JP3416594B2 - Ｐｔｃサーミスタおよびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＴＣサーミスタ
用電極およびその製造方法ならびにＰＴＣサーミスタに
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、リチウム電池の保護や電子機器の
インターフェイスの保護や充電回路の保護のため、復帰
型ヒューズのように使用できる過電流保護素子が盛んに
用いられるようになっている。

【０００３】過電流保護素子の一つとして、正の温度係
数（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏ
ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）を有するサーミスタ（以下、ＰＴ
Ｃサーミスタという）が知られている。ＰＴＣサーミス
タは、導電性粒子を結晶性ポリマ中に充填した導電性ポ
リマと導電性ポリマの両側に配置された一対の電極とを
備える。このＰＴＣサーミスタに過電流が流れると、自
己発熱によって導電性ポリマの温度が結晶性ポリマの融
点付近まで上昇し、結晶性ポリマが体積膨張する。そし
て、結晶性ポリマがその融点付近で急激に膨張すると、
結晶性ポリマ中の導電性粒子の導電パスが切断され、電
極間の抵抗値が高くなり、ＰＴＣサーミスタに流れる電
流が減衰する。このようにして、ＰＴＣサーミスタは、
過電流を減衰させる。

【０００４】ＰＴＣサーミスタでは、電極と導電性ポリ
マとの接着力が弱いと、繰り返し過電流が印加されたと
きに、電極と導電性ポリマとの間の電気抵抗が大きくな
り、信頼性が低下したり、素子として機能しなくなった
りするという問題がある。そのため、電極となる金属箔
と導電性ポリマとの間には、強い接着力が要求される。

【０００５】金属箔と導電性ポリマとの接着力を高める
方法として、電着によって形成された凹凸を有する金属
箔を用いたＰＴＣサーミスタが報告されている（登録特
許公報第２７８８９６８号）。上記特許公報には、金属
箔を電解液にさらし、電着によってミクロラフな表面を
形成する方法が示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属箔
表面に電着によって凹凸形状を形成する上記従来の方法
では、樹脂である導電性ポリマと金属箔との接着力が必
ずしも十分でないという問題があった。そのため、上記
従来のＰＴＣサーミスタでは、過電流を繰り返し印加す
ると抵抗値変化率が大きくなるという問題があった。

【０００７】また、電着処理には長時間を要するため、
製造コストが高いという問題があった。さらに、電着処
理の際に、メッキ液のコントロールが難しく、安定した
品質の金属箔が得られないという問題があった。

【０００８】上記従来の問題を解決するため、本発明
は、導電性ポリマとの接着力が大きく、製造が容易なＰ
ＴＣサーミスタ用電極およびその製造方法、ならびにＰ
ＴＣサーミスタを提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のＰＴＣサーミスタは、一対の電極と、前記
一対の電極の間に配置されたＰＴＣ特性を有するポリマ
シートとを備えるＰＴＣサーミスタであって、前記ポリ
マシートが導電性粒子を含む結晶性ポリマからなり、前
記電極は、金属からなり導電性を有する基体と、前記基
体上に形成された焼結層とを含み、前記焼結層は、金属
材料からなる導電性粉末を焼結することによって形成さ
れた導電性を有しバインダを含まない焼結層であって、
且つ、表面に凹凸形状を有する焼結層であり、且つ導電
性を有する複数の粒子がチェーン状に連なって形成され
た焼結層であり、且つ前記ポリマシートに接しているこ
とを特徴とする。以下に、本発明のＰＴＣサーミスタの
電極について説明する。

【００１０】上記本発明のＰＴＣサーミスタ用電極で
は、前記焼結層の中心線平均粗さＲａが、０．５μｍ以
上２０μｍ以下であることが好ましい。上記構成によれ
ば、導電性ポリマとの接着力が特に大きいＰＴＣサーミ
スタ用電極が得られる。

【００１１】上記本発明のＰＴＣサーミスタ用電極で
は、前記導電性粉末の平均粒径が０．１μｍ以上５０μ
ｍ以下であることが好ましい。上記構成によれば、導電
性ポリマとの接着力が特に大きいＰＴＣサーミスタ用電
極が得られる。

【００１２】上記本発明のＰＴＣサーミスタ用電極で
は、前記導電性粉末の表面に金属膜が形成されているこ
とが好ましい。上記構成によれば、焼結層の形成が容易
なＰＴＣサーミスタ用電極が得られる。

【００１３】上記本発明のＰＴＣサーミスタ用電極で
は、前記基体が金属材料からなり、前記金属膜が前記基
体と同一の金属材料からなる構成としてもよい。上記構
成によれば、基体および導電性粉末の焼結の拡散スピー
ドが等しいため、焼結による基体と導電性粉末との接合
が短時間で進み、焼結層の形成が特に容易なＰＴＣサー
ミスタ用電極が得られる。

【００１４】上記本発明のＰＴＣサーミスタ用電極で
は、前記基体が金属材料からなり、前記金属膜が前記基
体よりも融点が低い金属材料からなる構成としてもよ
い。上記構成によれば、低温で導電性粉末を焼結するこ
とができるため、焼結層の形成が特に容易なＰＴＣサー
ミスタ用電極が得られる。

【００１５】上記本発明のＰＴＣサーミスタ用電極で
は、前記導電性粉末は、導電性を有する複数の粒子がチ
ェーン状に連なって形成された粉末を含むことが好まし
い。上記構成によれば、焼結層に占める空隙の体積を大
きくできるため、導電性ポリマとの接着力が特に大きい
ＰＴＣサーミスタ用電極が得られる。

【００１６】上記本発明のＰＴＣサーミスタ用電極で
は、前記導電性粉末は、導電性を有する第１の粉末と導
電性を有する第２の粉末とを含み、前記第１の粉末の平
均粒径が、前記第２の粉末の平均粒径の２倍以上である
ことが好ましい。上記構成によれば、粒径の大きい第１
の粉末によって形成される空隙に、粒径の小さい第２の
粉末が配置されるため、焼結層の形成が特に容易なＰＴ
Ｃサーミスタ用電極が得られる。

【００１７】上記本発明のＰＴＣサーミスタ用電極で
は、前記導電性粉末に含まれる前記第２の粉末の含有量
が、６０ｗｔ％以下であることが好ましい。上記構成に
よれば、導電性ポリマとの接着力が粒径の大きい第１の
粉末によって確保されるため、導電性ポリマとの接着力
が十分で、焼結層の形成が特に容易なＰＴＣサーミスタ
用電極が得られる。

【００１８】

【００１９】上記本発明のＰＴＣサーミスタ用電極で
は、前記金属膜は、ニッケル、銅、銀、金、パラジウ
ム、チタン、亜鉛、モリブデン、タングステン、マンガ
ン、鉛、クロム、白金、すず、コバルトおよびインジウ
ムから選ばれる少なくとも一つの元素を含むことが好ま
しい。上記構成によれば、基体と導電性粉末との焼結が
特に容易なＰＴＣサーミスタ用電極が得られる。

【００２０】上記本発明のＰＴＣサーミスタ用電極で
は、前記基体は、表面に凹凸形状を有することが好まし
い。上記構成によれば、基体と焼結層との接着力が大き
いＰＴＣサーミスタ用電極が得られる。

【００２１】

【００２２】上記本発明のＰＴＣサーミスタ用電極で
は、前記導電性粉末が、鉄、ニッケル、銅、銀、金、パ
ラジウム、亜鉛、モリブデン、タングステン、マンガ
ン、鉛、クロム、白金、すず、コバルト、モリブデン、
タングステン、マンガン、インジウムおよびチタンから
選ばれる少なくとも一つの元素を含む金属材料からなる
ことが好ましい。上記構成によれば、前記導電性粉末は
導電性が良いため、導電性ポリマとの接触抵抗を小さく
でき、電気伝導性に優れたＰＴＣサーミスタ用電極が得
られる。

【００２３】上記本発明のＰＴＣサーミスタ用電極で
は、前記基体が、鉄、銅およびニッケルから選ばれる少
なくとも一つの元素を含む金属材料からなることが好ま
しい。上記構成によれば、電気伝導性が特に優れたＰＴ
Ｃサーミスタ用電極が得られる。

【００２４】本発明のＰＴＣサーミスタの製造方法は、
一対の電極と、前記一対の電極の間に配置されたＰＴＣ
特性を有するポリマシートとを備えるＰＴＣサーミスタ
の製造方法であって、金属からなり導電性を有する基体
の表面に、金属材料からなる導電性粉末を含むペースト
を塗布する第１の工程と、前記ペーストを熱処理するこ
とによって前記導電性粉末を焼結させてバインダを含ま
ない焼結層を形成する第２の工程と、前記焼結層が形成
された前記基体を電極として２つ用意し、その焼結層
で、ＰＴＣ特性を有するポリマシートを挟む第３の工程
とを含むことを特徴とする。以下に、電極の形成方法に
ついて説明する。

【００２５】上記ＰＴＣサーミスタ用電極の製造方法で
は、前記導電性粉末の平均粒径が０．１μｍ以上５０μ
ｍ以下であることが好ましい。上記構成によれば、導電
性ポリマとの接着力が特に大きいＰＴＣサーミスタ用電
極を製造できる。

【００２６】

【００２７】上記ＰＴＣサーミスタ用電極の製造方法で
は、前記第１の工程の前に、前記基体の表面に凹凸形状
を形成する工程をさらに備えることが好ましい。上記構
成によれば、基体と焼結層との接着力が大きいＰＴＣサ
ーミスタ用電極を製造できる。

【００２８】

【００２９】上記ＰＴＣサーミスタ用電極の製造方法で
は、前記第１の工程は、前記ペーストを塗布した後、前
記基体に塗布されたペーストを乾燥し圧延する工程をさ
らに備えることが好ましい。上記構成によれば、基体と
導電性粉末との焼結を容易に行うことができる。

【００３０】上記ＰＴＣサーミスタ用電極の製造方法で
は、前記熱処理は、還元性雰囲気中で行われることが好
ましい。上記構成によれば、表面が酸化されていない焼
結層を形成することができる。このような焼結層を備え
るＰＴＣサーミスタ用電極を用いることによって、抵抗
値変化率が特に小さいＰＴＣサーミスタを製造できる。

【００３１】上記ＰＴＣサーミスタ用電極の製造方法で
は、前記導電性粉末が、鉄、ニッケル、銅、銀、金、パ
ラジウム、亜鉛、モリブデン、タングステン、マンガ
ン、鉛、クロム、白金、すず、コバルト、インジウムお
よびチタンから選ばれる少なくとも一つの元素を含む金
属材料からなることが好ましい。

【００３２】上記ＰＴＣサーミスタ用電極の製造方法で
は、前記基体が、鉄、銅およびニッケルから選ばれる少
なくとも一つの元素を含む金属材料からなることが好ま
しい。上記構成によれば、電気伝導性に優れたＰＴＣサ
ーミスタ用電極を製造できる。

【００３３】本発明のＰＴＣサーミスタは、少なくとも
一対の電極と前記一対の電極間に配置された導電性ポリ
マとを含むＰＴＣサーミスタ（複数対の電極を含んでも
よい。）であって、前記電極が、上記本発明のＰＴＣサ
ーミスタ用電極であることを特徴とする。上記構成によ
れば、電極と導電性ポリマとの接着力が大きいため、過
電流を繰り返し印加したときの抵抗値変化率が小さいＰ
ＴＣサーミスタが得られる。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。

【００３５】（実施形態１）実施形態１では、本発明の
ＰＴＣサーミスタ用電極について、一例を説明する。実
施形態１のＰＴＣサーミスタ用電極１０について、一部
断面図を図１に模式的に示す。

