2 JP 2002041679 A JP2002041679 A JP 2002041679A JP 2002041679 A JP2002041679 A JP 2002041679A JP 3573133 B2 JP3573133 B2 JP 3573133B2
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    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48624—Aluminium (Al) as principal constituent
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    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48647—Copper (Cu) as principal constituent
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    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
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    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/85051—Forming additional members, e.g. for "wedge-on-ball", "ball-on-wedge", "ball-on-ball" connections
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    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85186—Translational movements connecting first outside the semiconductor or solid-state body, i.e. off-chip, reverse stitch
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】
半導体装置の製造で、電極上のバンプに、ワイヤのセカンドボンディングを行うことが知られている。これによれば、ワイヤのループ高さを低くすることができるので、薄型の半導体装置を製造することができる。その一方で、ワイヤをバンプに接続する場合には、ワイヤとバンプとの接合領域を広く確保し、確実かつ安定した状態で両者を接合することが重要である。
【０００３】
本発明は、上述した課題を解決するためのものであり、その目的は、ワイヤを確実かつ安定した状態でバンプにボンディングすることである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、（ａ）ワイヤの先端部を、ツールによって第１の電極にボンディングし、
（ｂ）前記ワイヤを前記第１の電極から第２の電極上のバンプまで引き出し、
（ｃ）前記ツールのうち、前記ワイヤの前記引き出し方向における第１の電極側の部分によって、前記ワイヤの一部を、前記バンプにおける前記ワイヤの前記引き出し方向の中心又はそれを超えた部分にボンディングする。
【０００５】
本発明によれば、ワイヤの一部を、バンプにおけるワイヤの引き出し方向の中心又はそれを超えた部分にボンディングする。これによれば、例えば、ツールによって、ワイヤのうち、バンプから第１の電極側にはみ出る部分を押圧するのを避けることができる。これによって、ワイヤが垂れるのを防止することができる。したがって、確実かつ安定した状態で、ワイヤをバンプにボンディングすることができる。
【０００６】
（２）この半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程で、前記ツールによって、前記バンプの一部を押し潰してもよい。
【０００７】
これによれば、バンプのうち、潰れていない部分を支点として、ワイヤを電極とは反対方向（上方）に引き上げることができる。そのため、ワイヤと、電極が形成された部材と、が接触するのを防止することができる。
【０００８】
（３）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
前記（ｃ）工程で、前記ツールを、前記ワイヤの一部を押し潰すように加圧しながら、前記バンプ上で前記バンプの幅方向に移動させる。
【０００９】
本発明によれば、加圧時にツールをワイヤの先端部の幅方向に移動させる。こうすることで、バンプを最適な形状にすることができる。
【００１０】
（４）この半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程で、前記ツールを、前記バンプ上で、前記ワイヤの引き出し方向に移動させてもよい。
【００１１】
これによれば、例えば、バンプを、ワイヤの引き出し方向に幅広くしたり、ワイヤの引き出し方向に従って低くしたりすることができる。
【００１２】
（５）この半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程で、前記バンプを、前記ワイヤの引き出し方向に幅広くなるように形成してもよい。
【００１３】
これによって、例えば、他のワイヤを、バンプにボンディングしやすくすることができる。
【００１４】
（６）この半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程で、前記バンプを、前記ワイヤの引き出し方向に従って低くなるように形成してもよい。
【００１５】
これによって、例えば、他のワイヤを、バンプにボンディングしやすくすることができる。
【００１６】
（７）この半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程で、前記バンプに超音波振動を加えながら行ってもよい。
【００１７】
これによって、ワイヤの連続加工性が安定する。
【００１８】
（８）この半導体装置の製造方法において、
前記ツールは、前記ワイヤを挿通する穴を有し、
前記（ｃ）工程で、前記穴の開口端部のうち、前記ワイヤの引き出し方向における第１の電極側の部分によってボンディング工程を行ってもよい。
【００１９】
（９）この半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程前に行う前記バンプを形成する工程であって、
（ｅ）第２のワイヤにおけるボール状に形成された先端部を、前記第２の電極にボンディングし、
（ｆ）前記第２のワイヤの一部を、ボンディングされた前記先端部から引き出し、
（ｇ）前記第２のワイヤのうち前記先端部から連続する部分を前記先端部上で押し潰して、前記第２の電極上に前記バンプを形成し、
（ｈ）前記第２の電極上に前記バンプを残して、前記第２のワイヤを切断することをさらに含んでもよい。
【００２０】
これによれば、ほぼ平らな面を有するバンプを、電極上に簡単に形成することができる。
【００２１】
（１０）この半導体装置の製造方法において、
前記（ｇ）工程で、前記バンプを、前記電極に接続される下端部と、ほぼ平らな面を有する上端部と、を有するように形成してもよい。
【００２２】
（１１）この半導体装置の製造方法において、
前記（ｇ）工程で、前記バンプの前記上端部を、前記バンプに接続される前記ワイヤの前記バンプへの引き出し方向に幅広くなるように形成してもよい。
【００２３】
これによって、第１のワイヤを、バンプの上端部にボンディングしやすくすることができる。
【００２４】
（１２）この半導体装置の製造方法において、
前記（ｇ）工程で、前記バンプの前記上端部を、前記バンプに接続される前記ワイヤの前記バンプへの引き出し方向に従って低くなるように形成してもよい。
【００２５】
これによって、第１のワイヤを、バンプの上端部にボンディングしやすくすることができる。
【００３０】
（１３）本発明に係る半導体装置の製造方法は、集積回路及び第１の電極を有する半導体チップと、
集積回路及び第２の電極を有し、前記第２の電極に接続された下端部及びほぼ平らな面を有する上端部を有するバンプを有する他の半導体チップと、
第１及び第２の端部を有し、前記第１の端部が前記第１の電極に電気的に接続されるとともに、前記第２の端部が前記バンプに電気的に接続されたワイヤと、
を含み、
前記バンプの前記上端部は、前記ワイヤにおける前記バンプへの引き出し方向に幅広く形成され、かつ、前記ワイヤの前記引き出し方向に従って低くなるように形成され、
前記ワイヤの前記第２の端部は、前記バンプにおける前記ワイヤの前記引き出し方向の中心又はそれを超えた部分にボンディングされてなる。
【００３１】
本発明によれば、バンプの上端部は、ワイヤのバンプへの引き出し方向に幅広く形成され、かつ、ワイヤのバンプへの引き出し方向に従って低くなっている。そのため、バンプの上端部にワイヤをボンディングしやすくなっており、両者の電気的な接続信頼性が高い。
【００３２】
また、ワイヤの第２の端部は、バンプにおけるワイヤの引き出し方向の中心又はそれを超えた部分に接続されているので、ワイヤのうちバンプから第１の電極側にはみ出る部分が垂れるのを防止することができる。したがって、確実かつ安定した状態で、ワイヤとバンプとを電気的に接続することができる。
【００３３】
（１４）この半導体装置の製造方法において、
前記バンプの一部が潰されてもよい。
【００３４】
これによれば、バンプのうち、潰れていない部分を支点として、ワイヤを電極とは反対方向（上方）に引き上げることができる。そのため、ワイヤと、半導体チップと、が接触するのを防止することができる。
【００３５】
（１５）本発明に係る回路基板は、上記半導体装置が実装されている。
【００３６】
（１６）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００３８】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）〜図８は、本実施の形態のバンプ付き半導体素子及びその製造方法を説明する図である。本実施の形態では、半導体素子１０の電極１２にバンプ４０を形成する。バンプ４０は、ツール３０を使用し、ワイヤ２０を電極１２にボンディングすることによって形成する。バンプ４０は、ワイヤボンディング用の端子として使用される。
【００３９】
なお、本実施の形態のバンプ付き半導体素子の製造方法は、図１（Ａ）〜図２（Ｂ）に示すバンプの形成方法を含む。
【００４０】
まず、図１（Ａ）に示すように、半導体素子１０を用意する。半導体素子１０は、半導体ウェーハ１４（図５参照）又は半導体チップ１６（図６参照）のいずれであってもよい。すなわち、バンプ形成プロセスをウェーハ状態で一括して処理してもよいし、チップ状態で処理してもよい。半導体素子１０は、集積回路を有し、例えば、直方体（立方体又は板状を含む）に形成されることが多い。集積回路は、いずれか１つの面（例えば最も広い面）に形成されることが多い。
【００４１】
半導体素子１０は、１つ又は複数の電極１２を有する。電極１２は、半導体素子１０の面に薄く平らに形成されたパッドである。電極１２は、半導体素子１０の集積回路を有する面に形成されている。その場合、電極１２は、集積回路の領域の外側に形成されてもよい。半導体チップ１６を使用した場合に、電極１２は、半導体チップ１６の面の端部（例えば外形の２辺又は４辺の端部）に形成されることが多い。同様に、半導体ウェーハ１４を使用した場合には、電極１２は、半導体ウェーハ１４の１つの集積回路を含む領域１５（図５参照）の端部（例えば領域の２辺又は４辺の端部）に形成されることが多い。電極１２は、アルミニウム系又は銅系の金属で形成されている。
【００４２】
半導体素子１０には、各電極１２の少なくとも一部を避ける位置に、パッシベーション膜（図示しない）が形成されている。パッシベーション膜は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ又はポリイミド樹脂などで形成されてもよい。
【００４３】
図１（Ａ）に示すように、ワイヤ２０を支持するツール３０を用意する。ワイヤ２０は、金などの導電材料で形成されている。ツール３０は、ワイヤ２０の軸方向が電極１２の面に対して垂直になるように、ワイヤ２０を支持する。図１（Ａ）に示す例では、ツール３０は穴３２を有し、穴３２の内側にワイヤ２０が挿通されている。穴３２の幅（径）は、ワイヤ２０の幅（径）よりも大きく形成されている。こうすることで、ワイヤ２０を穴３２の軸方向に送り出すことができる。ツール３０は、半導体装置の製造に使用されるキャピラリであってもよい。ツール３０は、穴以外のガイド手段でワイヤ２０を支持してもよい。なお、ツール３０は、図示しない支持体（例えば超音波ホーン）によって、図示しない製造装置の本体（ワイヤボンダー）に支持されている。
【００４４】
ワイヤ２０は、クランパ３６によって保持される。クランパ３６は、ツール３０の上方、すなわち電極１２とは反対側に配置される。クランパ３６を閉じることによって、ワイヤ２０を保持することができる。その一方で、クランパ３６を開くことによって、ツール３０によるワイヤ２０の操作を可能にすることができる。なお、図１（Ａ）に示す例では、ツール３０及びクランパ３６は、別体で構成されているが、これとは別に、ツール３０及びクランパ３６は一体的に構成され、例えば、ツール３０がクランパ３６の機能を備えてもよい。
【００４５】
ワイヤ２０の先端部２２は、穴３２における電極１２側の開口部から外部に突出している。そして、穴３２の開口端部（又は押圧部）３４は、ワイヤ２０の一部を押圧できるようになっている（図１（Ｂ）、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）参照）。図示するように、開口端部３４の一部（ツールの外周付近）は傾斜していてもよい。あるいは、開口端部３４は、平らな面になっていてもよい。
【００４６】