【００３６】図１を参照して、ＰＴＣサーミスタ用電極
１０は、導電性を有する基体１１と、基体１１上に形成
された焼結層１２（ハッチングは省略する）とを含む。

【００３７】基体１１は、導電性材料からなるものであ
り、たとえば、金属（合金または非金属元素と金属元素
との化合物などを含む。以下同じである。）からなる
箔、金属板、パンチングメタル、導電性樹脂、導電性セ
ラミクスなどを用いることができる。この中でも、基体
１１は、金属材料からなることが好ましい。具体的に
は、基体１１には、銅、ニッケルおよび鉄から選ばれる
少なくとも一つの元素を含む金属材料を用いることがで
きる。たとえば、基体１１には、銅、ニッケルまたは
鉄、あるいはこれらの合金、あるいはこれらと非金属元
素との化合物を用いることができる。この中でも、銅ま
たは銅合金が特に好ましい。

【００３８】なお、基体１１の表面（基体１１と焼結層
１２との間）に、金属膜１３が形成されていてもよい。
この場合のＰＴＣサーミスタ用電極１０ａについて、一
例を図２に示す。金属膜１３は、ニッケル、銅、銀、
金、パラジウム、チタン、亜鉛、モリブデン、タングス
テン、マンガン、鉛、クロム、白金、すず、コバルトお
よびインジウムから選ばれる少なくとも一つの元素を含
むことが好ましい。たとえば、金属膜１３には、ニッケ
ル、銅、ニッケルボロン、ニッケルリンなどを用いるこ
とができる。金属膜１３の厚さとしては、０．１μｍか
ら１０μｍが好ましく、特に２μｍ程度が好ましい。

【００３９】また、基体１１は、表面に凹凸形状１４を
有してもよい（この場合の基体１１と特に基体１１ａと
いう）。この場合のＰＴＣサーミスタ１０ｂについて、
一例を図３に示す。なお、凹凸形状１４上に、さらに金
属膜１３を形成してもよい。

【００４０】焼結層１２は、導電性粉末を焼結すること
によって形成された導電性を有する焼結層であり、表面
に凹凸形状を有する焼結層である。焼結層１２は、基体
１１の少なくとも一つの主面に形成される。焼結層１２
の中心線平均粗さＲａは、０．５μｍ以上２０μｍ以下
であることが好ましい（中心線平均粗さＲａについて
は、実施形態１の最後に説明する）。特に、焼結層１２
の中心線平均粗さＲａは、１μｍ以上５μｍ以下である
ことが好ましい。これによって、導電性ポリマとの接着
力が特に大きいＰＴＣサーミスタ用電極が得られる。

【００４１】焼結層１２の材料である導電性粉末には、
さまざまな粒径のものを用いることができるが、平均粒
径が０．１μｍ以上５０μｍ以下の導電性粉末を用いる
ことが好ましい。

【００４２】上記導電性粉末には、導電性を有するさま
ざまな材料を用いることができ、たとえば金属材料、導
電性樹脂、導電性セラミクスなどを用いることができ
る。たとえば、上記導電性粉末には、鉄、ニッケル、
銅、銀、金、パラジウム、亜鉛、モリブデン、タングス
テン、マンガン、鉛、クロム、白金、すず、コバルト、
インジウムおよびチタンから選ばれる少なくとも一つの
元素を含む金属材料を用いることができる。具体的に
は、たとえば、鉄、ニッケル、銅、銀、金、パラジウ
ム、亜鉛、モリブデン、タングステン、マンガン、鉛、
クロム、白金、すず、コバルト、インジウムまたはチタ
ン、あるいはこれらの合金、あるいはこれらと非金属元
素との化合物を用いることができる。この中でも、ニッ
ケルが特に好ましい。

【００４３】なお、上記導電性粉末は、導電性を有する
第１の粉末と、導電性を有する第２の粉末とを含み、第
１の粉末の平均粒径が第２の粉末の平均粒径の２倍以上
となるようにしてもよい。このとき、上記導電性粉末に
含まれる第２の粉末の含有量が６０ｗｔ％以下であるこ
とが好ましい。

【００４４】また、上記導電性粉末には、真球状、針
状、楕円体状またはチェーン状のように、さまざまな形
状のものを用いることができる。上記導電性粉末として
は、特に、（長径）／（短径）の値が１．３以上である
粉末や、（長辺）／（短辺）の値が１．３以上である粉
末や、導電性を有する複数の粒子がチェーン状に連なっ
て形成された粉末が好ましい。これによって、空隙が占
める割合が大きい焼結層１２を形成することができ、導
電性ポリマとの接着力が特に大きいＰＴＣサーミスタ用
電極が得られる。

【００４５】また、上記導電性粉末は、その表面に金属
膜が形成されているものであってもよい。上記金属膜に
は、たとえば、基体１１と同一の金属材料や、基体１１
よりも融点が低い金属材料などを用いることができる。
上記金属膜は、メッキ法や蒸着法などによって形成でき
る。

【００４６】さらに、焼結層１２は、２層の焼結層を含
んでもよい。この場合のＰＴＣサーミスタ１０ｃについ
て、一例を図４に示す。図４を参照して、ＰＴＣサーミ
スタ１０ｃの焼結層１２は、基体１１側から積層された
第１の焼結層１２ａと第２の焼結層１２ｂとを含む。第
１の焼結層１２ａは、平均粒径が０．１μｍ以上１μｍ
以下の導電性粉末を焼結して形成した導電性を有する焼
結層（緻密な焼結層）である。また、第２の焼結層１２
ｂは、平均粒径が１μｍ以上の導電性粉末を焼結して形
成した導電性を有する焼結層である。なお、焼結層１２
ｂは、平均粒径が２．２μｍ以上３．３μｍ以下である
導電性粉末を焼結して形成した焼結層であることが特に
好ましい。これによって、ＰＴＣサーミスタを形成した
ときに、特に導電性ポリマとの接着力が大きいＰＴＣサ
ーミスタ用電極が得られる。

【００４７】上記実施形態１のＰＴＣサーミスタ用電極
１０では、基体１１上に焼結層１２を形成することによ
って、表面に凹凸形状を形成している。したがって、Ｐ
ＴＣサーミスタ用電極１０によれば、ＰＴＣサーミスタ
を形成したときに、導電性ポリマとの接着力を大きくす
ることができる。また、ＰＴＣサーミスタ用電極１０
は、容易に製造することができる。

【００４８】以下に、中心線平均粗さＲａ（ＪＩＳ規格
Ｂ−０６０１）の測定方法について説明する。中心線平
均粗さＲａは、表面粗さを表すパラメータである。具体
的には、中心線平均粗さＲａは、基準長さＬだけ抜き取
った粗さ曲線について、平均線の方向にｘ軸を、縦方向
にｙ軸をとり、粗さ曲線をｙ＝ｆ（ｘ）で表したとき
に、以下の式で求められる値をマイクロメートル（μ
ｍ）で表したものをいう（模式図である図５参照）。

【００４９】

【数１】

【００５０】なお、中心線平均粗さＲａは、市販されて
いる測定装置（たとえば、東京精密社製、サーフコム５
５０Ａ）を用いて容易に測定することができる。

【００５１】（実施形態２）実施形態２では、本発明の
ＰＴＣサーミスタ用電極の製造方法について、一例を説
明する。なお、実施形態１で説明した部分については、
重複する説明を省略する。

【００５２】まず、図６（ａ）に示すように、基体１１
を用意する。このとき、ＰＴＣサーミスタ用電極１０ａ
を製造する場合には、表面に金属膜１３が形成された基
体１１を用いる。金属膜１３は、メッキ法や蒸着法によ
って形成できる。また、ＰＴＣサーミスタ用電極１０ｂ
を製造する場合には、表面に凹凸形状が形成された基体
１１ａを用いる。基体１１ａは、基体１１に、化学エッ
チング処理、電解エッチング処理、サンドブラスト処
理、プレス処理またはメタリコン（金属溶射被覆法）な
どの処理を行うことによって形成できる。

【００５３】その後、図６（ｂ）に示すように、導電性
粉末６１を含むペースト６２（ハッチングは省略する）
を、基体１１の表面に塗布する。

【００５４】ペースト６２は、高分子化合物（バイン
ダ）を溶解させた溶媒に、実施形態１で説明した導電性
粉末（焼結層１２の材料）を加えて混練したものであ
る。ペースト６２の材料である溶媒としては、酢酸ブチ
ル、ブチルセロソルブ、ブチルカルビトール、αターピ
ネオールまたはアルコール類等の有機溶剤や水を用いる
ことができる。また、ペースト６２の材料である高分子
化合物（バインダ）としては、メチルセルロース、エチ
ルセルロース、ニトロセルロースなどのセルロース系樹
脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ブチラール系樹脂、
メタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリアセタール
樹脂、ロジン等を用いることができる。

【００５５】具体的には、まず、溶媒に１ｗｔ％ないし
１５ｗｔ％程度の高分子化合物を添加したのち、加熱す
ることによって高分子化合物を溶解させ、ビヒクル（ｖ
ｅｈｉｃｌｅ）をつくる。その後、５０重量部ないし１
５０重量部のビヒクルに対して、上記導電性粉末１００
重量部を添加して混練機でよく練りあげることによっ
て、ペースト６２を得る。このようにして得られたペー
スト６２を、基体１１に塗布する。塗布の方法として
は、ドクターブレード法、ディップコーター法、ダイコ
ーター法、リバースロールコーター法、スクリーン印刷
法、またはバーコーター法などを用いることができる。
なお、ビヒクルは、必要に応じて、可塑剤、消泡剤、分
散剤などを含んでもよい。

【００５６】その後、ペースト６２が塗布された基体１
１を、中性雰囲気中または酸化性雰囲気中で熱処理する
ことによって、ペースト６２の乾燥と脱バインダとを行
う。中性雰囲気のガスとしては、たとえば、窒素ガスや
炭酸ガスが挙げられる。酸化性雰囲気のガスとしては、
たとえば空気が挙げられる。なお、水蒸気を添加した窒
素ガスが、特に好ましい。

【００５７】なお、ペースト６２を塗布したのち脱バイ
ンダを行う前に、ペースト６２を乾燥し圧延する工程を
行ってもよい。圧延は、たとえば、圧延ロールなどのプ
レス装置を用いて行うことができる。このとき、たとえ
ば、４０℃以上の温度で圧延を行うことによって、導電
性粉末と基体１１との密着性を向上させることができ
る。

【００５８】その後、ペースト６２を焼成することによ
って、図６（ｃ）に示すように、焼結層１２を形成す
る。焼成は、還元性雰囲気中、２００℃ないし１２００
℃の温度で０．５分ないし３０分程度熱処理することに
よって行う。還元性雰囲気のガスとしては、たとえば、
水素−窒素混合ガス、水素−炭酸ガス混合ガス、または
これらに水蒸気を添加したガスなどが挙げられる。そし
て、焼成後、必要に応じて還元性雰囲気中で基体１１を
冷却する。このようにして、ＰＴＣサーミスタ用電極１
０を製造することができる。

【００５９】なお、図４に示したＰＴＣサーミスタ用電
極１０ｃを製造する場合には、まず、平均粒径が０．１
μｍ以上１μｍ以下である導電性粉末を含むペースト６
２を用いて焼結層１２ａを形成する。そして、平均粒径
が１μｍ以上の導電性粉末を含むペーストを焼結層１２
ａ上に塗布し、図６（ｃ）の工程で説明したのと同様の
方法で焼結層１２ｂを形成すればよい。