図１（Ａ）に示すように、ツール３０を、半導体素子１０の電極１２側（詳しくは電極１２の上方）に配置する。そして、ワイヤ２０の先端部２２をボール状（又は塊状）に形成する。熱エネルギー（例えば放電又はガス炎）によって、先端部２２を溶融させてボール状に形成してもよい。例えば、図示しない電気トーチを先端部２２に接近させ、高電圧の放電を行い、先端部２２を溶融させてもよい。
【００４７】
図１（Ｂ）に示すように、ワイヤ２０の先端部２２をいずれか１つの電極１２の上方に配置し、クランパ３６を開放させた状態で、ツール３０を降下させる。こうして、ワイヤ２０の先端部２２を、電極１２にボンディングする。詳しくは、ツール３０の開口端部３４によって、ワイヤ２０の先端部２２を押圧する。先端部２２を押圧する間に超音波振動や熱等を加えることが好ましい。こうすることで、先端部２２と電極１２とを良好な状態で接合することができる。なお、開口端部３４の押圧によって、ワイヤ２０の先端部２２には、上端部及びそれよりも面積の大きい（又は幅の広い）下端部が形成される。
【００４８】
その後、図１（Ｃ）に示すように、ワイヤ２０の一部２４を、ボンディングされた先端部２２から引き出す。先端部２２は電極１２に接合されているので、ツール３０を電極１２から離れる方向に移動させることによって、ワイヤ２０の一部２４を先端部２２から引き出すことができる。
【００４９】
図１（Ｃ）に示す例では、ワイヤ２０の一部２４を屈曲させて引き出す。こうすることで、ワイヤ２０のうち先端部２２から連続する部分を、先端部２２上で押し潰しやすくなる。例えば、ツール３０を、先端部２２の高さ方向に移動させることによってワイヤ２０を電極１２の上方に引き出し、その後、先端部２２の幅方向に移動させることによってワイヤ２０の一部２４を屈曲させてもよい。ワイヤ２０の一部２４の屈曲形態（形状及び方法など）は上述に限定されない。
【００５０】
図２（Ａ）に示すように、ツール３０によって、ワイヤ２０のうち先端部２２から連続する部分を押し潰す。詳しくは、ワイヤ２０における先端部２２から引き出された部分（ワイヤ２０の一部２４）のうち、少なくとも先端部２２と連続する部分を押し潰す。図２（Ａ）に示すように、開口端部３４のうち、穴３２を基準として片方の側の部分（ツール３０が移動した側とは反対側の部分）によって、ワイヤ２０を押し潰してもよい。ワイヤ２０における先端部２２から連続する部分は、先端部２２上で押し潰されて平らになる。押し潰すときに、超音波振動を加えることが好ましい。超音波振動は、ツール３０を介して先端部２２に加える。こうして、電極１２にバンプ４０を形成する。なお、バンプ４０は、電極１２に接続される下端部４４と、ほぼ平らな面（ワイヤの突起が潰れた面）を有する上端部４２と、を有する（図４参照）。
【００５１】
図２（Ａ）に示す例では、ツール３０を、先端部２２に向けて加圧しながら、先端部２２上で、先端部２２の幅方向（図２（Ａ）の矢印に示す方向）に移動させる。言い換えれば、ツール３０を、先端部２２を押圧しながら、半導体素子１０の面に対して平行な方向に滑らせる。こうして、図３及び図４に示すようにバンプ４０を最適な形状にする。ここで、図３は、バンプ形成後の半導体素子の平面図であり、図４は、図３のＶＩ−ＶＩ線断面図である。
【００５２】
ツール３０を先端部２２の幅方向（図３及び図４の矢印に示す方向）に移動させる工程で、バンプ４０の上端部４２を、ツール３０の移動方向に幅広く（長細く）してもよい。言い換えれば、バンプ４０の上端部４２を、バンプ４０の平面視において、ほぼ楕円形状になるように形成してもよい。
【００５３】
こうすることで、後の工程において、バンプ４０の上端部４２に他のワイヤ１２０をボンディングしやすくすることができる（図７及び図８参照）。詳しくは、ワイヤ１２０を、バンプ４０の幅広くなった方向に引き出すことで、ワイヤ１２０とバンプ４０との接合領域を広く確保することができる。したがって、確実かつ安定した状態で、ワイヤ１２０をバンプ４０にボンディングすることができる。
【００５４】
ツール３０を先端部２２の幅方向（図３及び図４の矢印に示す方向）に移動させる工程で、バンプ４０の上端部４２を、ツール３０の移動方向に従って低く（薄く）なるように形成してもよい。言い換えれば、バンプ４０の高さを、ツール３０の移動方向に従って低くなるように傾斜させてもよい。
【００５５】
こうすることで、後の工程において、バンプ４０の上端部４２に他のワイヤ１２０をボンディングしやすくすることができる（図７及び図８参照）。詳しくは、ワイヤ１２０を、バンプ４０の高い側から入り込むようにバンプ４０へ引き出すことで、ワイヤ１２０と半導体素子１０との距離を大きくすることができる。そのため、ワイヤ１２０と半導体素子１０とが接触するのを防止することができる。また、ワイヤ１２０と半導体素子１０との接触を容易に回避できるので、ワイヤ１２０のループ形状、ループ高さ、電極１２と半導体チップ１６の角部（エッジ）との距離などの設計上の制約がなくなり、自由な設計（例えばワイヤの低ループ化及び短ループ化）を行うことができる。
【００５６】
ここで、図７及び図８は、ツール３０の移動方向（先端部２２の幅方向の移動方向）を説明する図である。詳しくは、図７は、バンプ形成後の半導体チップの平面図であり、図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面図である。なお、図７の矢印に示される方向は、後の工程において接続されるワイヤ１２０のバンプ４０への引き出し方向を指す。ワイヤ１２０は、半導体チップ１６の電極１２と、他の電子部品（例えば基板の配線又は他の半導体チップ）と、を電気的に接続するためのものである。
【００５７】
図７に示すように、ツール３０を、バンプ４０に接続されるワイヤ１２０のバンプ４０への引き出し方向に移動させてもよい。なお、ワイヤ１２０の引き出し方向は、図７の矢印に示す方向に限定されず、バンプ４０（又は電極１２）の位置に応じて自由に決めることができる。
【００５８】
複数の電極１２が半導体チップ１６の端部（図７では外形の４辺の端部）に形成される場合には、ツール３０を半導体チップ１６の端部から中央部の方向に移動させてもよい。図７に示すように、複数の電極１２が半導体チップ１６の端部に形成される場合には、ワイヤ１２０は、半導体チップ１６の端部から中央部の方向に引き出されることが多い。例えば、複数のうち２つ以上のワイヤ１２０は、半導体チップ１６の中央部の１点（図示しない）に収束する方向に延びてバンプ４０に引き出される。
【００５９】
こうすることで、図７及び図８に示すように、バンプ４０の上端部を、ワイヤ１２０の引き出し方向に幅広く（長細く）することができる。また、図８に示すように、バンプ４０の上端部４２を、ワイヤ１２０の引き出し方向に従って低く（薄く）なるように形成することができる。すなわち、バンプ４０における半導体チップ１６の端部側を中央部側よりも高くすることができる。これらの効果は既に記載した通りである。
【００６０】
なお、上述のツール３０の移動方向の説明は、半導体チップ１６に限らず、半導体ウェーハ１４にも適用することができる。詳しくは、図５及び図６に示すように、半導体チップ１６を、半導体ウェーハ１４におけるいずれかの集積回路を含む領域１５に代えて、上述のツール３０の移動方向の説明を適用することができる。