【００６０】上記製造方法に用いる焼結装置の一例を、
図７に模式的に示す。

【００６１】図７を参照して、焼結装置は、コーター部
７１と、脱バインダ部７２と、焼成部７３と、冷却部７
４とを備える。

【００６２】コーター部７１は、基体１１にペースト６
２を塗布する部分である。

【００６３】脱バインダ部７２は、４００℃程度の温度
で熱処理することによって、基体１１に塗布されたペー
スト６２の乾燥と脱バインダを行う部分である。そし
て、脱バインダ部７２は、中性雰囲気のガス（窒素ガス
や炭酸ガスなど）、あるいは酸化性雰囲気のガス（空気
など）で満たされていることが好ましい。特に、水蒸気
を添加した窒素ガスで満たされていることが好ましい。
なお、ペースト６２を圧延する場合には、圧延ロールな
どのプレス装置が、コーター部７１と脱バインダ部７２
との間に配置される。

【００６４】焼成部７３は、２００℃〜１２００℃程度
の温度で熱処理することによって、焼結層１２を形成す
る部分である。焼成部７３は、還元性雰囲気のガス（水
素−窒素混合ガス、水素−炭酸ガス混合ガス、あるいは
これらに水蒸気を添加した混合ガス）で満たされている
ことが好ましい。

【００６５】冷却部７４は、焼結層１２が形成された基
体１１を、たとえば１００℃〜５００℃の温度で冷却す
るための部分である。冷却部７４は、還元性雰囲気のガ
スまたは中性雰囲気のガスで満たされていることが好ま
しい。

【００６６】上記焼結装置によって焼結層１２が形成さ
れた基体１１は、その後に所定の大きさに切断され、Ｐ
ＴＣサーミスタ用電極１０となる。

【００６７】上記実施形態２の製造方法によれば、実施
形態１で説明したＰＴＣサーミスタ用電極１０、１０
ａ、１０ｂおよび１０ｃを容易に製造することができ
る。特に、ペースト６２に含まれる導電性粉末６１の粒
径や形状を変化させたり、塗布膜厚を変えることによっ
て、焼結層１２の中心線平均粗さを容易に制御できる。

【００６８】（実施形態３）実施形態３では、本発明の
ＰＴＣサーミスタについて、一例を説明する。

【００６９】図８を参照して、実施形態３のＰＴＣサー
ミスタ８０は、少なくとも一対のＰＴＣサーミスタ用電
極１０（ＰＴＣサーミスタ用電極１０ａ、１０ｂおよび
１０ｃを含む）と、前記一対のＰＴＣサーミスタ用電極
１０の間に配置された導電性ポリマ８１と、はんだ８２
によってＰＴＣサーミスタ用電極１０に接続されたリー
ド線８３とを含む。

【００７０】ＰＴＣサーミスタ用電極１０は、実施形態
１で説明したＰＴＣサーミスタ用電極、または実施形態
２の製造方法によって製造されるＰＴＣサーミスタ用電
極である。ＰＴＣサーミスタ用電極１０は、焼結層１２
が、導電性ポリマ８１と接するように配置される。

【００７１】導電性ポリマ８１は、ＰＴＣ特性を有する
導電性ポリマである。導電性ポリマ８１には、たとえ
ば、導電性粒子を含む結晶性ポリマを用いることができ
る。導電性ポリマ８１中の導電性粒子には、たとえば、
カーボンブラックを用いることができる。また、導電性
ポリマ８１の材料である結晶性ポリマには、たとえば、
ＨＤＰＥ（ｈｉｇｈ ｄｅｎｓｉｔｙ ｐｏｌｙｅｔｈ
ｙｌｅｎｅ）、ＬＤＰＥ（ｌｏｗ ｄｅｎｓｉｔｙ ｐ
ｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰ（ｐｏｌｙｐｒｏｐｙ
ｌｅｎｅ）ポリプロピレン、ＥＶＡ（ｅｔｈｙｌｅｎｅ
ｖｉｎｙｌ ａｃｅｔａｔｅ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）
などを用いることができる。

【００７２】上記実施形態３のＰＴＣサーミスタ８０
は、本発明のＰＴＣサーミスタ用電極１０を備えるた
め、ＰＴＣサーミスタ用電極１０と導電性ポリマ８１と
の接着力が大きい。このため、ＰＴＣサーミスタ８０に
よれば、過電流を繰り返し印加しても、抵抗値変化が小
さいＰＴＣサーミスタが得られる。

【００７３】なお、本発明のＰＴＣサーミスタは、ＰＴ
Ｃサーミスタ用電極１０を備えるものであればよく、図
８に示した構造に限定されない。たとえば、図８には、
一対のＰＴＣサーミスタ用電極１０を備えるＰＴＣサー
ミスタを示したが、本発明のＰＴＣサーミスタは、二対
以上のＰＴＣサーミスタ用電極を備えてもよい。また、
本発明のＰＴＣサーミスタは、面実装型やアキシャルタ
イプのＰＴＣサーミスタであってもよく、ＰＴＣサーミ
スタ用電極を３個以上備えた多層型のＰＴＣサーミスタ
であってもよい。

【００７４】

【実施例】以下に、本発明のＰＴＣサーミスタ用電極、
およびこれを用いたＰＴＣサーミスタを製造した具体例
を説明する。

【００７５】（実施例１）ブチラール樹脂５ｗｔ％と、
可塑剤であるジブチルフタレート２ｗｔ％と、溶媒であ
る酢酸ブチル４５ｗｔ％およびブチルセロソルブ４８ｗ
ｔ％とを混合してビヒクル（以下、この混合比のビヒク
ルをビヒクルＡという）を得た。このビヒクルＡ１００
重量部と平均粒径４μｍのニッケル粉（導電性粉末）１
００重量部とを混練し、ペーストを得た。このペースト
を、厚さ６０μｍの銅箔（基体）にドクターブレード法
（塗布速度は１０ｍｍ／ｓｅｃであり、以下の実施例に
おいても同じである。）によって、３０μｍの膜厚にな
るように塗布した。その後、窒素ガス中または空気中に
おいて、４５０℃で熱処理することによって脱バインダ
を行った。その後、水素５５％−窒素４５％の混合ガス
（混合ガスの％は、体積比を表す。以下において同様で
ある。）中において、９００℃で５分間熱処理を行い、
焼結層を形成してＰＴＣサーミスタ用電極を得た。この
ようにして形成された焼結層表面の中心線平均粗さＲａ
について、サーフコム５５０Ａ（東京精密社製）を用い
て測定（カットオフ値０．８ｍｍ、基準長さ２．５ｍ
ｍ）したところ、５．５μｍであった。なお、以下の実
施例においても、焼結層表面の中心線平均粗さＲａは、
同様の方法で測定した。

【００７６】その後、上記ＰＴＣサーミスタ用電極を用
いてＰＴＣサーミスタを作製した。具体的には、まず、
結晶性ポリマの一種であるＨＤＰＥ（三井化学製）４８
ｗｔ％とカーボンブラック（三菱化学製）５２ｗｔ％と
を、１９０℃に加熱した２本の熱ロールを用いて混合し
た後、厚さが０．５ｍｍのシートに成形し、導電性ポリ
マシートを得た。この導電性ポリマシートを、２枚の上
記ＰＴＣサーミスタ用電極で挟み、熱圧着（１５０℃、
４９０Ｎ／ｃｍ²（５０ｋｇｆ／ｃｍ²））し、積層物を
得た。この積層物の両側の銅箔に、はんだ付けによって
リード線を取り付け、ＰＴＣサーミスタを得た。

【００７７】この様にして得られたＰＴＣサーミスタに
ついて、過電流印加サイクル試験を行った。過電流印加
サイクル試験は、１分間の通電と５分間の通電停止とを
１サイクルとして１０００サイクル繰り返すことによっ
て行った。このとき、通電は、４０Ａの過電流を印加で
きるように、ＰＴＣサーミスタを１２Ｖの直流電源およ
び負荷抵抗に接続して行った。

【００７８】過電流印加サイクル試験の前後におけるＰ
ＴＣサーミスタの抵抗値を測定し、過電流印加サイクル
試験前後の抵抗値変化率を計算した。ここで、抵抗値変
化率とは、（試験後の抵抗値−試験前の抵抗値）／（試
験前の抵抗値）×１００（％）で表される値である。実
施例１のＰＴＣサーミスタ１０個について測定した値の
平均値を表１に示す（以下の実施例および比較例におい
ても、表１に示す値はすべてＰＴＣサーミスタ１０個の
平均値である）。

【００７９】

【表１】

【００８０】また、実施例１のＰＴＣサーミスタについ
て、導電性ポリマとＰＴＣサーミスタ用電極との間の引
き剥がし強度を測定した（引き剥がし試験）。実施例１
のＰＴＣサーミスタ５個について測定した値の平均値を
表２に示す（以下の実施例および比較例においても、表
２に示す値はすべてＰＴＣサーミスタ５個の平均値であ
る）。

【００８１】

【表２】

【００８２】（実施例２）３．５ｗｔ％のメチルセルロ
ースを含む水溶液１００ｇと平均粒径２μｍの銀粉（導
電性粉末）９０ｇとをよく混練し、ペーストを得た。こ
のペーストを、厚さ６０μｍの銅箔（基体）に、ドクタ
ーブレード法によって２７μｍの膜厚になるように塗布
した。その後、窒素ガス中または空気中において、４５
０℃で熱処理することによって脱バインダを行った。そ
の後、混合ガス（水素３５％−窒素６５％）中におい
て、８７０℃で５分間熱処理を行うことによって焼結層
を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得た。このように
して形成された焼結層の表面の中心線平均粗さＲａは、
２μｍであった。

【００８３】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。すなわち、実施例１と同一の条件で作製した導電
性ポリマシートを、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電極
で挟み、１５０℃、４９０Ｎ／ｃｍ²（５０ｋｇｆ／ｃ
ｍ²）の条件で熱圧着して積層物を得たのち、この積層
物の両側の金属箔に、はんだ付けによってリード線を取
り付けて、ＰＴＣサーミスタを得た（以下の実施例にお
いても同様にＰＴＣサーミスタを作製した）。そして、
実施例１と同様の条件で、過電流印加サイクル試験およ
び引き剥がし試験を行った（表１および表２参照）。

【００８４】（実施例３）ビヒクルＡ１００ｇと平均粒
径３μｍのニッケル粉（導電性粉末）１００ｇとをよく
混練し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ６０μ
ｍのニッケル箔（基体）に、ドクターブレード法によっ
て１００μｍの膜厚になるように塗布した。その後、窒
素ガス中または空気中において、４５０℃で熱処理する
ことによって脱バインダを行った。その後、混合ガス
（水素５％−窒素９５％）中において、９００℃で５分
間熱処理を行うことによって焼結層を形成し、ＰＴＣサ
ーミスタ用電極を得た。このようにして形成された焼結
層の表面の中心線平均粗さＲａは、３．５μｍであっ
た。

【００８５】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【００８６】（実施例４）ビヒクルＡ１００ｇと平均粒
径３μｍのクロム粉（導電性粉末）１００ｇとをよく混
練し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ６０μｍ
のニッケル箔（基体）に、ドクターブレード法によって
２７μｍの膜厚になるように塗布した。その後、窒素ガ
ス中または空気中において、４５０℃で熱処理すること
によって脱バインダを行った。その後、混合ガス（水素
６５％−窒素３５％）中において、１０００℃で５分間
熱処理を行うことによって焼結層を形成し、ＰＴＣサー
ミスタ用電極を得た。このようにして形成された焼結層
の表面の中心線平均粗さＲａは、３．５μｍであった。

【００８７】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【００８８】なお、基体として銅箔を用いても、表１お
よび表２に示す実施例４の結果と同様の結果が得られ
た。また導電性粉末として、金粉末、白金粉末、パラジ
ウム粉末、黄銅粉末、青銅粉末、コバルト粉末、洋白粉
末、銅粉末、ニッケルメッキ銅粉末、すず粉末、亜鉛粉
末、タングステン粉末、モリブデン粉末、マンガン粉末
を用いても、実施例４と同様な結果が得られた。

【００８９】（実施例５）ビヒクルＡ１００ｇと導電性
粉末１００ｇ（平均粒径０．３μｍの亜鉛粉末３ｇと平
均粒径２μｍの銅粉９７ｇとの混合物）とをよく混練し
てペーストを得た。このペーストを、厚さ６０μｍのニ
ッケル箔（基体）に、ドクターブレード法によって２７
μｍの膜厚になるように塗布した。その後、混合ガス
（水蒸気１０％−窒素９０％）中において、３９０℃で
熱処理することによって、脱バインダを行った。その
後、混合ガス（水素５０％−窒素５０％）中において、
８００℃で５分間熱処理を行うことによって焼結層を形
成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得た。このようにして
形成された焼結層の表面の中心線平均粗さＲａは、２．
５μｍであった。なお、基体として、厚さが６０μｍの
銅箔を用いても同様の中心線平均粗さＲａが得られた。

【００９０】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【００９１】（実施例６）ビヒクルＡ８０ｇと平均粒径
３μｍの金粉（導電性粉末）１００ｇとをよく混練し、
ペーストを得た。このペーストを、厚さ６０μｍのニッ
ケル箔（基体）に、ドクターブレード法によって２７μ
ｍの膜厚になるように塗布した。その後、窒素ガス中ま
たは空気中において、３９０℃で熱処理することによっ
て脱バインダを行った。その後、混合ガス（水素５０％
−窒素５０％）中において、９８０℃で５分間熱処理を
行うことによって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用
電極を得た。このようにして形成された焼結層の表面の
中心線平均粗さＲａは、２μｍであった。

【００９２】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【００９３】（実施例７）ビヒクルＡ１００ｇと平均粒
径３μｍのコバルト粉（導電性粉末）１００ｇとをよく
混練し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ６０μ
ｍの銅箔（基体）に、ドクターブレード法によって２７
μｍの膜厚になるように塗布した。その後、窒素ガス中
または空気中において４５０℃で熱処理することによっ
て、脱バインダを行った。その後、混合ガス（水素２５
％−窒素７５％）中において、９００℃で５分間熱処理
を行うことによって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ
用電極を得た。このようにして形成された焼結層の表面
の中心線平均粗さＲａは、４μｍであった。

【００９４】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【００９５】実施例７において、基体として銅箔やニッ
ケル箔を用いても同様の結果が得られた。また、実施例
７では、水素ガス含有量が０．１％ないし１００％のガ
ス中で焼結を行うことができた（他の実施例においても
同様である）。また、窒素ガス中で脱バインダを行うこ
とによって、空気中で脱バインダを行うよりも焼結時間
を短縮できた。また、窒素ガスに水蒸気を添加したガス
中で脱バインダを行うと、さらに焼結時間を短縮でき
た。

【００９６】（実施例８）ビヒクルＡ１００ｇと平均粒
径３μｍのニッケル粉（導電性粉末）１００ｇとをよく
混練し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ６０μ
ｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４からなる基体）に、ド
クターブレード法によって２７μｍの膜厚になるように
塗布した。その後、窒素ガス中または空気中において４
５０℃で熱処理することによって、脱バインダを行っ
た。その後、混合ガス（水素５０％−窒素５０％）中に
おいて、９００℃で５分間熱処理を行うことによって焼
結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得た。このよ
うにして形成された焼結層の表面の中心線平均粗さＲａ
は、３．５μｍであった。

【００９７】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【００９８】（実施例９）ビヒクルＡ１２０ｇと導電性
粉末１００ｇ（平均粒径３μｍのニッケル粉８０ｇと平
均粒径１μｍ以下のニッケル粉２０ｇとの混合物）とを
よく混練してペーストを得た。このペーストを、厚さ１
０μｍのニッケルがメッキされた基体（厚さ６０μｍの
銅箔）に、ドクターブレード法によって２７μｍの膜厚
になるように塗布した。その後、窒素ガス中または空気
中において、４５０℃で熱処理することによって、脱バ
インダを行った。その後、混合ガス（水素５０％−窒素
５０％）中において、８９０℃で５分間熱処理を行うこ
とによって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を
得た。このようにして形成された焼結層の表面の中心線
平均粗さＲａは、４μｍであった。

【００９９】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１００】なお、基体として、クロムをメッキした銅
箔を用いても同様の結果が得られた。

【０１０１】（実施例１０）ビヒクルＡ１２０ｇと導電
性粉末１００ｇ（平均粒径３μｍのニッケル粉８０ｇと
平均粒径１μｍ以下のニッケル粉２０ｇとの混合物）を
よく混練し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ
１．５μｍのニッケルをメッキした基体（厚さ６０μｍ
の銅箔）に、ドクターブレード法によって２７μｍの膜
厚になるように塗布した。その後、窒素ガス中または空
気中において、４５０℃で熱処理することによって脱バ
インダを行った。その後、混合ガス（水素５０％−窒素
５０％）中において、８９０℃で５分間熱処理を行うこ
とによって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を
得た。このようにして形成された焼結層の表面の中心線
平均粗さＲａは、３μｍであった。

【０１０２】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１０３】なお、ニッケルメッキの厚さを０．０１μ
ｍとしても、同様の結果が得られた。

【０１０４】また、上記導電性粉末において、平均粒径
が０．７μｍ以下のニッケル粉の含有量を６０ｗｔ％以
下とすることによって、導電性ポリマとの接合力が強い
ＰＴＣサーミスタ用電極が得られた。

【０１０５】また、導電性粉末としては、円柱状の粉末
や、直方体状の粉末を用いることによって、特に好まし
い結果が得られた。具体的には、扁平率２以上の楕円体
状粒子粉末、針状比１．３以上の針状粒子粉末を用いる
ことによって、抵抗値変化率が小さいＰＴＣサーミスタ
が得られた。特に、複数の粒子がチェーン状に連結した
構造を有する導電性粉末を用いると、抵抗値変化率が非
常に小さいＰＴＣサーミスタが得られた。これらの導電
性粉末を用いると、焼結層中の空隙が大きくなるため、
導電性ポリマとの接着力が向上するものと考えられる。

【０１０６】（実施例１１）ビヒクルＡ１２０ｇと導電
性粉末１００ｇ（平均粒径３μｍの銅粉８０ｇと平均粒
径１μｍ以下のニッケル粉２０ｇとの混合物）をよく混
練し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ６０μｍ
の銅箔（基体）に、ドクターブレード法によって２０μ
ｍの膜厚になるように塗布した。その後、窒素ガス中ま
たは空気中において４５０℃で熱処理することによっ
て、脱バインダを行った。その後、混合ガス（水素５０
％−窒素５０％）中において、９００℃で５分間熱処理
を行うことによって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ
用電極を得た。このようにして形成された焼結層の表面
の中心線平均粗さＲａは、２μｍであった。なお、基体
として、厚さ１００μｍのニッケル箔や厚さ１ｍｍのニ
ッケル板を用いても、同様の中心線平均粗さＲａが得ら
れた。

【０１０７】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１０８】（実施例１２）ビヒクルＡ１２０ｇと導電
性粉末１００ｇ（平均粒径３μｍの銅粉８０ｇと平均粒
径２μｍのニッケル粉２０ｇとの混合物）とをよく混練
し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ６０μｍの
銅箔（基体）に、ドクターブレード法によって２７μｍ
の膜厚になるように塗布した。その後、窒素ガス中また
は空気中において４５０℃で熱処理することによって、
脱バインダを行った。その後、混合ガス（水素５０％−
窒素５０％）中において、９００℃で５分間熱処理を行
うことによって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電
極を得た。このようにして形成された焼結層の表面の中
心線平均粗さＲａは、３．５μｍであった。

【０１０９】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１１０】なお、導電性粉末として、銅粉およびニッ
ケル粉の代わりに、チタン粉、クロム粉、白金粉、コバ
ルト粉、銀粉、金粉、黄銅粉、青銅粉、洋白粉、タング
ステン粉、モリブデン粉、マンガン粉、パラジウム粉、
亜鉛粉、すず粉、およびニッケルリンやニッケルボロン
でメッキをした金属粉末を用いても同様の結果が得られ
た。

【０１１１】（実施例１３）ロジン５ｇと溶媒であるα
ターピネオール１００ｇとを混合してビヒクルを得た。
このビヒクル１０５ｇと導電性粉末１００ｇ（平均粒径
３μｍの銅粉９０ｇと平均粒径１μｍ以下のすず粉１０
ｇとの混合物）とをよく混練し、ペーストを得た。この
ペーストを、厚さ６０μｍの銅箔（基体）に、ドクター
ブレード法によって２７μｍの膜厚になるように塗布し
た。その後、窒素ガス中において４００℃で熱処理する
ことによって、脱バインダを行った。その後、混合ガス
（水素５０％−窒素５０％）中において、７００℃で５
分間熱処理を行うことによって焼結層を形成し、ＰＴＣ
サーミスタ用電極を得た。このようにして形成された焼
結層の表面の中心線平均粗さＲａは、３．５μｍであっ
た。

【０１１２】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１１３】なお、導電性粉末として、すず粉の含有量
が３０ｗｔ％以下（銅粉の含有量が７０ｗｔ％以上）の
導電性粉末を用いると良好な結果が得られた。

【０１１４】また、基体として、金、パラジウム、銀、
亜鉛、すず、鉄、銅、ニッケル、コバルト、クロム、白
金、チタン、洋白、黄銅、青銅、ニッケルリンやニッケ
ルボロンでメッキをした金属箔を用いても同様の結果が
得られた。また、基体と導電性粉末とに同一材質のメッ
キを行った場合には、熱処理時間を短縮することができ
た。

【０１１５】（実施例１４）ビヒクルＡ１００ｇと平均
粒径３μｍのニッケル粉（導電性粉末）１００ｇとをよ
く混練し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ２μ
ｍのパラジウムをメッキした基体（厚さ６０μｍの銅
箔）に、ドクターブレード法によって２７μｍの膜厚に
なるように塗布した。その後、窒素ガス中または空気中
において４５０℃で熱処理することによって、脱バイン
ダを行った。その後、混合ガス（水素５０％−窒素５０
％）中において、９５０℃で５分間熱処理を行うことに
よって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得
た。このようにして形成された焼結層の表面の中心線平
均粗さＲａは、４．５μｍであった。

【０１１６】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１１７】（実施例１５）ビヒクルＡ１００ｇと平均
粒径３μｍのニッケル粉（導電性粉末）１００ｇとをよ
く混練し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ１μ
ｍのインジウムをメッキした基体（厚さ６０μｍの銅
箔）に、ドクターブレード法によって２７μｍの膜厚に
なるように塗布した。その後、窒素ガス中または空気中
において４５０℃で熱処理することによって、脱バイン
ダを行った。その後、混合ガス（水素５０％−窒素５０
％）中において、８５０℃で５分間熱処理を行うことに
よって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得
た。このようにして形成された焼結層の表面の中心線平
均粗さＲａは、４μｍであった。