【００６１】
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示す例では、ツール３０を、先端部２２の幅方向に移動させることによって、ワイヤ２０を薄く引き延ばして切断する。その場合、ツール３０は、ワイヤ２０におけるツール３０の穴３２に挿通される部分を、先端部２２から離れる方向（図２（Ａ）の矢印に示す方向）に移動させる。これによれば、バンプ４０の上端部４２を最適な形状にすることと、ワイヤ２０を切断することを同時に行うことができる。また、超音波振動を加えながらツール３０を先端部２２の幅方向に移動させると、ワイヤ２０を所定の位置で切断することができる。すなわち、複数のバンプを形成する場合に、毎回一定の位置でワイヤ２０を切断することができる。そのため、ワイヤ２０におけるツール３０の外部に突出する部分の長さを毎回一定にすることができ、これによって、ボール状の先端部２２の径の大きさを毎回一定にすることができる。したがって、ワイヤ２０の連続加工性が安定する。
【００６２】
なお、半導体素子１０が複数の電極１２を有する場合には、上述の各工程（図１（Ａ）〜図２（Ｂ）に示す工程）を繰り返して、各電極１２にバンプ４０を形成する。すなわち、図２（Ｂ）に示すツール３０の外部に突出したワイヤ２０の先端部は、図１（Ａ）に示すように再びボール状に形成され、半導体素子１０における他の電極にボンディングされる。
【００６３】
上述の例では、半導体素子１０の電極１２にバンプを形成する例を示したが、本実施の形態のバンプの形成方法では、電極の形態は限定されず、例えばリード（基板の配線又はリードフレームのインナーリード）の一部にバンプを形成してもよい。
【００６４】
本実施の形態に係るバンプ付き半導体素子の製造方法によれば、ほぼ平らな面を有するバンプ４０を、電極１２上に簡単に形成することができる。また、ボンディング時に使用するツール３０を使用して、電極１２上にバンプ４０を形成し、かつ、バンプ４０の面を平らにするので、製造工程が簡単かつ迅速である。これによって、例えば、バンプ４０の面を平らにする工程（例えばフラットニング工程）を改めて行う必要がなくなる。
【００６５】
また、バンプ４０を、後の工程で行われるワイヤボンディングに最適な形状に形成することができるので、ワイヤ１２０のバンプ４０への位置ずれや、ワイヤ１２０が曲がってボンディングされるのを防止することができる。
【００６６】
なお、本実施の形態に係るバンプの形成方法は、上述の製造方法で説明した内容から導かれるいずれかの事項（構成、作用及び効果）を選択的に適用することができる。
【００６７】
図３〜図８は、本実施の形態のバンプ付き半導体素子を説明する図である。このバンプ付き半導体素子は、上述の方法で製造されたものであってもよい。なお、以下の説明では、上述の方法の内容から導かれる事項は省略する。
【００６８】
半導体素子１０は、図５に示すように半導体ウェーハ１４であってもよいし、図６に示すように半導体チップ１６であってもよい。
【００６９】
半導体素子１０は、電極１２に設けられたバンプ４０を有する。バンプ４０は、電極１２に接続された下端部４４と、ほぼ平らな面（突起が潰れた面）を有する上端部４２と、を有する。
【００７０】
図３に示すように、バンプ４０の上端部４２は、半導体素子１０の平面視において、一定の方向に幅広くなっている。詳しくは、図７に示すように、上端部４２は、ワイヤ１２０のバンプ４０への引き出し方向に幅広くなっている。あるいは、上端部４２は、半導体チップ１６（又は半導体ウェーハ１４の領域１５（図５参照））の端部から中央部の方向に幅広くなっている。
【００７１】
図４に示すように、バンプ４０の上端部４２は、一定の方向に傾斜している。図４に示すように上端部４２の一部が傾斜してもよいし、全体が傾斜していてもよい。上端部４２は、少なくとも一部がほぼ平らな面になっている。図８に示すように、上端部４２は、ワイヤ１２０のバンプ４０への引き出し方向に従って低くなるように傾斜している。あるいは、上端部４２は、半導体チップ１６（又は半導体ウェーハ１４の領域１５（図５参照））の端部から中央部の方向に従って低くなるように傾斜して形成される。
【００７２】
本実施の形態に係るバンプ付き半導体素子によれば、バンプ４０の上端部４２に、ワイヤ（例えばワイヤ１２０）をボンディングしやすくすることができる。
【００７３】
（第２の実施の形態）
図９〜図１４は、本実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す図である。本実施の形態では、バンプ４０にワイヤ１２０のセカンドボンディングを行う。
【００７４】
以下に示す例では、上述の実施の形態で説明したバンプ付き半導体チップ（上述の方法で製造された半導体チップを含む）を使用して、半導体装置を製造する。なお、半導体チップ１６は、上述のバンプ付き半導体ウェーハ１４を、複数に個片化することによって形成してもよい。
【００７５】
あるいは、上述の実施の形態とは異なる半導体チップ（例えば周知の半導体チップ）に、本実施の形態の内容を適用してもよい。
【００７６】
図９〜図１２は、ワイヤのセカンドボンディング工程を説明する図である。図１０は、図９の半導体チップの部分平面図であり、図１２は、図１１の半導体チップの部分平面図である。なお、図１０では、ツールは２点鎖線で示してある。
【００７７】
まず、図９に示すように、半導体チップ１６の外側に電極５２を配置する。図９に示す例では、電極５２は、基板５０に支持されたリード（又は配線）の一部である。電極５２は、ランドであってもよい。半導体チップ１６を基板５０に搭載することで、電極５２を半導体チップ１６の外側に配置する。
【００７８】
基板５０は、有機系（ポリイミド樹脂などのフレキシブル基板）又は無機系（セラミック基板、ガラス基板）のいずれの材料から形成されたものであってもよく、これらの複合構造（ガラスエポキシ基板）からなるものであってもよい。基板５０は、単層基板であってもよいし、多層基板であってもよい。
【００７９】
変形例として、電極５２は、板材のリードフレームに支持されるリードの一部（例えばインナーリード）であってもよい。その場合、リードは、部材に支持されずに自由端になっている。リードはインナーリード及びアウターリードを有し、インナーリードの部分を半導体チップ１６の電極１２に向けて配置する。半導体チップ１６を図示しないダイパッド（又はヒートシンク）に搭載することで、電極５２を半導体チップ１６の外側に配置する。
【００８０】
図９に示すように、ワイヤ１２０を支持するツール１３０を用意する。そして、ワイヤ１２０の先端部１２２をボール状に形成し、ツール１３０によって、ワイヤ１２０の先端部１２２を電極５２にボンディングする。ワイヤ１２０、ツール１３０及びクランパ１３６の事項は、上述した内容を適用することができる。ツール１３０は、穴１３２及び開口端部１３４を有する。また、ワイヤ１２０の先端部１２２をボール状に形成する方法も上述した通りである。
【００８１】