【０１１８】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１１９】（実施例１６）ビヒクルＡ１００ｇと平均
粒径３μｍのニッケル粉（導電性粉末）１００ｇとをよ
く混練し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ１μ
ｍのすずをメッキした基体（厚さ６０μｍの銅箔）に、
ドクターブレード法によって２７μｍの膜厚になるよう
に塗布した。その後、窒素ガス中または空気中において
４５０℃で熱処理することによって、脱バインダを行っ
た。その後、混合ガス（水素５０％−窒素５０％）中に
おいて、８５０℃で５分間熱処理を行うことによって焼
結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得た。このよ
うにして形成された焼結層の表面の中心線平均粗さＲａ
は、３．５μｍであった。

【０１２０】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１２１】（実施例１７）ビヒクルＡ１００ｇと平均
粒径３μｍのニッケル粉（導電性粉末）１００ｇとをよ
く混練し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ１μ
ｍの亜鉛をメッキした基体（厚さ６０μｍの銅箔）に、
ドクターブレード法によって９０μｍの膜厚になるよう
に塗布した。その後、窒素ガス中または空気中において
４５０℃で熱処理することによって、脱バインダを行っ
た。その後、混合ガス（水素５０％−窒素５０％）中に
おいて、８７０℃で５分間熱処理を行うことによって焼
結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得た。このよ
うにして形成された焼結層の表面の中心線平均粗さＲａ
は、４．５μｍであった。

【０１２２】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１２３】（実施例１８）ビヒクルＡ１００ｇと平均
粒径３μｍのニッケル粉（導電性粉末）１００ｇとをよ
く混練し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ１μ
ｍのニッケルをメッキした基体（厚さ６０μｍの銅箔）
に、ドクターブレード法によって２７μｍの膜厚になる
ように塗布した。その後、窒素ガス中または空気中にお
いて４５０℃で熱処理することによって、脱バインダを
行った。その後、混合ガス（水素５０％−窒素５０％）
中において９００℃で５分間熱処理を行うことによって
焼結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得た。この
ようにして形成された焼結層の表面の中心線平均粗さＲ
ａは、３μｍであった。

【０１２４】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１２５】（実施例１９）ビヒクルＡ１００ｇと平均
粒径３μｍのニッケル粉（導電性粉末）１００ｇとをよ
く混練し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ１μ
ｍの金をメッキした基体（厚さ６０μｍの銅箔）に、ド
クターブレード法によって２７μｍの膜厚になるように
塗布した。その後、窒素ガス中または空気中において４
５０℃で熱処理することによって、脱バインダを行っ
た。その後、混合ガス（水素５％−窒素９５％）中にお
いて、９５０℃で５分間熱処理を行うことによって焼結
層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得た。このよう
にして形成された焼結層の表面の中心線平均粗さＲａ
は、３．５μｍであった。

【０１２６】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１２７】なお、金の代わりに基体に白金をメッキし
た場合でも、同様の結果が得られた。

【０１２８】（実施例２０）ビヒクルＡ１００ｇと平均
粒径３μｍの亜鉛粉（導電性粉末）１００ｇとをよく混
練し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ６０μｍ
の銅箔（基体）に、ドクターブレード法によって２７μ
ｍの膜厚になるように塗布した。その後、窒素ガス中ま
たは空気中において３９０℃で熱処理することによっ
て、脱バインダを行った。その後、混合ガス（水素５０
％−窒素５０％）中において、４１８℃で５分間熱処理
を行うことによって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ
用電極を得た。このようにして形成された焼結層の表面
の中心線平均粗さＲａは、４．５μｍであった。

【０１２９】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１３０】（実施例２１）ビヒクルＡ１００ｇと平均
粒径３μｍの白金粉（導電性粉末）１００ｇとをよく混
練し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ６０μｍ
の銅箔（基体）に、ドクターブレード法によって２７μ
ｍの膜厚になるように塗布した。その後、窒素ガス中ま
たは空気中において４５０℃で熱処理することによっ
て、脱バインダを行った。その後、混合ガス（水素５０
％−窒素５０％）中において、１０００℃で５分間熱処
理を行うことによって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミス
タ用電極を得た。このようにして形成された焼結層の表
面の中心線平均粗さＲａは、２．５μｍであった。

【０１３１】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１３２】（実施例２２）ビヒクルＡ１００ｇと平均
粒径３μｍのパラジウム粉（導電性粉末）１００ｇとを
よく混練し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ
０．１μｍのＣｏをメッキした基体（厚さ６０μｍの鉄
箔）に、ドクターブレード法によって２７μｍの膜厚に
なるように塗布した。その後、窒素ガス中または空気中
において４５０℃で熱処理することによって、脱バイン
ダを行った。その後、混合ガス（水素５０％−窒素５０
％）中において、９５０℃で５分間熱処理を行うことに
よって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得
た。このようにして形成された焼結層の表面の中心線平
均粗さＲａは、３μｍであった。なお、基体に銅箔また
はニッケル箔を用いても、同様の中心線平均粗さＲａが
得られた。

【０１３３】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１３４】（実施例２３）ビヒクルＡ１００ｇと平均
粒径３μｍのチタン粉（導電性粉末）１００ｇとをよく
混練し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ６０μ
ｍのニッケル箔に、ドクターブレード法によって、２７
μｍの膜厚になるように塗布した。その後、窒素ガス中
において４５０℃で熱処理することによって、脱バイン
ダを行った。その後、混合ガス（水素５０％−炭酸ガス
５０％）中において、１０５０℃で５分間熱処理を行う
ことによって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極
を得た。このようにして形成された焼結層の表面の中心
線平均粗さＲａは、３μｍであった。

【０１３５】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１３６】（実施例２４）ビヒクルＡ１００ｇと導電
性粉末（厚さ０．５μｍのニッケルをメッキした平均粒
径２μｍの銅粉）１００ｇとをよく混練し、ペーストを
得た。このペーストを、厚さ１μｍのニッケルをメッキ
をした基体（厚さ６０μｍの鉄箔）に、ドクターブレー
ド法によって２７μｍの膜厚になるように塗布した。そ
の後、窒素ガス中において４５０℃で熱処理することに
よって、脱バインダを行った。その後、混合ガス（水素
５０％−窒素５０％）中において、９００℃で５分間熱
処理を行うことによって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミ
スタ用電極を得た。このようにして形成された焼結層の
表面の中心線平均粗さＲａは、３．５μｍであった。な
お、基体として銅箔を用いた場合でも、同様の中心線平
均粗さＲａが得られた。

【０１３７】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１３８】（実施例２５）ビヒクルＡ１００ｇと導電
性粉末（厚さ０．５μｍのすずをメッキした平均粒径２
μｍの銅粉）１００ｇとをよく混練し、ペーストを得
た。このペーストを、厚さ１μｍのニッケルをメッキし
た基体（厚さ６０μｍの銅箔）に、ドクターブレード法
によって２７μｍの膜厚になるように塗布した。その
後、窒素ガス中において４５０℃で熱処理することによ
って、脱バインダを行った。その後、混合ガス（水素１
０％−窒素９０％）中において、８５０℃で５分間熱処
理を行うことによって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミス
タ用電極を得た。このようにして形成された焼結層の表
面の中心線平均粗さＲａは、３μｍであった。

【０１３９】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１４０】（実施例２６）ビヒクルＡ１００ｇと導電
性粉末（厚さ０．５μｍのすずをメッキした平均粒径２
μｍのニッケル粉）１００ｇとをよく混練し、ペースト
を得た。このペーストを、厚さ１μｍのニッケルをメッ
キした基体（厚さ６０μｍの銅箔）に、ドクターブレー
ド法によって２７μｍの膜厚になるように塗布した。そ
の後、窒素ガス中において４５０℃で熱処理することに
よって、脱バインダを行った。その後、混合ガス（水素
５０％−窒素５０％）中において、８３０℃で５分間熱
処理を行うことによって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミ
スタ用電極を得た。このようにして形成された焼結層の
表面の中心線平均粗さＲａは、３．５μｍであった。

【０１４１】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１４２】（実施例２７）ビヒクルＡ１００ｇと導電
性粉末（厚さ０．５μｍの白金をメッキした平均粒径２
μｍの鉄粉）１００ｇとをよく混練し、ペーストを得
た。このペーストを、厚さ１μｍのニッケルをメッキし
た基体（厚さ６０μｍの銅箔）に、ドクターブレード法
によって２７μｍの膜厚になるように塗布した。その
後、窒素ガス中において４５０℃で熱処理することによ
って、脱バインダを行った。その後、混合ガス（水素５
０％−窒素５０％）中において、９５０℃で５分間熱処
理を行うことによって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミス
タ用電極を得た。このようにして形成された焼結層の表
面の中心線平均粗さＲａは、３．５μｍであった。

【０１４３】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１４４】なお、導電性粉末として、亜鉛、金、白
金、銀、クロム、コバルト、錫、インジウムまたはパラ
ジウムをメッキした銅粉を用いても同様の結果が得られ
た。また、導電性粉末として、銅粉にニッケルリンまた
はニッケルボロンをメッキしたものを用いても同様の結
果が得られた。また、導電性粉末として、亜鉛、金、白
金、クロム、コバルト、インジウム、銅、パラジウム、
ニッケルリンまたはニッケルボロンをメッキしたニッケ
ル粉を用いても同様の結果が得られた。また、導電性粉
末として、すず、亜鉛、白金、ニッケル、銅、銀、クロ
ム、コバルト、インジウム、パラジウム、ニッケルリン
またはニッケルボロンをメッキした鉄粉を用いても同様
の結果が得られた。また、導電性粉末として、すず、亜
鉛、白金、ニッケル、銅、銀、コバルト、インジウム、
金、パラジウム、ニッケルリンまたはニッケルボロンを
メッキしたクロム粉を用いても同様の結果が得られた。
また、すず、亜鉛、ニッケル、白金、金、銅、クロム、
コバルト、インジウム、パラジウム、ニッケルリンまた
はニッケルボロンをメッキした銀粉を用いても同様の結
果が得られた。また、導電性粉末として、すず、亜鉛、
白金、ニッケル、銅、銀、クロム、インジウム、金、パ
ラジウム、ニッケルリンまたはニッケルボロンをメッキ
したコバルト粉を用いても同様の結果が得られた。ま
た、導電性粉末として、亜鉛粉、白金粉、金粉、マンガ
ン粉、タングステン粉またはモリブデン粉に、上記金属
または合金類のメッキを行っても同様の効果が得られ
た。導電性粉末のメッキの厚さとしては、０．１μｍな
いし２μｍ程度が良好であった。

【０１４５】（実施例２８）ビヒクルＡ１００ｇと導電
性粉末１００ｇ（平均粒径３μｍの銀粉９５ｇと平均粒
径３μｍのすず粉５ｇとの混合物）とをよく混練し、ペ
ーストを得た。このペーストを、厚さ６０μｍの銅箔
（基体）に、ドクターブレード法によって２７μｍの膜
厚になるように塗布した。その後、窒素ガス中において
４５０℃で熱処理することによって、脱バインダを行っ
た。その後、混合ガス（水素１５％−窒素８５％）中に
おいて、８００℃で５分間熱処理を行うことによって焼
結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得た。このよ
うにして形成された焼結層の表面の中心線平均粗さＲａ
は、３．５μｍであった。

【０１４６】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１４７】なお、導電性粉末として、銀粉の含有量が
４０ｗｔ％以上（すず粉の含有量が６０ｗｔ％以下）の
導電性粉末を用いた場合には、良好な結果が得られた。

【０１４８】（実施例２９）ビヒクルＡ１００ｇと導電
性粉末１００ｇ（平均粒径３μｍの銅粉９５ｇと平均粒
径３μｍの亜鉛粉５ｇとの混合物）とをよく混練し、ペ
ーストを得た。このペーストを、厚さ６０μｍの銅箔
（基体）に、ドクターブレード法によって２７μｍの膜
厚になるように塗布した。その後、窒素ガス中において
４００℃で熱処理することによって、脱バインダを行っ
た。その後、混合ガス（水素５０％−窒素５０％）中に
おいて、８２５℃で５分間熱処理を行うことによって焼
結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得た。このよ
うにして形成された焼結層の表面の中心線平均粗さＲａ
は、３．５μｍであった。

【０１４９】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１５０】なお、上記実施例では、導電性粉末中の銅
粉と亜鉛粉の含有量を変化させても、良好な結果が得ら
れた。

【０１５１】（実施例３０）ビヒクルＡ１００ｇと導電
性粉末１００ｇ（平均粒径３μｍの銀粉９５ｇと平均粒
径２μｍの亜鉛粉５ｇとの混合物）とをよく混練し、ペ
ーストを得た。このペーストを、厚さ６０μｍの銅箔
（基体）に、ドクターブレード法によって２７μｍの膜
厚になるように塗布した。その後、窒素ガス中において
４００℃で熱処理することによって、脱バインダを行っ
た。その後、混合ガス（水素８％−窒素９２％）中にお
いて、８２５℃で５分間熱処理を行うことによって焼結
層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得た。このよう
にして形成された焼結層の表面の中心線平均粗さＲａ
は、２．５μｍであった。

【０１５２】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１５３】なお、上記導電性粉末では、銀粉と亜鉛粉
の含有量を変化させても、良好な結果が得られた。

【０１５４】（実施例３１）ビヒクルＡ１００ｇと導電
性粉末１００ｇ（平均粒径３μｍのニッケル粉９５ｇと
平均粒径３μｍの亜鉛粉５ｇとの混合物）とをよく混練
し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ６０μｍの
銅箔（基体）に、ドクターブレード法によって２７μｍ
の膜厚になるように塗布した。その後、窒素ガス中にお
いて４００℃で熱処理することによって、脱バインダを
行った。その後、混合ガス（水素５０％−窒素５０％）
中において、８２５℃で５分間熱処理を行うことによっ
て焼結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得た。こ
のようにして形成された焼結層の表面の中心線平均粗さ
Ｒａは、２．５μｍであった。

【０１５５】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１５６】なお、上記導電性粉末では、ニッケル粉と
亜鉛粉の含有量を変化させても、良好な結果が得られ
た。

【０１５７】（実施例３２）ビヒクルＡ１００ｇと導電
性粉末１００ｇ（平均粒径３μｍのニッケル粉９５ｇと
平均粒径３μｍのすず粉５ｇとの混合物）とをよく混練
し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ６０μｍの
銅箔（基体）に、ドクターブレード法によって２７μｍ
の膜厚になるように塗布した。その後、窒素ガス中にお
いて４５０℃で熱処理することによって、脱バインダを
行った。その後、混合ガス（水素２０％−窒素８０％）
中において、８２５℃で５分間熱処理を行うことによっ
て焼結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得た。こ
のようにして形成された焼結層の表面の中心線平均粗さ
Ｒａは、３．５μｍであった。

【０１５８】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１５９】なお、導電性粉末として、ニッケル粉の含
有量が４０ｗｔ％以上（すず粉の含有量が６０ｗｔ％以
下）の導電性粉末を用いることによって、良好な結果が
得られた。

【０１６０】（実施例３３）ビヒクルＡ１００ｇと導電
性粉末１００ｇ（平均粒径３μｍのコバルト粉９５ｇと
平均粒径３μｍの亜鉛粉５ｇとの混合物）をよく混練
し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ６０μｍの
銅箔（基体）に、ドクターブレード法によって２７μｍ
の膜厚になるように塗布した。その後、約６６７０Ｐａ
（５０ｍｍＨｇ）の水蒸気を含む窒素ガス中において４
００℃で熱処理することによって、脱バインダを行っ
た。その後、混合ガス（水素１％−窒素９９％）中にお
いて、８４５℃で５分間熱処理を行うことによって焼結
層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得た。このよう
にして形成された焼結層の表面の中心線平均粗さＲａ
は、３μｍであった。

【０１６１】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１６２】なお、上記実施例では、導電性粉末中のニ
ッケル粉と亜鉛粉の含有量を変化させても、良好な結果
が得られた。

【０１６３】（実施例３４）ビヒクルＡ１００ｇと導電
性粉末１００ｇ（平均粒径３μｍのニッケル粉５０ｇと
平均粒径３μｍの銅粉５０ｇとの混合物）をよく混練
し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ０．５μｍ
のニッケルをメッキした基体（厚さ６０μｍの銅箔）
に、ドクターブレード法によって、１００μｍの膜厚に
なるように塗布した。その後、窒素ガス中または空気中
において４５０℃で熱処理することによって、脱バイン
ダを行った。その後、混合ガス（水素５０％−窒素５０
％）中において、９５０℃で５分間熱処理を行うことに
よって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得
た。このようにして形成された焼結層の表面の中心線平
均粗さＲａは、６μｍであった。

【０１６４】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１６５】（実施例３５）ビヒクルＡ１００ｇと導電
性粉末１００ｇ（平均粒径３μｍのインジウム粉５ｇと
平均粒径３μｍの銅粉９５ｇとの混合物）とをよく混練
し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ６０μｍの
銅箔（基体）に、ドクターブレード法によって２７μｍ
の膜厚になるように塗布した。その後、窒素ガス中にお
いて４００℃で熱処理することによって、脱バインダを
行った。その後、混合ガス（水素５０％−窒素５０％）
中において、７００℃で５分間熱処理を行うことによっ
て焼結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得た。こ
のようにして形成された焼結層の表面の中心線平均粗さ
Ｒａは、３．５μｍであった。

【０１６６】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１６７】なお、導電性粉末として、銅粉の含有量が
４０ｗｔ％以上（インジウム粉の含有量が６０ｗｔ％以
下）の導電性粉末を用いることによって、良好な結果が
得られた。

【０１６８】（実施例３６）ビヒクルＡ１００ｇと導電
性粉末１００ｇ（平均粒径３μｍのすず粉５ｇと平均粒
径２μｍの銅粉５ｇと平均粒径３μｍのニッケル粉９０
ｇとの混合物）とをよく混練し、ペーストを得た。この
ペーストを、厚さ６０μｍの銅箔（基体）に、ドクター
ブレード法によって２７μｍの膜厚になるように塗布し
た。その後、窒素ガス中において４００℃で熱処理する
ことによって、脱バインダを行った。その後、混合ガス
（水素１０％−窒素９０％）中において、７００℃で５
分間熱処理を行うことによって焼結層を形成し、ＰＴＣ
サーミスタ用電極を得た。このようにして形成された焼
結層の表面の中心線平均粗さＲａは、３μｍであった。

【０１６９】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１７０】なお、導電性粉末として、すず粉の含有量
が６０ｗｔ％以下の導電性粉末を用いることによって、
良好な結果が得られた。

【０１７１】（実施例３７）ビヒクルＡ１００ｇと導電
性粉末９２ｇ（平均粒径２μｍのすず粉１ｇと平均粒径
２μｍの亜鉛粉１ｇと平均粒径２μｍのニッケル粉９０
ｇとの混合物）をよく混練し、ペーストを得た。このペ
ーストを、厚さ６０μｍの銅箔（基体）に、ドクターブ
レード法によって２７μｍの膜厚になるように塗布し
た。その後、窒素ガス中において４００℃で熱処理する
ことによって、脱バインダを行った。その後、混合ガス
（水素１０％−窒素９０％）中において、７５０℃で５
分間熱処理を行うことによって焼結層を形成し、ＰＴＣ
サーミスタ用電極を得た。このようにして形成された焼
結層の表面の中心線平均粗さＲａは、２μｍであった。

【０１７２】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１７３】（実施例３８）ビヒクルＡ１００ｇと平均
粒径６μｍのニッケル粉（導電性粉末）１００ｇとをよ
く混練し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ１μ
ｍのニッケルをメッキした基体（厚さ６０μｍの銅箔）
に、ドクターブレード法によって、６０μｍの膜厚にな
るように塗布した。その後、窒素ガス中において４００
℃で熱処理することによって、脱バインダを行った。そ
の後、混合ガス（水素２０％−窒素８０％）中におい
て、９００℃で１０分間熱処理を行うことによって焼結
層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得た。このよう
にして形成された焼結層の表面の中心線平均粗さＲａ
は、７μｍであった。

【０１７４】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１７５】（実施例３９）ビヒクルＡ１３０ｇと導電
性粉末１００ｇ（平均粒径０．２μｍのすず粉５ｇと平
均粒径０．２μｍの亜鉛粉５ｇと平均粒径０．２μｍの
ニッケル粉９０ｇとの混合物）とをよく混練し、ペース
トを得た。このペーストを、基体（厚さ６０μｍの銅
箔）に、ダイコーター法（塗布速度１０ｍｍ／ｓｅｃ）
によって、５μｍの膜厚になるように塗布した。その
後、窒素ガス中において４００℃で熱処理することによ
って、脱バインダを行った。その後、混合ガス（水素５
０％−窒素５０％）中において、７００℃で５分間熱処
理を行うことによって、緻密な焼結層を形成した。

【０１７６】次に、ブチラール樹脂５ｗｔ％と、溶媒で
ある酢酸ブチル２５ｗｔ％およびブチルセロソルブ７０
ｗｔ％とを混合して、ビヒクルを得た。このビヒクル１
００ｇと導電性粉末１００ｇ（平均粒径２μｍのすず粉
５ｇと平均粒径２μｍの亜鉛粉５ｇと平均粒径２μｍの
ニッケル粉９０ｇとの混合物）とをよく混練し、ペース
トを得た。このペーストを、上記緻密な焼結層上に、ド
クターブレード法によって、２７μｍの膜厚になるよう
に塗布した。その後、窒素ガス中において４００℃で熱
処理することによって、脱バインダを行った。その後、
混合ガス（水素５０％−窒素５０％）中において、７０
０℃で５分間熱処理を行うことによって、焼結層を形成
した。このようにして、緻密な焼結層および粗い焼結層
の２層の焼結層を有するＰＴＣサーミスタ用電極を作製
した。焼結層の表面の中心線平均粗さＲａは、１．５μ
ｍであった。

【０１７７】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１７８】また、導電性粉末として、銅粉等を添加し
た４種類以上の金属粉末を含む導電性粉末を用いても、
表１および表２に示す結果と同様の結果が得られた。

【０１７９】また、上記緻密な焼結層を形成する際に、
導電性粉末として、平均粒径０．２μｍの金属粉末の代
わりに、平均粒径０．７μｍの金属粉末を用いた場合に
は、焼成温度を３０℃高くする必要があり、中心線平均
粗さＲａが大きくなったものの、表１および表２と同様
な結果を得た。