図９に示すように、先端部１２２を電極５２にボンディングした後、ワイヤ１２０を電極１２上のバンプ４０まで引き出す。詳しくは、図１０に示すように、ワイヤ１２０を、バンプ４０の中心線Ｌを超える位置まで引き出す。ここで、中心線Ｌは、図１０に示すように、ワイヤ１２０の引き出し方向におけるバンプ４０の幅の中心を通る仮想線であって、ワイヤ１２０の引き出し方向に直交する仮想線を指す。
【００８２】
そして、ワイヤ１２０の一部をバンプ４０にボンディングする。その場合、ツール１３０（詳しくは開口端部１３４）のうち、ワイヤ１２０の引き出し方向における第１の電極側の部分を使用してボンディングする。ワイヤ１２０の一部は、図９及び図１０に示すように、バンプ４０におけるワイヤ１２０の引き出し方向の中心（図１０の中心線Ｌと重なる部分）にボンディングしてもよいし、あるいは、中心を超える部分（図１０の中心線Ｌの右側の部分）にボンディングしてもよい。図９及び図１０に示す例では、開口端部１３４によって、バンプ４０におけるワイヤ１２０の引き出し方向の中心を含む領域を押圧する。図９及び図１０に示すように、バンプ４０及びワイヤ１２０の重なる部分の一部をボンディングしてもよいし、全部をボンディングしてもよい。前者の場合、ワイヤ１２０のうち、バンプ４０におけるワイヤ１２０の引き出し方向の中心を超えない部分（図１０の中心線Ｌの左側の部分）の少なくとも一部を、押圧しないほうが好ましい。こうすることで、ワイヤ１２０を、押圧されずに残った部分によって支持する（引き上げる）ことができる。すなわち、ワイヤ１２０と半導体チップ１６との接触を防止することができる。
【００８３】
バンプ４０へのボンディング工程では、超音波振動を加えながら行うことが好ましい。超音波振動はツール１３０を介してバンプ４０に加える。こうすることで、ワイヤ１２０とバンプ４０とを良好な状態で接合することができる。
【００８４】
図９に示す例では、ツール３０を、ワイヤ１２０の一部を押し潰すように加圧しながら、バンプ４０上でバンプ４０の幅方向に移動させる。言い換えれば、ツール１３０を、バンプ４０を押圧しながら、半導体チップ１６の面に対して平行な方向に滑らせる。その場合、ツール１３０を、ワイヤ１２０のバンプ４０への引き出し方向（図９（又は図１０）の矢印に示す方向）に移動させてもよい。
【００８５】
こうして、バンプ４０（特に上端部４２）を、ワイヤ１２０の引き出し方向に幅広く（長細く）する。こうすることで、後の工程において、バンプ４０に、さらに別のワイヤ２２０をボンディングしやすくすることができる（図１５（Ａ）参照）。詳しくは、ワイヤ２２０とバンプ４０との接合領域を広く確保することができ、確実かつ安定した状態で、ワイヤ２２０をバンプ４０にボンディングすることができる。また、バンプ４０は、ワイヤ１２０の引き出し方向に幅広くするので、隣同士のバンプ４０が互いにショートするのを防止することができる。さらに、ツール１３０の移動方向にバンプ４０を幅広くすることができるので、超音波振動によってバンプ４０が広がる方向に制限されずに、バンプ４０を自由な方向に幅広くすることが可能になる。
【００８６】
また、ツール１３０を移動させることによって、バンプ４０の上端部４２を、ワイヤ１２０のバンプ４０への引き出し方向に従って低く（薄く）してもよい。
【００８７】
こうすることで、後の工程において、バンプ４０に、さらに別のワイヤ２２０をボンディングしやすくすることができる（図１５（Ａ）参照）。詳しくは、ワイヤ２２０のボール状に形成された先端部２２２を、バンプ４０の中心からずれた位置にボンディングしやすくすることができる。
【００８８】
図９及び図１１に示す例では、ツール１３０を、先端部１２２の幅方向に移動させることによって、ワイヤ１２０を薄く引き延ばして切断する。その場合、ツール１３０を、ワイヤ１２０におけるツール１３０の穴１３２に挿通される部分を、バンプ４０から離れる方向（図９の矢印に示す方向）に移動させる。これによれば、バンプ４０を最適な形状にすることと、ワイヤ１２０を切断することを同時に行うことができる。また、超音波振動を加えながらツール１３０をバンプ４０の幅方向に移動させると、ワイヤ１２０を所定の位置で切断することができる。すなわち、複数のバンプ４０にボンディングする場合に、毎回一定の位置でワイヤ１２０を切断することができる。そのため、ワイヤ１２０におけるツール１３０の外部に突出する部分の長さを毎回一定にすることができ、これによって、ボール状の先端部１２２の径の大きさを毎回一定にすることができる。したがって、ワイヤ１２０の連続加工性が安定する。
【００８９】
こうして、図１１及び図１２に示すように、バンプ４０上にワイヤ１２０の接合部１２６を形成する。図１１に示すように、ワイヤ１２０の接合部１２６は、ボンディング前のワイヤ１２０の径の大きさよりも小さく潰されている。なお、半導体チップ１６が複数のバンプ４０を有する場合には、上述の各工程を繰り返して、複数のワイヤ１２０を形成する。
【００９０】
上述の例では、基板５０の電極５２（リードの一部）と、半導体チップ１６の電極１２と、をワイヤ１２０で電気的に接続する例を示したが、本実施の形態の半導体装置の製造方法は、上述の例に限定されず、例えば、複数の半導体チップの電極同士をワイヤ１２０で電気的に接続する場合に適用してもよい。
【００９１】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、ワイヤ１２０の一部を、バンプ４０におけるワイヤ１２０の引き出し方向の中心又はそれを超えた部分にボンディングする。これによれば、例えば、ツール１３０によって、ワイヤ１２０のうち、バンプ４０におけるワイヤ１２０の引き出し方向の電極５２側にはみ出る部分を、押圧するのを避けることができる。これによって、ワイヤ１２０が垂れるのを防止することができる。したがって、確実かつ安定した状態で、ワイヤ１２０をバンプ４０にボンディングすることができる。
【００９２】
さらに、バンプ４０は、ワイヤ１２０の引き出し方向に幅広く、かつ、ワイヤ１２０の引き出し方向に従って低く傾斜しているので、より確実かつ安定した状態で、ワイヤ１２０をボンディングすることができる。
【００９３】
次に、本実施の形態の変形例を説明する。図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）に示すように、本変形例では、ワイヤ１２０の一部をバンプ４０にボンディングする工程で、バンプ４０の一部を押し潰す。すなわち、図１３（Ａ）に示すように、ツール１３０の開口端部１３４を、バンプ４０の方向に加圧して、バンプ４０の一部を塑性変形させる。バンプ４０の平面視において、バンプ４０の押し潰される領域は、開口端部１３４が接触する領域と重なる。バンプ４０の押し潰される領域は、上述のワイヤ１２０とバンプ４０とのボンディング領域と同じであってもよい。
【００９４】
また、ツール１３０を、バンプ４０の一部を押し潰すように加圧しながら、バンプ４０上でバンプ４０の幅方向（図１３（Ａ）の矢印に示す方向）に移動させてもよい。ツール１３０の移動形態及びこれによる効果は既に記載した通りである。
【００９５】
こうして、図１３（Ｂ）に示すように、ワイヤ１２０におけるバンプ４０との接合部１２６において、バンプ４０の一部を潰すことができる。
【００９６】