【０１８０】なお、以下の方法でも、２層の焼結層を有
するＰＴＣサーミスタ用電極を製造できる。すなわち、
まず、ビヒクルＡ１３０ｇと導電性粉末１００ｇ（平均
粒径０．２μｍのすず粉５ｇと平均粒径０．２μｍの亜
鉛粉５ｇと平均粒径０．２μｍのニッケル粉９０ｇとの
混合物）とをよく混練し、第１のペーストを得た。この
第１のペーストを、基体（厚さ６０μｍの銅箔）に、ダ
イコーター法（塗布速度１０ｍｍ／ｓｅｃ）によって、
５μｍの膜厚になるように塗布し、塗布した第１のペー
ストを乾燥させた。次にブチラール樹脂５％に溶媒であ
る酢酸ブチル２５％ブチルセロソルブ７０％とを混合し
て、ビヒクルを得た。このビヒクル１００ｇと２μｍの
すず粉５ｇと２μｍの亜鉛粉５ｇと２μｍのニッケル粉
９０ｇの比で配合したもの（導電性粉末）をよく混練
し、第２のペーストを得た。この第２のペーストを、第
１のペーストが塗布された銅箔にドクターブレード法
（塗布速度）によって２７μｍの膜厚に１０ｍｍ／ｓｅ
ｃにて塗布し、窒素ガス中において４００℃で熱処理す
ることによって、脱バインダを行った。その後、混合ガ
ス（水素５０％−窒素５０％）中において、７００℃で
５分間熱処理を行うことによって焼結層を形成し、ＰＴ
Ｃサーミスタ用電極を得た。このようにして形成された
焼結層の表面の中心線平均粗さＲａは、１．７μｍであ
った。上記製造方法によって形成されたＰＴＣサーミス
タ用電極を用いてＰＴＣサーミスタを作製した。その結
果、試験前抵抗値４６ｍΩ、試験後抵抗値６８ｍΩ、抵
抗値変化率４８％、引き剥がし強度２１．６Ｎ／ｃｍ²
（２．２ｋｇｆ／ｃｍ²）のＰＴＣサーミスタが得られ
た。

【０１８１】（実施例４０）ビヒクルＡ１００ｇと平均
粒径３μｍのニッケル粉（導電性粉末）１００ｇとをよ
く混練し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ１μ
ｍのニッケルをメッキした基体（厚さ６０μｍの銅箔）
に、ドクターブレード法によって２７μｍの膜厚になる
ように塗布した。なお、基体である銅箔には、メッキを
する前に、２２０メッシュパスのアルミナを用いてサン
ドブラスト処理を行って、表面に凹凸を形成しておい
た。その後、窒素ガス中において３９０℃で熱処理する
ことによって、脱バインダを行った。その後、混合ガス
（水素５０％−窒素５０％）中において、８９０℃で５
分間熱処理を行うことによって焼結層を形成し、ＰＴＣ
サーミスタ用電極を得た。このようにして形成された焼
結層の表面の中心線平均粗さＲａは、３．５μｍであっ
た。

【０１８２】なお、上記実施例では、基体である金属箔
の種類、メッキの有無、導電性粉末のメッキの有無にか
かわらず、良好な結果が得られた。

【０１８３】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１８４】（実施例４１）ビヒクルＡ１００ｇと平均
粒径３μｍのニッケル粉（導電性粉末）１００ｇとをよ
く混練し、ペーストを得た。このペーストを、基体（３
規定の硝酸を用いて化学エッチングを行い、表面に凹凸
を形成した厚さ６０μｍの銅箔）に、ドクターブレード
法によって２７μｍの膜厚になるように塗布した。その
後、窒素ガス中において５００℃で熱処理することによ
って、脱バインダを行った。その後、混合ガス（水素５
０％−窒素５０％）中において、１０００℃で５分間熱
処理を行うことによって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミ
スタ用電極を得た。このようにして形成された焼結層の
表面の中心線平均粗さＲａは、３μｍであった。

【０１８５】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１８６】なお、基体をエッチングして凹凸を形成す
るために用いるエッチング液には、様々なものを用いる
ことができるが、硫酸−過酸化水素系のエッチング液を
用いることによって、特に大きな凹凸を形成することが
できた。エッチング液を選択することによって、基体で
ある金属箔の種類、メッキの有無、導電性粉末のメッキ
の有無にかかわらず、良好な結果が得られた。

【０１８７】（実施例４２）ビヒクルＡ１００ｇと平均
粒径２μｍのニッケル粉（導電性粉末）１００ｇとをよ
く混練し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ０．
１μｍのニッケルをメッキした基体（メッキする前に３
規定の塩化ナトリウム水溶液中で電解エッチングを行う
ことによって、表面に凹凸を形成した厚さ６０μｍの銅
箔）に、ドクターブレード法によって２７μｍの膜厚に
なるように塗布した。その後、窒素ガス中において３９
０℃で熱処理することによって、脱バインダを行った。
その後、混合ガス（水素５０％−窒素５０％）中におい
て、８９０℃で５分間熱処理を行うことによって焼結層
を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得た。このように
して形成された焼結層の表面の中心線平均粗さＲａは、
３．５μｍであった。

【０１８８】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１８９】なお、基体として、メタリコン（金属溶射
被覆法）によって表面に凹凸を形成した銅箔を用いて
も、同様の結果が得られた。

【０１９０】（実施例４３）エチルセルロース４ｗｔ％
と、溶媒であるエタノール４８ｗｔ％およびトルエン４
８ｗｔ％とを混合して、ビヒクルを得た。このビヒクル
１００ｇと平均粒径２μｍのニッケル粉（導電性粉末）
１００ｇとをよく混練し、ペーストを得た。このペース
トを、厚さ１μｍのニッケルをメッキした基体（厚さ６
０μｍの銅箔）に、ドクターブレード法によって２７μ
ｍの膜厚になるように塗布した。その後、窒素ガス中に
おいて３９０℃で熱処理することによって、脱バインダ
を行った。その後、混合ガス（水素５０％−窒素５０
％）中において、９００℃で５分間熱処理を行うことに
よって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得
た。このようにして形成された焼結層の表面の中心線平
均粗さＲａは、２．５μｍであった。

【０１９１】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１９２】（実施例４４）ビヒクルＡ１００ｇと導電
性粉末１００ｇ（厚さ０．５μｍのニッケルをメッキし
た平均粒径２μｍの鉄粉５ｇと厚さ０．５μｍのニッケ
ルをメッキした平均粒径２μｍの銅粉５ｇと平均粒径２
μｍのニッケル粉９０ｇとの混合物）とをよく混練し、
ペーストを得た。このペーストを、厚さ１μｍのニッケ
ルをメッキした基体（厚さ６０μｍの銅箔）に、ドクタ
ーブレード法によって２７μｍの膜厚になるように塗布
した。その後、窒素ガス中において４５０℃で熱処理す
ることによって、脱バインダを行った。その後、混合ガ
ス（水素５０％−窒素５０％）中において、９００℃で
５分間熱処理を行うことによって焼結層を形成し、ＰＴ
Ｃサーミスタ用電極を得た。このようにして形成された
焼結層の表面の中心線平均粗さＲａは、２μｍであっ
た。

【０１９３】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１９４】（実施例４５）ビヒクルＡ８０ｇと導電性
粉末１００ｇ（平均粒径２μｍのすず粉５ｇと平均粒径
２μｍの亜鉛粉５ｇと平均粒径５０μｍのニッケル粉９
０ｇとの混合物）とをよく混練し、ペーストを得た。こ
のペーストを、厚さ１μｍのニッケルをメッキをした基
体（厚さ６０μｍの銅箔）に、ドクターブレード法によ
って、１５０μｍの膜厚になるように塗布した。その
後、窒素ガス中において３９０℃で熱処理することによ
って、脱バインダを行った。その後、混合ガス（水素５
０％−窒素５０％）中において、７００℃で１５分間熱
処理を行うことによって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミ
スタ用電極を得た。このようにして形成された焼結層の
表面の中心線平均粗さＲａは２０μｍであった。

【０１９５】なお、導電性粉末として、平均粒径が５０
μｍ以下の導電性粉末を用いることによって、ペースト
中で導電性粉末が沈殿することを抑制でき、特に容易に
ペーストを基体に塗布することができた。

【０１９６】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０１９７】なお、導電性粉末として、ニッケル粉の含
有量が４０ｗｔ％以上の導電性粉末を用いることによっ
て、銅箔との接着力が特に大きくなった。

【０１９８】（実施例４６）ビヒクルＡ１１０ｇと導電
性粉末１００ｇ（平均粒径０．７μｍのすず粉５ｇと平
均粒径０．７μｍの亜鉛粉５ｇと平均粒径０．７μｍの
ニッケル粉９０ｇとの混合物）とをよく混練し、ペース
トを得た。このペーストを、厚さ１μｍのニッケルをメ
ッキした基体（厚さ６０μｍの銅箔）に、ドクターブレ
ード法によって２７μｍの膜厚になるように塗布した。
その後、窒素ガス中において３９０℃で熱処理すること
によって、脱バインダを行った。その後、水素ガス中に
おいて、７００℃で１５分間熱処理を行うことによって
焼結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極を得た。この
ようにして形成された焼結層の表面の中心線平均粗さＲ
ａは、０．５μｍであった。

【０１９９】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０２００】なお、導電性粉末として、ニッケル粉の含
有量が７０ｗｔ％以上の導電性粉末を用いることによっ
て、銅箔との接着力が特に大きくなった。

【０２０１】また、上記実施例では、ブチラール樹脂の
代わりに、メチルセルロース、エチルセルロース、ニト
ロセルロース等のセルロース樹脂、アクリル樹脂、ポリ
アセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂またはロジ
ン等を用いてもよい。

【０２０２】（実施例４７）メチルセルロースの含有量
が３．５ｗｔ％である水溶液１００ｇと平均粒径２μｍ
のニッケル粉（導電性粉末）９０ｇとをよく混練し、ペ
ーストを得た。このペーストを、厚さ６０μｍの銅箔
（基体）に、ドクターブレード法、リバーシブルロール
法またはスクリーン印刷法によって、２７μｍの膜厚に
なるように塗布した（塗布速度１０ｍｍ／ｓｅｃ）。そ
の後、好ましくは５％以下の水素ガスを含む窒素ガス中
で、３５０℃の温度で圧延ロール処理または熱プレス処
理を行った。その後、４５０℃で熱処理することによっ
て、脱バインダを行った。その後、混合ガス（水素３５
％−窒素６５％）中において、９５０℃で５分間熱処理
を行うことによって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ
用電極を得た。このようにして形成された焼結層の表面
の中心線平均粗さＲａは、２μｍであった。

【０２０３】なお、室温のような低温で圧延ロール処理
や熱プレス処理を行うよりも、高温（たとえば３５０℃
以上）で処理したほうが、基体とニッケル粉末との密着
性が大きくなった。

【０２０４】また、基体として、ニッケル箔、あるいは
ニッケルをメッキした鉄箔、あるいはニッケルをメッキ
した銅箔、あるいはニッケル、銅、銀、金、パラジウ
ム、亜鉛、クロム、白金、すず、コバルト、インジウ
ム、リン青銅、黄銅、洋白、ニッケルリン、ニッケルボ
ロンまたはこれらの合金またはこれらの化合物によるメ
ッキが施された金属箔を用いても、同様の結果が得られ
た。

【０２０５】また、導電性粉末として、銅、銀、亜鉛、
パラジウム、金、白金、コバルト、鉄、チタン、ニッケ
ルリン、ニッケルボロン、モリブデン、タングステン、
マンガン、鉛、またはこれらを含む合金からなる導電性
粉末、あるいはこれらにメッキを行った導電性粉末を用
いても、良好な結果が得られた。

【０２０６】特に、基体および導電性粉末に、ニッケル
リンまたはニッケルボロンをメッキした場合には、良好
な結果が得られた。

【０２０７】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０２０８】（実施例４８）ビヒクルＡ１００ｇと平均
粒径３μｍのニッケル粉（導電性粉末）１００ｇとをよ
く混練し、ペーストを得た。このペーストを、厚さ１μ
ｍのニッケルリンを無電解メッキした基体（厚さ６０μ
ｍの銅箔）に、ドクターブレード法によって２７μｍの
膜厚になるように塗布した。その後、窒素ガス中または
空気中において４５０℃で熱処理することによって、脱
バインダを行った。その後、混合ガス（水素５０％−窒
素５０％）中において、８００℃で５分間熱処理を行う
ことによって焼結層を形成し、ＰＴＣサーミスタ用電極
を得た。このようにして形成された焼結層の表面の中心
線平均粗さＲａは、３．５μｍであった。

【０２０９】なお、ニッケルリンの代わりにニッケルボ
ロンをメッキした基体を用いても、同様の結果が得られ
た。

【０２１０】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０２１１】なお、基体として、ニッケル箔、あるいは
ニッケルをメッキした鉄箔、あるいはニッケルをメッキ
した銅箔、あるいはニッケル、銅、銀、金、パラジウ
ム、亜鉛、クロム、白金、すず、コバルト、インジウ
ム、リン青銅、洋白、ニッケルリン、ニッケルボロンま
たはこれらの合金若しくはこれらの化合物がメッキされ
た金属箔を用いても同様の結果が得られた。

【０２１２】また、導電性粉末として、銅、銀、亜鉛、
パラジウム、金、白金、コバルト、鉄、チタン、ニッケ
ルリン、ニッケルボロンからなる導電性粉末や、これら
にメッキをした導電性粉末を用いても、良好な結果が得
られた。

【０２１３】（比較例）メッキ法によって形成した銅箔
（電解銅箔）に厚さ１μｍのニッケルをメッキした後、
電流密度を上げて上記ニッケルメッキ上にさらに電着に
よってニッケルを析出させ、表面を粗化した。このよう
にして形成されたニッケルメッキ層の表面の中心線平均
粗さＲａは、１．５μｍであった。

【０２１４】さらに、２枚の上記ＰＴＣサーミスタ用電
極を用いて、実施例１と同様にＰＴＣサーミスタを作製
した。そして、実施例１と同様の条件で、過電流印加サ
イクル試験および引き剥がし試験を行った（表１および
表２参照）。

【０２１５】表１に示すように、比較例のＰＴＣサーミ
スタでは、抵抗値変化率が５０％以上と大きかった。そ
して、比較例のＰＴＣサーミスタでは、過電流印加サイ
クル試験後に、保証通電電流（具体的には、１Ａ）を通
電しようとしても通電できなかった。一方、実施例１な
いし４８のＰＴＣサーミスタでは、抵抗値変化率が５０
％以下と小さかった。また、実施例１ないし４８のＰＴ
Ｃサーミスタでは、過電流印加サイクル試験後でも、保
証通電電流を通電することができた。

【０２１６】さらに、表２に示すように、比較例のＰＴ
Ｃサーミスタでは、ＰＴＣサーミスタ用電極と導電性ポ
リマとの間の引き剥がし強度が小さかったのに対し、実
施例１ないし４８のＰＴＣサーミスタでは、９．８Ｎ／
ｃｍ²（１ｋｇｆ／ｃｍ²）以上の引き剥がし強度（実用
上問題がない値である）が得られた。

【０２１７】以上、本発明の実施形態について例を挙げ
て説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず
本発明の技術的思想に基づき他の実施形態に適用するこ
とができる。

【０２１８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のＰＴＣサ
ーミスタ用電極は、導電性を有する基体と、基体上に形
成された焼結層とを含み、焼結層は、導電性粉末を焼結
することによって形成された導電性を有する焼結層であ
る。したがって、本発明のＰＴＣサーミスタによれば、
導電性ポリマとの接着力が大きく、製造が容易なＰＴＣ
サーミスタ用電極が得られる。

【０２１９】また、本発明のＰＴＣサーミスタ用電極の
製造方法は、導電性を有する基体の表面に、導電性粉末
を含むペーストを塗布する第１の工程と、前記ペースト
を熱処理することによって前記導電性粉末を含む焼結層
を形成する第２の工程とを含む。したがって、上記製造
方法によれば、本発明のＰＴＣサーミスタ用電極を容易
に製造できる。特に、上記製造方法によれば、ペースト
中の導電性粉末の形状や粒径を変化させることによっ
て、中心線平均粗さを、容易にコントロールすることが
できる。

【０２２０】また、本発明のＰＴＣサーミスタは、一対
の電極と前記一対の電極間に配置された導電性ポリマと
を含むＰＴＣサーミスタであって、電極が上記本発明の
ＰＴＣサーミスタ用電極であることを特徴とする。した
がって、上記本発明のＰＴＣサーミスタによれば、ＰＴ
Ｃサーミスタ用電極と導電性ポリマとの接着強度が大き
く、過電流を繰り返し印加しても抵抗値変化率が小さい
ＰＴＣサーミスタが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のＰＴＣサーミスタ用電極について、
一例を示す断面図である。

【図２】 本発明のＰＴＣサーミスタ用電極について、
他の一例を示す断面図である。

【図３】 本発明のＰＴＣサーミスタ用電極について、
その他の一例を示す断面図である。

【図４】 本発明のＰＴＣサーミスタ用電極について、
さらにその他の一例を示す断面図である。

【図５】 中心線平均粗さＲａの測定方法を示す模式図
である。

【図６】 本発明のＰＴＣサーミスタ用電極の製造方法
について、一例を示す工程図である。

【図７】 本発明のＰＴＣサーミスタ用電極の製造方法
について、製造装置の一例を示す模式図である。

【図８】 本発明のＰＴＣサーミスタについて、一例を
示す断面図である。

【符号の説明】

１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ ＰＴＣサーミスタ １１、１１ａ 基体 １２ 焼結層 １２ａ 第１の焼結層 １２ｂ 第２の焼結層 １３ 金属膜 １４ 凹凸形状 ６１ 導電性粉末 ６２ ペースト ８０ ＰＴＣサーミスタ ８１ 導電性ポリマ Ｒａ 中心線平均粗さ Ｌ 基準長さ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森本 光一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 小島 潤二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 井垣 恵美子 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−21208（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−219302（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−125504（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01C 7/02 - 7/22

Claims (19)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の電極と、前記一対の電極の間に配
   置されたＰＴＣ特性を有するポリマシートとを備えるＰ
   ＴＣサーミスタであって、 前記ポリマシートが導電性粒子を含む結晶性ポリマから
   なり、 前記電極は、金属からなり導電性を有する基体と、前記
   基体上に形成された焼結層とを含み、 前記焼結層は、金属材料からなる導電性粉末を焼結する
   ことによって形成された導電性を有しバインダを含まな
   い焼結層であって、且つ、表面に凹凸形状を有する焼結
   層であり、且つ前記ポリマシートに接していることを特
   徴とするＰＴＣサーミスタ。
2. 【請求項２】 前記焼結層の中心線平均粗さＲａが、
   ０．５μｍ以上２０μｍ以下である請求項１に記載のＰ
   ＴＣサーミスタ。
3. 【請求項３】 前記導電性粉末の表面に金属膜が形成さ
   れている請求項１に記載のＰＴＣサーミスタ。
4. 【請求項４】 前記導電性粉末の表面に形成された前記
   金属膜が前記基体と同一の金属材料からなる請求項３に
   記載のＰＴＣサーミスタ。
5. 【請求項５】 前記導電性粉末の表面に形成された前記
   金属膜が前記基体よりも融点が低い金属材料からなる請
   求項３に記載のＰＴＣサーミスタ。
6. 【請求項６】 前記基体と前記焼結層との間に形成され
   た金属膜を備える請求項１に記載のＰＴＣサーミスタ。
7. 【請求項７】 前記金属膜は、ニッケル、銅、銀、金、
   パラジウム、チタン、亜鉛、モリブデン、タングステ
   ン、マンガン、鉛、クロム、白金、すず、コバルトおよ
   びインジウムから選ばれる少なくとも一つの元素を含む
   請求項６に記載のＰＴＣサーミスタ。
8. 【請求項８】 前記焼結層は、前記基体側から積層され
   た第１の焼結層と第２の焼結層とを含み、 前記第１の焼結層は、平均粒径が０．１μｍ以上１μｍ
   以下の導電性粉末を焼結して形成した焼結層であり、 前記第２の焼結層は、平均粒径が１μｍ以上の導電性粉
   末を焼結して形成した 焼結層である請求項１に記載のＰ
   ＴＣサーミスタ。
9. 【請求項９】 前記導電性粉末が、鉄、ニッケル、銅、
   銀、金、パラジウム、亜鉛、モリブデン、タングステ
   ン、マンガン、鉛、クロム、白金、すず、コバルト、イ
   ンジウムおよびチタンから選ばれる少なくとも一つの元
   素を含む金属材料からなる請求項１に記載のＰＴＣサー
   ミスタ。
10. 【請求項１０】 前記基体が、鉄、銅およびニッケルか
    ら選ばれる少なくとも一つの元素を含む金属材料からな
    る請求項１に記載のＰＴＣサーミスタ。
11. 【請求項１１】 前記基体は、表面に凹凸形状を有する
    請求項１に記載のＰＴＣサーミスタ。
12. 【請求項１２】 一対の電極と、前記一対の電極の間に
    配置されたＰＴＣ特性を有するポリマシートとを備える
    ＰＴＣサーミスタの製造方法であって、 金属からなり導電性を有する基体の表面に、金属材料か
    らなる導電性粉末を含むペーストを塗布する第１の工程
    と、 前記ペーストを熱処理することによって前記導電性粉末
    を焼結させてバインダを含まない焼結層を形成する第２
    の工程と、 前記焼結層が形成された前記基体を電極として２つ用意
    し、その焼結層で、ＰＴＣ特性を有するポリマシートを
    挟む第３の工程とを含むことを特徴とするＰＴＣサーミ
    スタの製造方法。
13. 【請求項１３】 前記第１の工程の前に、前記基体の表
    面に金属膜を形成する工程をさらに備える請求項１２に
    記載のＰＴＣサーミスタの製造方法。
14. 【請求項１４】 前記導電性粉末は、平均粒径が０．１
    μｍ以上１μｍ以下であり、 前記第２の工程の後であって前記第３の工程の前に、金
    属材料からなり平均粒径が１μｍ以上の第２の導電性粉
    末を含むペーストを前記焼結層に塗布したのち熱処理す
    ることによって、前記焼結層に積層された第２の焼結層
    を形成する工程を含む請求項１２に記載のＰＴＣサーミ
    スタの製造方法。
15. 【請求項１５】 前記第１の工程は、前記ペーストを塗
    布した後、前記基体に塗布されたペーストを乾燥し圧延
    する工程をさらに備える請求項１２に記載のＰＴＣサー
    ミスタの製造方法。
16. 【請求項１６】 前記熱処理は、還元性雰囲気中で行わ
    れる請求項１２に記載のＰＴＣサーミスタの製造方法。
17. 【請求項１７】 前記導電性粉末が、鉄、ニッケル、
    銅、銀、金、パラジウム、亜鉛、モリブデン、タングス
    テン、マンガン、鉛、クロム、白金、すず、コバルト、
    インジウムおよびチタンから選ばれる少なくとも一つの
    元素を含む金属材料からなる請求項１２に記載のＰＴＣ
    サーミスタの製造方法。
18. 【請求項１８】 前記基体が、鉄、銅およびニッケルか
    ら選ばれる少なくとも一つの元素を含む金属材料からな
    る請求項１２に記載のＰＴＣサーミスタの製造方法。
19. 【請求項１９】 前記第１の工程の前に、前記基体の表
    面に凹凸形状を形成する工程をさらに備える請求項１２
    に記載のＰＴＣサーミスタの製造方法。