本変形例によれば、バンプ４０のうち、潰れていない部分を支点として、ワイヤ１２０を半導体チップ１６とは反対方向（上方）に引き上げることができる。すなわち、ワイヤ１２０と半導体チップ１６との接触を防止することができる。
【００９７】
なお、本変形例は上述の製造方法で説明した内容から導かれるいずれかの事項（構成、作用及び効果）を選択的に適用することができる。
【００９８】
図１４は、本実施の形態を適用した半導体装置の一例を示す図である。図１４に示す例では、半導体装置は、複数の半導体チップ１６、１８と、電極５２を有する基板５０と、封止部６０と、外部端子６２と、を含む。なお、本実施の形態に係る半導体装置は、以下の例には限定されるものではない。
【００９９】
基板５０には配線が形成され、配線の一部が電極５２になっている。複数の半導体チップ１６、１８は、基板５０上で積層されている。詳しくは、半導体チップ１８は基板５０にフェースダウン実装され、半導体チップ１６は半導体チップ１８上に配置されている。半導体チップ１６は、電極１２を有する面が半導体チップ１８とは反対側を向いて配置され、ワイヤ１２０によって基板５０との電気的接続を図れるようになっている。詳しくは、半導体チップ１６にはバンプ４０が設けられ、バンプ４０と基板５０の電極５２とは、ワイヤ１２０によって電気的に接続されている。ワイヤ１２０による接続構造は、上述した通りである。
【０１００】
封止部６０は、樹脂（例えばエポキシ樹脂）であることが多い。そして、基板５０には、複数の外部端子６２（例えばハンダボール）が設けられている。外部端子６２は、基板５０の配線に電気的に接続され、例えば、基板５０のスルーホール（図示しない）を介して、複数の半導体チップ１６、１８が搭載された面とは反対側に設けられる。
【０１０１】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、ワイヤ１２０の低ループ化を図ることができ、かつ、電気的接続の信頼性の高い装置を提供することができる。
【０１０２】
なお、本実施の形態に係る半導体装置は、上述の製造方法で説明した内容から導かれるいずれかの事項（構成、作用及び効果）を選択的に適用することができる。例えば、上述の基板５０を他の半導体チップに代えて、本実施の形態を適用してもよい。
【０１０３】
（第３の実施の形態）
図１５（Ａ）〜図２０は、本実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す図である。本実施の形態では、既にワイヤ１２０がボンディングされたバンプ４０に対して、他のワイヤ２２０のファーストボンディングを行う。
【０１０４】
以下に示す例では、上述の実施の形態で説明した製造方法を含む。あるいは、上述の実施の形態とは異なる工程（例えば周知のワイヤボンディング工程）後に、本実施の形態の内容を適用してもよい。
【０１０５】
図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）は、ワイヤのボンディング工程を示す図である。図１６は、図１５（Ａ）の部分拡大図である。図１７は、図１６に示す接続構造の平面図であり、ツールは省略してある。図１８は、ワイヤへの接触部分を説明する図である。
【０１０６】
図１５（Ａ）に示すように、上述の実施の形態で説明した図１１に示す形態に、さらに他の電極１１２を用意する。図１５（Ａ）に示す例では、複数の半導体チップ１６、１１６が基板５０上に、各電極５２、１２、１１２を露出させるように積層されている。半導体チップ１１６は、半導体チップ１６上に搭載されている。その場合、上側の半導体チップ１１６の外形は、下側の半導体チップ１６の外形よりも小さいことが多い。
【０１０７】
図１５（Ａ）に示すように、ワイヤ２２０を支持するツール２３０を用意し、ワイヤ２２０の先端部２２２をボール状に形成する。ワイヤ２２０、ツール２３０及びクランパ２３６の事項は、上述した内容を適用することができる。ツール２３０は、穴２３２及び開口端部２３４を有する。また、ワイヤ２２０の先端部２２２をボール状に形成する方法も上述した通りである。
【０１０８】
そして、ツール２３０の開口端部２３４によって、ワイヤ２２０の先端部２２２を、バンプ４０にボンディングする。その場合、図１６及び図１７に示すように、先端部２２２の少なくとも一部を、ワイヤ１２０に重ねてボンディングする。こうすることで、バンプ４０の平面面積を有効に活用することができる。なお、超音波振動を加えながらボンディングすることが好ましい。
【０１０９】
図１６に示すように、上述のボンディング工程は、ワイヤ２２０の先端部２２２及びツール２３０によって、バンプ４０に接続されているワイヤ１２０のうち、潰れていない部分を潰さずに行う。その場合、ワイヤ２２０の先端部２２２及びツール２３０を、ワイヤ１２０における潰れていない部分に非接触にすることが好ましい。ここで、ワイヤ１２０の潰れていない部分とは、ワイヤ１２０をバンプ４０にボンディングする工程で押し潰されなかった部分を指す。すなわち、ワイヤ１２０の潰れた部分は、ワイヤ１２０の接合部１２６である。
【０１１０】
図１８に示す例で説明すると、上述のボンディング工程は、ワイヤ２２０の先端部２２２及びツール２３０を、ワイヤ１２０のＸ地点よりも潰れていない部分（Ｘ地点よりも左側）に非接触にして行う。なお、図１８のＸ地点は、ワイヤ１２０におけるバンプ４０へのボンディングによって押し潰された領域の境界地点を指す。
【０１１１】
これによって、既にバンプ４０に接続されたワイヤ１２０のループ形状が変形するのを防止することができる。詳しくは、ワイヤ１２０のループ高さが低くなって半導体チップ１６に接触したり、ワイヤ１２０が横方向に倒れたり、ワイヤ１２０が損傷したりするのを防止することができる。
【０１１２】
あるいは、ワイヤ２２０の先端部２２２及びツール２３０を、図１８に示すワイヤ１２０のＹ地点よりも潰れていない部分（Ｙ地点よりも左側）に非接触にしてもよい。図１８のＹ地点は、ワイヤ１２０の径（厚さ）が約１／２になる境界地点を指す。これによって、より確実に、上述の効果を達成することができる。
【０１１３】
あるいは、ワイヤ２２０の先端部２２２及びツール２３０を、図１８に示すワイヤ１２０のＺ地点よりも潰れていない部分（Ｚ地点よりも左側）に非接触にしてもよい。図１８のＺ地点は、ワイヤ１２０の径（厚さ）が約１／３になる境界地点を指す。これによって、さらに確実に、上述の効果を達成することができる。
【０１１４】
図１７に示すように、ワイヤ２２０の先端部２２２の中心（図１７ではワイヤ２２０における先端部２２２から穴２３２内に連続する部分）を、バンプ４０におけるワイヤ１２０の引き出し方向の中心を超える部分（図１７の中心線Ｌの右側）に配置してボンディング工程を行ってもよい。すなわち、先端部２２２の中心を、ワイヤ１２０のバンプ４０への引き出し方向にずらしてもよい。その場合、バンプ４０（特に上端部４２）がワイヤ１２０の引き出し方向に幅広くなっていれば、バンプ４０とワイヤ２２０との接合領域を広く確保することができる。バンプ４０を幅広くする形態は、上述の第１及び第２の実施の形態で説明した通りである。さらに、バンプ４０がワイヤ１２０の引き出し方向に従って低く傾斜していれば、ワイヤ２２０の先端部２２２をバンプ４０に載せやすくなる。バンプ４０を傾斜させる形態は、上述の第１及び第２の実施の形態で説明した通りである。これらによって、確実かつ安定した状態で、ワイヤ２２０の先端部２２２をバンプ４０にボンディングすることができる。
【０１１５】
図１７に示すように、先端部２２２の全体を、バンプ４０におけるワイヤ１２０の引き出し方向の中心を超える部分（図１７では中心線Ｌの右側の部分）に配置してもよいし、バンプ４０におけるワイヤ１２０の引き出し方向の中心（図１７では中心線Ｌと重なる部分）を含むように配置してもよい。なお、ワイヤ２２０の先端部２２２と、バンプ４０とは、図１７に示すように一部同士が重なってボンディングされてもよいし、先端部２２２の全部がバンプ４０の一部と重なってボンディングされてもよい。
【０１１６】
図１５（Ｂ）に示すように、上述のボンディング工程後、ワイヤ２２０を電極１１２に電気的に接続する。詳しくは、予め電極１１２にバンプ１４０を形成しておき、ワイヤ２２０をバンプ１４０に向けて引き出して、ワイヤ２２０の一部をバンプ１４０にボンディングする。バンプ１４０が上述のバンプ４０と同一形態であれば、バンプ１４０へのボンディング工程において、第２の実施の形態で説明した効果を達成することができる。
【０１１７】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、ワイヤ２２０の先端部２２２及びツール２３０によって、ワイヤ１２０の潰れていない部分を潰さずにボンディング工程を行うので、ワイヤ１２０とバンプ４０との接続不良を発生させることなく、新たなワイヤ２２０をバンプ４０にボンディングすることができる。
【０１１８】
なお、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、上述の製造方法で説明した内容から導かれるいずれかの事項（構成、作用及び効果）を選択的に適用することができる。
【０１１９】
図１９は、本実施の形態を適用した半導体装置の一例を示す図である。図１９に示す例では、半導体装置は、複数の半導体チップ１６、１１６、２１６と、電極５２を有する基板５０と、封止部６０と、外部端子６２と、を含む。基板５０、封止部６０及び外部端子６２の内容は、上述した通りである。なお、本実施の形態に係る半導体装置は、以下の例に限定されるものではない。
【０１２０】
複数の半導体チップ１６、１１６、２１６は、基板５０上で積層されている。詳しくは、半導体チップ１６は基板５０にフェースダウン実装され、半導体チップ１１６半導体チップ１６上に配置され、半導体チップ２１６は半導体チップ１１６上に配置されている。各半導体チップ１６、１１６、２１６は、電極を有する面が基板５０とは反対側を向いて配置され、ワイヤによって基板５０との電気的接続を図れるようになっている。ワイヤ１２０、２２０による接続構造は、上述した通りである。
【０１２１】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、ワイヤ１２０、２２０の低ループ化を図ることができ、かつ、電気的接続の信頼性の高い装置を提供することができる。
【０１２２】
図２０は、本実施の形態を適用した半導体装置の他の一例を示す図である。図２０に示す例では、半導体装置は、複数の半導体チップ１６、１１６、３１６と、封止部７０と、それらが搭載されたダイパッド７２と、リード７４と、を含む。この半導体装置は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）型のパッケージ構造を有する。
【０１２３】
ダイパッド７２は、一方の面に複数の半導体チップ１６、１１６、３１６が載せられており、他方の面が封止部７０から露出している。これによって半導体装置の放熱性を向上させることができる。封止部７０は、エポキシ系の樹脂であることが多い。リード７４は、封止部７０内でいずれかの半導体チップ（図２０では半導体チップ１１６）に電気的に接続されるインナーリード７６と、封止部７０から外部に突出するアウターリード７８と、を含む。アウターリード７８は、所定の形状（図２０ではガルウィング形状）に屈曲しており、半導体装置の外部端子となる。図示するように、アウターリード７８には、ロウ材などの金属皮膜（例えばメッキ皮膜）が設けられる。各半導体チップ１６、１１６、３１６はワイヤ１２０、２２０によって相互に電気的に接続される。ワイヤによる接続構造は、上述した通りである。
【０１２４】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、ワイヤ１２０、２２０の低ループ化を図ることができ、かつ、電気的接続の信頼性の高い装置を提供することができる。
【０１２５】
図２１には、上述の実施の形態を適用した回路基板が示されている。図１９に示す半導体装置１は、回路基板８０に実装されている。回路基板８０には、例えば、ガラスエポキシ基板等の有機系基板を用いることが一般的である。回路基板８０には例えば銅等からなる配線パターン８２が所望の回路となるように形成されていて、配線パターン８２と半導体装置の外部端子とが接合されている。
【０１２６】
本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器として、図２２にはノート型パーソナルコンピュータ１０００が示され、図２３には携帯電話２０００が示されている。
【０１２７】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、本発明の第１の実施に係るバンプの形成方法及びバンプ付き半導体素子の製造方法を説明する図である。
【図２】図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、本発明の第１の実施に係るバンプの形成方法及びバンプ付き半導体素子の製造方法を説明する図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施に係るバンプ付き半導体素子及びその製造方法を説明する図である。
【図４】図４は、図３のＶＩ−ＶＩ線断面図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施に係るバンプ付き半導体素子及びその製造方法を説明する図である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施に係るバンプ付き半導体素子及びその製造方法を説明する図である。
【図７】図７は、本発明の第１の実施に係るバンプ付き半導体素子及びその製造方法を説明する図である。
【図８】図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面図である。
【図９】図９は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１１】図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する図である。
【図１２】図１２は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する図である。
【図１３】図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）は、本発明の第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置及びその製造方法を説明する図である。
【図１４】図１４は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。
【図１５】図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する図である。
【図１６】図１６は、図１５（Ａ）の部分拡大図である。
【図１７】図１７は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する図である。
【図１８】図１８は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する図である。
【図１９】図１９は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。
【図２０】図２０は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。
【図２１】図２１は、本発明の実施の形態に係る回路基板を示す図である。
【図２２】図２２は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図２３】図２３は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０ 半導体素子
１２ 電極
１４ 半導体ウェーハ
１５ 領域
１６ 半導体チップ
２０ ワイヤ
２２ 先端部
２４ ワイヤの一部
３０ ツール
３２ 穴
３４ 開口端部
４０ バンプ
４２ 上端部
４４ 下端部
５０ 基板
５２ 電極
１２０ ワイヤ
１２２ 先端部
１２６ ワイヤの一部
１３０ ツール
１３２ 穴
１３４ 開口端部
２２０ ワイヤ
２２２ 先端部
２３０ ツール
２３２ 穴
２３４ 開口端部

Claims (15)

  1. （ａ）ワイヤの先端部を、ツールによって第１の電極にボンディングし、
    （ｂ）前記ワイヤを前記第１の電極から第２の電極上のバンプまで引き出し、
    （ｃ）前記ツールのうち、前記ワイヤの前記引き出し方向における第１の電極側の部分によって、前記ワイヤの一部を、前記バンプにおける前記ワイヤの前記引き出し方向の中心又はそれを超えた部分にボンディングすることを含み、
    前記（ｃ）工程で、前記ツールを、前記ワイヤの一部を押し潰すように加圧しながら、前記バンプ上で前記バンプの幅方向に移動させる半導体装置の製造方法。
  2. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程で、前記ツールによって、前記バンプの一部を押し潰す半導体装置の製造方法。
  3. 請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程で、前記ツールを、前記バンプ上で、前記ワイヤの引き出し方向に移動させる半導体装置の製造方法。
  4. 請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程で、前記バンプを、前記ワイヤの引き出し方向に幅広くなるように形成する半導体装置の製造方法。
  5. 請求項３又は請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程で、前記バンプを、前記ワイヤの引き出し方向に従って低くなるように形成する半導体装置の製造方法。
  6. 請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程で、前記バンプに超音波振動を加えながら行う半導体装置の製造方法。
  7. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
    前記ツールは、前記ワイヤを挿通する穴を有し、
    前記（ｃ）工程で、前記穴の開口端部のうち、前記ワイヤの引き出し方向における第１の電極側の部分によってボンディング工程を行う半導体装置の製造方法。
  8. 請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
    前記（ａ）工程前に行う前記バンプを形成する工程であって、
    （ｅ）第２のワイヤにおけるボール状に形成された先端部を、前記第２の電極にボンディングし、
    （ｆ）前記第２のワイヤの一部を、ボンディングされた前記先端部から引き出し、
    （ｇ）前記第２のワイヤのうち前記先端部から連続する部分を前記先端部上で押し潰して、前記第２の電極上に前記バンプを形成し、
    （ｈ）前記第２の電極上に前記バンプを残して、前記第２のワイヤを切断することをさらに含む半導体装置の製造方法。
  9. 請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｇ）工程で、前記バンプを、前記電極に接続される下端部と、ほぼ平らな面を有する上端部と、を有するように形成する半導体装置の製造方法。
  10. 請求項９記載の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｇ）工程で、前記バンプの前記上端部を、前記バンプに接続される前記ワイヤの前記バンプへの引き出し方向に幅広くなるように形成する半導体装置の製造方法。
  11. 請求項９又は請求項１０記載半導体装置の製造方法において、
    前記（ｇ）工程で、前記バンプの前記上端部を、前記バンプに接続される前記ワイヤの前記バンプへの引き出し方向に従って低くなるように形成する半導体装置の製造方法。
  12. 集積回路及び第１の電極を有する半導体チップと、
    集積回路及び第２の電極を有し、前記第２の電極に接続された下端部及びほぼ平らな面を有する上端部を有するバンプを有する他の半導体チップと、
    第１及び第２の端部を有し、前記第１の端部が前記第１の電極に電気的に接続されるとともに、前記第２の端部が前記バンプに電気的に接続されたワイヤと、
    を含み、
    前記バンプの前記上端部は、前記ワイヤの前記バンプへの引き出し方向に幅広く形成され、かつ、前記ワイヤの前記引き出し方向に従って低くなるように形成され、
    前記ワイヤの前記第２の端部は、前記バンプにおける前記ワイヤの前記引き出し方向の中心又はそれを超えた部分にボンディングされてなる半導体装置。
  13. 請求項１２記載の半導体装置において、
    前記バンプの一部が潰されてなる半導体装置。
  14. 請求項１２又は請求項１３記載の半導体装置が実装された回路基板。
  15. 請求項１２又は請求項１３記載の半導体装置を有する電子機器。
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